CN100444292C - 具有小尺寸及简单结构的片式固体电解质电容器 - Google Patents
具有小尺寸及简单结构的片式固体电解质电容器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN100444292C CN100444292C CNB2004100035543A CN200410003554A CN100444292C CN 100444292 C CN100444292 C CN 100444292C CN B2004100035543 A CNB2004100035543 A CN B2004100035543A CN 200410003554 A CN200410003554 A CN 200410003554A CN 100444292 C CN100444292 C CN 100444292C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- terminal
- anode
- anode terminal
- cathode
- solid electrolytic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 66
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 66
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000005242 forging Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract 5
- 238000004382 potting Methods 0.000 claims description 54
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 38
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 12
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 7
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 claims description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- ROSDCCJGGBNDNL-UHFFFAOYSA-N [Ta].[Pb] Chemical compound [Ta].[Pb] ROSDCCJGGBNDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101100400452 Caenorhabditis elegans map-2 gene Proteins 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000010273 cold forging Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical compound [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 150000003481 tantalum Chemical class 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/008—Terminals
- H01G9/012—Terminals specially adapted for solid capacitors
-
- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E04—BUILDING
- E04G—SCAFFOLDING; FORMS; SHUTTERING; BUILDING IMPLEMENTS OR AIDS, OR THEIR USE; HANDLING BUILDING MATERIALS ON THE SITE; REPAIRING, BREAKING-UP OR OTHER WORK ON EXISTING BUILDINGS
- E04G11/00—Forms, shutterings, or falsework for making walls, floors, ceilings, or roofs
- E04G11/36—Forms, shutterings, or falsework for making walls, floors, ceilings, or roofs for floors, ceilings, or roofs of plane or curved surfaces end formpanels for floor shutterings
- E04G11/48—Supporting structures for shutterings or frames for floors or roofs
- E04G11/50—Girders, beams, or the like as supporting members for forms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/08—Housing; Encapsulation
- H01G9/10—Sealing, e.g. of lead-in wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S257/00—Active solid-state devices, e.g. transistors, solid-state diodes
- Y10S257/924—Active solid-state devices, e.g. transistors, solid-state diodes with passive device, e.g. capacitor, or battery, as integral part of housing or housing element, e.g. cap
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/43—Electric condenser making
- Y10T29/435—Solid dielectric type
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Architecture (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Civil Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
