JP6467774B2 - プリント配線板の製造方法 - Google Patents
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Description
[1] プリント配線板の製造方法であって、
(A)支持体と、該支持体と接合している樹脂組成物層とを含む接着シートを、樹脂組成物層が内層基板と接合するように、内層基板に積層する工程、
(B)樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する工程、及び
(C)支持体を除去する工程
をこの順序で含み、
支持体が、該支持体を下記加熱条件:
〔加熱条件〕20℃から速度8℃/分にて100℃に昇温し100℃で30分間保持した後、速度8℃/分にて180℃に昇温し180℃で30分間保持する
にて加熱するとき、そのTD方向において、下記条件(TD1)及び(TD2):
〔条件(TD1)〕最大膨張率EATD(%)が0.9%以下;
〔条件(TD2)〕最大膨張率EATD(%)と加熱終了時点の膨張率EBTD(%)との差EATD−EBTDが0.5%以下
を満たす、方法。
[2] 樹脂組成物層中の無機充填材の含有量が50質量%以上である、[1]に記載の方法。
[3] 支持体が、該支持体を前記加熱条件にて加熱するとき、そのMD方向において、加熱終了時点の膨張率EBMD(%)が0%未満である、[1]又は[2]に記載の方法。
[4] 工程(B)が、
i)樹脂組成物層を温度T1(但し50℃≦T1<150℃)にて加熱すること、及び
ii)加熱後の樹脂組成物層を温度T2(但し150℃≦T2≦240℃)にて熱硬化させること
を含む、[1]〜[3]のいずれかに記載の方法。
[5] 下記加熱条件:
〔加熱条件〕20℃から速度8℃/分にて100℃に昇温し100℃で30分間保持した後、速度8℃/分にて180℃に昇温し180℃で30分間保持する
にて加熱するとき、そのTD方向において、下記条件(TD1)及び(TD2):
〔条件(TD1)〕最大膨張率EATD(%)が0.9%以下;
〔条件(TD2)〕最大膨張率EATD(%)と加熱終了時点の膨張率EBTD(%)との差EATD−EBTDが0.5%以下
を満たす支持体と、
該支持体と接合している樹脂組成物層と
を含む接着シート。
[6] 支持体が、該支持体を前記加熱条件にて加熱するとき、そのMD方向において、加熱終了時点の膨張率EBMD(%)が0%未満である、[5]に記載の接着シート。
[7] 樹脂組成物層中の無機充填材の含有量が50質量%以上である、[5]又は[6]に記載の接着シート。
[8] 下記加熱条件:
〔加熱条件〕20℃から速度8℃/分にて100℃に昇温し100℃で30分間保持した後、速度8℃/分にて180℃に昇温し180℃で30分間保持する
にて加熱するとき、そのTD方向において、下記条件(TD1)及び(TD2):
〔条件(TD1)〕最大膨張率EATD(%)が0.9%以下;
〔条件(TD2)〕最大膨張率EATD(%)と加熱終了時点の膨張率EBTD(%)との差EATD−EBTDが0.5%以下
を満たすプラスチックフィルム。
[9] [1]〜[4]のいずれかに記載の方法により製造されたプリント配線板を含む半導体装置。
本発明において、支持体についていう「MD方向」とは、支持体を製造する際の支持体の長手方向をいう。また、支持体についていう「TD方向」とは、支持体を製造する際の支持体の幅方向をいい、MD方向に垂直な方向である。なお、MD方向及びTD方向はいずれも、支持体の厚さ方向に対して垂直な方向である。
〔加熱条件〕20℃から速度8℃/分にて100℃に昇温し100℃で30分間保持した後、速度8℃/分にて180℃に昇温し180℃で30分間保持する。
本発明の方法に使用する接着シートは、下記加熱条件にて加熱するとき、そのTD方向において、下記条件(TD1)及び(TD2)を満たす支持体と、該支持体と接合している樹脂組成物層とを含む。
〔加熱条件(以下、「基準加熱条件」ともいう。)〕20℃から速度8℃/分にて100℃に昇温し100℃で30分間保持した後、速度8℃/分にて180℃に昇温し180℃で30分間保持する。
〔条件(TD1)〕最大膨張率EATD(%)が0.9%以下
