JP3532519B2 - チップ型コンデンサの製造方法およびその製造装置 - Google Patents
チップ型コンデンサの製造方法およびその製造装置Info
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 136
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 65
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 167
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 161
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 21
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 9
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
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- Laser Beam Processing (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップ型コンデン
サの製造方法およびその製造装置に関する。
サの製造方法およびその製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のチップ型コンデンサの製造方法に
関するものとして特許第３０８４８９５号公報に開示さ
れたものがある。このチップ型コンデンサの製造方法
は、一部が屈曲されて接続舌片とされた陽極端子の前記
接続舌片に、素子本体と該素子本体から突出する陽極リ
ード線とを有するコンデンサ素子の前記陽極リード線を
載置させ、これら接続舌片と陽極リード線とをレーザ光
によって溶接するものである。
関するものとして特許第３０８４８９５号公報に開示さ
れたものがある。このチップ型コンデンサの製造方法
は、一部が屈曲されて接続舌片とされた陽極端子の前記
接続舌片に、素子本体と該素子本体から突出する陽極リ
ード線とを有するコンデンサ素子の前記陽極リード線を
載置させ、これら接続舌片と陽極リード線とをレーザ光
によって溶接するものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のチップ型コンデンサの製造方法は、接続舌片に陽極
リード線を、圧力を加えることのない状態でレーザ光に
よって溶接するものであるため、溶接時に陽極リード線
が接続舌片に対し十分に接触できない状態が生じること
があり、このような状態で溶接を行うと、十分な接合強
度を得ることができず、その結果、品質が低下してしま
うという問題が生じた。
来のチップ型コンデンサの製造方法は、接続舌片に陽極
リード線を、圧力を加えることのない状態でレーザ光に
よって溶接するものであるため、溶接時に陽極リード線
が接続舌片に対し十分に接触できない状態が生じること
があり、このような状態で溶接を行うと、十分な接合強
度を得ることができず、その結果、品質が低下してしま
うという問題が生じた。
【０００４】また、上記従来のチップ型コンデンサの製
造方法では、レーザ光によって溶接する際に、レーザ光
が溶接部位から反射して無関係の部分にまで照射される
ことがあり、特に、コンデンサ素子の素子本体にレーザ
光の反射光が照射されると、該素子本体の品質、ひいて
はチップ型コンデンサの品質を低下させてしまうという
問題も生じた。
造方法では、レーザ光によって溶接する際に、レーザ光
が溶接部位から反射して無関係の部分にまで照射される
ことがあり、特に、コンデンサ素子の素子本体にレーザ
光の反射光が照射されると、該素子本体の品質、ひいて
はチップ型コンデンサの品質を低下させてしまうという
問題も生じた。
【０００５】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、高品質のチップ型コンデンサを得ることがで
きるチップ型コンデンサの製造方法およびその製造装置
の提供を目的としている。
たもので、高品質のチップ型コンデンサを得ることがで
きるチップ型コンデンサの製造方法およびその製造装置
の提供を目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の請求項１記載のチップ型コンデンサの製造
方法は、一部が屈曲されて接続舌片とされた陽極端子の
前記接続舌片に、素子本体と該素子本体から突出する陽
極リード線とを有するコンデンサ素子の前記陽極リード
線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線とをレー
ザ光によって溶接する方法であって、前記レーザ光によ
って溶接される溶接部と前記素子本体との間に、凹状溝
部が形成されたレーザ光の反射光を反射させる反射板を
前記凹状溝部に前記陽極リード線をはめ込みつつ配置し
た状態で、前記レーザ光による溶接を行うことを特徴と
している。
め、本発明の請求項１記載のチップ型コンデンサの製造
方法は、一部が屈曲されて接続舌片とされた陽極端子の
前記接続舌片に、素子本体と該素子本体から突出する陽
極リード線とを有するコンデンサ素子の前記陽極リード
線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線とをレー
ザ光によって溶接する方法であって、前記レーザ光によ
って溶接される溶接部と前記素子本体との間に、凹状溝
部が形成されたレーザ光の反射光を反射させる反射板を
前記凹状溝部に前記陽極リード線をはめ込みつつ配置し
た状態で、前記レーザ光による溶接を行うことを特徴と
している。
【０００７】
【０００８】
【０００９】
【００１０】
【００１１】このように、レーザ光で溶接される溶接部
と素子本体との間に、凹状溝部が形成されたレーザ光の
反射光を反射させる反射板を前記凹状溝部に陽極リード
線をはめ込みつつ配置した状態で、レーザ光による溶接
を行うため、該反射板が、コンデンサ素子の素子本体に
レーザ光の反射光が照射されることを防止し、その結
果、該素子本体の品質を低下させてしまうことがなくな
る。
と素子本体との間に、凹状溝部が形成されたレーザ光の
反射光を反射させる反射板を前記凹状溝部に陽極リード
線をはめ込みつつ配置した状態で、レーザ光による溶接
を行うため、該反射板が、コンデンサ素子の素子本体に
レーザ光の反射光が照射されることを防止し、その結
果、該素子本体の品質を低下させてしまうことがなくな
る。
【００１２】したがって、高品質のチップ型コンデンサ
を得ることができる。
を得ることができる。
【００１３】本発明の請求項２記載のチップ型コンデン
サの製造方法は、一部が屈曲されて接続舌片とされた陽
極端子の前記接続舌片に、素子本体と該素子本体から突
出する陽極リード線とを有するコンデンサ素子の前記陽
極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線
とをレーザ光によって溶接する方法であって、前記レー
ザ光によって溶接される溶接部と前記素子本体との間
に、凹状溝部が形成されたレーザ光の反射光を反射させ
る反射板を前記凹状溝部に前記陽極リード線をはめ込み
つつ配置するとともに該反射板で前記陽極リード線を前
記接続舌片に押し付けた状態で、前記レーザ光による溶
接を行うことを特徴としている。
サの製造方法は、一部が屈曲されて接続舌片とされた陽
極端子の前記接続舌片に、素子本体と該素子本体から突
出する陽極リード線とを有するコンデンサ素子の前記陽
極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線
とをレーザ光によって溶接する方法であって、前記レー
ザ光によって溶接される溶接部と前記素子本体との間
に、凹状溝部が形成されたレーザ光の反射光を反射させ
る反射板を前記凹状溝部に前記陽極リード線をはめ込み
つつ配置するとともに該反射板で前記陽極リード線を前
記接続舌片に押し付けた状態で、前記レーザ光による溶
接を行うことを特徴としている。
【００１４】このように、レーザ光によって溶接される
溶接部と素子本体との間に、凹状溝部が形成されたレー
ザ光の反射光を反射させる反射板を前記凹状溝部に陽極
リード線をはめ込みつつ配置するとともに該反射板で陽
極リード線を接続舌片に押し付けた状態で、レーザ光に
よる溶接を行うため、陽極リード線を接続舌片に押し付
けることから、複数のコンデンサ素子がアルミニウム等
の金属板（以下、アルミホルダと称す）に接合した状態
で各製造工程を経てきたとき、陽極リード線は該アルミ
ホルダの接合部から曲がったり、反ったりして振れてい
る状態で同一水平線上に揃っていなく、陽極リード端子
の接続舌片に載置したとき接触状態が不安定である。こ
の陽極リード線の曲がったり、反ったりして振れている
状態を矯正でき、常に陽極リード線を接続舌片に十分に
接触させた状態で溶接を行うことができ、その結果、接
合強度が安定し低下してしまうことがなくなる。また、
反射板が、コンデンサ素子の素子本体にレーザ光の反射
光が照射されることを防止することから、該素子本体の
品質を低下させてしまうことがなくなる。
溶接部と素子本体との間に、凹状溝部が形成されたレー
ザ光の反射光を反射させる反射板を前記凹状溝部に陽極
リード線をはめ込みつつ配置するとともに該反射板で陽
極リード線を接続舌片に押し付けた状態で、レーザ光に
よる溶接を行うため、陽極リード線を接続舌片に押し付
けることから、複数のコンデンサ素子がアルミニウム等
の金属板（以下、アルミホルダと称す）に接合した状態
で各製造工程を経てきたとき、陽極リード線は該アルミ
ホルダの接合部から曲がったり、反ったりして振れてい
る状態で同一水平線上に揃っていなく、陽極リード端子
の接続舌片に載置したとき接触状態が不安定である。こ
の陽極リード線の曲がったり、反ったりして振れている
状態を矯正でき、常に陽極リード線を接続舌片に十分に
接触させた状態で溶接を行うことができ、その結果、接
合強度が安定し低下してしまうことがなくなる。また、
反射板が、コンデンサ素子の素子本体にレーザ光の反射
光が照射されることを防止することから、該素子本体の
品質を低下させてしまうことがなくなる。
【００１５】したがって、高品質のチップ型コンデンサ
を得ることができる。
を得ることができる。
【００１６】本発明の請求項３記載のチップ型コンデン
サの製造方法は、請求項１または２記載のものに関し、
前記接続舌片は前記陽極リード線が載置される溶接凹部
と該溶接凹部に隣り合う溶接凸部とを有しており、前記
溶接凸部のみにレーザ光を照射することを特徴としてい
る。
サの製造方法は、請求項１または２記載のものに関し、
前記接続舌片は前記陽極リード線が載置される溶接凹部
と該溶接凹部に隣り合う溶接凸部とを有しており、前記
溶接凸部のみにレーザ光を照射することを特徴としてい
る。
【００１７】このように、接続舌片の溶接凸部のみにレ
ーザ光を照射するため、接続舌片の溶接凸部が溶けて陽
極リード線を包むようにその周囲に回り込ませた溶接状
態になり溶接強度が安定して実用的価値が高まるととも
に、陽極リード線の温度上昇を必要最小限に抑えること
ができ、その結果、陽極リード線を介してのコンデンサ
素子の素子本体の温度上昇を最小限に抑えることがで
き、該素子本体の品質を低下させてしまうことがなくな
る。
ーザ光を照射するため、接続舌片の溶接凸部が溶けて陽
