JP2001203302A - 半導体装置の接合構造 - Google Patents
半導体装置の接合構造Info
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Abstract
設けられた保護膜の開口部内に搭載された半導体装置を
封止材で封止する際における封止材塗布作業を簡単とす
る。 【解決手段】 半導体装置1の下側の長辺とこれに対向
する保護膜5の開口部6の縁部との間隔D1は0.3〜
0.5mm程度となっており、残りの3つの間隔D2は
0.2mm程度となっている。そして、間隔D1の部分
に封止材を塗布すると、この塗布された封止材は毛細管
現象により半導体装置1とフィルム基板3との間に浸透
し、3つの間隔D2の部分において保護膜5の開口部6
の縁部までまたはその外側まで到達する。これは、3つ
の間隔D2が間隔D1よりも小さくて0.2mm程度と
なっているからである。したがって、間隔D1の部分に
封止材を塗布するだけの簡単な封止材塗布作業により、
保護膜5の開口部6内における回路基板3の接続端子4
を封止材で十分に覆うことができる。
Description
構造に関する。
例の封止前の状態の一部の平面図を示し、図5は図4の
X−X線に沿う部分に相当する封止後の状態の断面図を
示したものである。この半導体装置の接合構造はChip O
n Filmといわれるもので、、長方形状の半導体装置1の
下面周辺部に設けられたバンプ電極2がフィルム基板
(回路基板)3の上面に設けられた接続端子4に熱圧着
されて接合されていることにより、フィルム基板3上に
半導体装置1が搭載されている。
3の上面において半導体装置1搭載領域およびその周囲
を少なくとも除く部分にはソルダーレジストからなる保
護膜5が設けられている。すなわち、半導体装置1搭載
領域およびその周囲に対応する部分における保護膜5に
は長方形状の開口部6が設けられている。また、半導体
装置1とフィルム基板3との間および半導体装置1の周
囲にはエポキシ系樹脂からなる封止材7が設けられてい
る。
していないが、ディスペンサーの封止材吐出用のノズル
を半導体装置1の例えば図4における下側(図5では右
側)の長辺に沿って移動させながら、その近傍における
フィルム基板3上に封止材を塗布(サイドポッティン
グ)している。そして、この塗布された封止材が毛細管
現象により半導体装置1とフィルム基板3との間に浸透
することにより、半導体装置1とフィルム基板3との間
および半導体装置1の周囲に封止材7を形成している。
側の長辺とこれに対向する保護膜5の開口部6の縁部と
の間隔Dが0.3〜0.5mm程度ないと、塗布した封
止材を半導体装置1とフィルム基板3との間に浸透させ
ることができない。そこで、従来では、半導体装置1の
4辺の外面と保護膜5の開口部6の4辺の縁部との間隔
Dが全て0.3〜0.5mm程度となるようにしてい
る。
ように、半導体装置1の右側の長辺の外面と保護膜5の
間から塗布されて半導体装置1とフィルム基板3との間
に浸透した封止材7が、保護膜5の開口部6の対辺側の
縁部までに至らず、この部分におけるフィルム基板3の
接続端子4を封止材7で覆うことができず露出してしま
う。このようなことは、図4における左右の接続端子4
についても生じることがある。接続端子4の露出部分
は、当然、酸化やマイグレーション等の不具合を発生す
るものであるから、従来では、半導体装置1の一対の長
辺に沿ってまたは周囲全体に沿って封止材を塗布してい
るが、封止材吐出用のノズルによる封止材塗布箇所が2
箇所または4箇所となるばかりでなく、その移動距離も
長くなり、このため封止材塗布作業が面倒であるという
問題があった。この発明の課題は、封止材塗布作業を簡
単とすることである。
けた保護膜の内側に延出された接続端子と半導体装置に
設けられたバンプ電極を接合し、前記保護膜の開口部内
を封止材にて封止する半導体装置の接合構造において、
前記半導体装置の外面と前記保護膜の開口部の縁部との
間隔を、前記封止材の塗布側において、他の側よりも大
きくなしたものである。この発明によれば、半導体装置
の外面と保護膜の開口部の縁部との間隔を、封止材の塗
布側において、他の側よりも大きくなしているので、間
隔の小さい部分における保護膜の開口部の縁部まで、半
