KR19980081610A - 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물 및 고체전해콘덴서 - Google Patents

고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물 및 고체전해콘덴서 Download PDF

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야노야스히로
도도타카시
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우치가사키이사오
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Abstract

저주파수로부터 고주파수까지 전기특성(용량, 내부저항, 유전손실, 임피던스 등)이 우수하고, 공정상의 스트레스나 내열성이 우수한 고체전해콘덴서를 간편하고 수율좋게 만들 수 있는 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물과, 그 전해질로부터 제조된 고체전해콘덴서. 상기 조성물은 (A) 아닐린화합물, (B) 유기설폰산, (C) 물, (D) 유기용제 및 필요할 경우에 사용하는 (E) 특정화합물을 함유하여 이루어진다.

Description

고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물 및 고체전해콘덴서
본 발명은 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물 및 고체전해콘덴서에 관한 것으로서, 특히 전해질의 형성을 아닐린의 화학산화중합(化學酸化重合)으로 행하는 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물 및 그것을 이용하여 전해질을 형성한 고체전해콘덴서에 관한 것이다.
종래의 고체전해콘덴서는 밸브메탈(valve metal; 弁金屬)이라고 불리우는 탄탈펠릿이나, 표면이 확대된 알루미늄박을 양극체로 하고, 그 표면에 산화피막을 형성하여 유전체로 하고, 이산화망간(MnO2)나, 7,7',8,8'-테트라시아노퀴노디메탄착염(TCNQ) 등을 전해질층으로 하는 구조를 가지고 있다. 그러나, 이산화망간은 도전율이 0.1S/cm로서 불충분하므로, 이것을 전해질층으로 하는 고체전해콘덴서는 고주파수 영역에서의 임피던스가 크고, 또한 높은 공정온도를 필요로하는 이산화망간 전해질을 여러번 중첩하여 도포할 필요가 있기 때문에, 본질적으로 전류누설불량이 발생하기 쉽다는 결점이 있었다. 이것을 피하기 위해서, MnO2를 1층 형성할 때마다 유전체인 산화막의 보수를 행하기 위한 재화성처리(reformation treatment)를 행할 필요가 있으므로, 전해질형성 과정이 복잡하였다. 또한, TCNQ를 전해질층으로 하는 것은, TCNQ가 납땜온도 이하의 온도에서 융해하기 때문에 내열성이 나빴다. 또한, TCNQ의 도전율은 1S/cm정도가 한계이므로, 보다 고주파특성이 우수한 콘덴서의 요구에는 해답이 되지 못하였다. 이러한 상황하에서, MnO2나 TCNQ 보다도 도전율이 높고, TCNQ 보다도 내열성이 우수한 도전성고분자를 전해질층으로 하는 고체 전해콘덴서가 제안되어 있다. 예를 들면 특개소 60-37114호 공보에는 도핑한 복소 5원환식(複素 5員環式; 5-membered heterocyclic) 화합물 중합체로부터 만들어지는 도전성고분자를 전해질층으로 하는 콘덴서가 개시되어 있다. 또한, 특개소 63-80517호 공보에는 복소 5원환식 화합물 중합체의 휘발성용제 용액의 도포에 의한 박막층이 형성되고, 또한 도핑된 것을 전해질층으로 하는 콘덴서가 개시되어 있다.
그러나, 특개소 60-37114호 공보에 기재된 도전성고분자로부터 만들어지는 전해질 형성방법은, 전해중합법이므로, 공정이 복잡하고, 특히 탄탈고체 전해콘덴서와 같이, 콘덴서소자가 작은 것으로 형성되는 것은 양산적으로 곤란하였다. 또한, 절연성인 콘덴서의 유전체표면에서 이와 같은 전극반응을 실시하는 것은 통상 상당한 곤란을 수반한다. 또한, 특개소 63-80517호 공보에 개시되어 있는 바와 같이, 절연상태의 도전성고분자의 휘발성용제 용액의 도포에 의한 방법에서는 콘덴서소자 내부에 충분한 두께로 도전성고분자층을 형성하는 것이 불가능하므로 콘덴서의 내열성이 나쁘고, 또한 도전성고분자 피막이 지나치게 치밀하므로 공정상의 스트레스에 의한 변화가 크고, 따라서 외장을 몰드하는 등의 처리 후의 특성이 저하하는 경향이 있었다.
본 발명은, 저주파수로부터 고주파수까지의 주파수 영역에서 전기특성(용량, 내부저항, 유전손실, 임피던스 등)이 우수하고, 공정상의 스트레스나 내열성이 우수한 고체전해콘덴서를 간편히 좋은 수율로 제조할 수 있는 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명은, 앞에서 언급한 발명의 효과에 추가하여, 다시 고주파영역에서의 전기특성이 우수한, 또 다른 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명은 앞에서 언급한 발명의 효과에 추가하여, 내열성과 저주파수로부터 고주파수까지의 넓은 주파수 영역에서 전기특성이 우수한 고체전해콘덴서의 전해질을 형성할 수 있는 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명은, 또한 앞에서 언급한 발명의 효과에 추가하여, 이하에서 설명하는 일반식(I)을 가지는 화합물((E)성분)의 용해도가 높고, 또한 아닐린유도체의 용해도도 양호한 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명은, 또한 앞에서 언급한 발명의 효과에 추가하여, 용액의 안정성이 높고, 화학산화중합으로 형성된 전해질의 막두께도 균일한 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명은, 전해질의 형성이 간편하고, 내열성이 높으면서도, 저주파수로부터 고주파수까지의 주파수 영역에서 전기특성(용량, 내부저항, 유전손실, 임피던스 등)이 우수한 고체전해콘덴서를 제공하는 것이다.
도 1a는 본 발명의 고체전해콘덴서의 일예의 단면도이다.
도 1b는 도 1a의 참고번호 1A로 표시된 부분의 확대도이다.
도 2a는 본 발명의 고체전해콘덴서의 다른 일예의 단면도이다.
