JP2004228424A - チップ電解コンデンサおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】コンデンサ素子部分の体積効率が高く、小型かつ薄型のチップ電解コンデンサおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】陽極リード線１２が導出されたコンデンサ素子１１と、陽極リード線１２に接続された陽極端子１４と、コンデンサ素子１１の陰極層に接続された陰極端子１７と、陽極端子１４の一部および陰極端子１７の一部を露出させてコンデンサ素子１１を被覆した絶縁性の外装樹脂とを備えるチップ電解コンデンサであり、陽極端子１４は実装面１８および第１側面１９ａのそれぞれ一部分において露出するとともに、実装面１８と第１側面１９ａとの境界を横切って連続する露出面を有し、外装樹脂１３の内部では、陽極端子１４は、つぶし加工による２段からなる階段状の形状を有し、第１側面１９ａでの厚さが、実装面１８の中心に向かう先端部の厚さよりも大であるチップ電解コンデンサとする。
【選択図】 図１
【解決手段】陽極リード線１２が導出されたコンデンサ素子１１と、陽極リード線１２に接続された陽極端子１４と、コンデンサ素子１１の陰極層に接続された陰極端子１７と、陽極端子１４の一部および陰極端子１７の一部を露出させてコンデンサ素子１１を被覆した絶縁性の外装樹脂とを備えるチップ電解コンデンサであり、陽極端子１４は実装面１８および第１側面１９ａのそれぞれ一部分において露出するとともに、実装面１８と第１側面１９ａとの境界を横切って連続する露出面を有し、外装樹脂１３の内部では、陽極端子１４は、つぶし加工による２段からなる階段状の形状を有し、第１側面１９ａでの厚さが、実装面１８の中心に向かう先端部の厚さよりも大であるチップ電解コンデンサとする。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、チップ電解コンデンサおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１０に、従来例のチップ電解コンデンサの断面図を示す。１０１はコンデンサ素子、１０２は陽極リード線、１０３は外装樹脂、１０４は陽極端子、１０５は陰極端子、１０６は導電性接着剤、そして１０７は端子フレームである。
【０００３】
その製造方法は次のようである。まず、得られたコンデンサ素子１０１の陰極層に端子フレーム１０７の陰極端子１０５を導電性接着剤１０６で接続する。また、陽極リード線１０２と端子フレーム１０７の陽極端子１０４との当接点を溶接する。次に、端子フレーム１０７の一部を露出してモールド成形を行った後、端子フレーム１０７を外装樹脂１０３の表面に沿って折り曲げ加工して、製品を得る。
【０００４】
このような端子を有する固体電解コンデンサとしては、例えば次の特許文献１に示された例がある。
【０００５】
【特許文献１】
特開平５−２９１０７９号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
携帯型電子機器等への用途に対応して、チップ電解コンデンサの小型化および薄型化を進めるとき、全体積に占める陽極端子および陰極端子の割合が相対的に増加して、静電容量を担うコンデンサ素子の体積が製品の全体積に占める比率、すなわち体積効率が低下する。例えば、チップ電解コンデンサ全体の高さを０．８ｍｍにすると、体積効率は２０％以下になる。
【０００７】
この状況にあって、本発明は、コンデンサ素子部分の体積効率が高く、小型かつ薄型のチップ電解コンデンサおよびその製造方法を提供することを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明のチップ電解コンデンサは、陽極リード線が導出されたコンデンサ素子と、前記陽極リード線に接続された陽極端子と、前記コンデンサ素子の陰極層に接続された陰極端子と、前記陽極端子の一部および前記陰極端子の一部を露出させて前記コンデンサ素子を被覆した絶縁性の外装樹脂とを備えるチップ電解コンデンサにおいて、前記陽極端子は部品外形面のうちの実装面および前記陽極リード線側の第１側面のそれぞれ一部分において露出するとともに、前記実装面と前記第１側面との境界を横切って連続する露出面を有し、前記外装樹脂の内部では、前記陽極端子は、つぶし加工による２段の階段形状を有し、前記第１側面での厚さが、前記実装面の中心に向かう先端部の厚さよりも大であり、前記階段形状における段差は前記陰極層の実装側の面と前記陽極リード線の外周面との最短距離よりも大であることを特徴とする。
【０００９】
また、前記陰極端子は部品外形面のうちの実装面および前記陽極リード線とは逆側の第２側面のそれぞれ一部分において露出するとともに、前記実装面と前記第２側面との境界を横切って連続する露出面を有し、前記外装樹脂内部では、前記陰極端子は、つぶし加工による２段の階段形状を有し、前記第２側面での厚さが、前記実装面の中心側の先端部の厚さよりも大であり、前記階段形状の段差は前記陰極層の実装側の面と前記陽極リード線の外周面との最短距離よりも大であるとよい。
【００１０】
また、前記陰極端子の一部にはＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄの少なくとも１つを含む膜が形成されるとよい。
【００１１】
また、前記陰極層と前記陰極端子の接続にはＡｇを含む導電性接着剤が用いられるとよい。
【００１２】
また、前記陽極端子における前記第１側面への露出面の形状または前記陰極端子における前記第２側面への露出面の形状は、矩形における前記実装面にほぼ垂直な２つの辺に凹部が設けられた形状であるとよい。
【００１３】
また、前記凹部はくさび形の切り欠きであるとよい。
【００１４】
また、前記凹部は半円形状であるとよい。
【００１５】
また、前記陽極端子の前記第１側面への露出面の形状または前記陰極端子の前記第２側面への露出面の形状は、ほぼ矩形状であり、前記実装面に対向する辺の近傍で、つば状の凸部が形成されるとよい。
【００１６】
また、前記陽極端子の前記第１側面への露出面の形状または前記陰極端子の前記第２側面への露出面の形状は、逆台形状であり、前記実装面側の辺の長さが、対向する辺の長さよりも短いとよい。
【００１７】