在一种片式固体电解质电容器中含有：一电容元件和覆盖该电容元件的一封装树脂，该封装树脂具有安装表面和邻接于该安装表面的侧表面。一端子与电容元件电连接并与所述封装树脂结合，该端子沿该安装表面及该侧表面延伸而具有从该封装树脂露出的一外表面和具有与端子外表面相对的一内表面。该内表面具有通过锻制形成的一台阶式形状。
Description
本申请要求先前的日本申请JP2003-16177的优先权，其公开被包含在本文中作参考。
技术领域
本发明涉及一片式固体电解质电容器及其制造方法。
背景技术
一片式固体电解质电容器的实例包括：一电容元件，覆盖该电容元件的一封装树脂，和电连接于该电容元件并结合于该封装树脂的阳极端子及阴极端子。该封装树脂具有一安装表面和邻接于该安装表面的一侧面。该形式的片式固体电解质电容器公开于日本未经审查的专利申请公布NO：291079/1993中并将联系附图详细描述。
在尝试减小这一种片式固体电解质电容器的尺寸及高度的情况下，该阳极及阴极端子对该片式固体电解质电容器的容积比增大了。当该阳极端子及该阴极端子的容积比增大了时，对电容量有影响的该电容元件的一部分容积相对于该电容器总容积之比，即容积效率，下降了。例如，当该电容器(封装树脂)的厚度(高度)为0.8mm时，电容元件的该容积效率可能低至20％或更低。
发明内容
因此本发明的一目的是提供一种片式固体电解质电容器，该电容器具有：小尺寸及简单结构和对电容量有影响的该电容元件的一部分相对于该电容器总容积的高容积效率。
本发明的另一个目的是提供能容易地制造这样一种片式固体电解质电容器的一种方法。
根据本发明的一个方面，提供了一种片式固体电解质电容器，该电容器包括：一电容元件；覆盖该电容元件并具有一安装表面和邻接于该安装表面的一侧面的一封装树脂；和电连接于该电容元件及结合于该封装树脂的一端子，该端子沿该安装表面及该侧表面延伸以具有从该封装树脂露出的一外表面和具有与该端子外表面相对的一内表面，该内表面具有通过锻造制成的一台阶式形状。
根据本发明的另一个方面，提供了一种片式固体电解质电容器，该电容器包括：具有一阳极引线及一阴极层的一电容元件；覆盖该电容元件并具有一安装表面和邻接该安装表面且彼此相对的各侧面的一封装树脂；电连接于该阳极引线并结合于该封装树脂的一阳极端子；和电连接于该阴极层并结合于该封装树脂的一阴极端子；每个阳极端子及阴极端子沿该安装表面及每个侧表面延伸以具有从该封装树脂露出的一外表面和具有与该侧表面相对的一内表面，该内表面具有通过锻造制成的一台阶式形状。
根据本发明还有的另一个方面，提供了制造一片式固体电解质电容器的一种方法，该电容器包括：具有一阳极引线及一阴极层的一电容元件；覆盖该电容元件并具有一安装表面和邻接该安装表面并彼此相对的多个侧面的一封装树脂；电连接于该阳极引线并结合于该封装树脂的一阳极端子；和电连接于该阴极层并结合于该封装树脂的一阴极端子；该方法包括：制备具有一阳极端子形成部分及一阴极端子形成部分的一引线架；在该阳极端子形成部分的一部分上锻制一台阶式形状；把该阳极引线连接于该阳极端子形成部分；把该阴极层连接于该阴极端子形成部分；除去该阳极端子形成部分的一部分及阴极端子形成部分的一部分之外，用一封装树脂覆盖该电容元件；和从该引线架上切出该片式固体电解质电容器。
通过阅读本说明书的详细说明，本发明的其它目的、特点及优点将变得明显起来。
附图说明
图1是显示现有的片式固体电解质电容器一实例的一横剖视图；
图2是显示根据本发明的一优先实施例的一片式固体电解质电容器的一横剖面视图；
图3是显示图2所图示的片式固体电解质电容器的一内部立体视图；
图4是显示图2所图示的片式固体电解质电容器的一立体视图；
图5A至5D是描述根据本发明制造片式固体电解质电容器的一种方法的各视图；
图6A及图6B分别是描述根据不同的实施例、在图5A至5D的步骤之后的步骤的立体视图；
图7是描述图6A步骤之后的步骤的立体视图；
图8A是图7所图示的一阳极端子形成部分的一侧视图，并与图6A相对应；
图8B是类似于图8A的一侧视图，但对应的是图6B；
图9A及9B是描述图7所图示的步骤之后的步骤的视图；和
图10A至10D是显示根据本发明的各种实施例的片式固体电解质电容器的各视图；
具体实施方式
为了易于理解本发明，将首先对上面提及的现有的片式固体电解质电容器进行说明。
参考图1，该现有的片式固体电解质电容器包括：使用阀金属的一电容器元件101；一阳极端子104；一阴极端子105；和一封装树脂103。
该电容元件101具有：沿轴向制成在一个端部及另一个端部的第一及第二元件端表面101a及101b，和一元件周边表面101c，表面101c制成在该第一及第二元件端表面101a及101b之间并设置有从该第一元件端表面101a引出的一阳极引线102a；以及制在该元件周边表面101c及该第二元件端表面101b上的一阴极表面(阴极层)102b。
按如下方法来制造片式固体电解质电容器。一端子架107的一阴极端子105被连接于预先通过一导电粘合剂制备的电容元件101的阴极表面102b。该电容元件101的阳极引线102a与该端子架107的阳极端子104互相接触的一接触区域被焊接起来。该电容元件101及该端子架107通过模压用树脂覆盖，使得该阳极端子架107的一部分露出。该端子架107沿着该封装树脂103的一外表面弯曲。于是，制成了该电容器。
上面提及的现有的片式固体电解质电容器具有本说明书的技术背景中提及的这种缺点。
现在将参考附图来描述根据本发明的一实施例的一片式固体电解质电容器。
参考图2至4，根据本发明的一实施例的一片式固体电解质电容器适于安装在一电子装置或电子设备上。在稍后将详细描述的方式中，该片式固体电解质电容器包括：使用阀金属的一电容元件11；一阳极端子14；一阴极端子17；和一封装树脂13。
该电容元件11具有：沿一轴向制成在一个端部及另一个端部的第一及第二元件端表面11a及11b，和一元件周边表面11c，表面11c制在该第一及第二元件端表面11a及11b之间，并且电容元件11设置有从该第一元件端表面11a引出的一阳极引线12a，和制在该元件周边表面11c及该第二元件端表面11b上的一阴极表面(阴极层)12b。
该阳极端子14连接于该电容元件的该阳极引线12a。该阴极端子17连接于该电容元件的阴极表面12。
该封装树脂13覆盖该电容元件11，同时露出一部分阳极端子14和一部分阴极端子17的。这些部分彼此相邻。还有，该封装树脂13设置有第一及第二封装端(侧)表面19a及19b和制成在该第一及第二封装端表面19a及19b之间的一封装周边表面。该封装周边表面包含一安装表面18，其用于把该电容器安装到一电路板(未图示)的一安装表面上。
此外，该阳极端子14具有通过锻制(冷锻或热锻)、冲制或蚀刻而成的台阶式形状。该台阶式形状由一第二阳极端子台阶14b及一第一阳极端子台阶14a构成，第二阳极端子台阶14b的一部分从该安装表面18露出，第一阳极端子台阶14a一部分从该第一封装表面19a露出。
