WO2010001503A1 - 電子部品 - Google Patents

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WO2010001503A1
WO2010001503A1 PCT/JP2009/000608 JP2009000608W WO2010001503A1 WO 2010001503 A1 WO2010001503 A1 WO 2010001503A1 JP 2009000608 W JP2009000608 W JP 2009000608W WO 2010001503 A1 WO2010001503 A1 WO 2010001503A1
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WO
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conductive
electronic component
ground electrode
substrate
cap
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PCT/JP2009/000608
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大野和幸
田中祥雄
中島清
鞍谷直人
前川智史
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オムロン株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to an electronic component. Specifically, the present invention relates to an electronic component in which a semiconductor element such as a sensor chip or an electronic circuit is housed in a package.
  • Patent Document 1 and 2 are an exploded perspective view and a cross-sectional view of the electronic component 11 disclosed in Patent Document 1.
  • FIG. 1 and 2 are an exploded perspective view and a cross-sectional view of the electronic component 11 disclosed in Patent Document 1.
  • FIG. 11 the upper part of the semiconductor element 13 mounted on the upper surface of the substrate 12 is covered with a metal cap 14.
  • the semiconductor element 13 mounted on the upper surface of the substrate 12 is connected to a pad 16 by a bonding wire 15, and the pad 16 is connected to a lead electrode 18 on the back surface by a via hole 22.
  • An annular ground electrode 19 is provided on the outer periphery of the upper surface of the substrate 12 so as to surround the circuit region, and the ground electrode 19 is connected to the ground pattern 20 on the back surface of the substrate 12 by a via hole 17.
  • the metal cap 14 is bonded to the ground electrode 19 by the conductive resin adhesive 21, is mechanically fixed to the ground electrode 19, and is electrically connected to the ground electrode 19.
  • the ground electrode 19 for connecting the metal cap 14 is provided on the upper surface of the substrate 12, thereby suppressing adverse effects on the circuit function due to the capacitance C between the extraction electrode 18 and the metal cap 14.
  • the conductive resin adhesive 21 may flow out inward and the semiconductor element 13 may be short-circuited by the conductive resin adhesive 21. That is, when the metal cap 14 is fixed to the substrate 12, the conductive resin adhesive 21 discharged from the syringe is applied along the ground electrode 19, and between the ground electrode 19 and the lower surface of the outer periphery of the metal cap 14. A metal cap 14 is stacked on the substrate 12 so as to sandwich the conductive resin adhesive 21 therebetween, and the metal cap 14 is further pressed.
  • the conductive resin adhesive 21 is pushed out from between the ground electrode 19 and the metal cap 14, and the conductive resin adhesive 21 that has flowed inward is the signal input / output.
  • the pad 16 for power supply or power supply. Since the conductive resin adhesive 21 is in contact with the ground electrode 19 and has a ground potential, when the pad 16 is touched, the circuit is short-circuited, which is a problem to be solved.
  • the height of the electronic component 11 is likely to vary due to the thickness variation of the conductive resin adhesive 21. That is, when the metal cap 14 is strongly pressed when the metal cap 14 is bonded with the conductive resin adhesive 21, the conductive resin adhesive 21 may flow out inward as described above to cause a short circuit. The metal cap 14 could not be sufficiently pressed when the cap 14 was bonded, and thus the thickness of the conductive resin adhesive 21 varied. Since the height of the electronic component 11 is determined by the sum of the thickness of the substrate 12, the height of the metal cap 14, and the thickness of the conductive resin adhesive 21, the electronic component 11 is affected when the thickness of the conductive resin adhesive 21 varies. The height of the will not be consistent.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing the electronic component 31 disclosed in Patent Document 2.
  • a high-frequency semiconductor element 34 is mounted on an island portion 33 provided on the upper surface of a substrate 32, and the island portion 33 is connected to a lead-out electrode 36 on the back surface via a via hole 35.
  • the electrode of the semiconductor element 34 is connected to a pad 38 on the substrate 32 by a bonding wire 37, and the pad 38 is connected to a lead electrode 40 on the back surface via a via hole 39.
  • a groove portion 41 is provided on the outer peripheral portion of the upper surface of the substrate 32 by cutting with a dicing blade.
  • the substrate 41 must be mechanically processed with a dicing blade to produce the groove 41, which increases the manufacturing cost.
  • the groove portion 41 is provided after the substrate 32 is manufactured, it is difficult to provide a conductive pattern in the groove portion 41 that is an adhesive portion, and it is not suitable for bonding involving conduction between the metal cap and the conductive pattern (ground electrode) of the substrate.
  • the variation in the height of the electronic component 31 increases due to the variation in machining of the groove 41.
  • the present invention has been made in view of the technical problems as described above.
  • the object of the present invention is to provide a semiconductor element by bonding a conductive cap to a ground electrode provided on a substrate with a conductive bonding member. It is an object of the present invention to provide an electronic component that can prevent the conductive adhesive resin from flowing out by an inexpensive means and can reduce the height variation.
  • a semiconductor element is mounted on the upper surface of a substrate, a ground electrode is formed in a region surrounding the semiconductor element on the upper surface of the substrate, and the conductive material is formed on the substrate so as to cover the semiconductor element.
  • the conductive cap has a pressing portion on a part of the lower surface, and the pressing portion Furthermore, the lower surface of the conductive cap and the ground electrode are bonded to each other on the outer peripheral side by the conductive bonding member.
  • the semiconductor element mounted on the upper surface of the substrate is covered with a package composed of the substrate and the conductive cap, and the conductive cap is electrically connected to the ground electrode. It can be shielded from high frequency noise.
  • a pressing portion is provided on a part of the lower surface of the conductive cap, and the lower surface of the conductive cap and the ground electrode are bonded by a conductive bonding member on the outer peripheral side of the pressing portion. The conductive bonding member between the lower surface of the electrode and the ground electrode is stopped by the pressing portion of the conductive cap, and does not flow inward beyond that, or the conductive bonding member penetrates into the inner side beyond the pressing portion.
  • the conductive bonding member is prevented from entering inside the ground electrode and short-circuiting the internal circuit.
  • the conductive cap can be pressed sufficiently against the substrate, the height of the electronic component is almost determined by the sum of the thickness of the substrate and the height of the conductive cap, thereby reducing variations in the height of the electronic component. Can do.
  • a part of the ground electrode is covered with a covering member such as a solder resist or a silk pattern, and a part of the ground electrode is disposed on the outer peripheral side of the region covered with the covering member. It is exposed from the covering member, and the pressing portion is arranged on the upper surface of the covering member.
  • the thickness of the conductive bonding member between the lower surface of the conductive cap and the ground electrode can be made thicker by the thickness of the covering member than when the pressing portion is disposed on the upper surface of the ground electrode.
  • the conductive cap can be bonded to the ground electrode more reliably and firmly.
  • Another embodiment of the electronic component of the present invention is characterized in that the lower surface of the conductive cap is recessed above the pressing portion on the outer peripheral side of the pressing portion on the lower surface of the conductive cap. Yes.
  • the thickness of the conductive bonding member between the lower surface of the conductive cap and the ground electrode can be increased by the amount of depression of the lower surface of the conductive cap, making the conductive cap more reliable and strong. Can be bonded to the ground electrode.
  • Still another embodiment of the electronic component of the present invention is characterized in that a gap between the lower surface of the conductive cap and the ground electrode is gradually increased toward the outer peripheral side from the pressing portion. It is said. According to such an embodiment, the thickness of the conductive bonding member between the lower surface of the conductive cap and the ground electrode can be increased by the amount that the gap between the lower surface of the conductive cap and the ground electrode is gradually increased. The conductive cap can be more reliably and firmly bonded to the ground electrode.
  • the pressing portion may be disposed on the upper surface of the ground electrode.
  • the pressing portion when the lower surface of the conductive cap is depressed or the gap between the lower surface of the conductive cap and the ground electrode is gradually increased, the pressing portion is disposed on the upper surface of the ground electrode. Even so, it is possible to obtain a space for holding the conductive bonding member between the lower surface of the conductive cap and the ground electrode.
  • the means for solving the above-described problems in the present invention has a feature in which the above-described constituent elements are appropriately combined, and the present invention enables many variations by combining such constituent elements. .
  • FIG. 1 is an exploded perspective view of the electronic component disclosed in Patent Document 1.
  • FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view of the above electronic component.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the electronic component disclosed in Patent Document 2.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing the structure of the electronic component according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 5 is an enlarged view of a portion X in FIG.
  • FIG. 6 is a top view showing the substrate of the electronic component.
  • FIG. 7 is a top view of the same substrate with the solder resist removed.
  • FIG. 8 is a bottom view of the substrate of the electronic component.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining a method of applying a conductive adhesive resin.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining a method of applying a conductive adhesive resin.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing a part of an electronic component according to a modification of the first embodiment.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing the structure of an electronic component according to Embodiment 2 of the present invention.
  • FIG. 12 is an enlarged view of a Y portion in FIG.
  • FIG. 13 is a partial cross-sectional view showing different assembled states of the electronic component of the second embodiment.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view illustrating a part of an electronic component according to a modification of the second embodiment.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view showing the structure of an electronic component according to Embodiment 3 of the present invention.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view showing the structure of an electronic component according to Embodiment 4 of the present invention.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view illustrating a part of an electronic component according to a modification of the fourth embodiment.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view showing the structure of an electronic component according to Embodiment 5 of the present invention.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view showing the structure of an electronic component according to Embodiment 6 of the present invention.
  • FIG. 20 is a top view illustrating the substrate of the electronic component of the sixth embodiment.
  • FIG. 21 is a top view of the same substrate with the solder resist removed.
  • FIG. 22 is a partial cross-sectional view showing the structure of an electronic component according to Embodiment 7 of the present invention.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing the structure of the electronic component according to Embodiment 1 of the present invention
  • FIG. 5 is an enlarged view of a portion X in FIG. 6 is a top view of the substrate
  • FIG. 7 is a top view of the substrate with the solder resist (covering member) removed
  • FIG. 8 is a bottom view of the substrate.
  • the electronic component 51 shown here is obtained by mounting a semiconductor element 53 on the upper surface of a substrate 52 and placing the semiconductor element 53 in a package (Faraday cage) made up of the substrate 52 and a conductive cap 54.
  • the substrate 52 is constituted by a printed circuit board. As shown in FIG. 7, the upper surface of the substrate 52 is patterned with a metal thin film made of Cu or the like attached to the upper surface of the insulating plate 52a. 56 and a ground electrode 57 are formed.
  • the ground electrode 57 is formed on the outer peripheral portion of the substrate 52 so as to surround the island portion 55 and the pad 56, and the pad 56 is disposed in the vicinity of the island portion 55.
  • a surface-side ground pattern 58 is formed in a region in the ground electrode 57 where the island portion 55 and the pad 56 are not present.
  • the island portion 55, the pad 56, the ground electrode 57, and the surface side ground pattern 58 are separated from each other by grooves 61, 62, and 63.
  • the region excluding the outer peripheral portion of the island portion 55 is covered with a solder resist 67 for protecting the surface of the metal thin film.
  • the surface of the surface side ground pattern 58 is also covered with the solder resist 67.
  • a solder resist 67 is also formed in a region from the inner peripheral portion of the ground electrode 57 to the portion where the insulating plate 52a in the groove 63 is exposed.
  • the solder resist 67 covers the range of the width of 0.10 mm of the inner peripheral portion of the ground electrode 57.
  • solder resists 67 are applied to the surface of the substrate 52 to a uniform thickness by screen printing a molten solder resist, and then cured by heating.
  • a solder resist is used as the covering member, but a silk pattern or the like may be used in addition to this.
  • a lead electrode 59 and a back-side ground pattern 60 are formed on the lower surface of the substrate 52 by patterning a metal thin film such as Cu attached to the lower surface of the insulating plate 52a. Yes.
  • the lead electrode 59 and the back side ground pattern 60 are separated from each other by a groove 64.
  • These lead electrodes 59 and back surface side ground pattern 60 are patterns for solder mounting on a substrate (for example, a mother board for a mobile phone) on which the electronic component 51 is mounted.
  • via holes are provided in the insulating plate 52 a so as to penetrate the front and back surfaces, and the pads 56 are electrically connected to the extraction electrodes 59 by the via holes 65, and the island portions 55 and the ground electrodes 57.
  • the front surface side ground pattern 58 may be connected to the back surface side ground pattern 60 by via holes, or may be electrically floating from the ground, or may not be present.
  • the semiconductor element 53 is an element such as a sensor chip for various sensing, LSI, or ASIC, and is bonded and fixed on the island portion 55 and the solder resist 67 on the upper surface thereof by a die bond resin 68.
  • a die bond resin 68 an adhesive resin such as silicone or epoxy is used, and the die bond resin 68 blocks an extra force from the external environment.
  • the terminal of the semiconductor element 53 and the pad 56 are connected by the bonding wire 69, so that the terminal of the semiconductor element 53 is electrically connected to the lead electrode 59 on the lower surface.
  • a plurality of semiconductor elements may be mounted on the upper surface of the substrate 52, and other electric / electronic components may also be mounted.
  • the pattern of the metal thin film can be freely designed as appropriate according to the form of the semiconductor element or electrical / electronic component to be mounted.
  • the conductive cap 54 is formed in a cap shape by a metal material having a small specific resistance, and a space for accommodating the semiconductor element 53 and the like is formed on the lower surface.
  • a flange 70 extending substantially horizontally is formed on the entire periphery of the lower end of the conductive cap 54.
  • a recess 71 is provided over the entire circumference on the front end side of the lower surface of the flange 70, and a pressing portion 72 having a convex shape is formed around the entire periphery of the lower surface of the flange 70 (inside the conductive cap 54). Is formed.
  • the conductive cap 54 is manufactured by pressing a metal plate, and the recess 71 is formed simultaneously with the pressing. Therefore, compared with the case where the concave portion 71 is formed by cutting, the concave portion 71 can be formed at a low cost and with small dimensional variations.
  • the conductive cap 54 is placed on the substrate 52 so as to cover the semiconductor element 53 and the like, and the pressing portion 72 on the lower surface of the flange 70 is in contact with the solder resist 67 on the ground electrode 57 over the entire circumference.
