WO2004000857A1

WO2004000857A1 - 水素貯蔵方法、水素包接化合物及びその製造方法

Info

Publication number: WO2004000857A1
Application number: PCT/JP2003/007318
Authority: WO
Inventors: Minoru Yagi
Original assignee: Kurita Water Industries Ltd.
Priority date: 2002-06-19
Filing date: 2003-06-10
Publication date: 2003-12-31
Also published as: CN1659174A; JP4617880B2; CA2482087C; CN100519570C; AU2003242146A1; EP1428831A4; EP1428831A1; KR20050013192A; JPWO2004000857A1; MY133622A; TW200400935A; KR100653662B1; TWI294418B; US20040230084A1; US7220294B2; JP2009203159A; CA2482087A1

Abstract

　水素と水素包接化合物等の水素分子化合物を形成し得る有機化合物に、水素ガスを加圧状態で接触させる。水素を比較的軽量に、しかも常温常圧に近い状態で安定に貯蔵し、貯蔵した水素を容易に取り出すことができる。

Description

水素貯蔵方法、水素包接化合物及びその製造方法発明の分野

本発明は、水素を、比較的軽量に、しかも常温常圧に近い状態で安定に貯蔵することができ、また、貯蔵した水素を容易に取り出すことができる水素貯蔵方法と、水素を包接した水素包接化合物及びその製造方法に関する。発明の背景

近年、 c o ₂排出に伴う地球環境問題に対処する方策として、水素をエネルギー媒体とする新しいクリーンエネルギーシステムが提案されている。中でも燃料電池は、水素が酸素と結合して水になる際に発生する化学エネルギーを電気エネルギーとして取り出すエネルギー変換技術であり、自動車のガソリンエンジンに替わる動力源、家庭用オンサイト発電、 I T用の直流給電設備として、次世代の最も重要な技術の 1つとして注目されている。

しかしながら、水素燃料の最大の問題は、その貯蔵法と運搬法にある。

即ち、従来、水素の貯蔵法としては、様々な方法が提案され、その一つとして、高圧ガスボンベに水素を気体として貯蔵する方法がある。しかし、このような高圧貯蔵は、単純ではあるが、厚肉の容器が必要であり、そのため容器の重量が重く、貯蔵 ·運搬効率が低いために、例えば軽量化が重視される自動車等への適用は困難である。一方、水素を液体として貯蔵する場合には、気体水素に比較して貯蔵 ·運搬効率は向上するが、液体水素の製造には高純度の水素が必要であること、また液化温度が _ 2 5 2 . 6 という低温であり、このような超低温用の特殊な容器が必要であることなど、経済的に問題がある。水素貯蔵合金を用いることも提案されているが、合金自体の重量が重く、しかも M g系の軽量な水素貯蔵合金では水素を放出させる使用温度が 3 0 0 °C近い高温であるなどの問題がある。カーボンナノチューブなどの多孔性炭素素材などを用いることも提案されているが、水素貯蔵の再現性が低く、高圧条件での貯蔵となり、また、カーボンナノチューブの製造が容易ではないなど多くの問題がある。

本発明は、上記従来の問題点を解決する、新規な水素の貯蔵 ·運搬方法として有用な、水素を比較的軽量に、しかも常温常圧に近い状態で安定に貯蔵することができ、また貯蔵した水素の取り出しも容易な水素貯蔵方法を提供することを目的とする。

本発明は、また、上記従来の問題点を解決する、新規な水素の貯蔵 ·運搬方法として有用な、比較的軽量でしかも常温常圧に近い状態で水素を貯蔵することができる水素包接化合物とその製造方法を提供することを目的とする。発明の概要

本発明の水素貯蔵方法は、有機化合物に、水素ガスを加圧状態で接触させることを特徴とする。

なお、本発明において、有機化合物とは、グラフアイト、カーボンナノチューブ、フラーレンなどの炭素原子のみからなるものは包含せず、また、金属成分を含む有機金属化合物を包含するものであり、基本的には固体であるが、加圧状態で水素を包接可能であれば液体であってもよい。また、固体の場合、結晶状態であっても非曰

曰曰質であってもよい。

本発明者は、水素を貯蔵する方法について鋭意検討を行った結果、有機化合物に水素ガスを加圧状態で接触させることにより、水素を比較的軽量で常温常圧に近い条件で安定に保持し得る水素分子化合物等として、容易に貯蔵することができることを見出した。

本発明でいう分子化合物とは、単独で安定に存在することのできる化合物の 2種類以上の化合物が水素結合やファンデルワールス力などに代表される、共有結合以外の比較的弱い相互作用によって結合した化合物であり、水化物、溶媒化物、付カロ化合物、包接化合物などが含まれる。このような水素分子化合物は、水素分子化合物を形成する有機化合物と水素との加圧下での接触反応により形成することができ、比較的軽量で常温常圧に近い状態で水素を貯蔵することができ、かつ、この水素分子化合物からは簡単な加熱等で水素を放出させることが可能である。

本発明に係る水素分子化合物としては、有機化合物と水素分子との接触反応により水素分子を包接した水素包接化合物が挙げられる。

本発明の水素包接化合物は、ホスト化合物と水素との接触反応により水素を包接したことを特徴とする。

ホスト化合物に水素を接触反応させることにより、水素をホスト化合物に対して選択的かつ安定に包接させることができ、水素を常温、常圧条件で貯蔵し、また貯蔵した水素を比較的低温で放出させることができる。

本発明において、ホスト化合物としては多分子系ホスト化合物、特にフヱノール系ホスト化合物やイミダゾール系化合物を用いることが好ましい。

本発明の水素包接化合物の製造方法は、ホスト化合物を溶媒に溶解し、この溶液中に水素を流通しながら前記ホスト化合物を再結晶させると共に前記ホスト化合物の結晶格子中に水素分子を挿入することを特徴とするものであり、常温常圧条件にて、ホスト化合物に水素を包接させた水素包接化合物を効率的に製造することができる。

本発明の別の実施の形態に係る水素包接化合物の製造方法は、ホスト化合物に、水素ガスを加圧状態で接触させることを特徴とする。図面の簡単な説明

図 1は、実施例 1における B H Cの水素貯蔵性能評価結果を示すグラフである。図 2は、実施例 2における B H Cの水素貯蔵性能評価結果を示すグラフである。図 3は、実施例 3における B Aの水素貯蔵性能評価結果を示すグラフである。図 4は、実施例 4における T H P E Yの水素貯蔵性能評価結果を示すグラフである。

図 5は、実施例 5における TM P Eの水素貯蔵性能評価結果を示すグラフである。図 6は、実施例 6における T P Eの水素貯蔵性能評価結果を示すグラフである。図 7は、実施例 7における D B D C Aの水素貯蔵性能評価結果を示すグラフである。図 8は、実施例 8における F B D C Aの水素貯蔵性能評価結果を示すグラフである。

図 9は、実施例 9における T P B DMの水素貯蔵性能評価結果を示すグラフである。

図 1 0は、実施例 1 0における T P HD Dの水素貯蔵性能評価結果を示すグラフ図 1 1は、実施例 1 1における C P P I Zの水素貯蔵性能評価結果を示すダラフである。

図 1 2は、実施例 1 2における T H P E Aの水素貯蔵性能評価結果を示すグラフである。

図 1 3は、実施例 1 3における H Qの水素貯蔵性能評価結果を示すグラフである。図 1 4は、実施例 1 4における尿素の水素貯蔵性能評価結果を示すグラフである。図 1 5は、実施例 1 5における A Cの水素貯蔵性能評価結果を示すグラフである。図 1 6は、実施例 1 6における C Dの水素貯蔵性能評価結罘を示すグラフである。図 1 7は、実施例 1 7における G AMの水素貯蔵性能評価結果を示すグラフである。

図 1 8は、実施例 1 8における D C Aの水素貯蔵性能評価結果を示すグラフである。

図 1 9は、実施例 1 9におけるセルロースの水素貯蔵性能評価結果を示すグラフである。

図 2 0は、実施例 2 0におけるキトサンの水素貯蔵性能評価結果を示すグラフで

¾> 。

図 2 1は、実施例 2 1における T T Pの水素貯蔵性能評価結果を示すグラフである。

図 2 2は、実施例 2 2で製造された水素包接化合物（結晶 A) の I Rスぺクトル図である。

図 2 3は、実施例 2 2で製造されたメタノ一ル包接化合物（結晶 B ) の I Rスぺクトル図である。図 2 4は、図 2 2の I Rスぺクトル図と図 2 3の I Rスぺクトル図を重ね合わせた図である。

図 2 5は、実施例 2 2で製造された水素包接化合物（結晶 A) の T G— D T A測定図である。

図 2 6は、実施例 2 2で製造されたメタノール包接化合物（結晶 B) の T G— D T A測定図である。詳細な説明

[水素貯蔵方法の説明]

以下に本発明の水素貯蔵方法の実施の形態を詳細に説明する。

本発明において、水素の貯蔵に用いる有機化合物は、炭素原子のみからなるものを除く有機化合物であって、水素ガスと加圧下で接触させることにより水素を貯蔵できるものであれば良く、特に制限はない。この有機化合物は、金属成分を含まないものであっても、また、金属成分を含む有機金属化合物であっても良い。

水素分子化合物のうち、水素分子を包接した水素包接化合物を形成する有機化合物としては、単分子系、多分子系、高分子系などが知られている。

単分子系ホスト化合物としては、シクロデキストリン類、クラウンエーテル類、クリプタンド類、シクロフアン類、ァザシクロフアン類、力リックスアレン類、シクロトリべラトリレン類、スフエランド類、環状オリゴペプチド類などが挙げられる。また多分子系ホスト化合物としては、尿素類、チォ尿素類、デォキシコール酸類、ペルヒドロトリフエ二レン類、トリー o—チモチド類、ビアンスリル類、スピロビフノレオレン類、シクロフォスファゼン類、モノアノレコーノレ類、ジォーノレ類、ァセチレンァノレコーノレ類、ヒドロキシベンゾフエノン類、フエノーノレ類、ビスフエノール類、トリスフェノール類、テトラキスフエノール類、ポリフエノール類、ナフトール類、ビスナフトール類、ジフヱニルメタノール類、カルポン酸アミド類、チオアミド類、ビキサンテン類、カルボン酸類、イミダゾール類、ヒドロキノン類などが挙げられる。また、高分子系ホスト化合物としては、セルロース類、デンプン類、キチン類、キトサン類、ポリビエルアルコール類、 1， 1， 2， 2—テトラキスフェニルェタンをコアとするポリエチレングリコールアーム型ポリマー類、 a , a , α ' , α，ーテトラキスフエニゾレキシレンをコアとするポリエチレングリコーノレアーム型ポリマー類などが挙げられる。

また、その他に有機リン化合物、有機ケィ素化合物なども挙げられる。

更に、有機金属化合物にもホスト化合物としての性質を示すものがあり、例えば有機アルミニウム化合物、有機チタン化合物、有機ホウ素化合物、有機亜鉛化合物、有機ィンジゥム化合物、有機ガリゥム化合物、有機テルル化合物、有機スズ化合物、有機ジルコニウム化合物、有機マグネシウム化合物などが挙げられる。また、有機カルボン酸の金属塩や有機金属錯体などを用いることも可能であるが、有機金属化合物であれば、特にこれらに限定されるものではない。

これらのホスト化合物のうち、包接能力がゲスト化合物の分子の大きさに左右されにくい多分子系ホスト化合物が好適である。

多分子系ホスト化合物としては、具体的には、尿素、 1， 1 , 6， 6—テトラフェニルへキサ _ 2， 4—ジイン _ 1， 6 -ジオール、 1， 1―ビス ( 2， 4ージメチルフエニル）一 2—プロピン一 1一オール、 1， 1， 4， 4—テトラフエ二ルー 2—ブチン一 1， 4 -ジオール、 1， 1， 6， 6ーテトラキス ( 2 , 4—ジメチルフエ二ノレ）一 2， 4一へキサジイン一 1， 6一ジオール、 9， 1 0—ジフエ二ノレ一 9， 1 0—ジヒドロアントラセン一 9， 1 0—ジオール、 9， 1 0—ビス（4—メチルフエニル）一 9， 1 0—ジヒドロアントラセン一 9， 1 0—ジオール、 1， 1， 2， 2—テトラフエニノレエタン一 1， 2—ジオール、 4—メトキシフエノーノレ、 2， 4ージヒドロキシベンゾフエノン、 4， 4，ージヒドロキシベンゾフエノン、 2， 2，ージヒドロキシベンゾフエノン、 2， 2，， 4， 4，ーテトラヒドロキシベンゾフエノン、 1， 1一ビス ( 4—ヒドロキシフエニル) シク口へキサン、 4 , 4，一スノレホニノレビスフエノーノレ、 2， 2，ーメチレンビス ( 4—メチルー 6 - tーブチルフエノーノレ）、 4， 4， —ェチリデンビスフエノーノレ、 4， 4，ーチォビス ( 3 - メチルー 6— t _ブチルフェノール）、 1， 1， 3—トリス（2—メチル一 4ーヒドロキシ _ 5— t—ブチルフエニル）ブタン、 1， 1， 2， 2—テトラキス（4—ヒドロキシフエ二ノレ）ェタン、 1， 1， 2， 2—テトラキス（4—ヒドロキシフエ二ノレ）エチレン、 l， 1， 2, 2—テトラキス (3—メチノレ一 4—ヒドロキシフエ二ル）ェタン、 1， 1， 2, 2—テトラキス (3—フノレオロー 4—ヒドロキシフエ二ノレ）ェタン、 α， , ', ' ーテトラキス（ 4—ヒドロキシフエ二ノレ) 一 p—キシレン、テトラキス（p—メトキシフエ二ノレ）エチレン、 3， 6， 3，， 6，ーテトラメトキシ _ 9， 9，一ビー 9 H—キサンテン、 3， 6， 3，， 6，ーテトラァセトキシー 9， 9， _ビ一 9 H—キサンテン、 3， 6， 3，， 6，一テトラヒドロキシ一 9， 9，一ビ一 9 H—キサンテン、没食子酸、没食子酸メチル、カテキン、ビス一 β一ナフトーノレ、 a， a, a ', a， —テトラフエ二/レー 1 , 1 ' 一ビフエ二ノレ一 2， 2，一ジメタノーノレ、ジフェン酸ビスジシクロへキシノレアミド、フマノレ酸ビスジシクロへキシルアミド、コール酸、デォキシコール酸、 1， 1， 2， 2—テトラフエニノレエタン、テトラキス (p—ョードフエニル) エチレン、 9, 9，一ビアンスリノレ、 1， 1， 2, 2—テトラキス (4一力ノレポキシフエ二ノレ) エタン、 1， 1， 2， 2ーテトラキス (3一力ルポキシフエニル）ェタン、アセチレンジカルボン酸、 2, 4， 5 _ トリフヱニルイミダゾール、 1， 2， 4， 5—テトラフエ二ルイミダゾ一ル、 2 _フエユルフェナント口 [9， 1 0 - d] イミダゾーノレ、 2 - ( o一シァノフエニル) フエナント口 [9， 1 0— d] イミダゾール、 2 - (m—シァノフエ二ル）フエナント口 [9， 1 0— d] ィミダゾール、 2一 (p—シァノフエニル) フェナント口 [ 9， 1 0— d] イミダゾーノレ、ヒドロキノン、 2— tーブチノレヒドロキノン、 2， 5—ジ一 t—ブチノレヒドロキノン、 2， 5—ビス (2， 4ージメチルフエニル）ヒドロキノン、などが挙げられる。ホスト化合物としては、上記したものの中でも 1， 1一ビス（4—ヒドロキシフエニル）シクロへキサン、 1， 1， 2， 2ーテトラキス (4—ヒドロキシフエニル）ェタン、 1， 1， 2， 2ーテトラキス (4—ヒドロキシフエニル) エチレンのようなフエノール系ホスト化合物、テトラキス (ρ—メトキシフエ二ノレ) エチレン、 9， 9，一ビアンスリノレ、 1， 1， 2, 2—テトラフヱニノレエタンのような芳香族ホスト化合物、また、ジフヱン酸ビス（ジシクロへキシルアミド）、フマル酸ビスジシクロへキシルアミドのようなアミド系、， a, a ', a，ーテトラフエニノレー 1， 1，一ビフエ二ノレ一 2， 2，ージメタノール、 1， 1， 6， 6—テトラフエニルへキサー 2， 4ージイン一 1， 6—ジォ一ノレのようなァノレコーノレ系、 2— （m シァノフエ二ノレ）フエナント口 [ 9， 1 0 - d ] イミダゾーノのようなイミダゾーノレ系、トリ一 m—トリノレフォスフィンのような有機リン化合物が包接能力の面で有利である。

これらのホスト化合物は 1種を単独で用いても良く、 2種以上を併用しても良い。有機化合物は、水素ガスとの接触効率等の面から、特に、粉末状の固体であることが好ましいが、何らこれに限定されず粒状、塊状であっても良く、さらに結晶状、非晶状 (アモルファス状) のいずれでもよい。また、液体、気体状態であっても良い。有機化合物が粉末状の固体である場合、その粒径には特に制限はないが、通常の場合、 1 mm以下程度であることが好ましい。

また、これらの有機化合物は、多孔質物質に担持させた有機化合物含有複合素材として使用することもできる。この場合、有機化合物を担持する多孔質物質としては、シリカ類、ゼォライト類、活性炭類の他に、粘土鉱物類、モンモリロナイト類などの層間化合物などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。このような有機化合物含有複合素材は、前述の有機化合物を、これを溶解することのできる溶媒に溶解させ、その溶液を多孔質物質中に含浸させ、溶媒を乾燥、減圧乾燥するなどの方法で製造することができる。多孔質物質に対する有機化合物の担持量としては特に制限はないが、通常の場合、多孔質物質に対して 1 0〜8 0重量％程度である。

前述の 1， 1—ビス（4—ヒドロキシフエニル）シクロへキサン、ジフェン酸ビス（ジシクロへキシルアミド）のようなホスト化合物は、種々のゲスト分子を取り込み、結晶性の包接化合物を形成することが知られている。また、ゲスト化合物（固体，液体，気体のいずれの状態であっても良い。）と直接接触反応させることにより包接化合物が形成されることも知られている。本発明では、水素ガスという気体分子を、ホスト化合物としての有機化合物と加圧状態で接触反応させて包接化合物中に水素分子を取り込ませることにより、水素を安定に貯蔵することができる。

水素ガスと固体の有機化合物とを接触させる加圧条件としては、圧力が高いほど、水素の貯蔵量及び貯蔵速度が大きくなる傾向にあり好ましいが、反面、加圧設備が高くつくばかり力、高圧ガス保存法の条件を満足する必要がでてくる。通常の場合加圧条件としては、 1. 0 X 1 0_^lt}MP a以上、好ましくは、 1. 0 X 1 0一¹⁰ 〜20 OMP aの加圧条件、特に 0. 1〜7 OMP a、実質的にはとりわけ 0. 1 〜0. 9MP a程度常圧よりも高い加圧条件であることが好ましい。

また、接触時間も長いほど水素の貯蔵量を多くすることができるが、作業効率等の面から 0. 01〜24時間程度とするのが好ましい。

なお、有機化合物と接触させる水素ガスは、高純度水素ガスが好ましいが、後述のように、水素の選択的包接能を有したホスト化合物を用いる場合には、水素ガスと他のガスとの混合ガスであっても良い。

このようにして得られる水素包接化合物は、用いたホスト化合物の種類、水素との接触条件等によっても異なるが、通常ホスト化合物 1モルに対して水素分子 0. ：!〜 20モルを包接した水素包接化合物である。

このような水素包接化合物は、常温常圧において、長期に亘り水素を安定に包接する。しかも、この水素包接化合物は、水素貯蔵合金と比べ、軽量で取り扱い性にも優れ、しかも固体状であるため、この水素包接化合物は粒径 lmm以下程度の粉末としてガラス、金属、プラスチック等の容器に入れて容易に貯蔵 ·運搬することができる。

本発明方法により、水素を貯蔵した状態から水素を取り出す方法としては、水素加圧状態で貯蔵されている場合には、その加圧状態を減圧することで取り出すことができ、また、加熱することでも取り出すことができる。さらに、加熱と減圧を同時に行うことで、貯蔵された水素を取り出すこともできる。

特に、前述の水素包接化合物から水素を放出させるには、ホスト化合物の種類にもよるが、常圧又は常圧から 1. 0 X 1 0— ²〜1. 0 X 1 0一⁵ MP a程度の減圧下、 30〜200°C、特に 40〜100°C程度に加熱すれば良く、これにより容易に水素包接化合物中から水素を放出させて各種用途に用いることができる。

なお、水素包接化合物から水素を放出した後のホスト化合物は、水素の選択的包接能を有し、有効に再利用可能である。

以下に実施例を挙げて本発明の水素貯蔵方法をより具体的に説明する。なお、以下の実施例 1〜 19において、水素貯蔵性能の評価試験は次の方法により行った。 <水素貯蔵性能の評価試験方法 >

1 ) 評価方法

J I S H 7 2 0 1 "水素吸蔵合金の P C T特性の測定方法"に準じ、（株）レスカ製の水素吸蔵放出評価装置で測定を行った。 .

2 ) サンプル

測定用試料管（評価容量約 2 5 m l ) にサンプル（5 0 0 μ πι以下）を 0 . 1〜 1 g充填し、精秤してサンプルの重量を測定した。この試料管にヘリウムガスを導入して 1 2時間以上の気密テストを行い、問題がないことを確認した。その後、試料管内のサンプル以外の体積を測定した。

3 ) 前処理

サンプルを 5 0 °Cに加熱し、ロータリーポンプで 3時間真空減圧を行った。

4 ) 評価条件

サンプルの入った試料管は試験中、 2 5 °Cの恒温パス内に保持した。これに水素ガスを圧力を変化させながら導入し、平衡圧力時の貯蔵量を算出した。なお、各圧力時での平衡状態の保持時間は 1時間又は 8時間として測定を行つた。

5 ) 水素貯蔵確認方法

上記の評価で水素圧力を常圧に戻して採取したサンプルを TG-DTA測定を行い、気体成分が放出される温度を確認した。また、採取したサンプルをテドラーパックに入れ、これを気体成分が放出される温度に調節した恒温槽に 3 0分放置し、気化した成分を水素分析用の検知管で評価して、気化した成分が水素であることを確認した。

実施例 1

1， 1—ビス（4—ヒドロキシフエニル）シクロへキサン（以下「BHC」と略記する。）の固体粉末 0. 5602 gをサンプルとし、各圧力での保持時間を 1時間として上記試験方法で評価を行った。平衡圧力と水素貯蔵量の関係を表 1及び図 1 に示した。なお、 E— 02は 10— ²を示し、 E— 03は 10 ³を示し、 E—04は 10— ⁴を示し、 E— 5は 10— ⁵を示す。

BHCの水素貯蔵性能評価結果

表 1及ぴ図 1の結果より、水素圧力を增加させると共に水素貯蔵量は増加していくことが確認された。また 5 MP a付近から減圧しても、貯蔵量は減少せず、単なる物理的吸着による水素貯蔵ではないことが分かった。これは固体の B H C中に水素分子が取り込まれ、水素包接化合物を形成したためと考えられる。

なお、貯蔵された水素は、 50°Cでの常圧及ぴ減圧条件（0. 005MP a) で放出させることができることを確認した。実施例 2

実施例 1で水素を放出させた BHCの固体粉末 0. 236 l gをサンプルとし、各圧力での保持時間を 8時間として上記試験方法で評価を行った。平衡圧力と水素貯蔵量の関係を表 2及ぴ図 2に示す。

表 2

BHCの水素貯蔵性能評価結果

表 2及び図 2の結果より、保持時間を 8時間にすることで水素貯蔵量は保持時間 1時間の場合に比べて増加することが分かつた。

なお、貯蔵された水素は、 50°Cでの常圧及ぴ減圧条件（0. 005MP a) で放出させることができることを確認した。これにより、本発明の水素貯蔵方法では繰り返し水素の包接 ·放出が可能であることがわかる。実施例 3

9， 9，一ビアンスリル（以下「： BA」と略記する。）の固体粉末 0. 5。897 g をサンプルとし、各圧力での保持時間を 1時間として上記試験方法で評価を行った。平衡圧力と水素貯蔵量の関係を表 3及び図 3に示した。

表 3

B Aの水素貯蔵性能評価結果

表 3及ぴ図 3の結果より、水素圧力を増加させると共に水素貯蔵量は増加していくことが確認された。また 8MP a付近から減圧しても、貯蔵量は減少せず、単なる物理的吸着による水素貯蔵ではないことが分かった。これは固体の B A中に水素分子が取り込まれ、水素包接化合物を形成したためと考えられる。

なお、貯蔵された水素は、 50°Cでの常圧及び減圧条件（0. 005MP a) で放出させることができることを確認した。実施例 4

1， 1， 2, 2—テトラキス（4—ヒドロキシフエニル）エチレン（以下「TH PEY」と略記する。）の固体粉末 0. 523 gをサンプルとし、各圧力での保持時間を 1時間として上記試験方法で評価を行つた。平衡圧力と水素貯蔵量の関係を表 4及ぴ図 4に示した。

表 4

THPEYの水素貯蔵性能評価結果

表 4及び図 4の結果より、水素圧力を増加させると共に水素貯蔵量は増加していくことが確認された。また 8MP a付近から減圧しても、貯蔵量は減少せず、単なる物理的吸着による水素貯蔵ではないことが分かつた。これは固体の T H P E Y中に水素分子が取り込まれ、水素包接化合物を形成したためと考えられる。

なお、貯蔵された水素は、 50°Cでの常圧及び減圧条件（0. 005MP a) で放出させることができることを確認した。実施例 5

テトラキス（p—メトキシフエニル）エチレン（以下「TMPE」と略記する。）の固体粉末 0. 510 gをサンプルとし、各圧力での保持時間を 1時間として上記試験方法で評価を行つた。平衡圧力と水素貯蔵量の関係を表 5及ぴ図 5に示した。表 5

TMPEの水素貯蔵性能評価結果

表 5及び図 5の結果より、水素圧力を增加させると共に水素貯蔵量は増加していくことが確認された。また 8 MP a付近から減圧しても、貯蔵量は減少せず、単なる物理的吸着による水素貯蔵ではないことが分かった。これは固体の TMPE中に水素分子が取り込まれ、水素包接化合物を形成したためと考えられる。

なお、貯蔵された水素は、 50°Cでの常圧及び減圧条件（0. 005MP a) で放出させることができることを確認した。実施例 6

1， 1， 2， 2—テトラフエニルェタン (以下「TPE」と略記する。）の固体粉末 0. 615 gをサンプルとし、各圧力での保持時間を 1時間として上記試験方法で評価を行つた。平衡圧力と水素貯蔵量の関係を表 6及び図 6に示した。

表 6

TPEの水素貯蔵性能評価結果

表 6及ぴ図 6の結果より、水素圧力を増加させると共に水素貯蔵量は増加していくことが確認された。また 8 M P a付近から減圧しても、貯蔵量は減少せず、単なる物理的吸着による水素貯蔵ではないことが分かった。これは固体の TP E中に水素分子が取り込まれ、水素包接化合物を形成したためと考えられる。

なお、貯蔵された水素は、 50°Cでの常圧及び減圧条件（0. 005MP a) で放出させることができることを確認した。実施例 7

ジフェン酸ビス (ジシク口へキシルアミド) (以下「DBDCA」と略記する。）の固体粉末 0. 547 gをサンプルとし、各圧力での保持時間を 1時間として上記試験方法で評価を行った。平衡圧力と水素貯蔵量の関係を表 7及び図 7に示した。表 7

DBD C Aの水素貯蔵性能評価結果

表 7及び図 7の結果より、水素圧力を増加させると共に水素貯蔵量は増加していくことが確認された。また 8 MP a付近から減圧しても、貯蔵量は減少せず、単なる物理的吸着による水素貯蔵ではないことが分かった。これは固体の DBDCA中に水素分子が取り込まれ、水素包接化合物を形成したためと考えられる。

なお、貯蔵された水素は、 50°Cでの常圧及び減圧条件（0. 005MP a) で放出させることができることを確認した。実施例 8

フマル酸ビス（ジシクロへキシルアミド）（以下「FBDCA」と略記する。）の固体粉末 0. 6442 gをサンプルとし、各圧力での保持時間を 1時間として上記試験方法で評価を行った。平衡圧力と水素貯蔵量の関係を表 8及び図 8に示した。表 8

FBD C Aの水素貯蔵性能評価結果

表 8及び図 8の結果より、水素圧力を増加させると共に水素貯蔵量は增加していくことが確認された。また 8 MP a付近から減圧しても、貯蔵量は減少せず、単なる物理的吸着による水素貯蔵ではないことが分かつた。これは固体の F B D C A中に水素分子が取り込まれ、水素包接化合物を形成したためと考えられる。

なお、貯蔵された水素は、 50°Cでの常圧及ぴ減圧条件（0. 005MP a) で放出させることができることを確認した。実施例 9

a, a, α ' , a ' —テトラフエ二ルー 1， 1，一ビフエ二ノレ一 2， 2，ージメタノール（以下「T PB DM」と略記する。）の固体粉末 0. 6 4 5 6 gをサンプルとし、各圧力での保持時間を 1時間として上記試験方法で評価を行った。平衡圧力と水素貯蔵量の関係を表 9及び図 9に示した。

表 9

TP B DMの水素貯蔵性能評価結果

表 9及ぴ図 9の結果より、水素圧力を増加させると共に水素貯蔵量は增加していくことが確認された。また 8MP a付近から減圧しても、貯蔵量は減少せず、単なる物理的吸着による水素貯蔵ではないことが分かった。これは固体の T P B DM中に水素分子が取り込まれ、水素包接化合物を形成したためと考えられる。

なお、貯蔵された水素は、 5 0°Cでの常圧及ぴ減圧条件（0. 0 0 5MP a) で放出させることができることを確認した。実施例 10

1， 1， 6， 6—テトラフエニルへキサ一 2， 4ージイン一 1， 6—ジオール（以下「TPHDD」と略記する。）の固体粉末 0. 631 gをサンプルとし、各圧力での保持時間を 1時間として上記試験方法で評価を行った。平衡圧力と水素貯蔵量の関係を表 10及び図 10に示した。

表 10

TPHDDの水素貯蔵性能評価結果

表 10及び図 10の結果より、水素圧力を増加させると共に水素貯蔵量は増加していくことが確認された。また 8MP a付近から減圧しても、貯蔵量は減少せず、単なる物理的吸着による水素貯蔵ではないことが分かつた。これは固体の T P H D D中に水素分子が取り込まれ、水素包接化合物を形成したためと考えられる。なお、貯蔵された水素は、 50°Cでの常圧及ぴ減圧条件（0. 005MP a) で放出させることができることを確認した。実施例 11

2— （m—シァノフエニル）フエナント口 [9， 10 - d] イミダゾール（以下「CPP I Z」と略記する。）の固体粉末 0. 2256 gをサンプルとし、各圧力での保持時間を 1時間として上記試験方法で評価を行った。平衡圧力と水素貯蔵量の関係を表 11及び図 11に示した。

表 11

CPP I Zの水素貯蔵性能評価結果

表 11及ぴ図 11の結果より、水素圧力を増加させると共に水素貯蔵量は増加していくことが確認された。また 8ΜΡ a付近から減圧しても、貯蔵量は減少せず、単なる物理的吸着による水素貯蔵ではないことが分かった。これは固体の CP P I Z中に水素分子が取り込まれ、水素包接化合物を形成したためと考えられる。

なお、貯蔵された水素は、 50°Cでの常圧及び減圧条件（0. 005MP a) で放出させることができることを確認した。実施例 12

1， 1， 2， 2—テトラキス（4ーヒドロキシフエニル）ェタン（以下「THP EA」と略記する。）の固体粉末 0. 5188 gをサンプルとし、各圧力での保持時間を 1時間として上記試験方法で評価を行った。平衡圧力と水素貯蔵量の関係を表 12及び図 12に示した。

表 12

THPEAの水素貯蔵性能評価結果

表 12及び図 12の結果より、水素圧力を増加させると共に水素貯蔵量は増加していくことが確認された。また 8MP a付近から減圧しても、貯蔵量は減少せず、単なる物理的吸着による水素貯蔵ではないことが分かつた。これは固体の T H P E A中に水素分子が取り込まれ、水素包接化合物を形成したためと考えられる。なお、貯蔵された水素は、 50°Cでの常圧及び減圧条件（0. 005MP a) で放出させることができることを確認した。実施例 13

ヒドロキノン（以下「HQ」と略記する。）の固体粉末 0. 7029 gをサンプルとし、各圧力での保持時間を 1時間として上記試験方法で評価を行った。平衡圧力と水素貯蔵量の関係を表 13及ぴ図 13に示した。

表 13

H Qの水素貯蔵性能評価結果

表 13及び図 13の結果より、水素圧力を增加させると共に水素貯蔵量は增加していくことが確認された。

なお、貯蔵された水素は、 50°Cでの常圧及ぴ減圧条件（0. 005MP a) で放出させることができることを確認した。実施例 1 4

尿素の固体粉末 0 . 3 4 8 2 gをサンプルとし、各圧力での保持時間を 1時間として上記試験方法で評価を行った。平衡圧力と水素貯蔵量の関係を表 1 4及ぴ図 1 4に示した。

表 1 4

尿素の水素貯蔵性能評価結果

表 1 4及び図 1 4の結果より、水素圧力を増加させると共に水素貯蔵量は増加していくことが確認された。また 8 MP a付近から減圧しても、貯蔵量は減少せず、単なる物理的吸着による水素貯蔵ではないことが分かった。これは固体の尿素中に水素分子が取り込まれ、水素包接化合物を形成したためと考えられる。

なお、貯蔵された水素は、 5 0 °Cでの常圧及び減圧条件（0 . 0 0 5 MP a ) で放出させることができることを確認した。実施例 15

アセチレンジカルボン酸（以下「AC」と略記する。）の固体粉末 0. 888 gをサンプルとし、各圧力での保持時間を 1時間として上記試験方法で評価を行った。平衡圧力と水素貯蔵量の関係を表 15及び図 15に示した。

表 15

A Cの水素貯蔵性能評価結果

表 15及ぴ図 15の結果より、水素圧力を増加させると共に水素貯蔵量は増加していくことが確認された。また 8MP a付近から減圧しても、貯蔵量は減少せず、単なる物理的吸着による水素貯蔵ではないことが分かつた。これは固体の A C中に水素分子が取り込まれ、水素包接化合物を形成したためと考えられる。

なお、貯蔵された水素は、 50°Cでの常圧及び減圧条件（0. 005MP a) で放出させることができることを確認した。実施例 1 6

β—シクロデキストリン（以下「C D」と略記する。）の固体粉末 0 . 8 9 6 7 g をサンプルとし、各圧力での保持時間を 1時間として上記試験方法で評価を行った。平衡圧力と水素貯蔵量の関係を表 1 6及び図 1 6に示した。

表 1 6

C Dの水素貯蔵性能評価結果

表 1 6及び図 1 6の結果より、水素圧力を増加させると共に水素貯蔵量は增加していくことが確認された。

実施例 1 7

没食子酸メチル（以下「G AM」と略記する。）の固体粉末 0 . 7 3 8 3 gをサンプルとし、各圧力での保持時間を 1時間として上記試験方法で評価を行った。平衡圧力と水素貯蔵量の関係を表 1 7及び図 1 7に示した。

表 1 7

G AMの水素貯蔵性能評価結果

表 1 7及ぴ図 1 7の結果より、水素圧力を増加させると共に水素貯蔵量は增加していくことが確認された。また 8 M P a付近から減圧しても、貯蔵量は減少せず、単なる物理的吸着による水素貯蔵ではないことが分かった。これは固体の G AM中に水素分子が取り込まれ、水素包接化合物を形成したためと考えられる。

なお、貯蔵された水素は、 5 0 °Cでの常圧及び減圧条件（0 . 0 0 5 MP a ) で放出させることができることを確認した。実施例 18

デォキシコール酸（以下「DCA」と略記する。）の固体粉末 0. 7411 gをサンプルとし、各圧力での保持時間を 1時間として上記試験方法で評価を行った。平衡圧力と水素貯蔵量の関係を表 18及び図 18に示した。

表 18

D C Aの水素貯蔵性能評価結果

表 18及び図 18の結果より、水素圧力を増加させると共に水素貯蔵量は増加していくことが確認された。また 8MP a付近から減圧しても、貯蔵量は減少せず、単なる物理的吸着による水素貯蔵ではないことが分かった。これは固体の DCA中に水素分子が取り込まれ、水素包接化合物を形成したためと考えられる。

なお、貯蔵された水素は、 50°Cでの常圧及び減圧条件（0. 005MPa) で放出させることができることを確認した。実施例 19

セルロースの固体粉末 0. 657 gをサンプルとし、各圧力での保持時間を 1時間として上記試験方法で評価を行った。平衡圧力と水素貯蔵量の関係を表 19及び図 19に示した。

表 19

セルロースの水素貯蔵性能評価結果

表 19及び図 19の結果より、水素圧力を増加させると共に水素貯蔵量は増加していくことが確認された。また 8MP a付近から減圧しても、貯蔵量は減少せず、単なる物理的吸着による水素貯蔵ではないことが分かった。これは固体のセルロース中に水素分子が取り込まれ、水素包接化合物を形成したためと考えられる。なお、貯蔵された水素は、 50°Cでの常圧及び減圧条件（0. O 05MP a) で放出させることができることを確認した。実施例 2 0

キトサンの固体粉末 0 . 6 7 2 5 gをサンプルとし、各圧力での保持時間 1時間として上記試験方法で評価を行った。平衡圧力と水素貯蔵量の関係を表 2 0及ぴ図 2 0に示す。

表 2 0

キトサンの水素貯蔵性能評価結果

表 2 0及び図 2 0の結果より、水素圧力を増加させると共に水素貯蔵量は増加していくことが確認された。また 8 M P a付近から減圧しても、貯蔵量はあまり減少せず、単なる物理的吸着による水素貯蔵ではないことがわかった。これは、固体のキトサン中に水素分子が取り込まれ、水素包接化合物を形成したためと考えられる。なお、貯蔵された水素は、 5 0 °Cでの常圧または減圧条件（0 . 0 0 5 MP a ) で放出させることができることを確認した。実施例 21

トリ一 m—トリルホスフィン（以下「TTP」と略記する。）の固体粉末 0. 59 22 gをサンプルとし、各圧力での保持時間 1時間として上記試験方法で評価を行つた。平衡圧力と水素貯蔵量の関係を表 21及び図 22に示す。

表 21

TTPの水素貯蔵性能評価結果

表 21及び図 21の結果より、水素圧力を増加させると共に水素貯蔵量は増加していくことが確認された。なお貯蔵された水素は、 50°Cでの常圧または減圧条件 (0. 005MP a) で放出させることができることを確認した。

以上の結果からも明らかなように、本発明の水素貯蔵方法によれば、水素を常温、常圧条件で貯蔵することができるため、耐圧容器、低温容器等が不要であり、比較的小型、軽量な状態で水素を貯蔵 ·運搬することができ、しかも、貯蔵した水素を容易に放出させて各種用途に用いることができる。 [水素包接化合物及びその製造方法の説明]

次に本発明の水素包接化合物及ぴその製造方法の実施の形態を詳細に説明する。本発明の水素包接ィヒ合物及びその製造方法において、水素を包接するホスト化合物については、水素を包接できるものであれば良く、特に限定はされない。ホスト化合物としては、本発明の水素貯蔵方法において例示した単分子系、多分子系、高分子系等の有機化合物や、無機系ホスト化合物などが知られている。無機系ホスト化合物としては、粘土鉱物類、モンモリロナイト類、ゼォライト類などが挙げられる。

これらのホスト化合物のうち、包接能力がゲスト化合物の分子の大きさに左右されにくい多分子系ホスト化合物が好適であり、多分子系ホスト化合物としては、中でも 1， 1—ビス ( 4ーヒドロキシフエ二ノレ) シク口へキサンのようなフエノーノレ系のホスト化合物が包接能力、及ぴ工業的な入手の面で有利である。

このようなホスト化合物に水素を包接させて水素包接化合物を製造する方法としては、

1 . ホスト化合物を溶媒に溶解して再結晶する際に水素と接触反応させる方法、

2 . 水素とホスト化合物を直接接触させる方法（例えば、前述の水素貯蔵方法におけるように、水素ガスとホスト化合物とを加圧状態で接触させる方法）、

3 . 水素雰囲気の状態でホスト化合物を粉砕しながら直接反応させる方法などがあり、特に限定されるものではないが、ホスト化合物の結晶格子中に水素分子を揷入するためには、ホスト化合物を溶媒等に溶解させてホスト化合物を分子として十分に分散させた後、結晶化する際にゲスト分子である水素と反応させる方が、効率的に包接化合物を製造することができ好ましい。

この場合、ホスト化合物を溶解させる溶媒としては、ホスト化合物を溶解できるものであれば良く、ホスト化合物の種類によって適宜選択使用されるが、例えば、前述のフエノール系ホスト化合物等の多分子系ホスト化合物の場合には、メタノール、エタノール等のアルコール類、アセトン、メチルェチルケトン等のケトン類、酢酸ェチル等のエステル類、ジェチルエーテル、ジブチルエーテル等のエーテル類、テトラヒドロフラン等のフラン類、ジメチルァセトアミド等のアミド類、ァセトァルデヒド、ベンズアルデヒド等のアルデヒド類を用いることができ、これらの中で揮発性の高い溶媒が好ましい。なおさらには、使用するホスト化合物に包接されない溶媒を用いるのが好ましい（得られる水素包接化合物から水素を取り出す際に水素以外の溶媒が水素に混入する可能性があるため）が、ホスト化合物、水素おょぴ溶媒の 3成分で安定な包接化合物を形成する場合もあるので、水素を包接するために必要な溶媒であるならその限りではない。

溶液中のホスト化合物の濃度はホスト化合物の種類、溶媒の種類によって溶解度が異なるため特に制限はない。

ホスト化合物を溶解した溶液中のホスト化合物と水素とを接触させるには、この溶液中に水素をパブリングするなどして注入すれば良い。これにより、溶液中のホスト化合物が水素と接触して反応すると共に、溶媒が気化蒸発することにより、水素をゲスト分子として包接した水素包接化合物の結晶が析出する。この反応は、常温、常圧にて行うことができる。

このようにして得られる水素包接化合物は、用いたホスト化合物の種類、水素との接触条件等によっても異なるが、通常ホスト化合物 1モルに対して水素分子 0 . 2〜2 0モルを包接した水素包接化合物である。

得られた水素包接化合物は、常温常圧において、長期に亘り水素を安定に包接する。しかも、この水素包接化合物は、水素貯蔵合金と比べ、軽量で取り扱い性にも優れる。この水素包接化合物はガラス、金属、プラスチック等の容器に入れて容易に貯蔵 ·運搬することができる。

また、この水素包接化合物から水素を放出させるには、ホスト化合物にもよるが、 3 0〜2 0 0 °C、特に 4 0〜 1 0 0 °C程度に加熱すれば良く、これにより容易に水素包接化合物中から水素を放出させて回収することができる。

なお、前述の如く、ホスト化合物を溶媒に溶解させた溶液に水素を流通させて水素包接化合物を製造した場合、通常はホスト化合物と水素の 2成分からなる包接化合物が得られるが、使用した溶媒も包接された、ホスト化合物、水素および溶媒の 3成分からなる包接化合物が得られる場合もある。この 3成分水素包接化合物から水素を放出させる際に、この溶媒も同時に放出されることを防止するためには、溶媒の放出温度と水素の放出温度との間に、 20〜30°C以上の差異を有するのが好ましく、特にこの場合に使用する溶媒としては、水素の放出温度よりも沸点の高い溶媒を用いることが好まレぃ。

このようにして、一且水素を包接した後これを放出したホスト化合物は、再び水素と接触反応させることにより、再度水素を包接した水素包接化合物とすることができる。即ち、ホスト化合物は繰り返し使用が可能である。しかも、ー且水素を包接した後これを放出した固体状態のホスト化合物は、水素の選択的包接能が向上し、水素ガスのみならず、水素を含む混合ガスと接触反応させた場合でも、水素を選択的に包接することが可能となる。

このように水素の選択的包接性が向上したホスト化合物であれば、水素を含有する各種のプロセス排ガス中から、水素のみを選択的に回収してエネルギー源等として有効利用することが可能である。

以下に実施例を挙げて本発明の水素包接化合物及びその製造方法をより具体的に説明する。

実施例 22

[水素包接化合物の製造]

1， 1—ビス（4ーヒドロキシフエニル）シクロへキサン（以下「： BHC」と略記する） 0. 2 gとメタノール 3m 1をサンプル瓶に入れて混合して BHCを溶解させた。この溶液中に市販の水素ガスボンベから水素をパブリングさせると、溶媒であるメタノールが気化蒸発し、結晶化物が得られた。この結晶を室温下で 1時間程度風乾して溶媒であるメタノールを蒸発させた（結晶 A) 。

比較のため、 BHCO. 2 gをメタノール 3m 1に溶解させたものをそのまま放置し（水素とは反応させない）、析出してくる結晶を採取した（結晶 B) 。

上記で得られた結晶 A, Bをそれぞれ I Rスぺクトル測定を行った結果を図 22， 23に、またこれらを重ね合わせたデータを図 24に示す。図 23〜24の I Rスベクトル図から明らかなように、結晶 Aと結晶 Bの I Rスペクトルは、ホスト化合物である BHCの水素基に由来する 3100〜 3700 c m— ¹の領域及ぴ 120 0 cm一¹付近で明らかに異なり、異なる結晶が得られていることが確認された。また、この 2種類の結晶の TG— DTA測定を行った。測定条件は温度範囲 25 〜500°C、昇温条件は 10°CZ分とした。結晶 Aでの結果を図 25に、結晶 Bでの結果を図 26に示す。その結果、結晶 Bでは 80〜110°Cで気化する成分（メタノールと考えられる）が認められるが、結晶 Aでは 50°Cまでと 80°C付近の 2 段階で気化する成分があり、結晶 Bでは認められなかった 50°Cまでに気化する成分が存在することがわかった。この結晶 Aをテドラーバックに入れ、これを 50°C に調節した恒温槽に 30分放置し、気化した成分を水素分析用の検知管で評価した結果、気化した成分が水素であることが確認できた。

これらの結果より、結晶 Aはホスト化合物である BHC—水素一メタノールの 3 成分（BHCZ水素 Zメタノール =1/10/1 (モノレ比) ) から成る包接化合物であり、 40〜50°C付近で水素が放出されることが推定された。

[水素包接化合物の特性確認]

(1) 製造された水素包接化合物（結晶 A) を常温常圧でガラス容器に入れて 2 日間放置した後、再度 I Rスペクトル測定と TG— DTA測定を行ったところ、いずれも放置前の結晶 Aの測定果とほぼ同等の結果が得られ、水素を安定に貯蔵できることが確認された。

(2) 製造された水素包接化合物（結晶 A) をガラス容器に入れ湯浴にて加温することにより 50°Cに加熱したところ、水素が発生し、 1 gの水素包接化合物から、 0. 06 gの水素を回収することができた。この割合は、 BHC 1モルに対して水素約 10モルを包接したことになる。

(3) (2) で水素を放出させた後の結晶を上記と同様にしてメタノールに溶解させた後、水素をパブリングさせ、溶媒のメタノールを気化蒸発させて結晶を得た。この結晶について、実施例 22と同様にして風乾した後、 I R測定及ぴ TG— DT A測定を行ったところ、いずれも結晶 Aの測定結果とほぼ同等であり、水素を再度包接して貯蔵することができることが確認された。

(4) (3) で水素を包接した水素包接化合物を上記（2) と同様に加熱したところ、水素が発生し、 1 gの水素包接化合物から 0. 06 gの水素を回収することができた。これらの結果から、ー且水素を包接した後水素を放出したホスト化合物は、再度ほぼ同量の水素を包接して、放出することができることが確認された。

以上詳述した通り、本宪明の水素包接化合物及びその製造方法によれば、次のような優れた効果が奏される。

i) 水素を常温、常圧条件で貯蔵することができる。

ϋ) 耐圧容器、低温容器等が不要であり、比較的小型、軽量な状態で水素を貯蔵 · 運搬することができる。

iii) 貯蔵した水素を 5 0 °C付近という比較的低い温度で放出させることができる。 iv) 水素ガスのみならず、混合ガス中の水素分子をも選択的に包接して貯蔵することができる。

V) 加熱して水素が放出させた後のホスト化合物は、水素と接触反応させることにより再度水素包接化合物を得ることができ、再利用できる。

vi) 加熱して水素が放出した後のホスト化合物は、水素の包接選択性が極めて高くなり、水素を含む混合ガスに接触させるだけで、選択的な水素貯蔵が可能となる。 vii) 工業的な種々のプロセスで発生し、現状では希釈して系外へ排出している水素含有ガスにホスト化合物を接触させることにより、エネルギー源である水素を回収することができる。

Claims

請求の範囲

1 . 有機化合物に、水素ガスを加圧状態で接触させることを特徴とする水素貯蔵方法。

2 . 請求項 1において、該有機化合物が多孔質物質に担持されていることを特徴とする水素貯蔵方法。

3 . 請求項 1又は 2において、該有機化合物が水素ガスとの接触で水素分子化合物を形成する化合物であることを特徴とする水素貯蔵方法。

4 . 請求項 3において、該水素分子化合物は、前記有機化合物をホスト化合物とする水素包接化合物であることを特徴とする水素貯蔵方法。

5 . 請求項 4において、該有機化合物が単分子系ホスト化合物、多分子系ホスト化合物及び高分子系ホスト化合物よりなる群から選ばれる 1種又は 2種以上であることを特徴とする水素貯蔵方法。

6 . 請求項 5において、単分子系ホスト化合物が、シクロデキストリン類、クラゥンエーテル類、クリプタンド類、シクロフアン類、ァザシクロフアン類、力リツタスアレン類、シクロトリべラトリレン類、スフエランド類、及び環状オリゴぺプチド類よりなる群から選ばれる 1種又は 2種以上であることを特徴とする水素貯蔵方法。

7 . 請求項 5において、多分子系ホスト化合物が、尿素類、チォ尿素類、デォキシコール酸類、ペルヒドロトリフエ二レン類、トリ一 o—チモチド類、ビアンスリノレ類、スピロビフルオレン類、シクロフォスファゼン類、モノアノレコーノレ類、ジォール類、アセチレンアルコール類、ヒドロキシべンゾフエノン類、フエノール類、ビスフエノール類、トリスフエノール類、テトラキスフエノール類、ポリフエノール類、ナフトール類、ビスナフトール類、ジフエ-ルメタノール類、カルボン酸ァミド類、チォアミド類、ビキサンテン類、カルボン酸類、イミダゾール類、ヒドロキノン類、有機リン化合物及ぴ有機ケィ素化合物よりなる群から選ばれる 1種又は 2種以上であることを特徴とする水素貯蔵方法。

