JP6824436B2 - 極薄銅箔及びキャリア付極薄銅箔、並びにプリント配線板の製造方法 - Google Patents

極薄銅箔及びキャリア付極薄銅箔、並びにプリント配線板の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、極薄銅箔及びキャリア付極薄銅箔、並びにプリント配線板の製造方法に関する。
近年の携帯用電子機器等の電子機器の小型化及び高機能化に伴い、プリント配線板には配線パターンの更なる微細化（ファインピッチ化）が求められている。かかる要求に対応するために、プリント配線板製造用銅箔には従前以上に薄く且つ低い表面粗度のものが望まれている。例えば、特許文献１（特開２００５−７６０９１号公報）には、平均表面粗度Ｒｚを０．０１〜２．０μｍに低減したキャリア銅箔の平滑面に剥離層及び極薄銅箔を順に積層することを含む、キャリア付極薄銅箔の製造方法が開示されており、このキャリア付極薄銅箔により高密度極微細配線（ファインパターン）を施して多層プリント配線板を得ることも開示されている。
また、キャリア付極薄銅箔における極薄銅層の厚さと表面粗度の更なる低減を実現するため、スパッタリング等の気相法により極薄銅層を形成することも最近提案されている。例えば、特許文献２（国際公開第２０１７／１５０２８３号）には、キャリア、剥離層、反射防止層、極薄銅層を順に備えたキャリア付銅箔が開示されており、剥離層、反射防止層及び極薄銅層をスパッタリングで形成することが記載されている。また、特許文献３（国際公開第２０１７／１５０２８４号）には、キャリア、中間層（例えば密着金属層及び剥離補助層）、剥離層及び極薄銅層を備えたキャリア付銅箔が開示されており、中間層、剥離層及び極薄銅層をスパッタリングで形成することが記載されている。特許文献２及び３のいずれにおいても、キャリア（例えばガラスキャリア）上に各層がスパッタリング形成されることで、極薄銅層の外側表面において１．０〜１００ｎｍという極めて低い算術平均粗さＲａを実現している。
ところで、エッチングを伴う多層配線回路形成において、絶縁膜がエッチング液に晒されるのを防ぐために、金属層上にエッチングストッパー層を設けることが知られている。例えば、特許文献４（特開２００９−８８５７２号公報）には、配線膜形成用金属層（例えば厚さ１２μｍの銅箔）、エッチングストッパー層（例えば厚さ１μｍのＮｉ層）、及びバンプ形成用金属層（例えば厚さ８０μｍの銅箔）を順に備えた多層金属板が開示されており、当該エッチングストッパー層は、バンプ形成用金属層の選択的エッチング時に、配線膜形成用金属膜がエッチングされてしまうのを防止できるとされている。
特開２００５−７６０９１号公報 国際公開第２０１７／１５０２８３号 国際公開第２０１７／１５０２８４号 特開２００９−８８５７２号公報
近年、半導体部品の高密度化及び高速化を実現する目的で２．５次元実装と呼ばれるパッケージング技術が開発されている。この２．５次元実装では、ＩＣ（集積回路）チップとパッケージ基板の間に、シリコンインターポーザが中間基板として設けられており、当該シリコンインターポーザを介して端子ピッチが異なるＩＣチップとパッケージ基板を中継している。すなわち、２．５次元実装において、シリコンインターポーザは再配線用基板として機能するものである。具体的には、シリコンインターポーザに形成されたシリコン貫通電極（ＴＳＶ：Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ）を通してシリコンインターポーザの上部電極と下部電極とが電気的に接続される。さらに、シリコンインターポーザの上部は高密度な配線層になっており、シリコンインターポーザの最上層の電極とＩＣチップをマイクロバンプによって接続するとともに、シリコンインターポーザとパッケージ基板の間をバンプによって接続することで、ＩＣチップとパッケージ基板を中継することができる。また、シリコンインターポーザは許容可能な加工性を有するとともに、吸湿や熱膨張係数（ＣＴＥ）等の影響も小さいことから、従来の樹脂基板では困難であった高信頼性かつ高度に微細化された配線パターンを形成することが可能となる。一方、物理的特性や電気的特性の観点から、シリコンインターポーザに代えて、ガラスインターポーザを用いる技術も開発されている。
しかしながら、シリコンインターポーザ及びガラスインターポーザは、その基板自体が高コストであるのに加えて、シリコン貫通電極又はガラス貫通電極（ＴＧＶ：Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｇｌａｓｓ Ｖｉａ）の形成といった加工プロセスに要するコストも甚大となる。したがって、シリコンインターポーザ又はガラスインターポーザを用いた再配線技術は、高性能コンピューティング分野等の高い製造コストを許容できる一部の分野で採用されるに留まっている。したがって、シリコンインターポーザ及びガラスインターポーザの代わりとなる、安価で且つ加工しやすい材料が望まれる。この点、特許文献１〜４に示されるような従来の銅箔は、片面にのみ回路形成可能なものとして設計されており、シリコンインターポーザ及びガラスインターポーザのように両面で異なる配線パターンを形成することに適したものではない。
本発明者は、今般、極薄銅箔を第一極薄銅層、エッチングストッパー層及び第二極薄銅層の３層構成とし、その両面の算術平均粗さＲａを２０ｎｍ以下とすることにより、ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）が１０μｍ以下／１０μｍ以下の高度に微細化された配線を両面で異なるパターンで形成可能であり、それ故、シリコンインターポーザ及びガラスインターポーザの安価で且つ加工しやすいより良い代替品として使用可能な極薄銅箔を提供できるとの知見を得た。
したがって、本発明の目的は、ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）が１０μｍ以下／１０μｍ以下の高度に微細化された配線を両面で異なるパターンで形成可能であり、それ故、シリコンインターポーザ及びガラスインターポーザの安価で且つ加工しやすいより良い代替品として使用可能な極薄銅箔を提供することにある。
本発明の一態様によれば、第一極薄銅層、エッチングストッパー層、及び第二極薄銅層をこの順に備えた極薄銅箔であって、前記極薄銅箔の両面の算術平均粗さＲａが２０ｎｍ以下である、極薄銅箔が提供される。
本発明の他の一態様によれば、ガラス又はセラミックスで構成されるキャリアと、
前記キャリア上に設けられ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｗ及びＮｉからなる群から選択される少なくとも１種の金属で構成される密着金属層と、
前記密着金属層上に設けられ、炭素層からなる剥離層と、
前記剥離層上に、前記第二極薄銅層が前記剥離層と接するように設けられる、前記極薄銅箔と、
を備えた、キャリア付極薄銅箔が提供される。
本発明の他の一態様によれば、前記キャリア付極薄銅箔を用意する工程と、
前記第一極薄銅層を加工して第一回路を形成する工程と、
前記第一回路を絶縁樹脂で封止する工程と、
前記キャリアを前記密着金属層及び前記剥離層とともに剥離して前記第二極薄銅層を露出させる工程と、
前記第二極薄銅層を加工し、その後前記エッチングストッパー層を加工して、第二回路を形成する工程と、
前記第二回路を絶縁樹脂で封止する工程と、
を含む、プリント配線板の製造方法が提供される。
本発明の極薄銅箔の一態様を示す模式断面図である。 本発明のキャリア付極薄銅箔の一態様を示す模式断面図である。 本発明のプリント配線板の製造方法を説明するための工程流れ図であり、前半の工程（工程（ａ）〜（ｃ））を示す図である。 本発明のプリント配線板の製造方法を説明するための工程流れ図であり、後半の工程（工程（ｄ）〜（ｆ））を示す図である。 ラマンスペクトルにおける、ベースライン及びピーク面積を説明するための模式図である。 キャリアが密着金属層と共に剥離された場合における、極薄銅箔の剥離層側表面のラマンスペクトルＢ、及び剥離された密着金属層付きキャリアの剥離層側表面のラマンスペクトルＡを示す図である。
極薄銅箔
本発明の極薄銅箔が図１に模式的に示される。図１に示されるように、本発明の極薄銅箔１０は、第一極薄銅層１２と、エッチングストッパー層１４と、第二極薄銅層１６とをこの順に備えたものである。また、極薄銅箔１０の両面の算術平均粗さＲａが２０ｎｍ以下である。このように、極薄銅箔１０を第一極薄銅層１２、エッチングストッパー層１４及び第二極薄銅層１６の３層構成とし、その両面の算術平均粗さＲａを２０ｎｍ以下とすることにより、ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）が１０μｍ以下／１０μｍ以下の高度に微細化された配線を両面で異なるパターンで形成可能であり、それ故、シリコンインターポーザ及びガラスインターポーザの安価で且つ加工しやすいより良い代替品として使用可能な極薄銅箔を提供することが可能となる。すなわち、本発明の極薄銅箔１０を用いることで、図３及び４に示されるように、極薄銅箔１０の第一極薄銅層１２を加工して第一回路１３を形成した後、第二極薄銅層１６及びエッチングストッパー層１４を加工して第二回路１７を形成することで、両面で異なるパターンの配線を形成することができる。これは、第一極薄銅層１２と第二極薄銅層１６の間に介在するエッチングストッパー層１４が、第一回路１３形成のための第一極薄銅層１２のエッチング時に、エッチング液が反対側の第二極薄銅層１６を浸食するのを阻止するとともに、第二回路１７形成のための第二極薄銅層１６のエッチング時に、エッチング液が反対側の第一回路１３を浸食するのを阻止するためである。また、極薄銅箔１０の両面の算術平均粗さＲａを２０ｎｍ以下とすることにより微細回路の形成性を向上させ、シリコンインターポーザやガラスインターポーザでしか実現し得なかったようなライン／スペース（Ｌ／Ｓ）が１０μｍ以下／１０μｍ以下の高度に微細化された配線パターンを形成することが可能となる。さらに、極薄銅箔１０は銅層を主体としているため、高価で且つ硬いが故に加工しづらいシリコンインターポーザ及びガラスインターポーザと比べて格段に安価で且つ加工しやすいため、これらのより良い代替品として極めて適する。
第一極薄銅層１２及び第二極薄銅層１６の各々は、銅で構成される層である。第一極薄銅層１２及び第二極薄銅層１６を構成する銅は原料成分や成膜工程等に起因する不可避不純物を含んでいてもよい。第一極薄銅層１２及び第二極薄銅層１６の各々は、いかなる方法で製造されたものでよく、例えば、無電解銅めっき法及び電解銅めっき法等の湿式成膜法、スパッタリング及び真空蒸着等の物理気相成膜法、化学気相成膜、又はそれらの組合せにより形成した銅層であってよい。特に好ましい極薄銅層は、極薄化によるファインピッチ化に対応しやすい観点から、スパッタリング法及び真空蒸着等の気相法により形成された銅層であり、最も好ましくはスパッタリング法により製造された銅層である。また、極薄銅層は、無粗化の銅層であるのが好ましいが、プリント配線板製造時の配線パターン形成に支障を来さないかぎり予備的粗化やソフトエッチング処理や洗浄処理、酸化還元処理により二次的な粗化が生じたものであってもよい。第一極薄銅層１２及び第二極薄銅層１６の各々の厚さは０．０５〜１．０μｍが好ましく、より好ましくは０．１０〜０．８μｍ、さらに好ましくは０．１５〜０．６μｍ、特に好ましくは０．２〜０．５μｍ、最も好ましくは０．２５〜０．３５μｍである。このような厚さとすることで、ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）が１０μｍ以下／１０μｍ以下の高度に微細化された配線パターンを形成するのにより適したものとなる。また、このような範囲内の厚さの極薄銅層は、スパッタリング法により製造されるのが成膜厚さの面内均一性や、シート状やロール状での生産性の観点で好ましい。
エッチングストッパー層１４は第一極薄銅層１２及び第二極薄銅層１６よりも銅フラッシュエッチング液によってエッチングされにくい層である。すなわち、エッチングストッパー層１４はそのエッチングレートが銅のエッチングレートよりも低いことによって特性づけられる。このエッチングレートは、エッチングストッパー層１４と同じ材料で構成される箔サンプルと、参照試料としての銅箔サンプルとを、銅エッチング工程において同じ時間処理を行い、両サンプルの重量減少量を測定して、それぞれの金属の密度から厚さに換算することにより決定されるものである。ここで、銅フラッシュエッチング液としては、酸化還元反応により銅を溶解できる公知の液が採用可能である。銅フラッシュエッチング液の例としては、過硫酸ナトリウム水溶液、過硫酸カリウム水溶液、硫酸／過酸化水素水等の水溶液が挙げられる。また、エッチング温度としては、２５〜７０℃の範囲で適宜設定されうるものである。
