JP2003045902A - 半導体装置、半導体チップ搭載用基板、それらの製造法、接着剤、および、両面接着フィルム - Google Patents
半導体装置、半導体チップ搭載用基板、それらの製造法、接着剤、および、両面接着フィルムInfo
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- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、半導体装置における実装後の耐温度
サイクル性を向上するとともに、耐吸湿リフロー性を向
上する。 【解決手段】有機系支持基板に半導体チップを搭載する
際に用いられる接着材であって、動的粘弾性測定装置で
測定される２５℃の貯蔵弾性率が１０〜２０００ＭＰａ
かつ２６０℃での貯蔵弾性率が３〜５０ＭＰａである接
着剤と、それを用いた両面接着フィルム、半導体装置、
半導体チップ搭載基板、およびそれらの製造方法とを提
供する。
サイクル性を向上するとともに、耐吸湿リフロー性を向
上する。 【解決手段】有機系支持基板に半導体チップを搭載する
際に用いられる接着材であって、動的粘弾性測定装置で
測定される２５℃の貯蔵弾性率が１０〜２０００ＭＰａ
かつ２６０℃での貯蔵弾性率が３〜５０ＭＰａである接
着剤と、それを用いた両面接着フィルム、半導体装置、
半導体チップ搭載基板、およびそれらの製造方法とを提
供する。
Description
【０００１】（技術分野）本発明は、半導体装置、その
製造法並びに前記半導体装置の製造に好適に使用される
半導体チップ搭載用基板、その製造法、接着剤および両
面接着フィルムに関する。
製造法並びに前記半導体装置の製造に好適に使用される
半導体チップ搭載用基板、その製造法、接着剤および両
面接着フィルムに関する。
【０００２】（背景技術）近年、電子機器の小型化、高
周波数動作化の動向にともない、これに搭載する半導体
パッケージは基板に高密度で実装することが要求され、
小型・軽量化が進むとともに、外部端子がパッケージ下
部にエリアアレイ状配置されたマイクロＢＧＡ（ボール
グリッドアレイ）やＣＳＰ（チップサイズパッケージ）
と呼ばれる小型のパッケージの開発が進められている。
周波数動作化の動向にともない、これに搭載する半導体
パッケージは基板に高密度で実装することが要求され、
小型・軽量化が進むとともに、外部端子がパッケージ下
部にエリアアレイ状配置されたマイクロＢＧＡ（ボール
グリッドアレイ）やＣＳＰ（チップサイズパッケージ）
と呼ばれる小型のパッケージの開発が進められている。
【０００３】これらのパッケージは、２層配線構造を有
するガラスエポキシ基板や１層配線構造のポリイミド基
板などの有機基板の上に絶縁性接着剤を介してチップを
搭載し、チップ側の端子と配線板側端子とがワイヤボン
ドないしはＴＡＢ（テープオートメーテッドボンディン
グ）のインナーボンディング方式で接続され、接続部と
チップ上面部ないしは端面部とがエポキシ系封止材ない
しはエポキシ系液状封止材で封止し、配線基板裏面には
んだボールなど金属端子がエリアアレイ状に配置されて
いる構造が採用されている。そして、これらのパッケー
ジの複数個が電子機器の基板にはんだリフロー方式で高
密度で面付け一括実装する方式が採用されつつある。
するガラスエポキシ基板や１層配線構造のポリイミド基
板などの有機基板の上に絶縁性接着剤を介してチップを
搭載し、チップ側の端子と配線板側端子とがワイヤボン
ドないしはＴＡＢ（テープオートメーテッドボンディン
グ）のインナーボンディング方式で接続され、接続部と
チップ上面部ないしは端面部とがエポキシ系封止材ない
しはエポキシ系液状封止材で封止し、配線基板裏面には
んだボールなど金属端子がエリアアレイ状に配置されて
いる構造が採用されている。そして、これらのパッケー
ジの複数個が電子機器の基板にはんだリフロー方式で高
密度で面付け一括実装する方式が採用されつつある。
【０００４】しかし、これらのパッケージに用いられる
絶縁性の接着剤の一例としては、動的粘弾性装置で測定
される２５℃での貯蔵弾性率が３０００ＭＰａ以上の液
状のエポキシダイボンド材が用いられていて、パッケー
ジを基板に実装した後のはんだボール接続部（２次側）
の接続信頼性が悪く、耐温度サイクル信頼性に劣ってい
た。
絶縁性の接着剤の一例としては、動的粘弾性装置で測定
される２５℃での貯蔵弾性率が３０００ＭＰａ以上の液
状のエポキシダイボンド材が用いられていて、パッケー
ジを基板に実装した後のはんだボール接続部（２次側）
の接続信頼性が悪く、耐温度サイクル信頼性に劣ってい
た。
【０００５】さらに、他の事例では、絶縁性の接着剤と
して２５℃での貯蔵弾性率が１０ＭＰａ以下の液状シリ
コン系エラストマが提案されており、上記した耐温度サ
イクル性には優れるもものの配線基板表面に対する高温
時の接着性に劣り耐吸湿リフロー性に劣るという問題が
あった。
して２５℃での貯蔵弾性率が１０ＭＰａ以下の液状シリ
コン系エラストマが提案されており、上記した耐温度サ
イクル性には優れるもものの配線基板表面に対する高温
時の接着性に劣り耐吸湿リフロー性に劣るという問題が
あった。
【０００６】特に、耐リフロー性については両者の事例
においても、液状の絶縁性接着剤を有機基板に塗布する
過程でボイドを巻き込み易く、ボイドが起点となって、
吸湿リフロー時にクラックが進展したり、有機基板が膨
れたりする不良モードが観察された。
においても、液状の絶縁性接着剤を有機基板に塗布する
過程でボイドを巻き込み易く、ボイドが起点となって、
吸湿リフロー時にクラックが進展したり、有機基板が膨
れたりする不良モードが観察された。
【０００７】また、電子機器の発達に伴い電子部品の搭
載密度が高くなり、低コストが期待できるプリント配線
板への半導体のベアチップ実装が進められてきている。
載密度が高くなり、低コストが期待できるプリント配線
板への半導体のベアチップ実装が進められてきている。
【０００８】半導体チップの実装用基板としてはアルミ
ナ等のセラミック基板が多く用いられてきた。これは、
半導体チップの熱膨張係数が約４ｐｐｍ／℃と小さいの
で、接続信頼性を確保するために熱膨張係数の比較的小
さい実装用基板の使用が求められていたことと、半導体
チップが発生する熱を外部へ放熱させやすくするために
熱伝導率の比較的高い実装用基板の使用が求められてい
たことが主な理由であった。このようなセラミック基板
への半導体チップ実装には銀ペーストに代表される液状
の接着剤が使われている。
ナ等のセラミック基板が多く用いられてきた。これは、
半導体チップの熱膨張係数が約４ｐｐｍ／℃と小さいの
で、接続信頼性を確保するために熱膨張係数の比較的小
さい実装用基板の使用が求められていたことと、半導体
チップが発生する熱を外部へ放熱させやすくするために
熱伝導率の比較的高い実装用基板の使用が求められてい
たことが主な理由であった。このようなセラミック基板
への半導体チップ実装には銀ペーストに代表される液状
の接着剤が使われている。
【０００９】また、フィルム状接着剤は、フレキシブル
プリント配線板等で用いられており、アクリロニトリル
ブタジエンゴムを主成分とする系が多く用いられてい
る。
プリント配線板等で用いられており、アクリロニトリル
ブタジエンゴムを主成分とする系が多く用いられてい
る。
【００１０】プリント配線板関連材料としての検討で
は、吸湿後のはんだ耐熱性を向上させたものとしては、
特開昭６０−２４３１８０号公報に示されるアクリル系
樹脂、エポキシ樹脂、ポリイソシアネートおよび無機フ
ィラーを含む接着剤があり、また特開昭６１−１３８６
８０号公報に示されるアクリル系樹脂、エポキシ樹脂、
分子中にウレタン結合を有する両末端が第１級アミン化
合物および無機フィラーを含む接着剤があるが、ＰＣＴ
（プレッシャークッカーテスト）処理等の厳しい条件下
での耐湿性試験を行った場合には、劣化が大きく不十分
であった。
は、吸湿後のはんだ耐熱性を向上させたものとしては、
特開昭６０−２４３１８０号公報に示されるアクリル系
樹脂、エポキシ樹脂、ポリイソシアネートおよび無機フ
ィラーを含む接着剤があり、また特開昭６１−１３８６
８０号公報に示されるアクリル系樹脂、エポキシ樹脂、
分子中にウレタン結合を有する両末端が第１級アミン化
合物および無機フィラーを含む接着剤があるが、ＰＣＴ
（プレッシャークッカーテスト）処理等の厳しい条件下
での耐湿性試験を行った場合には、劣化が大きく不十分
であった。
【００１１】セラミック基板への半導体チップ実装に銀
ペースト接着剤を使用すると、銀フィラーの沈降がある
ため分散が均一ではないこと、ペーストの保存安定性に
留意しなければならないこと、半導体チップ実装の作業
性がＬＯＣ（リードオンチップ）等に比較して劣ること
などの問題があった。
ペースト接着剤を使用すると、銀フィラーの沈降がある
ため分散が均一ではないこと、ペーストの保存安定性に
留意しなければならないこと、半導体チップ実装の作業
性がＬＯＣ（リードオンチップ）等に比較して劣ること
などの問題があった。
【００１２】また、フィルム状接着剤は、アクリロニト
リルブタジエンゴムを主成分とする系が多く用いられて
いるものの、高温で長時間処理した後の接着力の低下が
大きいことや、耐電食性に劣ることなどの欠点があっ
た。特に、半導体関連部品の信頼性評価で用いられるＰ
ＣＴ処理等の厳しい条件下で耐湿性試験を行った場合の
劣化が大きかった。
リルブタジエンゴムを主成分とする系が多く用いられて
いるものの、高温で長時間処理した後の接着力の低下が
大きいことや、耐電食性に劣ることなどの欠点があっ
た。特に、半導体関連部品の信頼性評価で用いられるＰ
ＣＴ処理等の厳しい条件下で耐湿性試験を行った場合の
劣化が大きかった。
【００１３】特開昭６０−２４３１８０号公報、特開昭
６１−１３８６８０号公報に示されるものでは、ＰＣＴ
処理等の厳しい条件下での耐湿性試験を行った場合に
は、劣化が大きく不十分であった。
６１−１３８６８０号公報に示されるものでは、ＰＣＴ
処理等の厳しい条件下での耐湿性試験を行った場合に
は、劣化が大きく不十分であった。
【００１４】これらプリント配線板関連材料としての接
着剤を用いて半導体チップをプリント配線板に実装する
場合には、半導体チップとプリント配線板の熱膨張係数
の差が大きくリフロー時にクラックが発生するために使
用できなかった。また、温度サイクルテストやＰＣＴ処
理等の厳しい条件下での耐湿性試験を行った場合の劣化
が大きく、使用できなかった。（発明の開示）本発明
は、ガラスエポキシ基板やフレキシブル基板等のプリン
ト配線板に熱膨張係数の差が大きい半導体チップを実装
する場合に必要な耐熱性、耐電食性、耐湿性を有し、特
に、ＰＣＴ処理等、厳しい条件下での耐湿性試験を行っ
た場合の劣化が小さくなる接着剤、接着フィルムおよび
この接着フィルムを用いて半導体チップと配線板を接着
させた半導体装置を提供するものである。
着剤を用いて半導体チップをプリント配線板に実装する
場合には、半導体チップとプリント配線板の熱膨張係数
の差が大きくリフロー時にクラックが発生するために使
用できなかった。また、温度サイクルテストやＰＣＴ処
理等の厳しい条件下での耐湿性試験を行った場合の劣化
が大きく、使用できなかった。（発明の開示）本発明
は、ガラスエポキシ基板やフレキシブル基板等のプリン
ト配線板に熱膨張係数の差が大きい半導体チップを実装
する場合に必要な耐熱性、耐電食性、耐湿性を有し、特
に、ＰＣＴ処理等、厳しい条件下での耐湿性試験を行っ
た場合の劣化が小さくなる接着剤、接着フィルムおよび
この接着フィルムを用いて半導体チップと配線板を接着
させた半導体装置を提供するものである。
【００１５】また本発明は、有機系支持基板に接着材を
介して半導体チップを搭載し、外部端子が基板裏面にエ
リアアレイ状に配列された半導体装置において、実装後
の耐温度サイクル性を向上するとともに、耐吸湿リフロ
ー性を向上する半導体装置、その製造法並びに前記半導
体装置の製造に好適に使用される半導体チップ搭載用基
板、その製造法、接着剤および両面接着フィルムを提供
するものである。
介して半導体チップを搭載し、外部端子が基板裏面にエ
リアアレイ状に配列された半導体装置において、実装後
の耐温度サイクル性を向上するとともに、耐吸湿リフロ
ー性を向上する半導体装置、その製造法並びに前記半導
体装置の製造に好適に使用される半導体チップ搭載用基
板、その製造法、接着剤および両面接着フィルムを提供
するものである。
【００１６】本発明の半導体装置は、有機系支持基板に
接着部材を介して半導体チップが搭載された半導体装置
であって、前記有機系支持基板の半導体チップが搭載さ
れる側には所定の配線が形成されており、前記有機系支
持基板の半導体チップが搭載される側の反対側には外部
接続用端子がエリアアレイ状に形成されており、前記所
定の配線は半導体チップ端子及び前記外部接続用端子と
接続されており、少なくとも前記半導体チップ端子と所
定の配線との接続部が樹脂封止されており、前記接着部
材は接着剤層を備えるもので、前記接着剤の動的粘弾性
測定装置で測定される２５℃の貯蔵弾性率が１０〜２０
００ＭＰａかつ２６０℃での貯蔵弾性率が３〜５０ＭＰ
ａであることを特徴とする。
接着部材を介して半導体チップが搭載された半導体装置
であって、前記有機系支持基板の半導体チップが搭載さ
れる側には所定の配線が形成されており、前記有機系支
持基板の半導体チップが搭載される側の反対側には外部
接続用端子がエリアアレイ状に形成されており、前記所
定の配線は半導体チップ端子及び前記外部接続用端子と
接続されており、少なくとも前記半導体チップ端子と所
定の配線との接続部が樹脂封止されており、前記接着部
材は接着剤層を備えるもので、前記接着剤の動的粘弾性
測定装置で測定される２５℃の貯蔵弾性率が１０〜２０
００ＭＰａかつ２６０℃での貯蔵弾性率が３〜５０ＭＰ
ａであることを特徴とする。
【００１７】本発明の半導体チップ搭載用基板は、接着
部材を介して半導体チップが搭載される有機系基板の半
導体チップ搭載用基板であって、前記有機系基板の、半
導体チップが搭載される側および半導体チップが搭載さ
れる側の反対側の少なくともいずれかの側には所定の配
線が形成されており、前記有機系基板の半導体チップが
搭載される側の反対側には外部接続用端子がエリアアレ
イ状に形成されており、前記接着部材は接着剤層を備え
るもので、前記接着剤硬化物の動的粘弾性測定装置で測
定される２５℃の貯蔵弾性率が１０〜２０００ＭＰａか
つ２６０℃での貯蔵弾性率が３〜５０ＭＰａであり、前
記接着部材は所定の大きさで前記有機系基板上の所定の
箇所に形成されていることを特徴とする。
部材を介して半導体チップが搭載される有機系基板の半
導体チップ搭載用基板であって、前記有機系基板の、半
導体チップが搭載される側および半導体チップが搭載さ
れる側の反対側の少なくともいずれかの側には所定の配
線が形成されており、前記有機系基板の半導体チップが
搭載される側の反対側には外部接続用端子がエリアアレ
イ状に形成されており、前記接着部材は接着剤層を備え
るもので、前記接着剤硬化物の動的粘弾性測定装置で測
定される２５℃の貯蔵弾性率が１０〜２０００ＭＰａか
つ２６０℃での貯蔵弾性率が３〜５０ＭＰａであり、前
記接着部材は所定の大きさで前記有機系基板上の所定の
箇所に形成されていることを特徴とする。
【００１８】本発明の半導体チップ搭載用基板の製造法
は、半導体チップが搭載される側および半導体チップが
搭載される側の反対側の少なくともいずれかの側には所
定の配線が形成され、半導体チップが搭載される側の反
対側には外部接続用端子がエリアアレイ状に形成された
有機系基板に、動的粘弾性測定装置で測定される硬化物
の２５℃の貯蔵弾性率が１０〜２０００ＭＰａかつ２６
０℃での貯蔵弾性率が３〜５０ＭＰａである接着剤層を
備える接着部材であり前記接着剤がＤＳＣ（示差熱量
計）を用いて測定した場合の全硬化発熱量の１０〜４０
％の発熱を終えた半硬化状態のものである接着部材フィ
ルムを、所定の大きさに切断し前記有機系基板上に熱圧
着することを含むことを特徴とする。
は、半導体チップが搭載される側および半導体チップが
搭載される側の反対側の少なくともいずれかの側には所
定の配線が形成され、半導体チップが搭載される側の反
対側には外部接続用端子がエリアアレイ状に形成された
有機系基板に、動的粘弾性測定装置で測定される硬化物
の２５℃の貯蔵弾性率が１０〜２０００ＭＰａかつ２６
０℃での貯蔵弾性率が３〜５０ＭＰａである接着剤層を
備える接着部材であり前記接着剤がＤＳＣ（示差熱量
計）を用いて測定した場合の全硬化発熱量の１０〜４０
％の発熱を終えた半硬化状態のものである接着部材フィ
ルムを、所定の大きさに切断し前記有機系基板上に熱圧
着することを含むことを特徴とする。
【００１９】本発明の半導体装置の製造法は、半導体チ
ップが搭載される側および半導体チップが搭載される側
の反対側の少なくともいずれかの側には所定の配線が形
成され半導体チップが搭載される側の反対側には外部接
続用端子がエリアアレイ状に形成された有機系基板の半
導体搭載用基板に、動的粘弾性測定装置で測定される硬
化物の２５℃の貯蔵弾性率が１０〜２０００ＭＰａかつ
２６０℃での貯蔵弾性率が３〜５０ＭＰａである接着剤
層を備える接着部材を接着する工程、接着部材を介して
半導体チップを搭載する工程、前記所定の配線を半導体
チップ端子及び前記外部接続用端子と接続する工程、少
なくとも前記半導体チップ端子と所定の配線との接続部
を樹脂封止する工程を備えることを特徴とする。
ップが搭載される側および半導体チップが搭載される側
の反対側の少なくともいずれかの側には所定の配線が形
成され半導体チップが搭載される側の反対側には外部接
続用端子がエリアアレイ状に形成された有機系基板の半
導体搭載用基板に、動的粘弾性測定装置で測定される硬
化物の２５℃の貯蔵弾性率が１０〜２０００ＭＰａかつ
２６０℃での貯蔵弾性率が３〜５０ＭＰａである接着剤
層を備える接着部材を接着する工程、接着部材を介して
半導体チップを搭載する工程、前記所定の配線を半導体
チップ端子及び前記外部接続用端子と接続する工程、少
なくとも前記半導体チップ端子と所定の配線との接続部
を樹脂封止する工程を備えることを特徴とする。
【００２０】本発明の接着剤は下記のＡ〜Ｄの組成より
なる。 Ａ．（１）エポキシ樹脂及びその硬化剤１００重量部に
対し、（２）グリシジル（メタ）アクリレート２〜６重
量％を含むＴｇ（ガラス転移温度）が−１０℃以上でか
つ重量平均分子量が８０万以上であるエポキシ基含有ア
クリル系共重合体１００〜３００重量部ならびに（３）
硬化促進剤０．１〜５重量部を含む接着剤。 Ｂ．（１）エポキシ樹脂及びその硬化剤１００重量部に
対し、（２）エポキシ樹脂と相溶性がありかつ重量平均
分子量が３万以上の高分子量樹脂１０〜４０重量部、
（３）グリシジル（メタ）アクリレート２〜６重量％を
含むＴｇ（ガラス転移温度）が−１０℃以上でかつ重量
平均分子量が８０万以上であるエポキシ基含有アクリル
系共重合体１００〜３００重量部ならびに（４）硬化促
進剤０．１〜５重量部を含む接着剤。 Ｃ．（１）エポキシ樹脂及びフェノール樹脂１００重量
部に対し、（２）グリシジル（メタ）アクリレート２〜
６重量％を含むＴｇが−１０℃以上でかつ重量平均分子
量が８０万以上であるエポキシ基含有アクリル系共重合
体１００〜３００重量部ならびに（３）硬化促進剤０．
１〜５重量部を含む接着剤。 Ｄ．（１）エポキシ樹脂及びフェノール樹脂１００重量
部に対し、（２）フェノキシ樹脂１０〜４０重量部、
（３）グリシジル（メタ）アクリレート２〜６重量％を
含むＴｇが−１０℃以上でかつ重量平均分子量が８０万
以上であるエポキシ基含有アクリル系共重合体１００〜
３００重量部ならびに（４）硬化促進剤０．１〜５重量
部を含む接着剤。
なる。 Ａ．（１）エポキシ樹脂及びその硬化剤１００重量部に
対し、（２）グリシジル（メタ）アクリレート２〜６重
量％を含むＴｇ（ガラス転移温度）が−１０℃以上でか
つ重量平均分子量が８０万以上であるエポキシ基含有ア
クリル系共重合体１００〜３００重量部ならびに（３）
硬化促進剤０．１〜５重量部を含む接着剤。 Ｂ．（１）エポキシ樹脂及びその硬化剤１００重量部に
対し、（２）エポキシ樹脂と相溶性がありかつ重量平均
分子量が３万以上の高分子量樹脂１０〜４０重量部、
（３）グリシジル（メタ）アクリレート２〜６重量％を
含むＴｇ（ガラス転移温度）が−１０℃以上でかつ重量
平均分子量が８０万以上であるエポキシ基含有アクリル
系共重合体１００〜３００重量部ならびに（４）硬化促
進剤０．１〜５重量部を含む接着剤。 Ｃ．（１）エポキシ樹脂及びフェノール樹脂１００重量
部に対し、（２）グリシジル（メタ）アクリレート２〜
６重量％を含むＴｇが−１０℃以上でかつ重量平均分子
量が８０万以上であるエポキシ基含有アクリル系共重合
体１００〜３００重量部ならびに（３）硬化促進剤０．
１〜５重量部を含む接着剤。 Ｄ．（１）エポキシ樹脂及びフェノール樹脂１００重量
部に対し、（２）フェノキシ樹脂１０〜４０重量部、
（３）グリシジル（メタ）アクリレート２〜６重量％を
含むＴｇが−１０℃以上でかつ重量平均分子量が８０万
以上であるエポキシ基含有アクリル系共重合体１００〜
３００重量部ならびに（４）硬化促進剤０．１〜５重量
部を含む接着剤。
【００２１】本発明の両面接着フィルムは、下記Ｅ〜Ｈ
の三層構造のものである。 Ｅ．耐熱性熱可塑性フィルムをコア材に用い、コア材の
両面に、（１）エポキシ樹脂及びその硬化剤１００重量
部に対し、（２）グリシジル（メタ）アクリレート２〜
６重量％を含むＴｇ（ガラス転移温度）が−１０℃以上
でかつ重量平均分子量が８０万以上であるエポキシ基含
有アクリル系共重合体１００〜３００重量部ならびに
（３）硬化促進剤０．１〜５重量部を含む接着剤を有す
る三層構造の両面接着フィルム。 Ｆ．耐熱性熱可塑性フィルムをコア材に用い、コア材の
両面に、（１）エポキシ樹脂及びその硬化剤１００重量
部に対し、（２）エポキシ樹脂と相溶性がありかつ重量
平均分子量が３万以上の高分子量樹脂１０〜４０重量
部、（３）グリシジル（メタ）アクリレート２〜６重量
％を含むＴｇ（ガラス転移温度）が−１０℃以上でかつ
重量平均分子量が８０万以上であるエポキシ基含有アク
リル系共重合体１００〜３００重量部ならびに（４）硬
化促進剤０．１〜５重量部を含む接着剤を有する三層構
造の両面接着フィルム。 Ｇ．耐熱性熱可塑性フィルムをコア材に用い、コア材の
両面に、（１）エポキシ樹脂及びフェノール樹脂１００
重量部に対し、（２）グリシジル（メタ）アクリレート
２〜６重量％を含むＴｇが−１０℃以上でかつ重量平均
分子量が８０万以上であるエポキシ基含有アクリル系共
重合体１００〜３００重量部ならびに（３）硬化促進剤
０．１〜５重量部を含む接着剤を有する三層構造の両面
接着フィルム。 Ｈ．耐熱性熱可塑性フィルムをコア材に用い、コア材の
両面に、（１）エポキシ樹脂及びフェノール樹脂１００
重量部に対し、（２）フェノキシ樹脂１０〜４０重量
部、（３）グリシジル（メタ）アクリレート２〜６重量
％を含むＴｇが−１０℃以上でかつ重量平均分子量が８
０万以上であるエポキシ基含有アクリル系共重合体１０
０〜３００重量部ならびに（４）硬化促進剤０．１〜５
重量部を含む接着剤を有する三層構造の両面接着フィル
ム。
の三層構造のものである。 Ｅ．耐熱性熱可塑性フィルムをコア材に用い、コア材の
両面に、（１）エポキシ樹脂及びその硬化剤１００重量
部に対し、（２）グリシジル（メタ）アクリレート２〜
６重量％を含むＴｇ（ガラス転移温度）が−１０℃以上
でかつ重量平均分子量が８０万以上であるエポキシ基含
有アクリル系共重合体１００〜３００重量部ならびに
（３）硬化促進剤０．１〜５重量部を含む接着剤を有す
る三層構造の両面接着フィルム。 Ｆ．耐熱性熱可塑性フィルムをコア材に用い、コア材の
両面に、（１）エポキシ樹脂及びその硬化剤１００重量
部に対し、（２）エポキシ樹脂と相溶性がありかつ重量
平均分子量が３万以上の高分子量樹脂１０〜４０重量
部、（３）グリシジル（メタ）アクリレート２〜６重量
％を含むＴｇ（ガラス転移温度）が−１０℃以上でかつ
重量平均分子量が８０万以上であるエポキシ基含有アク
リル系共重合体１００〜３００重量部ならびに（４）硬
化促進剤０．１〜５重量部を含む接着剤を有する三層構
造の両面接着フィルム。 Ｇ．耐熱性熱可塑性フィルムをコア材に用い、コア材の
両面に、（１）エポキシ樹脂及びフェノール樹脂１００
重量部に対し、（２）グリシジル（メタ）アクリレート
２〜６重量％を含むＴｇが−１０℃以上でかつ重量平均
分子量が８０万以上であるエポキシ基含有アクリル系共
重合体１００〜３００重量部ならびに（３）硬化促進剤
０．１〜５重量部を含む接着剤を有する三層構造の両面
接着フィルム。 Ｈ．耐熱性熱可塑性フィルムをコア材に用い、コア材の
両面に、（１）エポキシ樹脂及びフェノール樹脂１００
重量部に対し、（２）フェノキシ樹脂１０〜４０重量
部、（３）グリシジル（メタ）アクリレート２〜６重量
％を含むＴｇが−１０℃以上でかつ重量平均分子量が８
０万以上であるエポキシ基含有アクリル系共重合体１０
０〜３００重量部ならびに（４）硬化促進剤０．１〜５
重量部を含む接着剤を有する三層構造の両面接着フィル
ム。
【００２２】本発明の半導体装置に於いて、所定の配線
は半導体チップ端子と、ワイヤボンド又はＴＡＢ（テー
プオートメーテッドボンディング）のインナーボンディ
ング方式等により直接に接続することができる。
は半導体チップ端子と、ワイヤボンド又はＴＡＢ（テー
プオートメーテッドボンディング）のインナーボンディ
ング方式等により直接に接続することができる。
【００２３】本発明の半導体装置で接着部材はフィルム
状であることが好ましく、接着部材は接着剤層を備える
もので、接着剤の樹脂成分としては、エポキシ樹脂、エ
ポキシ基含有アクリル共重合体、エポキシ樹脂硬化剤及
びエポキシ樹脂硬化促進剤を含むものが使用される。
状であることが好ましく、接着部材は接着剤層を備える
もので、接着剤の樹脂成分としては、エポキシ樹脂、エ
ポキシ基含有アクリル共重合体、エポキシ樹脂硬化剤及
びエポキシ樹脂硬化促進剤を含むものが使用される。
【００２４】接着部材は、コア材としてポリイミド、ポ
リエーテルスルホン、ポリアミドイミドまたはポリエー
テルイミドフィルム等のガラス転移温度が２００℃以上
の耐熱性熱可塑性フィルムを使用し、そのコア材の両面
に接着剤層が形成された構造のものが好ましい。耐熱性
熱可塑性フィルムとして液晶ポリマフィルムも使用され
る。接着剤層の中の残存溶媒量は５重量％以下が好まし
い。
リエーテルスルホン、ポリアミドイミドまたはポリエー
テルイミドフィルム等のガラス転移温度が２００℃以上
の耐熱性熱可塑性フィルムを使用し、そのコア材の両面
に接着剤層が形成された構造のものが好ましい。耐熱性
熱可塑性フィルムとして液晶ポリマフィルムも使用され
る。接着剤層の中の残存溶媒量は５重量％以下が好まし
い。
【００２５】本発明の半導体チップ搭載用基板に於い
て、接着部材はフィルム状であることが好ましく、接着
部材は接着剤層を備えるもので、接着剤の樹脂成分とし
ては、エポキシ樹脂、エポキシ基含有アクリル共重合
体、エポキシ樹脂硬化剤及びエポキシ樹脂硬化促進剤を
含むものが使用される。
て、接着部材はフィルム状であることが好ましく、接着
部材は接着剤層を備えるもので、接着剤の樹脂成分とし
ては、エポキシ樹脂、エポキシ基含有アクリル共重合
体、エポキシ樹脂硬化剤及びエポキシ樹脂硬化促進剤を
含むものが使用される。
【００２６】接着部材は、コア材としてポリイミド、ポ
リエーテルスルホン、ポリアミドイミドまたはポリエー
テルイミドフィルム等のガラス転移温度が２００℃以上
の耐熱性熱可塑性フィルムを使用し、そのコア材の両面
に接着剤層が形成された構造のものが好ましい。耐熱性
熱可塑性フィルムとして液晶ポリマフィルムも使用され
る。接着剤層の中の残存溶媒量は５重量％以下が好まし
い。
リエーテルスルホン、ポリアミドイミドまたはポリエー
テルイミドフィルム等のガラス転移温度が２００℃以上
の耐熱性熱可塑性フィルムを使用し、そのコア材の両面
に接着剤層が形成された構造のものが好ましい。耐熱性
熱可塑性フィルムとして液晶ポリマフィルムも使用され
る。接着剤層の中の残存溶媒量は５重量％以下が好まし
い。
【００２７】有機系基板上の所定の箇所に形成された接
着部材は所定の大きさに打ち抜き用金型で打ち抜かれた
フィルムが使用され、有機系基板上の所定の箇所に形成
された接着部材は、その接着部材の接着剤がＤＳＣを用
いて測定した場合の全硬化発熱量の１０〜４０％の発熱
を終えた半硬化状態のフィルムであり、所定の大きさに
切断された後前記有機系基板上に熱圧着される。
着部材は所定の大きさに打ち抜き用金型で打ち抜かれた
フィルムが使用され、有機系基板上の所定の箇所に形成
された接着部材は、その接着部材の接着剤がＤＳＣを用
いて測定した場合の全硬化発熱量の１０〜４０％の発熱
を終えた半硬化状態のフィルムであり、所定の大きさに
切断された後前記有機系基板上に熱圧着される。
【００２８】本発明の半導体チップ搭載用基板の製造法
に於いて、切断した接着部材フィルムは、個々に精密位
置決め後、熱プレスで仮接着し、複数の接着部材フィル
ムを多連の有機系基板に載置した後、加熱した離型表面
処理金型で押圧し一括して接着することができる。離型
表面処理金型の表面離型材はテフロン及びシリコーンの
少なくとも一種が好ましい。接着部材フィルムの搬送時
に発生する静電気を除くエリミノスタット工程を接着部
材フィルム切断工程前に少なくとも１工程加えることが
できる。
に於いて、切断した接着部材フィルムは、個々に精密位
置決め後、熱プレスで仮接着し、複数の接着部材フィル
ムを多連の有機系基板に載置した後、加熱した離型表面
処理金型で押圧し一括して接着することができる。離型
表面処理金型の表面離型材はテフロン及びシリコーンの
少なくとも一種が好ましい。接着部材フィルムの搬送時
に発生する静電気を除くエリミノスタット工程を接着部
材フィルム切断工程前に少なくとも１工程加えることが
できる。
【００２９】本発明の半導体装置の製造法に於いて、半
導体搭載用基板の下面側と半導体チップ側の両面から加
熱し、少なくともチップ側の温度を高くすることができ
る。
導体搭載用基板の下面側と半導体チップ側の両面から加
熱し、少なくともチップ側の温度を高くすることができ
る。
【００３０】本発明の接着剤に於いて、ＤＳＣを用いて
測定した場合の全硬化発熱量の１０〜４０％の発熱を終
えた状態にして使用するのが好ましく、動的粘弾性測定
装置を用いて測定した場合の接着剤硬化物の貯蔵弾性率
が２５℃で１０〜２０００ＭＰａであり、２６０℃で３
〜５０ＭＰａであることが好ましい。
測定した場合の全硬化発熱量の１０〜４０％の発熱を終
えた状態にして使用するのが好ましく、動的粘弾性測定
装置を用いて測定した場合の接着剤硬化物の貯蔵弾性率
が２５℃で１０〜２０００ＭＰａであり、２６０℃で３
〜５０ＭＰａであることが好ましい。
【００３１】無機フィラーが、接着剤樹脂成分１００体
積部に対して２〜２０体積部使用され、無機フィラーは
アルミナ、シリカが好ましい。
積部に対して２〜２０体積部使用され、無機フィラーは
アルミナ、シリカが好ましい。
【００３２】接着剤をベースフィルム上に形成して接着
フィルムとし、この接着フィルムを用いて半導体チップ
と配線板を接着させ半導体装置を得るこができる。
フィルムとし、この接着フィルムを用いて半導体チップ
と配線板を接着させ半導体装置を得るこができる。
【００３３】本発明の両面接着フィルムに於いて、接着
剤はＤＳＣを用いて測定した場合の全硬化発熱量の１０
〜４０％の発熱を終えた状態にして使用するのが好まし
く、動的粘弾性測定装置を用いて測定した場合の接着剤
硬化物の貯蔵弾性率が２５℃で１０〜２０００ＭＰａで
あり、２６０℃で３〜５０ＭＰａであることが好まし
い。無機フィラーが、接着剤樹脂成分１００体積部に対
して２〜２０体積部使用され、無機フィラーはアルミ
ナ、シリカが好ましい。
剤はＤＳＣを用いて測定した場合の全硬化発熱量の１０
〜４０％の発熱を終えた状態にして使用するのが好まし
く、動的粘弾性測定装置を用いて測定した場合の接着剤
硬化物の貯蔵弾性率が２５℃で１０〜２０００ＭＰａで
あり、２６０℃で３〜５０ＭＰａであることが好まし
い。無機フィラーが、接着剤樹脂成分１００体積部に対
して２〜２０体積部使用され、無機フィラーはアルミ
ナ、シリカが好ましい。
【００３４】コア材に用いる耐熱性熱可塑性フィルムは
ガラス転移温度２００℃以上であるものが好ましく、こ
のようなガラス転移温度２００℃以上の耐熱性熱可塑性
フィルムとしては、ポリイミド、ポリエーテルスルホ
ン、ポリアミドイミドまたはポリエーテルイミドフィル
ムが好ましい。コア材に用いる耐熱性熱可塑性フィルム
として液晶ポリマフィルムも使用される。
ガラス転移温度２００℃以上であるものが好ましく、こ
のようなガラス転移温度２００℃以上の耐熱性熱可塑性
フィルムとしては、ポリイミド、ポリエーテルスルホ
ン、ポリアミドイミドまたはポリエーテルイミドフィル
ムが好ましい。コア材に用いる耐熱性熱可塑性フィルム
として液晶ポリマフィルムも使用される。
【００３５】従来の技術で述べた課題を解決するため
に、まず有機配線基板上に絶縁性接着剤を介して半導体
チップを搭載し、チップ側端子と配線板側端子とが金ワ
イヤボンディングで接続され、はんだボール外部端子が
基板裏面にエリアアレイ状に配列された半導体パッケー
ジについて、これに用いる絶縁性接着剤の物性とマザー
ボード実装後の耐温度サイクル性との関係をＦＥＭ弾塑
性解析手法を用いて調べた。
に、まず有機配線基板上に絶縁性接着剤を介して半導体
チップを搭載し、チップ側端子と配線板側端子とが金ワ
イヤボンディングで接続され、はんだボール外部端子が
基板裏面にエリアアレイ状に配列された半導体パッケー
ジについて、これに用いる絶縁性接着剤の物性とマザー
ボード実装後の耐温度サイクル性との関係をＦＥＭ弾塑
性解析手法を用いて調べた。
【００３６】その結果、チップのＣＴＥ（線熱膨張係
数：３．５ｐｐｍ）とマザーボードのＣＴＥ（１４〜１
８ｐｐｍ）との差から生ずる基板はんだボール外部端子
部にかかる応力は絶縁性接着剤の弾性率Ｅを低下させる
ほど少なくなり、動的粘弾性測定装置で測定される、弾
性率Ｅが２０００ＭＰａ以下、望ましくは１０００ＭＰ
ａ以下であれば、再外周部のはんだ端子の相当歪みは十
分小さく、Ｃｏｆｆｉｎ−Ｍａｎｓｏｎ則に当てはめて
も、−５５℃〜１２５℃の温度サイクルで１０００サイ
クル以上の疲労寿命があることがわかった。
数：３．５ｐｐｍ）とマザーボードのＣＴＥ（１４〜１
８ｐｐｍ）との差から生ずる基板はんだボール外部端子
部にかかる応力は絶縁性接着剤の弾性率Ｅを低下させる
ほど少なくなり、動的粘弾性測定装置で測定される、弾
性率Ｅが２０００ＭＰａ以下、望ましくは１０００ＭＰ
ａ以下であれば、再外周部のはんだ端子の相当歪みは十
分小さく、Ｃｏｆｆｉｎ−Ｍａｎｓｏｎ則に当てはめて
も、−５５℃〜１２５℃の温度サイクルで１０００サイ
クル以上の疲労寿命があることがわかった。
【００３７】逆に、通常のエポキシ系ダイボンディング
材の弾性率Ｅは３０００ＭＰａ以上であり、はんだボー
ルの耐温度サイクル信頼性に対して問題があることがわ
かった。
材の弾性率Ｅは３０００ＭＰａ以上であり、はんだボー
ルの耐温度サイクル信頼性に対して問題があることがわ
かった。
【００３８】一方、絶縁性接着剤の弾性率Ｅをシリコン
エラストマ程度の１０ＭＰａ以下に下げると、リフロー
温度の上限温度２６０℃では弾性率Ｅは測定限界を越え
るほど小さくなり、強度メンバーとしての機能がなくな
る領域になり、基板表面およびシリコンチップとの接着
保持を期待できなくなる。剪断接着強度の温度依存性は
弾性率の温度依存性と同様の傾向があり、温度が高くな
るほど小さくなる。すなはち、リフロー温度２６０℃で
の弾性率Ｅが少なくとも３ＭＰａ以上ないと剪断接着強
度が期待できない。リフロー温度２６０℃でチップある
いは基板との界面に剥離が生ずれば、その後に実施する
耐温度サイクル試験での金ワイヤー断線不良や耐湿性試
験での腐食断線不良に至る。
エラストマ程度の１０ＭＰａ以下に下げると、リフロー
温度の上限温度２６０℃では弾性率Ｅは測定限界を越え
るほど小さくなり、強度メンバーとしての機能がなくな
る領域になり、基板表面およびシリコンチップとの接着
保持を期待できなくなる。剪断接着強度の温度依存性は
弾性率の温度依存性と同様の傾向があり、温度が高くな
るほど小さくなる。すなはち、リフロー温度２６０℃で
の弾性率Ｅが少なくとも３ＭＰａ以上ないと剪断接着強
度が期待できない。リフロー温度２６０℃でチップある
いは基板との界面に剥離が生ずれば、その後に実施する
耐温度サイクル試験での金ワイヤー断線不良や耐湿性試
験での腐食断線不良に至る。
【００３９】したがって、チップを有機配線基板に搭載
するための絶縁性接着剤（接着剤硬化物）の常温時の弾
性率としては１０〜２０００ＭＰａの範囲、望ましくは
５０〜１５００ＭＰａ、最も望ましくは１００〜１００
０ＭＰａの範囲、リフロー温度２６０℃での弾性率とし
ては３〜５０ＭＰａの範囲のものを使用することが、耐
温度サイクル性および耐吸湿リフロー性を満足するため
の条件であることがわかった。
するための絶縁性接着剤（接着剤硬化物）の常温時の弾
性率としては１０〜２０００ＭＰａの範囲、望ましくは
５０〜１５００ＭＰａ、最も望ましくは１００〜１００
０ＭＰａの範囲、リフロー温度２６０℃での弾性率とし
ては３〜５０ＭＰａの範囲のものを使用することが、耐
温度サイクル性および耐吸湿リフロー性を満足するため
の条件であることがわかった。
【００４０】上記した弾性率の温度依存性を持つ各種熱
硬化性樹脂を探索した結果、エポキシ基含有アクリル共
重合体が、その範囲の物性を具現できる好適な接着剤で
あることがわかった。
硬化性樹脂を探索した結果、エポキシ基含有アクリル共
重合体が、その範囲の物性を具現できる好適な接着剤で
あることがわかった。
【００４１】さらに、耐吸湿リフロー性を劣化させる要
因として、有機配線基板と絶縁性接着剤との界面に発生
するボイドがある。液状の熱硬化性接着剤を少量滴下さ
せ塗布する通常の方式では、ボイドを巻き込み易く、吸
湿リフロー時にクラック、基板膨れの原因になる。
因として、有機配線基板と絶縁性接着剤との界面に発生
するボイドがある。液状の熱硬化性接着剤を少量滴下さ
せ塗布する通常の方式では、ボイドを巻き込み易く、吸
湿リフロー時にクラック、基板膨れの原因になる。
【００４２】そこで、上記したエポキシ含有アクリル共
重合体をフィルム状に加工し、残存溶媒量を５％以下、
望ましくは２％以下に乾燥するとともに、ＤＳＣ（示差
熱量計）を用いて測定した場合の全硬化発熱量の１０〜
４０％のＢ−ステージ硬化状態にした接着フイルムを、
所定の寸法に切断し、有機配線基板に熱プレスにて貼付
けて、半導体搭載用基板を得る。
重合体をフィルム状に加工し、残存溶媒量を５％以下、
望ましくは２％以下に乾燥するとともに、ＤＳＣ（示差
熱量計）を用いて測定した場合の全硬化発熱量の１０〜
４０％のＢ−ステージ硬化状態にした接着フイルムを、
所定の寸法に切断し、有機配線基板に熱プレスにて貼付
けて、半導体搭載用基板を得る。
【００４３】その後、チップを搭載・熱圧着し、ワイヤ
ーボンディング工程、封止工程をへて、パッケージ完成
品を得る。
ーボンディング工程、封止工程をへて、パッケージ完成
品を得る。
【００４４】このようにして得られたパッケージは、チ
ップおよび基板との界面に隙間やボイドが発生しにくい
が、チップの熱圧着時に半導体搭載用基板側のみならず
チップ側の両面からも加熱するほうがチップと接着剤と
の界面に隙間が発生しにくく、基板の配線部間に樹脂が
充分に埋め込まれ、耐吸湿リフロー性が向上することを
見いだした。さらに、上記した接着フィルムの残存溶媒
量を５％以下望ましくは２％以下にコントロールすれ
ば、接着フィルムの硬化過程で気泡が発生し、耐吸湿リ
フロー性が低下するようなことがないことを見いだし
た。
ップおよび基板との界面に隙間やボイドが発生しにくい
が、チップの熱圧着時に半導体搭載用基板側のみならず
チップ側の両面からも加熱するほうがチップと接着剤と
の界面に隙間が発生しにくく、基板の配線部間に樹脂が
充分に埋め込まれ、耐吸湿リフロー性が向上することを
見いだした。さらに、上記した接着フィルムの残存溶媒
量を５％以下望ましくは２％以下にコントロールすれ
ば、接着フィルムの硬化過程で気泡が発生し、耐吸湿リ
フロー性が低下するようなことがないことを見いだし
た。
【００４５】上記した物性を持つ接着フィルムの適用
は、チップ側端子と配線板側端子とが金ワイヤボンディ
ングで接続され、外部端子が基板裏面にエリアアレイ状
に配列された半導体パッケージについてのみならず、チ
ップ側端子と配線板側端子とがＴＡＢ（テープオートメ
ーテッドボンディング）のインナーボンディング方式で
接続されたパッケージ（チップ側端子と配線板側端子と
が直接接続された方式のパッケージ）にも同じ作用と効
果があり、半導体チップが接着剤を介して有機配線基板
に接着されている構造を持つエリアアレイパッケージ全
ての耐温度サイクル性および耐吸湿リフロー性を同時に
満足する。外部接続用端子はエリアアレイ状、すなわ
ち、基板裏面の、全面に格子状にまたは周辺部に一列あ
るいは数列配置されている。
は、チップ側端子と配線板側端子とが金ワイヤボンディ
ングで接続され、外部端子が基板裏面にエリアアレイ状
に配列された半導体パッケージについてのみならず、チ
ップ側端子と配線板側端子とがＴＡＢ（テープオートメ
ーテッドボンディング）のインナーボンディング方式で
接続されたパッケージ（チップ側端子と配線板側端子と
が直接接続された方式のパッケージ）にも同じ作用と効
果があり、半導体チップが接着剤を介して有機配線基板
に接着されている構造を持つエリアアレイパッケージ全
ての耐温度サイクル性および耐吸湿リフロー性を同時に
満足する。外部接続用端子はエリアアレイ状、すなわ
ち、基板裏面の、全面に格子状にまたは周辺部に一列あ
るいは数列配置されている。
【００４６】有機配線基板としては、ＢＴ（ビスマレイ
ミド）基板、ガラスエポキシ基板などＦＲ−４基板であ
っても、ポリイミドフィルム基板など基板材質に限定さ
れない。また、上記した接着フィルムは上記した物性を
持つ熱硬化性接着剤で形成することも出来るが、テープ
として巻いたり、送ったりする時の剛性を確保するため
に、ポリイミドフィルムの両面に塗布した３層構造にし
てもよい。上記した同じ作用と効果があることを見いだ
した。
ミド）基板、ガラスエポキシ基板などＦＲ−４基板であ
っても、ポリイミドフィルム基板など基板材質に限定さ
れない。また、上記した接着フィルムは上記した物性を
持つ熱硬化性接着剤で形成することも出来るが、テープ
として巻いたり、送ったりする時の剛性を確保するため
に、ポリイミドフィルムの両面に塗布した３層構造にし
てもよい。上記した同じ作用と効果があることを見いだ
した。
【００４７】接着フィルムの有機配線基板への接着方法
は、接着フィルムを所定の形状に切断し、その後、切断
させたフィルムの正確な位置合わせを行い、有機配線基
板に熱圧着する。
は、接着フィルムを所定の形状に切断し、その後、切断
させたフィルムの正確な位置合わせを行い、有機配線基
板に熱圧着する。
【００４８】接着フィルムの切断方法は、フィルムを所
定の形状に正確に切断する方法ならいずれの方法でも良
いが、作業性、貼り付け性を考えると、打ち抜き金型を
用いて接着フィルムを切断し、その後有機配線基板に仮
圧着、または本圧着させるのが好ましい。
定の形状に正確に切断する方法ならいずれの方法でも良
いが、作業性、貼り付け性を考えると、打ち抜き金型を
用いて接着フィルムを切断し、その後有機配線基板に仮
圧着、または本圧着させるのが好ましい。
【００４９】切断された接着フィルムの有機配線基板へ
の熱圧着は、接着フィルム切断後、プレス材に吸引によ
り吸着させ位置合わせを正確に行った後、有機配線基板
上に仮圧着し、その後熱プレスで本圧着する方法と、打
ち抜き用金型で接着フィルムを打ち抜き後仮圧着し、そ
の後熱プレスで本圧着する方法がある。また、打ち抜き
金型を用いた場合は、打ち抜き金型で打ち抜かれたテー
プをそのまま本圧着する方法がある。
の熱圧着は、接着フィルム切断後、プレス材に吸引によ
り吸着させ位置合わせを正確に行った後、有機配線基板
上に仮圧着し、その後熱プレスで本圧着する方法と、打
ち抜き用金型で接着フィルムを打ち抜き後仮圧着し、そ
の後熱プレスで本圧着する方法がある。また、打ち抜き
金型を用いた場合は、打ち抜き金型で打ち抜かれたテー
プをそのまま本圧着する方法がある。
【００５０】仮圧着は打ち抜かれた接着テープが有機配
線基板に接着すれば良く、特に条件は限定しない。
線基板に接着すれば良く、特に条件は限定しない。
【００５１】本圧着時の接着フィルムの圧着温度は３０
〜２５０℃が好ましく、７０〜１５０℃が更に好まし
い。圧着温度圧が３０℃以下では接着フィルムの弾性率
が高く、接着力が低いばかりか、有機配線基板の配線上
に接着させる時には、配線の周りへの接着剤の埋め込み
性が悪く好ましくない。接着温度が２５０℃以上では配
線が酸化され、また有機配線基板が柔らかくなり作業性
上好ましくない。
〜２５０℃が好ましく、７０〜１５０℃が更に好まし
い。圧着温度圧が３０℃以下では接着フィルムの弾性率
が高く、接着力が低いばかりか、有機配線基板の配線上
に接着させる時には、配線の周りへの接着剤の埋め込み
性が悪く好ましくない。接着温度が２５０℃以上では配
線が酸化され、また有機配線基板が柔らかくなり作業性
上好ましくない。
【００５２】本圧着の圧力は１〜２０ｋｇ／ｃｍ2が好
ましく、３〜１０ｋｇ／ｃｍ2が更に好ましい。圧着圧
力が１ｋｇ／ｃｍ2以下では接着フィルムの接着力、配
線周りの埋め込み性が悪く、２０kg/ｃｍ2以上では接着
剤が所定の位置以外にはみ出し接着剤の寸法精度が悪く
なる。
ましく、３〜１０ｋｇ／ｃｍ2が更に好ましい。圧着圧
力が１ｋｇ／ｃｍ2以下では接着フィルムの接着力、配
線周りの埋め込み性が悪く、２０kg/ｃｍ2以上では接着
剤が所定の位置以外にはみ出し接着剤の寸法精度が悪く
なる。
【００５３】本圧着時間は前記圧着温度、圧着時間で接
着出来る時間なら良いが、作業性を考えると０．３〜６
０秒が好ましく、０．５〜１０秒が更に好ましい。
着出来る時間なら良いが、作業性を考えると０．３〜６
０秒が好ましく、０．５〜１０秒が更に好ましい。
【００５４】本圧着用熱プレスは接着剤がプレス表面に
接着しない様に表面に離型剤したものが好ましく、特に
テフロン、シリコーンを用いたものが離型性や作業性上
好ましい。
接着しない様に表面に離型剤したものが好ましく、特に
テフロン、シリコーンを用いたものが離型性や作業性上
好ましい。
【００５５】本発明において使用されるエポキシ樹脂
は、硬化して接着作用を呈するものであればよい。二官
能以上で、好ましくは分子量が５０００未満、より好ま
しくは３０００未満のエポキシ樹脂が使用される。特
に、分子量が５００以下のビスフェノールＡ型またはビ
スフェノールＦ型液状樹脂を用いると積層時の流動性を
向上することができて好ましい。分子量が５００以下の
ビスフェノールＡ型またはビスフェノールＦ型液状樹脂
は、油化シェルエポキシ株式会社から、エピコート８０
７、エピコート８２７、エピコート８２８という商品名
で市販されている。また、ダウケミカル日本株式会社か
らは、Ｄ．Ｅ．Ｒ．３３０、Ｄ．Ｅ．Ｒ．３３１、Ｄ．
Ｅ．Ｒ．３６１という商品名で市販されている。さら
に、東都化成株式会社から、ＹＤ１２８、ＹＤＦ１７０
という商品名で市販されている。
は、硬化して接着作用を呈するものであればよい。二官
能以上で、好ましくは分子量が５０００未満、より好ま
しくは３０００未満のエポキシ樹脂が使用される。特
に、分子量が５００以下のビスフェノールＡ型またはビ
スフェノールＦ型液状樹脂を用いると積層時の流動性を
向上することができて好ましい。分子量が５００以下の
ビスフェノールＡ型またはビスフェノールＦ型液状樹脂
は、油化シェルエポキシ株式会社から、エピコート８０
７、エピコート８２７、エピコート８２８という商品名
で市販されている。また、ダウケミカル日本株式会社か
らは、Ｄ．Ｅ．Ｒ．３３０、Ｄ．Ｅ．Ｒ．３３１、Ｄ．
Ｅ．Ｒ．３６１という商品名で市販されている。さら
に、東都化成株式会社から、ＹＤ１２８、ＹＤＦ１７０
という商品名で市販されている。
【００５６】エポキシ樹脂としては、高Ｔｇ（ガラス転
移温度）化を目的に多官能エポキシ樹脂を加えてもよ
く、多官能エポキシ樹脂としては、フェノールノボラッ
ク型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹
脂等が例示される。
移温度）化を目的に多官能エポキシ樹脂を加えてもよ
く、多官能エポキシ樹脂としては、フェノールノボラッ
ク型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹
脂等が例示される。
【００５７】フェノールノボラック型エポキシ樹脂は、
日本化薬株式会社から、ＥＰＰＮ−２０１という商品名
で市販されている。また、クレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂は、住友化学工業株式会社から、ＥＳＣＮ−０
０１、ＥＳＣＮ−１９５という商品名で、また、前記日
本化薬株式会社から、ＥＯＣＮ１０１２、ＥＯＣＮ１０
２５、ＥＯＣＮ１０２７という商品名で市販されてい
る。また、エポキシ樹脂として、ブロム化エポキシ樹
脂、ブロム化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（例えば
住友化学工業株式会社製商品名ＥＳＢ−４００）、ブロ
ム化フェノールノボラック型エポキシ樹脂（例えば日本
化薬株式会社製商品名ＢＲＥＮ−１０５，ＢＲＥＮ−
Ｓ）等が使用できる。
日本化薬株式会社から、ＥＰＰＮ−２０１という商品名
で市販されている。また、クレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂は、住友化学工業株式会社から、ＥＳＣＮ−０
０１、ＥＳＣＮ−１９５という商品名で、また、前記日
本化薬株式会社から、ＥＯＣＮ１０１２、ＥＯＣＮ１０
２５、ＥＯＣＮ１０２７という商品名で市販されてい
る。また、エポキシ樹脂として、ブロム化エポキシ樹
脂、ブロム化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（例えば
住友化学工業株式会社製商品名ＥＳＢ−４００）、ブロ
ム化フェノールノボラック型エポキシ樹脂（例えば日本
化薬株式会社製商品名ＢＲＥＮ−１０５，ＢＲＥＮ−
Ｓ）等が使用できる。
【００５８】エポキシ樹脂の硬化剤は、エポキシ樹脂の
硬化剤として通常用いられているものを使用でき、アミ
ン、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィッド、三弗化
硼素及びフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有す
る化合物であるビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、
ビスフェノールＳ等が挙げられる。特に吸湿時の耐電食
性に優れるためフェノール樹脂であるフェノールノボラ
ック樹脂、ビスフェノールノボラック樹脂またはクレゾ
ールノボラック樹脂等を用いるのが好ましい。
硬化剤として通常用いられているものを使用でき、アミ
ン、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィッド、三弗化
硼素及びフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有す
る化合物であるビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、
ビスフェノールＳ等が挙げられる。特に吸湿時の耐電食
性に優れるためフェノール樹脂であるフェノールノボラ
ック樹脂、ビスフェノールノボラック樹脂またはクレゾ
ールノボラック樹脂等を用いるのが好ましい。
【００５９】このような好ましいとした硬化剤は、大日
本インキ化学工業株式会社から、フェノライトＬＦ２８
８２、フェノライトＬＦ２８２２、フェノライトＴＤ−
２０９０、フェノライトＴＤ−２１４９、フェノライト
ＶＨ４１５０、フェノライトＶＨ４１７０という商品名
で市販されている。また、硬化剤として、ブロム化フェ
ノール化合物であるテトラブロモビスフェノールＡ（帝
人化成株式会社製商品名ファイヤーガードＦＧ−２００
０）等が使用できる。
本インキ化学工業株式会社から、フェノライトＬＦ２８
８２、フェノライトＬＦ２８２２、フェノライトＴＤ−
２０９０、フェノライトＴＤ−２１４９、フェノライト
ＶＨ４１５０、フェノライトＶＨ４１７０という商品名
で市販されている。また、硬化剤として、ブロム化フェ
ノール化合物であるテトラブロモビスフェノールＡ（帝
人化成株式会社製商品名ファイヤーガードＦＧ−２００
０）等が使用できる。
【００６０】硬化剤とともに硬化促進剤を用いるのが好
ましく、硬化促進剤としては、各種イミダゾール類を用
いるのが好ましい。イミダゾールとしては、２−メチル
イミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、
１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シ
アノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテー
ト等が挙げられる。
ましく、硬化促進剤としては、各種イミダゾール類を用
いるのが好ましい。イミダゾールとしては、２−メチル
イミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、
１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シ
アノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテー
ト等が挙げられる。
【００６１】イミダゾール類は、四国化成工業株式会社
から、２Ｅ４ＭＺ、２ＰＺ−ＣＮ、２ＰＺ−ＣＮＳとい
う商品名で市販されている。
から、２Ｅ４ＭＺ、２ＰＺ−ＣＮ、２ＰＺ−ＣＮＳとい
う商品名で市販されている。
【００６２】エポキシ樹脂と相溶性がありかつ重量平均
分子量が３万以上の高分子量樹脂としては、フェノキシ
樹脂、高分子量エポキシ樹脂、超高分子量エポキシ樹
脂、極性の大きい官能基含有ゴム、極性の大きい官能基
含有反応性ゴムなどが挙げられる。Ｂステージにおける
接着剤のタック性の低減や硬化時の可撓性を向上させる
ため重量平均分子量が３万以上とされる。前記極性の大
きい官能基含有反応性ゴムは、アクリルゴムにカルボキ
シル基のような極性が大きい官能基を付加したゴムが挙
げられる。ここで、エポキシ樹脂と相溶性があるとは、
硬化後にエポキシ樹脂と分離して二つ以上の相に分かれ
ることなく、均質混和物を形成する性質を言う。
分子量が３万以上の高分子量樹脂としては、フェノキシ
樹脂、高分子量エポキシ樹脂、超高分子量エポキシ樹
脂、極性の大きい官能基含有ゴム、極性の大きい官能基
含有反応性ゴムなどが挙げられる。Ｂステージにおける
接着剤のタック性の低減や硬化時の可撓性を向上させる
ため重量平均分子量が３万以上とされる。前記極性の大
きい官能基含有反応性ゴムは、アクリルゴムにカルボキ
シル基のような極性が大きい官能基を付加したゴムが挙
げられる。ここで、エポキシ樹脂と相溶性があるとは、
硬化後にエポキシ樹脂と分離して二つ以上の相に分かれ
ることなく、均質混和物を形成する性質を言う。
【００６３】フェノキシ樹脂は、東都化成株式会社か
ら、フェノトートＹＰ−４０、フェノトートＹＰ−５
０、フェノトートＹＰ−６０等の商品名で市販されてい
る。高分子量エポキシ樹脂は、分子量が３万〜８万の高
分子量エポキシ樹脂、さらには、分子量が８万を超える
超高分子量エポキシ樹脂（特公平７−５９６１７号、特
公平７−５９６１８号、特公平７−５９６１９号、特公
平７−５９６２０号、特公平７−６４９１１号、特公平
７−６８３２７号公報参照）があり、何れも日立化成工
業株式会社で製造している。極性の大きい官能基含有反
応性ゴムとして、カルボキシル基含有アクリルゴムは、
帝国化学産業株式会社から、ＨＴＲ−８６０Ｐという商
品名で市販されている。
ら、フェノトートＹＰ−４０、フェノトートＹＰ−５
０、フェノトートＹＰ−６０等の商品名で市販されてい
る。高分子量エポキシ樹脂は、分子量が３万〜８万の高
分子量エポキシ樹脂、さらには、分子量が８万を超える
超高分子量エポキシ樹脂（特公平７−５９６１７号、特
公平７−５９６１８号、特公平７−５９６１９号、特公
平７−５９６２０号、特公平７−６４９１１号、特公平
７−６８３２７号公報参照）があり、何れも日立化成工
業株式会社で製造している。極性の大きい官能基含有反
応性ゴムとして、カルボキシル基含有アクリルゴムは、
帝国化学産業株式会社から、ＨＴＲ−８６０Ｐという商
品名で市販されている。
【００６４】上記エポキシ樹脂と相溶性がありかつ重量
平均分子量が３万以上の高分子量樹脂の添加量は、エポ
キシ樹脂を主成分とする相（以下エポキシ樹脂相とい
う）の可撓性の不足、タック性の低減やクラック等によ
る絶縁性の低下を防止するため１０重量部以上、エポキ
シ樹脂相のＴｇの低下を防止するため４０重量部以下と
される。
平均分子量が３万以上の高分子量樹脂の添加量は、エポ
キシ樹脂を主成分とする相（以下エポキシ樹脂相とい
う）の可撓性の不足、タック性の低減やクラック等によ
る絶縁性の低下を防止するため１０重量部以上、エポキ
シ樹脂相のＴｇの低下を防止するため４０重量部以下と
される。
【００６５】グリシジル（メタ）アクリレート２〜６重
量％を含む、Ｔｇが−１０℃以上でかつ重量平均分子量
が８０万以上であるエポキシ基含有アクリル系共重合体
は、帝国化学産業株式会社から市販されている商品名Ｈ
ＴＲ−８６０Ｐ−３を使用することができる。官能基モ
ノマーが、カルボン酸タイプのアクリル酸や、水酸基タ
イプのヒドロキシメチル（メタ）アクリレートを用いる
と、架橋反応が進行しやすく、ワニス状態でのゲル化、
Ｂステージ状態での硬化度の上昇による接着力の低下等
の問題があるため好ましくない。また、官能基モノマー
として用いるグリシジル（メタ）アクリレートの量は、
２〜６重量％の共重合体比とする。接着力を得るため、
２重量％以上とし、ゴムのゲル化を防止するために６重
量％以下とされる。残部はエチル（メタ）アクリレート
やブチル（メタ）アクリレートまたは両者の混合物を用
いることができるが、混合比率は、共重合体のＴｇを考
慮して決定する。Ｔｇが−１０℃未満であるとＢステー
ジ状態での接着フィルムのタック性が大きくなり取扱性
が悪化するので、−１０℃以上とされる。重合方法はパ
ール重合、溶液重合等が挙げられ、これらにより得るこ
とができる。
量％を含む、Ｔｇが−１０℃以上でかつ重量平均分子量
が８０万以上であるエポキシ基含有アクリル系共重合体
は、帝国化学産業株式会社から市販されている商品名Ｈ
ＴＲ−８６０Ｐ−３を使用することができる。官能基モ
ノマーが、カルボン酸タイプのアクリル酸や、水酸基タ
イプのヒドロキシメチル（メタ）アクリレートを用いる
と、架橋反応が進行しやすく、ワニス状態でのゲル化、
Ｂステージ状態での硬化度の上昇による接着力の低下等
の問題があるため好ましくない。また、官能基モノマー
として用いるグリシジル（メタ）アクリレートの量は、
２〜６重量％の共重合体比とする。接着力を得るため、
２重量％以上とし、ゴムのゲル化を防止するために６重
量％以下とされる。残部はエチル（メタ）アクリレート
やブチル（メタ）アクリレートまたは両者の混合物を用
いることができるが、混合比率は、共重合体のＴｇを考
慮して決定する。Ｔｇが−１０℃未満であるとＢステー
ジ状態での接着フィルムのタック性が大きくなり取扱性
が悪化するので、−１０℃以上とされる。重合方法はパ
ール重合、溶液重合等が挙げられ、これらにより得るこ
とができる。
【００６６】エポキシ基含有アクリル系共重合体の重量
平均分子量は、８０万以上とされ、この範囲では、シー
ト状、フィルム状での強度や可撓性の低下やタック性の
増大が少ないからである。
平均分子量は、８０万以上とされ、この範囲では、シー
ト状、フィルム状での強度や可撓性の低下やタック性の
増大が少ないからである。
【００６７】上記エポキシ基含有アクリル系共重合体添
加量は、フィルムの強度の低下やタック性が大きくなる
のを防止するため１００重量部以上とされ、エポキシ基
含有アクリルゴムの添加量が増えると、ゴム成分の相が
多くなり、エポキシ樹脂相が少なくなるため、高温での
取扱い性の低下が起こるため、３００重量部以下とされ
る。
加量は、フィルムの強度の低下やタック性が大きくなる
のを防止するため１００重量部以上とされ、エポキシ基
含有アクリルゴムの添加量が増えると、ゴム成分の相が
多くなり、エポキシ樹脂相が少なくなるため、高温での
取扱い性の低下が起こるため、３００重量部以下とされ
る。
【００６８】接着剤には、異種材料間の界面結合をよく
するために、カップリング剤を配合することもできる。
カップリング剤としては、シランカップリング剤が好ま
しい。
するために、カップリング剤を配合することもできる。
カップリング剤としては、シランカップリング剤が好ま
しい。
【００６９】シランカップリング剤としては、γ−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプト
プロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリ
エトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシ
ラン、Ｎ−β−アミノエチル−γ−アミノプロピルトリ
メトキシシラン等が挙げられる。
シドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプト
プロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリ
エトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシ
ラン、Ｎ−β−アミノエチル−γ−アミノプロピルトリ
メトキシシラン等が挙げられる。
【００７０】前記したシランカップリング剤は、γ−グ
リシドキシプロピルトリメトキシシランがＮＵＣ Ａ−
１８７、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシランが
ＮＵＣ Ａ−１８９、γ−アミノプロピルトリエトキシ
シランがＮＵＣ Ａ−１１００、γ−ウレイドプロピル
トリエトキシシランがＮＵＣ Ａ−１１６０、Ｎ−β−
アミノエチル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン
がＮＵＣ Ａ−１１２０という商品名で、いずれも日本
ユニカー株式会社から市販されており、好適に使用する
ことができる。
リシドキシプロピルトリメトキシシランがＮＵＣ Ａ−
１８７、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシランが
ＮＵＣ Ａ−１８９、γ−アミノプロピルトリエトキシ
シランがＮＵＣ Ａ−１１００、γ−ウレイドプロピル
トリエトキシシランがＮＵＣ Ａ−１１６０、Ｎ−β−
アミノエチル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン
がＮＵＣ Ａ−１１２０という商品名で、いずれも日本
ユニカー株式会社から市販されており、好適に使用する
ことができる。
【００７１】カップリング剤の配合量は、添加による効
果や耐熱性およびコストから、樹脂１００重量部に対し
０．１〜１０重量部を添加するのが好ましい。
果や耐熱性およびコストから、樹脂１００重量部に対し
０．１〜１０重量部を添加するのが好ましい。
【００７２】さらに、イオン性不純物を吸着して、吸湿
時の絶縁信頼性をよくするために、イオン捕捉剤を配合
することができる。イオン捕捉剤の配合量は、添加によ
る効果や耐熱性、コストより、５〜１０重量部が好まし
い。イオン捕捉剤としては、銅がイオン化して溶け出す
のを防止するため銅害防止剤として知られる化合物例え
ば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還元
剤を配合することもできる。ビスフェノール系還元剤と
しては、２，２’−メチレン−ビス−（４−メチル−６
−第３−ブチルフェノール）、４，４’−チオ−ビス−
（３−メチル−６−第３−ブチルフェノール）等が挙げ
られる。
時の絶縁信頼性をよくするために、イオン捕捉剤を配合
することができる。イオン捕捉剤の配合量は、添加によ
る効果や耐熱性、コストより、５〜１０重量部が好まし
い。イオン捕捉剤としては、銅がイオン化して溶け出す
のを防止するため銅害防止剤として知られる化合物例え
ば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還元
剤を配合することもできる。ビスフェノール系還元剤と
しては、２，２’−メチレン−ビス−（４−メチル−６
−第３−ブチルフェノール）、４，４’−チオ−ビス−
（３−メチル−６−第３−ブチルフェノール）等が挙げ
られる。
【００７３】トリアジンチオール化合物を成分とする銅
害防止剤は、三協製薬株式会社から、ジスネットＤＢと
いう商品名で市販されている。またビスフェノール系還
元剤を成分とする銅害防止剤は、吉富製薬株式会社か
ら、ヨシノックスＢＢという商品名で市販されている。
害防止剤は、三協製薬株式会社から、ジスネットＤＢと
いう商品名で市販されている。またビスフェノール系還
元剤を成分とする銅害防止剤は、吉富製薬株式会社か
ら、ヨシノックスＢＢという商品名で市販されている。
【００７４】さらに、接着剤の取扱い性や熱伝導性をよ
くすること、難燃性を与えること、溶融粘度を調整する
こと、チクソトロピック性を付与すること、表面硬度の
向上などを目的として、無機フィラーを接着剤樹脂成分
１００体積部に対して２〜２０体積部配合することが好
ましい。配合の効果の点から配合量が２体積部以上、配
合量が多くなると、接着剤の貯蔵弾性率の上昇、接着性
の低下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題を起
こすので２０体積部以下とされる。
くすること、難燃性を与えること、溶融粘度を調整する
こと、チクソトロピック性を付与すること、表面硬度の
向上などを目的として、無機フィラーを接着剤樹脂成分
１００体積部に対して２〜２０体積部配合することが好
ましい。配合の効果の点から配合量が２体積部以上、配
合量が多くなると、接着剤の貯蔵弾性率の上昇、接着性
の低下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題を起
こすので２０体積部以下とされる。
【００７５】無機フィラーとしては、水酸化アルミニウ
ム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネ
シウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化
カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ粉末、窒化ア
ルミニウム粉末、ほう酸アルミウイスカ、窒化ホウ素粉
末、結晶性シリカ、非晶性シリカなどが挙げられる。
ム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネ
シウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化
カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ粉末、窒化ア
ルミニウム粉末、ほう酸アルミウイスカ、窒化ホウ素粉
末、結晶性シリカ、非晶性シリカなどが挙げられる。
【００７６】熱伝導性をよくするためには、アルミナ、
窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性
シリカ等が好ましい。
窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性
シリカ等が好ましい。
【００７７】この内、アルミナは、放熱性が良く、耐熱
性、絶縁性が良好な点で好適である。また、結晶性シリ
カまたは非晶性シリカは、放熱性の点ではアルミナより
劣るが、イオン性不純物が少ないため、ＰＣＴ処理時の
絶縁性が高く、銅箔、アルミ線、アルミ板等の腐食が少
ない点で好適である。
性、絶縁性が良好な点で好適である。また、結晶性シリ
カまたは非晶性シリカは、放熱性の点ではアルミナより
劣るが、イオン性不純物が少ないため、ＰＣＴ処理時の
絶縁性が高く、銅箔、アルミ線、アルミ板等の腐食が少
ない点で好適である。
【００７８】難燃性を与えるためには、水酸化アルミニ
ウム、水酸化マグネシウム、三酸化アンチモン等が好ま
しい。
ウム、水酸化マグネシウム、三酸化アンチモン等が好ま
しい。
【００７９】溶融粘度の調整やチクソトロピック性の付
与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウ
ム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシ
ウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグ
ネシウム、アルミナ、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が
好ましい。
与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウ
ム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシ
ウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグ
ネシウム、アルミナ、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が
好ましい。
【００８０】表面硬度の向上に関しては、短繊維アルミ
ナ、ほう酸アルミウイスカ等が好ましい。
ナ、ほう酸アルミウイスカ等が好ましい。
【００８１】本発明の接着フィルムは、接着剤の各成分
を溶剤に溶解ないし分散してワニスとし、ベースフィル
ム上に塗布、加熱し溶剤を除去することにより、接着剤
層をベースフィルム上に形成して得られる。ベースフィ
ルムとしては、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、
ポリエチレンテレフタレートフィルム、離型処理したポ
リエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィ
ルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフ
ィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィル
ムが使用できる。ベースフィルムは、使用時に剥離して
接着フィルムのみを使用することもできるし、ベースフ
ィルムとともに使用し、後で除去することもできる。
を溶剤に溶解ないし分散してワニスとし、ベースフィル
ム上に塗布、加熱し溶剤を除去することにより、接着剤
層をベースフィルム上に形成して得られる。ベースフィ
ルムとしては、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、
ポリエチレンテレフタレートフィルム、離型処理したポ
リエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィ
ルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフ
ィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィル
ムが使用できる。ベースフィルムは、使用時に剥離して
接着フィルムのみを使用することもできるし、ベースフ
ィルムとともに使用し、後で除去することもできる。
【００８２】本発明で用いるプラスチックフィルムとし
ては、例えば、カプトン（東レ、デュポン株式会社製商
品名）、アピカル（鐘淵化学工業株式会社製商品名）等
のポリイミドフィルム、ルミラー（東レ、デュポン株式
会社製商品名）、ピューレックス（帝人株式会社製商品
名）等のポリエチレンテレフタレートフィルムなどを使
用することができる。
ては、例えば、カプトン（東レ、デュポン株式会社製商
品名）、アピカル（鐘淵化学工業株式会社製商品名）等
のポリイミドフィルム、ルミラー（東レ、デュポン株式
会社製商品名）、ピューレックス（帝人株式会社製商品
名）等のポリエチレンテレフタレートフィルムなどを使
用することができる。
【００８３】ワニス化の溶剤は、比較的低沸点の、メチ
ルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、
２−エトキシエタノール、トルエン、ブチルセルソル
ブ、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノール
などを用いるのが好ましい。また、塗膜性を向上するな
どの目的で、高沸点溶剤を加えても良い。高沸点溶剤と
しては、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミ
ド、メチルピロリドン、シクロヘキサノンなどが挙げら
れる。
ルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、
２−エトキシエタノール、トルエン、ブチルセルソル
ブ、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノール
などを用いるのが好ましい。また、塗膜性を向上するな
どの目的で、高沸点溶剤を加えても良い。高沸点溶剤と
しては、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミ
ド、メチルピロリドン、シクロヘキサノンなどが挙げら
れる。
【００８４】ワニスの製造は、無機フィラーの分散を考
慮した場合には、らいかい機、３本ロール及びビーズミ
ル等により、またこれらを組み合わせて行なうことがで
きる。フィラーと低分子量物をあらかじめ混合した後、
高分子量物を配合することにより、混合に要する時間を
短縮することも可能となる。また、ワニスとした後、真
空脱気によりワニス中の気泡を除去することが好まし
い。
慮した場合には、らいかい機、３本ロール及びビーズミ
ル等により、またこれらを組み合わせて行なうことがで
きる。フィラーと低分子量物をあらかじめ混合した後、
高分子量物を配合することにより、混合に要する時間を
短縮することも可能となる。また、ワニスとした後、真
空脱気によりワニス中の気泡を除去することが好まし
い。
【００８５】上記プラスチックフィルム等のベースフィ
ルム上に接着剤ワニスを塗布し、加熱乾燥して溶剤を除
去するが、これにより得られる接着剤は、ＤＳＣを用い
て測定した全硬化発熱量の１０〜４０％の発熱を終えた
状態とされる。溶剤を除去する際に加熱するが、この
時、接着剤組成物の硬化反応が進行しゲル化してくる。
その際の硬化状態が接着剤の流動性に影響し、接着性や
取扱い性を適正化する。ＤＳＣ（示差走査熱分析）は、
測定温度範囲内で、発熱、吸熱の無い標準試料との温度
差をたえず打ち消すように熱量を供給または除去するゼ
ロ位法を測定原理とするものであり、測定装置が市販さ
れておりそれを用いて測定できる。樹脂組成物の反応
は、発熱反応であり、一定の昇温速度で試料を昇温して
いくと、試料が反応し熱量が発生する。その発熱量をチ
ャートに出力し、ベースラインを基準として発熱曲線と
ベースラインで囲まれた面積を求め、これを発熱量とす
る。室温から２５０℃まで５〜１０℃／分の昇温速度で
測定し、上記した発熱量を求める。これらは、全自動で
行なうものもあり、それを使用すると容易に行なうこと
ができる。つぎに、上記ベースフィルムに塗布し、乾燥
して得た接着剤の発熱量は、つぎのようにして求める。
まず、２５℃で真空乾燥器を用いて溶剤を乾燥させた未
硬化試料の全発熱量を測定し、これをＡ（Ｊ／ｇ）とす
る。つぎに、塗工、乾燥した試料の発熱量を測定し、こ
れをＢとする。試料の硬化度Ｃ（％）（加熱、乾燥によ
り発熱を終えた状態）は、つぎの数式（１）で与えられ
る。
ルム上に接着剤ワニスを塗布し、加熱乾燥して溶剤を除
去するが、これにより得られる接着剤は、ＤＳＣを用い
て測定した全硬化発熱量の１０〜４０％の発熱を終えた
状態とされる。溶剤を除去する際に加熱するが、この
時、接着剤組成物の硬化反応が進行しゲル化してくる。
その際の硬化状態が接着剤の流動性に影響し、接着性や
取扱い性を適正化する。ＤＳＣ（示差走査熱分析）は、
測定温度範囲内で、発熱、吸熱の無い標準試料との温度
差をたえず打ち消すように熱量を供給または除去するゼ
ロ位法を測定原理とするものであり、測定装置が市販さ
れておりそれを用いて測定できる。樹脂組成物の反応
は、発熱反応であり、一定の昇温速度で試料を昇温して
いくと、試料が反応し熱量が発生する。その発熱量をチ
ャートに出力し、ベースラインを基準として発熱曲線と
ベースラインで囲まれた面積を求め、これを発熱量とす
る。室温から２５０℃まで５〜１０℃／分の昇温速度で
測定し、上記した発熱量を求める。これらは、全自動で
行なうものもあり、それを使用すると容易に行なうこと
ができる。つぎに、上記ベースフィルムに塗布し、乾燥
して得た接着剤の発熱量は、つぎのようにして求める。
まず、２５℃で真空乾燥器を用いて溶剤を乾燥させた未
硬化試料の全発熱量を測定し、これをＡ（Ｊ／ｇ）とす
る。つぎに、塗工、乾燥した試料の発熱量を測定し、こ
れをＢとする。試料の硬化度Ｃ（％）（加熱、乾燥によ
り発熱を終えた状態）は、つぎの数式（１）で与えられ
る。
【００８６】
Ｃ（％）＝（Ａ−Ｂ）×１００／Ａ …（１）
本発明の接着剤の動的粘弾性測定装置で測定した貯蔵弾
性率は、２５℃で２０〜２，０００ＭＰａで、２６０℃
で３〜５０ＭＰａという低弾性率でなければならない。
貯蔵弾性率の測定は、接着剤硬化物（ＤＳＣを用いて測
定した場合の全硬化発熱量の９５〜１００％の発熱を終
えた接着剤）に引張り荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、
昇温速度５〜１０℃／分で−５０℃から３００℃まで測
定する温度依存性測定モードで行った。２５℃での貯蔵
弾性率が２，０００ＭＰａを超えるものでは、半導体チ
ップとプリント配線板の熱膨張係数の差によってリフロ
ー時に発生する応力を緩和させる効果が小さくなるため
クラックを発生させてしまう。一方、貯蔵弾性率が２０
ＭＰａ未満では、接着剤の取扱性が悪くなる。好ましく
は５０〜１０００ＭＰａである。
性率は、２５℃で２０〜２，０００ＭＰａで、２６０℃
で３〜５０ＭＰａという低弾性率でなければならない。
貯蔵弾性率の測定は、接着剤硬化物（ＤＳＣを用いて測
定した場合の全硬化発熱量の９５〜１００％の発熱を終
えた接着剤）に引張り荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、
昇温速度５〜１０℃／分で−５０℃から３００℃まで測
定する温度依存性測定モードで行った。２５℃での貯蔵
弾性率が２，０００ＭＰａを超えるものでは、半導体チ
ップとプリント配線板の熱膨張係数の差によってリフロ
ー時に発生する応力を緩和させる効果が小さくなるため
クラックを発生させてしまう。一方、貯蔵弾性率が２０
ＭＰａ未満では、接着剤の取扱性が悪くなる。好ましく
は５０〜１０００ＭＰａである。
【００８７】本発明は、エポキシ基含有アクリル系共重
合体とエポキシ樹脂系接着剤において、室温付近での弾
性率が低いことを特徴としている。エポキシ基含有アク
リル系共重合体は、室温付近での弾性率が低いため、エ
ポキシ基含有アクリル系共重合体の混合比を大きくする
ことで、半導体チップとプリント配線板の熱膨張係数の
差に起因して、リフロー時の加熱冷却過程で発生する応
力を緩和する効果によりクラックを抑制することができ
る。また、エポキシ基含有アクリル系共重合体はエポキ
シ樹脂との反応性に優れるため、接着剤硬化物が化学
的、物理的に安定するためＰＣＴ処理に代表される耐湿
性試験に優れた性能を示す。また、下記の方法により、
従来の接着フィルムの強度の低下、可撓性の低下、タッ
ク性の増大等取り扱い性の点での問題を解決した。 １）本発明で規定したエポキシ基含有アクリル系共重合
体を使用することにより、リフロー時のクラック発生を
抑制できる。 ２）分子量の大きいアクリル系共重合体を使用すること
で共重合体の添加量が少ない場合でも、接着フィルムの
フィルム強度、可撓性を確保できる。 ３）エポキシ樹脂と相溶性がありかつ重量平均分子量３
万以上の高分子量樹脂を加えることで、タック性を低減
することができる。
合体とエポキシ樹脂系接着剤において、室温付近での弾
性率が低いことを特徴としている。エポキシ基含有アク
リル系共重合体は、室温付近での弾性率が低いため、エ
ポキシ基含有アクリル系共重合体の混合比を大きくする
ことで、半導体チップとプリント配線板の熱膨張係数の
差に起因して、リフロー時の加熱冷却過程で発生する応
力を緩和する効果によりクラックを抑制することができ
る。また、エポキシ基含有アクリル系共重合体はエポキ
シ樹脂との反応性に優れるため、接着剤硬化物が化学
的、物理的に安定するためＰＣＴ処理に代表される耐湿
性試験に優れた性能を示す。また、下記の方法により、
従来の接着フィルムの強度の低下、可撓性の低下、タッ
ク性の増大等取り扱い性の点での問題を解決した。 １）本発明で規定したエポキシ基含有アクリル系共重合
体を使用することにより、リフロー時のクラック発生を
抑制できる。 ２）分子量の大きいアクリル系共重合体を使用すること
で共重合体の添加量が少ない場合でも、接着フィルムの
フィルム強度、可撓性を確保できる。 ３）エポキシ樹脂と相溶性がありかつ重量平均分子量３
万以上の高分子量樹脂を加えることで、タック性を低減
することができる。
【００８８】さらに、本発明の接着剤では、エポキシ樹
脂と高分子量樹脂とが相溶性が良く均一になっており、
アクリル系共重合体に含まれるエポキシ基がそれらと部
分的に反応し、未反応のエポキシ樹脂を含んで全体が架
橋してゲル化するために、それが流動性を抑制し、エポ
キシ樹脂等を多く含む場合においても取扱い性を損なう
ことがない。また、未反応のエポキシ樹脂がゲル中に多
数残存しているため、圧力がかかった場合、ゲル中より
未反応成分がしみだすため、全体がゲル化した場合で
も、接着性の低下が少なくなる。
脂と高分子量樹脂とが相溶性が良く均一になっており、
アクリル系共重合体に含まれるエポキシ基がそれらと部
分的に反応し、未反応のエポキシ樹脂を含んで全体が架
橋してゲル化するために、それが流動性を抑制し、エポ
キシ樹脂等を多く含む場合においても取扱い性を損なう
ことがない。また、未反応のエポキシ樹脂がゲル中に多
数残存しているため、圧力がかかった場合、ゲル中より
未反応成分がしみだすため、全体がゲル化した場合で
も、接着性の低下が少なくなる。
【００８９】接着剤の乾燥時には、エポキシ基含有アク
リル系共重合体に含まれるエポキシ基やエポキシ樹脂が
ともに反応するが、エポキシ基含有アクリル系共重合体
は分子量が大きく、１分子鎖中にエポキシ基が多く含ま
れるため、反応が若干進んだ場合でもゲル化する。通
常、ＤＳＣを用いて測定した場合の全硬化発熱量の１０
から４０％の発熱を終えた状態、すなわちＡまたはＢス
テージ前半の段階でゲル化がおこる。そのため、エポキ
シ樹脂等の未反応成分を多く含んだ状態でゲル化してお
り、溶融粘度がゲル化していない場合に比べて、大幅に
増大しており、取扱い性を損なうことがない。また圧力
がかかった場合、ゲル中より未反応成分がしみだすた
め、ゲル化した場合でも、接着性の低下が少ない。さら
に、接着剤がエポキシ樹脂等の未反応成分を多く含んだ
状態でフィルム化できるため、接着フィルムのライフ
（有効使用期間）が長くなるという利点がある。
リル系共重合体に含まれるエポキシ基やエポキシ樹脂が
ともに反応するが、エポキシ基含有アクリル系共重合体
は分子量が大きく、１分子鎖中にエポキシ基が多く含ま
れるため、反応が若干進んだ場合でもゲル化する。通
常、ＤＳＣを用いて測定した場合の全硬化発熱量の１０
から４０％の発熱を終えた状態、すなわちＡまたはＢス
テージ前半の段階でゲル化がおこる。そのため、エポキ
シ樹脂等の未反応成分を多く含んだ状態でゲル化してお
り、溶融粘度がゲル化していない場合に比べて、大幅に
増大しており、取扱い性を損なうことがない。また圧力
がかかった場合、ゲル中より未反応成分がしみだすた
め、ゲル化した場合でも、接着性の低下が少ない。さら
に、接着剤がエポキシ樹脂等の未反応成分を多く含んだ
状態でフィルム化できるため、接着フィルムのライフ
（有効使用期間）が長くなるという利点がある。
【００９０】従来のエポキシ樹脂系接着剤ではＢステー
ジの後半から、Ｃステージ状態で初めてゲル化が起こ
り、ゲル化が起こった段階でのエポキシ樹脂等の未反応
成分が少ないため、流動性が低く、圧力がかかった場合
でも、ゲル中よりしみだす未反応成分が少ないため、接
着性が低下する。
ジの後半から、Ｃステージ状態で初めてゲル化が起こ
り、ゲル化が起こった段階でのエポキシ樹脂等の未反応
成分が少ないため、流動性が低く、圧力がかかった場合
でも、ゲル中よりしみだす未反応成分が少ないため、接
着性が低下する。
【００９１】なお、アクリル系共重合体に含まれるエポ
キシ基と低分子量のエポキシ樹脂のエポキシ基の反応し
やすさについては明らかではないが、少なくとも同程度
の反応性を有していればよく、アクリル系共重合体に含
まれるエポキシ基のみが選択的に反応するものである必
要はない。
キシ基と低分子量のエポキシ樹脂のエポキシ基の反応し
やすさについては明らかではないが、少なくとも同程度
の反応性を有していればよく、アクリル系共重合体に含
まれるエポキシ基のみが選択的に反応するものである必
要はない。
【００９２】なおこの場合、Ａ、Ｂ、Ｃステージは、接
着剤の硬化の程度を示す。Ａステージはほぼ未硬化でゲ
ル化していない状態であり、ＤＳＣを用いて測定した場
合の全硬化発熱量の０〜２０％の発熱を終えた状態であ
る。Ｂステージは若干硬化、ゲル化が進んだ状態であり
全硬化発熱量の２０〜６０％の発熱を終えた状態であ
る。Ｃステージはかなり硬化が進み、ゲル化した状態で
あり、全硬化発熱量の６０〜１００％の発熱を終えた状
態である。
着剤の硬化の程度を示す。Ａステージはほぼ未硬化でゲ
ル化していない状態であり、ＤＳＣを用いて測定した場
合の全硬化発熱量の０〜２０％の発熱を終えた状態であ
る。Ｂステージは若干硬化、ゲル化が進んだ状態であり
全硬化発熱量の２０〜６０％の発熱を終えた状態であ
る。Ｃステージはかなり硬化が進み、ゲル化した状態で
あり、全硬化発熱量の６０〜１００％の発熱を終えた状
態である。
【００９３】ゲル化の判定については、ＴＨＦ（テトラ
ヒドロフラン）等の浸透性の大きい溶剤中に接着剤を浸
し、２５℃で２０時間放置した後、接着剤が完全に溶解
しないで膨潤した状態にあるものをゲル化したと判定し
た。なお、実験的には、以下のように判定した。
ヒドロフラン）等の浸透性の大きい溶剤中に接着剤を浸
し、２５℃で２０時間放置した後、接着剤が完全に溶解
しないで膨潤した状態にあるものをゲル化したと判定し
た。なお、実験的には、以下のように判定した。
【００９４】ＴＨＦ中に接着剤（重量Ｗ１）を浸し、２
５℃で２０時間放置した後、非溶解分を２００メッシュ
のナイロン布で濾過し、これを乾燥した後の重量を測定
（重量Ｗ２）した。ＴＨＦ抽出率（％）をつぎの数式
（２）のように算出した。ＴＨＦ抽出率が８０重量％を
越えるものをゲル化していないとし、８０重量％以下の
ものをゲル化していると判定した。
５℃で２０時間放置した後、非溶解分を２００メッシュ
のナイロン布で濾過し、これを乾燥した後の重量を測定
（重量Ｗ２）した。ＴＨＦ抽出率（％）をつぎの数式
（２）のように算出した。ＴＨＦ抽出率が８０重量％を
越えるものをゲル化していないとし、８０重量％以下の
ものをゲル化していると判定した。
【００９５】本発明では、フィラーを添加することによ
り、溶融粘度が大きくでき、さらにチクソトロピック性
を発現できるために、上記効果をさらに大きくすること
が可能となる。
り、溶融粘度が大きくでき、さらにチクソトロピック性
を発現できるために、上記効果をさらに大きくすること
が可能となる。
【００９６】さらに、上記の効果に加えて、接着剤の放
熱性向上、接着剤に難燃性を付与、接着時の温度におい
て適正な粘度をもたせること、表面硬度の向上等の特性
も付与できる。本発明の接着フィルムを用いて半導体チ
ップと配線板を接着させた半導体装置は、耐リフロー
性、温度サイクルテスト、耐電食性、耐湿性（耐ＰＣＴ
性）等に優れていた。
熱性向上、接着剤に難燃性を付与、接着時の温度におい
て適正な粘度をもたせること、表面硬度の向上等の特性
も付与できる。本発明の接着フィルムを用いて半導体チ
ップと配線板を接着させた半導体装置は、耐リフロー
性、温度サイクルテスト、耐電食性、耐湿性（耐ＰＣＴ
性）等に優れていた。
【００９７】本発明でコア材に用いられる耐熱性熱可塑
性フィルムは、ガラス転移温度Ｔｇが２００℃以上のポ
リマまたは液晶ポリマを用いたフィルムであることが好
ましく、ポリイミド、ポリエーテルスルホン、ポリアミ
ドイミド、ポリエーテルイミドまたは全芳香族ポリエス
テルなどが好適に用いられる。フィルムの厚みは、５〜
２００μｍの範囲内で用いるのが好ましいが、限定する
ものではない。Ｔｇが２００℃以下の熱可塑性フィルム
をコア材に用いた場合は、はんだリフロー時などの高温
時に塑性変形を起こす場合があり、好ましくない。
性フィルムは、ガラス転移温度Ｔｇが２００℃以上のポ
リマまたは液晶ポリマを用いたフィルムであることが好
ましく、ポリイミド、ポリエーテルスルホン、ポリアミ
ドイミド、ポリエーテルイミドまたは全芳香族ポリエス
テルなどが好適に用いられる。フィルムの厚みは、５〜
２００μｍの範囲内で用いるのが好ましいが、限定する
ものではない。Ｔｇが２００℃以下の熱可塑性フィルム
をコア材に用いた場合は、はんだリフロー時などの高温
時に塑性変形を起こす場合があり、好ましくない。
【００９８】本発明でコア材の両面に形成される接着剤
は、接着剤の各成分を溶剤に溶解ないし分散してワニス
とし、コア材となる耐熱性熱可塑性フィルム上に塗布、
加熱し溶剤を除去することにより作製することができ、
接着剤層をコア材となる耐熱性熱可塑性フィルム上に形
成することにより三層構造の両面接着フィルムを得るこ
とができる。接着剤の厚みは、２〜１５０μｍの範囲で
用いられ、これより薄いと接着性や熱応力緩衝効果に乏
しく、厚いと経済的でなくなるが、制限するものでな
い。
は、接着剤の各成分を溶剤に溶解ないし分散してワニス
とし、コア材となる耐熱性熱可塑性フィルム上に塗布、
加熱し溶剤を除去することにより作製することができ、
接着剤層をコア材となる耐熱性熱可塑性フィルム上に形
成することにより三層構造の両面接着フィルムを得るこ
とができる。接着剤の厚みは、２〜１５０μｍの範囲で
用いられ、これより薄いと接着性や熱応力緩衝効果に乏
しく、厚いと経済的でなくなるが、制限するものでな
い。
【００９９】また、接着剤の各成分を溶剤に溶解ないし
分散してワニスとし、このワニスをベースフィルム上に
塗布、加熱し溶剤を除去することにより接着剤成分のみ
からなる接着フィルムを作製し、この接着剤成分のみか
らなる接着フィルムをコア材となる耐熱性熱可塑性フィ
ルムの両面に貼り合わせることにより三層構造の両面接
着フィルムを得ることもできる。ここで、接着剤成分の
みからなる接着フィルムを作製するためのベースフィル
ムとしては、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポ
リエチレンテレフタレートフィルム、離型処理したポリ
エチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィル
ム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィ
ルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム
が使用できる。プラスチックフィルムとしては、例え
ば、カプトン（東レ、デュポン株式会社製商品名）、ア
ピカル（鐘淵化学工業株式会社製商品名）等のポリイミ
ドフィルム、ルミラー（東レ、デュポン株式会社製商品
名）、ピューレックス（帝人株式会社製商品名）等のポ
リエチレンテレフタレートフィルムなどを使用すること
ができる。
分散してワニスとし、このワニスをベースフィルム上に
塗布、加熱し溶剤を除去することにより接着剤成分のみ
からなる接着フィルムを作製し、この接着剤成分のみか
らなる接着フィルムをコア材となる耐熱性熱可塑性フィ
ルムの両面に貼り合わせることにより三層構造の両面接
着フィルムを得ることもできる。ここで、接着剤成分の
みからなる接着フィルムを作製するためのベースフィル
ムとしては、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポ
リエチレンテレフタレートフィルム、離型処理したポリ
エチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィル
ム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィ
ルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム
が使用できる。プラスチックフィルムとしては、例え
ば、カプトン（東レ、デュポン株式会社製商品名）、ア
ピカル（鐘淵化学工業株式会社製商品名）等のポリイミ
ドフィルム、ルミラー（東レ、デュポン株式会社製商品
名）、ピューレックス（帝人株式会社製商品名）等のポ
リエチレンテレフタレートフィルムなどを使用すること
ができる。
【０１００】ワニス化の溶剤は、比較的低沸点の、メチ
ルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、
２−エトキシエタノール、トルエン、ブチルセルソル
ブ、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノール
などを用いるのが好ましい。また、塗膜性を向上するな
どの目的で、高沸点溶剤を加えても良い。高沸点溶剤と
しては、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミ
ド、メチルピロリドン、シクロヘキサノンなどが挙げら
れる。
ルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、
２−エトキシエタノール、トルエン、ブチルセルソル
ブ、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノール
などを用いるのが好ましい。また、塗膜性を向上するな
どの目的で、高沸点溶剤を加えても良い。高沸点溶剤と
しては、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミ
ド、メチルピロリドン、シクロヘキサノンなどが挙げら
れる。
【０１０１】ワニスの製造は、無機フィラーの分散を考
慮した場合には、らいかい機、３本ロール及びビーズミ
ル等により、またこれらを組み合わせて行なうことがで
きる。フィラーと低分子量物をあらかじめ混合した後、
高分子量物を配合することにより、混合に要する時間を
短縮することも可能となる。また、ワニスとした後、真
空脱気によりワニス中の気泡を除去することが好まし
い。
慮した場合には、らいかい機、３本ロール及びビーズミ
ル等により、またこれらを組み合わせて行なうことがで
きる。フィラーと低分子量物をあらかじめ混合した後、
高分子量物を配合することにより、混合に要する時間を
短縮することも可能となる。また、ワニスとした後、真
空脱気によりワニス中の気泡を除去することが好まし
い。
【０１０２】上記接着剤は、コア材となる耐熱性熱可塑
性フィルムまたはプラスチックフィルム等のベースフィ
ルム上に接着剤ワニスを塗布し、加熱乾燥して溶剤を除
去することにより得られるが、これにより得られる接着
剤は、ＤＳＣを用いて測定した全硬化発熱量の１０〜４
０％の発熱を終えた状態とするのが好ましい。溶剤を除
去する際に加熱するが、この時、接着剤組成物の硬化反
応が進行しゲル化してくる。その際の硬化状態が接着剤
の流動性に影響し、接着性や取扱い性を適正化する。Ｄ
ＳＣ（示差走査熱分析）は、測定温度範囲内で、発熱、
吸熱の無い標準試料との温度差をたえず打ち消すように
熱量を供給または除去するゼロ位法を測定原理とするも
のであり、測定装置が市販されておりそれを用いて測定
できる。樹脂組成物の反応は、発熱反応であり、一定の
昇温速度で試料を昇温していくと、試料が反応し熱量が
発生する。その発熱量をチャートに出力し、ベースライ
ンを基準として発熱曲線とベースラインで囲まれた面積
を求め、これを発熱量とする。室温から２５０℃まで５
〜１０℃／分の昇温速度で測定し、上記した発熱量を求
める。これらは、全自動で行なうものもあり、それを使
用すると容易に行なうことができる。
性フィルムまたはプラスチックフィルム等のベースフィ
ルム上に接着剤ワニスを塗布し、加熱乾燥して溶剤を除
去することにより得られるが、これにより得られる接着
剤は、ＤＳＣを用いて測定した全硬化発熱量の１０〜４
０％の発熱を終えた状態とするのが好ましい。溶剤を除
去する際に加熱するが、この時、接着剤組成物の硬化反
応が進行しゲル化してくる。その際の硬化状態が接着剤
の流動性に影響し、接着性や取扱い性を適正化する。Ｄ
ＳＣ（示差走査熱分析）は、測定温度範囲内で、発熱、
吸熱の無い標準試料との温度差をたえず打ち消すように
熱量を供給または除去するゼロ位法を測定原理とするも
のであり、測定装置が市販されておりそれを用いて測定
できる。樹脂組成物の反応は、発熱反応であり、一定の
昇温速度で試料を昇温していくと、試料が反応し熱量が
発生する。その発熱量をチャートに出力し、ベースライ
ンを基準として発熱曲線とベースラインで囲まれた面積
を求め、これを発熱量とする。室温から２５０℃まで５
〜１０℃／分の昇温速度で測定し、上記した発熱量を求
める。これらは、全自動で行なうものもあり、それを使
用すると容易に行なうことができる。
【０１０３】上記コア材となる耐熱性熱可塑性フィルム
またはベースフィルムに塗布し、乾燥して得た接着剤の
発熱量は、つぎのようにして求める。まず、接着剤成分
のみを取り出し、２５℃で真空乾燥器を用いて溶剤を乾
燥させた未硬化試料の全発熱量を測定し、これをＡ（Ｊ
／ｇ）とする。つぎに、塗工、乾燥した試料の発熱量を
測定し、これをＢとする。試料の硬化度Ｃ（％）（加
熱、乾燥により発熱を終えた状態）は、つぎの数式
（１）で与えられる。
またはベースフィルムに塗布し、乾燥して得た接着剤の
発熱量は、つぎのようにして求める。まず、接着剤成分
のみを取り出し、２５℃で真空乾燥器を用いて溶剤を乾
燥させた未硬化試料の全発熱量を測定し、これをＡ（Ｊ
／ｇ）とする。つぎに、塗工、乾燥した試料の発熱量を
測定し、これをＢとする。試料の硬化度Ｃ（％）（加
熱、乾燥により発熱を終えた状態）は、つぎの数式
（１）で与えられる。
【０１０４】
Ｃ（％）＝（Ａ−Ｂ）×１００／Ａ …（１）
本発明の接着剤成分の動的粘弾性測定装置で測定した貯
蔵弾性率は、２５℃で２０〜２，０００ＭＰａで、２６
０℃で３〜５０ＭＰａという低弾性率であることが好ま
しい。貯蔵弾性率の測定は、接着剤硬化物に引張り荷重
をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度５〜１０℃／分で
−５０℃から３００℃まで測定する温度依存性測定モー
ドで行った。２５℃での貯蔵弾性率が２，０００ＭＰａ
を超えるものでは、半導体チップとプリント配線板の熱
膨張係数の差によってリフロー時に発生する応力を緩和
させる効果が小さくなるためクラックを発生させてしま
う。一方、貯蔵弾性率が２０ＭＰａ未満では、取扱性が
悪くなる。
蔵弾性率は、２５℃で２０〜２，０００ＭＰａで、２６
０℃で３〜５０ＭＰａという低弾性率であることが好ま
しい。貯蔵弾性率の測定は、接着剤硬化物に引張り荷重
をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度５〜１０℃／分で
−５０℃から３００℃まで測定する温度依存性測定モー
ドで行った。２５℃での貯蔵弾性率が２，０００ＭＰａ
を超えるものでは、半導体チップとプリント配線板の熱
膨張係数の差によってリフロー時に発生する応力を緩和
させる効果が小さくなるためクラックを発生させてしま
う。一方、貯蔵弾性率が２０ＭＰａ未満では、取扱性が
悪くなる。
【０１０５】本発明では、コア材に耐熱性熱可塑性フィ
ルムを用いる三層構造をとることで、エポキシ基含有ア
クリル系共重合体とエポキシ樹脂系接着剤において、室
温付近での弾性率が低いことに起因する接着フィルムの
取り扱い性を容易にすることを特徴としている。すなわ
ち、本発明の三層構造により、室温付近での剛性のない
接着フィルムの位置合せ等の作業を容易に自動化するこ
とができ、しかも、本接着剤系の優れた熱応力緩和効果
を発現することができる。本発明では、下記の方法によ
り、従来の低弾性率接着フィルムの剛性の低下等による
取り扱い性の点での問題を解決した。 １）コア材に耐熱性熱可塑性フィルムを配した三層構造
をとることで低弾性率の接着剤をフィルム状で容易に取
り扱うことができる。 ２）本発明で規定したコア材となる耐熱性熱可塑性フィ
ルムを用いることにより、リフロー時の接着フィルムの
塑性変形を抑制できる。
ルムを用いる三層構造をとることで、エポキシ基含有ア
クリル系共重合体とエポキシ樹脂系接着剤において、室
温付近での弾性率が低いことに起因する接着フィルムの
取り扱い性を容易にすることを特徴としている。すなわ
ち、本発明の三層構造により、室温付近での剛性のない
接着フィルムの位置合せ等の作業を容易に自動化するこ
とができ、しかも、本接着剤系の優れた熱応力緩和効果
を発現することができる。本発明では、下記の方法によ
り、従来の低弾性率接着フィルムの剛性の低下等による
取り扱い性の点での問題を解決した。 １）コア材に耐熱性熱可塑性フィルムを配した三層構造
をとることで低弾性率の接着剤をフィルム状で容易に取
り扱うことができる。 ２）本発明で規定したコア材となる耐熱性熱可塑性フィ
ルムを用いることにより、リフロー時の接着フィルムの
塑性変形を抑制できる。
【０１０６】さらに、本発明では、エポキシ樹脂と高分
子量樹脂とが相溶性が良く均一になっており、アクリル
系共重合体に含まれるエポキシ基がそれらと部分的に反
応し、未反応のエポキシ樹脂を含んで全体が架橋してゲ
ル化するために、それが流動性を抑制し、エポキシ樹脂
等を多く含む場合においても取扱い性を損なうことがな
い。また、未反応のエポキシ樹脂がゲル中に多数残存し
ているため、圧力がかかった場合、ゲル中より未反応成
分がしみだすため、全体がゲル化した場合でも、接着性
の低下が少なくなる。
子量樹脂とが相溶性が良く均一になっており、アクリル
系共重合体に含まれるエポキシ基がそれらと部分的に反
応し、未反応のエポキシ樹脂を含んで全体が架橋してゲ
ル化するために、それが流動性を抑制し、エポキシ樹脂
等を多く含む場合においても取扱い性を損なうことがな
い。また、未反応のエポキシ樹脂がゲル中に多数残存し
ているため、圧力がかかった場合、ゲル中より未反応成
分がしみだすため、全体がゲル化した場合でも、接着性
の低下が少なくなる。
【０１０７】接着剤の乾燥時には、エポキシ基含有アク
リル系共重合体に含まれるエポキシ基やエポキシ樹脂が
ともに反応するが、エポキシ基含有アクリル系共重合体
は分子量が大きく、１分子鎖中にエポキシ基が多く含ま
れるため、反応が若干進んだ場合でもゲル化する。通
常、ＤＳＣを用いて測定した場合の全硬化発熱量の１０
から４０％の発熱を終えた状態、すなわちＡまたはＢス
テージ前半の段階でゲル化がおこる。そのため、エポキ
シ樹脂等の未反応成分を多く含んだ状態でゲル化してお
り、溶融粘度がゲル化していない場合に比べて、大幅に
増大しており、取扱い性を損なうことがない。また圧力
がかかった場合、ゲル中より未反応成分がしみだすた
め、ゲル化した場合でも、接着性の低下が少ない。さら
に、接着剤がエポキシ樹脂等の未反応成分を多く含んだ
状態でフィルム化できるため、接着フィルムのライフ
（有効使用期間）が長くなるという利点がある。
リル系共重合体に含まれるエポキシ基やエポキシ樹脂が
ともに反応するが、エポキシ基含有アクリル系共重合体
は分子量が大きく、１分子鎖中にエポキシ基が多く含ま
れるため、反応が若干進んだ場合でもゲル化する。通
常、ＤＳＣを用いて測定した場合の全硬化発熱量の１０
から４０％の発熱を終えた状態、すなわちＡまたはＢス
テージ前半の段階でゲル化がおこる。そのため、エポキ
シ樹脂等の未反応成分を多く含んだ状態でゲル化してお
り、溶融粘度がゲル化していない場合に比べて、大幅に
増大しており、取扱い性を損なうことがない。また圧力
がかかった場合、ゲル中より未反応成分がしみだすた
め、ゲル化した場合でも、接着性の低下が少ない。さら
に、接着剤がエポキシ樹脂等の未反応成分を多く含んだ
状態でフィルム化できるため、接着フィルムのライフ
（有効使用期間）が長くなるという利点がある。
【０１０８】従来のエポキシ樹脂系接着剤ではＢステー
ジの後半から、Ｃステージ状態で初めてゲル化が起こ
り、ゲル化が起こった段階でのエポキシ樹脂等の未反応
成分が少ないため、流動性が低く、圧力がかかった場合
でも、ゲル中よりしみだす未反応成分が少ないため、接
着性が低下する。
ジの後半から、Ｃステージ状態で初めてゲル化が起こ
り、ゲル化が起こった段階でのエポキシ樹脂等の未反応
成分が少ないため、流動性が低く、圧力がかかった場合
でも、ゲル中よりしみだす未反応成分が少ないため、接
着性が低下する。
【０１０９】なお、アクリル系共重合体に含まれるエポ
キシ基と低分子量のエポキシ樹脂のエポキシ基の反応し
やすさについては明らかではないが、少なくとも同程度
の反応性を有していればよく、アクリル系共重合体に含
まれるエポキシ基のみが選択的に反応するものである必
要はない。
キシ基と低分子量のエポキシ樹脂のエポキシ基の反応し
やすさについては明らかではないが、少なくとも同程度
の反応性を有していればよく、アクリル系共重合体に含
まれるエポキシ基のみが選択的に反応するものである必
要はない。
【０１１０】なおこの場合、Ａ、Ｂ、Ｃステージは、接
着剤の硬化の程度を示す。Ａステージはほぼ未硬化でゲ
ル化していない状態であり、ＤＳＣを用いて測定した場
合の全硬化発熱量の０〜２０％の発熱を終えた状態であ
る。Ｂステージは若干硬化、ゲル化が進んだ状態であり
全硬化発熱量の２０〜６０％の発熱を終えた状態であ
る。Ｃステージはかなり硬化が進み、ゲル化した状態で
あり、全硬化発熱量の６０〜１００％の発熱を終えた状
態である。
着剤の硬化の程度を示す。Ａステージはほぼ未硬化でゲ
ル化していない状態であり、ＤＳＣを用いて測定した場
合の全硬化発熱量の０〜２０％の発熱を終えた状態であ
る。Ｂステージは若干硬化、ゲル化が進んだ状態であり
全硬化発熱量の２０〜６０％の発熱を終えた状態であ
る。Ｃステージはかなり硬化が進み、ゲル化した状態で
あり、全硬化発熱量の６０〜１００％の発熱を終えた状
態である。
【０１１１】ゲル化の判定については、ＴＨＦ（テトラ
ヒドロフラン）等の浸透性の大きい溶剤中に接着剤を浸
し、２５℃で２０時間放置した後、接着剤が完全に溶解
しないで膨潤した状態にあるものをゲル化したと判定し
た。なお、実験的には、以下のように判定した。
ヒドロフラン）等の浸透性の大きい溶剤中に接着剤を浸
し、２５℃で２０時間放置した後、接着剤が完全に溶解
しないで膨潤した状態にあるものをゲル化したと判定し
た。なお、実験的には、以下のように判定した。
【０１１２】ＴＨＦ中に接着剤（重量Ｗ１）を浸し、２
５℃で２０時間放置した後、非溶解分を２００メッシュ
のナイロン布で濾過し、これを乾燥した後の重量を測定
（重量Ｗ２）した。ＴＨＦ抽出率（％）をつぎの数式
（２）のように算出した。ＴＨＦ抽出率が８０重量％を
越えるものをゲル化していないとし、８０重量％以下の
ものをゲル化していると判定した。
５℃で２０時間放置した後、非溶解分を２００メッシュ
のナイロン布で濾過し、これを乾燥した後の重量を測定
（重量Ｗ２）した。ＴＨＦ抽出率（％）をつぎの数式
（２）のように算出した。ＴＨＦ抽出率が８０重量％を
越えるものをゲル化していないとし、８０重量％以下の
ものをゲル化していると判定した。
【０１１３】本発明では、フィラーを添加することによ
り、溶融粘度が大きくでき、さらにチクソトロピック性
を発現できるために、上記効果をさらに大きくすること
が可能となる。
り、溶融粘度が大きくでき、さらにチクソトロピック性
を発現できるために、上記効果をさらに大きくすること
が可能となる。
【０１１４】さらに、上記の効果に加えて、接着剤の放
熱性向上、接着剤に難燃性の付与、接着時の温度におい
て適正な粘度をもたせること、表面硬度の向上等の特性
も付与できる。 （ 図面の簡単な説明）図１（ａ）は本発明による単層
の熱硬化性接着フィルムの断面図、図１（ｂ）は本発明
による３層接着フィルムの断面図である。
熱性向上、接着剤に難燃性の付与、接着時の温度におい
て適正な粘度をもたせること、表面硬度の向上等の特性
も付与できる。 （ 図面の簡単な説明）図１（ａ）は本発明による単層
の熱硬化性接着フィルムの断面図、図１（ｂ）は本発明
による３層接着フィルムの断面図である。
【０１１５】図２は、接着部材を有機配線基板に熱圧着
した半導体搭載用基板の断面図である。
した半導体搭載用基板の断面図である。
【０１１６】図３は、接着部材を有機配線基板に熱圧着
した半導体搭載用基板の断面図である。
した半導体搭載用基板の断面図である。
【０１１７】図４は、本発明の半導体装置の断面図であ
る。
る。
【０１１８】図５は、本発明の半導体装置の他の例の断
面図である。
面図である。
【０１１９】図６は、半導体搭載用基板および半導体装
置の一実施例の製造工程を示す断面図である。
置の一実施例の製造工程を示す断面図である。
【０１２０】図７は、半導体搭載用基板および半導体装
置の他の実施例の製造工程を示す断面図である。
置の他の実施例の製造工程を示す断面図である。
【０１２１】図８は、本発明の半導体装置の他の例の断
面図である。（ 発明を実施するための最良の形態） 以下、図面に基づき本発明の各種実施例について説明す
る。 ＜実施例１＞図１（ａ）は単層の熱硬化性接着フィルム
の断面図であり、動的粘弾性装置で測定されるその硬化
物の２５℃における弾性率が１０から２０００ＭＰａの
範囲であり、かつ２６０℃における弾性率が３から５０
ＭＰａの範囲で規定され、ＤＳＣ（示差熱量計）を用い
て測定した場合の全硬化発熱量の１０〜４０％の発熱を
終えた半硬化状態の熱硬化性接着剤１からなる。熱硬化
性接着フイルム内に残存する溶媒量を２％以下に乾燥さ
れたエポキシ基含有アクリル共重合体フィルムを用い
た。
面図である。（ 発明を実施するための最良の形態） 以下、図面に基づき本発明の各種実施例について説明す
る。 ＜実施例１＞図１（ａ）は単層の熱硬化性接着フィルム
の断面図であり、動的粘弾性装置で測定されるその硬化
物の２５℃における弾性率が１０から２０００ＭＰａの
範囲であり、かつ２６０℃における弾性率が３から５０
ＭＰａの範囲で規定され、ＤＳＣ（示差熱量計）を用い
て測定した場合の全硬化発熱量の１０〜４０％の発熱を
終えた半硬化状態の熱硬化性接着剤１からなる。熱硬化
性接着フイルム内に残存する溶媒量を２％以下に乾燥さ
れたエポキシ基含有アクリル共重合体フィルムを用い
た。
【０１２２】図１（ｂ）は熱硬化性接着剤１をポリイミ
ドフィルム２の両面に塗工された３層の接着フィルムの
断面図を示す。この例ではポリイミドフィルムとして宇
部興産製の５０μｍ厚のユーピレックス（商品名）を用
いた。
ドフィルム２の両面に塗工された３層の接着フィルムの
断面図を示す。この例ではポリイミドフィルムとして宇
部興産製の５０μｍ厚のユーピレックス（商品名）を用
いた。
【０１２３】図２はワイヤボンディング方式で半導体端
子部と配線基板側端子部とを接続するのに好適な、接着
部材３を有機配線基板４に熱圧着した半導体搭載用基板
の断面図、図３はＴＡＢのインナーボンディング方式で
半導体端子部と配線板側端子部と接続するのに好適な、
接着部材３をテープ状配線基板５に熱圧着した半導体搭
載用基板の断面図である。図４は図２の半導体搭載用基
板にチップ６をフェイスアップで接着し、半導体端子部
と配線板側端子部とがワイヤ７によりワイヤボンディン
グされ、封止材で封止されてなる半導体装置の断面図、
図５は図３の半導体搭載用基板にチップ６をフェイスダ
ウンで接着したのちＴＡＢのインナーボンディング方式
で半導体端子部と基板側端子部とが接続され、チップ６
端面が液状封止材８で封止されてなる半導体装置の断面
図である。なお、図８に示すように、配線９を基板の半
導体チップ搭載側とは反対側に形成してもよい。この場
合、外部接続端子１２は、半導体チップ搭載側とは反対
の側に形成された配線９の表面に形成される。また、配
線９の露出部分は、レジスト１１により覆われる。
子部と配線基板側端子部とを接続するのに好適な、接着
部材３を有機配線基板４に熱圧着した半導体搭載用基板
の断面図、図３はＴＡＢのインナーボンディング方式で
半導体端子部と配線板側端子部と接続するのに好適な、
接着部材３をテープ状配線基板５に熱圧着した半導体搭
載用基板の断面図である。図４は図２の半導体搭載用基
板にチップ６をフェイスアップで接着し、半導体端子部
と配線板側端子部とがワイヤ７によりワイヤボンディン
グされ、封止材で封止されてなる半導体装置の断面図、
図５は図３の半導体搭載用基板にチップ６をフェイスダ
ウンで接着したのちＴＡＢのインナーボンディング方式
で半導体端子部と基板側端子部とが接続され、チップ６
端面が液状封止材８で封止されてなる半導体装置の断面
図である。なお、図８に示すように、配線９を基板の半
導体チップ搭載側とは反対側に形成してもよい。この場
合、外部接続端子１２は、半導体チップ搭載側とは反対
の側に形成された配線９の表面に形成される。また、配
線９の露出部分は、レジスト１１により覆われる。
【０１２４】図６に半導体搭載用基板および半導体装置
の製造工程を示す。
の製造工程を示す。
【０１２５】動的粘弾性装置で測定されるその硬化物の
２５℃における弾性率が１０から２０００ＭＰａの範囲
であり、かつ２６０℃における弾性率が３から５０ＭＰ
ａの範囲で規定され、ＤＳＣを用いて測定した場合の全
硬化発熱量の１０〜４０％の発熱を終えた半硬化状態の
熱硬化性接着剤１で構成される熱硬化性接着テープ（接
着部材）３を所定の大きさに切断プレスで切断する（図
６（ａ））。
２５℃における弾性率が１０から２０００ＭＰａの範囲
であり、かつ２６０℃における弾性率が３から５０ＭＰ
ａの範囲で規定され、ＤＳＣを用いて測定した場合の全
硬化発熱量の１０〜４０％の発熱を終えた半硬化状態の
熱硬化性接着剤１で構成される熱硬化性接着テープ（接
着部材）３を所定の大きさに切断プレスで切断する（図
６（ａ））。
【０１２６】切断された熱硬化性接着テープ３を、１層
のＣｕ配線が施され、外部はんだ端子用スルーホールが
形成されたポリイミドフィルム基板（有機配線基板）４
上面に精密に位置合わせした後、熱プレスにて熱圧着し
半導体搭載用基板を得る（図６（ｂ））。
のＣｕ配線が施され、外部はんだ端子用スルーホールが
形成されたポリイミドフィルム基板（有機配線基板）４
上面に精密に位置合わせした後、熱プレスにて熱圧着し
半導体搭載用基板を得る（図６（ｂ））。
【０１２７】この例では、熱硬化性接着フィルムの切
断、およびポリイミドフィルム基板への精密位置決め搭
載及び仮固定は個々に行い、その後、搭載した熱硬化性
接着フィルムを一括して熱プレスにて本圧着して７連の
フレーム状半導体搭載用基板を得た。さらにこの例で
は、熱硬化性接着フィルム３を切断する工程の前に、帯
電した空気を吹き付けるエリミノスタット（静電気除
去）工程を実施し、帯電した絶縁性のフィルムが切断工
程時に治具に貼り付くことを防止した。また、さらに仮
接着ならびに一括して本接着をする際の熱硬化性接着フ
ィルム３に接触する熱プレスの上型にはテフロンないし
はシリコンの離型表面処理を施し、熱硬化性フィルムが
上型に粘着することを防止した。こうして得られた多連
半導体搭載用フレーム基板に半導体チップ６をフェイス
アップにて精密位置決め搭載し、熱プレスにて加圧し接
着するチップマウント工程を経る。この例では半導体チ
ップ側の加熱温度を少なくとも半導体搭載用基板側より
高く設定し、両面から加熱・圧着した。
断、およびポリイミドフィルム基板への精密位置決め搭
載及び仮固定は個々に行い、その後、搭載した熱硬化性
接着フィルムを一括して熱プレスにて本圧着して７連の
フレーム状半導体搭載用基板を得た。さらにこの例で
は、熱硬化性接着フィルム３を切断する工程の前に、帯
電した空気を吹き付けるエリミノスタット（静電気除
去）工程を実施し、帯電した絶縁性のフィルムが切断工
程時に治具に貼り付くことを防止した。また、さらに仮
接着ならびに一括して本接着をする際の熱硬化性接着フ
ィルム３に接触する熱プレスの上型にはテフロンないし
はシリコンの離型表面処理を施し、熱硬化性フィルムが
上型に粘着することを防止した。こうして得られた多連
半導体搭載用フレーム基板に半導体チップ６をフェイス
アップにて精密位置決め搭載し、熱プレスにて加圧し接
着するチップマウント工程を経る。この例では半導体チ
ップ側の加熱温度を少なくとも半導体搭載用基板側より
高く設定し、両面から加熱・圧着した。
【０１２８】その後、半導体チップ側の端子部と基板側
端子部とを金線でワイヤボンディングするワイヤボンデ
ィング工程（図６（ｃ））、およびエポキシ系封止材に
てトランスファーモールド成形して封止する封止工程
（図６（ｄ））、そしてはんだボールを搭載しリフロー
工程をへて外部端子９を形成するはんだボール形成工程
をへて、本発明による半導体装置を得た（図６
（ｅ））。封止材８として日立化成製ビフェニル系エポ
キシ封止材ＣＥＬ−９２００（商品名）を用いた。 ＜比較例１＞１層のＣｕ配線が施され、外部はんだ端子
用スルーホールが形成されたポリイミドフィルム配線基
板（実施例１１で使用したのと同じ）上面に、エポキシ
樹脂を主成分とし、その硬化物のＤＭＡ（動的粘弾性測
定装置）で測定される２５℃の弾性率が３０００ＭＰａ
の絶縁性液状接着剤をダイボンド装置にて滴下・塗布
し、半導体チップを精密に位置決めし搭載した。その
後、クリーンオーブン内で所定の硬化時間を経たのち、
実施例１と同じワイヤボンディング工程、封止工程、及
びはんだボール形成工程をへて半導体装置を得た。＜比
較例２＞実施例１で使用したのと同じポリイミド配線基
板に、シリコン樹脂を主成分としその硬化物の２５℃の
弾性率が１０ＭＰａであり、かつ２６０℃における弾性
率が測定不可能なほど小さい絶縁性液状接着剤、をダイ
ボンド装置にて滴下・塗布し、半導体チップを搭載し、
その後、実施例１と同じ工程をへて半導体装置を得た。 ＜実施例２＞図７に半導体搭載用基板および半導体装置
の製造工程を示す。
端子部とを金線でワイヤボンディングするワイヤボンデ
ィング工程（図６（ｃ））、およびエポキシ系封止材に
てトランスファーモールド成形して封止する封止工程
（図６（ｄ））、そしてはんだボールを搭載しリフロー
工程をへて外部端子９を形成するはんだボール形成工程
をへて、本発明による半導体装置を得た（図６
（ｅ））。封止材８として日立化成製ビフェニル系エポ
キシ封止材ＣＥＬ−９２００（商品名）を用いた。 ＜比較例１＞１層のＣｕ配線が施され、外部はんだ端子
用スルーホールが形成されたポリイミドフィルム配線基
板（実施例１１で使用したのと同じ）上面に、エポキシ
樹脂を主成分とし、その硬化物のＤＭＡ（動的粘弾性測
定装置）で測定される２５℃の弾性率が３０００ＭＰａ
の絶縁性液状接着剤をダイボンド装置にて滴下・塗布
し、半導体チップを精密に位置決めし搭載した。その
後、クリーンオーブン内で所定の硬化時間を経たのち、
実施例１と同じワイヤボンディング工程、封止工程、及
びはんだボール形成工程をへて半導体装置を得た。＜比
較例２＞実施例１で使用したのと同じポリイミド配線基
板に、シリコン樹脂を主成分としその硬化物の２５℃の
弾性率が１０ＭＰａであり、かつ２６０℃における弾性
率が測定不可能なほど小さい絶縁性液状接着剤、をダイ
ボンド装置にて滴下・塗布し、半導体チップを搭載し、
その後、実施例１と同じ工程をへて半導体装置を得た。 ＜実施例２＞図７に半導体搭載用基板および半導体装置
の製造工程を示す。
【０１２９】動的粘弾性装置で測定されるその硬化物の
２５℃における弾性率が１０から２０００ＭＰａの範囲
であり、かつ２６０℃における弾性率が３から５０ＭＰ
ａの範囲で規定され、ＤＳＣを用いて測定した場合の全
硬化発熱量の１０〜４０％の発熱を終えた半硬化状態の
熱硬化性接着剤１で構成される熱硬化性接着テープ（接
着部材）３を所定の大きさに切断プレスで切断する（図
７（ａ））。
２５℃における弾性率が１０から２０００ＭＰａの範囲
であり、かつ２６０℃における弾性率が３から５０ＭＰ
ａの範囲で規定され、ＤＳＣを用いて測定した場合の全
硬化発熱量の１０〜４０％の発熱を終えた半硬化状態の
熱硬化性接着剤１で構成される熱硬化性接着テープ（接
着部材）３を所定の大きさに切断プレスで切断する（図
７（ａ））。
【０１３０】切断された熱硬化性接着テープ３を、１層
のＣｕ配線が施され、ＴＡＢテープ同様のインナーリー
ド部と外部はんだ端子用のスルーホールが形成されたポ
リイミドフィルム基板５の上面に精密に位置合わせした
後、熱プレスにて熱圧着して半導体搭載用基板を得た
（図７（ｂ））。
のＣｕ配線が施され、ＴＡＢテープ同様のインナーリー
ド部と外部はんだ端子用のスルーホールが形成されたポ
リイミドフィルム基板５の上面に精密に位置合わせした
後、熱プレスにて熱圧着して半導体搭載用基板を得た
（図７（ｂ））。
【０１３１】この例では、実施例１に記載された切断工
程前の静電気除去工程、および熱プレス上型面への離型
表面処理を施した同じ工程にて、多連半導体搭載用フレ
ーム基板を得た。
程前の静電気除去工程、および熱プレス上型面への離型
表面処理を施した同じ工程にて、多連半導体搭載用フレ
ーム基板を得た。
【０１３２】その後、半導体搭載用フレーム基板に半導
体チップ６をフェイスダウンで精密位置合わせして順次
搭載し、熱プレスにて熱圧着した（図７（ｃ））。その
後、基板側端子であるＣｕインナーリード部１０を個々
にＴＡＢインナーリードボンダー（この例ではシングル
ポイントボンダー）を用いて、チップ側の端子部に接続
するインナーリードボンディングを経て（図７
（ｄ））、チップ端面とポリイミドフィルム基板５の上
面とをエポキシ系液状封止材８をディスペンスにて被覆
し（図７（ｅ））、所定の加熱・硬化時間を経て、半導
体装置を得た（図７（ｆ））。この例では、インナーリ
ード部にはＣｕの上にＳｎめっきが施されたものを用
い、半導体端子部にはＡｕめっきバンプが形成されてい
るものを用いてＡｕ／Ｓｎ接合により接続した。 ＜比較例３＞１層のＣｕ配線が施され、ＴＡＢテープの
インナーリード部と外部はんだ端子用のスルーホールが
形成された実施例２と同じポリイミドフィルム基板の上
面に、エポキシ樹脂を主成分とし、その硬化物のＤＭＡ
で測定される２５℃の弾性率が３０００ＭＰａの絶縁性
液状接着剤をダイボンド装置にて滴下・塗布し、半導体
チップを精密に位置決めし搭載した。しかし、樹脂がイ
ンナーボンディング部にまで流れ、その後のインナーボ
ンディングができなかったが、そのまま実施例２と同様
にチップ端面をエポキシ樹脂を主体とする液状封止材で
封止し、はんだボールを形成した比較品を得た。 ＜比較例４＞１層のＣｕ配線が施され、ＴＡＢテープの
インナーリード部と外部はんだ端子用のスルーホールが
形成された実施例２と同じポリイミドフィルム基板の上
面に、シリコン樹脂を主成分としその硬化物の２５℃の
弾性率が１０ＭＰａであり、かつ２６０℃における弾性
率が測定不可能なほど小さい絶縁性液状接着剤、をダイ
ボンド装置にて滴下・塗布し、実施例２と同様に半導体
チップを搭載した。しかし、樹脂がインナーボンディン
グ部にまで流れ、その後のインナーボンディングができ
なかったが、そのまま実施例２と同様にチップ端面をエ
ポキシ樹脂を主体とする液状封止材で封止し、はんだボ
ールを形成した比較品を得た。 ＜比較例５＞シリコン樹脂を主成分としその硬化物の２
５℃の弾性率が１０ＭＰａであり、かつ２６０℃におけ
る弾性率が測定不可能なほど小さい絶縁性液状接着剤を
テフロン板に注型し、その後、所定の加熱温度・時間に
より硬化させて、低弾性のフィルムを得た。このフィル
ムの両面に比較例３に記載したエポキシ樹脂を主体とす
る熱硬化性接着剤を両面に塗布し、１層のＣｕ配線が施
されＴＡＢテープのインナーリード部と外部はんだ端子
用のスルーホールが形成された実施例２と同じポリイミ
ドフィルム基板の上面に、熱プレスで熱圧着し、その
後、半導体チップをフェイスダウンで接着した後、実施
例２に記載したインナーリードボンディング工程、封止
工程をへてはんだボールを形成した比較品を得た。実施
例１、実施例２、比較例１〜５の半導体装置のについ
て、耐吸湿リフロー試験を実施するとともに、ＦＲ−４
配線基板にリフロー実装した各半導体装置について耐温
度サイクル試験を実施した結果を表１に示す。吸湿リフ
ロー試験については、吸湿前と８５℃８５％ＲＨの条件
下で２４時間および４８時間吸湿させたのち最高温度２
４０℃のＩＲリフローを実施した試験品中の剥離、クラ
ックをＳＡＴ（超音波探査探傷装置）で調べた結果を表
示した。また、各サンプルの耐温度サイクル試験は、基
板実装後に−２５℃（３０分、ａｉｒ）〜１５０℃（３
０分、ａｉｒ）の温度サイクルを実施したのち、パッケ
ージ外部端子のはんだボールの接続抵抗を４端子法で測
定し、５０ｍΩ以上になったものを不良とした。
体チップ６をフェイスダウンで精密位置合わせして順次
搭載し、熱プレスにて熱圧着した（図７（ｃ））。その
後、基板側端子であるＣｕインナーリード部１０を個々
にＴＡＢインナーリードボンダー（この例ではシングル
ポイントボンダー）を用いて、チップ側の端子部に接続
するインナーリードボンディングを経て（図７
（ｄ））、チップ端面とポリイミドフィルム基板５の上
面とをエポキシ系液状封止材８をディスペンスにて被覆
し（図７（ｅ））、所定の加熱・硬化時間を経て、半導
体装置を得た（図７（ｆ））。この例では、インナーリ
ード部にはＣｕの上にＳｎめっきが施されたものを用
い、半導体端子部にはＡｕめっきバンプが形成されてい
るものを用いてＡｕ／Ｓｎ接合により接続した。 ＜比較例３＞１層のＣｕ配線が施され、ＴＡＢテープの
インナーリード部と外部はんだ端子用のスルーホールが
形成された実施例２と同じポリイミドフィルム基板の上
面に、エポキシ樹脂を主成分とし、その硬化物のＤＭＡ
で測定される２５℃の弾性率が３０００ＭＰａの絶縁性
液状接着剤をダイボンド装置にて滴下・塗布し、半導体
チップを精密に位置決めし搭載した。しかし、樹脂がイ
ンナーボンディング部にまで流れ、その後のインナーボ
ンディングができなかったが、そのまま実施例２と同様
にチップ端面をエポキシ樹脂を主体とする液状封止材で
封止し、はんだボールを形成した比較品を得た。 ＜比較例４＞１層のＣｕ配線が施され、ＴＡＢテープの
インナーリード部と外部はんだ端子用のスルーホールが
形成された実施例２と同じポリイミドフィルム基板の上
面に、シリコン樹脂を主成分としその硬化物の２５℃の
弾性率が１０ＭＰａであり、かつ２６０℃における弾性
率が測定不可能なほど小さい絶縁性液状接着剤、をダイ
ボンド装置にて滴下・塗布し、実施例２と同様に半導体
チップを搭載した。しかし、樹脂がインナーボンディン
グ部にまで流れ、その後のインナーボンディングができ
なかったが、そのまま実施例２と同様にチップ端面をエ
ポキシ樹脂を主体とする液状封止材で封止し、はんだボ
ールを形成した比較品を得た。 ＜比較例５＞シリコン樹脂を主成分としその硬化物の２
５℃の弾性率が１０ＭＰａであり、かつ２６０℃におけ
る弾性率が測定不可能なほど小さい絶縁性液状接着剤を
テフロン板に注型し、その後、所定の加熱温度・時間に
より硬化させて、低弾性のフィルムを得た。このフィル
ムの両面に比較例３に記載したエポキシ樹脂を主体とす
る熱硬化性接着剤を両面に塗布し、１層のＣｕ配線が施
されＴＡＢテープのインナーリード部と外部はんだ端子
用のスルーホールが形成された実施例２と同じポリイミ
ドフィルム基板の上面に、熱プレスで熱圧着し、その
後、半導体チップをフェイスダウンで接着した後、実施
例２に記載したインナーリードボンディング工程、封止
工程をへてはんだボールを形成した比較品を得た。実施
例１、実施例２、比較例１〜５の半導体装置のについ
て、耐吸湿リフロー試験を実施するとともに、ＦＲ−４
配線基板にリフロー実装した各半導体装置について耐温
度サイクル試験を実施した結果を表１に示す。吸湿リフ
ロー試験については、吸湿前と８５℃８５％ＲＨの条件
下で２４時間および４８時間吸湿させたのち最高温度２
４０℃のＩＲリフローを実施した試験品中の剥離、クラ
ックをＳＡＴ（超音波探査探傷装置）で調べた結果を表
示した。また、各サンプルの耐温度サイクル試験は、基
板実装後に−２５℃（３０分、ａｉｒ）〜１５０℃（３
０分、ａｉｒ）の温度サイクルを実施したのち、パッケ
ージ外部端子のはんだボールの接続抵抗を４端子法で測
定し、５０ｍΩ以上になったものを不良とした。
【０１３３】（注）
耐リフロー性
○：チップ６および有機配線基板４、５と熱硬化性接着
剤３との界面に剥離およびボイドが極めて少なく、ＳＡ
Ｔ（超音波探査探傷装置）で検知できない。 △：熱硬化性接着剤３の塗布時に有機配線基板の配線間
への埋め込みが充分でなくボイドが観察され、その箇所
から剥離が進展しているものが、サンプル１０中２〜
３。 ×：上記した剥離がパッケージ外部にまで至り、リフロ
ー後はパッケージに膨れ、クラックが観察されるもがサ
ンプル１０中１０。剥離してワイヤーボンディング部や
インナーリード部の断線にまで至るものが観察される。
耐温度サイクル性 ○：はんだボール接続部の接続抵抗が変化しない。 ×：はんだボール接続部の接続抵抗が５０ｍΩを越える
端子が１つでも存在する。 −：インナーボンディングが出来ず、接続抵抗を測定で
きない。評価不可。 ＜実施例３＞エポキシ樹脂としてビスフェノールＡ型エ
ポキシ樹脂（エポキシ当量２００、油化シェルエポキシ
株式会社製のエピコート８２８を使用）４５重量部、ク
レゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２２
０、住友化学工業株式会社製のＥＳＣＮ００１を使用）
１５重量部、エポキシ樹脂の硬化剤としてフェノールノ
ボラック樹脂（大日本インキ化学工業株式会社製のプラ
イオーフェンＬＦ２８８２を使用）４０重量部、エポキ
シ樹脂と相溶性がありかつ重量平均分子量が３万以上の
高分子量樹脂としてフェノキシ樹脂（分子量５万、東都
化成株式会社製のフェノトートＹＰ−５０を使用）１５
重量部、エポキシ基含有アクリルゴムとしてエポキシ基
含有アクリルゴム（分子量１００万、帝国化学産業株式
会社製のＨＴＲ−８６０Ｐ−３を使用）１５０重量部、
硬化促進剤として硬化促進剤１−シアノエチル−２−フ
ェニルイミダゾール（キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ）０．
５重量部、シランカップリング剤としてγ−グリシドキ
シプロピルトリメトキシシラン（日本ユニカー株式会社
製のＮＵＣ Ａ−１８７を使用）０．７重量部からなる
組成物に、メチルエチルケトンを加えて撹拌混合し、真
空脱気した。得られたワニスを、厚さ７５μｍの離型処
理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布
し、１４０℃で５分間加熱乾燥して、膜厚が８０μｍの
Ｂステージ状態の塗膜を形成し接着フィルムを作製し
た。
剤３との界面に剥離およびボイドが極めて少なく、ＳＡ
Ｔ（超音波探査探傷装置）で検知できない。 △：熱硬化性接着剤３の塗布時に有機配線基板の配線間
への埋め込みが充分でなくボイドが観察され、その箇所
から剥離が進展しているものが、サンプル１０中２〜
３。 ×：上記した剥離がパッケージ外部にまで至り、リフロ
ー後はパッケージに膨れ、クラックが観察されるもがサ
ンプル１０中１０。剥離してワイヤーボンディング部や
インナーリード部の断線にまで至るものが観察される。
耐温度サイクル性 ○：はんだボール接続部の接続抵抗が変化しない。 ×：はんだボール接続部の接続抵抗が５０ｍΩを越える
端子が１つでも存在する。 −：インナーボンディングが出来ず、接続抵抗を測定で
きない。評価不可。 ＜実施例３＞エポキシ樹脂としてビスフェノールＡ型エ
ポキシ樹脂（エポキシ当量２００、油化シェルエポキシ
株式会社製のエピコート８２８を使用）４５重量部、ク
レゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２２
０、住友化学工業株式会社製のＥＳＣＮ００１を使用）
１５重量部、エポキシ樹脂の硬化剤としてフェノールノ
ボラック樹脂（大日本インキ化学工業株式会社製のプラ
イオーフェンＬＦ２８８２を使用）４０重量部、エポキ
シ樹脂と相溶性がありかつ重量平均分子量が３万以上の
高分子量樹脂としてフェノキシ樹脂（分子量５万、東都
化成株式会社製のフェノトートＹＰ−５０を使用）１５
重量部、エポキシ基含有アクリルゴムとしてエポキシ基
含有アクリルゴム（分子量１００万、帝国化学産業株式
会社製のＨＴＲ−８６０Ｐ−３を使用）１５０重量部、
硬化促進剤として硬化促進剤１−シアノエチル−２−フ
ェニルイミダゾール（キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ）０．
５重量部、シランカップリング剤としてγ−グリシドキ
シプロピルトリメトキシシラン（日本ユニカー株式会社
製のＮＵＣ Ａ−１８７を使用）０．７重量部からなる
組成物に、メチルエチルケトンを加えて撹拌混合し、真
空脱気した。得られたワニスを、厚さ７５μｍの離型処
理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布
し、１４０℃で５分間加熱乾燥して、膜厚が８０μｍの
Ｂステージ状態の塗膜を形成し接着フィルムを作製し
た。
【０１３４】なおこの状態での接着剤の硬化度は、ＤＳ
Ｃ（デュポン社製９１２型ＤＳＣ）を用いて測定（昇温
速度、１０℃／分）した結果、全硬化発熱量の１５％の
発熱を終えた状態であった。また、ＴＨＦ中に接着剤
（重量Ｗ１）を浸し、２５℃で２０時間放置した後、非
溶解分を２００メッシュのナイロン布で濾過し、これを
乾燥した後の重量を測定（重量Ｗ２）し、ＴＨＦ抽出率
（＝（Ｗ１−Ｗ２）×１００／Ｗ１）を求めたところ、
ＴＨＦ抽出率は３５重量％であった。さらに、接着剤硬
化物の貯蔵弾性率を動的粘弾性測定装置（レオロジ製、
ＤＶＥ−Ｖ４）を用いて測定（サンプルサイズ 長さ２
０ｍｍ、幅４ｍｍ、膜厚８０μｍ、昇温速度５℃／分、
引張りモード 自動静荷重）した結果、２５℃で３６０
ＭＰａ、２６０℃で４ＭＰａであった。 ＜実施例４＞実施例３で用いたフェノキシ樹脂を、カル
ボキシル基含有アクリロニトリルブタジエンゴム（分子
量４０万、日本合成ゴム株式会社製のＰＮＲ−１を使
用）に変更したほか、実施例１と同様にして接着フィル
ムを作製した。なお、この状態での接着剤の硬化度は、
ＤＳＣを用いて測定した結果、全硬化発熱量の２０％の
発熱を終えた状態であった。ＴＨＦ抽出率は、３５重量
％であった。さらに、接着剤硬化物の貯蔵弾性率を動的
粘弾性測定装置を用いて測定した結果、２５℃で３００
ＭＰａ、２６０℃で３ＭＰａであった。 ＜実施例５＞実施例３の接着剤ワニスの接着剤固形分１
００体積部に対してシリカを１０体積部添加し、ビーズ
ミルで６０分間混練したワニスを用いて実施例１と同様
にして接着フィルムを作製した。ＤＳＣを用いて測定し
た結果、全硬化発熱量の１５％の発熱を終えた状態であ
った。ＴＨＦ抽出率は、３０重量％であった。さらに、
接着剤硬化物の貯蔵弾性率を動的粘弾性測定装置を用い
て測定した結果、２５℃で１，５００ＭＰａ、２６０℃
で１０ＭＰａであった。 ＜実施例６＞実施例３で用いたフェノキシ樹脂を用いな
いこと以外実施例１と同様にして接着フィルムを作製し
た。ＤＳＣを用いて測定した結果、全硬化発熱量の１５
％の発熱を終えた状態であった。ＴＨＦ抽出率は、３５
重量％であった。さらに、接着剤硬化物の貯蔵弾性率を
動的粘弾性測定装置を用いて測定した結果、２５℃で３
５０ＭＰａ、２６０℃で４ＭＰａであった。 ＜比較例６＞実施例３のエポキシ基含有アクリルゴムの
量を１５０重量部から５０重量部にしたこと以外は実施
例１と同様にして接着フィルムを作製した。ＤＳＣを用
いて測定した結果、全硬化発熱量の２０％の発熱を終え
た状態であった。ＴＨＦ抽出率は、４０重量％であっ
た。さらに、接着剤硬化物の貯蔵弾性率を、動的粘弾性
測定装置を用いて測定した結果、２５℃で３，０００Ｍ
Ｐａ、２６０℃で５ＭＰａであった。 ＜比較例７＞実施例３のエポキシ基含有アクリルゴムの
量を１５０重量部から４００重量部にしたこと以外は実
施例１と同様にして接着フィルムを作製した。ＤＳＣを
用いて測定した結果、全硬化発熱量の２０％の発熱を終
えた状態であった。ＴＨＦ抽出率は、３０重量％であっ
た。さらに、接着剤硬化物の貯蔵弾性率を動的粘弾性測
定装置を用いて測定した結果、２５℃で２００ＭＰａ、
２６０℃で１ＭＰａであった。 ＜比較例８＞実施例３のエポキシ基含有アクリルゴムの
１５０重量部をフェノキシ樹脂に変更（フェノキシ樹脂
１６０重量部）した他、実施例１と同様にして接着フィ
ルムを作製した。この接着フィルムの全硬化発熱量は２
０％であり、ＴＨＦ抽出率は、９０重量％であった。ま
た、貯蔵弾性率は、２５℃で３，４００ＭＰａ、２６０
℃で３ＭＰａであった。 ＜比較例９＞実施例３のエポキシ基含有アクリルゴムを
アクリロニトリルブタジエンゴムに変更した他は、実施
例１と同様にして接着フィルムを作製した。この接着フ
ィルムの全硬化発熱量は、２０％、ＴＨＦ抽出率は、９
０重量％であった。また、貯蔵弾性率は、２５℃で５０
０ＭＰａ、２６０℃で２ＭＰａであった。得られた接着
フィルムを用いて作製した半導体装置について、耐熱
性、耐電食性、耐湿性を調べた。耐熱性の評価方法に
は、半導体チップと厚み２５μｍのポリイミドフィルム
を基材に用いたフレキシブルプリント配線板を接着フィ
ルムで貼り合せた半導体装置サンプル（片面にはんだボ
ールを形成）の耐リフロークラック性と温度サイクル試
験を適用した。耐リフロークラック性の評価は、サンプ
ル表面の最高温度が２４０℃でこの温度を２０秒間保持
するように温度設定したＩＲ（赤外線）リフロー炉にサ
ンプルを通し、室温で放置することにより冷却する処理
を２回繰り返したサンプル中のクラックの観察で行っ
た。クラックの発生していないものを良好とし、発生し
ていたものを不良とした。温度サイクル試験は、サンプ
ルを−５５℃雰囲気に３０分間放置し、その後１２５℃
の雰囲気に３０分間放置する工程を１サイクルとして、
破壊が起きるまでのサイクル数を示した。また、耐電食
性の評価は、ＦＲ−４基板にライン／スペース＝７５／
７５μｍのくし形パターンを形成し、この上に接着フィ
ルムを貼り合せたたサンプルを作製し、８５℃／８５％
ＲＨ／ＤＣ６Ｖ印加の条件下で１，０００時間後の絶縁
抵抗値を測定することにより行った。絶縁抵抗値が１０
Ω以上を示したものを良好とし、１０Ω未満であったも
のを不良とした。また、耐湿性評価は、半導体装置サン
プルをプレッシャークッカーテスター中で９６時間処理
（ＰＣＴ処理）後接着フィルムの剥離及び変色を観察す
ることにより行った。接着フィルムの剥離及び変色の認
められなかったものを良好とし、剥離のあったもの又は
変色のあったものを不良とした。その結果を表２に示
す。
Ｃ（デュポン社製９１２型ＤＳＣ）を用いて測定（昇温
速度、１０℃／分）した結果、全硬化発熱量の１５％の
発熱を終えた状態であった。また、ＴＨＦ中に接着剤
（重量Ｗ１）を浸し、２５℃で２０時間放置した後、非
溶解分を２００メッシュのナイロン布で濾過し、これを
乾燥した後の重量を測定（重量Ｗ２）し、ＴＨＦ抽出率
（＝（Ｗ１−Ｗ２）×１００／Ｗ１）を求めたところ、
ＴＨＦ抽出率は３５重量％であった。さらに、接着剤硬
化物の貯蔵弾性率を動的粘弾性測定装置（レオロジ製、
ＤＶＥ−Ｖ４）を用いて測定（サンプルサイズ 長さ２
０ｍｍ、幅４ｍｍ、膜厚８０μｍ、昇温速度５℃／分、
引張りモード 自動静荷重）した結果、２５℃で３６０
ＭＰａ、２６０℃で４ＭＰａであった。 ＜実施例４＞実施例３で用いたフェノキシ樹脂を、カル
ボキシル基含有アクリロニトリルブタジエンゴム（分子
量４０万、日本合成ゴム株式会社製のＰＮＲ−１を使
用）に変更したほか、実施例１と同様にして接着フィル
ムを作製した。なお、この状態での接着剤の硬化度は、
ＤＳＣを用いて測定した結果、全硬化発熱量の２０％の
発熱を終えた状態であった。ＴＨＦ抽出率は、３５重量
％であった。さらに、接着剤硬化物の貯蔵弾性率を動的
粘弾性測定装置を用いて測定した結果、２５℃で３００
ＭＰａ、２６０℃で３ＭＰａであった。 ＜実施例５＞実施例３の接着剤ワニスの接着剤固形分１
００体積部に対してシリカを１０体積部添加し、ビーズ
ミルで６０分間混練したワニスを用いて実施例１と同様
にして接着フィルムを作製した。ＤＳＣを用いて測定し
た結果、全硬化発熱量の１５％の発熱を終えた状態であ
った。ＴＨＦ抽出率は、３０重量％であった。さらに、
接着剤硬化物の貯蔵弾性率を動的粘弾性測定装置を用い
て測定した結果、２５℃で１，５００ＭＰａ、２６０℃
で１０ＭＰａであった。 ＜実施例６＞実施例３で用いたフェノキシ樹脂を用いな
いこと以外実施例１と同様にして接着フィルムを作製し
た。ＤＳＣを用いて測定した結果、全硬化発熱量の１５
％の発熱を終えた状態であった。ＴＨＦ抽出率は、３５
重量％であった。さらに、接着剤硬化物の貯蔵弾性率を
動的粘弾性測定装置を用いて測定した結果、２５℃で３
５０ＭＰａ、２６０℃で４ＭＰａであった。 ＜比較例６＞実施例３のエポキシ基含有アクリルゴムの
量を１５０重量部から５０重量部にしたこと以外は実施
例１と同様にして接着フィルムを作製した。ＤＳＣを用
いて測定した結果、全硬化発熱量の２０％の発熱を終え
た状態であった。ＴＨＦ抽出率は、４０重量％であっ
た。さらに、接着剤硬化物の貯蔵弾性率を、動的粘弾性
測定装置を用いて測定した結果、２５℃で３，０００Ｍ
Ｐａ、２６０℃で５ＭＰａであった。 ＜比較例７＞実施例３のエポキシ基含有アクリルゴムの
量を１５０重量部から４００重量部にしたこと以外は実
施例１と同様にして接着フィルムを作製した。ＤＳＣを
用いて測定した結果、全硬化発熱量の２０％の発熱を終
えた状態であった。ＴＨＦ抽出率は、３０重量％であっ
た。さらに、接着剤硬化物の貯蔵弾性率を動的粘弾性測
定装置を用いて測定した結果、２５℃で２００ＭＰａ、
２６０℃で１ＭＰａであった。 ＜比較例８＞実施例３のエポキシ基含有アクリルゴムの
１５０重量部をフェノキシ樹脂に変更（フェノキシ樹脂
１６０重量部）した他、実施例１と同様にして接着フィ
ルムを作製した。この接着フィルムの全硬化発熱量は２
０％であり、ＴＨＦ抽出率は、９０重量％であった。ま
た、貯蔵弾性率は、２５℃で３，４００ＭＰａ、２６０
℃で３ＭＰａであった。 ＜比較例９＞実施例３のエポキシ基含有アクリルゴムを
アクリロニトリルブタジエンゴムに変更した他は、実施
例１と同様にして接着フィルムを作製した。この接着フ
ィルムの全硬化発熱量は、２０％、ＴＨＦ抽出率は、９
０重量％であった。また、貯蔵弾性率は、２５℃で５０
０ＭＰａ、２６０℃で２ＭＰａであった。得られた接着
フィルムを用いて作製した半導体装置について、耐熱
性、耐電食性、耐湿性を調べた。耐熱性の評価方法に
は、半導体チップと厚み２５μｍのポリイミドフィルム
を基材に用いたフレキシブルプリント配線板を接着フィ
ルムで貼り合せた半導体装置サンプル（片面にはんだボ
ールを形成）の耐リフロークラック性と温度サイクル試
験を適用した。耐リフロークラック性の評価は、サンプ
ル表面の最高温度が２４０℃でこの温度を２０秒間保持
するように温度設定したＩＲ（赤外線）リフロー炉にサ
ンプルを通し、室温で放置することにより冷却する処理
を２回繰り返したサンプル中のクラックの観察で行っ
た。クラックの発生していないものを良好とし、発生し
ていたものを不良とした。温度サイクル試験は、サンプ
ルを−５５℃雰囲気に３０分間放置し、その後１２５℃
の雰囲気に３０分間放置する工程を１サイクルとして、
破壊が起きるまでのサイクル数を示した。また、耐電食
性の評価は、ＦＲ−４基板にライン／スペース＝７５／
７５μｍのくし形パターンを形成し、この上に接着フィ
ルムを貼り合せたたサンプルを作製し、８５℃／８５％
ＲＨ／ＤＣ６Ｖ印加の条件下で１，０００時間後の絶縁
抵抗値を測定することにより行った。絶縁抵抗値が１０
Ω以上を示したものを良好とし、１０Ω未満であったも
のを不良とした。また、耐湿性評価は、半導体装置サン
プルをプレッシャークッカーテスター中で９６時間処理
（ＰＣＴ処理）後接着フィルムの剥離及び変色を観察す
ることにより行った。接着フィルムの剥離及び変色の認
められなかったものを良好とし、剥離のあったもの又は
変色のあったものを不良とした。その結果を表２に示
す。
【０１３５】実施例３、４及び５は、いずれも、エポキ
シ樹脂及びその硬化剤、エポキシ樹脂と相溶性の高分子
量樹脂、エポキシ基含有アクリル系共重合体、硬化促進
剤をともに含む接着剤であり、実施例６は、エポキシ樹
脂及びその硬化剤、エポキシ基含有アクリル系共重合
体、硬化促進剤をともに含む接着剤であり、本発明で規
定した２５℃及び２６０℃での貯蔵弾性率を示してい
る。これらは、耐リフロークラック性、温度サイクル試
験、耐電食性、耐ＰＣＴ性が良好であった。
シ樹脂及びその硬化剤、エポキシ樹脂と相溶性の高分子
量樹脂、エポキシ基含有アクリル系共重合体、硬化促進
剤をともに含む接着剤であり、実施例６は、エポキシ樹
脂及びその硬化剤、エポキシ基含有アクリル系共重合
体、硬化促進剤をともに含む接着剤であり、本発明で規
定した２５℃及び２６０℃での貯蔵弾性率を示してい
る。これらは、耐リフロークラック性、温度サイクル試
験、耐電食性、耐ＰＣＴ性が良好であった。
【０１３６】比較例６は、本発明で規定したエポキシ基
含有アクリル系共重合体の量が少ないため貯蔵弾性率が
高く応力を緩和できずに耐リフロークラック性、温度サ
イクルテストでの結果が悪く信頼性に劣る。また、比較
例７は、本発明で規定したエポキシ基含有アクリル系共
重合体の量が多すぎるため貯蔵弾性率が低く良好である
が、接着フィルムの取扱性が悪い。比較例８は、本発明
で規定したエポキシ基含有アクリル系共重合体を含まな
い組成であるため貯蔵弾性率が高く比較例１と同様、応
力を緩和できずに耐リフロークラック性、温度サイクル
テストでの結果が悪い。比較例９は、本発明で規定した
エポキシ基含有アクリル系共重合体を含まず、それ以外
のゴム成分を含み２５℃での貯蔵弾性率が低いが耐電食
性に劣る結果を示した。 ＜実施例７＞エポキシ樹脂としてビスフェノールＡ型エ
ポキシ樹脂（エポキシ当量２００、油化シェルエポキシ
株式会社製商品名のエピコート８２８を使用）４５重量
部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当
量２２０、住友化学工業株式会社製商品名のＥＳＣＮ０
０１を使用）１５重量部、エポキシ樹脂の硬化剤として
フェノールノボラック樹脂（大日本インキ化学工業株式
会社製商品名のプライオーフェンＬＦ２８８２を使用）
４０重量部、エポキシ樹脂と相溶性がありかつ重量平均
分子量が３万以上の高分子量樹脂としてフェノキシ樹脂
（分子量５万、東都化成株式会社製商品名のフェノトー
トＹＰ−５０を使用）１５重量部、エポキシ基含有アク
リル系共重合体としてエポキシ基含有アクリルゴム（分
子量１００万、帝国化学産業株式会社製商品名のＨＴＲ
−８６０Ｐ−３を使用）１５０重量部、硬化促進剤とし
て硬化促進剤１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾ
ール（キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ）０．５重量部、シラ
ンカップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリ
メトキシシラン（日本ユニカー株式会社製商品名のＮＵ
Ｃ Ａ−１８７を使用）０．７重量部からなる組成物
に、メチルエチルケトンを加えて攪拌混合し、真空脱気
した。得られたワニスを、厚さ５０μｍのプラズマ処理
を施したポリイミドフィルム上に塗布し、１３０℃で５
分間加熱乾燥して、膜厚が５０μｍのＢステージ状態の
塗膜を形成し片面接着フィルムを作製した。つぎに、こ
の片面接着フィルムのポリイミドフィルムの接着剤を塗
布していない面に同じワニスを塗布し、１４０℃で５分
間加熱乾燥して、膜厚が５０μｍのＢステージ状態の塗
膜を形成し三層構造の両面接着フィルムを作製した。
含有アクリル系共重合体の量が少ないため貯蔵弾性率が
高く応力を緩和できずに耐リフロークラック性、温度サ
イクルテストでの結果が悪く信頼性に劣る。また、比較
例７は、本発明で規定したエポキシ基含有アクリル系共
重合体の量が多すぎるため貯蔵弾性率が低く良好である
が、接着フィルムの取扱性が悪い。比較例８は、本発明
で規定したエポキシ基含有アクリル系共重合体を含まな
い組成であるため貯蔵弾性率が高く比較例１と同様、応
力を緩和できずに耐リフロークラック性、温度サイクル
テストでの結果が悪い。比較例９は、本発明で規定した
エポキシ基含有アクリル系共重合体を含まず、それ以外
のゴム成分を含み２５℃での貯蔵弾性率が低いが耐電食
性に劣る結果を示した。 ＜実施例７＞エポキシ樹脂としてビスフェノールＡ型エ
ポキシ樹脂（エポキシ当量２００、油化シェルエポキシ
株式会社製商品名のエピコート８２８を使用）４５重量
部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当
量２２０、住友化学工業株式会社製商品名のＥＳＣＮ０
０１を使用）１５重量部、エポキシ樹脂の硬化剤として
フェノールノボラック樹脂（大日本インキ化学工業株式
会社製商品名のプライオーフェンＬＦ２８８２を使用）
４０重量部、エポキシ樹脂と相溶性がありかつ重量平均
分子量が３万以上の高分子量樹脂としてフェノキシ樹脂
（分子量５万、東都化成株式会社製商品名のフェノトー
トＹＰ−５０を使用）１５重量部、エポキシ基含有アク
リル系共重合体としてエポキシ基含有アクリルゴム（分
子量１００万、帝国化学産業株式会社製商品名のＨＴＲ
−８６０Ｐ−３を使用）１５０重量部、硬化促進剤とし
て硬化促進剤１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾ
ール（キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ）０．５重量部、シラ
ンカップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリ
メトキシシラン（日本ユニカー株式会社製商品名のＮＵ
Ｃ Ａ−１８７を使用）０．７重量部からなる組成物
に、メチルエチルケトンを加えて攪拌混合し、真空脱気
した。得られたワニスを、厚さ５０μｍのプラズマ処理
を施したポリイミドフィルム上に塗布し、１３０℃で５
分間加熱乾燥して、膜厚が５０μｍのＢステージ状態の
塗膜を形成し片面接着フィルムを作製した。つぎに、こ
の片面接着フィルムのポリイミドフィルムの接着剤を塗
布していない面に同じワニスを塗布し、１４０℃で５分
間加熱乾燥して、膜厚が５０μｍのＢステージ状態の塗
膜を形成し三層構造の両面接着フィルムを作製した。
【０１３７】なおこの状態での接着フィルムの接着剤成
分の硬化度は、ＤＳＣ（デュポン社製商品名９１２型Ｄ
ＳＣ）を用いて測定（昇温速度、１０℃／分）した結
果、全硬化発熱量の１５％の発熱を終えた状態であっ
た。また、ＴＨＦ中に接着剤（重量Ｗ１）を浸し、２５
℃で２０時間放置した後、非溶解分を２００メッシュの
ナイロン布で濾過し、これを乾燥した後の重量を測定
（重量Ｗ２）し、ＴＨＦ抽出率（＝（Ｗ１−Ｗ２）×１
００／Ｗ１）を求めたところ、ＴＨＦ抽出率は３５重量
％であった。さらに、接着剤硬化物の貯蔵弾性率を動的
粘弾性測定装置を用いて測定した結果、２５℃で３６０
ＭＰａ、２６０℃で４ＭＰａであった。 ＜実施例８＞実施例７で用いたフェノキシ樹脂を、カル
ボキシル基含有アクリロニトリルブタジエンゴム（分子
量４０万、日本合成ゴム株式会社製商品名のＰＮＲ−１
を使用）に変更したほか、実施例１と同様にして三層構
造の両面接着フィルムを作製した。なお、この状態での
接着フィルムの接着剤成分の硬化度は、ＤＳＣを用いて
測定した結果、全硬化発熱量の２０％の発熱を終えた状
態であった。ＴＨＦ抽出率は、３５重量％であった。さ
らに、接着剤硬化物の貯蔵弾性率を動的粘弾性測定装置
を用いて測定した結果、２５℃で３００ＭＰａ、２６０
℃で３ＭＰａであった。 ＜実施例９＞実施例７で用いた接着剤ワニスを厚さ５０
μmのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布
し、１４０℃で５分間加熱乾燥して、膜厚が５０μｍの
Ｂステージ状態の塗膜を形成し、コア材となる耐熱性熱
可塑性フィルムに貼り合わせるための接着フィルムを作
製した。この接着フィルムを厚さ５０μmのプラズマ処
理を施したポリイミドフィルムの両面に真空ラミネータ
を用いて、ラミネータロール温度８０℃、送り速度０．
２ｍ／分、線圧５ｋｇのラミネート条件で貼り合わせる
ことにより三層構造の両面接着フィルムを作製した。な
お、この状態での接着フィルムの接着剤成分の硬化度
は、ＤＳＣを用いて測定した結果全硬化発熱量の２０％
の発熱を終えた状態であった。ＴＨＦ抽出率は、３５重
量％であった。さらに、接着剤硬化物の貯蔵弾性率を動
的粘弾性測定装置を用いて測定した結果、２５℃で３６
０ＭＰａ、２６０℃で４ＭＰａであった。 ＜比較例１０＞実施例７で用いた接着剤ワニスを厚さ５
０μmのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布
し、１４０℃で５分間加熱乾燥して、膜厚が７５μｍの
Ｂステージ状態の塗膜を形成して接着フィルムを作製し
た。この接着フィルムを２枚用い、実施例３と同様のラ
ミネート条件で貼り合わせて、コア材を用いない接着フ
ィルムを作製した。得られた接着フィルムの接着剤成分
の全硬化発熱量は２０％であり、ＴＨＦ抽出率は３５重
量％であった。また、貯蔵弾性率は、２５℃で３６０Ｍ
Ｐａ、２６０℃で４ＭＰａであった。 ＜比較例１１＞実施例７のコア材となる耐熱性熱可塑性
フィルムとして用いたポリイミドフィルムをポリプロピ
レンフィルムに変更した他は、実施例１と同様にして三
層構造の両面接着フィルムを作製した。この接着フィル
ムの接着剤成分の全硬化発熱量は、２０％、ＴＨＦ抽出
率は、３５重量％であった。また、貯蔵弾性率は、２５
℃で３６０ＭＰａ、２６０℃で４ＭＰａであった。 ＜比較例１２＞実施例７のエポキシ基含有アクリル系共
重合体をフェノキシ樹脂に変更した他（フェノキシ樹脂
１６５重量部）、実施例１と同様にして三層構造の両面
接着フィルムを作製した。この接着フィルムの接着剤成
分の全硬化発熱量は２０％であり、ＴＨＦ抽出率は、９
０重量％であった。また、貯蔵弾性率は、２５℃で３，
４００ＭＰａ、２６０℃で３ＭＰａであった。 ＜比較例１３＞実施例７のエポキシ基含有アクリル系共
重合体をアクリロニトリルブタジエンゴムに変更した他
は、実施例１と同様にして三層構造の両面接着フィルム
を作製した。この接着フィルム接着剤成分の全硬化発熱
量は、２０％、ＴＨＦ抽出率は、９０重量％であった。
また、貯蔵弾性率は、２５℃で５００ＭＰａ、２６０℃
で２ＭＰａであった。
分の硬化度は、ＤＳＣ（デュポン社製商品名９１２型Ｄ
ＳＣ）を用いて測定（昇温速度、１０℃／分）した結
果、全硬化発熱量の１５％の発熱を終えた状態であっ
た。また、ＴＨＦ中に接着剤（重量Ｗ１）を浸し、２５
℃で２０時間放置した後、非溶解分を２００メッシュの
ナイロン布で濾過し、これを乾燥した後の重量を測定
（重量Ｗ２）し、ＴＨＦ抽出率（＝（Ｗ１−Ｗ２）×１
００／Ｗ１）を求めたところ、ＴＨＦ抽出率は３５重量
％であった。さらに、接着剤硬化物の貯蔵弾性率を動的
粘弾性測定装置を用いて測定した結果、２５℃で３６０
ＭＰａ、２６０℃で４ＭＰａであった。 ＜実施例８＞実施例７で用いたフェノキシ樹脂を、カル
ボキシル基含有アクリロニトリルブタジエンゴム（分子
量４０万、日本合成ゴム株式会社製商品名のＰＮＲ−１
を使用）に変更したほか、実施例１と同様にして三層構
造の両面接着フィルムを作製した。なお、この状態での
接着フィルムの接着剤成分の硬化度は、ＤＳＣを用いて
測定した結果、全硬化発熱量の２０％の発熱を終えた状
態であった。ＴＨＦ抽出率は、３５重量％であった。さ
らに、接着剤硬化物の貯蔵弾性率を動的粘弾性測定装置
を用いて測定した結果、２５℃で３００ＭＰａ、２６０
℃で３ＭＰａであった。 ＜実施例９＞実施例７で用いた接着剤ワニスを厚さ５０
μmのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布
し、１４０℃で５分間加熱乾燥して、膜厚が５０μｍの
Ｂステージ状態の塗膜を形成し、コア材となる耐熱性熱
可塑性フィルムに貼り合わせるための接着フィルムを作
製した。この接着フィルムを厚さ５０μmのプラズマ処
理を施したポリイミドフィルムの両面に真空ラミネータ
を用いて、ラミネータロール温度８０℃、送り速度０．
２ｍ／分、線圧５ｋｇのラミネート条件で貼り合わせる
ことにより三層構造の両面接着フィルムを作製した。な
お、この状態での接着フィルムの接着剤成分の硬化度
は、ＤＳＣを用いて測定した結果全硬化発熱量の２０％
の発熱を終えた状態であった。ＴＨＦ抽出率は、３５重
量％であった。さらに、接着剤硬化物の貯蔵弾性率を動
的粘弾性測定装置を用いて測定した結果、２５℃で３６
０ＭＰａ、２６０℃で４ＭＰａであった。 ＜比較例１０＞実施例７で用いた接着剤ワニスを厚さ５
０μmのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布
し、１４０℃で５分間加熱乾燥して、膜厚が７５μｍの
Ｂステージ状態の塗膜を形成して接着フィルムを作製し
た。この接着フィルムを２枚用い、実施例３と同様のラ
ミネート条件で貼り合わせて、コア材を用いない接着フ
ィルムを作製した。得られた接着フィルムの接着剤成分
の全硬化発熱量は２０％であり、ＴＨＦ抽出率は３５重
量％であった。また、貯蔵弾性率は、２５℃で３６０Ｍ
Ｐａ、２６０℃で４ＭＰａであった。 ＜比較例１１＞実施例７のコア材となる耐熱性熱可塑性
フィルムとして用いたポリイミドフィルムをポリプロピ
レンフィルムに変更した他は、実施例１と同様にして三
層構造の両面接着フィルムを作製した。この接着フィル
ムの接着剤成分の全硬化発熱量は、２０％、ＴＨＦ抽出
率は、３５重量％であった。また、貯蔵弾性率は、２５
℃で３６０ＭＰａ、２６０℃で４ＭＰａであった。 ＜比較例１２＞実施例７のエポキシ基含有アクリル系共
重合体をフェノキシ樹脂に変更した他（フェノキシ樹脂
１６５重量部）、実施例１と同様にして三層構造の両面
接着フィルムを作製した。この接着フィルムの接着剤成
分の全硬化発熱量は２０％であり、ＴＨＦ抽出率は、９
０重量％であった。また、貯蔵弾性率は、２５℃で３，
４００ＭＰａ、２６０℃で３ＭＰａであった。 ＜比較例１３＞実施例７のエポキシ基含有アクリル系共
重合体をアクリロニトリルブタジエンゴムに変更した他
は、実施例１と同様にして三層構造の両面接着フィルム
を作製した。この接着フィルム接着剤成分の全硬化発熱
量は、２０％、ＴＨＦ抽出率は、９０重量％であった。
また、貯蔵弾性率は、２５℃で５００ＭＰａ、２６０℃
で２ＭＰａであった。
【０１３８】得られた接着フィルムについて、耐熱性、
耐電食性、耐湿性を調べた。耐熱性の評価方法には、半
導体チップとプリント配線板を三層構造の両面接着フィ
ルムで貼り合せたサンプルの耐リフロークラック性と温
度サイクル試験を適用した。耐リフロークラック性の評
価は、サンプル表面の最高温度が２４０℃でこの温度を
２０秒間保持するように温度設定したＩＲリフロー炉に
サンプルを通し、室温で放置することにより冷却する処
理を２回繰り返したサンプル中のクラックの観察で行っ
た。クラックの発生していないものを良好とし、発生し
ていたものを不良とした。温度サイクル試験は、サンプ
ルを−５５℃雰囲気に３０分間放置し、その後１２５℃
の雰囲気に３０分間放置する工程を１サイクルとして、
破壊が起きるまでのサイクル数を示した。また、耐電食
性の評価は、ＦＲ−４基板にライン／スペース＝７５／
７５μｍのくし形パターンを形成し、この上に接着フィ
ルムを貼り合せたサンプルを作製し、８５℃／８５％Ｒ
Ｈ／ＤＣ６Ｖ印加の条件下で１，０００時間後の絶縁抵
抗値を測定することにより行った。絶縁抵抗値が１０Ω
以上を示したものを良好とし、１０Ω未満であったもの
を不良とした。また、耐湿性評価は、耐熱性評価サンプ
ルをプレッシャークッカーテスター中で９６時間処理
（ＰＣＴ処理）後接着フィルムの剥離及び変色を観察す
ることにより行った。接着フィルムの剥離及び変色の認
められなかったものを良好とし、剥離のあったもの又は
変色のあったものを不良とした。その結果を表３に示
す。
耐電食性、耐湿性を調べた。耐熱性の評価方法には、半
導体チップとプリント配線板を三層構造の両面接着フィ
ルムで貼り合せたサンプルの耐リフロークラック性と温
度サイクル試験を適用した。耐リフロークラック性の評
価は、サンプル表面の最高温度が２４０℃でこの温度を
２０秒間保持するように温度設定したＩＲリフロー炉に
サンプルを通し、室温で放置することにより冷却する処
理を２回繰り返したサンプル中のクラックの観察で行っ
た。クラックの発生していないものを良好とし、発生し
ていたものを不良とした。温度サイクル試験は、サンプ
ルを−５５℃雰囲気に３０分間放置し、その後１２５℃
の雰囲気に３０分間放置する工程を１サイクルとして、
破壊が起きるまでのサイクル数を示した。また、耐電食
性の評価は、ＦＲ−４基板にライン／スペース＝７５／
７５μｍのくし形パターンを形成し、この上に接着フィ
ルムを貼り合せたサンプルを作製し、８５℃／８５％Ｒ
Ｈ／ＤＣ６Ｖ印加の条件下で１，０００時間後の絶縁抵
抗値を測定することにより行った。絶縁抵抗値が１０Ω
以上を示したものを良好とし、１０Ω未満であったもの
を不良とした。また、耐湿性評価は、耐熱性評価サンプ
ルをプレッシャークッカーテスター中で９６時間処理
（ＰＣＴ処理）後接着フィルムの剥離及び変色を観察す
ることにより行った。接着フィルムの剥離及び変色の認
められなかったものを良好とし、剥離のあったもの又は
変色のあったものを不良とした。その結果を表３に示
す。
【０１３９】実施例７、８、９は、何れも、コア材に耐
熱性熱可塑性フィルムを用いた三層構造の両面接着フィ
ルムであり、接着剤成分にエポキシ樹脂及びその硬化
剤、エポキシ樹脂と相溶性の高分子量樹脂、エポキシ基
含有アクリル系共重合体をともに含ため、本発明で規定
した２５℃及び２６０℃での貯蔵弾性率を示している。
これらは、取り扱い性に優れ、耐リフロークラック性、
温度サイクル試験、耐電食性、耐ＰＣＴ性が良好であっ
た。
熱性熱可塑性フィルムを用いた三層構造の両面接着フィ
ルムであり、接着剤成分にエポキシ樹脂及びその硬化
剤、エポキシ樹脂と相溶性の高分子量樹脂、エポキシ基
含有アクリル系共重合体をともに含ため、本発明で規定
した２５℃及び２６０℃での貯蔵弾性率を示している。
これらは、取り扱い性に優れ、耐リフロークラック性、
温度サイクル試験、耐電食性、耐ＰＣＴ性が良好であっ
た。
【０１４０】比較例１０は、本発明で規定したコア材に
耐熱性熱可塑性フィルムを用いた三層構造の両面接着フ
ィルムではないため、取り扱い性に劣っていた。比較例
１１は、コア材に耐熱性に劣るポリプロピレンフィルム
を用いたため、耐リフロー性及び温度サイクル試験結果
に劣っていた。比較例１２は、本発明で規定したエポキ
シ基含有アクリル系共重合体を含まない組成であったた
めに、規定した２５℃での貯蔵弾性率を超えた高い値を
示しており、耐リフロークラック性及び温度サイクル試
験結果に劣っていた。比較例１３は、本発明で規定した
エポキシ基含有アクリルゴムを含まずに規定した２５℃
での貯蔵弾性率に合わせていたために、耐電食性や耐Ｐ
ＣＴ性に劣る結果を示した。 （産業上の利用可能性）本発明により、耐吸湿リフロー
性に優れ、かつマザーボードに実装した状態での耐温度
サイクル性に優れる半導体パッケージを製造することが
できる。
耐熱性熱可塑性フィルムを用いた三層構造の両面接着フ
ィルムではないため、取り扱い性に劣っていた。比較例
１１は、コア材に耐熱性に劣るポリプロピレンフィルム
を用いたため、耐リフロー性及び温度サイクル試験結果
に劣っていた。比較例１２は、本発明で規定したエポキ
シ基含有アクリル系共重合体を含まない組成であったた
めに、規定した２５℃での貯蔵弾性率を超えた高い値を
示しており、耐リフロークラック性及び温度サイクル試
験結果に劣っていた。比較例１３は、本発明で規定した
エポキシ基含有アクリルゴムを含まずに規定した２５℃
での貯蔵弾性率に合わせていたために、耐電食性や耐Ｐ
ＣＴ性に劣る結果を示した。 （産業上の利用可能性）本発明により、耐吸湿リフロー
性に優れ、かつマザーボードに実装した状態での耐温度
サイクル性に優れる半導体パッケージを製造することが
できる。
【０１４１】本発明の接着剤及び接着フィルムは、室温
付近での弾性率が低いために、ガラスエポキシ基板やポ
リイミド基板に代表されるリジッドプリント配線板及び
フレキシブルプリント配線板に半導体チップを実装した
場合の熱膨張係数の差がもとで起きる加熱冷却時の熱応
力を緩和させることができる。そのため、リフロー時の
クラックの発生が認められず、耐熱性に優れている。ま
た、エポキシ基含有アクリル系共重合体を低弾性率成分
として含んでおり、耐電食性、耐湿性、特にＰＣＴ処理
等厳しい条件下で耐湿試験を行なった場合の劣化が少な
く優れた特徴を有する接着材料を提供することができ
る。
付近での弾性率が低いために、ガラスエポキシ基板やポ
リイミド基板に代表されるリジッドプリント配線板及び
フレキシブルプリント配線板に半導体チップを実装した
場合の熱膨張係数の差がもとで起きる加熱冷却時の熱応
力を緩和させることができる。そのため、リフロー時の
クラックの発生が認められず、耐熱性に優れている。ま
た、エポキシ基含有アクリル系共重合体を低弾性率成分
として含んでおり、耐電食性、耐湿性、特にＰＣＴ処理
等厳しい条件下で耐湿試験を行なった場合の劣化が少な
く優れた特徴を有する接着材料を提供することができ
る。
【０１４２】本発明のコア材に耐熱性熱可塑性フィルム
を用いた三層構造の両面接着フィルムは、接着剤層の室
温付近での弾性率が低いにもかかわらず、取扱性に優
れ、しかも、ガラスエポキシ基板やポリイミド基板に代
表されるリジッドプリント配線板及びフレキシブルプリ
ント配線板に半導体チップを実装した場合の熱膨張係数
の差がもとで起きる加熱冷却時の熱応力を緩和させるこ
とができる。そのため、リフロー時のクラックの発生が
認められず、耐熱性に優れている。また、エポキシ基含
有アクリル系共重合体を低弾性率成分として含んでお
り、耐電食性、耐湿性、特にＰＣＴ処理等厳しい条件下
で耐湿試験を行なった場合の劣化が少なく優れた特徴を
有する接着材料を提供することができる。
を用いた三層構造の両面接着フィルムは、接着剤層の室
温付近での弾性率が低いにもかかわらず、取扱性に優
れ、しかも、ガラスエポキシ基板やポリイミド基板に代
表されるリジッドプリント配線板及びフレキシブルプリ
ント配線板に半導体チップを実装した場合の熱膨張係数
の差がもとで起きる加熱冷却時の熱応力を緩和させるこ
とができる。そのため、リフロー時のクラックの発生が
認められず、耐熱性に優れている。また、エポキシ基含
有アクリル系共重合体を低弾性率成分として含んでお
り、耐電食性、耐湿性、特にＰＣＴ処理等厳しい条件下
で耐湿試験を行なった場合の劣化が少なく優れた特徴を
有する接着材料を提供することができる。
【０１４３】本発明の、外部端子が基板裏面にエリアア
レイ状に配列された半導体パッケージは特に携帯機器や
ＰＤＡ用途の小型電子機器に搭載されるのに好適であ
る。
レイ状に配列された半導体パッケージは特に携帯機器や
ＰＤＡ用途の小型電子機器に搭載されるのに好適であ
る。
【図１】図１（ａ）は本発明による単層の熱硬化性接着
フィルムの断面図、図１（ｂ）は本発明による３層接着
フィルムの断面図である。
フィルムの断面図、図１（ｂ）は本発明による３層接着
フィルムの断面図である。
【図２】図２は、接着部材を有機配線基板に熱圧着した
半導体搭載用基板の断面図である。
半導体搭載用基板の断面図である。
【図３】図３は、接着部材を有機配線基板に熱圧着した
半導体搭載用基板の断面図である。
半導体搭載用基板の断面図である。
【図４】図４は、本発明の半導体装置の断面図である。
【図５】図５は、本発明の半導体装置の他の例の断面図
である。
である。
【図６】図６は、半導体搭載用基板および半導体装置の
一実施例の製造工程を示す断面図である。
一実施例の製造工程を示す断面図である。
【図７】図７は、半導体搭載用基板および半導体装置の
他の実施例の製造工程を示す断面図である。
他の実施例の製造工程を示す断面図である。
【図８】図８は、本発明の半導体装置の他の例の断面図
である。
である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｃ０９Ｊ 163/00 Ｃ０９Ｊ 163/00
(72)発明者 稲田 禎一
茨城県下館市女方248 川島ハウス４−103
(72)発明者 栗谷 弘之
茨城県下館市幸町３−28−12
(72)発明者 金田 愛三
神奈川県横浜市戸塚区上矢部町2456−47
(72)発明者 富山 健男
茨城県つくば市松代３−４−１ 日立松代
ハウス Ｂ408号
(72)発明者 野村 好弘
千葉県市原市桜台１−４−99
(72)発明者 細川 羊一
千葉県市原市桜台１−４−86
(72)発明者 桐原 博
千葉県市原市飯沼173 日立化成飯沼寮122
号
(72)発明者 景山 晃
埼玉県新座市野寺５−５−８−303
Ｆターム(参考） 4J004 AA01 AA02 AA10 AA12 AA13
AA18 CA06 CC02 EA05 FA05
FA08
4J040 EB052 EC001 EC061 EC071
EC232 EE062 HA136 HA306
KA17 KA42 NA20
5F047 AA17 BA21 BB16
Claims (49)
- 【請求項１】有機系支持基板に接着部材を介して半導体
チップが搭載された半導体装置であって、 前記有機系支持基板の、半導体チップが搭載される側、
および、半導体チップが搭載される側の反対側の少なく
ともいずれかの側には、所定の配線が形成されており、 前記有機系支持基板の半導体チップが搭載される側の反
対側には外部接続用端子がエリアアレイ状に形成されて
おり、 前記所定の配線は半導体チップ端子および前記外部接続
用端子と接続されており、 少なくとも前記半導体チップ端子と所定の配線との接続
部が樹脂封止されており、 前記接着部材は接着剤層を備えるもので、 前記接着剤の動的粘弾性測定装置で測定される２５℃の
貯蔵弾性率が１０〜２０００ＭＰａかつ２６０℃での貯
蔵弾性率が３〜５０ＭＰａであることを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項２】所定の配線と半導体チップ端子とは、ワイ
ヤボンドまたは直接に接続される請求項１記載の半導体
装置。 - 【請求項３】接着部材がフィルム状である請求項１また
は２記載の半導体装置。 - 【請求項４】接着剤の樹脂成分が、エポキシ樹脂、エポ
キシ基含有アクリル共重合体、エポキシ樹脂硬化剤およ
びエポキシ樹脂硬化促進剤を含む請求項１〜３のいずれ
かに記載の半導体装置。 - 【請求項５】接着部材は、コア材の両面に接着剤層が形
成された構造である請求項１〜４のいずれかに記載の半
導体装置。 - 【請求項６】コア材が耐熱性熱可塑性フィルムである請
求項５記載の半導体装置。 - 【請求項７】耐熱性熱可塑性フィルムのガラス転移温度
が２００℃以上である請求項６記載の半導体装置。 - 【請求項８】ガラス転移温度２００℃以上の耐熱性熱可
塑性フィルムがポリイミド、ポリエーテルスルホン、ポ
リアミドイミドまたはポリエーテルイミドである請求項
７記載の半導体装置。 - 【請求項９】耐熱性熱可塑性フィルムが液晶ポリマであ
る請求項７記載の半導体装置。 - 【請求項１０】接着剤層の中の残存溶媒量が５重量％以
下である請求項１〜９のいずれかに記載の半導体装置。 - 【請求項１１】接着部材を介して半導体チップが搭載さ
れる有機系基板の半導体チップ搭載用基板であって、 前記有機系基板の半導体チップが搭載される側および半
導体チップが搭載される側の反対側の少なくともいずれ
かの側には所定の配線が形成されており、 前記有機系基板の半導体チップが搭載される側の反対側
には外部接続用端子がエリアアレイ状に形成されてお
り、 前記接着部材は接着剤層を備えるもので、 前記接着剤硬化物の動的粘弾性測定装置で測定される２
５℃の貯蔵弾性率が１０〜２０００ＭＰａかつ２６０℃
での貯蔵弾性率が３〜５０ＭＰａであり、 前記接着部材は所定の大きさで前記有機系基板上の所定
の箇所に形成されていることを特徴とする半導体チップ
搭載用基板。 - 【請求項１２】接着部材がフィルム状である請求項１１
記載の半導体チップ搭載用基板。 - 【請求項１３】接着剤の樹脂成分が、エポキシ樹脂、エ
ポキシ基含有アクリル共重合体、エポキシ樹脂硬化剤お
よびエポキシ樹脂硬化促進剤を含む請求項１１または１
２記載の半導体チップ搭載用基板。 - 【請求項１４】接着部材は、コア材の両面に接着剤層が
形成された構造である請求項１１〜１３のいずれかに記
載の半導体チップ搭載用基板。 - 【請求項１５】コア材が耐熱性熱可塑性フィルムである
請求項１４記載の半導体チップ搭載用基板。 - 【請求項１６】耐熱性熱可塑性フィルムのガラス転移温
度が２００℃以上である、請求項１５記載の半導体チッ
プ搭載用基板。 - 【請求項１７】ガラス転移温度が２００℃以上の耐熱性
熱可塑性フィルムがポリイミド、ポリエーテルスルホ
ン、ポリアミドイミドまたはポリエーテルイミドである
請求項１６記載の半導体チップ搭載用基板。 - 【請求項１８】耐熱性熱可塑性フィルムが液晶ポリマで
ある請求項１５記載の半導体チップ搭載用基板。 - 【請求項１９】接着剤層の中の残存溶媒量が５重量％以
下である請求項１１〜１８のいずれかに記載の半導体チ
ップ搭載用基板。 - 【請求項２０】有機系基板上の所定の箇所に形成された
接着部材は所定の大きさに打ち抜き用金型で打ち抜かれ
たフィルムである請求項１１〜１９のいずれかに記載の
半導体チップ搭載用基板。 - 【請求項２１】有機系基板上の所定の箇所に形成された
接着部材は、その接着部材の接着剤が示差熱量計を用い
て測定した場合の全硬化発熱量の１０〜４０％の発熱を
終えた半硬化状態のものであり、所定の大きさに切断さ
れた後前記有機系基板上に熱圧着されたフィルムである
請求項１１〜２０のいずれかに記載の半導体チップ搭載
用基板。 - 【請求項２２】半導体チップが搭載される側には所定の
配線が形成され半導体チップが搭載される側の反対側に
は外部接続用端子がエリアアレイ状に形成された有機系
基板に、動的粘弾性測定装置で測定される硬化物の２５
℃の貯蔵弾性率が１０〜２０００ＭＰａかつ２６０℃で
の貯蔵弾性率が３〜５０ＭＰａである接着剤層を備える
接着部材であり前記接着剤が示差熱量計を用いて測定し
た場合の全硬化発熱量の１０〜４０％の発熱を終えた半
硬化状態のものである接着部材フィルムを、所定の大き
さに切断し前記有機系基板上に熱圧着することを含むこ
とを特徴とする半導体チップ搭載用基板の製造法。 - 【請求項２３】切断した請求項２２に記載の接着部材フ
ィルムを個々に精密位置決め後、熱プレスで仮接着し、
複数の接着部材フィルムを多連の請求項２２に記載の有
機系基板に載置した後、加熱した離型表面処理金型で押
圧し一括して接着する請求項２２に記載の半導体チップ
搭載用基板の製造法。 - 【請求項２４】離型表面処理金型の表面離型材がテフロ
ン（登録商標）およびシリコーンの少なくとも一種であ
る請求項２３記載の半導体チップ搭載用基板の製造法。 - 【請求項２５】接着部材フィルムの搬送時に発生する静
電気を除くエリミノスタット工程を接着部材フィルム切
断工程前に少なくとも１工程加えた請求項２２〜２４の
いずれかに記載の半導体搭載用基板の製造法。 - 【請求項２６】半導体チップが搭載される側および半導
体チップが搭載される側の反対側の少なくともいずれか
の側には所定の配線が形成され、半導体チップが搭載さ
れる側の反対側には外部接続用端子がエリアアレイ状に
形成された有機系基板の半導体チップ搭載用基板に、動
的粘弾性測定装置で測定される硬化物の２５℃の貯蔵弾
性率が１０〜２０００ＭＰａかつ２６０℃での貯蔵弾性
率が３〜５０ＭＰａである接着剤層を備える接着部材を
接着する工程、 接着部材を介して半導体チップを搭載する工程、 前記所定の配線を半導体チップ端子および前記外部接続
用端子と接続する工程、 少なくとも前記半導体チップ端子と所定の配線との接続
部を樹脂封止する工程を備えることを特徴とする半導体
装置の製造法。 - 【請求項２７】半導体チップ搭載用基板の下面側と半導
体チップ側の両面から加熱し、少なくともチップ側の温
度を高くする工程を含む請求項２６記載の半導体装置の
製造法。 - 【請求項２８】（１）エポキシ樹脂およびその硬化剤１
００重量部と、 （２）グリシジル（メタ）アクリレート２〜６重量％を
含むＴｇ（ガラス転移温度）が−１０℃以上でかつ重量
平均分子量が８０万以上であるエポキシ基含有アクリル
系共重合体１００〜３００重量部ならびに（３）硬化促
進剤０．１〜５重量部とを含む接着剤。 - 【請求項２９】（１）エポキシ樹脂およびその硬化剤１
００重量部と、 （２）エポキシ樹脂と相溶性がありかつ重量平均分子量
が３万以上の高分子量樹脂１０〜４０重量部、（３）グ
リシジル（メタ）アクリレート２〜６重量％を含むＴｇ
（ガラス転移温度）が−１０℃以上でかつ重量平均分子
量が８０万以上であるエポキシ基含有アクリル系共重合
体１００〜３００重量部ならびに（４）硬化促進剤０．
１〜５重量部とを含む接着剤。 - 【請求項３０】（１）エポキシ樹脂およびフェノール樹
脂１００重量部と、 （２）グリシジル（メタ）アクリレート２〜６重量％を
含むＴｇが−１０℃以上でかつ重量平均分子量が８０万
以上であるエポキシ基含有アクリル系共重合体１００〜
３００重量部ならびに（３）硬化促進剤０．１〜５重量
部とを含む接着剤。 - 【請求項３１】（１）エポキシ樹脂およびそのフェノー
ル樹脂１００重量部と、 （２）フェノキシ樹脂１０〜４０重量部、（３）グリシ
ジル（メタ）アクリレート２〜６重量％を含むＴｇが−
１０℃以上でかつ重量平均分子量が８０万以上であるエ
ポキシ基含有アクリル系共重合体１００〜３００重量部
ならびに（４）硬化促進剤０．１〜５重量部とを含む接
着剤。 - 【請求項３２】接着剤を、示差熱量計を用いて測定した
場合の全硬化発熱量の１０〜４０％の発熱を終えた状態
にした請求項２７〜３１のいずれかに記載の接着剤。 - 【請求項３３】動的粘弾性測定装置を用いて測定した場
合の接着剤硬化物の貯蔵弾性率が２５℃で１０〜２００
０ＭＰａであり、２６０℃で３〜５０ＭＰａである請求
項２７〜３２のいずれかに記載の接着剤。 - 【請求項３４】無機フィラーを、接着剤樹脂成分１００
体積部に対して２〜２０体積部含む請求項２７〜３２の
いずれかに記載の接着剤。 - 【請求項３５】無機フィラーがアルミナである請求項３
４記載の接着剤。 - 【請求項３６】無機フィラーがシリカである請求項３４
記載の接着剤。 - 【請求項３７】請求項２７〜３６のいずれかに記載の接
着剤をベースフィルム上に形成して得られる接着フィル
ム。 - 【請求項３８】請求項３７に記載の接着フィルムを用い
て半導体チップと配線板を接着させた半導体装置。 - 【請求項３９】耐熱性熱可塑性フィルムをコア材に用
い、コア材の両面に、 （１）エポキシ樹脂およびその硬化剤１００重量部と、 （２）グリシジル（メタ）アクリレート２〜６重量％を
含むＴｇ（ガラス転移温度）が−１０℃以上でかつ重量
平均分子量が８０万以上であるエポキシ基含有アクリル
系共重合体１００〜３００重量部ならびに（３）硬化促
進剤０．１〜５重量部とを含む接着剤を有する三層構造
の両面接着フィルム。 - 【請求項４０】耐熱性熱可塑性フィルムをコア材に用
い、コア材の両面に、 （１）エポキシ樹脂およびその硬化剤１００重量部と、 （２）エポキシ樹脂と相溶性がありかつ重量平均分子量
が３万以上の高分子量樹脂１０〜４０重量部、（３）グ
リシジル（メタ）アクリレート２〜６重量％を含むＴｇ
（ガラス転移温度）が−１０℃以上でかつ重量平均分子
量が８０万以上であるエポキシ基含有アクリル系共重合
体１００〜３００重量部ならびに（４）硬化促進剤０．
１〜５重量部とを含む接着剤を有する三層構造の両面接
着フィルム。 - 【請求項４１】耐熱性熱可塑性フィルムをコア材に用
い、コア材の両面に、 （１）エポキシ樹脂およびフェノール樹脂１００重量部
と、 （２）グリシジル（メタ）アクリレート２〜６重量％を
含むＴｇが−１０℃以上でかつ重量平均分子量が８０万
以上であるエポキシ基含有アクリル系共重合体１００〜
３００重量部ならびに（３）硬化促進剤０．１〜５重量
部とを含む接着剤を有する三層構造の両面接着フィル
ム。 - 【請求項４２】耐熱性熱可塑性フィルムをコア材に用
い、コア材の両面に、 （１）エポキシ樹脂およびフェノール樹脂１００重量部
と、 （２）フェノキシ樹脂１０〜４０重量部、（３）グリシ
ジル（メタ）アクリレート２〜６重量％を含むＴｇが−
１０℃以上でかつ重量平均分子量が８０万以上であるエ
ポキシ基含有アクリル系共重合体１００〜３００重量部
ならびに（４）硬化促進剤０．１〜５重量部とを含む接
着剤を有する三層構造の両面接着フィルム。 - 【請求項４３】接着剤を、示差熱量計を用いて測定した
場合の全硬化発熱量の１０〜４０％の発熱を終えた状態
にした請求項３９〜４２のいずれかに記載の接着剤を有
する三層構造の両面接着フィルム。 - 【請求項４４】動的粘弾性測定装置を用いて測定した場
合の接着剤硬化物の貯蔵弾性率が２５℃で１０〜２００
０ＭＰａであり、２６０℃で３〜５０ＭＰａである請求
項３９〜４３のいずれかに記載の接着剤を有する三層構
造の両面接着フィルム。 - 【請求項４５】無機フィラーを、接着剤樹脂成分１００
体積部に対して２〜２０体積部含むことを特徴とする請
求項３９〜４４のいずれかに記載の接着剤を有する三層
構造の両面接着フィルム。 - 【請求項４６】無機フィラーがアルミナまたはシリカで
ある請求項４５記載の接着剤を有する三層構造の両面接
着フィルム。 - 【請求項４７】コア材に用いる耐熱性熱可塑性フィルム
がガラス転移温度２００℃以上である請求項３９〜４２
のいずれかに記載の三層構造の両面接着フィルム。 - 【請求項４８】コア材に用いるガラス転移温度２００℃
以上の耐熱性熱可塑性フィルムがポリイミド、ポリエー
テルスルホン、ポリアミドイミドまたはポリエーテルイ
ミドである請求項３９〜４２のいずれかに記載の三層構
造の両面接着００ルム。 - 【請求項４９】コア材に用いる耐熱性熱可塑性フィルム
が液晶ポリマである請求項３９〜４２のいずれかに記載
の三層構造の両面接着フィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002131870A JP2003045902A (ja) | 1996-10-08 | 2002-05-07 | 半導体装置、半導体チップ搭載用基板、それらの製造法、接着剤、および、両面接着フィルム |
Applications Claiming Priority (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26646096 | 1996-10-08 | ||
| JP8-266460 | 1996-10-08 | ||
| JP31770996 | 1996-11-28 | ||
| JP8-317709 | 1996-11-28 | ||
| JP11143097 | 1997-04-28 | ||
| JP9-111430 | 1997-04-28 | ||
| JP2002131870A JP2003045902A (ja) | 1996-10-08 | 2002-05-07 | 半導体装置、半導体チップ搭載用基板、それらの製造法、接着剤、および、両面接着フィルム |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51739298A Division JP3453390B2 (ja) | 1996-10-08 | 1997-10-08 | 半導体装置、半導体チップ搭載用基板及びその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003045902A true JP2003045902A (ja) | 2003-02-14 |
| JP2003045902A5 JP2003045902A5 (ja) | 2005-06-09 |
Family
ID=27469906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002131870A Withdrawn JP2003045902A (ja) | 1996-10-08 | 2002-05-07 | 半導体装置、半導体チップ搭載用基板、それらの製造法、接着剤、および、両面接着フィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003045902A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005124851A1 (ja) * | 2004-06-18 | 2005-12-29 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | ダイボンディング用樹脂ペーストおよびその用途 |
| JP2008205195A (ja) * | 2007-02-20 | 2008-09-04 | Nitto Denko Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US20200062952A1 (en) * | 2017-03-13 | 2020-02-27 | Tiger Coatings Gmbh & Co. Kg | Use of a thermosetting polymeric powder composition |
-
2002
- 2002-05-07 JP JP2002131870A patent/JP2003045902A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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