また、本発明のチップ電解コンデンサの製造方法は、コンデンサ素子から導出された陽極リード線をリードフレームの陽極端子形成部に接続する工程と、前記コンデンサ素子の陰極層をリードフレームの陰極端子形成部に接続する工程と、前記陽極端子の一部および前記陰極端子の一部を露出させて絶縁性の外装樹脂によって前記コンデンサ素子を被覆する工程と、前記リードフレームからチップを分離する切断工程とを含むチップ電解コンデンサの製造方法であって、前記陽極リード線をリードフレームの陽極端子形成部に接続する工程は、前記陽極端子形成部につぶし加工を施し先端部を薄くして段差を設ける工程を含むことを特徴とする。
【００１８】
また、前記陰極層を前記リードフレームの陰極端子形成部に接続する工程は、前記陰極端子形成部につぶし加工を施し先端部を薄くして段差を設ける工程を含むとよい。
【００１９】
また、前記陽極リード線をリードフレームの陽極端子形成部に接続する工程は、前記陰極端子形成部につぶし加工を施し先端部を薄くして段差を設ける工程よりも前に、前記リードフレームの陽極端子形成部の一部に絶縁性樹脂を塗布する工程を含むとよい。
【００２０】
また、前記陰極層を前記リードフレームの陰極端子形成部に接続する工程は、前記陰極端子形成部につぶし加工を施し先端部を薄くして段差を設ける工程よりも前に、前記陰極端子形成部の一部にＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄの少なくとも１つからなる導電膜を形成する工程を含むとよい。
【００２１】
また、前記陽極リード線をリードフレームの陽極端子形成部に接続する工程は、前記陽極端子形成部に１つの突起部を設けて、前記突起部に接して、前記陽極リード線を配置した後、レーザ溶接によって接続固定する工程を含むとよい。
【００２２】
また、前記陽極リード線をリードフレームの陽極端子形成部に接続する工程は、前記陽極端子形成部に２つの突起部を設けて、前記突起部の間に前記陽極リード線を配置した後、レーザ溶接によって接続固定する工程を含むとよい。
【００２３】
また、前記陽極リード線をリードフレームの陽極端子形成部に接続する工程は、前記陽極リード線を前記陽極端子形成部の平坦面もしくはＶ溝に当接して抵抗溶接で接続固定する工程を含むとよい。
【００２４】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
【００２５】
図１は、本発明のチップ電解コンデンサを示す断面図である。１１はコンデンサ素子、１２は陽極リード線、１３は外装樹脂、１４は陽極端子、１５は絶縁性樹脂、１６は導電性接着剤、１７は陰極端子、１８は実装面、１９ａは第１側面、そして１９ｂは第２側面である。
【００２６】
図２は、本発明のチップ電解コンデンサの内部透視図である。
【００２７】
図３は、本発明のチップ電解コンデンサの外観を示す斜視図である。
【００２８】
図１、図２または図３から分かるように、本発明のチップ電解コンデンサにおいては、陽極端子および陰極端子が外装樹脂の表面と一致して形成されている。また、基板への実装面以外に、側面にも端子の表面が露出して、実装面と側面との境界を横切る露出面が形成されている。
【００２９】
また、図１および図２にも示したように、陽極端子および陰極端子は、つぶし加工による段差を有する、２段からなる階段状の形状であり、チップの側面部分の厚さよりも、実装面の中心部に向かう先端部の厚さが薄く形成されている。その結果、陽極リード線と陽極端子の溶接接続だけでなく、チップの側面においては、はんだ付けのときに、フィレットの形成が可能であり、実装時の生産性の向上に寄与する。また、一端を薄くして、コンデンサ素子の下側に入りこむ構造とすると、基板実装面での端子の露出面積を大きくとることができる。
【００３０】
この状況をさらに説明する。図１において、ｔ１は実装面１８と陰極層の実装側の面との間の距離であり、ｔ２は実装面１８と陽極リード線１２の外周面との間の最短距離であり、陽極端子１４における、実装面１８の中心に向かう先端部の厚さが前記距離ｔ１よりも薄く、陽極端子１４の第１側面１９ａ側の厚さが前記距離ｔ２よりも厚く、また段差ｄはｔ２−ｔ１（すなわち、陰極層の実装側の面と陽極リード線１２の外周面との間の最短距離）よりも大きくなっている。
【００３１】
次に、本発明のチップ電解コンデンサの製造方法を説明する。
【００３２】
まず、コンデンサ素子を作製する。次に、コンデンサ素子から導出された陽極リード線をリードフレームの陽極端子形成部に接続する工程と、そのコンデンサ素子の陰極層をリードフレームの陰極端子形成部に接続する工程と、陽極端子の一部および陰極端子の一部を露出させて絶縁性の外装樹脂によってコンデンサ素子を被覆する工程と、リードフレームからチップを分離する切断工程とを主にしてチップ電解コンデンサを製造する。
【００３３】
このとき、陽極リード線をリードフレームの陽極端子形成部に接続する工程は、リードフレームの陽極端子形成部につぶし加工を施し先端部を薄くして段差を設ける工程を含む。
【００３４】
また、コンデンサ素子の陰極層をリードフレームの陰極端子形成部に接続する工程も、前記リードフレームの陰極端子形成部につぶし加工を施し先端部を薄くして段差を設ける工程を含む。
【００３５】
この、つぶし加工を含む工程を、図４に基づいて説明する。図４は、リードフレームの端子形成部を示す図であり、図４（ａ）はリードフレームの原板上の絶縁性樹脂層とＡｇめっき層を示す平面図であり、図４（ｂ）は、リードフレームの端子形成部の平面図であり、図４（ｃ）は、つぶし加工前の端子形成部の斜視図であり、図４（ｄ）は、つぶし加工後の端子形成部の斜視図である。
【００３６】
図４（ａ）に示すように、リードフレームの原板に絶縁性樹脂層４１およびＡｇめっき層４２を形成して、打ち抜き加工により、図４（ｂ）に斜視図で示す陽極端子形成部４３および陰極端子形成部４４を形成する。また、図４（ｃ）は陽極端子形成部および陰極端子形成部を示す斜視図である。
【００３７】
このリードフレームの陽極端子形成部４３および陰極端子形成部４４につぶし加工を施し、先端部をもとの厚さの１／４程度まで薄くして、段差を設ける。
【００３８】
図４（ｄ）に、つぶし加工を施した後の端子形成部を斜視図で示す。
【００３９】
このとき用いる絶縁性樹脂は、つぶし加工に耐える展性にすぐれた樹脂が好ましい。また、場合によっては、つぶし加工の後で、絶縁性樹脂を塗布することも可能である。
【００４０】
また、Ａｇめっき層は、必ずしも、めっき層である必要はなく、他の一般的な成膜方法によって形成されたＡｇの層であってもよい。さらに、Ａｇの層に換えて、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄのいずれかによる層を形成してもよく、また、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄの少なくとも１つを含む合金層を形成してもよい。