8 . 請求項 7において、多分子系ホスト化合物が、尿素、 1， 1， 6， 6—テトラフェニノレへキサ一 2， 4—ジイン _ 1， 6—ジオール、 1， 1—ビス（2， 4— ジメチルフエニル）一 2—プロピン _ 1—オール、 1， 1， 4， 4—テトラフエ二ルー 2—ブチン一 1， 4ージオール、 1， 1， 6， 6—テトラキス（2， 4—ジメチルフエニル）一 2， 4一へキサジイン一 1， 6—ジオール、 9， 10—ジフエ二ル一 9， 1 0—ジヒドロアントラセン一 9， 1 0—ジォーノレ、 9， 10—ビス（4 —メチルフエ二ル） _ 9， 1 0—ジヒドロアントラセン一 9， 1 0—ジオール、 1， 1 , 2, 2—テトラフエニノレエタン一 1 , 2―ジオール、 4ーメトキシフエノーノレ、 2， 4ージヒドロキシベンゾフエノン、 4， 4 ' —ジヒドロキシベンゾフエノン、 2， 2，一ジヒドロキシベンゾフエノン、 2， 2，， 4， 4，一テトラヒドロキシべンゾフエノン、 1， 1一ビス (4—ヒドロキシフエニル）シク口へキサン、 4， 4， —スルホニルビスフエノール、 2， 2，一メチレンビス（4—メチル一 6— t—ブチノレフエノーノレ）、 4, 4，ーェチリデンビスフエノーノレ、 4, 4， —チォビス ( 3 —メチノレー 6— tーブチノレフエノーノレ）、 1， 1， 3—トリス（2—メチノレ一 4—ヒドロキシ一 5— t—ブチルフエニル) ブタン、 1， 1， 2， 2ーテトラキス (4一ヒドロキシフエニル）ェタン、 1， 1， 2， 2—テトラキス（4ーヒドロキシフエニル）エチレン、 1， 1， 2, 2—テトラキス（3—メチルー 4—ヒドロキシフエニル）ェタン、 1， 1， 2， 2ーテトラキス (3—フルオロー 4ーヒドロキシフエ二ノレ）ェタン、 α， α, α', α，一テトラキス（ 4ーヒドロキシフエ二ノレ）一 ρ— キシレン、テトラキス (ρ—メトキシフエニル) エチレン、 3， 6， 3，， 6，一テトラメトキシー 9， 9， —ビ一 9Η—キサンテン、 3， 6， 3，， 6， —テトラァセトキシー 9， 9，ービ一 9 Η—キサンテン、 3， 6， 3，， 6， —テトラヒドロキシ — 9, 9， —ビー 9 Η—キサンテン、没食子酸、没食子酸メチル、カテキン、ビス一 i3 _ナフトーノレ、 a , a , a ' , a ' —テトラフエニノレー 1， 1，ービフエニノレー 2, 2 ' —ジメタノール、ジフェン酸ビスジシクロへキシルアミド、フマル酸ビスジシクロへキシノレアミド、コール酸、デォキシコール酸、 1， 1， 2， 2—テトラフエニノレエタン、テトラキス (p—ョードフエニル) エチレン、 9， 9， -ビアンスリル、 1， 1， 2， 2—テトラキス (4 _力ノレボキシフエ二ノレ) ェタン、 1， 1 , 2， 2—テトラキス（3—カルポキシフエ-ル）ェタン、アセチレンジカルボン酸、 2， 4， 5—トリフエ二ルイミダゾール、 1， 2, 4, 5—テトラフエ二ルイミダゾール、 2—フエ二ノレフエナント口 [9， 1 0 - d] イミダゾーノレ、 2 - (o—シァノフエ二ノレ）フエナント口 [9， 1 0 - d] イミダゾール、 2— （m—シァノフェニル）フヱナント口 [9， 1 0— d] イミダゾーノレ、 2 - (p—シァノフエニル）フエナント口 [9， 1 0— d] イミダゾーノレ、ヒドロキノン、 2— t—ブチノレヒドロキノン、 2, 5—ジー t—ブチルヒドロキノン、 2, 5―ビス (2， 4一ジメチルフヱニル）ヒドロキノン、及びトリ一 m— トリルフォスフィンよりなる群から選ばれる 1種又は 2種以上であることを特徴とする水素貯蔵方法。

9. 請求項 8において、多分子系ホスト化合物が、 1， 1—ビス（4—ヒドロキシフエニル）シクロへキサン、 1, 1， 2， 2—テトラキス（4ーヒドロキシフエニル）ェタン、 1， 1， 2， 2—テトラキス（4ーヒドロキシフエニル）エチレン、テトラキス (ρ—メトキシフエニル）エチレン、 9， 9， -ビアンスリル、 1， 1， 2， 2—テトラフエニルェタン、ジフェン酸ビス (ジシクロへキシルアミド）、フマル酸ビスジシクロへキシルアミド、 a, a, ', a ' —テトラフエ二ルー 1， 1， -ビブヱニル— 2， 2，ージメタノール、 1， 1， 6， 6—テトラフヱニルへキサ - 2， 4—ジィン一 1， 6—ジオール、及び 2— (m—シァノフエニル) フエナントロ [9， 1 0— d] イミダゾールよりなる群から選ばれる 1種又は 2種以上であることを特徴とする水素貯蔵方法。

1 0. 請求項 5において、高分子系ホスト化合物が、セルロース類、デンプン類、キチン類、キトサン類、ポリビエルアルコール類、 1， 1， 2， 2—テトラキスフェニルェタンをコアとするポリエチレングリコールアーム型ポリマー類、及び _α， a, ', a，ーテトラキスフエ二ルキシレンをコアとするポリエチレングリコーノレアーム型ポリマー類よりなる群から選ばれる 1種又は 2種以上であることを特徴とする水素貯蔵方法。

1 1. 請求項 4において、該有機化合物が、芳香族系化合物、アミド系化合物、アルコール系化合物、イミダゾール系化合物、ヒドロキノン類、尿素類、カルボン酸類、シクロデキストリン類、ポリフヱノール類.、コール酸類、セルロース類及ぴ有機リン化合物よりなる群から選ばれる 1種又は 2種以上であることを特徴とする水素貯蔵方法。

1 2 . 請求項 1 1において、芳香族系化合物がフエノール系化合物であることを特徴とする水素貯蔵方法。

1 3 . 請求項 1ないし 1 2のいずれか 1項において、前記加圧条件が 1 . 0 X 1 0一 ^{1 Q}M P a以上であることを特徴とする水素貯蔵方法。

1 4 . 請求項 1ないし 1 3のいずれか 1項において、前記加圧条件が 1 . 0 X 1 0一 ^{1 ()}〜2 0 O M P aであることを特徴とする水素貯蔵方法。

1 5 . ホスト化合物と水素との接触反応により水素を包接したことを特徴とする水素包接化合物。

1 6 . 請求項 1 5において、該ホスト化合物が単分子系ホスト化合物、多分子系ホスト化合物、高分子系ホスト化合物、及び無機系ホスト化合物よりなる群から選ばれる 1種又は 2種以上であることを特徴とする水素包接化合物。

1 7 . 請求項 1 6において、単分子系ホスト化合物が、シクロデキストリン類、クラウンエーテル類、クリプタンド類、シクロフアン類、ァザシクロフアン類、力リックスアレン類、シクロトリベラトリレン類、スフヱランド類、及ぴ環状オリゴペプチド類よりなる群から選ばれる 1種又は 2種以上であることを特徵とする水素包接化合物。

1 8 . 請求項 1 6において、多分子系ホスト化合物が、尿素類、チォ尿素類、デォキシコール酸類、ペルヒドロトリフエ二レン類、トリー o—チモチド類、ビアンスリル類、スピロビフルオレン類、シクロフォスファゼン類、モノアルコール類、ジオール類、アセチレンアルコール類、ヒドロキシベンゾフエノン類、フエノーノレ類、ビスフエノール類、トリスフエノル類、テトラキスフエノール類、ポリフエノール類、ナフトール類、ビスナフトール類、ジフエニルメタノール類、カルボン酸アミド類、チォアミド類、ビキサンテン類、カルボン酸類、イミダゾール類、ヒドロキノン類、有機リン化合物及ぴ有機ケィ素化合物よりなる群から選ばれる 1種又は 2種以上であることを特徴とする水素包接化合物。

1 9 . 請求項 1 8において、多分子系ホスト化合物が、尿素、 1， 1 , 6 , 6 - テトラフエエルへキサ一 2， 4—ジイン一 1， 6—ジオール、 1， 1一ビス（2， 4ージメチルフエ二ノレ）一 2—プロピン一 1—オール、 1， 1， 4， 4—テトラフェニル— 2—ブチン一 1， 4—ジオール、 1， 1， 6， 6—テトラキス（2， 4一ジメチルフエ二ノレ) 一 2， 4—へキサジイン _ 1， 6一ジォ一ル、 9， 1 0—ジフエニスレー 9， 1 0—ジヒドロアントラセン一 9， 1 0—ジォーノレ、 9， 1 0—ビス ( 4一メチルフエ-ノレ） - 9 , 1 0—ジヒドロアントラセン一 9， 1 0—ジォーノレ、 1， 1， 2， 2—テトラフエニルェタン一 1， 2—ジオール、 4—メトキシフエノ一ノレ、 2， 4—ジヒドロキシベンゾフエノン、 4， 4，ージヒドロキシベンゾフエノン、 2， 2 ' —ジヒドロキシベンゾフエノン、 2， 2，， 4， 4，ーテトラヒドロキシベンゾフエノン、 1， 1—ビス（4—ヒドロキシフエ二シク口へキサン、 4， 4 ' ースノレホニノレビスフエノーノレ、 2， 2，ーメチレンビス（4ーメチノレー 6 — t一ブチルフエノール）、 4， 4， —ェチリデンビスフエノール、 4， 4，ーチォビス（3—メチノレ一 6— t—ブチルフエノール）、 1， 1， 3—トリス（2—メチル一 4—ヒドロキシー 5 _ t—ブチノレフエ二ノレ）ブタン、 1， 1， 2， 2—テトラキス（4—ヒドロキシフエニル）ェタン、 1， 1， 2， 2—テトラキス（4—ヒドロキシフエニル）エチレン、 1， 1， 2， 2—テトラキス（3—メチルー 4ーヒドロキシフエニル）ェタン、 1， 1， 2， 2—テトラキス ( 3—フルオロー 4—ヒドロキシフエニル）ェタン、 a， a , α ' , a '—テトラキス（4ーヒドロキシフエ二ノレ) 一ーキシレン、テトラキス ( p—メトキシフエニル) エチレン、 3， 6， 3 ，， 6 ，ーテトラメトキシー 9 , 9，一ビ一 9 H—キサンテン、 3， 6 , 3 ，， 6，ーテトラァセトキシー 9， 9，ービ一 9 H—キサンテン、 3， 6， 3，， 6，一テトラヒドロキシー 9， 9，一ビー 9 H—キサンテン、没食子酸、没食子酸メチル、カテキン、ビス一；3—ナフトーノレ、 a , a , α ' , a ' —テトラフエ二ノレ一 1， 1，一ビフエ二ルー 2， 2，一ジメタノール、ジフェン酸ビスジシクロへキシルアミド、フマル酸ビスジシクロへキシノレアミド、コーノレ酸、デォキシコール酸、 1， 1， 2 , 2—テトラフエニノレエタン、テトラキス（p—ョードフエ二ノレ）エチレン、 9， 9，ービアンスリル、 1， 1， 2， 2ーテトラキス ( 4—カルポキシフエニル）ェタン、 1， 1， 2 , 2—テトラキス ( 3—力ルポキシフエニル) ェタン、アセチレンジカルボン酸、 2， 4， 5— トリフエニノレイミダゾール、 1， 2， 4， 5—テトラフェニルイミダゾーノレ、 2—フエ二ノレフエナント口 [9， 1 0— d] イミダゾーノレ、 2— （o 一シァノフエ二ノレ）フエナント口 [9， 1 0 - d] イミダゾーノレ、 2— (m—シァノフエニル）フエナント口 [9， 1 0 - d] イミダゾール、 2— (p—シァノフエ二ノレ）フエナント口 [9， 1 0— d] イミダゾーノレ、ヒドロキノン、 2— t—ブチルヒドロキノン、 2， 5—ジー t—ブチルヒドロキノン、 2， 5—ビス（2， 4— ジメチルフエニル）ヒドロキノン及ぴトリ一m—トリルフォスフィンよりなる群から選ばれる 1種又は 2種以上であることを特徴とする水素包接化合物。

20. 請求項 1 9において、多分子系ホスト化合物が、 1， 1一ビス（4ーヒドロキシフエニル）シクロへキサン、 1， 1, 2， 2—テトラキス（4ーヒドロキシフエニル）ェタン、 1， 1， 2， 2—テトラキス（4ーヒドロキシフエ-ル）ェチレン、テトラキス (p—メトキシフエニル) エチレン、 9， 9，一ビアンスリル、 1， 1， 2, 2—テトラフエニルェタン、ジフェン酸ビス（ジシクロへキシ/レアミド）、フマル酸ビスジシクロへキシルアミド、 a, a, a', a ' ーテトラフェニル — 1， 1，一ビフエニル一 2， 2，一ジメタノール、 1， 1， 6， 6—テトラフエエルへキサー 2, 4 _ジィンー 1， 6—ジオール、及び 2— （m—シァノフエニル）フエナント口 [9， 1 0— d] イミダゾールよりなる群から選ばれる 1種又は 2種以上であることを特徴とする水素包接化合物。

2 1. 請求項 1 6において、高分子系ホスト化合物が、セルロース類、デンプン類、キチン類、キトサン類、ポリビュルアルコール類、 1， 1， 2， 2—テトラキスフヱニルェタンをコアとするポリエチレングリコールアーム型ポリマー類、及び a, α, α', α，一テトラキスフエ二ルキシレンをコアとするポリエチレングリコ一ルアーム型ポリマー類よりなる群から選ばれる 1種又は 2種以上であることを特徴とする水素包接化合物。

2 2. 請求項 1 6において、無機系ホスト化合物が、粘土鉱物類、モンモリロナィト類、及びゼォライト類よりなる群から選ばれる 1種又は 2種以上であることを特徴とする水素包接化合物。

23. 請求項 1 5において、該ホスト化合物が、芳香族系化合物、アミド系化合物、アルコール系化合物、イミダゾール系化合物、ヒドロキノン類、尿素類、カルボン酸類、シクロデキストリン類、ポリフエノール類、コール酸類、セルロース類及び有機リン化合物よりなる群から選ばれる 1種又は 2種以上であることを特徴とする水素包接化合物。

2 4 . 請求項 2 3において、芳香族系化合物がフエノール系化合物であることを特徴とする水素包接化合物。

2 5 . ホスト化合物を溶媒に溶解し、この溶液中に水素を流通しながら前記ホスト化合物を再結晶させると共に前記ホスト化合物の結晶格子中に水素分子を揷入することを特徴とする水素包接化合物の製造方法。

2 6 . 請求項 2 5において、該ホスト化合物が単分子系ホスト化合物、多分子系ホスト化合物、高分子系ホスト化合物、及び無機系ホスト化合物よりなる群から選ばれる 1種又は 2種以上であることを特徴とする水素包接化合物の製造方法。

2 7 . 請求項 2 6において、単分子系ホスト化合物が、シクロデキストリン類、クラウンエーテル類、クリプタンド類、シクロフアン類、ァザシクロフアン類、力リックスアレン類、シクロトリべラトリレン類、スフヱランド類、及ぴ環状オリゴペプチド類よりなる群から選ばれる 1種又は 2種以上であることを特徴とする水素包接化合物の製造方法。

2 8 . 請求項 2 6において、多分子系ホスト化合物が、尿素類、チォ尿素類、デォキシコール酸類、ペルヒドロトリフヱニレン類、トリ一。ーチモチド類、ビアンスリル類、スピロビフノレオレン類、シクロフォスファゼン類、モノアルコール類、ジォーノレ類、アセチレンァノレコーノレ類、ヒドロキシベンゾフエノン類、フエノール類、ビスフエノーノレ類、トリスフエノール類、テトラキスフエノール類、ポリフエノール類、ナフトール類、ビスナフトール類、ジフエ二ルメタノール類、カルポン酸アミド類、チォアミド類、ビキサンテン類、カルボン酸類、イミダゾール類、ヒドロキノン類、有機リン化合物及び有機ケィ素化合物よりなる群から選ばれる 1種又は 2種以上であることを特徴とする水素包接化合物の製造方法。

2 9 . 請求項 2 8において、多分子系ホスト化合物が、尿素、 1， 1， 6， 6— テトラフエニルへキサー 2， 4—ジイン一 1， 6—ジオール、 1， 1 _ビス（2， 4ージメチルフエニル） _ 2—プロピン一 1一オール、 1， 1， 4 , 4—テトラフェニノレー 2—ブチン一 1， 4—ジォーノレ、 1， 1， 6, 6—テトラキス（2， 4一ジメチルフエニル）一 2， 4一へキサジイン一 1， 6—ジオール、 9， 1 0—ジフェニノレ一.9， 1 0—ジヒドロアントラセン一 9， 1 0—ジォーノレ、 9， 1 0—ビス

(4一メチルフエニル）一 9， 1 0—ジヒドロアントラセン一 9， 1 0—ジオール、 1， 1， 2, 2—テトラフエ-ルェタン一 1， 2—ジオール、 4—メトキシフエノ一^^、 2， 4ージヒドロキシベンゾフエノン、 4， 4，一ジヒドロキシベンゾフエノン、 2， 2，ージヒドロキシベンゾフエノン、 2, 2 ', 4， 4， —テトラヒドロキシベンゾフエノン、 1, 1—ビス（4ーヒドロキシフエ二ノレ）シクロへキサン、 4， 4，ースノレホニルビスフエノーノレ、 2, 2，ーメチレンビス（4ーメチノレ一 6 一 tーブチノレフエノーノレ）、 4， 4，ーェチリデンビスフエノーノレ、 4， 4，ーチォビス (3—メチノレー 6— t一ブチルフエノーノレ）、 1， 1， 3—トリス（2—メチル一 4—ヒドロキシー 5— t _ブチルフエニル）ブタン、 1， 1， 2， 2—テトラキス（4ーヒドロキシフエ二ノレ）ェタン、 1， 1， 2， 2—テトラキス（4ーヒドロキシフエ二ノレ）エチレン、 1， 1 , 2， 2ーテトラキス (3ーメチルー 4—ヒドロキシフエニル）ェタン、 1， 1， 2， 2—テトラキス (3—フルオロー 4—ヒドロキシフエ二ノレ）ェタン、 α， a, α' , α，ーテトラキス（ 4—ヒドロキシフエ二ノレ） _ρ—キシレン、テトラキス（ρ—メトキシフエニル）エチレ、 3， 6, 3，， 6，ーテトラメトキシー 9， 9，ービ一 9 Η—キサンテン、 3， 6， 3，， 6， —テトラァセトキシー 9， 9，ービ一 9 Η—キサンテン、 3， 6， 3，， 6，一テトラヒドロキシ一 9， 9，ービ— 9 Η—キサンテン、没食子酸、没食子酸メチル、カテキン、ビス一 J3—ナフトール、 a, a, ひ，， α ' ーテトラフエ二ノレ一 1， 1，ービフエ二ノレ一 2， 2 ' —ジメタノーノレ、ジフェン酸ビスジシクロへキシノレアミド、フマノレ酸ビスジシクロへキシルアミド、コール酸、デォキシコール酸、 1， 1, 2, 2—テトラフエニルェタン、テトラキス（ρ—ョードフエ二ノレ）エチレン、 9, 9，一ビアンスリル、 1， 1， 2， 2—テトラキス（4一カルボキシフエニル）ェタン、 1， 1， 2, 2—テトラキス（3—カルボキシフエニル）ェタン、アセチレンジカノレポン酸、 2, 4， 5—トリフエ二ルイミダゾール、 1， 2， 4， 5—テトラフェニルイミダゾール、 2—フエ二ノレフエナント口 [9， 1 0— d] イミダゾーノレ、 2— (o 一シァノフエニル）フエナント口 [9， 1 0— d] イミダゾール、 2— （m—シァノフエニル）フエナント口 [9， 1 0— d] イミダゾール、 2— （p—シァノフエニル）フエナント口 [9， 1 0— d] イミダゾール、ヒドロキノン、 2— t—プチノレヒドロキノン、 2， 5—ジー tーブチルヒドロキノン、 2， 5—ビス（2， 4 - ジメチルフエニル) ヒドロキノン及ぴトリ -m-トリルフォスフィンよりなる群から選ばれる 1種又は 2種以上であることを特徴とする水素包接化合物の製造方法。

30. 請求項 2 9において、多分子系ホスト化合物が、 1， 1一ビス（4ーヒドロキシフエニル）シク口へキサン、 1， 1， 2， 2ーテトラキス (4—ヒドロキシフエ二ノレ）ェタン、 1， 1， 2， 2—テトラキス (4ーヒドロキシフエニル) ェチレン、テトラキス (p—メトキシフエニル) エチレン、 9， 9，一ビアンスリル、 1， 1， 2, 2—テトラフヱニルェタン、ジフェン酸ビス (ジシク口へキシルアミド）、フマノレ酸ビスジシクロへキシノレアミド、 a， a, a', a ' ーテトラフエ二ノレ - 1， 1，ービフエ二ルー 2， 2，一ジメタノール、 1， 1， 6， 6—テトラフエニルへキサ一 2， 4ージイン一 1， 6—ジオール、及び 2— (m—シァノフエニル）フエナント口 [9， 1 0_ d] イミダゾールよりなる群から選ばれる 1種又は 2種以上であることを特徴とする水素包接化合物の製造方法。

3 1. 請求項 2 6において、高分子系ホスト化合物が、セルロース類、デンプン類、キチン類、キトサン類、ポリビュルアルコール類、 1， 1， 2， 2—テトラキスフェニルェタンをコアとするポリエチレンダリコールアーム型ポリマー類、及ぴ a, a, α' , a，ーテトラキスフエニノレキシレンをコアとするポリエチレングリコールアーム型ポリマー類よりなる群から選ばれる 1種又は 2種以上であることを特徴とする水素包接化合物の製造方法。

3 2. 請求項 2 6において、無機系ホスト化合物が、粘土鉱物類、モンモリロナイト類、及びゼォライト類よりなる群から選ばれる 1種又は 2種以上であることを特徴とする水素包接化合物の製造方法。

33. 請求項 2 5において、ホスト化合物がフエノール系ホスト化合物等の多分子系ホスト化合物であり、溶媒がメタノール、エタノール等のアルコール類、ァセトン、メチルェチルケトン等のケトン類、酢酸ェチル等のエステル類、ジェチルェ一テル、ジブチルエーテル等のエーテル類、テトラヒドロフラン等のフラン類、ジメチルァセトアミド等のアミド類、ァセトアルデヒド、及びべンズアルデヒド等のアルデヒド類よりなる群から選ばれる 1種又は 2種以上であることを特徴とする水素包接化合物の製造方法。

3 4 . ホスト化合物に、水素ガスを加圧状態で接触させることを特徴とする水素包接化合物の製造方法。

3 5 . 請求項 3 4において、該ホスト化合物が単分子系ホスト化合物、多分子系ホスト化合物、及ぴ高分子系ホスト化合物よりなる群から選ばれる 1種又は 2種以上であることを特徴とする水素包接化合物の製造方法。

3 6 . 請求項 3 5において、単分子系ホスト化合物が、シクロデキストリン類、クラウンエーテル類、クリプタンド類、シクロフアン類、ァザシクロフアン類、力リックスアレン類、シクロトリべラトリレン類、スフエランド類、及ぴ環状オリゴペプチド類よりなる群から選ばれる 1種又は 2種以上であることを特徴とする水素包接化合物の製造方法。

3 7 . 請求項 3 5において、多分子系ホスト化合物が、尿素類、チォ尿素類、デォキシコール酸類、ペルヒドロトリフエ二レン類、トリー o—チモチド類、ビアンスリル類、スピロビフルオレン類、シク口フォスファゼン類、モノアルコール類、ジオール類、アセチレンアルコーノレ類、ヒドロキシベンゾフエノン類、フエノーノレ類、ビスフエノール類、トリスフエノール類、テトラキスフエノール類、ポリフエノール類、ナフトール類、ビスナフトール類、ジフエニルメタノール類、カルボン酸アミド類、チォアミド類、ビキサンテン類、カルボン酸類、イミダゾール類、ヒドロキノン類、有機リン化合物及ぴ有機ケィ素化合物よりなる群から選ばれる 1種又は 2種以上であることを特徴とする水素包接化合物の製造方法。

3 8 . 請求項 3 7において、多分子系ホスト化合物が、尿素、 1， 1， 6， 6 - テトラフエ二ノレへキサー 2， 4ージイン一 1， 6一ジオール、 1， 1一ビス ( 2，

4—ジメチルフエ二ノレ) — 2—プロピン _ 1—オール、 1， 1， 4， 4ーテトラフェニルー 2—ブチン一 1， 4—ジオール、 1， 1， 6， 6—テトラキス（2， 4— ジメチルフエニル） - 2 , 4一へキサジィンー 1， 6一ジオール、 9， 1 0—ジフ工ニル一 9， 1 0—ジヒドロアントラセン一 9， 1 0—ジオール、 9， 1 0—ビス (4ーメチノレフエニル) - 9, 10—ジヒドロアントラセン一 9， 1 0一ジオール、 1， 1， 2， 2—テトラフエニルェタン一 1， 2—ジオール、 4ーメトキシフエノ一ノレ、 2， 4ージヒドロキシベンゾフエノン、 4， 4，ージヒドロキシベンゾフエノン、 2， 2，一ジヒドロキシベンゾフエノン、 2, 2，， 4， 4，ーテトラヒドロキシベンゾフエノン、 1， 1一ビス (4—ヒドロキシフエ二ノレ) シクロへキサン、 4， 4，一スルホニノレビスフエノーノレ、 2, 2 ' ーメチレンビス (4—メチノレー 6 _ t—ブチルフエノール）、 4， 4，一ェチリデンビスフエノール、 4， 4，ーチォビス（3—メチル一 6 _ t _ブチルフエノール）、 1, 1， 3— トリス（2—メチノレ —4—ヒドロキシー 5— t—ブチノレフエ二ノレ）ブタン、 1， 1， 2， 2—テトラキス (4—ヒドロキシフエニル) ェタン、 1， 1， 2， 2—テトラキス（4—ヒドロキシフエ二ノレ）エチレン、 1， 1， 2， 2—テトラキス (3—メチル一4—ヒドロキシフエ二ノレ）ェタン、 1， 1， 2， 2—テトラキス（3—フルオロー 4ーヒドロキシフエ二ノレ）ェタン、 QJ， a, α' , a ' —テトラキス（4ーヒドロキシフエ二ノレ） _p—キシレン、テトラキス（p—メトキシフエ二ノレ）エチレン、 3， 6 , 3 6， —テトラメトキシー 9， 9，一ビ一 9H—キサンテン、 3， 6， 3，， 6，一テトラァセトキシ一 9， 9， —ビ一 9H—キサンテン、 3， 6， 3，， 6，ーテトラヒドロキシー 9， 9，一ビー 9 H—キサンテン、没食子酸、没食子酸メチル、カテキン、ビス一 j3—ナフトーノレ、 a, a, α ', a ' ーテトラフエ二ノレ一 1， 1，ービフエ二ル一 2， 2，ージメタノール、ジフェン酸ビスジシクロへキシルアミド、フマル酸ビスジシクロへキシルアミド、コール酸、デォキシコール酸、 9， 9，ービアンスリル、 1， 1， 2， 2—テトラフエニノレエタン、テトラキス (p—ョードフエニル) エチレン、 1， 1， 2， 2—テトラキス（4一力ルポキシフエニル）ェタン、 1， 1， 2， 2—テトラキス（3—力ノレボキシフエニル）ェタン、アセチレンジカルポン酸、 2， 4， 5—トリフヱニルイミダゾ一ノレ、 1， 2， 4， 5—テトラフェニルイミダゾーノレ、 2—フエ二ノレフエナント口 [ 9， 1 0— d] イミダゾーノレ、 2 - (o 一シァノフエニル) フエナント口 [9， 1 0 - d] イミダゾール、 2— （m—シァノフエ二ル）フエナント口 [9， 1 0 - d] イミダゾール、 2— （p—シァノフエニル）フエナント口 [ 9， 1 0— d ] イミダゾール、ヒドロキノン、 2— t—ブチルヒドロキノン、 2， 5—ジ一 t—プチルヒドロキノン、 2， 5—ビス（2， 4 - ジメチルフエニル) ヒドロキノン及ぴトリ— m—トリルフォスフィンよりなる群から選ばれる 1種又は 2種以上であることを特徴とする水素包接化合物の製造方法。

3 9 . 請求項 3 8において、多分子系ホスト化合物が、 1， 1 _ビス（4ーヒドロキシフエニル）シクロへキサン、 1， 1， 2， 2—テトラキス（4ーヒドロキシフエニル) ェタン、 1， 1， 2， 2—テトラキス ( 4ーヒドロキシフエ二ノレ) ェチレン、テトラキス（p—メトキシフエ二ル）エチレン、 9 , 9 ' —ビアンスリル、

1， 1， 2， 2—テトラフェニルエタン、ジフェン酸ビス (ジシク口へキシルァミド）、フマノレ酸ビスジシクロへキシルアミド、 a， a , a ' , a ' ーテトラフヱ二ノレ一 1， 1，ービフエ二ルー 2， 2 ' ージメタノール、 1， 1， 6， 6—テトラフエニルへキサ一 2， 4—ジイン一 1， 6 -ジオール、及ぴ 2 - (m—シァノフエニル）フヱナント口 [ 9， 1 0— d ] イミダゾールよりなる群から選ばれる 1種又は 2種以上であることを特徴とする水素包接化合物の製造方法。

4 0 . 請求項 3 5において、高分子系ホスト化合物が、セルロース類、デンプン類、キチン類、キトサン類、ポリビニルアルコール類、 1， 1， 2， 2—テトラキスフヱニルェタンをコアとするポリエチレングリコールアーム型ポリマー類、及び a , α , α ' , α，ーテトラキスフエ二ルキシレンをコアとするポリエチレングリコ一ルアーム型ポリマー類よりなる群から選ばれる 1種又は 2種以上であることを特徴とする水素包接化合物の製造方法。