JP2015002246A - モールドパッケージ - Google Patents

Abstract

【課題】基板上に搭載された電子部品の上下の両側がモールド樹脂で封止されている構成において、モールド樹脂の応力による電子部品へのダメージを軽減する。
【解決手段】基板１０と、基板１０の一面１１上に搭載された部品であって、基板１０の一面１１とは離間した素子部２１と素子部２１に一体化され基板１０の一面１１に接続された接続端子としてのリード２２とを有する電子部品２０と、基板１０の一面１１上に設けられ、電子部品２０とともに当該一面１１を封止するモールド樹脂３０と、を備え、モールド樹脂３０は、素子部２１の下面２１ａと基板１０の一面１１との間に充填されるとともに、素子部２１の上面２１ｂを被覆しており、モールド樹脂３０のうち素子部２１の下面２１ａ側に位置する部分の第１の厚さｔ１と、素子部２１の上面２１ｂの直上に位置する部分の第２の厚さｔ２とが、同等の厚さとされている。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板と、基板の一面に当該一面とは隙間を有しつつ接合部材を介して接合された電子部品と、基板の一面を電子部品とともに封止するモールド樹脂と、を備え、モールド樹脂は、電子部品と基板の一面との隙間にも充填されているモールドパッケージに関する。

従来より、この種のモールドパッケージとしては、基板と、基板の一面上に搭載された電子部品と、基板の一面上に設けられ、電子部品とともに当該一面を封止するモールド樹脂と、を備えたものが、提案されている（たとえば、特許文献１参照）。

ここで、電子部品がＱＦＰ（クワッドフラットパッケージ）やＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）等のミニモールド部品等である場合、電子部品の本体である素子部自体は、基板の一面とは離間している。そして、電子部品は、素子部に一体化された、リードやバンプ等の電極よりなる接続端子を有しており、この接続端子が、はんだや導電性接着剤等によって基板の一面の導体等に接合されている。

そのため、モールド樹脂は、電子部品の上部を被覆するだけでなく、電子部品と基板の一面との隙間にも充填されている。つまり、モールド樹脂は、素子部における基板の一面に対向する下面と基板の一面との間に充填されるとともに、素子部における下面とは反対側の上面を被覆したものとなる。

特開２０１０−１４１１５８号公報

ところで、上記従来のモールドパッケージの場合、通常は、電子部品における素子部の上面側のモールド樹脂の厚さが、素子部の下面側のモールド樹脂の厚さよりも大きいものとなっている。これは、基板の一面上に設けられている他の部品やワイヤ等を、モールド樹脂で確実に被覆する等の理由による。

しかしながら、電子部品の素子部の上下でモールド樹脂の厚さが異なることで、モールド樹脂の膨張、収縮等によりモールド樹脂に発生する応力が、電子部品の上下で異なるため、当該応力による電子部品へのダメージが懸念される。

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、基板上に搭載された電子部品の上下の両側がモールド樹脂で封止されている構成において、モールド樹脂の応力による電子部品へのダメージを軽減することを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、基板（１０）と、基板の一面（１１）上に搭載された部品であって、基板の一面とは離間した素子部（２１）と素子部に一体化され基板の一面に接続された接続端子（２２、２２ａ）とを有する電子部品（２０）と、基板の一面上に設けられ、電子部品とともに当該一面を封止するモールド樹脂（３０）と、を備え、モールド樹脂は、素子部における基板の一面に対向する下面（２１ａ）と基板の一面との間に充填されるとともに、素子部における下面とは反対側の上面（２１ｂ）を被覆しており、
モールド樹脂のうち素子部の下面と基板の一面との間に位置する部分の厚さである第１の厚さ（ｔ１）と、モールド樹脂のうち素子部の上面の直上に位置する部分の厚さである第２の厚さ（ｔ２）とが、同等の厚さとされていることを特徴とする。

それによれば、電子部品の素子部の上下でモールド樹脂の厚さが同等となるので、電子部品の上下でモールド樹脂に発生する応力も同等となる。そのため、本発明によれば、モールド樹脂の応力による電子部品へのダメージを軽減することができる。

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。

本発明の第１実施形態にかかるモールドパッケージを示す概略断面図である。 本発明の第２実施形態にかかるモールドパッケージを示す概略断面図である。 図２中の上視概略平面図である。 上記第２実施形態にかかるモールドパッケージの製造方法を示す工程図である。 図４に続く製造方法を示す工程図である。 図５に続く製造方法を示す工程図である。 本発明の第３実施形態にかかるモールドパッケージを示す概略断面図である。 本発明の第４実施形態にかかるモールドパッケージを示す概略断面図である。 本発明の第５実施形態にかかるモールドパッケージを示す概略断面図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
本発明の第１実施形態にかかるモールドパッケージＰ１について、図１を参照して述べる。このモールドパッケージＰ１は、たとえば自動車などの車両に搭載され、車両用の各種電子装置を駆動するための装置として適用されるものである。

本実施形態のモールドパッケージＰ１は、大きくは、基板１０と、基板１０の一面１１上に搭載された電子部品２０と、基板１０の一面１１上に設けられ電子部品２０とともに当該一面１１を封止するモールド樹脂３０と、を備えて構成されている。

図１に示されるように、基板１０は、電子部品２０が実装されると共にモールド樹脂３０にて覆われる一面１１と、その反対面となる他面１２とを有する板状部材をなすものである。具体的には、基板１０は、エポキシ樹脂等の樹脂をベースとしたプリント基板や、セラミックをベースとしたセラミック基板などによって構成されている。

ここで、基板１０の一面１１には、電子部品２０と接続するためのＣｕ等の金属よりなる導体１３が設けられている。そして、電子部品２０は、はんだや導電性接着剤等の接合部材４０を介して導体１３と電気的および機械的に接合されている。

電子部品２０は、基板１０の一面１１とは離間した素子部２１と、素子部２１に一体化され基板１０の一面１１にて導体１３に接続された接続端子２２と、を有するものとして構成されている。

ここでは、電子部品２０は、構成要素２４〜２６がパッケージ樹脂２３でモールドされたＱＦＰ（クワッドフラットパッケージ）やＳＯＰ（スモールアウトラインパッケージ）等よりなる。このパッケージ樹脂２３は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂等より構成されている。

この場合、素子部２１は、パッケージ樹脂２３で区画された部分、すなわち、パッケージ樹脂２３およびその内部の構成要素であるアイランド２４、半導体素子２５、ボンディングワイヤ２６により構成されたものである。更に言えば、素子部２１の外形はパッケージ樹脂２３の外形に相当する。一方、接続端子は、パッケージ樹脂２３と一体化されて一部がパッケージ樹脂２３より突出するリード２２により構成されている。

具体的には、図１に示されるように、電子部品２０の素子部２１は、Ｃｕ等よりなるアイランド２４上に半導体素子２５が搭載、固定され、半導体素子２５とＣｕ等よりなるリード２２とをＡｕやＡｌ等のボンディングワイヤ２６により接続してなる。そして、これらの構成要素２４〜２６は、パッケージ樹脂２３で封止されている。

ここで、パッケージ樹脂２３は、基板１０の一面１１に対向する下面２１ａ、この下面２１ａとは反対側の上面２１ｂ、および、これら上下面２１ａ、２１ｂの外縁にて当該上下面２１ａ、２１ｂ間に位置し当該上下面２１ａ、２１ｂを連結する側面２１ｃを有する板状をなす。典型的にはパッケージ樹脂２３は、矩形形状をなす。

つまり、本実施形態では、パッケージ樹脂２３の下面２１ａ、上面２１ｂ、側面２１ｃは、そのまま、素子部２１の下面２１ａ、上面２１ｂ、側面２１ｃに相当する。ここでは、素子部２１の下面２１ａおよび上面２１ｂは、パッケージ樹脂２３の表裏の板面であり、実質的に平坦面をなす。