【００４１】
引き続き、陽極リード線をリードフレームの陽極端子形成部に接続する工程を説明する。
【００４２】
図５は、陽極端子形成部の陽極リード線とのレーザ溶接部を示す斜視図である。図５（ａ）は２つの突起部を有する場合を示す斜視図であり、図５（ｂ）は１つの突起部を有する場合の斜視図である。ここで突起部５１の付近が陽極リード線とのレーザ溶接部になる。
【００４３】
図６は、陽極リード線を陽極端子の突起部に接して設置した状態を示す斜視図である。この図６では、２つの突起部５１の間に陽極リード線１２が配置されているが、１つの突起部の場合には、突起部の側面に接するように陽極リード線が配置される。また、レーザ光は、突起部と陽極リード線の両方を含む部分に照射する。
【００４４】
図７は、レーザ照射によって、レーザ溶接部が形成される様子を示す側面図である。図７（ａ）は突起部が２つの場合を示し、図７（ｂ）は突起部が１つの場合を示す。いずれの場合も、レーザ照射によって突起部５１が溶融して、陽極リード線１２を取り巻いてから固化する。この様にして、強固な溶接部が形成できる。
【００４５】
なお、陽極リード線をリードフレームの陽極端子形成部に抵抗溶接で溶接する場合には、陽極端子形成部に平坦面またはＶ溝があれば良い。
【００４６】
次に、陽極端子の一部および陰極端子の一部を露出させて絶縁性の外装樹脂によって前記コンデンサ素子を被覆する工程と、リードフレームからチップを分離する切断工程について説明する。
【００４７】
図８は、陽極端子および陰極端子の基板実装面以外を外装樹脂でモールドした状態を示す斜視図である。図８（ａ）は２面切断の場合を示し、図８（ｂ）は４面切断の場合を示す。
【００４８】
ここで、図８（ａ）に示したように、モールドした素子の切断面８１に沿って、２面で切断することにより、チップ電解コンデンサを得る。
【００４９】
また、図８（ｂ）に示したように、モールドした素子の切断面８１および８２に沿って、４面で切断して、チップ電解コンデンサを得ることもできる。この４面切断を行うと、さらに体積効率を高めることができる。
【００５０】
次に、陽極端子および陰極端子が基板実装面などから受ける力に対処して、剥離を防止するために端子と外装樹脂の接着力を強化する手段について説明する。
【００５１】
図９は、チップ電解コンデンサの陽極端子側の側面図である。なお、外装樹脂が２面で切断された場合の側面が示されている。
【００５２】
図９（ａ）は、くさび形状の凹部の断面形状を有する端子を示し、側面における端子の形状は、矩形の実装面にほぼ垂直な２つの辺にくさび形の切り欠きである凹部が設けられた形状である。
【００５３】
図９（ｂ）は、半円状の凹部の断面形状を有する端子を示し、側面における端子の形状は、矩形の実装面にほぼ垂直な２つの辺に半円形状の凹部が設けられた形状である。
【００５４】
図９（ｃ）は、つば状の断面形状を有する端子を示し、側面における形状は、ほぼ矩形状であり、実装面に対向する辺の近傍で、つば状の凸部が形成された形状である。
【００５５】
図９（ｄ）は、逆台形状の断面形状を有する端子を示し、側面における形状は、逆台形状である。
【００５６】
なお、陰極端子についても、陽極端子と同じ形状とすることにより、外装樹脂との接着力を強化することができる。
【００５７】
【実施例】
次に、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
【００５８】
（実施例１）まず、コンデンサ素子の作製方法を説明する。弁金属として、タンタルを用い、タンタル線のまわりに、タンタル粉末をプレス機で成型し、高真空・高温度で焼結した。次に、タンタル金属粉末の表面にＴａ２Ｏ５の酸化被膜を形成した。さらに、硝酸マンガンに浸漬した後、熱分解して、ＭｎＯ２を形成し、引き続き、グラファイトおよびＡｇによる陰極層を形成して、コンデンサ素子を得た。
【００５９】
次に、リードフレームの加工について図４を参照して説明する。図４（ａ）に示したように、リードフレームの原板に絶縁性樹脂層４１およびＡｇめっき層４２を形成して、打ち抜き加工により、図４（ｂ）に平面図で示す陽極端子形成部４３および陰極端子形成部４４を形成した。また、図４（ｃ）は陽極端子形成部および陰極端子を示す斜視図である。
【００６０】
このリードフレームの陽極端子形成部４３および陰極端子形成部４４につぶし加工を施し、先端部をもとの厚さの１／４程度まで、薄くして、段差を設けた。
【００６１】
図４（ｄ）に、つぶし加工をした後の端子形成部を斜視図で示す。
【００６２】
このつぶし加工と並行して、陽極リード線をリードフレームの陽極端子形成部に接続する工程を説明する。
【００６３】
図５（ａ）に、本実施例１における陽極端子形成部の陽極リード線とのレーザ溶接部を斜視図で示す。突起部５１の付近が陽極リード線とのレーザ溶接部になる。
【００６４】
次に、リードフレームの陰極端子形成部にはＡｇを含む導電性接着剤を塗布して、コンデンサ素子をリードフレームに設置する。
【００６５】
図６は、コンデンサ素子を陽極端子形成部にレーザ溶接する様子を示す斜視図である。なお、図６においては、リードフレームの手前側部分が省略されている。５１は突起部であり、レーザ照射前の陽極リード線を位置決めすると共に、レーザ照射後には、溶融して、陽極リード線１２を包みこんで固化する。
【００６６】
本実施例１の場合は、図７（ａ）に示すように、レーザ照射によって、突起部５１は溶融した後、陽極リード線１２の表面を覆うように固化する。
【００６７】
この様に、リードフレームへコンデンサ素子を接続固定した後、図８に示すように、外装樹脂１３で、端子形成部の下面を残して、モールドする。
【００６８】
その後、切断面８１において、切断を行い、チップ電解コンデンサを得た。
【００６９】
（実施例２）本実施例２においては、陽極リード線と陽極端子のレーザ溶接において、実施例１と異なるが、他はコンデンサ素子の作製から切断の工程まで共通である。
【００７０】
図５（ｂ）に示すように、本実施例２においては、陽極端子形成部に１つの突起部５１を設けて、図７（ｂ）に示すように、突起部５１の側面に陽極リード線１２を当接して、突起部および陽極リード線を含むスポットサイズでレーザ照射を行う。その結果、突起部は溶融して、陽極リード線の表面と反応して、溶接部が形成される。
【００７１】