该第二阳极端子台阶14b支承该封装树脂13中的该电容元件11的该阴极表面12b，该封装树脂13具有与该阳极端子14电绝缘的阴极表面12b。
该第一阳极端子台阶14a具有的厚度比第二阳极端子台阶14b的大并通过与该阳极端子14电连接的阴极表面，支承着该封装树脂13中的该电容元件11的该阴极表面12b。
该阴极端子17从该安装表面18的一部分和该封装端表面19b的一部分上露出。这些部分彼此相邻。
该阴极端子17具有一台阶式形状。该台阶式形状由一第二阴极端子台阶17b及一第一阴极端子台阶17a构成，第二阴极端子台阶17b的一部分露出于该安装表面18，第一阴极端子台阶17a一部分露出于该第二封装端表面19b。
该第二阴极端子台阶17b支承着该封装树脂13内的该电容元件11的该阴极表面12b，该封装树脂13具有电连接于该阴极端子17的阴极表面12b。
该第一阴极端子台阶17a具有的厚度大于第二阴极端子台阶17b的，并设置有电连接于该阴极表面12b的壁表面部分17c。
在该片式固体电解质电容器中，该第二阳极端子台阶14b及该第二阴极端子台阶17b的厚度是小的，而因此被布置在该电容元件11的下方。因此，该第二阳极端子台阶14b及该第二阴极端子台阶17b可以节省空间的方式被安装在电路板上。
此外，该电容元件11的阳极侧区域不仅由该阳极引线12a所固定和支持而且还由该阴极表面12b的该阳极侧区域固定和支持，该阳极引线12a由该阳极端子14的该第一阳极端子台阶14a支持和固定，该阴极表面12b由该第二阳极端子台阶14b所支持。因此，当与现有的电容器---其电容元件的阳极侧区域仅由该阳极引线支持---相比较时，该片式固体电解质电容器在强度方面是优越的。尤其是，因为一镶条制成于该第二阳极端子台阶14b与阳极侧区域之间，使该电容元件11高强度地固定和支承。
这种结构将在下文详细地描述。参考图2，该安装表面18与在阴极表面12b中的该第二阳极端子台阶14b上的安装表面被分布成彼此相隔距离t1。该安装表面18与该阳极引线12a的一周边表面被分布成彼此相距一最小距离t2。该阳极端子14的该第二阳极端子台阶14b的厚度小于该距离t1，该阳极端子14的该第一阳极端子台阶14a的厚度大于该距离t2。还有，一台阶差值d大于差值(t2-t1)。该差值(t2-t1)是该阴极表面12b中的该阳极端子14的该第二阳极端子台阶14b上的该安装表面与该阳极引线12a的周边表面之间的一最小距离。
现在，将描述根据本发明的实施例制造该片式固体电解质电容器的一种方法。
首先，制造了电容元件11。
在本发明中，该方法通常包括如下步骤：把阳极引线12a连接于一引线架的一阳极端子形成部分上，该引线架用于制作阳极端子14；把电容元件11的阴极表面12b连接于该引线架的一阴极端子形成部分上，该引线架用于制作阴极端子17；除去该阳极端子形成部分的一部分及该阴极端子形成部分一部分之外，用封装树脂13覆盖该电容元件11；从该引线架切出用作片式固体电解质电容器的一薄片。
该阳极端子连接步骤包含使该阳极端子形成部分的一部分变薄和通过锻制使该阳极端子制成为台阶式形状的一步骤。
还有，该阴极端子连接步骤包含使该阴极端子形成部分的一部分变薄和通过锻制使该阴极端子制成为台阶式形状的一步骤。
如图5A所示，一电绝缘树脂膜41及作为导电膜的一镀银(Ag)膜42被敷在该引线架40上。阳极端子形成部分43及阴极端子形成部分44如图5B及5C所示通过冲压来制成。
阳极端子形成部分43的一部分及阴极端子形成部分44的一部分如图5D所示被减薄或减小厚度至约1/4，所以阳极端子形成部分43及阴极端子形成部分44通过锻制被分别地制成为一台阶式形状。
最好的是，用于制造该电绝缘树脂膜41的电绝缘树脂的延展性是优越的，以便经受住锻压。然而，该电绝缘树脂可在锻制后敷盖在该阳极端子形成部分43上。
此外，敷盖在该阴极端子形成部分44上的该导电膜局限于镀银膜42。例如，除可应用电镀外，可通过其它通常用的膜形成工艺来制成银膜。还有，可采用由银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)、及钯(Pd)中的一种制成膜来代替银膜。仍有的是，可采用含有银、金、铜、钯中至少一种的合金来制造膜。
下文将描述把阳极引线12a连接至引线架40的阳极端子形成部分43的步骤。
如图6A所示，两个凸出部51被制成在阳极端子形成部分43上。然而，如图6B所示的，仅有一个凸出部51被制成在阳极端子形成部分43上。在每个结构中，该凸出部51及一邻近区域被焊在阳极引线12a的一激光焊接部分。
其次，参考图7及8A，电容元件11的阳极引线12a被安排在阳极端子形成部分43的凸出部51之间。一激光束辐照在涵盖凸出部51及阳极引线12a的一区域。凸出部51被激光束辐照所熔化，包围住阳极引线12a，并凝固。于是制成了一牢固的焊接部分。
参考图8B，在一个凸出部51的情况下，电容元件11的阳极引线12a被布置成邻接阳极端子形成部分43的凸出部51的侧表面。激光束辐照在涵盖凸出部51及阳极引线12a的一区域。凸出部51被激光束辐照所熔化，包围住阳极引线12a，并凝固。于是制成了一牢固的焊接部分。
在该阳极引线是通过电阻焊被焊接于该引线架的阳极端子形成部分的情况下，在该阳极端子形成部分上制成了一平直表面或一V型槽部分。该阳极导线被带入与该平直表面或该V型槽部分接触。然后，该阳极引线通过电阻焊被焊接至该阳极端子形成部分。
此后，将描述以下步骤：用封装树脂13覆盖除去阳极端子形成部分43的一部分及阴极端子形成部分44的一部分之外的电容元件11，和从引线架40切出作为该片式固体电解质电容器的该薄片。
如图9A及9B所示，应用封装树脂13覆盖电容元件11和该引线架的阳极端子形成部分43及阴极端子形成部分44，使得阳极端子形成部分43的一部分及阴极端子形成部分的一部分露出该封装树脂13。其次，如图9A所示，封装树脂13沿两个切割表面81被切割而提供了作为片式固体电解质电容器的该薄片。然而，如图9B所示封装树脂13可沿4个切割表面81被切割。当封装树脂13沿4个表面被切割时，该薄片的容积效率比沿2个切割表面切割的薄片的容积效率高。
下文将描述改善该阳极、阴极端子与该封装树脂之间的结合强度的方法，以便防止该封装树脂因该薄片内部或外部产生的热应力或机械应力而从阳极、阴极端子上剥离。
如图10A至10D所示，阳极端子14的一露出表面从封装树脂13的第一封装端表面露出，这就是说，垂直于上述的轴向方向的阳极端子14的横剖表面整体是矩形形状。
图10A显示具有一矩形形状的阳极端子14的露出表面的一实例，该矩形形状具有制成在其左及右侧的楔形凹入部分142。更具体地说，该露出表面构成于基本垂直于安装表面18的两个边沿141之间，而该凹入部分142则是分别从该边沿凹入的槽。
图10B显示具有一矩形形状的阳极端子14的露出表面的另一个实例，该矩形形状具有制成在其左及右侧的半圆凹入部分143，取代了该楔形凹入部分142。然而，每个凹入部分的形状不局限于图10A或10B所示的。
