TWI552057B - 觸控面板 - Google Patents

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TWI552057B TW100136098A TW100136098A TWI552057B TW I552057 B TWI552057 B TW I552057B TW 100136098 A TW100136098 A TW 100136098A TW 100136098 A TW100136098 A TW 100136098A TW I552057 B TWI552057 B TW I552057B
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富士軟片股份有限公司
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Description

觸控面板
本案是有關於反射色度優異的感測(sensor)電極陣列(array)、使用於投影型靜電容量方式的觸控面板(touch panel)的較佳的感測電極陣列、感測電極陣列的使用方法、製造方法以及觸控面板。
一般而言，靜電容量方式的觸控面板是位置輸入裝置，該位置輸入裝置捕捉人的指尖與導電膜之間的靜電容量的變化，從而對指尖的位置進行檢測，上述靜電容量方式的觸控面板有表面型觸控面板與投影型觸控面板。表面型觸控面板的構造簡單，但難以同時對2個點以上的接觸(多點觸控(multi touch))進行偵測。另一方面，投影型觸控面板是多個電極排列為矩陣(matrix)狀而構成，更具體而言，多個第1電極群沿著水平方向排列，隔著絕緣層，多個第2電極群沿著垂直方向排列，從而構成投影型觸控面板，該投影型觸控面板為如下的構成，即，利用多個第1電極群以及多個第2電極群來依序逐步對容量變化進行檢測，藉此，可檢測出多點觸控。
近年來，對於如上所述的觸控面板，多點觸控與大畫面化的需求增強，正在開發上述投影型的靜電容量方式的觸控面板。逐步使用透明導電體即氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)等作為電極材料，但對於大畫面化所需的電極細線化而言，上述電極材料的電阻高，此成為細線化以 及觸控面板響應性的阻礙。為了解決上述問題，正在開發如下的技術，該技術是對金、銀、以及銅等的金屬薄膜進行微細加工，藉由不會被觸控者看到的線寬的導電性細線來構成電極群(專利文獻1)。
又，關於利用金屬薄膜時的微妙的金屬色、及光澤對畫面產生的影響的問題，於專利文獻2中已揭示有對金屬表面進行黑色化處理的方法，但耐久性不充分。
即便可藉由金屬薄膜的微細加工來形成低電阻的導電性細線，實際上，亦難以不使金屬細線產生剝離或斷裂而穩定地製造大面積的電極圖案(pattern)。又，如下的問題或色調變動的問題亦尚未解決，上述問題是指對於觸控面板形成之後的環境變化，形成的金屬細線會引起遷移(migration)，使觸控面板的響應性下降。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]國際專利公開第2010/014683號小冊子
[專利文獻2]日本專利特開2006-344163號公報
本發明是考慮了如上所述的問題而成的發明，本發明的目的在於提供如下的觸控面板，該觸控面板即便面積大，響應性亦優異，且使用有能夠實現多點觸控的金屬細線電極。又，本發明的目的在於提供如下的觸控面板，該觸控面板的反射色調於整個畫面中穩定。又，本發明的其他目的在於提供如下的觸控面板，該觸控面板使用有對於 高溫高濕等的環境變動表現得穩定的金屬細線電極。又，本發明的另一目的在於提供如下的觸控面板，該觸控面板可穩定地製造，品質穩定且使用有金屬細線電極。
1)一種觸控面板，包括第一感測電極陣列，該觸控面板的特徵在於：上述第一感測電極陣列是將導電性金屬細線圖案化而形成於透明基板上，上述第一感測電極陣列的反射色度L*a*b*的L*為6~13，a*為-0.7~1.5，b*為-5.0~1.2。
2)如項1所述之觸控面板，其特徵在於：更包括第二感測電極陣列，上述第一感測電極陣列與第二感測電極陣列正交地排列。
3)如項1所述之觸控面板，其特徵在於：於上述已圖案化的導電性金屬細線與上述透明基板之間具有至少1個以上的易黏接層。
4)如項1所述之觸控面板，其特徵在於：上述觸控面板為靜電容量方式的觸控面板。
5)一種靜電容量方式的觸控面板，正交地排列有第一感測電極陣列與第二感測電極陣列，該靜電容量方式的觸控面板的特徵在於：配置於觸控者側的第一感測電極陣列，是將導電性金屬細線圖案化而形成於具有易黏接層的透明基板上。
6)如項1或項5所述之觸控面板，其特徵在於：上述已圖案化的導電性金屬細線於觸控面側具有黑化層。
7)如項6所述之觸控面板，其特徵在於：上述黑化層 的表面粗糙度Ra為0.15以下。
8)如項5所述之靜電容量方式的觸控面板，其特徵在於：上述第一感測電極陣列的反射色度L*a*b*的L*為6~13，a*為-0.7~1.5，b*為-5.0~1.2。
9)如項2至項5中任一項所述之觸控面板，其特徵在於：構成上述第一感測電極陣列的感測電極是包含由上述導電性金屬細線所形成網格(mesh)的鑽石(diamond)構造的連續體或帶狀體，構成上述第二感測電極陣列的感測電極是與構成上述第一感測電極陣列的感測電極相同的構造或條狀(bar)構造。
10)如項2至項5中任一項所述之觸控面板，其特徵在於：當對正交地排列的上述第一感測電極陣列與第二感測電極陣列進行透視時，已圖案化的導電性金屬細線於整個觸控面形成大致均一的格子花紋。
11)如項1或項5所述之觸控面板，其特徵在於：上述導電性金屬細線是使用光微影(photolithography)的方法或雷射剝蝕(laser ablation)的方法，將金屬薄膜層圖案化為線寬為1000nm至8000nm的細線圖案。
12)如項1或項5所述之觸控面板，其特徵在於：上述導電性金屬細線的寬度為厚度的2.5倍以上。
13)如項3或項5所述之觸控面板，其特徵在於：上述透明基板包含聚酯樹脂，上述易黏接層包含聚酯樹脂、丙烯酸樹脂或胺酯樹脂，於上述易黏接層中添加有交聯劑。
14)如項13所述之觸控面板，其特徵在於：上述易黏 接層包含第一易黏接層與第二易黏接層，與上述透明基板相接的第一易黏接層包含聚酯樹脂，第二易黏接層包含丙烯酸樹脂或胺酯樹脂。
15)如項13所述之觸控面板，其特徵在於：上述交聯劑為噁唑啶(oxazolidine)化合物、環氧化合物、或異氰酸酯化合物。
16)如項14所述之觸控面板，其特徵在於：上述交聯劑為噁唑啶化合物、環氧化合物、或異氰酸酯化合物。
如以上的說明所述，根據本發明的感測電極陣列、感測電極陣列的使用方法以及觸控面板，可獲得如下的觸控面板，該觸控面板即便面積大，響應性亦優異，可實現多點觸控，且對於高溫高濕等的環境變動表現得穩定，而且可獲得可穩定地製造且品質穩定的觸控面板。
如上述「發明所欲解決的問題」項所述，本發明是如下的發明，該發明的目的在於提供如下的觸控面板，該觸控面板即便面積大，響應性亦優異，且使用有可實現多點觸控的金屬細線電極，而且上述發明的目的在於提供如下的觸控面板，該觸控面板的反射色調於整個畫面中穩定，且對於高溫高濕等的環境變動亦表現得穩定，可穩定地製造且品質穩定。
以下，詳細地對上述本發明的觸控面板進行說明。再者，於本說明書中，「~」是作為如下的意思而被使用，該 意思是包含「~」前後所揭示的數值作為下限值以及上限值。
圖1(a)、圖1(b)表示第一本發明的觸控面板10的剖面圖，該圖1(a)、圖1(b)例示了多層構成的靜電容量方式觸控面板，該多層構成的靜電容量方式觸控面板自圖1(a)的上側的觸控者側起，包含：構成觸控面的透明材料層16、兼作為絕緣層的黏著層19、第一感測電極陣列11、易黏接層18、透明基板15、兼作為絕緣層的黏著層19'、第二感測電極陣列12、易黏接層18'、透明基板15'、黏著層19"、以及剝離薄膜(film)17。圖1(a)、圖1(b)的下部的黏著層與剝離薄膜是用以使本發明的觸控面板附著於影像顯示裝置等的要件，且亦可不存在該要件。圖1(b)的構成與圖1(a)的構成的不同點在於：易黏接層、感測電極陣列、以及黏著層呈對稱地積層於透明基板15的兩個面。
上述圖1(a)表示將上部電極與下部電極形成於不同的透明基板上時的較佳構成，圖1(b)表示在一塊透明基板的表背面形成第一感測電極陣列與第二感測電極陣列時的較佳構成。
再者，圖中雖未顯示，但第一感測電極陣列的配置方向、與第二感測電極陣列的配置方向是設定為隔著透明基板而彼此正交地配置，且採用可對多點觸控進行檢測的構成。
以下，依序對上述感測電極中所使用的材料以及電極 的製造方法進行說明。
[透明材料層、透明基板]
上述構成觸控面的透明材料層16、及透明基板15、15'中所使用的透明的材料可為相同的材料，亦可分別使用不同的材料，可使用塑膠薄膜(plastic film)、塑膠板、以及玻璃(glass)板等。較佳為根據各個用途來適當地對層的厚度進行選擇。上述材料較佳為具有可撓性。
作為上述塑膠薄膜以及塑膠板的原料，例如可使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Naphthalate，PEN)等的聚酯類；聚乙烯(Polyethylene，PE)、聚丙烯(Polypropylene，PP)、聚苯乙烯、以及乙烯醋酸乙烯酯(Ethylene Vinyl Acetate，EVA)等的聚烯烴類；乙烯系樹脂；此外，可使用聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)、聚醯胺、聚醯亞胺、丙烯酸樹脂、以及三乙醯纖維素(Triacetylcellulose，TAC)等。
作為較佳的材料，PET(熔點：258℃)、PEN(熔點：269℃)、PE(熔點：135℃)、PP(熔點：163℃)、聚苯乙烯(熔點：230℃)、聚氯乙烯(熔點：180℃)、聚偏二氯乙烯(熔點：212℃)或TAC(熔點：290℃)等的熔點約為290℃以下的塑膠薄膜或塑膠板較佳，根據光透射性或加工性等的觀點，PET尤佳。薄膜或板的厚度較佳為50μm至300μm。
為了防止由觸控引起的污垢、塵土的附著，上述構成 觸控面的透明材料層16亦可設置防污層。又，亦可設置抗反射層，該抗反射層用以對由外部光線的反射所引起的畫面的模糊度進行改良。關於上述增設層，可利用抗反射薄膜或防眩薄膜的領域中的眾所周知的技術(日本專利特表2005-535934號、日本專利特開2007-301970號等)。
[易黏接層中所使用的材料與層的形成方法]
本發明的易黏接層18、18'於透明基板上包括一層或二層易黏接層，於該層中含有黏合劑(binder)樹脂、交聯劑以及添加劑。
本發明中所使用的黏合劑樹脂並無特別的限制，但可較佳地使用(a)丙烯酸樹脂、(b)聚胺酯樹脂、(c)聚酯樹脂、以及(d)橡膠系樹脂等的聚合物(polymer)。
(a)丙烯酸樹脂是以丙烯酸、甲基丙烯酸以及該兩者的衍生物為成分的聚合物。作為具體性例示，可列舉如下的聚合物，該聚合物是以丙烯酸、甲基丙烯酸、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、2-丙烯酸乙基己酯、丙烯酸醯胺、丙烯腈、以及羥基丙烯酸酯等為主成分，對可與上述主成分共聚的單體(例如苯乙烯、二乙烯基苯等)進行共聚而成。
(b)聚胺酯樹脂是於主鏈中包括胺基甲酸酯鍵結的聚合物的總稱，且通常是藉由聚異氰酸酯與多元醇的反應而獲得。聚異氰酸酯有TDI、MDI、NDI、TODI、HDI、以及IPDI等，多元醇有乙二醇、丙二醇、丙三醇、以及己三醇等。又，亦可使用如下的聚合物作為本發明的異氰酸酯， 該聚合物是對藉由聚異氰酸酯與多元醇的反應而獲得的聚胺酯聚合物進行鏈延長處理，使分子量增大而成。關於以上所述的聚異氰酸酯、多元醇以及鏈延長處理，例如已揭示於「聚胺酯樹脂手冊」(岩田敬治編，日刊工業新聞社，昭和62年發行)中。
(c)聚酯樹脂是於主鏈中包括酯鍵結的聚合物的總稱，且通常是藉由多羧酸與多元醇的反應而獲得。多羧酸例如有富馬酸、亞甲基丁二酸、己二酸、癸二酸、對苯二甲酸、以及間苯二甲酸等，多元醇例如可列舉上述醇。關於聚酯樹脂以及該聚酯樹脂的原料，例如已揭示於「聚酯樹脂手冊」(滝山榮一郎著，日刊工業新聞社，昭和63年發行)中。
本發明中的(d)橡膠系樹脂是指合成橡膠中的二烯系合成橡膠。具體例有聚丁二烯、苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-丁二烯-丙烯腈共聚物、苯乙烯-丁二烯-二乙烯基苯共聚物、丁二烯-丙烯腈共聚物、以及聚氯丁二烯等。關於橡膠系樹脂，例如已揭示於「合成橡膠手冊」(神原周等人編集，(股)朝倉書店，昭和42年發行)中。
作為本發明中所使用的交聯劑，例如可列舉環氧化合物、噁唑啉化合物、三聚氰胺化合物、以及異氰酸酯化合物。
作為本發明中所使用的環氧化合物，可列舉多聚環氧化合物、二環氧化合物、單環氧化合物、以及縮水甘油胺化合物等，作為多聚環氧化合物，例如可列舉山梨糖醇、 聚縮水甘油醚、聚丙三醇聚縮水甘油醚、季戊四醇聚縮水甘油醚、二丙三醇聚縮水甘油醚、三縮水甘油基三(2-羥乙基)異氰酸酯、丙三醇聚縮水甘油醚、以及三羥甲基丙烷聚縮水甘油醚；作為二環氧化合物，例如可列舉新戊二醇二縮水甘油醚、1,6-己二醇二縮水甘油醚、間苯二酚二縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、以及聚丁二醇二縮水甘油醚；作為單環氧化合物，例如可列舉烯丙基環氧丙基醚、2-乙基己基縮水甘油醚、苯基縮水甘油醚；作為縮水甘油胺化合物，可列舉N,N,N',N',-四縮水甘油基-間二甲苯二胺、1,3-雙(N,N-縮水甘油基胺基)環己烷等。
本發明中所使用的噁唑啉化合物較佳為含有噁唑啉基的聚合物。可藉由含有加成聚合性噁唑啉基的單體單獨製作此種聚合物，或可藉由與其他單體聚合而製作此種聚合物。含有加成聚合性噁唑啉基的單體可列舉2-乙烯基-2-噁唑啉、2-乙烯基-4-甲基-2-噁唑啉、2-乙烯基-5-甲基-2-噁唑啉、2-異丙烯基-2-噁唑啉、2-異丙烯基-4-甲基-2-噁唑啉、以及2-異丙烯基-5-乙基-2-噁唑啉等，可使用上述一種含有加成聚合性噁唑啉基的單體，或可使用2種以上的含有加成聚合性噁唑啉基的單體的混合物。其中，2-異丙烯基-2-噁唑啉於工業方面亦易於獲得，因此較佳。其他單體只要是可與含有加成聚合性噁唑啉基的單體共聚的單體，則無限制，例如可列舉丙烯酸烷基酯、甲基丙烯酸烷基酯(烷基為甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、 t-丁基、2-乙基己基、及環己基)等的(甲基)丙烯酸酯((metha)acrylic acid ester)類；丙烯酸、甲基丙烯酸、亞甲基丁二酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸、苯乙烯磺酸及其鹽(鈉鹽、鉀鹽、銨鹽、及第三胺鹽等)等的不飽和羧酸類；丙烯腈、甲基丙烯腈等的不飽和腈類；丙烯醯胺、甲基丙烯醯胺、N-烷基丙烯醯胺、N-烷基甲基丙烯醯胺、N,N-二烷基丙烯醯胺、及N,N-二烷基甲基丙烯酸酯(烷基為甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、t-丁基、2-乙基己基、及環己基等)等的不飽和醯胺基類；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等的乙烯酯類；甲基乙烯醚、乙基乙烯醚等的乙烯醚類；伸乙基、丙烯等的α-烯烴類；氯乙烯、偏二氯乙烯、及氟乙烯等的含鹵素α,β-不飽和單體類；以及苯乙烯、α-甲基苯乙烯等的α,β-不飽和芳香族單體等，可使用上述一種單體，或可使用2種以上的單體。
本發明中所使用的三聚氰胺化合物較佳為如下的化合物以及上述化合物的混合物，上述化合物是使作為低級醇的甲醇、乙醇、及異丙醇等與對三聚氰胺與甲醛進行縮合所得的羥甲基三聚氰胺衍生物發生反應而醚化所得。作為羥甲基三聚氰胺衍生物，例如可列舉單羥甲基三聚氰胺、二羥甲基三聚氰胺、三羥甲基三聚氰胺、四羥甲基三聚氰胺、五羥甲基三聚氰胺、以及六羥甲基三聚氰胺等。
作為本發明中所使用的異氰酸酯化合物，例如可列舉甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷-4,4'-二異氰酸酯、間氯過氧苯甲酸、六亞甲基-1,6-二異氰酸酯、1,6-二異氰酸酯己烷、 甲苯二異氰酸酯與己三醇的加成物、甲苯二異氰酸酯與三羥甲基丙烷的加成物、多元醇改性二苯基甲烷-4,4'-二異氰酸酯、碳二醯亞胺改性二苯基甲烷-4,4'-二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、1,5-萘二異氰酸酯、3,3'-二甲苯基-4,4'二異氰酸酯、3,3'二甲基二苯基甲烷-4,4'-二異氰酸酯、以及間苯基二異氰酸酯等。
對於可添加於易黏接層的交聯劑的添加量而言，相對於黏合劑，較佳為以1wt%~100wt%的範圍來進行添加，5wt%~50wt%的範圍更佳。若添加量少於1wt%，則黏接性不充分，另一方面，若添加量超過100wt%，則表面狀態有可能會變差。
可根據各個目的而將各種添加劑使用於本發明的易黏接層，例如可使用日本專利特開2007-203635號的段落27~段落29所揭示的折射率調整用的微粒子、上述專利的段落30所揭示的捲繞為輥狀時的黏接防止用的消光劑或潤滑劑、以及上述專利的段落32所揭示的塗佈性改良用的各種界面活性劑等。
為了表現出對於透明基板的易黏接性，易黏接層亦可包含雙層的構成，即第一易黏接層與第二易黏接層。
於雙層構成的情形時，若設為如下的構成，即，與透明基板相接的第一易黏接層包含聚酯，且第二易黏接層包含丙烯酸樹脂或胺酯樹脂，則容易表現出易黏接性。第一易黏接層與第二易黏接層中所使用的交聯劑較佳為噁唑啶化合物、環氧化合物、或異氰酸酯化合物。由於第二易黏 接層成為最外層，因此，較佳為使用潤滑劑。
第一易黏接層的厚度較佳為30nm以上且為300nm以下，更佳為65nm以上且為150nm以下。於上述第一易黏接層的厚度不足30nm的情形時，透明基板與第1層的黏接性有可能不充分。若上述第一易黏接層的厚度超過300nm，則第1層的表面狀態有可能會變差，因此不佳。
第二易黏接層的厚度並無特別的限制，但為了一面確保優異的透明性，一面實現易黏接性，上述第二易黏接層的厚度較佳為10nm以上且為5000nm以下，更佳為20nm以上且為1500nm以下。若第2層的厚度不足10nm，則與上層之間的黏接性有可能不充分，另一方面，若厚度超過5000nm，則表面狀態有可能會變差。
較佳為藉由塗佈來設置本發明的易黏接層。然而，形成塗佈層的方法並無特別的限制，可使用棒式塗佈機(bar coater)塗佈、斜板式塗佈機(slide coater)塗佈等的眾所周知的方法。再者，當形成第一層與第二層時，可使用相同的方法，亦可使用不同的方法。又，當形成第二層時，可與第一層同時進行塗佈之後，使該第一層與第二層乾燥，亦可對第一層進行塗佈且使該第一層乾燥之後，對第二層進行塗佈。
可將不具有導電性的黏接劑使用於兼作為絕緣層的黏著層19、19'。存在多種黏接劑，其中，可使用丙烯酸樹脂系、環氧樹脂系、苯酚樹脂系、以及乙烯基樹脂系等。用以形成層的方法並無特別的限制，可使用網版(screen) 印刷法等。
圖2(a)~圖2(d)表示第二本發明的觸控面板10的剖面圖，圖2(a)表示本發明的第一感測電極陣列11形成於透明基板15上的情形，圖2(b)表示第一感測電極陣列11與第二感測電極陣列12以與圖1(a)、圖1(b)相同的方式積層的情形。再者，圖中雖未顯示，但第一感測電極陣列的配置方向、與第二感測電極陣列的配置方向是設定為隔著透明基板而彼此正交地配置，且採用可實現多點觸控的構成。
圖2(c)以及圖2(d)表示如下的情形，即，於圖2(b)的2個層的電極上設置有構成觸控面板所必需的層，且形成有與圖1(a)及圖1(b)相同的觸控面板。
上述第二本發明中所使用的[透明材料層、透明基板]、[易黏接層]的材料以及形成方法可使用第一本發明的項中所說明的材料以及形成方法。
[反射色度]
本發明的感測電極陣列的導電性金屬層具有固有的反射色，因此，必須儘可能地將反射色調整為中性色(neutral)，較佳為對反射色度進行調整，使L*a*b*表色系統(color specification system)中的L*為6~13，a*為-0.7~1.5，b*為-5.0~1.2。
更佳為，L*為6~12，a*為-0.6~1.2，b*為-4.8~1.0。
再者，L*a*b*表色系統是國際照明委員會(Commission Internationale de l'Eclairage，CIE)於1976年製定的表色 方法，本發明中的L*值、a*值、以及b*值是根據JIS-Z8729：1994所規定的方法來進行測定所得的值。JIS-Z8729的測定方法有利用反射的測定方法、以及利用透射的測定方法，但於本實施形態中，使用利用反射來進行測定所得的值。
關於L*a*b*表色系統中的L*值、a*值、以及b*值，眾所周知，L*值表示明度，a*值與b*值表示色相與彩度。具體而言，若a*值的符號為正，則表示紅色的色相，若a*值的符號為負，則表示綠色的色相。若b*值的符號為正，則為黃色的色相，若b*值的符號為負，則為藍色的色相。又，a*值與b*值均是絕對值越大，則表示顏色的彩度越大且顏色越鮮豔，絕對值越小，則表示彩度越小。於本發明中，a*值自清晰的紅色系朝儘可能小的值變更，且b*值自清晰的黃色朝微不足道的藍色變更，藉此，意圖獲得易於識別的觸控面板。測定方法的詳情揭示於實例的項中。
[感測電極陣列的構造]
圖3是對本發明的第一感測電極陣列11進行說明的圖，利用2根導電性細線，沿著X方向將正交格子狀的網格予以連結，構成一根電極。此種電極沿著Y方向排列，形成電極陣列。此處，關於X方向、Y方向，將製作觸控面板時的觸控畫面的縱方向定義為X方向，將橫方向定義為Y方向。圖3的網格構造為正方格子且外形亦大致為正方形，自電極方向所見的外形為菱形。於上述網格的外形部分，形成有由i表示的導電性的短線。圖4是對本發明 的第二感測電極陣列12進行說明的圖，利用2根導電性細線，沿著Y方向將正交格子狀的網格予以連結，除此以外，與第一感測電極陣列11相同。
圖5表示對上述第一感測電極陣列與第二感測電極陣列進行正交配置時的透視圖，於整個觸控面，形成有導電性細線的大致均一的格子花紋。感測電極的部分通稱為鑽石構造，在處於電極之間且隔著電極的非導電部，配置有不與電極導通的導電性細線i。若在隔著電極的非導電部未配置有上述導電性細線i，則由於電極部與非導電部的反射率、折射率、以及極小的色調的差異等，非導電部的圖案有可能會被看到，因此，配置不導通的細線i。圖3~圖5的不導通的細線i被記載為孤立的導線，但亦可將上述細線i另外連結於電極，且用以對寄生電容進行控制。
格子狀的網格構造的導電性細線的線寬較佳為0.5μm以上且為10μm以下，更佳為1μm以上且為8μm以下，進而更佳為2μm以上且為5μm以下。將上述導電性細線的線寬設為0.5μm以上且為10μm以下，藉此，可易於加工且可防止產生干涉條紋。
構成網格的格子的一條邊的長度較佳為100μm以上且為600μm以下，進而較佳為150μm以上且為350μm以下。將上述格子的一條邊的長度設為100μm以上且為600μm以下，藉此，可兼顧光的透射性與低電阻值。
為了避免由高週波驅動引起的導通，隔著電極的非導電部的寬度較佳為50μm以上，更佳為100μm以上，進 而較佳為150μm以上且為350μm以下。
感測電極陣列的電極的間隔較佳為2mm以上且為8mm以下，進而較佳為3mm以上且為7mm以下。
圖6~圖8是表示與圖3~圖5的鑽石構造的電極圖案不同的帶狀構造的電極圖案的圖。
圖6表示帶狀的第一感測電極陣列，且例示了如下的情形，即，構成陣列的電極r-i沿著Y方向延伸，且沿著X方向排列有i個電極r-i。圖中的rw表示感測電極r-i的寬度，rd表示感測電極之間的非導電性的邊界區域的寬度。
於圖6中，電極r-i為如下的細部構造，即，將4根沿著Y方向延伸的直線狀的細線予以連結，且包含多根將上述4根細線予以連結的X方向的連結線c。以如下的方式來設置連結線c，即，即便4根沿著Y方向延伸的直線狀的細線中的任一根細線發生斷裂等的故障，亦不會損害作為感測電極的功能。於上述連結線c的延長線上形成有導電性的細線的短線i。該短線i是不與電極連結的孤立的線。再者，於圖6中，將4根構成一個電極的直線狀的細線予以連結，可根據以下所揭示的電極之間的距離與細線之間的距離進行選擇。
圖7表示帶狀的第二感測電極陣列，且例示了如下的情形，即，構成陣列的電極c-j沿著X方向延伸，且沿著Y方向排列有j個電極c-j。圖中的cw表示感測電極c-j的寬度，cd表示感測電極之間的非導電性的邊界區域的寬度。除此以外的條件與上述第一感測電極陣列中的條件相 同。然而，亦可根據觸控面板的縱橫比等來將上述cw與cd予以變更。
圖8表示對上述第一感測電極陣列與第二感測電極陣列進行正交配置時的透視圖，於整個觸控面，形成有導電性細線的大致均一的格子花紋。於第一感測電極陣列與第二感測電極陣列未重疊的部分，以將上述第一感測電極陣列與第二感測電極陣列的間隙予以填埋的方式，配置有連結線c以及孤立的短線i。以於整個觸控面形成導電性細線的大致均一的格子花紋的方式，配置連結線c以及孤立的短線i，使得不會產生視認性上的問題。亦可將上述細線i另外連結於電極，且用以對寄生電容進行控制。
構成帶狀的感測電極陣列的各個電極的細線、連結部c的細線、以及孤立短線i的細線的線寬較佳為0.5μm以上且為10μm以下，更佳為1μm以上且為8μm以下，進而較佳為2μm以上且為5μm以下。將上述細線的線寬設為0.5μm以上且為10μm以下，藉此，可易於加工且可防止產生干涉條紋。
構成電極的細線的間隔較佳為100μm以上且為600μm以下，進而較佳為150μm以上且為350μm以下。將上述細線的間隔設為100μm以上且為600μm以下，藉此，可兼顧光的透射性與低電阻值。
為了避免由高週波驅動引起的導通，隔著電極的非導電部的寬度cd、rd較佳為50μm以上，更佳為100μm以上，進而較佳為150μm以上且為350μm以下。
感測電極陣列的電極的間隔(rw+rd或cw+cd)較佳為2mm以上且為8mm以下，進而較佳為3mm以上且為7mm以下。
圖9(a)、圖9(b)是於作為本發明的觸控面板的形態的圖1(a)及圖1(b)、圖2(c)及圖2(d)的第一感測電極陣列11與第二感測電極陣列12的觸控者側表面設置有黑化層20及20'的圖。圖9(b)的第二感測電極陣列的黑化層設置於易黏接層與電極陣列之間。
於本發明中，黑化層是為了實現如下的目的而設置的層，上述目的例如為使由形成導電性金屬細線的導電性金屬所具有的金屬光澤產生的著色、高反射率所引起的觸控面板畫面的模糊度緩和；或防止導電性金屬的腐蝕或遷移。黑化層的顏色較佳為可實質上被識別為黑色的顏色，但只要可抑制金屬光澤，則亦不一定必須為純黑色。根據上述目的，黑化層的位置較佳為處於與導電性金屬層相接的觸控者側。根據上述觀點，與圖9(b)的第二感測電極陣列的黑化層相比較，圖9(a)的第二感測電極陣列的黑化層的位置構成在防止腐蝕或遷移的方面更佳。
[感測電極的材料]
以下，對可形成本發明的第一感測電極及第二感測電極的導電性材料進行說明。
先前，使用ITO等的具有光透射性的導電性材料作為構成感測電極的材料，但本發明的感測電極利用10μm以下的導電性細線，因此，必須使用電阻比先前的ITO等的 電阻更低的材料，且較佳為使用導電性高的金屬或合金。作為此種金屬，例如可列舉銅、銀、金、鉑、鈀、鎳、錫、鋁、鈷、銠、銥、鐵、釕、鋨、錳、鉬、鎢、鈮、鉭、鈦、鉍、銻、以及鉛等。上述金屬中，根據導電性優異的觀點，銅、銀、金、鉑、鈀、鎳、錫、鋁以及這些金屬的合金較佳。
當利用上述金屬或合金來形成電極時，可利用以下的A)~C)所揭示的材料與方法。於本發明中，A)與B)的材料與方法尤佳。
A)金屬箔或薄膜的利用。
當用作薄膜時，首先，藉由真空蒸鍍法、濺鍍(sputtering)法、離子鍍(ion plating)法、以及電鍍法等，或利用鍍金法或金屬箔的貼合等，於基材上形成上述金屬或合金的金屬薄膜。該金屬薄膜的厚度並無特別的限定，但例如為100nm至3000nm。接著，對上述金屬薄膜實施以下的圖案化而形成網格電極。當藉由光蝕刻(photo etching)來形成上述網格圖案時，於金屬薄膜上形成光阻(photoresist)膜，使用光罩(photo mask)來曝光，且利用顯影液來顯影，藉此，形成光阻膜的網格圖案。藉由蝕刻液來對上述光阻膜的網格圖案進行蝕刻，將光阻膜予以剝離除去，藉此，形成包含細金屬線的網格圖案。或者當藉由印刷光阻劑來形成上述網格圖案時，利用網版印刷、凹版(gravure)印刷、以及噴墨(ink jet)等的方法，將光阻膜的網格圖案印刷至金屬薄膜上，藉由蝕刻液來對金 屬薄膜中的光阻劑包覆部以外的部分進行蝕刻，將光阻膜予以剝離，藉此，形成金屬細線的網格圖案。
B)藉由包含導電性的奈米(nano)粒子的墨水(ink)(或漿料(paste))來印刷上述網格圖案的方法。
導電性奈米粒子除了可使用上述金屬的微粒子之外，亦可使用碳(carbon)。導電性奈米粒子較佳為金、銀、鈀、鉑、銅、碳、或包含上述金屬的混合物的粒子。奈米粒子的平均粒徑為2μm以下，較佳為200nm至500nm，在形成網格圖案的方面，粒徑比先前的微米(micron)粒子的粒徑更小的粒子較佳。可使用網版印刷法或凹版印刷法來印刷網格圖案。
墨水(或漿料)所含的導電材料亦可並非為金屬粒子而是導電性纖維。於本案中，包含金屬線(wire)、被稱為奈米線(nanowire)的纖維狀的物質、中空構造的管(tube)、以及奈米管(nanotube)在內，稱為導電性纖維。金屬奈米線的平均短軸長度(有時稱為「平均短軸直徑」、「平均直徑」)較佳為100nm以下，更佳為1nm~50nm，進而較佳為10nm~40nm，尤佳為15nm~35nm。當使用導電性纖維來形成導電層時，例如可將日本專利特開2009-215594、日本專利特開2009-242880、日本專利特開2009-299162、日本專利特開2010-84173、日本專利特開2010-87105、以及日本專利特開2010-86714所揭示的技術加以組合來形成上述導電層。
C)方法，該方法是使用照片中所使用的鹵化銀照片 感光材料，對該材料實施網格圖案曝光之後，進行顯影、定影處理，利用顯影銀來獲得導電性的細線圖案。
本發明中的獲得導電性的細線圖案的方法根據感光材料與顯影處理的形態，包含如下所述的3個形態。
(1)形態：對不包含物理顯影核的感光性鹵化銀黑白感光材料進行化學顯影或熱顯影，使金屬銀部形成於該感光材料上。
(2)形態：對在鹵化銀乳劑層中包含物理顯影核的感光性鹵化銀黑白感光材料進行溶解物理顯影，使金屬銀部形成於該感光材料上。
(3)形態：使不包含物理顯影核的感光性鹵化銀黑白感光材料、與具有包含物理顯影核的非感光性層的顯像片(sheet)重疊，且進行擴散轉印顯影，使金屬銀部形成於非感光性顯像片上。
上述(1)的形態為一體型黑白顯影類型(type)，於感光材料上形成光透射性導電膜等的透光性導電性膜。獲得的顯影銀為化學顯影銀或熱顯影銀，由於細絲(filament)的比表面積高，於後續的電鍍或物理顯影過程中，活性高。
對於上述(2)的形態而言，於曝光部中，物理顯影核近緣的鹵化銀粒子溶解而沈積於顯影核上，藉此，於感光材料上形成光透射性導電性膜等的透光性導電性膜。上述上述(2)的形態亦為一體型黑白顯影類型。顯影作用為物理顯影核上的析出作用，因此，活性高，但顯影銀為比表面積小的球形。
對於上述(3)的形態而言，於未曝光部中，鹵化銀粒子溶解且擴散，從而沈積於顯像片上的顯影核上，藉此，於顯像片上形成光透射性導電性膜等的透光性導電性膜。上述(3)的形態為所謂的分離類型(separate type)，且為自感光材料將顯像片予以剝離來使用的形態。
任一個形態均可選擇負(negative)型顯影處理以及反轉顯影處理中的任一種顯影(於擴散轉印方式的情形時，使用直接正(autopositive)型感光材料作為感光材料，藉此，可實現負型顯影處理)。
此處所謂的化學顯影、熱顯影、溶解物理顯影、以及擴散轉印顯影表示如業界通常使用的用語所述的意思，且解說於照片化學的一般教科書例如菊地真一著的「照片化學」(共立出版社，1955年發行)、C.E.K.Mees編的「攝影法理論第四版(The Theory of Photographic Processes，4thed.)」(Mcmillan社，1977年發行)。本案為與液體處理相關的發明，但亦可參考應用熱顯影方式作為其他顯影方式的技術。例如，可應用日本專利特開2004-184693號、日本專利特開2004-334077號、以及日本專利特開2005-010752號的各公報所揭示的技術。
又，關於本發明中所使用的材料與導電性圖案的製法，可使用網格狀的電磁波屏蔽(shield)膜的發明即日本專利特開2006-352073號的揭示與技術、以及靜電容量方式的觸控面板的發明即日本專利特願2009-265467號的揭示與技術。
[感測電極的形成方法]
接著，對本發明的第一感測電極及第二感測電極的形成方法進行說明。
首先，一面參照圖10(a)~圖10(e)，一面對利用金屬箔或薄膜(上述A))作為形成電極的材料時的形成方法進行說明。圖10(a)是兼作為絕緣層的透明基體15，且是例如約100μm的PET薄膜。潔淨化該薄膜的表面，接著在該薄膜的表面設置金屬或合金的薄層21(圖10(b))。設置薄層的方法有真空製膜法與化學製膜法，但於膜薄的情形時，可使用蒸鍍法等的真空製膜法。濺鍍法或離子鍍法與蒸鍍法相比較，易於獲得導電性佳的膜且為較佳的方法。於膜厚超過500nm的情形時，可使用電解電鍍法或無電解電鍍法，能夠以低成本來製膜，故而較佳。
金屬可使用上述(1)所揭示的材料，但較佳為使用銀、銅、鋁或這些金屬的合金。可使用濺鍍法等作為薄層的形成方法，但亦可為其他方法。形成的金屬的薄層的厚度越薄，則越不易剝離，因此較佳，但若上述金屬的薄層的厚度薄，則電阻會變高，作為觸控面板的響應性會變差，因此，上述金屬的薄層的厚度較佳為0.1μm以上且為3μm以下，更佳為0.2μm以上且為2μm以下。為了防止剝離，較佳為將「線寬/厚度」的比率設為2.5以上，進而較佳為將上述比率設為4以上。
接著，於上述已形成的金屬薄膜上形成光阻膜，使用光罩(根據圖3、圖4、圖6、以及圖7等，該光罩為產生 遮罩作用的構件)來曝光，且利用顯影液來顯影，藉此，形成硬化的光阻膜的網格圖案。藉由蝕刻液來對上述網格圖案進行蝕刻，將硬化的光阻膜予以剝離除去，藉此，形成包含細金屬線的網格圖案(圖10(c))。圖10(c)的31表示形成的網格圖案的導電性細線。
接著，於上述已形成的感測電極上設置包覆層32(圖10(d))。於本發明中，將上述包覆層稱為黑化層。該黑化層具有不使金屬或合金的金屬光澤顯眼的視覺性功能，且具有因防止金屬銹蝕及防止遷移而使耐久性提高的功能。以下，另外對上述黑化層(包覆層)的材料進行說明。黑化層(包覆層)的厚度較佳為5μm以下，更佳為3μm以下，尤佳為0.2μm以上且為2μm以下。
接著，除去上述黑化層(包覆層)的不將電極細線予以包覆的視認部上的黑化層，藉此，可形成視認性、耐久性優異的網格圖案的電極(圖10(e))。
當使用包含導電性的奈米粒子的墨水(或漿料)時(上述B))，可將上述網格圖案直接印刷至兼作為絕緣層的透明基體層。於印刷之後，當根據需要，於進行熱處理等而形成的金屬圖案上設置黑化層時，可進行與上述相同的處理。
[黑化層中所使用的材料與層的形成方法]
構成本發明的黑化層的主成分為選自鎳、鉻、鋅、錫、以及銅中的元素的至少一種化合物即可，可具有導電性，亦可不具有導電性。除了本發明的方法之外，亦可組合地 使用染色法等的方法。
作為本發明中的黑化層的較佳的積層方法的例子，可列舉電鍍處理與化學蝕刻(chemical etching)法。
電鍍處理只要是眾所周知的被稱為黑色電鍍的處理，則無特別的限制，可列舉黑色鎳電鍍、黑色鉻電鍍、黑色Sn-Ni合金電鍍、Sn-Ni-Cu合金電鍍、以及黑色鋅鉻酸鹽(chromate)處理等作為例子。具體而言，可使用日本化學產業(股)製造的黑色電鍍浴(商品名為NIKKA BLACK，Sn-ni合金系)、(股)金屬化學工業製造的黑色電鍍浴(商品名為黑鉻(ebony chrome)85系列，Cr系)、DIPSOL(股)製的鉻酸鹽劑(商品名為ZB-541，鍍鋅黑色鉻酸鹽劑)。電鍍法可為無電解電鍍、電解電鍍中的任一種方法，可採用緩和的條件，亦可為高速電鍍。關於電鍍厚度，只要可識別出黑色，則厚度並無限定，但通常的電鍍厚度較佳為5μm以下。
於本發明中，亦可對導電性金屬部的一部分進行氧化處理或硫化處理而形成黑色部。例如於導電性金屬部為銅的情形時，作為銅表面的黑化處理劑的例子，可使用MELTEX(股)製造的商品名：ENPLATE MB438A、B；三菱瓦斯化學(股)製造的商品名：nPE-900；MEC(股)製造的商品名：MEC etch BOND BO-7770V；ISOLATE化學研究所製造的商品名：COPPER BLACK CuO、COPPER BLACK CuS、及硒系的COPPER BLACK no.65等。除了上述之外，當然例如亦可對硫化物進行處理而產生硫化氫 (H2S)，將銅的表面黑化為硫化銅(CuS)。對於上述處理而言，只要可識別為黑色，則厚度並無限定，但通常上述厚度較佳為3μm以下，進而較佳為0.2μm~2μm。
於本發明中，為了使感測電極陣列獲得所期望的反射色度，較佳為以2個步驟以上的步驟來進行黑化處理。例如較佳為於氧化處理之後進行還原處理，具體而言，利用含有亞氯酸鈉或過硫酸鈉等的氧化劑的鹼性水溶液來進行處理之後，利用含有二甲胺硼烷、硼氫化鈉、以及福馬林等的還原劑的溶液來進行處理。一般認為：前者是藉由使表面變粗糙來增加黑色調，後者是將因前者處理而變得不穩定的表面狀態予以穩定化，藉此，成為較佳的形態。
上述黑化層的表面較佳為具有某程度的表面粗糙度(Ra)。Ra較佳為0.15μm以下，更佳為0.05μm~0.14μm。若Ra超過0.15μm，則耐磨性或密著性有時會變差，因此不佳。
Ra的測定法大致分為呈直線地利用觸針來對面進行測定的方法(觸針)、以及光學性地進行測定的方法(光切斷法、光線反射法)，亦可利用上述兩種方法中的任一種方法來進行測定。
當導電性細線的線寬狹窄，且無法確保測定區域(area)時，除了將曝光區域擴大之外，以相同的操作來對已製作的導電性固體部分進行測定，且計算出Ra。
對應於使用觸控面板的影像顯示裝置的大型化，亦要求觸控面板本身實現大型化。對於大型化，電極必須實現 低電阻化，並且電極之間的寄生電容必須降低，因此，若將擬(dummy)電極配置於電極之間，則有效果。擬電極是不與感測電極連接的孤立的電極群。然而，對於擬電極而言，為了對寄生電容進行控制，亦可將孤立短線予以連結而形成抽出線。
[實例]
以下，列舉本發明的實例來更具體地對本發明進行說明。再者，在不脫離本發明的宗旨的範圍內，可適當地將以下的實例所示的材料、使用量、比例、處理內容、以及處理順序等予以變更。因此，不應根據以下所示的具體例來限定性地對本發明的範圍進行解釋。
首先，對本發明的實例中的評價方法進行說明。
[反射色度的測定法]
將樣本(sample)放置於英國陶瓷研究協會(British Ceramic Research Association，BCRA)黑瓷磚(tile)(光澤版)上，自0°方向進行照射，對以45°方向所接受的光的分光反射率進行測定。
再者，較佳的瓷磚為阪田油墨股份有限公司(SAKATA INX ENG.CO.,LTD.)製造的BCRA黑瓷磚(光澤版)，關於黑瓷磚的反射色度，L*為3.6，a*為-0.9，b*為-0.6。可使用格靈達麥克貝斯(Gretag Macbeth)製造的Spectro Eye LT作為反射濃度計。
[耐磨性的評價]
利用極細纖維的布即東麗(TORAY)製造的 「TORAYSEE」，以500g的負荷來往返地對樣本進行10次擦拭。以如下的5個階段來對擦拭之後的樣本進行評價。
1：完全無變化。
2：擦痕微弱且少量。
3：擦痕微弱，且整體上產生擦痕。
4：擦痕強且少量。
5：擦痕強，且整體上產生擦痕。
[密著的評價]
利用交叉切割(cross cut)法來對樣本的密著性進行評價，以如下的5個階段來對接下來的樣本進行評價。
1：完全無剝離。
2：於5%以下的部分中有剝離。
3：於超過5%且為10%以下的部分中有剝離。
4：於超過10%且為50%以下的部分中有剝離。
5：於超過50%的部分中有剝離。
[表面粗糙度Ra的評價]
於試料上設置5cm×5cm的固體曝光的區域，使用MITUTOYO股份有限公司製造的小形表面粗糙度測定機SURF TEST SJ-301來進行測定。
實例1
[形成有雙層構成的易黏接層的透明基板A的製造]
對厚度為100μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯(以下記載為PET)薄膜支持體的兩個面進行電暈(corona)放電處理之後，藉由棒式塗佈法來將下述的第1層塗佈液塗佈 至上述兩個面，使上述第1層塗佈液乾燥，從而形成第1層。然後，藉由棒式塗佈法來將下述的第2層塗佈液塗佈至已形成的第1層的表面，使上述第2層塗佈液乾燥，藉此來製造PET薄膜，該PET薄膜於薄膜的兩個面包括雙層構成的易黏接層。再者，第1層、第2層的乾燥之後的厚度分別為0.08μm、0.09μm。
第1層塗佈液體的組成
以整體達到1000質量份的方式，添加蒸餾水來進行調製。