極リード線を包むようにその周囲に回り込ませた溶接状
態になり溶接強度が安定して実用的価値が高まるととも
に、陽極リード線の温度上昇を必要最小限に抑えること
ができ、その結果、陽極リード線を介してのコンデンサ
素子の素子本体の温度上昇を最小限に抑えることがで
き、該素子本体の品質を低下させてしまうことがなくな
る。
【００１８】したがって、より高品質のチップ型コンデ
ンサを得ることができる。
ンサを得ることができる。
【００１９】本発明の請求項４記載のチップ型コンデン
サの製造方法は、請求項１または２記載のものに関し、
前記接続舌片に低エネルギ密度のレーザ光を照射すると
ともに前記陽極リード線に高エネルギ密度のレーザ光を
照射することを特徴としている。
サの製造方法は、請求項１または２記載のものに関し、
前記接続舌片に低エネルギ密度のレーザ光を照射すると
ともに前記陽極リード線に高エネルギ密度のレーザ光を
照射することを特徴としている。
【００２０】このように、接続舌片に低エネルギ密度の
レーザ光を照射するとともに陽極リード線に高エネルギ
密度のレーザ光を照射するため、接続舌片と陽極リード
線との部材の融点が異なるこれらを良好に溶かして接合
させることができる。
レーザ光を照射するとともに陽極リード線に高エネルギ
密度のレーザ光を照射するため、接続舌片と陽極リード
線との部材の融点が異なるこれらを良好に溶かして接合
させることができる。
【００２１】したがって、より高品質のチップ型コンデ
ンサを得ることができる。
ンサを得ることができる。
【００２２】本発明の請求項５記載のチップ型コンデン
サの製造装置は、一部が屈曲されて接続舌片とされた陽
極端子の前記接続舌片に、素子本体と該素子本体から突
出する陽極リード線とを有するコンデンサ素子の前記陽
極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線
とをレーザ溶接手段が照射するレーザ光によって溶接す
るものであって、前記レーザ光によって溶接される溶接
部と前記素子本体との間にて前記陽極リード線を押圧し
該陽極リード線を前記接続舌片に押し付ける押圧手段を
具備することを特徴としている。
サの製造装置は、一部が屈曲されて接続舌片とされた陽
極端子の前記接続舌片に、素子本体と該素子本体から突
出する陽極リード線とを有するコンデンサ素子の前記陽
極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線
とをレーザ溶接手段が照射するレーザ光によって溶接す
るものであって、前記レーザ光によって溶接される溶接
部と前記素子本体との間にて前記陽極リード線を押圧し
該陽極リード線を前記接続舌片に押し付ける押圧手段を
具備することを特徴としている。
【００２３】これにより、押圧手段により陽極リード線
を接続舌片に押し付けた状態で、レーザ光による溶接を
行うことができ、よって、常に陽極リード線を接続舌片
に十分に接触させた状態で溶接を行うことができるた
め、接合強度が安定し低下してしまうことがなくなる。
を接続舌片に押し付けた状態で、レーザ光による溶接を
行うことができ、よって、常に陽極リード線を接続舌片
に十分に接触させた状態で溶接を行うことができるた
め、接合強度が安定し低下してしまうことがなくなる。
【００２４】したがって、高品質のチップ型コンデンサ
を得ることができる。
を得ることができる。
【００２５】しかも、レーザ光によって溶接される溶接
部と素子本体との間にて陽極リード線を押圧するため、
レーザ光の照射方向の自由度を高くできる。この場合、
陽極リード線の曲がり等を矯正できる程度の押圧力とす
れば、複数のコンデンサ素子がアルミニウム等の金属板
（以下、アルミホルダと称す）に接合した状態で各製造
工程を経てきたとき、陽極リード線は該アルミホルダの
接合部から曲がったり、反ったりして振れている状態で
同一水平線上に揃っていなく、陽極リード端子の接続舌
片に載置したとき接触状態が不安定である。この陽極リ
ード線の曲がったり、反ったりして振れている状態を矯
正でき、常に陽極リード線を接続舌片に十分に接触させ
た状態で溶接を行うことができることになる。
部と素子本体との間にて陽極リード線を押圧するため、
レーザ光の照射方向の自由度を高くできる。この場合、
陽極リード線の曲がり等を矯正できる程度の押圧力とす
れば、複数のコンデンサ素子がアルミニウム等の金属板
（以下、アルミホルダと称す）に接合した状態で各製造
工程を経てきたとき、陽極リード線は該アルミホルダの
接合部から曲がったり、反ったりして振れている状態で
同一水平線上に揃っていなく、陽極リード端子の接続舌
片に載置したとき接触状態が不安定である。この陽極リ
ード線の曲がったり、反ったりして振れている状態を矯
正でき、常に陽極リード線を接続舌片に十分に接触させ
た状態で溶接を行うことができることになる。
【００２６】本発明の請求項６記載のチップ型コンデン
サの製造装置は、一部が屈曲されて接続舌片とされた陽
極端子の前記接続舌片に、素子本体と該素子本体から突
出する陽極リード線とを有するコンデンサ素子の前記陽
極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線
とをレーザ溶接手段が照射するレーザ光によって溶接す
るものであって、前記レーザ溶接手段が照射するレーザ
光によって溶接される溶接部と前記素子本体との間に凹
状溝部が形成されたレーザ光の反射光を反射させる反射
板を前記凹状溝部に前記陽極リード線をはめ込みつつ配
置する反射板配置手段を具備することを特徴としてい
る。
サの製造装置は、一部が屈曲されて接続舌片とされた陽
極端子の前記接続舌片に、素子本体と該素子本体から突
出する陽極リード線とを有するコンデンサ素子の前記陽
極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線
とをレーザ溶接手段が照射するレーザ光によって溶接す
るものであって、前記レーザ溶接手段が照射するレーザ
光によって溶接される溶接部と前記素子本体との間に凹
状溝部が形成されたレーザ光の反射光を反射させる反射
板を前記凹状溝部に前記陽極リード線をはめ込みつつ配
置する反射板配置手段を具備することを特徴としてい
る。
【００２７】これにより、反射板配置手段が、レーザ溶
接手段が照射するレーザ光によって溶接される溶接部と
素子本体との間に、凹状溝部が形成された反射板を前記
凹状溝部に陽極リード線をはめ込みつつ配置した状態
で、レーザ溶接手段による溶接を行うことができ、よっ
て、該反射板が、コンデンサ素子の素子本体にレーザ光
の反射光が照射されることを防止し、その結果、該素子
本体の品質を低下させてしまうことがなくなる。
接手段が照射するレーザ光によって溶接される溶接部と
素子本体との間に、凹状溝部が形成された反射板を前記
凹状溝部に陽極リード線をはめ込みつつ配置した状態
で、レーザ溶接手段による溶接を行うことができ、よっ
て、該反射板が、コンデンサ素子の素子本体にレーザ光
の反射光が照射されることを防止し、その結果、該素子
本体の品質を低下させてしまうことがなくなる。
【００２８】したがって、高品質のチップ型コンデンサ
を得ることができる。
を得ることができる。
【００２９】本発明の請求項７記載のチップ型コンデン
サの製造装置は、一部が屈曲されて接続舌片とされた陽
極端子の前記接続舌片に、素子本体と該素子本体から突
出する陽極リード線とを有するコンデンサ素子の前記陽
極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線
とをレーザ溶接手段が照射するレーザ光によって溶接す
るものであって、前記レーザ溶接手段が照射するレーザ
光によって溶接される溶接部と前記素子本体との間に凹
状溝部が形成されたレーザ光の反射光を反射させる反射
板を前記凹状溝部に前記陽極リード線をはめ込みつつ配
置する反射板配置手段を設け、該反射板配置手段は、前
記陽極リード線を前記反射板で前記接続舌片に押し付け
ることを特徴としている。
サの製造装置は、一部が屈曲されて接続舌片とされた陽
極端子の前記接続舌片に、素子本体と該素子本体から突
出する陽極リード線とを有するコンデンサ素子の前記陽
極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線
とをレーザ溶接手段が照射するレーザ光によって溶接す
るものであって、前記レーザ溶接手段が照射するレーザ
光によって溶接される溶接部と前記素子本体との間に凹
状溝部が形成されたレーザ光の反射光を反射させる反射
板を前記凹状溝部に前記陽極リード線をはめ込みつつ配
置する反射板配置手段を設け、該反射板配置手段は、前
記陽極リード線を前記反射板で前記接続舌片に押し付け
ることを特徴としている。
【００３０】これにより、反射板配置手段が、レーザ溶
接手段が照射するレーザ光によって溶接される溶接部と
素子本体との間に、凹状溝部が形成された反射板を前記
凹状溝部に陽極リード線をはめ込みつつ配置するととも
に該反射板で陽極リード線を接続舌片に押し付けるた
め、この状態でレーザ溶接手段による溶接を行うと、陽
極リード線を接続舌片に押し付けることから、複数のコ
ンデンサ素子がアルミニウム等の金属板（以下、アルミ
ホルダと称す）に接合した状態で各製造工程を経てきた
とき、陽極リード線は該アルミホルダの接合部から曲が
ったり、反ったりして振れている状態で同一水平線上に
揃っていなく、陽極リード端子の接続舌片に載置したと
き接触状態が不安定である。この陽極リード線の曲がっ
たり、反ったりして振れている状態を矯正でき、常に陽
極リード線を接続舌片に十分に接触させた状態で溶接を
行うことができ、その結果、接合強度が安定し低下して
しまうことがなくなる。また、反射板が、コンデンサ素
子の素子本体にレーザ光の反射光が照射されることを防
止することから、該素子本体の品質を低下させてしまう
ことがなくなる。
接手段が照射するレーザ光によって溶接される溶接部と
素子本体との間に、凹状溝部が形成された反射板を前記
凹状溝部に陽極リード線をはめ込みつつ配置するととも
に該反射板で陽極リード線を接続舌片に押し付けるた
め、この状態でレーザ溶接手段による溶接を行うと、陽
極リード線を接続舌片に押し付けることから、複数のコ
ンデンサ素子がアルミニウム等の金属板（以下、アルミ
ホルダと称す）に接合した状態で各製造工程を経てきた
とき、陽極リード線は該アルミホルダの接合部から曲が
ったり、反ったりして振れている状態で同一水平線上に
揃っていなく、陽極リード端子の接続舌片に載置したと
き接触状態が不安定である。この陽極リード線の曲がっ
たり、反ったりして振れている状態を矯正でき、常に陽
極リード線を接続舌片に十分に接触させた状態で溶接を
行うことができ、その結果、接合強度が安定し低下して
しまうことがなくなる。また、反射板が、コンデンサ素
子の素子本体にレーザ光の反射光が照射されることを防
止することから、該素子本体の品質を低下させてしまう
ことがなくなる。
【００３１】したがって、高品質のチップ型コンデンサ
を得ることができる。
を得ることができる。
【００３２】本発明の請求項８記載のチップ型コンデン
サの製造装置は、請求項５乃至７のいずれか一項記載の
ものに関して、前記接続舌片は前記陽極リード線が載置
される溶接凹部と該溶接凹部に隣り合う溶接凸部とを有
しており、前記レーザ溶接手段は、前記溶接凸部のみに
レーザ光を照射することを特徴としている。
サの製造装置は、請求項５乃至７のいずれか一項記載の
ものに関して、前記接続舌片は前記陽極リード線が載置
される溶接凹部と該溶接凹部に隣り合う溶接凸部とを有