以後、実施例１と同様にして、チップ電解コンデンサを得た。この実施例２においては、実施例１と比べて陽極端子形成部の金属加工がやや容易である。
【００７２】
（実施例３）本実施例３においては、陽極端子および陰極端子に、くさび形の切り欠きを設けて、図９（ａ）に示す形状とした。図９（ａ）は、陽極端子側の側面図であり、陽極端子１４の実装面にほぼ垂直な２つの辺には、くさび形の切り欠きが設けられ、この部分に外装樹脂１３が入りこむことによって、接着が強化された。
【００７３】
このような切り欠き部の形成加工は、陽極端子形成部のつぶし加工あるいは突起部の形成加工と並行して行うことができる。
【００７４】
その他の工程は実施例１または実施例２と同様に行った。
【００７５】
（実施例４）本実施例４においては、陽極端子および陰極端子に、半円筒状の凹部を設けて、図９（ｂ）に示す形状とした。陽極端子形成部の金属加工以外は実施例３と同様にして、チップ電解コンデンサを得た。本実施例４においても、実施例３と同様に、端子と外装樹脂の接着が強化された。
【００７６】
（実施例５）本実施例５においては、陽極端子および陰極端子の上面の両側につば状の凸部を設けて、図９（ｃ）に示す形状とした。陽極端子形成部の金属加工以外は実施例３と同様にして、チップ電解コンデンサを得た。本実施例５においても、実施例３と同様に、端子と外装樹脂の接着が強化された。
【００７７】
（実施例６）本実施例６においては、陽極端子および陰極端子の側面付近の形状を逆台形状にして、図９（ｄ）に示す形状とした。陽極端子形成部の金属加工以外は実施例３と同様にして、チップ電解コンデンサを得た。本実施例６においても、実施例３と同様に、端子と外装樹脂の接着が強化された。
【００７８】
（実施例７）本実施例７においては、陽極リード線と陽極端子形成部を抵抗溶接で接続した。そのため、陽極端子形成部の上面は平坦なままで、突起部を形成する金属加工が不要となった。ただし、陽極端子形成部にＶ溝を設けると、陽極リード線の位置決めが容易になる。他は実施例１と同様に作製して、チップ電解コンデンサを得た。
【００７９】
このようにして得られたチップ電解コンデンサおいては、いずれも、体積効率を従来の２倍近くまで、高めることができた。
【００８０】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明によれば、チップ電解コンデンサの端子部分の形状および材質を最適にすると共に、その製造方法を確立して、コンデンサ素子の体積効率を高めた、小型かつ薄型のチップ電解コンデンサおよびその製造方法を提供することができる。
【００８１】
また、本発明によれば、端子の折り曲げ工程が不要になり、その分、製作工数を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のチップ電解コンデンサの断面図。
【図２】本発明のチップ電解コンデンサの内部透視図。
【図３】本発明のチップ電解コンデンサの外観を示す斜視図。
【図４】本発明によるリードフレームの端子形成部を示す図。図４（ａ）はリードフレームの原板上の絶縁性樹脂層とＡｇめっき層を示す平面図、図４（ｂ）は、リードフレームの端子形成部の平面図、図４（ｃ）は、つぶし加工前の端子形成部の斜視図、図４（ｄ）は、つぶし加工後の端子形成部の斜視図。
【図５】本発明による陽極端子形成部の陽極リード線とのレーザ溶接部を示す斜視図。図５（ａ）は突起部が２つの場合、図５（ｂ）は突起部が１つの場合を示す。
【図６】本発明による陽極端子形成部の陽極リード線とのレーザ溶接部を示す斜視図。
【図７】本発明におけるレーザ照射によってレーザ溶接部が形成される様子を示す側面図。図７（ａ）は突起部が２つの場合、図７（ｂ）は突起部が１つの場合を示す。
【図８】本発明における外装樹脂でのモールド状態と切断面を示す斜視図。図８（ａ）は２面切断の場合を示し、図８（ｂ）は４面切断の場合を示す。
【図９】本発明のチップ電解コンデンサの陽極端子側の側面図。図９（ａ）は、くさび形状の凹部の断面形状を有する端子を示し、図９（ｂ）は、半円状の凹部の断面形状を有する端子を示し、図９（ｃ）は、つば状の断面形状を有する端子を示し、図９（ｄ）は、逆台形状の断面形状を有する端子を示す。
【図１０】従来のチップ電解コンデンサの断面図。
【符号の説明】
１１ コンデンサ素子
１２ 陽極リード線
１３ 外装樹脂
１４ 陽極端子
１５ 絶縁性樹脂
１６ 導電性接着剤
１７ 陰極端子
１８ 実装面
１９ａ 第１側面
１９ｂ 第２側面
４１ 絶縁性樹脂層
４２ Ａｇめっき層
４３ 陽極端子形成部
４４ 陰極端子形成部
５１ 突起部
８１，８２ 切断面
【発明の属する技術分野】
本発明は、チップ電解コンデンサおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１０に、従来例のチップ電解コンデンサの断面図を示す。１０１はコンデンサ素子、１０２は陽極リード線、１０３は外装樹脂、１０４は陽極端子、１０５は陰極端子、１０６は導電性接着剤、そして１０７は端子フレームである。
【０００３】
その製造方法は次のようである。まず、得られたコンデンサ素子１０１の陰極層に端子フレーム１０７の陰極端子１０５を導電性接着剤１０６で接続する。また、陽極リード線１０２と端子フレーム１０７の陽極端子１０４との当接点を溶接する。次に、端子フレーム１０７の一部を露出してモールド成形を行った後、端子フレーム１０７を外装樹脂１０３の表面に沿って折り曲げ加工して、製品を得る。
【０００４】
このような端子を有する固体電解コンデンサとしては、例えば次の特許文献１に示された例がある。
【０００５】
【特許文献１】
特開平５−２９１０７９号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
携帯型電子機器等への用途に対応して、チップ電解コンデンサの小型化および薄型化を進めるとき、全体積に占める陽極端子および陰極端子の割合が相対的に増加して、静電容量を担うコンデンサ素子の体積が製品の全体積に占める比率、すなわち体積効率が低下する。例えば、チップ電解コンデンサ全体の高さを０．８ｍｍにすると、体積効率は２０％以下になる。
【０００７】