導体装置と回路基板との間を浸透してきた封止材を到達
させることができ、ひいては封止材塗布作業を簡単とす
ることができる。
ける半導体装置のの接合構造の封止前の状態の一部の平
面図を示し、図2は図1のX−X線に沿う部分に相当す
る封止後の状態の断面図を示したものである。これらの
図において、図4および図5と同一名称部分には同一の
符号を付し、その説明を適宜省略する。この実施形態で
は、図1において、半導体装置1の下側の長辺の外面と
これに対向する保護膜5の開口部6の縁部との間隔D1
は0.3〜0.5mm程度となっており、残りの3つの
間隔D2は0.2mm程度またはそれ以下となってい
る。
布すると、この塗布された封止材7は毛細管現象により
半導体装置1とフィルム基板3との間に浸透し、3つの
間隔D2の部分において保護膜5の開口部6の縁部まで
またはその外側まで到達する。これは、3つの間隔D2
が間隔D1よりも小さくて0.2mm程度またはそれ以
下となっているからである。したがって、間隔D1の部
分に封止材7を塗布するだけの簡単な封止材塗布作業に
より、保護膜5の開口部6内における回路基板3の接続
端子4を封止材7で十分に覆うことができる。
装置1の下面の左右辺部にバンプ電極が設けられていな
い場合、フィルム基板3にもそれに対応する接続端子が
設けられていないので、左右の間隔D2をD1として
も、別に問題はない。
長方形状である場合について説明したが、これに限ら
ず、正方形状であってもよい。ただし、この場合、図3
に示すように、下側と右側の間隔D1を0.3〜0.5
mm程度とし、残りの2つの間隔D2を0.2mm程度
またはそれ以下とする。そして、2つの間隔D1の部分
に封止材を塗布すると、この塗布された封止材を残りの
2つの間隔D2の部分において保護膜5の開口部6の縁
部までまたはその外側まで到達させることができる。ま
た、半導体装置1がボンディングされる基板は、フィル
ム基板に限らず、フェノール樹脂やセラミック等の硬質
基板、又はガラス基板等を用いるChip onBoardやChip o
n Glass等の手法にも適用可能である。
ば、半導体装置の外面と保護膜の開口部の縁部との間隔
を、封止材の塗布側において、他の側よりも大きくなし
ているので、間隔の小さい部分における保護膜の開口部
の縁部まで、半導体装置と回路基板との間を浸透してき
た封止材を到達させることができ、ひいては封止材塗布
作業を簡単とすることができる。
合構造の封止前の状態の一部の平面図。
状態の断面図。
接合構造の封止前の状態の一部の平面図。
状態の一部の平面図。
状態の断面図。
Claims (4)
- 【請求項1】 基板上に設けた保護膜の内側に延出され
た接続端子と半導体装置に設けられたバンプ電極を接合
し、前記保護膜の開口部内を封止材にて封止する半導体
装置の接合構造において、前記半導体装置の外面と前記
保護膜の開口部の縁部との間隔を、前記封止材の塗布側
において、他の側よりも大きくなしたことを特徴とする
半導体装置の接合構造。 - 【請求項2】 請求項1に記載の発明において、前記半
導体装置は長方形状であり、前記半導体装置の一の長辺
側のみを前記封止材の塗布側となしたことを特徴とする
半導体装置の接合構造。 - 【請求項3】 請求項1に記載の発明において、前記半
導体装置は正方形状であり、前記半導体装置の相隣接す
る二辺側を前記封止材の塗布側となしたことを特徴とす
る半導体装置の接合構造。 - 【請求項4】 請求項1〜3のいずれかに記載の発明に
おいて、前記4つの間隔のうち他の間隔よりも小さくな
っている間隔は0.2mm以下であり、前記他の間隔は
0.3〜0.5mm程度であることを特徴とする半導体
装置の接合構造。
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CN100388099C (zh) * | 2004-02-18 | 2008-05-14 | 友达光电股份有限公司 | 显示装置及其封装方法 |
JP2010535404A (ja) * | 2007-05-16 | 2010-11-18 | クゥアルコム・インコーポレイテッド | ダイ積層システムおよび方法 |
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