图10C还显示了具有一矩形形状的阳极端子14的露出表面的另一个实例，该矩形形状具有制成在其左及右侧的凸出部分145。更具体地说，该露出表面构成于安装表面18与一边沿144之间，边沿144与安装表面18相对，而凸出部分145制成于边沿144附近。然而，每个凸出部分的形状不局于图10C所显示的。
图10D显示具有一梯形形状的阳极端子14的露出表面的另一个实例，尤其是，一倒置的梯形形状具有位于该薄片的安装表面18处的一下边和比该下边长的一上边。换句话说，该露出表面具有邻接于安装表面18的一第一边沿146和与该第一边沿相对并比带第一边沿146长的一第二边沿147。
在图10A至10D所示的该薄片中，阳极端子14不易分离或脱开。换句话说，封装树脂13不易从阳极端子14上剥离。
此外，从封装树脂13的该第二封装端表面露出的该阴极端子的一露出表面，即是垂直于轴向的阳极端子17的一横剖面表面，可能也具有一普通的矩形形状，该矩形形状具有一凹入或一凸出的部分或可能具有一倒置的梯形形状，如同图10A至10D所示的阳极端子14。
下文将参考图2至10详细描述本发明的更多的特定实施例。
第一实施例
首先，下文将描述制造电容元件11的一种方法。
应用了钽(Ta)作为一种阀金属。应用冲压机把钽粉制成在一钽导线上作为阳极引线12a。该钽导线是在高真空及高温环境中烧结成的。在本发明中，该阀金属呈现为这样一种金属：当被氧化时形成氧化膜，该氧化膜起到阀作用。
其后，在烧结的钽导线的钽粉上面形成氧化膜Ta205。
下一步，在这个钽烧结体被浸入硝酸锰液体之后，通过这个被浸体的热解制成Mn02。
其后，在这个被浸体上制成了石墨及银的阴极表面12b。
于是，制成了电容元件11。
其次参考图5A至5D，将描述引线架40的形成。
如图5A所示，在引线架40上形成了电绝缘树脂膜41及镀银膜42。其后，如图5B及5C所示，通过冲压该引线架40来制成阳极端子形成部分43及阴极端子形成部分44。
如图5D所示阳极端子形成部分43的一部分及阴极端子形成部分44的一部分被减薄或减小厚度至约1/4，所以通过锻制阳极端子形成部分43及阴极端子形成部分44分别地被制成为一台阶式形状。
当阳极端子形成部分43及阴极端子形成部分44被制成为一台阶式形状时，如图6A所示也制成了凸出部51。该凸出部51及邻接区域变成为焊接在阳极引线12a的一激光焊接部分。
其次，电容元件11被固定于引线架40上。
换句话说，在含有银的导电粘结剂涂敷在镀银膜42---该镀银膜42制成于引线架40的阴极端子形成部分44上---之后，电容元件11被布置在引线架40上。
下一步，如图7所示，通过激光焊接把电容元件11焊接在阳极端子形成部分43上。在图7中，除了阳极端子形成部分43外，引线架40在图示上被省略了。在激光束辐照之前，阳极引线12a通过凸出部51进行定位，而在激光束辐照之后被熔化的凸出部51所覆盖。
就图9A所示制造的引线架40来说，除去阳极端子形成部分43的一部分及阴极端子形成部分44的一部分之外，该引线架40是利用封装树脂13模压而成的。
其后，如图9A所示沿切割表面81切割封装树脂13，而由此提供了该片式固体电解质电容器。
第二实施例
在本发明的第二实施例中，如图6B所示凸出部51制成在阳极端子形成部分43上。阳极引线12a与凸出部51的侧表面接触。阳极引线12a及凸出部51用激光束辐照。凸出部51被熔化并与阳极引线12a的周边表面起反应。于是制成了焊接部分。
第二实施例中的其它制作步骤与第一实施例的相同。在第二实施例中，该阳极端子形成部分的该金属形成比第一实施例稍容易些。
第三实施例
参考图10A，在本发明的第三实施例中，楔形凹入部分142制在阳极端子形成部分43(阴极端子形成部分44)的露出表面的左及右侧141上，该露出表面从第一封装端表面19a(第二封装端表面19b)露出。在该结构中，封装树脂13进入楔形凹入部分142内，致使封装树脂13对阳极端子形成部分43(阴极端子形成部分44)的粘结强度得以提高。
楔形凹入部分142的形成与阳极端子形成部分43(阴极端子形成部分44)的减薄或凸出部51的形成在同一步骤内完成。
第三实施例中的其它制造步骤与第一或第二实施例中的相同。
第四实施例
参考图10B，在本发明的第四实施例中，半圆形凹入部分143制在阳极端子形成部分43(阴极端子形成部分44)的露出表面的左及右侧，该露出表面从第一封装端表面19a(第二封装端表面19b)露出。在该结构中，封装树脂13进入半圆形凹入部分143内，致使封装树脂13对阳极端子形成部分43(阴极端子形成部分44)的粘结强度得以提高。
半圆凹入部分143的形成与阳极端子形成部分43(阴极端子形成部分44)的减薄或凸出部51的形成在同一步骤内完成。
在第四实施例中的其他制造步骤与第三实施例的其他步骤相同。
第五实施例
参考图10C，在本发明的第五实施例中，凸出部分145制在阳极端子形成部分43(阴极端子形成部分44)的露出表面的左及右侧141上，该露出表面从第一封装端表面19a(第二封装端表面19b)露出。在该结构中，封装树脂13进入该凸出部分145下面，致使封装树脂13对阳极端子形成部分43(阴极端子形成部分44)的粘结强度得以提高。
凸出部分145的形成与阳极端子形成部分43(阴极端子形成部分44)的减薄或凸出部51的形成在同一步骤内完成。
第五实施例中的其它制造步骤也与第三实施例的那些步骤相同。
第六实施例
参考图10D，在本发明的第六实施例中，从第一封装端表面19a(第二封装端表面19b)露出的阳极端子形成部分43(阴极端子形成部分44)被制成在倒置的梯形形状内，该梯形形状具有位于该薄片的安装表面18处的下边146和比下边146长的上边147。在该结构中，封装树脂13进入该梯形形状的各边下面，致使封装树脂13对阳极端子形成部分43(阴极端子形成部分44)的粘结强度得以提高。
梯形形状的制造与引线架40的形成、阳极端子形成部分43(阴极端子形成部分44)的减薄或凸出部51的形成在同一步骤内完成。
第六实施例中的其它制造步骤也与第三实施例的那些步骤相同。
第七实施例
在第七实施例中，通过电阻焊把阳极引线焊接至阳极形成部分(阴极形成部分)上。在此情况下，该引线架的平直表面可直接用作该阳极端子形成部分(阴极端子形成部分)上的平直表面，而不需要制作该凸出部的金属加工作业。然而，该V型槽部分可被制作在该阳极端子形成部分(该阴极端子形成部分)上。当制成了V型槽部分时，该阳极引线的定位就容易完成。
第七实施例中的其它制造步骤也与第三实施例的那些步骤相同。
迄今根据本发明制造的任何片式固体电解质电容器中，影响电容量的电容元件的一部分的容积对该电容器的总容积的效率提高至约为现有的片式固体电解质电容器的两倍。此外，因为端子或引线架不需弯曲处理，处理步骤有利地减少了。
虽然本发明迄今已结合若干其实施例进行了描述，对于技术人员将很容易地将本发明以各种其它方式付诸实施。
Claims (15)
1.一种片式固体电解质电容器，包括：
一电容元件，包括阳极引线和阴极引线；
一封装树脂，它覆盖所述电容元件并具有安装表面和邻接于该所述安装表面的彼此相对的侧表面；
一与所述阳极引线电连接并且与所述封装树脂结合的阳极端子；和
与所述阴极引线电连接并且与所述包装树脂结合的阴极端子；
其中，所述阳极端子和所述阴极端子中的每一个沿所述安装表面及沿所述侧表面中的相应的一个延伸以便具有从所述封装树脂露出的一外表面和具有与所述外表面相对的一内表面；
其中所述阳极和所述阴极端子中的每一个具有阶梯形状，其包括在所述侧表面中的相应的一个上的第一台阶和与所述侧表面分离的第二台阶，所述第一台阶具有沿高度方向从所述安装表面测量的大于所述第二台阶的高度；
其中，所述阳极引线被所述阳极端子的所述第一台阶支承，所述电容器元件至少被所述阴极端子的所述第二台阶支承。
2.根据权利要求1的片式固体电解质电容器，其特征在于：所述电容元件具有一周边表面，所述阳极引线与所述周边表面之间在所述高度方向具有第一距离，所述阳极端子的第一台阶与所述第二台阶之间具有大于所述第一距离的沿所述高度方向的第二距离。
3.根据权利要求1的片式固体电解质电容器，其特征在于：还包括形成在所述阴极端子的至少一部分上的膜，所述膜含有银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)及钯(Pd)中的至少一种。
4.根据权利要求1的片式固体电解质电容器，其特征在于：所述阴极层是通过含有银的导电粘结剂连接于所述阴极端子上。
5.根据权利要求1的片式固体电解质电容器，其特征在于：所述阳极端子和所述阴极端子中的至少一个的外表面在所述侧表面中的相应的一个处被暴露并具有由两个大致垂直于所述安装表面的边缘限定的暴露形状；和
所述暴露形状包括凹入部分，该凹入部分从所述边沿中的相应的一个凹进。
6.根据权利要求8的片式固体电解质电容器，其特征在于：每个所述凹入部分包括楔形槽。
7.根据权利要求8的片式固体电解质电容器，其特征在于：每个所述凹入部分包括半圆形槽。
8.根据权利要求1的片式固体电解质电容器，其特征在于：该阳极端子和阴极端子中的至少一个的外表面在所述侧表面中的相应的一个处暴露并具有由所述安装表面和与所述安装表面相对的一边沿限定的暴露形状；和
所述暴露形状包括在所述边沿附近的凸出部分。
9.根据权利要求1的片式固体电解质电容器，其特征在于：所述阳极端子和所述阴极端子中的至少一个的外表面在所述侧表面中的相对应的一个处暴露并且具有梯形的暴露形状并且具有邻接于所述安装表面的第一边沿和与所述第一边沿相对并比所述第一边沿长的第二边沿。
10.制造一片式固体电解质电容器的一种方法，包括：一电容元件，它具有一阳极引线及一阴极层；一封装树脂，它覆盖所述电容元件并具有：一安装表面和邻接于所述安装表面并彼此相对的多个侧表面；一阳极端子，它电连接于所述阳极引线并与所述封装树脂结合；和一阴极端子，它电连接于所述阴极层并与所述封装树脂结合，所述方法包括：
制备-引线架，它具有一阳极端子形成部分及一阴极端子形成部分；
进行锻制以在所述阳极端子形成部分的一部分上形成台阶式形状，包括在所述侧表面中的相应的一个处的第一台阶和与所述侧表面分离的第二台阶，所述第一台阶具有沿高度方向从所述安装表面测量的大于所述第二台阶的高度；
进行锻制以在所述阴极端子形成部分的一部分上形成台阶式形状，包括在所述侧表面中的相应的一个处的第一台阶和与所述侧表面分离的第二台阶，所述第一台阶具有沿高度方向从所述安装表面测量的大于所述第二台阶的高度；
把所述阳极引线连接于所述阳极端子形成部分的所述第一台阶；
把所述阴极层至少连接于所述阴极端子形成部分的所述第二台阶；
除去所述阳极端子形成部分的一部分及所述阴极端子形成部分的一部分之外，用一封装树脂覆盖所述电容元件；和
从所述引线架上切出所述片式固体电解质电容器。
16.根据权利要求10的方法还包括：在所述阳极端子形成部分被制成具有所述台阶式形状之前，向所述阳极端子形成部分的所述部分敷加一电绝缘树脂。
17.根据权利要求10的方法还包括：在所述阴极端子形成部分被制成具有所述台阶式形状之前，在所述阴极端子形成部分的所述部分上形成含有银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)及钯(Pd)中的至少一种的一膜。
18.根据权利要求10的方法，其特征在于，该阳极端子的连接步骤包括：
在所述阳极端子形成部分上形成一凸出部；
把带有阳极引线的所述阳极端子布置成与所述凸出部相接触；和
通过激光焊接把所述阳极引线固定并且电连接在所述阳极端子形成部分上。
19.根据权利要求10的方法，其特征在于，该阳极端子的连接步骤包括：
在所述阳极端子形成部分上形成两个凸出部；
在所述凸出部之间布置所述阳极引线；和
通过激光焊接把所述阳极引线固定并且电连接在所述阳极端子形成部分上。
20.根据权利要求10的方法，其特征在于，该阳极端子的连接步骤包括：
使所述阳极引线与现有的平直表面或一V型槽部分相接触，该V型槽部分制成在所述阳极端子形成部分上；和
通过电阻焊使所述阳极引线固定并且电连接于所述阳极端子形成部分上。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003016177A JP2004228424A (ja) | 2003-01-24 | 2003-01-24 | チップ電解コンデンサおよびその製造方法 |
| JP16177/2003 | 2003-01-24 | ||
| JP16177/03 | 2003-01-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1518020A CN1518020A (zh) | 2004-08-04 |
| CN100444292C true CN100444292C (zh) | 2008-12-17 |
Family
ID=32732817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2004100035543A Expired - Fee Related CN100444292C (zh) | 2003-01-24 | 2004-01-29 | 具有小尺寸及简单结构的片式固体电解质电容器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7135754B2 (zh) |
| JP (1) | JP2004228424A (zh) |
| KR (1) | KR20040068471A (zh) |
| CN (1) | CN100444292C (zh) |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004228424A (ja) * | 2003-01-24 | 2004-08-12 | Nec Tokin Corp | チップ電解コンデンサおよびその製造方法 |
| US7311536B2 (en) * | 2004-04-26 | 2007-12-25 | Valeo Schalter Und Sensoren Gmbh | Transmission device for transmitting electrical signals between a rotor and a stator |
| JP2006073791A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Nec Tokin Corp | 表面実装薄型コンデンサ |
| JP2006190965A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-07-20 | Nec Tokin Corp | 下面電極型固体電解コンデンサ、その製造方法及びそれらに用いるリードフレーム |
| JP2006269865A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Nec Tokin Corp | チップ型固体電解コンデンサ及びそれに用いるリードフレーム |
| JP4802585B2 (ja) * | 2005-07-22 | 2011-10-26 | パナソニック株式会社 | 固体電解コンデンサ |
| JP4832053B2 (ja) | 2005-11-01 | 2011-12-07 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| KR100755655B1 (ko) * | 2006-06-02 | 2007-09-04 | 삼성전기주식회사 | 칩 형 콘덴서 |
| US7716860B1 (en) * | 2006-08-22 | 2010-05-18 | Jeff Burris | Retractable banner display |
| JP4836738B2 (ja) * | 2006-10-04 | 2011-12-14 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| CN101286417B (zh) | 2007-03-09 | 2011-02-02 | Nec东金株式会社 | 固体电解电容器及其制造方法 |
| JP5181236B2 (ja) * | 2008-03-19 | 2013-04-10 | 松尾電機株式会社 | チップ形コンデンサ |
| JP4688976B2 (ja) * | 2008-12-29 | 2011-05-25 | 昭和電工株式会社 | 固体電解コンデンサ |
| US8075640B2 (en) * | 2009-01-22 | 2011-12-13 | Avx Corporation | Diced electrolytic capacitor assembly and method of production yielding improved volumetric efficiency |
| KR101032206B1 (ko) | 2009-03-09 | 2011-05-02 | 삼성전기주식회사 | 고체 콘덴서 및 그 제조방법 |
| JP2010251716A (ja) * | 2009-03-25 | 2010-11-04 | Rohm Co Ltd | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| JP5474441B2 (ja) * | 2009-08-06 | 2014-04-16 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP2015201668A (ja) * | 2010-04-22 | 2015-11-12 | ローム株式会社 | 固体電解コンデンサおよび固体電解コンデンサの製造方法 |
| JP5453174B2 (ja) * | 2010-06-01 | 2014-03-26 | Ｎｅｃトーキン株式会社 | 下面電極型の固体電解積層コンデンサおよびその実装体 |
| JP5770351B1 (ja) | 2014-09-29 | 2015-08-26 | Ｎｅｃトーキン株式会社 | 固体電解コンデンサ |
| US9892860B2 (en) * | 2014-11-24 | 2018-02-13 | Avx Corporation | Capacitor with coined lead frame |
| US10153424B2 (en) * | 2016-08-22 | 2018-12-11 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and mounting structure of semiconductor device |
| KR102412355B1 (ko) * | 2016-10-04 | 2022-06-23 | 고호꾸고오교오가부시끼가이샤 | 칩형 전해 콘덴서의 리드선 단자, 칩형 전해 콘덴서의 제조 방법 |
| KR200486817Y1 (ko) | 2016-12-12 | 2018-07-04 | 주식회사 엠에스씨엘 | 유리문용 디지털도어록의 레인 커버 |
| KR102142517B1 (ko) * | 2018-09-04 | 2020-08-07 | 삼성전기주식회사 | 전자 부품 |
| KR102142516B1 (ko) * | 2018-09-04 | 2020-08-07 | 삼성전기주식회사 | 전자 부품 |
| KR20210071496A (ko) * | 2019-12-06 | 2021-06-16 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 |
| KR20210074611A (ko) | 2019-12-12 | 2021-06-22 | 삼성전기주식회사 | 탄탈 커패시터 및 이의 제조 방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05291079A (ja) * | 1992-04-15 | 1993-11-05 | Nec Toyama Ltd | チップ形固体電解コンデンサ |
Family Cites Families (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57139917A (en) * | 1981-02-23 | 1982-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Chip type solid electrolytic condenser and method of producing same |
| JPS60129154A (ja) | 1983-12-13 | 1985-07-10 | Takaharu Yoshida | 水とゴミの分離濾過方法 |
| JPS60129154U (ja) | 1984-02-07 | 1985-08-30 | 日本電気株式会社 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
| JPS6150325A (ja) | 1984-08-20 | 1986-03-12 | 松下電器産業株式会社 | 電子部品 |
| JPS6150323A (ja) | 1984-08-20 | 1986-03-12 | 松下電器産業株式会社 | 電子部品 |
| GB2186752A (en) * | 1986-02-15 | 1987-08-19 | Stc Plc | Fuse for electronic component |
| NL8701944A (nl) | 1987-08-18 | 1989-03-16 | Multinorm Bv | Koppelinrichting. |
| US4935848A (en) * | 1987-08-31 | 1990-06-19 | Nec Corporation | Fused solid electrolytic capacitor |
| JPH0817148B2 (ja) | 1990-07-10 | 1996-02-21 | エルナー株式会社 | 電気二重層コンデンサの製造方法 |
| JPH0468517U (zh) | 1990-10-25 | 1992-06-17 | ||
| JPH04246813A (ja) * | 1991-02-01 | 1992-09-02 | Nec Corp | ヒューズ入り固体電解コンデンサ |
| JPH04260317A (ja) * | 1991-02-15 | 1992-09-16 | Nec Corp | ヒューズ付きチップ状固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP3447443B2 (ja) * | 1995-10-02 | 2003-09-16 | ローム株式会社 | 安全ヒューズ付き面実装型固体電解コンデンサの構造 |
| JPH09213570A (ja) | 1996-01-29 | 1997-08-15 | Hitachi Aic Inc | チップ形タンタル固体電解コンデンサ |
| KR19980081610A (ko) * | 1997-04-23 | 1998-11-25 | 우치가사키이사오 | 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물 및 고체전해콘덴서 |
| JP3536722B2 (ja) * | 1998-06-18 | 2004-06-14 | 松下電器産業株式会社 | チップ形固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| JP3942000B2 (ja) * | 1999-06-01 | 2007-07-11 | ローム株式会社 | パッケージ型固体電解コンデンサの構造及びその製造方法 |
| JP2001006978A (ja) * | 1999-06-18 | 2001-01-12 | Matsuo Electric Co Ltd | チップコンデンサ |
| JP3312246B2 (ja) * | 1999-06-18 | 2002-08-05 | 松尾電機株式会社 | チップコンデンサの製造方法 |
| JP2001044077A (ja) * | 1999-07-28 | 2001-02-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップ形固体電解コンデンサ |
| JP2001085273A (ja) | 1999-09-10 | 2001-03-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップ形固体電解コンデンサ |
| US6552896B1 (en) * | 1999-10-28 | 2003-04-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing the same |
| JP2001143966A (ja) | 1999-11-11 | 2001-05-25 | Elna Co Ltd | チップ型固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| JP3349133B2 (ja) * | 2000-04-07 | 2002-11-20 | エヌイーシートーキン株式会社 | チップ型コンデンサ及びその製造方法並びにモールド金型 |
| JP3542115B2 (ja) * | 2000-06-29 | 2004-07-14 | Ｎｅｃトーキン富山株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| JP2002151357A (ja) | 2000-11-15 | 2002-05-24 | Hitachi Aic Inc | チップ形固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP3532519B2 (ja) * | 2000-11-22 | 2004-05-31 | Ｎｅｃトーキン株式会社 | チップ型コンデンサの製造方法およびその製造装置 |
| JP2002203747A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Nippon Chemicon Corp | チップ型固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP3906043B2 (ja) * | 2001-08-20 | 2007-04-18 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JP2003100555A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-04-04 | Nippon Chemicon Corp | チップ型固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| JP4539948B2 (ja) * | 2001-11-29 | 2010-09-08 | ローム株式会社 | コンデンサの製造方法 |
| JP2003197484A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Nippon Chemicon Corp | チップ型固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP2004103981A (ja) * | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサの製造方法及びこの方法によって製造される固体電解コンデンサ |
| US6870727B2 (en) * | 2002-10-07 | 2005-03-22 | Avx Corporation | Electrolytic capacitor with improved volumetric efficiency |
| JP2004228424A (ja) * | 2003-01-24 | 2004-08-12 | Nec Tokin Corp | チップ電解コンデンサおよびその製造方法 |
| US6845004B2 (en) * | 2003-02-12 | 2005-01-18 | Kemet Electronics Corporation | Protecting resin-encapsulated components |
| JP2004247594A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-02 | Nec Tokin Corp | チップ型コンデンサ及びその製造方法並びにモールド金型 |
| JP4083091B2 (ja) * | 2003-07-04 | 2008-04-30 | Ｎｅｃトーキン株式会社 | チップ型固体電解コンデンサ及びその製造方法並びにそれに用いるリードフレーム |
| JP4878103B2 (ja) * | 2004-01-07 | 2012-02-15 | Ｎｅｃトーキン株式会社 | チップ型固体電解コンデンサの製造方法 |
| KR20050074838A (ko) | 2004-01-14 | 2005-07-19 | 삼성전자주식회사 | 화상독취장치 |
-
2003
- 2003-01-24 JP JP2003016177A patent/JP2004228424A/ja active Pending
-
2004
- 2004-01-13 US US10/757,643 patent/US7135754B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-01-19 KR KR1020040003916A patent/KR20040068471A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-01-29 CN CNB2004100035543A patent/CN100444292C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-07-25 US US11/492,541 patent/US7337513B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05291079A (ja) * | 1992-04-15 | 1993-11-05 | Nec Toyama Ltd | チップ形固体電解コンデンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20060270115A1 (en) | 2006-11-30 |
| JP2004228424A (ja) | 2004-08-12 |
| CN1518020A (zh) | 2004-08-04 |
| US20040145065A1 (en) | 2004-07-29 |
| US7135754B2 (en) | 2006-11-14 |
| US7337513B2 (en) | 2008-03-04 |
| KR20040068471A (ko) | 2004-07-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100444292C (zh) | 具有小尺寸及简单结构的片式固体电解质电容器 | |
| CN100481284C (zh) | 具有电镀圆角面的片状固态电解电容器及其生产方法 | |
| CN1862727B (zh) | 可易于降低esl的固体电解电容器 | |
| CN1767104B (zh) | 表面安装型电容器及其制造方法 | |
| CN100565735C (zh) | 固态电解电容器和传输线器件及其制法、复合电子元件 | |
| KR100859910B1 (ko) | 고체 전해 콘덴서 | |
| KR100452469B1 (ko) | 고체 전해 콘덴서 및 그 제조 방법 | |
| US7542267B2 (en) | Lead frame, method of manufacturing a face-down terminal solid electrolytic capacitor using the lead frame, and face-down terminal solid electrolytic capacitor manufactured by the method | |
| CN101110296A (zh) | 芯片型固态电解电容器 | |
| CN101162654A (zh) | 固体电解电容器 | |
| JP2002367862A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JPS5934625A (ja) | チツプ型固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP3509733B2 (ja) | 電子部品 | |
| US10665394B2 (en) | Solid electrolytic condenser and method of manufacturing the same | |
| CN100377268C (zh) | 固体电解电容及其制造方法 | |
| JP2004523102A (ja) | コンデンサ | |
| CN102270536A (zh) | 底面电极型固体电解叠层电容器及其安装体 | |
| CN112635182B (zh) | 电感器及其制备方法 | |
| CN104854670B (zh) | 固态电解电容器及其制造方法 | |
| CN101174508B (zh) | 引线框、倒装端子固体电解电容器及用引线框制造其方法 | |
| JP4392585B2 (ja) | チップ形固体電解コンデンサ | |
| JP4276774B2 (ja) | チップ状固体電解コンデンサ | |
| JP2002008944A (ja) | チップ状コンデンサ | |
| CN217690804U (zh) | 一种新型片状固态电容器 | |
| JP2002110459A (ja) | チップ状固体電解コンデンサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20081217 Termination date: 20140129 |