〔条件(TD2)〕最大膨張率EATD(%)と加熱終了時点の膨張率EBTD(%)との差EATD−EBTDが0.5%以下
接着シートに使用される支持体は、一般に、加熱されると膨張又は収縮する。支持体の種類によって加熱時の膨張・収縮の程度は異なるが、その製造工程(例えば、支持体構成材料の配向、支持体巻き取り時のテンション等)に起因して、支持体は、加熱されると、TD方向よりもMD方向においてより収縮し易く、MD方向よりもTD方向においてより膨張し易い傾向にある。本発明者らは、支持体を付けたまま樹脂組成物層を熱硬化させて絶縁層を形成する際に、得られる絶縁層の表面性状に与える斯かる支持体の膨張・収縮特性の影響について検討した。その結果、本発明者らは、支持体の膨張特性が、得られる絶縁層の表面粗さや導体層との剥離強度に影響することを見出した。本発明においては、支持体のTD方向における膨張特性に着目しているが、これは、上記のとおり、支持体はTD方向においてより膨張し易い傾向にあるためである。したがって、加熱時にTD方向よりもMD方向においてより膨張する支持体が存在する場合、斯かる支持体を使用して本発明を実施するに際しては、TD方向をMD方向に、MD方向をTD方向にそれぞれ読み替えて適用すればよい。
条件(TD1)は、最大膨張率EATDに関する。支持体を付けたまま樹脂組成物層を熱硬化させて絶縁層を形成するにあたって、充填材の含有量が高い樹脂組成物を使用する場合であっても、粗化処理後に導体層に対して優れた剥離強度を呈する絶縁層を形成し得る観点から、最大膨張率EATDは、0.9%以下であり、好ましくは0.88%以下、より好ましくは0.86%以下、さらに好ましくは0.84%以下、さらにより好ましくは0.82%以下、0.8%以下、0.78%以下、0.76%以下、0.74%以下、0.72%以下又は0.7%以下である。最大膨張率EATDの下限は、特に限定されないが、通常、0.0%以上、0.1%以上とし得る。
条件(TD2)は、最大膨張率EATDと加熱終了時点の膨張率EBTDとの差EATD−EBTDに関する。支持体を付けたまま樹脂組成物層を熱硬化させて絶縁層を形成するにあたって、充填材の含有量が高い樹脂組成物を使用する場合であっても、粗化処理後に導体層に対して優れた剥離強度を呈する絶縁層を形成し得る観点から、差EATD−EBTDは、0.5%以下であり、好ましくは0.45%以下、より好ましくは0.4%以下、さらに好ましくは0.35%以下、さらにより好ましくは0.3%以下、0.25%以下、0.2%以下又は0.15%以下である。差EATD−EBTDの下限は、特に限定されず、0%であってもよい。
〔条件(MD1)〕最大膨張率EAMD(%)がEATD以下
〔条件(MD2)〕最大膨張率EAMD(%)と加熱終了時点の膨張率EBMD(%)との差EAMD−EBMDが0.5%以下
樹脂組成物層に用いる樹脂組成物は特に限定されず、その硬化物が十分な硬度と絶縁性を有するものであればよい。得られる絶縁層の熱膨張係数を低下させて、絶縁層と導体層との熱膨張の差によるクラックや回路歪みの発生を防止する観点から、樹脂組成物層に用いる樹脂組成物は無機充填材を含むことが好ましい。
なお、本発明において、樹脂組成物を構成する各成分の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分の合計質量を100質量%としたときの値である。
以下、樹脂組成物の材料として使用し得るエポキシ樹脂、硬化剤、及び添加剤について説明する。
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、tert−ブチル−カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂及びトリメチロール型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は1種単独で用いてもよく、又は2種以上を併用してもよい。
硬化剤としては、エポキシ樹脂を硬化する機能を有する限り特に限定されず、例えば、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、及びシアネートエステル系硬化剤が挙げられる。硬化剤は1種単独で用いてもよく、又は2種以上を併用してもよい。
