JP5029609B2 - 導電性基板、プラズマディスプレイ用電磁波シールド基板および導電性基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、透明性および導電性を広い面積にわたって均一に達成し、かつ、モアレ現象が発生しにくい導電性基板、およびその製造方法に関するものである。また、本発明は、プラズマディスプレイ用電磁波シールド基板に関する。

導電性基板は、回路材料として様々な機器に用いられている。また、電磁波シールド基板や太陽電池用途にも用いられている。電磁波シールド基板は、家電用品、携帯電話、パソコン、テレビなどの電子機器から放射された多種多様な電磁波を抑制する目的に用いられている。特に伸長著しいデジタル家電の中で、プラズマディスプレイパネルからは、ブラウン管や液晶など他のディスプレイパネルと比較すると、より強力な電磁波が放出されている。プラズマディスプレイパネルは、比較的近い距離で、かつ場合によっては長時間にわたり画像を観察するため、電磁波を抑制する電磁波シールド基板が必要とされ、鋭意検討されている。

このようなプラズマディスプレイパネル用途に電磁波シールド基板を用いる際には、ディスプレイ全面にわたって良好で均一な視認性を得るために、ディスプレイ全面にわたって均一な、かつ、高い透明性を有する電磁波シールド基板が必要とされる。一方、ディスプレイから放出される電磁波のシールド効果に欠陥が生じないようにするためには、ディスプレイ全面にわたって均一な、かつ、高い導電性を有する電磁波シールド基板が必要とされる。

このような電磁波シールド基板として、現在、プラスチックフィルム上に銅箔を積層した後、フォトリソグラフィーあるいはエッチングの手法を用いて、銅箔を格子状に積層した基板が用いられている。この製法は、全面に銅箔を積層した後、エッチングにより開口部分の銅箔を除去する手法であり、省資源の観点で無駄の多い手法であり、コストアップの原因となっている。また、この基板の格子状の銅箔層は規則的な構造を有しているため、モアレ現象が発生するという問題を有している。

モアレ現象とは、「点または線が幾何学的に規則正しく分布したものを重ね合せた時に生ずる縞状の斑紋」であり、プラズマディスプレイパネルで言えば、画面上に縞模様状の模様が発生する。これは、ディスプレイの前面に設けられる電磁波シールド基板に規則的なパターンが設けられている場合、ディスプレイ背面版の、ＲＧＢ各色の画素を仕切る規則正しい格子状の隔壁などとの相互作用により、モアレ現象が生じるためである。

このモアレ現象を防止するための手法として、ランダム部分を有するパターンを用いる手法が提案されている（特許文献１、２、３、４）。

特許文献１に記載の技術では、ランダム部分を有するメッシュ構造によりモアレ現象の発生が抑制されている。しかし、この技術は、大きさは異なるが、形状が同じである開口部を組み合わせてランダム化する手法であり、大きな開口が集まった部分では透明性が高まるが導電性が低下し、小さな開口が集まった部分では導電性が高まるが透明性が低下する傾向にあり、広い面積における透明性と導電性の均一性が十分に高いものではなかった。また、全面に銅箔を積層した後、エッチングによりメッシュ構造を形成する手法を用いているため、省資源の観点で無駄の多い手法であった。

特許文献２に記載の技術では、塗布により自発的に不規則な網目を形成する溶液を用いてランダムな金属微粒子層の網目を形成させている。しかしながら、特許文献２に記載の技術を用いても、高いレベルでの透明性および導電性を、広い面積にわたって均一に達成することは困難であった。

特許文献３に記載の技術は、スプレー噴霧などを用いてパラジウムなどの微細網目構造を基板上に形成させ、その後無電解めっきにより金属層を積層するものである。この網目構造は規則性が発現しにくく、モアレ現象を低減できる可能性がある。しかし、基板と、微細網目構造や金属層の接着性を高める処理を行っていないものであるため、後加工などを目的とした基板の取扱い時に、簡単に各層が削れてしまったり、剥がれてしまったりする可能性を有している。

