JPH08204098A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
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- JPH08204098A JPH08204098A JP1152595A JP1152595A JPH08204098A JP H08204098 A JPH08204098 A JP H08204098A JP 1152595 A JP1152595 A JP 1152595A JP 1152595 A JP1152595 A JP 1152595A JP H08204098 A JPH08204098 A JP H08204098A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】リードフレーム上に接着剤の他に絶縁層を延在
させることによって、金属板とリードフレーム間の貼合
わせ部、および金属板の端面とこれに臨むリードフレー
ム間で起こるショートを防止して信頼性を向上する。 【構成】予め接着剤２を塗布した金属条を用意し、これ
から所定の形状の金属板３が得られるように金型で打抜
きながらリードフレーム１上の貼合わせ部１ａに貼り合
わせる。リードフレーム１上には、その貼合わせ部１ａ
を包含する、これよりも広い所定領域１ｂに、当該領域
を覆う絶縁性被膜４を設けておく。両者を貼り合わせる
と、金属板３とリードフレーム１間の貼合わせ部１ａ、
および金属板端面３ａからはみ出した部分に、絶縁性被
膜４が延在するようになる。
させることによって、金属板とリードフレーム間の貼合
わせ部、および金属板の端面とこれに臨むリードフレー
ム間で起こるショートを防止して信頼性を向上する。 【構成】予め接着剤２を塗布した金属条を用意し、これ
から所定の形状の金属板３が得られるように金型で打抜
きながらリードフレーム１上の貼合わせ部１ａに貼り合
わせる。リードフレーム１上には、その貼合わせ部１ａ
を包含する、これよりも広い所定領域１ｂに、当該領域
を覆う絶縁性被膜４を設けておく。両者を貼り合わせる
と、金属板３とリードフレーム１間の貼合わせ部１ａ、
および金属板端面３ａからはみ出した部分に、絶縁性被
膜４が延在するようになる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はリードフレームに接着剤
を介して金属板を貼り合わせた半導体装置用リードフレ
ームに係り、特に金属板とリードフレーム間のショート
事故をなくすようにしたものに関する。
を介して金属板を貼り合わせた半導体装置用リードフレ
ームに係り、特に金属板とリードフレーム間のショート
事故をなくすようにしたものに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、素子の高密度化、高速化に伴っ
て、放熱性を高めた半導体装置用リードフレームの開発
が盛んになっている。放熱性を高めるために金属板をリ
ードフレームの厚さ方向に積層するが、特に最近になっ
て、予め接着剤を塗布した金属条を用意し、これを金型
で所定の形状に打抜きながらリードフレームに貼り合わ
せる方法が注目されるようになってきた。これによれ
ば、放熱板を低コストでリードフレームに貼り合わせる
ことができるという利点がある。図２に、そのようにし
て貼り合わされた半導体装置用リードフレーム構造の代
表例を示す。１はリードフレーム、２は接着剤、３は金
属板である。
て、放熱性を高めた半導体装置用リードフレームの開発
が盛んになっている。放熱性を高めるために金属板をリ
ードフレームの厚さ方向に積層するが、特に最近になっ
て、予め接着剤を塗布した金属条を用意し、これを金型
で所定の形状に打抜きながらリードフレームに貼り合わ
せる方法が注目されるようになってきた。これによれ
ば、放熱板を低コストでリードフレームに貼り合わせる
ことができるという利点がある。図２に、そのようにし
て貼り合わされた半導体装置用リードフレーム構造の代
表例を示す。１はリードフレーム、２は接着剤、３は金
属板である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】リードフレームに放熱
用の金属板を貼り合わせた半導体装置用リードフレーム
で特に問題となるのは、金属板とリード間の電気的な短
絡である。図２のＣ部の拡大図である図３に示すよう
に、リードフレーム１と接着剤付金属板３とが重なった
図中Ａの部分については、介在させる接着剤２に電気絶
縁性の高い、たとえば熱可塑性ポリイミド系接着剤を用
いることで問題を解決できる。
用の金属板を貼り合わせた半導体装置用リードフレーム
で特に問題となるのは、金属板とリード間の電気的な短
絡である。図２のＣ部の拡大図である図３に示すよう
に、リードフレーム１と接着剤付金属板３とが重なった
図中Ａの部分については、介在させる接着剤２に電気絶
縁性の高い、たとえば熱可塑性ポリイミド系接着剤を用
いることで問題を解決できる。
【０００４】しかし、金属板３の端面３ａがリードフレ
ーム１に臨む図中Ｂの箇所では、その両者の絶縁最短距
離は必然的に接着剤の厚みとなるが、接着剤の厚みは一
般に２０μｍ程度とかなり薄いため、次のような問題が
発生する。
ーム１に臨む図中Ｂの箇所では、その両者の絶縁最短距
離は必然的に接着剤の厚みとなるが、接着剤の厚みは一
般に２０μｍ程度とかなり薄いため、次のような問題が
発生する。
【０００５】（１）接着剤付金属条をプレス加工した場
合に発生する金属の打抜きばりが離脱するなどして発生
した導電性異物が、金属板端面とリードフレーム間に載
るなどして、金属板とリードフレーム間をショートさせ
る。
合に発生する金属の打抜きばりが離脱するなどして発生
した導電性異物が、金属板端面とリードフレーム間に載
るなどして、金属板とリードフレーム間をショートさせ
る。
【０００６】（２）半導体装置用リードフレームは、半
導体素子を搭載後パッケージ化されるが、パッケージの
レジンの吸湿が大きくなった際、金属板端面とリードフ
レーム間でマイグレーションが発生し、金属板とリード
フレーム間をショートさせる。ここでいうマイグレーシ
ョンは、リードフレームおよび金属板ともに銅としたと
きに発生するもので、半導体パッケージの製品として使
用する際に、リードフレームのリード側にかかる電位の
関係で、主に金属板側に銅が析出していく形で生じるマ
イグレーションである。
導体素子を搭載後パッケージ化されるが、パッケージの
レジンの吸湿が大きくなった際、金属板端面とリードフ
レーム間でマイグレーションが発生し、金属板とリード
フレーム間をショートさせる。ここでいうマイグレーシ
ョンは、リードフレームおよび金属板ともに銅としたと
きに発生するもので、半導体パッケージの製品として使
用する際に、リードフレームのリード側にかかる電位の
関係で、主に金属板側に銅が析出していく形で生じるマ
イグレーションである。
【０００７】（３）リードフレームと接着剤付金属板と
が重なったＡ部分の接着剤にピンホールなどによる絶縁
不良が生じると、金属板とリードフレーム間にショート
が起こるおそれがある。
が重なったＡ部分の接着剤にピンホールなどによる絶縁
不良が生じると、金属板とリードフレーム間にショート
が起こるおそれがある。
【０００８】本発明の目的は、リードフレームに絶縁層
を延在させることによって、従来技術の問題点を解消し
て、金属板の端面とリードフレーム間で起こるショート
を防止して信頼性を向上することが可能な半導体装置用
リードフレームを提供することにある。
を延在させることによって、従来技術の問題点を解消し
て、金属板の端面とリードフレーム間で起こるショート
を防止して信頼性を向上することが可能な半導体装置用
リードフレームを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、リードフレー
ムに金属板を貼り合わせた半導体装置用リードフレーム
において、金属板を貼り合わせるリードフレーム上の貼
合わせ部を包含し、これよりも広いリードフレーム上の
所定領域に絶縁性被膜を設け、上記リードフレーム上の
貼合わせ部に接着剤を介して金属板を貼り合わせたと
き、該金属板の端面から上記絶縁性被膜がはみ出すよう
にしたものである。
ムに金属板を貼り合わせた半導体装置用リードフレーム
において、金属板を貼り合わせるリードフレーム上の貼
合わせ部を包含し、これよりも広いリードフレーム上の
所定領域に絶縁性被膜を設け、上記リードフレーム上の
貼合わせ部に接着剤を介して金属板を貼り合わせたと
き、該金属板の端面から上記絶縁性被膜がはみ出すよう
にしたものである。
【００１０】この場合、被膜形成を容易にするために絶
縁性被膜をＰＩ樹脂で構成するとよい。また、信頼性を
より向上させるために、絶縁性被膜を厚さ１μｍ以上の
ＰＩ樹脂としたり、金属板の端面からはみ出す絶縁性被
膜の量を０．２mm以上とすることが好ましい。
縁性被膜をＰＩ樹脂で構成するとよい。また、信頼性を
より向上させるために、絶縁性被膜を厚さ１μｍ以上の
ＰＩ樹脂としたり、金属板の端面からはみ出す絶縁性被
膜の量を０．２mm以上とすることが好ましい。
【００１１】
【作用】本発明のように、リードフレーム上の貼合わせ
部よりも広い所定領域に絶縁性被膜を設け、その上から
金属板を接着すると、接着剤にピンホールが生じても絶
縁性被膜が介在しているから、リードフレームと金属板
間にショートが起こらない。また、金属板端面から絶縁
性被膜がはみ出していると、金属板の端面に臨むリード
フレームが絶縁性被膜で覆われるので、金属板端面とリ
ードフレーム間で起こるショートを有効に防止でき、信
頼性が向上する。
部よりも広い所定領域に絶縁性被膜を設け、その上から
金属板を接着すると、接着剤にピンホールが生じても絶
縁性被膜が介在しているから、リードフレームと金属板
間にショートが起こらない。また、金属板端面から絶縁
性被膜がはみ出していると、金属板の端面に臨むリード
フレームが絶縁性被膜で覆われるので、金属板端面とリ
ードフレーム間で起こるショートを有効に防止でき、信
頼性が向上する。
【００１２】この場合、リードフレーム上の所定領域に
厚さ１μｍ以上のＰＩ樹脂を設け、そこに金属板を貼合
わせると、リードフレームと金属板間に十分な絶縁性が
得られる。また、絶縁性被膜が金属板の端面からはみ出
す量が０．２mm以上あると、金属板端面とリードフレー
ム間で起こるショートを完全になくすことができる。
厚さ１μｍ以上のＰＩ樹脂を設け、そこに金属板を貼合
わせると、リードフレームと金属板間に十分な絶縁性が
得られる。また、絶縁性被膜が金属板の端面からはみ出
す量が０．２mm以上あると、金属板端面とリードフレー
ム間で起こるショートを完全になくすことができる。
【００１３】
【実施例】以下に本発明の実施例を説明する。図１は、
本実施例による半導体装置用リードフレームの金属板の
貼合わせ状況を示す要部断面図である。
本実施例による半導体装置用リードフレームの金属板の
貼合わせ状況を示す要部断面図である。
【００１４】金属板３を貼り合わせるリードフレーム１
上の貼合わせ部１ａを包含する当該部分よりも広いリー
ドフレーム１上の所定領域１ｂに、該領域を覆う絶縁性
被膜４が設けられる。この絶縁性被膜４は、リードフレ
ーム１上の貼合わせ側全面に設けてもよいが、図示例で
は、絶縁性被膜４の一部が、リードフレーム１上の金属
板３の貼合わせ部１ａに貼り合わせた金属板３の端面３
ａから、０．２mmほど外側にはみ出す程度に設けてあ
る。また、その厚さは５μｍとしてある。絶縁性被膜４
は、例えば熱可塑性ポリイミド樹脂から構成され、ＮＭ
Ｐ（Ｎ−メチル−２−ピロリジノン）などにより希釈さ
れた熱可塑性ＰＩ樹脂ワニスを乾燥することによってリ
ードフレーム１上の所定領域１ｂを被覆する。
上の貼合わせ部１ａを包含する当該部分よりも広いリー
ドフレーム１上の所定領域１ｂに、該領域を覆う絶縁性
被膜４が設けられる。この絶縁性被膜４は、リードフレ
ーム１上の貼合わせ側全面に設けてもよいが、図示例で
は、絶縁性被膜４の一部が、リードフレーム１上の金属
板３の貼合わせ部１ａに貼り合わせた金属板３の端面３
ａから、０．２mmほど外側にはみ出す程度に設けてあ
る。また、その厚さは５μｍとしてある。絶縁性被膜４
は、例えば熱可塑性ポリイミド樹脂から構成され、ＮＭ
Ｐ（Ｎ−メチル−２−ピロリジノン）などにより希釈さ
れた熱可塑性ＰＩ樹脂ワニスを乾燥することによってリ
ードフレーム１上の所定領域１ｂを被覆する。
【００１５】絶縁性被膜４でリードフレーム１上を被覆
するには、予め用意した弾性体パッドにスキージにて伸
ばした接着剤を転写し、さらにそのパッドを被印刷物に
押し付け再転写するパッド印刷法が好適であるが、ディ
スペンサを使って塗布するようにしてもよい。印刷また
は塗布した熱可塑性ＰＩ樹脂ワニスを約２００℃程度の
環境に数１０秒間さらすことで絶縁性被膜４は形成され
る。いずれの被覆法を用いても大量に安価に形成するこ
とができる。
するには、予め用意した弾性体パッドにスキージにて伸
ばした接着剤を転写し、さらにそのパッドを被印刷物に
押し付け再転写するパッド印刷法が好適であるが、ディ
スペンサを使って塗布するようにしてもよい。印刷また
は塗布した熱可塑性ＰＩ樹脂ワニスを約２００℃程度の
環境に数１０秒間さらすことで絶縁性被膜４は形成され
る。いずれの被覆法を用いても大量に安価に形成するこ
とができる。
【００１６】このようにして絶縁性被膜４をリードフレ
ーム１の所定領域１ｂに形成後、電気絶縁性の高い熱可
塑性ポリイミド系接着剤などの接着剤２を予め塗布した
金属条、例えば銅条を用意し、これを金型で所定の形状
に打抜きながらリードフレーム１の貼合わせ部１ａに貼
り合わせる。すると、前述したように金属板３の端面３
ａから外側に絶縁性被膜４が０．２mmはみ出すようにな
る。
ーム１の所定領域１ｂに形成後、電気絶縁性の高い熱可
塑性ポリイミド系接着剤などの接着剤２を予め塗布した
金属条、例えば銅条を用意し、これを金型で所定の形状
に打抜きながらリードフレーム１の貼合わせ部１ａに貼
り合わせる。すると、前述したように金属板３の端面３
ａから外側に絶縁性被膜４が０．２mmはみ出すようにな
る。
【００１７】絶縁性被膜４をＰＩ樹脂とした場合、その
厚さは１μｍ以上が好ましく、十分な絶縁性を得るには
５μｍ以上が特に好ましい。リードフレーム１と金属板
３との間に絶縁性の接着剤２に加えてさらに絶縁性被膜
４を介在させているので、両者間に高い絶縁性を保つこ
とができ、たとえ貼合わせ部１ａの接着剤２にピンホー
ルなどによる絶縁不良が生じても、絶縁性被膜４がこれ
をカバーし、金属板３とリードフレーム１間にショート
が起こるのを有効に防止することができる。また、絶縁
性被膜４は、金属板３の端面３ａから０．２mmもはみ出
してリードフレームを覆っているので、金属板端面３ａ
とリードフレーム１間の絶縁距離に起因したショート不
良を完全になくすことができる。
厚さは１μｍ以上が好ましく、十分な絶縁性を得るには
５μｍ以上が特に好ましい。リードフレーム１と金属板
３との間に絶縁性の接着剤２に加えてさらに絶縁性被膜
４を介在させているので、両者間に高い絶縁性を保つこ
とができ、たとえ貼合わせ部１ａの接着剤２にピンホー
ルなどによる絶縁不良が生じても、絶縁性被膜４がこれ
をカバーし、金属板３とリードフレーム１間にショート
が起こるのを有効に防止することができる。また、絶縁
性被膜４は、金属板３の端面３ａから０．２mmもはみ出
してリードフレームを覆っているので、金属板端面３ａ
とリードフレーム１間の絶縁距離に起因したショート不
良を完全になくすことができる。
【００１８】これにより、金属条のプレス加工により必
ずといってよいほど発生する打抜き離脱ばり等の導電性
ばりが、リードフレーム１と金属板端面３ａとの間に同
時に接触してショートするのを有効に回避することがで
きる。また、パッケージレジンの吸湿に起因して発生す
る金属板端面３ａとリードフレーム１間でのマイグレー
ションに対しても、マイグレーションの進展の可能な方
向は絶縁性被膜表面の方向となるが、マイグレーション
が０．２mm以上も発達することはあり得ないため、マイ
グレーションショートによるショートをなくすことがで
きる。
ずといってよいほど発生する打抜き離脱ばり等の導電性
ばりが、リードフレーム１と金属板端面３ａとの間に同
時に接触してショートするのを有効に回避することがで
きる。また、パッケージレジンの吸湿に起因して発生す
る金属板端面３ａとリードフレーム１間でのマイグレー
ションに対しても、マイグレーションの進展の可能な方
向は絶縁性被膜表面の方向となるが、マイグレーション
が０．２mm以上も発達することはあり得ないため、マイ
グレーションショートによるショートをなくすことがで
きる。
【００１９】
【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、リード
フレーム上の所定領域に絶縁性被膜を設けたので、金属
板とリードフレーム間で起こるショートを有効に防止
し、信頼性を向上できる。
フレーム上の所定領域に絶縁性被膜を設けたので、金属
板とリードフレーム間で起こるショートを有効に防止
し、信頼性を向上できる。
【００２０】請求項２に記載の発明によれば、リードフ
レームの所定領域に厚さ１μｍ以上のＰＩ樹脂を設ける
ようにしたので、リードフレームと金属板間を十分に絶
縁することができる。
レームの所定領域に厚さ１μｍ以上のＰＩ樹脂を設ける
ようにしたので、リードフレームと金属板間を十分に絶
縁することができる。
【００２１】請求項３に記載の発明によれば、金属板端
面からはみ出す絶縁性被膜の量を０．２mm以上としたの
で、金属板端面とリードフレーム間のショートをなくす
ことができる。
面からはみ出す絶縁性被膜の量を０．２mm以上としたの
で、金属板端面とリードフレーム間のショートをなくす
ことができる。
【図１】本発明の半導体装置用リードフレームの実施例
を説明するための接着剤付金属板の貼合わせ状況を示す
断面図。
を説明するための接着剤付金属板の貼合わせ状況を示す
断面図。
【図２】従来の半導体装置用リードフレームの断面図。
【図３】図２のＣ部の拡大図。
１ リードフレーム １ａ 貼合わせ部 １ｂ 所定領域 ２ 接着剤 ３ 金属板 ３ａ 端面 ４ 絶縁性被膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高萩 茂治 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社システムマテリアル研究所内 (72)発明者 米本 隆治 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社システムマテリアル研究所内 (72)発明者 鈴村 隆志 茨城県日立市助川町３丁目１番１号 日立 電線株式会社電線工場内
Claims (3)
- 【請求項１】リードフレームに金属板を貼り合わせた半
導体装置用リードフレームにおいて、金属板を貼り合わ
せるリードフレーム上の貼合わせ部を包含し、これより
も広いリードフレーム上の所定領域に絶縁性被膜を設
け、上記リードフレーム上の貼合わせ部に接着剤を介し
て金属板を貼り合わせたとき、該金属板の端面から上記
絶縁性被膜がはみ出すようにしたことを特徴とする半導
体装置用リードフレーム。 - 【請求項２】上記絶縁性被膜を、厚さ１μｍ以上のＰＩ
樹脂とした請求項１に記載の半導体装置用リードフレー
ム。 - 【請求項３】上記絶縁性被膜が金属板の端面からはみ出
す量を０．２mm以上とした請求項１または２に記載の半