樹脂組成物は、さらに熱可塑性樹脂を含んでもよい。熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂及びポリスルホン樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂は1種単独で用いてもよく、又は2種以上を併用してもよい。
樹脂組成物は、さらに硬化促進剤を含んでもよい。硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤等が挙げられ、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤が好ましい。硬化促進剤は、1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
樹脂組成物は、さらに難燃剤を含んでもよい。難燃剤としては、例えば、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等が挙げられる。難燃剤は1種単独で用いてもよく、又は2種以上を併用してもよい。樹脂組成物層中の難燃剤の含有量は、特に限定されないが、好ましくは0.5質量%〜20質量%、より好ましくは1質量%〜15質量%、さらに好ましくは1.5質量%〜10質量%がさらに好ましい。
樹脂組成物は、さらにゴム粒子を含んでもよい。ゴム粒子としては、例えば、後述する樹脂ワニスの調製に使用する有機溶剤に溶解せず、上述のエポキシ樹脂、硬化剤、及び熱可塑性樹脂などとも相溶しないものが使用される。このようなゴム粒子は、一般には、ゴム成分の分子量を有機溶剤や樹脂に溶解しないレベルまで大きくし、粒子状とすることで調製される。
樹脂組成物は、必要に応じて、他の添加剤を含んでいてもよく、斯かる他の添加剤としては、例えば、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物、並びに有機フィラー、増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、及び着色剤等の樹脂添加剤等が挙げられる。
本発明のプリント配線板の製造方法は、
(A)支持体と、該支持体と接合している樹脂組成物層とを含む接着シートを、樹脂組成物層が内層基板と接合するように、内層基板に積層する工程、
(B)樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する工程、及び
(C)支持体を除去する工程
をこの順序で含み、
支持体が、該支持体を下記加熱条件にて加熱するとき、そのTD方向において、下記条件(TD1)及び(TD2)を満たすことを特徴とする。
〔加熱条件〕20℃から速度8℃/分にて100℃に昇温し100℃で30分間保持した後、速度8℃/分にて180℃に昇温し180℃で30分間保持する。
〔条件(TD1)〕最大膨張率EATD(%)が0.9%以下
〔条件(TD2)〕最大膨張率EATD(%)と加熱終了時点の膨張率EBTD(%)との差EATD−EBTDが0.5%以下
以下、工程又は処理についていう「この順序で含む」に関しても、同様とする。
工程(A)において、支持体と、該支持体と接合している樹脂組成物層とを含む接着シートを、樹脂組成物層が内層基板と接合するように、内層基板に積層する。
工程(B)において、樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する。
i)樹脂組成物層を温度T1(但し50℃≦T1<150℃)にて加熱すること、
ii)加熱後の樹脂組成物層を温度T2(但し150℃≦T2≦240℃)にて熱硬化させること
をこの順序で含む。
工程(C)において、支持体を除去する。
なお本発明において、絶縁層と導体層との剥離強度とは、導体層を絶縁層に対して垂直方向(90度方向)に引き剥がしたときの剥離強度(90度ピール強度)をいい、導体層を絶縁層に対して垂直方向(90度方向)に引き剥がしたときの剥離強度を引っ張り試験機で測定することにより求めることができる。引っ張り試験機としては、例えば、(株)TSE製の「AC−50C−SL」等が挙げられる。
本発明はまた、本発明の方法において使用する接着シートの支持体として好適なプラスチックフィルムも提供する。
〔加熱条件〕20℃から速度8℃/分にて100℃に昇温し100℃で30分間保持した後、速度8℃/分にて180℃に昇温し180℃で30分間保持する。
〔条件(TD1)〕最大膨張率EATD(%)が0.9%以下
〔条件(TD2)〕最大膨張率EATD(%)と加熱終了時点の膨張率EBTD(%)との差EATD−EBTDが0.5%以下
本発明の方法により得られたプリント配線板を用いて、半導体装置を製造することができる。
(1)内層回路基板の準備
内層回路の形成されたガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板(銅箔の厚さ18μm、基板の厚さ0.8mm、パナソニック電工(株)製「R1515A」)の両面を、メック(株)製「CZ8100」に浸漬して銅表面の粗化処理を行った。
実施例及び比較例において作製した接着シートを、バッチ式真空加圧ラミネーター((株)名機製作所製「MVLP-500」)を用いて、樹脂組成物層が内層回路基板と接合するように、内層回路基板の両面にラミネート処理した。ラミネート処理は、30秒間減圧して気圧を13hPa以下とした後、100℃、圧力0.74MPaで30秒間圧着することにより行った。なお、接着シートは、保護フィルムを剥離した後に、積層に供した。
接着シートの積層後、支持体を付けたまま、100℃で30分間、次いで180℃で30分間の条件で樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成した。得られた絶縁層の銅回路上の厚さは35μmであった。
絶縁層の形性後、支持体を剥離除去した。得られた基板を「評価基板A」と称する。
評価基板Aを、膨潤液(アトテックジャパン(株)製「スエリングディップ・セキュリガントP」、ジエチレングリコールモノブチルエーテル含有の水酸化ナトリウム水溶液)に60℃で5分間浸漬し、次いで酸化剤溶液(アトテックジャパン(株)製「コンセントレート・コンパクトCP」、過マンガン酸カリウム濃度約6質量%、水酸化ナトリウム濃度約4質量%の水溶液)に80℃で20分間浸漬し、最後に中和液(アトテックジャパン(株)製「リダクションソリューション・セキュリガントP」、硫酸ヒドロキシルアミン水溶液)に40℃で5分間浸漬した。その後、80℃で30分間乾燥した。得られた基板を「評価基板B」と称する。
次いで、セミアディティブ法に従って、粗化処理後の絶縁層の表面に導体層を形成した。
すなわち、評価基板Bを、塩化パラジウム(PdCl2)を含む無電解メッキ用溶液に浸漬し、次いで無電解銅メッキ液に浸漬して、絶縁層表面にメッキシード層を形成した。150℃にて30分間加熱してアニール処理を行った後に、メッキシード層上にエッチングレジストを設け、エッチングによりメッキシード層をパターン形成した。次いで、硫酸銅電解メッキを行い、厚さ25±5μmの導体層(銅層)を形成した後、180℃にて60分間アニール処理した。得られた基板を「評価基板C」と称する。
−支持体のTD方向における膨張率の測定−
実施例及び比較例で調製した支持体のTD方向を長辺側にして寸法20mm×4mmの試験片を切り出した。該試験片について、熱機械分析装置(セイコーインスツル(株)製「TMA−SS6100」)を用いて、大気雰囲気、荷重9.8mmN及び下記基準加熱条件の下、加熱処理の全過程について膨張率を測定し、最大膨張率EATDと加熱終了時点の膨張率EBTDを求めた。
実施例及び比較例で調製した支持体のMD方向を長辺側にして寸法20mm×4mmの試験片を切り出した。該試験片について、上記と同様にして、最大膨張率EAMDと加熱終了時点の膨張率EBMDを求めた。
絶縁層の表面樹脂厚さの測定は、下記の手順に従って測定した。評価基板Aの厚さ方向の断面についてSEM観察を行い、絶縁層表面から、絶縁層表面に最も近い無機充填材の絶縁層表面側頂点までの距離を算出した。SEM観察は、集束イオンビーム/走査イオン顕微鏡((株)日立ハイテクノロジーズ製「SU−1500」)を用いて実施した。測定領域の幅は7.5μmとした。