この状況にあって、本発明は、コンデンサ素子部分の体積効率が高く、小型かつ薄型のチップ電解コンデンサおよびその製造方法を提供することを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明のチップ電解コンデンサは、陽極リード線が導出されたコンデンサ素子と、前記陽極リード線に接続された陽極端子と、前記コンデンサ素子の陰極層に接続された陰極端子と、前記陽極端子の一部および前記陰極端子の一部を露出させて前記コンデンサ素子を被覆した絶縁性の外装樹脂とを備えるチップ電解コンデンサにおいて、前記陽極端子は部品外形面のうちの実装面および前記陽極リード線側の第１側面のそれぞれ一部分において露出するとともに、前記実装面と前記第１側面との境界を横切って連続する露出面を有し、前記外装樹脂の内部では、前記陽極端子は、つぶし加工による２段の階段形状を有し、前記第１側面での厚さが、前記実装面の中心に向かう先端部の厚さよりも大であり、前記階段形状における段差は前記陰極層の実装側の面と前記陽極リード線の外周面との最短距離よりも大であることを特徴とする。
【０００９】
また、前記陰極端子は部品外形面のうちの実装面および前記陽極リード線とは逆側の第２側面のそれぞれ一部分において露出するとともに、前記実装面と前記第２側面との境界を横切って連続する露出面を有し、前記外装樹脂内部では、前記陰極端子は、つぶし加工による２段の階段形状を有し、前記第２側面での厚さが、前記実装面の中心側の先端部の厚さよりも大であり、前記階段形状の段差は前記陰極層の実装側の面と前記陽極リード線の外周面との最短距離よりも大であるとよい。
【００１０】
また、前記陰極端子の一部にはＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄの少なくとも１つを含む膜が形成されるとよい。
【００１１】
また、前記陰極層と前記陰極端子の接続にはＡｇを含む導電性接着剤が用いられるとよい。
【００１２】
また、前記陽極端子における前記第１側面への露出面の形状または前記陰極端子における前記第２側面への露出面の形状は、矩形における前記実装面にほぼ垂直な２つの辺に凹部が設けられた形状であるとよい。
【００１３】
また、前記凹部はくさび形の切り欠きであるとよい。
【００１４】
また、前記凹部は半円形状であるとよい。
【００１５】
また、前記陽極端子の前記第１側面への露出面の形状または前記陰極端子の前記第２側面への露出面の形状は、ほぼ矩形状であり、前記実装面に対向する辺の近傍で、つば状の凸部が形成されるとよい。
【００１６】
また、前記陽極端子の前記第１側面への露出面の形状または前記陰極端子の前記第２側面への露出面の形状は、逆台形状であり、前記実装面側の辺の長さが、対向する辺の長さよりも短いとよい。
【００１７】
また、本発明のチップ電解コンデンサの製造方法は、コンデンサ素子から導出された陽極リード線をリードフレームの陽極端子形成部に接続する工程と、前記コンデンサ素子の陰極層をリードフレームの陰極端子形成部に接続する工程と、前記陽極端子の一部および前記陰極端子の一部を露出させて絶縁性の外装樹脂によって前記コンデンサ素子を被覆する工程と、前記リードフレームからチップを分離する切断工程とを含むチップ電解コンデンサの製造方法であって、前記陽極リード線をリードフレームの陽極端子形成部に接続する工程は、前記陽極端子形成部につぶし加工を施し先端部を薄くして段差を設ける工程を含むことを特徴とする。
【００１８】
また、前記陰極層を前記リードフレームの陰極端子形成部に接続する工程は、前記陰極端子形成部につぶし加工を施し先端部を薄くして段差を設ける工程を含むとよい。
【００１９】
また、前記陽極リード線をリードフレームの陽極端子形成部に接続する工程は、前記陰極端子形成部につぶし加工を施し先端部を薄くして段差を設ける工程よりも前に、前記リードフレームの陽極端子形成部の一部に絶縁性樹脂を塗布する工程を含むとよい。
【００２０】
また、前記陰極層を前記リードフレームの陰極端子形成部に接続する工程は、前記陰極端子形成部につぶし加工を施し先端部を薄くして段差を設ける工程よりも前に、前記陰極端子形成部の一部にＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄの少なくとも１つからなる導電膜を形成する工程を含むとよい。
【００２１】
また、前記陽極リード線をリードフレームの陽極端子形成部に接続する工程は、前記陽極端子形成部に１つの突起部を設けて、前記突起部に接して、前記陽極リード線を配置した後、レーザ溶接によって接続固定する工程を含むとよい。
【００２２】
また、前記陽極リード線をリードフレームの陽極端子形成部に接続する工程は、前記陽極端子形成部に２つの突起部を設けて、前記突起部の間に前記陽極リード線を配置した後、レーザ溶接によって接続固定する工程を含むとよい。
【００２３】
また、前記陽極リード線をリードフレームの陽極端子形成部に接続する工程は、前記陽極リード線を前記陽極端子形成部の平坦面もしくはＶ溝に当接して抵抗溶接で接続固定する工程を含むとよい。
【００２４】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
【００２５】
図１は、本発明のチップ電解コンデンサを示す断面図である。１１はコンデンサ素子、１２は陽極リード線、１３は外装樹脂、１４は陽極端子、１５は絶縁性樹脂、１６は導電性接着剤、１７は陰極端子、１８は実装面、１９ａは第１側面、そして１９ｂは第２側面である。
【００２６】
図２は、本発明のチップ電解コンデンサの内部透視図である。
【００２７】
図３は、本発明のチップ電解コンデンサの外観を示す斜視図である。
【００２８】
図１、図２または図３から分かるように、本発明のチップ電解コンデンサにおいては、陽極端子および陰極端子が外装樹脂の表面と一致して形成されている。また、基板への実装面以外に、側面にも端子の表面が露出して、実装面と側面との境界を横切る露出面が形成されている。
【００２９】
また、図１および図２にも示したように、陽極端子および陰極端子は、つぶし加工による段差を有する、２段からなる階段状の形状であり、チップの側面部分の厚さよりも、実装面の中心部に向かう先端部の厚さが薄く形成されている。その結果、陽極リード線と陽極端子の溶接接続だけでなく、チップの側面においては、はんだ付けのときに、フィレットの形成が可能であり、実装時の生産性の向上に寄与する。また、一端を薄くして、コンデンサ素子の下側に入りこむ構造とすると、基板実装面での端子の露出面積を大きくとることができる。
【００３０】
この状況をさらに説明する。図１において、ｔ１は実装面１８と陰極層の実装側の面との間の距離であり、ｔ２は実装面１８と陽極リード線１２の外周面との間の最短距離であり、陽極端子１４における、実装面１８の中心に向かう先端部の厚さが前記距離ｔ１よりも薄く、陽極端子１４の第１側面１９ａ側の厚さが前記距離ｔ２よりも厚く、また段差ｄはｔ２−ｔ１（すなわち、陰極層の実装側の面と陽極リード線１２の外周面との間の最短距離）よりも大きくなっている。
【００３１】
次に、本発明のチップ電解コンデンサの製造方法を説明する。
【００３２】
まず、コンデンサ素子を作製する。次に、コンデンサ素子から導出された陽極リード線をリードフレームの陽極端子形成部に接続する工程と、そのコンデンサ素子の陰極層をリードフレームの陰極端子形成部に接続する工程と、陽極端子の一部および陰極端子の一部を露出させて絶縁性の外装樹脂によってコンデンサ素子を被覆する工程と、リードフレームからチップを分離する切断工程とを主にしてチップ電解コンデンサを製造する。
【００３３】
このとき、陽極リード線をリードフレームの陽極端子形成部に接続する工程は、リードフレームの陽極端子形成部につぶし加工を施し先端部を薄くして段差を設ける工程を含む。
【００３４】
また、コンデンサ素子の陰極層をリードフレームの陰極端子形成部に接続する工程も、前記リードフレームの陰極端子形成部につぶし加工を施し先端部を薄くして段差を設ける工程を含む。
【００３５】
この、つぶし加工を含む工程を、図４に基づいて説明する。図４は、リードフレームの端子形成部を示す図であり、図４（ａ）はリードフレームの原板上の絶縁性樹脂層とＡｇめっき層を示す平面図であり、図４（ｂ）は、リードフレームの端子形成部の平面図であり、図４（ｃ）は、つぶし加工前の端子形成部の斜視図であり、図４（ｄ）は、つぶし加工後の端子形成部の斜視図である。
【００３６】
図４（ａ）に示すように、リードフレームの原板に絶縁性樹脂層４１およびＡｇめっき層４２を形成して、打ち抜き加工により、図４（ｂ）に斜視図で示す陽極端子形成部４３および陰極端子形成部４４を形成する。また、図４（ｃ）は陽極端子形成部および陰極端子形成部を示す斜視図である。
【００３７】
このリードフレームの陽極端子形成部４３および陰極端子形成部４４につぶし加工を施し、先端部をもとの厚さの１／４程度まで薄くして、段差を設ける。
【００３８】
図４（ｄ）に、つぶし加工を施した後の端子形成部を斜視図で示す。
【００３９】
このとき用いる絶縁性樹脂は、つぶし加工に耐える展性にすぐれた樹脂が好ましい。また、場合によっては、つぶし加工の後で、絶縁性樹脂を塗布することも可能である。
【００４０】
また、Ａｇめっき層は、必ずしも、めっき層である必要はなく、他の一般的な成膜方法によって形成されたＡｇの層であってもよい。さらに、Ａｇの層に換えて、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄのいずれかによる層を形成してもよく、また、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄの少なくとも１つを含む合金層を形成してもよい。
【００４１】
引き続き、陽極リード線をリードフレームの陽極端子形成部に接続する工程を説明する。
【００４２】
図５は、陽極端子形成部の陽極リード線とのレーザ溶接部を示す斜視図である。図５（ａ）は２つの突起部を有する場合を示す斜視図であり、図５（ｂ）は１つの突起部を有する場合の斜視図である。ここで突起部５１の付近が陽極リード線とのレーザ溶接部になる。
【００４３】
図６は、陽極リード線を陽極端子の突起部に接して設置した状態を示す斜視図である。この図６では、２つの突起部５１の間に陽極リード線１２が配置されているが、１つの突起部の場合には、突起部の側面に接するように陽極リード線が配置される。また、レーザ光は、突起部と陽極リード線の両方を含む部分に照射する。
【００４４】
図７は、レーザ照射によって、レーザ溶接部が形成される様子を示す側面図である。図７（ａ）は突起部が２つの場合を示し、図７（ｂ）は突起部が１つの場合を示す。いずれの場合も、レーザ照射によって突起部５１が溶融して、陽極リード線１２を取り巻いてから固化する。この様にして、強固な溶接部が形成できる。
【００４５】
なお、陽極リード線をリードフレームの陽極端子形成部に抵抗溶接で溶接する場合には、陽極端子形成部に平坦面またはＶ溝があれば良い。
【００４６】
次に、陽極端子の一部および陰極端子の一部を露出させて絶縁性の外装樹脂によって前記コンデンサ素子を被覆する工程と、リードフレームからチップを分離する切断工程について説明する。
【００４７】
図８は、陽極端子および陰極端子の基板実装面以外を外装樹脂でモールドした状態を示す斜視図である。図８（ａ）は２面切断の場合を示し、図８（ｂ）は４面切断の場合を示す。
【００４８】
ここで、図８（ａ）に示したように、モールドした素子の切断面８１に沿って、２面で切断することにより、チップ電解コンデンサを得る。
【００４９】
また、図８（ｂ）に示したように、モールドした素子の切断面８１および８２に沿って、４面で切断して、チップ電解コンデンサを得ることもできる。この４面切断を行うと、さらに体積効率を高めることができる。
【００５０】
次に、陽極端子および陰極端子が基板実装面などから受ける力に対処して、剥離を防止するために端子と外装樹脂の接着力を強化する手段について説明する。
【００５１】
図９は、チップ電解コンデンサの陽極端子側の側面図である。なお、外装樹脂が２面で切断された場合の側面が示されている。
【００５２】
図９（ａ）は、くさび形状の凹部の断面形状を有する端子を示し、側面における端子の形状は、矩形の実装面にほぼ垂直な２つの辺にくさび形の切り欠きである凹部が設けられた形状である。
【００５３】
図９（ｂ）は、半円状の凹部の断面形状を有する端子を示し、側面における端子の形状は、矩形の実装面にほぼ垂直な２つの辺に半円形状の凹部が設けられた形状である。
【００５４】
図９（ｃ）は、つば状の断面形状を有する端子を示し、側面における形状は、ほぼ矩形状であり、実装面に対向する辺の近傍で、つば状の凸部が形成された形状である。
【００５５】
図９（ｄ）は、逆台形状の断面形状を有する端子を示し、側面における形状は、逆台形状である。
【００５６】
なお、陰極端子についても、陽極端子と同じ形状とすることにより、外装樹脂との接着力を強化することができる。
【００５７】
【実施例】
次に、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
【００５８】
（実施例１）まず、コンデンサ素子の作製方法を説明する。弁金属として、タンタルを用い、タンタル線のまわりに、タンタル粉末をプレス機で成型し、高真空・高温度で焼結した。次に、タンタル金属粉末の表面にＴａ２Ｏ５の酸化被膜を形成した。さらに、硝酸マンガンに浸漬した後、熱分解して、ＭｎＯ２を形成し、引き続き、グラファイトおよびＡｇによる陰極層を形成して、コンデンサ素子を得た。