そして、素子部２１の下面２１ａと基板１０の一面１１とは、離間して配置されている。また、電子部品２０においては、接続端子であるリード２２の一部が、アウターリードとして、パッケージ樹脂２３の側面２１ｃすなわち素子部２１の側面２１ｃより突出している。

そして、このリード２２のアウターリードは、曲げられて基板１０の一面１１側に延びており、接合部材４０を介して当該一面１１上の導体１３に接合されている。このような電子部品２０は、金型を用いたトランスファーモールド法やコンプレッションモールド法により形成される。

また、モールド樹脂３０は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂等より構成されるもので、金型を用いたトランスファーモールド法やコンプレッションモールド法により形成されている。本実施形態の場合、基板１０の一面１１側をモールド樹脂３０で封止しつつ、基板１０の他面１２側をモールド樹脂３０で封止せずに露出させた、いわゆるハーフモールド構造とされている。

このようなモールド樹脂３０による封止形態において、モールド樹脂３０は、素子部２１における下面２１ａと基板１０の一面１１との間に充填されるとともに、素子部２１における上面２１ｂを被覆している。つまり、この素子部２１については、下面２１ａ、上面２１ｂ、更に側面２１ｃは、モールド樹脂３０により被覆された被覆面として構成されている。

このような構成において、図１に示されるように、モールド樹脂３０のうち素子部２１の下面２１ａと基板１０の一面１１との間に位置する部分の厚さを、第１の厚さｔ１とし、モールド樹脂３０のうち素子部２１の上面２１ｂの直上に位置する部分の厚さを、第２の厚さｔ２とする。

そして、本実施形態のモールドパッケージＰ１では、モールド樹脂３０において素子部２１の直下部分の第１の厚さｔ１と、素子部２１の直上部分の第２の厚さｔ２とが、実質的に同等の厚さとされている。

次に、本実施形態のモールドパッケージＰ１の製造方法について、述べる。まず、導体１３を有する基板１０を用意し、導体１３上に、印刷法やディスペンス法等により、はんだや導電性接着剤等よりなる接合部材４０を配置する。

そして、接合部材４０を介して、電子部品２０を基板１０の一面１１上に搭載し、電子部品２０を基板１０に接合する。その後、このものを金型に設置し、トランスファーモールド法やコンプレッションモールド法等により、電子部品２０とともに基板１０の一面１１を封止するように、基板１０の一面１１上にモールド樹脂３０を設ける。

このとき、金型のキャビティ寸法を調整する等により、モールド樹脂３０における第１の厚さｔ１と第２の厚さｔ２とを同等の厚さとすることができる。こうして、モールド樹脂３０の成形に伴い、上記図１に示されるモールドパッケージＰ１が完成する。

ところで、本実施形態によれば、基板１０の一面１１上に搭載された電子部品２０の素子部２１の上側と下側とでモールド樹脂３０の厚さが同等となるので、電子部品２０の上下でモールド樹脂３０に発生する応力も同等となる。そのため、本実施形態によれば、モールド樹脂３０の応力による電子部品２０へのダメージを軽減することができる。

（第２実施形態）
本発明の第２実施形態にかかるモールドパッケージＰ２について、図２、図３を参照して、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。なお、図３では、基板１０の一面１１上から視たときの素子部２１と基板１０の凹部１４との平面的な位置関係をわかりやすく表すために、モールド樹脂３０を省略してある。

図２、図３に示されるように、本実施形態のモールドパッケージＰ２では、基板１０の一面１１のうち素子部２１の下面２１ａに対向する部位は、基板１０の一面１１より凹んだ凹部１４とされている。この凹部１４は、たとえばエッチング、プレス、切削等により形成される。

そして、本実施形態では、この基板１０の凹部１４の底面と素子部２１の下面２１ａとの間に充填されたモールド樹脂３０の厚さを第１の厚さｔ１として、この第１の厚さｔ１と第２の厚さｔ２とが、同等の厚さとされている。

また、図３に示されるように、本実施形態では、凹部１４の平面サイズは、素子部２１を基板１０の一面１１へ投影したときの投影面積よりも大きいものとしている。この場合、素子部２１の下部すなわち素子部２１の下面２１ａと基板１０の一面１１との間に、モールド樹脂３０が入り込みやすくなるという利点がある。