粗化処理後の絶縁層表面の算術平均粗さRaは、下記の手順に従って測定した。評価基板Bについて、非接触型表面粗さ計(ビーコインスツルメンツ社製「WYKO GT−X3」)を用いて、VSIコンタクトモード、50倍レンズにより測定領域を121μm×92μmとして測定し、得られる数値によりRa値(nm)を求めた。各評価基板について、無作為に選んだ5つの領域について測定した。表2には、最大のRa値(Ramax)と最小のRa値(Ramin)を示す。
絶縁層と導体層との剥離強度は、下記の手順に従って測定した。評価基板Cの導体層に、幅10mm、長さ100mmの部分の切込みをいれ、この一端を剥がしてつかみ具で掴み、室温中にて、50mm/分の速度で垂直方向に35mmを引き剥がした時の荷重(kgf/cm)を測定した。測定には、引っ張り試験機((株)TSE製のオートコム型試験機「AC−50C−SL」)を使用した。
を使用した。
(1)支持体の調製
アルキド樹脂系離型層付きPETフィルム(リンテック(株)製「AL5」、厚さ38μm、以下「離型PETフィルム」ともいう)を、空気雰囲気、常圧下、表1記載の予備加熱条件1にて加熱し、支持体を得た。
ビフェニル型エポキシ樹脂(エポキシ当量約290、日本化薬(株)製「NC3000H」)30部、ナフタレン型4官能エポキシ樹脂(エポキシ当量162、DIC(株)製「HP−4700」)5部、液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量180、三菱化学(株)製「jER828EL」)15部、及びフェノキシ樹脂(重量平均分子量35000、三菱化学(株)製「YL7553BH30」、固形分30質量%のメチルエチルケトン(MEK)溶液)2部を、MEK8部及びシクロヘキサノン8部の混合溶剤に撹拌しながら加熱溶解させた。そこへ、トリアジン骨格含有フェノールノボラック系硬化剤(フェノール性水酸基当量約124、DIC(株)製「LA−7054」、不揮発成分60質量%のMEK溶液)32部、リン系硬化促進剤(北興化学工業(株)製「TBP−DA」、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩)0.2部、アミノシラン系カップリング剤(信越化学(株)製「KBM573」)で表面処理した球状シリカ((株)アドマテックス製「SOC2」、平均粒径0.5μm)160部、ポリビニルブチラール樹脂溶液(重量平均分子量27000、ガラス転移温度105℃、積水化学工業(株)製「KS−1」、不揮発成分15質量%のエタノールとトルエンの質量比が1:1の混合溶液)2部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを調製した。樹脂ワニス中の不揮発成分の合計質量を100質量%としたとき、無機充填材(球状シリカ)の含有量は、69.4質量%であった。
上記(1)で調製した支持体の離型層上に、上記(2)で調製した樹脂ワニスをダイコーターにて均一に塗布し、80〜120℃(平均100℃)で6分間乾燥させて樹脂組成物層を形成した。得られた樹脂組成物層の厚さは40μm、残留溶剤量は約2質量%であった。次いで、樹脂組成物層上に、保護フィルムとしてポリプロピレンフィルム(厚さ15μm)を貼り合わせながらロール状に巻き取った。得られたロール状の接着シートを幅507mmにスリットして、寸法507mm×336mmの接着シートを得た。
離型PETフィルムを表1記載の予備加熱条件2にて加熱した以外は、実施例1と同様にして、支持体、接着シートを作製した。
離型PETフィルムを表1記載の予備加熱条件3にて加熱した以外は、実施例1と同様にして、支持体、接着シートを作製した。
離型PETフィルムを予備加熱することなくそのまま支持体として使用した以外は、実施例1と同様にして、支持体、接着シートを作製した。
離型PETフィルムを表1記載の予備加熱条件4にて加熱した以外は、実施例1と同様にして、支持体、接着シートを作製した。
離型PETフィルムを表1記載の予備加熱条件5にて加熱した以外は、実施例1と同様にして、支持体、接着シートを作製した。
離型PETフィルムを表1記載の予備加熱条件6にて加熱した以外は、実施例1と同様にして、支持体、接着シートを作製した。
離型PETフィルムを表1記載の予備加熱条件7にて加熱した以外は、実施例1と同様にして、支持体、接着シートを作製した。
Claims (10)
- プリント配線板の製造方法であって、
(A)支持体と、該支持体と接合している樹脂組成物層とを含む接着シートを、樹脂組成物層が内層基板と接合するように、内層基板に積層する工程、
(B)樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する工程、及び
(C)支持体を除去する工程
をこの順序で含み、
支持体が、該支持体を下記加熱条件:
〔加熱条件〕20℃から速度8℃/分にて100℃に昇温し100℃で30分間保持した後、速度8℃/分にて180℃に昇温し180℃で30分間保持する
にて加熱するとき、そのTD方向において、下記条件(TD1)及び(TD2):
〔条件(TD1)〕最大膨張率EATD(%)が0.9%以下;
〔条件(TD2)〕最大膨張率EATD(%)と加熱終了時点の膨張率EBTD(%)との差EATD−EBTDが0.5%以下
を満たし、
支持体が、離型層を有していてもよい、プラスチック材料からなるフィルムである、方法。 - 樹脂組成物層中の無機充填材の含有量が50質量%以上である、請求項1に記載の方法。
- 支持体が、該支持体を前記加熱条件にて加熱するとき、そのMD方向において、加熱終了時点の膨張率EBMD(%)が0%未満である、請求項1又は2に記載の方法。
- 工程(B)が、
i)樹脂組成物層を温度T1(但し50℃≦T1<150℃)にて加熱すること、及び
ii)加熱後の樹脂組成物層を温度T2(但し150℃≦T2≦240℃)にて熱硬化させること
を含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。 - 下記加熱条件:
〔加熱条件〕20℃から速度8℃/分にて100℃に昇温し100℃で30分間保持した後、速度8℃/分にて180℃に昇温し180℃で30分間保持する
にて加熱するとき、そのTD方向において、下記条件(TD1)及び(TD2):
〔条件(TD1)〕最大膨張率EATD(%)が0.9%以下;
〔条件(TD2)〕最大膨張率EATD(%)と加熱終了時点の膨張率EBTD(%)との差EATD−EBTDが0.5%以下
を満たす支持体と、
該支持体と接合している樹脂組成物層と
を含み、
支持体が、離型層を有していてもよい、プラスチック材料からなるフィルムである、接着シート。 - 支持体が、該支持体を前記加熱条件にて加熱するとき、そのMD方向において、加熱終了時点の膨張率EBMD(%)が0%未満である、請求項5に記載の接着シート。
- 樹脂組成物層中の無機充填材の含有量が50質量%以上である、請求項5又は6に記載の接着シート。
- 下記加熱条件:
〔加熱条件〕20℃から速度8℃/分にて100℃に昇温し100℃で30分間保持した後、速度8℃/分にて180℃に昇温し180℃で30分間保持する
にて加熱するとき、そのTD方向において、下記条件(TD1)及び(TD2):
〔条件(TD1)〕最大膨張率EATD(%)が0.9%以下;
〔条件(TD2)〕最大膨張率EATD(%)と加熱終了時点の膨張率EBTD(%)との差EATD−EBTDが0.5%以下
を満たし、
プラスチック材料(但しポリイミドを除く)からなるフィルム。 - 下記加熱条件:
〔加熱条件〕20℃から速度8℃/分にて100℃に昇温し100℃で30分間保持した後、速度8℃/分にて180℃に昇温し180℃で30分間保持する
にて加熱するとき、そのTD方向において、下記条件(TD1)及び(TD2):
〔条件(TD1)〕最大膨張率E ATD (%)が0.9%以下;
〔条件(TD2)〕最大膨張率E ATD (%)と加熱終了時点の膨張率E BTD (%)との差E ATD −E BTD が0.5%以下
を満たし、そのMD方向において、加熱終了時点の膨張率E BMD (%)が0%未満であ
る、ポリイミドフィルム。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法により製造されたプリント配線板を含む半導体装置。
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