JP6300206B2 - 離型フィルム付銅箔の製造方法 - Google Patents
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- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 180
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 title claims description 90
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 92
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 92
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 59
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 54
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 54
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 46
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 46
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 18
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 18
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 18
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 223
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 60
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 35
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 28
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 23
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 21
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 15
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 13
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 12
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 11
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 11
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 10
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 9
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 6
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 5
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- BXKDSDJJOVIHMX-UHFFFAOYSA-N edrophonium chloride Chemical compound [Cl-].CC[N+](C)(C)C1=CC=CC(O)=C1 BXKDSDJJOVIHMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000684 Cobalt-chrome Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229920010524 Syndiotactic polystyrene Polymers 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N [Co].[Ni] Chemical compound [Co].[Ni] QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N chromate(2-) Chemical compound [O-][Cr]([O-])(=O)=O ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
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Description
本発明はプリント配線板用途に好適に使用される離型フィルム付銅箔に関する。
コンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される半導体集積回路素子（以下、「半導体素子」）は、近年、高性能化、多機能化が進んでいる。このため、半導体素子の端子間ピッチは狭ピッチ化が求められており、半導体素子が搭載されるプリント配線板であるパッケージ基板等も配線パターンの微細化が求められている。
プリント配線板の配線パターンを形成する方法は、銅張積層板の銅層をエッチング加工することにより製造されてきた。エッチングによる加工法は、例えばサブトラクティブ法がある。サブトラクティブ法は銅張積層板から不要な銅層部分を取り除いて回路を形成する方法であり、配線として残したい部分にインクや塗料を塗布して覆い、金属腐食性の薬品で銅層をエッチングして必要な回路を形成する方法である。
近年の小型軽量化の図られた電子機器等に搭載するプリント配線板は、部品実装密度を向上させ狭小領域に配置されるため、ファインピッチ回路を形成することが求められてきた。
配線材料には銅箔が好適に用いられ、この要求に応えるために銅箔の厚みを小さくすることが求められていた。ところが、薄い銅箔を使用するほど銅箔のハンドリングが困難となり、シワ等の欠陥が発生しやすくなる。銅箔にシワやピンホールがあると、プレス成型時に銅箔のシワ部分から亀裂が発生し、流動化したプリプレグ中の樹脂が亀裂からしみ出し、銅張積層板の表面が汚染されたり、銅箔の平坦度を損ねたりするおそれがある。これら銅張積層板の欠陥は、その後のプリント配線板製造工程において形成される配線回路のショートや断線等をおこす原因となる。
またフレキシブルタイプの銅張積層板を製造する場合のロールラミネート、キャスティング法等のプレス加工とは異なる方法を用いた場合でも銅箔に存在したシワは、銅張積層板の状態になった以降もその表面に凹凸として残り、同様の問題をおこす。
この問題を解決するため様々な提案がなされている。例えば、銅箔をキャリアとして用いたキャリア箔付銅箔が提案されている（例えば、特許文献１）。銅箔のようなキャリア箔にグラファイト構造を有するカーボン層を接合界面層として、この接合界面層上にスパッタリング法により銅膜を形成した後、この銅膜上に電解めっき法により銅層を形成する方法である。この銅膜の表面粗さは、キャリア箔に依存することとなり、表面粗さＲａが０．２０μｍ程度の銅箔が得られる。
また、キャリアに有機フィルムを用いたものがある（例えば、特許文献２）。プラスチックフィルムを支持体として、離型層を水溶性セルロース樹脂、水溶性ポリエステル樹脂、水溶性アクリル樹脂のいずれかを用い、物理蒸着法によって銅を形成する方法である。この方法では表面粗さがプラスチックフィルムに依存するため、表面粗さＲａが０．０９μｍ以下のものが得られる。
また、極薄銅箔のピンホールを良好に低減するような提案がなされている（例えば特許文献３）。キャリア箔に積層された中間層をニッケル−リン合金またはニッケル−コバルト合金とクロムをこの順に積層することによって極薄銅箔のピンホールを低減したものであり、ピンホール数は５〜１０個／ｄｍ２の銅箔が得られる。
しかしながら、近年、回路システムにおける高速動作を実現するために、高周波信号を伝送可能な配線基板が要求されている。一般に、配線基板の導体層に高周波信号を伝送させる場合は、導体表面の近傍に電流が集中する表皮効果が生じ、周波数が高くなるほど表皮効果の影響によって導体損失が増加していく。そして、導体層の表面が粗い場合は表皮効果により電流が導体表面の凹凸部分を集中的に流れることになるため、導体損失の増加が顕著となる。したがって高周波信号を伝送可能な配線基板を作製するためには表面粗さＲａが０．１０μｍ以下の平滑な銅箔である必要がある。