【００５９】
次に、リードフレームの加工について図４を参照して説明する。図４（ａ）に示したように、リードフレームの原板に絶縁性樹脂層４１およびＡｇめっき層４２を形成して、打ち抜き加工により、図４（ｂ）に平面図で示す陽極端子形成部４３および陰極端子形成部４４を形成した。また、図４（ｃ）は陽極端子形成部および陰極端子を示す斜視図である。
【００６０】
このリードフレームの陽極端子形成部４３および陰極端子形成部４４につぶし加工を施し、先端部をもとの厚さの１／４程度まで、薄くして、段差を設けた。
【００６１】
図４（ｄ）に、つぶし加工をした後の端子形成部を斜視図で示す。
【００６２】
このつぶし加工と並行して、陽極リード線をリードフレームの陽極端子形成部に接続する工程を説明する。
【００６３】
図５（ａ）に、本実施例１における陽極端子形成部の陽極リード線とのレーザ溶接部を斜視図で示す。突起部５１の付近が陽極リード線とのレーザ溶接部になる。
【００６４】
次に、リードフレームの陰極端子形成部にはＡｇを含む導電性接着剤を塗布して、コンデンサ素子をリードフレームに設置する。
【００６５】
図６は、コンデンサ素子を陽極端子形成部にレーザ溶接する様子を示す斜視図である。なお、図６においては、リードフレームの手前側部分が省略されている。５１は突起部であり、レーザ照射前の陽極リード線を位置決めすると共に、レーザ照射後には、溶融して、陽極リード線１２を包みこんで固化する。
【００６６】
本実施例１の場合は、図７（ａ）に示すように、レーザ照射によって、突起部５１は溶融した後、陽極リード線１２の表面を覆うように固化する。
【００６７】
この様に、リードフレームへコンデンサ素子を接続固定した後、図８に示すように、外装樹脂１３で、端子形成部の下面を残して、モールドする。
【００６８】
その後、切断面８１において、切断を行い、チップ電解コンデンサを得た。
【００６９】
（実施例２）本実施例２においては、陽極リード線と陽極端子のレーザ溶接において、実施例１と異なるが、他はコンデンサ素子の作製から切断の工程まで共通である。
【００７０】
図５（ｂ）に示すように、本実施例２においては、陽極端子形成部に１つの突起部５１を設けて、図７（ｂ）に示すように、突起部５１の側面に陽極リード線１２を当接して、突起部および陽極リード線を含むスポットサイズでレーザ照射を行う。その結果、突起部は溶融して、陽極リード線の表面と反応して、溶接部が形成される。
【００７１】
以後、実施例１と同様にして、チップ電解コンデンサを得た。この実施例２においては、実施例１と比べて陽極端子形成部の金属加工がやや容易である。
【００７２】
（実施例３）本実施例３においては、陽極端子および陰極端子に、くさび形の切り欠きを設けて、図９（ａ）に示す形状とした。図９（ａ）は、陽極端子側の側面図であり、陽極端子１４の実装面にほぼ垂直な２つの辺には、くさび形の切り欠きが設けられ、この部分に外装樹脂１３が入りこむことによって、接着が強化された。
【００７３】
このような切り欠き部の形成加工は、陽極端子形成部のつぶし加工あるいは突起部の形成加工と並行して行うことができる。
【００７４】
その他の工程は実施例１または実施例２と同様に行った。
【００７５】
（実施例４）本実施例４においては、陽極端子および陰極端子に、半円筒状の凹部を設けて、図９（ｂ）に示す形状とした。陽極端子形成部の金属加工以外は実施例３と同様にして、チップ電解コンデンサを得た。本実施例４においても、実施例３と同様に、端子と外装樹脂の接着が強化された。
【００７６】
（実施例５）本実施例５においては、陽極端子および陰極端子の上面の両側につば状の凸部を設けて、図９（ｃ）に示す形状とした。陽極端子形成部の金属加工以外は実施例３と同様にして、チップ電解コンデンサを得た。本実施例５においても、実施例３と同様に、端子と外装樹脂の接着が強化された。
【００７７】
（実施例６）本実施例６においては、陽極端子および陰極端子の側面付近の形状を逆台形状にして、図９（ｄ）に示す形状とした。陽極端子形成部の金属加工以外は実施例３と同様にして、チップ電解コンデンサを得た。本実施例６においても、実施例３と同様に、端子と外装樹脂の接着が強化された。
【００７８】
（実施例７）本実施例７においては、陽極リード線と陽極端子形成部を抵抗溶接で接続した。そのため、陽極端子形成部の上面は平坦なままで、突起部を形成する金属加工が不要となった。ただし、陽極端子形成部にＶ溝を設けると、陽極リード線の位置決めが容易になる。他は実施例１と同様に作製して、チップ電解コンデンサを得た。
【００７９】
このようにして得られたチップ電解コンデンサおいては、いずれも、体積効率を従来の２倍近くまで、高めることができた。
【００８０】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明によれば、チップ電解コンデンサの端子部分の形状および材質を最適にすると共に、その製造方法を確立して、コンデンサ素子の体積効率を高めた、小型かつ薄型のチップ電解コンデンサおよびその製造方法を提供することができる。
【００８１】
また、本発明によれば、端子の折り曲げ工程が不要になり、その分、製作工数を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のチップ電解コンデンサの断面図。
【図２】本発明のチップ電解コンデンサの内部透視図。
【図３】本発明のチップ電解コンデンサの外観を示す斜視図。
【図４】本発明によるリードフレームの端子形成部を示す図。図４（ａ）はリードフレームの原板上の絶縁性樹脂層とＡｇめっき層を示す平面図、図４（ｂ）は、リードフレームの端子形成部の平面図、図４（ｃ）は、つぶし加工前の端子形成部の斜視図、図４（ｄ）は、つぶし加工後の端子形成部の斜視図。
【図５】本発明による陽極端子形成部の陽極リード線とのレーザ溶接部を示す斜視図。図５（ａ）は突起部が２つの場合、図５（ｂ）は突起部が１つの場合を示す。
【図６】本発明による陽極端子形成部の陽極リード線とのレーザ溶接部を示す斜視図。
【図７】本発明におけるレーザ照射によってレーザ溶接部が形成される様子を示す側面図。図７（ａ）は突起部が２つの場合、図７（ｂ）は突起部が１つの場合を示す。
【図８】本発明における外装樹脂でのモールド状態と切断面を示す斜視図。図８（ａ）は２面切断の場合を示し、図８（ｂ）は４面切断の場合を示す。