したがって、エッチングストッパー層１４は第一極薄銅層１２及び第二極薄銅層１６よりも銅フラッシュエッチング液によってエッチングされにくい金属又は合金で構成されるのが好ましい。エッチングストッパー層１４を構成する金属又は合金の好ましい例としては、第一極薄銅層１２及び第二極薄銅層１６との密着性を確保する観点から、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｍｏ、及びそれらの組合せが挙げられ、より好ましくはＣｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｍｏ、及びそれらの組合せ、さらに好ましくはＣｒ、Ｔｉ、Ｍｏ、及びそれらの組合せ、最も好ましくはＴｉ、Ｍｏ、及びそれらの組合せである。これらの元素は、銅フラッシュエッチング液に対して溶解しないという性質を有し、その結果、銅フラッシュエッチング液に対して優れた耐薬品性を呈することができる。エッチングストッパー層１４の厚さは０．０５〜１．０μｍであるのが好ましく、より好ましくは０．０８〜０．８μｍ、さらに好ましくは０．１０〜０．６μｍ、特に好ましくは０．１２〜０．４５μｍ、最も好ましくは０．１５〜０．３５μｍである。このような厚さとすることで、銅箔の極薄化の要求に応えつつ、第一極薄銅層１２のエッチング時における第二極薄銅層１６の浸食、及び第二極薄銅層１６のエッチング時における第一回路１３の浸食をより効果的に阻止することができる。また、このような範囲内の厚さのエッチングストッパー層は、スパッタリング法により製造されるのが成膜厚さの面内均一性や、シート状やロール状での生産性の観点で好ましい。
極薄銅箔１０の好ましい厚さは０．１５〜３．０μｍであり、より好ましくは０．２８〜２．４μｍ、さらに好ましくは０．４〜１．８μｍ、特に好ましくは０．５２〜１．４５μｍ、最も好ましくは０．６５〜１．０５μｍである。なお、極薄銅箔１０は第一極薄銅層１２、エッチングストッパー層１４及び第二極薄銅層１６をこの順に備えている限り、極薄銅箔１０の本来の機能を損なわないかぎりにおいて、この３層以外に他の層が含まれていてもよい。
極薄銅箔１０の両面（すなわち第一極薄銅層１２のエッチングストッパー層１４から遠い側の表面及び第二極薄銅層１６のエッチングストッパー層１４から遠い側の表面）は、ＪＩＳ Ｂ ０６０１−２００１に準拠して測定される、算術平均粗さＲａが２０ｎｍ以下であり、好ましくは０．１〜２０ｎｍ、より好ましくは０．２５〜１８ｎｍ、さらに好ましくは０．５〜１５ｎｍ、特に好ましくは１．０〜１３ｎｍ、最も好ましくは２．０〜１０ｎｍである。このように算術平均粗さが小さいほど、極薄銅箔１０を用いて製造されるプリント配線板において、ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）が１０μｍ以下／１０μｍ以下（例えば１０μｍ／１０μｍ〜２μｍ／２μｍ）の高度に微細化された配線パターンを形成するのに適したものとなる。算術平均粗さＲａの下限は特に限定されずゼロであってもよいが、後述するキャリア２２の平坦化処理の効率を考慮すると０．１ｎｍが下限値の目安として挙げられる。キャリア２２のＲａが極薄銅箔１０の両面のＲａに反映されるため、キャリア２２の平坦化処理の調整により、極薄銅箔１０の両面のＲａを制御することができる。
第一極薄銅層１２、エッチングストッパー層１４、及び第二極薄銅層１６はいずれもスパッタ膜、すなわちスパッタリング法により形成された膜であるのが好ましい。第一極薄銅層１２、エッチングストッパー層１４、及び第二極薄銅層１６の全ての層をスパッタリング法により形成することで、製造効率が格段に高くなる。その上、スパッタリング法は高純度のターゲットを用いて真空中で成膜が行われるのが一般的なため、極薄銅箔１０の両面において不純物が極めて少ないクリーンな状態を形成することができ、その結果、回路形成の際にフォトレジストと極薄銅箔１０との良好な密着を確保することができる。また、キャリア付極薄銅箔の形態で製造される場合には、ガラス又はセラミックスで構成されるキャリアの高い平坦性を各層が引き継げることから、極薄銅箔１０の両面において算術平均粗さＲａが２０ｎｍ以下という高い平坦性をより好都合に実現することができる。その結果、フォトレジストを用いたライン／スペース（Ｌ／Ｓ）が１０μｍ以下／１０μｍ以下の微細回路形成をより高精度に行うことができる。
キャリア付極薄銅箔
本発明の極薄銅箔はキャリア付極薄銅箔の形態で提供されるのが、ハンドリング性が向上し、かつ、プリント配線板の製造（特に極薄銅箔の両面への回路形成）がしやすくなる点で好ましい。図２に本発明のキャリア付極薄銅箔の好ましい態様が模式的に示される。図２に示されるキャリア付極薄銅箔２０は、キャリア２２と、密着金属層２４と、剥離層２６と、上述した極薄銅箔１０とをこの順に備えたものである。キャリア２２はガラス又はセラミックスで構成される。密着金属層２４は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｗ及びＮｉからなる群から選択される少なくとも１種の金属で構成される層であり、キャリア２２上に設けられる。剥離層２６は、炭素層からなる層であり、密着金属層２４上に設けられる。極薄銅箔１０は、剥離層２６上に、第二極薄銅層１６が剥離層２６と接するように設けられる。所望により、キャリア２２の両面に上下対称となるように上述の各種層を順に備えてなる構成としてもよい。キャリア付極薄銅箔２０は、上述した極薄銅箔１０、キャリア２２、密着金属層２４、剥離層２６を備えること以外は、公知の層構成を採用すればよく特に限定されない。
キャリア２２はガラス又はセラミックスで構成される。また、キャリア２２の形態はシート、フィルム及び板のいずれであってもよい。また、キャリア２２はこれらのシート、フィルム及び板等が積層されたものであってもよい。例えば、キャリア２２はガラス板、セラミックス板等といった剛性を有する支持体として機能し得るものであることが好ましい。キャリア２２を構成するセラミックスの好ましい例としては、アルミナ、ジルコニア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、その他各種ファインセラミックス等が挙げられる。より好ましくは、加熱を伴うプロセスにおけるキャリア付極薄銅箔２０の反り防止の観点から、熱膨張係数（ＣＴＥ）が２５ｐｐｍ／Ｋ未満（典型的には１．０〜２３ｐｐｍ／Ｋ）の材料であり、そのような材料の例としては上述したようなセラミックス及びガラスが挙げられる。また、ハンドリング性やチップ実装時の平坦性確保の観点から、キャリア２２はビッカース硬度が１００ＨＶ以上であるのが好ましく、より好ましくは１５０〜２５００ＨＶである。