特許文献１のようなキャリアシート付銅箔の場合では、主に銅箔などの金属箔に電解めっき法で銅層を作製するため、表面粗さを小さくすることは難しく、銅箔の表面粗さＲａは０．２０μｍ以上のものとなってしまう。めっき液のレベリング性を向上して平滑な銅層を作製するように組成を変更しても表面粗さＲａが０．１０μｍ以下の極薄銅箔を作製することは難しい。また、キャリア箔に蒸着によって銅層を設けようとしても、蒸着時にキャリア箔にかかる熱により熱膨張が生じシワ等が発生してしまう。シワの発生なく蒸着するためには厚みが限られる。実際に蒸着法のみを用いてロールトゥロールでシワなく銅層を設けるにはアルミ箔や銅箔の場合、０．２μｍ以上の厚みを成膜することは困難であるし、熱膨張の小さいモリブデン箔を用いたとしても０．５μｍ以上の厚みの成膜は困難である。ここでキャリアシートと銅箔を剥離する剥離層は金属層と炭素層が用いられているが、選択される金属層はカーボンと安定的に結合可能な金属が採用されており、タンタル、ニオブ、ジルコニウム、ニッケル、クロム、チタン、鉄、ケイ素、モリブデン、バナジウム、タングステンが挙げられている。しかし、スパッタリング法などの物理蒸着法で金属層を作製する場合、金属種によってスパッタレートが異なる。実際にケイ素、バナジウム、タンタル、タングステンはスパッタレートが低いため、層を形成するためには搬送速度を遅くしたり、スパッタ出力を増大したりする必要があるため困難である。
また蒸着で銅層を形成する場合、表面状態は基材の表面に依存するため、基材の表面粗さが小さい基材を選定すれば結果として表面粗さの小さい銅層を形成することが出来る。しかし、蒸着で作製した銅層はピンホールを生じ、ピンホールが存在すると回路パターンを作製した時に断線などに繋がってしまう。そこで、実績としてピンホール数が少ない蒸着法として電子ビーム蒸着法が選ばれる。実際、抵抗加熱蒸着法、誘導加熱蒸着法などの他の真空蒸着法と比べると、電子ビーム蒸着法の１平方メートルあたりの５．０μｍ以上のピンホール数は１オーダー以上少ない。また、生産効率がよく、他の真空蒸着法の５倍以上の成膜速度が実現できるのも電子ビーム蒸着法の優れた点である。
特許文献２のような金属膜付フィルムの場合、表面粗さＲａは０．０９μｍ以下となり、高周波用途に適した金属膜を作製することができる。しかし、ピンホールが少ない金属膜を作製しようとしたり、より生産効率を高めたりしようとすると電子ビーム蒸着法でないと実現が難しい。ここで、特許文献２のように離型層を水溶性セルロース樹脂、水溶性ポリエステル樹脂、水溶性アクリル樹脂のいずれかを選択した場合、１００℃以上の熱処理を行うと離型層とプラスチックフィルムが剥がれなくなってしまう。この原因は蒸着する金属に電子ビームが照射されるときに生じる２次電子によって離型層、プラスチックフィルムが電子線崩壊したり、離型層とプラスチックフィルムが界面で結合したりすることにある。絶縁層と貼りあわせるためには１００℃以上の熱処理は必要であり、熱処理によってプラスチックフィルムは剥がれなくなってしまう。
また特許文献３のような中間層を離型層として用いた場合、めっき法で銅層を作製する場合においてはピンホールを低減できるかもしれないが、作製された銅膜のピンホール数は５個／ｄｍ２以上であり、プリント配線板用途として用いるにはかなり多い。ピンホール数を少なくするために電子ビーム蒸着法によって銅膜を作製しようとするとキャリアとして箔を用いているため、上述の特許文献１の場合と同じ理由で０．２μｍ以上の厚みを成膜することは困難であるし、熱膨張の小さいモリブデン箔を用いたとしても０．５μｍ以上の厚みの成膜は困難である。
そこで本発明では、電子ビーム蒸着法を用いて銅層を作製し、プレスやラミネートによる熱処理を行った後、銅層と離型付フィルムを剥離することができ、かつ高周波信号を伝送可能な配線基板を作製できるような離型フィルム付銅箔を作製することを目的とした。
本発明者らは、上記の課題に鑑み鋭意検討した結果、表面粗さが低い有機フィルムに炭素層を離型層として選択し、炭素層と有機フィルムの間に金属層を設けることによって、電子ビーム蒸着法を用いて銅層を形成し、プレスやラミネートの熱処理温度で使用される１６０〜２２０℃の加熱処理を行っても銅層と離型付フィルムが剥離可能な離型フィルム付銅箔を得るに至った。
すなわち、本発明は、フィルムの一方の面に剥離層を有する離型フィルムの該剥離層の上に銅層が設けられた離型フィルム付銅箔であって、該剥離層はフィルム側から金属層および炭素層がこの順に形成され、該銅層は表面粗さＲａが０．１０μｍ以下であることを特徴とする離型フィルム付銅箔に関する。
好ましい態様は、該金属層は、アルミニウム、亜鉛、チタン、クロム、鉄、コバルト、ニッケル、ゲルマニウム、白金、金、鉛から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする離型フィルム付銅箔に関する。
好ましい態様は、該銅層は、厚みが０．３μｍ以上３．０μｍ以下であり、大きさが５μｍ以上のピンホール数が１平方ｍあたり１個以下であることを特徴とする離型フィルム付銅箔に関する。
好ましい態様は、該フィルムは、厚みが２５μｍ以上１５０μｍ以下であり、剥離層と接する面の表面粗さＲａが０．１０μｍ以下であり、１２０℃、３０分で熱処理した後の熱収縮率がＭＤ方向（長手方向）、ＴＤ方向（幅方向）いずれも２．０％以下であり、かつ、融点が２２０℃以上であることを特徴とする離型フィルム付銅箔に関する。
本発明の離型フィルム付銅箔は厚みが薄くその表面が平滑なものであり、また真空熱プレスや真空ラミネートなどの熱処理で使用される１６０℃〜２２０℃の加熱処理後でも剥離可能であり、この離型フィルム付銅箔と絶縁層シートとを張りあわせることで銅層表面が平滑な銅張積層板が得られる。この銅張積層板はエッチングすることで配線上に欠点が少なく良好な回路パターンのプリント配線板を得ることが出来る。またこの銅張積層板は高周波用途にも好適に用いることができる。
本発明について以下詳細に説明する。
本発明の離型フィルム付銅箔は、フィルムの一方の面に金属層、炭素層、銅層がこの順に形成されているものである。このうち金属層と炭素層を合わせて剥離層としている。
本発明で用いられるフィルムとは、合成樹脂などの高分子を薄い膜状に成型したものである。
本発明における銅層は、かかる高分子からなるフィルムの上に物理蒸着法における真空蒸着法により形成されることが好ましく例示される。真空蒸着法には誘導加熱蒸着法、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、レーザービーム蒸着法などがある。ここで、銅層にピンホールが存在すると回路パターンを作製した時にピンホールが存在した部分は断線などを生じてしまう場合がある。ピンホールは５μｍ以上の蒸着膜の欠損部のことであり、回路パターンを加工するためにはこのピンホールが少ないほどよい。かかる銅層のピンホール数を少なくするためには電子ビーム蒸着法が好適に利用される。実際、５μｍ以上のピンホール数が１平方ｍあたり１個以下とするためには電子ビーム蒸着法が好ましく用いられる。かかる銅層は電子ビーム蒸着法を単独で用いて形成しても構わないし、電子ビーム蒸着法で銅層を形成した後にその他の蒸着法で銅層を形成した２層以上の層になっても構わない。また、蒸着中は基材の温度が上昇しないようにキャリアを冷却しながら蒸着を行ってもよい。
蒸着で作製した銅層のピンホールはフィルム状の汚れによって生じるが、他にも蒸着機の搬送によっても生じる。搬送ロール中にキズ、汚れがあると搬送でフィルムが通過した際に銅層が破れてピンホールとなる。銅層の搬送におけるピンホールは銅層が硬い方が生じにくいため、銅層は硬い方が好ましい。具体的にはナノインデンターで測定した時の硬さが１．４０ＧＰａ以上である方が好ましい。より好ましくは１．５０ＧＰａ以上である。ナノインデンターの測定方法は膜厚の１／１０以下まで針を侵入することで値を得ることが出来る。
また、かかる銅層は耐表面酸化の観点から銅層の表面に金属層による酸化防止層を設けてもよいし、クロメート処理やベンゾトリアゾールなどの防錆処理を施してもよい。
また、かかる銅層の厚みは０．３μｍ以上３．０μｍ以下であることが好ましい。３．０μｍを超えると銅層自体の反りにより、基材から自然に剥離してしまうおそれがある。また蒸着時に基材にかかる熱量も大きくなり、基材に熱変形が生じてしまうおそれがある。厚みが０．３μｍ未満であると銅層中のピンホールやボイドが増えてしまう。より好ましくは０．４μｍ以上３．０μｍ以下、さらに好ましくは０．４μｍ以上２．０μｍ以下である。
本発明では電子ビームによってロールトゥロールでフィルム上に銅層を形成することが好ましく例示される。その場合、フィルムは蒸着時に熱に曝される。フィルムは裏面に接している冷却ロールにより冷却されるが、このときフィルムの耐熱温度が低かったり、フィルムの熱収縮が大きかったりすると、フィルムの変形に伴って冷却ロールから浮いてしまい、冷却が十分にされず溶融により穴が空いてしまったりする。よって耐熱温度が高く、また、熱収縮が小さい方が好まれる。電子ビーム法によって銅層を形成するときの蒸着時のフィルム上の温度は１００〜１２０℃程度であると想定される。このため耐熱温度が１２０℃以上あり、１２０℃での熱収縮率がフィルムのＭＤ方向、ＴＤ方向のいずれも２．０％以下であることが好ましい。２．０％を超えると張力変更やロールの冷却によってフィルムの変形を制御することが難しく、上記銅層の厚みを形成しようとすると基材がロールから離れてフィルムの温度が上昇し溶融して穴が空いてしまう。より好ましくは熱収縮率が１．８％以下、さらに好ましくは１．５％以下である。フィルムの熱収縮率は所定の温度で３０分間処理した前後の寸法変化率より得ることが出来る。
本発明で得られる離型フィルム付銅箔は、プリプレグなどの絶縁層シートと張り合わせる工程において熱で処理する工程を有するため、耐熱性が要求される。ここでプリプレグなどの絶縁層シートはエポキシ系樹脂などの熱硬化性樹脂を含んでおり、張り合わせ時に樹脂を硬化させる必要があるため、真空熱プレス等を必要とする。この温度条件は絶縁層シートの種類によって様々であるが微細配線を必要とする箇所では２２０℃程度の温度条件を必要とする。よってフィルムの融点は２２０℃以上であることが好ましい。さらに好ましくは２３０℃以上である。
実際にフィルムを構成するポリマーはポリイミド、ポリエステル、ポリエステルのなかでもポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレートやポリブチレンテレフタレート、シンジオタクチックポリスチレンフィルム、芳香族ポリアミドフィルム、変性ポリフェニレンエーテルフィルム、フッ素系フィルム、液晶ポリマーフィルムが好ましく用いることができる。これらのフィルムは単独で用いても構わないし、複合されたものを用いても構わない。また該張り合わせ工程の温度条件を満たせば表面に樹脂等をコーティングしたものを用いても構わない。
またかかる高分子フィルムの厚みは２５μｍ以上１５０μｍ以下であることが好ましい。フィルムの厚みが２５μｍ未満であると蒸着中に生じる応力によってフィルムが変形したり破れたりしてしまう可能性がある。また１５０μｍを超えるとフィルムを張力で制御できなくなり巻きズレ等をおこしてしまう可能性がある。また一度の蒸着で投入できる量が減ってしまい生産性を悪くしてしまう。より好ましくは３５μｍ以上１２５μｍ以下である。
本発明では、フィルムの一面に剥離層が設けられており、フィルムと剥離層を含めて離型フィルムとしている。剥離層は、かかる剥離層の上に銅層が形成できればよく、また、銅層形成後に絶縁層シートと離型フィルム付銅箔の銅箔面を張り合わせた後、フィルムと銅箔を引き剥がすことができればよい。このとき剥離層のうちの炭素層はフィルムと銅箔のどちらに付いていても構わないが金属層はフィルム側に付いている必要がある。
また、本発明において上記の通り電子ビーム法を用いて蒸着を行うと、フィルムや剥離層は電子線の影響を受ける。電子線によって分子鎖が切断したり、また切断した分子同士が架橋したりすると想定される。このためフィルム自体が劣化することや、フィルムと剥離層が化学的に結合してしまい剥離できなくなってしまうことが生じる。よって結合数が多い炭素層が好適に用いられる。
また、かかる剥離層の形成方法は蒸着による方法や有機溶媒中から炭素膜を電気的に析出させる方法がある。蒸着による方法では、アークイオンプレーティング法、マグネトロンスパッタリング法、高周波プラズマＣＶＤ法、パルス方式直流プラズマＣＶＤ法、イオン化蒸着法、プラズマイオン注入成膜法などが例示される。比較的簡易に装置化出来るマグネトロンスパッタリング蒸着法が好ましく用いられる。
また、蒸着中の電子線の影響でフィルムおよび炭素層の分子鎖が切断されたとき、フィルムと炭素層の切断された分子鎖が熱影響などにより界面で結合するのを防止するために金属層を設ける必要がある。
金属層を設ける方法としては、例えば物理蒸着法であれば真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法が挙げられる。ここで金属層、炭素層、銅層を１つのラインで形成するとすればスペースが制限されるため、スパッタリング法が好ましく用いられる。
かかる金属層の種類は、スパッタリング法で金属層を形成するのであればスパッタレートが高い金属を選定することが好ましい。また、熱プレス等の熱処理中に炭素層、フィルム層に拡散しない金属を選択することが好ましく、炭素原子、銅原子がかかる金属層中に拡散しない金属であることが好ましい。具体的にはアルミニウム、亜鉛、クロム、チタン、鉄、コバルト、ニッケル、ゲルマニウム、白金、金、鉛が選ばれる。
かかる金属層の厚みは切断されたフィルムの分子鎖と炭素層の分子鎖が界面で結合されるのを防ぐことが出来れば十分であり、１ｎｍ以上あればよい。１ｎｍ未満であるとかかる界面の結合を十分に防ぐことが出来ない。また金属層の厚みを厚くするためにはスパッタ出力を増大し、かつ搬送速度を遅くしてしまうため生産効率が悪化してしまう。よって好ましくは１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、より好ましくは２ｎｍ以上５０ｎｍ以下、さらに好ましくは５ｎｍ以上４０ｎｍ以下である。金属層の厚みも炭素層と同様にランバート・ベールの法則を用いて透過率から算出することが出来る。
本発明の離型フィルム付銅箔は、剥離層と接していない面の銅層の表面粗さＲａが０．１０μｍ以下であることが好ましい。０．１０μｍを超えると表面が粗いことによって表皮効果の影響により導体損失が増加してしまい、高周波用途に用いることが難しくなる。より好ましくは０．０５μｍ以下、さらに好ましくは０，０３μｍ以下である。
また本発明で得られる離型フィルム付銅箔の銅層はフィルムの表面粗さに依存する。かかる理由からフィルムについても少なくとも剥離層と接する面の表面粗さＲａが０．１０μｍ以下であることが望ましい。より望ましくは０．０５μｍ以下、さらに望ましくは０，０３μｍ以下である。
本発明の離型フィルム付銅箔は、常態から１２０℃までの該離型フィルムと銅層との剥離力が０．１×１０−２Ｎ／ｍｍ未満であると銅層が自然剥離してしまうおそれがある。また、９．８×１０−２Ｎ／ｍｍを超えると剥離力が強く剥離が困難となる。よって離型フィルムと銅箔との剥離力は０．１×１０−２Ｎ／ｍｍ以上９．８×１０−２Ｎ／ｍｍ以下が好ましい。より好ましくは０．５×１０−２Ｎ／ｍｍ以上４．９×１０−２Ｎ／ｍｍ以下である。 本発明で得られた銅箔は真空熱プレスや真空ラミネートなどの２２０℃までの熱処理後も剥離可能であり、絶縁層シートと張りあわせることで銅層表面が平滑な銅張積層板が得られる。この銅張積層板はエッチングすることで配線上に欠点が少なく良好な回路パターンのプリント配線板を得ることが出来る。またこの銅張積層板は高周波用途にも好適に用いることができる。
また本発明で得られた銅箔は回路用途が主であるがこれに限らず、例えば、電磁波などのシールド用途、タッチパネルなどの転写箔の用途などに用いることができる。
なお、本発明は、以上に説明した各構成に限定されるものではなく、種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
以下、実施例に基づいて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
（表面粗さの測定）
表面粗さＲａはJIS B 0601-1994に定義される算術平均粗さのことであり、粗さ曲線からその平均線の方向に基準粗さ（ｌ）だけ抜き取り、この抜き取り部分の平均線の方向にX軸を、X軸と直行する方向にY軸を取り、粗さ曲線をｙ＝ｆ（ｘ）であらわしたときに、次の式によって求められる値である。
表面粗さＲａはJIS B 0601-1994に定義される算術平均粗さのことであり、粗さ曲線からその平均線の方向に基準粗さ（ｌ）だけ抜き取り、この抜き取り部分の平均線の方向にX軸を、X軸と直行する方向にY軸を取り、粗さ曲線をｙ＝ｆ（ｘ）であらわしたときに、次の式によって求められる値である。
フィルムおよび離型フィルム付銅箔を２０ｍｍ×２０ｍｍの大きさにカットした。カットしたサンプルはレーザー顕微鏡（キーエンス製、VK-X200）を用いて表面観察を行いJIS B0601-1994に準拠して行った。解析は株式会社キーエンス製の解析アプリケーションソフトVK-H1XAを用い、カットオフ値は０．２５μｍとした。該ソフトにおいて、「計測」、「表面粗さ」の順に選択し、１００μｍの長さを指定して表面粗さＲａを求めた。測定はサンプルのある一方向とその垂直な方向で測定して値の大きな方を表面粗さＲａとした。