  • the space between the recess 71 of the flange 70 and the ground electrode 57 and the solder resist 67 is filled with the conductive bonding member 73, and the conductive cap 54 is bonded and fixed to the ground electrode 57 by the conductive bonding member 73.
  • it is electrically connected to the ground electrode 57 by the conductivity of the conductive bonding member 73 and becomes the same potential (ground potential) as the back surface side ground pattern 60 on the lower surface.
  • a material such as a conductive epoxy resin (for example, an epoxy resin containing a silver filler) or solder is used.
  • the Faraday cage is constituted by the conductive cap 54 connected to the ground and the substrate 52 having the back-side ground pattern 60 connected to the ground, a high frequency from the outside Noise can be cut off and the influence of external noise on the semiconductor element 53 can be reduced.
  • the package may have a sealed structure or may not have a sealed structure depending on the type of the semiconductor element 53 to be accommodated. For example, when moisture resistance and chemical resistance are required, the package is desirably airtight. Alternatively, when it is sufficient to block dust, light, and the like from the outside, it is only necessary to cover the semiconductor element 53 and the like with a package, and airtightness is not necessarily required. Alternatively, when an acoustic sensor or the like is mounted as the semiconductor element 53, a hole for allowing acoustic vibrations to pass through may be provided in the top of the conductive cap 54 or the like.
  • the conductive bonding member 73 there may be a hole to the extent that the outside and inside of the package are connected by a void or the like.
  • a firm joint member reservoir (fillet) is formed on the outer periphery thereof, the conductive cap 54 and the substrate 52 are formed. Ventilation at the joint portion can be blocked. Therefore, when it is desired to provide the package with airtightness, the airtightness can be improved.
  • the pressing portion 72 on the lower surface of the flange 70 abuts against the solder resist 67 so that the pressing portion 72 and the solder resist 67 are placed on the inner side of the conductive bonding member 73. Therefore, when the conductive cap 54 is bonded, the molten conductive bonding member 73 can be prevented from flowing into the interior, and the conductive bonding member 73 that has flowed into the circuit portion such as the pad 56 can be prevented. Touching can prevent short circuit.
  • the thickness of the space filled with the conductive bonding member 73 is the sum of the thickness of the solder resist 67 and the height of the concave portion 71, the thickness of the conductive bonding member 73 can be gained, and a sufficient amount of conductivity can be obtained.
  • the bonding can be performed by the conductive bonding member 73 and the generation of bubbles can be prevented, and the conductive cap 54 can be firmly bonded to the substrate 52.
  • the pressing portion 72 of the flange 70 is in direct contact with the upper surface of the solder resist 67, the height of the electronic component 51 is equal to the thickness of the substrate 52 and the conductive cap 54 regardless of the thickness of the conductive bonding member 73. Since the thickness of the solder resist 67 can be determined by the screen thickness during screen printing, variations in the height dimension of the electronic component 51 can be reduced, and the height accuracy of the electronic component 51 can be obtained. be able to.
  • the reason why a part of the ground electrode 57 is exposed from the solder resist 67 is to electrically connect the ground electrode 57 and the conductive cap 54 by the conductive bonding member 73. Further, since the conductive bonding member 73 has a small wetting angle with respect to the solder resist 67, if the conductive resist 73 covers the outer edge of the ground electrode 57 with the solder resist 67, the conductive bonding member 73 of the conductive resist 73. There is a risk of flowing to the outer periphery.
  • the conductive bonding member 73 Since the conductive bonding member 73 has a larger wetting angle with respect to the ground electrode 57 (inorganic material) than the solder resist 67, the outer peripheral side of the ground electrode 57 is exposed from the solder resist 67 as in this embodiment. The conductive bonding member 73 is less likely to leak to the outer peripheral side of the ground electrode 57.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining a procedure for assembling the electronic component 51 by bonding the conductive cap 54 to the substrate 52.
  • a stamper 74 (transfer pin), a part of which is shown in FIG. 9A, is formed in an annular shape or a cylindrical shape in accordance with the shape of the ground electrode 57. After the conductive bonding member 73 is applied to the lower surface of the stamper 74 as shown in FIG. 9A, the stamper 74 is pressed onto a region of the ground electrode 57 that is not covered with the solder resist 67 and transferred to the region.
  • the conductive cap 54 is overlaid on the substrate 52 with the flange 70 aligned with the ground electrode 57, and the conductive joining member 73 is pressed by the recess 71 as shown in FIG. 9B, as shown in FIG. 9C.
  • the pressing portion 72 is brought into contact with the upper surface of the solder resist 67.
  • the conductive joining member 73 is pressed by the flange 70 and spreads into the space between the recess 71 and the ground electrode 57, but the inner end of the space is a wall formed by the pressing portion 72 and the solder resist 67. Therefore, the conductive bonding member 73 does not flow into the conductive cap 54.
  • the conductive bonding member 73 may be applied along the ground electrode 57 with a syringe or the like.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing a part of an electronic component according to a modification of the first embodiment.
  • the solder resist 67 that covers the extraction electrode 59 is removed, and the pressing portion 72 of the flange 70 is brought into contact with the surface of the extraction electrode 59.
  • the thickness of the conductive bonding member 73 filled between the flange 70 and the extraction electrode 59 is equal to the height of the recess 71 and is slightly thinner than in the first embodiment.
  • the conductive bonding member 73 filled between the flange 70 and the extraction electrode 59 does not flow into the conductive cap 54 because the pressing portion 72 located on the inner side serves as a wall.
  • the surface of the extraction electrode 59 exposed from the solder resist 67 may be covered with a plating layer such as Au plating. Also in the modification, the surface of the extraction electrode 59 may be covered with a plating layer such as Au plating.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing the structure of an electronic component according to Embodiment 2 of the present invention.
  • FIG. 12 is an enlarged view of a Y portion in FIG.
  • the difference between the electronic component 81 of the second embodiment and the electronic component 51 of the first embodiment is that, in the electronic component 81 of the second embodiment, the concave portion 71 is not provided in the flange 70 of the conductive cap 54, and the pressing portion 72. It is only the point that is flat.
  • the vicinity of the bent portion on the lower surface of the flange 70 is a pressing portion 72, and the pressing portion 72 is brought into contact with the upper surface of the solder resist 67.
  • the conductive cap 54 is bonded to the ground electrode 57 and electrically connected by the conductive bonding member 73 sandwiched between the two.
  • the thickness of the conductive bonding member 73 is substantially the same as that of the solder resist 67 (about 20 ⁇ m), which is slightly thinner than that in the first embodiment.
  • the end surface of the solder resist 67 serves as a wall to prevent the solder resist 67 from flowing into the conductive cap 54.
  • the flange 70 is in contact with the solder resist 67 and the height of the electronic component 81 is determined by the thickness of the substrate 52 and the height of the conductive cap 54 regardless of the thickness of the conductive bonding member 73. The variation in height of the electronic component 81 can be reduced.
  • the conductive bonding member 73 may be interposed between the pressing portion 72 and the solder resist 67 by a capillary phenomenon or the like, as shown in FIG. May invade.
  • the pressing portion 72 is not in contact with the solder resist 67 in a strict sense.
