TWI704645B - 半導體晶圓處理期間之邊緣程序控制用的可移動邊緣耦合環 - Google Patents

半導體晶圓處理期間之邊緣程序控制用的可移動邊緣耦合環 Download PDF

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Abstract

基板處理系統包含處理腔室及設置於處理腔室中的基座。邊緣耦合環係鄰近該基座的徑向外邊緣而設置。第一致動器係配置成選擇性地將邊緣耦合環移至相對基座的上升位置，以提供邊緣耦合環與基座之間的空隙，從而容許自動機器手臂從處理腔室移除邊緣耦合環。

Description

半導體晶圓處理期間之邊緣程序控制用的可移動邊緣耦合環
本揭露內容相關於基板處理系統，且更特別地相關於基板處理系統之邊緣耦合環。 [相關申請案之交互參考]
本揭露內容為2015年1月22日申請之美國專利申請案第14/598,943號之部分連續案。以上參照之申請案的整體揭露內容係併入於此，以供參考。
此處提供的背景描述係針對概括性地呈現該揭露內容之脈絡的目的。目前所列名之發明人的工作成果（就本先前技術部分中所描述之範圍而言）、以及可能未以其他方式視為申請時之先前技術的描述內容之實施態樣並非明示、或暗示地被認為是相對本揭露內容的先前技術。
基板處理系統可用以執行如半導體晶圓之基板的蝕刻及/或其他處理。可將基板設置於基板處理系統之處理腔室中的基座上。舉例而言，在電漿加強化學氣相沉積（PECVD）製程中的蝕刻期間，將包含一或更多前驅物的氣體混合物導入處理腔室中，並且觸發電漿以蝕刻基板。
邊緣耦合環已用以調整基板之徑向外邊緣附近的蝕刻速率及/或電漿蝕刻輪廓。邊緣耦合環係典型地位於基板之徑向外邊緣周圍的基座上。基板之徑向外邊緣處的製程條件可藉由改變以下者而加以修正：邊緣耦合環的位置、邊緣耦合環之內邊緣的形狀或輪廓、邊緣耦合環相對基板之上表面的高度、邊緣耦合環的材料等。
更換邊緣耦合環需要打開處理腔室，而這是不期望的。換句話說，無法在不打開處理腔室的情況下改變邊緣耦合環的邊緣耦接效果。當邊緣耦合環在蝕刻期間被電漿侵蝕時，邊緣耦接效果發生改變。校正邊緣耦合環的侵蝕需要打開處理腔室，以替換該邊緣耦合環。
現在參考圖1-2，基板處理系統可包含基座20及邊緣耦合環30。邊緣耦合環30可包含單一部件、或者二或更多的部件。在圖1-2中之範例中，邊緣耦合環30包含設置於基板33之徑向外邊緣附近的第一環形部32。第二環形部34係在徑向上自第一環形部起向內位於基板33的下方。第三環形部36係設置於第一環形部32的下方。在使用期間，將電漿42引向基板33，以蝕刻基板33之曝露的部分。邊緣耦合環30係設置成有助於使電漿塑形，從而對基板33進行均勻的蝕刻。
在圖2中，邊緣耦合環30已使用之後，如48處所標示，邊緣耦合環30之徑向內部的上表面可能呈現侵蝕。結果，如44處可見，電漿42可能傾向於以比基板33之徑向內部之蝕刻更快的速率蝕刻基板33的徑向外邊緣。
基板處理系統包含處理腔室及設置於處理腔室中的基座。邊緣耦合環係鄰近該基座的徑向外邊緣而設置。第一致動器係配置成選擇性地將邊緣耦合環移至相對基座的上升位置，以提供邊緣耦合環與基座之間的空隙，從而容許自動機器手臂從處理腔室移除邊緣耦合環。
在其他特徵中，抬升環係設置於邊緣耦合環之至少一部分的下方。第一致動器使抬升環偏置，且抬升環使邊緣耦合環偏置。支柱係設置於第一致動器與抬升環之間。自動機器手臂係配置成當邊緣耦合環與抬升環在上升位置中時，從處理腔室移除邊緣耦合環。固持器係連接至自動機器手臂。固持器包含與邊緣耦合環上之自置中特徵部相配合的自置中特徵部。邊緣耦合環包含與抬升環上之自置中特徵部相配合的自置中特徵部。
在其他特徵中，底部邊緣耦合環係設置於邊緣耦合環及抬升環之至少一部分的下方。該底部邊緣耦合環包含與抬升環上之自置中特徵部相配合的自置中特徵部。
在其他特徵中，抬升環包含在徑向上向外延伸的凸部。該凸部包含形成於該凸部之朝向底部之表面上的溝槽。當該邊緣耦合環被抬起時，該支柱使溝槽偏置。
在其他特徵中，自動機器手臂在無需使處理腔室開放於大氣壓力的情形下從處理腔室移除邊緣耦合環。第二致動器係配置成相對抬升環移動邊緣耦合環，以改變該邊緣耦合環的邊緣耦接輪廓。中間邊緣耦合環係設置於邊緣耦合環之至少一部分與抬升環之間。中間邊緣耦合環在第二致動器相對抬升環移動邊緣耦合環時保持靜止。
在其他特徵中，控制器係配置成因應邊緣耦合環之面向電漿表面的侵蝕而使用第二致動器移動邊緣耦合環。控制器係配置成在邊緣耦合環曝露於預定數目的蝕刻循環之後，使用第二致動器自動地移動邊緣耦合環。控制器係配置成在邊緣耦合環曝露於預定時間段的蝕刻之後，使用第二致動器自動地移動邊緣耦合環。
在其他特徵中，感測器係配置成與控制器相連通，且配置成偵測邊緣耦合環的侵蝕。自動機器手臂係配置成與控制器相連通，且配置成調整感測器的位置。控制器係配置成使用第二致動器將邊緣耦合環移至第一位置，從而使用第一邊緣耦接效果進行基板的第一處理，然後使用第二致動器將邊緣耦合環移至第二位置，從而使用不同於第一邊緣耦接效果的第二邊緣耦接效果進行基板的第二處理。
在基板處理系統中維護邊緣耦合環的方法包含：在處理腔室中鄰近基座的徑向外邊緣而設置邊緣耦合環；使用第一致動器以選擇性地將邊緣耦合環移至相對基座的上升位置；並且當邊緣耦合環在上升位置中時，使用自動機器手臂替換邊緣耦合環。
在其他特徵中，方法包含在邊緣耦合環之至少一部分的下方設置抬升環。致動器使該抬升環偏置，且該抬升環使該邊緣耦合環偏置。方法包含在第一制動器與抬升環之間設置支柱。方法包含將固持器附接至自動機器手臂。固持器包含與邊緣耦合環上之自置中特徵部相配合的自置中特徵部。方法包含在邊緣耦合環上使用使用自置中特徵部，以配合抬升環上的自置中特徵部。
在其他特徵中，方法包含在邊緣耦合環之至少一部分及抬升環的下方設置底部邊緣耦合環。方法包含在底部邊緣耦合環上使用自置中特徵部，以配合抬升環上的自置中特徵部。抬升環包含在徑向上向外延伸的凸部。該凸部包含形成於該凸部之朝向底部之表面上的溝槽。當該邊緣耦合環被抬起時，該支柱使該溝槽偏置。
在其他特徵中，方法包含使用第二致動器相對抬升環移動邊緣耦合環，以改變邊緣耦合環的邊緣耦接輪廓。方法包含在邊緣耦合環之至少一部分與抬升環之間設置中間邊緣耦合環，其中中間邊緣耦合環在第二致動器相對抬升環移動邊緣耦合環時保持靜止。
在其他特徵中，方法包含因應邊緣耦合環之面向電漿表面的侵蝕，使用第二致動器移動邊緣耦合環。方法包含在邊緣耦合環曝露於預定數目的蝕刻循環之後，自動地移動邊緣耦合環。方法包含在邊緣耦合環曝露於預定時間段的蝕刻之後，自動地移動邊緣耦合環。
在其他特徵中，方法包含使用感測器偵測邊緣耦合環的侵蝕。方法包含使用第二致動器將邊緣耦合環移至第一位置，從而使用第一邊緣耦接效果進行基板的第一處理，並且然後使用第二致動器將邊緣耦合環移至第二位置，從而使用不同於第一邊緣耦接效果的第二邊緣耦接效果進行基板的第二處理。
本揭露內容的進一步應用領域將由實施方式、申請專利範圍、及圖式而變得明白。實施方式及具體範例僅意在說明之目的，而並非意圖限制本揭露內容的範疇。
本揭露內容容許邊緣耦合環的一或更多部件在基板處理系統中相對基板或基座而垂直地及/或水平地移動。該移動在不打開處理腔室的情形下於蝕刻或其他基板處理期間改變電漿相對基板的邊緣耦接效果。
現在參考圖3-5，基板處理系統包含基座20及邊緣耦合環60。邊緣耦合環60可由單一部件組成，或者可使用二或更多部件。在圖3-5的範例中，邊緣耦合環60包含設置於基板33之徑向外側的第一環形部72。第二環形部74係在徑向上自第一環形部72起向內位於基板33的下方。第三環形部76係設置於第一環形部72的下方。
如以下將進一步描述，致動器80可設置於各種位置中，從而相對基板33移動邊緣耦合環60的一或更多部件。僅舉例而言，在圖3中，致動器80係設置於邊緣耦合環60之第一環形部72與邊緣耦合環60之第三環形部76之間。在一些範例中，致動器80可包含壓電致動器、步進馬達、氣壓驅動機、或其他適合的致動器。在一些範例中，使用一、二、三、或四、或更多的致動器。在一些範例中，複數致動器係均勻地設置於邊緣耦合環60的周圍。(複數)致動器80可設置在處理腔室的內側或外側。
在使用期間，將電漿82引向基板33，以蝕刻基板33之曝露的部分。邊緣耦合環60係設置成有助於使電漿電場塑形，從而對基板33進行均勻的蝕刻。如圖4中84及86處可見，邊緣耦合環60之一或更多部件可能被電漿82侵蝕。侵蝕的結果即在基板33之徑向外邊緣的附近可能發生基板33之不均勻蝕刻。通常，將會需要停止該製程，打開處理腔室，以及替換邊緣耦合環。
在圖5中，致動器80係用以移動邊緣耦合環60之一或更多部件，以改變邊緣耦合環60之一或更多部件的位置。舉例而言，致動器80可用以移動邊緣耦合環60之第一環形部72。在此範例中，致動器80使邊緣耦合環60之第一環形部72在向上的、或垂直的方向上移動，使得邊緣耦合環60之第一環形部72的邊緣86係相對高於基板33之徑向外邊緣。結果，基板33之徑向外邊緣附近的蝕刻均勻性得以改善。
現在參考圖6， 如可察知，致動器可設置於一或更多其他位置中，且可在其他方向上移動，例如水平方向、對角方向等。可執行邊緣耦合環之部件的水平移動，以相對基板而使邊緣耦接效果置中。在圖6中，致動器110係設置於邊緣耦合環60的徑向外側。此外，致動器110在垂直(或，上/下)方向上、以及水平(或，側邊至側邊)方向上移動。當基板的蝕刻顯示邊緣耦合環相對基板水平偏移時，可使用水平方向的再定位。水平偏移可在不打開處理腔室的情形下加以校正。同樣，邊緣耦合環的傾斜可藉由制動一些致動器而執行，該一些致動器係不同於用以校正或產生側邊至側邊不對稱的其他制動器。
不同於使致動器110位於邊緣耦合環的環形部件之間，致動器110亦可附接至114處之徑向外壁或其他結構。或者，致動器110可從下方標示於116處之壁或其他結構支撐。
現在參考圖7-8，顯示邊緣耦合環150及壓電致動器154的另一範例。在此範例中，壓電致動器154移動邊緣耦合環150。壓電致動器154係安裝於邊緣耦合環150的第一環形部72與第三環形部76中。在圖8中，壓電致動器154移動邊緣耦合環150的第一環形部72，以調整第一環形部72之邊緣156的位置。
現在參考圖9，顯示使用RF電漿用以執行蝕刻之基板處理腔室500的範例。基板處理腔室500包含處理腔室500，其包覆基板處理腔室500的其他元件、且容納RF電漿。基板處理腔室500包含上電極504及基座506，該基座506包含下電極507。邊緣耦合環503係受基座506支撐，且係設置於基板508的周圍。可使用一或更多致動器505以移動邊緣耦合環503。在操作期間，基板508係設置於上電極504與下電極507之間的基座506上。
僅舉例而言，上電極504可包含導入並分佈製程氣體的噴淋頭509。噴淋頭509可包含桿部，該桿部包含連接至處理腔室之頂部表面的末端。基部通常係圓柱形的，且在與處理腔室頂部表面相隔開的位置處，自桿部的相反末端在徑向上向外延伸。噴淋頭之基部的基板朝向表面或面板包含複數洞，製程氣體或沖洗氣體流過該複數洞。或者，上電極504可包含傳導板，且製程氣體可以另一方式而導入。下電極507可設置於非傳導性基座中。或者，基座506可包含靜電卡盤，該靜電卡盤包含充當下電極507的傳導性板件。
RF產生系統510產生、並輸出RF電壓至上電極504與下電極507中的一者。上電極504與下電極507中的另一者可為DC接地的、AC接地的、或浮接的。僅舉例而言，RF產生系統510可包含RF電壓產生器511，其產生藉由匹配及分佈網路512而饋送至上電極504或下電極507的RF電壓。在其他範例中，電漿可感應式地、或遠端地產生。