これらの特性を満たす材料として、キャリア２２はガラスで構成されるのが特に好ましく、例えばガラス板やガラスシート等である。ガラスをキャリア２２として用いた場合、軽量で、熱膨脹係数が低く、絶縁性が高く、剛直で表面が平坦なため、極薄銅箔１０の両面を極度に平滑にできる等の利点がある。また、キャリア２２がガラスである場合、微細回路形成に有利な表面平坦性（コプラナリティ）を有している点、プリント配線板製造工程におけるデスミアや各種めっき工程において耐薬品性を有している点、キャリア付極薄銅箔からキャリアを剥離する際に化学的分離法が採用できる点等の利点がある。キャリア２２を構成するガラスの好ましい例としては、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス、ソーダライムガラス、アミノシリケートガラス、及びそれらの組合せが挙げられ、より好ましくは無アルカリガラス、ソーダライムガラス、及びそれらの組合せであり、特に好ましくは無アルカリガラスである。無アルカリガラスは、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ホウ素、及び酸化カルシウムや酸化バリウム等のアルカリ土類金属酸化物を主成分とし、更にホウ酸を含有する、アルカリ金属を実質的に含有しないガラスのことである。この無アルカリガラスは、０℃から３５０℃までの広い温度帯域において熱膨脹係数が３〜５ｐｐｍ／Ｋの範囲で低く安定しているため、加熱を伴うプロセスにおけるガラスの反りを最小限にできるとの利点がある。キャリア２２の厚さは１００〜２０００μｍが好ましく、より好ましくは３００〜１８００μｍ、さらに好ましくは４００〜１１００μｍである。このような範囲内の厚さであると、ハンドリングに支障を来さない適切な強度を確保しながらプリント配線板の薄型化、及び電子部品搭載時に生じる反りの低減を実現することができる。
キャリア２２の密着金属層２４側の表面は、ＪＩＳ Ｂ ０６０１−２００１に準拠して測定される、０．１〜１５ｎｍの算術平均粗さＲａを有するのが好ましく、より好ましくは０．５〜１２ｎｍ、さらに好ましくは１．０〜１０ｎｍ、特に好ましくは１．５〜７．５ｎｍ、最も好ましくは２．０〜５．０ｎｍである。このように算術平均粗さが小さいほど、極薄銅箔１０の両面において望ましく低い算術平均粗さＲａをもたらすことができる。それにより、極薄銅箔１０ないしキャリア付極薄銅箔２０を用いて製造されるプリント配線板において、ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）が１０μｍ以下／１０μｍ以下（例えば１０μｍ／１０μｍ〜２μｍ／２μｍ）といった程度にまで高度に微細化された配線パターンを形成するのにより適したものとなる。算術平均粗さＲａの下限は特に限定されずゼロであってもよいが、平坦化処理の効率を考慮すると０．１ｎｍが下限値の目安として挙げられる。
密着金属層２４は、キャリア２２と剥離層２６の間に介在して、キャリア２２と剥離層２６との密着性の確保に寄与する層であり、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｗ及びＮｉからなる群から選択される少なくとも１種の金属で構成される層であり、純金属であってもよいし、合金であってもよい。密着金属層２４を構成する金属は原料成分や成膜工程等に起因する不可避不純物を含んでいてもよい。また、特に制限されるものではないが、密着金属層２４の成膜後に大気に暴露される場合、それに起因して混入する酸素の存在は許容される。密着金属層２４はスパッタリング等の気相法により形成された層であるのが好ましい。密着金属層２４は、金属ターゲットを用いたマグネトロンスパッタリング法により形成された層であるのが膜厚分布の均一性を向上できる点で特に好ましい。密着金属層２４の厚さは５〜５００ｎｍであるのが好ましく、より好ましく１０〜３００ｎｍ、さらに好ましくは１８〜２００ｎｍ、特に好ましくは２０〜１００ｎｍである。この厚さは、層断面を透過型電子顕微鏡のエネルギー分散型Ｘ線分光分析器（ＴＥＭ−ＥＤＸ）で分析することにより測定される値とする。
剥離層２６は、キャリア２２（これは密着金属層２４を伴う）の剥離を可能とする層であり、剥離容易性や膜形成性の点等から、炭素層からなるのが好ましい。炭素層は、主として炭素又は炭化水素からなる層であるのが好ましく、さらに好ましくは硬質炭素膜であるアモルファスカーボンからなる。この場合、剥離層２６（すなわち炭素層）はＸＰＳにより測定される炭素濃度が６０原子％以上であるのが好ましく、より好ましくは７０原子％以上、さらに好ましくは８０原子％以上、特に好ましくは８５原子％以上である。炭素濃度の上限値は特に限定されず１００原子％であってもよいが、９８原子％以下が現実的である。剥離層２６（炭素層）は不可避不純物（例えば雰囲気等の周囲環境に由来する酸素、炭素、水素等）を含みうる。また、剥離層２６（炭素層）には第二極薄銅層１６の成膜手法に起因して金属原子（特にＣｕ）が混入しうる。炭素はキャリアとの相互拡散性及び反応性が小さく、３００℃を超える温度でのプレス加工等を受けても、銅箔層と接合界面との間での高温加熱による金属結合の形成を防止して、キャリアの引き剥がし除去が容易な状態を維持することができる。この剥離層２６もスパッタリング等の気相法により形成された層であるのがアモルファスカーボン中の過度な不純物を抑制する点、前述の密着金属層２４の成膜の連続生産性の点などから好ましい。剥離層２６の厚さは１〜２０ｎｍが好ましく、より好ましくは１〜１０ｎｍである。この厚さは、層断面を透過型電子顕微鏡のエネルギー分散型Ｘ線分光分析器（ＴＥＭ−ＥＤＸ）で分析することにより測定される値とする。
キャリア２２が密着金属層２４と共に剥離された場合における、極薄銅箔１０の剥離層２６側の表面における剥離層２６の残留割合が、剥離された密着金属層２４付きキャリア２２の剥離層２６側の表面における剥離層２６の残留量に対して、５０％以下であることが好ましく、より好ましくは３０％以下、さらに好ましくは１５％以下である。こうすることで、回路形成の際にフォトレジストが極薄銅箔１０の表面に良好に密着し、フォトレジストを用いてライン／スペース（Ｌ／Ｓ）が１０μｍ以下／１０μｍ以下の微細回路形成をより高精度に行うことができる。極薄銅箔１０の剥離層２６側の表面における剥離層２６の残留割合の下限値は特に限定されず、０％（すなわち極薄銅箔１０の剥離層２６側の表面に剥離層２６が残留しない）であってもよいが、現実的には１％以上である。剥離層２６の残留量ないし残留割合はラマン分光法により測定することができ、好ましくはラマン分光光度計を用いて以下の条件で測定することができる。なお、剥離層２６以外の成分に起因するピークやノイズ等を除く観点から、別途作製されるキャリア２２／密着金属層２４の積層サンプル（剥離層２６及びそれより上の層が形成されていない状態）における密着金属層２４の表面と、別途作製されるキャリア２２／密着金属層２４／剥離層２６／第二極薄銅層１６の積層サンプル（エッチングストッパー層１４及びそれよりも上の層が形成されていない状態）における第二極薄銅層１６の表面とを、ラマン分光光度計を用いてそれぞれ測定し、得られたラマンスペクトルを必要に応じてバックグラウンドとして差引くことが好ましい。
