WO2000078887A1 - Adhesif, element adhesif, substrat de circuit pour montage de semi-conducteur presentant un element adhesif, et dispositif a semi-conducteur contenant ce dernier - Google Patents

Adhesif, element adhesif, substrat de circuit pour montage de semi-conducteur presentant un element adhesif, et dispositif a semi-conducteur contenant ce dernier Download PDF

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weight
film
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epoxy
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Yuko Tanaka
Yasushi Shimada
Teiichi Inada
Hiroyuki Kuriya
Kazunori Yamamoto
Yasushi Kumashiro
Keiji Sumiya
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Hitachi Chemical Company, Ltd.
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    • Y10T428/31511Of epoxy ether

Definitions

  • Patent application title Adhesive, Adhesive Member, Semiconductor Mounting Wiring Board Equipped with Adhesive Member
  • the present invention relates to an adhesive, an adhesive member, a wiring board for mounting a semiconductor provided with the adhesive member, and a semiconductor device in which a semiconductor chip and a wiring board are bonded using the adhesive member.
  • CSP chip-scale package or chip-size package
  • Reliability is one of the most important characteristics of a mounting board on which various electronic components such as semiconductor elements are mounted. Among them, connection reliability against thermal fatigue is a very important item because it is directly related to the reliability of equipment using the mounting board.
  • the cause of the decrease in connection reliability is thermal stress generated by using various materials having different thermal expansion coefficients. This is because the thermal expansion coefficient of a semiconductor chip is as small as about 4 ppmZ ° C, while the thermal expansion coefficient of a wiring board on which electronic components are mounted is as large as 15 ppmZ: or more. Strain is generated, and thermal stress is generated by the thermal strain.
  • thermal stress was absorbed by the deformation of the lead frame to maintain reliability.
  • bare chip mounting employs a method of connecting the electrodes of the semiconductor chip to the wiring pads of the wiring board using solder poles, or a method of forming small protrusions called bumps and connecting them with a conductive paste.
  • the reliability of the connection was reduced by focusing on this connection. In order to disperse this thermal stress, it is known that it is effective to inject a resin called underfill between the wiring boards. I
  • Adhesive members are used between these CSP semiconductor chips and a wiring board called an in-poser to reduce the thermal stress caused by the difference in the coefficient of thermal expansion.
  • Such adhesive members are required to have moisture resistance and high-temperature durability, and a film-type adhesive member is required because of the ease of manufacturing process control.
  • Film-type adhesives are used for flexible printed wiring boards and the like, and systems mainly containing acrylonitrile-butadiene rubber are often used.
  • an adhesive containing an acrylic resin, an epoxy resin, a polyisocyanate and an inorganic filler disclosed in JP-A-60-243180.
  • No. 61-138680 discloses an acrylic resin, an epoxy resin, an adhesive having a urethane bond in a molecule, and a primary amine compound having both ends at both ends and an inorganic filler.
  • the above-mentioned adhesive member it is necessary for the above-mentioned adhesive member to have a function of relaxing thermal stress, heat resistance and moisture resistance.
  • the adhesive does not flow out to the electrode portion provided on the semiconductor chip for outputting an electric signal, and that the circuit provided on the wiring board is not required. There must be no gap between them.
  • On the electrode part If the adhesive leaks, poor connection of the electrodes will occur, and if there is a gap between the circuit and the adhesive, the heat resistance and moisture resistance will tend to decrease. For this reason, it is important to control the flow of the adhesive.
  • a film adhesive containing a thermosetting resin is liable to decrease in the flow amount and the adhesive strength due to aging. Therefore, it is necessary to control the flow amount and the adhesive strength of the adhesive member throughout its usable life.
  • the film adhesive containing the thermosetting resin gradually cures during storage.
  • the curing of the adhesive proceeds during a number of steps until the package is completed, such as a step of mounting the semiconductor chip on a wiring board called an ink-jet laser and a step of assembling the package.
  • the usable life of the adhesive should be as long as possible.
  • a long pot life means that there is little decrease in the amount of the mouth and the adhesive strength due to the change with time, and it is easy to control the flow amount and the adhesive strength.
  • thermosetting high molecular weight component such as an epoxy resin in order to improve heat resistance.
  • high molecular weight components having thermosetting properties have the disadvantage of requiring high temperatures and long times for curing.
  • a method of blending a curing accelerator in addition to a thermosetting resin has been used.
  • the curability is greatly improved by adding a curing accelerator, the reaction proceeds even at room temperature, and the fluidity of the adhesive changes when stored at room temperature. There was a new problem that it could become unusable.
  • the use of a latent curing accelerator that is inert at room temperature was considered. For example, in Japanese Patent Application Laid-Open No.
  • imidazole having high potential is used as a curing accelerator for an epoxy resin in an adhesive composition.
  • the adhesive composition is subjected to heat treatment in the production process of the adhesive film.
  • the present invention provides a low-elasticity, heat-resistance, and moisture-resistance without impairing the low-elasticity, heat-resistance, and moisture-resistance required for mounting a semiconductor chip having a large difference in thermal expansion coefficient on a wiring board called an interposer such as a glass epoxy board or a flexible board.
  • the purpose of the present invention is to provide a semiconductor device.
  • an object of the present invention is to provide an adhesive used particularly for producing an adhesive film having excellent storage stability.
  • the present invention relates to the following.
  • adhesive A 100 parts by weight of an epoxy resin and a curing agent thereof, (2) a glass transition temperature containing 0.5 to 6% by weight of glycidyl (meth) acrylate as a copolymer component 75 to 300 parts by weight of an epoxy group-containing acryl copolymer having a weight average molecular weight of 100,000 or more at 0 ° C or more, and (3) 0.1 to 20 parts by weight of a latent curing accelerator.
  • Adhesive contained hereinafter sometimes referred to as adhesive A).
  • An adhesive containing 75 to 300 parts by weight of an acryl copolymer and (4) 0.1 to 20 parts by weight of a latent curing accelerator.
  • the storage elastic modulus of the cured adhesive when measured using a dynamic viscoelasticity measuring device is 20 to 200 OMPa at 25 ° C, and 3 to 5 at 260 ° C.
  • Item 10 The adhesive according to any one of Items 1 to 9, which has 0 MPa.
  • the curing accelerator has compatibility with the dispersed phase in the B-stage state.
  • An adhesive characterized by phase separation from the continuous phase hereinafter sometimes referred to as adhesive B).
  • the dispersed phase is a phase mainly composed of an epoxy resin and a curing agent
  • the continuous phase is a phase mainly composed of a high molecular weight component having a weight average molecular weight of 100,000 or more.
  • Item 13 The adhesive according to item 12, wherein the high molecular weight component having a weight average molecular weight of 100,000 or more is an epoxy group-containing acryl copolymer containing 2 to 6% by weight of glycidyl methacrylate or daricidyl acrylate. Agent.
  • the adhesive layer according to any one of Items 1 to 14 is placed on the carrier film.
  • thermoplastic film is any one of polyamideimide, polyimide, polyetherimide and polyethersulfone.
  • Heat-resistant thermoplastic film is polytetrafluoroethylene, ethylenetetrafluoroethylene copolymer, tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer, tetrafluoroethylene-perfluoro Item 31.
  • 23. A wiring board for mounting a semiconductor, comprising the adhesive member according to any one of Items 15 to 22 on a semiconductor chip mounting surface of the wiring board.
  • a semiconductor device in which a semiconductor chip and a wiring board are bonded using the bonding member according to any one of Items 15 to 22.
  • a semiconductor device in which a semiconductor chip having an area of a semiconductor chip of 70% or more of an area of a wiring board and a wiring board are bonded using the bonding member according to any one of Items 15 to 22. .
  • FIG. 1A is a cross-sectional view showing a film-like adhesive member comprising a single layer of an adhesive according to the present invention
  • FIG. It is sectional drawing.
  • FIG. 2 (a) is a cross-sectional view showing a wiring board for mounting a semiconductor using a film-like adhesive member composed of an adhesive single layer according to the present invention
  • FIG. 2 (b) is an adhesive on both sides of a core material according to the present invention.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing a wiring board for mounting semiconductor using an adhesive member provided with the above-mentioned layers.
  • FIG. 3 (a) shows a semiconductor in which a semiconductor chip and a wiring board are bonded using a film-shaped bonding member made of an adhesive single layer according to the present invention, and the pads of the semiconductor chip and the wiring on the board are connected by bonding wires.
  • FIG. 3 (b) is a cross-sectional view of the device, and FIG. 3 (b) shows a semiconductor chip and a wiring board bonded to each other by using an adhesive member having an adhesive layer on both sides of a core material according to the present invention.
  • FIG. 3 (c) is a cross-sectional view of a semiconductor device in which a semiconductor chip and a wiring board are bonded by using a film-like adhesive member having a single layer of an adhesive according to the present invention.
  • FIG. 3 (d) is a cross-sectional view of a semiconductor device in which an inner lead of a substrate is bonded to a pad of a chip
  • FIG. 3 (d) shows a semiconductor chip and a wiring substrate using an adhesive member having an adhesive layer on both surfaces of a core material according to the present invention
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of a semiconductor device in which an inner lead of a substrate is bonded to pads of a semiconductor chip by bonding.
  • the epoxy resin used in the adhesive A of the present invention may be any as long as it cures and exhibits an adhesive action, and is bifunctional or more, and preferably has a molecular weight or a weight average molecular weight of less than 5000 (for example, 300 or more and less than 5000). More preferably, less than 3000 epoxy resins can be used.
  • the bifunctional epoxy resin include a bisphenol A type or a bisphenol F type epoxy resin.
  • Bisphenol A type or bisphenol F type liquid epoxy resin is commercially available from Yuka Shell Epoxy Co., Ltd. under the trade names Epicoat 807, Epicoat 827 and Epicoat 828. In addition, Dow Chemical Japan Co., Ltd. ⁇
  • a polyfunctional epoxy resin may be added for the purpose of increasing the Tg.
  • the polyfunctional epoxy resin include a phenol novolak epoxy resin and a cresol nopolak epoxy resin.
  • the phenol novolak epoxy resin is commercially available from Nippon Kayaku Co., Ltd. under the trade name EPPN-201.
  • Cresol nopolak epoxy resin is commercially available from Sumitomo Chemical Co., Ltd. under the trade names ES CN-190 and ES CN-195. It is also commercially available from Nippon Kayaku Co., Ltd. under the trade names ECN1010, EOCN1025, and EOCN1027. Further, it is marketed by Toto Kasei Co., Ltd. under the trade names of YDCN701, YDCN702, YDCN703, and YDCN704.
  • the curing agent for the epoxy resin those usually used as curing agents for the epoxy resin can be used, and amines, polyamides, acid anhydrides, polysulfides, boron trifluoride, and phenolic hydroxyl groups are contained in one molecule.
  • Bisphenol 8, Bisphenol F, Bisphenol S, etc. which are compounds having more than one compound.
  • a phenolic resin such as a phenol novolak resin, a bisphenol-nonopolak resin, or a cresol novolak resin because of excellent electric corrosion resistance during moisture absorption.
  • the preferred curing agent is a phenol novolak resin from Dainippon Ink and Chemicals Co., Ltd.
  • phenol nopolak resin bisphenol nopolak resin or cresol nopolak resin, for example, those having a weight average molecular weight of 500 to 2000 are preferably used, and those having a weight average molecular weight of 700 to 1400 are more preferable.
  • the curing agent is one equivalent of the epoxy group of the epoxy resin and the epoxy group of the curing agent
  • the reactive group is preferably used in an amount of 0.6 to 1.4 equivalents, and more preferably 0.8 to 1.2 equivalents. If the amount of the curing agent is too small or too large, the heat resistance tends to decrease.
  • High molecular weight resins compatible with epoxy resins and having a weight average molecular weight of 30,000 or more include phenoxy resin, high molecular weight epoxy resin, ultrahigh molecular weight epoxy resin, highly polar functional group-containing rubber, and high polarity. Examples include functional group-containing reactive rubber.
  • the weight average molecular weight must be 30,000 or more in order to reduce the tackiness of the adhesive in the B stage and improve the flexibility during curing.
  • the high molecular weight resin compatible with the epoxy resin and having a weight average molecular weight of 30,000 or more preferably has a weight average molecular weight of 500,000 or less, more preferably 30,000 to 100,000. If the molecular weight of this resin is too large, the resin fluidity will decrease.
  • the highly polar functional group-containing reactive rubber examples include a rubber obtained by adding a highly polar functional group such as a carboxyl group to an acrylic rubber.
  • “compatible with the epoxy resin” means a property of forming a homogeneous mixture without being separated from the epoxy resin and being separated into two or more phases after curing.
  • the amount of the high molecular weight resin compatible with the epoxy resin and having a weight average molecular weight of 30,000 or more is based on the total amount of the epoxy resin and the curing agent being 100 parts by weight, and the epoxy resin as the main component.
  • epoxy resin phase 5 parts by weight or more, to prevent the Tg of the epoxy resin phase from decreasing due to insufficient flexibility of the epoxy resin phase (hereinafter referred to as epoxy resin phase), reduction in tackiness, and deterioration of insulation due to cracks. It is not more than 40 parts by weight, preferably 10 to 20 parts by weight.
  • the phenoxy resin is commercially available from Toto Kasei Co., Ltd. under the trade names Phenototh YP-40 and Phenototh YP-50. It is also commercially available from Phenoxy Associates under the trade names PKHC, PKHH and PKHJ.
  • the high molecular weight epoxy resin is a high molecular weight epoxy resin having a molecular weight of 30,000 to 80,000, and an ultra-high molecular weight epoxy resin having a molecular weight exceeding 80,000 (Japanese Patent Publication No. 7-599617, Japanese Patent Publication No. 7- 5 9 6 18 No. 7, Tokuhei 7-5 9 6 19, Tokuhei 7- 5 9 6 20, Tokuhei 7- 6 4 9 11 1, Tokuhei 7 _ 6 8 3 2 No. 7), all of which are manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.
  • a highly polar functional group-containing reactive rubber a carboxyl group-containing acrylic rubber is commercially available from Teikoku Chemical Industry Co., Ltd. under the trade name of HTR-860P.
  • Epoxy-containing acrylyl copolymers containing 0.5 to 6% by weight of glycidyl (meth) acrylate and having a weight average molecular weight of at least 100 and a weight average molecular weight of 100,000 or more are commercially available from Teikoku Chemical Industry Co., Ltd.
  • the brand name HTR-860 P-3 can be used.
  • the carboxylic acid type acrylic acid or the hydroxyl group type hydroxymethyl (meth) acrylate is used as the functional group monomer, the cross-linking reaction proceeds easily, resulting in gelation in a varnish state and an increase in the degree of curing in a B-stage state. It is not preferable because there is a problem such as a decrease in adhesion.
  • the amount of glycidyl (meth) acrylate used as the functional group monomer is set to a copolymer ratio of 0.5 to 6% by weight.
  • the content is set to 0.5% by weight or more to ensure heat resistance, and to 6% by weight or less to reduce the amount of rubber added and increase the varnish solid fraction. If it exceeds 6% by weight, a large amount of an epoxy-containing acryl copolymer is required to reduce the elastic modulus of the cured adhesive. Since the epoxy group-containing acrylic copolymer has a high molecular weight, the viscosity of the adhesive varnish increases as the weight ratio increases.
  • the remainder other than glycidyl (meth) acrylate can be alkyl acrylate or alkyl methacrylate having an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, such as methyl acrylate or methyl methacrylate, or a mixture of these with styrene or acrylonitrile. These mixing ratios are determined in consideration of the Tg of the copolymer.
  • T g is lower than ⁇ 10 ° C., the tackiness of the adhesive film in the B-stage state increases, and the handling property deteriorates.
  • This T g is preferably 40 ° C. or lower, and more preferably ⁇ 10 t: 220 ° C. If the Tg is too high, the film tends to break at room temperature during handling.
  • the polymerization method include pearl polymerization, solution polymerization and the like, which can be obtained.
  • the weight average molecular weight of the epoxy group-containing acrylic copolymer is 100,000 or more.
  • the weight average molecular weight of the epoxy group-containing acrylic copolymer is preferably 200,000 or less.
  • the amount of the epoxy group-containing acrylic copolymer is 75 parts by weight or more based on 100 parts by weight of the total amount of the epoxy resin and the curing agent in order to reduce the elastic modulus and suppress the flow property during molding.
  • the blending amount of the group-containing acrylic copolymer increases, the number of phases of the rubber component increases, and the epoxy resin phase decreases, resulting in a decrease in handleability at high temperatures. And more preferably 100 to 250 parts by weight.
  • Latent curing accelerators are curing accelerators that can significantly reduce the reaction rate at room temperature while maintaining the reaction rate at the curing temperature of the adhesive.
  • a solid curing accelerator that is insoluble in epoxy resin at room temperature It is solubilized by heating and functions as an accelerator.
  • latent curing accelerator used in the present invention conventionally proposed latent curing agents can be used. Representative examples thereof include dihydrazide compounds such as dicyandiimide and adipic dihydrazide, guanamic acid, and melamic acid.
  • the adduct-type structure is an additional compound obtained by reacting a compound having catalytic activity with various compounds, and the compound having catalytic activity has an imidazole compound or a primary, secondary or tertiary amino group.
  • amine such as an existing compound
  • it is called an amine adduct type.
  • amine-epoxy duct system an amine-peroxide duct system
  • amine-urea duct system etc., depending on the type of compound being aducted.
  • Amine epoxy resin is not foamed during curing, has low elasticity, and can be used to obtain cured adhesives with good heat resistance and moisture resistance. it
  • a shear duct system is most preferred. Further, those having a long chain epoxy compound have higher potential and are superior.
  • the amine-epoxy duct-based latent curing accelerator used in the present invention is a solid which is insoluble in an epoxy resin at room temperature, and is made to react with an epoxy compound by heating to solubilize and function as an accelerator. And adducts obtained by treating the surface of these adducts with an isocyanate compound or an acidic compound.
  • Epoxy compounds used as raw materials for the production of amine-epoxy duct-based latent curing accelerators include, for example, polyphenols such as bisphenol A, bisphenol F, catechol and resorcinol, or glycerin and polyethylene glycol.
  • Polyglycidyl ether obtained by reacting a polyhydric alcohol such as epiclorhydrin, or a hydroxycarboxylic acid such as p-hydroxybenzoic acid or iS-hydroxynaphthoic acid with epiclorhydrin.
  • a polyhydric alcohol such as epiclorhydrin
  • a hydroxycarboxylic acid such as p-hydroxybenzoic acid or iS-hydroxynaphthoic acid
  • Amines used as a raw material for producing an amine-epoxy adduct latent curing accelerator have at least one active hydrogen in the molecule capable of undergoing an addition reaction with an epoxy group, and have a primary amino group and a secondary amino group. Any group may be used as long as it has at least one substituent selected from a group and a tertiary amino group in the molecule.
  • Examples of such amines include fatty acids such as diethylenetriamine, triethylenetetramine, n-propylamine, 2-hydroxyethylaminopropylamine, cyclohexylamine, and 4,4 'diamino-dicyclohexylmethane.
  • aromatic amines such as 2-methylaniline, 2-ethyl-4-methyl imidazole, 2-methyl imidazole, 2-ethyl imidazole 4-methyl imida
  • nitrogen-containing heterocyclic compounds such as zoline, 2,4-dimethylimidazoline, piperidine and piperazine.
  • a compound having a tertiary amino group is particularly a raw material that provides a curing accelerator having extremely high potential, and examples of such compounds are shown below, but are not limited thereto.
  • dimethylaminopropylamine getylaminopropylamine, di-n-propylaminopropylamine, dibutylaminopropylamine, dimethylaminoethylamine, dimethylaminoethylamine, N-methylpiamine.
  • Tertiary amino groups in the molecule such as amine compounds such as perazine, and imidazole compounds such as 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-ethyl-4-imidazole, 2-phenylimidazole, etc.
  • the same compounds can be used as the amine compound which is a raw material for the amine-laid adduct-based latent curing accelerator and the amine-urethane adduct-based latent curing accelerator.
  • Examples of the isocyanate compound which is a raw material of the amine-urethane adduct latent curing accelerator include tolylene diisocyanate, diphenyl methane diisocyanate, naphthalene diisocyanate, xylylene diisocyanate, and diphenyl sulfonate.
