JP3806818B2 - チップ型個体電解コンデンサ - Google Patents
チップ型個体電解コンデンサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP3806818B2 JP3806818B2 JP2003334961A JP2003334961A JP3806818B2 JP 3806818 B2 JP3806818 B2 JP 3806818B2 JP 2003334961 A JP2003334961 A JP 2003334961A JP 2003334961 A JP2003334961 A JP 2003334961A JP 3806818 B2 JP3806818 B2 JP 3806818B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- anode
- terminal
- cathode
- solid electrolytic
- type solid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 50
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims description 27
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 25
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 24
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 24
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical compound [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
本発明は、固体電解コンデンサに係り、特にチップ型固体電解コンデンサおよびその製造方法ならびにそれに用いるリードフレームに関する。
従来から弁作用金属として、タンタル、ニオブなどを用いた固体電解コンデンサは、小型で静電容量が大きく、周波数特性に優れ、ＣＰＵの電源回路などに広く使用されている。また、携帯型電子機器の発展に伴い、特にチップ型固体電解コンデンサの小型化および薄型化が進行している。
このようなチップ型固体電解コンデンサを基板に実装するとき、製品の基板実装面での端子部分とともに、製品側面においてフィレットが形成される端子部分が重要になる。その理由の一つは、はんだ付けの後に、フィレットにおける、はんだの状況を観察して、基板実装面を含めた、はんだ付けの状況を検査するためであり、他の理由は、フィレット面へ融けた、はんだが濡れ上がるときに、陽極側と陰極側で均等に濡れ上がらないと、製品が傾いて実装されるからであり、さらに他の理由はフィレット面へのはんだの濡れ上がりが十分でないと、はんだが基板実装面である底面にのみ留まり、製品が浮き上がってしまうからである。
そこで、はんだの濡れ上がりを良好にするために、フィレット面には、めっきが施される。この状況を下面電極型と呼ばれる端子を有するチップ型固体電解コンデンサに関してさらに説明する。この下面電極型の技術は、製品の小型化および薄型化に適した技術であり、リードフレームの下面を電極（陽極端子および陰極端子）の下面として使用し、リードフレームの切断面をフィレット面として使用するチップ型固体電解コンデンサの技術である。
まず、公知の製造方法で作製したコンデンサ素子を、下面電極型用として作製したリードフレームに接続した後、外装樹脂をモールドして、切断により、リードフレームから分離し、次に、側面のフィレット面となる切断面にめっき処理を施してチップ型固体電解コンデンサを作製する。
この状況を図面に基づいてさらに説明する。図９は、従来例のチップ型固体電解コンデンサを示す図であり、図９（ａ）は陽極側の側面図、図９（ｂ）は正面からの内部透視図、図９（ｃ）は陰極側の側面図である。この図９において、９１はコンデンサ素子、９２は陽極リード線、９３は陽極端子、９４は陰極端子、９７は絶縁樹脂、９９は外装樹脂、１００は導電性接着剤、そして、９６はめっき処理された陽極側のフィレット面で、９８はめっき処理された陰極側のフィレット面である。また、図１０は、コンデンサ素子をリードフレームに接合して、外装樹脂でモールド成形した状態を示す内部透視図である。１０１はリードフレームの陽極端子形成部であり、１０２は陰極端子形成部、そして、１０３ａおよび１０３ｂは切断面であり、製品の側面となる面である。
これまでの工程とその後の工程について、図１１に基づいて説明する。図１１は従来例の工程フロー図であり、Ｓ１１１はリードフレームの成形工程、Ｓ１１２はコンデンサ素子をリードフレームへ接合固定する工程、Ｓ１１３は外装樹脂によるモールド成形の工程であり、既に説明したとおりである。
次に、Ｓ１１４は外装樹脂とリードフレームの切断工程であり、Ｓ１１５は切断によって表出した側面のフィレット面にめっき処理を施す工程、そして、Ｓ１１６はめっき工程において、向きがばらばらになった製品の整列工程である。
このように側面のリードフレーム切断面にめっきを施して端子の一部とする技術については、類似の技術として、次の特許文献１に開示された例がある。
しかし、リードフレームからチップを切り離した後に、フィレット面となる切断面にめっき処理を施す場合には、次のような問題点がある。電子部品用の後めっきとして一般的に使用されるバレルめっきの場合、めっき後に製品の向きが、ばらばらになるので、製品の上下方向、縦方向、横方向、極性方向などの方向整列が必要になり、次のような問題が起きる。（１）製品整列機といった高価な設備を製作して使用しなければならず、製造コストが増加する。（２）製造日数が長くなる。（３）めっき液の製品内部の滲入による、製品特性の劣化が起こり得る。
本発明のチップ型個体電解コンデンサは、陽極リード線が導出されたコンデンサ素子と、前記陽極リード線に接続された陽極端子と、前記コンデンサ素子の陰極層に接続された陰極端子と、前記陽極端子の一部および前記陰極端子の一部を実装面に現れる形状が同形となるように露出させて前記コンデンサ素子を被覆した絶縁性の外装樹脂とを備えるチップ型固体電解コンデンサであって、前記陽極端子は部品外形面のうち実装面および前記陽極リード線側の第１側面のそれぞれ一部分において露出するとともに、前記実装面と前記第１側面との境界を横切って連続する露出面を有し、前記外装樹脂の内部では、前記陽極端子は２段の階段形状を有し、前記第１側面での厚さが、前記実装面の中心に向かう先端部の厚さよりも大であり、前記階段形状の１つの段差は前記陰極層の実装側の面と前記陽極リード線の外周面との最短距離よりも大であり、前記第１側面は切断面と陽極端子の一部に設けられためっき面とからなり、前記陰極端子は部品外形面のうち実装面および前記陽極リード線とは逆側の第２側面のそれぞれ一部分において露出するとともに、前記実装面と前記第２側面との境界を横切って連続する露出面を有し、前記外装樹脂内部では、前記陰極端子は２段の階段形状を有し、前記第２側面での厚さが、前記実装面の中心側の先端部の厚さよりも大であり、前記階段形状の１つの段差は前記陰極層の実装側の面と前記陽極リード線の外周面との最短距離よりも大であり、前記第２側面は切断面と陰極端子の一部に設けられためっき面とからなり、前記第１側面および第２側面のめっき面は実装面に隣接するとともに、前記外装樹脂と前記めっき面を隔離する前記陽極端子及び陰極端子の切断面は、先端部が実装面に達するコ字形の帯状となって配設されたことを特徴とする。
前記陽極端子と前記陰極端子の一部にはＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｓｎの少なくとも１つを含む膜が形成されるとよい。
前記陰極層と前記陰極端子の接続にはＡｇを含む導電性接着剤が用いられるとよい。
本発明によれば、切断によってチップを得た後で、めっき処理を施す必要がないので、めっき後の製品整列に伴うコストの増加を回避できる。さらに、めっき処理中のめっき液の製品への悪影響を避けることができる。また、本発明のリードフレームは、めっき処理された、凹部を有するので、切断後のチップのめっき処理を不要とすることができる。
すなわち、本発明によれば、生産性および信頼性に優れ、めっき処理されたフィレット面を有するチップ型固体電解コンデンサを提供することができる。
次に、発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。図１は、本発明のチップ型固体電解コンデンサを示し、図１（ａ）は陽極側の側面図、図１（ｂ）は正面からの内部透視図、図１（ｃ）は陰極側の側面図である。１１はコンデンサ素子、１２は陽極リード線、１３は下面電極型の陽極端子、１４は下面電極型の陰極端子、１５ａは陽極側のめっき処理されたフィレット面であり、１５ｂは陰極側のめっき処理されたフィレット面であり、１６は略コ字形の陽極端子切断面、１７は絶縁樹脂、１８は陰極端子切断面、１９は外装樹脂、２０は導電性接着剤である。
図３は、本発明のチップ型固体電解コンデンサを示す、下方からの斜視図である。陽極端子基板実装面３１、陰極端子基板実装面３２、および陽極側のフィレット面１５ａには、めっきが施されている。なお、図示はしないが、陰極側のフィレット面にもめっきが施されている。この構造によって、チップを基板に実装するときの姿勢が安定に保たれる。
次に、本発明のチップ型固体電解コンデンサを製造工程に沿って説明する。まず、公知の技術によってコンデンサ素子を作製する。並行して、本発明のチップ型固体電解コンデンサの製造工程で用いるリードフレームを作製する。図４は、本発明のリードフレームの一部を示す平面図であり、４１は陽極端子形成部、４２は陰極端子形成部、４３ａおよび４３ｂは凹部の形成部である。図５は、陽極端子形成部５１と陰極端子形成部５２を成形加工した状態を示す斜視図である。５３ａおよび５３ｂは直方体状の空間部である凹部である。その凹部について、図６に基づいて説明する。図６（ａ）は第１型の凹部を示す断面図である。図６（ａ）においては、６１ａは凹部であり、金型を用いた、プレスによるエンボス加工と同様に形成される。そして、リードフレーム全面もしくは凹部を含む陽極端子形成部と陰極端子形成部にめっき処理を施す。このめっき膜には、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｓｎの少なくとも１つを金属膜を用いる。また、図６（ｂ）に第２型の凹部として断面図で示すように凹部６１ｂは端子の先端部に近い側を深くして、一方の遠い側を浅くしてもよい。
このように作製したリードフレームにコンデンサ素子を接合して、外装樹脂でモールド成形した状態を図２に内部透視図で示す。２１はリードフレームの陽極端子形成部、２２はリードフレームの陰極端子形成部を示す。また、外装樹脂１９とリードフレームを切断面２３ａおよび２３ｂにおいて切断するとき、凹部２４ａ、２４ｂは分離されてフィレット面１５ａ、１５ｂとなる。
ここで、本発明のチップ型固体電解コンデンサの製造方法について、図８を参照して、整理する。Ｓ８１は平面状のリードフレームに陽極溶接部のつぶし加工および凹部を形成する加工工程であり、Ｓ８２は、めっき処理工程であり、Ｓ８３はコンデンサ素子の接合固定の工程、Ｓ８４は外装樹脂モールド成形の工程、Ｓ８５はリードフレームと外装樹脂の切断工程である。このような工程を経て、本発明のチップ型固体電解コンデンサが得られる。
次に、本発明の実施例を挙げて、さらに説明する。弁作用金属としてタンタルを用いた場合を記す。タンタル線のまわりに、タンタル粉末をプレス機で成型し、高真空・高温度で焼結する。次に、タンタル金属粉末の表面にＴａ２Ｏ５の酸化被膜を形成する。さらに、硝酸マンガンに浸漬した後、熱分解して、ＭｎＯ２を形成し、引き続き、グラファイトおよびＡｇによる陰極層を形成して、コンデンサ素子を得る。なお、陰極層のＭｎＯ２に換えて、ポリチオフェンあるいはポリピロールなどの導電性高分子を用いると、低ＥＳＲを得るのが容易になる。また、弁作用金属として、タンタルの他に、ニオブ、アルミニウム、チタンなどを用いることができる。
次に、リードフレームの作製について説明する。本発明のリードフレームとしては、図４に示すような平板状のリードフレームを作製する。次に、凹部の形成部４３ａおよび４３ｂには、紙面の下方から凹部を作製する。さらに、コンデンサ素子の陽極リード線との接合部、およびコンデンサ素子の陰極層との接続部のつぶし加工を行い、図５のような、コンデンサ素子との接続部を形成する。なお、つぶし加工によって得られる形状は、２段の階段形状を有し、製品となったときの側面での厚さが、実装面の中心に向かう先端部の厚さよりも大であり、階段形状の１つの段差は前記陰極層の実装側の面と前記陽極リード線の外周面との最短距離よりも大となる形状である。
ここで、本発明のリードフレームに特徴的な凹部について、さらに説明する。本実施例１の凹部の形状は図７（ａ）のとおり直方体であり、その断面形状は図６（ａ）のとおり四角形状である。なお、図７（ａ）〜図７（ｄ）においては、基板実装面を上に向けて斜視図で描いた。リードフレームの材質には、４２合金（４２％Ｎｉ−５８％Ｆｅ合金）を用い、平板状のリードフレームに金型切断加工を行い、図６（ａ）または図７（ａ）のような凹部６１ａまたは凹部７１を形成した。また、リードフレームへのコンデンサ素子の接合について、陽極側については、コンデンサ素子の陰極層と接近する陽極端子部分には絶縁性樹脂１７を塗布した後、陽極リード線とレーザ溶接により接続して、陰極側については、Ａｇを含む導電性接着剤２０により接続した。次いで、外装樹脂をトランスファーモールドにより成形した後、ダイシングソーにより、製品側面となる二面を切断して、本実施例１のチップ型固体電解コンデンサを得た。
次に、本発明の実施例２を説明する。本実施例２においては、凹部として、図６（ｂ）の形状を用いた。他は実施例１と同様である。
本実施例２の凹部は図６（ｂ）に示すように、凹部６１ｂの端子の先端部に近い側を深くして、一方の遠い側を浅くし、その部分がめっき処理されて、フィレット面となる。
本実施例３においては、凹部として、図７（ｂ）〜図７（ｄ）の形状を用いた。他は実施例１と同様である。
本実施例３の凹部の第１の形状は、図７（ｂ）に凹部７２として斜視図で示すように三角形の空間を有している。端子先端に近い断面がめっき後にフィレット面となる。
また、本実施例３の凹部の第２の形状は、図７（ｃ）に凹部７３として斜視図で示すように台形状の空間を有している。端子先端に近い断面がめっき後にフィレット面となる。
さらに、本実施例３の凹部の第３の形状は、図７（ｄ）に凹部７４として斜視図で示すように円または楕円の弧状の部分と直線部分とからなる形状の空間を有している。端子先端に近い断面がめっき後にフィレット面となる。
このように実施例２および３においては、凹部の形状が異なっているが、リードフレーム合金の弾性的および塑性的性質、リードフレームの厚さ、必要なフィレット面の寸法などによって適切なものを使用するのがよい。
１１、９１ コンデンサ素子
１２、９２ 陽極リード線
１３、９３ 陽極端子
１４、９４ 陰極端子
１５ａ、１５ｂ、９６、９８ フィレット面
１６ 陽極端子切断面
１７、９７ 絶縁樹脂
１８ 陰極端子切断面
１９、９９ 外装樹脂
２０、１００ 導電性接着剤
２１、４１、５１、１０１ 陽極端子形成部
２２、４２、５２、１０２ 陰極端子形成部
２３ａ、２３ｂ、１０３ａ、１０３ｂ 切断面
２４ａ、２４ｂ、５３ａ、５３ｂ、６１ａ、６１ｂ、７１、７２、７３、７４ 凹部
３１ 陽極端子基板実装面
３２ 陰極端子基板実装面
４３ａ、４３ｂ 凹部の形成部
１２、９２ 陽極リード線
１３、９３ 陽極端子
１４、９４ 陰極端子
１５ａ、１５ｂ、９６、９８ フィレット面
１６ 陽極端子切断面
１７、９７ 絶縁樹脂
１８ 陰極端子切断面
１９、９９ 外装樹脂
２０、１００ 導電性接着剤
２１、４１、５１、１０１ 陽極端子形成部
２２、４２、５２、１０２ 陰極端子形成部
２３ａ、２３ｂ、１０３ａ、１０３ｂ 切断面
２４ａ、２４ｂ、５３ａ、５３ｂ、６１ａ、６１ｂ、７１、７２、７３、７４ 凹部
３１ 陽極端子基板実装面
３２ 陰極端子基板実装面
４３ａ、４３ｂ 凹部の形成部
Claims (3)
- 陽極リード線が導出されたコンデンサ素子と、前記陽極リード線に接続された陽極端子と、前記コンデンサ素子の陰極層に接続された陰極端子と、前記陽極端子の一部および前記陰極端子の一部を実装面に現れる形状が同形となるように露出させて前記コンデンサ素子を被覆した絶縁性の外装樹脂とを備えるチップ型固体電解コンデンサであって、前記陽極端子は部品外形面のうち実装面および前記陽極リード線側の第１側面のそれぞれ一部分において露出するとともに、前記実装面と前記第１側面との境界を横切って連続する露出面を有し、前記外装樹脂の内部では、前記陽極端子は２段の階段形状を有し、前記第１側面での厚さが、前記実装面の中心に向かう先端部の厚さよりも大であり、前記階段形状の１つの段差は前記陰極層の実装側の面と前記陽極リード線の外周面との最短距離よりも大であり、前記第１側面は切断面と陽極端子の一部に設けられためっき面とからなり、前記陰極端子は部品外形面のうち実装面および前記陽極リード線とは逆側の第２側面のそれぞれ一部分において露出するとともに、前記実装面と前記第２側面との境界を横切って連続する露出面を有し、前記外装樹脂内部では、前記陰極端子は２段の階段形状を有し、前記第２側面での厚さが、前記実装面の中心側の先端部の厚さよりも大であり、前記階段形状の１つの段差は前記陰極層の実装側の面と前記陽極リード線の外周面との最短距離よりも大であり、前記第２側面は切断面と陰極端子の一部に設けられためっき面とからなり、前記第１側面および第２側面のめっき面は実装面に隣接するとともに、前記外装樹脂と前記めっき面を隔離する前記陽極端子及び陰極端子の切断面は、先端部が実装面に達するコ字形の帯状となって配設されたことを特徴とするチップ型固体電解コンデンサ。
- 前記陽極端子と前記陰極端子の一部にはＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｓｎの少なくとも１つを含む膜が形成されたことを特徴とする請求項１記載のチップ型固体電解コンデンサ。
- 前記陰極層と前記陰極端子の接続にはＡｇを含む導電性接着剤が用いられたことを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載のチップ型固体電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003334961A JP3806818B2 (ja) | 2003-09-26 | 2003-09-26 | チップ型個体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003334961A JP3806818B2 (ja) | 2003-09-26 | 2003-09-26 | チップ型個体電解コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005101418A JP2005101418A (ja) | 2005-04-14 |
| JP3806818B2 true JP3806818B2 (ja) | 2006-08-09 |
Family
ID=34462484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003334961A Expired - Lifetime JP3806818B2 (ja) | 2003-09-26 | 2003-09-26 | チップ型個体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3806818B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006190965A (ja) | 2004-12-10 | 2006-07-20 | Nec Tokin Corp | 下面電極型固体電解コンデンサ、その製造方法及びそれらに用いるリードフレーム |
| US7161797B2 (en) * | 2005-05-17 | 2007-01-09 | Vishay Sprague, Inc. | Surface mount capacitor and method of making same |
| JP2006332403A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Nec Tokin Corp | リードフレーム、及びそれを用いた下面電極型固体電解コンデンサの製造方法、並びにそれにより製造された下面電極型固体電解コンデンサ |
| JP2007103400A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Nec Tokin Corp | 下面電極型固体電解コンデンサ |
| KR100826391B1 (ko) | 2006-07-18 | 2008-05-02 | 삼성전기주식회사 | 칩형 고체 전해콘덴서 |
| CN101286417B (zh) | 2007-03-09 | 2011-02-02 | Nec东金株式会社 | 固体电解电容器及其制造方法 |
| JP4753380B2 (ja) * | 2007-04-17 | 2011-08-24 | Ｎｅｃトーキン株式会社 | 下面電極型固体電解コンデンサ |
| JP2014071041A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Nippon Seiki Co Ltd | 液面検出装置、及び液面検出装置の製造方法 |
| WO2023074376A1 (ja) * | 2021-10-28 | 2023-05-04 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 固体電解コンデンサ |
-
2003
- 2003-09-26 JP JP2003334961A patent/JP3806818B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2005101418A (ja) | 2005-04-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4878103B2 (ja) | チップ型固体電解コンデンサの製造方法 | |
| KR100712780B1 (ko) | 고체 전해 콘덴서 | |
| JP4083091B2 (ja) | チップ型固体電解コンデンサ及びその製造方法並びにそれに用いるリードフレーム | |
| US7835138B2 (en) | Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing same | |
| KR101451685B1 (ko) | 고체 전해 콘덴서 | |
