WO2011070741A1 - Ｃｖｄ用トレーおよびそれを用いた成膜方法 - Google Patents

Ｃｖｄ用トレーおよびそれを用いた成膜方法 Download PDF

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silicon wafer
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cvd
film
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孝 中山
智之 樺澤
誉之 木原
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]

Definitions

  • the present invention relates to a CVD tray used for film formation by a CVD method, and a film formation method using the same, and more specifically, a uniform thickness distribution of an oxide film formed on the surface of the silicon wafer.
  • the present invention relates to a CVD tray and a film forming method using the same.
  • a protective film or an insulating film is formed on a silicon wafer.
  • an oxide film or the like is formed as an interlayer insulating film on the surface side of a silicon wafer used as a device creation region, and thereafter, wiring formation or the like is performed.
  • the silicon single crystal substrate is formed from the back surface of the silicon single crystal substrate.
  • an atmospheric pressure CVD method is used.
  • the atmospheric pressure CVD method after the silicon wafer is placed on the tray with the surface to be deposited facing up, the tray and the silicon wafer are heated while supplying the source gas onto the silicon wafer. The components are deposited on a silicon wafer to form a film.
  • the atmospheric pressure CVD method is widely used when forming an oxide film because the film formation speed is fast, so the time required for forming the oxide film can be shortened, and by incorporating a transfer device, This is because an oxide film can be formed on a silicon wafer.
  • a mixed gas of monosilane (SiH 4 ) and oxygen (O 2 ), tetraethoxysilane (TEOS, chemical formula: Si (OC 2 H 5 ) 4 ) and ozone (O 3 ) are used as source gases. ) Is used.
  • the tray on which the silicon wafer is placed when forming the oxide film by the atmospheric pressure CVD method is required not to be deformed by heating at the time of film formation and to cause no contamination on the silicon wafer.
  • the tray one obtained by sintering SiC or one whose surface is further coated with a SiC film is used.
  • a flat mounting portion for supporting a silicon wafer is used.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing a state in which a silicon wafer is placed on a tray in which the conventional placement portion is flat.
  • the tray 1 shown in FIG. 10 has a flat placement portion 1a on which the silicon wafer 5 is placed.
  • the silicon wafer 5 is placed on the tray 1, the silicon wafer is not formed. Since the surface 5c comes into contact with the tray mounting portion 1a, scratches occur over the entire surface of the non-film-forming surface 5c of the silicon wafer.
  • the depth of contact scratches varies slightly depending on the film forming conditions, but contact scratches with a depth of about 3 to 10 ⁇ m are generated.
  • Patent Document 1 uses a tray that supports the outer peripheral portion of the silicon wafer.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a state in which a silicon wafer is placed on a tray that supports the outer periphery of a conventional silicon wafer.
  • the tray 1 shown in FIG. 11 has a taper-shaped mounting portion 1a.
  • the mounting portion 1a supports the outer peripheral portion 5b of the silicon wafer, and the silicon wafer 5 is mounted on the tray 1.
  • the silicon wafer When a tray that supports the outer periphery of the silicon wafer is used, the silicon wafer is supported without contact between the non-film-formation surface 5c of the silicon wafer and the tray 1, so that the occurrence of contact scratches can be greatly reduced. .
  • the non-film-forming surface side is polished on one side while holding the film-forming surface, so if the oxide film thickness distribution is non-uniform, the wafer is held elastically deformed and non-uniform after polishing. Since the oxide thickness distribution is transferred to the non-deposition surface, the flatness of the silicon wafer is deteriorated. The deterioration of the flatness increases as the polishing amount increases, and affects the flatness of the epitaxial wafer formed thereafter.
  • the present invention has been made in view of such a situation, and when used for film formation by an atmospheric pressure CVD method, contact scratches do not occur on the non-film-formation surface of the silicon wafer, and the silicon wafer is not damaged. It is an object of the present invention to provide a CVD tray capable of making the thickness distribution of an oxide film to be formed uniform and a film forming method using the same.
  • the tray was composed of a tray body and a support member that was installed on the tray body and supported a silicon wafer.
  • the support member is provided with a placement portion for directly placing the silicon wafer, and the placement portion has a placement portion lower surface separated from the tray main body, thereby reducing the thickness distribution of the oxide film formed on the silicon wafer. It was found that it can be made uniform.
  • the mounting portion is formed with an inclined surface, and the inner circumferential side thereof is disposed so as to be close to the surface of the opposing tray body with a distance from the silicon wafer to be mounted. It was clarified that the thickness distribution of the oxide film formed on the silicon wafer can be made uniform without causing contact scratches on the silicon wafer by supporting the outer periphery of the silicon wafer.
  • the thickness distribution of the oxide film formed on the silicon wafer can be made more uniform by making the tray a structure that reduces the contact area between the support member and the tray body.
  • the present invention has been completed on the basis of the above findings, and the gist of the present invention is the following CVD trays (1) to (9) and the following film forming method (10).
  • a tray used for film formation by a CVD method comprising a tray body and a support member that is supported by the tray body and supports a silicon wafer, and the silicon wafer is directly placed on the support member
  • the mounting portion is provided, and the mounting portion further includes a lower surface of the mounting portion that is spaced from the surface of the tray body that faces the silicon wafer to be placed and is opposite to the mounting surface. Tray.
  • the tray main body is provided with a projecting portion, and the support member is installed on the projecting portion. tray.
  • the tray according to the above (2) further includes a jig for supporting the support member, and the support member is configured to be configured to reduce the contact area through point contact or line contact with the jig. And a CVD tray having a structure for erection on the tray body.
  • the tray main body has a concave receiving portion for receiving the support member, the inner peripheral surface of the receiving portion is an inclined surface, and the upper portion thereof is disposed away from the center of the receiving portion.
  • the placing portion is formed with an inclined surface, and the inner circumferential side thereof is disposed so as to approach the surface of the tray body facing the silicon wafer on which the opposite side is placed,
  • the CVD tray according to any one of (1) to (6) above, which supports the outer periphery of a silicon wafer.
  • a film forming method for forming a film on the silicon wafer by a CVD method by heating the silicon wafer while supplying a raw material gas onto the silicon wafer after placing the silicon wafer on a tray A film forming method using the CVD tray according to any one of (1) to (9) as the tray.
  • the CVD tray of the present invention separates the tray main body from the placement portion of the support member that supports the silicon wafer, so that when used for film formation on a silicon wafer by the atmospheric pressure CVD method, Heat conduction to the outer peripheral portion of the silicon wafer can be reduced, and the thickness distribution of the formed oxide film can be made uniform.
  • the mounting portion is formed with an inclined surface, and the inner circumferential side thereof is disposed so as to approach the surface of the tray main body opposite to the silicon wafer to be mounted, and by supporting the outer peripheral portion of the silicon wafer, When used for film formation on a silicon wafer by the atmospheric pressure CVD method, the thickness distribution of the formed oxide film can be made uniform without causing contact scratches on the non-film formation surface of the silicon wafer.
  • the heat conduction from the tray main body to the support member is reduced by making the tray a structure that reduces the contact area between the support member and the tray main body, the heat conduction from the mounting portion to the outer peripheral portion of the silicon wafer is reduced.
  • the thickness distribution of the oxide film to be formed can be made more uniform.
  • FIG. 1 is a view showing an embodiment comprising a tray main body and a support member of the present invention.
  • FIG. 1 (a) shows a case where the tray main body has a receiving portion
  • FIG. 1 (b) shows a flat tray main body.
  • FIG. 1 (c) uses a flat tray body, and when the support member is supported in the middle,
  • FIG. 1 (d) shows the surface of the tray body opposite to the silicon wafer. The case where a recessed part is provided is shown, respectively.
  • FIG. 2 is a view showing an embodiment in which a protruding portion is provided on the tray body of the present invention
  • FIG. 2 (a) is a top view
  • FIG. 2 (b) is an AA cross-sectional view in FIG.
  • FIG. 2C is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing an embodiment in which a protruding portion is provided on the tray body of the present invention.
  • FIG. 3A shows a case where a planar tray body is used
  • FIG. 3 (c) shows a case where a concave portion is provided below the placement portion.
  • FIG. 4 is a view showing an embodiment in which a support member is installed through point contact and line contact of the present invention
  • FIG. 4 (a) is a top view
  • FIG. 4 (b) is A in FIG. 4 (a).
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing an embodiment in which a support member is installed via line contact according to the present invention
  • FIG. 5 (a) shows a case where a tray body having a concave receiving portion is installed via line contact.
  • FIG. 5B shows a case where the flat tray body is installed via line contact.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing an embodiment in which a support member is installed through point contact or line contact by the jig of the present invention
  • FIG. 6 (a) shows a case where the support member is installed through point contact.
  • FIG. 6B shows a case where the supporting member is installed via line contact.
  • FIG. 7 is a view showing the thickness distribution of an oxide film when formed on a silicon wafer using the CVD tray of the present invention.
  • FIG. 8 is a diagram showing a thickness distribution of an oxide film when a film is formed on a silicon wafer using a tray that supports a conventional outer periphery of the silicon wafer.
  • FIG. 9 is a diagram showing a thickness distribution of an oxide film formed when a film having a structure for reducing a contact area or a tray having no structure is formed by a CVD method.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing a state in which a silicon wafer is placed on a tray with a conventional placing portion being flat.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a state in which a silicon wafer is placed on a tray that supports the outer periphery of a conventional silicon wafer.
  • FIG. 1 is a view showing an embodiment comprising a tray main body and a support member of the present invention.
  • FIG. 1 (a) shows a case where the tray main body has a receiving portion
  • FIG. 1 (b) shows a flat tray main body.
  • FIG. 1 (c) uses a flat tray body, and when the support member is supported in the middle,
  • FIG. 1 (d) shows the surface of the tray body opposite to the silicon wafer.
  • a tray 1 shown in FIGS. 1A to 1D includes a tray main body 2 and a support member 3, and a silicon wafer 5 is supported and placed by a placement portion 3 c included in the support member 3.
  • the CVD tray according to the first embodiment of the present invention is a tray 1 that is used for film formation by a CVD method, and includes a tray body 2 and a support member 3 that is installed on the tray body 2 and supports a silicon wafer 5.
  • the support member 3 is provided with a placement portion 3c for directly placing the silicon wafer 5, and the placement portion 3c is disposed at a distance from the placed silicon wafer and faces the tray body surface 2a. It has the mounting part lower surface 3d spaced apart from.
  • the lower surface 3d is provided on the mounting portion 3c on which the silicon wafer 5 is directly mounted, and the heat held by the tray main body 2 is mounted by separating the mounting portion 3c from the surface 2a of the tray main body facing the silicon wafer. Since the amount conducted to the placement portion 3c can be reduced, heat conduction from the tray 1 to the outer peripheral portion 5b of the silicon wafer can be reduced. Thereby, when it uses for the film-forming by an atmospheric pressure CVD method, the temperature rise near the outer peripheral part of a silicon wafer can be reduced, and the thickness of the oxide film formed on a silicon wafer can be made uniform.
  • Embodiments shown in FIGS. 1 (a) to 1 (c) are provided with a lower surface 3d on the mounting portion 3c of the support member 3 to separate the mounting portion 3c from the surface 2a of the tray body facing the silicon wafer. Can be adopted.
  • FIG. 1A shows an embodiment in which a tray main body having a concave receiving portion for receiving and installing a support member is used, and FIGS. 1B and 1C use a flat tray main body. Embodiment is shown.
  • the CVD tray of the present invention is not limited to the embodiment shown in FIGS. 1 (a) to 1 (c), and various structures can be employed to separate the placing portion 3c and the tray body.
  • the CVD tray according to the first embodiment of the present invention preferably has a structure that reduces the contact area between the support member and the tray body.
  • the heat conducted from the tray body to the support member has a large proportion of heat conducted by the portion where the tray body and the support member are in contact. For this reason, when the tray has a structure that reduces the contact area between the support member and the tray main body, the amount of heat held by the tray main body conducted to the support member can be reduced. As a result, the heat of the tray main body is conducted to the support member, and the temperature rise in the portion in contact with the support member of the silicon wafer and in the vicinity thereof can be suppressed. As a result, the oxide film formed on the silicon wafer can be suppressed. The thickness can be made more uniform.
  • the support member is loaded from the portion that contacts the tray body.
  • a method of increasing the distance to the placement unit can be considered.
  • the productivity becomes worse when the tray is enlarged, and the CVD device used for the film formation has a problem. Remodeling is required, which increases the equipment cost and becomes a problem. If the above-described tray is structured to reduce the contact area between the support member and the tray body, the oxide film formed on the silicon wafer can be produced without causing the problems of deterioration in productivity and increase in equipment cost. The thickness can be made more uniform.
  • Embodiments that can be employed as a structure for reducing the contact area between the support member and the tray body in the CVD tray of the present invention are shown in the following second to fourth embodiments.
  • FIG. 2 is a view showing an embodiment in which a protruding portion is provided on the tray body of the present invention
  • FIG. 2 (a) is a top view
  • FIG. 2 (b) is an AA cross-sectional view in FIG.
  • FIG. 2C is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG.
  • the tray shown in FIG. 2 includes a tray main body 2 and a support member 3 that is installed on the tray main body 2 and supports the silicon wafer 5. Further, the support member 3 is provided with a placement portion 3 c for directly placing the silicon wafer 5, and has a placement portion lower surface 3 d that is separated from the tray body 2.
  • the CVD tray according to the second embodiment of the present invention has a structure that reduces the contact area between the support member 3 and the tray main body 2, and is provided with a protruding portion 2e on the tray main body 2, and the support member 3 is provided on the protruding portion 2e. It has the structure to construct. In the tray shown in FIG. 2, six protrusions are provided by providing six grooves 2f as shown by broken lines in the top view of FIG. Part 2e is formed. For this reason, since the support member 3 to be constructed is in contact with the tray body at the protruding portion 2e without contacting the tray body 2 in the region where the groove 2f is provided, the contact area between the support member 3 and the tray body 2 Can be reduced.
  • the CVD tray according to the second embodiment of the present invention is not limited to the embodiment shown in FIG. 2, and an embodiment in which the inner peripheral surface of the receiving portion for receiving and installing the support member of the tray body is an inclined surface, An embodiment using a flat tray body may be employed.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing an embodiment in which a protruding portion is provided on the tray body of the present invention.
  • FIG. 3A shows a case where a planar tray body is used
  • FIG. 3 (c) shows a case where a concave portion is provided below the placement portion.
  • six grooves are provided in the portion where the support member of the tray main body is installed in the same manner as the tray shown in FIG. A protruding portion is formed. For this reason, since the support member 3 to be installed is in contact with the tray body at the protruding portion without contacting the tray body 2 in the region where the groove 2f is provided, the contact area between the support member and the tray body can be reduced. .
  • the CVD tray according to the second embodiment of the present invention can make the thickness distribution of the formed oxide film more uniform when it is used to form a silicon wafer by the atmospheric pressure CVD method.
  • At least three convex portions may be provided.
  • the projecting portion can have various shapes as long as the support member can be stably constructed.
  • the CVD tray according to the second embodiment of the present invention has an inner peripheral surface that the receiving portion of the tray main body has when the tray main body 2 has a concave receiving portion that receives the support member 3. It is preferable to arrange 2b as an inclined surface so that the upper part is away from the center of the receiving part. Thereby, since the support member 3 is in line contact with the inner peripheral surface without contacting most of the inner peripheral surface 2b of the concave receiving portion, the contact area between the support member 3 and the tray body 2 is further increased. Can be reduced.
  • the inner peripheral surface of the tray main body receiving portion is an inclined surface, and its lower part is away from the center of the receiving portion.
  • An arrangement structure can be adopted. It is also possible to adopt a structure in which the surface of the support member that contacts the inner peripheral surface of the receiving portion is inclined, or a structure in which a plurality of grooves are provided on the inner peripheral surface of the receiving portion or the surface of the support member that contacts the inner peripheral surface. it can. Since the tray for CVD of the present invention is the easiest to manufacture and can reduce the manufacturing cost, the inner peripheral surface of the receiving portion of the tray main body is inclined and the upper portion is away from the center of the receiving portion. It is preferable to employ a structure for disposing.
  • FIG. 4 is a view showing an embodiment in which a support member is installed through point contact and line contact according to the present invention
  • FIG. 4 (a) is a top view
  • FIG. 4 (b) is A in FIG. FIG.
  • the tray shown in FIG. 4 includes a tray body 2 having a concave receiving portion that receives the support member 3, and a support member 3 that is installed on the tray body 2 and supports the silicon wafer 5.
  • the support member 3 is provided with a placement portion 3 c for directly placing the silicon wafer 5, and has a placement portion lower surface 3 d separated from the tray body 2.
  • the CVD tray according to the third embodiment of the present invention has a structure in which the support member 3 is laid on the tray body 2 via point contact or line contact as a structure that reduces the contact area between the support member 3 and the tray body 2. It is characterized by having.
  • the support member 3 includes a columnar column part 3 e, and the lower part of the column part 3 e has a conical shape, and its cross-sectional area decreases as it approaches the lower end.
  • six support columns 3e are provided at predetermined angular intervals on a circle concentric with the silicon wafer 5 to be placed.
  • the outer peripheral surface 3b of the support member that comes into contact with the inner peripheral surface 2b of the receiving portion of the tray main body is inclined so that the lower portion thereof is away from the inner peripheral surface of the receiving portion of the tray main body.
  • the support member 3 and the tray main body 2 are caused by point contact by the lower ends of the plurality of support columns 3 e included in the support member 3 and the inclined outer peripheral surface 3 b of the support member 3. It is erected via line contact. For this reason, the contact area of the support member 3 and the tray main body 2 can be reduced.
  • the tray shown in FIG. 4 six support columns 3e are provided.
  • the support member 3 is installed on the tray body 2 through point contact by the support members 3e of the support member 3, at least three support columns 3e are provided. That's fine.
  • the CVD tray of the third embodiment of the present invention is not limited to the embodiment shown in FIG. 4, but employs an embodiment using a planar tray body or an embodiment in which a support member is installed via line contact. be able to.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing an embodiment in which a support member is installed via line contact according to the present invention
  • FIG. 5 (a) shows a case where a tray body having a concave receiving portion is installed via line contact.
  • FIG. 5B shows a case where the flat tray body is installed via line contact.
  • the tray shown in FIG. 5A includes a tray body 2 having a concave receiving portion that receives the support member 3, and the support member 3.
  • the mounting portion 3c and the silicon wafer 5 to be mounted are supported by the outer peripheral cylindrical support portion 3f of the support member 3.
  • the tray shown in FIG. 5A is provided on the support member 3 while being arranged so that the inner peripheral surface 2b of the concave receiving portion of the tray body has an inclined surface and the upper portion thereof is away from the center of the receiving portion.
  • the lower surface 3 g of the cylindrical support portion is inclined so that the inner circumferential side thereof is away from the surface 2 a of the tray body facing the silicon wafer 5.
  • the tray shown in FIG. 5A has a cylindrical support portion 3f that the support member 3 has without the outer peripheral surface and most of the lower surface of the support portion 3f of the support member 3 coming into contact with the tray body 2. It is installed in the tray main body 2 through line contact with the lower end of the tray. For this reason, the contact area of the support member 3 and the tray main body 2 can be reduced.
  • the tray shown in FIG. 5 (b) includes a planar tray body 2 and a support member 3 provided with a cylindrical support portion 3f.
  • the cylindrical support portion 3f of the support member 3 inclines the inner peripheral surface and the outer peripheral surface at the lower portion, and decreases its cross-sectional area as it approaches the lower end. Accordingly, the tray shown in FIG. 5B is installed via line contact between the lower end of the cylindrical support portion 3 f of the support member 3 and the planar tray body 2. For this reason, the tray shown in FIG.5 (b) can reduce the contact area of the supporting member 3 and the tray main body 2.
  • FIG. 5 (b) can reduce the contact area of the supporting member 3 and the tray main body 2.
  • the contact area between the support member and the tray main body can be reduced by adopting a structure in which the support member is installed on the tray main body through point contact or line contact.
  • the CVD tray according to the third embodiment of the present invention can make the thickness distribution of the formed oxide film more uniform when used for forming a silicon wafer by the atmospheric pressure CVD method.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing an embodiment in which a support member is installed through point contact or line contact by the jig of the present invention, and FIG. 6 (a) shows a case where the support member is installed through point contact.
  • FIG. 6B shows a case where the support member is installed via line contact.
  • the tray shown in FIGS. 6A and 6B includes a tray body 2, a support member 3 that supports a silicon wafer, and a jig 4 that supports the support member 3.
  • the CVD tray according to the fourth embodiment of the present invention includes a jig 4 that supports the support member 3, and has a structure that reduces the contact area between the support member 3 and the tray body 2. It has a structure that is erected on the tray main body 2 through point contact or line contact.
  • the jig 4 has a columnar shape, and the upper part thereof has a conical shape, and the cross-sectional area is reduced as it approaches the upper end.
  • Such a cylindrical jig 4 is arranged on the surface 2a of the tray main body opposite to the silicon wafer to be placed.
  • the support member 3 is constructed using a total of six jigs.
  • the tray shown in FIG. 6A a plurality of cylindrical jigs 4 are arranged on the tray body 2, and the support member 3 is installed on the upper end of the conical body provided on the cylindrical jig 4. Therefore, the tray shown in FIG. 6A has the support member 3 mounted on the tray body 2 through point contact by the jig 4, so that the contact area between the support member 3 and the tray body 2 can be reduced. it can.
  • the tray shown in FIG. 6A six jigs 4 are arranged. However, when the support member 3 is installed on the tray body 2 through point contact with the jig 4, at least three jigs 4 are arranged. That's fine.
  • the tray body 2 has a concave receiving portion for receiving the support member 3
  • an outer peripheral surface 3b of the support member and an inner peripheral surface 2b of the concave receiving portion of the tray main body are provided.
  • the outer peripheral surface 3b of the support member is an inclined surface and the lower part thereof is disposed away from the inner peripheral surface 2b of the receiving portion.
  • the outer peripheral surface of the support member is an inclined surface
  • a method of disposing the upper portion away from the inner peripheral surface of the receiving portion can also be adopted.
  • the flow of the source gas is caused by the depression formed by the inclined surface. There is concern that it may be disturbed and adversely affect the thickness distribution of the oxide film.
  • the inner peripheral surface 2b of the receiving portion of the tray body is an inclined surface.
  • the flow of the source gas is disturbed by the depression formed by the inclined surface described above, and the thickness distribution of the oxide film is adversely affected.
  • the lower portion of the inner peripheral surface of the receiving portion is disposed away from the center of the receiving portion, it becomes difficult to manufacture the tray body, and the manufacturing yield deteriorates.
  • the outer peripheral surface of the support member is an inclined surface and the lower part is disposed away from the inner peripheral surface of the receiving part, the concern about the thickness distribution of the oxide film due to the turbulence of the raw material gas flow can be eliminated, and the manufacture of the tray can also be performed. It becomes easy. Therefore, in order to reduce the contact area between the outer peripheral surface of the support member and the inner peripheral surface of the receiving portion of the tray main body, the outer peripheral surface of the support member is an inclined surface, and the lower portion is away from the inner peripheral surface of the receiving portion. It is preferable to arrange in the above.
  • the cylindrical jig 4 is used for the tray shown in FIG.
  • the cylindrical jig 4 is disposed so that the upper surface of the jig contacting the support member 3 is an inclined surface, and the inner circumferential side is close to the surface 2 a of the tray body facing the silicon wafer 5.
  • the support member 3 is installed in a state in line contact with the upper end of the upper surface of the cylindrical jig 4. Is done. For this reason, the contact area of the support member 3 and the tray main body 2 can be reduced.
  • the CVD tray according to the fourth embodiment of the present invention can make the thickness distribution of the formed oxide film more uniform when it is used for forming a silicon wafer by the atmospheric pressure CVD method.
  • the mounting portion 3 c is formed with an inclined surface, and the inner circumferential side thereof is placed at a distance from the silicon wafer 5 to be mounted. It is preferable to arrange so as to approach the surface 2a of the tray body facing. As a result, the silicon wafer can be supported without contact between the non-film-forming surface 5c of the silicon wafer and the tray, and therefore, the film-forming surface 5a of the silicon wafer can be formed without causing contact scratches on the non-film-forming surface 5c of the silicon wafer. This is because the thickness of the oxide film formed can be made uniform.
  • the mounting portion 3c is preferably annular.
  • a plurality of mounting portions divided at a predetermined angle can be used to support and place a plurality of locations on the outer peripheral portion of the silicon wafer, but in this case, there are openings between the mounting portion and the silicon wafer. Arise.
  • the silicon wafer 5 contacts the mounting portion 3c over the entire circumference, so that the raw material gas can be prevented from wrapping around the non-film-forming surface of the silicon wafer, and the above-mentioned concerns can be solved.
  • the CVD tray is required not to be deformed by heating during film formation and not to cause contamination in the silicon wafer. Furthermore, in order to reduce heat conduction from the mounting portion 3c to the silicon wafer outer peripheral portion 2b, the mounting portion 3c preferably has a thin structure with a thickness of 1 mm or less.
  • the mounting portion 3c is composed of SiC, SiC alone, or a surface of a carbon substrate formed with a SiC film by a CVD method, or Although it is preferable that the SiC film is formed by the CVD method, the mounting portion 3c can be made of a material other than SiC as long as the material satisfies the above requirements.
  • the CVD tray of the present invention adjusts the height of the upper surface 3a of the support member or the depth of the mounting portion 3c to place the silicon wafer on the silicon wafer film-forming surface 5a and the upper surface 3a of the support member.
  • the silicon wafer film-forming surface 5a and the upper surface 2c of the receiving portion have the same height when the silicon wafer is placed. If the heights of the upper surface 3a of the support member and the upper surface 2c of the receiving portion and the silicon wafer film formation surface 5a are different, the flow of the source gas supplied to the silicon wafer film formation surface is disturbed, and the oxidation formed on the film formation surface 5a. This is because the thickness of the film is locally thicker or thinner and the thickness distribution becomes non-uniform.
  • the CVD tray of the present invention is preferably provided with a concave portion that is further away from the mounting portion on the surface of the tray main body facing the silicon wafer to be mounted and located below the mounting portion. .
  • the surface 2a of the tray body facing the silicon wafer to be placed at a distance is located below the placement portion 3c.
  • the film forming method of the present invention is a film forming method using the CVD tray of the present invention.
  • the CVD tray of the present invention is a tray in which the mounting portion of the support member that supports the silicon wafer has a lower surface separated from the surface 2a of the tray body opposite to the silicon wafer. There is no difference in operation and handling from conventional trays.
  • an oxide film having a uniform thickness distribution can be formed on a silicon wafer by reducing heat conduction from the tray to the silicon wafer. Moreover, if the CVD tray of the present invention in which the mounting portion is formed with an inclined surface is used, the outer peripheral portion of the silicon wafer is supported, so that the occurrence of contact scratches in the silicon wafer surface can be reduced as much as possible. .
  • Example 1 of the present invention after a silicon wafer was placed on the tray shown in FIG. 1 (a), while the silicon wafer was heated, a raw material gas was supplied onto the silicon wafer, and silicon was formed by a CVD method under normal pressure. An oxide film (SiO 2 ) was formed on the wafer, and then the thickness of the oxide film was measured.
  • the thickness of the oxide film was measured using a spectroscopic ellipsometer and measuring 121 locations on the wafer surface with a wafer outer peripheral exclusion region of 5 mm.
  • Example 1 As Comparative Example 1, after a silicon wafer was placed on the tray shown in FIG. 11, an oxide film was formed on the silicon wafer by a CVD method under normal pressure, as in Example 1 of the present invention. The thickness was measured.
  • FIG. 7 is a view showing the thickness distribution of an oxide film when formed on a silicon wafer using the CVD tray of the present invention. From the thickness distribution shown in FIG. 7, in Example 1 of the present invention, the oxide film thickness was distributed in the range of 3400 to 3800 mm, and the width of the thickness distribution was about 400 mm.
  • FIG. 8 is a diagram showing a thickness distribution of an oxide film when a film is formed on a silicon wafer using a tray that supports the outer peripheral portion of a conventional silicon wafer. From the thickness distribution shown in FIG. 8, in Comparative Example 1, the thickness of the oxide film was distributed between 3200 mm and 3900 mm, and the width of the thickness distribution was about 700 mm.
  • the width of the thickness distribution of the film formed on the silicon wafer can be narrowed, that is, the oxide film thickness can be made uniform. did it.
  • the source gas is supplied onto the silicon wafer while heating the silicon wafer, and an oxide film (SiO 2 ) is formed on the silicon wafer by a CVD method under normal pressure, Then, the test which measures the thickness of an oxide film was done.
  • a CVD method is used to form an oxide film using a continuous atmospheric pressure CVD apparatus (AMAX1200, manufactured by Amaya Seisakusho), a silicon wafer having a diameter of 300 mm is used, and source gases are monosilane (SiH 4 ) and oxygen.
  • a mixed gas of (O 2 ) was used, the inside of the CVD apparatus was heated, the tray surface temperature was heated to 430 ° C., and the target value of the oxide film thickness was 3500 mm.
  • Example 2 of the present invention as a structure for reducing the contact area between the support member and the tray main body, a convex portion is provided on the tray main body 2 shown in FIG. 3B, and the support member is installed on the convex portion 2e.
  • a tray having a structure to be used was used.
  • Example 3 of the present invention a tray having no structure for reducing the contact area between the support member and the tray body shown in FIG. 1A was used.
  • the diameters of the supporting members were the same in both inventive examples 2 and 3.
  • the thickness of the oxide film formed on the silicon wafer was measured with a spectroscopic ellipsometer.
  • the oxide film thickness was measured at 121 points including the center of the silicon wafer, averaged for each distance from the center of the silicon wafer, and compared with Examples 2 and 3 of the present invention.
  • the wafer outer peripheral exclusion area was set to 5 mm.
  • FIG. 9 is a diagram showing a thickness distribution of an oxide film formed when a film having a structure for reducing a contact area or a tray having no structure is formed by a CVD method.
  • the horizontal axis represents the distance (mm) from the center of the silicon wafer
  • the vertical axis represents the ratio (%) of the difference from the film thickness at the center of the silicon wafer.
  • the ratio (%) of the difference from the film thickness at the center of the silicon wafer is the ratio of the film thickness difference ( ⁇ ) from the center of the silicon wafer to the film thickness ( ⁇ ) at the center of the silicon wafer.
  • Example 3 of the present invention From the thickness distribution of the oxide film shown in FIG. 9, in Example 3 of the present invention, a CVD tray having a structure that reduces the contact area between the support member and the tray body is used, and the thickness of the oxide film is smaller than that of the center. It increased by about 8.6% near the outer periphery.
  • Example 2 of the present invention a CVD tray having a structure for reducing the contact area between the support member and the tray body was used, and the thickness of the oxide film increased by about 1.1% in the vicinity of the outer peripheral portion of the silicon wafer as compared with the center. .
  • the CVD tray of the present invention has a structure that reduces the contact area between the support member and the tray body, thereby reducing the increase in the thickness of the oxide film near the outer periphery compared to the center of the silicon wafer. It was revealed that the thickness distribution of the oxide film formed when used for film formation by the atmospheric pressure CVD method can be made more uniform.
  • the CVD tray of the present invention separates the tray main body from the placement portion of the support member that supports the silicon wafer, so that when used for film formation on a silicon wafer by the atmospheric pressure CVD method, Heat conduction to the outer peripheral portion of the silicon wafer can be reduced, and the thickness distribution of the formed oxide film can be made uniform.
  • the mounting part is formed with an inclined surface and the inner circumferential side thereof is arranged so as to approach the surface of the tray body facing the silicon wafer, it was used for film formation on the silicon wafer by the atmospheric pressure CVD method.
  • the outer peripheral portion of the silicon wafer can be supported, and the thickness distribution of the formed oxide film can be made uniform without causing contact scratches on the non-film-forming surface of the silicon wafer.
  • the tray has a structure that reduces the contact area between the support member and the tray main body, heat conduction from the tray main body to the support member is reduced.
  • the thickness distribution of the oxide film to be formed can be made more uniform.
  • the film forming method of the present invention it is possible to form a film on a silicon wafer with a more uniform thickness distribution by using the CVD tray of the present invention.
  • the CVD tray and the film forming method using the same according to the present invention can be suitably used in the production of silicon wafers.
  • 1 CVD tray, 1a: placement section, 2: tray body, 2a: the surface opposite to the silicon wafer to be placed, 2b: the inner peripheral surface of the receiving part, 2c: the upper surface of the receiving part, 2d: a recess, 2e: convex portion, 2f: groove, 3: support member, 3a: upper surface of support member, 3b: outer peripheral surface of the support member, 3c: mounting portion of the support member, 3d: bottom surface of the placement unit, 3e: support column, 3f: support unit, 3g: lower surface of the support part, 4: jig, 5: silicon wafer, 5a: film formation surface, 5b: outer periphery, 5c: non-film formation surface

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Abstract

ＣＶＤ法による成膜に用いられ、トレー本体（２）と、このトレー本体（２）に架設されてシリコンウェーハ（５）を支持する支持部材（３）とからなるトレーであって、支持部材（３）にはシリコンウェーハ（５）を直接載置する載置部（３ｃ）が設けられ、さらに載置部（３ｃ）は、載置されるシリコンウェーハ（５）と距離を設けて相対向するトレー本体の面（２ａ）から離間された載置部下面（３ｄ）を有することにより、シリコンウェーハ上に形成される酸化膜の厚み分布を均一にすることができる。本発明のトレーは、支持部材（３）とトレー本体（２）の接触面積を低減する構造を有するのが好ましい。また、載置部（３ｃ）を傾斜面で形成し、その内円周側がシリコンウェーハと相対向するトレー本体の面（２ａ）に近づくように配設するのが好ましい。

Description

ＣＶＤ用トレーおよびそれを用いた成膜方法
　本発明は、ＣＶＤ法による成膜に用いられ、シリコンウェーハを載置するＣＶＤ用トレーおよびそれを用いた成膜方法に関し、さらに詳しくは、シリコンウェーハ表面に形成される酸化膜の厚み分布を均一にすることができるＣＶＤ用トレーおよびそれを用いた成膜方法に関する。
　デバイス工程やエピタキシャルシリコンウェーハ製造工程において、シリコンウェーハ上に保護膜や絶縁膜を形成することが行われる。例えば、デバイス工程では、デバイス作成領域として使用されるシリコンウェーハ表面側に層間絶縁膜として酸化膜などを形成し、その後に配線形成等が行われる。
　また、エピタキシャルウェーハの製造工程において、低抵抗率のシリコン単結晶基板の主表面上に高抵抗率のシリコンエピタキシャル層を気相成長させる場合には、シリコン単結晶基板の裏面などからシリコン単結晶基板内のドーパントが気相中に一旦放出されてシリコンエピタキシャル層にドーピングされる現象、いわゆるオートドープが発生しやすい。そのため、気相成長を行う前には、エピタキシャル層を形成させないシリコン単結晶基板の裏面側にオートドープ防止用の保護膜としてシリコン酸化膜を形成することが行われる。
　一般的に、シリコンウェーハ上に絶縁膜または保護膜として酸化膜を成膜する際は、常圧ＣＶＤ法が用いられる。常圧ＣＶＤ法では、成膜する面側を上にしてシリコンウェーハをトレーに載置した後、シリコンウェーハ上に原料ガスを供給しつつ、トレーおよびシリコンウェーハを加熱することにより、原料ガスに応じた成分をシリコンウェーハ上に堆積させて成膜する。酸化膜を成膜する際に常圧ＣＶＤ法が広く用いられるのは、膜形成速度が速いことから、酸化膜の成膜に要する時間を短くできるとともに、搬送装置を組み込むことにより、連続してシリコンウェーハ上に酸化膜を成膜できることによる。
　このような常圧ＣＶＤ法では、原料ガスとしてモノシラン（ＳｉＨ４）と酸素（Ｏ２）の混合ガスや、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ、化学式：Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）とオゾン（Ｏ３）の混合ガスが用いられる。
　常圧ＣＶＤ法で酸化膜を成膜する際にシリコンウェーハを載置するトレーは、成膜する際の加熱により変形しないこと、およびシリコンウェーハにコンタミネーションを発生させる原因とならないことが必要とされる。このため、トレーは、ＳｉＣを焼結させたものや、その表面をさらにＳｉＣ膜でコーティングしたものなどが用いられる。一般的なトレー形状としては、シリコンウェーハを支持する載置部がフラットなものが用いられている。
　図１０は、従来の載置部がフラットなトレーにシリコンウェーハを載置した状態を示す断面図である。図１０に示すトレー１は、シリコンウェーハ５を載置するフラットな載置部１ａを有する。図１０に示すトレーを用いて常圧ＣＶＤ法により、シリコンウェーハの成膜面５ａに成膜を行うと、シリコンウェーハ５をトレー１に載置する際に、成膜させないシリコンウェーハの非成膜面５ｃはトレーの載置部１ａと接触するので、シリコンウェーハの非成膜面５ｃの全面にわたって傷が発生する。接触傷の深さは成膜条件により若干異なるが、深さ約３～１０μｍの接触傷が発生してしまう。
　この発生した接触傷は、成膜した酸化膜を層間絶縁膜として用いる場合、デバイス工程におけるＦｌａｓｈ－Ｌａｍｐ－Ａｎｎｅａｌ等の熱処理により、シリコンウェーハに急峻な熱履歴が与えられると、接触傷を起点にシリコンウェーハの割れを誘発し、製品歩留りを悪化させてしまう恐れがある。また、酸化膜を保護膜として用いる場合、接触傷が発生したシリコンウェーハ表面上にエピタキシャル層を形成すると、接触傷を起点にエピタキシャル層内に積層欠陥などを発生させてしまう問題がある。この常圧ＣＶＤ法による成膜時にシリコンウェーハに接触傷が発生する問題に対して、特許文献１ではシリコンウェーハの外周部を支持するトレーが用いられている。
　図１１は、従来のシリコンウェーハの外周部を支持するトレーにシリコンウェーハを載置した状態を示す断面図である。図１１に示すトレー１は、テーパ状の載置部１ａを有し、載置部１ａがシリコンウェーハの外周部５ｂを支持して、シリコンウェーハ５をトレー１に載置する。
　シリコンウェーハの外周部を支持するトレーを用いた場合、シリコンウェーハの非成膜面５ｃとトレー１が接触することなく、シリコンウェーハを支持するので、接触傷の発生を大幅に低減することができる。
　しかしながら、本発明者らの実験によれば、シリコンウェーハの外周部を支持するトレーを用いた場合、常圧ＣＶＤ法により成膜する際に加熱すると、トレー１からシリコンウェーハ外周部５ｂへの熱伝導により、シリコンウェーハの外周部付近の表面温度が上昇し、シリコンウェーハの成膜面５ａにおける温度分布がばらついてしまい、成膜する酸化膜厚みが不均一となる不具合があることが判明した。具体的には、表面温度の上昇は酸化膜の成長速度を増加させるので、シリコンウェーハの成膜面５ａに成膜された酸化膜は、中心部が薄く、外周部付近が厚くなる。
　このため、成膜した酸化膜を層間絶縁膜として用いるデバイス工程において、酸化膜厚みが不均一なシリコンウェーハを使用した場合、酸化膜上に形成されるデバイス特性を大きく低下させてしまう問題がある。
　また、近年、高いフラットネスを有するエピタキシャルシリコンウェーハの提供が求められており、使用するシリコンウェーハの酸化膜厚みが不均一な場合には、その後に形成されるエピタキシャルウェーハのフラットネスを悪化させてしまう問題がある。
　さらに、前述したようにエピタキシャル層を形成させるシリコンウェーハ表面に傷があると、形成されたエピタキシャル層内に欠陥が発生するおそれがある。このため、酸化膜を形成した後、エピタキシャル成長処理を行う前に非成膜面を片面研磨して酸化膜や傷などを除去する操作が実施される。
　ところが、片面研磨処理する際、成膜面を保持して非成膜面側が片面研磨されることから、酸化膜厚み分布が不均一であるとウェーハが弾性変形したまま保持され、研磨後に不均一な酸化膜厚み分布が非成膜面に転写されるので、シリコンウェーハのフラットネスが悪化することになる。このフラットネスの悪化は、研磨量が増大するほど大きく、その後に形成するエピタキシャルウェーハのフラットネスにも影響することになる。
特開平１１－３２９９８３号公報
　前述の通り、常圧ＣＶＤ法による酸化膜の形成で使用される従来のトレーでは、シリコンウェーハの非成膜面に接触傷が発生する問題や、シリコンウェーハ上に形成される酸化膜の厚み分布が不均一になる問題があった。
　本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、常圧ＣＶＤ法による成膜に用いた際に、シリコンウェーハの非成膜面に接触傷が発生することなく、シリコンウェーハ上に成膜される酸化膜の厚み分布を均一にできるＣＶＤ用トレーおよびそれを用いた成膜方法を提供することを目的としている。
　本発明者らは、上記問題を解決するため、種々の試験を行い、鋭意検討を重ねた結果、トレー本体と、このトレー本体に架設されてシリコンウェーハを支持する支持部材とでトレーを構成し、支持部材にシリコンウェーハを直接載置する載置部を設けるとともに、載置部がトレー本体から離間された載置部下面を有することにより、シリコンウェーハ上に形成される酸化膜の厚み分布を均一にできることを知見した。
　また、載置部を傾斜面で形成し、その内円周側が載置されるシリコンウェーハと距離を設けて相対向するトレー本体の面に近づくように配設し、この載置部によりシリコンウェーハの外周部を支持することにより、シリコンウェーハに接触傷を発生させることなく、シリコンウェーハ上に形成される酸化膜厚み分布を均一にできることを明らかにした。
　さらに、トレーを支持部材とトレー本体の接触面積を低減する構造とすることにより、シリコンウェーハ上に形成される酸化膜の厚み分布をより均一にできることを知見した。
　本発明は、上記の知見に基づいて完成したものであり、下記（１）～（９）のＣＶＤ用トレー、および下記（１０）の成膜方法を要旨としている。
（１）ＣＶＤ法による成膜に用いられ、トレー本体と、このトレー本体に架設されてシリコンウェーハを支持する支持部材とからなるトレーであって、前記支持部材には前記シリコンウェーハを直接載置する載置部が設けられ、さらに前記載置部は、載置される前記シリコンウェーハと距離を設けて相対向するトレー本体の面から離間された載置部下面を有することを特徴とするＣＶＤ用トレー。
（２）上記（１）に記載のトレーが、前記支持部材と前記トレー本体の接触面積を低減する構造を有することを特徴とするＣＶＤ用トレー。
（３）前記接触面積を低減する構造として、前記トレー本体に凸設部を設け、当該凸設部に前記支持部材を架設する構造を有することを特徴とする上記（２）に記載のＣＶＤ用トレー。
（４）前記接触面積を低減する構造として、前記支持部材を点接触または線接触を介して、前記トレー本体に架設する構造を有することを特徴とする上記（２）に記載のＣＶＤ用トレー。
（５）上記（２）に記載のトレーが、さらに前記支持部材を支持する治具を備え、前記接触面積を低減する構造として、前記支持部材を、前記治具による点接触または線接触を介して、前記トレー本体に架設する構造を有することを特徴とするＣＶＤ用トレー。
（６）前記トレー本体が前記支持部材を受け入れる凹状の受け入れ部を有し、前記受け入れ部が有する内周面を傾斜面とし、その上部が受け入れ部の中心から遠ざかるように配設することを特徴とする上記（３）に記載のＣＶＤ用トレー。
（７）前記載置部が、傾斜面で形成され、その内円周側が載置される前記シリコンウェーハと距離を設けて相対向するトレー本体の面に近づくように配設されており、前記シリコンウェーハの外周部を支持することを特徴とする上記（１）～（６）のいずれかに記載のＣＶＤ用トレー。
（８）前記載置部が環状であることを特徴とする上記（１）～（７）のいずれかに記載のＣＶＤ用トレー。
（９）前記載置部がＳｉＣからなることを特徴とする上記（１）～（８）のいずれかに記載のＣＶＤ用トレー。
（１０）シリコンウェーハをトレーに載置した後、シリコンウェーハ上に原料ガスを供給しつつ、前記シリコンウェーハを加熱して、ＣＶＤ法により前記シリコンウェーハ上に成膜する成膜方法であって、前記トレーとして上記（１）～（９）のいずれかに記載のＣＶＤ用トレーを用いることを特徴とする成膜方法。
　本発明のＣＶＤ用トレーは、トレー本体とシリコンウェーハを支持する支持部材の載置部とを離間することにより、常圧ＣＶＤ法によるシリコンウェーハへの成膜に用いた際に、載置部からシリコンウェーハ外周部への熱伝導を低減し、形成される酸化膜の厚み分布を均一にできる。
　また、載置部を傾斜面で形成し、その内円周側が載置されるシリコンウェーハと相対向するトレー本体の面に近づくように配設し、シリコンウェーハの外周部を支持することにより、常圧ＣＶＤ法によるシリコンウェーハへの成膜に用いた際に、シリコンウェーハの非成膜面に接触傷を発生させることなく、形成される酸化膜の厚み分布を均一にできる。
　さらに、トレーを支持部材とトレー本体の接触面積を低減する構造とすることにより、トレー本体から支持部材への熱伝導が低減されることから、載置部からシリコンウェーハ外周部への熱伝導をより低減し、形成される酸化膜の厚み分布をより均一にできる。
図１は、本発明のトレー本体と支持部材とからなる実施形態を示す図であり、図１（ａ）はトレー本体が受け入れ部を有する場合、図１（ｂ）は平面状のトレー本体を用い、支持部材を外周で支える場合、図１（ｃ）は平面状のトレー本体を用い、支持部材を中程で支える場合、図１（ｄ）はシリコンウェーハと相対向するトレー本体の面に凹部を設けた場合をそれぞれ示す。 図２は、本発明のトレー本体に凸設部を設ける実施形態を示す図であり、図２（ａ）は上面図、図２（ｂ）は図２（ａ）におけるＡ－Ａ断面図、図２（ｃ）は図２（ａ）におけるＢ－Ｂ断面図である。 図３は、本発明のトレー本体に凸設部を設ける実施形態を示す断面図であり、図３（ａ）は平面状のトレー本体を用いる場合、図３（ｂ）はトレー本体が受け入れ部を有する場合、図３（ｃ）は載置部の下方に凹部を設けた場合をそれぞれ示す。 図４は、本発明の点接触および線接触を介して支持部材を架設する実施形態を示す図であり、図４（ａ）は上面図、図４（ｂ）は図４（ａ）におけるＡ－Ａ断面図である。 図５は、本発明の線接触を介して支持部材を架設する実施形態を示す断面図であり、図５（ａ）は凹状の受け入れ部を有するトレー本体に線接触を介して架設する場合、図５（ｂ）は平面状のトレー本体に線接触を介して架設する場合をそれぞれ示す。 図６は、本発明の治具による点接触または線接触を介して支持部材を架設する実施形態を示す断面図であり、図６（ａ）は点接触を介して支持部材を架設する場合、図６（ｂ）は線接触を介して支持部材を架設する場合をそれぞれ示す。 図７は、本発明のＣＶＤ用トレーを用いてシリコンウェーハ上に成膜した場合の酸化膜の厚み分布を示す図である。 図８は、従来のシリコンウェーハ外周部を支持するトレーを用いてシリコンウェーハ上に成膜した場合の酸化膜の厚み分布を示す図である。 図９は、接触面積を低減する構造を有するトレーまたは当該構造を有さないトレーを用いてＣＶＤ法により成膜した際に形成された酸化膜の厚み分布を示す図である。 図１０は、従来の載置部がフラットなトレーにシリコンウェーハを載置した状態を示す断面図である。 図１１は、従来のシリコンウェーハの外周部を支持するトレーにシリコンウェーハを載置した状態を示す断面図である。
　以下に、本発明のＣＶＤ用トレーの構成例を示すとともに、それを用いた成膜方法について詳細に説明する。
［第１実施形態のＣＶＤ用トレー］
　図１は、本発明のトレー本体と支持部材とからなる実施形態を示す図であり、図１（ａ）はトレー本体が受け入れ部を有する場合、図１（ｂ）は平面状のトレー本体を用い、支持部材を外周で支える場合、図１（ｃ）は平面状のトレー本体を用い、支持部材を中程で支える場合、図１（ｄ）はシリコンウェーハと相対向するトレー本体の面に凹部を設けた場合をそれぞれ示す。図１（ａ）～（ｄ）に示すトレー１は、トレー本体２と、支持部材３とからなり、支持部材３が備える載置部３ｃにより、シリコンウェーハ５を支持して載置する。
　本発明の第１実施形態のＣＶＤ用トレーは、ＣＶＤ法による成膜に用いられ、トレー本体２と、このトレー本体２に架設されてシリコンウェーハ５を支持する支持部材３とからなるトレー１であって、支持部材３にはシリコンウェーハ５を直接載置する載置部３ｃが設けられ、さらに載置部３ｃは、載置されるシリコンウェーハと距離を設けて相対向するトレー本体の面２ａから離間された載置部下面３ｄを有することを特徴とする。
　シリコンウェーハ５を直接載置する載置部３ｃに下面３ｄを設け、載置部３ｃとシリコンウェーハと相対向するトレー本体の面２ａとを離間することにより、トレー本体２が保持する熱が載置部３ｃに伝導する量を低減できるので、トレー１からシリコンウェーハの外周部５ｂへの熱伝導を低減できる。これにより、常圧ＣＶＤ法による成膜に用いた際にシリコンウェーハの外周部付近の温度上昇を低減し、シリコンウェーハ上に形成される酸化膜の厚みを均一にできる。
　支持部材３の載置部３ｃに下面３ｄを設け、載置部３ｃとシリコンウェーハと相対向するトレー本体の面２ａとを離間するために、図１（ａ）～（ｃ）に示す実施形態を採用することができる。図１（ａ）は、支持部材を受け入れて架設する凹状の受け入れ部を有するトレー本体を用いた場合の実施形態を示し、図１（ｂ）および（ｃ）は、平面状のトレー本体を用いた場合の実施形態を示す。本発明のＣＶＤ用トレーは、図１（ａ）～（ｃ）に示した実施形態に限定されず、載置部３ｃとトレー本体を離間させるために種々の構造を採用することができる。
　本発明の第１実施形態のＣＶＤ用トレーは、支持部材とトレー本体の接触面積を低減する構造を有するのが好ましい。
　前記図１（ａ）～（ｄ）に示すトレーでは、常圧ＣＶＤ法による成膜に用いた際にトレー本体から支持部材に熱が伝導すると、その熱が支持部材に載置されたシリコンウェーハに伝導するおそれがある。この場合、シリコンウェーハの支持部材の載置部と接触している部分およびその付近が高温となり、シリコンウェーハ上に形成される酸化膜の厚み分布を不均一にする。
　ここで、トレー本体から支持部材へ伝導する熱は、トレー本体と支持部材が接触している部分により伝導する熱の割合が大きい。このため、トレーを支持部材とトレー本体の接触面積を低減する構造とすることにより、トレー本体が保持する熱が支持部材に伝導する量を低減することができる。これにより、トレー本体の熱が支持部材に伝導し、シリコンウェーハの支持部材と接触している部分およびその付近の温度上昇を抑えることができ、その結果、シリコンウェーハ上に形成される酸化膜の厚みをより均一にすることができる。
　トレー本体と支持部材が接触している部分から伝導する熱により、シリコンウェーハの支持部材と接触している部分およびその付近の温度上昇を抑える方式として、支持部材のトレー本体と接触する部分から載置部までの距離を長くする方式が考えられる。しかし、支持部材のトレー本体と接触する部分から載置部までの距離を長くするには、載置するシリコンウェーハの直径を大きく超える寸法のトレー本体および支持部材を用いる必要がある。
　この場合、搬送装置を用いて連続的に成膜するのが一般的な常圧ＣＶＤ法では、トレーが大型化すると生産性が悪化して問題となるとともに、成膜に用いるＣＶＤ装置の大幅な改造が必要となり、設備コストが上昇して問題となる。上述のトレーを支持部材とトレー本体の接触面積を低減する構造とする方式を用いれば、生産性の悪化および設備コストの上昇という問題を発生させることなく、シリコンウェーハ上に形成される酸化膜の厚みをより均一にすることができる。
　本発明のＣＶＤ用トレーで、支持部材とトレー本体の接触面積を低減する構造として採用できる実施形態を、以下の第２実施形態～第４実施形態に示す。
［第２実施形態のＣＶＤ用トレー］
　図２は、本発明のトレー本体に凸設部を設ける実施形態を示す図であり、図２（ａ）は上面図、図２（ｂ）は図２（ａ）におけるＡ－Ａ断面図、図２（ｃ）は図２（ａ）におけるＢ－Ｂ断面図である。図２に示すトレーは、トレー本体２と、トレー本体２に架設されてシリコンウェーハ５を支持する支持部材３とからなる。また、支持部材３は、シリコンウェーハ５を直接載置する載置部３ｃが設けられるとともに、トレー本体２から離間された載置部下面３ｄを有する。
　本発明の第２実施形態のＣＶＤ用トレーは、支持部材３とトレー本体２の接触面積を低減する構造として、トレー本体２に凸設部２ｅを設け、当該凸設部２ｅに支持部材３を架設する構造を有することを特徴とする。図２に示すトレーでは、トレー本体２において支持部材３が架設される部分に、図２（ａ）の上面図に破線で示すように６個の溝２ｆを設けることにより、６個の凸設部２ｅが形成される。このため、架設される支持部材３は、溝２ｆを設けた領域はトレー本体２と接触することなく、凸設部２ｅでトレー本体と接触することから、支持部材３とトレー本体２の接触面積を低減できる。
　本発明の第２実施形態のＣＶＤ用トレーでは、図２に示す実施形態に限定されず、トレー本体の支持部材を受け入れて架設する受け入れ部が有する内周面を傾斜面とする実施形態や、平面状のトレー本体を用いたりする実施形態を採用することもできる。
　図３は、本発明のトレー本体に凸設部を設ける実施形態を示す断面図であり、図３（ａ）は平面状のトレー本体を用いる場合、図３（ｂ）はトレー本体が受け入れ部を有する場合、図３（ｃ）は載置部の下方に凹部を設けた場合をそれぞれ示す。図３（ａ）～（ｃ）に示すトレーでは、図示しないが、前記図２に示すトレーと同様にトレー本体の支持部材が架設される部分に６個の溝を設けることにより、６個の凸設部が形成される。このため、架設される支持部材３は、溝２ｆを設けた領域はトレー本体２と接触することなく、凸設部でトレー本体と接触することから、支持部材とトレー本体の接触面積を低減できる。
　このように、トレー本体に凸設部を設け、当該凸設部に支持部材を架設する構造とすることにより、支持部材とトレー本体の接触面積を低減することができる。このため、本発明の第２実施形態のＣＶＤ用トレーは、常圧ＣＶＤ法によるシリコンウェーハの成膜に用いた際に、形成される酸化膜の厚み分布をより均一にできる。
　本発明の第２実施形態のＣＶＤ用トレーでは、凸設部は少なくとも３個設ければよい。また、凸設部は、支持部材を安定して架設できる限り、種々の形状とすることができる。
　本発明の第２実施形態のＣＶＤ用トレーは、図３（ｂ）に示すように、トレー本体２が支持部材３を受け入れる凹状の受け入れ部を有する場合、トレー本体の受け入れ部が有する内周面２ｂを傾斜面とし、その上部が受け入れ部の中心から遠ざかるように配設するのが好ましい。これにより、支持部材３は、凹状の受け入れ部が有する内周面２ｂの大部分と接触することなく、内周面と線接触となることから、支持部材３とトレー本体２の接触面積をより低減できる。
　トレー本体の受け入れ部の内周面と支持部材の接触面積を低減する構造として、この他に、トレー本体の受け入れ部の内周面を傾斜面とし、その下部が受け入れ部の中心から遠ざかるように配設する構造を採用できる。また、受け入れ部の内周面と接触する支持部材の面を傾斜させる構造や、受け入れ部の内周面または内周面と接触する支持部材の面に複数の溝を設ける構造を採用することもできる。本発明のＣＶＤ用トレーは、トレーの製作が最も容易となり、製造コストを抑えることができることから、トレー本体の受け入れ部の内周面を傾斜面とし、その上部が受け入れ部の中心から遠ざかるように配設する構造を採用するのが好ましい。
［第３実施形態のＣＶＤ用トレー］
　図４は、本発明の点接触および線接触を介して支持部材を架設する実施形態を示す図であり、図４（ａ）は上面図、図４（ｂ）は図４（ａ）におけるＡ－Ａ断面図である。図４に示すトレーは、支持部材３を受け入れる凹状の受け入れ部を有するトレー本体２と、トレー本体２に架設されてシリコンウェーハ５を支持する支持部材３とからなる。また、支持部材３は、シリコンウェーハ５を直接載置する載置部３ｃが設けられるとともに、トレー本体２から離間された載置部下面３ｄを有する。
　本発明の第３実施形態のＣＶＤ用トレーは、支持部材３とトレー本体２の接触面積を低減する構造として、支持部材３を点接触または線接触を介して、トレー本体２に架設する構造を有することを特徴とする。図４に示すトレーでは、支持部材３が円柱状の支柱部３ｅを備え、当該支柱部３ｅの下部は円錐体状であり、下端に近づくに従いその断面積が減少する。支柱部３ｅは、図４（ａ）に示すように、載置されるシリコンウェーハ５と同心の円上に所定の角度間隔で６個設けられる。また、トレー本体の受け入れ部が有する内周面２ｂと接触する支持部材の外周面３ｂを、その下部がトレー本体の受け入れ部の内周面から遠ざかるように傾斜させる。
　このような支持部材３をトレー本体２に架設すると、支持部材３とトレー本体２は、支持部材３が備える複数の支柱部３ｅの下端による点接触と、支持部材３の傾斜した外周面３ｂによる線接触を介して架設される。このため、支持部材３とトレー本体２の接触面積を低減することができる。図４に示すトレーでは支柱部３ｅを６個設けたが、支持部材３の支柱部３ｅによる点接触を介して支持部材３をトレー本体２に架設する場合は支柱部３ｅを少なくとも３個設ければよい。本発明の第３実施形態のＣＶＤ用トレーは、図４に示す実施形態に限定されず、平面状のトレー本体を用いる実施形態や、線接触を介して支持部材を架設する実施形態を採用することができる。
　図５は、本発明の線接触を介して支持部材を架設する実施形態を示す断面図であり、図５（ａ）は凹状の受け入れ部を有するトレー本体に線接触を介して架設する場合、図５（ｂ）は平面状のトレー本体に線接触を介して架設する場合をそれぞれ示す。
　図５（ａ）に示すトレーは、支持部材３を受け入れる凹状の受け入れ部を有するトレー本体２と、支持部材３とからなる。支持部材３が有する外周の円筒状の支持部３ｆにより、載置部３ｃおよび載置されるシリコンウェーハ５を支持する。図５（ａ）に示すトレーは、トレー本体の凹状の受け入れ部が有する内周面２ｂを傾斜面とし、その上部が受け入れ部の中心から遠ざかるように配設するとともに、支持部材３に設けられた円筒状の支持部の下面３ｇを、その内円周側がシリコンウェーハ５と相対向するトレー本体の面２ａから遠ざかるように傾斜させる。
　これにより、図５（ａ）に示すトレーは、支持部材３が有する支持部３ｆの外周面および下面の大部分がトレー本体２と接触することなく、支持部材３が有する円筒状の支持部３ｆの下端との線接触を介してトレー本体２に架設される。このため、支持部材３とトレー本体２の接触面積を低減することができる。
　図５（ｂ）に示すトレーは、平面状のトレー本体２と、円筒状の支持部３ｆが設けられた支持部材３からなる。図５（ｂ）に示すトレーでは、支持部材３が有する円筒状の支持部３ｆは、下部で内周面および外周面を傾斜させ、下端に近づくに従いその断面積を減少させる。これにより、図５（ｂ）に示すトレーは、支持部材３が有する円筒状の支持部３ｆの下端と、平面状のトレー本体２との線接触を介して架設される。このため、図５（ｂ）に示すトレーは、支持部材３とトレー本体２の接触面積を低減することができる。
　このように、支持部材が点接触または線接触を介して、トレー本体に架設する構造とすることにより、支持部材とトレー本体の接触面積を低減することができる。このため、本発明の第３実施形態のＣＶＤ用トレーは、常圧ＣＶＤ法によるシリコンウェーハの成膜に用いた際に、形成される酸化膜の厚み分布をより均一にできる。
［第４実施形態のＣＶＤ用トレー］
　図６は、本発明の治具による点接触または線接触を介して支持部材を架設する実施形態を示す断面図であり、図６（ａ）は点接触を介して支持部材を架設する場合、図６（ｂ）は線接触を介して支持部材を架設する場合をそれぞれ示す。図６（ａ）および（ｂ）に示すトレーは、トレー本体２と、シリコンウェーハを支持する支持部材３と、支持部材３を支持する治具４とからなる。
　本発明の第４実施形態のＣＶＤ用トレーは、支持部材３を支持する治具４を備え、支持部材３とトレー本体２の接触面積を低減する構造として、支持部材３を、治具４による点接触または線接触を介して、トレー本体２に架設する構造を有することを特徴とする。図６（ａ）に示すトレーでは、治具４は円柱状であり、その上部を円錐体状とし、上端に近づくに従い断面積を減少させる。このような円柱状の治具４を、載置されるシリコンウェーハと相対向するトレー本体の面２ａに配置する。図６（ａ）に示すトレーは、図示する２個の円柱状の治具４以外に、載置されるシリコンウェーハ５と同心の円上に所定の角度間隔に、図示しない４個の円柱状の治具４が配置され、支持部材３は計６個の治具を用いて架設される。
　図６（ａ）に示すトレーは、トレー本体２に円柱状の治具４を複数配置し、円柱状の治具４に設けられた円錐体状の上端に支持部材３が架設される。したがって、図６（ａ）に示すトレーは、治具４による点接触を介して支持部材３がトレー本体２に架設されることから、支持部材３とトレー本体２の接触面積を低減することができる。図６（ａ）に示すトレーでは６個の治具４を配置したが、治具４による点接触を介して支持部材３をトレー本体２に架設する場合は治具４を少なくとも３個配置すればよい。
　図６（ａ）に示すように、トレー本体２が支持部材３を受け入れる凹状の受け入れ部を有する場合、支持部材の外周面３ｂと、トレー本体の凹状の受け入れ部が有する内周面２ｂとの接触面積を低減するため、図６（ａ）に示すように、支持部材の外周面３ｂを傾斜面とし、その下部が受け入れ部の内周面２ｂから遠ざかるように配設するのが好ましい。
　ここで、支持部材の外周面を傾斜面とする場合、その上部が受け入れ部の内周面から遠ざかるように配設する方式も採用できる。この上部が受け入れ部の内周面から遠ざかるように配設する方式では、ＣＶＤ法によりシリコンウェーハ上に原料ガスを供給して成膜する際、傾斜面により形成される窪みで原料ガスの流れが乱れ、酸化膜の厚み分布に悪影響を及ぼす懸念がある。
　また、トレー本体の受け入れ部が有する内周面２ｂを傾斜面とする方式を採用することもできる。この方式では、受け入れ部の内周面の上部が受け入れ部の中心から遠ざかるように配設すると、上述の傾斜面により形成される窪みで原料ガスの流れが乱れ、酸化膜の厚み分布に悪影響を及ぼす懸念が生じる。一方、受け入れ部の内周面の下部が受け入れ部の中心から遠ざかるように配設することも考えられるが、トレー本体の製作が困難となり、製造歩留りが悪化する。
　支持部材の外周面を傾斜面とし、その下部が受け入れ部の内周面から遠ざかるように配設すれば、原料ガス流れの乱れによる酸化膜の厚み分布に対する懸念を解消できるとともに、トレーの製作も容易となる。したがって、支持部材の外周面と、トレー本体の受け入れ部が有する内周面との接触面積を低減するため、支持部材の外周面を傾斜面とし、その下部が受け入れ部の内周面から遠ざかるように配設するのが好ましい。
　図６（ｂ）に示すトレーは、円筒状の治具４を用いる。この円筒状の治具４は、支持部材３と接触する治具の上面を傾斜面とし、内円周側がシリコンウェーハ５と相対向するトレー本体の面２ａに近づくように配設する。このような円筒状の治具４をトレー本体２に配置し、治具４により支持部材３を架設すると、支持部材３は円筒状の治具４が有する上面の上端と線接触した状態で架設される。このため、支持部材３とトレー本体２の接触面積を低減することができる。
　このように、治具による点接触または線接触を介して、支持部材をトレー本体に架設する構造とすることにより、支持部材が治具を介在させてトレー本体と接触する面積を低減することができる。このため、本発明の第４実施形態のＣＶＤ用トレーは、常圧ＣＶＤ法によるシリコンウェーハの成膜に用いた際に、形成される酸化膜の厚み分布をより均一にできる。
[載置部等に採用するのが好ましい実施形態]
　前述した本発明のＣＶＤ用トレーは、下記の実施形態を採用するのが好ましい。
　本発明のＣＶＤ用トレーは、シリコンウェーハ５の外周部５ｂを支持するために、載置部３ｃを傾斜面で形成し、その内円周側が載置されるシリコンウェーハ５と距離を設けて相対向するトレー本体の面２ａに近づくように配設するのが好ましい。これにより、シリコンウェーハの非成膜面５ｃとトレーが接触することなく、シリコンウェーハを支持できるので、シリコンウェーハの非成膜面５ｃに接触傷が発生することなく、シリコンウェーハの成膜面５ａに形成される酸化膜の厚みを均一にできるからである。
　本発明のＣＶＤ用トレーは、載置部３ｃを環状とするのが好ましい。所定の角度で分割した複数の載置部を用いて、シリコンウェーハの外周部の複数箇所を支持して載置することもできるが、この場合、載置部とシリコンウェーハの間に開口部が生じる。ＣＶＤ法による成膜の際に、開口部から原料ガスがシリコンウェーハ非成膜面５ｃに回り込んで成膜が行われると、シリコンウェーハ成膜面５ａの温度分布が不均一となり、酸化膜厚み分布を悪化させる恐れがある。また、シリコンウェーハ非成膜面５ｃへの成膜量が増大し、その後に行う研磨除去量が増加してしまう。
　載置部３ｃを環状とすることにより、シリコンウェーハ５が載置部３ｃと全周にわたって接触するので、原料ガスのシリコンウェーハ非成膜面への回り込みを防止でき、上述した懸念は解消できる。
　前述の通り、ＣＶＤ用トレーは、成膜する際の加熱により変形しないこと、およびシリコンウェーハにおけるコンタミネーション発生の原因とならないことが必要とされる。さらに、載置部３ｃからのシリコンウェーハ外周部２ｂへの熱伝導を低減するために、載置部３ｃの厚みは１ｍｍ以下の薄肉構造とするのが好ましい。本発明のＣＶＤ用トレーでは、これらの要件を満たすために、載置部３ｃをＳｉＣで構成することが好ましく、ＳｉＣ単体、あるいはカーボン基材の表面にＣＶＤ法によるＳｉＣ膜を形成したもの、あるいはＣＶＤ法によるＳｉＣ膜単体とするのが好ましいが、上記の要件を満たす材料であれば、載置部３ｃをＳｉＣ以外の材料で構成することもできる。
　本発明のＣＶＤ用トレーは、支持部材の上面３ａの高さまたは載置部３ｃの深さを調整して、シリコンウェーハを載置した際に、シリコンウェーハ成膜面５ａと支持部材の上面３ａを同じ高さにするのが好ましい。また、トレー本体が支持部材を受け入れる凹状の受け入れ部を有する場合、シリコンウェーハを載置した際に、シリコンウェーハ成膜面５ａと受け入れ部の上面２ｃを同じ高さにするのが好ましい。支持部材の上面３ａや受け入れ部の上面２ｃとシリコンウェーハ成膜面５ａの高さが異なると、シリコンウェーハ成膜面に供給された原料ガスの流れが乱れ、成膜面５ａに形成される酸化膜の厚みが局所的に厚くまたは薄くなり、厚み分布が不均一となるからである。
　本発明のＣＶＤ用トレーは、載置されるシリコンウェーハと相対向するトレー本体の面であって、載置部の下方に位置する部分に、載置部とさらに離間させる凹部を設けるのが好ましい。前記図１（ｄ）または前記図３（ｃ）に示すように、載置されるシリコンウェーハと距離を設けて相対向するトレー本体の面２ａであって、載置部３ｃの下方に位置する部分に載置部とさらに離間させる凹部２ｄを設けることにより、シリコンウェーハと相対向するトレー本体の面２ａからの輻射熱による載置部３ｃの温度上昇を低減できる。これにより、載置部３ｃからシリコンウェーハ外周部５ｂへの熱伝導をさらに低減し、シリコンウェーハの外周部付近の温度上昇をさらに抑えて、シリコンウェーハ成膜面５ａに形成される酸化膜の厚みをより均一にすることができる。
［ＣＶＤ用トレーを用いた成膜方法］
　本発明の成膜方法は、本発明のＣＶＤ用トレーを用いる成膜方法である。前述のとおり、本発明のＣＶＤ用トレーは、シリコンウェーハを支持する支持部材の載置部が、シリコンウェーハと相対向するトレー本体の面２ａと離間された下面を有するトレーであり、使用に際し、従来から慣用されるトレーと操作や取り扱いは何ら変わるところはない。
　本発明の成膜方法によれば、トレーからシリコンウェーハへの熱伝導が低減されることにより、シリコンウェーハ上に均一な厚み分布を有する酸化膜を形成できる。しかも、載置部を傾斜面で形成した本発明のＣＶＤ用トレーを用いれば、シリコンウェーハ外周部を支持するので、シリコンウェーハ面内への接触傷の発生を可及的に低減することができる。
　本発明のＣＶＤ用トレーおよびそれを用いた成膜方法の効果を確認するため、下記の試験を行った。
［試験条件］
　本発明例１として、前記図１（ａ）に示すトレーにシリコンウェーハを載置した後、シリコンウェーハを加熱しつつ、シリコンウェーハ上に原料ガスを供給して、常圧下でのＣＶＤ法によりシリコンウェーハ上に酸化膜（ＳｉＯ２）を成膜し、その後、酸化膜の厚みを測定した。
　本発明例１では、ＣＶＤ法による酸化膜の成膜は、連続式常圧ＣＶＤ装置（ＡＭＡＸ１２００　天谷製作所製）を用い、シリコンウェーハは直径３００ｍｍのものを供試し、原料ガスをモノシラン（ＳｉＨ４）と酸素（Ｏ２）の混合ガスとし、ＣＶＤ装置内を加熱してシリコンウェーハを４３０℃に加熱し、酸化膜厚みの狙い値を３５００Åとして実験を行った。
　酸化膜厚みの測定は、分光エリプソメータを用いてウェーハ外周除外領域を５ｍｍとしてウェーハ面内の１２１箇所を測定した。
　比較例１として、前記図１１に示すトレーにシリコンウェーハを載置した後、本発明例１と同様に、常圧下でのＣＶＤ法によりシリコンウェーハ上に酸化膜を成膜し、その後、酸化膜厚みを測定した。
［試験結果］
　図７は、本発明のＣＶＤ用トレーを用いてシリコンウェーハ上に成膜した場合の酸化膜の厚み分布を示す図である。図７に示す厚み分布より、本発明例１では酸化膜厚みが３４００Å～３８００Åに分布し、厚み分布の幅は約４００Åであった。
　図８は、従来のシリコンウェーハ外周部を支持するトレーを用いてシリコンウェーハ上に成膜した場合の酸化膜の厚み分布を示す図である。図８に示す厚み分布より、比較例１では酸化膜厚みが３２００Å～３９００Åに分布し、厚み分布の幅は約７００Åであった。
　これらから、本発明のＣＶＤ用トレーおよびそれを用いた成膜方法によれば、シリコンウェーハ上に成膜された膜の厚み分布の幅を狭くできること、すなわち、酸化膜厚みを均一にできることが確認できた。
　次に、トレーが支持部材とトレー本体の接触面積を低減する構造を有することによる効果を確認するため、下記の試験を行った。
［試験条件］
　トレーにシリコンウェーハを載置した後、シリコンウェーハを加熱しつつ、シリコンウェーハ上に原料ガスを供給して、常圧下でのＣＶＤ法によりシリコンウェーハ上に酸化膜（ＳｉＯ２）を成膜し、その後、酸化膜の厚みを測定する試験を行った。本試験では、ＣＶＤ法による酸化膜の成膜は、連続式常圧ＣＶＤ装置（ＡＭＡＸ１２００　天谷製作所製）を用い、シリコンウェーハは直径３００ｍｍのものを供試し、原料ガスをモノシラン（ＳｉＨ４）と酸素（Ｏ２）の混合ガスとし、ＣＶＤ装置内を加熱してトレー表面温度を４３０℃に加熱し、酸化膜厚みの狙い値を３５００Åとした。
　本発明例２では、支持部材とトレー本体の接触面積を低減する構造として、前記図３（ｂ）に示す、トレー本体２に凸設部を設け、当該凸設部２ｅに前記支持部材を架設する構造を有するトレーを用いた。比較のため、本発明例３では、前記図１（ａ）に示す、支持部材とトレー本体の接触面積を低減する構造を有さないトレーを用いた。本発明例２および３ともに支持部材の直径は同じ寸法とした。
　本発明例２および３では、分光エリプソメータにより、シリコンウェーハ上に形成された酸化膜厚みを測定した。また、酸化膜厚みの測定は、シリコンウェーハ中心を含む１２１点の多点測定を行い、シリコンウェーハ中心からの距離ごとに平均して整理し、本発明例２および３との比較を行った。この際、ウェーハ外周除外領域を５ｍｍとした。
［試験結果］
　図９は、接触面積を低減する構造を有するトレーまたは当該構造を有さないトレーを用いてＣＶＤ法により成膜した際に形成された酸化膜の厚み分布を示す図である。図９では、シリコンウェーハ中心からの距離（ｍｍ）を横軸とし、シリコンウェーハ中心における膜厚との差の割合（％）を縦軸とした。ここで、シリコンウェーハ中心における膜厚との差の割合（％）は、シリコンウェーハ中心の膜厚（Å）に対してシリコンウェーハ中心との膜厚差（Å）が占める割合である。
　図９に示す酸化膜の厚み分布より、本発明例３では、支持部材とトレー本体の接触面積を低減する構造を有さないＣＶＤトレーを用い、酸化膜の厚みが中心に比べてシリコンウェーハの外周部付近で約８．６％増加した。一方、本発明例２では、支持部材とトレー本体の接触面積を低減する構造を有するＣＶＤトレーを用い、酸化膜の厚みが中心に比べてシリコンウェーハの外周部付近で約１．１％増加した。
　これらから、本発明のＣＶＤ用トレーは、支持部材とトレー本体の接触面積を低減する構造を有することにより、シリコンウェーハの中心に比べて外周部付近で酸化膜の厚みが増加するのを低減でき、常圧ＣＶＤ法による成膜に用いた際に形成される酸化膜の厚み分布をより均一にできることが明らかになった。
　本発明のＣＶＤ用トレーは、トレー本体とシリコンウェーハを支持する支持部材の載置部とを離間することにより、常圧ＣＶＤ法によるシリコンウェーハへの成膜に用いた際に、載置部からシリコンウェーハ外周部への熱伝導を低減し、形成される酸化膜の厚み分布を均一にできる。
　また、載置部を傾斜面で形成し、その内円周側がシリコンウェーハと相対向するトレー本体の面に近づくように配設すれば、常圧ＣＶＤ法によるシリコンウェーハへの成膜に用いた際に、シリコンウェーハの外周部を支持することができ、シリコンウェーハの非成膜面に接触傷を発生させることなく、形成される酸化膜の厚み分布を均一にできる。
　さらに、トレーが支持部材とトレー本体の接触面積を低減する構造を有することにより、トレー本体から支持部材への熱伝導が低減されることから、載置部からシリコンウェーハ外周部への熱伝導をより低減し、形成される酸化膜の厚み分布をより均一にできる。
　また、本発明の成膜方法によれば、本発明のＣＶＤ用トレーを用いることにより、厚み分布をより均一にしてシリコンウェーハ上に成膜することができる。
　したがって、本発明のＣＶＤ用トレーおよびそれを用いた成膜方法は、シリコンウェーハの製造において好適に利用することができる。
　１：ＣＶＤ用トレー、　１ａ：載置部、　２：トレー本体、
　２ａ：載置されるシリコンウェーハと相対向する面、
　２ｂ：受け入れ部の内周面、　２ｃ：受け入れ部の上面、　２ｄ：凹部、
　２ｅ：凸設部、　２ｆ：溝、　３：支持部材、　３ａ：支持部材の上面、
　３ｂ：支持部材の外周面、　３ｃ：支持部材の載置部、
　３ｄ：載置部下面、　３ｅ：支柱部、　３ｆ：支持部、
　３ｇ：支持部の下面、　４：治具、　５：シリコンウェーハ、
　５ａ：成膜面、　５ｂ：外周部、　５ｃ：非成膜面

Claims (10)

  1. 　ＣＶＤ法による成膜に用いられ、トレー本体と、このトレー本体に架設されてシリコンウェーハを支持する支持部材とからなるトレーであって、
    　前記支持部材には前記シリコンウェーハを直接載置する載置部が設けられ、
    　さらに前記載置部は、載置される前記シリコンウェーハと距離を設けて相対向するトレー本体の面から離間された載置部下面を有することを特徴とするＣＶＤ用トレー。
  2. 　請求項１に記載のトレーが、前記支持部材と前記トレー本体の接触面積を低減する構造を有することを特徴とするＣＶＤ用トレー。
  3. 　前記接触面積を低減する構造として、前記トレー本体に凸設部を設け、当該凸設部に前記支持部材を架設する構造を有することを特徴とする請求項２に記載のＣＶＤ用トレー。
  4. 　前記接触面積を低減する構造として、前記支持部材を点接触または線接触を介して、前記トレー本体に架設する構造を有することを特徴とする請求項２に記載のＣＶＤ用トレー。
  5. 　請求項２に記載のトレーが、さらに前記支持部材を支持する治具を備え、
    　前記接触面積を低減する構造として、前記支持部材を、前記治具による点接触または線接触を介して、前記トレー本体に架設する構造を有することを特徴とするＣＶＤ用トレー。
  6. 　前記トレー本体が前記支持部材を受け入れる凹状の受け入れ部を有し、
    　前記受け入れ部が有する内周面を傾斜面とし、その上部が受け入れ部の中心から遠ざかるように配設することを特徴とする請求項３に記載のＣＶＤ用トレー。
  7. 　前記載置部が、傾斜面で形成され、その内円周側が載置される前記シリコンウェーハと距離を設けて相対向するトレー本体の面に近づくように配設されており、前記シリコンウェーハの外周部を支持することを特徴とする請求項１～６のいずれかに記載のＣＶＤ用トレー。
  8. 　前記載置部が環状であることを特徴とする請求項１～７のいずれかに記載のＣＶＤ用トレー。
  9. 　前記載置部がＳｉＣからなることを特徴とする請求項１～８のいずれかに記載のＣＶＤ用トレー。
  10. 　シリコンウェーハをトレーに載置した後、シリコンウェーハ上に原料ガスを供給しつつ、前記シリコンウェーハを加熱して、ＣＶＤ法により前記シリコンウェーハ上に成膜する成膜方法であって、前記トレーとして請求項１～９のいずれかに記載のＣＶＤ用トレーを用いることを特徴とする成膜方法。
     
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US13/513,610 US8685855B2 (en) 2009-12-11 2010-11-29 Tray for CVD and method for forming film using same
DE112010004736.7T DE112010004736B4 (de) 2009-12-11 2010-11-29 Aufnahmefür cvd und verfahren zur herstellung eines films unterverwendung derselben

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015103565A (ja) * 2013-11-21 2015-06-04 光洋サーモシステム株式会社 基板支持構造
JP2023096901A (ja) * 2021-12-27 2023-07-07 株式会社Sumco 絶縁膜形成装置用トレー、絶縁膜形成装置および絶縁膜形成方法
JP2023096896A (ja) * 2021-12-27 2023-07-07 株式会社Sumco 絶縁膜形成装置用トレー、絶縁膜形成装置および絶縁膜形成方法
JP7525023B1 (ja) 2023-08-31 2024-07-30 株式会社Sumco 酸化膜の形成条件決定方法、酸化膜の形成方法、および、ウェーハの製造方法
JP7635708B2 (ja) 2021-12-27 2025-02-26 株式会社Sumco 絶縁膜形成装置用トレー、絶縁膜形成装置および絶縁膜形成方法

Families Citing this family (304)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
TWI541928B (zh) * 2011-10-14 2016-07-11 晶元光電股份有限公司 晶圓載具
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
WO2016007253A1 (en) * 2014-07-10 2016-01-14 Applied Materials, Inc. Design of susceptor in chemical vapor deposition reactor
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
JP6632469B2 (ja) * 2016-05-24 2020-01-22 三菱電機株式会社 ウエハトレイ
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
KR101671671B1 (ko) 2016-05-25 2016-11-01 주식회사 티씨케이 반도체 제조용 부품의 재생방법과 그 재생장치 및 재생부품
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
KR102695659B1 (ko) 2018-01-19 2024-08-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TWI871083B (zh) 2018-06-27 2025-01-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI866480B (zh) 2019-01-17 2024-12-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI873122B (zh) 2019-02-20 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR102762833B1 (ko) 2019-03-08 2025-02-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR102897355B1 (ko) 2019-04-19 2025-12-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR102929471B1 (ko) 2019-05-07 2026-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR102869364B1 (ko) 2019-05-07 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR102929472B1 (ko) 2019-05-10 2026-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR102918757B1 (ko) 2019-06-10 2026-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR102911421B1 (ko) 2019-07-03 2026-01-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646B (zh) 2019-07-10 2026-02-10 Asmip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR102895115B1 (ko) 2019-07-16 2025-12-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TWI826704B (zh) 2019-07-17 2023-12-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 自由基輔助引燃電漿系統和方法
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR102903090B1 (ko) 2019-07-19 2025-12-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843B (zh) 2019-07-29 2026-01-23 Asmip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899B (zh) 2019-07-30 2025-11-14 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210015655A (ko) 2019-07-30 2021-02-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 방법
CN112309900B (zh) 2019-07-30 2025-11-04 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
KR20210018761A (ko) 2019-08-09 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP7810514B2 (ja) 2019-08-21 2026-02-03 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR102928101B1 (ko) 2019-08-23 2026-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR102868968B1 (ko) 2019-09-03 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 칼코지나이드 막 및 상기 막을 포함한 구조체를 증착하기 위한 방법 및 장치
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102406942B1 (ko) * 2019-09-16 2022-06-10 에이피시스템 주식회사 엣지 링 및 이를 포함하는 열처리 장치
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR102948143B1 (ko) 2019-10-08 2026-04-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11996292B2 (en) 2019-10-25 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR102890638B1 (ko) 2019-11-05 2025-11-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN120432376A (zh) 2019-11-29 2025-08-05 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692B (zh) 2019-11-29 2025-08-15 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR102943768B1 (ko) 2019-12-19 2026-03-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP7730637B2 (ja) 2020-01-06 2025-08-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
TWI887322B (zh) 2020-01-06 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102882467B1 (ko) 2020-01-16 2025-11-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TW202513845A (zh) 2020-02-03 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置結構及其形成方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR20210103953A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 분배 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
KR102916725B1 (ko) 2020-02-13 2026-01-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TWI895326B (zh) 2020-02-28 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 專用於零件清潔的系統
KR102943116B1 (ko) 2020-03-04 2026-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 정렬 고정구
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR102775390B1 (ko) 2020-03-12 2025-02-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR102901748B1 (ko) 2020-04-21 2025-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 방법
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR102934380B1 (ko) 2020-04-24 2026-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 보라이드 및 바나듐 포스파이드 층을 포함한 구조체를 형성하는 방법
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
TW202539998A (zh) 2020-04-24 2025-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 包含釩化合物之組成物與容器及用於穩定釩化合物之方法及系統
KR102866804B1 (ko) 2020-04-24 2025-09-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7726664B2 (ja) 2020-05-04 2025-08-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
JP7736446B2 (ja) 2020-05-07 2025-09-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同調回路を備える反応器システム
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR102936676B1 (ko) 2020-05-15 2026-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다중 전구체를 사용하여 실리콘 게르마늄 균일도를 제어하기 위한 방법
KR102905441B1 (ko) 2020-05-19 2025-12-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TWI873343B (zh) 2020-05-22 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
KR20210146802A (ko) 2020-05-26 2021-12-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI908816B (zh) 2020-06-24 2025-12-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12431354B2 (en) 2020-07-01 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202219303A (zh) 2020-07-27 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 薄膜沉積製程
KR20220020210A (ko) 2020-08-11 2022-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 티타늄 알루미늄 카바이드 막 구조체 및 관련 반도체 구조체를 증착하는 방법
KR102915124B1 (ko) 2020-08-14 2026-01-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TWI911263B (zh) 2020-08-25 2026-01-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
TW202534193A (zh) 2020-08-26 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法
TWI911265B (zh) 2020-08-27 2026-01-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、及裝置結構
TWI904232B (zh) 2020-09-10 2025-11-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh) 2020-09-25 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229612A (zh) 2020-10-06 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 在部件的側壁上形成氮化矽的方法及系統
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
KR102855834B1 (ko) 2020-10-14 2025-09-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 단차형 구조 상에 재료를 증착하는 방법
KR102873665B1 (ko) 2020-10-15 2025-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
KR20220077875A (ko) 2020-12-02 2022-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 샤워헤드 어셈블리용 세정 고정구
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
US12159788B2 (en) 2020-12-14 2024-12-03 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures for threshold voltage control
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
KR20220090435A (ko) 2020-12-22 2022-06-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전구체 캡슐, 용기 및 방법
KR20220090438A (ko) 2020-12-22 2022-06-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이금속 증착 방법
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
TWI773368B (zh) * 2021-06-08 2022-08-01 環球晶圓股份有限公司 晶圓治具結構及引起高溫潛變變形的處理設備
CN113345822B (zh) * 2021-07-16 2023-12-01 江苏天芯微半导体设备有限公司 批处理用晶圆支撑架和加载互锁真空室
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04211117A (ja) * 1990-03-19 1992-08-03 Toshiba Corp 気相成長装置および方法
JPH09194296A (ja) * 1996-01-12 1997-07-29 Toshiba Ceramics Co Ltd エピタキシャルウェハの製造方法
JP2004533117A (ja) * 2001-05-11 2004-10-28 アプライド　マテリアルズ　インコーポレイテッド 基板サポートアセンブリと基板処理用装置
WO2005111266A1 (ja) * 2004-05-18 2005-11-24 Sumco Corporation 気相成長装置用サセプタ
JP2007258694A (ja) * 2006-02-21 2007-10-04 Nuflare Technology Inc 気相成長装置及び支持台

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0448346B1 (en) 1990-03-19 1997-07-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Vapor-phase deposition apparatus
JPH09194926A (ja) 1996-01-11 1997-07-29 Nisshin Steel Co Ltd 電気炉における原料の溶解判定方法および装置
JP4110493B2 (ja) 1998-05-12 2008-07-02 株式会社Ｓｕｍｃｏ Ｃｖｄ装置
JP4007598B2 (ja) * 2003-03-27 2007-11-14 コバレントマテリアル株式会社 サセプタおよびその製造方法
KR101153118B1 (ko) * 2005-10-12 2012-06-07 파나소닉 주식회사 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법
TWI354320B (en) 2006-02-21 2011-12-11 Nuflare Technology Inc Vopor phase deposition apparatus and support table
US8951351B2 (en) 2006-09-15 2015-02-10 Applied Materials, Inc. Wafer processing hardware for epitaxial deposition with reduced backside deposition and defects

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04211117A (ja) * 1990-03-19 1992-08-03 Toshiba Corp 気相成長装置および方法
JPH09194296A (ja) * 1996-01-12 1997-07-29 Toshiba Ceramics Co Ltd エピタキシャルウェハの製造方法
JP2004533117A (ja) * 2001-05-11 2004-10-28 アプライド　マテリアルズ　インコーポレイテッド 基板サポートアセンブリと基板処理用装置
WO2005111266A1 (ja) * 2004-05-18 2005-11-24 Sumco Corporation 気相成長装置用サセプタ
JP2007258694A (ja) * 2006-02-21 2007-10-04 Nuflare Technology Inc 気相成長装置及び支持台

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015103565A (ja) * 2013-11-21 2015-06-04 光洋サーモシステム株式会社 基板支持構造
JP2023096901A (ja) * 2021-12-27 2023-07-07 株式会社Sumco 絶縁膜形成装置用トレー、絶縁膜形成装置および絶縁膜形成方法
JP2023096896A (ja) * 2021-12-27 2023-07-07 株式会社Sumco 絶縁膜形成装置用トレー、絶縁膜形成装置および絶縁膜形成方法
JP7593309B2 (ja) 2021-12-27 2024-12-03 株式会社Sumco 絶縁膜形成装置用トレー、絶縁膜形成装置および絶縁膜形成方法
JP7593310B2 (ja) 2021-12-27 2024-12-03 株式会社Sumco 絶縁膜形成装置用トレー、絶縁膜形成装置および絶縁膜形成方法
JP7635708B2 (ja) 2021-12-27 2025-02-26 株式会社Sumco 絶縁膜形成装置用トレー、絶縁膜形成装置および絶縁膜形成方法
JP7525023B1 (ja) 2023-08-31 2024-07-30 株式会社Sumco 酸化膜の形成条件決定方法、酸化膜の形成方法、および、ウェーハの製造方法
WO2025046976A1 (ja) * 2023-08-31 2025-03-06 株式会社Sumco 酸化膜の形成条件決定方法、酸化膜の形成方法、および、ウェーハの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE112010004736T5 (de) 2013-03-07
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