＜測定条件＞
‐測定装置：レーザラマン分光光度計ＮＲＳ−５２００（日本分光株式会社製）
‐励起波長：５３２．２９ｎｍ
‐グレーティング：６００Ｌｉｎｅ／ｍｍ
‐スリット幅：２００×１０００μｍ
‐アパーチャ：直径４０００μｍ
‐対物レンズ：ＭＰＬＦＬＮ １００倍
‐露光時間：６０秒
具体的には、ラマンスペクトルにおいて、炭素は典型的には１５００〜１６００ｃｍ−１間にピークが存在することから、このピークが剥離層２６に起因するピークといえる。したがって、剥離された密着金属層２４付きキャリア２２の剥離層２６側表面及び極薄銅箔１０の剥離層２６側表面の各々のラマンスペクトルにおける、１５００〜１６００ｃｍ−１間に存在するピークのピーク面積（ピーク強度面積）を比較することで、剥離層２６の残留割合を求めることができる。ここで、「１５００〜１６００ｃｍ−１間に存在するピークのピーク面積」とは、図５に模式的に示されるように、特段の事情が無い限り、１０００ｃｍ−１及び１８００ｃｍ−１におけるラマンスペクトルの強度を直線で結んでベースラインとし、このベースラインと１５００〜１６００ｃｍ−１間に存在するピークをもたらすピークプロファイルとによって囲まれた領域の面積を指すものとする。図６には、キャリア２２が密着金属層２４と共に剥離された場合における、剥離された密着金属層２４付きキャリア２２の剥離層２６側表面のラマンスペクトルＡ、及び極薄銅箔１０の剥離層２６側表面のラマンスペクトルＢがそれぞれ示される。ここで、図６中のＢＡはスペクトルＡのベースラインであり、ＢＢはスペクトルＢのベースラインである。図６に示されるように、剥離された密着金属層２４付きキャリア２２の剥離層２６側表面のラマンスペクトルＡにおける、１５００〜１６００ｃｍ−１間に存在するピーク（ＰＡ）のピーク面積ＡＡと、極薄銅箔１０の剥離層２６側表面のラマンスペクトルＢにおける、１５００〜１６００ｃｍ−１間に存在するピーク（ＰＢ）のピーク面積ＡＢとをそれぞれ算出し、ピーク面積ＡＡに対するピーク面積ＡＢの百分率［（ＡＢ／ＡＡ）×１００（％）］を計算することで、キャリア２２が密着金属層２４と共に剥離された場合における、極薄銅箔１０の剥離層２６側の表面における剥離層２６の残留割合を決定することができる。
第一極薄銅層１２、エッチングストッパー層１４、第二極薄銅層１６、剥離層２６、及び密着金属層２４はいずれもスパッタ膜、すなわちスパッタリング法により形成された膜であるのが好ましい。第一極薄銅層１２、エッチングストッパー層１４、第二極薄銅層１６、剥離層２６、及び密着金属層２４の全ての層をスパッタリング法により形成することで、製造効率が格段に高くなる。その上、スパッタリング法は高純度のターゲットを用いて真空中で成膜が行われるのが一般的なため、極薄銅箔１０の両面において不純物が極めて少ないクリーンな状態を形成することができ、その結果、回路形成の際にフォトレジストと極薄銅箔１０との良好な密着を確保することができる。また、ガラス又はセラミックスで構成されるキャリア２２の高い平坦性を各層が引き継げることから、極薄銅箔１０の両面において算術平均粗さＲａが２０ｎｍ以下という高い平坦性をより好都合に実現することができる。その結果、フォトレジストを用いたライン／スペース（Ｌ／Ｓ）が１０μｍ以下／１０μｍ以下の微細回路形成をより高精度に行うことができる。
キャリア付極薄銅箔の製造方法
キャリア付極薄銅箔２０は、上述したキャリア２２を用意し、キャリア２２上に、密着金属層２４、剥離層２６、第二極薄銅層１６、エッチングストッパー層１４、及び第一極薄銅層１２を形成することにより製造することができる。密着金属層２４、剥離層２６、第二極薄銅層１６、エッチングストッパー層１４、及び第一極薄銅層１２の各層の形成は、極薄化によるファインピッチ化に対応しやすい観点から、気相法により行われるのが好ましい。気相法の例としては、スパッタリング法、真空蒸着法、及びイオンプレーティング法が挙げられるが、０．０５ｎｍ〜５０００ｎｍといった幅広い範囲で膜厚制御できる点、広い幅ないし面積にわたって膜厚均一性を確保できる点等から、最も好ましくはスパッタリング法である。特に、密着金属層２４、剥離層２６、第二極薄銅層１６、エッチングストッパー層１４、及び第一極薄銅層１２の全ての層をスパッタリング法により形成することで、製造効率が格段に高くなる。その上、スパッタリング法は高純度のターゲットを用いて真空中で成膜が行われるのが一般的なため、極薄銅箔１０の両面において不純物が極めて少ないクリーンな状態を形成することができ、その結果、回路形成の際にフォトレジストと極薄銅箔１０との間で良好な密着性を確保することができる。また、ガラス又はセラミックスで構成されるキャリア２２の高い平坦性を各層が引き継げることから、極薄銅箔１０の両面において算術平均粗さＲａが２０ｎｍ以下という高い平坦性をより好都合に実現することができる。その結果、フォトレジストを用いたライン／スペース（Ｌ／Ｓ）が１０μｍ以下／１０μｍ以下の微細回路形成をより高精度に行うことができる。
気相法による成膜は公知の気相成膜装置を用いて公知の条件に従って行えばよく特に限定されない。例えば、スパッタリング法を採用する場合、スパッタリング方式は、マグネトロンスパッタリング、２極スパッタリング法、対向ターゲットスパッタリング法等、公知の種々の方法であってよいが、マグネトロンスパッタリングが、成膜速度が速く生産性が高い点で好ましい。スパッタリングはＤＣ（直流）及びＲＦ（高周波）のいずれの電源で行ってもよい。また、ターゲット形状も広く知られているプレート型ターゲットを使用することができるが、ターゲット使用効率の観点から円筒形ターゲットを用いることが望ましい。以下、密着金属層２４、剥離層２６、第二極薄銅層１６、エッチングストッパー層１４、及び第一極薄銅層１２の各層の気相法（好ましくはスパッタリング法）による成膜について説明する。