氣體傳送系統530包含一或多個氣體源532-1、532-2、…、及532-N（統稱為氣體源532），其中N係大於0的整數。氣體源供應一或更多前驅物及其混合物。氣體源亦可供應沖洗氣體。亦可使用汽化的前驅物。氣體源532係藉由閥件534-1、534-2、…、及534-N（統稱為閥件534）及質流控制器536-1、536-2、…、及536-N（統稱為質流控制器536）而連接至歧管540。歧管540的輸出係饋送至處理腔室502。僅舉例而言，歧管540的輸出係饋送至噴淋頭509。
加熱器542可連接至設置於基座506中的加熱器線圈（未顯示）。加熱器542可用以控制基座506和基板508的溫度。閥件550和泵552可用以從處理室502抽空反應物。控制器560可用以控制基板處理腔室500的元件。控制器560亦可用以控制致動器505，以調整邊緣耦合環503之一或更多部件的位置。
自動機器570及感測器572可用以量測邊緣耦合環的侵蝕。在一些範例中，感測器572可包含深度計。自動機器570可移動與邊緣耦合環相接觸的深度計以量測侵蝕。或者，雷射干涉儀(具有或不具自動機器手臂570)可用以在無直接接觸的情況下量測侵蝕。若雷射干涉儀可與邊緣耦合環呈直視線定位，則可省略自動機器570。
另一自動機器手臂573可用以在基座506上傳送及移除基板。另外，如以下將結合圖15-23進一步描述，自動機器手臂573可用以將未使用的邊緣耦合環傳送至抬升環上，以及在充分磨損之後，用以替換已使用的邊緣耦合環。儘管針對基板及邊緣耦合環可使用同一自動機器手臂573，但亦可使用專用的自動機器手臂。
現在參考圖10，顯示操作致動器以移動邊緣耦合環之方法600的範例。在步驟610，邊緣耦合環的至少一部分係定位於相對基板的第一位置中。在步驟614，操作基板處理系統。該操作可包含基板的蝕刻、或其他處理。在步驟618，控制程式判定是否已進行預訂時間段的蝕刻、或預訂數目的蝕刻循環。如步驟618所判定，若未執行預訂的時間段或循環數目，則控制程式返回至步驟614。
當達到預定的時間段或循環數目時，控制程式在步驟624判定：最大預訂蝕刻時間段是否達到、最大數目的蝕刻循環是否已進行、及/或致動器是否已進行最大的移動。
若步驟624係「否」(false)，則控制程式利用制動器移動邊緣耦合環的至少一部分。邊緣耦合環的移動可在不打開處理腔室的情況下自動地、手動地、或以其組合方式地執行。若步驟624係「是」(true)，則控制程式發送訊息或以其他方式指示應該維護/替換該邊緣耦合環。
現在參考圖11，顯示操作致動器以移動邊緣耦合環之方法700的範例。在步驟710，邊緣耦合環的至少一部分係定位於相對基板的第一位置中。在步驟714，操作基板處理系統。該操作可包含基板的蝕刻、或其他處理。在步驟718，控制程式利用如深度計或雷射干涉儀的感測器以判定邊緣耦合環是否已發生預定量的侵蝕。若步驟718係否定的，則控制程式返回至步驟714。
當已發生預定量的侵蝕時，控制程式在步驟724判定是否已發生最大量的侵蝕。如步驟724係否定的，則控制程式利用致動器移動邊緣耦合環的至少一部分。邊緣耦合環的移動可在不打開處理腔室的情況下自動地、手動地、或以其組合方式地執行。若步驟724係肯定的，則控制程式發送訊息或以其他方式指示應該維護/替換該邊緣耦合環。
除上述內容外，是否需要移動邊緣耦合環的判定可基於基板受處理後之蝕刻圖案的檢查。致動器可用以在不打開腔室的情形下調整邊緣耦合環的邊緣耦接輪廓。
現在參考圖12，處理腔室800包含設置於基座20上的邊緣耦合環60。邊緣耦合環60包含一或更多部件，該一或更多部件係可藉由設置於處理腔室800外側的一或更多致動器804而移動的。在此範例中，第一環形部72係可移動的。致動器804可藉由機械連結810而連接至邊緣耦合環60的第一環形部72。舉例而言，機械連結810可包含桿狀構件。機械連結810可穿過處理腔室800之壁814中的洞811。可使用如「O」型環的密封件812。機械連結810可穿過如邊緣耦合環60之第三環形部76的一或更多結構中的洞815。
現在參考圖13A及13B，顯示邊緣耦合環830之側邊至側邊的傾斜。側邊至側邊的傾斜可用以校正側邊至側邊的未對準情形。在圖13A中，基板之相反側上，邊緣耦合環830之部件830-1及830-2係設置於第一設置位置840中。一般而言，部件830-1及830-2可與邊緣耦合環830之部件832-1及832-2對準。致動器836-1及836-2係分別地設置於部件830-1與832-1之間、及830-2與832-2之間。
在圖13B中，致動器836-1及836-2移動邊緣耦合環830的各個部件，使得邊緣耦合環830移至與圖13A中所顯示之第一設置位置840不同的第二設置位置850。如可察知，處理之後可檢查基板，且相對基板的傾斜可在不打開處理腔室的情形下視需要調整。
現在參考圖14，顯示在基板的處理期間移動邊緣耦合環的方法900。換句話說，在同一處理腔室中單一基板上可執行不同的處理。在繼續進行至後續基板之前，邊緣耦合環的邊緣耦接效果可在同一處理腔室中於基板上所執行之複數處理之間進行調整。在步驟910，使基板定位於基座上，且視需要調整邊緣耦合環的位置。在步驟914，執行基板的處理。如步驟918處所判定，若基板的處理已完成，則在步驟922自基座移除基板。在步驟924，控制程式判定是否需要處理另一基板。如步驟924係「是」，則該方法返回至步驟910。否則，該方法終止。
若步驟918係「是」，且基板需要額外的處理，則該方法在步驟930判定邊緣耦合環是否需要調整。若步驟930係「否」，則該方法返回至步驟914。若步驟930係「是」，則在步驟934使用一或更多致動器移動邊緣耦合環的至少一部分，然後該方法返回至步驟914。如可察知，邊緣耦合環可在同一處理腔室中同一基板的處理之間調整。
現在參考圖15，邊緣耦合環1014及抬升環1018係設置於基座1010上表面的鄰近及周邊。如以上描述，邊緣耦合環1014包含在蝕刻期間鄰近基板而設置的徑向內邊緣。抬升環1018係設置於邊緣耦合環1014之至少一部分的下方。當使用自動機器手臂移除邊緣耦合環1014時，抬升環1018係用以使邊緣耦合環1014上升於基座1010的表面之上。可在無需使處理腔室開放至大氣壓力的情形下移除邊緣耦合環1014。在一些範例中，可選地，抬升環1018在圓周方向上隔開的末端1020之間可包含開放部1019，從而如以下將描述，為自動機器手臂移除邊緣耦合環1014提供間隙。
現在參考圖16-17，更詳細顯示邊緣耦合環1014及抬升環1018的範例。在圖16中顯示的範例中，基座可包含大致標示於1021處的靜電卡盤(ESC，electrostatic chuck)。ESC 1021可包含一或更多堆疊板件，例如ESC板1022、1024、1030、及1032。ESC板1030可對應於中間ESC板，且ESC板1032可對應於ESC基部板。在一些範例中，O型環1026可設置於ESC板1024與1030之間。儘管顯示具體的基座1010，但可使用其他類型的基座。
底部邊緣耦合環1034可設置於邊緣耦合環1014及抬升環1018的下方。底部邊緣耦合環1034可設置鄰近於ESC板1024、1030、及1032、及O型環1026且位於其徑向外側。
在一些範例中，邊緣耦合環1014可包含一或更多自置中特徵部1040、1044、及1046。僅舉例而言，自置中特徵部1040及1044可為三角形的、凹形的自置中特徵部，然而可使用其他形狀。自置中特徵部1046可為斜表面。抬升環1018可包含一或更多自置中特徵部1048、1050、及1051。僅舉例而言，自置中特徵部1048、及1050可為三角形的、凹形的自置中特徵部，然而可使用其他形狀。自置中特徵部1051可為具有與自置中特徵部1046互補之形狀的斜表面。抬升環1018上的自置中特徵部1048可與邊緣耦合環1014上的自置中特徵部1044相配合。抬升環1018上的自置中特徵部1050可與底部邊緣耦合環1034上的自置中特徵部1052相配合。
抬升環1018更包含在徑向上向外延伸的凸部1054。溝槽1056可設置於凸部1054之朝向底部之表面1057上。溝槽1056係配置成被支柱1060的末端偏置，該支柱1060係連接至致動器1064，並且係藉由致動器1064而在垂直方向上選擇性地移動。致動器1064可由控制器控制。如可察知，儘管顯示單一的溝槽、支柱、及致動器，但額外的溝槽、支柱、及致動器可呈圓周地以隔開的關係設置在抬升環1018的周圍，從而使抬升環1018在向上方向上偏置。
在圖17中，邊緣耦合環1014係顯示藉由抬升環1018使用(複數)支柱1060及(複數)致動器1064而在向上方向上升起。可藉由自動機器手臂從處理腔室移除邊緣耦合環1014。更尤其，自動機器手臂1102係藉由固持器1104而連接至邊緣耦合環1014。固持器1104可包含與邊緣耦合環1014上之自置中特徵部1040相配合的自置中特徵部1110。如可察知，自動機器手臂1102及固持器1104可使邊緣耦合環向上偏置，以清空抬升環1018上的自置中特徵部1048。然後，自動機器手臂1102、固持器1104、及邊緣耦合環1014可被移出處理腔室。自動機器手臂1102、固持器1104、及新的邊緣耦合環可返回、並且定位於抬升環1018上。然後，使抬升環1018降低。可使用相反的操作來將新的邊緣耦合環1014傳送至抬升環1018上。
或者，相對於向上抬升自動機器手臂1102及固持器1104以使邊緣耦合環1014抬離抬升環1018，自動機器手臂1102及固持器1104可定位於已升起之邊緣耦合環1014的下方，並與之相接觸。然後，使抬升環1018降低，且邊緣耦合環1014停留於自動機器手臂1102及固持器1104上。自動機器手臂1102、固持器1104、及邊緣耦合環1014可從處理腔室移除。可使用相反的操作以將新的邊緣耦合環1014傳送至抬升環1018上。
現在參考圖18-20，顯示可移動邊緣耦合環1038及抬升環1018。在圖8中，一或更多支柱1210係藉由一或更多致動器1214透過分別位於ESC基部板1032、底部邊緣耦合環1034、及抬升環1018中的孔1220、1224、及1228而上下移動。在此範例中，中間邊緣耦合環1240或間隔件係設置於可移動邊緣耦合環1038及抬升環1018之間。中間邊緣耦合環1240可包含自置中特徵部1244及1246。對應的自置中特徵部1248可設置於可移動邊緣耦合環1038上。自置中特徵部1248與中間邊緣耦合環1240上之自置中特徵部1246相配合。
如以上詳細描述，在使用期間可移動邊緣耦合環1238之向上朝向表面可能發生侵蝕。因此，這可能改變電漿的輪廓。使用支柱1210及致動器1214可使可移動邊緣耦合環1238在向上方向上選擇性地移動，以改變電漿的輪廓。在圖19中，圖18之可移動邊緣耦合環1238係顯示於上升位置中。中間邊緣耦合環1240可保持靜止。最終，可移動邊緣耦合環1238可被移動一或更多次，並且隨後可更換邊緣耦合環1238及中間邊緣耦合環1240。
在圖20中，將致動器1214返回至降低狀態，且使致動器1064移至上升狀態。邊緣耦合環1238及中間邊緣耦合環1240係藉由抬升環1018而抬升，且藉由自動機器手臂1102及固持器1104可移除可移動邊緣耦合環1238。
如可察知，致動器可設置於處理腔室中、或處理腔室外側。在一些範例中，邊緣耦合環可經由卡匣、裝載室、轉移腔室、及類似者而被供應至腔室。或者，邊緣耦合環可被儲存於處理腔室的外側，但在基板處理工具內側。
現在參考圖21-22，在一些實施例中可省略抬升環。邊緣耦合環1310係設置於底部邊緣耦合環1034及基座的徑向外邊緣上。邊緣耦合環1310可包含一或更多自置中特徵部1316及1320。邊緣耦合環1310可更包含用以承接支柱1210之頂部表面的溝槽1324，該支柱1210係藉由致動器1214而偏置。自置中特徵部1320可抵向底部邊緣耦合環1034之相對應的自置中特徵部1326而設置。在一些範例中，自置中特徵部1320及1326係斜表面。
在圖22中，致動器1214及支柱1210使邊緣耦合環1310向上偏置，從而移除邊緣耦合環1310、或在發生侵蝕後調整電漿輪廓。可使自動機器手臂1102及固持器1104移入邊緣耦合環1310下方的位置。連接至自動機器手臂1102之固持器1104上的自置中特徵部1110可接合自置中特徵部1316。自動機器手臂1102在向上方向上移動以提供溝槽1324與支柱1210之間的空隙，或者藉由致動器1214使支柱1210向下移動以針對溝槽1324提供空隙。
現在參考圖23，顯示在不使處理腔室開放至大氣壓力的情形下更換邊緣耦合環的方法1400。在步驟1404，方法判定邊緣耦合環是否位於抬升環上。若步驟1404係否定的，該方法在步驟1408使用自動機器手臂將邊緣耦合環移入抬升環上的位置中。邊緣耦合環係在處理腔室中位於抬升環上之後，製程運行於步驟1410。在步驟1412，該方法使用上述準則的任何者判定邊緣耦合環是否磨損。若步驟1412係否定的，該方法返回至步驟1410，然後該製程可重新運行。若在步驟1412判定邊緣耦合環磨損，則在步驟1416更換邊緣耦合環，然後該方法於步驟1410繼續進行。
現在參考圖24，方法1500視需要調整可移動邊緣耦合環的位置，以補償侵蝕，且方法1500在可移動邊緣耦合環被判定為磨損時選擇性地更換可移動邊緣耦合環。在步驟1502，該方法判定可移動邊緣耦合環是否位於抬升環上。若步驟1502係否定的，則在步驟1504使邊緣耦合環移入抬升環上的位置中，且該方法於步驟1502繼續進行。
若步驟1502係肯定的，則該方法在步驟1506判定可移動邊緣耦合環的位置是否需要調整。若步驟1506係肯定的，則該方法使用致動器調整可移動邊緣耦合環的位置，然後該方法返回至步驟1506。當步驟1506係否定的，該方法在步驟1506運行製程。在步驟1512，該方法判定可移動邊緣耦合環是否磨損。若否定，則該方法返回至步驟1510。
若步驟1512係肯定的，則該方法在步驟1520判定可移動邊緣耦合環是否處於最高位置(或，完全調整位置)中。若步驟1520係否定的，則該方法在步驟1524使用致動器1214調整可移動邊緣耦合環的位置，然後該方法返回至步驟1510。若步驟1520係肯定的，則該方法使用致動器1064、抬升環1018、及自動機器手臂1102更換可移動邊緣耦合環。
現在參考圖25，顯示在不使處理腔室開放至大氣壓力的情形下更換邊緣耦合環的方法1600。在步驟1610，抬升環及邊緣耦合環係使用致動器而被向上偏置。在步驟1620，使自動機器及固持器移於邊緣耦合環的下方。在步驟1624，使自動機器手臂向上移動，以清空邊緣耦合環的自置中特徵部，或者使抬升環向下移動。在步驟1628，使具有邊緣耦合環的自動機器手臂移出處理腔室。在步驟1632，使邊緣耦合環從自動機器手臂分離。在步驟1636，自動機器手臂拿取替換邊緣耦合環。在步驟1638，邊緣耦合環係定位於抬升環上，且使用一或更多自置中特徵部而對準。在步驟1642，使自動機器手臂降低，以提供自置中特徵部足夠的空隙，然後從腔室移除自動機器手臂。在步驟1646，使抬升環及邊緣耦合環降低至位置中。
前述描述內容本質上僅係說明性的，且絕不意圖限制本揭露內容、其應用、或使用。本揭露內容之廣義教示可以各種形式實施。因此，儘管本揭露內容包含特定的範例，但本揭露內容的真正範疇不應該被如此所限制，因為其他修正將在圖式、說明書、及隨後之申請專利範圍的學習上而變得明顯。如此處所使用，詞組「A、B、及C之至少一者」應被解釋成意指使用非排除性邏輯「或」的邏輯(A或B或C)，且不應被解釋成意指「A之至少一者、B之至少一者、及C之至少一者」。應該理解的是，方法內一或更多的步驟可在不改變本揭露內容之原理的情況下以不同的順序(或同時地)加以執行。
在一些實施例中，系統控制器係系統的一部分，該系統可為以上描述範例的一部分。如此系統可包含半導體處理設備，該半導體處理設備包含（複數）處理工具、（複數）腔室、（複數）處理平台、及/或特定的處理元件（晶圓基座、氣體流動系統等）。該等系統可與電子設備整合，以在半導體晶圓或基板的處理之前、期間、以及之後，控制該等系統的運作。該電子設備可稱為「控制器」，其可控制系統或複數系統的各種元件或子部件。取決於處理條件及/或系統類型，系統控制器可程式設計成控制此處所揭露製程的任何者，包含處理氣體的傳送、溫度設定（例如，加熱及/或冷卻）、壓力設定、真空設定、功率設定、射頻（RF ）產生器設定、RF匹配電路設定、頻率設定、流速設定、流體傳送設定、位置和操作設定、晶圓轉移（進出與特定系統相連接或相接合之工具及其他轉移工具、及/或裝載室）。
廣泛地講，控制器可定義為具有用以接收指令、發佈指令、控制操作、啟動清洗操作、啟動終點量測以及類似者之各種積體電路、邏輯、記憶體、及/或軟體的電子設備。積體電路可包含：儲存程式指令之韌體形式的晶片、數位訊號處理器（DSP，digital signal processors）、定義為特殊用途積體電路（ASIC，application specific integrated circuits ）的晶片、及/或一或更多微處理器、或執行程式指令（例如，軟體）的微控制器。程式指令可為以各種單獨設定（或程式檔案）之形式而傳達至控制器或系統的指令，該單獨設定（或程式檔案）為實行特定的製程（在半導體晶圓上，或針對半導體晶圓）定義操作參數。在一些實施例中，操作參數可為由製程工程師為了在一或更多以下者的製造期間實現一或更多處理步驟而定義之配方的一部分：疊層、材料、金屬、氧化物、矽、二氧化矽、表面、電路、以及/或者晶圓的晶粒。
在一些實施例中，控制器可為電腦的一部分，或耦接至電腦，該電腦係與系統整合、耦接至系統、以其他網路的方式接至系統、或其組合的方式而接至系統。舉例而言，控制器可在能容許遠端存取晶圓處理之「雲端」或廠房主機電腦系統的全部、或部分中。電腦可使系統能夠遠端存取，以監控製造操作的目前進度、檢查過去製造操作的歷史、自複數的製造操作而檢查其趨勢或效能度量，以改變目前處理的參數、設定目前處理之後的處理步驟、或開始新的處理。在一些範例中，遠端電腦（例如，伺服器）可通過網路而提供製程配方至系統，該網路可包含局域網路或網際網路。遠端電腦可包含使得可以進入參數及/或設定、或對參數及/或設定進行程式設計的使用者介面，然後該參數及/或設定自遠端電腦而傳達至系統。在一些範例中，控制器以資料的形式接收指令，該指令為即將於一或更多操作期間進行執行之處理步驟的每一者而指定參數。應該理解，參數可特定地針對待執行之製程的類型、以及控制器與之接合或加以控制之工具的類型。因此如上所述，控制器可為分散式，例如藉由包含以網路的方式接在一起、且朝向共同之目的（例如，此處所描述之處理、及控制）而運作的一或更多的分離的控制器。用於如此目的之分散式控制器的範例將是腔室上與位於遠端的一或更多積體電路（例如，在作業平臺位準處、或作為遠端電腦的一部分）進行通訊的一或更多積體電路，兩者相結合以控制腔室上之製程。
例示性系統可包含但不限於以下者：電漿蝕刻腔室或模組、沉積腔室或模組、旋轉淋洗腔室或模組、金屬電鍍腔室或模組、清洗腔室或模組、斜角緣部蝕刻腔室或模組、物理氣相沉積沉積（PVD，physical vapor deposition）腔室或模組、化學氣相沉積（CVD ，chemical vapor deposition ）腔室或模組、原子層沉積（ALD ，atomic layer deposition ）腔室或模組、原子層蝕刻（ALE ，atomic layer etch）腔室或模組、離子植入腔室或模組、徑跡腔室（track chamber）或模組、以及可在半導體晶圓的製造和加工中相關聯的、或使用的任何其他半導體處理系統。
如以上所提及，取決於待藉由工具而執行之（複數）製程步驟，控制器可與半導體加工工廠中之一或更多的以下者進行通訊：其他工具電路或模組、其他工具元件、叢集工具（cluster tools）、其他工具介面、鄰近的工具、相鄰的工具、遍及工廠而分布的工具、主電腦、另一控制器、或材料輸送中使用之工具，該材料輸送中使用之工具將晶圓容器帶至工具位置及/或裝載埠，或自工具位置及/或裝載埠帶來晶圓容器。
20‧‧‧基座 30‧‧‧邊緣耦合環 32‧‧‧第一環形部 33‧‧‧基板 34‧‧‧第二環形部 36‧‧‧第三環形部 42‧‧‧電漿 44‧‧‧電漿 48‧‧‧邊緣 60‧‧‧邊緣耦合環 72‧‧‧第一環形部 74‧‧‧第二環形部 76‧‧‧第三環形部 80‧‧‧致動器 82‧‧‧電漿 84‧‧‧電漿 86‧‧‧邊緣 110‧‧‧致動器 114‧‧‧徑向外壁 116‧‧‧壁 150‧‧‧邊緣耦合環 154‧‧‧壓電致動器 156‧‧‧邊緣 500‧‧‧基板處理腔室 502‧‧‧處理腔室 503‧‧‧邊緣耦合環 504‧‧‧上電極 505‧‧‧致動器 506‧‧‧基座 507‧‧‧下電極 508‧‧‧基板 509‧‧‧噴淋頭 510‧‧‧RF產生系統 512‧‧‧匹配及分佈網路 530‧‧‧氣體傳送系統 532-1‧‧‧氣體源 532-2‧‧‧氣體源 532-N‧‧‧氣體源 534‧‧‧閥件 534-1‧‧‧閥件 534-N‧‧‧閥件 536‧‧‧質流控制器 536-1‧‧‧質流控制器 536-N‧‧‧質流控制器 540‧‧‧歧管 542‧‧‧加熱器 550‧‧‧閥件 552‧‧‧泵 560‧‧‧控制器 570‧‧‧自動機器 572‧‧‧感測器 573‧‧‧自動機器手臂 600‧‧‧方法 610‧‧‧步驟 614‧‧‧步驟 618‧‧‧步驟 624‧‧‧步驟 628‧‧‧步驟 700‧‧‧步驟 710‧‧‧步驟 714‧‧‧步驟 718‧‧‧步驟 724‧‧‧步驟 728‧‧‧步驟 800‧‧‧處理腔室 804‧‧‧致動器 810‧‧‧機械連結 811‧‧‧洞 812‧‧‧密封件 814‧‧‧壁 815‧‧‧洞 830‧‧‧邊緣耦合環 830-1‧‧‧邊緣耦合環部件 830-2‧‧‧邊緣耦合環部件 832-1‧‧‧邊緣耦合環部件 832-2‧‧‧邊緣耦合環部件 836-1‧‧‧致動器 836-2‧‧‧致動器 840‧‧‧第一設置位置 850‧‧‧第二設置位置 900‧‧‧方法 910‧‧‧步驟 914‧‧‧步驟 918‧‧‧步驟 922‧‧‧步驟 924‧‧‧步驟 930‧‧‧步驟 934‧‧‧步驟 1010‧‧‧基座 1014‧‧‧邊緣耦合環 1018‧‧‧抬升環 1019‧‧‧開放部 1020‧‧‧末端 1021‧‧‧靜電卡(ESC) 1022‧‧‧ESC板 1024‧‧‧ESC板 1026‧‧‧O型環 1030‧‧‧ESC板 1032‧‧‧ESC板 1034‧‧‧底部邊緣耦合環 1040‧‧‧自置中特徵部 1044‧‧‧自置中特徵部 1046‧‧‧自置中特徵部 1048‧‧‧自置中特徵部 1050‧‧‧自置中特徵部 1051‧‧‧自置中特徵部 1052‧‧‧自置中特徵部 1054‧‧‧凸部 1056‧‧‧溝槽 1057‧‧‧朝向底部之表面 1060‧‧‧支柱 1064‧‧‧致動器 1102‧‧‧自動機器手臂 1104‧‧‧固持器 1110‧‧‧自置中特徵部 1210‧‧‧支柱 1214‧‧‧致動器 1220‧‧‧孔 1224‧‧‧孔 1228‧‧‧孔 1238‧‧‧邊緣耦合環 1240‧‧‧中間邊緣耦合環 1244‧‧‧自置中特徵部 1246‧‧‧自置中特徵部 1248‧‧‧自置中特徵部 1310‧‧‧邊緣耦合環 1316‧‧‧自置中特徵部 1320‧‧‧自置中特徵部 1324‧‧‧溝槽 1326‧‧‧自置中特徵部 1400‧‧‧方法 1404‧‧‧步驟 1408‧‧‧步驟 1412‧‧‧步驟 1416‧‧‧步驟 1500‧‧‧方法 1502‧‧‧步驟 1504‧‧‧步驟 1506‧‧‧步驟 1508‧‧‧步驟 1510‧‧‧步驟 1512‧‧‧步驟 1520‧‧‧步驟 1524‧‧‧步驟 1528‧‧‧步驟 1600‧‧‧方法 1610‧‧‧步驟 1620‧‧‧步驟 1624‧‧‧步驟 1628‧‧‧步驟 1632‧‧‧步驟 1636‧‧‧步驟 1638‧‧‧步驟 1642‧‧‧步驟 1646‧‧‧步驟
本揭露內容將自實施方式與隨附圖式而得到更完全地理解，其中：
圖1為根據先前技術，基座及邊緣耦合環的側面橫剖面圖；
圖2為根據先前技術，已發生邊緣耦合環侵蝕後之基座及邊緣耦合環的側面橫剖面圖；
圖3為根據本揭露內容，基座、邊緣耦合環、及致動器之範例的側面橫剖面圖；
圖4為已發生邊緣耦合環侵蝕後，圖3之基座、邊緣耦合環、及致動器的側面橫剖面圖；
圖5為已發生邊緣耦合環侵蝕且移動致動器後，圖3之基座、邊緣耦合環、及致動器的側面橫剖面圖；
圖6為根據本揭露內容，基座、邊緣耦合環、及位於另一位置中之致動器之另一範例的側面橫剖面圖；
圖7為根據本揭露內容，基座、邊緣耦合環、及壓電致動器之另一範例的側面橫剖面圖；
圖8為已發生侵蝕且移動壓電致動器後，圖7之基座、邊緣耦合環、及壓電致動器的側面橫剖面圖；
圖9為根據本揭露內容，包含基座、邊緣耦合環、及致動器之基板處理腔室之範例的功能方塊圖；
圖10為根據本揭露內容，說明操作致動器以移動邊緣耦合環之方法範例之步驟的流程圖；
圖11為根據本揭露內容，說明操作致動器以移動邊緣耦合環之另一方法範例之步驟的流程圖；
圖12為根據本揭露內容，處理腔室之範例的功能方塊圖，該處理腔室包含可藉由設置於處理腔室外側之致動器而移動的邊緣耦合環；
圖13A及13B根據本揭露內容，說明邊緣耦合環之側邊至側邊傾斜的範例；
圖14說明在基板的處理期間，移動邊緣耦合環之方法的範例；
圖15為包含邊緣耦合環及抬升環之基座範例的俯視圖；
圖16為邊緣耦合環及抬升環之範例的側面橫剖面圖；
圖17為被抬升環抬起之邊緣耦合環之範例的側面橫剖面圖，然後該邊緣耦合環係藉由自動機器手臂而移除；
圖18為可移動邊緣耦合環及抬升環之範例的側面橫剖面圖；
圖19為處於上升位置之圖18之可移動邊緣耦合環的側面橫剖面圖；
圖20為被抬升環抬起之圖18之邊緣耦合環的側面橫剖面圖，然後該邊緣耦合環係藉由自動機器手臂而移除；
圖21為可移動邊緣耦合環之範例的側面橫剖面圖；
圖22為被致動器抬起之圖21之邊緣耦合環的側面橫剖面圖，然後該邊緣耦合環係藉由自動機器手臂而移除；
圖23為不打開處理腔室情形下替換邊緣耦合環之方法的範例；
圖24為在不打開處理腔室的情形下起因於侵蝕而移動邊緣耦合環，及替換邊緣耦合環之方法的範例；
圖25為在不打開處理腔室的情形下起因於侵蝕而升起邊緣耦合環、及替換邊緣耦合環之方法的範例；
在圖式中，可重複使用參考數字，以識別相似、及/或相同的元件。
20‧‧‧基座
33‧‧‧基板
60‧‧‧邊緣耦合環
72‧‧‧第一環形部
74‧‧‧第二環形部
76‧‧‧第三環形部
84‧‧‧電漿
800‧‧‧處理腔室
804‧‧‧致動器
810‧‧‧機械連結
811‧‧‧洞
812‧‧‧密封件
814‧‧‧壁
815‧‧‧洞

Claims (33)

  1. 一種基板處理系統，包含：一處理腔室；一基座，其係設置於該處理腔室中，該基座包含一基部板及設置於該基部板上的至少一板件；一邊緣耦合環，其係鄰近該基座的一徑向外邊緣而設置，其中該邊緣耦合環的內部與該至少一板件重疊；一抬升環，其中該邊緣耦合環的外部與該抬升環重疊；以及一第一致動器，其係配置成選擇性地將該邊緣耦合環移至相對該基座的一上升位置及一降低位置，其中，當該邊緣耦合環處於該上升位置中時，該邊緣耦合環的底部表面係在該基座的最上表面之上，以定義該邊緣耦合環的該底部表面與該基座的該最上表面之間的間隙，其中該間隙即在該邊緣耦合環的該底部表面之下且在該至少一板件的上表面之上，且其中，當該邊緣耦合環處於該降低位置中時，該邊緣耦合環的該底部表面係由該至少一板件的該上表面所支撐。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中該第一致動器使該抬升環偏置，且該抬升環使該邊緣耦合環偏置。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理系統，更包含一支柱，其係設置於該第一致動器與該抬升環之間。
  4. 如申請專利範圍第2項之基板處理系統，更包含一自動機器手臂，其係配置成當該邊緣耦合環與該抬升環處於該上升位置中時，將該邊緣耦合環從該處理腔室移除。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理系統，更包含一固持器，其係連接至該自動機器手臂，其中該固持器包含一自置中特徵部，該自置中特徵部與該邊緣耦合環上的一自置中特徵部相配合。
  6. 如申請專利範圍第2項之基板處理系統，其中該邊緣耦合環包含一自置中特徵部，該自置中特徵部與該抬升環上的一自置中特徵部相配合。
  7. 如申請專利範圍第2項之基板處理系統，更包含一底部邊緣耦合環，其係設置於該邊緣耦合環之至少一部分與該抬升環的下方。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板處理系統，其中該底部邊緣耦合環包含一自置中特徵部，該自置中特徵部與該抬升環上的一自置中特徵部相配合。
  9. 如申請專利範圍第3項之基板處理系統，其中：該抬升環包含徑向朝外延伸的一凸部；該凸部包含形成於該凸部之一朝向底部之表面上的一溝槽；並且當該邊緣耦合環被抬起時，該溝槽被該支柱偏置。
  10. 如申請專利範圍第4項之基板處理系統，其中該自動機器手臂在無需使該處理腔室開放於大氣壓力的情形下將該邊緣耦合環從該處理腔室移除。
  11. 如申請專利範圍第2項之基板處理系統，更包含一第二致動器，其係配置成相對於該抬升環移動該邊緣耦合環，從而改變該邊緣耦合環的一邊緣耦接輪廓。
  12. 如申請專利範圍第11項之基板處理系統，更包含一中間邊緣耦合環，其係設置於該邊緣耦合環之至少一部分與該抬升環之間，其中該中間邊緣耦合環在該第二致動器相對該抬升環移動該邊緣耦合環時保持靜止。
  13. 如申請專利範圍第11項之基板處理系統，更包含一控制器，其係配置成因應該邊緣耦合環之一面向電漿表面的侵蝕而利用該第二致動器移動該邊緣耦合環。
  14. 如申請專利範圍第13項之基板處理系統，其中該控制器係配置成在該邊緣耦合環曝露於一預定數目之蝕刻循環後，利用該第二致動器自動地移動該邊緣耦合環。
  15. 如申請專利範圍第13項之基板處理系統，其中該控制器係配置成在該邊緣耦合環曝露於一預定時間段之蝕刻後，利用該第二致動器自動地移動該邊緣耦合環。
  16. 如申請專利範圍第13項之基板處理系統，更包含一感測器，其係配置成與該控制器相連通，且係配置成偵測該邊緣耦合環的侵蝕。
  17. 如申請專利範圍第16項之基板處理系統，更包含一自動機器手臂，其係配置成與該控制器相連通，且係配置成調整該感測器的位置。
  18. 如申請專利範圍第11項之基板處理系統，更包含一控制器，其係配置成利用該第二致動器將該邊緣耦合環移至一第一位置，從而使用一第一邊緣耦接效果進行一基板的一第一處理，且然後利用該第二致動器將該邊緣耦合環移至一第二位置，從而使用不同於該第一邊緣耦接效果的一第二邊緣耦接效果進行該基板的一第二處理。
  19. 一種在基板處理系統中維護邊緣耦合環的方法，在申請專利範圍第1項之該基板處理系統中維護邊緣耦合環，該方法包含：在一處理腔室中鄰近一基座的一徑向外邊緣設置一邊緣耦合環；使用一第一致動器以選擇性地將該邊緣耦合環移至相對該基座的一上升位置；並且 當該邊緣耦合環在該上升位置中時，使用一自動機器手臂替換該邊緣耦合環。
  20. 如申請專利範圍第19項之在基板處理系統中維護邊緣耦合環的方法，更包含在該邊緣耦合環之至少一部分的下方設置一抬升環，其中該致動器使該抬升環偏置，且該抬升環使該邊緣耦合環偏置。
  21. 如申請專利範圍第20項之在基板處理系統中維護邊緣耦合環的方法，更包含在該第一制動器與該抬升環之間設置一支柱。
  22. 如申請專利範圍第20項之在基板處理系統中維護邊緣耦合環的方法，更包含將一固持器附接至該自動機器手臂，其中該固持器包含一自置中特徵部，該自置中特徵部與該邊緣耦合環上的一自置中特徵部相配合。
  23. 申請專利範圍第20項之在基板處理系統中維護邊緣耦合環的方法，更包含在該邊緣耦合環上使用一自置中特徵部，以配合該抬升環上的一自置中特徵部。
  24. 申請專利範圍第20項之在基板處理系統中維護邊緣耦合環的方法，更包含在該邊緣耦合環之至少一部分及該抬升環的下方設置一底部邊緣耦合環。
  25. 申請專利範圍第24項之在基板處理系統中維護邊緣耦合環的方法，更包含在該底部邊緣耦合環上使用一自置中特徵部，以配合該抬升環上的一自置中特徵部。
  26. 申請專利範圍第21項之在基板處理系統中維護邊緣耦合環的方法，其中：該抬升環包含在徑向上向外延伸的一凸部；該凸部包含形成於該凸部之一朝向底部之表面上的一溝槽；並且當該邊緣耦合環被抬起時，該溝槽被該支柱偏置。
  27. 申請專利範圍第20項之在基板處理系統中維護邊緣耦合環的方法，更包含使用一第二致動器相對該抬升環移動該邊緣耦合環，以改變該邊緣耦合環的一邊緣耦接輪廓。
  28. 申請專利範圍第27項之在基板處理系統中維護邊緣耦合環的方法，更包含在該邊緣耦合環之至少一部分與該抬升環之間設置一中間邊緣耦合環，其中該中間邊緣耦合環在該第二致動器相對該抬升環移動該邊緣耦合環時保持靜止。
  29. 申請專利範圍第27項之在基板處理系統中維護邊緣耦合環的方法，更包含因應該邊緣耦合環之一面向電漿表面的侵蝕，利用該第二致動器移動該邊緣耦合環。
  30. 申請專利範圍第29項之在基板處理系統中維護邊緣耦合環的方法，更包含在該邊緣耦合環曝露於一預定數目之蝕刻循環後，自動地移動該邊緣耦合環。
  31. 申請專利範圍第29項之在基板處理系統中維護邊緣耦合環的方法，更包含在該邊緣耦合環曝露於一預定時間段之蝕刻後，自動地移動該邊緣耦合環。
  32. 申請專利範圍第20項之在基板處理系統中維護邊緣耦合環的方法，進一步利用一感測器偵測該邊緣耦合環的侵蝕。
  33. 申請專利範圍第27項之在基板處理系統中維護邊緣耦合環的方法，更包含利用該第二致動器將該邊緣耦合環移至一第一位置，從而使用一第一邊緣耦接效果進行一基板的一第一處理，且然後使用該第二致動器將該邊緣耦合環移至一第二位置，從而使用不同於該第一邊緣耦接效果的一第二邊緣耦接效果進行該基板的一第二處理。
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