JP2003086922A - 回路基板の製造方法 - Google Patents
回路基板の製造方法Info
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- JP2003086922A JP2003086922A JP2001275092A JP2001275092A JP2003086922A JP 2003086922 A JP2003086922 A JP 2003086922A JP 2001275092 A JP2001275092 A JP 2001275092A JP 2001275092 A JP2001275092 A JP 2001275092A JP 2003086922 A JP2003086922 A JP 2003086922A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】樹脂基板上に銅層を強固に形成することがで
き、さらに、めっき処理を廃することによって設備およ
び労力上の不利益を排除した回路基板の製造方法を提供
する。 【解決手段】イオン照射あるいは中性原子照射等による
清浄化処理を施した樹脂基板の表面に銅の下地膜を蒸着
あるいはスパッタリングによって形成し、形成された銅
の下地膜上に銅箔を加圧接合する。
き、さらに、めっき処理を廃することによって設備およ
び労力上の不利益を排除した回路基板の製造方法を提供
する。 【解決手段】イオン照射あるいは中性原子照射等による
清浄化処理を施した樹脂基板の表面に銅の下地膜を蒸着
あるいはスパッタリングによって形成し、形成された銅
の下地膜上に銅箔を加圧接合する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、回路基板の製造方
法に関し、特に、樹脂基板上に銅層を強固に形成するこ
とができ、さらに、めっき処理を必要としない回路基板
の製造方法に関する。
法に関し、特に、樹脂基板上に銅層を強固に形成するこ
とができ、さらに、めっき処理を必要としない回路基板
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＦＰＣ（フレキシブルプリント回路）あ
るいはＴＡＢ（テープオートメーテッドボンディング）
においては、ポリイミドフィルム等の樹脂基板上にエポ
キシ系接着剤で銅箔を貼り合わせたものが回路基板とし
て多用されてきたが、接着剤の熱的特性が樹脂フィルム
より劣るため、熱的負荷の大きな基板製造や用途には適
用が難しいという問題を有している。
るいはＴＡＢ（テープオートメーテッドボンディング）
においては、ポリイミドフィルム等の樹脂基板上にエポ
キシ系接着剤で銅箔を貼り合わせたものが回路基板とし
て多用されてきたが、接着剤の熱的特性が樹脂フィルム
より劣るため、熱的負荷の大きな基板製造や用途には適
用が難しいという問題を有している。
【０００３】このため、最近においては、樹脂基板上に
蒸着あるいはスパッタリングによって銅の下地膜を形成
し、この下地膜上に電解めっきを施すことによって回路
パターンとなるべき銅層を形成した２層形式の回路基板
が使用されている。この回路基板は、銅層の形成に接着
剤を使用しないため、耐熱上の制約がなく、従って、熱
的負荷の大きなＦＣＰやＴＡＢ等の製造に好適な基板と
して活用されている。
蒸着あるいはスパッタリングによって銅の下地膜を形成
し、この下地膜上に電解めっきを施すことによって回路
パターンとなるべき銅層を形成した２層形式の回路基板
が使用されている。この回路基板は、銅層の形成に接着
剤を使用しないため、耐熱上の制約がなく、従って、熱
的負荷の大きなＦＣＰやＴＡＢ等の製造に好適な基板と
して活用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の２層形
式の回路基板を製造する方法によると、樹脂基板と形成
される銅層との間に安定かつ強固な接着状態を得ること
が難しく、また、めっき処理を不可欠の要素とするため
に廃液処理設備が必要になるとともに、その管理に多大
な労力を要するなど好ましくない問題を有している。
式の回路基板を製造する方法によると、樹脂基板と形成
される銅層との間に安定かつ強固な接着状態を得ること
が難しく、また、めっき処理を不可欠の要素とするため
に廃液処理設備が必要になるとともに、その管理に多大
な労力を要するなど好ましくない問題を有している。
【０００５】従って、本発明の目的は、樹脂基板上に銅
層を強固に形成することができ、さらに、めっき処理を
廃することによって設備および労力上の不利益を排除し
た回路基板の製造方法を提供することにある。
層を強固に形成することができ、さらに、めっき処理を
廃することによって設備および労力上の不利益を排除し
た回路基板の製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するため、樹脂基板上に回路パターンを構成すべき
銅層を一体に形成する回路基板の製造方法において、前
記樹脂基板の表面にイオン照射あるいは中性原子照射等
による清浄化処理を施し、清浄化された前記樹脂基板の
表面に銅の下地膜を蒸着あるいはスパッタリングによっ
て形成し、前記銅の下地膜上に銅箔を加圧接合すること
によって前記所定の厚さの銅層を形成することを特徴と
する回路基板の製造方法を提供するものである。
達成するため、樹脂基板上に回路パターンを構成すべき
銅層を一体に形成する回路基板の製造方法において、前
記樹脂基板の表面にイオン照射あるいは中性原子照射等
による清浄化処理を施し、清浄化された前記樹脂基板の
表面に銅の下地膜を蒸着あるいはスパッタリングによっ
て形成し、前記銅の下地膜上に銅箔を加圧接合すること
によって前記所定の厚さの銅層を形成することを特徴と
する回路基板の製造方法を提供するものである。
【０００７】上記の下地膜および箔を構成する銅材とし
ては、純銅あるいは銅合金のいずれも使用可能であり、
一方、樹脂基板としては、ポリイミドフィルムが多くの
場合に使用される。また、銅の下地膜を形成するに際し
ては、当該下地膜を形成する前に、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏお
よびＣｒより選択される１種以上の金属の薄膜を蒸着あ
るいはスパッタリングによって形成することが好まし
い。
ては、純銅あるいは銅合金のいずれも使用可能であり、
一方、樹脂基板としては、ポリイミドフィルムが多くの
場合に使用される。また、銅の下地膜を形成するに際し
ては、当該下地膜を形成する前に、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏお
よびＣｒより選択される１種以上の金属の薄膜を蒸着あ
るいはスパッタリングによって形成することが好まし
い。
【０００８】このようにするときには、形成された薄膜
に対酸素バリアとしての働きを期待できるため、高温に
おける接合状態が安定化するようになる。即ち、ポリイ
ミドフィルム等の樹脂基板は、酸素を透過させる性質を
有しており、従って、透過した酸素によって銅の下地膜
が酸化され、高温保持中において樹脂基板と銅の下地膜
との接合が劣化する恐れがあるが、上記した金属の薄膜
は、銅への良好な接合性を有するとともに、透過酸素に
対するバリア的作用をするため、接合力の低下を防ぐ存
在となる。
に対酸素バリアとしての働きを期待できるため、高温に
おける接合状態が安定化するようになる。即ち、ポリイ
ミドフィルム等の樹脂基板は、酸素を透過させる性質を
有しており、従って、透過した酸素によって銅の下地膜
が酸化され、高温保持中において樹脂基板と銅の下地膜
との接合が劣化する恐れがあるが、上記した金属の薄膜
は、銅への良好な接合性を有するとともに、透過酸素に
対するバリア的作用をするため、接合力の低下を防ぐ存
在となる。
【０００９】樹脂基板上に形成される銅の下地膜の厚さ
は、０．０５〜１μｍの範囲内に設定することが好まし
い。厚さがこれを下廻ると、銅箔との密着力が不足して
強度充分の接合状態の確保が難しくなり、一方、この範
囲を超過すると、下地膜の増厚による密着力の向上効果
が飽和する傾向を示すようになる。
は、０．０５〜１μｍの範囲内に設定することが好まし
い。厚さがこれを下廻ると、銅箔との密着力が不足して
強度充分の接合状態の確保が難しくなり、一方、この範
囲を超過すると、下地膜の増厚による密着力の向上効果
が飽和する傾向を示すようになる。
【００１０】銅箔としては、圧延銅箔あるいは電解銅箔
が使用され、樹脂基板に対するのと同じ清浄化処理を施
されたものであることが好ましい。この形態の銅箔を使
用するときには、下地膜との接合力を高め、樹脂基板と
のより強固な接合状態を得ることができる。なお、この
銅箔および樹脂基板に対する清浄化処理手段としては、
前述したイオン照射処理および中性原子照射処理が主に
利用されるが、コロナ放電処理あるいはプラズマ処理等
も適用可能である。
が使用され、樹脂基板に対するのと同じ清浄化処理を施
されたものであることが好ましい。この形態の銅箔を使
用するときには、下地膜との接合力を高め、樹脂基板と
のより強固な接合状態を得ることができる。なお、この
銅箔および樹脂基板に対する清浄化処理手段としては、
前述したイオン照射処理および中性原子照射処理が主に
利用されるが、コロナ放電処理あるいはプラズマ処理等
も適用可能である。
【００１１】下地膜への銅箔の加圧接合手段としては、
長尺の樹脂基板と銅箔を準備し、これらをロールによっ
て連続的に加圧する形式が好ましく、このようにすると
きには、高い製造効率に基づく低コストの回路基板を得
ることができる。なお、ロールとしては、ゴムライニン
グを有するものが好ましいが、ライニングなしのロール
であっても使用可能である。
長尺の樹脂基板と銅箔を準備し、これらをロールによっ
て連続的に加圧する形式が好ましく、このようにすると
きには、高い製造効率に基づく低コストの回路基板を得
ることができる。なお、ロールとしては、ゴムライニン
グを有するものが好ましいが、ライニングなしのロール
であっても使用可能である。
【００１２】銅箔を加圧接合する作業は、減圧した雰囲
気内において行うことが好ましく、その真空の度合は、
多くの場合、１×１０-3ｔｏｒｒ以下に設定される。こ
の真空のレベルは、酸素の影響を排除した安定な加圧接
合を実現するための好ましい条件となる。
気内において行うことが好ましく、その真空の度合は、
多くの場合、１×１０-3ｔｏｒｒ以下に設定される。こ
の真空のレベルは、酸素の影響を排除した安定な加圧接
合を実現するための好ましい条件となる。
【００１３】また、良好な接合状態を得るためには、下
地膜と銅箔を加熱することが好ましく、たとえば、アル
ゴンイオンの照射による清浄化処理の場合を例にとる
と、加熱は、照射によって注入されたアルゴンイオンを
離脱させたり、あるいは照射の衝撃による表面の硬化状
態を緩和させるように作用するため、接合がより強固な
ものとなる。
地膜と銅箔を加熱することが好ましく、たとえば、アル
ゴンイオンの照射による清浄化処理の場合を例にとる
と、加熱は、照射によって注入されたアルゴンイオンを
離脱させたり、あるいは照射の衝撃による表面の硬化状
態を緩和させるように作用するため、接合がより強固な
ものとなる。
【００１４】また、加圧接合時における下地膜と銅箔の
加熱は、加圧接合面での原子の拡散を生起させるととも
に、これを促進させるように作用するため、このことに
よる接合力の向上効果をも期待することができる。な
お、銅の下地膜と銅箔の接合を良好に行うための加圧力
としては、少なくとも５０ｋｇｆ／ｃｍ2に設定するこ
とが好ましい。
加熱は、加圧接合面での原子の拡散を生起させるととも
に、これを促進させるように作用するため、このことに
よる接合力の向上効果をも期待することができる。な
お、銅の下地膜と銅箔の接合を良好に行うための加圧力
としては、少なくとも５０ｋｇｆ／ｃｍ2に設定するこ
とが好ましい。
【００１５】
【発明の実施の形態】次に、本発明による回路基板の製
造方法の実施の形態を説明する。
造方法の実施の形態を説明する。
【実施例１】厚さが５０μｍのポリイミドフィルム（宇
部興産社製ユーピレックスＳ）に減圧雰囲気下において
アルゴンイオンボンバード処理を施すことにより表面を
清浄化した後、清浄化された表面にＤＣマグネトロン式
スパッタ装置による銅のスパッタリング処理を施し、厚
さが０．５μｍの銅の下地膜を形成した。
部興産社製ユーピレックスＳ）に減圧雰囲気下において
アルゴンイオンボンバード処理を施すことにより表面を
清浄化した後、清浄化された表面にＤＣマグネトロン式
スパッタ装置による銅のスパッタリング処理を施し、厚
さが０．５μｍの銅の下地膜を形成した。
【００１６】次に、厚さが１８μｍの圧延銅箔を準備
し、これにアルゴンイオンのボンバード処理を施すこと
によって粗さが０．３μｍのエッチング表面加工を施し
た後、以上のポリイミドフィルムと圧延銅箔の処理面同
士を大気に曝すことなく互いに重ね合わせ、１×１０-6
ｔｏｒｒの真空下において５００ｋｇｆ／ｃｍ2 の圧力
のもとに加圧接合した。
し、これにアルゴンイオンのボンバード処理を施すこと
によって粗さが０．３μｍのエッチング表面加工を施し
た後、以上のポリイミドフィルムと圧延銅箔の処理面同
士を大気に曝すことなく互いに重ね合わせ、１×１０-6
ｔｏｒｒの真空下において５００ｋｇｆ／ｃｍ2 の圧力
のもとに加圧接合した。
【００１７】次いで、得られた複合材の銅層にフォトエ
ッチング加工を施すことによって線幅が５ｍｍの銅の配
線を有する回路パターンを形成し、これにより所定のサ
ンプル基板を得た。
ッチング加工を施すことによって線幅が５ｍｍの銅の配
線を有する回路パターンを形成し、これにより所定のサ
ンプル基板を得た。
【００１８】
【実施例２】実施例１において、銅の下地膜を形成する
前にスパッタリングによってＣｒの薄膜を０．０５μｍ
の厚さに形成し、この上に銅の下地膜を０．５μｍの厚
さに形成する以外、他を同一条件に設定することによっ
て所定のサンプル基板を製造した。
前にスパッタリングによってＣｒの薄膜を０．０５μｍ
の厚さに形成し、この上に銅の下地膜を０．５μｍの厚
さに形成する以外、他を同一条件に設定することによっ
て所定のサンプル基板を製造した。
【００１９】
【実施例３】実施例２において、Ｃｒの代わりにＭｏを
使用し、他を同一条件に設定することによって所定のサ
ンプル基板を製造した。
使用し、他を同一条件に設定することによって所定のサ
ンプル基板を製造した。
【００２０】
【参考例】実施例１において、銅の下地膜の厚さを０．
０３μｍに形成する以外、他を同一条件に設定すること
によって所定のサンプル基板を製造した。
０３μｍに形成する以外、他を同一条件に設定すること
によって所定のサンプル基板を製造した。
【００２１】
【従来例】アルゴンイオンボンバード処理を施さない実
施例１のポリイミドフィルムに実施例１と同じ装置を使
用して銅を０．５μｍの厚さにスパッタリングし、これ
に電解めっきを施すことにより厚さが１８μｍの銅層を
形成した後、得られた複合材に実施例１と同じ回路パタ
ーンを形成することにより所定のサンプル基板を製造し
た。
施例１のポリイミドフィルムに実施例１と同じ装置を使
用して銅を０．５μｍの厚さにスパッタリングし、これ
に電解めっきを施すことにより厚さが１８μｍの銅層を
形成した後、得られた複合材に実施例１と同じ回路パタ
ーンを形成することにより所定のサンプル基板を製造し
た。
【００２２】表１は、以上の実施例、参考例および従来
例により得られた各サンプル基板における銅配線のピー
リング試験結果を示したものである。なお、表１には、
サンプル基板に対して１５０℃×１００時間の加熱劣化
処理を行う前と後の試験結果を示す。
例により得られた各サンプル基板における銅配線のピー
リング試験結果を示したものである。なお、表１には、
サンプル基板に対して１５０℃×１００時間の加熱劣化
処理を行う前と後の試験結果を示す。
【００２３】
【表１】
【００２４】表１によれば、加熱前の試験結果におい
て、実施例によるものが０．８０〜０．８７Ｎ／ｍｍ
（平均０．８４Ｎ／ｍｍ）という高水準のピーリング強
度を示しているのに比べ、従来例によるものは、僅かに
０，６４Ｎ／ｍｍでしかなく、両者の間には、歴然とし
た差が認められる。
て、実施例によるものが０．８０〜０．８７Ｎ／ｍｍ
（平均０．８４Ｎ／ｍｍ）という高水準のピーリング強
度を示しているのに比べ、従来例によるものは、僅かに
０，６４Ｎ／ｍｍでしかなく、両者の間には、歴然とし
た差が認められる。
【００２５】これは、実施例によるものが下地膜の形成
前にポリイミドフィルムに対してアルゴンイオン照射に
よる清浄化処理を施しているためであり、この処理の有
無がピーリング強度の差となって現れているものであ
る。
前にポリイミドフィルムに対してアルゴンイオン照射に
よる清浄化処理を施しているためであり、この処理の有
無がピーリング強度の差となって現れているものであ
る。
【００２６】しかも、銅層の形成を電解めっきに依存す
る従来例に比べると、銅箔の加圧接合に基づいてこれを
形成する実施例の場合には、めっき廃液処理のための設
備、あるいはこれを管理するための労力等が一切不要で
あり、このことによる利益をも得ることができる。
る従来例に比べると、銅箔の加圧接合に基づいてこれを
形成する実施例の場合には、めっき廃液処理のための設
備、あるいはこれを管理するための労力等が一切不要で
あり、このことによる利益をも得ることができる。
【００２７】なお、表１において、実施例１の加熱後に
おけるピーリング強度が実施例２および３より低い水準
にあるのは、実施例２および３のように対酸素バリアと
してのＣｒあるいはＭｏの薄膜を形成していないためで
あり、また、参考例の特性が低水準にあるのは、下地膜
が薄肉に過ぎるためにポリイミドフィルムとの間に充分
な接合強度を形成できていないためである。
おけるピーリング強度が実施例２および３より低い水準
にあるのは、実施例２および３のように対酸素バリアと
してのＣｒあるいはＭｏの薄膜を形成していないためで
あり、また、参考例の特性が低水準にあるのは、下地膜
が薄肉に過ぎるためにポリイミドフィルムとの間に充分
な接合強度を形成できていないためである。
【００２８】従って、これらの事実より、本発明におい
ては、下地膜の下にＣｒあるいはＭｏ等の金属による薄
膜をスパッタリングあるいは蒸着によって形成すること
が好ましく、さらには、下地膜の厚さに関して充分な配
慮を行うことが好ましいこととなる。
ては、下地膜の下にＣｒあるいはＭｏ等の金属による薄
膜をスパッタリングあるいは蒸着によって形成すること
が好ましく、さらには、下地膜の厚さに関して充分な配
慮を行うことが好ましいこととなる。
【００２９】なお、以上の実施の形態においては、回路
パターンとなるべき銅層を樹脂基板の片面に形成する例
について述べたが、銅層を樹脂基板の両面に形成する形
態も可能であり、その場合の銅箔の加圧接合手段として
は、両面同時接合あるいは片面ずつの接合が考えられ
る。
パターンとなるべき銅層を樹脂基板の片面に形成する例
について述べたが、銅層を樹脂基板の両面に形成する形
態も可能であり、その場合の銅箔の加圧接合手段として
は、両面同時接合あるいは片面ずつの接合が考えられ
る。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による回路
基板の製造方法によれば、樹脂基板の表面にイオン照射
等による清浄化処理を施し、清浄化された樹脂基板の表
面に銅の下地膜を蒸着あるいはスパッタリングによって
形成した後、この下地膜に銅箔を加圧接合することによ
って回路パターンとなるべき銅層を形成するため、銅層
を樹脂基板上に強固に形成することができ、さらに従来
の製造方法におけるめっき廃液処理のための設備および
労力上の不利益を完全に排除することが可能となる。
基板の製造方法によれば、樹脂基板の表面にイオン照射
等による清浄化処理を施し、清浄化された樹脂基板の表
面に銅の下地膜を蒸着あるいはスパッタリングによって
形成した後、この下地膜に銅箔を加圧接合することによ
って回路パターンとなるべき銅層を形成するため、銅層
を樹脂基板上に強固に形成することができ、さらに従来
の製造方法におけるめっき廃液処理のための設備および
労力上の不利益を完全に排除することが可能となる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
// Ｃ２３Ｃ 14/02 Ｃ２３Ｃ 14/02 Ａ
14/20 14/20 Ａ
(72)発明者 清藤 雅宏
茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立
電線株式会社総合技術研究所内
Ｆターム(参考） 4K029 AA11 AA24 AA25 BA07 BA08
BA11 BA12 BA17 BB02 BD00
CA01 CA05 EA01 FA04 FA05
GA00
5E343 AA02 AA12 AA37 BB04 BB14
BB16 BB24 BB35 BB39 BB44
BB67 BB71 DD23 DD25 DD76
EE01 GG01 GG11
Claims (10)
- 【請求項１】樹脂基板上に回路パターンを構成すべき所
定の厚さの銅層を一体に形成する回路基板の製造方法に
おいて、 前記樹脂基板の表面にイオン照射あるいは中性原子照射
等による清浄化処理を施し、 清浄化された前記樹脂基板の表面に銅の下地膜を蒸着あ
るいはスパッタリングによって形成し、 前記銅の下地膜上に銅箔を加圧接合することによって前
記所定の厚さの銅層を形成することを特徴とする回路基
板の製造方法。 - 【請求項２】前記銅の下地膜を形成するステップは、前
記清浄化された樹脂基板の表面にＮｉ、Ｔｉ、Ｍｏおよ
びＣｒより選択される１種以上の金属の薄膜を蒸着ある
いはスパッタリングによって形成した上に行われること
を特徴とする請求項１項記載の回路基板の製造方法。 - 【請求項３】前記銅の下地膜を形成するステップは、形
成厚さが０．０５〜１μｍとなるように行われることを
特徴とする請求項１項記載の回路基板の製造方法。 - 【請求項４】前記銅箔を加圧接合するステップは、接合
する面にイオン照射あるいは中性原子照射等による清浄