ここで、基板１０の一面１１上の導体１３は凹部１４の外側に位置しており、リード２２のアウターリードは凹部１４の外側にて導体１３に接合されている。なお、本実施形態において、この凹部１４の平面サイズは、上記サイズに限定するものではなく、上記素子部２１の投影面積と同等でもよいし、小さくてもよい。

本実施形態のモールドパッケージＰ２の製造方法について、図４〜図６を参照して述べておく。まず、まず、導体１３を有する基板１０を用意し（図４参照）、基板１０の一面１１のうち素子部２１の直下となる部位に、レーザ照射やエッチング等により凹部１４を形成する（図５参照）。

続いて、導体１３上に接合部材４０を配置し、接合部材４０を介して、電子部品２０を基板１０の一面１１上に搭載し、電子部品２０を基板１０に接合する（図６参照）。その後、上記第１実施形態と同様、電子部品２０とともに基板１０の一面１１を封止するように、基板１０の一面１１上にモールド樹脂３０を設ける。

こうして、上記図２、図３に示されるモールドパッケージＰ２が完成する。そして、本実施形態においても、電子部品２０の素子部２１の上側と下側とでモールド樹脂３０の厚さが同等となるので、モールド樹脂３０に発生する応力も同等となり、モールド樹脂３０の応力による電子部品２０へのダメージを軽減することができる。

（第３実施形態）
本発明の第３実施形態にかかるモールドパッケージＰ３について、図７を参照して、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。

図７に示されるように、本実施形態のモールドパッケージＰ３では、モールド樹脂３０のうち素子部２１の上面２１ｂの直上に位置する部分は、モールド樹脂３０の表面より凹んだ凹部３１とされている。このモールド樹脂３０の凹部３１は、たとえば型成形、エッチング、切削等により形成される。

そして、本実施形態では、このモールド樹脂３０の凹部３１の底面と素子部２１の上面２１ｂとの間におけるモールド樹脂３０の厚さを第２の厚さｔ２として、第１の厚さｔ１と第２の厚さｔ２とが、同等の厚さとされている。

ここで、本実施形態においては、モールド樹脂３０の凹部３１の平面サイズは、素子部２１を基板１０の一面１１へ投影したときの投影面積に対して、大きくてもよいし、同等でもよいし、小さくてもよい。そして、本実施形態においても、電子部品２０の素子部２１の上側と下側とでモールド樹脂３０の厚さが同等となるので、モールド樹脂３０の応力による電子部品２０へのダメージを軽減することができる。

なお、本第３実施形態と上記第２実施形態とを組み合わせてもよい。この場合、基板１０の凹部１４の底面と素子部２１の下面２１ａとの間に充填されたモールド樹脂３０の厚さを第１の厚さｔ１とし、且つ、モールド樹脂３０の凹部３１の底面と素子部２１の上面２１ｂとの間におけるモールド樹脂３０の厚さを第２の厚さｔ２とする。そして、これら第１の厚さｔ１と第２の厚さｔ２とが、同等の厚さとされたものになる。

（第４実施形態）
本発明の第４実施形態にかかるモールドパッケージＰ４について、図８を参照して、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。

図８に示されるように、本実施形態のモールドパッケージＰ４では、モールド樹脂３０のうち素子部２１の上面２１ｂの直上に位置する部分は、モールド樹脂３０の表面より突出する凸部３２とされている。このモールド樹脂３０の凸部３２は、たとえば型成形、エッチング、切削等により形成される。

そして、本実施形態では、このモールド樹脂３０の凸部３２の先端面と素子部２１の上面２１ｂとの間におけるモールド樹脂３０の厚さを第２の厚さｔ２として、第１の厚さｔ１と第２の厚さｔ２とが同等の厚さとされている。