  • Ajinomoto Co., Ltd. has Amicure PN-23, Amicure MY-24, Amicure MY-D, Amicure MY-H, etc., and H-donor X-36 15 S, H-Dona-I-X-3293S, etc. from ERC, Inc., and Novakia HX-3748, Novakiyua HX- from Asahi Kasei Corporation.
  • Ancamine 2014 AS, Ancamine 2014 FG, etc. are commercially available from Pacific Anchor Chemical Co., Ltd. under the above trade names.
  • Amine-ureido type adducts are also commercially available from Fuji Kasei Co., Ltd. under the trade names Fujicure FXE-1000 and Fujicure FXR-1030.
  • the compounding amount of the latent curing accelerator is 0.1 to 20 parts by weight, preferably 1.0 to 15 parts by weight, based on 100 parts by weight of the epoxy resin and its curing agent in total. If the amount is less than 10 parts by weight, the curing speed becomes extremely slow, so that a good cured product of the adhesive cannot be obtained.
  • a coupling agent may be added to the adhesive to improve the interfacial bonding between different kinds of materials.
  • the coupling agent include a silane coupling agent, a titanium coupling agent, and an aluminum coupling agent, and among them, the silane coupling agent is preferable.
  • silane coupling agent examples include adalicidoxypropyltrimethoxysilane, amercaptopropyltrimethoxysilane, ⁇ -aminopropyltriethoxysilane, Ryoichiureidopropyltriethoxysilane, N— / 3-aminoethyl —Aminopropyltrimethoxysilane and the like.
  • the silane coupling agents described above include NUC A-187 for aglycidoxypropyltrimethoxysilane, NUCA-189 for amercaptopropyltrimethoxysilane, and amide aminopropyltriethoxysilane.
  • NUC A-110, ureidopropyltriethoxysilane is NUC A-110, N- ⁇ -Aminoethyl-aminopropyltrimethoxysilane is NUC A-120 Both are commercially available from Nippon Uniriki Co., Ltd.
  • the amount of the coupling agent is preferably 0.1 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the resin in view of the effect of the addition, heat resistance and cost.
  • an ion scavenger can be blended.
  • the amount of ion scavenger added depends on the effect From the viewpoint of heat resistance and cost, the amount is preferably 1 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the epoxy resin and its curing agent.
  • a compound known as a copper harm inhibitor for example, a triazine thiol compound or a bisphenol-based reducing agent, for preventing copper from being ionized and dissolved can be blended.
  • Examples of bisphenol-based reducing agents include 2,2'-methylene-bis- (4-methyl-6-tert-butylphenol) and 4,4'-thio-bis- (3-methyl-6-tert-butylphenol).
  • an inorganic ion adsorbent can be blended.
  • examples of the inorganic ion adsorbent include a zirconium compound, an antimony bismuth compound, and a magnesium aluminum compound.
  • a copper damage inhibitor containing a triazinethiol compound as a component is commercially available from Sankyo Pharmaceutical Co., Ltd. under the trade name Disnet DB.
  • a copper harm inhibitor containing a bisphenol-based reducing agent as a component is commercially available from Yoshitomi Pharmaceutical Co., Ltd. under the trade name Yoshinox ⁇ ⁇ .
  • Various inorganic ion adsorbents are marketed by Toa Gosei Chemical Industry Co., Ltd. under the trade name I®.
  • the adhesive of the present invention preferably contains an inorganic filler for the purpose of improving the handleability of the adhesive, improving the thermal conductivity, adjusting the melt viscosity, imparting thixotropic properties, and the like.
  • Inorganic fillers include aluminum hydroxide (aluminum hydroxide), magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, alumina, aluminum nitride, and aluminum borate. Examples include whiskers, boron nitride, crystalline silica, amorphous silica, and antimony oxide.
  • alumina, aluminum nitride, boron nitride, crystalline silica, amorphous silica and the like are preferable.
  • Aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, alumina, crystalline silicon are used for the purpose of adjusting the melt viscosity and imparting thixotropic properties. Force, amorphous silica and the like are preferred.
  • alumina, silica, aluminum hydroxide, and antimony oxide which improve moisture resistance are preferable.
  • the amount of the inorganic filler is preferably 1 to 20 parts by volume based on 100 parts by volume of the adhesive resin component. From the viewpoint of the effect of compounding, if the compounding amount is 1 volume part or more, and the compounding amount increases, Since the storage elastic modulus of the adhesive increases, the adhesiveness decreases, and the electrical properties decrease due to the remaining voids, problems are caused.
  • the present inventors have found that the storage stability of an adhesive and an adhesive film can be improved by selectively adding a curing accelerator to a resin phase that is dispersed discontinuously.
  • the adhesive B is an adhesive composition containing two kinds of resins, a curing agent, and a curing accelerator, which are phase-separated in the B-stage state, and a curing accelerator in the B-stage state. Is compatible with the dispersed phase and must be phase separated from the continuous phase.
  • Examples of the resin used in the above-mentioned dispersed phase include epoxy resin, cyanate ester resin, cyanate resin, silicone resin, acrylic rubber having a functional group such as an epoxy group and a carboxyl group, and resin having a functional group such as an epoxy group and a carboxyl group.
  • Modified resins such as silicone rubber and silicone-modified polyamideimide can be used.
  • Epoxy resins are preferred because of their high adhesiveness and heat resistance.
  • As the epoxy resin those described above can be used.
  • the epoxy resin curing agent described above can also be used. These mixing ratios are also as described above.
  • Resins that phase-separate from the above resin phase in the B-stage state include acrylic rubber, which is a copolymer of acrylate, methacrylate and acrylonitrile, butadiene rubber containing styrene, acrylonitrile, etc., silicone resin, silicone-modified polyamideimide And the like.
  • acrylic rubber which is a copolymer of acrylate, methacrylate and acrylonitrile, butadiene rubber containing styrene, acrylonitrile, etc.
  • silicone resin silicone-modified polyamideimide And the like.
  • the Tg containing 2 to 6% by weight of glycidyl methacrylate or glycidyl acrylate has a T g of ⁇ 10 ° C. or more and a weight average molecular weight of 100,000 or more (particularly preferably 800,000 or more, and more preferably Is 200,000 or less), which is particularly preferable in terms of high adhesiveness and high heat resistance.
  • the polymer those containing 2 to 6% by weight of a glycidyl (meth) acrylate copolymer component among those described above for the adhesive A can be used.
  • the resins forming these resin phases need to be phase-separated in the B-stage state, and one resin must form a dispersed phase in which it is discontinuously dispersed and the other must form a continuous phase. It is necessary.
  • the B-stage state in the present invention is a state where the value of the calorific value of curing using DSC is 10 to 40% of the total curing calorific value of the composition in the uncured state.
  • the amount of the resin forming the continuous phase when in the B-stage state is preferably 20 to 85% by weight of the resin forming the dispersed phase and the continuous phase.
  • the curing accelerator must be compatible with the dispersed phase that is discontinuously dispersed in the form of islands in the B-stage state, and must be a substance that is phase-separated from the sea-like phase. Preferably, it has the same polarity and molecular structure as the island phase, and has a polarity and molecular structure that is significantly different from the other.
  • the curing accelerator is a mixture of an epoxy compound and an imidazole compound.
  • An addition compound, an addition compound of an epoxy compound and a dialkylamine, and the like are preferable.
  • those in which the epoxy compound has a long chain are particularly preferred.
  • those having the above-mentioned adduct structure are preferable in that the activity at room temperature can be reduced, and examples thereof include an amine-epoxy adduct, an amine-peroxide adduct, and an amine-urethane adduct.
  • Amine-epoxy adducts are particularly preferred in that they do not foam at the time of curing, have low elasticity, and provide a cured adhesive material having good heat resistance and moisture resistance.
  • amine-epoxy adduct latent curing accelerator and the adduct curing accelerator are as described above.
  • the compounding amount of the curing accelerator (including the latent curing accelerator) is preferably 0.1 to 20 parts by weight, more preferably 1 to 100 parts by weight of the total of the resin and the curing agent in the disperse phase. 0 to 15 parts by weight. If the amount is less than 0.1 part by weight, the curing rate tends to be slow, and if it exceeds 20 parts by weight, the usable life tends to be short.
  • the curing accelerator As the curing accelerator, the above-mentioned adduct-type latent curing accelerator is preferable, and as the other curing accelerator, it is preferable to appropriately use various imidazoles and the like, and the amount thereof is such that a desired storage stability can be obtained. It is preferable to determine in consideration of the above.
  • the imidazole include 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-21-phenylimidazole trimellitate and the like.
  • the imidazols are Commercially available from Shikoku Chemicals Corporation under the trade names 2E4MZ, 2PZ-CN, 2PZ-CSN.
  • a filler may be added for the purpose of adjusting the fluidity and improving the moisture resistance.
  • a filter examples include silica and diantimony trioxide.
  • a coupling agent may be added to the adhesive to improve the interfacial bonding between different kinds of materials.
  • an ion scavenger can be added to adhere ionic impurities to improve insulation reliability during moisture absorption.
  • the amount of the force coupling agent used is preferably 0.1 to 10% by weight based on the total amount of the resin component and the curing agent component forming each of the dispersed phase and the continuous phase.
  • the use amount of the ion scavenger is preferably 1 to 10% by weight based on the total amount of the resin component and the hardener component forming each of the dispersed phase and the continuous phase.
  • the effect of selectively adding the curing accelerator to the discontinuously dispersed resin phase is not clear, but is presumed as follows. Most of the hardening accelerator is contained in the island-like dispersed phase, and very little hardening accelerator is present in the continuous phase. Even if curing progresses during storage in the dispersed phase, the effect on fluidity is small, while at the curing temperature, active groups formed by the reaction initiated from the dispersed phase react with the continuous phase. It is considered that the hardening of the continuous phase proceeds.
  • the components of the adhesive are dissolved or dispersed in a solvent to form a varnish, and the varnish is applied to the carrier film, heated, and the solvent is removed to form an adhesive layer on the carrier film. Obtained by forming.
  • the heating temperature is usually preferably from 100 to 180 ° C, more preferably from 130 to 160 ° C, and the heating time is usually preferably from 3 to 15 minutes, and from 4 to 1 0 minutes is more preferable. It is preferable that the adhesive after removing the solvent by heating has finished heating of 10 to 40% of the total curing calorific value measured by DSC (differential scanning calorimetry). Further, the amount of the residual solvent in the film-form adhesive is preferably 5% by weight or less.
  • Carrier films include polytetrafluoroethylene film, polyethylene terephthalate film, release-treated polyethylene terephthalate film, polyethylene film, polypropylene film, The film can be peeled off at the time of use and only the adhesive film can be used, or it can be used together with the carrier film and removed later.
  • a polyimide film is commercially available from Toray DuPont under the trade name Kapton and from Kanegafuchi Chemical Co., Ltd. under the trade name Apical.
  • Polyethylene terephthalate film is commercially available under the trade name Lumirror from Toray DuPont and under the trade name Purex from Teijin Limited.
  • the solvent for varnishing it is preferable to use relatively low boiling point methyl ethyl ketone, acetone, methyl isobutyl ketone, 2-ethoxyethanol, toluene, butyl cellosolve, methanol, ethanol, 2-methoxyethanol, etc. .
  • a high-boiling solvent may be added for the purpose of improving the coating properties.
  • the high boiling point solvent include dimethylacetamide, dimethylformamide, methylpyrrolidone, cyclohexanone and the like.
  • the production of varnish can be carried out by using a grinder, a three-roll mill, a bead mill, etc., or a combination thereof, in consideration of the dispersion of the inorganic filler.
  • a grinder a three-roll mill, a bead mill, etc., or a combination thereof, in consideration of the dispersion of the inorganic filler.
  • the time required for mixing can be shortened.
  • the thickness of the adhesive member made of only the film adhesive is preferably 25 to 250 tm, but is not limited thereto. When the thickness is less than 25 m, the effect of stress relaxation is poor, and when it is thick, it is not economical.
  • an adhesive member having a desired film thickness can be obtained.
  • laminating conditions are required so that peeling of the adhesive films does not occur.
  • the adhesive member of the present invention may be one in which an adhesive layer is formed on both surfaces of a core material.
  • the thickness of the core material is preferably in the range of 5 to 200 m, but is not limited thereto.
  • the thickness of the adhesive layers formed on both surfaces of the core material is preferably in the range of 10 to 200 / m. If the thickness is smaller than this, the adhesiveness and the effect of relaxing the stress are poor, and if it is thicker, it is not economical, but it is not limited to this.
  • a heat-resistant polymer or a heat-resistant thermoplastic film using a liquid crystal polymer, a fluorine-based polymer, or the like is preferable.
  • a porous film can be used to reduce the elastic modulus of the adhesive member.
  • a core material having a softening point temperature of 260 ° C. or higher it is preferable to use a core material having a softening point temperature of 260 ° C. or higher.
  • the adhesive may peel off at high temperatures such as during solder reflow.
  • the polyimide film is commercially available from Ube Industries, Ltd. under the trade name Upilex, from Toray DuPont Co., Ltd. under the trade name Kapton, and from Kanegafuchi Chemical Co., Ltd. under the trade name Apical.
  • Polytetrafluoroethylene film is commercially available from Mitsui DuPont Fluorochemicals Co., Ltd. under the trade name Teflon, and from Daikin Industries, Ltd. under the trade name Polyflon.
  • Ethylene tetrafluoroethylene copolymer film is commercially available from Asahi Glass Co., Ltd. under the trade name AFLON COP and from Daikin Industries, Ltd. under the trade name NEOFLON ETFE.
  • Tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer film is commercially available from Mitsui 'Dupont Fluorochemicals Co., Ltd. under the trade name of Teflon FP, and from Daikin Industries, Ltd. under the trade name Neoflon FP.
  • Tetrafluoroethylene-perfluoroalkylvinylether copolymer film is commercially available from Mitsui DuPont Fluorochemicals Co., Ltd. under the trade name Teflon PFA, and from Daikin Industries, Ltd. under the trade name Neoflon PFA.
  • Liquid crystal polymer films are commercially available from Kuraray Co., Ltd. under the trade name Vectra. Furthermore,
  • the adhesive layers formed on both sides of the core material do not dissolve the components of the adhesive in the solvent.
  • the adhesive layer can be formed on the heat-resistant thermoplastic film by dispersing it into a varnish, applying the varnish on a heat-resistant thermoplastic film serving as a core material, heating and removing the solvent. By performing this step on both surfaces of the heat-resistant thermoplastic film, an adhesive member having an adhesive layer formed on both surfaces of the core material can be produced. In this case, it is desirable to protect the surface with a cover film so that the adhesive layers on both sides do not block each other. However, if blocking does not occur, it is preferable not to use a cover film for economic reasons, and there is no restriction.
  • a varnish obtained by dissolving or dispersing each component of the adhesive in a solvent is applied to the above-mentioned carrier film, heated and the solvent is removed to form an adhesive layer on the carrier film.
  • an adhesive member having an adhesive layer formed on both surfaces of the core material can be produced.
  • a carrier film can be used as the cover film.
  • the adhesive layers formed on both sides of the core material should be in a state where 10 to 40% of the total curing calorific value measured using DSC has been completed, similar to the adhesive material consisting of only film adhesive. Is preferred.
  • the storage elastic modulus of the cured adhesive of the present invention measured by a dynamic viscoelasticity measuring apparatus is preferably 20 to 2000 MPa at 25 ° C and 3 to 5 OMPa at 260 ° C.
  • the modulus of elasticity is measured in a temperature-dependent measurement mode in which a tensile load is applied to the cured adhesive and the temperature is measured from 50 ° C to 300 ° C at a frequency of 10Hz and a heating rate of 5 to 10 ° CZ. I got it.
  • the storage elastic modulus exceeds 2000 MPa at 25 ° C and exceeds 5 OMPa at 260, the effect of relaxing the thermal stress caused by the difference in the thermal expansion coefficient between the semiconductor chip and the interposer, which is the wiring board, is not significant.
  • the storage elastic modulus is less than 2 OMPa at 25 ° C, the handleability of the adhesive and the thickness accuracy of the adhesive layer are deteriorated, and if the storage elastic modulus is less than 3 MPa at 260 ° C, reflow cracks are easily generated.
  • a defeated board for mounting a semiconductor of the present invention includes the adhesive member of the present invention provided on a semiconductor chip mounting surface of a wiring board.
  • Examples of the wiring board used for the semiconductor mounting wiring board of the present invention include a ceramic substrate and 2%
  • a substrate material such as an organic substrate.
  • An alumina substrate, an aluminum nitride substrate, or the like can be used as the ceramic substrate.
  • an FR-4 substrate in which glass cloth is impregnated with an epoxy resin, a BT substrate in which bismaleimide-triazine resin is impregnated, and a polyimide film substrate using a polyimide film as a base material can be used. it can.
  • the shape of the wiring may be any of single-sided wiring, double-sided wiring, and multi-layered wiring, and a through-hole or a non-through-hole electrically connected may be provided as necessary.
  • a method of cutting the adhesive member into a predetermined shape and thermocompression bonding the cut adhesive member to a desired position on the wiring board is general, but is not limited thereto. It is not something to be done.
  • the structure of the semiconductor device of the present invention is not particularly limited as long as it has a semiconductor chip and a wiring board bonded to each other using the bonding member of the present invention.
  • the structure of the semiconductor device of the present invention further includes a structure in which the electrodes of the semiconductor chip and the wiring substrate are connected by wire bonding, and a structure in which the electrodes of the semiconductor chip and the wiring substrate are connected by tape automated bonding (TAB). ),
  • TAB tape automated bonding
  • FIGS. 1 to 3 A method of assembling a semiconductor device using an adhesive member will be described with reference to FIGS. 1 to 3 as examples, but the present invention is not limited thereto.
  • the adhesive member may be a film-like adhesive 1 as shown in FIG. 1 (a), or an adhesive having a layer of adhesive 1 on both sides of a core material 2 as shown in FIG. 1 (b).
  • the adhesive member cut out to a predetermined size may be attached to the wiring 3 side of the wiring board 4 on which the wiring 3 shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b) is formed, for example, at 100 to 150 ° (:, Thermocompression bonding under the conditions of 0.01 to 3 MPa and 0.5 to 10 seconds is performed to obtain a wiring board for mounting a semiconductor provided with an adhesive member.
  • the pads of the semiconductor chip 5 and the wiring 3 on the wiring board 4 are connected by bonding wires 6, and in FIGS. 3 (c) and 3 (d), the wiring board 4 is connected to the pads of the semiconductor chip 5.
  • the semiconductor device can be obtained by bonding the inner lead 6 ′, sealing with the sealing material 7 and providing the solder ball as the external connection terminal 8.
  • bonding the bonding member to the wiring 3 side of the wiring board 4 is often performed at a lower temperature than bonding the semiconductor chip 5.
  • the thermal stress generated between the semiconductor chip and the wiring board is remarkable when the area difference between the semiconductor chip and the wiring board is small, but the semiconductor device according to the present invention uses the adhesive member for electronic components having a low elastic modulus to generate the heat stress. It relieves stress to ensure reliability. Further, when the adhesive member is flame-retardant, it has flame retardancy as a semiconductor device. These effects are very effective when the area of the semiconductor chip is 70% or more of the area of the wiring board.
  • the area of the semiconductor chip and the area of the wiring board mean the area of the mutually facing surfaces of the semiconductor chip and the wiring board. In such a semiconductor device in which the area difference between the semiconductor chip and the wiring board is small, the external connection terminals are often provided in an area.
  • the semiconductor device in which the semiconductor chip and the wiring substrate were bonded using the bonding member of the present invention was excellent in reflow resistance, temperature cycle test, moisture resistance (PCT resistance), and the like.
  • the usable life of the adhesive was long, and the semiconductor device manufactured using the device after storage at 25 ° C for 3 months also showed almost the same characteristics as the initial stage.
  • the weight average molecular weight is measured by gel permeation chromatography using a standard polystyrene calibration curve.
  • Bisphenol A type epoxy resin as epoxy resin (epoxy equivalent: 175, trade name: YD—81 25, manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.) 45 parts by weight, cresol nopolak type epoxy resin (epoxy equivalent: 210 , Manufactured by Toto Kasei Co., Ltd. I
  • N-703 used 15 parts by weight, phenol novolac resin as epoxy resin curing agent (Dai Nippon Ink Chemical Industry Co., Ltd. product name Plyofen LF2882) 40 parts by weight, epoxy group-containing acrylic Acrylic rubber containing epoxy group as a polymer (Molecular weight 1,000,000, glycidyl methacrylate 1% by weight, Tg-7: trade name, manufactured by Teikoku Chemical Industry Co., Ltd., using HTR-860 P_3) 220 parts by weight, latent curing acceleration Amine-peroxide adduct-based curing accelerator (Fujicure FXR-1030 manufactured by Fuji Kasei Co., Ltd.) was used as an agent.
  • phenol novolac resin as epoxy resin curing agent Dai Nippon Ink Chemical Industry Co., Ltd. product name Plyofen LF2882
  • epoxy group-containing acrylic Acrylic rubber containing epoxy group as a polymer Molecular weight 1,000,000, glycidyl methacrylate 1% by weight, Tg-7:
  • the adhesive film was cured by heating at 170 ° C for 1 hour, and its storage modulus was measured using a dynamic viscosity measurement device (Rheology, DVE-V4) (sample size: length 20 mm, width 4 mm, As a result of a film thickness of 80 / im, a heating rate of 5 ° CZ, a tensile mode, 10 Hz, and an automatic static load), it was 600 MPa at 25 ° C and 5 MPa at 260 ° C.
  • the solids content of the adhesive varnish was 32% by weight.
  • the solids content of this adhesive varnish is a value so that the varnish viscosity is about 100 voise (25 ° C). If the solids content is further increased to increase the viscosity, the thickness variation will increase (the same applies hereinafter). . (Preparation of adhesive varnish 2)
  • Adhesive varnish 2 was prepared in accordance with the preparation of adhesive varnish 1, except that parts by weight were used.
  • an adhesive film was prepared in the same manner as in the preparation of adhesive varnish 1, except that the drying temperature during film formation was changed from 140 ° C to 160 ° C.
  • the storage elastic modulus was measured using a dynamic viscoelasticity measuring device in the same manner as described above. As a result, it was 360 MPa at 25 ° C. and 4 MPa at 260 ° C.
  • the solid content of the adhesive varnish was 28% by weight.
  • an adhesive film was prepared in the same manner as in the preparation of the adhesive varnish 1, except that the drying temperature during film formation was changed from 140 ° C to 120 ° C.
  • the storage elastic modulus was measured using a dynamic viscoelasticity measuring apparatus in the same manner as described above, and as a result, it was 25 °. 3601 ⁇ ? 3 and 4MPa at 260 ° C.
  • the solid content of the adhesive varnish was 28% by weight.
  • an adhesive film was produced in the same manner as in the method for preparing adhesive varnish 1.
  • the storage elastic modulus was measured using a dynamic viscoelasticity measuring device in the same manner as described above.
  • MPa was 4 MPa at 260 ° C.
  • the solid content of the adhesive varnish was 28% by weight.
  • Adhesive varnish 1 is coated on a 75 / xm-thick release-treated polyethylene terephthalate film, and dried by heating at 140 ° C for 5 minutes. Was formed, and an adhesive film provided with a carrier film was produced. This adhesive film is bonded at a temperature of 110 ° C, a pressure of 0.3 MPa, and a speed of 0.3 m / min using a hot roll laminator, and is bonded to a 150 / m thick single-layer film. A member was manufactured.
  • the degree of cure of the adhesive in this state was measured using a DSC (Model 912 made by DuPont) (heating rate, 10 ° C / min). As a result, heat generation of 20% of the total curing calorific value was completed. It was in a state.
  • the residual solvent amount of the adhesive alone was 1.5% by weight based on the weight change before and after heating at 120 ° C for 60 minutes.
  • a single-layer film-shaped adhesive member was produced in the same manner as in Example 1 except that the adhesive varnish 1 was changed to the adhesive varnish 2.
  • the degree of cure of the adhesive in this state was measured using a DSC (DuPont Model 912 DSC) (heating rate, 10 ° CZ), and as a result, 20% of the total curing calorific value was generated. Condition.
  • the residual solvent amount was 1.4% by weight.
  • the adhesive varnish 2 is applied on a polyimide film having a thickness of 25 m (using Ube Industries, Ltd. under the trade name of U-PILEX SGA-25), and dried by heating at 120 ° C for 5 minutes to form a film. Formed a B-stage coating film with a thickness of 50 m, then applied the same varnish to the opposite surface on which the adhesive layer was formed, and dried by heating at 140 ° C for 5 minutes. A coating film in this state was formed, and an adhesive member having adhesive layers on both surfaces of the polyimide film used as the core material was produced. The degree of cure of the adhesive in this state was measured using a DSC (DuPont Model 912 DSC) (heating rate, 10 ° CZ minute). Heat generation of 20% of the total curing calorific value was completed in the 75 m layer. The residual solvent amount was 1.3 to L; 6% by weight in each case.
  • the degree of cure of the adhesive in this state was measured using a DSC (DuPont Model 912 DSC) (heating rate, 10 ° C min.). 20% of the heat had been generated. The residual solvent amount was 1.4% by weight. (Example 5)
  • Example 4 was repeated except that the core material polyimide film was a 25 xm-thick tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer film (trade name: Teflon FEP manufactured by Mitsui DuPont Fluorochemical Co., Ltd.) Similarly, an adhesive member having an adhesive layer on both surfaces of a tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer film was produced. Tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer film is obtained by chemically treating both sides of the film (using the trade name Tetra-etch manufactured by Junye Co., Ltd.) in order to improve wettability and increase adhesiveness. Using.
  • Adhesive Varnish 2 is applied to a 75 xm-thick release-treated polyethylene terephthalate film, and dried by heating at 140 ° C for 5 minutes to form a B-stage coating with a thickness of 60 m. A film was formed, and a single-layer film-shaped adhesive member provided with a carrier film was produced. This single-layer film is coated on both sides of a 100 xm-thick porous polytetrafluoroethylene film (made by Sumitomo Electric Industries, Ltd. under the trade name of Poreflon WP_100-100) at a temperature of 110 ° C and a pressure of 0. Attached using hot roll laminator at 3 MPa, speed 0.2 m / min, and provided adhesive layers on both sides of the porous polytetrafluoroethylene film used as the core material An adhesive member was manufactured.
  • a 100 xm-thick porous polytetrafluoroethylene film made by Sumitomo Electric Industries, Ltd. under the trade name
  • a single-layer film-shaped adhesive member was prepared in the same manner as in Example 1 except that adhesive varnish 1 was changed to adhesive varnish 3, and the drying temperature during film formation was changed from 140 ° C to 160 ° C. .
  • the degree of cure of the adhesive in this state was measured using a DSC (DuPont Model 912 DSC) (heating rate, 10 ° CZ minute). It was in a state.
  • a single-layer film-like adhesive member was produced in the same manner as in Example 1 except that adhesive varnish 1 was changed to adhesive varnish 4, and the drying temperature during film formation was changed from 140 ° C to 120 ° C. .
  • the degree of cure of the adhesive in this state was measured using a DSC (DuPont Model 912 DSC) (heating rate, 10 ° CZ), and as a result, 20% of the total curing calorific value was generated. Condition.
  • An adhesive member in the form of a single-layer film was produced in the same manner as in Example 1 except that the adhesive varnish 1 was changed to the adhesive varnish 5.
  • the degree of cure of the adhesive in this state was measured using a DSC (DuPont Model 912 DSC) (heating rate, 10 ° CZ), and as a result, 20% of the total curing calorific value was generated.
  • a DSC DuPont Model 912 DSC
  • a semiconductor chip as shown in FIGS. 3 (c) and 3 (d) and a wiring board using a polyimide film having a thickness of 25 m as a base material were bonded with the adhesive member (lamination).
  • a semiconductor device sample (with a solder pole formed on one side) was prepared and examined for heat resistance, flame retardancy, moisture resistance, and the presence of foam.
  • the reflow crack resistance and temperature cycle test were applied to the evaluation method of heat resistance. Evaluation of reflow crack resistance is based on the maximum temperature of the sample surface. The sample was passed through an IR reflow oven set at 240 ° C to maintain this temperature for 20 seconds, and cooled by standing at room temperature twice.The cracks in the sample were visually observed. Observed with an ultrasonic microscope. Samples with no cracks were marked with ⁇ , and those with cracks were marked with X.
  • the temperature cycle resistance is as follows: the sample is left in an atmosphere of 150 ° C for 30 minutes and then left in an atmosphere of 125 ° C for 30 minutes. Using a microscope, ⁇ indicates that no delamination or cracking occurred, and X indicates that it did.
  • the moisture resistance was evaluated by observing peeling after treatment for 72 hours in an atmosphere at a temperature of 121 ° C, a humidity of 100% and a pressure of 2 atm (please cooker test: PCT treatment). .
  • the case where no peeling of the adhesive member was recognized was marked with “ ⁇ ”, and the case where peeling was observed was marked with “X”.
  • the presence or absence of foaming was confirmed by using an ultrasonic microscope.
  • a sample in which no foaming was observed in the adhesive member was marked with “ ⁇ ”, and a sample with foaming was marked with “X”.
  • a sample of the same semiconductor device was prepared using the obtained adhesive member stored at 25 ° C for 3 months, and the embedding property of the adhesive into the circuit was measured using an ultrasonic microscope. It was confirmed.
  • the case where there was no gap between the circuit provided on the wiring board and the case where there was a gap was marked X.
  • the results are shown in Table 1.
  • Example 1 used an amine-peroxide adduct-based latent curing accelerator, and had a long usable life and was good, but foaming during curing was observed.
  • Examples 2 to 9 used an amine-epoxy adduct-based latent curing accelerator, and showed good results with a long pot life and no foaming during curing.
  • These cured adhesives exhibit storage elastic moduli at 25 ° C. and 260 ° C., which are defined as preferred in the present invention. Good crack resistance, temperature cycle resistance, and moisture resistance.
  • Examples 3 to 7 are adhesive members provided with a core material, but have good handleability.
  • Reference Example 1 is an example in which an imidazole compound having no adduct was used as the curing accelerator, and the pot life was short.
  • Bisphenol A-type epoxy resin (epoxy equivalent: 190, using Epico Co., Ltd. 8288 manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.) 4 5 parts by weight, Cresol nopolak type epoxy resin (epoxy equivalent: 195, epoxy equivalent) ESCN 195 from Sumitomo Chemical Co., Ltd.) 15 parts by weight, phenol nopolak resin as a curing agent for epoxy resin (Pryofen LF 28 from Dainippon Ink and Chemicals, Inc.) 82 parts) 40 parts by weight, aglycidoxypropyltrimethoxysilane as a silane coupling agent (NUCA-187 manufactured by Nippon Tunicer Co., Ltd.) 0.7 parts by weight Methyl ethyl ketone is added and mixed with stirring, and an epoxy group-containing acrylic copolymer containing 2 to 6% by weight of glycidyl methacrylate or daricidyl acrylate (weight average molecular weight of 100,000, 150 parts by
  • a varnish with a thickness of 75 // m in the B-stage was formed, and an adhesive film with a carrier film (polyethylene terephthalate film with a release treatment, thickness: 75 mm) was prepared (dry Drying conditions: temperature 140 ° C, time 5 minutes).
  • the AMIKIWA MY-24 was uniformly dissolved in the mixture of the epoxy resin and the curing agent but was not dissolved in the acrylic rubber, but was precipitated in the form of particles.
  • the epoxy resin was phase-separated into a dispersed phase and the acrylic rubber was phase-separated into a continuous phase.
  • An adhesive film provided with a carrier film was produced in the same manner as in Example 10 except that Fujicure FXR-1030 from Fuji Kasei Co., Ltd., which is an amine-peridod adduct compound, was used as a curing accelerator.
  • Fujicure FXR-1030 was uniformly dissolved in the mixture of epoxy resin and hardener, but was not dissolved in the acrylic rubber but precipitated in the form of particles. .
  • a carrier film was prepared in the same manner as in Example 1 except that 0.5 parts by weight of 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole (Curesol 2 PZ-CN manufactured by Shikoku Chemicals Co., Ltd.) was used as a curing accelerator.
  • the provided adhesive film was produced.
  • Cure 2 PZ—CN was dissolved in both the epoxy resin and the acrylic rubber.
  • the shelf life was evaluated by using the obtained adhesive member stored at 25 ° C for 1 to 6 months, and using the semiconductor chip and a wiring board using a 25 zm thick polyimide film as the base material.
  • Lamination (Lamination conditions: temperature: 160 ° (:, pressure: 1.5 MPa, time: 3 seconds)
  • the embedding property of the adhesive into the circuit was confirmed.
  • the case where there was no gap between the circuit and the circuit was marked with ⁇ , and the case where a gap was found was marked with X.
  • Table 2 Evaluation results are shown in Table 2.
  • Example 10 used an amine-epoxy adduct-based latent curing accelerator, and had a long usable life and was favorable.
  • Example 11 uses an amine-laid adduct-based latent curing accelerator, and has a long usable life and is favorable.
  • an imidazole-based curing accelerator having a small molecular weight and being soluble in both rubber and epoxy was used, and the pot life was short.
  • the adhesive A in the present invention could improve the storage stability of the B-stage film by using a latent curing accelerator.
  • Those using AMI-24 and FXR-1030 of the amine duct type had good heat resistance and moisture resistance.
  • an amine-epoxy duct type latent curing accelerator is used, a completely cured product can be obtained without foaming because the curing speed at the time of curing the adhesive is sufficiently high.
  • An adhesive member using the adhesive of the present invention using an accelerator has good heat resistance and moisture resistance. With these effects, it is possible to efficiently provide an adhesive material necessary for a semiconductor device exhibiting excellent reliability.
  • the adhesive film using the adhesive B of the present invention has a long pot life and can be stored for a long period of time, and has a greater effect than conventional adhesive films in that production control is smooth. Therefore, an adhesive and an adhesive film having excellent storage stability can be produced.
  • an adhesive using an epoxy group-containing acrylic copolymer containing 2 to 6% by weight of a glycidyl (meth) acrylate copolymer component as a resin having a high molecular weight component forming a continuous phase can be used. It is excellent in that an adhesive film having higher adhesiveness and heat resistance can be produced.
  • an adhesive using an amine-epoxy adduct compound as a curing accelerator can be used to produce an adhesive or an adhesive film that does not foam during curing, has low elasticity, and has excellent heat resistance and moisture resistance. Excellent. Therefore, according to these inventions, an adhesive film, a wiring board for mounting a semiconductor, and a semiconductor device having particularly high storage stability can be manufactured.

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Description

明細書 接着剤、 接着部材、 接着部材を備えた半導体搭載用配線基板及びこれを用いた半
技術分野
本発明は、 接着剤、 接着部材、 接着部材を備えた半導体搭載用配線基板及びこ の接着部材を用いて半導体チップと配線基板とを接着させた半導体装置に関する。 背景技術
近年、 電子機器の発達に伴い電子部品の搭載密度が高くなり、 チップスケール パッケージやチップサイズパッケージ (以下 C S Pと呼ぶ) と呼ばれるような半 導体チップサイズとほぼ同等なサイズを有する半導体パッケージや半導体のベア チップ実装など新しい形式の実装方法が採用され始めている。
半導体素子をはじめとする各種電子部品を搭載した実装基板として最も重要な 特性の一つとして信頼性がある。 その中でも、 熱疲労に対する接続信頼性は実装 基板を用いた機器の信頼性に直接関係するため非常に重要な項目である。
この接続信頼性を低下させる原因として、 熱膨張係数の異なる各種材料を用い ていることから生じる熱応力が挙げられる。 これは、 半導体チップの熱膨張係数 が約 4 p p mZ°Cと小さいのに対し、 電子部品を実装する配線板の熱膨張係数が 1 5 p p mZ :以上と大きいことから熱衝撃に対して熱ひずみが発生し、 その熱 ひずみによって熱応力が発生するものである。
従来の Q F Pや S O P等のリードフレームを有する半導体パッケージを実装し た基板では、 リードフレームの変形により熱応力を吸収し信頼性を保つていた。 しかし、 ベアチップ実装では、 はんだポールを用いて半導体チップの電極と配 線板の配線パッドを接続する方式やバンプと称する小突起を作製して導電ペース トで接続する方式をとつており、 熱応力がこの接続部に集中して接続信頼性を低 下させていた。 この熱応力を分散させるためにアンダーフィルと呼ばれる樹脂を :配線板の間に注入させることが有効であることがわかっているが、 実装 I
工程を増やし、 コストアップを招いていた。 また、 従来のワイヤボンディングを 用いて半導体チップの電極と配線板の配線パッドを接続する方式もあるが、 ワイ ャを保護するために封止材樹脂を被覆せねばならずやはり実装工程を増やしてい た。
CSPは他の電子部品と一括して実装できるために、 日刊工業新聞社発行表面 実装技術 1997— 3号記事 「実用化に入った CSP (ファインピッチ BGA) のゆくえ」 中の 5ページ表 1に示されたような各種構造が提案されている。 その 中でも、 ィン夕ーポ一ザと呼ばれる配線基板にテープやキヤリァ基板を用いた方 式の実用化が進んでいる。 これは、 前述表の中で、 テセラ社や T I社などが開発 している方式を含むものである。 これらはインターポーザと呼ばれる配線基板を 介するために、 信学技報 CPM96- 121, I CD 96— 160 (1996— 12) 「テープ BGAタイプ C S Pの開発」 やシャープ技報第 66号 (1996 - 12) 「チップサイズパッケージ (C h i p S i z e P a c k a g e) 開 発」 に発表されているように優れた接続信頼性を示している。
これらの C S Pの半導体チップとィン夕ーポーザと呼ばれる配線基板との間に は、 それぞれの熱膨張率差から生じる熱応力を低減するような接着部材が使われ る。 このような接着部材には耐湿性や高温耐久性が要求され、 さらに、 製造工程 管理のしゃすさから、 フィルムタイプの接着部材が求められている。
フィルムタイプの接着剤は、 フレキシブルプリント配線板等で用いられており、 ァクリロニトリルブタジエンゴムを主成分とする系が多く用いられている。
プリント配線板関連材料として耐湿性を向上させたものとしては、 特開昭 60 一 243180号公報に示されるアクリル系樹脂、 エポキシ樹脂、 ポリイソシァ ネート及び無機フィラーを含む接着剤があり、 また特開昭 61— 138680号 公報に示されるアクリル系樹脂、 エポキシ樹脂、 分子中にウレタン結合を有する 両末端が第 1級ァミン化合物及び無機フィラーを含む接着剤がある。
上記の接着部材には、 熱応力の緩和の作用、 耐熱性や耐湿性を有することが必 要である。 それに加え、 製造プロセスの上からは、 半導体チップに設けられた電 気信号を出力するための電極部分に接着剤が流出してこないことが必要であり、 かつ、 配線基板に設けられた回路との間に空隙を残してはならない。 電極部分に 接着剤が流出すると電極の接続不良が発生し、 回路と接着剤との間に空隙がある と耐熱性、 耐湿性の低下が起こりやすい。 このため、 接着剤のフロー量をコント ロールすることが重要である。 また、 熱硬化性樹脂を含むフィルム状接着剤は、 経時変化によるフロー量や接着強度の低下が起こりやすい。 そのため、 接着部材 には、 その可使期間を通したフロー量や接着強度のコントロールが必要となって いる。
熱硬化性樹脂を含むフィルム状接着剤は、 保管中に少しずつ硬化が進行する。 また、 半導体チップをィンターボ一ザと呼ばれる配線基板へ実装する行程及びパ ッケージ組立て等、 パッケージが完成するまでの数々の行程を経るうちに接着剤 の硬化が進行する。 接着剤の取扱い性の向上や半導体チップの接続信頼性を高め るために、 接着剤の可使期間はできるだけ長い方がよい。 すなわち、 可使期間が 長いということは経時変化によるフ口一量や接着強度の低下が少ないということ であり、 フロー量や接着強度のコントロールが容易になる。
従来のフィルム状接着剤では、 接着剤組成中の硬化促進剤添加量を低減すれば 可使期間を長くできたが、 その場合には接着剤硬化時の硬化速度が遅く発泡が生 じるという問題点があった。 発泡することなく可使期間を長くでき、 かつ、 低弾 性、 耐熱性、 耐湿性等を満足することができる接着剤が求められていた。
また、 半導体パッケージや配線に使用する接着剤は、 耐熱性を向上させるため、 エポキシ樹脂などの熱硬化性を有する高分子量成分を含んでいる場合が多い。 し かし熱硬化性を有する高分子量成分は硬化に高温と長時間を要するという欠点を 抱えていた。 この欠点を解消するために、 従来から熱硬化性樹脂に加えて硬化促 進剤を配合する手法が用いられてきた。 しかし、 硬化促進剤を配合することによ つて硬化性は大幅に改善されるが、 室温においても反応が進行することから、 室 温で保存した場合に接着剤の流動性が変化し、 製品として使用できなくなること があるという新たな問題が生じていた。 この新たな問題の対策として、 室温で不 活性な潜在性硬化促進剤を用いることが検討された。 例えば、 特開平 9一 3 0 2 3 1 3号公報では、 接着剤組成物中のエポキシ樹脂の硬化促進剤として、 潜在性 の高いイミダゾールを使用している。 しかし、 潜在性硬化剤によって保存安定性 は改善されるものの、 接着フィルムの製造工程においては、 接着剤組成物を熱処 斗
理して Bステージまで硬化させる工程があるため、 反応が一部進行した潜在性硬 化剤が室温においても活性を有するため、 反応が徐々に進行して、 保存安定性が 低下していることがわかった。 このことから、 さらなる保存安定性の向上が求め られていた。 発明の開示
本発明は、 ガラスエポキシ基板やフレキシブル基板等のインターボーザと呼ば れる配線基板に熱膨張係数の差が大きい半導体チップを実装する場合に必要な低 弾性、 耐熱性、 耐湿性を損なうことなく、 2 5 °Cにおける可使期間 3ヶ月以上を 確保することができる接着剤、 接着部材、 この接着部材を備えた半導体搭載用配 線基板、 及びこの接着部材を用いて半導体チップと配線基板を接着させた半導体 装置の提供を目的とする。
また、 接着フィルムの製造工程では、 塗工乾燥炉で高温で熱処理する工程にお いて硬化促進剤の反応が一部進行するため、 室温で保管している際にも硬化促進 剤が分解するなどして活性を有しており、 それが潜在性硬化促進剤であつても同 様である。 特に、 フィルム中の架橋性高分子成分の反応性が高いため、 それらが 架橋し、 流動性が大きく変化し、 保存安定性が低下することが解った。 本発明は、 この問題に鑑み、 特に保存安定性に優れた接着フィルムの製造に用いる接着剤を 提供することを目的とする。
即ち、 本発明は、 次のものに関する。
1 . ( 1 ) エポキシ樹脂及びその硬化剤 1 0 0重量部、 (2 ) 共重合成分とし てグリシジル (メタ) ァクリレート 0 . 5〜6重量%を含む丁8 (ガラス転移温 度) がー 1 0 °C以上でかつ重量平均分子量が 1 0万以上であるエポキシ基含有ァ クリル共重合体 7 5〜 3 0 0重量部、 ( 3 ) 潜在性硬化促進剤 0 . 1〜 2 0重量 部を含有する接着剤 (以下、 接着剤 Aと呼ぶことがある) 。
2 . ( 1 ) エポキシ樹脂及びその硬化剤 1 0 0重量部、 (2 ) エポキシ樹脂と 相溶性がありかつ重量平均分子量が 3万以上の高分子量樹脂 5〜 4 0重量部、 ( 3 ) グリシジル (メタ) ァクリレート 0 . 5〜6重量%を含む T g (ガラス転移 温度) がー 1 0 °C以上でかつ重量平均分子量が 1 0万以上であるエポキシ基含有 s
ァクリル共重合体 7 5〜 3 0 0重量部、 ( 4 ) 潜在性硬化促進剤 0 . 1〜 2 0重 量部を含有する接着剤。
3 . 潜在性硬化促進剤がァダク卜型である項 1又は項 2のいずれかに記載の接 着剤。
4 . 潜在性硬化促進剤がアミンァダクトである項 3に記載の接着剤。
5 . 潜在性硬化促進剤がアミンーエポキシァダクトである項 4に記載の接着剤。
6 . 無機フィラーを、 接着剤樹脂分 1 0 0体積部に対して 1〜2 0体積部含む 項 1乃至項 5のいずれかに記載の接着剤。
7 . 無機フィラーがアルミナ、 シリカ、 水酸化アルミ、 アンチモン酸化物のい ずれかである項 6に記載の接着剤。
8 . 接着剤を、 D S Cを用いて測定した場合の全硬化発熱量の 1 0〜4 0 %の 発熱を終えた状態にした項 1乃至項 7のいずれかに記載の接着剤。
9 . 残存溶媒量が 5重量%以下である項 1乃至項 8のいずれかに記載の接着剤。
1 0 . 動的粘弾性測定装置を用いて測定した場合の接着剤硬化物の貯蔵弾性率 が 2 5 °Cで 2 0〜2 0 0 O M P aであり、 2 6 0 °Cで 3〜 5 0 M P aである項 1 乃至項 9のいずれかに記載の接着剤。
1 1 . Bステージ状態で相分離する 2種類の樹脂及び硬化剤、 硬化促進剤を必 須成分とする接着剤組成物であり、 Bステージ状態において硬化促進剤が分散相 に相溶性を有し、 連続相とは相分離することを特徴とする接着剤 (以下、 接着剤 Bと呼ぶことがある) 。
1 2 . Bステージ状態で、 分散相がエポキシ樹脂及び硬化剤を主成分とする相 となり、 連続相が重量平均分子量 1 0万以上の高分子量成分を主成分とする相と なることを特徴とする項 1 1記載の接着剤。
1 3 . 重量平均分子量 1 0万以上の高分子量成分がグリシジルメタクリレート 又はダリシジルァクリレート 2〜 6重量%を含むエポキシ基含有ァクリル共重合 体であることを特徴とする項 1 2記載の接着剤。
1 4 . 硬化促進剤がアミンーエポキシァダクト化合物である項 1 1乃至項 1 3 いずれかに記載の接着剤。
1 5 . 項 1乃至項 1 4のいずれかに記載の接着剤の層をキャリアフィルム上に 形成して得られるフィルム状の接着部材。
1 6 . 項 1乃至項 1 4のいずれかに記載の接着剤の層をコア材の両面に形成し て得られる接着部材。
1 7 . コア材が耐熱性熱可塑フィルムである項 1 6に記載の接着部材。
1 8 . 耐熱性熱可塑フィルム材料の軟化点が 2 6 0 °C以上である項 1 7に記載 の接着部材。
1 9 . コア材または耐熱性熱可塑フィルムが多孔質フィルムである項 1 7又は 項 1 8のいずれかに記載の接着部材。
2 0 . 耐熱性熱可塑フィルムが液晶ポリマである項 1 7乃至項 1 9のいずれか に記載の接着部材。
2 1 . 耐熱性熱可塑フィルムがポリアミドイミド、 ポリイミド、 ポリエーテル ィミドまたはポリエーテルスルホンのいずれかである項 1 7乃至項 2 0のいずれ かに記載の接着部材。
2 2 . 耐熱性熱可塑フィルムがポリテトラフルォロエチレン、 エチレンテトラ フルォロエチレンコポリマ一、 テトラフルォロエチレン—へキサフルォロプロピ レンコポリマー、 テトラフルォロエチレン一パーフルォロアルキルビニルェ一テ ルコポリマ一のいずれかである項 1 7乃至項 2 0のいずれかに記載の接着部材。 2 3 . 配線基板の半導体チップ搭載面に項 1 5乃至項 2 2のいずれかに記載の 接着部材を備えた半導体搭載用配線基板。
2 4 . 半導体チップと配線基板を項 1 5乃至項 2 2のいずれかに記載の接着部 材を用いて接着させた半導体装置。
2 5 . 半導体チップの面積が、 配線基板の面積の 7 0 %以上である半導体チッ プと配線基板を項 1 5乃至項 2 2のいずれかに記載の接着部材を用いて接着させ た半導体装置。 図面の簡単な説明
図 1 ( a ) は、 本発明による接着剤単層からなるフィルム状の接着部材を示 す断面図、 (b ) は本発明によるコア材の両面に接着剤の層を備えた接着部材を 示す断面図である。 図 2 (a) は、 本発明による接着剤単層からなるフィルム状の接着部材を用い た半導体搭載用配線基板を示す断面図、 図 2 (b) は本発明によるコア材の両面 に接着剤の層を備えた接着部材を用いた半導体搭載用配線基板を示す断面図であ る。
図 3 (a) は、 本発明による接着剤単層からなるフィルム状の接着部材を用い て半導体チップと配線基板を接着させ、 半導体チップのパッドと基板上の配線と をボンディングワイヤで接続した半導体装置の断面図、 図 3 (b) は、 本発明に よるコア材の両面に接着剤の層を備えた接着部材を用いて半導体チップと配線基 板を接着させ、 半導体チップのパッドと基板上の配線とをボンディングワイヤで 接続した半導体装置の断面図、 図 3 (c) は、 本発明による接着剤単層からなる フィルム状の接着部材を用いて半導体チップと配線基板を接着させ、 半導体チッ プのパッドに基板のインナ一リードをボンディングした半導体装置の断面図、 図 3 (d) は、 本発明によるコア材の両面に接着剤の層を備えた接着部材を用いて 半導体チップと配線基板を接着させ、 半導体チップのパッドに基板のインナーリ —ドをボンディングした半導体装置の断面図である。
符号の説明
1. 接着剤、 2. コア材 (耐熱性熱可塑フィルム) 、 3. 配線、 4. 配線基板、 5. 半導体チップ、 6. ボンディングワイヤ
6' . インナリード、 7. 封止材、 8. 外部接続端子 発明を実施するための最良の形態
本発明の接着剤 Aにおいて使用するエポキシ樹脂は、 硬化して接着作用を呈す るものであればよく、 二官能以上で、 好ましくは分子量または重量平均分子量が 5000未満 (例えば、 300以上 5000未満) 、 より好ましくは 3000未 満のエポキシ樹脂が使用できる。 二官能エポキシ樹脂としては、 ビスフエノール A型またはビスフエノ一ル F型エポキシ樹脂等が例示される。 ビスフエノ一ル A 型またはビスフエノール F型液状エポキシ樹脂は、 油化シェルエポキシ株式会社 から、 ェピコート 807、 ェピコート 827、 ェピコート 828という商品名で 市販されている。 また、 ダウケミカル日本株式会社からは、 D. E. R. 330、 β
D. E. R. 331、 D. E. R. 361という商品名で市販されている。 さら に、 東都化成株式会社から、 YD8125、 YDF 8170という商品名で巿販 されている。
エポキシ樹脂としては、 高 Tg化を目的に多官能エポキシ樹脂を加えてもよく、 多官能エポキシ樹脂としては、 フエノールノボラック型エポキシ樹脂、 クレゾ一 ルノポラック型エポキシ樹脂等が例示される。 フエノールノボラック型エポキシ 樹脂は、 日本化薬株式会社から、 EPPN— 201という商品名で市販されてい る。 クレゾールノポラック型エポキシ樹脂は、 住友化学工業株式会社から、 ES CN— 190、 E S CN— 195という商品名で市販されている。 また、 前記日 本化薬株式会社から、 E〇CN 1012、 EOCN 1025, EOCN 1027 という商品名で市販されている。 さらに、 前記東都化成株式会社から、 YDCN 70 1、 YDCN 702、 YDCN 703, YD CN 704という商品名で巿販 されている。
エポキシ樹脂の硬化剤は、 エポキシ樹脂の硬化剤として通常用いられているも のを使用でき、 ァミン、 ポリアミド、 酸無水物、 ポリスルフイツド、 三弗化硼素 及びフェノ一ル性水酸基を 1分子中に 2個以上有する化合物であるビスフエノー ル八、 ビスフエノール F、 ビスフエノール S等が挙げられる。 特に吸湿時の耐電 食性に優れるためフエノ一ル樹脂であるフエノールノボラック樹脂、 ビスフエノ —ルノポラック樹脂またはクレゾ一ルノボラック樹脂等を用レ ^るのが好ましい。 このような好ましいとした硬化剤は、 フエノールノボラック樹脂は大日本イン キ化学工業株式会社から、 バーカム TD 2090、 バーカム TD2131、 ブラ ィォ一フェン LF 2882という商品名で、 ビスフエノールノボラック樹脂は大 日本インキ化学工業株式会社から、 フエノライト LF 2882、 フエノライト L F 2822、 フエノラィ卜 TD— 2090、 フエノラィ卜 TD— 2149、 フエ ノライト VH4150、 フエノライト VH4170という商品名で市販されてい る。 フエノールノポラック樹脂、 ビスフエノールノポラック樹脂またはクレゾ一 ルノポラック樹脂としては、 例えば、 重量平均分子量が 500から 2000のも のが好ましく用いられ、 700から 1400のものがより好ましい。
硬化剤は、 エポキシ樹脂のエポキシ基 1当量に対して、 硬化剤のエポキシ基と の反応基が 0 . 6〜 1 . 4当量使用することが好ましく、 0 . 8〜 1 . 2当量使 用することが好ましい。 硬化剤が少なすぎたり多すぎると耐熱性が低下する傾向 がある。
エポキシ樹脂と相溶性がありかつ重量平均分子量が 3万以上の高分子量樹脂と しては、 フエノキシ樹脂、 高分子量エポキシ樹脂、 超高分子量エポキシ樹脂、 極 性の大きい官能基含有ゴム、 極性の大きい官能基含有反応性ゴムなどが挙げられ る。 Bステージにおける接着剤のタック性の低減や硬化時の可撓性を向上させる ため重量平均分子量が 3万以上とされる。 エポキシ樹脂と相溶性がありかつ重量 平均分子量が 3万以上の高分子量樹脂は、 重量平均分子量が 5 0万以下が好まし く、 3万〜 1 0万であることがさらに好ましい。 この樹脂の分子量が大きすぎる と樹脂流動性が低下する。 前記極性の大きい官能基含有反応性ゴムは、 アクリル ゴムにカルボキシル基のような極性が大きい官能基を付加したゴムが挙げられる。 ここで、 エポキシ樹脂と相溶性があるとは、 硬化後にエポキシ樹脂と分離して二 つ以上の相に分かれることなく、 均質混和物を形成する性質を言う。 エポキシ樹 脂と相溶性がありかつ重量平均分子量が 3万以上の高分子量樹脂の配合量は、 ェ ポキシ樹脂と硬化剤の合計量 1 0 0重量部に対して、 エポキシ樹脂を主成分とす る相 (以下エポキシ樹脂相という) の可撓性の不足、 タック性の低減やクラック 等による絶縁性の低下を防止するため 5重量部以上、 エポキシ樹脂相の T gの低 下を防止するため 4 0重量部以下とされ、 好ましくは 1 0〜2 0重量部とされる。 フエノキシ樹脂は、 東都化成株式会社から、 フエノトート Y P— 4 0、 フエノ トート Y P— 5 0という商品名で市販されている。 また、 フエノキシァソシエー ト社から、 P KH C、 P KHH、 P KH Jいう商品名で市販されている。 高分子 量エポキシ樹脂は、 分子量が 3万〜 8万の高分子量エポキシ樹脂、 さらには、 分 子量が 8万を超える超高分子量エポキシ樹脂 (特公平 7— 5 9 6 1 7号、 特公平 7— 5 9 6 1 8号、 特公平 7 - 5 9 6 1 9号、 特公平 7— 5 9 6 2 0号、 特公平 7— 6 4 9 1 1号、 特公平 7 _ 6 8 3 2 7号公報参照) があり、 何れも日立化成 工業株式会社で製造している。 極性の大きい官能基含有反応性ゴムとして、 カル ポキシル基含有アクリルゴムは、 帝国化学産業株式会社から、 H T R— 8 6 0 P という商品名で市販されている。 グリシジル (メタ) ァクリレート 0 . 5〜6重量%を含む丁8がー 1 0 以上 でかつ重量平均分子量が 1 0万以上であるエポキシ基含有ァクリル共重合体は、 帝国化学産業株式会社から市販されている商品名 H T R— 8 6 0 P - 3を使用す ることができる。 官能基モノマーが、 カルボン酸タイプのアクリル酸や、 水酸基 タイプのヒドロキシメチル (メタ) ァクリレートを用いると、 架橋反応が進行し やすく、 ワニス状態でのゲル化、 Bステージ状態での硬化度の上昇による接着力 の低下等の問題があるため好ましくない。 また、 官能基モノマ一として用いるグ リシジル (メタ) ァクリレートの量は、 0 . 5〜 6重量%の共重合体比とする。 耐熱性を確保するため、 0 . 5重量%以上とし、 ゴム添加量を低減し、 ワニス固 形分比を上げるために 6重量%以下とされる。 6重量%を超えた場合には、 接着 剤硬化物の弾性率を低減させるために多量のエポキシ基含有ァクリル共重合体が 必要となる。 エポキシ基含有アクリル共重合体は分子量が高いため、 重量比率が 高くなると接着剤ワニスの粘度が上昇する。 このワニス粘度が高いと、 フィルム 化が困難になるため、 粘度低下を目的に適量の溶剤で希釈する。 この場合、 接着 剤ワニスの固形分が低下し、 接着剤ワニス作製量が増大し、 製造の効率が低下す る問題が発生する。 グリシジル (メタ) ァクリレート以外の残部は、 メチルァク リレート、 メチルメタクリレートなどの炭素数 1〜8のアルキル基をもつアルキ ルァクリレート又はアルキルメタクリレート、 およびこれらとスチレンやァクリ ロニトリルなどとの混合物を用いることができる。 これらの混合比率は、 共重合 体の T gを考慮して決定する。 T gがー 1 0 °C未満であると Bステージ状態での 接着フィルムのタック性が大きくなり取扱性が悪化するので、 一 1 0 °C以上とさ れる。 この T gは 4 0 °C以下であることが好ましく、 さらに、 — 1 0 t:〜 2 0 °C が好ましい。 この T gが高すぎるとフィルムの取り扱い時室温で破断しやすくな る。 重合方法はパール重合、 溶液重合等が挙げられ、 これらにより得ることがで きる。 例えば、 (a)アクリロニトリル 1 8〜4 0重量%、 (b)グリシジル (メタ) ァクリレート 0 . 5〜 6重量%及び(c)ェチルァクリレート、 ェチルメタクリレ —ト、 ブチルァクリレートまたはブチルメタクリレート 5 4〜8 0重量%を共重 合させて得られる共重合体が好適である。
エポキシ基含有アクリル共重合体の重量平均分子量は、 1 0万以上とされ、 特 H
に 8 0万以上であることが好ましい。 この範囲では、 シート状、 フィルム状での 強度や可撓性の低下やタック性の増大が少ないからである。 また、 分子量が大き くなるにつれフロー性が小さく配線の回路充填性が低下してくるので、 エポキシ 基含有アクリル共重合体の重量平均分子量は、 2 0 0万以下であることが好まし い。
上記エポキシ基含有アクリル共重合体配合量は、 エポキシ樹脂と硬化剤の合計 量 1 0 0重量部に対して、 弾性率低減や成形時のフロー性抑制のため 7 5重量部 以上とされ、 エポキシ基含有アクリル共重合体の配合量が増えると、 ゴム成分の 相が多くなり、 エポキシ樹脂相が少なくなるため、 高温での取扱性の低下が起こ るため、 3 0 0重量部以下とすることが好ましく、 さらに、 1 0 0〜2 5 0重量 部とすることが好ましい。
潜在性硬化促進剤とは、 接着剤の硬化温度での反応速度を維持したまま室温に おける反応速度を極めて低くできる硬化促進剤のことであり、 室温ではエポキシ 樹脂に不溶の固体の硬化促進剤で、 加熱す ¾ことで可溶化し促進剤として機能す るものである。 本発明に用いられる潜在性硬化促進剤としては、 従来から提案さ れている潜在性硬化剤を用いることができ、 その代表例としてはジシアンジミド、 アジピン酸ジヒドラジド等のジヒドラジド化合物、 グアナミン酸、 メラミン酸、 エポキシ化合物とイミダゾールの化合物との付加化合物、 エポキシ化合物とジァ ルキルアミン類との付加化合物、 ァミンと尿素、 チォ尿素又はこれらの誘導体と の付加化合物 (アミンーゥレイドアダクト系潜在性硬化促進剤) 、 ァミンとイソ シァネートとの付加化合物 (アミンーウレ夕ンァダクト系潜在性硬化促進剤) が 挙げられるが、 これらに限定されるものではない。 室温での活性を低減できる点 でァダクト型の構造をとつているものが好ましい。 ァダクト型の構造とは、 触媒 活性を有する化合物と種々の化合物を反応させて得られる付加化合物のことであ り、 触媒活性を有する化合物がイミダゾ一ル化合物や 1, 2, 3級アミノ基を有 する化合物などのアミン類であればアミンァダクト型という。 さらに、 ァダクト している化合物の種類によりァミン—エポキシァダクト系、 アミン―ゥレイドア ダクト系、 ァミン—ウレ夕ンァダクト系等がある。 硬化時に発泡せず、 かつ低弾 性を有し、 耐熱性、 耐湿性が良好な接着剤硬化物を得られる点でアミンーェポキ it
シァダクト系が最も好ましい。 さらにエポキシ化合物が長鎖であるものが潜在性 がより高く優れている。
本発明に用いられるアミンーエポキシァダクト系潜在性硬化促進剤とは、 室温 ではエポキシ樹脂に不溶性の固体で、 加熱することで可溶化し促進剤として機能 する、 ァミン類とエポキシ化合物を反応させて得られる付加物であり、 これらの 付加物の表面をイソシァネート化合物や酸性化合物で処理したもの等も含まれる。 アミンーエポキシァダクト系潜在性硬化促進剤の製造原料として用いられるェ ポキシ化合物としては、 例えば、 ビスフエノール A、 ビスフエノール F、 カテコ ール、 レゾルシノール等の多価フエノール、 またはグリセリンやポリエチレング リコール等の多価アルコールとェピクロルヒドリンを反応させて得られるポリグ リシジルェ一テル、 あるいは p—ヒドロキシ安息香酸、 iS —ヒドロキシナフトェ 酸等のヒドロキシカルボン酸とェピクロルヒドリンを反応させて得られるダリシ ジルエーテルエステル、 あるいはフ夕ル酸、 テレフタル酸等のポリカルボン酸と ェピクロルヒドリンを反応させて得られるポリダリシジルエステル、 あるいは 4, 4 ' —ジアミノジフエニルメタンや m—ァミノフエノールなどとェピクロルヒド リンを反応させて得られるグリシジルァミン化合物、 さらにはエポキシ化フエノ —ルノポラック樹脂、 エポキシ化クレゾ一ルノボラック樹脂、 エポキシ化ポリオ レフイン等の多官能性エポキシ化合物や、 ブチルダリシジルエーテル、 フエニル ダリシジルエーテル、 ダリシジルメタクリレート等の単官能性エポキシ化合物等 が挙げられるが、 これらに限定されるものではない。
アミンーエポキシァダクト系潜在性硬化促進剤の製造原料として用いられるァ ミン類は、 エポキシ基と付加反応しうる活性水素を分子内に 1個以上有し、 かつ 1級ァミノ基、 2級ァミノ基、 3級ァミノ基の中から選ばれた置換基を分子内に 少なくとも 1個以上有するものであれば良い。 このようなアミン類としては、 例 えば、 ジエチレントリァミン、 トリエチレンテトラミン、 n—プロピルァミン、 2 —ヒドロキシェチルァミノプロピルァミン、 シクロへキシルァミン、 4, 4 ' ージァミノ—ジシクロへキシルメタン等の脂肪族ァミン類、 4 , 4 ' ージァミノ ジフエニルメタン、 2—メチルァニリン等の芳香族ァミン類、 2—ェチル—4一 メチルイミダゾ一ル、 2—メチルイミダゾ一ル、 2 —ェチルー 4—メチルイミダ ゾリン、 2, 4 一ジメチルイミダゾリン、 ピぺリジン、 ピぺラジン等の窒素含有 複素環化合物等が挙げられるが、 これらに限定されるものではない。 これらの化 合物の中でも特に 3級アミノ基を有する化合物は潜在性が極めて高い硬化促進剤 を与える原料であり、 そのような化合物の例を以下に示すがこれらに限定される ものではない。 例えば、 ジメチルァミノプロピルァミン、 ジェチルァミノプロピ ルァミン、 ジ— n —プロピルアミノプロピルァミン、 ジブチルァミノプロピルァ ミン、 ジメチルアミノエチルァミン、 ジェチルアミノエチルァミン、 N—メチル ピぺラジン等のようなァミン化合物や、 2—メチルイミダゾール、 2—ェチルイ ミダゾール、 2 —ェチルー 4 —メチルイミダゾール、 2 —フエ二ルイミダゾール 等のイミダゾール化合物等のような、 分子内に 3級アミノ基を有する 1級もしく は 2級ァミン類などがある。
アミンーゥレイドアダク卜系潜在性硬化促進剤、 アミンーウレタンァダクト系 潜在性硬化促進剤の原料となるアミン化合物も同様のものが使用できる。
ァミン一ウレタンァダクト系潜在性硬化促進剤の原料となるイソシァネート化 合物としては、 トリレンジイソシァネート、 ジフエニルメタンジイソシァネート、 ナフタレンジイソシァネート、 キシリレンジイソシァネート、 ジフエニルスルホ ンジイソシァネート、 トリフエニルメタンジイソシァネート、 へキサメチレンジ イソシァネート、 3—イソシァネートメチルー 3 , 5 , 5—トリメチルシクロへ キシルイソシァネート、 3—イソシァネ一トェチル— 3, 5, 5—トリメチルシ クロへキシルイソシァネ一卜、 3 Γソシァネートェチル— 3, 5 , 5—トリエ ェニレンジイソシァネート、 シクロへキシリレンジイソシァネート、 3, 3 ' — ジィソシァネートジプロピルエーテル、 トリフエニルメタントリイソシァネ一ト、 ジフエ二ルェ一テル— 4, 4 ' —ジイソシァネート等のポリイソシァネート化合 物、 これらの二量体又は三量体、 これらのポリイソシァネ一ト化合物のトリメチ ロールプロパン、 グリセリン等の多価アルコールとの付加物などがある。
本発明に用いられるァダク卜型硬化促進剤の代表的な例を以下に示すがこれら に限定されるものではない。 アミンーエポキシァダクト系としては、 味の素株式 会社からはアミキュア P N— 2 3、 アミキュア MY— 2 4、 アミキュア MY— D、 アミキュア MY— H等、 ェ一 ·シ一 ·アール株式会社からはハ一ドナー X— 36 1 5 S、 ハ一ドナ一 X— 3293 S等、 旭化成株式会社からはノバキユア HX— 3748、 ノバキユア HX— 3088等、 パシフィック アンカー ケミカルか らは Ancamine 20 14 AS, Ancamine 20 14 F G等がそれぞれ上記の商品 名で市販されている。 また、 ァミン—ウレイド型ァダクト系としては富士化成株 式会社からフジキュア FXE— 1 000、 フジキュア FXR— 1 030という商 品名で市販されている。
潜在性硬化促進剤の配合量は、 エポキシ樹脂及びその硬化剤の合計 1 00重量 部に対して、 0. 1〜20重量部、 好ましくは 1. 0〜1 5重量部であり、 0. 1重量部未満であると硬化速度が極めて遅くなり良好な接着剤硬化物が得られず、 また 20重量部を超えると可使期間が短くなるため不適である。
接着剤には、 異種材料間の界面結合をよくするために、 カップリング剤を配合 することもできる。 カップリング剤としては、 シラン系カップリング剤、 チ夕ネ —ト系カップリング剤、 アルミニウム系カップリング剤が挙げられ、 その中でも シランカップリング剤が好ましい。
シランカップリング剤としては、 ァーダリシドキシプロピルトリメ卜キシシラ ン、 ァーメルカプトプロピルトリメトキシシラン、 τーァミノプロピルトリエト キシシラン、 了一ウレイドプロピルトリエトキシシラン、 N— /3—アミノエチル ―ァーァミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
前記したシランカップリング剤は、 ァーグリシドキシプロビルトリメトキシシ ランが NUC A— 1 87、 ァーメルカプトプロビルトリメトキシシランが NU C A— 1 89、 ァーァミノプロピルトリエトキシシランが NUC A— 1 1 0 0、 ァ—ウレイドプロピルトリエトキシシランが NUC A— 1 1 60、 N- β 一アミノエチルーァーァミノプロピルトリメトキシシランが NUC A- 1 1 2 0という商品名で、 いずれも日本ュニ力—株式会社から市販されている。
カップリング剤の配合量は、 添加による効果や耐熱性およびコストから、 樹脂 100重量部に対し 0. 1〜1 0重量部を配合するのが好ましい。
さらに、 イオン性不純物を吸着して、 吸湿時の絶縁信頼性をよくするために、 イオン捕捉剤を配合することができる。 イオン捕捉剤の配合量は、 添加による効 果ゃ耐熱性、 コストより、 エポキシ樹脂及びその硬化剤 1 0 0重量部に対して、 1〜 1 0重量部が好ましい。 イオン捕捉剤としては、 銅がイオン化して溶け出す のを防止するため銅害防止剤として知られる化合物、 例えば、 トリアジンチォ一 ル化合物、 ビスフエノール系還元剤を配合することもできる。 ビスフエノール系 還元剤としては、 2 , 2 ' ーメチレン一ビス一 (4ーメチルー 6 —第 3 —ブチル フエノール) 、 4 , 4 ' ーチオービス一 (3—メチル— 6—第 3—ブチルフエノ —ル) 等が挙げられる。 また、 無機イオン吸着剤を配合することもできる。 無機 イオン吸着剤としては、 ジルコニウム系化合物、 アンチモンビスマス系化合物、 マグネシウムアルミニウム系化合物等が挙げられる。 トリアジンチオール化合物 を成分とする銅害防止剤は、 三協製薬株式会社から、 ジスネット D Bという商品 名で市販されている。 ビスフエノール系還元剤を成分とする銅害防止剤は、 吉富 製薬株式会社から、 ヨシノックス Β Βという商品名で市販されている。 また、 無 機イオン吸着剤は、 東亜合成化学工業株式会社から I Χ Εという商品名で各種巿 販されている。
さらに、 本発明の接着剤には、 接着剤の取扱性の向上、 熱伝導性の向上、 溶融 粘度の調整、 チクソトロピック性の付与などを目的として、 無機フイラ一を配合 することが好ましい。 無機フイラ一としては、 水酸化アルミ (水酸化アルミニゥ ム) 、 水酸化マグネシウム、 炭酸カルシウム、 炭酸マグネシウム、 ケィ酸カルシ ゥム、 ケィ酸マグネシウム、 酸化カルシウム、 酸化マグネシウム、 アルミナ、 窒 化アルミニウム、 ほう酸アルミウイスカ、 窒化ホウ素、 結晶性シリカ、 非晶性シ リカ、 アンチモン酸化物などが挙げられる。 熱伝導性向上のためには、 アルミナ、 窒化アルミニウム、 窒化ホウ素、 結晶性シリカ、 非晶性シリカ等が好ましい。 溶 融粘度の調整やチクソトロピック性の付与の目的には、 水酸化アルミニウム、 水 酸化マグネシウム、 炭酸カルシウム、 炭酸マグネシウム、 ケィ酸カルシウム、 ケ ィ酸マグネシウム、 酸化カルシウム、 酸化マグネシウム、 アルミナ、 結晶性シリ 力、 非晶性シリカ等が好ましい。 また、 上記に加え耐湿性を向上させるアルミナ、 シリカ、 水酸化アルミ、 アンチモン酸化物が好ましい。
上記無機フィラー配合量は、 接着剤樹脂分 1 0 0体積部に対して 1〜 2 0体積 部が好ましい。 配合の効果の点から配合量が 1体積部以上、 配合量が多くなると、 接着剤の貯蔵弾性率の上昇、 接着性の低下、 ボイド残存による電気特性の低下等 の問題を起こすので 2 0体積部以下とするのが好ましい。
更に、 本発明者らは、 硬化促進剤を不連続に分散する樹脂相に選択的に入れる ことにより接着剤及び接着フィルムの保存安定性を向上できることを見出した。 このためには、 接着剤 Bは、 Bステージ状態で相分離する 2種類の樹脂、 硬化剤、 及び、 硬化促進剤を必須成分とする接着剤組成物であり、 Bステージ状態におい て硬化促進剤が分散相に相溶性を有し、 連続相とは相分離することが必要である。 上記の分散相に使用する樹脂としてはエポキシ樹脂、 シァネートエステル樹脂、 シァネート樹脂、 シリコーン樹脂、 エポキシ基やカルボキシル基などの官能基を 有するアクリルゴム、 エポキシ基やカルボキシル基などの官能基を有するブ夕ジ ェンゴム、 シリコ一ン変性ポリアミドイミドなどの変性樹脂などが使用できる。 接着性、 耐熱性が高い点でエポキシ樹脂が好ましい。 エポキシ樹脂としては、 前 記に記載したものが使用できる。 また、 エポキシ樹脂の硬化剤も前記したものが 使用できる。 これらの配合割合も前記の通りである。
Bステージ状態で上記樹脂相と相分離する樹脂としては、 ァクリル酸エステル やメタクリル酸エステル及びァクリロニトリルなどの共重合体であるアクリルゴ ム、 スチレンやアクリロニトリルなどを含むブタジエンゴム、 シリコーン樹脂、 シリコーン変性ポリアミドイミドなどの変性樹脂が挙げられる。 また、 重量平均 分子量が 1 0万以上の高分子量成分を使用した場合、 フィルムとしての取り扱い 性が良好である。 さらにまた、 グリシジルメ夕クリレート又はグリシジルァクリ レート 2〜6重量%を含む T gがー 1 0 °C以上でかつ重量平均分子量が 1 0万以 上 (特に好ましくは 8 0万以上、 また、 好ましくは 2 0 0万以下) であるアタリ ル系共重合体を用いた場合、 接着性、 耐熱性が高い点で特に好ましい。
ダリシジルメタクリレート又はダリシジルァクリレート 2〜6重量%を含む T gがー 1 0 °C以上でかつ重量平均分子量が 1 0万以上 (特に好ましくは 8 0万以 上) であるアクリル系共重合体としては、 接着剤 Aについて前記したもののうち、 グリシジル (メタ) クリレート共重合成分 2〜 6重量%を含むものが使用できる。 これらの樹脂相を形成する樹脂は Bステージ状態で相分離する必要があり、 ま た、 一方の樹脂が不連続に分散する分散相を形成し、 他方が連続相を形成する必 要がある。 なお本発明でいう Bステージ状態とは D S Cを用いて、 硬化発熱量を 測定した値が、 未硬化状態での組成物の全硬化発熱量の 1 0〜4 0 %である状態 である。
Bステージ状態となったときに連続相を形成する樹脂の配合量は、 通常、 分散 相および連続相を形成する樹脂分の 2 0〜8 5重量%とすることが好ましい。 硬化促進剤は Bステージ状態で島状に不連続に分散する分散相と相溶性を有し、 海状の相とは相分離する物質である必要がある。 島状の相と同様の極性、 分子構 造を有し、 他方とは大きく異なる極性、 分子構造を有するものであることが好ま しい。 例えば島状に不連続に分散する樹脂相がエポキシ樹脂及び硬化剤を主成分 とする相であり、 もう一方の相がアクリルゴムの場合には、 硬化促進剤はェポキ シ化合物とイミダゾール化合物との付加化合物、 エポキシ化合物とジアルキルァ ミン類との付加化合物などが好ましい。 さらにエポキシ化合物が長鎖であるもの が特に好ましい。 特に室温での活性を低減できる点で、 前記したァダクト型の構 造をとつているものが好ましく、 アミンーエポキシ付加化合物、 アミン―ゥレイ ド付加化合物、 アミンーウレタン付加化合物等がある。 硬化時に発泡せず、 かつ 低弾性を有し、 耐熱性、 耐湿性が良好な接着剤硬化物を得られる点でアミンーェ ポキシ付加化合物が特に好ましい。
アミンーエポキシァダクト系潜在性硬化促進剤、 ァダクト型硬化促進剤の代表 的な例は、 前記したとおりのものである。
硬化促進剤 (潜在性硬化促進剤を包含する) の配合量は好ましくは、 分散相の 樹脂及び硬化剤の合計 1 0 0重量部に対して 0 . 1〜2 0重量部、 より好ましく は 1 . 0〜1 5重量部である。 0 . 1重量部未満であると硬化速度が遅くなる傾 向にあり、 また 2 0重量部を超えると可使期間が短くなる傾向がある。
硬化促進剤としては上記したァダクト型の潜在性硬化促進剤が好ましく、 その 他の硬化促進剤として各種ィミダゾール類などを適宜併用することが好ましく、 その量は、 所望の保存安定性が得られること考慮して決定することが好ましい。 イミダゾールとしては、 2—メチルイミダゾール、 2—ェチル—4一メチルイミ ダゾ一ル、 1—シァノエチルー 2 _フエ二ルイミダゾール、 1—シァノエチルー 2一フエ二ルイミダゾリゥム卜リメリテ一ト等が挙げられる。 ィミダゾ一ル類は、 四国化成工業株式会社から、 2 E 4 M Z、 2 P Z— C N、 2 P Z— C S Nという 商品名で市販されている。
このほかに、 流動性の調節、 耐湿性の向上を目的に、 フイラ一を添加しても良 い。 このようなフイラ一としては、 シリカ、 三酸化二アンチモン等がある。 接着剤には、 異種材料間の界面結合をよくするために、 カップリング剤を配合 することもできる。 さらに、 イオン性不純物を付着して、 吸湿時の絶縁信頼性を よくするために、 ィォン捕捉剤を配合することができる。
力ップリング剤の使用量は、 分散相と連続相のそれぞれを形成する樹脂成分及 び硬化剤成分の総量に対して、 0 . 1〜 1 0重量%が好ましい。
イオン捕捉剤の使用量は、 分散相と連続相のそれぞれを形成する樹脂成分及び 硬化剤成分の総量に対して、 1〜 1 0重量%が好ましい。
硬化促進剤を不連続に分散する樹脂相に選択的に入れることによる作用につい ては明確ではないが、 以下のように推測される。 島状の分散相に大部分の硬化促 進剤が含まれており、 連続相に存在する硬化促進剤は非常に少ない。 分散相にお いて保管中に硬化が進行しても流動性に及ぼす影響は小さく、 一方、 硬化温度に おいては、 分散相から開始された反応によってできた活性基が連続相と反応する ことで、 連続相の硬化も進行すると考えられる。
本発明におけるフィルム状の接着部材は、 接着剤の各成分を溶剤に溶解ないし 分散してワニスとし、 キャリアフィルム上に塗布、 加熱し、 溶剤を除去すること により、 接着剤層をキャリアフィルム上に形成して得られる。 加熱の温度は、 通 常、 1 0 0〜 1 8 0 °Cが好ましく、 1 3 0〜 1 6 0 °Cがより好ましく、 加熱時間 は、 通常、 3〜 1 5分間が好ましく、 4〜 1 0分間がより好ましい。 この加熱に よる溶剤除去後の接着剤は、 D S C (示差走査熱分析) を用いて測定した全硬化 発熱量の 1 0〜4 0 %の発熱を終えた状態とすることが好ましい。 また、 フィル ム状となった接着剤中の残存溶媒量は、 5重量%以下であることが好ましい。 キャリアフィルムとしては、 ポリテトラフルォロエチレンフィルム、 ポリェチ レンテレフ夕レートフィルム、 離型処理したポリエチレンテレフ夕レートフィル ム、 ポリエチレンフィルム、 ポリプロピレンフィルム、 フィルムは、 使用時に剥離して接着フィルムのみを使用することもできるし、 キ ャリアフィルムとともに使用し、 後で除去することもできる。
本発明で用いるキャリアフィルムの例として、 ポリイミドフィルムは、 東レ ' デュポン株式会社からカプトンという商品名で、 鐘淵化学工業株式会社からァピ カルという商品名で市販されている。 ポリエチレンテレフ夕レートフィルムは、 東レ ·デュポン株式会社からルミラーという商品名で、 帝人株式会社からピュー レックスという商品名で市販されている。
ワニス化の溶剤は、 比較的低沸点の、 メチルェチルケトン、 アセトン、 メチル イソブチルケトン、 2—エトキシエタノール、 トルエン、 ブチルセルソルブ、 メ 夕ノール、 エタノール、 2—メトキシエタノールなどを用いるのが好ましい。 ま た、 塗膜性を向上するなどの目的で、 高沸点溶剤を加えても良い。 高沸点溶剤と しては、 ジメチルァセトアミド、 ジメチルホルムアミド、 メチルピロリ ドン、 シ クロへキサノンなどが挙げられる。
ワニスの製造は、 無機フィラーの分散を考慮した場合には、 らいかい機、 3本 ロール及びビーズミル等により、 またこれらを組み合わせて行なうことができる。 フィラーと低分子量物をあらかじめ混合した後、 高分子量物を配合することによ り、 混合に要する時間を短縮することも可能となる。 また、 ワニスとした後、 真 空脱気によりワニス中の気泡を除去することが好ましい。
フィルム状接着剤のみからなる接着部材の厚みは、 2 5〜2 5 0 t mが好まし いが、 これに限定されるものではない。 2 5 mよりも薄いと応力緩和効果に乏 しく、 厚いと経済的でなくなる。
また、 複数の接着フィルムを貼合わせることにより、 所望の膜厚の接着部材を 得ることもできる。 この場合には、 接着フィルム同士の剥離が発生しないような 貼合わせ条件が必要である。
本発明の接着部材は、 コア材の両面に接着剤の層を形成したものであってもよ い。 コア材の厚みは 5〜2 0 0 mの範囲内であることが好ましいが、 これに限 定されるものではない。 コア材の両面に形成される接着剤の層の厚みは、 各々 1 0〜2 0 0 / mの範囲が好ましい。 これより薄いと接着性や応力緩和効果に乏し く、 厚いと経済的でなくなるが、 これに限定されるものではない。 2
本発明でコア材に用いられるフィルムとしては、 耐熱性ポリマまたは液晶ポリ マ、 フッ素系ポリマなどを用いた耐熱性熱可塑フィルムが好ましく、 ポリアミド イミド、 ポリイミド、 ポリエ一テルイミド、 ポリエーテルスルホン、 全芳香族ポ リエステル、 ポリテ卜ラフルォロエチレン、 エチレンテトラフルォロエチレンコ ポリマ一、 テトラフルォロエチレン—へキサフルォロプロピレンコポリマー、 テ トラフルォロエチレン—パ一フルォ口アルキルビニルエーテルコポリマーなどが 好適に用いられる。 また、 コア材は、 接着部材の弾性率低減のために多孔質フィ ルムを用いることもできる。 コア材としては、 軟化点温度が 2 6 0 °C以上のもの を用いることが好ましい。 軟化点温度が 2 6 0 °C未満の熱可塑性フィルムをコア 材に用いた場合は、 はんだリフロー時などの高温時に接着剤との剥離を起こす場 合がある。
ポリイミドフィルムは、 宇部興産株式会社からユーピレックスという商品名で、 東レ ·デュポン株式会社からカプトンという商品名で、 鐘淵化学工業株式会社か らァピカルという商品名で市販されている。 ポリテトラフルォロエチレンフィル ムは、 三井 ·デュポンフロロケミカル株式会社からテフロンという商品名で、 ダ ィキン工業株式会社からポリフロンという商品名で市販されている。 エチレンテ トラフルォロエチレンコポリマーフィルムは、 旭硝子株式会社からァフロン C O Pという商品名で、 ダイキン工業株式会社からネオフロン E T F Eという商品名 で市販されている。 テトラフルォロエチレン一へキサフルォロプロピレンコポリ マーフィルムは、 三井 'デュポンフロロケミカル株式会社からテフロン F E Pと いう商品名で、 ダイキン工業株式会社からネオフロン F E Pという商品名で市販 されている。 テトラフルォロエチレンーパ一フルォロアルキルビニルエーテルコ ポリマ一フィルムは、 三井 ·デュポンフロロケミカル株式会社からテフロン P F Aという商品名で、 ダイキン工業株式会社からネオフロン P F Aという商品名で 市販されている。 液晶ポリマフイルムは、 株式会社クラレからベクトラという商 品名で市販されている。 さらに、
住友電気工業株式会社からポアフ
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式会社からゴァテックスという商品名で市販されている。
コア材の両面に形成される接着剤の層は、 接着剤の各成分を溶剤に溶解ないし 分散してワニスとし、 このワニスをコア材となる耐熱性熱可塑フィルム上に塗布、 加熱し溶剤を除去することにより接着剤層を耐熱性熱可塑フィルム上に形成する ことができる。 この工程を耐熱性熱可塑フィルムの両面について行うことにより、 コア材の両面に接着剤の層を形成した接着部材を作製することができる。 この場 合には、 両面の接着剤層同士がブロッキングしないようにカバーフィルムで表面 を保護することが望ましい。 しかし、 ブロッキングが起こらない場合には、 経済 的な理由からカバーフィルムを用いないことが好ましく、 制限を加えるものでは ない。
また、 接着剤の各成分を溶剤に溶解ないし分散してワニスとしたものを、 前述 のキャリアフィルム上に塗布、 加熱し溶剤を除去することにより接着剤層をキヤ リアフィルム上に形成し、 この接着剤層をコア材の両面に貼合わせることにより コア材の両面に接着剤の層を形成した接着部材を作製することができる。 この場 合には、 キヤリアフィルムをカバーフィルムとして用いることもできる。
コア材の両面に形成した接着剤の層は、 フィルム状接着剤のみからなる接着部 材と同様、 D S Cを用いて測定した全硬化発熱量の 10〜40 %の発熱を終えた 状態とするのが好ましい。
本発明の接着剤硬化物の動的粘弾性測定装置で測定した貯蔵弾性率は、 25°C で 20〜2000MPa、 260°Cで 3〜5 OMP aの低弾性率であると好まし レ 貯蔵弾性率の測定は、 接着剤硬化物に引張り荷重をかけて、 周波数 10Hz、 昇温速度 5〜 10 °C Z分で一 50 °Cから 300 °Cまで測定する温度依存性測定モ 一ドで行つた。 貯蔵弾性率が 25°Cで 2000MP aを超えるものと 260 で 5 OMP aを超えるものでは、 半導体チップと配線基板であるインターボーザと の熱膨張係数の差によって発生する熱応力を緩和させる効果が小さくなり、 剥離 やクラックを発生する恐れがある。 一方、 貯蔵弾性率が 25°Cで 2 OMP a未満 では接着剤の取扱性や接着剤層の厚み精度が悪くなり、 260°Cで 3MP a未満 ではリフロークラックを発生しやすくなる。
本発明の半導体搭載用敗戦基板は、 配線基板の半導体チップ搭載面に本発明の 接着部材を備えたものである。
本発明の半導体搭載用配線基板に用いる配線基板としては、 セラミック基板や 2%
有機基板など基板材質に限定されることなく用いることができる。 セラミック基 板としては、 アルミナ基板、 窒化アルミ基板などを用いることができる。 有機基 板としては、 ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させた FR— 4基板、 ビスマレ イミドートリアジン樹脂を含浸させた BT基板、 さらにはポリイミドフィルムを 基材として用いたポリイミドフィルム基板などを用いることができる。
配線の形状としては、 片面配線、 両面配線、 多層配線いずれの構造でもよく、 必要に応じて電気的に接続された貫通孔、 非貫通孔を設けてもよい。
さらに、 配線が半導体装置の外部表面に現われる場合には、 保護樹脂層を設け ることが好ましい。
接着部材を配線基板へ張り付ける方法としては、 接着部材を所定の形状に切断 し、 その切断された接着部材を配線基板の所望の位置に熱圧着する方法が一般的 ではあるが、 これに限定されるものではない。
本発明の半導体装置は、 本発明の接着部材を用いて互いに接着された半導体チ ップと配線基板を有するものであれば、 その構造に特に制限はない。
例えば、 本発明の半導体装置の構造としては、 更に、 半導体チップの電極と配 線基板とがワイヤボンディングで接続されている構造、 半導体チップの電極と配 線基板とがテープオートメ一テッドボンディング (TAB) のインナ一リードボ ンディングで接続されている構造等があるがこれらに限定されるものではなくい ずれでも効果がある。
接着部材を用いて半導体装置を組み立てる方法を図 1〜図 3を例に説明するが、 本発明はこれらに限定されるものではない。
接着部材は、 図 1 (a) に示すようにフィルム状の接着剤 1である接着部材で も、 図 1 (b) に示すようにコア材 2の両面に接着剤 1の層を備えた接着部材で も良く、 図 2 (a) 、 図 2 (b) に示す配線 3を形成した配線基板 4の配線 3側 に、 所定の大きさに切り抜いた接着部材を例えば 100〜 150° (:、 0. 01〜 3MP a、 0. 5〜10秒の条件で熱圧着し接着部材を備えた半導体搭載用配線 基板を得、 接着部材の配線基板 4と反対側に半導体チップ 5を例えば 120〜2 00DC, 0. l〜3MP a、 :!〜 10秒の条件で熱圧着し、 150〜200°Cで 0. 5〜 2時間加熱して接着部材の接着剤 1の層を硬化させた後、 図 3 (a) 、 a¾
図 3 ( b ) では半導体チップ 5のパッドと配線基板 4上の配線 3とをボンディン グワイヤ 6で接続し、 図 3 ( c ) 、 図 3 ( d ) では半導体チップ 5のパッドに配 線基板 4のインナ一リード 6 ' をボンディングして、 封止材 7で封止、 外部接続 端子 8であるはんだボールを設けて半導体装置を得ることができる。
上記において、 半導体チップ 5の貼り合わせ時よりも、 接着部材を配線基板 4 の配線 3側に貼り合わせるときの方が、 低い温度で行われることが多い。
半導体チップと配線基板の間に発生する熱応力は、 半導体チップと配線基板の 面積差が小さい場合に著しいが、 本発明による半導体装置は低弾性率の電子部品 用接着部材を用いることによりその熱応力を緩和して信頼性を確保するものであ る。 さらに、 その接着部材が難燃化されている場合、 半導体装置としての難燃性 を有するものである。 これらの効果は、 半導体チップの面積が、 配線基板の面積 の 7 0 %以上である場合に非常に有効に現われるものである。 ここで、 半導体チ ップの面積及び配線基板の面積とは、 半導体チップ及び配線基板の互いに向かい 合った面の面積を意味する。 また、 このように半導体チップと配線基板の面積差 が小さい半導体装置においては、 外部接続端子はエリア状に設けられる場合が多 い。
本発明の接着部材を用いて半導体チップと配線基板を接着させた半導体装置は、 耐リフロー性、 温度サイクルテスト、 耐湿性 (耐 P C T性) 等に優れていた。 さ らに接着剤の可使期間が長く、 2 5 °Cで 3ヶ月保管後のものを用いて作製した半 導体装置も初期とほぼ同等の特性を示していた。
本発明おいて、 重量平均分子量は、 ゲルパーミエーシヨンクロマトグラフィー により、 標準ポリスチレンの検量線を用いて測定したものである。 実施例
以下、 実施例により本発明をさらに具体的に説明する。
(接着剤ワニス 1の調製)
エポキシ樹脂としてビスフエノ一ル A型エポキシ樹脂 (エポキシ当量 1 7 5、 東都化成株式会社製商品名 Y D— 8 1 2 5を使用) 4 5重量部、 クレゾールノポ ラック型エポキシ樹脂 (エポキシ当量 2 1 0、 東都化成株式会社製商品名 Y D C I
N— 703を使用) 15重量部、 エポキシ樹脂の硬化剤としてフエノールノボラ ック樹脂 (大日本インキ化学工業株式会社製商品名プライォ一フェン LF 288 2を使用) 40重量部、 エポキシ基含有アクリル系重合体としてエポキシ基含有 アクリルゴム (分子量 100万、 グリシジルメ夕クリレート 1重量%、 Tg- 7 :、 帝国化学産業株式会社製商品名 HTR - 860 P_ 3を使用) 220重量部、 潜在性硬化促進剤としてアミンーゥレイドアダクト系硬化促進剤 (富士化成株式 会社製商品名フジキュア FXR— 1030を使用) 5重量部からなる組成物に、 メチルェチルケトンを加えて撹拌混合し、 真空脱気した。 この接着剤ワニスを、 厚さ 75 mの離型処理したポリエチレンテレフタレ一トフイルム上に塗布し、 140°Cで 5分間加熱乾燥して膜厚が 80 μιηの塗膜とし、 接着剤フィルムを作 製した。 この接着剤フィルムを 170°Cで 1時間加熱硬化させてその貯蔵弾性率 を動的粘弹性測定装置 (レオロジ社製、 DVE— V4) を用いて測定 (サンプル サイズ:長さ 20mm、 幅 4mm、 膜厚 80/im、 昇温速度 5°CZ分、 引張りモ —ド、 10Hz、 自動静荷重) した結果、 25°Cで600MP a、 260°Cで 5 MP aであった。 この接着剤ワニスの固形分は 32重量%であった。 この接着剤 ワニスの固形分は、 ワニス粘度が約 100ボイズ (25°C) になるようにした値 であり、 これより固形分を高めて粘度を上げると厚みのばらつきが大きくなる ( 以下同じ) 。 (接着剤ワニス 2の調製)
接着剤ワニス 1の調製において、 潜在性硬化促進剤として、 アミンーウレイド ァダクト系硬化促進剤の代わりにァミン—エポキシァダクト系硬化促進剤 (味の 素株式会社製商品名アミキュア MY _ 24を使用) 5重量部を使用したこと以外 は、 接着剤ワニス 1の調製に従って、 接着剤ワニス 2の調製を行った。
また、 この接着剤ワニスを利用して、 接着剤ワニス 1の調製における方法と同 様に接着剤フィルムを作製した。 この接着剤フィルムを使用して前記と同様にし てその貯蔵弾性率を動的粘弾性測定装置を用いて測定した結果、 25°Cで 360 MP a、 260°Cで 4 MP aであった。 この接着剤ワニス 2の固形分は 30重量 %であった。 (接着剤ワニス 3)
接着剤ワニス 2の調製において、 潜在性硬化促進剤として、 ァミン—エポキシ ァダクト系硬化促進剤の使用量を 3重量部としたこと以外は、 接着剤ワニス 2の 調製に従って、 接着剤ワニス 3の調製を行った。
また、 この接着剤ワニスを利用して、 製膜時の乾燥温度を 140°Cから 160 °Cに変更したこと以外は接着剤ワニス 1の調製における方法と同様に接着剤フィ ルムを作製した。 この接着剤フィルムを使用して前記と同様にしてその貯蔵弾性 率を動的粘弾性測定装置を用いて測定した結果、 25°Cで360MP a、 260 °Cで 4MP aであった。 この接着剤ワニスの固形分は 28重量%であった。
(接着剤ワニス 4)
接着剤ワニス 2の調製において、 潜在性硬化促進剤として、 アミンーエポキシ ァダクト系硬化促進剤の使用量を 10重量部としたこと以外は、 接着剤ワニス 2 の調製に従って、 接着剤ワニス 4の調製を行った。
また、 この接着剤ワニスを利用して、 製膜時の乾燥温度を 140°Cから 120 °Cに変更したこと以外は接着剤ワニス 1の調製における方法と同様に接着剤フィ ルムを作製した。 この接着剤フィルムを使用して前記と同様にしてその貯蔵弾性 率を動的粘弾性測定装置を用いて測定した結果、 25°。で3601^? 3、 260 °Cで 4MP aであった。 この接着剤ワニスの固形分は 28重量%であった。
(接着剤ワニス 5)
接着剤ワニス 1の調製において、 潜在性硬化促進剤として、 ァミン—ウレイド ァダクト系硬化促進剤の代わりに 2—フエ二ルイミダゾール 0. 5重量部を使用 したこと以外は、 接着剤ワニス 1の調製に従って、 接着剤ワニス 5の調製を行つ た。
また、 この接着剤ワニスを利用して、 接着剤ワニス 1の調製における方法と同 様に接着剤フィルムを作製した。 この接着剤フィルムを使用して前記と同様にし てその貯蔵弾性率を動的粘弾性測定装置を用いて測定した結果、 25 °Cで 360 2ら
MP a, 260°Cで 4MP aであった。 この接着剤ワニスの固形分は 28重量% であった。
(実施例 1 )
接着剤ワニス 1を、 厚さ 75 /xmの離型処理したポリエチレンテレフ夕レート フィルム上に塗布し、 140°Cで 5分間加熱乾燥して、 膜厚が 75 /]11の8ステ ージ状態の塗膜を形成し、 キャリアフィルムを備えた接着フィルムを作製した。 この接着フィルムを温度 1 10°C、 圧力 0. 3MP a、 速度 0. 3m/分の条件 でホットロールラミネ一夕一を用いて貼り合わせ、 厚さ 150 /mの単層フィル ム状の接着部材を作製した。
なおこの状態での接着剤の硬化度は、 DSC (デュポン社製 912型 DSC) を用いて測定 (昇温速度、 10°C/分) した結果、 全硬化発熱量の 20%の発熱 を終えた状態であった。 また、 接着剤のみの残存溶媒量は、 120°Cで 60分間 加熱前後の重量変化より 1. 5重量%であった。
(実施例 2 )
接着剤ワニス 1を接着剤ワニス 2とした以外は実施例 1と同様にして、 単層フ イルム状の接着部材を作製した。
なおこの状態での接着剤の硬化度は、 DSC (デュポン社製 912型 DSC) を用いて測定 (昇温速度、 10°CZ分) した結果、 全硬化発熱量の 20%の発熱 を終えた状態であった。 残存溶媒量は、 1. 4重量%であった。
(実施例 3 )
接着剤ワニス 2を、 厚さ 25 ; mのポリイミドフィルム (宇部興産株式会社製 商品名ュ一ピレックス S GA— 25を使用) 上に塗布し、 120°Cで 5分間加熱 乾燥して、 膜厚が 50 ^ mの Bステージ状態の塗膜を形成し、 さらに接着剤層を 形成した反対面に同じワニスを塗布し、 140°Cで 5分間加熱乾燥して、 膜厚が 70 mの Bステージ状態の塗膜を形成し、 コア材として用いたポリイミドフィ ルムの両面に接着剤層を備えた接着部材を作製した。 なおこの状態での接着剤の硬化度は、 DSC (デュポン社製 912型 DSC) を用いて測定 (昇温速度、 10°CZ分) した結果、 50 xm層で全硬化発熱量の 25%、 75 m層で全硬化発熱量の 20 %の発熱を終えた状態であった。 残存 溶媒量は、 何れも 1. 3〜; L. 6重量%であった。
(実施例 4)
接着剤ワニス 2を、 厚さ 75 mの離型処理したポリエチレンテレフタレ一トフ イルム上に塗布し、 140°Cで 5分間加熱乾燥して、 膜厚が 75 /imの Bステー ジ状態の塗膜を形成し、 キヤリアフィルムを備えた接着フィルムを作製した。 この接着フィルムを、 厚さ 25 /mのポリイミドフィルム (宇部興産株式会社製 商品名ユーピレックス S GA— 25を使用) の両面に温度 1 10° (:、 圧力 0. 3 MP a, 速度 0. 2m/分の条件でホット口一ルラミネ一夕一を用いて貼り付け、 コア材として用いたポリイミドフィルムの両面に接着剤層を備えた接着部材を作 製した。
なおこの状態での接着剤の硬化度は、 DSC (デュポン社製 912型 DSC) を用いて測定 (昇温速度、 10°Cノ分) した結果、 両面の接着剤層ともに全硬化 発熱量の 20 %の発熱を終えた状態であった。 残存溶媒量は、 1. 4重量%であ つた。 (実施例 5)
コア材のポリイミドフィルムを厚さ 25 mの液晶ポリマフイルム (株式会社 クラレ製商品名べクトラ L C P— Aを使用) にしたこと以外は実施例 4と同様に してコア材として用いた液晶ポリマフイルム両面に接着剤層を備えた接着部材を 作製した。
なおこの状態での接着剤の硬化度は、 DSC (デュポン社製 912型 DSC) を用いて測定 (昇温速度、 10°CZ分) した結果、 両面の接着剤層ともに全硬化 発熱量の 20 %の発熱を終えた状態であった。 残存溶媒量は、 1. 4重量%であ つた。 (実施例 6)
コア材のポリイミドフィルムを厚さ 25 xmのテトラフルォロエチレン—へキ サフルォロプロピレンコポリマーフィルム (三井 ·デュポンフロロケミカル株式 会社製商品名テフロン F E Pを使用) にしたこと以外は実施例 4と同様にしてテ トラフルォロエチレン一へキサフルォロプロピレンコポリマーフィルム両面に接 着剤層を備えた接着部材を作製した。 テトラフルォロエチレン一へキサフルォロ プロピレンコポリマ一フィルムについては、 濡れ性を向上して接着性を上げるの ためにその両面を化学処理 (株式会社潤ェ社製商品名テトラエッチを使用) した ものを用いた。
なおこの状態での接着剤の硬化度は、 DSC (デュポン社製 91 2型 DS C) を用いて測定 (昇温速度、 10°Cノ分) した結果、 両面の接着剤層ともに全硬化 発熱量の 20%の発熱を終えた状態であった。 残存溶媒量は、 1. 5重量%であ つた。 (実施例 7)
接着剤ワニス 2を、 厚さ 75 xmの離型処理したポリエチレンテレフ夕レー卜 フィルム上に塗布し、 140°Cで 5分間加熱乾燥して、 膜厚が 60 mの Bステ ージ状態の塗膜を形成し、 キャリアフィルムを備えた単層フィルム状の接着部材 を作製した。 この単層フィルムを、 厚さ 100 xmの多孔質ポリテトラフルォロ エチレンフィルム (住友電気工業株式会社製商品名ポアフロン WP_ 100- 1 00を使用) の両面に温度 1 10°C、 圧力 0. 3 MP a、 速度 0. 2 m/分の条 件でホットロールラミネ一夕一を用いて貼り付け、 コア材として用いた多孔質ポ リテトラフルォロエチレンフィルムの両面に接着剤層を備えた接着部材を作製し た。
なおこの状態での接着剤の硬化度は、 DSC (デュポン社製 912型 DS C) を用いて測定 (昇温速度、 10°CZ分) した結果、 両面の接着剤層ともに全硬化 発熱量の 20%の発熱を終えた状態であった。 残存溶媒量は、 1. 4重量%であ つた。 (実施例 8 )
接着剤ワニス 1を接着剤ワニス 3に変更し、 製膜時の乾燥温度を 140°Cから 160°Cに変更した以外は実施例 1と同様にして、 単層フィルム状の接着部材を 作製した。
なおこの状態での接着剤の硬化度は、 DSC (デュポン社製 912型 DS C) を用いて測定 (昇温速度、 10°CZ分) した結果、 全硬化発熱量の 20%の発熱 を終えた状態であった。
(実施例 9 )
接着剤ワニス 1を接着剤ワニス 4に変更し、 製膜時の乾燥温度を 140°Cから 120°Cに変更した以外は実施例 1と同様にして、 単層フィルム状の接着部材を 作製した。
なおこの状態での接着剤の硬化度は、 DSC (デュポン社製 912型 DSC) を用いて測定 (昇温速度、 10°CZ分) した結果、 全硬化発熱量の 20%の発熱 を終えた状態であった。
(参考例 1 )
接着剤ワニス 1を接着剤ワニス 5とした以外は実施例 1と同様にして、 単層フ イルム状の接着部材を作製した。