密着金属層２４の気相法による成膜は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｗ及びＮｉからなる群から選択される少なくとも１種の金属で構成されるターゲットを用い、非酸化性雰囲気下でマグネトロンスパッタリングにより行われるのが膜厚分布均一性を向上できる点で好ましい。ターゲットの純度は９９．９％以上が好ましい。スパッタリングに用いるガスとしては、アルゴンガス等の不活性ガスを用いるのが好ましい。アルゴンガスの流量はスパッタリングチャンバーサイズ及び成膜条件に応じて適宜決定すればよく特に限定されない。また、異常放電やプラズマ照射不良などの稼働不良なく、連続的に成膜する観点から成膜時の圧力は０．１〜２０Ｐａの範囲で行うことが好ましい。この圧力範囲は、装置構造、容量、真空ポンプの排気容量、成膜電源の定格容量等に応じ、成膜電力、アルゴンガスの流量を調整することで設定すればよい。また、スパッタリング電力は成膜の膜厚均一性、生産性等を考慮してターゲットの単位面積あたり０．０５〜１０．０Ｗ／ｃｍ２の範囲内で適宜設定すればよい。
剥離層２６である炭素層の気相法（好ましくはスパッタリング法）による成膜は、カーボンターゲットを用いてアルゴン等の不活性雰囲気下で行われるのが好ましい。カーボンターゲットはグラファイトで構成されるのが好ましいが、不可避不純物（例えば雰囲気等の周囲環境に由来する酸素や炭素）を含みうる。カーボンターゲットの純度は９９．９９％以上が好ましく、より好ましくは９９．９９９％以上である。また、異常放電やプラズマ照射不良などの稼働不良なく、連続的に成膜する観点から成膜時の圧力は０．１〜２．０Ｐａの範囲で行うことが好ましい。この圧力範囲は、装置構造、容量、真空ポンプの排気容量、成膜電源の定格容量等に応じ、成膜電力、アルゴンガスの流量を調整することで設定すればよい。また、スパッタリング電力は成膜の膜厚均一性、生産性等を考慮してターゲットの単位面積あたり０．０５〜１０．０Ｗ／ｃｍ２の範囲内で適宜設定すればよい。
第二極薄銅層１６の気相法（好ましくはスパッタリング法）による成膜は、銅ターゲットを用いてアルゴン等の不活性雰囲気下で行われるのが好ましい。銅ターゲットは金属銅で構成されるのが好ましいが、不可避不純物を含みうる。銅ターゲットの純度は９９．９％以上が好ましく、より好ましくは９９．９９％、さらに好ましくは９９．９９９％以上である。第二極薄銅層１６の気相成膜時の温度上昇を避けるため、スパッタリングの際、ステージの冷却機構を設けてもよい。また、異常放電やプラズマ照射不良などの稼働不良なく、安定的に成膜する観点から成膜時の圧力は０．１〜２．０Ｐａの範囲で行うことが好ましい。この圧力範囲は、装置構造、容量、真空ポンプの排気容量、成膜電源の定格容量等に応じ、成膜電力、アルゴンガスの流量を調整することで設定すればよい。また、スパッタリング電力は成膜の膜厚均一性、生産性等を考慮してターゲットの単位面積あたり０．０５〜１０．０Ｗ／ｃｍ２の範囲内で適宜設定すればよい。
エッチングストッパー層１４の成膜は、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｎｉ及びＭｏからなる群から選択される少なくとも１種で構成されるターゲットを用いて、マグネトロンスパッタ法により行われるのが好ましい。ターゲットの純度は９９．９％以上が好ましい。特に、エッチングストッパー層１４のマグネトロンスパッタ法による成膜は、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下、圧力０．１〜２０Ｐａで行われるのが好ましい。スパッタリング圧力は、より好ましくは０．２〜１５Ｐａ、さらに好ましくは０．３〜１０Ｐａである。なお、上記圧力範囲の制御は、装置構造、容量、真空ポンプの排気容量、成膜電源の定格容量等に応じ、成膜電力、アルゴンガスの流量を調整することにより行えばよい。アルゴンガスの流量はスパッタリングチャンバーサイズ及び成膜条件に応じて適宜決定すればよく特に限定されない。また、スパッタリング電力は成膜の膜厚均一性、生産性等を考慮してターゲットの単位面積あたり１．０〜１５．０Ｗ／ｃｍ２の範囲内で適宜設定すればよい。また、製膜時にキャリア温度を一定に保持するのが、安定した膜特性（例えば膜抵抗や結晶サイズ）を得やすい点で好ましい。成膜時のキャリア温度は２５〜３００℃の範囲内で調整することが好ましく、より好ましくは４０〜２００℃、さらに好ましくは５０〜１５０℃の範囲内である。
第一極薄銅層１２の気相法（好ましくはスパッタリング法）による成膜は、第二極薄銅層１６の成膜と同様、銅ターゲットを用いてアルゴン等の不活性雰囲気下で行われるのが好ましい。したがって、第二極薄銅層１６の成膜に関して述べた各種条件は第一極薄銅層１２の成膜にもそのまま当てはまる。
プリント配線板用積層板
本発明のキャリア付極薄銅箔はプリント配線板用積層板の形態で提供されてもよい。すなわち、本発明の好ましい態様によれば、上記キャリア付極薄銅箔を備えた、プリント配線板用積層板が提供される。プリント配線板用積層板の形態としては以下の２つの形態が挙げられる。（ｉ）プリント配線板用積層板の第一の形態は、キャリア付極薄銅箔そのものの形態である。すなわち、キャリア２２の少なくとも片面に、密着金属層２４／剥離層２６／第二極薄銅層１６／エッチングストッパー層１４／第一極薄銅層１２がこの順に積層されたキャリア付極薄銅箔１０そのものの形態であり、キャリアの両面に密着金属層２４／剥離層２６／第二極薄銅層１６／エッチングストッパー層１４／第一極薄銅層１２がこの順に積層された形態が含まれる。いずれにしても、キャリア２２がガラス板やセラミックス板の場合など、キャリア単体に剛性があり支持体として機能し得る場合、この形態が成立する。例えば、ガラスをキャリア２２として用いた場合、軽量で、熱膨脹係数が低く、剛直で表面が平坦なため、極薄銅箔１０の両面を極度に平滑にできる等の利点がある。（ｉｉ）プリント配線板用積層板の第二の形態は、キャリア２２の密着金属層２４と反対側（すなわちキャリア２２の外側表面）に接着剤層を備えた形態である。この場合、接着剤層の例としては、樹脂層、（ガラス等の）繊維強化性プリプレグ等が挙げられる。例えば、第一極薄銅層１２／エッチングストッパー層１４／第二極薄銅層１６／剥離層２６／密着金属層２４／キャリア２２／接着剤層（図示せず）／キャリア２２／密着金属層２４／剥離層２６／第二極薄銅層１６／エッチングストッパー層１４／第一極薄銅層１２の層構成を採用することも可能である。
プリント配線板の製造方法