第2層塗佈液體的組成
以整體達到1000質量份的方式，添加蒸餾水來進行調製。
[本發明的感測電極陣列的製造]
於上述形成有易黏接層的透明基板A的易黏接層的一個面上，藉由電鍍法而形成銅的薄膜。電鍍是於無電解電鍍之後，進行電解電鍍，形成厚度為2μm的銅的薄層。
接著，於上述已形成的銅薄膜上形成光阻膜，使用光罩來對該光阻膜進行曝光，利用顯影液來顯影，藉此，形成硬化的光阻膜的網格圖案。於圖6中，光罩是導電性細線的寬度設為5μm，且細線的間距(pitch)設為300μm的圖案，且該光罩是設為藉由曝光來使導電性細線的部分的光阻劑硬化而成的圖案。使用蝕刻液來對上述圖案進行蝕刻，然後，將硬化的光阻膜予以剝離除去，藉此，形成 包含圖6的圖案的導電性細線的感測電極陣列。
接著，於以上已製作的圖6的感測電極陣列的包含銅薄膜的導電性細線部分設置黑化層。於本實例中，將形成有上述感測電極陣列的透明基板浸漬於硫化氫液體，僅使銅薄膜的表面成為硫化銅的黑色，形成實例1的感測電極陣列。
實例2
實例1的電極的形狀為圖6的帶狀，相對於此，於實例2中，電極的形狀設為圖3的鑽石狀，並且將導電性細線的線寬設為6μm，除此以外，實施與實例1相同的操作，製作實例2的感測電極陣列。
實例3
將實例2的導電性細線的間距設為500μm，除此以外，實施與實例2相同的操作，製作實例3的感測電極陣列。
實例4
代替實例1中所使用的形成有易黏接層的透明基板A，使用日本專利特公平5-74463號的實例1所揭示的積層聚酯薄膜(稱為透明基板B)，除此以外，實施與實例1相同的操作，製作實例4的感測電極陣列。再者，透明基板B的積層聚酯薄膜於重組層(本案的易黏接層)中包含三聚氰胺系交聯劑NIKALAC MW-12LF(三和化學(股)製造)。
實例5
利用濺鍍法來形成實例2的銅薄膜，將該銅薄膜的厚度設為0.2μm，將電極的導電性細線的寬度設為3μm，且將上述電極的導電性細線的間距設為200μm，除此以外，實施與實例2相同的操作，製作實例5的感測電極陣列。
實例6
代替實例1的透明基板A的易黏接層中所使用的環氧系化合物DENACOL EX-314，相對於樹脂黏合劑，使用6wt%的三聚氰胺系化合物(三和化學(股)製造的NIKALAC MW-12LF)，除此以外，實施與實例1相同的操作，製作實例6的感測電極陣列。
實例7
代替實例1的透明基板A的易黏接層中所使用的環氧系化合物DENACOL EX-314，相對於樹脂黏合劑，使用6wt%的甲苯二異氰酸酯與三羥甲基丙烷的加成物，除此以外，實施與實例1相同的操作，製作實例7的感測電極陣列。再者，為了溶解交聯劑，將易黏接層塗佈液中的一部分的水置換為丙酮。
實例8
代替實例1的透明基板A的易黏接層中所使用的環氧系化合物DENACOL EX-314，相對於樹脂黏合劑，使用6wt%的2-乙烯基-2-噁唑啉單體與甲基丙烯酸甲酯的共聚物，除此以外，實施與實例1相同的操作，製作實例8的感測電極陣列。再者，為了溶解交聯劑，將易黏接層塗佈液中的一部分的水置換為丙酮。
實例9
將實例1的導電性細線的線寬設為5.5μm，除此以外，實施與實例1相同的操作，製作實例9的感測電極陣列。
實例10
將實例1的導電性細線的線寬設為4μm，除此以外，實施與實例1相同的操作，製作實例10的感測電極陣列。
比較例1
於實例1的第二易黏接層中不使用交聯劑，除此以外，實施與實例1相同的操作，製作比較例1的感測電極陣列。
比較例2
將比較例1的導電性細線的線寬設為3μm，除此以外，實施與比較例1相同的操作，製作比較例2的感測電極陣列。
比較例3
將實例4的透明基板B的三聚氰胺系交聯劑予以除去，除此以外，實施與實例4相同的操作，製作比較例3的感測電極陣列。
上述實例與比較例的試料的密著性歸納於表1中。
根據以上的結果，必須於易黏接層中添加交聯劑，尤其若使用環氧系、三聚氰胺系、異氰酸酯系、以及噁唑啉系的交聯劑，則可對透明基材與銅薄層的密著性進行改良。又，亦已確認：只要導電性細線的線寬為厚度的2.5倍以上，則可對密著性進行改良。
實例21
於實例1中已製作的透明基板A(包括雙層構成的易黏接層)的易黏接層的一個面上，藉由電鍍法而形成銅的薄膜。電鍍是於無電解電鍍之後，進行電解電鍍，形成厚度為2μm的銅的薄層。使用與實例1相同的方法，於上述銅薄膜上，形成包含圖6的圖案(導電性細線的寬度為5μm，細線的間距為300μm)的導電性細線的感測電極陣列。將該感測電極陣列設為試料21-1。於該感測電極陣列的包含銅薄膜的導電性細線部分，藉由下述的還原處理或氧化處理方法而設置黑化層。
[黑化處理方法之一]
處理條件：於40℃的下述液體中浸漬3分鐘，然後洗淨。
液體的組成：硼氫化鈉 3.8g
添加1升的水。
[黑化處理方法之二]
處理條件：於85℃的下述液體中浸漬4分鐘，然後洗淨。
液體的組成：亞氯酸鈉 55g
氫氧化鈉 15g
磷酸三鈉 10g
添加1升的水。
將對上述試料21-1實施上述黑化處理方法之一所得的試料設為21-2。又，將對上述試料21-1實施上述黑化處理方法之二所得的試料設為21-3。將進一步對上述試料 21-3實施上述黑化處理方法之一所得的試料設為21-4。對以上述方式獲得的試料21-1至試料21-4的反射色度、密著性、以及耐磨性進行測試，將測試的結果表示於表2中。
根據以上的結果，已知：為了獲得所期望的反射色度，當利用氧化還原處理來進行黑化處理時，與還原處理相比較，氧化處理更佳，進而較佳為於氧化處理之後實施還原處理。又，已知：對於試料21-3、試料21-4而言，與密著性、及稱為耐磨性的耐久性相關的性能亦已被改良。
實例31
於實例1已製作的透明基板A(包括雙層構成的易黏接層)的易黏接層的一個面上，藉由電鍍法而形成銅的薄膜。電鍍是於無電解電鍍之後，進行電解電鍍，形成厚度為2μm的銅的薄層。使用與實例1相同的方法，於上述銅薄膜上，形成包含圖6的圖案(導電性細線的寬度為5μm，細線的間距為300μm)的導電性細線的感測電極陣列。將該感測電極陣列設為試料31-1。於該感測電極陣列 的包含銅薄膜的導電性細線部分，實施下述利用電鍍的黑化處理，設置黑化層。
[黑化處理方法之三]
處理條件：浸漬於40℃的下述電鍍液，以3.2A/cm電鍍0.5分鐘，然後洗淨。
電鍍液體的組成(補充液亦為相同的組成)
pH(利用硫酸與氫氧化鈉來進行調整)5.0
[黑化處理方法之四]
處理條件：浸漬於40℃的下述電鍍液，以3.2A/cm來電鍍0.5分鐘，然後洗淨。
電鍍液體的組成(補充液亦為相同的組成)
pH(利用硫酸與氫氧化鈉來進行調整)5.0
將對上述試料31-1實施上述黑化處理方法之三所得的試料設為31-2。又，將對上述試料31-1實施上述黑化處 理方法之四所得的試料設為31-3。將進一步對上述試料31-3實施上述黑化處理方法之三所得的試料設為31-4。又，將如下的試料設為31-5，該試料是使用市售的鉻系黑色電鍍浴，以3.2A/cm來對上述試料31-1電鍍0.5分鐘，然後洗淨所得的試料。
對以上述方式獲得的試料31-1至試料31-5的反射色度、密著性、以及耐磨性進行測試，將測試的結果表示於表3中。
根據以上的結果，當利用電鍍來進行黑化處理時，為了獲得所期望的反射色度，較佳為利用硫酸鋅七水合物的高濃度液來進行處理，進而較佳為利用硫酸鋅七水合物的低濃度液與高濃度液來進行二階段處理。一般認為硫酸鋅七水合物的高濃度液的處理具有使表面變粗糙的作用。然而，由於電鍍效率不充分，因此，一般認為如下的形態為最佳的結果，該形態是指利用電鍍效率佳的硫酸鋅七水合物的低濃度液來進行處理之後，利用硫酸鋅七水合物的高 濃度液來進行處理。
又，可藉由上述二階段處理來獲得具有耐久性的金屬細線電極。於金屬細線電極的表面設置氧化膜，或實施利用電鍍處理的低反射處理，例如利用黑色鉻來防止反射等已揭示於日本專利特開2006-344163號中，但並無與耐久性相關的揭示。
將上述試料31-4以及試料31-5於60℃、RH90%的環境下保存500小時，然後在通常的環境下保存24小時之後，進行與表3相同的測定。結果，可知：對於試料31-4，僅觀測出誤差範圍的變動，而對於試料31-5，L*增加至15.0為止，Ra亦增加至0.20為止，朝本發明中的不佳的色度、與不佳的表面粗糙度的方向發生了變動。
10‧‧‧本發明的觸控面板
11‧‧‧第一感測電極陣列
12‧‧‧第二感測電極陣列
15、15'‧‧‧透明基板
16‧‧‧成為觸控面的透明材料層
17‧‧‧剝離薄膜
18、18'‧‧‧易黏接層
19、19'、19"‧‧‧黏接劑層/黏著層
20、20'‧‧‧黑化層
21‧‧‧感測電極的形成層/薄層
31‧‧‧網格狀的感測電極
32‧‧‧感測電極的包覆層
33‧‧‧網格狀的感測電極的包覆層
cb‧‧‧表示處於下部電極層的感測電極的電極之間的非導電性的邊界區域
cd‧‧‧表示感測電極之間的非導電性的邊界區域的寬度
c-j‧‧‧表示下部電極層的感測電極的序號
cw‧‧‧表示下部電極層的感測電極的電極寬度
i‧‧‧孤立導線/導電性細線/細線
rb‧‧‧表示處於上部電極層的感測電極的電極之間的非導電性的邊界區域
rd‧‧‧表示處於上部電極層的感測電極的電極之間的非導電性的邊界區域的寬度
r-i‧‧‧表示上部電極層的感測電極的序號
rw‧‧‧表示上部電極層的感測電極的電極寬度
圖1(a)、圖1(b)是本發明的觸控面板的剖面圖。
圖2(a)~圖2(d)是本發明的感測電極陣列與觸控面板的剖面圖。
圖3是本發明的第一感測電極陣列11的排列圖。
圖4是本發明的第二感測電極陣列12的排列圖。
圖5是對本發明的第一感測電極陣列與第二感測電極陣列進行正交配置時的自觸控者側所見的透視圖。
圖6是本發明的其他第一感測電極陣列11的排列圖。
圖7是本發明的其他第二感測電極陣列12的排列圖。
圖8是對本發明的其他第一感測電極陣列與第二感測電極陣列進行正交配置時的自觸控者側所見的透視圖。
圖9(a)、圖9(b)是本發明的包括黑化層的觸控面板的剖面圖。
圖10(a)~圖10(e)是本發明的黑化層的形成方法的一例。
10‧‧‧本發明的觸控面板
11‧‧‧第一感測電極陣列
12‧‧‧第二感測電極陣列
15、15'‧‧‧透明基板
16‧‧‧成為觸控面的透明材料層
17‧‧‧剝離薄膜
18、18'‧‧‧易黏接層
19、19'、19"‧‧‧黏接劑層

Claims (16)

  1. 一種觸控面板，包括第一感測電極陣列，該觸控面板的特徵在於：上述第一感測電極陣列是將導電性金屬細線圖案化而形成於透明基板上，上述第一感測電極陣列的反射色度L*a*b*的L*為6~13，a*為-0.7~1.5，b*為-5.0~1.2。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板，更包括第二感測電極陣列，上述第一感測電極陣列與第二感測電極陣列正交地排列。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板，其中於上述已圖案化的導電性金屬細線與上述透明基板之間具有至少1個以上的易黏接層。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板，其中上述觸控面板為靜電容量方式的觸控面板。
  5. 一種靜電容量方式的觸控面板，正交地排列有第一感測電極陣列與第二感測電極陣列，該靜電容量方式的觸控面板的特徵在於：配置於觸控者側的第一感測電極陣列，是將導電性金屬細線圖案化而形成於具有易黏接層的透明基板上，其中上述已圖案化的導電性金屬細線於觸控面側具有黑化層。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板，其中上述已圖案化的導電性金屬細線於觸控面側具有黑化層。
  7. 如申請專利範圍第5項或第6項所述之觸控面板， 其中上述黑化層的表面粗糙度Ra為0.15以下。
  8. 如申請專利範圍第5項所述之靜電容量方式的觸控面板，其中上述第一感測電極陣列與上述第二感測電極陣列的反射色度L*a*b*的L*為6~13，a*為-0.7~1.5，b*為-5.0~1.2。
  9. 如申請專利範圍第2項至第5項中任一項所述之觸控面板，其中構成上述第一感測電極陣列的感測電極是包含由上述導電性金屬細線所形成網格的鑽石構造的連續體或帶狀體，構成上述第二感測電極陣列的感測電極是與構成上述第一感測電極陣列的感測電極相同的構造或條狀構造。
  10. 如申請專利範圍第2項或第5項所述之觸控面板，其中當對正交地排列的上述第一感測電極陣列與第二感測電極陣列進行透視時，上述已圖案化的導電性金屬細線於整個觸控面形成實質上均一的格子花紋。
  11. 如申請專利範圍第1項或第5項所述之觸控面板，其中上述導電性金屬細線是使用光微影的方法或雷射剝蝕的方法，將金屬薄膜層圖案化為線寬為1000nm至8000nm的細線圖案。
  12. 如申請專利範圍第1項或第5項所述之觸控面板，其中上述導電性金屬細線的寬度為厚度的2.5倍以上。
  13. 如申請專利範圍第3項或第5項所述之觸控面板，其中上述透明基板包含聚酯樹脂，上述易黏接層包含聚酯樹脂、丙烯酸樹脂或胺酯樹脂，於上述易黏接層中添 加有交聯劑。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之觸控面板，其中上述易黏接層包含第一易黏接層與第二易黏接層，與上述透明基板相接的上述第一易黏接層包含聚酯樹脂，上述第二易黏接層包含丙烯酸樹脂或胺酯樹脂。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之觸控面板，其中上述交聯劑為噁唑啶化合物、環氧化合物、或異氰酸酯化合物。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之觸控面板，其中上述交聯劑為噁唑啶化合物、環氧化合物、或異氰酸酯化合物。
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