導体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7011525A JP3064850B2 (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7011525A JP3064850B2 (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08204098A true JPH08204098A (ja) | 1996-08-09 |
| JP3064850B2 JP3064850B2 (ja) | 2000-07-12 |
Family
ID=11780394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7011525A Expired - Fee Related JP3064850B2 (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3064850B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6124642A (en) * | 1996-11-28 | 2000-09-26 | Nec Corporation | Lead structure for a semiconductor device with an isolating protective layer and method of fabricating the same |
| EP1276153A1 (en) * | 2001-01-11 | 2003-01-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Circuit board and production method therefor |
| US6791182B2 (en) | 2001-08-30 | 2004-09-14 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device |
| JP2019009164A (ja) * | 2017-06-21 | 2019-01-17 | 日本発條株式会社 | 回路基板およびその製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2561510A (en) | 2016-09-16 | 2018-10-17 | Maggiore Loren | Prepackaged bug gun magazine |
-
1995
- 1995-01-27 JP JP7011525A patent/JP3064850B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6124642A (en) * | 1996-11-28 | 2000-09-26 | Nec Corporation | Lead structure for a semiconductor device with an isolating protective layer and method of fabricating the same |
| KR100275611B1 (ko) * | 1996-11-28 | 2000-12-15 | 가네꼬 히사시 | 테이핑 리드 프레임 구조를 갖는 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| EP1276153A1 (en) * | 2001-01-11 | 2003-01-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Circuit board and production method therefor |
| EP1276153A4 (en) * | 2001-01-11 | 2005-05-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
| US6791182B2 (en) | 2001-08-30 | 2004-09-14 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device |
| JP2019009164A (ja) * | 2017-06-21 | 2019-01-17 | 日本発條株式会社 | 回路基板およびその製造方法 |
| JP2021132216A (ja) * | 2017-06-21 | 2021-09-09 | 日本発條株式会社 | 回路基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3064850B2 (ja) | 2000-07-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |