JPH03203354A - ガラスシール形半導体装置用パッケージ - Google Patents
ガラスシール形半導体装置用パッケージInfo
- Publication number
- JPH03203354A JPH03203354A JP1342894A JP34289489A JPH03203354A JP H03203354 A JPH03203354 A JP H03203354A JP 1342894 A JP1342894 A JP 1342894A JP 34289489 A JP34289489 A JP 34289489A JP H03203354 A JPH03203354 A JP H03203354A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cap
- sealing
- package
- glass
- protrusion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 13
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 6
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 abstract description 13
- 239000000155 melt Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 abstract 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/163—Connection portion, e.g. seal
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（！’Ｊ上の利用分野）
本発明は半導体＠１１用パッケージに関し、特に、ディ
スクリートのマイクロ波帯半導体デバイス用ガラスシー
ル形パッケージに関する。
スクリートのマイクロ波帯半導体デバイス用ガラスシー
ル形パッケージに関する。
第９図はこの種の半導体装置用パッケージの従来例の断
面図、第１０図は第９図におけるＡ部分の拡大断面図で
ある。
面図、第１０図は第９図におけるＡ部分の拡大断面図で
ある。
本従来例は、凹断面形状を有するキャップ５ａとセラミ
ック基板１とをガラスシール材７を介して封止したもの
であり、セラミック基板１上の所定の部分にはＡＵ（金
）電極２が形成（メタライズ）され、封止部分における
ＡＵ電極２上にはシール部材３ａが形成されている。こ
のシール部材３ａはアルミナ・セラミックからなり、セ
ラミック基板１の外周に沿って形成されており、製造時
には、このシール部材３ａと、ガラスシール材７が接着
されたキャップ５ａの先端部とを熱圧＠することにより
封着が行なわれる。また、ＡＵ電極２は、セラミック基
板１の裏面に形成されているリード端子４に接続されて
いる。
ック基板１とをガラスシール材７を介して封止したもの
であり、セラミック基板１上の所定の部分にはＡＵ（金
）電極２が形成（メタライズ）され、封止部分における
ＡＵ電極２上にはシール部材３ａが形成されている。こ
のシール部材３ａはアルミナ・セラミックからなり、セ
ラミック基板１の外周に沿って形成されており、製造時
には、このシール部材３ａと、ガラスシール材７が接着
されたキャップ５ａの先端部とを熱圧＠することにより
封着が行なわれる。また、ＡＵ電極２は、セラミック基
板１の裏面に形成されているリード端子４に接続されて
いる。
一般に、ガラスシール形の半導体ＩＩ用パッケージでは
、マイクロ波帝半導体＠、画の特質より、パッケージの
外形寸法が制限され、直径（幅）２麿程度と極めて小さ
い。これにともなって、パッケージとキャップとの封着
領域もかなり限定され、ガラスシール材の広がり範囲も
最小に抑える必要がある。
、マイクロ波帝半導体＠、画の特質より、パッケージの
外形寸法が制限され、直径（幅）２麿程度と極めて小さ
い。これにともなって、パッケージとキャップとの封着
領域もかなり限定され、ガラスシール材の広がり範囲も
最小に抑える必要がある。
上述した従来の半導体装置は、封着領域を限定するため
にガラスシール材の量を制限すると、封着強度および気
密性を充分に確保することが非常に困難となる。かとい
って、ガラスシール材を充分に使用すると、キャップの
封１部が平面なために、ガラスシール材がパッケージの
内部側へ流入し、ｆｉｌのインピーダンスが通常の分布
からずれるという欠点がある。
にガラスシール材の量を制限すると、封着強度および気
密性を充分に確保することが非常に困難となる。かとい
って、ガラスシール材を充分に使用すると、キャップの
封１部が平面なために、ガラスシール材がパッケージの
内部側へ流入し、ｆｉｌのインピーダンスが通常の分布
からずれるという欠点がある。
また、キャップの封着部分が平面であり、到着度におけ
るキャップの位置決めを作業者の目測によって行なって
いるため、位置ずれが生じやすいという欠点がある。
るキャップの位置決めを作業者の目測によって行なって
いるため、位置ずれが生じやすいという欠点がある。
本発明のカラスシール形半導体ＷＡ園用パッケージは、
キャップと基板とがカラスシール材により気密的に封止
されて構成された、ガラスシール形半導体装＠用パッケ
ージにおいて、 前記キャップの前記基板と接続される端部にお、すうパ
ッケージ内部側には、前記基板に向けて突出する突起部
が形成されており、前記基板上の前記キャップと接続さ
れる部分には、前記突起とかみ合うようにシール部材が
形成されていることを特徴とする。
されて構成された、ガラスシール形半導体装＠用パッケ
ージにおいて、 前記キャップの前記基板と接続される端部にお、すうパ
ッケージ内部側には、前記基板に向けて突出する突起部
が形成されており、前記基板上の前記キャップと接続さ
れる部分には、前記突起とかみ合うようにシール部材が
形成されていることを特徴とする。
（作用）
キャップの基板との接続部において設けられた突起部が
、封着時におけるガラスシール材のパッケージ内部への
流入を阻止するため、半導体装置の特性劣化が生じない
。また、基板上に形成されたシール部材が、キャップに
設けられた突起部とかみ合うため、キャップの基板への
封着位１！Ｆ１度を向上させることができる。
、封着時におけるガラスシール材のパッケージ内部への
流入を阻止するため、半導体装置の特性劣化が生じない
。また、基板上に形成されたシール部材が、キャップに
設けられた突起部とかみ合うため、キャップの基板への
封着位１！Ｆ１度を向上させることができる。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明のガラスシール形半導体装置用パッケー
ジの第１の実施例の断面図、第２図は第１図におけるＢ
部分の拡大！ＩＩ面図である。
ジの第１の実施例の断面図、第２図は第１図におけるＢ
部分の拡大！ＩＩ面図である。
本実施例が従来例と異なる点は、キャップ５ｂの端部の
内部側に突起部６が形成されていること、シール部材３
ｂがこの突起部６にかみ合った状態で封着されているこ
とである。
内部側に突起部６が形成されていること、シール部材３
ｂがこの突起部６にかみ合った状態で封着されているこ
とである。
本実施例における到着は熱圧着法を用いて行なわれるが
、ガラスシール材７が溶けてシール部材３ｂを覆う際、
突起部６がこの溶けたガラスシール材７のパッケージ内
部への流入を防止する。また、シール部材３ｂとキャッ
プの突起部６とを封着する際、その段差によって、キャ
ップの水平方向のずれが防止され、結果として、封着時
のキャップ５ｂの封着位置を容易に決定でき、位＠精度
が向上する。
、ガラスシール材７が溶けてシール部材３ｂを覆う際、
突起部６がこの溶けたガラスシール材７のパッケージ内
部への流入を防止する。また、シール部材３ｂとキャッ
プの突起部６とを封着する際、その段差によって、キャ
ップの水平方向のずれが防止され、結果として、封着時
のキャップ５ｂの封着位置を容易に決定でき、位＠精度
が向上する。
第３図および第４図はそれぞれ、第１の実施例のセラミ
ック基板１の封＠直前の状態における平面図および断面
図である。
ック基板１の封＠直前の状態における平面図および断面
図である。
セラミック基板１上にＡｕ？Ｕ極２がメタライズされて
♂３す、その上にシール部分３ｂが形成されており、リ
ード端子４は、基板１の裏面にロー付けによりＡｕ電＠
２と接続されている。
♂３す、その上にシール部分３ｂが形成されており、リ
ード端子４は、基板１の裏面にロー付けによりＡｕ電＠
２と接続されている。
第５図および第６図はそれぞれ、第１の実施例の封着直
前の状態におけるキャップ５ｂの平面図および断面図で
ある。
前の状態におけるキャップ５ｂの平面図および断面図で
ある。
キャップ５ｂは円筒形であり、キャップ５ｂの内壁に沿
って、突起部６が形成されており、ガラスシール材７が
、突起部６の外側に接着されている。
って、突起部６が形成されており、ガラスシール材７が
、突起部６の外側に接着されている。
このようなキャップ５ｂとセラミック基板１とを熱圧着
することにより第１図の半導体装置用パッケージが形成
される。
することにより第１図の半導体装置用パッケージが形成
される。
第７図は本発明の第２の実施例の断面図、第８図はこの
第２の実施例に用いられているセラミック基板１の平面
図である。
第２の実施例に用いられているセラミック基板１の平面
図である。
キャップ５Ｃは平面形状が、正方形となっており、これ
にともなってシール部材３Ｃも正方形形状に形成されて
いる。その他は同様の構造を有しており、前）本の実施
例と同様の効果が得られる。
にともなってシール部材３Ｃも正方形形状に形成されて
いる。その他は同様の構造を有しており、前）本の実施
例と同様の効果が得られる。
以上説明したように本発明は、キャップの接着部に突起
を形威し、かつシール部材をキャップの突起部にかみ合
うように封着することにより、ガラスシール材のパッケ
ージ内部への流入を防止でき、これによって、封着機に
流入したガラスシール材が引き起こす装置のインピーダ
ンスの通常の分布からのずれを防止できる効果がある。
を形威し、かつシール部材をキャップの突起部にかみ合
うように封着することにより、ガラスシール材のパッケ
ージ内部への流入を防止でき、これによって、封着機に
流入したガラスシール材が引き起こす装置のインピーダ
ンスの通常の分布からのずれを防止できる効果がある。
また、キャップの突起部とシール部材とのかみ合いによ
り位置決めがなされるので、キャップの位置ずれが防止
され、キャップのパッケージへの封着位置精度を向上で
きる効果がある。
り位置決めがなされるので、キャップの位置ずれが防止
され、キャップのパッケージへの封着位置精度を向上で
きる効果がある。
第１図は本発明のガラスシール形半導体装置用パッケー
ジの第１の実施例の断面図、第２図は第１図における８
部分の拡大断面図、第３図および第４図はそれぞれ第１
の実施例の塞板１の封着直前の状態における平面図およ
び断面図、第５図および第６図はそれぞれ、第１の実施
例の封着前の状態におけるキャップ５ｂの平面図および
断面図、第７図は本発明の第２の実施例の断面図、第８
図は第２の実施例に用いられているセラミック基板１の
平面図、第９図は従来例の断面図、第１０図は第９図の
Ａ部分の拡大断面図である。 １・・・セラミック基板、 ２・・・Ａｕ電極、 ３ａ、３ｂ、３Ｃ・・・シール部材、 ４・・・リード端子、 ５ａ、５ｂ、５ｃｍ・・キャップ、 ６・・・突起部、 ７・・・ガラスシール材。
ジの第１の実施例の断面図、第２図は第１図における８
部分の拡大断面図、第３図および第４図はそれぞれ第１
の実施例の塞板１の封着直前の状態における平面図およ
び断面図、第５図および第６図はそれぞれ、第１の実施
例の封着前の状態におけるキャップ５ｂの平面図および
断面図、第７図は本発明の第２の実施例の断面図、第８
図は第２の実施例に用いられているセラミック基板１の
平面図、第９図は従来例の断面図、第１０図は第９図の
Ａ部分の拡大断面図である。 １・・・セラミック基板、 ２・・・Ａｕ電極、 ３ａ、３ｂ、３Ｃ・・・シール部材、 ４・・・リード端子、 ５ａ、５ｂ、５ｃｍ・・キャップ、 ６・・・突起部、 ７・・・ガラスシール材。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、キャップと基板とがガラスシール材により気密的に
封止されて構成された、ガラスシール形半導体装置用パ
ッケージにおいて、 前記キャップの前記基板と接続される端部におけるパッ
ケージ内部側には、前記基板に向けて突出する突起部が
形成されており、前記基板上の前記キャップと接続され
る部分には、前記突起とかみ合うようにシール部材が形
成されていることを特徴とするガラスシール形半導体装
置用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1342894A JPH03203354A (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | ガラスシール形半導体装置用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1342894A JPH03203354A (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | ガラスシール形半導体装置用パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03203354A true JPH03203354A (ja) | 1991-09-05 |
Family
ID=18357339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1342894A Pending JPH03203354A (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | ガラスシール形半導体装置用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03203354A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2187435A1 (en) * | 2008-07-01 | 2010-05-19 | Omron Corporation | Electronic component |
-
1989
- 1989-12-29 JP JP1342894A patent/JPH03203354A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2187435A1 (en) * | 2008-07-01 | 2010-05-19 | Omron Corporation | Electronic component |
| EP2187435A4 (en) * | 2008-07-01 | 2013-11-13 | Omron Tateisi Electronics Co | ELECTRONIC COMPONENT |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001185635A (ja) | Ｍｅｍｓデバイスを有能するキャビティを具備するパッケージ | |
| GB2449596A (en) | Infrared sensor and method for manufacturing infrared sensor | |
| KR100270775B1 (ko) | 전자소자용 패키지 | |
| JPH03203354A (ja) | ガラスシール形半導体装置用パッケージ | |
| JP2006033413A (ja) | 圧電振動デバイス | |
| KR100431182B1 (ko) | 표면 탄성파 필터 칩 패키지 및 그 제조방법 | |
| CN113243081B (zh) | 晶体振动器件 | |
| JPH0341751A (ja) | 半導体装置用容器 | |
| JPH0240936A (ja) | 半導体装置のパッケージ | |
| KR100673645B1 (ko) | 칩 패키지 및 그 제조방법 | |
| JPH06163729A (ja) | 半導体装置のシール構造 | |
| JPH0743566A (ja) | 光パッケージ | |
| JP2001203302A (ja) | 半導体装置の接合構造 | |
| JPH0366150A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| KR20040089809A (ko) | 단일 패키지형 수정발진기 | |
| JPH07226493A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2543661Y2 (ja) | マイクロ波トランジスタ | |
| JPH0364935A (ja) | ガラス封止型半導体装置 | |
| JPH02105547A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0475356A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH10256410A (ja) | 固体イメージセンサ装置 | |
| JPS6182448A (ja) | 半導体パツケ−ジ | |
| JPS60161640A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0645866A (ja) | 弾性表面波素子 | |
| JPH05226716A (ja) | 簡易外装型電歪効果素子 |