しており、前記レーザ溶接手段は、前記溶接凸部のみに
レーザ光を照射することを特徴としている。
【００３３】このように、レーザ溶接手段が接続舌片の
溶接凸部のみにレーザ光を照射するため、接続舌片の溶
接凸部が溶けて陽極リード線を包むようにその周囲に回
り込ませた溶接状態になり溶接強度が安定して実用的価
値が高まるとともに、陽極リード線の温度上昇を必要最
小限に抑えることができ、その結果、陽極リード線を介
してのコンデンサ素子の素子本体の温度上昇を最小限に
抑えることができ、該素子本体の品質を低下させてしま
うことがなくなる。
溶接凸部のみにレーザ光を照射するため、接続舌片の溶
接凸部が溶けて陽極リード線を包むようにその周囲に回
り込ませた溶接状態になり溶接強度が安定して実用的価
値が高まるとともに、陽極リード線の温度上昇を必要最
小限に抑えることができ、その結果、陽極リード線を介
してのコンデンサ素子の素子本体の温度上昇を最小限に
抑えることができ、該素子本体の品質を低下させてしま
うことがなくなる。
【００３４】したがって、より高品質のチップ型コンデ
ンサを得ることができる。
ンサを得ることができる。
【００３５】本発明の請求項９記載のチップ型コンデン
サの製造装置は、請求項５乃至７のいずれか一項記載の
ものに関して、前記レーザ溶接手段は、前記接続舌片に
低エネルギ密度のレーザ光を照射するとともに前記陽極
リード線に高エネルギ密度のレーザ光を照射することを
特徴としている。
サの製造装置は、請求項５乃至７のいずれか一項記載の
ものに関して、前記レーザ溶接手段は、前記接続舌片に
低エネルギ密度のレーザ光を照射するとともに前記陽極
リード線に高エネルギ密度のレーザ光を照射することを
特徴としている。
【００３６】このように、レーザ溶接手段は、接続舌片
に低エネルギ密度のレーザ光を照射するとともに陽極リ
ード線に高エネルギ密度のレーザ光を照射するため、接
続舌片と陽極リード線との部材の融点が異なるこれらを
良好に溶かして接合させることができる。
に低エネルギ密度のレーザ光を照射するとともに陽極リ
ード線に高エネルギ密度のレーザ光を照射するため、接
続舌片と陽極リード線との部材の融点が異なるこれらを
良好に溶かして接合させることができる。
【００３７】したがって、より高品質のチップ型コンデ
ンサを得ることができる。
ンサを得ることができる。
【００３８】
【発明の実施の形態】本発明の一実施形態を図面を参照
して以下に説明する。図１は、本実施形態で製造される
チップ型固体電解コンデンサ（チップ型コンデンサ）１
１を示す断面図である。このチップ型固体電解コンデン
サ１１は、陽極端子１２および陰極端子１３の両方にコ
ンデンサ素子１４を接続させ、これら陽極端子１２、陰
極端子１３およびコンデンサ素子１４を樹脂外装１５で
覆ってなるものである。
して以下に説明する。図１は、本実施形態で製造される
チップ型固体電解コンデンサ（チップ型コンデンサ）１
１を示す断面図である。このチップ型固体電解コンデン
サ１１は、陽極端子１２および陰極端子１３の両方にコ
ンデンサ素子１４を接続させ、これら陽極端子１２、陰
極端子１３およびコンデンサ素子１４を樹脂外装１５で
覆ってなるものである。
【００３９】コンデンサ素子１４は、タンタルワイヤか
らなる丸棒状の陽極リード線１７と、該陽極リード線１
７を中央から一方側に突出させるように埋設させた直方
体形状の素子本体１８とを有するものである。
らなる丸棒状の陽極リード線１７と、該陽極リード線１
７を中央から一方側に突出させるように埋設させた直方
体形状の素子本体１８とを有するものである。
【００４０】樹脂外装１５は、略直方体形状をなしてお
り、図１における下面である実装面１５ａにおいて図示
せぬ印刷回路基板に載置され実装される。
り、図１における下面である実装面１５ａにおいて図示
せぬ印刷回路基板に載置され実装される。
【００４１】陽極端子１２は、ニッケルと鉄の合金（ニ
ッケル４２％）にハンダメッキを施してなる均一厚さの
平板がプレス加工されてなるもので、樹脂外装１５の実
装面１５ａ側かつコンデンサ長さ方向（図１における左
右方向）における一方の外端面１５ｂ側に、これら実装
面１５ａおよび外端面１５ｂのそれぞれに対し同一平面
をなして露出する底板部２２と、コンデンサ幅方向（図
１における紙面直交方向）における該底板部２２の中間
の一部を切り起こすように屈曲させることにより形成さ
れてコンデンサ素子１４の陽極リード線１７に接続され
る接続舌片２１と、該接続舌片２１が切り起こされるこ
とにより底板部２２のコンデンサ幅方向における接続舌
片２１の両外側位置から、接続舌片２１よりも底板部２
２に対し反対方向に延出される一対の側片部２０とを有
している。
ッケル４２％）にハンダメッキを施してなる均一厚さの
平板がプレス加工されてなるもので、樹脂外装１５の実
装面１５ａ側かつコンデンサ長さ方向（図１における左
右方向）における一方の外端面１５ｂ側に、これら実装
面１５ａおよび外端面１５ｂのそれぞれに対し同一平面
をなして露出する底板部２２と、コンデンサ幅方向（図
１における紙面直交方向）における該底板部２２の中間
の一部を切り起こすように屈曲させることにより形成さ
れてコンデンサ素子１４の陽極リード線１７に接続され
る接続舌片２１と、該接続舌片２１が切り起こされるこ
とにより底板部２２のコンデンサ幅方向における接続舌
片２１の両外側位置から、接続舌片２１よりも底板部２
２に対し反対方向に延出される一対の側片部２０とを有
している。
【００４２】この陽極端子１２において、接続舌片２１
の底板部２２および側片部２０に対し反対側となる上部
には、溶接前において、図２に示すように、コンデンサ
幅方向（図２における左右方向）における両端に、上方
に突出するように、一対の溶接凸部（溶接部）２３ａが
形成されており、その結果、これら溶接凸部２３ａの間
に溶接凹部２３ｂが形成されている。
の底板部２２および側片部２０に対し反対側となる上部
には、溶接前において、図２に示すように、コンデンサ
幅方向（図２における左右方向）における両端に、上方
に突出するように、一対の溶接凸部（溶接部）２３ａが
形成されており、その結果、これら溶接凸部２３ａの間
に溶接凹部２３ｂが形成されている。
【００４３】そして、コンデンサ素子１４の陽極リード
線１７は、該溶接凹部２３ｂ内に載置された状態で接続
舌片２１にレーザ溶接で接合される。なお、接続舌片２
１の形状は上記のような凹形状ではなく、溶接凸部２３
ａを一つのみ有するＬ字形状としてもよい。
線１７は、該溶接凹部２３ｂ内に載置された状態で接続
舌片２１にレーザ溶接で接合される。なお、接続舌片２
１の形状は上記のような凹形状ではなく、溶接凸部２３
ａを一つのみ有するＬ字形状としてもよい。
【００４４】陰極端子１３は、ニッケルと鉄の合金にハ
ンダメッキが施された均一厚さの平板がプレス加工され
てなるもので、樹脂外装１５の実装面１５ａ側かつコン
デンサ長さ方向（図１における左右方向）における他方
の外端面１５ｃ側に、これら実装面１５ａおよび外端面
１５ｃのそれぞれに対し同一平面をなして露出する底板
部３０と、該底板部３０よりも上側にこれと平行をなし
て延在する載置板部３１とを有しており、該載置板部３
１においてコンデンサ素子１４の素子本体１８の外周面
を載置させる。なお、底板部３０および載置板部３１上
には銀ペースト等の図示せぬ導電性接着剤が塗布されて
おり、該導電性接着剤を介してコンデンサ素子１４の素
子本体１８は陰極端子１３に接着される。
ンダメッキが施された均一厚さの平板がプレス加工され
てなるもので、樹脂外装１５の実装面１５ａ側かつコン
デンサ長さ方向（図１における左右方向）における他方
の外端面１５ｃ側に、これら実装面１５ａおよび外端面
１５ｃのそれぞれに対し同一平面をなして露出する底板
部３０と、該底板部３０よりも上側にこれと平行をなし
て延在する載置板部３１とを有しており、該載置板部３
１においてコンデンサ素子１４の素子本体１８の外周面
を載置させる。なお、底板部３０および載置板部３１上
には銀ペースト等の図示せぬ導電性接着剤が塗布されて
おり、該導電性接着剤を介してコンデンサ素子１４の素
子本体１８は陰極端子１３に接着される。
【００４５】次に、上記したチップ型固体電解コンデン
サ１１を製造する本実施形態の製造方法およびその製造
装置について説明する。
サ１１を製造する本実施形態の製造方法およびその製造
装置について説明する。
【００４６】まず、プレス成形によって、ハンダメッキ
が施された平板状のリードフレーム４１に、図３に示す
ように、互いに対向するように一対の陽極リード端子４
２および陰極リード端子４３を形成する。その際に、打
ち抜きおよび屈曲で陽極リード端子４２の陰極リード端
子４３側に、溶接凸部２３ａおよび溶接凹部２３ｂを有
する接続舌片２１を切り起こすとともに底板部２２およ
び側片部２０を形成する一方、陰極リード端子４３の陽
極リード端子４２側に、陰極端子１３の底板部３０およ
び載置板部３１を形成する。なお、陽極端子１３の底板
部２２および陰極端子１３の底板部３０は、後に切断さ
れることで最終形状となる（切断線を図４等において二
点鎖線で示す）。
が施された平板状のリードフレーム４１に、図３に示す
ように、互いに対向するように一対の陽極リード端子４
２および陰極リード端子４３を形成する。その際に、打
ち抜きおよび屈曲で陽極リード端子４２の陰極リード端
子４３側に、溶接凸部２３ａおよび溶接凹部２３ｂを有
する接続舌片２１を切り起こすとともに底板部２２およ
び側片部２０を形成する一方、陰極リード端子４３の陽
極リード端子４２側に、陰極端子１３の底板部３０およ
び載置板部３１を形成する。なお、陽極端子１３の底板
部２２および陰極端子１３の底板部３０は、後に切断さ
れることで最終形状となる（切断線を図４等において二
点鎖線で示す）。
【００４７】なお、リードフレーム４１の互いに対向す
る一対の陽極リード端子４２および陰極リード端子４３
は、一つのチップ型固体電解コンデンサ１１の陽極端子
１２および陰極端子１３を形成するためのものであり、
リードフレーム４１には、図示は略すが、このような一
対の陽極リード端子４２および陰極リード端子４３が複
数対コンデンサ幅方向（図３におけるＹ方向）に並列配
置されている。
る一対の陽極リード端子４２および陰極リード端子４３
は、一つのチップ型固体電解コンデンサ１１の陽極端子
１２および陰極端子１３を形成するためのものであり、
リードフレーム４１には、図示は略すが、このような一
対の陽極リード端子４２および陰極リード端子４３が複
数対コンデンサ幅方向（図３におけるＹ方向）に並列配
置されている。
【００４８】そして、図４に示すように、上記状態のリ
ードフレーム４１の陽極リード端子４２および陰極リー
ド端子４３の対にコンデンサ素子１４を接続させる。す
なわち、陰極リード端子４３の底板部３０および載置板
部３１の上面に銀ペースト等の導電性接着剤を塗布し、
該導電性接着剤を介してコンデンサ素子１４の素子本体
１８を陰極リード端子４３に接着させる。
ードフレーム４１の陽極リード端子４２および陰極リー
ド端子４３の対にコンデンサ素子１４を接続させる。す
なわち、陰極リード端子４３の底板部３０および載置板
部３１の上面に銀ペースト等の導電性接着剤を塗布し、
該導電性接着剤を介してコンデンサ素子１４の素子本体
１８を陰極リード端子４３に接着させる。
【００４９】また、このとき、陽極リード端子４２の接
続舌片２１の溶接凹部２３ｂ内にコンデンサ素子１４の
陽極リード線１７を載置させ、これら接続舌片２１と陽
極リード線１７とをレーザ光によって溶接する。
続舌片２１の溶接凹部２３ｂ内にコンデンサ素子１４の
陽極リード線１７を載置させ、これら接続舌片２１と陽
極リード線１７とをレーザ光によって溶接する。
【００５０】ここで、この溶接工程において使用される
本実施形態の製造装置およびこれを用いた製造方法につ
いて説明する。
本実施形態の製造装置およびこれを用いた製造方法につ
いて説明する。
【００５１】製造装置は、図５に示すように、一側が開
口した略箱形状をなす反射体５１と、該反射体５１をコ
ンデンサ素子１４の素子本体１８を覆うようにその開口
側から被せたり、該反射体５１をコンデンサ素子１４か
ら離間させたりする図示せぬ昇降移動機構とを有する反
射体配置機（押圧手段、反射板配置手段）５２を備えて
いる。
口した略箱形状をなす反射体５１と、該反射体５１をコ
ンデンサ素子１４の素子本体１８を覆うようにその開口
側から被せたり、該反射体５１をコンデンサ素子１４か
ら離間させたりする図示せぬ昇降移動機構とを有する反
射体配置機（押圧手段、反射板配置手段）５２を備えて
いる。
【００５２】上記反射体５１は、コンデンサ素子１４の
素子本体１８を覆うように被せられる際に、レーザ溶接
される陽極リード端子４２の接続舌片２１の溶接凸部２
３ａとコンデンサ素子１４の素子本体１８との間に配置
されてレーザ光の反射光を反射させる反射板５３を有し
ている。該反射体５１は、反射板５３のみの構成であっ
ても差し支えない。
素子本体１８を覆うように被せられる際に、レーザ溶接
される陽極リード端子４２の接続舌片２１の溶接凸部２
３ａとコンデンサ素子１４の素子本体１８との間に配置
されてレーザ光の反射光を反射させる反射板５３を有し
ている。該反射体５１は、反射板５３のみの構成であっ
ても差し支えない。
【００５３】この反射板５３は、溶接凸部２３ａと素子
本体１８との隙間に入り込んだ際にこれらにストレスを
与えない程度に薄くされており、該反射板５３には、溶
接凸部２３ａと素子本体１８との間に配置される際に、
これらにわたって延在配置される陽極リード線１７をは
め込むための凹状溝部５４が形成されている。
本体１８との隙間に入り込んだ際にこれらにストレスを
与えない程度に薄くされており、該反射板５３には、溶
接凸部２３ａと素子本体１８との間に配置される際に、
これらにわたって延在配置される陽極リード線１７をは
め込むための凹状溝部５４が形成されている。
【００５４】そして、反射体配置機５２は、反射体５１
をその反射板５３の凹状溝部５４に陽極リード線１７を
はめ込みつつ配置する際に、反射板５３の凹状溝部５４
の溝底部５５で陽極リード線１７を下方に押圧し、その
結果、該陽極リード線１７を接続舌片２１に押し付け
る。なお、このとき、反射板５３による陽極リード線１
７への押圧力は、例えば、タンタル材からなる陽極リー
ド線１７の直径が０．１５〔ｍｍ〕で、ニッケルと鉄の
合金（ニッケル４２％）からなる接続舌片２１を含む陽
極リード端子４２の板厚が０．０８〔ｍｍ〕のとき、陽
極リード線１７の曲がりおよび反り等を矯正する５〜５
０〔ＭＰａ〕とする。
をその反射板５３の凹状溝部５４に陽極リード線１７を
はめ込みつつ配置する際に、反射板５３の凹状溝部５４
の溝底部５５で陽極リード線１７を下方に押圧し、その
結果、該陽極リード線１７を接続舌片２１に押し付け
る。なお、このとき、反射板５３による陽極リード線１
７への押圧力は、例えば、タンタル材からなる陽極リー
ド線１７の直径が０．１５〔ｍｍ〕で、ニッケルと鉄の
合金（ニッケル４２％）からなる接続舌片２１を含む陽
極リード端子４２の板厚が０．０８〔ｍｍ〕のとき、陽
極リード線１７の曲がりおよび反り等を矯正する５〜５
０〔ＭＰａ〕とする。
【００５５】ここで、反射体５１は、熱伝導率が高くか
つ反射率が高い銅板等から形成されている。なお、反射
板５３の外側、すなわち配設時に溶接凸部２３ａに対向
する側は、反射率を上げるために鏡面仕上げ処理を施す
のが好ましい。
つ反射率が高い銅板等から形成されている。なお、反射
板５３の外側、すなわち配設時に溶接凸部２３ａに対向
する側は、反射率を上げるために鏡面仕上げ処理を施す
のが好ましい。
【００５６】製造装置は、図６に示すように、接続舌片
２１と陽極リード線１７とを溶接するレーザ溶接機（レ
ーザ溶接手段）５７を有している。このレーザ溶接機５
７は、図７に示すように、レーザ光Ｂを発生させるレー
ザ発振器５８と該レーザ発振器５８で発生させたレーザ
光を集光する集光レンズ５９とを有するレーザ光照射部
６０を備えている。そして、このようなレーザ光照射部
６０を、図６に示すように、所定の位置に位置決めされ
たリードフレーム４１の上側に二つ、コンデンサ幅方向
に並列に配置している。そして、レーザ溶接機５７は、
リードフレーム４１の接続舌片２１における溶接凹部２
３ｂの両外側の溶接凸部２３ａにそれぞれレーザ光を照
射することにより、これら溶接凸部２３ａを溶かして陽
極リード線１７を包むようにその周囲に回り込ませる状
態で接合させる。なお、上記反射体５１の反射板５３
は、このレーザ光の溶接凸部２３ａにおける反射光の素
子本体１８への照射を遮蔽する。
２１と陽極リード線１７とを溶接するレーザ溶接機（レ
ーザ溶接手段）５７を有している。このレーザ溶接機５
７は、図７に示すように、レーザ光Ｂを発生させるレー
ザ発振器５８と該レーザ発振器５８で発生させたレーザ
光を集光する集光レンズ５９とを有するレーザ光照射部
６０を備えている。そして、このようなレーザ光照射部
６０を、図６に示すように、所定の位置に位置決めされ
たリードフレーム４１の上側に二つ、コンデンサ幅方向
に並列に配置している。そして、レーザ溶接機５７は、
リードフレーム４１の接続舌片２１における溶接凹部２
３ｂの両外側の溶接凸部２３ａにそれぞれレーザ光を照
射することにより、これら溶接凸部２３ａを溶かして陽
極リード線１７を包むようにその周囲に回り込ませる状
態で接合させる。なお、上記反射体５１の反射板５３
は、このレーザ光の溶接凸部２３ａにおける反射光の素
子本体１８への照射を遮蔽する。
【００５７】ここで、本実施形態において、レーザ溶接
機５７は、接続舌片２１の溶接凸部２３ａのみにレーザ
光Ｂを照射するようになっており、両側の溶接凸部２３
ａにレーザ光Ｂを照射するために、上記のように二つの
レーザ光照射部６０を有している。なお、レーザ溶接機
５７は、スポット径０．１５ｍｍの照射部分において
０．２〜０．５（Ｊ）の出力エネルギが得られるように
レーザ光Ｂを発生させるのが好ましい。
機５７は、接続舌片２１の溶接凸部２３ａのみにレーザ
光Ｂを照射するようになっており、両側の溶接凸部２３
ａにレーザ光Ｂを照射するために、上記のように二つの
レーザ光照射部６０を有している。なお、レーザ溶接機
５７は、スポット径０．１５ｍｍの照射部分において
０．２〜０．５（Ｊ）の出力エネルギが得られるように
レーザ光Ｂを発生させるのが好ましい。
【００５８】溶接工程では、図４に示すように、陽極リ
ード端子４２の接続舌片２１の溶接凹部２３ｂ内に陽極
リード線１７を載置させ、かつ陰極リード端子４３の導
電性接着剤が塗布された底板部３０および載置板部３１
に素子本体１８を接着させるようにしてコンデンサ素子
１４をリードフレーム４１上に載置させた状態から、図
５〜図６に示すように、反射体配置機５２が、その反射
体５１を反射板５３がその凹状溝部５４に陽極リード線
１７をはめ込みつつ溶接凸部２３ａと素子本体１８との
間に位置するように素子本体１８に被せる。このとき、
反射体配置機５２は、反射板５３の溝底部５５を介して
陽極リード線１７を接続舌片２１に押し付けた状態とす
る。
ード端子４２の接続舌片２１の溶接凹部２３ｂ内に陽極
リード線１７を載置させ、かつ陰極リード端子４３の導
電性接着剤が塗布された底板部３０および載置板部３１
に素子本体１８を接着させるようにしてコンデンサ素子
１４をリードフレーム４１上に載置させた状態から、図
５〜図６に示すように、反射体配置機５２が、その反射
体５１を反射板５３がその凹状溝部５４に陽極リード線
１７をはめ込みつつ溶接凸部２３ａと素子本体１８との
間に位置するように素子本体１８に被せる。このとき、
反射体配置機５２は、反射板５３の溝底部５５を介して
陽極リード線１７を接続舌片２１に押し付けた状態とす
る。
【００５９】そして、この状態で、図６に示すように、
上方に配置されたレーザ溶接機５７が、両レーザ光照射
部６０から接続舌片２１の両溶接凸部２３ａにレーザ光
Ｂを照射することにより、これら溶接凸部２３ａを溶融
させて、溶接凹部２３ｂに配置された陽極リード線１７
を包むようにその周囲に回り込ませる。そして、レーザ
光Ｂの照射を停止させることで、溶融した部分が固まっ
て陽極リード線１７と一体化する。これにより、接続舌
片２１と陽極リード線１７とが溶接された状態となる。
上方に配置されたレーザ溶接機５７が、両レーザ光照射
部６０から接続舌片２１の両溶接凸部２３ａにレーザ光
Ｂを照射することにより、これら溶接凸部２３ａを溶融
させて、溶接凹部２３ｂに配置された陽極リード線１７
を包むようにその周囲に回り込ませる。そして、レーザ
光Ｂの照射を停止させることで、溶融した部分が固まっ
て陽極リード線１７と一体化する。これにより、接続舌
片２１と陽極リード線１７とが溶接された状態となる。
【００６０】その後、図示は略すが、陽極リード端子４
２および陰極リード端子４３の相互対向側、すなわち陽
極リード端子４２の接続舌片２１、側片部２０および底
板部２２を含む部分と、陰極リード端子４３の底板部３
０および載置板部３１を含む部分と、これら陰極リード
端子４３および陽極リード端子４２に接続されたコンデ
ンサ素子１４とを樹脂外装１５で一体化し、その後、切
断を行うことで、上記した構造のチップ型固体電解コン
デンサ１１を得ることになる。
２および陰極リード端子４３の相互対向側、すなわち陽
極リード端子４２の接続舌片２１、側片部２０および底
板部２２を含む部分と、陰極リード端子４３の底板部３
０および載置板部３１を含む部分と、これら陰極リード
端子４３および陽極リード端子４２に接続されたコンデ
ンサ素子１４とを樹脂外装１５で一体化し、その後、切
断を行うことで、上記した構造のチップ型固体電解コン
デンサ１１を得ることになる。
【００６１】以上に述べた本実施形態によれば、反射体
配置機５２が、レーザ溶接機５７によって溶接される溶
接凸部２３ａと素子本体１８との間に、凹状溝部５４が
形成された反射板５３を前記凹状溝部５４に陽極リード
線１７をはめ込みつつ配置するとともに、該反射板５３
で陽極リード線１７を接続舌片２１に押し付けるため、
この状態でレーザ溶接機５７による溶接を行うと、陽極
リード線１７を接続舌片２１に押し付けることから、常
に陽極リード線１７を接続舌片２１に十分に接触させた
状態で溶接を行うことができ、その結果、接合強度が低
下してしまうことがなくなる。また、反射板５３を含む
反射体５１が、コンデンサ素子１４の素子本体１８にレ
ーザ光Ｂの反射光が照射されることを防止することか
ら、該素子本体１８の品質を低下させてしまうことがな
くなる。さらに、陽極リード線１７に接触する反射板５
３を含む反射体５１が溶接時に該陽極リード線１７を介
して伝わる熱を吸収するヒートシンク構造となっている
ため、該素子本体１８の品質を低下させてしまうことを
さらに確実に防止できる。
配置機５２が、レーザ溶接機５７によって溶接される溶
接凸部２３ａと素子本体１８との間に、凹状溝部５４が
形成された反射板５３を前記凹状溝部５４に陽極リード
線１７をはめ込みつつ配置するとともに、該反射板５３
で陽極リード線１７を接続舌片２１に押し付けるため、
この状態でレーザ溶接機５７による溶接を行うと、陽極
リード線１７を接続舌片２１に押し付けることから、常
に陽極リード線１７を接続舌片２１に十分に接触させた
状態で溶接を行うことができ、その結果、接合強度が低
下してしまうことがなくなる。また、反射板５３を含む
反射体５１が、コンデンサ素子１４の素子本体１８にレ
ーザ光Ｂの反射光が照射されることを防止することか
ら、該素子本体１８の品質を低下させてしまうことがな
くなる。さらに、陽極リード線１７に接触する反射板５
３を含む反射体５１が溶接時に該陽極リード線１７を介
して伝わる熱を吸収するヒートシンク構造となっている
ため、該素子本体１８の品質を低下させてしまうことを
さらに確実に防止できる。
【００６２】したがって、高品質のチップ型固体電解コ
ンデンサ１１を得ることができることになる。
ンデンサ１１を得ることができることになる。
【００６３】しかも、レーザ光によって溶接される溶接
凸部２３ａと素子本体１８との間にて陽極リード線１７
を反射板５３で押圧するため、レーザ光の照射方向の自
由度を高くできる。
凸部２３ａと素子本体１８との間にて陽極リード線１７
を反射板５３で押圧するため、レーザ光の照射方向の自
由度を高くできる。
【００６４】加えて、反射板５３の押圧力を陽極リード
線１７の曲がり等を矯正できる程度の押圧力としている
ため、複数のコンデンサ素子１４がアルミニウム等の金
属板（以下、アルミホルダと称す）に接合した状態で各
製造工程を経てきたとき、陽極リード線１７は該アルミ
ホルダの接合部から曲がったり、反ったりして振れてい
る状態で同一水平線上に揃っていなく、陽極リード端子
４２の接続舌片２１に載置したとき接触状態が不安定で
ある。この陽極リード線１７の曲がったり、反ったりし
て振れている状態を矯正でき、常に陽極リード線１７を
接続舌片２１に十分に接触させた状態で溶接を行うこと
ができることになる。
線１７の曲がり等を矯正できる程度の押圧力としている
ため、複数のコンデンサ素子１４がアルミニウム等の金
属板（以下、アルミホルダと称す）に接合した状態で各
製造工程を経てきたとき、陽極リード線１７は該アルミ
ホルダの接合部から曲がったり、反ったりして振れてい
る状態で同一水平線上に揃っていなく、陽極リード端子
４２の接続舌片２１に載置したとき接触状態が不安定で
ある。この陽極リード線１７の曲がったり、反ったりし
て振れている状態を矯正でき、常に陽極リード線１７を
接続舌片２１に十分に接触させた状態で溶接を行うこと
ができることになる。
【００６５】なお、具体的に、反射板５３を用いる場合
と用いない場合とで、ＬＣ不良の発生状況を調べたとこ
ろ、反射板５３を用いない場合は、個体数１５個中、Ｌ
Ｃ不良の発生数は７個で、ほぼ４７％の不良率であった
のに対し、反射板５３を用いた場合は、個体数１２個
中、ＬＣ不良は１個で、ほぼ８％の不良率に低減されて
いることがわかった。
と用いない場合とで、ＬＣ不良の発生状況を調べたとこ
ろ、反射板５３を用いない場合は、個体数１５個中、Ｌ
Ｃ不良の発生数は７個で、ほぼ４７％の不良率であった
のに対し、反射板５３を用いた場合は、個体数１２個
中、ＬＣ不良は１個で、ほぼ８％の不良率に低減されて
いることがわかった。
【００６６】加えて、レーザ溶接機５７は、接続舌片２
１の溶接凸部２３ａのみにレーザ光を照射することにな
るため、接続舌片２１の溶接凸部２３ａが溶けて陽極リ
ード線１７を包むようにその周囲に回り込ませた溶接状
態になり溶接強度が安定して実用的価値が高まるととも
に、陽極リード線１７の温度上昇を必要最小限に抑える
ことができ、その結果、陽極リード線１７を介してのコ
ンデンサ素子１４の素子本体１８の温度上昇を最小限に
抑えることができ、該素子本体１８の品質を低下させて
しまうことがなくなる。
１の溶接凸部２３ａのみにレーザ光を照射することにな
るため、接続舌片２１の溶接凸部２３ａが溶けて陽極リ
ード線１７を包むようにその周囲に回り込ませた溶接状
態になり溶接強度が安定して実用的価値が高まるととも
に、陽極リード線１７の温度上昇を必要最小限に抑える
ことができ、その結果、陽極リード線１７を介してのコ
ンデンサ素子１４の素子本体１８の温度上昇を最小限に
抑えることができ、該素子本体１８の品質を低下させて
しまうことがなくなる。
【００６７】したがって、より高品質のチップ型固体電
解コンデンサ１１を得ることができることになる。
解コンデンサ１１を得ることができることになる。
【００６８】なお、以上の実施形態は、以下のような変
更が可能である。
更が可能である。
【００６９】すなわち、二つのレーザ光照射部６０を上
側に配置して二カ所の溶接凸部２３ａに上側からレーザ
光Ｂを照射するのではなく、図８に示すように、二つの
レーザ光照射部６０を、コンデンサ幅方向における両溶
接凸部２３ａの両外側（溶接凹部２３ｂに対し反対側）
に対向配置して、両溶接凸部２３ａにそれぞれ側方から
レーザ光Ｂを溶接凹部２３ｂの方向に照射して溶接を行
うのである。ここでも、接続舌片２１の溶接凸部２３ａ
のみにレーザ光を照射する。このように構成しても、上
記と同様の効果を奏することができる。しかも、溶接凸
部２３ａに側方からレーザ光Ｂを溶接凹部２３ｂの方向
に照射して溶接を行うため、溶融した溶接凸部２３ａ
を、良好に溶接凹部２３ｂの陽極リード線１７の周囲に
回り込ませることができる。なお、この場合、図９に示
すようにレーザ光Ｂの光軸の水平に対する角度αが３０
度となるようにレーザ光Ｂを照射するのが好ましく、こ
のように両溶接凸部２３ａに側方からレーザ光Ｂを照射
して溶接を行うようにしたところ、ＬＣ不良数を０にす
ることができた。
側に配置して二カ所の溶接凸部２３ａに上側からレーザ
光Ｂを照射するのではなく、図８に示すように、二つの
レーザ光照射部６０を、コンデンサ幅方向における両溶
接凸部２３ａの両外側（溶接凹部２３ｂに対し反対側）
に対向配置して、両溶接凸部２３ａにそれぞれ側方から
レーザ光Ｂを溶接凹部２３ｂの方向に照射して溶接を行
うのである。ここでも、接続舌片２１の溶接凸部２３ａ
のみにレーザ光を照射する。このように構成しても、上
記と同様の効果を奏することができる。しかも、溶接凸
部２３ａに側方からレーザ光Ｂを溶接凹部２３ｂの方向
に照射して溶接を行うため、溶融した溶接凸部２３ａ
を、良好に溶接凹部２３ｂの陽極リード線１７の周囲に
回り込ませることができる。なお、この場合、図９に示
すようにレーザ光Ｂの光軸の水平に対する角度αが３０
度となるようにレーザ光Ｂを照射するのが好ましく、こ
のように両溶接凸部２３ａに側方からレーザ光Ｂを照射
して溶接を行うようにしたところ、ＬＣ不良数を０にす
ることができた。
【００７０】また、二つのレーザ光照射部６０を上側に
配置して二カ所の溶接凸部２３ａに上側からレーザ光Ｂ
を照射するのではなく、図１０に示すように、コンデン
サ長さ方向における溶接凸部２３ａの同じ外側（素子本
体１８に対し反対側）に二つのレーザ光照射部６０を並
列に配置して、両溶接凸部２３ａにそれぞれ正面からレ
ーザ光Ｂを照射して溶接を行うようにしてもよい。ここ
でも、接続舌片２１の溶接凸部２３ａのみにレーザ光Ｂ
を照射する。このように構成しても、上記と同様の効果
を奏することができる。
配置して二カ所の溶接凸部２３ａに上側からレーザ光Ｂ
を照射するのではなく、図１０に示すように、コンデン
サ長さ方向における溶接凸部２３ａの同じ外側（素子本
体１８に対し反対側）に二つのレーザ光照射部６０を並
列に配置して、両溶接凸部２３ａにそれぞれ正面からレ
ーザ光Ｂを照射して溶接を行うようにしてもよい。ここ
でも、接続舌片２１の溶接凸部２３ａのみにレーザ光Ｂ
を照射する。このように構成しても、上記と同様の効果
を奏することができる。
【００７１】加えて、図１１に示すように、上側に配置
された一つのレーザ光照射部６０から、レーザ光Ｂを所
定の範囲で照射するようにすることで、一つのレーザ光
照射部６０で、両側の溶接凸部２３ａにレーザ光Ｂを照
射しこれら溶接凸部２３ａを一度に溶融させて溶接する
ことも可能である。この場合、陽極リード線１７にもレ
ーザ光Ｂが照射されるため、接続舌片２１の溶接凸部２
３ａのみにレーザ光Ｂを照射する上記場合に対し、陽極
リード線１７に多少の温度上昇が生じるものの、レーザ
溶接機５７のコストを低減できるという効果を奏するこ
とができる。これは、図１０に示すようにしたものにつ
いても適用可能である。
された一つのレーザ光照射部６０から、レーザ光Ｂを所
定の範囲で照射するようにすることで、一つのレーザ光
照射部６０で、両側の溶接凸部２３ａにレーザ光Ｂを照
射しこれら溶接凸部２３ａを一度に溶融させて溶接する
ことも可能である。この場合、陽極リード線１７にもレ
ーザ光Ｂが照射されるため、接続舌片２１の溶接凸部２
３ａのみにレーザ光Ｂを照射する上記場合に対し、陽極
リード線１７に多少の温度上昇が生じるものの、レーザ
溶接機５７のコストを低減できるという効果を奏するこ
とができる。これは、図１０に示すようにしたものにつ
いても適用可能である。
【００７２】さらに、図１２に示すように、レーザ溶接
機５７が、一つのレーザ光照射部６０によって接続舌片
２１の溶接凸部２３ａに斜め上方から低エネルギ密度の
レーザ光Ｂを照射するとともに、他の一つのレーザ光照
射部６０によって陽極リード線１７に鉛直上方から高エ
ネルギ密度のレーザ光を照射するようにしてもよい。ま
た、二つのレーザ光照射部６０によって接続舌片２１の
両溶接凸部２３ａに斜め上方から低エネルギ密度のレー
ザ光Ｂを照射するとともに、他の一つのレーザ光照射部
６０によって陽極リード線１７に鉛直上方から高エネル
ギ密度のレーザ光を照射するようにしてもよい。
機５７が、一つのレーザ光照射部６０によって接続舌片
２１の溶接凸部２３ａに斜め上方から低エネルギ密度の
レーザ光Ｂを照射するとともに、他の一つのレーザ光照
射部６０によって陽極リード線１７に鉛直上方から高エ
ネルギ密度のレーザ光を照射するようにしてもよい。ま
た、二つのレーザ光照射部６０によって接続舌片２１の
両溶接凸部２３ａに斜め上方から低エネルギ密度のレー
ザ光Ｂを照射するとともに、他の一つのレーザ光照射部
６０によって陽極リード線１７に鉛直上方から高エネル
ギ密度のレーザ光を照射するようにしてもよい。
【００７３】このように、レーザ溶接機５７が、接続舌
片２１の溶接凸部２３ａに低エネルギ密度（具体的に
は、１６７０〜２５００〔Ｊ／ｃｍ2〕）のレーザ光Ｂ
を照射するとともに陽極リード線１７に高エネルギ密度
（具体的には、１７００〜２８００〔Ｊ／ｃｍ2〕）の
レーザ光Ｂを照射すれば、高融点（約３０００℃）の材
料であるタンタルワイヤからなる陽極リード線１７と、
低融点（約１５００℃）の材料であるニッケル鉄合金か
らなる溶接凸部２３ａとを良好に溶かして接合させるこ
とができる。したがって、より高品質のチップ型固体電
解コンデンサ１１を得ることができる。
片２１の溶接凸部２３ａに低エネルギ密度（具体的に
は、１６７０〜２５００〔Ｊ／ｃｍ2〕）のレーザ光Ｂ
を照射するとともに陽極リード線１７に高エネルギ密度
（具体的には、１７００〜２８００〔Ｊ／ｃｍ2〕）の
レーザ光Ｂを照射すれば、高融点（約３０００℃）の材
料であるタンタルワイヤからなる陽極リード線１７と、
低融点（約１５００℃）の材料であるニッケル鉄合金か
らなる溶接凸部２３ａとを良好に溶かして接合させるこ
とができる。したがって、より高品質のチップ型固体電
解コンデンサ１１を得ることができる。
【００７４】また、図１３に示すように、反射体５１の
反射板５３について、凹状溝部５４の内周面に、該内周
面を覆うように工業用ダイヤモンドやシリコンカーバイ
ドの層部６２を蒸着やスパッタ等でつければ、レーザ溶
接時に陽極リード線１７および反射体５１の温度が上昇
しても、これらが融着してしまうことを、介在する層部
６２によって防止できることになる。
反射板５３について、凹状溝部５４の内周面に、該内周
面を覆うように工業用ダイヤモンドやシリコンカーバイ
ドの層部６２を蒸着やスパッタ等でつければ、レーザ溶
接時に陽極リード線１７および反射体５１の温度が上昇
しても、これらが融着してしまうことを、介在する層部
６２によって防止できることになる。
【００７５】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の請求項１
記載のチップ型コンデンサの製造方法によれば、レーザ
光で溶接される溶接部と素子本体との間に、凹状溝部が
形成された反射板を前記凹状溝部に陽極リード線をはめ
込みつつ配置した状態で、レーザ光による溶接を行うた
め、該反射板が、コンデンサ素子の素子本体にレーザ光
の反射光が照射されることを防止し、その結果、該素子
本体の品質を低下させてしまうことがなくなる。
記載のチップ型コンデンサの製造方法によれば、レーザ
光で溶接される溶接部と素子本体との間に、凹状溝部が
形成された反射板を前記凹状溝部に陽極リード線をはめ
込みつつ配置した状態で、レーザ光による溶接を行うた
め、該反射板が、コンデンサ素子の素子本体にレーザ光
の反射光が照射されることを防止し、その結果、該素子
本体の品質を低下させてしまうことがなくなる。
【００７６】
【００７７】
【００７８】
【００７９】したがって、高品質のチップ型コンデンサ
を得ることができる。
を得ることができる。
【００８０】本発明の請求項２記載のチップ型コンデン
サの製造方法によれば、レーザ光によって溶接される溶
接部と素子本体との間に、凹状溝部が形成された反射板
を前記凹状溝部に陽極リード線をはめ込みつつ配置する
とともに該反射板で陽極リード線を接続舌片に押し付け
た状態で、レーザ光による溶接を行うため、陽極リード
線を接続舌片に押し付けることから、複数のコンデンサ
素子がアルミニウム等の金属板（以下、アルミホルダと
称す）に接合した状態で各製造工程を経てきたとき、陽
極リード線は該アルミホルダの接合部から曲がったり、
反ったりして振れている状態で同一水平線上に揃ってい
なく、陽極リード端子の接続舌片に載置したとき接触状
態が不安定である。この陽極リード線の曲がったり、反
ったりして振れている状態を矯正でき、常に陽極リード
線を接続舌片に十分に接触させた状態で溶接を行うこと
ができ、その結果、接合強度が安定し低下してしまうこ
とがなくなる。また、反射板が、コンデンサ素子の素子
本体にレーザ光の反射光が照射されることを防止するこ
とから、該素子本体の品質を低下させてしまうことがな
くなる。
サの製造方法によれば、レーザ光によって溶接される溶
接部と素子本体との間に、凹状溝部が形成された反射板
を前記凹状溝部に陽極リード線をはめ込みつつ配置する
とともに該反射板で陽極リード線を接続舌片に押し付け
た状態で、レーザ光による溶接を行うため、陽極リード
線を接続舌片に押し付けることから、複数のコンデンサ
素子がアルミニウム等の金属板（以下、アルミホルダと
称す）に接合した状態で各製造工程を経てきたとき、陽
極リード線は該アルミホルダの接合部から曲がったり、
反ったりして振れている状態で同一水平線上に揃ってい
なく、陽極リード端子の接続舌片に載置したとき接触状
態が不安定である。この陽極リード線の曲がったり、反
ったりして振れている状態を矯正でき、常に陽極リード
線を接続舌片に十分に接触させた状態で溶接を行うこと
ができ、その結果、接合強度が安定し低下してしまうこ
とがなくなる。また、反射板が、コンデンサ素子の素子
本体にレーザ光の反射光が照射されることを防止するこ
とから、該素子本体の品質を低下させてしまうことがな
くなる。
【００８１】したがって、高品質のチップ型コンデンサ
を得ることができる。
を得ることができる。
【００８２】本発明の請求項３記載のチップ型コンデン
サの製造方法によれば、接続舌片の溶接凸部のみにレー
ザ光を照射するため、接続舌片の溶接凸部が溶けて陽極
リード線を包むようにその周囲に回り込ませた溶接状態
になり溶接強度が安定して実用的価値が高まるととも
に、陽極リード線の温度上昇を必要最小限に抑えること
ができ、その結果、陽極リード線を介してのコンデンサ
素子の素子本体の温度上昇を最小限に抑えることがで
き、該素子本体の品質を低下させてしまうことがなくな
る。
サの製造方法によれば、接続舌片の溶接凸部のみにレー
ザ光を照射するため、接続舌片の溶接凸部が溶けて陽極
リード線を包むようにその周囲に回り込ませた溶接状態
になり溶接強度が安定して実用的価値が高まるととも
に、陽極リード線の温度上昇を必要最小限に抑えること
ができ、その結果、陽極リード線を介してのコンデンサ
素子の素子本体の温度上昇を最小限に抑えることがで
き、該素子本体の品質を低下させてしまうことがなくな
る。
【００８３】したがって、より高品質のチップ型コンデ
ンサを得ることができる。
ンサを得ることができる。
【００８４】本発明の請求項４記載のチップ型コンデン
サの製造方法によれば、接続舌片に低エネルギ密度のレ
ーザ光を照射するとともに陽極リード線に高エネルギ密
度のレーザ光を照射するため、接続舌片と陽極リード線
との部材の融点が異なるこれらを良好に溶かして接合さ
せることができる。
サの製造方法によれば、接続舌片に低エネルギ密度のレ
ーザ光を照射するとともに陽極リード線に高エネルギ密
度のレーザ光を照射するため、接続舌片と陽極リード線
との部材の融点が異なるこれらを良好に溶かして接合さ
せることができる。
【００８５】したがって、より高品質のチップ型コンデ
ンサを得ることができる。
ンサを得ることができる。
【００８６】本発明の請求項５記載のチップ型コンデン
サの製造装置によれば、押圧手段により陽極リード線を
接続舌片に押し付けた状態で、レーザ光による溶接を行
うことができ、よって、常に陽極リード線を接続舌片に
十分に接触させた状態で溶接を行うことができるため、
接合強度が低下してしまうことがなくなる。
サの製造装置によれば、押圧手段により陽極リード線を
接続舌片に押し付けた状態で、レーザ光による溶接を行
うことができ、よって、常に陽極リード線を接続舌片に
十分に接触させた状態で溶接を行うことができるため、
接合強度が低下してしまうことがなくなる。
【００８７】したがって、高品質のチップ型コンデンサ
を得ることができる。
を得ることができる。
【００８８】しかも、レーザ光によって溶接される溶接
部と素子本体との間にて陽極リード線を押圧するため、
レーザ光の照射方向の自由度を高くできる。この場合、
陽極リード線の曲がり等を矯正できる程度の押圧力とす
れば、複数のコンデンサ素子がアルミニウム等の金属板
（以下、アルミホルダと称す）に接合した状態で各製造
工程を経てきたとき、陽極リード線は該アルミホルダの
接合部から曲がったり、反ったりして振れている状態で
同一水平線上に揃っていなく、陽極リード端子の接続舌
片に載置したとき接触状態が不安定である。この陽極リ
ード線の曲がったり、反ったりして振れている状態を矯
正でき、常に陽極リード線を接続舌片に十分に接触させ
た状態で溶接を行うことができることになる。
部と素子本体との間にて陽極リード線を押圧するため、
レーザ光の照射方向の自由度を高くできる。この場合、
陽極リード線の曲がり等を矯正できる程度の押圧力とす
れば、複数のコンデンサ素子がアルミニウム等の金属板
（以下、アルミホルダと称す）に接合した状態で各製造
工程を経てきたとき、陽極リード線は該アルミホルダの
接合部から曲がったり、反ったりして振れている状態で
同一水平線上に揃っていなく、陽極リード端子の接続舌
片に載置したとき接触状態が不安定である。この陽極リ
ード線の曲がったり、反ったりして振れている状態を矯
正でき、常に陽極リード線を接続舌片に十分に接触させ
た状態で溶接を行うことができることになる。
【００８９】本発明の請求項６記載のチップ型コンデン
サの製造装置によれば、反射板配置手段が、レーザ溶接
手段が照射するレーザ光によって溶接される溶接部と素
子本体との間に、凹状溝部が形成された反射板を前記凹
状溝部に陽極リード線をはめ込みつつ配置した状態で、
レーザ溶接手段による溶接を行うことができ、よって、
該反射板が、コンデンサ素子の素子本体にレーザ光の反
射光が照射されることを防止し、その結果、該素子本体
の品質を低下させてしまうことがなくなる。
サの製造装置によれば、反射板配置手段が、レーザ溶接
手段が照射するレーザ光によって溶接される溶接部と素
子本体との間に、凹状溝部が形成された反射板を前記凹
状溝部に陽極リード線をはめ込みつつ配置した状態で、
レーザ溶接手段による溶接を行うことができ、よって、
該反射板が、コンデンサ素子の素子本体にレーザ光の反
射光が照射されることを防止し、その結果、該素子本体
の品質を低下させてしまうことがなくなる。
【００９０】したがって、高品質のチップ型コンデンサ
を得ることができる。
を得ることができる。
【００９１】本発明の請求項７記載のチップ型コンデン
サの製造装置によれば、反射板配置手段が、レーザ溶接
手段が照射するレーザ光によって溶接される溶接部と素
子本体との間に、凹状溝部が形成された反射板を前記凹
状溝部に陽極リード線をはめ込みつつ配置するとともに
該反射板で陽極リード線を接続舌片に押し付けるため、
この状態でレーザ溶接手段による溶接を行うと、陽極リ
ード線を接続舌片に押し付けることから、複数のコンデ
ンサ素子がアルミニウム等の金属板（以下、アルミホル
ダと称す）に接合した状態で各製造工程を経てきたと
き、陽極リード線は該アルミホルダの接合部から曲がっ
たり、反ったりして振れている状態で同一水平線上に揃
っていなく、陽極リード端子の接続舌片に載置したとき
接触状態が不安定である。この陽極リード線の曲がった
り、反ったりして振れている状態を矯正でき、常に陽極
リード線を接続舌片に十分に接触させた状態で溶接を行
うことができ、その結果、接合強度が安定し低下してし
まうことがなくなる。また、反射板が、コンデンサ素子
の素子本体にレーザ光の反射光が照射されることを防止
することから、該素子本体の品質を低下させてしまうこ
とがなくなる。
サの製造装置によれば、反射板配置手段が、レーザ溶接
手段が照射するレーザ光によって溶接される溶接部と素
子本体との間に、凹状溝部が形成された反射板を前記凹
状溝部に陽極リード線をはめ込みつつ配置するとともに
該反射板で陽極リード線を接続舌片に押し付けるため、
この状態でレーザ溶接手段による溶接を行うと、陽極リ
ード線を接続舌片に押し付けることから、複数のコンデ
ンサ素子がアルミニウム等の金属板（以下、アルミホル
ダと称す）に接合した状態で各製造工程を経てきたと
き、陽極リード線は該アルミホルダの接合部から曲がっ
たり、反ったりして振れている状態で同一水平線上に揃
っていなく、陽極リード端子の接続舌片に載置したとき
接触状態が不安定である。この陽極リード線の曲がった
り、反ったりして振れている状態を矯正でき、常に陽極
リード線を接続舌片に十分に接触させた状態で溶接を行
うことができ、その結果、接合強度が安定し低下してし
まうことがなくなる。また、反射板が、コンデンサ素子
の素子本体にレーザ光の反射光が照射されることを防止
することから、該素子本体の品質を低下させてしまうこ
とがなくなる。
【００９２】したがって、高品質のチップ型コンデンサ
を得ることができる。
を得ることができる。
【００９３】本発明の請求項８記載のチップ型コンデン
サの製造装置によれば、レーザ溶接手段が接続舌片の溶
接凸部のみにレーザ光を照射するため、接続舌片の溶接
凸部が溶けて陽極リード線を包むようにその周囲に回り
込ませた溶接状態になり溶接強度が安定して実用的価値
が高まるとともに、陽極リード線の温度上昇を必要最小
限に抑えることができ、その結果、陽極リード線を介し
てのコンデンサ素子の素子本体の温度上昇を最小限に抑
えることができ、該素子本体の品質を低下させてしまう
ことがなくなる。
サの製造装置によれば、レーザ溶接手段が接続舌片の溶
接凸部のみにレーザ光を照射するため、接続舌片の溶接
凸部が溶けて陽極リード線を包むようにその周囲に回り
込ませた溶接状態になり溶接強度が安定して実用的価値
が高まるとともに、陽極リード線の温度上昇を必要最小
限に抑えることができ、その結果、陽極リード線を介し
てのコンデンサ素子の素子本体の温度上昇を最小限に抑
えることができ、該素子本体の品質を低下させてしまう
ことがなくなる。
【００９４】したがって、より高品質のチップ型コンデ
ンサを得ることができる。
ンサを得ることができる。
【００９５】本発明の請求項９記載のチップ型コンデン
サの製造装置によれば、レーザ溶接手段は、接続舌片に
低エネルギ密度のレーザ光を照射するとともに陽極リー
ド線に高エネルギ密度のレーザ光を照射するため、接続
舌片と陽極リード線との部材の融点が異なるこれらを良
好に溶かして接合させることができる。
サの製造装置によれば、レーザ溶接手段は、接続舌片に
低エネルギ密度のレーザ光を照射するとともに陽極リー
ド線に高エネルギ密度のレーザ光を照射するため、接続
舌片と陽極リード線との部材の融点が異なるこれらを良
好に溶かして接合させることができる。
【００９６】したがって、より高品質のチップ型コンデ
ンサを得ることができる。
ンサを得ることができる。
【図１】 本発明の一実施形態により製造されるチップ
型コンデンサを示す正断面図である。
型コンデンサを示す正断面図である。
【図２】 本発明の一実施形態により製造されるチップ
型コンデンサの陽極端子およびコンデンサ素子を示す正
面図である。
型コンデンサの陽極端子およびコンデンサ素子を示す正
面図である。
【図３】 本発明の一実施形態により製造されるチップ
型コンデンサのリードフレームを示す斜視図である。
型コンデンサのリードフレームを示す斜視図である。
【図４】 本発明の一実施形態により製造されるチップ
型コンデンサのリードフレームにコンデンサ素子を配置
した状態を示す斜視図である。
型コンデンサのリードフレームにコンデンサ素子を配置
した状態を示す斜視図である。
【図５】 本発明の一実施形態の製造装置の反射体配置
機、リードフレームおよびコンデンサ素子を示す斜視図
である。
機、リードフレームおよびコンデンサ素子を示す斜視図
である。
【図６】 本発明の一実施形態の製造装置の反射体配置
機、レーザ溶接機、リードフレームおよびコンデンサ素
子を示す斜視図である。
機、レーザ溶接機、リードフレームおよびコンデンサ素
子を示す斜視図である。
【図７】 本発明の一実施形態の製造装置のレーザ溶接
機を概略的に示す正断面図である。
機を概略的に示す正断面図である。
【図８】 本発明の一実施形態の製造装置のレーザ溶接
機の別の例を示す斜視図である。
機の別の例を示す斜視図である。
【図９】 本発明の一実施形態の製造装置のレーザ溶接
機の別の例を示す正面図である。
機の別の例を示す正面図である。
【図１０】 本発明の一実施形態の製造装置のレーザ溶
接機のさらに別の例を示す斜視図である。
接機のさらに別の例を示す斜視図である。
【図１１】 本発明の一実施形態の製造装置のレーザ溶
接機のさらに別の例を示す斜視図である。
接機のさらに別の例を示す斜視図である。
【図１２】 本発明の一実施形態の製造装置のレーザ溶
接機のさらに別の例を示す正面図である。
接機のさらに別の例を示す正面図である。
【図１３】 本発明の一実施形態の製造装置の反射体の
別の例を示す正面図である。
別の例を示す正面図である。
１１ チップ型固体電解コンデンサ（チップ型コンデン
サ） １２ 陽極端子 １４ コンデンサ素子 １７ 陽極リード線 １８ 素子本体 ２１ 接続舌片 ２３ａ 溶接凸部（溶接部） ５２ 反射体配置機（押圧手段、反射板配置手段） ５３ 反射板 ５４ 凹状溝部 ５７ レーザ溶接機（レーザ溶接手段） Ｂ レーザ光
サ） １２ 陽極端子 １４ コンデンサ素子 １７ 陽極リード線 １８ 素子本体 ２１ 接続舌片 ２３ａ 溶接凸部（溶接部） ５２ 反射体配置機（押圧手段、反射板配置手段） ５３ 反射板 ５４ 凹状溝部 ５７ レーザ溶接機（レーザ溶接手段） Ｂ レーザ光
─────────────────────────────────────────────────────
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(56)参考文献 特開 平８−255729（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−186061（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01G 9/012
H01G 9/15
H01G 9/00
H01G 13/00 371
Claims (9)
- 【請求項１】 一部が屈曲されて接続舌片とされた陽極
端子の前記接続舌片に、素子本体と該素子本体から突出
する陽極リード線とを有するコンデンサ素子の前記陽極
リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線と
をレーザ光によって溶接するチップ型コンデンサの製造
方法において、 前記レーザ光によって溶接される溶接部と前記素子本体
との間に、凹状溝部が形成されたレーザ光の反射光を反
射させる反射板を前記凹状溝部に前記陽極リード線をは
め込みつつ配置した状態で、前記レーザ光による溶接を
行うことを特徴とするチップ型コンデンサの製造方法。 - 【請求項２】 一部が屈曲されて接続舌片とされた陽極
端子の前記接続舌片に、素子本体と該素子本体から突出
する陽極リード線とを有するコンデンサ素子の前記陽極
リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線と
をレーザ光によって溶接するチップ型コンデンサの製造
方法において、 前記レーザ光によって溶接される溶接部と前記素子本体
との間に、凹状溝部が形成されたレーザ光の反射光を反
射させる反射板を前記凹状溝部に前記陽極リード線をは
め込みつつ配置するとともに該反射板で前記陽極リード
線を前記接続舌片に押し付けた状態で、前記レーザ光に
よる溶接を行うことを特徴とするチップ型コンデンサの
製造方法。 - 【請求項３】 前記接続舌片は前記陽極リード線が載置
される溶接凹部と該溶接凹部に隣り合う溶接凸部とを有
しており、前記溶接凸部のみにレーザ光を照射すること
を特徴とする請求項１または２記載のチップ型コンデン
サの製造方法。 - 【請求項４】 前記接続舌片に低エネルギ密度のレーザ
光を照射するとともに前記陽極リード線に高エネルギ密
度のレーザ光を照射することを特徴とする請求項１また
は２記載のチップ型コンデンサの製造方法。 - 【請求項５】 一部が屈曲されて接続舌片とされた陽極
端子の前記接続舌片に、素子本体と該素子本体から突出
する陽極リード線とを有するコンデンサ素子の前記陽極
リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線と
をレーザ溶接手段が照射するレーザ光によって溶接する
チップ型コンデンサの製造装置において、 前記レーザ光によって溶接される溶接部と前記素子本体
との間にて前記陽極リード線を押圧し該陽極リード線を
前記接続舌片に押し付ける押圧手段を具備することを特
徴とするチップ型コンデンサの製造装置。 - 【請求項６】 一部が屈曲されて接続舌片とされた陽極
端子の前記接続舌片に、素子本体と該素子本体から突出
する陽極リード線とを有するコンデンサ素子の前記陽極
リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線と
をレーザ溶接手段が照射するレーザ光によって溶接する
チップ型コンデンサの製造装置において、 前記レーザ溶接手段が照射するレーザ光によって溶接さ
れる溶接部と前記素子本体との間に凹状溝部が形成され
たレーザ光の反射光を反射させる反射板を前記凹状溝部
に前記陽極リード線をはめ込みつつ配置する反射板配置
手段を具備することを特徴とするチップ型コンデンサの
製造装置。 - 【請求項７】 一部が屈曲されて接続舌片とされた陽極
端子の前記接続舌片に、素子本体と該素子本体から突出
する陽極リード線とを有するコンデンサ素子の前記陽極
リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線と
をレーザ溶接手段が照射するレーザ光によって溶接する
チップ型コンデンサの製造装置において、 前記レーザ溶接手段が照射するレーザ光によって溶接さ
れる溶接部と前記素子本体との間に凹状溝部が形成され
たレーザ光の反射光を反射させる反射板を前記凹状溝部
に前記陽極リード線をはめ込みつつ配置する反射板配置
手段を設け、 該反射板配置手段は、前記陽極リード線を前記反射板で
前記接続舌片に押し付けることを特徴とするチップ型コ
ンデンサの製造装置。 - 【請求項８】 前記接続舌片は前記陽極リード線が載置
される溶接凹部と該溶接凹部に隣り合う溶接凸部とを有
しており、前記レーザ溶接手段は、前記溶接凸部のみに
レーザ光を照射することを特徴とする請求項５乃至７の
いずれか一項記載のチップ型コンデンサの製造装置。 - 【請求項９】 前記レーザ溶接手段は、前記接続舌片に
低エネルギ密度のレーザ光を照射するとともに前記陽極
リード線に高エネルギ密度のレーザ光を照射することを
特徴とする請求項５乃至７のいずれか一項記載のチップ
型コンデンサの製造装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000356020A JP3532519B2 (ja) | 2000-11-22 | 2000-11-22 | チップ型コンデンサの製造方法およびその製造装置 |
| US09/987,251 US6616713B2 (en) | 2000-11-22 | 2001-11-14 | Method for fabricating chip type solid electrolytic capacitor and apparatus for performing the same method |
| EP01127767A EP1209706A3 (en) | 2000-11-22 | 2001-11-21 | Method for fabricating chip type solid electrolytic capacitor and apparatus for performing the same method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000356020A JP3532519B2 (ja) | 2000-11-22 | 2000-11-22 | チップ型コンデンサの製造方法およびその製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002158142A JP2002158142A (ja) | 2002-05-31 |
| JP3532519B2 true JP3532519B2 (ja) | 2004-05-31 |
Family
ID=18828336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000356020A Expired - Lifetime JP3532519B2 (ja) | 2000-11-22 | 2000-11-22 | チップ型コンデンサの製造方法およびその製造装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6616713B2 (ja) |
| EP (1) | EP1209706A3 (ja) |
| JP (1) | JP3532519B2 (ja) |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6813141B2 (en) * | 2002-03-04 | 2004-11-02 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Solid electrolytic capacitor and method for producing the same |
| JP4477287B2 (ja) * | 2002-03-15 | 2010-06-09 | Ｎｅｃトーキン株式会社 | 陽極端子板およびチップ型コンデンサの製造方法 |
| US6870727B2 (en) * | 2002-10-07 | 2005-03-22 | Avx Corporation | Electrolytic capacitor with improved volumetric efficiency |
| JP2004228424A (ja) * | 2003-01-24 | 2004-08-12 | Nec Tokin Corp | チップ電解コンデンサおよびその製造方法 |
| JP4201721B2 (ja) * | 2003-09-05 | 2008-12-24 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ |
| CN1649052A (zh) * | 2004-01-28 | 2005-08-03 | 三洋电机株式会社 | 固体电解电容器及其制造方法 |
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| JP4802585B2 (ja) * | 2005-07-22 | 2011-10-26 | パナソニック株式会社 | 固体電解コンデンサ |
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| CN101292311B (zh) * | 2005-10-24 | 2012-08-22 | 三洋电机株式会社 | 固体电解电容器 |
| US7280343B1 (en) | 2006-10-31 | 2007-10-09 | Avx Corporation | Low profile electrolytic capacitor assembly |
| US7483259B2 (en) * | 2007-03-21 | 2009-01-27 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing a barrier layer |
| US7515396B2 (en) * | 2007-03-21 | 2009-04-07 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing a conductive polymer |
| US7460358B2 (en) * | 2007-03-21 | 2008-12-02 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing a protective adhesive layer |
| US7724502B2 (en) * | 2007-09-04 | 2010-05-25 | Avx Corporation | Laser-welded solid electrolytic capacitor |
| US8081419B2 (en) * | 2007-10-17 | 2011-12-20 | Greatbatch Ltd. | Interconnections for multiple capacitor anode leads |
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| US8075640B2 (en) | 2009-01-22 | 2011-12-13 | Avx Corporation | Diced electrolytic capacitor assembly and method of production yielding improved volumetric efficiency |
| US8279583B2 (en) * | 2009-05-29 | 2012-10-02 | Avx Corporation | Anode for an electrolytic capacitor that contains individual components connected by a refractory metal paste |
| US8441777B2 (en) * | 2009-05-29 | 2013-05-14 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with facedown terminations |
| JP2010283062A (ja) * | 2009-06-03 | 2010-12-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| US8139344B2 (en) * | 2009-09-10 | 2012-03-20 | Avx Corporation | Electrolytic capacitor assembly and method with recessed leadframe channel |
| US8355242B2 (en) | 2010-11-12 | 2013-01-15 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor element |
| US8582278B2 (en) | 2011-03-11 | 2013-11-12 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved mechanical stability |
| US8514550B2 (en) | 2011-03-11 | 2013-08-20 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing a cathode termination with a slot for an adhesive |
| JP5770351B1 (ja) * | 2014-09-29 | 2015-08-26 | Ｎｅｃトーキン株式会社 | 固体電解コンデンサ |
| US9545008B1 (en) | 2016-03-24 | 2017-01-10 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor for embedding into a circuit board |
| JP6913875B2 (ja) * | 2017-02-28 | 2021-08-04 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 電解コンデンサ |
| JP7215860B2 (ja) * | 2018-09-26 | 2023-01-31 | キョーセラ・エイブイエックス・コンポーネンツ・コーポレーション | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| CN111048320B (zh) * | 2018-10-12 | 2021-09-28 | 钰冠科技股份有限公司 | 堆叠型固态电解电容器封装结构及其制作方法 |
| US11270847B1 (en) | 2019-05-17 | 2022-03-08 | KYOCERA AVX Components Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved leakage current |
| KR102561929B1 (ko) | 2019-08-05 | 2023-08-01 | 삼성전기주식회사 | 탄탈 커패시터 |
| JPWO2022138223A1 (ja) * | 2020-12-25 | 2022-06-30 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS62121982A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-03 | Hitachi Ltd | 磁気バブルメモリデバイスのグランド線の固定構造 |
| JPH0384895A (ja) | 1989-08-28 | 1991-04-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 放電灯点灯装置 |
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| US5194710A (en) * | 1991-05-22 | 1993-03-16 | Cray Research, Inc. | Method and apparatus for laser masking of lead bonding |
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-
2000
- 2000-11-22 JP JP2000356020A patent/JP3532519B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-11-14 US US09/987,251 patent/US6616713B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020061613A1 (en) | 2002-05-23 |
| JP2002158142A (ja) | 2002-05-31 |
| EP1209706A3 (en) | 2006-04-26 |
| US6616713B2 (en) | 2003-09-09 |
| EP1209706A2 (en) | 2002-05-29 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090312 Year of fee payment: 5 |
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090312 Year of fee payment: 5 |
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100312 Year of fee payment: 6 |
|
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