TWI644995B - Copper foil with carrier foil, copper clad laminate and printed circuit board - Google Patents

Copper foil with carrier foil, copper clad laminate and printed circuit board Download PDF

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Abstract

目的在於提供即使用於負荷250℃以上之溫度的覆銅 積層板製作，仍可從銅箔層容易地剝離載體箔的具載體箔之銅箔。
為了達成此目的，採用包括載體箔/接合界面層/ 銅箔層之層構造的具載體箔之銅箔等，其特徵在於，作為上述載體箔，使用進行250℃×60分之加熱處理後具備40kgf/mm2以上之抗拉強度的電解銅箔。

Description

具載體箔之銅箔、覆銅積層板及印刷電路板
本申請係關於具載體箔之銅箔。特別關於承受高溫負荷後仍可容易剝離的可剝離型具載體箔之銅箔。
先前，本申請人提出專利文獻1等中揭示的具載體箔之銅箔以作為包括微間距電路之印刷電路板的製造原料。專利文獻1中揭示的具載體箔之銅箔，即所謂的可剝離型具載體箔之銅箔，其特徵在於在載體箔的表面上，使用有機系劑形成接合界面層，並在此接合界面層上析出形成電解銅箔層。根據上述具載體箔之銅箔，由於維持低的接合界面層剝離強度同時可以穩定化，消除壓製成形後之載體箔的剝離強度不穩定性，而可以小力量進行穩定載體箔的剝離。
儘管如此，近年來，在印刷電路板製程當中，具載體箔之銅箔與絕緣層構成材料層疊時的壓製溫度具有更高的傾向。尤其，有負荷超過300℃之溫度的情況。在此情況下，專利文獻1中揭示的具載體箔之銅箔，因高溫負荷所以載體箔與電解銅箔的金屬互相擴散，載體箔與電解銅箔彼此連結，因此無法從電解銅箔剝離載體箔。
有鑒於此，本申請人提出專利文獻2所記載的具載體箔之銅箔，以成為在負荷超過300℃之溫度的情況下，仍 可以小力量進行穩定載體箔之剝離的具載體箔之銅箔。此專利文獻2中揭示的具載體箔之銅箔，由於使用硫代三聚氰酸形成接合界面層，在加熱前以及在225~360℃之範圍下加熱後當中，實現載體箔與電解銅箔之接合界面處的剝離強度為200gf/cm以下的程度。根據上述具載體箔之銅箔，可除去相較於先前具載體箔之銅箔而言非常小且穩定的載體箔。
除此之外，本申請人，在專利文獻3中，提出在載體箔之表面使用有機劑形成有機接合界面層，此有機接合界面層上使用鎳、鎳合金、鈷、鈷合金其中任何一者形成異種金屬層，此異種金屬層上具備電解銅箔層的具載體箔之銅箔的製造方法等。根據此製造方法所得的具載體箔之銅箔，包括「載體箔/有機接合界面層/鎳、鈷等異種金屬層/電解銅箔層」的層構造。上述具載體箔之銅箔，由於包括異種金屬層，在負荷超過300℃之溫度的情況下，可防止載體箔與電解銅箔更穩定地連結。
【先前技術文獻】 【專利文獻】
專利文獻1 日本特開2000-309898號公報
專利文獻2 日本特開2001-068804號公報
專利文獻3 日本特開2003-328178號公報
儘管如此，在負荷250℃以上之溫度的情況下，專利文獻2以及專利文獻3所揭示的具載體箔之銅箔中，將具載 體箔之銅箔的載體箔從電解銅箔剝離時的剝離強度(以下，僅稱為「載體箔剝離強度」)會產生大批量內變異。因此，在此種具載體箔之銅箔的載體箔剝離強度增大時，如上所述載體箔與電解銅箔連結，可確認無法從電解銅箔容易地剝離載體箔的現象。
第2圖係表示此狀況者。此第2圖係對先前具載體箔之銅箔進行250℃×60分之加熱處理後觀察其斷面者。此第2圖之下部的放大接合界面層中，可確認因高溫負荷而形成的相對大的互相擴散部分。第3圖係示意性且易於理解地表示此時之狀況者。在此第3圖中，表示了貫通載體箔2與銅箔3之間的接合界面層4、因高溫負荷而形成的互相擴散部分(以下，僅稱作「連結部5」)。當此連結部5變大並且增加時，已知無法從銅箔容易地剝離載體箔。
根據以上所述，本發明之目的為提供即使用於負荷250℃以上溫度的覆銅積層板製造，仍可從銅箔容易地剝離載體箔、批量內變異最小的具載體箔之銅箔。
在此，本申請發明者等的銳意研究結果，想到以250℃以上之溫度進行加熱處理後的具載體箔之銅箔中，藉由使載體箔具備以下所述之一定條件，於載體箔與銅箔之間的接合界面層抑制連結部形成，而可從銅箔容易地剝離載體箔。以下，說明此技術思想。
具載體箔之銅箔：根據本申請的具載體箔之銅箔，其特徵在於包括載體箔/接合界面層/銅箔層的層構造，並 使用進行250℃×60分之加熱處理後具備40kgf/mm2以上之抗拉強度的電解銅箔作為上述載體箔。
覆銅積層板：根據本申請的覆銅積層板，其特徵在於使用上述具載體箔之銅箔而得。
印刷電路板：根據本申請的印刷電路板，其特徵在於使用上述具載體箔之銅箔而得。
根據本申請的具載體箔之銅箔，即使負荷250℃以上的溫度，仍可從銅箔層容易地剝離載體箔，可減少批量內變異。因此，可在負荷250℃以上之溫度的覆銅積層板製造中適合地使用。
1‧‧‧具載體箔之銅箔
2‧‧‧載體箔
3‧‧‧銅箔層
4‧‧‧接合界面層
5‧‧‧連結部
第1圖係實施例2中使用具備「進行250℃×60分之加熱處理後為40kgf/mm2以上」之抗拉強度的電解銅箔作為載體箔的具載體箔之銅箔在250℃×60分之加熱處理後的剖面觀察照片。
第2圖係比較例中使用具備「進行250℃×60分之加熱處理後未滿40kgf/mm2」之抗拉強度的電解銅箔作為載體箔的具載體箔之銅箔在250℃×60分之加熱處理後的剖面觀察照片。
第3圖係對具載體箔之銅箔進行250℃×60分之加熱處理後，假設存在於預定接合界面層的連結部為6個之情況的剖面示意圖。
以下，說明有關根據本申請的「具載體箔之銅箔」、「覆銅積層板」以及「印刷電路板」的形態。
具載體箔之銅箔的形態：根據本申請的具載體箔之銅箔包括載體箔/接合界面層/銅箔層的層構造。然後，其特徵在於，作為此載體箔，使用進行250℃×60分之加熱處理後具備40kgf/mm2以上之抗拉強度的電解銅箔。另外，所謂「250℃×60分」之加熱條件，相當於在製造經由積層印刷電路板用銅箔與預浸材等絕緣層構成材料而得之覆銅積層板的時候一般所採用的加熱條件。
作為載體箔，若採用「進行250℃×60分之加熱處理後抗拉強度為40kgf/mm2以上」的電解銅箔，藉由阻礙加熱程序中載體箔的結晶成長，可減緩加熱程序中載體箔側的銅擴散，而可防止連結部形成。因此，加熱後從銅箔層剝離載體箔時的剝離強度在無批量內變異下可變成穩定的200gf/cm以下，且較佳可抑制為50gf/cm以下。另一方面，若使用進行250℃×60分之加熱處理後抗拉強度未滿40kgf/mm2的電解銅箔作為載體箔，隨著批量，上述連結部形成，而有加熱後從銅箔層剝離載體箔時的剝離強度超過200gf/cm的情況。另外，在連結部形成的位置，由於銅箔層破裂，也會有殘留於載體箔表面的情況。根據上列所述，使用在上述加熱條件下進行加熱處理後抗拉強度未滿40kgf/mm2的電解銅箔作為載體箔，會有剝離作業變困難的情況，因此並不合意。
根據本申請的載體箔，在上述加熱條件下之加熱後的抗拉強度若位於上述特定範圍內，則上述載體箔加熱前的 抗拉強度沒有特別限制。作為上述載體箔，在加熱前的狀態中，也可使用由鋅和錫等金屬成分覆蓋的電解銅箔。當以250~400℃的程度加熱由鋅和錫等金屬成分覆蓋的電解銅箔，所覆蓋的金屬成分擴散至電解銅箔內，由於阻礙在加熱程序中載體箔的結晶成長，可維持加熱前的機械性強度。因此，此種電解銅箔也適合作為根據本申請的具載體箔之銅箔的載體箔。
另外，上述電解銅箔，較佳為「進行250℃×60分之加熱處理後的平均結晶粒直徑未滿1.0μm」。電解銅箔的結晶組織與抗拉強度之間有一定的交互關係，若構成結晶組織的結晶粒為細微的，則此電解銅箔抗拉強度表示為相對高的值。由平均結晶粒直徑未滿1.0μm的細微結晶粒構成的電解銅箔，表示為大致40kgf/mm2以上的高抗拉強度。另外，本申請中的平均結晶粒直徑，按照EBSD法，藉由EBSD分析表示電解銅箔剖面結晶狀態的影像數據來進行。另外，對於具體測量方法的一個例子，會在實施例中說明。
根據本申請的具載體箔之銅箔，包括上述接合界面層內連結載體箔與銅箔的連結部，其最大連結部直徑較佳為200nm以下。若此最大連結部存在超出200nm的部分，則有在此部分處剝離載體箔變得困難的情況，若強迫剝離載體箔，在超出200nm之連結部處的銅箔層破裂，殘留於載體箔表面的傾向增加。然而，根據本申請的具載體箔之銅箔中的連結部，以上述加熱條件等加熱的時候，由於在載體箔與銅箔層之間銅互相擴散，貫通上述接合界面層，表示為連結上述載體箔與上述銅箔層的互相擴散部位。
另外，根據本申請的具載體箔之銅箔，當以垂直於上述具載體箔之銅箔的厚度方向的方向作為長度方向時，相當於2000mm的接合界面層內所存在的連結部的總長度較佳為500nm以下。另外，此連結部的總長度係相當於2000mm長度的接合界面層內所存在的各連結部直徑的合計長度。若此連結部的總長度超過500nm，表示因加熱引起的互相擴散過度地發生，會有載體箔的剝離變困難的情況，因此並不合意。
並且，根據本申請的具載體箔之銅箔，對上述具載體箔之銅箔進行250℃×60分的加熱處理後的上述接合界面層的剖面中，相當於長度2000nm的上述接合界面層內所存在的平均連接部直徑較佳為50nm以下。當此平均連接部直徑超過50nm時，會有從銅箔層剝離載體箔時的剝離強度超過200gf/cm的情況，變成銅箔層破裂而殘留於載體箔的表面，因此並不合意。在此，第3圖的符號5所表示者為因加熱而發生於載體箔2與銅箔層3之間的銅擴散所形成的「連結部」，第3圖中符號「R1、R2、R3、R4、R5、R6」所表示者為「連結部直徑」。然後，第3圖之情況的「平均連結部直徑」為總和6個連結部直徑R1、R2、R3、R4、R5、R6的和值除以6的值。
以上所述的根據本申請的具載體箔之銅箔的上述接合界面層，厚度較佳為5nm~60nm。若此接合界面層厚度未滿5nm，載體箔與銅箔層之間的距離過近，載體箔與銅箔層之間所發生的銅擴散會變得容易，因此並不合意。另一方面，若接合界面層厚度超過60nm，載體箔固定銅箔層會變得不穩 定，因此並不合意。並且，上述接合界面層厚度更佳為5nm~30nm。在上述接合界面層厚度為30nm以下的情況下，接合界面層的厚度變異減少，因加熱而形成於接合界面內的連結部的分佈會非常均勻，因此從銅箔層剝離載體箔時的剝離強度會穩定化。
根據本申請的具載體箔之銅箔的上述接合界面層，為使用有機成分所形成的「有機系接合界面層」或使用無機成分所形成的「無機系接合界面層」。
並且，在採用「有機系接合界面層」的情況下，作為有機成分，較佳為使用包括從含氮有機化合物、含硫有機化合物以及羧酸所組成之群體中選擇的化合物的至少一個以上者。此述的含氮有機化合物包括具有取代基的含氮有機化合物。具體而言，作為含氮有機化合物，較佳為使用具有取代基的1,2,3-苯並三唑、羧基苯並三唑、N’,N’-雙(苯並三唑基甲基)尿素、1H-1,2,4-三唑以及3-胺基-1H-1,2,4-三唑等三唑化合物。並且，作為含硫有機化合物，較佳為使用氫硫基苯並噻唑、三聚硫氰酸、2-苯並咪唑硫醇等。另外，作為羧酸，較佳為使用單羧酸，其中較佳為使用油酸、亞油酸和亞麻酸等。此些有機成分，容易形成優良的高溫耐熱性且在載體箔表面上厚度5nm~60nm的接合界面層。
並且，在採用「無機系接合界面層」的情況下，作為無機成分，可使用從Ni、Mo、Co、Cr、Fe、Ti、W、P或將上述這些作為主成分的合金或化合物所組成之群體中所選擇的至少一種以上。對於這些無機系接合界面層，可使用電 鍍法、無電鍍法等濕式沈積法或焊濺法、蒸發法等乾式沈積法等公知手段來形成。
如上所述，根據本申請的具載體箔之銅箔，包括載體箔/接合界面層/銅箔層的層構造。為了在加熱後可從銅箔層穩定剝離載體箔，如上所述，透過接合界面層抑制載體箔與銅箔層之間的銅擴散是必要的。為了更有效地抑制此銅擴散行為，根據本申請的具載體箔之銅箔，在載體箔與銅箔層之間，為了抑制因加熱所造成的銅擴散，較佳為設置耐熱金屬層。具體而言，根據本申請的具載體箔之銅箔，較佳為包括「載體箔/接合界面層/耐熱金屬層/銅箔層」、「載體箔/耐熱金屬層/接合界面層/銅箔層」等的層構造。
並且，此耐熱金屬層，考慮到耐熱穩定性，較佳為使用由鎳和鎳磷、鎳鉻、鎳鉬、鎳鉬鈷、鎳鈷、鎳鎢、鎳錫磷等鎳合金、鈷、鈷磷、鈷鉬、鈷鎢、鈷銅、鈷鎳磷、鈷錫磷等鈷合金其中任何一者所構成者。此耐熱金屬層，可使用電鍍法、無電鍍法等濕式沈積法或焊濺法、蒸發法等乾式沈積法等公知手段來形成。並且，耐熱金屬層的厚度較佳為1nm~50nm。
另外，根據本申請的具載體箔之銅箔中，關於載體箔的厚度，沒有特別限制，考慮可作為載體箔功能的9μm~200μm厚度即足夠。另外，關於銅箔層的厚度，也沒有特別限制，考慮到需要載體箔的薄銅箔，可考慮0.1μm~18μm程度的厚度。
如上所述的具載體箔之銅箔，作為載體箔係使用「進行250℃×60分的加熱處理後具備40kgf/mm2以上之抗拉 強度的電解銅箔」，可包括載體箔/接合界面層/銅箔層的層構造，對於構成銅箔層的銅箔並無特別限定者，其製法也沒有限定。舉例而言，銅箔層可以是由電鍍法或無電鍍法等濕式沈積法形成的銅層，也可以是由焊濺法、蒸發法等乾式沈積法形成的銅層，也可以藉由適當併用這些製法而以不同製法的複數銅層形成銅箔層。儘管如此，由於相較於乾式沈積法製造成本較便宜，較佳為以濕式沈積法形成的銅層。另外，從相較於無電鍍法可以用相稱於工業製造速度之速度沈積的觀點來看，較佳為以電鍍法形成的電解銅箔層。電解銅箔，其結晶組織為適合蝕刻加工者，適合用作印刷電路板等電路形成層。藉由電鍍法形成銅箔層的情況下，根據本申請的具載體箔之銅箔，舉例而言，可藉由上述專利文獻1所揭示的製造方法製造。也就是說，可藉由用酸洗處理等清潔載體箔表面、在清潔後的載體箔表面上形成接合界面層、在其接合界面層上形成銅箔層、必要時對上述銅箔層的表面施行粗糙化處理、防鏽處理、矽烷耦合劑處理等、乾燥處理來製造。
根據本申請的具載體箔之銅箔，可在製造下述覆銅積層板、印刷電路板時使用。另外，在製造無芯增層多層印刷電路板時，可使用上述具載體箔之銅箔作為支持基板。具體而言，在積層有上述具載體箔之銅箔與預浸材等支持基板的表面上，藉由增層法形成必要層數的增層。在此之後，藉由在上述具載體箔之銅箔的接合界面層處剝離載體箔與銅箔層，分離增層。藉由此種程序，可得到無芯增層多層印刷電路板。若使用上述具載體箔之銅箔作為支持基板，在上述具載體箔之銅箔 上積層絕緣層時等，即使以250℃以上之溫度加熱，如上所述，會減緩從載體箔至銅箔層的銅擴散，可抑制上述連結部的形成。因此，剝離載體箔與銅箔層時，可穩定剝離載體箔。因此，形成增層後，剝離載體箔與銅箔層時不會發生銅箔層殘留於載體箔側等缺陷，可抑制生產率的低下。另外，根據本申請的具載體箔之銅箔，如上所述，由於載體箔的抗拉強度高，可滿足支持基板所需的機械強度，防止支持基板的彎曲等因此可以容易處置。另外，即使上述具載體箔之銅箔的載體箔厚度為薄，由於可滿足支持基板所需的機械強度，不必要為了防止支持基板的彎曲等而增加載體箔厚度，可以減少資源的無用消耗。
覆銅積層板：根據本申請的覆銅積層板，係為層疊上述根據本申請的具載體箔之銅箔與絕緣層構成材料者，包括硬式覆銅積層板與可撓式覆銅積層板兩者。也就是說，關於此述的絕緣層構成材料種類，並無特別限定。若使用根據本申請的覆銅積層板，在層疊至絕緣層構成材料時，即使以250℃以上之溫度加熱，如上所述，由於連結部難以形成，可穩定剝離載體箔。此外，即使載體箔的厚度薄，由於有足夠的機械強度，在彎折上述覆銅積層板時，不太可能發生覆銅積層板彎曲等缺陷，因此變得容易處置。
印刷電路板：根據本申請的印刷電路板，係為使用上述根據本申請的具載體箔之銅箔而得者，包括硬式印刷電路板以及可撓式印刷電路板兩者。另外，根據本申請的印刷電路板，包括單面印刷電路板、雙面印刷電路板、多層印刷電路板等全部的印刷電路板。
【實施例1】
載體箔的製造：使用銅濃度80g/L、自由硫酸濃度250g/L、氯濃度2mg/L、明膠濃度2mg/L、液溫50℃的硫酸銅電解液，以電流密度60A/dm2電解，製造厚度18μm的電解銅箔，並用此作為載體箔。此時的電解銅箔的常態抗拉強度為43.8kgf/mm2，在進行250℃×60分的加熱處理後的抗拉強度為42.2kgf/mm2。另外，載體箔的常態以及加熱後的抗拉強度的測量以符合IPC-TM-650進行。在以下實施例合比較例中也同樣如此。
接合界面層的形成：於上述載體箔的的表面以下方式形成接合界面層。於硫酸150g/L、銅濃度10g/L、羧基苯並三唑(CBTA)濃度800mg/L、液溫30℃的含有機劑稀硫酸水溶液中浸泡載體箔30秒，同時酸洗除去附著於載體箔的污染成分，使CBTA吸附於載體箔表面，而於載體箔表面形成CBTA所構成的接合界面層，成為「包括接合界面層的載體箔」。
銅箔層的形成：接著，在銅電解液中，陰極極化「包括接合界面層的載體箔」，於接合界面層表面形成銅箔層，而得到具載體箔之銅箔。此銅箔層的形成，使用銅濃度70g/L、自由硫酸濃度150g/L、液溫45℃的銅電解液，以電流密度30A/dm2電解，形成厚度3μm的銅箔層。
銅箔層的表面處理：根據上述所得的具載體箔之銅箔的表面不施行粗糙化處理而形成鋅鎳合金防鏽層，並施行電解鉻酸鹽處理、胺系矽烷耦合劑處理，得到經表面處理的具載體箔之銅箔。
平均結晶粒直徑的測量：載體箔的結晶粒直徑的測量係使用搭載EBSD評價裝置(OIM Analysis，株式會社TSL Solutions製)的FE槍型掃描式電顯微鏡(SUPRA 55VP，Carl Zeiss公司製)以及附屬的EBSD分析裝置。藉由使用此裝置，關於經適當剖面加工的相關樣品，依照EBSD法，得到載體箔剖面結晶狀態的影像數據，在EBSD分析程式(OIM Analysis，株式會社TSL Solutions製)的功能選單下對此影像數據進行平均結晶粒直徑的數值化。在本評價中，將方向差5°以上視為結晶粒邊界。另外，觀察時的掃描式電顯微鏡條件為加速電壓：20kV，光圈直徑：60mm、High Current mode、樣本角度：70°。此量測結果係一起表示於表1。
剝離強度的量測：常態以及加熱後的載體箔的剝離強度係依照IPC-TM-650進行。在量測的時候，使用以下列方法製作的板狀測試片。首先，在上述具載體箔之銅箔的銅箔層表面使用黏著劑層疊絕緣樹脂層構成材料以製作覆銅積層板。此時，作為絕緣層構成材料，係使用厚度100μm的已硬化預浸材。然後，在此覆銅積層板表面切割載體箔以製作幅度10mm×長度10cm的板狀測試片。另外，在製作常態剝離強度量測用的樣本的情況下，使用加熱處理前的具載體箔之銅箔，而在製作加熱後剝離強度量測用的樣本的情況下，使用預先進行250℃×60分之加熱處理的具載體箔之銅箔。另外，關於加熱後的載體箔剝離強度，從具載體箔之銅箔採取不同的5個位置分別進行量測，表示5次的量測值範圍。此量測結果係一起表示於表1。
連結部直徑的量測：根據用於平均結晶粒直徑量測的上述載體箔剖面結晶狀態的影像數據，在對根據上述所得的具載體箔之銅箔進行250℃×60分之加熱處理後的接合界面層的剖面中，以與第3圖示意性地表示的方法相同，求得存在於相當於2000nm之接合界面層內的連結部直徑，並求得平均連結部直徑、連結部的總長、最大連結部直徑。此量測結果係一起表示於表1。
【實施例2】
實施例2，唯一不同之處為在實施例1的「接合界面層的形成」與「銅箔層的形成」之間設置「耐熱金屬層的形成」的程序。因此，僅敘述與「耐熱金屬層的形成」相關者。
耐熱金屬層的形成：接著，於接合界面層表面形成鎳層以作為耐熱金屬層。此耐熱金屬層的形成，使用硫酸鎳(NiSO4．6H2O)330g/L、氯化鎳(NiCl2．6H2O)45g/L、硼酸35g/L、液溫45℃、pH3的瓦特浴作為鎳電解液，以電流密度2.5A/dm2電解，形成換算厚度10nm的鎳層。
以下，與實施例1一樣，於「包括耐熱金屬層以及接合界面層的載體箔」的耐熱金屬層以及接合界面層存在的表面形成銅箔層，於此銅箔層的表面施行表面處理以得到具載體箔之銅箔。由實施例2所得的具載體箔之銅箔的剖面觀察照片係顯示於第1圖。
【實施例3】
實施例3與實施例1的不同之處僅為載體箔。因此，僅敘述與不同於實施例1之載體箔的製造相關者。
載體箔的製造：使用銅濃度80g/L、自由硫酸濃度140g/L、氯濃度0.25mg/L、用於碘化鉀(KI)的碘元素濃度5.0mg/L、液溫50℃的硫酸銅電解液，以電流密度75A/dm2電解，製造厚度18μm的電解銅箔，並用此作為載體箔。此時的電解銅箔的常態抗拉強度為48.7kgf/mm2，在進行250℃×60分的加熱處理後的抗拉強度為45.0kgf/mm2。
【實施例4】
實施例4與實施例1的不同之處僅為載體箔。因此，僅敘述與不同於實施例1之載體箔的製造相關者。
載體箔的製造：使用銅濃度80g/L、硫酸濃度140g/L、分子量10000的聚乙烯亞胺53mg/L、氯濃度2.2mg/L、液溫50℃的硫酸銅電解液，以電流密度70A/dm2電解，製造厚度18μm的電解銅箔，並用此作為載體箔。此時的電解銅箔的常態抗拉強度為62.2kgf/mm2，在進行250℃×60分的加熱處理後的抗拉強度為48.1kgf/mm2。
【實施例5】
實施例5與實施例1的不同之處僅為載體箔。因此，僅敘述與不同於實施例1之載體箔的製造相關者。
載體箔的製造：在實施例5中，使用銅濃度80g/L、硫酸濃度140g/L、分子量10000的聚乙烯亞胺100mg/L、氯濃度1.0mg/L、液溫50℃的硫酸銅電解液，以電流密度70A/dm2電解，製造厚度18μm的電解銅箔，並用此作為載體箔。此時的電解銅箔的常態抗拉強度為79.0kgf/mm2，在進行250℃×60分的加熱處理後的抗拉強度為55.4kgf/mm2。
【比較例】
在比較例中，取代實施例1中作為載體箔使用的電解銅箔，而使用常態抗拉強度為40.3kgf/mm2、進行250℃×60分的加熱處理後的抗拉強度為35.0kgf/mm2的電解銅箔作為載體箔。關於其其他程序，係以與實施例2相同的方式，得到作為比較例的具載體箔之銅箔。然後，以與實施例相同的方式量測載體箔的平均結晶粒直徑、載體箔的剝離強度、連結部直徑。各量測結果係一起表示於表1。另外，由比較例所得的具載體箔之銅箔的剖面觀察相片係顯示於第1圖。
[實施例與比較例的對比]
從此表1可理解，對於實施例1~實施例5，使用「進行250℃×60分之加熱處理後具備40kgf/mm2以上之抗拉強度的電解銅箔」作為載體箔。相對於此，比較例在進行250℃×60分之加熱處理後僅具備35.0kgf/mm2的抗拉強度。結果，對於實施例1~實施例5，變成「存在於接合界面層中的連結部內，最大連結部直徑為200nm以下」、「存在於相當於2000mm的接合界面層內的連結部的總長度為500nm以下」。然而，在比較例的情況下，上述最大連結部直徑超過200nm，上述連結部的總長度也超過500nm。因此，可以理解到比較例的載體箔的剝離強度以及變異相較於實施例具有非常高的值。在此比較例程度的載體箔剝離強度的情況下，由於發生這些的變異，載體箔的剝離變得困難。
【產業利用可能性】
根據本申請的具載體箔之銅箔，即使負荷250℃以上的溫度，仍可從銅箔層容易地剝離載體箔，而可在負荷250℃以上之溫度的覆銅積層板製造中適合地使用。由於從銅箔層剝離載體箔的剝離強度係穩定於低位準，載體箔的剝離作業容易進行。

Claims (11)

  1. 一種具載體箔之銅箔，包括載體箔/接合界面層/銅箔層之層構造，其特徵在於：作為上述載體箔，係使用進行250℃×60分之加熱處理後具備40kgf/mm2以上之抗拉強度的電解銅箔。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之具載體箔之銅箔，其中上述接合界面層內包括連結載體箔與上述銅箔層的連結部，其最大連結部直徑為200nm以下。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之具載體箔之銅箔，其中當以垂直於上述具載體箔的厚度方向的方向作為長度方向時，相當於2000mm的接合界面層內所存在的連結部的總長度為500nm以下。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之具載體箔之銅箔，其中上述接合界面層為厚度5nm~60nm。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之具載體箔之銅箔，其中上述接合界面層為用有機成分形成者。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之具載體箔之銅箔，其中上述接合界面層的有機成分包括從含氮有機化合物、含硫有機化合物以及羧酸所組成之群體中選擇的化合物的至少一個以上。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之具載體箔之銅箔，其中上述接合界面層為用無機成分形成者。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之具載體箔之銅箔，其中上述接合界面層的無機成分包括從Ni、Mo、Co、Cr、Fe、Ti、W、P或將上述這些作為主成分的合金或化合物所組成之群體中選擇的至少一種以上。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之具載體箔之銅箔，其中構成具載體箔之銅箔的上述載體箔與上述銅箔層之間包括耐熱金屬層。
  10. 一種覆銅積層板，其特徵在於：使用如申請專利範圍第1項所述之具載體箔之銅箔而得。
  11. 一種印刷電路板，其特徵在於：使用如申請專利範圍第1項所述之具載體箔之銅箔而得。
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