化処理を施した銅箔を使用して行われることを特徴とす
る請求項１項記載の回路基板の製造方法。 - 【請求項５】前記銅箔を加圧接合するステップは、長尺
の重ね合わされた前記樹脂基板および前記銅箔をロール
により連続的に加圧することによって行われることを特
徴とする請求項１項記載の回路基板の製造方法。 - 【請求項６】前記銅箔を加圧接合するステップは、減圧
された雰囲気下において行われることを特徴とする請求
項１項記載の回路基板の製造方法。 - 【請求項７】前記銅箔を加圧接合するステップは、１×
１０-3ｔｏｒｒ以下の真空雰囲気下において行われるこ
とを特徴とする請求項６項記載の回路基板の製造方法。 - 【請求項８】前記銅箔を加圧接合するステップは、前記
銅の下地膜と前記銅箔を所定の温度に加熱した状態のも
とに行われることを特徴とする請求項１項記載の回路基
板の製造方法。 - 【請求項９】前記銅箔を加圧接合するステップは、少な
くとも５０ｋｇｆ／ｃｍ2の加圧力のもとに行われるこ
とを特徴とする請求項１項記載の回路基板の製造方法。 - 【請求項１０】前記銅の下地膜を形成するステップは、
前記樹脂基板としてポリイミドフィルムを使用すること
によって行われることを特徴とする請求項１項記載の回
路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001275092A JP2003086922A (ja) | 2001-09-11 | 2001-09-11 | 回路基板の製造方法 |
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| JP2001275092A JP2003086922A (ja) | 2001-09-11 | 2001-09-11 | 回路基板の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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ID=19100016
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|---|---|
| JP (1) | JP2003086922A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9905459B1 (en) | 2016-09-01 | 2018-02-27 | International Business Machines Corporation | Neutral atom beam nitridation for copper interconnect |
| KR20200060228A (ko) * | 2018-11-22 | 2020-05-29 | 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 | 플렉시블 기판 |
-
2001
- 2001-09-11 JP JP2001275092A patent/JP2003086922A/ja active Pending
Cited By (6)
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|---|---|---|---|---|
| US9905459B1 (en) | 2016-09-01 | 2018-02-27 | International Business Machines Corporation | Neutral atom beam nitridation for copper interconnect |
| US10153202B2 (en) | 2016-09-01 | 2018-12-11 | International Business Machines Corporation | Neutral atom beam nitridation for copper interconnect |
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| CN111212526A (zh) * | 2018-11-22 | 2020-05-29 | 住友金属矿山株式会社 | 柔性基板 |
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