  • the conductive bonding member 73 is applied to the outside of the pressing portion 72 and the pressing portion 72 is sufficiently pressed against the solder resist 67, the conductive bonding member 73 is pressed against the pressing portion 72 and the solder resist. 67, even if it penetrates between them, the film thickness is very thin and the conductive bonding member 73 is held between the pressing portion 72 and the solder resist 67 by surface tension.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view illustrating a part of an electronic component according to a modification of the second embodiment.
  • a region exposed from the solder resist 67 on the surface of the ground electrode 57 is covered with a plating layer 82 made of an inferior metal such as Au plating to protect the ground electrode 57.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view showing the structure of an electronic component according to Embodiment 3 of the present invention.
  • the front end (outer peripheral edge) of the flange 70 is inclined or curved obliquely upward (the one-dot chain line is a line segment extending the lower surface of the flange 70), and the flange 70 is pressed against the base.
  • the part 72 is brought into contact with the upper surface of the solder resist 67. Therefore, the thickness of the space between the lower surface of the flange 70 and the plating layer 82 on the ground electrode 57 can be made larger than the thickness of the solder resist 67.
  • the thickness of the conductive bonding member 73 can be increased, and the bonding strength of the conductive cap 54 can be increased.
  • the solder resist 67 covering the ground electrode 57 may be eliminated. Since the flange 70 is inclined or curved, a space (gap) is generated between the outer peripheral portion of the flange 70 and the ground electrode 57 even if the pressing portion 72 at the base of the flange 70 is brought into direct contact with the ground electrode 57. This is because the conductive cap 54 can be bonded to the substrate 52 by filling the space with the conductive bonding member 73.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view showing the structure of an electronic component according to Embodiment 4 of the present invention.
  • the conductive cap 54 in which the concave portion 71 and the pressing portion 72 are formed in the flange 70 is used.
  • the pressing portion 72 of the conductive cap 54 is in contact with the surface of the insulating plate 52 a inside the ground electrode 57.
  • the inner surface of the recess 71 and the substrate 52 are joined by a conductive joining member 73 applied so as to cover the ground electrode 57.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view illustrating a part of an electronic component according to a modification of the fourth embodiment.
  • a solder resist 67 is formed on the upper surface of the insulating plate 52a on the inner peripheral side of the ground electrode 57 and away from the ground electrode 57.
  • the solder resist 67 is formed in an annular shape so as to be parallel to the ground electrode 57.
  • the pressing portion 72 at the base of the flange 70 is brought into contact with the upper surface of the solder resist 67, and the pressing portion 72 is applied by the conductive bonding member 73 applied so as to cover the ground electrode 57 on the outer peripheral side of the solder resist 67.
  • the substrate 52 are bonded together.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view showing the structure of an electronic component according to Embodiment 5 of the present invention.
  • the entire surface (outer surface and inner surface) of the cap main body 92 of a resin molded product formed into a cap shape using a resin is electrically conductive 93 (for example, one layer).
  • the conductive cap 54 is formed by coating with a plurality of layers of plating films).
  • the conductive film 93 may be provided inside the cap body 92 over the entire surface of the cap body 92. In this case, a part of the conductive film 93 may be exposed on the lower surface of the flange 70 so as to be electrically connected to the ground electrode 57.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view showing the structure of an electronic component according to Embodiment 6 of the present invention.
  • FIG. 20 is a top view showing the substrate 52 on which the semiconductor element 53 is mounted
  • FIG. 21 is a top view showing the substrate 52 before the solder resist 67 is formed.
  • the island portion 55, the surface side ground pattern 58, and the ground electrode 57 are integrally formed. That is, the grooves 61 and 63 in the first embodiment are eliminated. As a result, only the pad 56 is separated by the groove 62. Accordingly, as shown in FIG. 20, the solder resist 67 is also formed on the entire outer periphery of the ground electrode 57 (region where the conductive bonding member 73 is applied) and the metal thin film region excluding the pad 56.
  • FIG. 22 is a partial cross-sectional view showing the structure of an electronic component according to Embodiment 7 of the present invention.
  • the bent portion 102 is provided by slightly bending or curving the lower end portion of the conductive cap 54 toward the outer peripheral side, and the lower surface of the distal end portion of the bent portion 102 is used as the pressing portion 72.
  • the horizontal flange 70 does not exist, and a sufficiently long region does not exist on the outer peripheral side of the pressing portion 72.
  • the conductive cap 54 can be bonded to the ground electrode 57 by holding the conductive bonding member 73 between the distal end surface of the bent portion 102 on the outer peripheral side and the ground electrode 57.

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Abstract

　基板５２と導電性キャップ５４により、基板５２上面に実装した半導体素子を収納するためのパッケージを構成する。基板５２の上面外周部に接地電極５７を環状に形成する。接地電極５７の内周部上面をソルダーレジスト６７によって覆う。導電性キャップ５４の外周下端面には略水平に屈曲したフランジ７０が形成されている。導電性キャップ５４を基板５２の上面に配置し、フランジ７０の下面をソルダーレジスト６７の上面に当接させる。さらに、ソルダーレジスト６７よりも外周側において、フランジ７０の下面と接地電極５７との間に形成された空間に導電性接合部材７３を充填して導電性キャップ５４を基板５２に接合させる。

Description

電子部品
　本発明は電子部品に関する。具体的には、センサチップや電子回路等の半導体素子をパッケージ内に納めた電子部品に関するものである。
　半導体素子を高周波用パッケージに納めた電子部品としては、例えば特許文献１に開示されたものがある。図１及び図２は特許文献１に開示された電子部品１１の分解斜視図及び断面図である。この電子部品１１は、基板１２の上面に実装された半導体素子１３の上方を金属キャップ１４で覆ったものである。基板１２の上面に実装された半導体素子１３は、ボンディングワイヤ１５によってパッド１６に接続されており、パッド１６はビアホール２２によって裏面の引き出し電極１８に接続されている。基板１２の上面外周部には、回路領域を囲むようにして環状の接地電極１９が設けられており、接地電極１９はビアホール１７によって基板１２の裏面の接地パターン２０につながっている。金属キャップ１４は導電性樹脂接着剤２１によって接地電極１９に接着され、接地電極１９に機械的に固定されると共に接地電極１９に電気的に接続される。そして、金属キャップ１４を接続するための接地電極１９を基板１２の上面に設けることで、引き出し電極１８と金属キャップ１４との間の電気容量Ｃによる回路機能への悪影響を抑制している。
　しかしながら、特許文献１のような構造の電子部品１１では、導電性樹脂接着剤２１が内側へ流れ出して導電性樹脂接着剤２１によって半導体素子１３を短絡させることがあった。すなわち、基板１２に金属キャップ１４を固定する際には、シリンジから吐出させた導電性樹脂接着剤２１を接地電極１９に沿って塗布し、接地電極１９と金属キャップ１４の外周部下面との間に導電性樹脂接着剤２１を挟み込むようにして基板１２の上に金属キャップ１４を重ね、さらに金属キャップ１４を押さえ付けている。そのため、金属キャップ１４を接地電極１９に押さえ付けたときに導電性樹脂接着剤２１が接地電極１９と金属キャップ１４との間から押し出され、内側へ流れ出した導電性樹脂接着剤２１が信号入出力用や給電用のパッド１６に触れる可能性があった。導電性樹脂接着剤２１は接地電極１９に接触していてグランド電位となっているから、パッド１６に触れると回路を短絡させることになり、解決すべき課題となっていた。
　このような不具合を回避するため、従来においては、半導体素子１３やパッド１６を設けている領域と接地電極１９との距離に十分な余裕を持たせるようにしている。しかし、この距離を大きくすると、結局電子部品１１の設置面積（footprint）が大きくなり、電子部品１１のサイズが大きくなる。反対に、電子部品１１のサイズを小さくすると、導電性樹脂接着剤２１による短絡が発生しやすくなる。このため、電子部品１１の小型化と短絡防止とは、トレードオフの関係にあった。
　また、特許文献１のような構造の電子部品１１では、導電性樹脂接着剤２１の厚みばらつきにより電子部品１１の高さにもばらつきが発生しやすかった。すなわち、金属キャップ１４を導電性樹脂接着剤２１で接着する際に金属キャップ１４を強く押さえると上記のように導電性樹脂接着剤２１が内側へ流れ出て短絡を発生させる可能性があるので、金属キャップ１４の接着時に金属キャップ１４を十分に押圧することができず、そのため導電性樹脂接着剤２１の厚みにばらつきが生じていた。電子部品１１の高さは、基板１２の厚みと、金属キャップ１４の高さと、導電性樹脂接着剤２１の厚みとの合計で決まるから、導電性樹脂接着剤２１の厚みがばらつくと電子部品１１の高さが一定に揃わなくなる。そして、導電性樹脂接着剤２１の厚みが大きなものについては電子部品１１を低背化する妨げとなる。また、厚みが小さすぎるものについては樹脂量不足や気泡の発生により接着強度の低下を招くという問題があった。
　図３は特許文献２に開示された電子部品３１を示す断面図である。この電子部品３１にあっては、基板３２の上面に設けられたアイランド部３３に高周波用の半導体素子３４が実装されており、アイランド部３３はビアホール３５を介して裏面の引き出し電極３６に接続されている。さらに、半導体素子３４の電極はボンディングワイヤ３７によって基板３２の上のパッド３８に接続されており、パッド３８はビアホール３９を介して裏面の引き出し電極４０に接続されている。基板３２の上面外周部には、ダイシングブレードで切削することによって溝部４１が設けられており、この溝部４１の上に樹脂キャップ４２を重ねたとき、溝部４１と樹脂キャップ４２との間に樹脂溜まり４３が形成されるようにしている。よって、樹脂キャップ４２の下面と溝部４１とを接着樹脂４４で接着するとき、余分な接着樹脂４４を樹脂溜まり４３で保持し、内部の半導体素子３４側へ流れ出るのを防いでいる。
　しかしながら、このような構造の電子部品３１では、基板３２をダイシングブレードによって機械的に加工して溝部４１を作製しなければならないので、製造コストが高くつく。また、基板３２の作製後に溝部４１を設けるため、接着部である溝部４１に導電パターンを設けることが難しく、金属キャップと基板の導電パターン（接地電極）との導電を伴う接合には向かない。さらに、溝部４１の機械加工ばらつきにより電子部品３１の高さのばらつきも大きくなるという問題があった。
特開２００２－１３４６３９号公報 特開２００２－１１０８３３号公報
　本発明は、上記のような技術的課題に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、基板に設けた接地電極に導電性接合部材で導電性キャップを接合させることによって半導体素子のパッケージを構成した電子部品において、安価な手段によって導電性接着樹脂が内部に流れ出るのを防ぐことができ、さらに高さのばらつきを小さくすることのできる電子部品を提供することにある。
　本発明の電子部品は、基板の上面に半導体素子を実装し、前記基板の上面の前記半導体素子を囲む領域に接地電極を形成し、前記半導体素子を覆うようにして前記基板の上に導電性キャップを重ねて導電性接合部材により前記導電性キャップの下面全周を前記接地電極に接合させた電子部品において、前記導電性キャップは下面の一部に押し当て部を有し、前記押し当て部よりも外周側において前記導電性キャップの下面と前記接地電極とを前記導電性接合部材によって接合させたことを特徴としている。
　本発明の電子部品にあっては、基板の上面に実装した半導体素子を基板と導電性キャップからなるパッケージにより覆って導電性キャップを接地電極に導通させているので、内部の半導体素子を外部の高周波ノイズから遮蔽することができる。また、導電性キャップの下面の一部に押し当て部を設け、この押し当て部よりも外周側において導電性キャップの下面と接地電極とを導電性接合部材によって接合させているので、導電性キャップの下面と接地電極との間の導電性接合部材は導電性キャップの押し当て部で止められ、それよりも内側まで流れ込むことがなく、あるいは押し当て部を超えて導電性接合部材が内側まで浸入したとしても、少量となるように抑制される。よって、導電性接合部材が接地電極よりも内側に浸入して内部の回路を短絡させることを防止できる。また、導電性キャップを基板に対して十分に押し付けることができるので、電子部品の高さはほぼ基板の厚みと導電性キャップの高さとの和で決まり、電子部品の高さばらつきを低減させることができる。
　本発明の電子部品のある実施態様は、前記接地電極の一部をソルダーレジストやシルクパターン等の被覆部材により覆って当該被覆部材で覆われた領域よりも外周側において前記接地電極の一部を当該被覆部材から露出させ、前記押し当て部を前記被覆部材の上面に配したことを特徴としている。かかる実施態様によれば、導電性キャップ下面と接地電極との間の導電性接合部材の厚みを、押し当て部を接地電極の上面に配する場合よりも被覆部材の厚み分だけ厚くすることができ、導電性キャップをより確実かつ強固に接地電極に接合させることができる。
　本発明の電子部品の別な実施態様は、前記導電性キャップ下面の前記押し当て部よりも外周側において、前記導電性キャップの下面を前記押し当て部よりも上方へ窪ませたことを特徴としている。かかる実施態様によれば、導電性キャップ下面と接地電極との間の導電性接合部材の厚みを、導電性キャップ下面が窪んでいる分だけ厚くすることができ、導電性キャップをより確実かつ強固に接地電極に接合させることができる。
　本発明の電子部品のさらに別な実施態様は、前記押し当て部よりも外周側へ向かうに従って、前記導電性キャップの下面と前記接地電極との間の隙間が次第に大きくなるようにしたことを特徴としている。かかる実施態様によれば、導電性キャップ下面と接地電極との間の導電性接合部材の厚みを、導電性キャップ下面と接地電極の間の隙間が次第に大きくなっている分だけ厚くすることができ、導電性キャップをより確実かつ強固に接地電極に接合させることができる。
　また、これら実施態様においては、前記押し当て部を前記接地電極の上面に配してあってもよい。前記実施態様においては、導電性キャップの下面が窪んでいたり、導電性キャップ下面と接地電極の間の隙間が次第に大きくなっていたりするので、押し当て部を接地電極の上面に配している場合であっても、導電性キャップ下面と接地電極との間に導電性接合部材を保持させるための空間を得ることができる。
　なお、本発明における前記課題を解決するための手段は、以上説明した構成要素を適宜組み合せた特徴を有するものであり、本発明はかかる構成要素の組合せによる多くのバリエーションを可能とするものである。
図１は、特許文献１に開示された電子部品の分解斜視図である。 図２は、同上の電子部品の断面図である。 図３は、特許文献２に開示された電子部品の断面図である。 図４は、本発明の実施形態１による電子部品の構造を示す断面図である。 図５は、図４のＸ部拡大図である。 図６は、電子部品の基板を示す上面図である。 図７は、同上の基板からソルダーレジストを除いた状態の上面図である。 図８は、電子部品の基板の下面図である。 図９は、導電性接着樹脂の塗布方法を説明するための断面図である。 図１０は、実施形態１の変形例による電子部品の一部を示す断面図である。 図１１は、本発明の実施形態２による電子部品の構造を示す断面図である。 図１２は、図１１のＹ部拡大図である。 図１３は、実施形態２の電子部品の異なる組立状態を示す部分断面図である。 図１４は、実施形態２の変形例による電子部品の一部を示す断面図である。 図１５は、本発明の実施形態３による電子部品の構造を示す断面図である。 図１６は、本発明の実施形態４による電子部品の構造を示す断面図である。 図１７は、実施形態４の変形例による電子部品の一部を示す断面図である。 図１８は、本発明の実施形態５による電子部品の構造を示す断面図である。 図１９は、本発明の実施形態６による電子部品の構造を示す断面図である。 図２０は、実施形態６の電子部品の基板を示す上面図である。 図２１は、同上の基板からソルダーレジストを除いた状態の上面図である。 図２２は、本発明の実施形態７による電子部品の構造を示す部分断面図である。
符号の説明
　５１　　　電子部品
　５２　　　基板
　５３　　　半導体素子
　５４　　　導電性キャップ
　５５　　　アイランド部
　５７　　　接地電極
　５９　　　引き出し電極
　６７　　　ソルダーレジスト
　６８　　　ダイボンド樹脂
　６９　　　ボンディングワイヤ
　７０　　　フランジ
　７１　　　凹部
　７２　　　押し当て部
　７３　　　導電性接合部材
　８１　　　電子部品
　８２　　　メッキ層
　以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を説明する。
（第１の実施形態）
　図４は本発明の実施形態１による電子部品の構造を示す断面図、図５は図４のＸ部拡大図である。また、図６は基板の上面図、図７はソルダーレジスト（被覆部材）を除いた状態の基板の上面図、図８は基板の下面図である。ここに示す電子部品５１は、基板５２の上面に半導体素子５３を実装し、基板５２と導電性キャップ５４からなるパッケージ（ファラデーケージ）内に半導体素子５３を納めたものである。
　基板５２はプリント基板によって構成されており、図７に示すように、基板５２の上面には、絶縁板５２ａの上面に貼られたＣｕ等の金属薄膜をパターニングすることにより、アイランド部５５、パッド５６、接地電極５７が形成されている。接地電極５７は、基板５２の外周部において、アイランド部５５やパッド５６を囲むように形成されており、パッド５６はアイランド部５５の近傍に配置されている。また、接地電極５７内の領域のうち、アイランド部５５やパッド５６の無い領域には、表面側接地パターン５８が形成されている。これらのアイランド部５５、パッド５６、接地電極５７、表面側接地パターン５８は、溝６１、６２、６３によって互いに分離されている。
　図６に示すように、アイランド部５５の外周部を除く領域は、金属薄膜の表面を保護するためのソルダーレジスト６７によって覆われている。表面側接地パターン５８の表面もソルダーレジスト６７によって覆われている。さらに、接地電極５７の内周部から溝６３内の絶縁板５２ａが露出した部分にかかる領域にもソルダーレジスト６７が形成されている。例えば、幅０.２５ｍｍの接地電極５７に対しては、接地電極５７の内周部の幅０.１０ｍｍの範囲をソルダーレジスト６７により覆っている。これらのソルダーレジスト６７は、溶融状態のソルダーレジストをスクリーン印刷することによって基板５２の表面に均一な厚みに塗布した後、加熱することによって硬化させてある。なお、実施形態においては被覆部材としてソルダーレジストを用いているが、これ以外にもシルクパターンなどを用いてもよい。
　また、図８に示すように、基板５２の下面には、絶縁板５２ａの下面に貼られたＣｕ等の金属薄膜をパターニングすることにより、引き出し電極５９と裏面側接地パターン６０とが形成されている。この引き出し電極５９と裏面側接地パターン６０は、溝６４によって互いに分離されている。これらの引き出し電極５９や裏面側接地パターン６０は、電子部品５１を実装するための基板（例えば携帯電話用のマザーボード）にハンダ実装するためのパターンである。
　図４に示すように、絶縁板５２ａには表裏に貫通するようにビアホールが設けられており、パッド５６はビアホール６５によって引き出し電極５９に電気的に接続されており、アイランド部５５及び接地電極５７はビアホール６６によって裏面側接地パターン６０に接続されている。なお、表面側接地パターン５８は、同じくビアホールによって裏面側接地パターン６０に接続されていてもよく、あるいは電気的にグランドから浮いていてもよく、あるいは無くてもよい。もっとも、表裏の金属薄膜の面積をほぼ等しくすることにより基板５２の反りを防ぐことができるので、表面側接地パターン５８を設けてあることが望ましい。
　半導体素子５３は、各種センシング用のセンサチップ、ＬＳＩ、ＡＳＩＣなどの素子であって、ダイボンド樹脂６８によってアイランド部５５及びその上面のソルダーレジスト６７の上に接着固定されている。ダイボンド樹脂６８としてはシリコーン、エポキシ等の接着樹脂が用いられており、ダイボンド樹脂６８は外部環境からの余分な力を遮断している。半導体素子５３の端子とパッド５６とはボンディングワイヤ６９によって結線されており、よって半導体素子５３の端子は下面の引き出し電極５９に導通している。なお、基板５２の上面には、複数個の半導体素子が実装されていてもよく、また他の電気電子部品も実装されていてもよい。さらに、金属薄膜のパターンは、実装される半導体素子や電気電子部品などの形態に応じて適宜自由に設計しうる。
　導電性キャップ５４は、比抵抗の小さな金属材料によってキャップ状に形成されており、下面には半導体素子５３等を収容するための空間が形成されている。導電性キャップ５４の下端部全周には略水平に延びたフランジ７０が形成されている。フランジ７０の下面の先端側には全周にわたって凹部７１を設けてあり、フランジ７０の下面において凹部７１の奥（導電性キャップ５４の内部側）には全周にわたって凸部状の押し当て部７２が形成されている。
　この導電性キャップ５４は金属板をプレス加工することによって作製されており、凹部７１もプレス加工時に同時に形成されている。よって、切削加工によって凹部７１を形成する場合に比べれば、安価に、かつ小さな寸法ばらつきで凹部７１を形成することができる。
　導電性キャップ５４は半導体素子５３等を覆うようにして基板５２の上に載置され、フランジ７０下面の押し当て部７２が全周にわたって接地電極５７の上のソルダーレジスト６７に当接している。そして、フランジ７０の凹部７１と接地電極５７及びソルダーレジスト６７との間の空間に導電性接合部材７３を充填させてあり、導電性キャップ５４は導電性接合部材７３によって接地電極５７に接合固定されると共に、導電性接合部材７３の導電性によって接地電極５７に電気的に接続されて下面の裏面側接地パターン６０と同電位（グランド電位）となる。導電性接合部材７３としては、導電性エポキシ樹脂（例えば、銀フィラーを含有したエポキシ樹脂）やはんだ等の材料を用いる。
　しかして、このような電子部品５１によれば、グランドに接続される導電性キャップ５４とグランドに接続される裏面側接地パターン６０を有する基板５２によってファラデーケージが構成されるので、外部からの高周波ノイズを遮断することができ、半導体素子５３の外部ノイズによる影響を低減することができる。また、パッケージは、収容する半導体素子５３の種類に応じて密閉構造となっていてもよく、密閉構造でなくてもよい。例えば、耐湿性、耐薬品性を必要とする場合には、パッケージは気密性を持たせることが望ましい。あるいは、外部からのゴミ、光などを遮断すればよい場合には、パッケージで半導体素子５３等を覆ってあればよく、必ずしも気密性まで要求されない。あるいは、半導体素子５３として音響センサなどが実装されている場合には、導電性キャップ５４の頂部などに音響振動を通過させるための孔があいていてもよい。
　導電性接合部材７３にはボイド等でパッケージの外側と内側がつながる程度の孔が発生することがある。しかし、この実施形態のように導電性キャップ５４と基板５２が直接接触しており、しかもその外周側にしっかりとした接合部材溜まり（フィレット）が形成されていると、導電性キャップ５４と基板５２との接合部分における通気を遮断することができる。よって、パッケージに気密性を持たせたい場合には、その気密性を向上させることができる。
　また、この電子部品５１では、図５に示すように、フランジ７０の下面の押し当て部７２がソルダーレジスト６７に当接して押し当て部７２及びソルダーレジスト６７が導電性接合部材７３の内側で壁となるので、導電性キャップ５４を接合する際に溶融状態の導電性接合部材７３が内部へ流れ込むのを阻止することができ、内部に流れ込んだ導電性接合部材７３がパッド５６などの回路部分に触れて短絡を起こすのを防止できる。さらに、導電性接合部材７３を充填する空間の厚みは、ソルダーレジスト６７の厚さと凹部７１の高さの和となるので、導電性接合部材７３の厚みを稼ぐことができ、十分な量の導電性接合部材７３で接合を行えるとともに気泡の発生を防ぐことができ導電性キャップ５４を基板５２に強固に接合させることができる。さらに、フランジ７０の押し当て部７２が直接ソルダーレジスト６７の上面に当接しているので、電子部品５１の高さは導電性接合部材７３の厚みに関係なく基板５２の厚みと導電性キャップ５４の高さによって決まり、しかも、ソルダーレジスト６７の厚みはスクリーン印刷時のスクリーン厚により精度を出すことができるので、電子部品５１の高さ寸法のばらつきを低減し、電子部品５１の高さ精度を得ることができる。
　接地電極５７の一部をソルダーレジスト６７から露出させているのは、導電性接合部材７３によって接地電極５７と導電性キャップ５４とを電気的に導通させるためである。また、導電性接合部材７３はソルダーレジスト６７に対しては濡れ角が小さいので、接地電極５７の外側の端までソルダーレジスト６７で覆っていると、導電性接合部材７３が導電性接合部材７３の外周側へ流れ出る恐れがある。導電性接合部材７３は、ソルダーレジスト６７よりも接地電極５７（無機材料）に対して濡れ角が大きいので、この実施形態のように接地電極５７の外周側をソルダーレジスト６７から露出させていると、導電性接合部材７３が接地電極５７の外周側へ漏れにくくなる。
　図９は、基板５２に導電性キャップ５４を接合させて電子部品５１を組み立てる手順を説明するための断面図である。図９（ａ）に一部を示すスタンパ７４（転写ピン）は、接地電極５７の形状に合わせて環状ないし筒状に形成されたものである。導電性接合部材７３は、図９（ａ）のようにスタンパ７４の下面に塗布された後、接地電極５７のソルダーレジスト６７で覆われていない領域にスタンパ７４を押し付けることによって当該領域に転写される。ついで、フランジ７０を接地電極５７に位置合わせした状態で導電性キャップ５４を基板５２に重ね、図９（ｂ）のように凹部７１で導電性接合部材７３を押さえ、図９（ｃ）のように押し当て部７２をソルダーレジスト６７の上面に当接させる。このとき、導電性接合部材７３はフランジ７０で押さえられて凹部７１と接地電極５７との間の空間に広がるが、当該空間の内側の端は押し当て部７２とソルダーレジスト６７によって形成された壁で塞がれているので、導電性接合部材７３が導電性キャップ５４の内側へ流れ込むことがない。
　なお、導電性接合部材７３は、シリンジなどによって接地電極５７に沿って塗布するようにしてもよい。
（第１の実施形態の変形例）
　図１０は、実施形態１の変形例による電子部品の一部を示す断面図である。この変形例では、引き出し電極５９を覆うソルダーレジスト６７を除いてあり、フランジ７０の押し当て部７２を引き出し電極５９の表面に当接させている。このような形態では、フランジ７０と引き出し電極５９の間に充填された導電性接合部材７３の厚みは、凹部７１の高さと等しくなり、実施形態１の場合よりもやや薄くなる。また、フランジ７０と引き出し電極５９の間に充填された導電性接合部材７３は、その内側に位置する押し当て部７２が壁となるので、導電性キャップ５４の内側へ流れ込むことがない。
　なお、実施形態１においては、引き出し電極５９のソルダーレジスト６７から露出している面をＡｕメッキ等のメッキ層で覆っておいてもよい。変形例においても、引き出し電極５９の表面をＡｕメッキ等のメッキ層で覆っておいてもよい。
（第２の実施形態）
　図１１は、本発明の実施形態２による電子部品の構造を示す断面図である。また、図１２は、図１１のＹ部拡大図である。実施形態２の電子部品８１と実施形態１の電子部品５１との違いは、実施形態２の電子部品８１では、導電性キャップ５４のフランジ７０に凹部７１が設けられておらず、押し当て部７２が平坦になっている点だけである。
　実施形態２の電子部品８１では、フランジ７０下面の屈曲部近傍が押し当て部７２となっており、この押し当て部７２をソルダーレジスト６７の上面に当接させてあり、フランジ７０と接地電極５７との間に挟みこまれた導電性接合部材７３によって導電性キャップ５４を接地電極５７に接合すると共に電気的に接続している。
　よって、この構成では導電性接合部材７３の厚みは、ソルダーレジスト６７とほぼ同じ程度の厚み（およそ２０μｍ程度）となり、実施形態１の場合よりもやや薄くなる。しかし、この場合もソルダーレジスト６７よりも内側では、ソルダーレジスト６７の端面が壁となってソルダーレジスト６７が導電性キャップ５４の内部へ流れ込むのを防止しているので、内部に流れ込んだ導電性接合部材７３によって短絡が起きる恐れがない。また、この場合も、フランジ７０がソルダーレジスト６７に当接していて、電子部品８１の高さは導電性接合部材７３の厚みに関係なく基板５２の厚みと導電性キャップ５４の高さによって決まるので、電子部品８１の高さばらつきを低減させることができる。
　なお、導電性キャップ５４の接合の仕方によっては、フランジ７０の一部または全周において、図１３に示すように導電性接合部材７３が毛細管現象などで押し当て部７２とソルダーレジスト６７との間に浸入することがある。この場合には、厳密な意味では押し当て部７２はソルダーレジスト６７に当接していない。しかし、導電性接合部材７３は押し当て部７２よりも外側に塗布されており、しかも押し当て部７２はソルダーレジスト６７に十分強く押し付けられるので、導電性接合部材７３が押し当て部７２とソルダーレジスト６７との間に浸入したとしても、その膜厚は非常に薄くて導電性接合部材７３は表面張力によって押し当て部７２とソルダーレジスト６７との間に保持されるので、内側へ流れ込んで半導体素子５３等を短絡させる恐れはほとんどない。また、導電性接合部材７３が押し当て部７２とソルダーレジスト６７との間に浸入したとしても導電性接合部材７３が短絡を引き起こす恐れがないので、導電性キャップ５４を十分に強く基板５２に押し付けることができ、浸入した導電性接合部材７３の膜厚を十分に薄くできる。そのため、実質的には押し当て部７２がソルダーレジスト６７に当接していると言うことができ、この場合にも電子部品５１の高さのバラツキを小さくすることができる。（これらの点については、実施形態１等の他の実施形態ついても同様である。）
（第２の実施形態の変形例）
　図１４は、実施形態２の変形例による電子部品の一部を示す断面図である。この変形例では、接地電極５７の表面のうちソルダーレジスト６７から露出している領域をＡｕメッキ等の不銹性の金属からなるメッキ層８２によって覆い、接地電極５７を保護している。
（第３の実施形態）
　図１５は、本発明の実施形態３による電子部品の構造を示す断面図である。この電子部品においては、フランジ７０の先端（外周端縁）を斜め上方へ向けて傾斜もしくは湾曲させ（１点鎖線はフランジ７０の下面を延長した線分である。）、フランジ７０基部の押し当て部７２をソルダーレジスト６７の上面に当接させている。よって、フランジ７０の下面と接地電極５７の上のメッキ層８２との間の空間の厚みをソルダーレジスト６７の厚みよりも大きくすることができる。その結果、導電性接合部材７３の厚みを大きくでき、導電性キャップ５４の接合強度を高めることができる。
　なお、この実施形態においても、接地電極５７を覆っているソルダーレジスト６７を無くしても差し支えない。フランジ７０が傾斜もしくは湾曲しているので、フランジ７０基部の押し当て部７２を直接接地電極５７に当接させても、フランジ７０の外周部と接地電極５７との間に空間（隙間）が生じ、この空間に導電性接合部材７３を充填させて導電性キャップ５４を基板５２に接合させることができるからである。
（第４の実施形態）
　図１６は、本発明の実施形態４による電子部品の構造を示す断面図である。この実施形態においては、フランジ７０に凹部７１と押し当て部７２を形成された導電性キャップ５４を用いている。そして、導電性キャップ５４の押し当て部７２を、接地電極５７よりも内側において絶縁板５２ａの表面に当接させている。当接部分よりも外周側においては、接地電極５７を覆うように塗布された導電性接合部材７３によって凹部７１の内面と基板５２とを接合させている。
（第４の実施形態の変形例）
　図１７は、実施形態４の変形例による電子部品の一部を示す断面図である。この変形例においては、接地電極５７の内周側において接地電極５７から離して絶縁板５２ａの上面にソルダーレジスト６７を形成してある。このソルダーレジスト６７は、接地電極５７と平行となるようにして環状に形成されている。そして、フランジ７０の基部の押し当て部７２をソルダーレジスト６７の上面に当接させ、ソルダーレジスト６７の外周側において、接地電極５７を覆うように塗布された導電性接合部材７３によって押し当て部７２と基板５２とを接合させている。
（第５の実施形態）
　図１８は、本発明の実施形態５による電子部品の構造を示す断面図である。この実施形態の電子部品９１においては、樹脂（例えば、液晶ポリマー）を用いてキャップ形状に成形された樹脂モールド品のキャップ本体９２の表面全体（外面及び内面）を導電膜９３（例えば、１層または複数層のメッキ膜）で被覆して導電性キャップ５４を構成している。
　また、図示しないが、導電膜９３はキャップ本体９２の全面にわたってキャップ本体９２の内部に設けられていてもよい。この場合には、導電膜９３の一部をフランジ７０の下面に露出させておいて接地電極５７と導通させられるようにしておけばよい。
（第６の実施形態）
　図１９は、本発明の実施形態６による電子部品の構造を示す断面図である。図２０は、半導体素子５３を実装された基板５２を示す上面図、図２１はソルダーレジスト６７を形成する前の基板５２を示す上面図である。この実施形態の電子部品１０１に用いる基板５２では、図２１に示すように、アイランド部５５と表面側接地パターン５８と接地電極５７を一体に形成している。すなわち、実施形態１における溝６１、６３を無くしている。この結果、パッド５６だけが溝６２によって分離されている。これに伴って、ソルダーレジスト６７も、図２０に示すように、接地電極５７の外周部（導電性接合部材７３を塗布する領域）とパッド５６を除く金属薄膜領域の全体に形成している。
（第７の実施形態）
　図２２は、本発明の実施形態７による電子部品の構造を示す部分断面図である。この実施形態では、導電性キャップ５４の下端部を外周側に向けてやや屈曲または湾曲させて曲げ部１０２を設けてあり、曲げ部１０２の先端部下面を押し当て部７２としている。この実施形態では水平なフランジ７０が存在せず、押し当て部７２の外周側には十分に長い領域が存在していないが、この場合でも、図２２に示すように、押し当て部７２よりも外周側の曲げ部１０２先端面と接地電極５７との間に導電性接合部材７３を保持させて導電性キャップ５４を接地電極５７に接合させることができる。

Claims (5)

  1. 　基板の上面に半導体素子を実装し、前記基板の上面の前記半導体素子を囲む領域に接地電極を形成し、前記半導体素子を覆うようにして前記基板の上に導電性キャップを重ねて導電性接合部材により前記導電性キャップの下面全周を前記接地電極に接合させた電子部品において、
    　前記導電性キャップは下面の一部に押し当て部を有し、前記押し当て部よりも外周側において前記導電性キャップの下面と前記接地電極とを前記導電性接合部材によって接合させたことを特徴とする電子部品。
  2. 　前記接地電極の一部を被覆部材により覆って当該被覆部材で覆われた領域よりも外周側において前記接地電極の一部を当該被覆部材から露出させ、前記押し当て部を前記被覆部材の上面に配したことを特徴とする、請求項１に記載の電子部品。
  3. 　前記導電性キャップ下面の前記押し当て部よりも外周側において、前記導電性キャップの下面を前記押し当て部よりも上方へ窪ませたことを特徴とする、請求項１に記載の電子部品。
  4. 　前記押し当て部よりも外周側へ向かうに従って、前記導電性キャップの下面と前記接地電極との間の隙間が次第に大きくなるようにしたことを特徴とする、請求項１に記載の電子部品。
  5. 　前記押し当て部を前記接地電極の上面に配したことを特徴とする、請求項３または４に記載の電子部品。
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