本発明のキャリア付極薄銅箔を用いてプリント配線板を製造することができる。以下、プリント配線板の好ましい製造方法について説明する。このプリント配線板の製造方法は、（１）キャリア付極薄銅箔の準備工程と、（２）第一回路の形成工程と、（３）第一回路の封止工程と、（４）キャリアの剥離工程と、（５）第二回路の形成工程と、（６）第二回路の封止工程とを含む。これらの工程を含むプリント配線板の製造方法が模式的に図３及び４に示される。
（１）キャリア付極薄銅箔の準備工程
キャリア付極薄銅箔２０を支持体として用意する（図３（ａ）参照）。上述のとおり、キャリア付極薄銅箔２０はプリント配線板用積層板の形態で用意されうる。すなわち、上述したように、キャリア付極薄銅箔そのものの形態で提供されてもよいし、キャリア２２の密着金属層２４と反対側（キャリア２２の外側表面）に接着剤層を備えた形態（例えば、第一極薄銅層１２／エッチングストッパー層１４／第二極薄銅層１６／剥離層２６／密着金属層２４／キャリア２２／接着剤層／キャリア２２／密着金属層２４／剥離層２６／第二極薄銅層１６／エッチングストッパー層１４／第一極薄銅層１２の層構成）で用意されてもよい。
（２）第一回路の形成工程
第一極薄銅層１２を加工して第一回路１３を所定のパターンで形成する（図３（ｂ）参照）。第一回路１３の形成は公知の手法によって行えばよく、特に限定されないが、以下の（２ａ）〜（２ｄ）に示されるように行われるのが好ましい。
（２ａ）フォトレジスト層の形成工程
第一極薄銅層１２の表面にフォトレジスト層を所定のパターンで形成する。フォトレジストは感光性フィルムであるのが好ましく、例えば感光性ドライフィルムである。フォトレジスト層は露光及び現像により所定の配線パターンを付与すればよい。
（２ｂ）電気銅めっき層の形成工程
第一極薄銅層１２の露出表面（すなわちフォトレジスト層でマスキングされていない部分）に電気銅めっき層を形成する。電気銅めっきは公知の手法により行えばよく、特に限定されない。
（２ｃ）フォトレジスト層の剥離工程
次いで、フォトレジスト層を剥離する。その結果、電気銅めっき層が配線パターン状に残り、配線パターンを形成しない部分の第一極薄銅層１２が露出する。
（２ｄ）銅フラッシュエッチング工程
第一極薄銅層１２の不要部分を銅フラッシュエッチングにより除去してエッチングストッパー層１４を露出させ、それにより第一回路１３を形成する。銅フラッシュエッチング液は硫酸／過酸化水素混合液や、過硫酸ナトリウム及び過硫酸カリウムの少なくともいずれか１種を含む液を用いるのが、電気銅めっき層の過度なエッチングを回避しながら、露出した第一極薄銅層１２を確実にエッチングできる点で好ましい。こうして、電気銅めっき層／第一極薄銅層１２が配線パターン状に残り、配線パターンを形成しない部分のエッチングストッパー層が銅フラッシュエッチング液により溶解されず残留し、表面に露出することとなる。このとき、エッチングストッパー層１４を構成するＣｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｎｉ及びＭｏから選択される少なくとも１種の金属は、銅フラッシュエッチング液に対して溶解しないという性質を有するので、銅フラッシュエッチング液に対して優れた耐薬品性を呈することができる。すなわち、エッチングストッパー層１４は銅フラッシュエッチングで除去されることなく、露出状態で残され、それにより反対側の第二極薄銅層１６のエッチング液による浸食を阻止する。
（３）第一回路の封止工程
第一回路１３を絶縁樹脂２８で封止する（図３（ｃ）参照）。なお、絶縁樹脂での封止は公知の手法に基づいて行えばよい。
（４）キャリアの剥離工程
第一回路１３が絶縁樹脂２８で封止された積層体からキャリア２２を密着金属層２４及び剥離層２６とともに剥離して第二極薄銅層１６を露出させる（図４（ｄ）参照）。この剥離手法としては、物理的な分離、化学的な分離等が採用可能であるが、物理的な分離が好ましい。物理的分離法は、手や治工具、機械等でキャリア２２等を積層体から引き剥がすことにより分離する手法である。このとき、本発明のキャリア付極薄銅箔２０は密着金属層２４を有することで、キャリア２２の機械的剥離強度の優れた安定性をもたらすことができる。その結果、キャリア２２を密着金属層２４及び剥離層２６とともに無理なく剥離することができる。これは、密着金属層２４の介在により確保されるキャリア２２と剥離層２６との密着性と比べて、剥離層２６と第二極薄銅層１６との密着性が安定して低くなるためであると考えられる。
（５）第二回路の形成工程
第二極薄銅層１６を加工し、その後エッチングストッパー層１４を加工して、第二回路１７を形成する（図４（ｅ）参照）。このとき、積層体はキャリア２２をもはや有していないし、従来技術のような剛性をもたらすシリコンインターポーザやガラスインターポーザも元々有していないが、第一回路１３が絶縁樹脂２８で封止された積層体自体で（あたかも積層体が樹脂基板であるかのように）所望の剛性を確保することができる。そのため、第二回路１７の形成（特に微細回路形成）や、後述するＩＣチップ３０の実装を、積層体のフラットな形状を安定的に保持しながら行えるとの利点がある。そして、積層体のフラットな形状の安定的な保持は、微細回路を精度良く形成することを可能にするだけでなく、ＩＣチップ３０の実装時においては既に形成された微細回路を損傷させにくくすることから、製品歩留まりの向上に寄与する。
第二回路１７の形成のための第二極薄銅層１６の加工は、上述の（２）第一回路の形成工程に準じて行えばよい。
第二回路１７の形成のためのエッチングストッパー層１４の加工は、エッチングストッパー層１４の不要部分（典型的には露出部分）をフラッシュエッチングにより除去することにより行われるのが好ましい。こうしてエッチングストッパー層１４はフラッシュエッチングにより既に配線加工された第二極薄銅層１６と同じパターンに形成されることができる。このフラッシュエッチングは、例えば以下の表１に例示されるように、エッチングストッパー層１４の構成元素に応じて適切なエッチング液を選択して行うのが好ましい。表１に代表的なエッチング液を例示するが、これらに限定されるものではなく、酸やアンモニウム塩の種類、濃度、温度等は表１に記載の条件から適宜変更されうるものである。
このようなエッチング液を用いることでエッチングストッパー層１４を選択的にフラッシュエッチングすることができるので、第一回路１３及び第二回路１７（これらは銅で構成される）を浸食させることなく、エッチングストッパー層１４の不要部分のみを選択的に除去することができる。すなわち、エッチングストッパー層１４を構成するＣｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｎｉ及びＭｏからなる群から選択される少なくとも１種をフラッシュエッチングするためのエッチング液として、選択性の高いエッチング液を用いることができる結果、第一回路１３及び第二回路１７を構成する銅のエッチング液による溶解を抑制又は回避することができる。
第二回路１７の形成工程は、ＩＣチップ３０を実装する工程をさらに含むのが好ましい（図４（ｅ）参照）。なお、本明細書においてＩＣ（集積回路）は、ＣＰＵ（中央処理装置）、ＤＳＰ（デジタルシグナルプロセッサ）、メモリ、ＰＭＩＣ（パワーマネジメントＩＣ）、ＲＦＩＣ（高周波集積回路（例えばＧＰＳ（全地球測位システム））の各種ＩＣを幅広く包含するものである。ＩＣチップ３０が実装される箇所は第一回路１３又は第二回路１７のいずれであってもよいが、第一回路１３に実装されるのが好ましい。ＩＣチップ３０が第一回路１３に実装される場合、第二極薄銅層１６及びエッチングストッパー層１４のエッチング除去により露出した第一回路１３の表面にＩＣチップ３０を取り付けるのが好ましい。ＩＣチップ実装の方式としては、フリップチップ実装方式、ダイボンディング接着方式等が挙げられる。フリップチップ実装方式は、ＩＣチップ３０の実装パッドと、第一回路１３又は第二回路１７との接合を行う方式である。この実装パッド上には柱状電極（ピラー）やはんだバンプ等が形成されてもよく、実装前に第一回路１３又は第二回路１７の表面に封止樹脂膜であるＮＣＦ（Ｎｏｎ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）等を貼り付けてもよい。接合は、はんだ等の低融点金属を用いて行われるのが好ましいが、異方導電性フィルム等を用いてもよい。ダイボンディング接着方式は、第一回路１３又は第二回路１７に対して、ＩＣチップ３０の実装パッド面と反対側の面を接着する方式である。この接着には、熱硬化樹脂と熱伝導性の無機フィラーを含む樹脂組成物である、ペーストやフィルムを用いるのが好ましい。
（６）第二回路の封止工程
第二極薄銅層１６を加工して形成された第二回路１７を絶縁樹脂２８で封止してプリント配線板３２を得る（図４（ｆ）参照）。絶縁樹脂２８での封止は公知の手法に基づいて行えばよい。
図４（ｆ）に示されるようなプリント配線板３２は様々な工法により外層を加工することが可能である。例えば、プリント配線板３２の第一回路１３及び／又は第二回路１７の表面にソルダーレジスト層を形成し、Ｎｉ−ＡｕめっきやＯＳＰ処理（水溶性プレフラックス処理、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｏｌｄｅｒａｂｉｌｉｔｙ Ｐｒｅｓｅｒｖａｔｉｖｅ）等の外層パッドとしての表面処理を施してもよい。さらには外層パッドに柱状のピラー等を設けてもよい。いずれにしても、一般的にプリント配線板において採用される公知の工法を適宜追加的に行うことができ、特に限定されない。

Claims (14)

  1. 第一極薄銅層、エッチングストッパー層、及び第二極薄銅層をこの順に備えた極薄銅箔であって、前記極薄銅箔の両面の算術平均粗さＲａが２０ｎｍ以下である、極薄銅箔。
  2. 前記エッチングストッパー層が、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｎｉ及びＭｏからなる群から選択される少なくとも１種で構成される、請求項１に記載の極薄銅箔。
  3. 前記第一極薄銅層及び前記第二極薄銅層の各々の厚さが０．０５〜１．０μｍであり、かつ、前記エッチングストッパー層の厚さが０．０５〜１．０μｍである、請求項１又は２に記載の極薄銅箔。
  4. 前記極薄銅箔の厚さが０．１５〜３．０μｍである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の極薄銅箔。
  5. 前記極薄銅箔の両面の算術平均粗さＲａが０．１〜２０ｎｍである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の極薄銅箔。
  6. 前記第一極薄銅層、前記エッチングストッパー層、及び前記第二極薄銅層はいずれもスパッタ膜である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の極薄銅箔。
  7. ガラス又はセラミックスで構成されるキャリアと、
    前記キャリア上に設けられ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｗ及びＮｉからなる群から選択される少なくとも１種の金属で構成される密着金属層と、
    前記密着金属層上に設けられる、炭素層からなる剥離層と、
    前記剥離層上に、前記第二極薄銅層が前記剥離層と接するように設けられる、請求項１〜６のいずれか一項に記載の極薄銅箔と、
    を備えた、キャリア付極薄銅箔。
  8. 前記キャリアがガラスで構成される、請求項７に記載のキャリア付極薄銅箔。
  9. 前記密着金属層の厚さが５〜５００ｎｍである、請求項７又は８に記載のキャリア付極薄銅箔。
  10. 前記剥離層の厚さが１〜２０ｎｍである、請求項７〜９のいずれか一項に記載のキャリア付極薄銅箔。
  11. ラマン分光法により測定される、前記キャリアが前記密着金属層と共に剥離された場合における、前記極薄銅箔の前記剥離層側の表面における前記剥離層の残留割合が、前記剥離された密着金属層付きキャリアの前記剥離層側の表面における前記剥離層の残留量に対して、５０％以下である、請求項７〜１０のいずれか一項に記載のキャリア付極薄銅箔。
  12. 前記第一極薄銅層、前記エッチングストッパー層、前記第二極薄銅層、前記剥離層、及び前記密着金属層はいずれもスパッタ膜である、請求項７〜１１のいずれか一項に記載のキャリア付極薄銅箔。
  13. 請求項７〜１２のいずれか一項に記載のキャリア付極薄銅箔を用意する工程と、
    前記第一極薄銅層を加工して第一回路を形成する工程と、
    前記第一回路を絶縁樹脂で封止する工程と、
    前記キャリアを前記密着金属層及び前記剥離層とともに剥離して前記第二極薄銅層を露出させる工程と、
    前記第二極薄銅層を加工し、その後前記エッチングストッパー層を加工して、第二回路を形成する工程と、
    前記第二回路を絶縁樹脂で封止する工程と、
    を含む、プリント配線板の製造方法。
  14. 前記第二回路を形成する工程が、ＩＣチップを実装する工程をさらに含む、請求項１３に記載の製造方法。

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