なおこの状態での接着剤の硬化度は、 D S C (デュポン社製 912型 D S C) を用いて測定 (昇温速度、 10°CZ分) した結果、 全硬化発熱量の 20%の発熱 を終えた状態であった。 得られた接着部材を用いて図 3 (c) 、 図 3 (d) に示すような半導体チップ と厚み 25 mのポリイミドフィルムを基材に用いた配線基板を接着部材で貼り 合せた(貼り合わせ条件:温度 160°C、 圧力 1. 5MP a、 時間 3秒)半導体装 置サンプル (片面にはんだポールを形成) を作製し、 耐熱性、 難燃性、 耐湿性、 発泡の有無を調べた。 耐熱性の評価方法には、 耐リフロークラック性と温度サイ クル試験を適用した。 耐リフロークラック性の評価は、 サンプル表面の最高温度 が 2 4 0 °Cでこの温度を 2 0秒間保持するように温度設定した I Rリフロー炉に サンプルを通し、 室温で放置することにより冷却する処理を 2回繰り返したサン プル中のクラックを目視と超音波顕微鏡で観察した。 クラックの発生していない ものを〇とし、 発生していたものを Xとした。 耐温度サイクル性は、 サンプルを 一 5 5 °C雰囲気に 3 0分間放置し、 その後 1 2 5 °Cの雰囲気に 3 0分間放置する 工程を 1サイクルとして、 1 0 0 0サイクル後において超音波顕微鏡を用いて剥 離やクラック等の破壊が発生していないものを〇、 発生したものを Xとした。 ま た、 耐湿性評価は、 温度 1 2 1 °C、 湿度 1 0 0 %、 2気圧の雰囲気 (プレツシャ ークッカーテスト : P C T処理) で 7 2時間処理後に剥離を観察することによ り行った。 接着部材の剥離の認められなかったものを〇とし、 剥離のあったもの を Xとした。 発泡の有無は超音波顕微鏡を用いて確認し、 接着部材に発泡が認め られなかったものを〇とし、 発泡のあったものを Xとした。 また可使期間の評価 は、 得られた接着部材を 2 5 °Cで 3ヶ月保管したものを用いて同様な半導体装置 サンプルを作製し、 超音波顕微鏡を用いて接着剤の回路への埋め込み性を確認し た。 配線基板に設けられた回路との間に空隙がなかったものを〇、 空隙が認めら れたものを Xとした。 その結果を表 1に示す。
表 l 評価結果
Figure imgf000032_0001
実施例 1はアミンーゥレイドアダクト系潜在性硬化促進剤を用いたものであり、 可使期間は長く良好であつたが、 硬化時の発泡が認められた。 実施例 2〜 9はァ ミン一エポキシァダクト系潜在性硬化促進剤を用いたものであり、 可使期間が長 く、 硬化時の発泡もなく良好な結果を示した。 これらの接着剤硬化物は、 本発明 で好ましいと規定した 2 5 °C及び 2 6 0 °Cでの貯蔵弾性率を示しており、 さらに これらの接着部材を用いた半導体装置は、 耐リフ口一クラック性、 耐温度サイク ル性、 耐湿性が良好であった。 また、 実施例 3〜 7はコア材を備えた接着部材で あるが、 取扱性が良好であつた。
参考例 1は硬化促進剤にァダクトがないイミダゾール化合物を使用した例であ り、 可使期間が短かった。
(実施例 1 0 )
エポキシ樹脂としてビスフエノール A型エポキシ樹脂 (エポキシ当量 1 9 0、 油化シェルエポキシ株式会社製のェピコ一ト 8 2 8を使用) 4 5重量部、 クレゾ ールノポラック型エポキシ樹脂 (エポキシ当量 1 9 5、 住友化学工業株式会社製 の E S C N 1 9 5を使用) 1 5重量部、 エポキシ樹脂の硬化剤としてフエノール ノポラック樹脂 (大日本インキ化学工業株式会社製のプライォーフェン L F 2 8 8 2を使用) 4 0重量部、 シランカップリング剤としてァーグリシドキシプロピ ルトリメトキシシラン (日本ュニカー株式会社製の N U C A— 1 8 7を使用) 0 . 7重量部からなる組成物に、 メチルェチルケトンを加えて攪拌混合し、 これにグ リシジルメタクリレ一ト又はダリシジルァクリレート 2〜 6重量%を含むェポキ シ基含有アクリル共重合体 (重量平均分子量 1 0 0万、 帝国化学産業株式会社製 の H T R— 8 6 0 P— 3を使用) 1 5 0重量部、 硬化促進剤としてアミンーェポ キシァダクト化合物である味の素株式会社製のアミキュア M Y— 2 4を 4重量部 添加し、 攪拌モ一夕で 3 0分混合し、 ワニスを得た。 ワニスの厚さ 7 5 // mの B ステージ状態の塗膜を形成し、 キャリアフィルム (離型処理したポリエチレンテ レフ夕レートフィルム、 厚み: 7 5 ΠΙ) を備えた接着フィルムを作製した (乾 燥条件:温度 1 4 0 °C、 時間 5分) 。 この Bステージ状態の接着剤において、 ァ ミキユア MY— 2 4はエポキシ樹脂及び硬化剤の混合物には均一に溶解していた カ^ アクリルゴムには溶解せず、 粒子状に析出していた。 また、 上記接着剤は、 完全硬化後、 エポキシ樹脂が分散相、 アクリルゴムが連続相に相分離していた。
(実施例 1 1 )
硬化促進剤としてアミンーゥレイド系のァダクト系化合物である富士化成株式 会社のフジキュア F X R— 1 0 3 0を使用した他は実施例 1 0と同様にして、 キ ャリアフィルムを備えた接着フィルムを作製した。 Bステージ状態の接着剤にお いて、 フジキュア F X R— 1 0 3 0はエポキシ樹脂及び硬化剤の混合物には均一 に溶解していたが、 アクリルゴムには溶解せず、 粒子状に析出していた。
(参考例 2 )
硬化促進剤として 1ーシァノエチルー 2—フエ二ルイミダゾール (四国化成ェ 業株式会社製キュアゾール 2 P Z— C Nを使用) 0 . 5重量部を使用した他は実 施例 1と同様にして、 キャリアフィルムを備えた接着フィルムを作製した。 Bス テ一ジ状態の接着剤において、 キュアゾ一ル 2 P Z— C Nは、 エポキシ樹脂、 ァ クリルゴム両方に溶解していた。 SB
可使期間の評価は、 得られた接着部材を 2 5 °Cで 1〜6ヶ月保管したものを用 いて、 半導体チップと厚み 2 5 z mのポリイミドフィルムを基材に用いた配線基 板とを貼りあわせ (貼りあわせ条件:温度 1 6 0 ° (:、 圧力 1 . 5 M P a、 時間 3 秒) 超音波顕微鏡を用いて接着剤の回路への埋め込み性を確認した。 配線基板に 設けられた回路との間に空隙がなかった物を〇、 空隙が認められたものを Xとし た。 その結果を表 2に示す。 表 2 評価結果
Figure imgf000034_0001
実施例 1 0はァミン一エポキシァダクト系潜在性硬化促進剤を用いたものであ り、 可使期間は長く良好であった。 実施例 1 1はアミンーゥレイドアダクト系潜 在性硬化促進剤を用いたものであり、 可使期間は長く良好であった。 参考例 2は、 分子量が小さく、 ゴム、 エポキシの両方に溶解性のあるィミダゾール系の硬化促 進剤を使用したものであり、 可使期間が短い。 産業上の利用可能性
本発明における接着剤 Aは、 潜在性硬化促進剤を用いることで Bステージフィ ルムの保存安定性を高めることができた。 アミンァダクト系の MY— 2 4及び F X R - 1 0 3 0を用いたものは耐熱性、 耐湿性が良好であった。 特にアミン―ェ ポキシァダクト系潜在性硬化促進剤を使用した場合には、 接着剤硬化時の硬化速 度が十分に大きいために発泡することなく完全な硬化物を得ることができる。 特にァダクト型、 アミンァダクト系、 アミンーエポキシァダクト系の潜在性硬化 促進剤を使用した本発明の接着剤を用いた接着部材は、 耐熱性、 耐湿性が良好で ある。 これらの効果により、 優れた信頼性を発現する半導体装置に必要な接着材 料を効率良く提供することができる。
本発明の接着剤 Bを用いた接着フィルムは可使期間が長いため、 長期にわたり 保存でき、 生産管理がしゃすい点で従来の接着フィルムに比べて大きな効果が有 る。 よって、 保存安定性に優れる接着剤、 接着フィルムを作製することができる。 請求項 1 2に記載の接着剤によって、 Bステージ状態で分散相がエポキシ樹脂及 び硬化剤を主成分とし、 連続相が重量平均分子量 1 0万以上の高分子量成分を主 成分とする場合には、 さらに接着性、 耐熱性とフィルムとしての取り扱い性に優 れる接着フィルムを作製することができる。 特に、 連続相を形成する高分子量成 分の樹脂としてグリシジル (メタ) ァクリレート共重合成分を 2〜 6重量%含有 するエポキシ基含有アクリル共重合体を用いた接着剤は、 これを用いることによ つて接着性、 耐熱性がさらに高い接着フィルムを作製できる点で優れる。 また、 硬化促進剤としてアミンーエポキシァダクト化合物を用いるた接着剤は、 さらに 硬化時に発泡せず、 かつ低弾性を有し耐熱性、 耐湿性が良好な接着剤、 接着フィ ルムを作製できる点で優れる。 よって、 これらの発明により、 保存安定性が特に 高い接着フィルム、 半導体搭載用配線基板及び半導体装置を作製することができ る。

Claims

請求の範囲
1. (1) エポキシ樹脂及びその硬化剤 100重量部、 (2) グリシジル (メ 夕) ァクリレート 0. 5〜6重量%を含む丁8 (ガラス転移温度) がー 10°C以 上でかつ重量平均分子量が 10万以上であるエポキシ基含有アクリル共重合体 7 5〜 300重量部、 並びに (3) 潜在性硬化促進剤 0. 1〜20重量部を含有す る接着剤。
2. (1) エポキシ樹脂及びその硬化剤 100重量部、 (2) エポキシ樹脂と 相溶性がありかつ重量平均分子量が 3万以上の高分子量樹脂 5〜 40重量部、 (
3) グリシジル (メタ) ァクリレート 0. 5〜6重量%を含む Tg (ガラス転移 温度) がー 10°C以上でかつ重量平均分子量が 10万以上であるエポキシ基含有 アタリル共重合体 75〜 300重量部、 並びに ( 4 ) 潜在性硬化促進剤 0. 1〜
20重量部を含有する接着剤。
3. 潜在性硬化促進剤がァダクト型である請求項 1ないし請求項 2のいずれか に記載の接着剤。
4. 潜在性硬化促進剤がアミンァダクトである請求項 3に記載の接着剤。
5. 潜在性硬化促進剤がアミンーエポキシァダクトである請求項 4に記載の接 着剤。
6. 無機フィラーを、 接着剤樹脂分 100体積部に対して 1〜20体積部含む 請求項 1から請求項 5のいずれかに記載の接着剤。
7. 無機フイラ一がアルミナ、 シリカ、 水酸化アルミ、 アンチモン酸化物のい ずれかである請求項 6に記載の接着剤。 %
8. 接着剤を、 DSCを用いて測定した場合の全硬化発熱量の 10〜40%の 発熱を終えた状態にした請求項 1から請求項 7のいずれかに記載の接着剤。
9. 残存溶媒量が 5重量%以下である請求項 1から請求項 8のいずれかに記載 の接着剤。
10. 動的粘弾性測定装置を用いて測定した場合の接着剤硬化物の貯蔵弾性率 が 25°Cで 20〜2000MP aであり、 260°Cで 3〜5 OMP aである請求 項 1から請求項 9のいずれかに記載の接着剤。
1 1. Bステージ状態で相分離する 2種類の樹脂、 硬化剤、 及び、 硬化促進剤 を必須成分とする接着剤組成物であり、 Bステージ状態において硬化促進剤が分 散相に相溶性を有し、 連続相とは相分離することを特徴とする接着剤。
12. Bステージ状態で、 分散相がエポキシ樹脂及び硬化剤を主成分とする相 となり、 連続相が重量平均分子量 10万以上の高分子量成分を主成分とする相と なることを特徴とする請求項 1 1記載の接着剤。
13. 重量平均分子量 10万以上の高分子量成分がグリシジルメ夕クリレート 又はダリシジルァクリレート 2〜6重量%を含むエポキシ基含有ァクリル共重合 体であることを特徴とする請求項 12記載の接着剤。
14. 硬化促進剤がアミンーエポキシァダクト化合物である請求項 1 1〜 13 いずれかに記載の接着剤。
15. 請求項 1〜請求項 14のいずれかに記載の接着剤の層をキヤリアフィル ム上に形成して得られるフィルム状の接着部材。
16. 請求項 1〜請求項 14のいずれかに記載の接着剤の層をコア材の両面に 形成して得られる接着部材。
1 7 . コア材が耐熱性熱可塑フィルムである請求項 1 6に記載の接着部材。
1 8 . 耐熱性熱可塑フィルム材料の軟化点が 2 6 0 °C以上である請求項 1 7に 記載の接着部材。
1 9 . コア材または耐熱性熱可塑フィルムが多孔質フィルムである請求項 1 7 又は請求項 1 8のいずれかに記載の接着部材。
2 0 . 耐熱性熱可塑フィルムが液晶ポリマである請求項 1 7〜請求項 1 9のい ずれかに記載の接着部材。
2 1 . 耐熱性熱可塑フィルムがポリアミドイミド、 ポリイミド、 ポリエーテル イミドまたはポリエーテルスルホンのいずれかである請求項 1 7〜請求項 2 0の いずれかに記載の接着部材。
2 2 . 耐熱性熱可塑フィルムがポリテトラフルォロエチレン、 エチレンテトラ フルォロエチレンコポリマ一、 テトラフルォロエチレン一へキサフルォロプロピ レンコポリマー、 テトラフルォロエチレン一パーフルォロアルキルビニルェ一テ ルコポリマーのいずれかである請求項 1 7〜請求項 2 0のいずれかに記載の接着 部材。
2 3 . 配線基板の半導体チップ搭載面に請求項 1 5〜請求項 2 2のいずれかに 記載の接着部材を備えた半導体搭載用配線基板。
2 4 . 半導体チップと配線基板を請求項 1 5〜請求項 2 2のいずれかに記載の 接着部材を用いて接着させた半導体装置。
2 5 . 半導体チップの面積が、 配線基板の面積の 7 0 %以上である半導体チッ プと配線基板を請求項 1 5〜請求項 2 2のいずれかに記載の接着部材を用いて接 着させた半導体装置。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1310991A3 (en) * 2001-11-13 2004-04-21 Texas Instruments Incorporated Composite die mounting foil for chip-scale semiconductor packages
JP2009041028A (ja) * 2001-09-14 2009-02-26 Sumitomo Chemical Co Ltd 光半導体封止用樹脂組成物
US7645514B2 (en) * 2003-01-07 2010-01-12 Sekisui Chemical Co., Ltd. Curing resin composition, adhesive epoxy resin paste, adhesive epoxy resin sheet, conductive connection paste, conductive connection sheet, and electronic component joined body
US7947779B2 (en) 2000-02-15 2011-05-24 Hitachi Chemical Company, Ltd. Semiconductor device by adhering circuit substrate with adhesive film of epoxy resin, phenolic resin and incompatible polymer
JP2013018983A (ja) * 2012-08-15 2013-01-31 Hitachi Chemical Co Ltd 半導体装置の製造方法および半導体装置
CN103030931A (zh) * 2011-09-30 2013-04-10 太阳油墨制造株式会社 热固性树脂填充材料以及印刷电路板
JP5287725B2 (ja) * 2007-11-08 2013-09-11 日立化成株式会社 半導体用接着シート及びダイシングテープ一体型半導体用接着シート
TWI553795B (zh) * 2011-06-15 2016-10-11 芯光飛股份有限公司 系統級封裝結構及其製造方法

Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4780844B2 (ja) * 2001-03-05 2011-09-28 Okiセミコンダクタ株式会社 半導体装置
JP2002299378A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Lintec Corp 導電体付接着シート、半導体装置製造方法および半導体装置
JP2003092379A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 Hitachi Ltd 半導体装置
JP3889700B2 (ja) * 2002-03-13 2007-03-07 三井金属鉱業株式会社 Cofフィルムキャリアテープの製造方法
US20050205972A1 (en) * 2002-03-13 2005-09-22 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. COF flexible printed wiring board and semiconductor device
US7173322B2 (en) * 2002-03-13 2007-02-06 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. COF flexible printed wiring board and method of producing the wiring board
US7304362B2 (en) * 2002-05-20 2007-12-04 Stmicroelectronics, Inc. Molded integrated circuit package with exposed active area
AU2003276729A1 (en) * 2002-06-17 2003-12-31 Henkel Corporation Interlayer dielectric and pre-applied die attach adhesive materials
JP2004140313A (ja) * 2002-08-22 2004-05-13 Jsr Corp 二層積層膜を用いた電極パッド上へのバンプ形成方法
TW582078B (en) * 2002-11-29 2004-04-01 Chipmos Technologies Bermuda Packaging process for improving effective die-bonding area
US20040197571A1 (en) * 2003-04-03 2004-10-07 Yuji Hiroshige Thermosetting composition, and sealing article and sealing structure using the same
DE602004021928D1 (de) * 2003-05-21 2009-08-20 Nippon Kayaku Kk Dichtmittel für flüssigkristall und damit hergestellte flüssigkristallanzeigezelle
US7047633B2 (en) * 2003-05-23 2006-05-23 National Starch And Chemical Investment Holding, Corporation Method of using pre-applied underfill encapsulant
WO2004109786A1 (ja) * 2003-06-06 2004-12-16 Hitachi Chemical Co., Ltd. 接着シート、ダイシングテープ一体型接着シート、及び半導体装置の製造方法
JP4610168B2 (ja) * 2003-08-06 2011-01-12 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 耐熱マスキングテープ
JP4397653B2 (ja) * 2003-08-26 2010-01-13 日東電工株式会社 半導体装置製造用接着シート
WO2005038519A1 (ja) * 2003-10-17 2005-04-28 Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha 液晶シール剤、それを用いた液晶表示装置および該装置の製造方法
MY138566A (en) * 2004-03-15 2009-06-30 Hitachi Chemical Co Ltd Dicing/die bonding sheet
US20060008735A1 (en) * 2004-07-09 2006-01-12 Jsr Corporation Radiation sensitive resin composition for forming microlens
US7161232B1 (en) 2004-09-14 2007-01-09 National Semiconductor Corporation Apparatus and method for miniature semiconductor packages
US7585570B2 (en) * 2005-04-14 2009-09-08 Sumitomo Chemical Company, Limited Adhesives and optical laminates including the same
DE102006007108B4 (de) * 2006-02-16 2020-09-17 Lohmann Gmbh & Co. Kg Reaktive Harzmischung und Verfahren zu deren Herstellung
US20070212551A1 (en) * 2006-03-10 2007-09-13 Andrew Collins Adhesive composition
JP2007294488A (ja) * 2006-04-20 2007-11-08 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置、電子部品、及び半導体装置の製造方法
KR101370245B1 (ko) * 2006-05-23 2014-03-05 린텍 가부시키가이샤 점접착제 조성물, 점접착 시트 및 반도체장치의 제조방법
US7772040B2 (en) * 2006-09-12 2010-08-10 Nitto Denko Corporation Manufacturing method of semiconductor device, adhesive sheet used therein, and semiconductor device obtained thereby
KR20080047990A (ko) 2006-11-27 2008-05-30 린텍 가부시키가이샤 점접착제 조성물, 점접착 시트 및 반도체 장치의 제조방법
JP5143020B2 (ja) * 2006-12-04 2013-02-13 パナソニック株式会社 封止材料及び実装構造体
TW200837137A (en) 2007-01-26 2008-09-16 Hitachi Chemical Co Ltd Sealing film and semiconductor device using the same
JP2008247936A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Lintec Corp 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
KR100896106B1 (ko) * 2007-05-31 2009-05-07 엘에스엠트론 주식회사 상분리 패이스트 타입 점착제 및 그를 이용한 반도체 칩패키지 및 패키징 방법
TW200907003A (en) * 2007-07-03 2009-02-16 Hitachi Chemical Co Ltd Adhesive composition and method of manufacturing thereof, adhesive member using the adhesive composition and method of manufacturing thereof, supporting member for mounting semiconductor and method of manufacturing thereof, and semiconductor apparatus an
KR101002488B1 (ko) * 2007-10-24 2010-12-17 제일모직주식회사 공-연속 상 분리 구조를 가지는 반도체 다이 접착제 조성물 및 이로부터 제조된 접착제 필름
KR100922226B1 (ko) * 2007-12-10 2009-10-20 주식회사 엘지화학 접착 필름, 다이싱 다이본딩 필름 및 반도체 장치
JP5499448B2 (ja) * 2008-07-16 2014-05-21 デクセリアルズ株式会社 異方性導電接着剤
BRPI0922253A2 (pt) 2008-12-15 2016-06-21 3M Innovative Properties Co filme de superfície para compósitos com camada de barreira.
JP5558140B2 (ja) 2009-06-10 2014-07-23 デクセリアルズ株式会社 絶縁性樹脂フィルム、並びにこれを用いた接合体及びその製造方法
US8592260B2 (en) * 2009-06-26 2013-11-26 Nitto Denko Corporation Process for producing a semiconductor device
JP5728804B2 (ja) * 2009-10-07 2015-06-03 デクセリアルズ株式会社 熱硬化性接着組成物、熱硬化性接着シート、その製造方法及び補強フレキシブルプリント配線板
EP2508875A4 (en) * 2009-12-01 2015-05-20 Nipro Corp CELL POTENTIAL MEASUREMENT CONTAINER AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
EP2513204A1 (en) * 2009-12-15 2012-10-24 3M Innovative Properties Company Fluoropolymer film with epoxy adhesive
WO2011086680A1 (ja) * 2010-01-15 2011-07-21 ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 異方性導電接着剤
JP5586313B2 (ja) * 2010-04-23 2014-09-10 京セラケミカル株式会社 接着剤層の形成方法、及び接着剤組成物
JP5820108B2 (ja) * 2010-11-29 2015-11-24 デクセリアルズ株式会社 熱硬化性接着シート及び熱硬化性接着シートの製造方法
JP5770995B2 (ja) 2010-12-01 2015-08-26 デクセリアルズ株式会社 熱硬化性樹脂組成物、熱硬化性接着シート及び熱硬化性接着シートの製造方法
US20130026660A1 (en) * 2011-07-29 2013-01-31 Namics Corporation Liquid epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, and semiconductor device using the same
US20130042976A1 (en) * 2011-08-19 2013-02-21 Harris Corporation Film adhesives and processes for bonding components using same
KR20140123779A (ko) * 2013-04-15 2014-10-23 동우 화인켐 주식회사 광경화 코팅 조성물, 이를 이용한 코팅 필름 및 편광판
CN104570498B (zh) * 2014-11-24 2017-10-13 深圳市华星光电技术有限公司 可挠曲液晶面板及其制作方法
US10865329B2 (en) 2015-04-29 2020-12-15 Lg Chem, Ltd. Adhesive film for semiconductor
JP6265954B2 (ja) * 2015-09-16 2018-01-24 古河電気工業株式会社 半導体裏面用フィルム
EP3336120A1 (de) * 2016-12-14 2018-06-20 Sika Technology AG Epoxidharz-klebstoff mit hoher druckfestigkeit
KR102455209B1 (ko) * 2017-05-10 2022-10-17 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 반도체 밀봉 성형용 가보호 필름
KR102057204B1 (ko) * 2017-12-18 2020-01-22 (주)이녹스첨단소재 지문인식센서 칩용 보강필름, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 지문인식센서 모듈
WO2020150222A1 (en) * 2019-01-16 2020-07-23 Henkel IP & Holding GmbH Curable compositions for production of reaction induced phase separated compositions with improved properties
DE102019004057B4 (de) * 2019-06-11 2022-02-03 Lohmann Gmbh & Co. Kg Komprimierbarer, haftklebriger, struktureller Klebefilm auf Basis einer latent reaktiven Zusammensetzung
JP6691998B1 (ja) * 2019-12-24 2020-05-13 株式会社鈴木 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
DE102020206619A1 (de) 2020-05-27 2021-12-02 Tesa Se Vorvernetzte epoxid-haftklebmassen und klebebänder, welche diese enthalten
DE102020213368A1 (de) 2020-10-22 2022-04-28 Tesa Se Protonenschwämme als Katalysator in Klebstoffen und Klebstoffe die diese enthalten
KR102485700B1 (ko) 2020-12-23 2023-01-06 주식회사 두산 반도체 패키지용 언더필 필름 및 이를 이용하는 반도체 패키지의 제조방법

Citations (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62297377A (ja) * 1986-06-18 1987-12-24 Nissan Motor Co Ltd エポキシ樹脂系接着性組成物
JPS6372722A (ja) * 1986-09-12 1988-04-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 一液性熱硬化型エポキシ樹脂組成物
JPS6381187A (ja) * 1986-09-25 1988-04-12 Ibiden Co Ltd 熱硬化性接着シ−ト
JPH01113477A (ja) * 1987-10-26 1989-05-02 Sunstar Giken Kk フレキシブルプリント基板用接着剤
EP0359373A2 (en) * 1988-07-21 1990-03-21 LINTEC Corporation Adhesive tape and use thereof
JPH03255185A (ja) * 1990-03-05 1991-11-14 Hitachi Chem Co Ltd アディティブ法プリント配線板用の接着剤
EP0459614A2 (en) * 1990-05-30 1991-12-04 Somar Corporation Epoxy resin composition
JPH04314391A (ja) * 1991-04-12 1992-11-05 Hitachi Chem Co Ltd アディティブ法プリント配線板用接着剤
JPH05156226A (ja) * 1991-12-03 1993-06-22 Ube Ind Ltd 構造用接着剤組成物
JPH05156229A (ja) * 1991-08-31 1993-06-22 Nippon Carbide Ind Co Inc 耐熱性樹脂ライニング用接着剤組成物
JPH06256746A (ja) * 1993-03-09 1994-09-13 Hitachi Chem Co Ltd 接着剤組成物および接着フィルム
JPH0776679A (ja) * 1993-09-08 1995-03-20 Hitachi Chem Co Ltd 抵抗回路付シートヒーター用接着剤組成物
JPH07173449A (ja) * 1993-12-17 1995-07-11 Hitachi Chem Co Ltd アクリル系接着剤組成物及びこれを用いた接着フィルム
JPH07292339A (ja) * 1994-04-21 1995-11-07 Nippon Carbide Ind Co Inc 金属箔張積層板用接着剤組成物及び金属箔張積層板用接着シート
JPH10163391A (ja) * 1996-11-28 1998-06-19 Hitachi Chem Co Ltd 半導体装置
JPH10226770A (ja) * 1997-02-17 1998-08-25 Hitachi Chem Co Ltd 回路部材接続用接着剤
JPH10226769A (ja) * 1997-02-17 1998-08-25 Hitachi Chem Co Ltd フィルム状接着剤及び接続方法
JPH10245533A (ja) * 1997-03-06 1998-09-14 Sekisui Chem Co Ltd 硬化型粘接着シート
JPH10273629A (ja) * 1997-03-31 1998-10-13 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続用接着剤及び回路板の製造法
JPH10287848A (ja) * 1997-02-14 1998-10-27 Hitachi Chem Co Ltd 回路部材接続用接着剤
JPH10341083A (ja) * 1997-06-10 1998-12-22 Hitachi Chem Co Ltd 多層配線板
JPH10338839A (ja) * 1997-06-10 1998-12-22 Hitachi Chem Co Ltd 絶縁層用接着フィルム
JPH1112545A (ja) * 1997-06-25 1999-01-19 Hitachi Chem Co Ltd 絶縁層用接着フィルム
JPH1117346A (ja) * 1997-06-20 1999-01-22 Hitachi Chem Co Ltd 多層配線板
JPH11106714A (ja) * 1997-10-08 1999-04-20 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続用フィルム状接着剤
EP0914027A1 (en) * 1996-07-15 1999-05-06 Hitachi Chemical Company, Ltd. Film-like adhesive for connecting circuit and circuit board
JPH11166019A (ja) * 1997-12-03 1999-06-22 Hitachi Chem Co Ltd アクリル樹脂とこれを用いた接着剤及び接着フィルム並びにアクリル樹脂の製造法
JPH11209724A (ja) * 1998-01-30 1999-08-03 Hitachi Chem Co Ltd 難燃化接着剤、難燃化接着部材、難燃化接着部材を備えた半導体搭載用配線基板及びこれを用いた半導体装置
JPH11209723A (ja) * 1998-01-30 1999-08-03 Hitachi Chem Co Ltd 難燃化接着剤、難燃化接着部材、難燃化接着部材を備えた半導体搭載用配線基板及びこれを用いた半導体装置
JPH11246829A (ja) * 1998-02-27 1999-09-14 Hitachi Chem Co Ltd 両面接着フィルム及び半導体装置
JPH11265960A (ja) * 1998-03-18 1999-09-28 Hitachi Chem Co Ltd 金属製補強材付き半導体装置
JPH11284114A (ja) * 1998-03-27 1999-10-15 Hitachi Chem Co Ltd 半導体装置
JP2000144077A (ja) * 1998-11-17 2000-05-26 Hitachi Chem Co Ltd 両面接着フィルム及びこれを用いた半導体装置
JP2000159860A (ja) * 1998-11-27 2000-06-13 Hitachi Chem Co Ltd 耐熱性樹脂組成物

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0289939A1 (de) 1987-05-08 1988-11-09 ASTA Pharma AG Neue 4-Benzyl-1-(2H)-phthalazinon-Derivate mit einem Aminosäurerest
US5021519A (en) * 1988-03-24 1991-06-04 Aluminum Company Of America Epoxy-polyimide blend for low temperature cure, high-performance resin system and composites
CN1089356C (zh) * 1995-04-04 2002-08-21 日立化成工业株式会社 粘合剂、胶膜及带粘合剂底面的金属箔
US5708056A (en) * 1995-12-04 1998-01-13 Delco Electronics Corporation Hot melt epoxy encapsulation material
JP3787889B2 (ja) 1996-05-09 2006-06-21 日立化成工業株式会社 多層配線板及びその製造方法
TW383435B (en) * 1996-11-01 2000-03-01 Hitachi Chemical Co Ltd Electronic device
JP3792327B2 (ja) 1996-12-24 2006-07-05 日立化成工業株式会社 熱伝導性接着剤組成物及び該組成物を用いた熱伝導性接着フィルム
JP3559137B2 (ja) 1997-02-27 2004-08-25 日立化成工業株式会社 熱伝導性接着剤組成物及び該組成物を用いた熱伝導性接着フィルム
JP4151081B2 (ja) 1997-03-07 2008-09-17 日立化成工業株式会社 回路部材接続用接着剤
JPH11256013A (ja) * 1998-03-12 1999-09-21 Ajinomoto Co Inc エポキシ樹脂組成物

Patent Citations (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62297377A (ja) * 1986-06-18 1987-12-24 Nissan Motor Co Ltd エポキシ樹脂系接着性組成物
JPS6372722A (ja) * 1986-09-12 1988-04-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 一液性熱硬化型エポキシ樹脂組成物
JPS6381187A (ja) * 1986-09-25 1988-04-12 Ibiden Co Ltd 熱硬化性接着シ−ト
JPH01113477A (ja) * 1987-10-26 1989-05-02 Sunstar Giken Kk フレキシブルプリント基板用接着剤
EP0359373A2 (en) * 1988-07-21 1990-03-21 LINTEC Corporation Adhesive tape and use thereof
JPH03255185A (ja) * 1990-03-05 1991-11-14 Hitachi Chem Co Ltd アディティブ法プリント配線板用の接着剤
EP0459614A2 (en) * 1990-05-30 1991-12-04 Somar Corporation Epoxy resin composition
JPH04314391A (ja) * 1991-04-12 1992-11-05 Hitachi Chem Co Ltd アディティブ法プリント配線板用接着剤
JPH05156229A (ja) * 1991-08-31 1993-06-22 Nippon Carbide Ind Co Inc 耐熱性樹脂ライニング用接着剤組成物
JPH05156226A (ja) * 1991-12-03 1993-06-22 Ube Ind Ltd 構造用接着剤組成物
JPH06256746A (ja) * 1993-03-09 1994-09-13 Hitachi Chem Co Ltd 接着剤組成物および接着フィルム
JPH0776679A (ja) * 1993-09-08 1995-03-20 Hitachi Chem Co Ltd 抵抗回路付シートヒーター用接着剤組成物
JPH07173449A (ja) * 1993-12-17 1995-07-11 Hitachi Chem Co Ltd アクリル系接着剤組成物及びこれを用いた接着フィルム
JPH07292339A (ja) * 1994-04-21 1995-11-07 Nippon Carbide Ind Co Inc 金属箔張積層板用接着剤組成物及び金属箔張積層板用接着シート
EP0914027A1 (en) * 1996-07-15 1999-05-06 Hitachi Chemical Company, Ltd. Film-like adhesive for connecting circuit and circuit board
JPH10163391A (ja) * 1996-11-28 1998-06-19 Hitachi Chem Co Ltd 半導体装置
JPH10287848A (ja) * 1997-02-14 1998-10-27 Hitachi Chem Co Ltd 回路部材接続用接着剤
JPH10226769A (ja) * 1997-02-17 1998-08-25 Hitachi Chem Co Ltd フィルム状接着剤及び接続方法
JPH10226770A (ja) * 1997-02-17 1998-08-25 Hitachi Chem Co Ltd 回路部材接続用接着剤
JPH10245533A (ja) * 1997-03-06 1998-09-14 Sekisui Chem Co Ltd 硬化型粘接着シート
JPH10273629A (ja) * 1997-03-31 1998-10-13 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続用接着剤及び回路板の製造法
JPH10341083A (ja) * 1997-06-10 1998-12-22 Hitachi Chem Co Ltd 多層配線板
JPH10338839A (ja) * 1997-06-10 1998-12-22 Hitachi Chem Co Ltd 絶縁層用接着フィルム
JPH1117346A (ja) * 1997-06-20 1999-01-22 Hitachi Chem Co Ltd 多層配線板
JPH1112545A (ja) * 1997-06-25 1999-01-19 Hitachi Chem Co Ltd 絶縁層用接着フィルム
JPH11106714A (ja) * 1997-10-08 1999-04-20 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続用フィルム状接着剤
JPH11166019A (ja) * 1997-12-03 1999-06-22 Hitachi Chem Co Ltd アクリル樹脂とこれを用いた接着剤及び接着フィルム並びにアクリル樹脂の製造法
JPH11209724A (ja) * 1998-01-30 1999-08-03 Hitachi Chem Co Ltd 難燃化接着剤、難燃化接着部材、難燃化接着部材を備えた半導体搭載用配線基板及びこれを用いた半導体装置
JPH11209723A (ja) * 1998-01-30 1999-08-03 Hitachi Chem Co Ltd 難燃化接着剤、難燃化接着部材、難燃化接着部材を備えた半導体搭載用配線基板及びこれを用いた半導体装置
JPH11246829A (ja) * 1998-02-27 1999-09-14 Hitachi Chem Co Ltd 両面接着フィルム及び半導体装置
JPH11265960A (ja) * 1998-03-18 1999-09-28 Hitachi Chem Co Ltd 金属製補強材付き半導体装置
JPH11284114A (ja) * 1998-03-27 1999-10-15 Hitachi Chem Co Ltd 半導体装置
JP2000144077A (ja) * 1998-11-17 2000-05-26 Hitachi Chem Co Ltd 両面接着フィルム及びこれを用いた半導体装置
JP2000159860A (ja) * 1998-11-27 2000-06-13 Hitachi Chem Co Ltd 耐熱性樹脂組成物

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140332984A1 (en) * 2000-02-15 2014-11-13 Hitachi Chemical Co., Ltd. Adhesive composition, process for producing the same, adhesive film using the same, substrate for mounting semiconductor and semiconductor device
US7947779B2 (en) 2000-02-15 2011-05-24 Hitachi Chemical Company, Ltd. Semiconductor device by adhering circuit substrate with adhesive film of epoxy resin, phenolic resin and incompatible polymer
US8119737B2 (en) 2000-02-15 2012-02-21 Hitachi Chemical Company, Ltd. Adhesive composition, process for producing the same, adhesive film using the same, substrate for mounting semiconductor and semiconductor device
US20120080808A1 (en) * 2000-02-15 2012-04-05 Teiichi Inada Adhesive composition, process for producing the same, adhesive film using the same, substrate for mounting semiconductor and semiconductor device
JP2009041028A (ja) * 2001-09-14 2009-02-26 Sumitomo Chemical Co Ltd 光半導体封止用樹脂組成物
US6873059B2 (en) 2001-11-13 2005-03-29 Texas Instruments Incorporated Semiconductor package with metal foil attachment film
EP1310991A3 (en) * 2001-11-13 2004-04-21 Texas Instruments Incorporated Composite die mounting foil for chip-scale semiconductor packages
US7645514B2 (en) * 2003-01-07 2010-01-12 Sekisui Chemical Co., Ltd. Curing resin composition, adhesive epoxy resin paste, adhesive epoxy resin sheet, conductive connection paste, conductive connection sheet, and electronic component joined body
JP5287725B2 (ja) * 2007-11-08 2013-09-11 日立化成株式会社 半導体用接着シート及びダイシングテープ一体型半導体用接着シート
US9969909B2 (en) 2007-11-08 2018-05-15 Hitachi Chemical Company, Ltd. Adhesive sheet for semiconductor, and dicing tape integrated adhesive sheet for semiconductor
TWI553795B (zh) * 2011-06-15 2016-10-11 芯光飛股份有限公司 系統級封裝結構及其製造方法
CN103030931A (zh) * 2011-09-30 2013-04-10 太阳油墨制造株式会社 热固性树脂填充材料以及印刷电路板
JP2013018983A (ja) * 2012-08-15 2013-01-31 Hitachi Chemical Co Ltd 半導体装置の製造方法および半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP1209211A1 (en) 2002-05-29
US6673441B1 (en) 2004-01-06
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