WO2020105638A1 - キャリア付金属箔、及びそれを用いたミリ波アンテナ基板の製造方法 - Google Patents

キャリア付金属箔、及びそれを用いたミリ波アンテナ基板の製造方法

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WO2020105638A1
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未希子 小宮
威範 柳井
林太郎 石井
宜範 松浦
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三井金属鉱業株式会社
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    • H05K3/022—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates
    • H05K3/025—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates by transfer of thin metal foil formed on a temporary carrier, e.g. peel-apart copper

Definitions

  • the present invention relates to a metal foil with a carrier and a method for manufacturing a millimeter wave antenna substrate using the metal foil.
  • the coreless buildup method is a method in which insulating layers and wiring layers are alternately laminated (buildup) to form a multilayer without using a so-called core substrate.
  • the coreless build-up method it has been proposed to use a copper foil with a carrier so that the support and the multilayer printed wiring board can be easily separated from each other.
  • Patent Document 1 JP 2005-101137 A
  • an insulating resin layer is attached to a carrier surface of a copper foil with a carrier to form a support, and a photoresist processing is performed on the ultrathin copper layer side of the copper foil with a carrier.
  • a method of manufacturing a device mounting package substrate is disclosed.
  • Patent Document 2 International Publication No. 2017/150283 discloses a carrier-added copper foil in which a release layer, an antireflection layer, and an ultrathin copper layer are formed by sputtering on a carrier such as glass or ceramics. Has been done. Further, in Patent Document 3 (International Publication No.
  • an intermediate layer for example, an adhesion metal layer and a peeling auxiliary layer
  • a peeling layer and an ultrathin copper layer for example, a film thickness
  • a carrier such as glass or ceramics.
  • a copper foil with a carrier having a thickness of 300 nm formed by sputtering is disclosed.
  • Patent Documents 2 and 3 by providing an intermediate layer composed of a predetermined metal to provide excellent stability of the mechanical peel strength of the carrier, and by providing the antireflection layer with a desirable dark color, an image can be obtained. It has also been taught to improve visibility in inspections (eg automatic image inspection (AOI)).
  • AOI automatic image inspection
  • millimeter-wave antenna substrates millimeter-wave semiconductor packages (hereinafter referred to as “millimeter-wave antenna substrates”) suitable for these applications and the like.
  • a fine circuit forming method using Au plating is used.
  • a millimeter-wave antenna substrate or the like when a millimeter-wave antenna substrate or the like is manufactured using the conventional copper foil with a carrier, the chemical stability of Cu is low, which causes a problem that resistance (for example, connection resistance with Au plating) increases. sell. Further, in manufacturing a millimeter-wave antenna substrate or the like, a relatively thick resin (for example, having a thickness of 200 ⁇ m or more) is laminated as an insulating layer on a metal foil with a carrier to reduce interference. Are easily affected by the stress of the carrier, and thus the peeling of the carrier can be unstable.
  • the present inventors have recently controlled the thickness of the layer contributing to the peeling of the carrier within a specific range, and by adopting a metal layer mainly composed of Au or Pt, the peelability of the carrier and the metal It was found that it is possible to provide a metal foil with a carrier, which has excellent selective etching properties of layers and can realize reduction of transmission loss and resistance in a semiconductor package (for example, a millimeter wave antenna substrate) manufactured using the layer.
  • an object of the present invention is excellent in carrier releasability and selective etching property of a metal layer, and it is possible to realize reduction of transmission loss and resistance in a semiconductor package (for example, a millimeter-wave antenna substrate) manufactured using this. It is to provide a metal foil with a carrier.
  • Functional layer (C) A composite metal layer provided on the peeling function layer, (C1) a composite metal layer including a carbon layer on the side close to the peeling auxiliary layer, and (c2) a first metal layer mainly on Au or Pt on the side far from the peeling auxiliary layer, A metal foil with a carrier is provided.
  • a method for manufacturing a millimeter wave antenna substrate which includes manufacturing a millimeter wave antenna substrate using the metal foil with a carrier.
  • FIG. 6 is a process flow chart showing an example of a method for manufacturing a millimeter wave antenna substrate of the present invention, which is a process flow chart showing processes (processes (iv) to (vi)) following FIG. 3.
  • FIG. 6 is a process flow chart showing another example of a manufacturing method of a millimeter wave antenna substrate of the present invention, and is a figure showing a first half process (process (i)-(iii)).
  • FIG. 6 is a process flow chart showing another example of the method for manufacturing a millimeter wave antenna substrate of the present invention, which is a process flow chart showing processes (processes (iv) to (vi)) following FIG. 5.
  • FIG. 6 is a process flow chart showing a procedure for producing a transmission loss measurement sample in Evaluation 2-1 of the example, which is a diagram showing first-half processes (processes (i) to (iii)).
  • FIG. 9 is a process flow chart showing a manufacturing procedure of a transmission loss measurement sample in Evaluation 2-1 of the example, and a process flow chart showing processes (processes (iv) to (vi)) subsequent to FIG. 7.
  • FIG. 9 is a perspective view of the transmission loss measurement sample shown in FIG. 8 (vi).
  • FIG. 6 is a process flow chart showing a procedure for producing a transmission loss measurement sample in Evaluation 2-2 of Example, and is a diagram showing first-half processes (processes (i) to (iii)).
  • FIG. 11 is a process flow chart showing a procedure for producing a transmission loss measurement sample in Evaluation 2-2 of Example, and a process flow chart showing processes (processes (iv) to (vi)) subsequent to FIG. 10.
  • FIG. 10 is a process flow chart showing a manufacturing procedure of a transmission loss measurement sample in Evaluation 2-1 of the example, and a process flow chart showing processes (processes (iv) to (vi)) subsequent to FIG. 7.
  • FIG. 9 is a
  • FIG. 6 is a schematic sectional view showing an angle ⁇ of an edge portion of a wiring pattern in Evaluations 3-1 and 3-2 of an example.
  • FIG. 9 is a process flow chart showing a procedure for producing a coreless support in Evaluation 3-2 of Example, and is a diagram showing first-half processes (processes (i) to (iii)).
  • FIG. 14 is a process flow chart showing a procedure for producing a coreless support in Evaluation 3-2 of Example, and a process flow chart showing processes (processes (iv) to (vi)) subsequent to FIG. 13.
  • 7 is a process flow chart showing a procedure (process (i) to (iv)) for manufacturing a connection resistance measurement sample in Evaluation 4 of Example.
  • FIG. 9 is a schematic diagram showing IV measurement using a connection resistance measurement sample in Evaluation 4 of Example.
  • the metal foil with a carrier 10 includes a carrier 12, a peeling function layer 14, and a composite metal layer 20 in this order.
  • the peeling functional layer 14 is provided on the carrier 12, and includes an adhesion layer 16 on the side closer to the carrier 12 and a peeling auxiliary layer 18 on the side farther from the carrier 12.
  • the adhesion layer 16 is a layer having a thickness of more than 10 nm and less than 200 nm.
  • the peeling auxiliary layer 18 is a layer having a thickness of 50 nm or more and 500 nm or less.
  • the composite metal layer 20 is provided on the peeling functional layer 14, and includes a carbon layer 22 on the side closer to the peeling auxiliary layer 18 and a first metal layer 26 on the side farther from the peeling auxiliary layer 18.
  • the first metal layer 26 is a layer mainly composed of Au or Pt.
  • the composite metal layer 20 may further include a second metal layer 24 between the carbon layer 22 and the first metal layer 26.
  • the composite metal layer 20 may further include a barrier layer 28 on the surface of the first metal layer 26 on the side far from the carbon layer 22.
  • the above-described various layers may be sequentially provided on both surfaces of the carrier 12 so as to be vertically symmetrical.
  • the thickness of the layer that contributes to the peeling of the carrier 12 (that is, the adhesion layer 16 and the peeling auxiliary layer 18) is controlled within a specific range, and the metal layer mainly composed of Au or Pt (that is, the first layer).
  • the metal layer 26 By adopting the metal layer 26), it becomes possible to provide a metal foil with a carrier which is excellent in carrier releasability and selective etching property of the metal layer.
  • a semiconductor package for example, a millimeter wave antenna substrate
  • the material of the carrier 12 may be any of glass, ceramics, silicon, resin, and metal.
  • the carrier 12 is composed of glass, silicon or ceramics.
  • the form of the carrier 12 may be a sheet, a film or a plate. Further, the carrier 12 may be a laminate of these sheets, films and plates.
  • the carrier 12 may be a glass plate, a ceramics plate, a silicon wafer, a metal plate, or the like that can function as a rigid support, or a metal foil, a resin film, or the like that has no rigidity. Good.
  • the metal forming the carrier 12 include copper, titanium, nickel, stainless steel, aluminum and the like.
  • Preferred examples of ceramics include alumina, zirconia, silicon nitride, aluminum nitride, and various fine ceramics.
  • Preferred examples of the resin include polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyamide, polyimide, nylon, liquid crystal polymer, polyether ether ketone (PEEK (registered trademark)), polyamide imide, polyether sulfone, Examples thereof include polyphenylene sulfide, polytetrafluoroethylene (PTFE), ethylene tetrafluoroethylene (ETFE) and the like.
  • the thermal expansion coefficient (CTE) is less than 25 ppm / K (typically 1.0 ppm / K or more and 23 ppm / K or less) from the viewpoint of preventing warpage of the coreless support due to heating when mounting an electronic element. ), and examples of such materials include the various resins described above (particularly low thermal expansion resins such as polyimide and liquid crystal polymer), glass, silicon and ceramics.
  • the carrier 12 preferably has a Vickers hardness of 100 HV or more, more preferably 150 HV or more and 2500 HV or less.
  • the carrier 12 is preferably made of glass, silicon or ceramics, more preferably glass or ceramics, particularly preferably glass.
  • the carrier 12 made of glass include a glass plate.
  • glass is used as the carrier 12, it is advantageous in that it is lightweight, has a low coefficient of thermal expansion, has a high insulating property, is rigid, and has a flat surface, so that the surface of the first metal layer 26 can be extremely smooth.
  • the carrier 12 is glass, it has a surface flatness (coplanarity) advantageous for forming fine circuits, has desmear in the wiring manufacturing process, and has chemical resistance in various plating processes. There is an advantage in that a chemical separation method can be adopted when peeling the carrier 12 from the attached metal foil 10.
  • the glass constituting the carrier 12 include quartz glass, borosilicate glass, non-alkali glass, soda lime glass, aluminosilicate glass, and combinations thereof, more preferably non-alkali glass, soda lime glass, And a combination thereof, and particularly preferably non-alkali glass.
  • Alkali-free glass is a glass that contains silicon dioxide, aluminum oxide, boron oxide, and alkaline earth metal oxides such as calcium oxide and barium oxide as main components, and further contains boric acid, and does not substantially contain alkali metal. That is.
  • This alkali-free glass has a low coefficient of thermal expansion in the wide temperature range from 0 ° C to 350 ° C in the range of 3 ppm / K to 5 ppm / K, so that the warpage of the glass in the process involving heating is minimized. There is an advantage that you can.
  • the thickness of the carrier 12 is preferably 100 ⁇ m or more and 2000 ⁇ m or less, more preferably 300 ⁇ m or more and 1800 ⁇ m or less, and further preferably 400 ⁇ m or more and 1100 ⁇ m or less. When the thickness is within such a range, it is possible to realize thinning of wiring and reduction of warpage that occurs when electronic components are mounted, while ensuring appropriate strength that does not hinder handling.
  • the surface of the carrier 12 adjacent to the adhesion layer 16 preferably has an arithmetic average roughness Ra of 0.1 nm or more and 70 nm or less, which is measured using a laser microscope according to JIS B 0601-2001, It is more preferably 0.5 nm or more and 60 nm or less, still more preferably 1.0 nm or more and 50 nm or less, particularly preferably 1.5 nm or more and 40 nm or less, and most preferably 2.0 nm or more and 30 nm or less.
  • the wiring formed by using the first metal layer 26 has a high line / space (L / S) of 13 ⁇ m or less / 13 ⁇ m or less (for example, 12 ⁇ m / 12 ⁇ m to 2 ⁇ m / 2 ⁇ m). It is suitable for forming a miniaturized wiring pattern.
  • the peeling functional layer 14 is a layer that is interposed between the carrier 12 and the carbon layer 22 and contributes to stable peeling of the carrier 12.
  • the peeling functional layer 14 includes the adhesion layer 16 on the side closer to the carrier 12 and the peeling auxiliary layer 18 on the side farther from the carrier 12.
  • the thicknesses of the adhesion layer 16 and the peeling auxiliary layer 18 within predetermined ranges, it becomes possible to impart desired peeling strength to the metal foil with carrier 10.
  • the peeling function layer 14 serves as the adhesion layer 16 and / or the peeling auxiliary layer 18 as Cu, Ti, Ta, Cr, Ni, Al, Mo, Zn, It is preferable to provide at least one layer containing 80 atomic% or more (preferably 85 atomic% or more, more preferably 90 atomic% or more) of at least one selected from the group consisting of W, TiN, and TaN.
  • the upper limit of the content of the above-mentioned element or component in the peeling functional layer 14 is not particularly limited and may be 100 atom%, but it is practically 98% or less.
  • the content of the element or component in the peeling functional layer 14 is a value measured by analysis by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS).
  • T 2 / T 1 which is the ratio of the thickness T 2 of the peeling auxiliary layer 18 to the thickness T 1 of the adhesion layer 16, is preferably more than 1 and 20 or less, more preferably 1 0.5 or more and 15 or less, more preferably 2 or more and 10 or less, and particularly preferably 2.5 or more and 6 or less.
  • the adhesion layer 16 is a layer interposed between the carrier 12 and the peeling auxiliary layer 18 in order to secure the adhesion between the carrier 12 and the peeling auxiliary layer 18. Therefore, it is preferable that the peeling auxiliary layer 18 is composed of a component having a relatively excellent adhesion to the carrier 12.
  • the adhesion layer 16 is preferably a layer composed of at least one selected from the group consisting of Cu, Ti, Ta, Cr, Ni, Al, Mo, Zn, W, TiN, and TaN. , More preferably at least one selected from the group consisting of Ti, Ta, TiN, and TaN, even more preferably at least one selected from the group consisting of Ti and TiN, and particularly preferably a layer composed of Ti. Is.
  • the adhesion layer 16 preferably has a content of the above metal or component measured by XPS of 80 atom% or more, more preferably 85 atom% or more, still more preferably 90 atom% or more.
  • the upper limit of the content of the metal or component in the adhesion layer 16 is not particularly limited and may be 100 atom%, but it is practically 98 atom% or less.
  • the adhesion layer 16 may contain unavoidable impurities caused by the raw material components and the film forming process.
  • the presence of oxygen mixed therein due to the exposure is allowed.
  • the adhesion layer 16 typically has an oxygen content measured by XPS of 0 atom% or more and 5 atom% or less, more typically 0.05 atom% or more and 4 atom% or less, and still more typical. Is 0.1 atomic% or more and 3 atomic% or less.
  • the adhesion layer 16 may be manufactured by any method, but a layer formed by a magnetron sputtering method using a target is particularly preferable in that the uniformity of the film thickness distribution can be improved.
  • the thickness T 1 of the adhesion layer 16 is more than 10 nm and less than 200 nm, preferably 15 nm or more and 180 nm or less, more preferably 20 nm or more and 150 nm or less, further preferably 30 nm or more and 120 nm or less, particularly preferably 40 nm or more and 100 nm or less, It is preferably 40 nm or more and 80 nm or less. Within such a range, deterioration of the peeling function (increase of peeling strength) due to heat treatment such as vacuum pressing at the time of insulating resin lamination is ensured while ensuring appropriate adhesion between the carrier 12 and the peeling auxiliary layer 18. It becomes possible to suppress effectively.
  • the thickness of the adhesion layer 16 is a value measured by analyzing the cross section of the layer with an energy dispersive X-ray spectroscopic analyzer (TEM-EDX) of a transmission electron microscope.
  • TEM-EDX energy dispersive X-ray spectroscopic
  • the peeling auxiliary layer 18 is selected from the group consisting of Cu, Ti, Ta, Cr, Ni, Al, Mo, Zn, W, TiN, and TaN from the viewpoint of controlling the peeling strength of the carrier 12 to a desired value. It is preferably a layer composed of at least one kind, more preferably at least one kind selected from the group consisting of Cu, Ni, AlZn and W, and further preferably selected from the group consisting of Cu, Ni and Al. Is a layer composed of at least one kind, particularly preferably Cu.
  • the content of the above-mentioned metal or component in the peeling auxiliary layer 18 is preferably 80 atom% or more, more preferably 85 atom% or more, still more preferably 90 atom% or more, as measured by XPS.
  • the upper limit of the content of the metal or component in the peeling assisting layer 18 is not particularly limited and may be 100 atom%, but 98 atom% or less is practical.
  • the peeling auxiliary layer 18 may contain unavoidable impurities caused by the raw material components and the film forming process. In addition, although not particularly limited, when exposed to the air after the film formation of the peeling auxiliary layer 18, the presence of oxygen mixed in due to the exposure is allowed.
  • the peeling auxiliary layer 18 typically has an oxygen content measured by XPS of 0 atom% or more and 5 atom% or less, more typically 0.05 atom% or more and 4 atom% or less, and further typically Specifically, it is 0.1 atom% or more and 3 atom% or less.
  • the peeling auxiliary layer 18 may be manufactured by any method, but a layer formed by a magnetron sputtering method using a target is particularly preferable in that the uniformity of the film thickness distribution can be improved.
  • the thickness T 2 of the peeling auxiliary layer 18 is 50 nm or more and 500 nm or less, preferably 100 nm or more and 450 nm or less, more preferably 150 nm or more and 400 nm or less, further preferably 200 nm or more and 350 nm or less, particularly preferably 250 nm or more and 300 nm or less. .. Within such a range, it is possible to effectively suppress the deterioration of the peeling function (increase of the peeling strength) and also the occurrence of delamination (delamination of the substrate) during the process of manufacturing the millimeter-wave antenna substrate. Can be effectively suppressed.
  • the thickness of the peeling auxiliary layer 18 is a value measured by analyzing the cross section of the layer with an energy dispersive X-ray spectroscopic analyzer (TEM-EDX) of a transmission electron microscope.
  • the composite metal layer 20 includes a carbon layer 22 on the side closer to the peeling auxiliary layer 18 and a first metal layer 26 on the side farther from the peeling auxiliary layer 18.
  • the composite metal layer 20 may further include a second metal layer 24 between the carbon layer 22 and the first metal layer 26.
  • the composite metal layer 20 may further include a barrier layer 28 on the surface of the first metal layer 26 on the side far from the carbon layer 22.
  • the thickness of the composite metal layer 20 is preferably 51 nm or more and 3220 nm or less, more preferably 100 nm or more and 2000 nm or less, and further preferably 300 nm or more and 1000 nm or less.
  • the thickness of the composite metal layer 20 is a value measured by analyzing the layer cross section with an energy dispersive X-ray spectroscopic analyzer (TEM-EDX) of a transmission electron microscope.
  • TEM-EDX energy dispersive X-ray spectroscopic analyzer
  • the carbon layer 22 is a layer mainly containing carbon, preferably a layer mainly containing carbon or hydrocarbons, and more preferably amorphous carbon which is a hard carbon film. Therefore, the carbon layer 22 preferably contains amorphous carbon.
  • the carbon concentration of the carbon layer 22 measured by XPS is preferably 60 atom% or more, more preferably 70 atom% or more, further preferably 80 atom% or more, and particularly preferably 85 atom% or more.
  • the upper limit of the carbon concentration is not particularly limited and may be 100 atom%, but 98 atom% or less is realistic.
  • the carbon layer 22 may contain unavoidable impurities (for example, oxygen, carbon, hydrogen and the like derived from ambient environment such as atmosphere).
  • metal atoms for example, Au, Pt, etc.
  • Carbon has a low mutual diffusivity and reactivity with the peeling function layer 14, and even if it is subjected to press working at a temperature exceeding 300 ° C., it becomes the same as the first metal layer 26 (the second metal layer 24 if present). It is possible to prevent the formation of a metal bond with the bonding interface due to high temperature heating, and to maintain a state in which the carrier can be easily peeled and removed.
  • This carbon layer 22 is also a layer formed by a vapor phase method such as sputtering, in that it suppresses excessive impurities in the amorphous carbon, and continuous productivity with the formation of the adhesion layer 16 and the peeling auxiliary layer 18 described above. It is preferable in terms of The thickness of the carbon layer 22 is preferably 1 nm or more and 20 nm or less, and more preferably 1 nm or more and 10 nm or less. The thickness is a value measured by analyzing the layer cross section with an energy dispersive X-ray spectroscopic analyzer (TEM-EDX) of a transmission electron microscope.
  • TEM-EDX energy dispersive X-ray spectroscopic analyzer
  • the first metal layer 26 is a layer mainly composed of Au or Pt, preferably a layer mainly composed of Au. These elements have higher chemical stability than other metal elements such as Cu, and therefore, in the millimeter-wave antenna substrate manufactured using the metal foil 10 with a carrier, it is desirable to realize reduction of transmission loss and connection resistance. can do. Further, in the millimeter-wave antenna substrate, it is desirable that the end shape of the wiring is maintained (that is, the angle of the edge portion of the wiring is close to 90 °) in order to ensure the directivity of the antenna. Since metal has excellent selective etching property, it can be said that the above-mentioned end shape can be easily realized at the time of wiring formation (patterning) accompanied by Au etching.
  • the metal forming the first metal layer 26 may be a pure metal or an alloy.
  • the first metal layer 26 preferably has a content of the metal (for example, Au) measured by XPS of 60 atom% or more, more preferably 70 atom% or more, further preferably 80 atom% or more, particularly preferably Is 90 atomic% or more.
  • the upper limit of the content of the metal (for example, Au) in the first metal layer 26 is not particularly limited and may be 100 atom%, but typically 98 atom% or less.
  • the metal forming the first metal layer 26 may include inevitable impurities caused by the raw material components, the film forming process, and the like.
  • the first metal layer 26 is preferably a layer formed by a vapor phase method such as sputtering.
  • the first metal layer 26 preferably has a thickness of 50 nm or more and 2000 nm or less, more preferably 70 nm or more and 1500 nm or less, further preferably 100 nm or more and 800 nm or less, and particularly preferably 200 nm or more and 500 nm or less.
  • the thickness is a value measured by analyzing the layer cross section with an energy dispersive X-ray spectroscopic analyzer (TEM-EDX) of a transmission electron microscope.
  • TEM-EDX energy dispersive X-ray spectroscopic analyzer
  • the second metal layer 24 preferably imparts a desired function such as an etching stopper function and an antireflection function to the metal foil with carrier 10.
  • a desired function such as an etching stopper function and an antireflection function
  • the metal forming the second metal layer 24 include Ti, Ta, Ni, W, Cr, Pd and combinations thereof, more preferably Ti, Ta, Ni, W, Cr and combinations thereof. , More preferably Ti, Ta, Ni and combinations thereof, particularly preferably Ti, Ta and combinations thereof, most preferably Ti.
  • the above metal forming the second metal layer 24 may be a pure metal or an alloy.
  • the second metal layer 24 preferably has a content of the above metal measured by XPS of 50 atom% or more, more preferably 60 atom% or more, further preferably 70 atom% or more, and particularly preferably 80 atom%.
  • the upper limit of the content of the metal in the second metal layer 24 is not particularly limited and may be 100 at%, but typically 98 at% or less. These elements have the property of not being dissolved in a flash etching liquid (for example, Au flash etching liquid), and as a result, they can exhibit excellent chemical resistance to the flash etching liquid. Therefore, the second metal layer 24 becomes a layer that is less likely to be etched by the flash etching solution than the first metal layer 26 described later, and thus can function as an etching stopper layer. Further, since the above-mentioned metal forming the second metal layer 24 also has a function of preventing reflection of light, the second metal layer 24 improves visibility in image inspection (for example, automatic image inspection (AOI)).
  • AOI automatic image inspection
  • the second metal layer 24 may contain nitrogen, and the nitrogen content measured by XPS is typically 0 atom% or more and 50 atom% or less, more typically 10 atom% or more, further It is typically at least 20 atom%, particularly typically at least 30 atom%.
  • the metal forming the second metal layer 24 may include inevitable impurities due to the raw material components, the film forming process, and the like.
  • the second metal layer 24 is preferably a layer formed by a vapor phase method such as sputtering.
  • the thickness of the second metal layer 24 is preferably 50 nm or more and 1000 nm or less, more preferably 100 nm or more and 800 nm or less, further preferably 200 nm or more and 500 nm or less, and particularly preferably 300 nm or more and 400 nm or less.
  • the thickness is a value measured by analyzing the layer cross section with an energy dispersive X-ray spectroscopic analyzer (TEM-EDX) of a transmission electron microscope.
  • TEM-EDX energy dispersive X-ray spectroscopic analyzer
  • the barrier layer 28 is a metal that constitutes the first metal layer 26 (that is, Au or Pt), and a wiring layer that can be formed on the first metal layer 26 (that is, the surface of the metal foil with carrier 10 opposite to the carrier 12). It is a layer for suppressing the formation of an intermetallic compound with a metal (for example, Cu) constituting the. From the viewpoint of more effectively suppressing the formation of the intermetallic compound, preferable examples of the metal forming the barrier layer 28 include Ti, Ta, Ni, W, Cr, Pd, and combinations thereof, and more preferably. Ta, Ni, W, Cr, and combinations thereof.
  • the metal forming the barrier layer 28 may be a pure metal or an alloy.
  • the barrier layer 28 preferably has a content of the above metal measured by XPS of 50 atom% or more, more preferably 60 atom% or more, further preferably 70 atom% or more, and particularly preferably 80 atom% or more. is there.
  • the upper limit of the content of the metal in the barrier layer 28 is not particularly limited and may be 100 at%, but typically 98 at% or less.
  • the metal forming the barrier layer 28 may contain inevitable impurities caused by the raw material components, the film forming process, and the like.
  • the barrier layer 28 is preferably a layer formed by a vapor phase method such as sputtering.
  • the thickness of the barrier layer 28 is preferably 1 nm or more and 200 nm or less, more preferably 2 nm or more and 100 nm or less, further preferably 3 nm or more and 70 nm or less, and particularly preferably 5 nm or more and 50 nm or less.
  • the thickness is a value measured by analyzing the layer cross section with an energy dispersive X-ray spectroscopic analyzer (TEM-EDX) of a transmission electron microscope.
  • TEM-EDX energy dispersive X-ray spectroscopic analyzer
  • the adhesion layer 16, the peeling auxiliary layer 18, the carbon layer 22, the second metal layer 24, the first metal layer 26, and the barrier layer 28 are all formed by physical vapor deposition (PVD) film, that is, physical vapor deposition (PVD) method. It is preferably a formed film, and more preferably a sputtered film, that is, a film formed by sputtering.
  • PVD physical vapor deposition
  • the total thickness of the metal foil with carrier 10 is not particularly limited, but is preferably 500 ⁇ m or more and 3000 ⁇ m or less, more preferably 700 ⁇ m or more and 2500 ⁇ m or less, further preferably 900 ⁇ m or more and 2000 ⁇ m or less, and particularly preferably 1000 ⁇ m or more and 1700 ⁇ m or less.
  • the size of the metal foil 10 with a carrier is not particularly limited, but is preferably 10 cm square or more, more preferably 20 cm square or more, and further preferably 25 cm square or more.
  • the upper limit of the size of the metal foil with carrier 10 is not particularly limited, but 1000 cm square is given as one guideline of the upper limit. Further, the metal foil with carrier 10 is in a form which can be handled by itself before and after the formation of the wiring.
  • the metal foil 10 with a carrier of the present invention is prepared by preparing a carrier 12, and on the carrier 12, an adhesion layer 16, a peeling auxiliary layer 18, a carbon layer 22, a second metal layer 24, a second metal layer 24, a second metal layer 24, a second metal layer 24, a second metal layer 24, a second metal layer 24, a second metal layer 24, a second metal layer 24, a second metal layer 24, a second metal layer 24, a second metal layer 24, a second metal layer 24, a second metal layer 24, It can be manufactured by forming the 1-metal layer 26 and, if desired, the barrier layer 28.
  • the adhesion layer 16, the peeling auxiliary layer 18, the carbon layer 22, the second metal layer 24 (if present), the first metal layer 26, and the barrier layer 28 (if present) are formed by ultrathin film formation.
  • the physical vapor deposition (PVD) method is preferably used from the viewpoint of easily adapting to fine pitch.
  • Examples of the physical vapor deposition (PVD) method include a sputtering method, a vacuum deposition method, and an ion plating method.
  • the film thickness can be controlled in a wide range from 0.05 nm to 5000 nm, and a wide width or area.
  • the sputtering method is most preferable from the viewpoint that the film thickness uniformity can be secured over the entire range. In particular, all layers of the adhesion layer 16, the peeling auxiliary layer 18, the carbon layer 22, the second metal layer 24 (if present), the first metal layer 26, and the barrier layer 28 (if present) are formed by the sputtering method.
  • the film formation by the physical vapor deposition (PVD) method may be performed according to known conditions using a known vapor phase film forming apparatus and is not particularly limited.
  • the sputtering method may be various known methods such as magnetron sputtering, two-electrode sputtering method, opposed target sputtering method, etc.
  • magnetron sputtering has a high film forming rate and high productivity. It is preferable in terms of high price.
  • Sputtering may be performed with either DC (direct current) or RF (high frequency) power source.
  • PVD physical vapor deposition
  • the film formation of the adhesion layer 16 and the peeling auxiliary layer 18 by a physical vapor deposition (PVD) method is selected from the group consisting of Cu, Ti, Ta, Cr, Ni, Al, Mo, Zn and W. It is preferable to perform the magnetron sputtering in a non-oxidizing atmosphere by using a target composed of at least one kind of metal described above, because the film thickness distribution uniformity can be improved.
  • the target purity is preferably 99.9 wt% or higher.
  • As a gas used for sputtering it is preferable to use an inert gas such as argon gas.
  • a TiN target, a TaN target, a titanium target, or a tantalum target is used to perform sputtering in an argon gas (further nitrogen gas as necessary), thereby forming an adhesion layer 16 and / or TiN or TaN.
  • the peeling auxiliary layer 18 can be formed.
  • the flow rate of the argon gas or the like may be appropriately determined according to the size of the sputtering chamber and the film forming conditions and is not particularly limited.
  • the pressure during film formation is in the range of 0.1 Pa or more and 20 Pa or less from the viewpoint of continuous film formation without abnormal operation such as abnormal discharge or plasma irradiation failure.
  • This pressure range may be set by adjusting the flow rate of film-forming power, argon gas, etc. according to the apparatus structure, capacity, vacuum pump exhaust capacity, film-forming power supply rated capacity, and the like. Further, the sputtering power is film thickness uniformity of the film formation, in consideration of productivity and the like may be appropriately set within a range of 0.05 W / cm 2 or more 10.0 W / cm 2 or less per unit area of the target.
  • the carbon layer 22 is preferably formed by a physical vapor deposition (PVD) method (preferably a sputtering method) using a carbon target in an inert atmosphere such as argon.
  • the carbon target is preferably composed of graphite, but may contain unavoidable impurities (for example, oxygen and carbon derived from the ambient environment such as the atmosphere).
  • the purity of the carbon target is preferably 99.99 wt% or more, more preferably 99.999 wt% or more.
  • the pressure during film formation is in the range of 0.1 Pa or more and 20 Pa or less from the viewpoint of continuous film formation without abnormal operation such as abnormal discharge or plasma irradiation failure.
  • This pressure range may be set by adjusting the film-forming power and the flow rate of the argon gas according to the apparatus structure, capacity, vacuum pump exhaust capacity, film-forming power supply rated capacity, and the like. Further, the sputtering power is film thickness uniformity of the film formation, in consideration of productivity and the like may be appropriately set within a range of 0.05 W / cm 2 or more 10.0 W / cm 2 or less per unit area of the target.
  • the film formation of the second metal layer 24 and the barrier layer 28 by the physical vapor deposition (PVD) method is at least one selected from the group consisting of Ti, Ta, Ni, W, Cr and Pd. It is preferable to carry out the magnetron sputtering method using a target composed of the above metal.
  • the target purity is preferably 99.9% or higher.
  • the film formation of the second metal layer 24 and the barrier layer 28 by the magnetron sputtering method is preferably performed under an inert gas atmosphere such as argon at a pressure of 0.1 Pa or more and 20 Pa or less.
  • the sputtering pressure is more preferably 0.2 Pa or more and 15 Pa or less, still more preferably 0.3 Pa or more and 10 Pa or less.
  • the control of the pressure range may be performed by adjusting the film-forming power and the flow rate of the argon gas according to the device structure, capacity, vacuum pump exhaust capacity, film-forming power supply rated capacity, and the like.
  • the flow rate of the argon gas may be appropriately determined according to the sputtering chamber size and the film forming conditions, and is not particularly limited.
  • the sputtering power is film thickness uniformity of the film formation, in consideration of productivity and the like may be appropriately set within a range of 1.0 W / cm 2 or more 15.0W / cm 2 or less per unit area of the target.
  • the carrier temperature during film formation is preferably adjusted within the range of 25 ° C to 300 ° C, more preferably 40 ° C to 200 ° C, and further preferably 50 ° C to 150 ° C.
  • the first metal layer 26 is formed by a physical vapor deposition (PVD) method (preferably a sputtering method) by using a target composed of at least one metal selected from the group consisting of Au and Pt, and the like. Preferably, it is carried out under an inert atmosphere.
  • the target is preferably composed of a metal or alloy, but may contain inevitable impurities.
  • the purity of the target is preferably 99.9% or more, more preferably 99.99%, further preferably 99.999% or more.
  • a cooling mechanism for the stage may be provided during sputtering in order to avoid a temperature rise during vapor deposition of the first metal layer 26.
  • the pressure during film formation is preferably in the range of 0.1 Pa or more and 20 Pa or less.
  • This pressure range may be set by adjusting the film-forming power and the flow rate of the argon gas according to the apparatus structure, capacity, vacuum pump exhaust capacity, film-forming power supply rated capacity, and the like.
  • the sputtering power is film thickness uniformity of the film formation, in consideration of productivity and the like may be appropriately set within a range of 0.05 W / cm 2 or more 10.0 W / cm 2 or less per unit area of the target.
  • the metal foil with carrier 10 of the present invention is preferably used for manufacturing a millimeter-wave antenna substrate. That is, according to a preferred embodiment of the present invention, a method for manufacturing a millimeter wave antenna substrate including manufacturing a millimeter wave antenna substrate using the metal foil with carrier 10 described above, or the metal foil with carrier 10 described above is used. A millimeter wave antenna substrate obtained by the above is provided. By using the metal foil 10 with a carrier of the present invention, it is possible to provide a millimeter wave antenna substrate in which transmission loss and resistance are desirably reduced as described above.
  • circuit Formation A metal foil 10 with a carrier is prepared (FIG. 3 (i)), and an insulating layer is formed on the surface of the metal foil 10 with a carrier on the first metal layer 26 side (barrier layer 28 side if present). And the wiring layers are laminated to obtain a laminated body 32 on which the circuit board 30 is formed (FIG. 3 (ii)).
  • the method of forming the circuit board 30 is not particularly limited, and desired insulating layers and wiring layers can be formed by a known coreless build-up method as disclosed in Patent Document 1, for example.
  • the thickness of the insulating resin (insulating layer) in the circuit board 30 is preferably 100 ⁇ m or more, more preferably 200 ⁇ m or more and 500 ⁇ m or less.
  • the insulating resin include epoxy resin, cyanate resin, bismaleimide triazine resin (BT resin), polyphenylene ether resin, and phenol resin.
  • BT resin bismaleimide triazine resin
  • phenol resin phenol resin
  • ABF-GXT31 manufactured by Ajinomoto Fine-Techno Co., Inc. can be preferably used as the insulating resin.
  • the insulating layer may contain filler particles composed of various inorganic particles such as silica and alumina from the viewpoint of improving the insulating property. Further, the insulating layer may be composed of a plurality of layers.
  • IC chip 34 is mounted on the outer surface of the circuit board 30 (that is, the surface opposite to the metal foil with carrier 10) (FIG. 3 (iii)).
  • a millimeter wave shall mean the electric wave of the frequency of 24 GHz or more and 300 GHz or less.
  • IC integrated circuit
  • CPU central processing unit
  • DSP digital signal processor
  • memory memory
  • PMIC power management IC
  • RFIC high frequency integrated circuit
  • GPS global
  • the flip chip mounting method is a mounting pad of the IC chip 34. And a wiring layer of the circuit board 30.
  • a columnar electrode (pillar), a solder bump, or the like may be formed on the mounting pad, and the surface of the circuit board 30 is sealed before mounting.
  • a resin film such as NCF (Non-Conductive Film) may be attached, and the joining is preferably performed by using a low melting point metal such as solder, but an anisotropic conductive film or the like may be used.
  • the die bonding adhesion method is a method of adhering to the wiring layer the surface opposite to the mounting pad surface of the IC chip 34.
  • a resin composition containing a thermosetting resin and a thermally conductive inorganic filler is used. It is preferable to use a paste or a film, which is an object, and it is preferable to seal the IC chip 34 with a known sealing material such as an epoxy resin.
  • the thickness of the adhesion layer 16 and the peeling auxiliary layer 18 is controlled within a predetermined range, so that the carrier 12 can be peeled stably. It will be possible.
  • the second metal layer 24 is removed by etching from the stacked body 32 using a commercially available etching solution or the like, and the first metal layer 26 is removed. Is exposed on the outer surface of the laminated body 32 (FIG. 4 (v)).
  • the etching of the second metal layer 24 may be performed based on a known method and is not particularly limited.
  • the millimeter wave antenna substrate 40 on which the antenna 38 is formed is obtained ( FIG. 4 (vi)).
  • a photosensitive dry film is attached to the surface of the laminated body 32 on the first metal layer 26 side, exposed and developed, and a photoresist layer (not shown) having a predetermined pattern. To form.
  • Electroless plating for example, electroless Au plating
  • the first metal layer 26 that is, the portion not masked by the photoresist layer
  • the photoresist layer is peeled off. ..
  • the first metal layer 26, the barrier layer 28 when present, and the electroless plating layer 36 remain in the wiring pattern to form the antenna 38, while the first metal in the portion where the wiring pattern is not formed is formed.
  • the layer 26 is exposed. After that, the exposed unnecessary portion of the first metal layer 26 and, if present, the unnecessary portion of the barrier layer 28 are removed with an etching solution, so that the millimeter wave antenna substrate 40 having the antenna 38 formed thereon can be obtained. ..
  • an electroless plating layer is formed to ensure adhesion between the copper layer and the electroless plating layer (for example, Au layer). It is necessary to perform electroless Ni plating or the like before performing, and this may increase the resistance.
  • the metal foil with a carrier 10 of the present invention since the first metal layer 26 is made of Au or the like, electroless Ni plating is unnecessary, and as a result, a lower resistance is achieved in the millimeter wave antenna substrate. Can be realized.
  • a part or all of the antenna 38 may be in the form of an embedded circuit. That is, before laminating the resin in the above (1), the first metal layer 26 and the barrier layer 28, if present, may be patterned, so that a part of the wiring layer becomes an embedded circuit. It is possible to obtain a laminated body 32 which is incorporated into the surface in the form of the shape (FIG. 5 (ii)). When the barrier layer 28 does not exist, it is preferable to form a Ni thin film or the like on the surface of the first metal layer 26 by sputtering or the like before performing the patterning.
  • the millimeter wave antenna substrate 40 in which a part or all of the antenna 38 is an embedded circuit can be obtained by performing the above-mentioned various steps (2) to (5) on the laminated body 32 (FIG. 5 and FIG. 6).
  • electroless plating for example, electroless Au plating
  • the antenna forming step (5) electroless plating (for example, electroless Au plating) is performed to form a seed layer before forming the photoresist layer. It is desirable to put it.
  • Example 1 The adhesion layer 16, the peeling assisting layer 18, the carbon layer 22, the second metal layer 24, and the first metal layer 26 were formed in this order on the carrier 12 to manufacture the metal foil with carrier 10.
  • the specific procedure is as follows.
  • Adhesion Layer A titanium layer having a thickness of 50 nm was formed as the adhesion layer 16 on the carrier 12 by a sputtering method. This sputtering was performed using the following apparatus under the following conditions.
  • ⁇ Device Single wafer type magnetron sputtering device (Canon Tokki KK, MLS464) -Target: Titanium target (purity 99.999%) with a diameter of 8 inches (203.2 mm) ⁇ Achieved vacuum degree: less than 1 ⁇ 10 -4 Pa ⁇ Sputtering pressure: 0.35 Pa ⁇ Sputtering power: 1000 W (3.1 W / cm 2 ).
  • ⁇ Temperature during film formation 40 °C
  • ⁇ Device Single-wafer type DC sputtering device (Canon Tokki KK, MLS464) -Target: carbon target with a diameter of 8 inches (203.2 mm) (purity 99.999%) ⁇ Achieved vacuum degree: less than 1 ⁇ 10 -4 Pa ⁇ Gas: Argon gas (flow rate: 100 sccm) ⁇ Sputtering pressure: 0.35 Pa ⁇ Sputtering power: 250 W (0.7 W / cm 2 ). ⁇ Temperature during film formation: 40 °C
  • Second metal layer A titanium layer having a thickness of 100 nm was formed as the second metal layer 24 on the surface of the carbon layer 22 opposite to the peeling auxiliary layer 18 by sputtering under the following apparatus and conditions.
  • ⁇ Device Single-wafer type DC sputtering device (Canon Tokki KK, MLS464) -Target: Titanium target (purity 99.999%) with a diameter of 8 inches (203.2 mm)
  • Carrier gas Argon gas (flow rate: 100 sccm) ⁇ Achieved vacuum degree: less than 1 ⁇ 10 -4 Pa ⁇ Sputtering pressure: 0.35 Pa ⁇ Sputtering power: 1000 W (3.1 W / cm 2 ).
  • Example 2 A metal foil with a carrier was produced in the same manner as in Example 1 except that the barrier layer 28 was formed as described below after the formation of the first metal layer 26 in (6) above.
  • a nickel layer having a thickness of 30 nm was formed as a barrier layer by a sputtering method.
  • This sputtering was performed using the following apparatus under the following conditions.
  • ⁇ Device Single-wafer type DC sputtering device (Canon Tokki KK, MLS464) -Target: Nickel target with a diameter of 8 inches (203.2 mm) (purity 99.9%)
  • Carrier gas Argon gas (flow rate: 100 sccm) ⁇ Achieved vacuum degree: less than 1 ⁇ 10 -4 Pa ⁇ Sputtering pressure: 0.35 Pa ⁇ Sputtering power: 1000 W (3.1 W / cm 2 ).
  • Example 3 (comparison) A metal foil with a carrier was prepared in the same manner as in Example 1 except that the sputtering target was a copper target (purity: 99.98%) in order to form a copper layer instead of the Au layer as the first metal layer 26. It was
  • Example 4 A carrier was prepared in the same manner as in Example 2 except that the sputtering target was a tantalum target (purity: 99.9%) in order to form a tantalum layer instead of the titanium layer or the nickel layer as the second metal layer 24 and the barrier layer 28. A coated metal foil was produced.
  • the sputtering target was a tantalum target (purity: 99.9%) in order to form a tantalum layer instead of the titanium layer or the nickel layer as the second metal layer 24 and the barrier layer 28.
  • a coated metal foil was produced.
  • Example 5 A metal foil with a carrier was prepared in the same manner as in Example 2 except that a nickel target (purity: 99.9%) was used as the sputtering target in order to form a nickel layer instead of the titanium layer as the second metal layer 24. It was
  • Example 6 A carrier was prepared in the same manner as in Example 2 except that the sputtering target was a tungsten target (purity: 99.9%) in order to form a tungsten layer as the second metal layer 24 and the barrier layer 28 instead of the titanium layer or the nickel layer. A coated metal foil was produced.
  • the sputtering target was a tungsten target (purity: 99.9%) in order to form a tungsten layer as the second metal layer 24 and the barrier layer 28 instead of the titanium layer or the nickel layer.
  • a coated metal foil was produced.
  • Example 7 A carrier was prepared in the same manner as in Example 2 except that a chromium target (purity: 99.9%) was used as the sputtering target in order to form a chromium layer instead of the titanium layer or the nickel layer as the second metal layer 24 and the barrier layer 28. A coated metal foil was produced.
  • a chromium target purity: 99.9%
  • Example 8 Carrier in the same manner as in Example 2 except that the sputtering target was a palladium target (purity: 99.9%) in order to form a palladium layer instead of the titanium layer or the nickel layer as the second metal layer 24 and the barrier layer 28. A coated metal foil was produced.
  • the sputtering target was a palladium target (purity: 99.9%) in order to form a palladium layer instead of the titanium layer or the nickel layer as the second metal layer 24 and the barrier layer 28.
  • a coated metal foil was produced.
  • Example 9 A metal foil with a carrier was produced in the same manner as in Example 2 except that the thickness of the peeling auxiliary layer 18 was 300 nm.
  • Example 10 A metal foil with a carrier was produced in the same manner as in Example 2 except that the thickness of the peeling auxiliary layer 18 was 100 nm.
  • Example 11 A metal foil with a carrier was produced in the same manner as in Example 2 except that the thickness of the adhesion layer 16 was 100 nm and the thickness of the peeling auxiliary layer 18 was 50 nm.
  • Example 12 A metal foil with a carrier was produced in the same manner as in Example 2 except that the thickness of the adhesion layer 16 was 150 nm and the thickness of the peeling auxiliary layer 18 was 500 nm.
  • Example 13 (comparison) A metal foil with a carrier was produced in the same manner as in Example 2 except that the thickness of the adhesion layer 16 was 10 nm and the thickness of the peeling auxiliary layer 18 was 30 nm.
  • Example 14 (comparison) A metal foil with a carrier was produced in the same manner as in Example 2 except that the thickness of the adhesion layer 16 was 200 nm and the thickness of the peeling auxiliary layer 18 was 600 nm.
  • solder reflow holding at 260 ° C. or higher for 2 minutes
  • the peel strength (gf / cm) when the composite metal layer 20 integrated with the plating-up layer was peeled from the obtained copper-clad laminate was measured in accordance with JIS C 6481-1996. At this time, the measurement width was 50 mm and the measurement length was 20 mm. The peel strength (average value) thus obtained was rated and evaluated according to the following criteria.
  • insulating resin films having a thickness of 35 ⁇ m manufactured by Ajinomoto Fine-Techno Co., Inc., ABF-GXT31, relative dielectric constant 3.4
  • the first metal layer 26 side (barrier layer 28 side if present) of the metal foil with carrier 10 is bonded to one surface of the insulating resin base material 102, and the temperature is 100 ° C. and the pressure is 0 using a vacuum press.
  • Lamination was performed under the conditions of 0.7 MPa and a pressing time of 90 seconds to obtain a metal-clad laminate 104 having a thickness h of the insulating resin base material 102 of about 200 ⁇ m (FIG. 7 (ii)).
  • a Cu foil having a thickness of 18 ⁇ m was bonded as a ground layer 106 to the surface of the metal-clad laminate 104 on the side of the insulating resin substrate 102 (the side opposite to the metal foil with carrier 10) by vacuum pressing (FIG. 7 (iii). )).
  • the vacuum press was performed under the conditions of a temperature of 100 ° C., a pressure of 0.7 MPa, and 120 seconds.
  • the insulating resin base material 102 was cured. The cure was temporarily cured at 170 ° C. for 30 minutes, and then finally cured at 200 ° C. for 60 minutes.
  • the carrier 12 was peeled from the metal-clad laminate 104 together with the peeling function layer 14 at the position of the carbon layer 22 (FIG. 8 (iv)).
  • the first metal layer 26 was exposed by removing the second metal layer 24 exposed on one side of the metal-clad laminate 104 by etching.
  • a double-sided metal-clad laminate 107 in which the first metal layer 26, the insulating resin base material 102, and the ground layer 106 were laminated in this order was obtained (FIG. 8 (v)).
  • the surface of the obtained double-sided metal-clad laminate 107 on the first metal layer 26 side was washed with water and dried.
  • a photosensitive dry film (not shown) was attached to the surface of the double-sided metal-clad laminate 107 on the side of the first metal layer 26, and exposure, development, and electroless Au plating were performed.
  • the development was performed by using a 1.0 wt% sodium carbonate aqueous solution as a developing solution at 25 ° C. for 2 minutes by a shower method.
  • unnecessary portions of the first metal layer 26 (and the barrier layer 28, if present) were removed by etching.
  • the signal line 108 was formed to be a microstrip line having a characteristic impedance of 50 ⁇ and a differential impedance of 100 ⁇ (FIG. 8 (vi)).
  • the transmission loss from the frequency of 1 GHz to 50 GHz was measured for the obtained microstrip line of the transmission loss measurement sample 110 using a vector network analyzer.
  • -Evaluation A Transmission loss ratio S 21 is 330% or less.
  • -Evaluation B The transmission loss ratio S 21 is greater than 330% and 450% or less.
  • -Evaluation C The transmission loss ratio S 21 is larger than 450%.
  • ⁇ Evaluation 2-2 Transmission loss (patterning before resin lamination)>
  • a transmission loss measurement sample 110 ′ was prepared by the procedure shown in FIGS. 10 and 11, and the transmission loss was measured and evaluated.
  • the surface of the metal foil with carrier 10 on the first metal layer 26 side was washed with water and dried.
  • a photosensitive dry film is attached to the surface of the metal foil with carrier 10 on the first metal layer 26 side (barrier layer 28 side if present), and exposure and development are performed to form a photoresist layer (not shown). did.
  • the unnecessary portion of the first metal layer 26 (and the barrier layer 28, if present) is removed by etching to form the signal line circuit 103, and then the photoresist layer is peeled off (FIG. 10 (i)). ..
  • an insulating resin base material 102 was prepared by laminating six 35 ⁇ m-thick insulating resin films (Ajinomoto Fine-Techno Co., Inc., ABF-GXT31, relative dielectric constant 3.4). To one surface of the insulating resin base material 102, the surface of the metal foil with a carrier 10 on which the circuit 103 is formed, which is on the opposite side of the carrier 12 (the side on which the circuit 103 is formed), is bonded, and a vacuum press machine is used. The layers were laminated under the conditions of a temperature of 100 ° C., a pressure of 0.7 MPa, and a pressing time of 90 seconds. In this way, a metal-clad laminate 104 ′ having a thickness h of the insulating resin substrate 102 of about 200 ⁇ m was obtained (FIG. 10 (ii)).
  • a Cu foil having a thickness of 18 ⁇ m was bonded as a ground layer 106 to the surface of the metal-clad laminate 104 ′ on the insulating resin substrate 102 side (the side opposite to the metal foil 10 with carrier) by vacuum press (FIG. iii)).
  • the vacuum press was performed under the conditions of a temperature of 100 ° C., a pressure of 0.7 MPa, and 120 seconds.
  • the insulating resin base material 102 was cured. The cure was temporarily cured at 170 ° C. for 30 minutes, and then finally cured at 200 ° C. for 60 minutes.
  • the carrier 12 was peeled from the metal-clad laminate 104 ′ together with the peeling function layer 14 at the position of the carbon layer 22 (FIG. 11 (iv)).
  • the second metal layer 24 exposed on one side of the metal-clad laminate 104 ' was removed by etching to expose the circuit 103 (FIG. 11 (v)).
  • a photosensitive dry film (not shown) is attached to the surface of the metal-clad laminate 104 ′ on the circuit 103 side (the side opposite to the ground layer 106), and exposure and development are performed so that the portion other than the circuit 103 is covered with resist. went. Electroless Au plating was performed on the circuit 103 not covered with the resist, and then the dry film (photoresist layer) was peeled off. By performing such patterning, the signal line 108 'was formed to be a microstrip line having a characteristic impedance of 50 ⁇ and a differential impedance of 100 ⁇ (FIG. 11 (vi)).
  • a transmission loss from a frequency of 1 GHz to 50 GHz was measured using a vector network analyzer (VNA E5071C manufactured by Agilent).
  • -Evaluation A Transmission loss ratio S 21 is 330% or less.
  • -Evaluation B The transmission loss ratio S 21 is greater than 330% and 450% or less.
  • -Evaluation C The transmission loss ratio S 21 is larger than 450%.
  • a double-sided metal-clad laminate 107 in which the first metal layer 26, the insulating resin base material 102, and the ground layer 106 were laminated in this order was obtained by the same procedure as the evaluation 2-1.
  • the surface of the double-sided metal-clad laminate 107 on the first metal layer 26 side was washed with water and dried.
  • the development was performed by using a 1.0 wt% sodium carbonate aqueous solution as a developing solution at 25 ° C.
  • the electroless Au plating was applied to the exposed surface of the first metal layer 26 (that is, the portion not masked by the photoresist layer), the photoresist layer was peeled off. By doing so, the first metal layer 26, the barrier layer 28 when present, and the electroless Au plating layer remained in the wiring pattern shape, while the first metal layer 26 in the portion where the wiring pattern was not formed was exposed.
  • the sectional shape of the obtained wiring pattern was observed by SEM, and as shown in FIG. 12, the angle ⁇ of the edge portion of the wiring pattern 112 with respect to the insulating resin base material 102 was measured.
  • the obtained angle ⁇ of the edge portion was rated and evaluated according to the following criteria. -Evaluation A: The angle ⁇ of the edge portion is 87 ° or more and 93 ° or less.
  • -Evaluation B The angle ⁇ of the edge portion is 80 ° or more and less than 87 °, or more than 93 ° and 100 ° or less.
  • -Evaluation C The angle ⁇ of the edge portion is 60 ° or more and less than 80 °, or more than 100 ° and 120 ° or less.
  • -Evaluation D The angle ⁇ of the edge portion is less than 60 ° or greater than 120 °.
  • ⁇ Evaluation 3-2 Selective etching property (patterning before resin lamination)> Regarding the carrier-attached metal foils 10 of Examples 1 to 3 and 9 to 14, a coreless support 116 with a wiring pattern was produced by the procedure shown in FIGS. 13 and 14, and the selective etching property was measured and evaluated.
  • the surface of the metal foil with carrier 10 on the first metal layer 26 side was washed with water and dried.
  • a photosensitive dry film is attached to the surface of the metal foil with carrier 10 on the first metal layer 26 side (barrier layer 28 side if present), and exposure and development are performed to form a photoresist layer (not shown). did.
  • an insulating resin base material 102 was prepared by laminating six 35 ⁇ m-thick insulating resin films (Ajinomoto Fine-Techno Co., Inc., ABF-GXT31, relative dielectric constant 3.4). To one surface of the insulating resin base material 102, the surface of the metal foil with carrier 10 on which the circuit 105 is formed, which is on the opposite side of the carrier 12 (on the side where the circuit 105 is formed), is bonded, and a vacuum press machine is used. The layers were laminated under the conditions of a temperature of 100 ° C., a pressure of 0.7 MPa, and a pressing time of 90 seconds. Thus, a metal-clad laminate 114 having a thickness h of the insulating resin substrate 102 of about 200 ⁇ m was obtained (FIG. 13 (ii)).
  • a Cu foil having a thickness of 18 ⁇ m was vacuumed as a ground layer 106 on the surface of the metal-clad laminate 114 on the insulating resin substrate 102 side (the side opposite to the metal foil 10 with carrier). It joined by the press (FIG. 13 (iii)).
  • the carrier 12 was peeled from the metal-clad laminate 114 together with the peeling function layer 14 at the position of the carbon layer 22 (FIG. 14 (iv)).
  • the second metal layer 24 exposed on one side of the metal-clad laminate 114 was removed by etching to expose the circuit 105 (FIG. 14 (v)).
  • the surface of the metal-clad laminate 114 on the circuit 105 side was washed with water and dried.
  • the first metal layer 26 side (barrier layer 28 side, if present) of the metal foil with carrier 10 has an insulating resin film 101 (ABF-GXT31, manufactured by Ajinomoto Fine-Techno Co., Ltd.) having a thickness of 35 ⁇ m and a relative dielectric constant of 3 4), vacuum press and curing of the insulating resin film were performed to obtain a metal-clad laminate 118 (FIG. 15 (i)).
  • the vacuum press and the curing of the insulating resin film 101 were performed under the same conditions as the joining of the metal-clad laminate 104 and the ground layer 106 in Evaluation 2-1.
  • the first metal layer 26 (barrier layer 28 if present) is exposed in the metal-clad laminate 118 in order to carry out the IV measurement described later ( That is, the region R in which the insulating resin film 101 is not bonded is provided.
  • a via V having a diameter of 30 ⁇ m that penetrates through the insulating resin film 101 and reaches the first metal layer 26 (barrier layer 28 if present) is applied to the metal-clad laminate 118 using a CO 2 laser. Formed (FIG. 15 (ii)).
  • Cu plating 120 was applied from the bottom of the via V to the surface of the insulating resin film 101 (FIG. 15 (iii)).
  • the Cu plating 120 was formed by performing electroless Cu plating with a thickness of about 1 ⁇ m on the surface of the insulating resin film 101, the side surface of the via V, and the bottom surface of the via V, and then performing via filling by electrolytic Cu plating.
  • the thickness of the Cu plating 120 was 55 ⁇ m (the via V portion was about 35 ⁇ m, and the portion covering the surface of the insulating resin film 101 was about 20 ⁇ m).
  • a photosensitive dry film was attached to the surface of the Cu plating 120 of the metal-clad laminate 118, and a 300 ⁇ m ⁇ 300 ⁇ m photoresist layer (not shown) was formed so as to cover the via V portion by exposing and developing.
  • An unnecessary portion of the Cu plating 120 that is, a portion not covered with the photoresist layer
  • connection resistance measurement sample 124 was subjected to IV measurement of the first metal layer 26 (barrier layer 28 if present) and the Cu electrode 122, and was subjected to Cu connection resistance (before HAST test).
  • the resistance R 1 was calculated (see FIG. 16).
  • the measurement was performed using the four-terminal method. After performing a HAST test (85 ° C., 85% RH, 200 hours) on the connection resistance measurement sample 124, the IV of the first metal layer 26 (barrier layer 28 when present) and the Cu electrode 122 is measured. The measurement was performed again, and the connection resistance of the Cu plating after the HAST test (resistance R 2 after HAST test) was calculated.
  • -Evaluation A The resistance increase rate before and after the HAST test is 10% or less.
  • -Evaluation B The resistance increase rate before and after the HAST test is more than 10% and 20% or less.
  • -Evaluation C The resistance increase rate before and after the HAST test is more than 20% and 50% or less.
  • -Evaluation D The resistance increase rate before and after the HAST test is larger than 50%.

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Abstract

キャリアの剥離性及び金属層の選択エッチング性に優れ、これを用いて製造された半導体パッケージ（例えばミリ波アンテナ基板）における伝送損失及び抵抗の低減を実現可能な、キャリア付金属箔を提供する。このキャリア付金属箔は、（ａ）キャリアと、（ｂ）キャリア上に設けられる剥離機能層であって、（ｂ１）キャリアに近い側の、厚さが１０ｎｍを超え２００ｎｍ未満である密着層、及び（ｂ２）キャリアから遠い側の、厚さが５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である剥離補助層を含む、剥離機能層と、（ｃ）剥離機能層上に設けられる複合金属層であって、（ｃ１）剥離補助層に近い側の炭素層、及び（ｃ２）剥離補助層から遠い側の、主としてＡｕ又はＰｔで構成される第１金属層を含む、複合金属層とを備える。

Description

キャリア付金属箔、及びそれを用いたミリ波アンテナ基板の製造方法
　本発明は、キャリア付金属箔、及びそれを用いたミリ波アンテナ基板の製造方法に関する。
　近年、プリント配線板の実装密度を上げて小型化するために、プリント配線板の多層化が広く行われるようになってきている。このような多層プリント配線板は、携帯用電子機器の多くで、軽量化や小型化を目的として利用されている。そして、この多層プリント配線板には、層間絶縁層の更なる厚さの低減、及び配線板としてのより一層の軽量化が要求されている。
　このような要求を満たす技術として、コアレスビルドアップ法を用いた多層プリント配線板の製造方法が採用されている。コアレスビルドアップ法とは、いわゆるコア基板を用いることなく、絶縁層と配線層とを交互に積層（ビルドアップ）して多層化する方法である。コアレスビルドアップ法においては、支持体と多層プリント配線板との剥離を容易に行えるように、キャリア付銅箔を使用することが提案されている。例えば、特許文献１（特開２００５－１０１１３７号公報）には、キャリア付銅箔のキャリア面に絶縁樹脂層を貼り付けて支持体とし、キャリア付銅箔の極薄銅層側にフォトレジスト加工、パターン電解銅めっき、レジスト除去等の工程により第一の配線導体を形成した後、ビルドアップ配線層を形成し、キャリア付支持基板を剥離し、極薄銅層を除去することを含む、半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法が開示されている。
　また、特許文献１に示されるような埋め込み回路の微細化のため、極薄銅層の厚さを１μｍ以下としたキャリア付銅箔が望まれる。そこで、極薄銅層の厚さ低減を実現するため、スパッタリング等の気相法により極薄銅層を形成することが提案されている。例えば、特許文献２（国際公開第２０１７／１５０２８３号）には、ガラス又はセラミックス等のキャリア上に、剥離層、反射防止層、及び極薄銅層がスパッタリングにより形成されたキャリア付銅箔が開示されている。また、特許文献３（国際公開第２０１７／１５０２８４号）には、ガラス又はセラミックス等のキャリア上に、中間層（例えば密着金属層及び剥離補助層）、剥離層及び極薄銅層（例えば膜厚３００ｎｍ）がスパッタリングにより形成されたキャリア付銅箔が開示されている。特許文献２及び３には、所定の金属で構成される中間層を介在させることでキャリアの機械的剥離強度の優れた安定性をもたらすことや、反射防止層が望ましい暗色を呈することで、画像検査（例えば自動画像検査（ＡＯＩ））における視認性を向上させることも教示されている。
特開２００５－１０１１３７号公報 国際公開第２０１７／１５０２８３号 国際公開第２０１７／１５０２８４号
　ところで、近年、自動車分野において衝突防止機能等の安全運転支援システムの普及が進んでおり、かかるシステムにおいて車載用ミリ波レーダーが活用されている。また、情報通信技術分野においては、広帯域確保及び大容量伝送が可能なミリ波通信に関する技術開発が進められている。したがって、これらの用途等に適したミリ波用の半導体パッケージ（以下、「ミリ波アンテナ基板」とする）の需要も高まっているといえる。ここで、ミリ波アンテナ基板等の製造においては、Ａｕめっきを用いた微細回路形成手法が用いられる。この点、従来のキャリア付銅箔を用いてミリ波アンテナ基板等を作製した場合、Ｃｕの化学的安定性が低いため、抵抗（例えばＡｕめっきとの接続抵抗）が高くなる等の問題が起こりうる。また、ミリ波アンテナ基板等の製造においては、干渉を低減すべく絶縁層として比較的厚い樹脂（例えば厚さ２００μｍ以上）をキャリア付金属箔に積層することから、キャリア付金属箔はかかる樹脂からの応力の影響を受けやすく、それ故、キャリアの剥離が不安定となりうる。
　本発明者らは、今般、キャリアの剥離に寄与する層の厚さを特定の範囲に制御し、かつ、主としてＡｕ又はＰｔで構成された金属層を採用することで、キャリアの剥離性及び金属層の選択エッチング性に優れ、これを用いて製造された半導体パッケージ（例えばミリ波アンテナ基板）における伝送損失及び抵抗の低減を実現可能な、キャリア付金属箔を提供できるとの知見を得た。
　したがって、本発明の目的は、キャリアの剥離性及び金属層の選択エッチング性に優れ、これを用いて製造された半導体パッケージ（例えばミリ波アンテナ基板）における伝送損失及び抵抗の低減を実現可能な、キャリア付金属箔を提供することにある。
　本発明の一態様によれば、
（ａ）キャリアと、
（ｂ）前記キャリア上に設けられる剥離機能層であって、
　（ｂ１）前記キャリアに近い側の、厚さが１０ｎｍを超え２００ｎｍ未満である密着層、及び
　（ｂ２）前記キャリアから遠い側の、厚さが５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である剥離補助層を含む、剥離機能層と、
（ｃ）前記剥離機能層上に設けられる複合金属層であって、
　（ｃ１）前記剥離補助層に近い側の炭素層、及び
　（ｃ２）前記剥離補助層から遠い側の、主としてＡｕ又はＰｔで構成される第１金属層を含む、複合金属層と、
を備えた、キャリア付金属箔が提供される。
　本発明の他の一態様によれば、前記キャリア付金属箔を用いてミリ波アンテナ基板を製造することを含む、ミリ波アンテナ基板の製造方法が提供される。
本発明のキャリア付金属箔の一例を示す模式断面図である。 本発明のキャリア付金属箔の他の一例を示す模式断面図である。 本発明のミリ波アンテナ基板の製造方法の一例を示す工程流れ図であり、前半の工程（工程（ｉ）～（ｉｉｉ））を示す図である。 本発明のミリ波アンテナ基板の製造方法の一例を示す工程流れ図であり、図３に続く工程（工程（ｉｖ）～（ｖｉ））を示す工程流れ図である。 本発明のミリ波アンテナ基板の製造方法の他の一例を示す工程流れ図であり、前半の工程（工程（ｉ）～（ｉｉｉ））を示す図である。 本発明のミリ波アンテナ基板の製造方法の他の一例を示す工程流れ図であり、図５に続く工程（工程（ｉｖ）～（ｖｉ））を示す工程流れ図である。 実施例の評価２－１における伝送損失測定用サンプルの作製手順を示す工程流れ図であり、前半の工程（工程（ｉ）～（ｉｉｉ））を示す図である。 実施例の評価２－１における伝送損失測定用サンプルの作製手順を示す工程流れ図であり、図７に続く工程（工程（ｉｖ）～（ｖｉ））を示す工程流れ図である。 図８（ｖｉ）に示される伝送損失測定用サンプルの斜視図である。 実施例の評価２－２における伝送損失測定用サンプルの作製手順を示す工程流れ図であり、前半の工程（工程（ｉ）～（ｉｉｉ））を示す図である。 実施例の評価２－２における伝送損失測定用サンプルの作製手順を示す工程流れ図であり、図１０に続く工程（工程（ｉｖ）～（ｖｉ））を示す工程流れ図である。 実施例の評価３－１及び３－２における配線パターンのエッジ部分の角度θを示す断面模式図である。 実施例の評価３－２におけるコアレス支持体の作製手順を示す工程流れ図であり、前半の工程（工程（ｉ）～（ｉｉｉ））を示す図である。 実施例の評価３－２におけるコアレス支持体の作製手順を示す工程流れ図であり、図１３に続く工程（工程（ｉｖ）～（ｖｉ））を示す工程流れ図である。 実施例の評価４における接続抵抗測定用サンプルの作製手順（工程（ｉ）～（ｉｖ））を示す工程流れ図である。 実施例の評価４における接続抵抗測定用サンプルを用いたＩ－Ｖ測定を示す模式図である。
　キャリア付金属箔
　本発明のキャリア付金属箔の一例が図１及び２に模式的に示される。図１及び２に示されるように、キャリア付金属箔１０は、キャリア１２と、剥離機能層１４と、複合金属層２０とをこの順に備えたものである。剥離機能層１４はキャリア１２上に設けられ、キャリア１２に近い側の密着層１６、及びキャリア１２から遠い側の剥離補助層１８を含む。密着層１６は、厚さが１０ｎｍを超え２００ｎｍ未満の層である。剥離補助層１８は、厚さが５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の層である。複合金属層２０は剥離機能層１４上に設けられ、剥離補助層１８に近い側の炭素層２２、及び剥離補助層１８から遠い側の第１金属層２６を含む。第１金属層２６は主としてＡｕ又はＰｔで構成される層である。図２に示されるように、複合金属層２０は、炭素層２２と第１金属層２６との間に第２金属層２４をさらに含んでいてもよい。また、複合金属層２０は、第１金属層２６の炭素層２２から遠い側の面にバリア層２８をさらに含んでいてもよい。キャリア１２の両面に上下対称となるように上述の各種層を順に備えてなる構成としてもよい。このように、キャリア１２の剥離に寄与する層（すなわち密着層１６及び剥離補助層１８）の厚さを特定の範囲に制御し、かつ、主としてＡｕ又はＰｔで構成された金属層（すなわち第１金属層２６）を採用することで、キャリアの剥離性及び金属層の選択エッチング性に優れたキャリア付金属箔を提供することが可能となる。また、このキャリア付金属箔１０を用いて製造された半導体パッケージ（例えばミリ波アンテナ基板）における伝送損失及び抵抗の低減を実現することが可能となる。
　キャリア１２の材質はガラス、セラミックス、シリコン、樹脂、及び金属のいずれであってもよい。好ましくは、キャリア１２は、ガラス、シリコン又はセラミックスで構成される。キャリア１２の形態はシート、フィルム及び板のいずれであってもよい。また、キャリア１２はこれらのシート、フィルム及び板等が積層されたものであってもよい。例えば、キャリア１２はガラス板、セラミックス板、シリコンウェハ、金属板等といった剛性を有する支持体として機能しうるものであってもよいし、金属箔や樹脂フィルム等といった剛性を有しない形態であってもよい。キャリア１２を構成する金属の好ましい例としては、銅、チタン、ニッケル、ステンレススチール、アルミニウム等が挙げられる。セラミックスの好ましい例としては、アルミナ、ジルコニア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、その他各種ファインセラミックス等が挙げられる。樹脂の好ましい例としては、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリアミド、ポリイミド、ナイロン、液晶ポリマー、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ（登録商標））、ポリアミドイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、エチレンテトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）等が挙げられる。より好ましくは、電子素子を搭載する際の加熱に伴うコアレス支持体の反り防止の観点から、熱膨張係数（ＣＴＥ）が２５ｐｐｍ／Ｋ未満（典型的には１．０ｐｐｍ／Ｋ以上２３ｐｐｍ／Ｋ以下）の材料であり、そのような材料の例としては、上述したような各種樹脂（特にポリイミド、液晶ポリマー等の低熱膨張樹脂）、ガラス、シリコン及びセラミックス等が挙げられる。また、ハンドリング性やチップ実装時の平坦性確保の観点から、キャリア１２はビッカース硬度が１００ＨＶ以上であるのが好ましく、より好ましくは１５０ＨＶ以上２５００ＨＶ以下である。これらの特性を満たす材料として、キャリア１２はガラス、シリコン又はセラミックスで構成されるのが好ましく、より好ましくはガラス又はセラミックスで構成され、特に好ましくはガラスで構成される。ガラスから構成されるキャリア１２としては、例えばガラス板が挙げられる。ガラスをキャリア１２として用いた場合、軽量で、熱膨脹係数が低く、絶縁性が高く、剛直で表面が平坦なため、第１金属層２６の表面を極度に平滑にできる等の利点がある。また、キャリア１２がガラスである場合、微細回路形成に有利な表面平坦性（コプラナリティ）を有している点、配線製造工程におけるデスミアや各種めっき工程において耐薬品性を有している点、キャリア付金属箔１０からキャリア１２を剥離する際に化学的分離法が採用できる点等の利点がある。キャリア１２を構成するガラスの好ましい例としては、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラス、及びそれらの組合せが挙げられ、より好ましくは無アルカリガラス、ソーダライムガラス、及びそれらの組合せであり、特に好ましくは無アルカリガラスである。無アルカリガラスは、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ホウ素、及び酸化カルシウムや酸化バリウム等のアルカリ土類金属酸化物を主成分とし、更にホウ酸を含有する、アルカリ金属を実質的に含有しないガラスのことである。この無アルカリガラスは、０℃から３５０℃までの広い温度帯域において熱膨脹係数が３ｐｐｍ／Ｋ以上５ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲で低く安定しているため、加熱を伴うプロセスにおけるガラスの反りを最小限にできるとの利点がある。キャリア１２の厚さは１００μｍ以上２０００μｍ以下が好ましく、より好ましくは３００μｍ以上１８００μｍ以下、さらに好ましくは４００μｍ以上１１００μｍ以下である。このような範囲内の厚さであると、ハンドリングに支障を来さない適切な強度を確保しながら配線の薄型化、及び電子部品搭載時に生じる反りの低減を実現することができる。
　キャリア１２の密着層１６に隣接する側の表面は、レーザー顕微鏡を用いてＪＩＳ　Ｂ　０６０１－２００１に準拠して測定される、０．１ｎｍ以上７０ｎｍ以下の算術平均粗さＲａを有するのが好ましく、より好ましくは０．５ｎｍ以上６０ｎｍ以下、さらに好ましくは１．０ｎｍ以上５０ｎｍ以下、特に好ましくは１．５ｎｍ以上４０ｎｍ以下、最も好ましくは２．０ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。このようにキャリア１２表面の算術平均粗さが小さいほど、第１金属層２６の炭素層２２と反対側の表面（第１金属層２６の外側表面）において望ましく低い算術平均粗さＲａをもたらすことができ、それにより、第１金属層２６を用いて形成される配線において、ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）が１３μｍ以下／１３μｍ以下（例えば１２μｍ／１２μｍから２μｍ／２μｍまで）といった程度にまで高度に微細化された配線パターンを形成するのに適したものとなる。
　剥離機能層１４は、キャリア１２と炭素層２２との間に介在して、キャリア１２の安定的な剥離に寄与する層である。前述したように、剥離機能層１４は、キャリア１２に近い側の密着層１６、及びキャリア１２から遠い側の剥離補助層１８を含む。この点、密着層１６及び剥離補助層１８の厚さをそれぞれ所定の範囲に制御することで、キャリア付金属箔１０に所望の剥離強度を付与することが可能となる。剥離機能層１４は、キャリア付金属箔１０の剥離機能をより一層向上させる点から、密着層１６及び／又は剥離補助層１８として、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｚｎ、Ｗ、ＴｉＮ、及びＴａＮからなる群から選択される少なくとも１種を８０原子％以上（好ましくは８５原子％以上、より好ましくは９０原子％以上）含む層を少なくとも１層備えるのが好ましい。剥離機能層１４における上記元素又は成分の含有率の上限値は特に限定されず、１００原子％であってもよいが、９８％以下であるのが現実的である。剥離機能層１４における上記元素又は成分の含有率はＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）で分析することにより測定される値とする。
　キャリア付金属箔１０は、密着層１６の厚さＴ１に対する剥離補助層１８の厚さＴ２の比であるＴ２／Ｔ１が１を超え２０以下であるのが好ましく、より好ましくは１．５以上１５以下、さらに好ましくは２以上１０以下、特に好ましくは２．５以上６以下である。Ｔ２／Ｔ１を上記範囲内とすることで、例えば２４０℃以上３４０℃以下といった幅広い温度域での熱処理を施した場合であっても、炭素層２２が有する剥離機能の低下を抑制することができる。密着層１６及び剥離補助層１８の厚さの比が剥離性に影響を及ぼすメカニズムは必ずしも定かではないが、上記厚さの比を変化させることで、加熱時におけるキャリア付金属箔１０の各層を構成する元素の拡散挙動に変化が生じることによるものと考えられる。
　密着層１６は、キャリア１２と剥離補助層１８との密着性を確保するためにキャリア１２と剥離補助層１８の間に介在させる層である。したがって、剥離補助層１８よりも相対的にキャリア１２との密着性に優れた成分で構成されるのが好ましい。かかる観点から、密着層１６はＣｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｚｎ、Ｗ、ＴｉＮ、及びＴａＮからなる群から選択される少なくとも１種で構成される層であるのが好ましく、より好ましくはＴｉ、Ｔａ、ＴｉＮ、及びＴａＮからなる群から選択される少なくとも１種、さらに好ましくはＴｉ、及びＴｉＮからなる群から選択される少なくとも１種、特に好ましくはＴｉで構成される層である。密着層１６は、ＸＰＳにより測定される上記金属又は成分の含有率が８０原子％以上であるのが好ましく、より好ましくは８５原子％以上、さらに好ましくは９０原子％以上である。また、密着層１６における上記金属又は成分の含有率の上限値は特に限定されず１００原子％であってもよいが、９８原子％以下が現実的である。密着層１６は原料成分や成膜工程等に起因する不可避不純物を含んでいてもよい。また、特に制限されるものではないが、密着層１６の成膜後に大気に暴露される場合、それに起因して混入する酸素の存在は許容される。密着層１６は、ＸＰＳにより測定される酸素含有率が０原子％以上５原子％以下であるのが典型的であり、より典型的には０．０５原子％以上４原子％以下、さらに典型的には０．１原子％以上３原子％以下である。密着層１６は、いかなる方法で製造されたものであってもよいが、ターゲットを用いたマグネトロンスパッタリング法により形成された層であるのが膜厚分布の均一性を向上できる点で特に好ましい。
　密着層１６の厚さＴ１は、１０ｎｍを超え２００ｎｍ未満であり、好ましくは１５ｎｍ以上１８０ｎｍ以下、より好ましくは２０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、さらに好ましくは３０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下、特に好ましくは４０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、最も好ましくは４０ｎｍ以上８０ｎｍ以下である。このような範囲内であると、キャリア１２と剥離補助層１８との適度な密着性を確保しつつ、絶縁樹脂積層時の真空プレス等の熱処理に伴う剥離機能の低下（剥離強度の上昇）を効果的に抑制することが可能となる。密着層１６の厚さは、層断面を透過型電子顕微鏡のエネルギー分散型Ｘ線分光分析器（ＴＥＭ－ＥＤＸ）で分析することにより測定される値とする。
　剥離補助層１８は、キャリア１２の剥離強度を所望の値に制御する点から、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｚｎ、Ｗ、ＴｉＮ、及びＴａＮからなる群から選択される少なくとも１種で構成される層であるのが好ましく、より好ましくはＣｕ、Ｎｉ、ＡｌＺｎ、及びＷからなる群から選択される少なくとも１種、さらに好ましくはＣｕ、Ｎｉ、及びＡｌからなる群から選択される少なくとも１種、特に好ましくはＣｕで構成される層である。剥離補助層１８は、ＸＰＳにより測定される上記金属又は成分の含有率が８０原子％以上であるのが好ましく、より好ましくは８５原子％以上、さらに好ましくは９０原子％以上である。また、剥離補助層１８における上記金属又は成分の含有率の上限値は特に限定されず１００原子％であってもよいが、９８原子％以下が現実的である。剥離補助層１８は原料成分や成膜工程等に起因する不可避不純物を含んでいてもよい。また、特に制限されるものではないが、剥離補助層１８の成膜後に大気に暴露される場合、それに起因して混入する酸素の存在は許容される。剥離補助層１８は、ＸＰＳにより測定される酸素含有率が０原子％以上５原子％以下であるのが典型的であり、より典型的には０．０５原子％以上４原子％以下、さらに典型的には０．１原子％以上３原子％以下である。剥離補助層１８は、いかなる方法で製造されたものであってもよいが、ターゲットを用いたマグネトロンスパッタリング法により形成された層であるのが膜厚分布の均一性を向上できる点で特に好ましい。
　剥離補助層１８の厚さＴ２は、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、好ましくは１００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下、より好ましくは１５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下、さらに好ましくは２００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下、特に好ましくは２５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。このような範囲内であると、剥離機能の低下（剥離強度の上昇）を効果的に抑制できるとともに、ミリ波アンテナ基板製造等のプロセス中におけるデラミネーション（基板の層間剥離）の発生をも効果的に抑制することが可能となる。剥離補助層１８の厚さは、層断面を透過型電子顕微鏡のエネルギー分散型Ｘ線分光分析器（ＴＥＭ－ＥＤＸ）で分析することにより測定される値とする。
　複合金属層２０は、剥離補助層１８に近い側の炭素層２２と、剥離補助層１８から遠い側の第１金属層２６とを含む。複合金属層２０は、炭素層２２と第１金属層２６との間に第２金属層２４をさらに含んでいてもよい。また、複合金属層２０は、第１金属層２６の炭素層２２から遠い側の面にバリア層２８をさらに含んでいてもよい。複合金属層２０の厚さは５１ｎｍ以上３２２０ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは１００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下、さらに好ましくは３００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。複合金属層２０の厚さは、層断面を透過型電子顕微鏡のエネルギー分散型Ｘ線分光分析器（ＴＥＭ－ＥＤＸ）で分析することにより測定される値とする。
　炭素層２２は主として炭素を含んでなる層であり、好ましくは主として炭素又は炭化水素からなる層であり、より好ましくは硬質炭素膜であるアモルファスカーボンからなる。したがって、炭素層２２はアモルファスカーボンを含むのが好ましい。炭素層２２はＸＰＳにより測定される炭素濃度が６０原子％以上であるのが好ましく、より好ましくは７０原子％以上、さらに好ましくは８０原子％以上、特に好ましくは８５原子％以上である。炭素濃度の上限値は特に限定されず１００原子％であってもよいが、９８原子％以下が現実的である。炭素層２２は不可避不純物（例えば雰囲気等の周囲環境に由来する酸素、炭素、水素等）を含みうる。また、炭素層２２には第１金属層２６、又は存在する場合には第２金属層２４の成膜手法に起因して金属原子（例えばＡｕ、Ｐｔ等）が混入しうる。炭素は剥離機能層１４との相互拡散性及び反応性が小さく、３００℃を超える温度でのプレス加工等を受けても、第１金属層２６（存在する場合には第２金属層２４）と接合界面との間での高温加熱による金属結合の形成を防止して、キャリアの引き剥がし除去が容易な状態を維持することができる。この炭素層２２もスパッタリング等の気相法により形成された層であるのがアモルファスカーボン中の過度な不純物を抑制する点、前述の密着層１６及び剥離補助層１８の成膜との連続生産性の点などから好ましい。炭素層２２の厚さは１ｎｍ以上２０ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。この厚さは、層断面を透過型電子顕微鏡のエネルギー分散型Ｘ線分光分析器（ＴＥＭ－ＥＤＸ）で分析することにより測定される値とする。
　第１金属層２６は主としてＡｕ又はＰｔで構成される層であり、好ましくは主としてＡｕで構成される層である。これらの元素はＣｕ等の他の金属元素と比べて化学的安定性が高く、それ故キャリア付金属箔１０を用いて製造されたミリ波アンテナ基板において、伝送損失及び接続抵抗の低減を望ましく実現することができる。また、ミリ波アンテナ基板は、アンテナの指向性を担保すべく配線の端部形状が保たれている（すなわち配線のエッジ部分の角度が９０°に近い）ことが望ましいと考えられるところ、これらの金属は選択エッチング性に優れるため、Ａｕエッチングを伴う配線形成（パターニング）の際に、上記端部形状を実現しやすいといえる。第１金属層２６を構成する上記金属は、純金属であってもよいし、合金であってもよい。第１金属層２６は、ＸＰＳにより測定される上記金属（例えばＡｕ）の含有率が６０原子％以上であるのが好ましく、より好ましくは７０原子％以上、さらに好ましくは８０原子％以上、特に好ましくは９０原子％以上である。また、第１金属層２６における上記金属（例えばＡｕ）の含有率の上限値は特に限定されず、１００原子％であってもよいが、９８原子％以下が典型的である。第１金属層２６を構成する金属は原料成分や成膜工程等に起因する不可避不純物を含んでいてもよい。第１金属層２６はスパッタリング等の気相法により形成された層であるのが好ましい。第１金属層２６は５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下の厚さを有するのが好ましく、より好ましくは７０ｎｍ以上１５００ｎｍ以下、さらに好ましくは１００ｎｍ以上８００ｎｍ以下、特に好ましくは２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。この厚さは、層断面を透過型電子顕微鏡のエネルギー分散型Ｘ線分光分析器（ＴＥＭ－ＥＤＸ）で分析することにより測定される値とする。
　第２金属層２４は、キャリア付金属箔１０に対してエッチングストッパー機能や反射防止機能等の所望の機能を付与するものであることが好ましい。第２金属層２４を構成する金属の好ましい例としては、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｗ、Ｃｒ、Ｐｄ及びそれらの組合せが挙げられ、より好ましくはＴｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｗ、Ｃｒ及びそれらの組合せ、さらに好ましくはＴｉ、Ｔａ、Ｎｉ及びそれらの組合せ、特に好ましくはＴｉ、Ｔａ及びそれらの組合せ、最も好ましくはＴｉである。第２金属層２４を構成する上記金属は、純金属であってもよいし、合金であってもよい。第２金属層２４は、ＸＰＳにより測定される上記金属の含有率が５０原子％以上であるのが好ましく、より好ましくは６０原子％以上、さらに好ましくは７０原子％以上、特に好ましくは８０原子％以上である。また、第２金属層２４における上記金属の含有率の上限値は特に限定されず、１００原子％であってもよいが、９８原子％以下が典型的である。これらの元素は、フラッシュエッチング液（例えばＡｕフラッシュエッチング液）に対して溶解しないという性質を有し、その結果、フラッシュエッチング液に対して優れた耐薬品性を呈することができる。したがって、第２金属層２４は、後述する第１金属層２６よりもフラッシュエッチング液によってエッチングされにくい層となり、それ故エッチングストッパー層として機能しうる。また、第２金属層２４を構成する上述の金属は光の反射を防止する機能も有するため、第２金属層２４は、画像検査（例えば自動画像検査（ＡＯＩ））において視認性を向上させるための反射防止層としても機能しうる。第２金属層２４は、窒素を含んでいてもよく、ＸＰＳにより測定される窒素含有率が典型的には０原子％以上５０原子％以下であり、より典型的には１０原子％以上、さらに典型的には２０原子％以上、特に典型的には３０原子％以上である。第２金属層２４を構成する金属は原料成分や成膜工程等に起因する不可避不純物を含んでいてもよい。第２金属層２４はスパッタリング等の気相法により形成された層であるのが好ましい。第２金属層２４の厚さは、５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であるのが好ましく、より好ましくは１００ｎｍ以上８００ｎｍ以下、さらに好ましくは２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下、特に好ましくは３００ｎｍ以上４００ｎｍ以下である。この厚さは、層断面を透過型電子顕微鏡のエネルギー分散型Ｘ線分光分析器（ＴＥＭ－ＥＤＸ）で分析することにより測定される値とする。
　バリア層２８は、第１金属層２６を構成する金属（すなわちＡｕ又はＰｔ）と、第１金属層２６上（すなわちキャリア付金属箔１０のキャリア１２と反対側の表面）に形成されうる配線層を構成する金属（例えばＣｕ）との金属間化合物の形成を抑制するための層である。金属間化合物の形成をより効果的に抑制する点から、バリア層２８を構成する金属の好ましい例としては、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｗ、Ｃｒ、Ｐｄ及びそれらの組合せが挙げられ、より好ましくはＴａ、Ｎｉ、Ｗ、Ｃｒ、及びそれらの組合せである。バリア層２８を構成する上記金属は、純金属であってもよいし、合金であってもよい。バリア層２８は、ＸＰＳにより測定される上記金属の含有率が５０原子％以上であるのが好ましく、より好ましくは６０原子％以上、さらに好ましくは７０原子％以上、特に好ましくは８０原子％以上である。また、バリア層２８における上記金属の含有率の上限値は特に限定されず、１００原子％であってもよいが、９８原子％以下が典型的である。バリア層２８を構成する金属は原料成分や成膜工程等に起因する不可避不純物を含んでいてもよい。バリア層２８はスパッタリング等の気相法により形成された層であるのが好ましい。バリア層２８の厚さは、１ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるのが好ましく、より好ましくは２ｎｍ以上１００ｎｍ以下、さらに好ましくは３ｎｍ以上７０ｎｍ以下、特に好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。この厚さは、層断面を透過型電子顕微鏡のエネルギー分散型Ｘ線分光分析器（ＴＥＭ－ＥＤＸ）で分析することにより測定される値とする。
　密着層１６、剥離補助層１８、炭素層２２、第２金属層２４、第１金属層２６及びバリア層２８はいずれも物理気相堆積（ＰＶＤ）膜、すなわち物理気相堆積（ＰＶＤ）法により形成された膜であるのが好ましく、より好ましくはスパッタ膜、すなわちスパッタリングにより形成された膜である。
　キャリア付金属箔１０全体の厚さは特に限定されないが、好ましくは５００μｍ以上３０００μｍ以下、より好ましくは７００μｍ以上２５００μｍ以下、さらに好ましくは９００μｍ以上２０００μｍ以下、特に好ましくは１０００μｍ以上１７００μｍ以下である。キャリア付金属箔１０のサイズは特に限定されないが、好ましくは１０ｃｍ角以上、より好ましくは２０ｃｍ角以上、さらに好ましくは２５ｃｍ角以上である。キャリア付金属箔１０のサイズの上限は特に限定されないが、１０００ｃｍ角が上限の１つの目安として挙げられる。また、キャリア付金属箔１０は、配線の形成前後において、それ自体単独でハンドリング可能な形態である。
　キャリア付金属箔の製造方法
　本発明のキャリア付金属箔１０は、キャリア１２を用意し、キャリア１２上に、密着層１６、剥離補助層１８、炭素層２２、所望により第２金属層２４、第１金属層２６、及び所望によりバリア層２８を形成することにより製造することができる。密着層１６、剥離補助層１８、炭素層２２、第２金属層２４（存在する場合）、第１金属層２６、及びバリア層２８（存在する場合）の各層の成膜は、極薄化によるファインピッチ化に対応しやすい観点から、物理気相堆積（ＰＶＤ）法により行われるのが好ましい。物理気相堆積（ＰＶＤ）法の例としては、スパッタリング法、真空蒸着法、及びイオンプレーティング法が挙げられるが、０．０５ｎｍから５０００ｎｍまでといった幅広い範囲で膜厚制御できる点、広い幅ないし面積にわたって膜厚均一性を確保できる点等から、最も好ましくはスパッタリング法である。特に、密着層１６、剥離補助層１８、炭素層２２、第２金属層２４（存在する場合）、第１金属層２６、及びバリア層２８（存在する場合）の全ての層をスパッタリング法により形成することで、製造効率が格段に高くなる。物理気相堆積（ＰＶＤ）法による成膜は公知の気相成膜装置を用いて公知の条件に従って行えばよく特に限定されない。例えば、スパッタリング法を採用する場合、スパッタリング方式は、マグネトロンスパッタリング、２極スパッタリング法、対向ターゲットスパッタリング法等、公知の種々の方法であってよいが、マグネトロンスパッタリングが、成膜速度が速く生産性が高い点で好ましい。スパッタリングはＤＣ（直流）及びＲＦ（高周波）のいずれの電源で行ってもよい。また、ターゲット形状も広く知られているプレート型ターゲットを使用することができるが、ターゲット使用効率の観点から円筒形ターゲットを用いることが望ましい。以下、密着層１６、剥離補助層１８、炭素層２２、第２金属層２４（存在する場合）、第１金属層２６、及びバリア層２８（存在する場合）の各層の物理気相堆積（ＰＶＤ）法（好ましくはスパッタリング法）による成膜について説明する。
　密着層１６及び剥離補助層１８の物理気相堆積（ＰＶＤ）法（好ましくはスパッタリング法）による成膜は、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｚｎ及びＷからなる群から選択される少なくとも１種の金属で構成されるターゲットを用い、非酸化性雰囲気下でマグネトロンスパッタリングにより行われるのが膜厚分布均一性を向上できる点で好ましい。ターゲットの純度は９９．９ｗｔ％以上が好ましい。スパッタリングに用いるガスとしては、アルゴンガス等の不活性ガスを用いるのが好ましい。このとき、ＴｉＮターゲット、ＴａＮターゲット、チタンターゲット又はタンタルターゲットを用いて、アルゴンガス（必要に応じて更に窒素ガス）中でスパッタリングを行うことにより、ＴｉＮ又はＴａＮで構成される密着層１６及び／又は剥離補助層１８を形成することができる。アルゴンガス等の流量はスパッタリングチャンバーサイズ及び成膜条件に応じて適宜決定すればよく特に限定されない。また、異常放電やプラズマ照射不良などの稼働不良なく、連続的に成膜する観点から成膜時の圧力は０．１Ｐａ以上２０Ｐａ以下の範囲で行うことが好ましい。この圧力範囲は、装置構造、容量、真空ポンプの排気容量、成膜電源の定格容量等に応じ、成膜電力、アルゴンガス等の流量を調整することで設定すればよい。また、スパッタリング電力は成膜の膜厚均一性、生産性等を考慮してターゲットの単位面積あたり０．０５Ｗ／ｃｍ２以上１０．０Ｗ／ｃｍ２以下の範囲内で適宜設定すればよい。
　炭素層２２の物理気相堆積（ＰＶＤ）法（好ましくはスパッタリング法）による成膜は、カーボンターゲットを用いてアルゴン等の不活性雰囲気下で行われるのが好ましい。カーボンターゲットはグラファイトで構成されるのが好ましいが、不可避不純物（例えば雰囲気等の周囲環境に由来する酸素や炭素）を含みうる。カーボンターゲットの純度は９９．９９ｗｔ％以上が好ましく、より好ましくは９９．９９９ｗｔ％以上である。また、異常放電やプラズマ照射不良などの稼働不良なく、連続的に成膜する観点から成膜時の圧力は０．１Ｐａ以上２０Ｐａ以下の範囲で行うことが好ましい。この圧力範囲は、装置構造、容量、真空ポンプの排気容量、成膜電源の定格容量等に応じ、成膜電力、アルゴンガスの流量を調整することで設定すればよい。また、スパッタリング電力は成膜の膜厚均一性、生産性等を考慮してターゲットの単位面積あたり０．０５Ｗ／ｃｍ２以上１０．０Ｗ／ｃｍ２以下の範囲内で適宜設定すればよい。
　第２金属層２４及びバリア層２８の物理気相堆積（ＰＶＤ）法（好ましくはスパッタリング法）による成膜は、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｗ、Ｃｒ及びＰｄからなる群から選択される少なくとも１種の金属で構成されるターゲットを用いて、マグネトロンスパッタ法により行われるのが好ましい。ターゲットの純度は９９．９％以上が好ましい。特に、第２金属層２４及びバリア層２８のマグネトロンスパッタ法による成膜は、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下、圧力０．１Ｐａ以上２０Ｐａ以下で行われるのが好ましい。スパッタリング圧力は、より好ましくは０．２Ｐａ以上１５Ｐａ以下、さらに好ましくは０．３Ｐａ以上１０Ｐａ以下である。なお、上記圧力範囲の制御は、装置構造、容量、真空ポンプの排気容量、成膜電源の定格容量等に応じ、成膜電力、アルゴンガスの流量を調整することにより行えばよい。アルゴンガスの流量はスパッタリングチャンバーサイズ及び成膜条件に応じて適宜決定すればよく特に限定されない。また、スパッタリング電力は成膜の膜厚均一性、生産性等を考慮してターゲットの単位面積あたり１．０Ｗ／ｃｍ２以上１５．０Ｗ／ｃｍ２以下の範囲内で適宜設定すればよい。また、製膜時にキャリア温度を一定に保持するのが、安定した膜特性（例えば膜抵抗や結晶サイズ）を得やすい点で好ましい。成膜時のキャリア温度は２５℃以上３００℃以下の範囲内で調整することが好ましく、より好ましくは４０℃以上２００℃以下、さらに好ましくは５０℃以上１５０℃以下の範囲内である。
　第１金属層２６の物理気相堆積（ＰＶＤ）法（好ましくはスパッタリング法）による成膜は、Ａｕ及びＰｔからなる群から選択される少なくとも１種の金属で構成されるターゲットを用いてアルゴン等の不活性雰囲気下で行われるのが好ましい。ターゲットは金属又は合金で構成されるのが好ましいが、不可避不純物を含みうる。ターゲットの純度は９９．９％以上が好ましく、より好ましくは９９．９９％、さらに好ましくは９９．９９９％以上である。第１金属層２６の気相成膜時の温度上昇を避けるため、スパッタリングの際、ステージの冷却機構を設けてもよい。また、異常放電やプラズマ照射不良などの稼働不良なく、安定的に成膜する観点から成膜時の圧力は０．１Ｐａ以上２０Ｐａ以下の範囲で行うことが好ましい。この圧力範囲は、装置構造、容量、真空ポンプの排気容量、成膜電源の定格容量等に応じ、成膜電力、アルゴンガスの流量を調整することで設定すればよい。また、スパッタリング電力は成膜の膜厚均一性、生産性等を考慮してターゲットの単位面積あたり０．０５Ｗ／ｃｍ２以上１０．０Ｗ／ｃｍ２以下の範囲内で適宜設定すればよい。
　ミリ波アンテナ基板の製造方法
　本発明のキャリア付金属箔１０はミリ波アンテナ基板の製造に用いられるのが好ましい。すなわち、本発明の好ましい態様によれば、前述したキャリア付金属箔１０を用いてミリ波アンテナ基板を製造することを含む、ミリ波アンテナ基板の製造方法、あるいは前述したキャリア付金属箔１０を用いて得られたミリ波アンテナ基板が提供される。本発明のキャリア付金属箔１０を用いることで、前述したように伝送損失及び抵抗が望ましく低減されたミリ波アンテナ基板を提供することができる。以下、本発明のキャリア付金属箔１０を用いたミリ波アンテナ基板の好ましい製造方法の一例について説明する。この方法は、（１）キャリア付金属箔に絶縁層及び配線層を積層して回路形成を行い、（２）ＩＣチップを実装し、（３）キャリアを剥離し、（４）第２金属層（存在する場合）のエッチング除去を行った後、（５）パターニングによりアンテナ形成を行うことを含む。
（１）回路形成
　キャリア付金属箔１０を用意し（図３（ｉ））、このキャリア付金属箔１０の第１金属層２６側（存在する場合にはバリア層２８側）の表面に絶縁層及び配線層を積層して回路基板３０が形成された積層体３２を得る（図３（ｉｉ））。回路基板３０の形成手法は特に限定されるものではなく、例えば特許文献１に示されるような公知のコアレスビルドアップ法により所望の絶縁層及び配線層を形成することができる。ミリ波アンテナ基板における干渉を低減するために、回路基板３０における絶縁樹脂（絶縁層）の厚さは１００μｍ以上とするのが好ましく、より好ましくは２００μｍ以上５００μｍ以下である。絶縁樹脂の好ましい例としては、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、ポリフェニレンエーテル樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。例えば、絶縁樹脂として味の素ファインテクノ株式会社製のＡＢＦ－ＧＸＴ３１を好ましく用いることができる。絶縁層には絶縁性を向上する等の観点からシリカ、アルミナ等の各種無機粒子からなるフィラー粒子等が含有されていてもよい。また、絶縁層は複数の層で構成されていてもよい。
（２）ＩＣチップの実装
　回路基板３０の外側表面（すなわちキャリア付金属箔１０と反対側の表面）にミリ波用のＩＣチップ３４を実装する（図３（ｉｉｉ））。なお、本明細書において、「ミリ波」とは、２４ＧＨｚ以上３００ＧＨｚ以下の周波数の電波を指すものとする。また、本明細書において、「ＩＣ（集積回路）」は、ＣＰＵ（中央処理装置）、ＤＳＰ（デジタルシグナルプロセッサ）、メモリ、ＰＭＩＣ（パワーマネジメントＩＣ）、ＲＦＩＣ（高周波集積回路（例えばＧＰＳ（全地球測位システム））等の各種ＩＣを幅広く包含するものである。チップ実装の方式の例としては、フリップチップ実装方式、ダイボンディング方式等が挙げられる。フリップチップ実装方式は、ＩＣチップ３４の実装パッドと、回路基板３０の配線層との接合を行う方式である。この実装パッド上には柱状電極（ピラー）やはんだバンプ等が形成されてもよく、実装前に回路基板３０の表面に封止樹脂膜であるＮＣＦ（Ｎｏｎ－Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ）等を貼り付けてもよい。接合は、はんだ等の低融点金属を用いて行われるのが好ましいが、異方導電性フィルム等を用いてもよい。ダイボンディング接着方式は、配線層に対して、ＩＣチップ３４の実装パッド面と反対側の面を接着する方式である。この接着には、熱硬化樹脂と熱伝導性の無機フィラーを含む樹脂組成物である、ペーストやフィルムを用いるのが好ましい。ＩＣチップ３４はエポキシ樹脂等の公知の封止材を用いて樹脂封止されるのが好ましい。
（３）キャリアの剥離
　ＩＣチップ３４が実装された積層体３２から、キャリア１２を剥離機能層１４とともに炭素層２２の位置で剥離する（図４（ｉｖ））。こうすることで、第２金属層２４（存在する場合）が積層体３２の外側表面に露出する。なお、前述した回路基板３０の形成時に厚い絶縁樹脂（例えば厚さ２００μｍ以上）を用いた場合、キャリア付金属箔は当該絶縁樹脂からの応力の影響を受けやすく、剥離強度が不安定となりうる。この点、前述したように、本発明のキャリア付金属箔１０は密着層１６及び剥離補助層１８の厚さが所定の範囲に制御されているため、キャリア１２の剥離を安定的に行うことが可能となる。
（４）第２金属層のエッチング除去
　第２金属層２４が存在する場合には、市販のエッチング液等を用いて積層体３２から第２金属層２４をエッチング除去して、第１金属層２６を積層体３２の外側表面に露出させる（図４（ｖ））。第２金属層２４のエッチングは公知の手法に基づき行えばよく、特に限定されない。
（５）アンテナ形成
　積層体３２の第１金属層２６側の表面（ＩＣチップ３４と反対側の表面）に対してパターニングを施すことにより、アンテナ３８が形成されたミリ波アンテナ基板４０を得る（図４（ｖｉ））。アンテナ３８の形成手法の一例としては、まず、積層体３２の第１金属層２６側の表面に感光性ドライフィルムを貼り付け、露光及び現像を行い、所定パターンのフォトレジスト層（図示せず）を形成する。第１金属層２６の露出表面（すなわちフォトレジスト層でマスキングされていない部分）に無電解めっき（例えば無電解Ａｕめっき）を行い、無電解めっき層３６を形成した後、フォトレジスト層を剥離する。こうすることで、第１金属層２６、存在する場合にはバリア層２８、及び無電解めっき層３６が配線パターン状に残ってアンテナ３８を形成する一方、配線パターンを形成しない部分の第１金属層２６が露出する。その後、露出した第１金属層２６の不要部分、及び存在する場合にはバリア層２８の不要部分をエッチング液で除去することにより、アンテナ３８が形成されたミリ波アンテナ基板４０を得ることができる。なお、従来のキャリア付銅箔を用いてミリ波アンテナ基板を作製する場合には、銅層と無電解めっき層（例えばＡｕ層）との密着性を確保すべく、無電解めっき層の形成を行う前に無電解Ｎｉめっき等を行うことを要し、これにより抵抗が高くなりうる。これに対して、本発明のキャリア付金属箔１０によれば、第１金属層２６をＡｕ等で構成することから無電解Ｎｉめっきが不要となり、結果としてミリ波アンテナ基板においてより一層低い抵抗を実現することができる。
　アンテナ３８の一部又は全部は埋め込み回路の形であってもよい。すなわち、上記（１）における樹脂積層前に、第１金属層２６、及び存在する場合にはバリア層２８に対してパターニングを施してもよく、こうすることで配線層の一部が埋め込み回路の形で表面に組み込まれた積層体３２を得ることができる（図５（ｉｉ））。なお、バリア層２８が存在しない場合には、上記パターニングを行う前に、第１金属層２６表面に対してスパッタリング等によりＮｉ薄膜等を形成しておくのが好ましい。その後、積層体３２に対して上記（２）～（５）の各種工程を行うことにより、アンテナ３８の一部又は全部が埋め込み回路であるミリ波アンテナ基板４０を得ることができる（図５及び６参照）。かかる手順にてミリ波アンテナ基板４０を作製する場合、上記（５）のアンテナ形成工程において、フォトレジスト層形成の前に無電解めっき（例えば無電解Ａｕめっき）を行ってシード層を形成しておくのが望ましい。
　本発明を以下の例によってさらに具体的に説明する。
　例１
　キャリア１２上に、密着層１６、剥離補助層１８、炭素層２２、第２金属層２４及び第１金属層２６をこの順に成膜してキャリア付金属箔１０を製造した。具体的な手順は以下のとおりである。
（１）キャリアの準備
　キャリア１２として厚さ１．１ｍｍのガラスシート（材質：ソーダライムガラス、算術平均粗さＲａ：０．６ｎｍ）を用意した。
（２）密着層の形成
　キャリア１２上に、密着層１６として厚さ５０ｎｍのチタン層をスパッタリング法により形成した。このスパッタリングは以下の装置を用いて以下の条件で行った。
・装置：枚葉式マグネトロンスパッタリング装置（キヤノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
・ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）のチタンターゲット（純度９９．９９９％）
・到達真空度：１×１０－４Ｐａ未満
・スパッタリング圧：０．３５Ｐａ
・スパッタリング電力：１０００Ｗ（３．１Ｗ／ｃｍ２）
・成膜時温度：４０℃
（３）剥離補助層の形成
　密着層１６のキャリア１２とは反対の面側に、剥離補助層１８として厚さ２００ｎｍの銅層をスパッタリング法により形成した。このスパッタリングは以下の装置を用いて以下の条件で行った。
・装置：枚葉式ＤＣスパッタリング装置（キヤノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
・ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）の銅ターゲット（純度９９．９８％）
・到達真空度：１×１０－４Ｐａ未満
・ガス：アルゴンガス（流量：１００ｓｃｃｍ）
・スパッタリング圧：０．３５Ｐａ
・スパッタリング電力：１０００Ｗ（６．２Ｗ／ｃｍ２）
・成膜時温度：４０℃
（４）炭素層の形成
　剥離補助層１８の密着層１６とは反対の面側に、炭素層２２として厚み６ｎｍのアモルファスカーボン層をスパッタリング法により形成した。このスパッタリングは以下の装置を用いて以下の条件で行った。
・装置：枚葉式ＤＣスパッタリング装置（キヤノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
・ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）の炭素ターゲット（純度９９．９９９％）
・到達真空度：１×１０－４Ｐａ未満
・ガス：アルゴンガス（流量：１００ｓｃｃｍ）
・スパッタリング圧：０．３５Ｐａ
・スパッタリング電力：２５０Ｗ（０．７Ｗ／ｃｍ２）
・成膜時温度：４０℃
（５）第２金属層の形成
　炭素層２２の剥離補助層１８とは反対の面側に、第２金属層２４として厚さ１００ｎｍのチタン層を以下の装置及び条件でスパッタリングにより形成した。
・装置：枚葉式ＤＣスパッタリング装置（キヤノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
・ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）のチタンターゲット（純度９９．９９９％）
・キャリアガス：アルゴンガス（流量：１００ｓｃｃｍ）
・到達真空度：１×１０－４Ｐａ未満
・スパッタリング圧：０．３５Ｐａ
・スパッタリング電力：１０００Ｗ（３．１Ｗ／ｃｍ２）
（６）第１金属層の形成
　第２金属層２４の剥離補助層１８とは反対の面側に、第１金属層２６として厚さ３００ｎｍのＡｕ層をスパッタリング法により形成した。このスパッタリングは以下の装置を用いて以下の条件で行った。
・装置：枚葉式ＤＣスパッタリング装置（キヤノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
・ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）の金ターゲット（純度９９．９９％）
・到達真空度：１×１０－４Ｐａ未満
・ガス：アルゴンガス（流量：１００ｓｃｃｍ）
・スパッタリング圧：０．３５Ｐａ
・スパッタリング電力：１０００Ｗ（３．１Ｗ／ｃｍ２）
・成膜時温度：４０℃
　例２
　上記（６）の第１金属層２６の形成後、バリア層２８の形成を以下のように行ったこと以外は、例１と同様にしてキャリア付金属箔の作製を行った。
（７）バリア層の形成
　第１金属層２６の第２金属層２４とは反対の面側に、バリア層として厚さ３０ｎｍのニッケル層をスパッタリング法により形成した。このスパッタリングは以下の装置を用いて以下の条件で行った。
・装置：枚葉式ＤＣスパッタリング装置（キヤノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
・ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）のニッケルターゲット（純度９９．９％）
・キャリアガス：アルゴンガス（流量：１００ｓｃｃｍ）
・到達真空度：１×１０－４Ｐａ未満
・スパッタリング圧：０．３５Ｐａ
・スパッタリング電力：１０００Ｗ（３．１Ｗ／ｃｍ２）
　例３（比較）
　第１金属層２６としてＡｕ層の代わりに銅層を形成すべく、スパッタリングターゲットを銅ターゲット（純度９９．９８％）としたこと以外は、例１と同様にしてキャリア付金属箔の作製を行った。
　例４
　第２金属層２４及びバリア層２８としてチタン層又はニッケル層の代わりにタンタル層を形成すべく、スパッタリングターゲットをタンタルターゲット（純度９９．９％）としたこと以外は、例２と同様にしてキャリア付金属箔の作製を行った。
　例５
　第２金属層２４としてチタン層の代わりにニッケル層を形成すべく、スパッタリングターゲットをニッケルターゲット（純度９９．９％）としたこと以外は、例２と同様にしてキャリア付金属箔の作製を行った。
　例６
　第２金属層２４及びバリア層２８としてチタン層又はニッケル層の代わりにタングステン層を形成すべく、スパッタリングターゲットをタングステンターゲット（純度９９．９％）としたこと以外は、例２と同様にしてキャリア付金属箔の作製を行った。
　例７
　第２金属層２４及びバリア層２８としてチタン層又はニッケル層の代わりにクロム層を形成すべく、スパッタリングターゲットをクロムターゲット（純度９９．９％）としたこと以外は、例２と同様にしてキャリア付金属箔の作製を行った。
　例８
　第２金属層２４及びバリア層２８としてチタン層又はニッケル層の代わりにパラジウム層を形成すべく、スパッタリングターゲットをパラジウムターゲット（純度９９．９％）としたこと以外は、例２と同様にしてキャリア付金属箔の作製を行った。
　例９
　剥離補助層１８の厚さを３００ｎｍとしたこと以外は、例２と同様にしてキャリア付金属箔の作製を行った。
　例１０
　剥離補助層１８の厚さを１００ｎｍとしたこと以外は、例２と同様にしてキャリア付金属箔の作製を行った。
　例１１
　密着層１６の厚さを１００ｎｍとしたこと、及び剥離補助層１８の厚さを５０ｎｍとしたこと以外は、例２と同様にしてキャリア付金属箔の作製を行った。
　例１２
　密着層１６の厚さを１５０ｎｍとしたこと、及び剥離補助層１８の厚さを５００ｎｍとしたこと以外は、例２と同様にしてキャリア付金属箔の作製を行った。
　例１３（比較）
　密着層１６の厚さを１０ｎｍとしたこと、及び剥離補助層１８の厚さを３０ｎｍとしたこと以外は、例２と同様にしてキャリア付金属箔の作製を行った。
　例１４（比較）
　密着層１６の厚さを２００ｎｍとしたこと、及び剥離補助層１８の厚さを６００ｎｍとしたこと以外は、例２と同様にしてキャリア付金属箔の作製を行った。
　評価
　例１～１４のキャリア付金属箔１０について、以下に示されるとおり、各種評価を行った。評価結果は表１に示されるとおりであった。なお、表１中「－」と記載した箇所については該当する評価を実施していない。
＜評価１：剥離性＞
　キャリア付金属箔１０の剥離強度の測定を以下のように行った。まず、キャリア付金属箔１０の第１金属層２６（存在する場合にはバリア層２８）側の表面に、厚さ１８μｍのパネル電解銅めっきを施し、めっきアップ層を形成した。ここで、例１については、ＡｕとＣｕとの接着性を担保する目的で、パネル電解銅めっき前に無電解Ｎｉめっきを行った。めっきアップ層が形成されたキャリア付金属箔１０に対して、電子部品実装を想定した半田リフロー（２６０℃以上で２分間保持）の熱処理を行った後、室温まで自然冷却させて銅張積層板を得た。得られた銅張積層板に対して、ＪＩＳ　Ｃ　６４８１－１９９６に準拠して、めっきアップ層と一体となった複合金属層２０を剥離した時の剥離強度（ｇｆ／ｃｍ）を測定した。このとき、測定幅は５０ｍｍとし、測定長さは２０ｍｍとした。こうして得られた剥離強度（平均値）を以下の基準で格付け評価した。
‐評価Ａ：剥離強度が３ｇｆ／ｃｍ以上１０ｇｆ／ｃｍ以下
‐評価Ｂ：剥離強度が１ｇｆ／ｃｍ以上３０ｇｆ／ｃｍ以下（ただし評価Ａに該当するものは除く）
‐評価Ｃ：剥離強度が１ｇｆ／ｃｍ未満又は３０ｇｆ／ｃｍを超え５０ｇｆ／ｃｍ未満
‐評価Ｄ：剥離強度が５０ｇｆ／ｃｍ以上
＜評価２－１：伝送損失（樹脂積層後パターニング）＞
　例１～８のキャリア付金属箔１０について、図７及び８に示される手順により伝送損失測定用サンプル１１０を作製し、伝送損失の測定及び評価を行った。
　まず、厚さ３５μｍの絶縁樹脂フィルム（味の素ファインテクノ株式会社製、ＡＢＦ－ＧＸＴ３１、比誘電率３．４）を６枚積層して絶縁樹脂基材１０２とした（図７（ｉ））。この絶縁樹脂基材１０２の片面にキャリア付金属箔１０の第１金属層２６側（存在する場合にはバリア層２８側）を接合させ、真空プレス機を使用して、温度１００℃、圧力０．７ＭＰａ、プレス時間９０秒の条件で積層し、絶縁樹脂基材１０２の厚さｈが約２００μｍの金属張積層板１０４を得た（図７（ｉｉ））。
　次に、金属張積層板１０４の絶縁樹脂基材１０２側（キャリア付金属箔１０と反対側）の表面に、グランド層１０６として厚さ１８μｍのＣｕ箔を真空プレスにより接合した（図７（ｉｉｉ））。真空プレスは、温度１００℃、圧力０．７ＭＰａ、１２０秒の条件で行った。その後、絶縁樹脂基材１０２にキュアを施した。キュアは１７０℃、３０分で仮硬化させた後、２００℃、６０分で本硬化を行った。
　その後、金属張積層板１０４からキャリア１２を剥離機能層１４とともに炭素層２２の位置で剥離した（図８（ｉｖ））。金属張積層板１０４の片面側に露出した第２金属層２４をエッチングで除去することで、第１金属層２６を露出させた。こうして、第１金属層２６、絶縁樹脂基材１０２、及びグランド層１０６がこの順に積層された両面金属張積層板１０７を得た（図８（ｖ））。得られた両面金属張積層板１０７の第１金属層２６側の表面を水洗及び乾燥した。
　両面金属張積層板１０７の第１金属層２６側の表面に感光性ドライフィルム（図示せず）を貼り付け、露光、現像、及び無電解Ａｕめっきを行った。現像は、現像液として１．０重量％炭酸ナトリウム水溶液を用いて、２５℃で２分間、シャワー方式により行った。ドライフィルム（フォトレジスト層）を剥離した後、第１金属層２６（存在する場合には更にバリア層２８）の不要部分をエッチングで除去した。このようなパターニングを行うことで、シグナルライン１０８を形成し、特性インピーダンスが５０Ω、差動インピーダンスが１００Ωとなるマイクロストリップラインとした（図８（ｖｉ））。より具体的には、シグナルライン１０８の回路幅Ｗが０．４７ｍｍ、厚さｔが２０μｍとなるようにパターニングを行い、上記特性インピーダンス及び差動インピーダンスとすべく、必要に応じてさらにパターニングによる微調整を行った（図９）。なお、例３については、Ａｕ（無電解Ａｕめっき）とＣｕ（第１金属層２６）との密着性を担保すべく、無電解Ａｕめっき前に無電解Ｎｉめっきを行った。一方、グランド層１０６にはエッチングを施さなかった。こうして、マイクロストリップラインを有する伝送損失測定用サンプル１１０を得た（図８（ｖｉ）及び図９）。
　得られた伝送損失測定用サンプル１１０のマイクロストリップラインに対して、ベクターネットワークアナライザーを用いて、周波数１ＧＨｚから５０ＧＨｚまでの伝送損失を測定した。周波数５ＧＨｚにおける伝送損失Ｓ１、及び周波数５０ＧＨｚにおける伝送損失Ｓ２から伝送損失の比率Ｓ２１（＝（Ｓ２／Ｓ１）×１００（％））を求め、以下の基準で格付け評価した。
‐評価Ａ：伝送損失の比率Ｓ２１が３３０％以下。
‐評価Ｂ：伝送損失の比率Ｓ２１が３３０％より大きく、４５０％以下。
‐評価Ｃ：伝送損失の比率Ｓ２１が４５０％より大きい。
＜評価２－２：伝送損失（樹脂積層前パターニング）＞
　例１～３及び９～１４のキャリア付金属箔１０について、図１０及び１１に示される手順により伝送損失測定用サンプル１１０’を作製し、伝送損失の測定及び評価を行った。
　まず、キャリア付金属箔１０の第１金属層２６側（存在する場合にはバリア層２８側）の表面を水洗及び乾燥した。キャリア付金属箔１０の第１金属層２６側（存在する場合にはバリア層２８側）の表面に感光性ドライフィルムを貼り付け、露光及び現像を行ってフォトレジスト層（図示せず）を形成した。第１金属層２６（存在する場合には更にバリア層２８）の不要部分をエッチングで除去することでシグナルライン用の回路１０３を形成し、その後フォトレジスト層を剥離した（図１０（ｉ））。
　次いで、厚さ３５μｍの絶縁樹脂フィルム（味の素ファインテクノ株式会社製、ＡＢＦ－ＧＸＴ３１、比誘電率３．４）を６枚積層した絶縁樹脂基材１０２を用意した。この絶縁樹脂基材１０２の片面に、回路１０３が形成されたキャリア付金属箔１０のキャリア１２と反対側（回路１０３が形成された側）の面を接合させ、真空プレス機を使用して、温度１００℃、圧力０．７ＭＰａ、プレス時間９０秒の条件で積層した。こうして、絶縁樹脂基材１０２の厚さｈが約２００μｍの金属張積層板１０４’を得た（図１０（ｉｉ））。
　次に、金属張積層板１０４’の絶縁樹脂基材１０２側（キャリア付金属箔１０と反対側）の表面に、グランド層１０６として厚さ１８μｍのＣｕ箔を真空プレスにより接合した（図１０（ｉｉｉ））。真空プレスは、温度１００℃、圧力０．７ＭＰａ、１２０秒の条件で行った。その後、絶縁樹脂基材１０２にキュアを施した。キュアは１７０℃、３０分で仮硬化させた後、２００℃、６０分で本硬化を行った。
　その後、金属張積層板１０４’からキャリア１２を剥離機能層１４とともに炭素層２２の位置で剥離した（図１１（ｉｖ））。金属張積層板１０４’の片面側に露出した第２金属層２４をエッチングで除去して、回路１０３を露出させた（図１１（ｖ））。
　金属張積層板１０４’の回路１０３側（グランド層１０６と反対側）の表面に感光性ドライフィルム（図示せず）を貼り付け、回路１０３以外の部分がレジストで覆われるように露光及び現像を行った。レジストで覆われていない回路１０３上に無電解Ａｕめっきを行い、その後ドライフィルム（フォトレジスト層）を剥離した。このようなパターニングを行うことで、シグナルライン１０８’を形成し、特性インピーダンスが５０Ω、差動インピーダンスが１００Ωとなるマイクロストリップラインとした（図１１（ｖｉ））。より具体的には、シグナルライン１０８’の回路幅Ｗが０．４７ｍｍ、厚さｔが２０μｍとなるようにパターニングを行い、上記特性インピーダンス及び差動インピーダンスとすべく、必要に応じてさらにパターニングによる微調整を行った。なお、例３については、Ａｕ（無電解Ａｕめっき）とＣｕ（回路１０３）との密着性を担保すべく、無電解Ａｕめっき前に無電解Ｎｉめっきを行った。このようにしてシグナルライン１０８’の一部（すなわち回路１０３）が絶縁樹脂基材１０２の表面に組み込まれた形のマイクロストリップラインを有する伝送損失測定用サンプル１１０’を得た（図１１（ｖｉ））。
　得られた伝送損失測定用サンプル１１０’のマイクロストリップラインに対して、ベクターネットワークアナライザー（Ａｇｉｌｅｎｔ社製、ＶＮＡ　Ｅ５０７１Ｃ）を用いて、周波数１ＧＨｚから５０ＧＨｚまでの伝送損失を測定した。周波数５ＧＨｚにおける伝送損失Ｓ１、及び周波数５０ＧＨｚにおける伝送損失Ｓ２から伝送損失の比率Ｓ２１（＝（Ｓ２／Ｓ１）×１００（％））を求め、以下の基準で格付け評価した。
‐評価Ａ：伝送損失の比率Ｓ２１が３３０％以下。
‐評価Ｂ：伝送損失の比率Ｓ２１が３３０％より大きく、４５０％以下。
‐評価Ｃ：伝送損失の比率Ｓ２１が４５０％より大きい。
＜評価３－１：選択エッチング性（樹脂積層後パターニング）＞
　例１～８のキャリア付金属箔１０について、配線パターン付きのコアレス支持体を作製し、選択エッチング性の測定及び評価を行った。
　まず、評価２－１と同様の手順により、第１金属層２６、絶縁樹脂基材１０２、及びグランド層１０６がこの順に積層された両面金属張積層板１０７を得た。両面金属張積層板１０７の第１金属層２６側の表面を水洗及び乾燥した。両面金属張積層板１０７の第１金属層２６側の表面に感光性ドライフィルムを貼り付け、ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）＝５μｍ／５μｍのパターンを与えるように露光及び現像を行ってフォトレジスト層を形成した。現像は、現像液として１．０重量％炭酸ナトリウム水溶液を用いて、２５℃で２分間、シャワー方式により行った。第１金属層２６の露出表面（すなわちフォトレジスト層でマスキングされていない部分）に対して無電解Ａｕめっきを施した後、フォトレジスト層を剥離した。こうすることで、第１金属層２６、存在する場合にはバリア層２８、及び無電解Ａｕめっき層が配線パターン状に残る一方、配線パターンを形成しない部分の第１金属層２６が露出した。
　その後、露出した第１金属層２６の不要部分、及び存在する場合にはバリア層２８の不要部分をエッチング除去することにより、配線パターン付きのコアレス支持体を形成した。得られた配線パターンの断面形状をＳＥＭ観察し、図１２に示されるように、絶縁樹脂基材１０２に対する配線パターン１１２のエッジ部分の角度θを測定した。求めたエッジ部分の角度θを以下の基準で格付け評価した。
‐評価Ａ：エッジ部分の角度θが８７°以上９３°以下
‐評価Ｂ：エッジ部分の角度θが８０°以上８７°未満、又は９３°より大きく１００°以下。
‐評価Ｃ：エッジ部分の角度θが６０°以上８０°未満、又は１００°より大きく１２０°以下。
‐評価Ｄ：エッジ部分の角度θが６０°未満、又は１２０°より大きい。
＜評価３－２：選択エッチング性（樹脂積層前パターニング）＞
　例１～３及び９～１４のキャリア付金属箔１０について、図１３及び１４に示される手順により配線パターン付きのコアレス支持体１１６を作製し、選択エッチング性を測定及び評価した。
　まず、キャリア付金属箔１０の第１金属層２６側（存在する場合にはバリア層２８側）の表面を水洗及び乾燥した。キャリア付金属箔１０の第１金属層２６側（存在する場合にはバリア層２８側）の表面に感光性ドライフィルムを貼り付け、露光及び現像を行ってフォトレジスト層（図示せず）を形成した。第１金属層２６（存在する場合には更にバリア層２８）の不要部分をエッチングで除去することでライン／スペース（Ｌ／Ｓ）＝５μｍ／５μｍの回路１０５を形成し、その後フォトレジスト層を剥離した（図１３（ｉ））。
　次いで、厚さ３５μｍの絶縁樹脂フィルム（味の素ファインテクノ株式会社製、ＡＢＦ－ＧＸＴ３１、比誘電率３．４）を６枚積層した絶縁樹脂基材１０２を用意した。この絶縁樹脂基材１０２の片面に、回路１０５が形成されたキャリア付金属箔１０のキャリア１２と反対側（回路１０５が形成された側）の面を接合させ、真空プレス機を使用して、温度１００℃、圧力０．７ＭＰａ、プレス時間９０秒の条件で積層した。こうして、絶縁樹脂基材１０２の厚さｈが約２００μｍの金属張積層板１１４を得た（図１３（ｉｉ））。
　その後、評価２－２と同様の手順により、金属張積層板１１４の絶縁樹脂基材１０２側（キャリア付金属箔１０と反対側）の表面に、グランド層１０６として厚さ１８μｍのＣｕ箔を真空プレスにより接合した（図１３（ｉｉｉ））。金属張積層板１１４からキャリア１２を剥離機能層１４とともに炭素層２２の位置で剥離した（図１４（ｉｖ））。金属張積層板１１４の片面側に露出した第２金属層２４をエッチングで除去して、回路１０５を露出させた（図１４（ｖ））。金属張積層板１１４の回路１０５側の表面を水洗及び乾燥した。
　さらにその後、金属張積層板１１４の回路１０５側（グランド層１０６と反対側）の表面に感光性ドライフィルム（図示せず）を貼り付け、回路１０５以外の部分がレジストで覆われるように露光及び現像を行った。現像は評価３－１と同様の条件で行った。レジストで覆われていない回路１０５上に無電解Ａｕめっきを施し、その後ドライフィルム（フォトレジスト層）を剥離した。こうして、ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）＝５μｍ／５μｍの配線パターン１１２を有するコアレス支持体１１６を形成した（図１４（ｖｉ））。得られた配線パターンの断面形状をＳＥＭ観察し、図１２に示されるように、絶縁樹脂基材１０２に対する配線パターン１１２のエッジ部分の角度θを測定した。求めたエッジ部分の角度θを評価３－１と同様の基準で格付け評価した。
＜評価４：Ｃｕめっき接続抵抗＞
　例１、２及び４～１４のキャリア付金属箔１０について、図１５に示される手順により接続抵抗測定用サンプル１２４を作製し、Ｃｕめっき接続抵抗を評価した。
　まず、キャリア付金属箔１０の第１金属層２６側（存在する場合にはバリア層２８側）を厚さ３５μｍの絶縁樹脂フィルム１０１（味の素ファインテクノ株式会社製、ＡＢＦ－ＧＸＴ３１、比誘電率３．４）に接合させ、真空プレス及び絶縁樹脂フィルムのキュアを施して、金属張積層板１１８を得た（図１５（ｉ））。ここで、真空プレス及び絶縁樹脂フィルム１０１のキュアは、評価２－１における金属張積層板１０４とグランド層１０６の接合と同様の条件で行った。また、図１５（ｉ）に示されるように、後述するＩ－Ｖ測定を実施するため、金属張積層板１１８には第１金属層２６（存在する場合にはバリア層２８）が露出する（すなわち絶縁樹脂フィルム１０１を接合させない）領域Ｒを設けた。
　次いで、金属張積層板１１８に対して、ＣＯ２レーザーを用いて、絶縁樹脂フィルム１０１を貫通して第１金属層２６（存在する場合にはバリア層２８）に到達する直径３０μｍのビアＶを形成した（図１５（ｉｉ））。その後、ビアＶ底部から絶縁樹脂フィルム１０１の表面を覆うまでＣｕめっき１２０を施した（図１５（ｉｉｉ））。Ｃｕめっき１２０は、絶縁樹脂フィルム１０１の表面、ビアＶの側面、及びビアＶの底面に厚さ１μｍ程度の無電解Ｃｕめっきを行った後、電解Ｃｕめっきにてビアフィルを行うことにより形成した。Ｃｕめっき１２０の厚さは５５μｍ（ビアＶ部分が約３５μｍ、及び絶縁樹脂フィルム１０１の表面を覆う部分が約２０μｍ）とした。金属張積層板１１８のＣｕめっき１２０表面に感光性ドライフィルムを張り付け、露光及び現像により、ビアＶ部分を覆うように３００μｍ×３００μｍのフォトレジスト層（図示せず）を形成した。Ｃｕめっき１２０の不要部分（すなわちフォトレジスト層で覆われていない部分）をエッチングで除去し、その後フォトレジスト層を剥離することで、Ｃｕ電極１２２が形成された接続抵抗測定用サンプル１２４を得た（図１５（ｉｖ））。
　得られた接続抵抗測定用サンプル１２４に対して、第１金属層２６（存在する場合にはバリア層２８）及びＣｕ電極１２２のＩ－Ｖ測定を実施し、Ｃｕめっきの接続抵抗（ＨＡＳＴ試験前抵抗Ｒ１）を算出した（図１６参照）。測定は四端子法を用いて行った。接続抵抗測定用サンプル１２４に対してＨＡＳＴ試験（８５℃、８５％ＲＨ、２００時間）を行った後、第１金属層２６（存在する場合にはバリア層２８）及びＣｕ電極１２２のＩ－Ｖ測定を再度実施し、ＨＡＳＴ試験後のＣｕめっきの接続抵抗（ＨＡＳＴ試験後抵抗Ｒ２）を算出した。ＨＡＳＴ試験前後抵抗増加率（＝（（Ｒ２－Ｒ１）／Ｒ１）×１００（％））を求め、以下の基準で格付け評価した。なお、接続抵抗測定用サンプル１２４は４つ準備し、各々の結果の平均値を評価に用いた。
‐評価Ａ：ＨＡＳＴ試験前後抵抗増加率が１０％以下。
‐評価Ｂ：ＨＡＳＴ試験前後抵抗増加率が１０％より大きく２０％以下。
‐評価Ｃ：ＨＡＳＴ試験前後抵抗増加率が２０％より大きく５０％以下。
‐評価Ｄ：ＨＡＳＴ試験前後抵抗増加率が５０％より大きい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
  

 

Claims (11)

  1. （ａ）キャリアと、
    （ｂ）前記キャリア上に設けられる剥離機能層であって、
    　（ｂ１）前記キャリアに近い側の、厚さが１０ｎｍを超え２００ｎｍ未満である密着層、及び
    　（ｂ２）前記キャリアから遠い側の、厚さが５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である剥離補助層を含む、剥離機能層と、
    （ｃ）前記剥離機能層上に設けられる複合金属層であって、
    　（ｃ１）前記剥離補助層に近い側の炭素層、及び
    　（ｃ２）前記剥離補助層から遠い側の、主としてＡｕ又はＰｔで構成される第１金属層を含む、複合金属層と、
    を備えた、キャリア付金属箔。
  2. 　前記キャリアが、ガラス、シリコン、又はセラミックスで構成される、請求項１に記載のキャリア付金属箔。
  3. 　前記剥離機能層が、前記密着層及び／又は前記剥離補助層として、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｚｎ、Ｗ、ＴｉＮ、及びＴａＮからなる群から選択される少なくとも１種を８０原子％以上含む層を少なくとも１層備える、請求項１又は２に記載のキャリア付金属箔。
  4. 　前記密着層の厚さＴ１に対する前記剥離補助層の厚さＴ２の比であるＴ２／Ｔ１が１を超え２０以下である、請求項１～３のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔。
  5. 　前記炭素層がアモルファスカーボンを含む、請求項１～４のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔。
  6. 　前記第１金属層が５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下の厚さを有する、請求項１～５のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔。
  7. 　前記複合金属層が、
    　（ｃ３）前記炭素層と前記第１金属層との間に設けられ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｗ、Ｃｒ、及びＰｄからなる群から選択される少なくとも１種を５０原子％以上含む第２金属層をさらに含む、請求項１～６のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔。
  8. 　前記第２金属層が５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の厚さを有する、請求項７に記載のキャリア付金属箔。
  9. 　前記複合金属層が、
    　（ｃ４）前記第１金属層の前記炭素層から遠い側の面に設けられ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｗ、Ｃｒ、及びＰｄからなる群から選択される少なくとも１種を合計で５０原子％以上含むバリア層をさらに含む、請求項１～８のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔。
  10. 　ミリ波アンテナ基板の製造に用いられる、請求項１～９のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔。
  11. 　請求項１～９のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔を用いてミリ波アンテナ基板を製造することを含む、ミリ波アンテナ基板の製造方法。

     
PCT/JP2019/045286 2018-11-20 2019-11-19 キャリア付金属箔、及びそれを用いたミリ波アンテナ基板の製造方法 WO2020105638A1 (ja)

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