（ピンホールの測定）
暗室中で民生用の写真用バックライトを光源にして目視で５μｍ以上のピンホールの数を測定した。測定は５平方ｍ以上の面積を行い、１平方ｍあたりの数に換算した。
暗室中で民生用の写真用バックライトを光源にして目視で５μｍ以上のピンホールの数を測定した。測定は５平方ｍ以上の面積を行い、１平方ｍあたりの数に換算した。
（フィルムの厚み、熱収縮率の測定）
フィルムの厚みを膜厚計DIGMICRO MFC-101を用いて測定した。またJIS K 7133に準じて１２０℃、３０ｍｉｎの条件で加熱前の寸法Ｌ、加熱後の寸法Ｌ０から寸法変化率
ΔＬ＝（Ｌ−Ｌ０）／Ｌ０×１００
を算出した。測定はフィルムのＭＤ方向およびＴＤ方向で行い、値の大きな方を熱収縮率とした。
フィルムの厚みを膜厚計DIGMICRO MFC-101を用いて測定した。またJIS K 7133に準じて１２０℃、３０ｍｉｎの条件で加熱前の寸法Ｌ、加熱後の寸法Ｌ０から寸法変化率
ΔＬ＝（Ｌ−Ｌ０）／Ｌ０×１００
を算出した。測定はフィルムのＭＤ方向およびＴＤ方向で行い、値の大きな方を熱収縮率とした。
（剥離力の測定）
離型フィルム付銅箔を１５０ｍｍ×２０ｍｍの大きさにカットした。カットしたサンプルの銅層面を両面テープ（ナイスタック強力タイプ）でアクリル板に固定した。剥離層を介してフィルムを銅層から一部剥離してテンシロンに固定し、銅層を１８０°ピールで剥離して得られた値を１ｃｍ当りの剥離力に換算して剥離力とした。剥離力は０．１×１０−２Ｎ／ｍｍ以上４．９×１０−２Ｎ／ｍｍ未満の範囲を良好な範囲で◎とし、４．９×１０−２Ｎ／ｍｍ以上１０．０×１０−２Ｎ／ｍｍ以下の範囲を剥離可能な範囲で○とした。
離型フィルム付銅箔を１５０ｍｍ×２０ｍｍの大きさにカットした。カットしたサンプルの銅層面を両面テープ（ナイスタック強力タイプ）でアクリル板に固定した。剥離層を介してフィルムを銅層から一部剥離してテンシロンに固定し、銅層を１８０°ピールで剥離して得られた値を１ｃｍ当りの剥離力に換算して剥離力とした。剥離力は０．１×１０−２Ｎ／ｍｍ以上４．９×１０−２Ｎ／ｍｍ未満の範囲を良好な範囲で◎とし、４．９×１０−２Ｎ／ｍｍ以上１０．０×１０−２Ｎ／ｍｍ以下の範囲を剥離可能な範囲で○とした。
（プレス試験）
離型フィルム付銅箔３４０ｍｍ×３４０ｍｍの大きさにカットして、プリプレグHL-832NXAとの張り合わせを行った。張り合わせは１１０℃、３０ｍｉｎ、０．５ＭＰａの後、所定の温度で１０５ｍｉｎ、３．０ＭＰａの条件で真空プレスを行った。真空条件は１６ｔｏｒｒとした。ここで所定の温度は１６０〜２２０℃まで１０℃ごとの範囲とした。１６０〜２２０℃までのすべての温度条件で剥離可能であったものを◎とした。
また、張り合わせた銅張品を１５０ｍｍ×２０ｍｍの大きさにカットした。カットしたサンプルのプリプレグ面を両面テープ（ナイスタック強力タイプ）でアクリル板に固定した。剥離層を介してフィルムを銅層から一部剥離してテンシロンに固定し、銅層を１８０°ピールで剥離して得られた値を１ｃｍ当りの剥離力に換算して剥離力とした。剥離力は０．１×１０−２Ｎ／ｍｍ以上９．０×１０−２Ｎ／ｍｍ未満の範囲を良好な範囲で◎とし、９．０×１０−２Ｎ／ｍｍ以上９．８×１０−２Ｎ／ｍｍ以下の範囲を剥離可能な範囲で○とした。
離型フィルム付銅箔３４０ｍｍ×３４０ｍｍの大きさにカットして、プリプレグHL-832NXAとの張り合わせを行った。張り合わせは１１０℃、３０ｍｉｎ、０．５ＭＰａの後、所定の温度で１０５ｍｉｎ、３．０ＭＰａの条件で真空プレスを行った。真空条件は１６ｔｏｒｒとした。ここで所定の温度は１６０〜２２０℃まで１０℃ごとの範囲とした。１６０〜２２０℃までのすべての温度条件で剥離可能であったものを◎とした。
また、張り合わせた銅張品を１５０ｍｍ×２０ｍｍの大きさにカットした。カットしたサンプルのプリプレグ面を両面テープ（ナイスタック強力タイプ）でアクリル板に固定した。剥離層を介してフィルムを銅層から一部剥離してテンシロンに固定し、銅層を１８０°ピールで剥離して得られた値を１ｃｍ当りの剥離力に換算して剥離力とした。剥離力は０．１×１０−２Ｎ／ｍｍ以上９．０×１０−２Ｎ／ｍｍ未満の範囲を良好な範囲で◎とし、９．０×１０−２Ｎ／ｍｍ以上９．８×１０−２Ｎ／ｍｍ以下の範囲を剥離可能な範囲で○とした。
（実施例１）
厚さ１００μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名”ルミラー”タイプ：Ｕ４８３）に、マグネトロンスパッタリング法でニッケル層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０２μｍ、融点は２６２℃、１２０℃での収縮率は０．９％であった。
ニッケル層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、ニッケル層のみでの透過率は７０．０％であり換算式から算出した金属層膜厚は４．８３ｎｍであった。炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。
厚さ１００μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名”ルミラー”タイプ：Ｕ４８３）に、マグネトロンスパッタリング法でニッケル層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０２μｍ、融点は２６２℃、１２０℃での収縮率は０．９％であった。
ニッケル層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、ニッケル層のみでの透過率は７０．０％であり換算式から算出した金属層膜厚は４．８３ｎｍであった。炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。
この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．６μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度４．４ｍ／ｍｉｎで１．５μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着は巻きズレ、シワの発生は無く巻き取ることが出来た。この蒸着膜のピンホール数は０．０個／ｍ２、表面粗さＲａは０．０２μｍであった。この離型フィルム付銅箔を剥離したところ、剥離力は０．９×１０−２Ｎ／ｍｍであった。真空プレス条件を行ったところ、１６０〜２２０℃のいずれの温度条件でも容易に剥離することができた。２２０℃でのプレス後の離型フィルム付銅箔の剥離力は０．９×１０−２Ｎ／ｍｍであった。
（実施例２）
厚さ７５μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名”ルミラー”タイプ：Ｓ１０）に、マグネトロンスパッタリング法でチタン層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０２μｍ、融点は２６２℃、１２０℃での収縮率は０．９％であった。
チタン層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、チタン層のみでの透過率は９３．２％であり換算式から算出した金属層膜厚は１．２１ｎｍであった。炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣパルス電源を用いて５ｋｗを採用した。
厚さ７５μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名”ルミラー”タイプ：Ｓ１０）に、マグネトロンスパッタリング法でチタン層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０２μｍ、融点は２６２℃、１２０℃での収縮率は０．９％であった。
チタン層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、チタン層のみでの透過率は９３．２％であり換算式から算出した金属層膜厚は１．２１ｎｍであった。炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣパルス電源を用いて５ｋｗを採用した。
この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．６μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度３．３ｍ／ｍｉｎで２．０μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着は巻きズレ、シワの発生は無く巻き取ることが出来た。この蒸着膜のピンホール数は０．８個／ｍ２、表面粗さＲａは０．０２μｍであった。この離型フィルム付銅箔を剥離したところ、剥離力は１．５×１０−２Ｎ／ｍｍであった。真空プレス条件を行ったところ、１６０〜２２０℃のいずれの温度条件でも容易に剥離することができたが少し剥離が重たかった。２２０℃でのプレス後の離型フィルム付銅箔の剥離力は８．７×１０−２Ｎ／ｍｍであった。
（実施例３）
厚さ１００μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名”ルミラー”タイプ：Ｕ４８３）に、マグネトロンスパッタリング法でアルミニウム層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０２μｍ、融点は２６２℃、１２０℃での収縮率は０．９％であった。
アルミニウム層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣパルス電源を用いて５ｋｗを採用した。また、アルミニウム層のみでの透過率は６２．９％であり換算式から算出した金属層膜厚は３．９０ｎｍであった。
厚さ１００μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名”ルミラー”タイプ：Ｕ４８３）に、マグネトロンスパッタリング法でアルミニウム層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０２μｍ、融点は２６２℃、１２０℃での収縮率は０．９％であった。
アルミニウム層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣパルス電源を用いて５ｋｗを採用した。また、アルミニウム層のみでの透過率は６２．９％であり換算式から算出した金属層膜厚は３．９０ｎｍであった。
炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．６μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度３．３ｍ／ｍｉｎで２．０μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着は巻きズレ、シワの発生は無く巻き取ることが出来た。この蒸着膜のピンホール数は０．２個／ｍ２、表面粗さＲａは０．０２μｍであった。この離型フィルム付銅箔を剥離したところ、剥離力は６．０×１０−２Ｎ／ｍｍであった。真空プレス条件を行ったところ、１６０〜２２０℃のいずれの温度条件でも容易に剥離することができたが少し剥離が重たかった。２２０℃でのプレス後の離型フィルム付銅箔の剥離力は８．９×１０−２Ｎ／ｍｍであった。
（実施例４）
厚さ１００μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名”ルミラー”タイプ：Ｕ４８３）に、マグネトロンスパッタリング法でニッケル層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０２μｍ、融点は２６２℃、１２０℃での収縮率は０．９％であった。ニッケル層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、ニッケル層のみでの透過率は７０．０％であり換算式から算出した金属層膜厚は４．８３ｎｍであった。
厚さ１００μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名”ルミラー”タイプ：Ｕ４８３）に、マグネトロンスパッタリング法でニッケル層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０２μｍ、融点は２６２℃、１２０℃での収縮率は０．９％であった。ニッケル層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、ニッケル層のみでの透過率は７０．０％であり換算式から算出した金属層膜厚は４．８３ｎｍであった。
炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて６ｋｗを採用した。この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．６μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度３．３ｍ／ｍｉｎで２．０μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着中にフィルムから銅層が一部剥離したが巻きズレなく巻き取ることが出来た。この蒸着膜のピンホール数は５．０個／ｍ２、表面粗さＲａは０．０２μｍであった。剥離しなかった部分を用いてこの離型フィルム付銅箔を剥離したところ、剥離力は０．３×１０−２Ｎ／ｍｍであった。真空プレス条件を行ったところ、１６０〜２２０℃のいずれの温度条件でも容易に剥離することができた。２２０℃でのプレス後の離型フィルム付銅箔の剥離力は０．３×１０−２Ｎ／ｍｍであった。
（実施例５）
厚さ５０μｍの２軸配向ポリイミドフィルム（東レ・デュポン（株）製、商標名”カプトン”タイプ：２００ＥＮ）に、マグネトロンスパッタリング法でニッケル層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０３μｍ、融点は５００℃以上、１２０℃での収縮率は０．１％以下であった。
ニッケル層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、ニッケル層のみでの透過率は７０．０％であり換算式から算出した金属層膜厚は４．８３ｎｍであった。
厚さ５０μｍの２軸配向ポリイミドフィルム（東レ・デュポン（株）製、商標名”カプトン”タイプ：２００ＥＮ）に、マグネトロンスパッタリング法でニッケル層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０３μｍ、融点は５００℃以上、１２０℃での収縮率は０．１％以下であった。
ニッケル層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、ニッケル層のみでの透過率は７０．０％であり換算式から算出した金属層膜厚は４．８３ｎｍであった。
炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて６ｋｗを採用した。この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．６μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度３３．０ｍ／ｍｉｎで０．２μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着中にフィルムから銅層が一部剥離したが巻きズレなく巻き取ることが出来た。この蒸着膜のピンホール数は５．０個／ｍ２、表面粗さＲａは０．０３μｍであった。この離型フィルム付銅箔を剥離したところ、剥離力は０．９×１０−２Ｎ／ｍｍであった。真空プレス条件を行ったところ、１６０〜２２０℃のいずれの温度条件でも容易に剥離することができたがピンホールから樹脂が染み出し剥離が重たい箇所が生じた。２２０℃でのプレス後の離型フィルム付銅箔の剥離力は０．９×１０−２Ｎ／ｍｍであった。
（実施例６）
厚さ１００μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名”ルミラー”タイプ：Ｕ４８３）に、マグネトロンスパッタリング法でクロム層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０２μｍ、融点は２６２℃、１２０℃での収縮率は０．９％であった。
クロム層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣパルス電源を用いて５ｋｗを採用した。また、クロム層のみでの透過率は８１．０％であり換算式から算出した金属層膜厚は２．４１ｎｍであった。
厚さ１００μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名”ルミラー”タイプ：Ｕ４８３）に、マグネトロンスパッタリング法でクロム層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０２μｍ、融点は２６２℃、１２０℃での収縮率は０．９％であった。
クロム層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣパルス電源を用いて５ｋｗを採用した。また、クロム層のみでの透過率は８１．０％であり換算式から算出した金属層膜厚は２．４１ｎｍであった。
炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．６μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度１．１ｍ／ｍｉｎで６．０μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着中にフィルムから銅層が一部剥離したが巻きズレなく巻き取ることが出来た。この蒸着膜のピンホール数は０．０個／ｍ２、表面粗さＲａは０．０２μｍであった。
剥離しなかった部分を用いてこの離型フィルム付銅箔を剥離したところ、剥離力は０．４×１０−２Ｎ／ｍｍであった。真空プレス条件を行ったところ、１６０〜２２０℃のいずれの温度条件でも容易に剥離することができた。２２０℃でのプレス後の離型フィルム付銅箔の剥離力は０．４×１０−２Ｎ／ｍｍであった。
（実施例７）
厚さ７５μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名”ルミラー”タイプ：Ｓ１０）に、マグネトロンスパッタリング法で白金層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０２μｍ、融点は２６２℃、１２０℃での収縮率は０．９％であった。
白金層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、白金層のみでの透過率は８５．２％であり換算式から算出した金属層膜厚は１．９５ｎｍであった。
厚さ７５μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名”ルミラー”タイプ：Ｓ１０）に、マグネトロンスパッタリング法で白金層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０２μｍ、融点は２６２℃、１２０℃での収縮率は０．９％であった。
白金層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、白金層のみでの透過率は８５．２％であり換算式から算出した金属層膜厚は１．９５ｎｍであった。
炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．６μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度１３．２ｍ／ｍｉｎで０．５μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着は巻きズレ、シワの発生は無く巻き取ることが出来た。この蒸着膜のピンホール数は３．０個／ｍ２、表面粗さＲａは０．０２μｍであった。この離型フィルム付銅箔を剥離したところ、剥離力は０．９×１０−２Ｎ／ｍｍであった。真空プレス条件を行ったところ、１６０〜２２０℃のいずれの温度条件でも容易に剥離することができたがピンホールから樹脂が染み出し剥離が重たい箇所が生じた。２２０℃でのプレス後の離型フィルム付銅箔の剥離力は０．９×１０−２Ｎ／ｍｍであった。
（実施例８）
厚さ２０μｍの２軸配向ポリイミドフィルム（東レ・デュポン（株）製、商標名”カプトン”タイプ：８０ＥＮ）に、マグネトロンスパッタリング法で金層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０３μｍ、融点は５００℃以上、１２０℃での収縮率は０．１％以下であった。
金層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、金層のみでの透過率は８４．５％であり換算式から算出した金属層膜厚は２．７７ｎｍであった。
厚さ２０μｍの２軸配向ポリイミドフィルム（東レ・デュポン（株）製、商標名”カプトン”タイプ：８０ＥＮ）に、マグネトロンスパッタリング法で金層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０３μｍ、融点は５００℃以上、１２０℃での収縮率は０．１％以下であった。
金層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、金層のみでの透過率は８４．５％であり換算式から算出した金属層膜厚は２．７７ｎｍであった。
炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．６μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度１６．５ｍ／ｍｉｎで０．４μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着は一部シワの発生があったが巻き取ることは出来た。この蒸着膜のピンホール数は０．８個／ｍ２、表面粗さＲａは０．０３μｍであった。この離型フィルム付銅箔を剥離したところ、剥離力は０．８×１０−２Ｎ／ｍｍであった。シワが発生しなかった部分を用いて真空プレス条件を行ったところ、１６０〜２２０℃のいずれの温度条件でも容易に剥離することができた。２２０℃でのプレス後の離型フィルム付銅箔の剥離力は０．８×１０−２Ｎ／ｍｍであった。
（実施例９）
厚さ１８８μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名”ルミラー”タイプ：Ｔ６０）に、マグネトロンスパッタリング法でニッケル層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０２μｍ、融点は２６２℃、１２０℃での収縮率は０．９％であった。
ニッケル層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、ニッケル層のみでの透過率は７０．０％であり換算式から算出した金属層膜厚は４．８３ｎｍであった。
厚さ１８８μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名”ルミラー”タイプ：Ｔ６０）に、マグネトロンスパッタリング法でニッケル層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０２μｍ、融点は２６２℃、１２０℃での収縮率は０．９％であった。
ニッケル層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、ニッケル層のみでの透過率は７０．０％であり換算式から算出した金属層膜厚は４．８３ｎｍであった。
炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．６μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度３．３ｍ／ｍｉｎで２．０μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着はフィルムの厚みが厚く巻きズレが一部発生したが巻き取ることは出来た。この蒸着膜のピンホール数は０．８個／ｍ２、表面粗さＲａは０．０２μｍであった。この離型フィルム付銅箔を剥離したところ、剥離力は０．９×１０−２Ｎ／ｍｍであった。シワが発生しなかった部分を用いて真空プレス条件を行ったところ、１６０〜２２０℃のいずれの温度条件でも容易に剥離することができた。２２０℃でのプレス後の離型フィルム付銅箔の剥離力は０．８×１０−２Ｎ／ｍｍであった。
（実施例１０）
厚さ７５μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名”ルミラー”タイプ：Ｓ１０）に、マグネトロンスパッタリング法でタンタル層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０２μｍ、融点は２６２℃、１２０℃での収縮率は０．９％であった。
タンタル層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、タンタル層のみでの透過率は９５．８％であり換算式から算出した金属層膜厚は１．０２ｎｍであった。炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣパルス電源を用いて５ｋｗを採用した。
（実施例１０）
厚さ７５μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名”ルミラー”タイプ：Ｓ１０）に、マグネトロンスパッタリング法でタンタル層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０２μｍ、融点は２６２℃、１２０℃での収縮率は０．９％であった。
タンタル層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、タンタル層のみでの透過率は９５．８％であり換算式から算出した金属層膜厚は１．０２ｎｍであった。炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣパルス電源を用いて５ｋｗを採用した。
この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．６μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度３．３ｍ／ｍｉｎで２．０μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着は巻きズレ、シワの発生は無く巻き取ることが出来た。この蒸着膜のピンホール数は０．８個／ｍ２、表面粗さＲａは０．０２μｍであった。この離型フィルム付銅箔を剥離したところ、剥離力は２．５×１０−２Ｎ／ｍｍであった。真空プレス条件を行ったところ、１６０〜２２０℃のいずれの温度条件でも容易に剥離することができたが少し剥離が重たかった。２２０℃でのプレス後の離型フィルム付銅箔の剥離力は９．７×１０−２Ｎ／ｍｍであった。
（比較例１）
厚さ１００μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名”ルミラー”タイプ：Ｕ４８３）に、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０２μｍ、融点は２６２℃、１２０℃での収縮率は０．９％であった。
炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。
厚さ１００μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名”ルミラー”タイプ：Ｕ４８３）に、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．０２μｍ、融点は２６２℃、１２０℃での収縮率は０．９％であった。
炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。
この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．６μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度３．３ｍ／ｍｉｎで２．０μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着は巻きズレ、シワの発生は無く巻き取ることが出来た。この蒸着膜のピンホール数は０．０個／ｍ２、表面粗さＲａは０．０２μｍであった。この離型フィルム付銅箔を剥離したところ、剥離力は１．４×１０−２Ｎ／ｍｍであった。真空プレス条件を行ったところ２００℃まではなんとか剥離することができたが２００℃を超えるとフィルムから剥離出来なかった。
（比較例２）
厚さ５０μｍのアルミ箔（東海東洋アルミ製）に、マグネトロンスパッタリング法でニッケル層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。アルミ箔の表面粗さＲａは０．４０μｍであった。
ニッケル層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、ニッケル層のみでの透過率は７０．０％であり換算式から算出した金属層膜厚は４．８３ｎｍであった。
厚さ５０μｍのアルミ箔（東海東洋アルミ製）に、マグネトロンスパッタリング法でニッケル層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。アルミ箔の表面粗さＲａは０．４０μｍであった。
ニッケル層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、ニッケル層のみでの透過率は７０．０％であり換算式から算出した金属層膜厚は４．８３ｎｍであった。
炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．６μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度４．４ｍ／ｍｉｎで１．５μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製したが、蒸着は巻きズレ、シワが発生し巻き取ることは出来なかった。ただし評価のサンプルはシワの発生があるが取ることが出来た。この蒸着膜のピンホール数は１．０個／ｍ２、表面粗さＲａは０．３９μｍであった。この離型アルミ箔付銅箔を剥離したところ、剥離力は１．５×１０−２Ｎ／ｍｍであった。真空プレス条件を行ったところシワの影響でうまく張りあわせることができなかった。
（比較例３）
厚さ７５μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名”ルミラー”タイプ：Ｔ６０）に、グラビアコータ法で水溶性セルロース樹脂を１．１μｍの厚さにコーティングし、剥離層をもつフィルムを作成した。フィルムの表面粗さＲａは０．０３μｍ、融点は２６２℃、１２０℃での収縮率は１．０％であった。この離型フィルムの水溶性セルロース樹脂形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度１０μｍ／ｍｉｎ、ライン速度５．０ｍ／ｍｉｎで２．０μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着は巻きズレ、シワの発生は無く巻き取ることが出来た。この蒸着膜のピンホール数は０．４個／ｍ２、表面粗さＲａは０．０２μｍであった。この離型フィルム付銅箔を剥離したところ、剥離力は２．５×１０−２Ｎ／ｍｍであった。また真空プレス条件は１２０℃以上で銅層とフィルムが固着してしまい剥離することが出来なかった。
厚さ７５μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名”ルミラー”タイプ：Ｔ６０）に、グラビアコータ法で水溶性セルロース樹脂を１．１μｍの厚さにコーティングし、剥離層をもつフィルムを作成した。フィルムの表面粗さＲａは０．０３μｍ、融点は２６２℃、１２０℃での収縮率は１．０％であった。この離型フィルムの水溶性セルロース樹脂形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度１０μｍ／ｍｉｎ、ライン速度５．０ｍ／ｍｉｎで２．０μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着は巻きズレ、シワの発生は無く巻き取ることが出来た。この蒸着膜のピンホール数は０．４個／ｍ２、表面粗さＲａは０．０２μｍであった。この離型フィルム付銅箔を剥離したところ、剥離力は２．５×１０−２Ｎ／ｍｍであった。また真空プレス条件は１２０℃以上で銅層とフィルムが固着してしまい剥離することが出来なかった。
（比較例４）
厚さ１００μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名”ルミラー”タイプ：Ｕ４８３）に、マグネトロンスパッタリング法でニッケル層を形成した。フィルムの表面粗さＲａは０．０２μｍ、融点は２６２℃、１２０℃での収縮率は０．９％であった。
ニッケル層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、ニッケル層のみでの透過率は７０．０％であり換算式から算出した金属層膜厚は４．８３ｎｍであった。このフィルムのニッケル層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．６μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度４．４ｍ／ｍｉｎで１．５μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着は巻きズレ、シワの発生は無く巻き取ることが出来た。この蒸着膜のピンホール数は０．０個／ｍ２、表面粗さＲａは０．０２μｍであった。このフィルム付銅箔を剥離したところ、剥離できなかった。また、真空プレス条件を行ったところ、１６０〜２２０℃のいずれの温度条件でも剥離できなかった。
厚さ１００μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名”ルミラー”タイプ：Ｕ４８３）に、マグネトロンスパッタリング法でニッケル層を形成した。フィルムの表面粗さＲａは０．０２μｍ、融点は２６２℃、１２０℃での収縮率は０．９％であった。
ニッケル層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、ニッケル層のみでの透過率は７０．０％であり換算式から算出した金属層膜厚は４．８３ｎｍであった。このフィルムのニッケル層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．６μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度４．４ｍ／ｍｉｎで１．５μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着は巻きズレ、シワの発生は無く巻き取ることが出来た。この蒸着膜のピンホール数は０．０個／ｍ２、表面粗さＲａは０．０２μｍであった。このフィルム付銅箔を剥離したところ、剥離できなかった。また、真空プレス条件を行ったところ、１６０〜２２０℃のいずれの温度条件でも剥離できなかった。
（比較例５）
厚さ１００μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名”ルミラー”タイプ：Ｕ４８３）に、グラビアコータ法でシリカをフィラーとして加えたポリイミド樹脂を１．０μｍの厚さにコーティングし、このフィルムにマグネトロンスパッタリング法でニッケル層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．７１μｍ、融点は２６２℃、１２０℃での収縮率は０．９％であった。
ニッケル層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、ニッケル層のみでの透過率は７０．０％であり換算式から算出した金属層膜厚は４．８３ｎｍであった。
厚さ１００μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名”ルミラー”タイプ：Ｕ４８３）に、グラビアコータ法でシリカをフィラーとして加えたポリイミド樹脂を１．０μｍの厚さにコーティングし、このフィルムにマグネトロンスパッタリング法でニッケル層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さＲａは０．７１μｍ、融点は２６２℃、１２０℃での収縮率は０．９％であった。
ニッケル層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、ニッケル層のみでの透過率は７０．０％であり換算式から算出した金属層膜厚は４．８３ｎｍであった。
炭素層形成のスパッタリング条件としては、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度６．６μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度３．３ｍ／ｍｉｎで２．０μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着中はロールとの密着性が悪くシワが多発したが、評価するためのサンプルだけは取ることができた。この蒸着膜のピンホール数は０．０個／ｍ２、表面粗さＲａは０．７２μｍであった。この離型フィルム付銅箔を剥離しようとしたところ、剥離がかなり重く剥離困難であった。剥離力は２２．１×１０−２Ｎ／ｍｍであった。また、真空プレス条件を行ったところ、１６０〜２２０℃いずれの条件でも剥離しようとするとフィルムが破れてしまい、剥離出来なかった。
（１） フィルム
（２） 剥離層
（３） 銅層
（４） 金属層
（５） 炭素層
（２） 剥離層
（３） 銅層
（４） 金属層
（５） 炭素層
Claims (4)
- フィルムの一方の面に剥離層を有する離型フィルムの該剥離層の上に銅層が設けられた離型フィルム付銅箔であって、該剥離層はフィルム側から金属層および炭素層がこの順に形成され、該銅層は表面粗さＲａが０．１０μｍ以下である離型フィルム付銅箔の製造方法であって、電子ビーム蒸着法で銅層を形成することを特徴とする離型フィルム付銅箔の製造方法。
- 該金属層は、アルミニウム、亜鉛、チタン、クロム、鉄、コバルト、ニッケル、ゲルマニウム、白金、金、鉛から選ばれる少なくとも１種である請求項１に記載の離型フィルム付銅箔の製造方法。
- 該銅層は、厚みが０．３μｍ以上３．０μｍ以下であり、大きさが５μｍ以上のピンホール数が１平方ｍあたり１個以下である請求項１または２に記載の離型フィルム付銅箔の製造方法。
- 該フィルムは、厚みが２５μｍ以上１５０μｍ以下であり、剥離層と接する面の表面粗さＲａが０．１０μｍ以下であり、１２０℃、３０分で熱処理した後の熱収縮率がＭＤ方向（長手方向）、ＴＤ方向（幅方向）いずれも２．０％以下であり、かつ、融点が２２０℃以上である請求項１〜３のいずれかに記載の離型フィルム付銅箔の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014261806A JP6300206B2 (ja) | 2014-01-21 | 2014-12-25 | 離型フィルム付銅箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014008314 | 2014-01-21 | ||
| JP2014008314 | 2014-01-21 | ||
| JP2014261806A JP6300206B2 (ja) | 2014-01-21 | 2014-12-25 | 離型フィルム付銅箔の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015157472A JP2015157472A (ja) | 2015-09-03 |
| JP2015157472A5 JP2015157472A5 (ja) | 2016-12-28 |
| JP6300206B2 true JP6300206B2 (ja) | 2018-03-28 |
Family
ID=54181892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014261806A Active JP6300206B2 (ja) | 2014-01-21 | 2014-12-25 | 離型フィルム付銅箔の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6300206B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6466235B2 (ja) * | 2015-04-16 | 2019-02-06 | 三井金属鉱業株式会社 | キャリア付銅箔、キャリア付銅張積層板、及びプリント配線板の製造方法 |
| JP6432793B2 (ja) * | 2015-12-03 | 2018-12-05 | 東レＫｐフィルム株式会社 | 離型フィルム付銅箔 |
| US10772219B2 (en) | 2015-12-25 | 2020-09-08 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Copper foil with carrier, copper foil with resin and method for manufacturing printed wiring board |
| WO2017149810A1 (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-08 | 三井金属鉱業株式会社 | キャリア付銅箔及びその製造方法、並びに配線層付コアレス支持体及びプリント配線板の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200804626A (en) * | 2006-05-19 | 2008-01-16 | Mitsui Mining & Smelting Co | Copper foil provided with carrier sheet, method for fabricating copper foil provided with carrier sheet, surface-treated copper foil provided with carrier sheet, and copper-clad laminate using the surface-treated copper foil provided with carrier she |
| JP2009231790A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-10-08 | Ajinomoto Co Inc | 多層プリント配線板の製造方法 |
-
2014
- 2014-12-25 JP JP2014261806A patent/JP6300206B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2015157472A (ja) | 2015-09-03 |
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