도 2b는 도 2a의 참고번호 2A로 표시된 부분의 확대도이다.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1: 리드단자, 2: 탄탈펠릿, 3: 산화피막, 4: 전해질
5: 카본페이스트층, 6: 은페이스트층, 7: 음극리드, 8: 봉지재
9: 양극리드, 10: 알루미늄박
본 발명은, (A) 아닐린화합물, (B) 유기설폰산, (C) 물 및 (D) 유기용제를 함유하여 이루어지는 고체 전해콘덴서의 전해질형성용 조성물에 관한 것이다.
또한 본 발명은, (A), (B), (C) 및 (D)성분에 추가하여, 다시 (E) 일반식(I)
[화학식 1]
(식중, R1및 R2는 각각 독립적으로, 탄소수 1∼6인 알킬기, 탄소수 1∼6인 알켄일기, 탄소수 1∼6인 알콕시기, 탄소수 1∼6인 사이클로알킬기, 탄소수 1∼6인 사이클로알켄일기, 또는 탄소수 1∼6인 알칸오일기를 나타내고, p는 0∼5의 정수이고, q는 0∼4의 정수이고, n은 1∼7의 정수이다)
로 표시되는 화합물을 함유하여 이루어지는 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물에 관한 것이다.
또한 본 발명은, (B) 유기설폰산이 페놀설폰산, 페놀디설폰산, 2-설포안식향산, 설포숙신산 또는 3-니트로벤젠설폰산인 상기 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물에 관한 것이다.
또한 본 발명은, (D) 유기용제가, 물과 자유로운 비율로 혼합하고, 또 (E)성분을 용해가능한 유기용제인 상기 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물에 관한 것이다.
또한 본 발명은, 상기 (E)성분을 나타내는 일반식 (I)의 n이 1인 상기 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물에 관한 것이다.
또한 본 발명은, 상기 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물을 사용하여 전해질을 형성한 고체전해콘덴서에 관한 것이다.
[발명의 실시형태]
본 발명에서의 전해질이라 함은, 전해콘덴서의 양극으로 사용되는 금속(밸브메탈) 표면에 유전체피막을 이루는 얇은 산화피막을 형성한 후에, 유전체피막과 음극과의 전기적인 콘텍트를 얻기 위한 도전성인 물질을 말한다.
본 발명에서의 (A)성분인 아닐린화합물로서는, 일반식 (II)
[화학식 2]
(식중에서, R3는 일반식 (I)에서의 R1과 같은 의미이고, m은 0∼5의 정수이다)로 나타내는 화합물이 열거되고, 그중에도 m이 0(영)인 치환기를 갖지 않는 아닐린이 가격이 싸고, 화학산화중합에 의하여 도전율이 높은 폴리아닐린을 형성하므로 바람직하다.
본 발명에서의 (B)성분인 유기설폰산으로서는 특히 제한없이 공지의 것을 사용할 수 있으나, 화학산화중합에 의해 얻어지는 폴리아닐린의 내열성이나 도전성의 점에서 벤젠설폰산, 톨루엔설폰산, n-헥산설폰산, n-옥틸설폰산, 도데실설폰산, 세틸설폰산, 4-도데실벤젠설폰산, 캄파설폰산, 폴리(비닐)설폰산, 디노닐나프탈렌설폰산, 나프탈렌설폰산, p-클로로벤젠설폰산, 페놀설폰산, 페놀디설폰산, 트리클로로벤젠설폰산, 4-니트로톨루엔-2-설폰산, 1-옥탄설폰산, 설폰화 폴리스티렌, 설폰화 폴리에틸렌, 니트로벤젠설폰산, 2-설포안식향산, 3-니트로벤젠설폰산, 4-옥틸벤젠설폰산, 2-메틸-5-이소프로필벤젠설폰산, 설포숙신산(sulfosuccinic acid) 등이 바람직하고, 이것들 가운데 화학산화중합에 의해 얻어지는 폴리아닐린의 내열성이나 도전성의 점에서, 페놀설폰산, 페놀디설폰산, 2-설포안식향산, 설포숙신산, 3-니트로벤젠설폰산이 더욱 바람직하다. (B)성분의 유기설폰산에 황산을 병용할 수도 있다.
본 발명에서의 (C)성분인 물은, 이온성 불순물이나 유기물 등을 함유하지 않는 것이 바람직하고, 이온교환과 증류가 모두 행해진 것이 바람직하다.
본 발명에서의 (D)성분인 유기용제는 특히 제한없이 공지의 것을 사용할 수 있으나, 본 발명에서의 (C) 물과 자유로운 비율로 혼합되고, 또한 필요에 따라 사용하는 (E)성분을 용해할 수 있는 것이 바람직하고, 이와 같은 용제로서는 예를 들면, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올 등의 저급알킬알콜이나, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 트리프로필렌글리콜 등의 글리콜계나, 메틸세로솔브(methyl cellosolve), 에틸세로솔브, 메틸카비톨, 에틸카비톨, 부틸카비톨, 트리에틸렌글리콜모노메틸에텔, 트리에틸렌글리콜모노부틸에텔, 프로필렌글리콜모노메틸에텔, 프로필렌글리콜모노프로필에텔, 디프로필렌글리콜모노메틸에텔 등의 모노에텔류나, 에틸렌글리콜디메틸에텔, 에틸렌글리콜디에틸에텔, 디에틸렌글리콜디에틸에텔, 디에틸렌글리콜에틸메틸에텔, 디글라임(diglyme), 트리글라임, 테트라에틸렌글리콜디메틸에텔 등의 디에텔류 등이 있고, 이들중의 2종 또는 3종을 조합하여 사용할 수도 있다. 이러한 용제 가운데, 글리콜류의 모노에텔 또는 디에텔이 필요에 따라 사용하는 (E)성분의 용해성면에서 바람직하다.