ここで、本実施形態においては、モールド樹脂３０の凸部３２の平面サイズは、素子部２１を基板１０の一面１１へ投影したときの投影面積に対して、大きくてもよいし、同等でもよいし、小さくてもよい。そして、本実施形態においても、電子部品２０の素子部２１の上側と下側とでモールド樹脂３０の厚さが同等となるので、モールド樹脂３０の応力による電子部品２０へのダメージを軽減することができる。

なお、本第４実施形態と上記第２実施形態とを組み合わせてもよい。この場合、基板１０の凹部１４の底面と素子部２１の下面２１ａとの間に充填されたモールド樹脂３０の厚さを第１の厚さｔ１とし、且つ、モールド樹脂３０の凸部３２の先端面と素子部２１の上面２１ｂとの間におけるモールド樹脂３０の厚さを第２の厚さｔ２とする。そして、これら第１の厚さｔ１と第２の厚さｔ２とが、同等の厚さとされたものになる。

（第５実施形態）
本発明の第５実施形態にかかるモールドパッケージＰ５について、図９を参照して述べる。この図９は、上記第２実施形態において電子部品２０を変形したものであり、この点を中心に述べることとする。

図９に示されるように、本実施形態の電子部品２０は、ＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）やＣＳＰ（チップサイズパッケージ）等よりなるものである。具体的に、この電子部品２０は、配線基板やリードフレーム等よりなる板状の基材２４ａの上面に半導体素子２５が搭載、固定され、半導体素子２５と基材２４ａとをボンディングワイヤ２６により接続してなる。

そして、これらの構成要素２４ａ、２５、２６は、パッケージ樹脂２３で封止され、基材２４ａの下面はパッケージ樹脂２３より露出している。この場合、たとえば基材２４ａは矩形板状であり、パッケージ樹脂２３は、基材２４ａに対応した平面サイズを有する矩形板状をなす。

そして、本実施形態の電子部品２０においては、素子部２１は、基材２４ａ、パッケージ樹脂２３、およびパッケージ樹脂２３内部の構成要素である半導体素子２５、ボンディングワイヤ２６により構成されたものである。

そして、素子部２１の下面２１ａは、基材２４ａにおけるパッケージ樹脂２３より露出する下面に相当し、パッケージ樹脂２３の上面２１ｂ、側面２１ｃが、そのまま、素子部２１の上面２１ｂ、側面２１ｃに相当する。ここでも、素子部２１の下面２１ａおよび上面２１ｂは、実質的に平坦面をなす。そして、本実施形態においても、素子部２１の下面２１ａと基板１０の一面１１とは、離間して配置されている。

また、本実施形態の電子部品２０においては、接続端子は、素子部２１の下面２１ａにて部分的に設けられ、当該下面２１ａより突出する部品電極２２ａにより構成されている。この部品電極２２ａは、Ａｕやはんだ等よりなるバンプ等であり、この部品電極２２ａと導体１３とが、金属結合やはんだ接合等により接合されている。

そして、本実施形態においても、モールド樹脂３０は、素子部２１における下面２１ａと基板１０の一面１１との間に充填されるとともに、素子部２１における上面２１ｂを被覆している。つまり、本実施形態の素子部２１についても、下面２１ａ、上面２１ｂ更に側面２１ｃは、モールド樹脂３０により被覆された被覆面として構成されている。

このような構成において、図９に示されるように、基板１０の一面１１のうち素子部２１の下面２１ａに対向する部位は、基板１０の一面１１より凹んだ凹部１４とされている。そして、この基板１０の凹部１３の底面と素子部２１の下面２１ａとの間に充填されたモールド樹脂３０の厚さを第１の厚さｔ１として、この第１の厚さｔ１と第２の厚さｔ２とが、同等の厚さとされている。

そのため、本実施形態においても、モールド樹脂３０の応力による電子部品２０へのダメージを軽減することができる。なお、本実施形態では、凹部１４の平面サイズは、素子部２１を基板１０の一面１１へ投影したときの投影面積よりも小さく、部品電極２２ａよりも部品内周側に位置する。

また、本第５実施形態における電子部品２０を用いた場合でも、上記第２実施形態以外に、上記第１実施形態、上記第３実施形態、上記第４実施形態との組み合わせが適宜可能であることは言うまでもない。

（他の実施形態）
なお、電子部品２０としては、素子部２１と接続端子２２、２２ａとが一体化したものであればよく、上記各実施形態に示したようなパッケージ樹脂２３のモールドがなされたパッケージ部品以外にも、たとえばセラミックコンデンサ等であってもよい。セラミックコンデンサの場合、素子部の両端に露出する電極が接続端子となる。

また、上記図１等では、接続端子であるリード２２と導体１３との接合は、接合部材４０を介して行われていたが、接合部材４０を省略してリード２２と導体１３とを直接接触させることで、金属結合させたものであってもよい。

また、上記各実施形態のモールドパッケージは、ハーフモールド構造であったが、さらに、たとえばフルモールド構造のように、基板１０の他面１２側もモールド樹脂３０で封止されたものであってもよい。

また、基板１０の一面１１上には、上記各実施形態に示した電子部品２０以外にも、他の実装部品等が搭載されていてもよい。

なお、第１の厚さｔ１と第２の厚さｔ２とが同等であることについて言えば、この同等とは、必ずしも完全に同じ値である必要はなく、本発明の上記効果を奏する範囲、たとえば基板厚さ程度の大小差や、製造上の誤差を含むものである。

また、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能であり、また、上記各実施形態は、上記の図示例に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、上記各実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、位置関係等に限定されるものではない。

１０ 基板
１１ 基板の一面
２０ 電子部品
２１ 電子部品の素子部
２１ａ 素子部の下面
２１ｂ 素子部の上面
２２ 電子部品の接続端子としてのリード
２２ａ 電子部品の接続端子としての部品電極
３０ モールド樹脂
ｔ１ 第１の厚さ
ｔ２ 第２の厚さ

Claims (4)

1. 基板（１０）と、
   前記基板の一面（１１）上に搭載された部品であって、前記基板の一面とは離間した素子部（２１）と前記素子部に一体化され前記基板の一面に接続された接続端子（２２、２２ａ）とを有する電子部品（２０）と、
   前記基板の一面上に設けられ、前記電子部品とともに当該一面を封止するモールド樹脂（３０）と、を備え、
   前記モールド樹脂は、前記素子部における前記基板の一面に対向する下面（２１ａ）と前記基板の一面との間に充填されるとともに、前記素子部における前記下面とは反対側の上面（２１ｂ）を被覆しており、
   前記モールド樹脂のうち前記素子部の下面と前記基板の一面との間に位置する部分の厚さである第１の厚さ（ｔ１）と、前記モールド樹脂のうち前記素子部の上面の直上に位置する部分の厚さである第２の厚さ（ｔ２）とが、同等の厚さとされていることを特徴とするモールドパッケージ。
2. 前記基板の一面のうち前記素子部の下面に対向する部位は、前記基板の一面より凹んだ凹部（１４）とされており、
   この凹部の底面と前記素子部の下面との間に充填された前記モールド樹脂の厚さを前記第１の厚さとして、前記第１の厚さと前記第２の厚さとが同等の厚さとされていることを特徴とする請求項１に記載のモールドパッケージ。
3. 前記モールド樹脂のうち前記素子部の上面の直上に位置する部分は、前記モールド樹脂の表面より凹んだ凹部（３１）とされており、
   この凹部の底面と前記素子部の上面との間における前記モールド樹脂の厚さを前記第２の厚さとして、前記第１の厚さと前記第２の厚さとが同等の厚さとされていることを特徴とする請求項１または２に記載のモールドパッケージ。
4. 前記モールド樹脂のうち前記素子部の上面の直上に位置する部分は、前記モールド樹脂の表面より突出する凸部（３２）とされており、
   この凸部の先端面と前記素子部の上面との間における前記モールド樹脂の厚さを前記第２の厚さとして、前記第１の厚さと前記第２の厚さとが同等の厚さとされていることを特徴とする請求項１または２に記載のモールドパッケージ。

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