| US7542267B2 (en) | Lead frame, method of manufacturing a face-down terminal solid electrolytic capacitor using the lead frame, and face-down terminal solid electrolytic capacitor manufactured by the method | |
| US7149077B2 (en) | Solid electrolytic capacitor with face-down terminals, manufacturing method of the same, and lead frame for use therein | |
| JP2004103981A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法及びこの方法によって製造される固体電解コンデンサ | |
| JP4975946B2 (ja) | チップ型固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP3806818B2 (ja) | チップ型個体電解コンデンサ | |
| JP4802550B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| US7525790B2 (en) | Solid electrolytic capacitor with face-down terminals | |
| JP4817458B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP2005019923A (ja) | チップ形固体電解コンデンサ | |
| JP4767275B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP4104803B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製法 | |
| JP4152357B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP2006332403A (ja) | リードフレーム、及びそれを用いた下面電極型固体電解コンデンサの製造方法、並びにそれにより製造された下面電極型固体電解コンデンサ | |
| JP2008109007A (ja) | 下面電極型固体電解コンデンサの製造方法およびそれに用いるリードフレーム | |
| JP4307439B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP4152358B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| KR100871035B1 (ko) | 리드 프레임, 리드 프레임을 이용한 페이스 다운 단자형고체 전해 커패시터를 제조하는 방법, 및 그 방법에 의해제조된 페이스 다운 단자형 고체 전해 커패시터 | |
| JP2008211107A (ja) | 表面実装薄型コンデンサおよびその製造方法 | |
| JP2005039032A (ja) | チップ型コンデンサおよびその製造方法並びにそれに用いるリードフレーム | |
| JP2006108709A (ja) | 固体電解コンデンサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050722 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20050930 |
|
| A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20051017 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051122 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060123 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060419 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20060426 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060427 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3806818 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100526 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100526 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110526 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110526 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120526 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120526 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130526 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140526 Year of fee payment: 8 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |