JP2013018983A - 半導体装置の製造方法および半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の接着シートは、放射性重合性基材上にダイボンディング剤として使用できる接着剤層を有しているので、ウェハ固定機能とダイ接着機能とを同時に兼ね備えた接着シートを提供できる。また、接着剤層として、Bステージ状態で相分離する2種類の樹脂であって、Bステージ状態で分散相を形成する樹脂(A)と連続相を形成する樹脂(B)とを持ち、前記樹脂(A)は、未硬化状態での重量平均分子量が1万以下で、前記樹脂(B)は、未硬化状態での重量平均分子量が10万以上である。
【選択図】なし
Description
(実施例1)
Bステージ状態で分散相を形成する樹脂(A)としては、エポキシ樹脂を用いた。具体的には、エポキシ樹脂として、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量200重量部、油化シェルエポキシ株式会社製のエピコート828を使用)45重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量220、住友化学工業株式会社製のESCN001を使用)15重量部、エポキシ樹脂の硬化剤としてフェノールノボラック樹脂(大日本インキ化学工業株式会社製のプライオーフェンLF2882を使用)40重量部、エポキシ樹脂と相溶性がありかつ重量平均分子量が3万以上の高分子量樹脂としてフェノキシ樹脂(分子量5万、東都化成株式会社製のフェノトートYP−50を使用)15重量部を用意した。また、Bステージ状態で連続相を形成する樹脂(B)としては、エポキシ基含有アクリルゴムを用いた。具体的には、エポキシ基含有アクリルゴム(分子量100万、帝国化学産業株式会社製のHTR−860P−3を使用)150重量部用意した。また、硬化促進剤として硬化促進剤1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール(キュアゾール2PZ−CN)0.5重量部、シランカップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(日本ユニカー株式会社製のNUC A−187を使用)0.7重量部からなる組成物に、メチルエチルケトンを加えて撹拌混合し、真空脱気し、ワニスを作製した。このワニスを支持部材上に塗布し、140℃で5分間加熱乾燥して、Bステージ状態の塗膜を形成し、接着剤層を作製した。
実施例1で用いたフェノキシ樹脂を、カルボキシル基含有アクリロニトリルブタジエンゴム(分子量40万、日本合成ゴム株式会社製のPNR−1を使用)に変更したほか、実施例1と同様な条件で、接着剤層を作製した。なお、この状態での接着剤の硬化度は、DSCを用いて測定した結果、全硬化発熱量の20%の発熱を終えた状態であった。接着剤硬化物の貯蔵弾性率を動的粘弾性測定装置を用いて測定した結果、25℃で300MPa、260℃で3MPaであった。
実施例1の接着剤ワニスの接着剤固形分100体積部に対してシリカを10体積部添加し、ビーズミルで60分間混練したワニスを用いて、あとは実施例1と同様の条件で、接着剤層を作製した。DSCを用いて測定した結果、全硬化発熱量の15%の発熱を終えた状態であった。接着剤硬化物の貯蔵弾性率を動的粘弾性測定装置を用いて測定した結果、25℃で1,500MPa、260℃で10MPaであった。
実施例3で用いたフェノキシ樹脂を用いないこと以外実施例1と同様にして接着フィルムを作製した。DSCを用いて測定した結果、全硬化発熱量の15%の発熱を終えた状態であった。接着剤硬化物の貯蔵弾性率を動的粘弾性測定装置を用いて測定した結果、25℃で350MPa、260℃で4MPaであった。
実施例1のエポキシ基含有アクリルゴムの量を150重量部から50重量部にしたこと以外は実施例1と同様の条件を用いて接着剤層を作製した。DSCを用いて測定した結果、全硬化発熱量の20%の発熱を終えた状態であった。接着剤硬化物の貯蔵弾性率を、動的粘弾性測定装置を用いて測定した結果、25℃で3,000MPa、260℃で5MPaであった。
実施例1のエポキシ基含有アクリルゴムの量を150重量部から400重量部にしたこと以外は実施例1と同様の条件を用いて接着剤層を作製した。DSCを用いて測定した結果、全硬化発熱量の20%の発熱を終えた状態であった。接着剤硬化物の貯蔵弾性率を動的粘弾性測定装置を用いて測定した結果、25℃で200MPa、260℃で1MPaであった。
実施例3のエポキシ基含有アクリルゴムの150重量部をフェノキシ樹脂に変更(フェノキシ樹脂160重量部)した他、実施例1と同様の条件を用いて接着剤層を作製した。DSCを用いて測定した結果、全硬化発熱量は20%であった。貯蔵弾性率は、25℃で3,400MPa、260℃で3MPaであった。
実施例1のエポキシ基含有アクリルゴムをアクリロニトリルブタジエンゴムに変更した他は、実施例1と同様にして接着フィルムを作製した。この接着フィルムの全硬化発熱量は、20%あった。また、貯蔵弾性率は、25℃で500MPa、260℃で2MPaであった。
メチルメタクリレート/n−ブチルメタクリレート/2−エチルヘキシルアクリレート/メタクリル酸の共重合割合が重量基準で55/8/15/22であるアクリル酸エステル共重合体(酸価143.3、ガラス転移点66.3℃、重量平均分子量8万)100重量部、トリメチロールプロパントリアクリレート/ポリエチレングリコールジメタクリレートの重量比20/10/の混合物60重量部、ベンゾフェノン5重量部からなる組成物を支持材上に塗布し、100℃のオーブンで3分間乾燥し、放射線重合性を有する基材を作製した。
この基材と実施例1〜8で得た接着フィルムを貼り合わせ接着シートを作製した。得られた接着シートにシリコンウエハを100℃1Kgで熱圧着した後、接着材層までを10mm×10mmにダイシングし、その後、基材に高圧水銀灯を用いて紫外線(UV)を500mJ/cm2照射した。UV照射後カットされたシリコンチップは、接着材層と共に容易に、基材から容易に剥離できた。
この半導体装置の耐リフロークラック性と温度サイクル試験を適用した。耐リフロークラック性の評価は、サンプル表面の最高温度が240℃でこの温度を20秒間保持するように温度設定したIR(赤外線)リフロー炉にサンプルを通し、室温で放置することにより冷却する処理を2回繰り返したサンプル中のクラックの観察で行った。クラックの発生していないものを良好とし、発生していたものを不良とした。温度サイクル試験は、サンプルを−55℃雰囲気に30分間放置し、その後125℃の雰囲気に30分間放置する工程を1サイクルとして、破壊が起きるまでのサイクル数を示した。また、耐湿性評価は、半導体装置サンプルをプレッシャークッカーテスター中で96時間処理(PCT処理)後接着フィルムの剥離及び変色を観察することにより行った。接着フィルムの剥離及び変色の認められなかったものを良好とし、剥離のあったもの又は変色のあったものを不良とした。
各実施例で使用した、連続相の樹脂(B)の材料を図1の表に示した。また、各接着層の耐熱性、耐湿性、弾性率等の特性を図2の表に示した。
Claims (14)
- 放射線重合性を持つ基材と、
前記基材上に形成される接着剤層とを有し、
前記接着剤層は、Bステージ状態で、互いに相分離する、分散相を形成する樹脂(A)と連続相を形成する樹脂(B)とを含み、前記樹脂(A)は、未硬化状態での重量平均分子量が1万以下で、前記樹脂(B)は、未硬化状態での重量平均分子量が10万以上であることを特徴とする接着シート。 - 前記接着剤層は、25℃での貯蔵弾性率が10〜2000MPa、260℃での貯蔵弾性率が3〜50MPaであることを特徴とする請求項1に記載の接着シート。
- Bステージ状態での前記分散相と前記連続相との体積比率が、1:0.3〜1:5であることを特徴とする請求項1または2に記載の接着シート。
- 前記樹脂(A)がエポキシ樹脂であり、
前記樹脂(B)がアクリル系共重合体である請求項1〜3のいずれか1項に記載の接着シート。 - 前記分散相は、さらに硬化剤を有する請求項1〜4のいずれか1項に記載の接着シート。
- 前記エポキシ樹脂は、二官能基以上で、平均分子量が5000以下である請求項4に記載の接着シート。
- 前記アクリル系共重合体は、グリシジルメタクリレート又はグリシジルアクリレートを2〜6重量%を含み、Tgが−10℃以上でかつ重量平均分子量が80万以上である請求項4に記載の接着シート。
- 前記エポキシ樹脂と前記アクリル系重合体が、重量部比で3:5〜3:10である請求項4に記載の接着シート。
- 前記基材は、
樹脂フィルム中に放射線重合性官能基を有する成分を含有させたもの、あるいは放射線重合性官能基を有する樹脂をフィルム状に形成したものであることを特徴とする請求項1〜請求項8のいずれか1項に記載の接着シート。 - 請求項1〜請求項9のいずれか1項に記載の接着シートを、接着剤層を接着面として半導体ウエハに貼り付ける工程と、
前記半導体ウエハをダイシングする工程と、
前記接着シートの基材に、該基材側より放射線を照射する工程と、
前記基材から接着剤層を接着させたままの半導体チップを剥離する工程と、
剥離した前記半導体チップを配線接続基板上に前記接着剤層を介して接着する工程とを有する半導体装置の製造方法。 - さらに、前記半導体チップと配線接続基板とを電気的に接続する工程を有する請求項10に記載の半導体装置の製造方法。
- さらに、前記半導体チップを樹脂で封止する工程を有する請求項11に記載の半導体装置の製造方法。
- さらに、該半導体チップを電子部品の基板に半導体リフロー法で実装する工程を有する請求項11又は12に記載の半導体装置の製造方法。
- 請求項10〜請求項13のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法によって製造された半導体装置。
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