【図９】本発明のチップ電解コンデンサの陽極端子側の側面図。図９（ａ）は、くさび形状の凹部の断面形状を有する端子を示し、図９（ｂ）は、半円状の凹部の断面形状を有する端子を示し、図９（ｃ）は、つば状の断面形状を有する端子を示し、図９（ｄ）は、逆台形状の断面形状を有する端子を示す。
【図１０】従来のチップ電解コンデンサの断面図。
【符号の説明】
１１ コンデンサ素子
１２ 陽極リード線
１３ 外装樹脂
１４ 陽極端子
１５ 絶縁性樹脂
１６ 導電性接着剤
１７ 陰極端子
１８ 実装面
１９ａ 第１側面
１９ｂ 第２側面
４１ 絶縁性樹脂層
４２ Ａｇめっき層
４３ 陽極端子形成部
４４ 陰極端子形成部
５１ 突起部
８１，８２ 切断面
Claims (16)
- 陽極リード線が導出されたコンデンサ素子と、前記陽極リード線に接続された陽極端子と、前記コンデンサ素子の陰極層に接続された陰極端子と、前記陽極端子の一部および前記陰極端子の一部を露出させて前記コンデンサ素子を被覆した絶縁性の外装樹脂とを備えるチップ電解コンデンサにおいて、前記陽極端子は部品外形面のうちの実装面および前記陽極リード線側の第１側面のそれぞれ一部分において露出するとともに、前記実装面と前記第１側面との境界を横切って連続する露出面を有し、前記外装樹脂の内部では、前記陽極端子は、つぶし加工による２段の階段形状を有し、前記第１側面での厚さが、前記実装面の中心に向かう先端部の厚さよりも大であり、前記階段形状における段差は前記陰極層の実装側の面と前記陽極リード線の外周面との最短距離よりも大であることを特徴とするチップ電解コンデンサ。
- 前記陰極端子は部品外形面のうちの実装面および前記陽極リード線とは逆側の第２側面のそれぞれ一部分において露出するとともに、前記実装面と前記第２側面との境界を横切って連続する露出面を有し、前記外装樹脂内部では、前記陰極端子は、つぶし加工による２段の階段形状を有し、前記第２側面での厚さが、前記実装面の中心側の先端部の厚さよりも大であり、前記階段形状の段差は前記陰極層の実装側の面と前記陽極リード線の外周面との最短距離よりも大であることを特徴とする請求項１に記載のチップ電解コンデンサ。
- 前記陰極端子の一部にはＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄの少なくとも１つを含む膜が形成されたことを特徴とする請求項２に記載のチップ電解コンデンサ。
- 前記陰極層と前記陰極端子の接続にはＡｇを含む導電性接着剤が用いられたことを特徴とする請求項２または３に記載のチップ電解コンデンサ。
- 前記陽極端子における前記第１側面への露出面の形状または前記陰極端子における前記第２側面への露出面の形状は、矩形における前記実装面にほぼ垂直な２つの辺に凹部が設けられた形状であることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のチップ電解コンデンサ。
- 前記凹部はくさび形の切り欠きであることを特徴とする請求項５に記載のチップ電解コンデンサ。
- 前記凹部は半円形状であることを特徴とする請求項５に記載のチップ電解コンデンサ。
- 前記陽極端子の前記第１側面への露出面の形状または前記陰極端子の前記第２側面への露出面の形状は、ほぼ矩形状であり、前記実装面に対向する辺の近傍で、つば状の凸部が形成されたことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のチップ電解コンデンサ
- 前記陽極端子の前記第１側面への露出面の形状または前記陰極端子の前記第２側面への露出面の形状は、逆台形状であり、前記実装面側の辺の長さが、対向する辺の長さよりも短いことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のチップ電解コンデンサ。
- コンデンサ素子から導出された陽極リード線をリードフレームの陽極端子形成部に接続する工程と、前記コンデンサ素子の陰極層をリードフレームの陰極端子形成部に接続する工程と、前記陽極端子の一部および前記陰極端子の一部を露出させて絶縁性の外装樹脂によって前記コンデンサ素子を被覆する工程と、前記リードフレームからチップを分離する切断工程とを含むチップ電解コンデンサの製造方法であって、前記陽極リード線をリードフレームの陽極端子形成部に接続する工程は、前記陽極端子形成部につぶし加工を施し先端部を薄くして段差を設ける工程を含むことを特徴とするチップ電解コンデンサの製造方法。
- 前記陰極層を前記リードフレームの陰極端子形成部に接続する工程は、前記陰極端子形成部につぶし加工を施し先端部を薄くして段差を設ける工程を含むことを特徴とする請求項１０に記載のチップ電解コンデンサの製造方法。
- 前記陽極リード線をリードフレームの陽極端子形成部に接続する工程は、前記陰極端子形成部につぶし加工を施し先端部を薄くして段差を設ける工程よりも前に、前記リードフレームの陽極端子形成部の一部に絶縁性樹脂を塗布する工程を含むことを特徴とする請求項１１に記載のチップ電解コンデンサの製造方法。
- 前記陰極層を前記リードフレームの陰極端子形成部に接続する工程は、前記陰極端子形成部につぶし加工を施し先端部を薄くして段差を設ける工程よりも前に、前記陰極端子形成部の一部にＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄの少なくとも１つからなる導電膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１２に記載のチップ電解コンデンサの製造方法。
- 前記陽極リード線をリードフレームの陽極端子形成部に接続する工程は、前記陽極端子形成部に１つの突起部を設けて、前記突起部に接して、前記陽極リード線を配置した後、レーザ溶接によって接続固定する工程を含むことを特徴とする請求項１０から１３のいずれかに記載のチップ電解コンデンサの製造方法。
- 前記陽極リード線をリードフレームの陽極端子形成部に接続する工程は、前記陽極端子形成部に２つの突起部を設けて、前記突起部の間に前記陽極リード線を配置した後、レーザ溶接によって接続固定する工程を含むことを特徴とする請求項１０から１３のいずれかに記載のチップ電解コンデンサの製造方法。
- 前記陽極リード線をリードフレームの陽極端子形成部に接続する工程は、前記陽極リード線を前記陽極端子形成部の平坦面もしくはＶ溝に当接して抵抗溶接で接続固定する工程を含むことを特徴とする請求項１０から１３のいずれかに記載のチップ電解コンデンサの製造方法。
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