본 발명에 있어서는 (A)성분, (B)성분, (C)성분 및 (D)성분에 추가하여, 다시 (E)성분인, 일반식 (I)
[화학식 3]
(식중, R1및 R2는 각각 독립적으로, 탄소수 1∼6인 알킬기, 탄소수 1∼6인 알켄일기, 탄소수 1∼6인 알콕시기, 탄소수 1∼6인 사이클로알킬기, 탄소수 1∼6인 사이클로알켄일기, 또는 탄소수 1∼6인 알칸오일기를 나타내고, p는 0∼5의 정수이고, q는 0∼4의 정수이고, n은 1∼7의 정수이다)
으로 표시되는 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. (E)성분의 사용에 의해 화학산화중합속도를 증가시키고, 또한 생성되는 중합막의 고주파영역에서의 콘덴서특성을 향상시키는 것이 가능하다. 상기 일반식 (I)중의 n은 1∼7이어야 하고, n이 8보다 크면 본발명의 고체전해질의 전해질형성용 조성물의 수명이 짧아지고, 산화제와 반응시켜 얻은 폴리아닐린의 도전율이 저하하는 경향이 있다. 바람직한 n은 1∼3이고, 더욱 바람직하게는 1이다.
본 발명에서의 (A)성분의 배합량은, (A)성분, (B)성분, (C)성분, (D)성분 및 필요에 따라 사용하는 (E)성분의 총량에 대하여, 0.2∼23중량%인 것이 바람직하고, 0.7∼16중량%인 것이 더욱 바람직하고, 1∼12중량%인 것이 특히 바람직하다. (A)성분의 배합량이 0.2중량% 미만이면 전해콘덴서의 산화막 표면에 형성되는 폴리아닐린의 피막의 두께가 얇아지는 경향이 있고, 23중량%를 초과하면 전해콘덴서의 산화막 표면에 형성되는 폴리아닐린의 피막의 도전율이 저하하는 경향이 있다.
본 발명에서의 (B)성분의 배합량은, (A)성분, (B)성분, (C)성분, (D)성분 및 필요에 따라 사용하는 (E)성분의 총량에 대하여, 0.2∼25중량%인 것이 바람직하고, 0.6∼15중량%인 것이 더욱 바람직하고, 1∼11중량%인 것이 특히 바람직하다. (B)성분의 배합량이 0.2중량% 미만이면 전해콘덴서의 산화막 표면에 형성되는 폴리아닐린의 피막의 내열성이 저하하는 경향이 있고, 25중량%를 초과하면 본 발명의 고체전해질의 전해질형성용 조성물의 점도가 지나치게 높아져서, 콘덴서소자로의 함침성이 저하하는 경향이 있다.
본 발명에서의 (C)성분의 배합량은, (A)성분, (B)성분, (C)성분, (D)성분 및 필요에 따라 사용하는 (E)성분의 총량에 대하여, 27∼90중량%인 것이 바람직하고, 33∼85중량%인 것이 더욱 바람직하고, 38∼80중량%인 것이 특히 바람직하다. (C)성분의 배합량이 27중량% 미만이면 전해콘덴서의 산화막 표면에 형성되는 폴리아닐린의 피막의 도전율이 저하하는 경향이 있고, 90중량%를 초과하면 (E)성분을 사용하는 경우에 (E)성분의 용해성이 저하하는 경향이 있다.
본 발명에서의 (D)성분의 배합량은, (A)성분, (B)성분, (C)성분, (D)성분 및 필요에 따라 사용하는 (E)성분의 총량에 대하여, 9.5∼70중량%인 것이 바람직하고, 15∼60중량%인 것이 더욱 바람직하고, 20∼50중량%인 것이 특히 바람직하다. (D)성분의 배합량이 9.5중량% 미만이면 (E)성분을 사용하는 경우에 (E)성분의 용해성이 저하하는 경향이 있고, 70중량%를 초과하면 전해콘덴서의 산화막 표면에 형성되는 폴리아닐린의 피막의 도전율이 저하하는 경향이 있다.
본 발명에 있어서 필요에 따라 사용하는 (E)성분의 배합량은, (A)성분, (B)성분, (C)성분, (D)성분 및 (E)성분의 총량에 대하여, 0.02∼2.5중량%인 것이 바람직하고, 0.07∼1.6중량%인 것이 더욱 바람직하고, 0.1∼1.2중량%인 것이 특히 바람직하다. (D)성분의 배합량이 0.02중량% 미만이면 첨가효과가 낮고, 전해콘덴서의 산화막 표면에 형성되는 폴리아닐린의 피막의 막두께의 균일성이 저하하는 경향이 있고, 2.5중량%를 초과하면 고체전해질의 전해질형성용 조성물의 안정성이 저하하고, 전해콘덴서의 산화막 표면에 형성되는 폴리아닐린의 피막의 도전율이 저하하는 경향이 있다.
또한 본 발명에서의 (A)성분인 아닐린화합물, (C)성분인 물, (D)성분인 유기용제는, 탈기(脫氣)되어 있는 것이 바람직하고, 탈기되지 않고 산소를 함유하고 있으면, 본 발명의 고체전해질의 전해질형성용 조성물의 반응이 산화제와 접촉하기 전에 개시된다든지, 화학산화중합하여 얻은 폴리아닐린의 도전율이 저하하거나 할 수 있다.
본 발명의 고체전해콘덴서는, 상기의 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물로 전해질을 형성한 것이다. 이 전해질은 양극과 음극의 사이에 존재하면 되고, 일실시예에서, 전해질이 밸브메탈 등의 양극(이로부터 양극리드(anode lead)를 취한다. 통상 밸브메탈표면에는 산화피막을 형성하여 사용한다)과 카본 등의 음극(은(銀)페이스트층 등을 거쳐 음극리드를 취한다)의 사이에 존재하는 태양이 열거된다. 상기 밸브메탈로서는 예를 들면, 알루미늄, 탄탈, 니오브(Nb), 바나듐, 티탄, 지르코늄 등이 열거되지만, 유전율이나 산화피막의 형성의 용이성 등의 점에서, 표면을 확장한 알루미늄박 또는 탄탈소결체가 바람직하다. 또한, 밸브메탈표면에 산화피막을 형성하는 방법은 특히 제한없이 전해콘덴서 제조시에 사용되는 공지의 방법을 사용할 수 있고, 예를 들면, 식각에 의해 표면을 확장한 알루미늄박을 아디핀산암모늄 수용액중에서 전압을 걸어서 산화피막을 형성하는 방법, 탄탈미분말소결체 펠릿을 질산수용액중에서 전압을 걸어서 산화피막을 형성하는 등의 방법이 사용된다.
본 발명의 고체전해콘덴서의 예로서는, 탄탈을 밸브메탈로 하는 고체전해콘덴서를 도 1a 및 1b에 나타내고, 알루미늄을 밸브메탈로 하는 고체전해콘덴서를 각각 도 2a 및 도 2b에 나타내었다. 도 1a 및 1b의 탄탈을 밸브메탈로 하는 고체전해콘덴서에서, 소자는 리드단자 1이 끼워 삽입되고 산화피막 3으로 덮인 탄탈펠릿 2를 포함하며, 소자의 산화피막 3 상에 전해질 4가 형성되고, 이 전해질 4 상에는 카본페이스트층 5, 은페이스트층 6이 이 순서로 적층되어 있고, 은페이스트층 6은 음극리드 7과 접속되어 있고, 고체전해콘덴서 전체가 봉지재 8로 봉지되어 있다. 또, 리드단자 1은 양극리드 9와 접속하고 있다. 도 2a 및 2b의 알루미늄을 밸브메탈로 사용하는 고체전해콘덴서에서, 소자는 양극리드 9에 접속되고 표면이 산화피막 3으로 덮인 알루미늄박 10을 포함하고, 소자의 산화피막 3 상에 전해질 4가 형성되고, 이 전해질 4 상에는 카본페이스트층 5, 은페이스트층 6이 그 순서로 적층되고, 은페이스트층 6은 음극리드 7과 접속되어 있고, 고체전해콘덴서 전체가 봉지재 8로 봉지되어 있다.
이와 같은 본 발명의 고체전해콘덴서는, 예를 들면 밸브메탈상에 산화막을 형성한 소자에 퍼옥소2황산암모늄, 중크롬산칼륨, 과망간산칼륨, 황산제1철 등의 산화제를 1∼30중량% 함유한 용액을 함침시킨 후 건조한 소자나 또는 건조하지 않은 소자에, 본 발명의 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물을 함침시켜서 아닐린을 중합하여 폴리아닐린을 생성시킨 후에, 소자를 건조시키는 공정을, 1회 내지 필요할 경우 수십회 반복한 후, 다시 건조하여 수분 등을 휘발시키고, 전해질층을 형성한 후, 전해질층 상에 카본페이스트층 및 은페이스트층을 이 순서대로 형성하고, 상기 소자를 리드프레임 등에 도전성 접착제로 접착하고, 다시 필요할 경우에는 봉지재로 봉지하여 외장함으로써 제조될 수 있다.
본 발명의 고체전해콘덴서는 또한 또 다른 방법 즉, 산화제 1∼30중량%와 본 발명의 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물을 예를 들면 실온에서 혼합하여 용액을 만드는 단계와, 밸브메탈상에 산화막을 형성한 소자를 상기 혼합용액으로 함침시켜서 이닐린화합물을 중합하여 폴리아닐린을 생성시킨 후에 소자를 건조하는 단계와, 이상의 공정을 최소한 2회 반복하고, 다시 건조하여 수분 등을 휘발시켜서 전해질층을 형성하는 단계와, 전해질층 상에 카본페이스트층 및 은페이스트층을 이 순서대로 형성하는 단계와, 얻어진 소자를 리드프레임 등에 도전성 접착제로 접착하는 단계로 이루어지는 방법에 의해 제조될 수 있다.
도 1a는 탄탈을 밸브메탈로 한 본 발명의 고체전해콘덴서의 일예를 나타낸 단면도면이고, 도 1b는 도 1a의 참조번호 1A로 표시된 부분의 확대도이다. 이 콘덴서는 예를 들면, 다음과 같은 공정으로 제조될 수 있다.
탄탈 미분말을 소결하여 만들어지는 리드단자 1을 구비한 탄탈펠릿 2를 질산수용액중에 담그고, 10∼80V에서 산화피막 3을 형성한 길이 1∼3mm, 폭 0.8∼2mm, 높이 1∼5mm 인 각주(角柱)형 탄탈미분말 소결체펠릿(공극율 50∼70%, 설계용량 1∼150μF)을 사용하고, 다음에 이 산화피막 3을 형성한 탄탈펠릿 2에, 상기 산화제용액을 함침하고, 열풍건조기로 40∼120℃에서 5∼60분간 건조하고, 그후 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물을 함침하고, 실온에서 최소한 3분 이상 방치한 후, 열풍건조기로 40∼120℃에서 5∼60분간 건조한다. 이 함침공정을 5∼30회 반복하고, 폴리아닐린으로 만들어지는 전해질 4를 형성한다. 이어서, 카본페이스트층 5, 은페이스트층 6을 순차형성하고, 이 은페이스트층 6에 도전페이스트를 사용하여 음극리드 7을 접속하고, 또한 리드단자 1을 양극리드 9에 접속하고, 이어서 봉지재 8로 몰드외장하여, 탄탈을 밸브메탈로 한 고체전해콘덴서를 얻을 수 있다.
도 2a는 알루미늄을 밸브메탈로 한 본 발명의 고체전해콘덴서의 다른 일예를 나타낸 단면도이고, 도 2b는 도 2a의 참조번호 2A로 표시된 부분의 확대도이다. 이 콘덴서는 예를 들면, 다음과 같이 제조될 수 있다.
우선, 식각에 의해 표면을 확대한 (15∼35μF/cm2) 막두께 50∼100μm, 면적 5m∼2cm x 1cm∼5cm(용접허용부분: 0.1cm∼0.4cm, 유효면적: 0.3∼9.6cm2)의 알루미늄박 10을 50∼70℃에서 5∼20% 아디핀산암모늄 수용액중, 20∼80V에서 처리하여, 산화피막 3을 형성한다. 다음에 얻어진 생성물을 양극리드 9에 접속하여, 산화피막 3을 형성한 알루미늄박 10을 제조한다. 다음에, 이 산화피막 3을 형성한 알루미늄박 10을 상기 산화제용액에 침적하고, 열풍건조기로 60∼100℃에서 10∼60분간 건조하고, 그 후 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물에 침적하고, 실온에서 5분 이상 방치한 후, 열풍건조기로 60∼100℃에서 10∼60분간 건조한다. 이 공정을 5∼30회 반복하고, 폴리아닐린으로 이루어지는 전해질 4를 형성한다. 이어서, 카본페이스트층 5, 은페이스트층 6을 차례로 형성하고, 이 은페이스트층 6에 도전페이스트를 사용하여 음극리드 7을 접속하고, 에폭시수지 등의 봉지재 8로 함침외장하여, 알루미늄을 밸브메탈로 한 고체전해콘덴서를 얻을 수 있다.
[실시예]
이하에서, 본 발명을 실시예에 따라 더 설명한다.
실시예 1
30분간 질소로 버블링(bubbling)하여 얻은 탈기된 아닐린(和光純藥工業(株)製, 시약), 탈기된 이온교환수, 탈기된 에탄올(和光純藥工業(株)製, 시약을 탈기) 아닐린의 2량체(p-아미노디페닐아민, 和光純藥工業(株)製, 시약) 및 페놀설폰산(和光純藥工業(株)製, 시약)을 사용하고, 표 1에 나타낸 조성의 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물을 얻었다. 다시, 퍼옥소2황산암모늄(和光純藥工業(株)製, 시약)을 이온교환수에 중량으로 5중량% 용해한 산화제용액을 만들고, 이하의 방법으로 고체전해콘덴서를 얻었다.
질산수용액중 20V에서 산화피막을 형성한 길이 1mm, 폭 1mm, 높이 1mm 인 각주(角柱)형 탄탈미분말 소결체펠릿(공극율 60%, 설계용량 3.3μF)을 사용하고, 다음에 이 산화피막을 형성한 탄탈펠릿에, 상기 산화제용액을 함침하고, 열풍건조기로 80℃에서 20분간 건조하고, 그후 표 1에 나타낸 본 발명의 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물을 함침하고, 실온에서 10분간 방치한 후, 열풍건조기로 80℃에서 20분간 건조하였다. 이 함침. 건조공정을 15회 반복하고, 폴리아닐린으로 이루어지는 전해질을 형성하였다. 이어서, 카본페이스트층, 은페이스트층을 차례로 형성하고, 이 은페이스트층에 은페이스트를 사용하여 음극리드를 접속하고, 봉지재로 몰드외장하여, 탄탈을 밸브메탈로 한 고체전해콘덴서를 얻었다. 얻어진 고체전해콘덴서의 전기적특성을 표 2에 나타낸다.
실시예 2
실시예 1의 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물의 조성중, 페놀설폰산 대신에 페놀디설폰산과 황산의 혼합물(和光純藥工業(株)製, 시약)을 사용한 점과 배합비율을 변화시킨 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 고체전해콘덴서용 전해질형성용 조성물을 얻었다. 또한, 고체전해콘덴서용 전해질형성용 조성물을 변경한 점과, 함침회수를 변화시킨점 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 고체전해콘덴서를 얻었다. 얻어진 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물의 조성을 표 1에, 얻어진 고체전해콘덴서의 전기적 특성을 표 2에 나타낸다.
실시예 3
실시예 1의 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물의 조성중, 페놀설폰산 대신에 설포안식향산(Aldrich社製, 시약)을 사용한 점과 배합비율을 변화시킨 점, 에탄올 대신에 디글라임을 사용한 점 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 고체전해콘덴서용 전해질형성용 조성물을 얻었다. 또한, 고체전해콘덴서용 전해질형성용 조성물을 변경한 점과, 함침회수를 변화시킨점 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 고체전해콘덴서를 얻었다. 얻어진 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물의 조성을 표 1에, 얻어진 고체전해콘덴서의 전기적 특성을 표 2에 나타낸다.
실시예 4
실시예 1의 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물의 조성중, 페놀설폰산 대신에 설포숙신산(Aldrich社製, 시약)을 사용한 점과 배합비율을 변화시킨 점 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 고체전해콘덴서용 전해질형성용 조성물을 얻었다. 또한, 고체전해콘덴서용 전해질형성용 조성물을 변경한 점과, 함침, 건조공정의 회수를 변화시킨점 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 고체전해콘덴서를 얻었다. 얻어진 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물의 조성을 표 1에, 얻어진 고체전해콘덴서의 전기적 특성을 표 2에 나타낸다.
실시예 5
실시예 1의 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물의 조성중, 페놀설폰산 대신에 3-니트로벤젠설폰산(東京化成工業(株)製, 시약)을 사용한 점과, 에탄올 대신에 에틸렌글리콜을 사용한 점과, 배합비율을 변화시킨 점 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 고체전해콘덴서용 전해질형성용 조성물을 얻었다. 또한, 고체전해콘덴서용 전해질형성용 조성물을 변경한 점과, 함침, 건조공정의 회수를 변화시킨점 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 고체전해콘덴서를 얻었다. 얻어진 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물의 조성을 표 1에, 얻어진 고체전해콘덴서의 전기적 특성을 표 2에 나타낸다.
실시예 6
실시예 1의 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물의 조성중, 페놀설폰산 대신에 페놀설폰산과 황산의 혼합물을 사용한 점과 배합비율을 변화시킨 점 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 고체전해콘덴서용 전해질형성용 조성물을 얻었다. 또한, 고체전해콘덴서용 전해질형성용 조성물을 변경한 점과, 함침, 건조공정의 회수를 변화시킨점 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 6으로부터 만들어지는 고체전해콘덴서를 얻었다. 얻어진 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물의 조성을 표 1에, 얻어진 고체전해콘덴서의 전기적 특성을 표 2에 나타낸다.
실시예 7
실시예 1과 동일하게 하여 고체전해콘덴서용 전해질형성용 조성물을 얻었다. 또한, 퍼옥소2황산암모늄을 이온교환수에 중량으로 5중량% 용해한 산화제용액을 만들고, 이하의 방법으로 고체전해콘덴서를 얻었다.
우선, 식각에 의해 표면을 확대한 (25μF/cm2) 막두께 70μm, 면적 1cm x 1.2cm(용접허용부분 0.2cm: 유효면적 1cm2)의 알루미늄박을 60℃, 10% 아디핀산암모늄 수용액중, 40V에서 처리하여, 산화피막을 형성하였다. 다음에 리드단자를 용접하여, 산화피막을 형성한 알루미늄박을 제조하였다. 다음에, 이 산화피막을 형성한 알루미늄박을 상기 산화제용액에 침적하고, 열풍건조기로 80℃에서 20분간 건조하고, 그 후 표 1에 나타낸 본 발명의 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물에 함침하고, 실온에서 10분간 방치한 후, 열풍건조기로 80℃에서 20분간 건조하였다. 이러한 함침, 건조공정을 15회 반복하고, 폴리아닐린으로 이루어지는 전해질을 형성하였다. 다음으로, 카본페이스트층, 은페이스트층을 차례로 형성하고, 이 은페이스트층에 은페이스트를 사용하여 음극리드 8을 접속하고, 에폭시수지 등으로 함침외장하여, 알루미늄을 밸브메탈로 한 고체전해콘덴서를 얻었다. 얻어진 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물의 조성을 표 1에, 얻어진 고체전해콘덴서의 전기적특성을 표 2에 나타낸다.
실시예 8
(E)성분(p-아미노디페닐아민)을 사용하지 않는 점 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 탄탈을 밸브메탈로 하는 고체전해콘덴서를 제조하였다. 사용한 전해질형성용 조성물의 조성을 표 1에, 얻어진 고체전해콘덴서의 전기적 특성을 표 2에 나타낸다.
실시예 9
실시예 8과 같은 전해질형성용 조성물의 용액과 실시예 1과 같은 산화제용액을 체적비 1 : 1 로하여 혼합한 혼합액을 만들었다. 다음에 실시예 1과 같이 산화피막을 형성한 탄탄펠릿을 상기 혼합엑에 함침하고, 열풍건조기로 60℃에서 20분 건조하였다. 이 함침, 건조공정을 15회 반복하고, 폴리아닐린으로 이루어지는 전해질을 형성하였다. 또, 함침, 건조공정 1회마다 혼합액을 새로운 것으로 교체하였다. 다음에, 카본페이스트층, 은페이스트층을 차례로 형성하고, 이 은페이스트층에 은페이스트를 사용하여 음극리드를 접속하고, 봉지재로 몰드외장하여, 탄탈을 밸브메탈로 한 고체전해콘덴서를 얻었다. 얻어진 고체전해콘덴서의 전기적 특성을 표 2에 나타내었다.
실시예 10
실시예 1의 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물의 조성중, 페놀설폰산 대신에 설포숙신산(Aldrich社製, 시약)을 사용한 점과 배합비율을 변화시킨 점, (E) 성분(p-아미노디페닐아민)을 사용하지 않은 점 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 고체전해콘덴서용 전해질형성용 조성물을 얻었다.
앞에서 설명한 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물과, 실시예 1과 같은 산화제용액을 체적비 1 : 1 로하여 혼합한 혼합액을 만들었다. 다음에 실시예 1과 같이 산화피막을 형성한 탄탄펠릿을 상기 혼합액에 함침하고, 열풍건조기로 60℃에서 20분 건조하였다. 이 함침, 건조공정을 15회 반복하고, 폴리아닐린으로 이루어지는 전해질을 형성하였다. 또, 함침, 건조공정 1회마다 혼합액을 새로운 것으로 교체하였다. 다음에, 카본페이스트층, 은페이스트층을 차례로 형성하고, 이 은페이스트층에 은페이스트를 사용하여 음극리드를 접속하고, 봉지재로 몰드외장하여, 탄탈을 밸브메탈로 한 고체전해콘덴서를 얻었다. 얻어진 고체전해콘덴서 형성용 조성물의 조성을 표 1에, 얻어진 고체전해질콘덴서의 전기적 특성을 표 2에 나타내었다.
성 분 배 합 량 (중량%)
실시예1 실시예2 실시예3 실시예4
(A) 아닐린 2 2 5 1
(B) 페놀설폰산 2 - - -
(B) 페놀디설폰산 - 0.3 - -
(B') 황 산 - 2.7 - -
(B) 설포안식향산 - - 5.8 -
(B) 설포숙신산 - - - 1.2
(B) 3-니트로벤젠설폰산 - - - -
(C) 물 48 60 60 40
(D) 에탄올 47.8 35.9 - 57
(D) 디글라임 - - 28.7 -
(D) 에틸렌글리콜 - - - -
(E) p-아미노디페닐아민 0.2 0.1 0.5 0.8
산화제용 액 퍼옥소2황산암모늄의농도 (중량%) 5 5 12.5 3
함침, 건조공정의 회수 20 20 8 35
성 분 배 합 량 (중량%)
실시예5 실시예6 실시예7 실시예8 실시예10
(A) 아닐린 3 4 2 2 2
(B) 페놀설폰산 - 1 2 2 -
(B) 페놀디설폰산 - - - - -
(B') 황 산 - 3 - - -
(B) 설포안식향산 - - - - -
(B) 설포숙신산 - - - - 2
(B) 3-니트로벤젠설폰산 3.5 - - - -
(C) 물 65 50 48 48 48
(D) 에탄올 - 41.7 47.8 47.8 48
(D) 디글라임 - - - - -
(D) 에틸렌글리콜 28.2 - - - -
(E) 파라아미노디페닐아민 0.3 0.3 0.2 - -
산화제용 액 퍼옥소2황산암모늄의농도 (중량%) 8 5 5 5 5
함침, 건조공정의 회수 13 10 20 20 20
120Hz의 용량(μF) 100kHz의 용량(μF) 100kHz의내부저항 (Ω)
실시예 1 3.35 2.6 0.55
실시예 2 3.30 2.3 0.65
실시예 3 3.25 2.15 0.7
실시예 4 3.40 2.4 0.6
실시예 5 3.30 2.25 0.75
실시예 6 3.30 2.2 0.6
실시예 7 26.0 20.0 0.12
실시예 8 3.1 1.6 2.5
실시예 9 3.10 2.6 1.00
실시예 10 3.3 2.6 0.4
비교예 1
본 발명에서의 (B)성분을 사용하지 않은 점 이외에는 실시예 3과 동일하게 하고, 실시예 1로부터 만들어지는 탄탈을 밸브메탈로 하는 고체전해콘덴서를 제조하였다. 얻어진 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물의 조성을 표 3에, 얻어진 고체전해콘덴서의 전기적 특성을 표 4에 나타내었다.
비교예 2
본 발명에서의 (B)성분으로서 염산을 사용한 점 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 고체전해콘덴서를 제조하였다. 얻어진 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물의 조성을 표 3에, 얻어진 고체전해콘덴서의 전기적 특성을 표 4에 나타내었다.
비교예 3
본 발명에서의 (D)성분을 사용하지 않은 점 이외에는 실시예 5와 동일하게 하여, 탄탈을 밸브메탈로 하는 고체전해콘덴서를 제조하였다. 얻어진 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물의 조성을 표 3에, 얻어진 고체전해콘덴서의 전기적 특성을 표 4에 나타내었다.
비교예 4
본 발명에서의 (E)성분을 사용하지 않은 점 이외에는 실시예 7과 동일하게 하여, 알루미늄을 밸브메탈로 하는 고체전해콘덴서를 제조하였다. 얻어진 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물의 조성을 표 3에, 얻어진 고체전해콘덴서의 전기적 특성을 표 4에 나타내었다.
비교예 5
폴리아닐린분말을 2중량% 용해한 N-메틸-2-피롤리돈 용액을, 실시예 1과 동일한 방법으로 산화피막을 형성한 탄탈펠릿에 함침, 건조하는 공정을 20회 반복한 후, 페놀설폰산의 수용액에 60℃에서 5시간 침적하고나서 아세톤으로 세정하여, 전해질층을 형성하였다. 다시, 카본페이스트층, 은페이스트층을 차례로 형성하고, 이 은페이스트층에 은페이스트를 사용하여 음극리드를 접속하고, 봉지재로 몰드외장하고, 탄탈을 밸브메탈로 한 본 발명의 고체전해콘덴서를 얻었다. 얻어진 고체전해콘덴서의 전기적 특성을 표 4에 나타내었다.
성 분 배 합 량 (중량%)
비교예1 비교예2 비교예3 비교예4
(A) 아닐린 5 5 3 2
(B) 페놀설폰산 - - - 2
(B) 페놀디설폰산 - - - -
(B') 황 산 - 2 - -
(B) 설포안식향산 - - - -
(B) 설포숙신산 - - - -
(B) 3-니트로벤젠설폰산 - - 3.5 -
(C) 물 60 48 93.2 48
(D) 에탄올 - 47.8 - 47.8
(D) 디글라임 28.7 - - -
(D) 에틸렌글리콜 - - - -
(E) p-아미노디페닐아민 0.5 0.3 0.3 0.2
산화제용 액 퍼옥소2황산암모늄의농도 (중량%) 12.5 5 8 5
함침, 건조공정의 회수 8 20 13 20
120Hz의 용량(μF) 100kHz의 용량(μF) 100kHz의내부저항 (Ω)
비교예 1 2.2 0.2 7
비교예 2 1.3 0 25
비교예 3 3.1 1.5 3.1
비교예 4 25 8 1.8
비교예 5 2.5 0.5 8
표 2 및 표 4로부터 명백한 바와 같이, 실시예 1∼9의 고체전해콘덴서는 저주파특성 및 고주파특성 어느 것도, 비교예 1∼5의 고체전해콘덴서 보다 우수하다.
표 1, 2 및 3에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물은, 저주파수로부터 고주파수까지의 주파수 영역에서 전기특성(용량, 내부저항, 유전손실, 임피던스 등)이 우수하고, 공정상의 스트레스나 내열성이 우수한 고체전해콘덴서를 간편하고 수율이 좋게 제조할 수 있다.
본 발명의 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물은, 앞에서 언급한 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물의 효과에 추가하여, 더욱 고주파영역의 전기특성이 우수한 것이다.
본 발명의 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물은 앞에서 언급한 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물의 효과에 추가하여, 저주파수로부터 고주파수까지 넓은 주파수 영역에서의 전기특성이 우수한 고체전해콘덴서의 전해질을 형성할 수 있는 것이다.
본 발명의 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물은 앞에서 언급한 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물의 효과에 추가하여, (E)성분의 용해도 및 또한 (A)아닐린유도체의 용해도가 높다.
본 발명의 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물은, 앞에서 언급한 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물의 효과에 추가하여, 더욱 용액의 안정성이 높고, 화학산화중합으로 형성한 전해질의 막두께도 균일한 것이다.
본 발명의 고체전해콘덴서는, 전해질의 형성이 간편하고, 내열성이 높으면서도, 저주파수로부터 고주파수까지의 주파수 영역에서 전기특성(용량, 내부저항, 유전손실, 임피던스 등)이 우수한 것이다.

Claims (19)

  1. (A) 아닐린화합물,
    (B) 유기설폰산,
    (C) 물 및
    (D) 유기용제
    를 함유하여 이루어지는 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물.
  2. 제1항에 있어서, (A)성분, (B)성분, (C)성분 및 (D)성분에 추가하여, 다시 (E) 일반식(I)
    (식중, R1및 R2는 각각 독립적으로, 탄소수 1∼6인 알킬기, 탄소수 1∼6인 알켄일기, 탄소수 1∼6인 알콕시기, 탄소수 1∼6인 사이클로알킬기, 탄소수 1∼6인 사이클로알켄일기 또는 탄소수 1∼6인 알칸오일기를 나타내고, p는 0∼5의 정수이고, q는 0∼4의 정수이고, n은 1∼7의 정수이다)로 표시되는 화합물을 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물.
  3. 제2항에 있어서, n이 1∼3인 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물.
  4. 제4항에 있어서, n이 1인 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물.
  5. 제1항에 있어서, (A) 아닐린화합물은 일반식(II)
    (식중, R3는 탄소수 1∼6인 알킬기, 탄소수 1∼6인 알켄일기, 탄소수 1∼6인 알콕시기, 탄소수 1∼6인 사이클로알킬기, 탄소수 1∼6인 사이클로알켄일기 또는 탄소수 1∼6인 알칸오일기를 나타내고, m은 1∼5의 정수임)로 표시되는 화합물을 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물.
  6. 제5항에 있어서, 상기 (A) 아닐린화합물은 아닐린인 것을 특징으로 하는 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물.
  7. 제1항에 있어서, (B) 유기설폰산은 벤젠설폰산, 톨루엔설폰산, n-헥산설폰산, n-옥틸설폰산, 도데실설폰산, 세틸설폰산, 4-도데실벤젠설폰산, 캄파설폰산, 폴리(비닐)설폰산, 디노닐나프탈렌설폰산, 나프탈렌설폰산, p-클로로벤젠설폰산, 페놀설폰산, 페놀디설폰산, 트리클로로벤젠설폰산, 4-니트로톨루엔-2-설폰산, 1-옥탄설폰산, 설폰화 폴리스티렌, 설폰화 폴리에틸렌, 니트로벤젠설폰산, 2-설포안식향산, 3-니트로벤젠설폰산, 4-옥틸벤젠설폰산, 2-메틸-5-이소프로필벤젠설폰산, 설포숙신산(sulfosuccinic acid)으로 이루어지는 군에서 선택되는 화합물중의 최소한 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물.
  8. 제7항에 있어서, 상기 (B) 유기설폰산은 페놀설폰산, 페놀디설폰산, 2-설포안식향산, 설포숙신산 및 3-니트로벤젠설폰산으로 이루어지는 군에서 선택되는 유기설폰산중의 최소한 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 상기 (D) 유기용제는 물과 자유로운 비율로 혼합하고, (E) 화합물은 (D) 유기용제에 용해가능한 것을 특징으로 하는 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물.
  10. 제1항에 있어서, 상기 (A) 아닐린화합물, (C) 물 및 (D) 유기용제중 최소한 하나는 탈기된 것을 특징으로 하는 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물.
  11. 제1항에 있어서, 상기 (A) 아닐린화합물은 전해질형성용 조성물의 총중량을 기준으로 0.2∼23중량%의 양으로 존재하는 것을 특징으로 하는 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물.
  12. 제1항에 있어서, 상기 (B) 유기설폰산은 전해질형성용 조성물의 총중량을 기준으로 0.2∼25중량%의 양으로 존재하는 것을 특징으로 하는 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물.
  13. 제2항에 있어서, 상기 (E) 화합물은 전해질형성용 조성물의 총중량을 기준으로 0.02∼2.5중량%의 양으로 존재하는 것을 특징으로 하는 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물.
  14. 제13항에 있어서, 상기 (E) 화합물은 전해질형성용 조성물의 총중량을 기준으로 0.07∼1.6중량%의 양으로 존재하는 것을 특징으로 하는 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물.
  15. 제14항에 있어서, 상기 (E) 화합물은 전해질형성용 조성물의 총중량을 기준으로 0.1∼1.2중량%의 양으로 존재하는 것을 특징으로 하는 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물.
  16. 제1항의 조성물로부터 제조되는 전해질을 함유하는 고체전해콘덴서.
  17. 제2항의 조성물로부터 제조되는 전해질을 함유하는 고체전해콘덴서.
  18. 밸브메탈상에 산화막을 형성한 소자를 1∼30중량%의 산화제를 함유하는 용액으로 함침시키는 단계와, 그 소자를 제1항 또는 제2항의 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물로 함침하여 이닐린화합물을 중합함으로써 폴리아닐린을 생성시킨 후에 소자를 건조하는 단계와, 이상의 공정을 최소한 2회 반복하고, 다시 건조하여 수분 등을 휘발시켜서 전해질층을 형성하는 단계와, 전해질층 상에 카본페이스트층 및 은페이스트층을 이 순서대로 형성하는 단계와, 얻어진 소자를 리드프레임 등에 도전성 접착제로 접착하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고체전해콘덴서의 제조방법.
  19. 산화제 1∼30중량%와 제1항의 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물을 함유하는 용액을 만드는 단계와, 밸브메탈상에 산화막을 형성한 소자에 상기 혼합용액으로 함침시켜서 이닐린화합물을 중합하여 폴리아닐린을 생성시킨 후에 소자를 건조하는 단계와, 이상의 공정을 최소한 2회 반복하고, 다시 건조하여 수분 등을 휘발시켜서 전해질층을 형성하는 단계와, 전해질층 상에 카본페이스트층 및 은페이스트층을 이 순서대로 형성하는 단계와, 얻어진 소자를 리드프레임 등에 도전성 접착제로 접착하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고체전해질콘덴서의 제조방법.
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