特許文献４に記載の技術は、ランダムな金属微粒子層の上層に、金属微粒子層を被覆するようなシリカ質の層が存在する構成である。このシリカ質の層により金属微粒子層の剥離、削れといった問題は解決できるものであった。しかし、金属微粒子層の厚みが薄いことや金属微粒子層がシリカ質の層により被覆されていることに起因して、表面比抵抗が１０^２〜１０^３Ω／□と高く、プラズマディスプレイパネル用の電磁波シールドフィルムとして求められている導電性を満足していない。そのため、プラズマディスプレイパネル用として用いた場合には十分な電磁波シールド機能が発現しないものと考えられる。
特開平２００１−３４３５２０号公報（第１頁、請求項など） 特開平２００６−１２７９２９号公報（第１頁、請求項など） 特開平１０−３４０６２９号公報（第１頁、請求項など） 特開平１０−１８２１９１号公報（第１頁、請求項など）

本発明の目的は、上記した欠点を解消し、従来技術では解決が困難であった、透明性および導電性を広い面積にわたって均一化し、さらにモアレ現象が発生しにくい導電性基板、プラズマディスプレイ用電磁波シールド基板、および導電性基板の製造方法を提供することにある。

本願第１発明の導電性基板は、基板の少なくとも片面に、ランダムな網目状に積層された金属微粒子層と、
該金属微粒子層の網目の開口部分に金属微粒子層と接するように積層された樹脂層と、
該金属微粒子層の上に樹脂層と接するように積層されためっき金属層とを有し、かつ、
該樹脂層を形成する樹脂がアニオン型イオン性基を有する樹脂である導電性基板である。

また、本発明の導電性基板の製造方法は、基板上に金属微粒子層をランダムな網目状に積層する工程、次いで金属微粒子層の網目の開口部に、金属微粒子層に接するように、アニオン型イオン性基を有する樹脂層を積層する工程、次いで金属微粒子層上に、樹脂層と接するようにめっき金属層を積層する工程を含む導電性基板の製造方法である。

また、本願第２発明の導電性基板は、基板上に網目状に金属微粒子層が積層された導電性基板において、
網目状の各開口部に対し、下記式（１）を計算し、小数点第２位を四捨五入した値で定義されるコンパクトネスを求め、
（開口部の周囲長）^２／（４×π×（開口部の面積）） （１）
開口部の個数が最大となるコンパクトネスを、個数最大コンパクトネスとしたとき、
前記個数最大コンパクトネスを有する開口部の個数（Ｎ）と、前記個数最大コンパクトネスよりも０．１小さいコンパクトネスを有する開口部の個数（Ｎ_−０．１）と、前記個数最大コンパクトネスよりも０．１大きいコンパクトネスを有する開口部の個数（Ｎ_＋０．１）の和（Ｎ＋Ｎ_−０．１＋Ｎ_＋０．１）が、開口部の総個数の３８〜９０％であることを特徴とする導電性基板である。

また本発明の導電性基板の製造方法は、 基板の少なくとも片面に、ポリエステル樹脂および架橋剤を含有する中間層を積層し、続いて、基板に対して前記中間層を積層した側に、金属微粒子層を網目状に積層する導電性基板の製造方法である。

本願第１発明の導電性基板によれば、基板上にランダムな網目状に金属微粒子層が積層された導電性基板において、該金属微粒子層の網目の開口部分に金属微粒子層と接するように樹脂層を積層することにより、めっき金属層を積層した導電性基板において、モアレ現象が発生せず、透明で、さらに、電磁波シールド性、および各層の接着性に優れた導電性基板を簡便な製造方法で得ることができる。

また、本願第２発明の導電性基板の別の態様によれば、基板上に網目状に金属微粒子層が積層された導電性基板において、網目のランダム性を適切な範囲に制御することにより、透明性および導電性を、広い面積にわたって均一化し、さらにモアレ現象が発生しにくい導電性基板、およびプラズマディスプレイ用電磁波シールド基板を得ることができる。

本発明の導電性基板の断面概念図の一例。 ランダムな網目状構造の金属微粒子層の一例。 ランダムな網目状構造の金属微粒子層の一例。

符号の説明

１．導電性基板
２．基板
３．金属微粒子層
４．樹脂層
５．めっき金属層
６．金属微粒子層の網目の開口部

本願第１発明においては、基板上にランダムな網目状に積層された金属微粒子層の網目の開口部分の基板上に、アニオン型イオン性基を有する樹脂層が積層されている。該樹脂層は、金属微粒子層が実質的に露出された状態となるよう積層されている。また、金属微粒子層上にはめっき金属層が積層されている。金属微粒子層上に、めっき金属層を積層することで、基板の導電性がさらに向上して、電磁波シールド性が良好となる。

ここで、金属微粒子層が実質的に露出された状態とは、該金属微粒子層上にめっき金属層が積層できる状態をいう。すなわち、たとえ樹脂層が金属微粒子層の一部、または全部を薄く被っていたとしても、金属微粒子層上にめっき金属層が積層できる状態であれば、実質的に露出された状態であると定義する。例えば、電解めっき法によって、めっき金属層を積層する場合には、金属微粒子層に電気が通り、金属微粒子層上に電解めっきできるのであれば、金属微粒子層が実質的に露出された状態であると言える。

また、めっき金属層は樹脂層と接するように積層されている。本態様の導電性基板の断面概念図の一例を図１に示すが、本発明はこの図の形態に限られたものではない。めっき金属層が樹脂層と接するように積層されているとは、図１に示されるように、めっき金属層５は、金属微粒子層３の上のみに積層され、網目の開口部分にはほとんど積層されていないが、開口部分に積層された樹脂層４と接している状態を言う。すなわち、樹脂層４は、基板２、金属微粒子層３およびめっき金属層５に接している。なお、基板と樹脂層とは直接接している必要はなく、基板上に下塗り層などが設けられている場合には、樹脂層はこの下塗り層に接していればよい。

また、めっき金属層が、できるかぎり金属微粒子層による網目の開口部分には積層されず、金属微粒子層上のみに積層されるようにすることにより、基板の透明性を低下させないで、導電性を向上することができる。

本態様の積層構成とすることによって、簡便な製造方法により、以下の特徴を有する透明な導電性基板を得ることができる。まず、網目がランダム形状であることからモアレがない導電性基板を得ることができる。次に、めっき金属層が積層されていることから十分な導電性および電磁波シールド性を有する導電性基板を得ることができる。また、アニオン型イオン性基を有する樹脂層が、基板、金属微粒子層およびめっき金属層と接触した構造を形成することで、各層の接着性に優れた導電性基板を得ることができる。

上記のような積層構造を実現するためには、以下の順序で各層を積層する。まず、基板上に金属微粒子層を積層する。次いで、金属微粒子層の網目の開口部に、金属微粒子層と接するように樹脂層を積層する。このとき、後に金属微粒子層上にめっき金属層を積層するために、金属微粒子層が実質的に露出された状態となるように樹脂層を積層する。次いで、金属微粒子層上に、樹脂層と接するようにめっき金属層を積層する。金属微粒子層上にめっき金属層を積層すると、めっき金属層は金属微粒子層上で厚み方向だけでなく幅方向にも拡がって成長するため、樹脂層とも接触することとなる。

各層を上記のような積層構成とした場合、樹脂層が、基板を含む各層の繋ぎの役割を果たし、各層の優れた接着力が発現する。樹脂層は、アニオン型イオン性基を有する樹脂で形成される。めっき金属層との接着性の点で、以下の理由により、樹脂層がアニオン型イオン性基を有する樹脂で形成されていることが重要となる。

金属微粒子層の最表面は非常に脆く、金属微粒子層の上にめっき金属層を積層しても、めっき金属層は、脆い金属微粒子層の最表面と一緒に剥離してしまう。発明者らは、鋭意検討した結果、本発明の積層構成とし、かつ樹脂層を形成する樹脂としてアニオン型イオン性基を有する樹脂を用いた場合に、めっき金属層の剥離の問題を解決できることを見出した。そのメカニズムは明確にはわかっていないが、以下の通りと推測される。

すなわち、樹脂層としてアニオン型イオン性基を含有する樹脂を用いた場合には、イオン性相互作用により、めっき金属層と樹脂層との界面の接着力が向上し、該２層間の接着力が向上するものと推測される。さらに樹脂層は基材および金属微粒子層とも接触し、これら全ての層との優れた接着力を発現する繋ぎの役割を果たすものと推測される。

樹脂層が金属微粒子層の粒子間に一部入り込んだ構造になった場合には、より接着力を高めることが可能となるため好ましい。このような構造にするためには、基板上に金属微粒子層をランダムな網目状に積層した後、その上から樹脂の溶液を塗布し、乾燥する方法が好ましい。金属微粒子層を積層した後、樹脂の溶液を塗布すると、液体である樹脂の溶液が金属微粒子層の粒子間の隙間に入り込む。その後乾燥すると、樹脂が金属微粒子層の粒子間に一部入り込んだ状態で固形化されやすい。樹脂層を金属微粒子層の粒子間に一部入り込んだ構造とすると優れた接着性が発現する理由は、樹脂が金属微粒子層にアンカーを打ったような構造を取るためであると推測される。

樹脂層を塗布によって設ける際に、塗布する溶液中における樹脂を含む固形分の濃度と、塗布する厚みを調整することによって、樹脂層を金属微粒子層の開口部に積層し、かつ金属微粒子層が実質的に露出された状態を作り出すことができる。

樹脂層を形成する樹脂は、アニオン型イオン性基を有する樹脂であれば、熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂のいずれでもよく、有機系樹脂および無機系樹脂のいずれでもよい。アニオン型イオン性基を有する樹脂は、２種以上の樹脂を組み合わせて用いることもできる。また、樹脂層は、２層以上積層されたものであってもよい。樹脂層は、導電性基板の透明性を高くするために、透明であることが好ましい。

アニオン型イオン性基としては、例えば、カルボン酸、スルホン酸、リン酸、ケイ酸、硫酸エステル、リン酸エステル等およびそれらの金属塩または有機塩などが挙げられる。金属塩を形成する対イオンとしてはＬｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒなどの金属イオンが挙げられる。有機塩を形成するイオンとしては有機アンモニウムイオンなどが挙げられる。

アニオン型イオン性基を含有した樹脂としては、特に限定されないが、アニオン型イオン性基を分子内に有するポリマーや、アニオン型イオン性基を側鎖に有するポリマーなどが挙げられる。一例をあげれば、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリスチレンスルホン酸、ポリビニルリン酸などのポリアニオンや、その他アニオン型イオン性基を有するアクリル系樹脂、ゼラチン、ポリエステルなどが挙げられる。その他、カルボン酸やスルホン酸あるいはこれらのアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニウム塩などを含有する化合物を共重合したポリエステル、アクリル変性ポリエステル、ポリウレタンなども一例としてあげられる。

これらの中でも、ポリエステル、アクリル変性ポリエステルあるいはポリウレタンに、スルホテレフタル酸、５−スルホイソフタル酸、４−スルホイソフタル酸、４−スルホナフタレン−２，７−ジカルボン酸、スルホ−ｐ−キシリレングリコール、２−スルホ−１，４−ビス（ヒドロキシエトキシ）ベンゼン等のスルホン酸あるいはこれらのアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩あるいはアンモニウム塩を含有する化合物が共重合されたものが好ましい。

樹脂層を形成する樹脂として、アニオン型イオン性基を有する樹脂を単独で用いても他の樹脂と併用して用いてもよいが、アニオン型イオン性基を有する樹脂の割合が樹脂層全体の３０重量％以上である場合に、めっき金属層との接着が良好となるため好ましい。より好ましくは５０重量％以上であり、さらに好ましくは７０重量％以上である。

樹脂層には各種添加剤、例えば、分散剤、界面活性剤、保護樹脂、酸化防止剤、耐熱安定剤、耐候安定剤、紫外線吸収剤、顔料、染料、有機または無機の微粒子、充填剤、帯電防止剤、などを含有することもできる。

樹脂層を形成する樹脂は、水性樹脂であることが好ましい。その理由は以下の通りである。本発明においては、金属微粒子層を形成した後、樹脂の溶液を塗布し、乾燥する方法により樹脂を積層することが好ましいことについて上述した。一方で、この方法では、金属微粒子層上に樹脂層が被りやすく、金属微粒子層を実質的に露出させることが難しくなる。そこで、樹脂層を形成する樹脂として水性樹脂を選択し、樹脂の水溶液を金属微粒子層の上に塗工すると、水の高い表面張力により、樹脂の水溶液が金属微粒子層から弾かれやすくなり、樹脂層が金属微粒子層を被覆しにくくすることが可能となる。このとき、金属微粒子層を形成する金属微粒子が水と難溶な有機溶媒に分散するものであると、金属微粒子層と水とが、より親和しにくくなり、水性樹脂の水溶液が金属微粒子層から弾かれやすくなるため好ましい。

ここで、水と難溶な有機溶媒の一例としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メチルシクロヘキサン、メチルシクロペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカンなどの炭化水素類；クロロホルム、１，１−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエタン、トリクロロエチレン、１，１，２−トリクロロエタン、ジクロロメタン、ニトロメタン、ジブロモメタンなどのハロゲン系溶媒類；メチル−ｎ−ブチルケトン、エチル−ｎ−ブチルケトン、ジイソブチルケトン、ジイソプロピルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類；酢酸−ｎ−プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸−ｎ−ブチルなどのエステル類；イソプロピルエーテル、エチル−ｎ−ブチルエーテル、ｎ−ブチルエーテル、エチレングリコール−ジ−ｎ−ブチルエーテルなどのエーテル類；ｎ−ヘキシルアルコール、ｎ−オクチルアルコールなどのアルコール類が挙げられる。

本願第２発明においては、基板上に網目状に金属微粒子層が積層された導電性基板において、網目状の各開口部に対し、下記（１）で定義するコンパクトネスを求め、開口部の個数が最大となるコンパクトネスを、個数最大コンパクトネスとしたとき、前記個数最大コンパクトネスを有する開口部の個数（Ｎ）と、前記個数最大コンパクトネスよりも０．１小さいコンパクトネスを有する開口部の個数（Ｎ_−０．１）と、前記個数最大コンパクトネスよりも０．１大きいコンパクトネスを有する開口部の個数（Ｎ_＋０．１）の和（Ｎ＋Ｎ_−０．１＋Ｎ_＋０．１）が、開口部の総個数の３８〜９０％であることが重要である。

コンパクトネス：下記式（１）を計算し、小数点第２位を四捨五入した値
（開口部の周囲長）^２／（４×π×（開口部の面積）） （１）
ここで、コンパクトネスとは上記式（１）で計算される、形状の簡潔さを示す指標である。形状が円の場合に、コンパクトネスが１となり、最小の値をとる。

Ｎ＋Ｎ_−０．１＋Ｎ_＋０．１が、開口部の個数の３８％よりも小さい場合、網目形状のランダム性が高まりモアレ現象は発生しにくくなるが、開口部形状の種類が多種になりすぎてしまい、広い面積における導電性および透明性の均一性が損なわれる問題が生じる。

Ｎ＋Ｎ_−０．１＋Ｎ_＋０．１が、開口部の個数の９０％よりも大きい場合、網目形状のランダム性が損なわれ、モアレ現象が発生しやすくなるという問題が生じる。

そのため、Ｎ＋Ｎ_−０．１＋Ｎ_＋０．１は、開口部の総個数の３８％〜９０％であることが重要である。Ｎ＋Ｎ_−０．１＋Ｎ_＋０．１は、好ましくは開口部の総個数の４０〜８５％の場合であり、より好ましくは４５〜８０％である。

個数が最大となるコンパクトネス（個数最大コンパクトネス）は、１．１〜１．７であることが好ましい。より好ましくは個数最大コンパクトネスが１．２〜１．４の場合であり、特に好ましくは個数最大コンパクトネスが１．３の場合である。個数最大コンパクトネスがこの範囲であると、モアレ現象が発生せず、かつ高いレベルでの導電性、透明性、およびそれらの面内均一性が良好な導電性基板が得られやすいからである。

ここで、個数が最も多いコンパクトネスの値が２つ以上ある場合は、Ｎ＋Ｎ_−０．１＋Ｎ_＋０．１が最大となる個数Ｎを有するコンパクトネスを、個数最大コンパクトネスであると定義する。また、個数が最も多いコンパクトネスの値が２つ以上あり、かつ同じＮ＋Ｎ_−０．１＋Ｎ_＋０．１の値をもつものが２つ以上ある場合には、１．３に近い方のコンパクトネスを、個数最大コンパクトネスであると定義する。

金属微粒子層を基板に積層する方法は、特に制限されないが、基板上に金属微粒子層形成用の溶液を塗布することで、微粒子が部分的により集まって網目線を形成する現象、いわゆる自己組織化現象を利用して微粒子の網目を形成させる手法が好ましい。

金属微粒子層を基板に積層する方法は、特に限定されず、基板の少なくとも片面に金属微粒子層がランダムな網目状につながった構造を形成させればよい。ここで、ランダムな網目状の構造とは、走査電子顕微鏡の観察像において、網目状の構造が、その形状において、空隙部分の形状や大きさが不揃いである状態として観察されるものをいう。ランダムな網目状の構造の一例を図２、図３に示すが、これに限定されない。

金属微粒子層を基板に積層する方法としては、例えば、（ｉ）金属微粒子の溶液を網目状に印刷する方法、（ii）金属微粒子を基板全面に積層した後、金属微粒子層が網目状になるように物理的に削ったり、化学的にエッチング処理を行ったりする方法、（iii）基板を掘ったり、割ったり、型押ししたりして、あらかじめ基板の少なくとも片面に網目状の溝を作成しておき、そこに金属微粒子の溶液を充填させる方法などがある。しかし、印刷では線幅の太いものとなるため、透明性が低下する場合がある。また、エッチング、および溝を形成させる手法では、直線的な線が得られやすいためランダム性に劣り、モアレが強く出る場合がある。

金属微粒子層を基板に積層する方法としては、基板に金属微粒子層形成用の溶液を塗布することで、微粒子が部分的に集まって網目線を形成するような現象、いわゆる自己組織化現象を利用して微粒子の網目を形成する手法が好ましい。このような手法を用いると、網目がランダムになりやすく、また線幅が細くなりやすい。また、後述する有機溶媒で処理する工程、次いで酸で処理する工程により良好な導電性を有する網目構造が形成されやすい。つまり、ランダム性、良好な透明性および導電性の全てを満たす基板が得られやすいので、「自己組織化する溶液」を用いる方法が好ましい。

ここで「自己組織化する溶液」とは、基板上に該溶液を塗布して放置しておくと、自然に基板上に網目状の構造を形成する溶液である。自己組織化する溶液を用いて網目状の構造を形成させる場合、例えば、金属微粒子と分散剤などの有機成分とからなる粒子を主成分とする溶液（金属コロイド溶液）を用いることができる。金属コロイド溶液の溶媒としては、水または各種の有機溶媒を用いることができる。このような溶液としては、例えばＣｉｍａ ＮａｎｏＴｅｃｈ社製ＣＥ１０３−７を用いることができる。

自己組織化する溶液を用いて、基板上に、網目状に金属微粒子層を積層させる場合、自己組織化する溶液の塗布開始から自己組織化する溶液が網目形状になるまでの間において、基板上の湿度を１〜８５％ＲＨという特定な条件を満たす雰囲気に制御することが好ましい。かかる基板上の湿度は、好ましくは１０〜７０％ＲＨであり、より好ましくは２０〜６０％ＲＨであり、特に好ましくは３０〜５０％ＲＨである。

基板上の湿度を上記の範囲にすることにより、基板上に網目状に金属微粒子層を積層するにあたって、Ｎ＋Ｎ_−０．１＋Ｎ_＋０．１を開口部の総個数の３８〜９０％に制御しやすく、また個数最大コンパクトネスを１．１〜１．７に制御しやすい。

また、基板上の湿度が１％未満では、全光線透過率が落ち、網目状金属微粒子積層基板の透明性が低下する。また、基板上の湿度が８５％ＲＨより大きいと、網目状につながった構造がはなれてしまい、そのために、網導電性が低下する。

かかる基板上の湿度の測定は、湿度計を用いて以下のようにして測定する。すなわち、基板上に網目状金属微粒子層を積層する製造工程において、湿度計を用い、基板の金属微粒子溶液を塗布する面の中心から１ｃｍ上の湿度を測定した。

基板への自己組織化する溶液の塗布開始から自己組織化する溶液が網目形状になるまでの間において、基板上の温度が１５〜１００℃の条件を満たすように制御されていることが好ましい。かかる基板上の温度は、好ましくは１５〜５０℃であり、より好ましくは２０〜４０℃であり、特に好ましくは２０〜３０℃である。

基板上の温度を上記の範囲にすることにより、基板上に網目状に金属微粒子層を積層するにあたって、Ｎ＋Ｎ_−０．１＋Ｎ_＋０．１を開口部の総個数の３８〜９０％に制御しやすく、また個数最大コンパクトネスを１．１〜１．７に制御しやすい。

また、基板上の温度が１５℃未満もしくは、１００℃より大きいと、網目状金属微粒子積層基板の透明性が低下したり、導電性が低下する。

かかる基板上の温度の測定は、基板上に網目状金属微粒子層を積層する製造工程において、温度計を用い、基板の金属微粒子溶液を塗布する面の中心から１ｃｍ上の温度を測定したものである。

前記金属微粒子の数平均粒子径は０．００１〜０．３μｍ、最大粒子径は１．０μｍ未満が好ましい。このような金属微粒子を含む、自己組織化する溶液を用いた場合に、金属微粒子層のランダム性を制御しやすい。そのため、優れた透明性および導電性を有する導電性基板が得られやすくなるため好ましい。金属微粒子の数平均粒子径は、好ましくは０．００１〜０．２μｍであり、より好ましくは０．００２〜０．１５μｍである。

金属微粒子の粒径分布は、特に制限されないが、粒径が均一であり、粒径分布が小さい場合ほど、金属微粒子層のランダム性を制御しやすいため好ましい。

金属微粒子に用いられる金属としては、特に限定されず、白金、金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、ビスマス、コバルト、鉄、アルミニウム、亜鉛、錫などが挙げられる。金属微粒子は１種で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

本発明の導電性基板においては、金属微粒子層が分断せずに連続して繋がっていることが重要である。金属微粒子層が連続して繋がっている場合、金属微粒子層上のある一点から導通を取れば、金属微粒子層全面にわたって電気を流すことが可能となり、良好な導電性を発現するものとなるからである。

金属微粒子層を積層した基板の表面比抵抗は４０Ω／□以下であることが好ましい。表面比抵抗を４０Ω／□以下とすることで、高い電磁波シールド性を有する導電性基板とすることができるために好ましい。表面比抵抗は、より好ましくは３０Ω／□以下であり、さらに好ましくは１０Ω／□以下である。表面比抵抗の測定は、例えば、測定サンプルを常態（２３℃、相対湿度６５％）において２４時間放置後、その雰囲気下で、ＪＩＳ−Ｋ−７１９４に準拠した形で、ロレスタ−ＥＰ（三菱化学株式会社製、型番：ＭＣＰ−Ｔ３６０）を用いて測定することができる。表面比抵抗が４０Ω／□以下である場合には、後述する電解めっきを行いやすい点でも好ましい。なお表面比抵抗は低いほど好ましいが、現在の技術では金属微粒子層を用いて０．００１Ω／□未満とすることは技術的に困難なため、下限は０．００１Ω／□程度である。

本発明の導電性基板の全光線透過率は、好ましくは５０％以上であり、より好ましくは６５％以上であり、特に好ましくは７５％以上である。全光線透過率が５０％より小さいと、導電性基板の透明性が低くて好ましくない。なお、全光線透過率は高いほど好ましいが、基板に金属微粒子層を設ける場合、現在の技術では９５％以上とすることは困難なため、上限は９５％程度と考えられる。

本発明における金属微粒子層には金属微粒子以外に、他の各種添加剤、例えば、分散剤、界面活性剤、保護樹脂、酸化防止剤、耐熱安定剤、耐候安定剤、紫外線吸収剤、顔料、染料、有機または無機の微粒子、充填剤、帯電防止剤などを含有することもできる。しかし、金属微粒子の含有量が、金属微粒子層の全成分中５０重量％以上であることが好ましい。金属微粒子層中の金属微粒子の含有量が５０重量％以上であると、金属微粒子層の表面比抵抗が小さくなりやすいからである。

めっき金属層を構成する金属は特に限定されないが、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｚｎ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｉｎなどを用いることができる。これらの１種を用いても、２種以上の金属を組み合わせて用いても良い。これらの中でも、導電性、電解めっき性などの点で、Ｃｕを用いることが好ましい。

本発明の金属微粒子層は導電性を有するため、めっき金属層の積層を、電解めっきを用いて行うことが可能である。金属微粒子層による網目の開口部分を電気絶縁性の材料で形成し、めっき金属層の積層を、電解めっきを用いて行うことにより、金属微粒子層上のみにめっき金属層を積層できるので好ましい。前述したように、金属微粒子層を積層した基板の表面比抵抗は、４０Ω／□以下であることが好ましい。より好ましくは３０Ω／□以下であり、さらに好ましくは１０Ω／□以下である。表面比抵抗が４０Ω／□より大きいと、電解めっきを行う際に抵抗による負荷が大きくなるため、高い電圧をかけて通電させる必要があるので好ましくない。

本発明においては、金属微粒子層に電解めっきを行う前に、熱処理、光線処理、通電処理など、金属微粒子の導電性を高めるための公知の方法を用いて金属微粒子層の導電性を高め、表面比抵抗を小さくする処理を行ってもよい。特に、金属微粒子を酸で処理する方法により、表面比抵抗を小さくすることが好ましい。酸で処理する方法は、穏和な処理条件で金属微粒子の導電性を高めることができるため、熱可塑性樹脂など、耐熱性や耐光性に劣る材料を基板として用いた場合でも、好適に採用できる。また、複雑な装置や工程を必要としない方法であるため、生産性の点でも好ましい。

本発明における酸とは、特に限定されず、種々の有機酸および無機酸から選択することができる。有機酸としては、酢酸、シュウ酸、プロピオン酸、乳酸、ベンゼンスルホン酸などが挙げられる。無機酸としては、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸などが挙げられる。これらは、強酸であっても、弱酸であってもよい。好ましくは酢酸、塩酸、硫酸、およびその水溶液から選ばれた酸であり、より好ましくは塩酸、硫酸、およびその水溶液から選ばれた酸である。

金属微粒子層を酸で処理する工程は、めっき金属層を積層する前であれば、いずれの工程の間で行っても良い。例えば、基板上に金属微粒子層を網目状に積層した後、酸で処理しても良いし、基板上の全面に金属微粒子を積層した後、酸で処理し、その後、エッチングなどにより、金属微粒子層を網目状にしても良い。これらの中でも、金属微粒子層を網目状に形成し、かつ樹脂層を形成した後、めっき金属層を積層する工程の前に酸で処理することが、導電性を高める効果に優れ、生産性の点で効率がよいため好ましい。金属微粒子層を酸で処理してから、めっき金属層を積層するまでの間に、別の工程、例えば樹脂層を積層する工程などを入れた場合には、金属微粒子層を酸で処理し、導電性を高めた効果が低下したりする場合がある。そのため、できるだけめっき金属層を積層する直前に金属微粒子層を酸で処理することが好ましい。酸で処理する前や後に、基板を乾燥したり、熱処理したり、紫外線照射処理などをしてもよい。

酸による処理時間は、数分以下で十分である。処理時間をより長くしても、導電性の向上効果が高まらない場合や、導電性の向上効果が悪化する場合がある。酸による処理時間は、１５秒〜６０分であることが好ましく、より好ましくは１５秒〜３０分であり、さらに好ましくは１５秒から２分であり、特に好ましくは１５秒〜１分である。

酸による処理温度は、常温で十分である。高温で処理を行うと、酸の蒸気が発生して周辺の金属装置を劣化させる原因となったり、基材として熱可塑性樹脂フィルムを用いた場合には、基材を白化させ、透明性を損ねる場合がある。好ましい処理温度は４０℃以下であり、より好ましくは３０℃以下であり、さらに好ましくは２５℃以下である。処理温度の下限は、５℃以上であることが好ましく、１０℃以上であることがより好ましい。

酸で処理する方法は、特に限定されず、例えば、酸や、酸の溶液の中に金属微粒子層を積層した基板を浸したり、酸や、酸の溶液を金属微粒子層上に塗布したり、酸や、酸の溶液の蒸気を金属微粒子層にあてたりする方法が用いられる。これらの中でも、酸の溶液の中に金属微粒子層を積層した基板を浸したり、酸や、酸の溶液を金属微粒子層上に塗布したりするなど、基板と酸の液体を直接接触させる方法が、導電性向上効果に優れるため好ましい。すなわち、酸の処理条件としては、４０℃以下の温度で、酸の溶液の中に金属微粒子層を積層した基板を浸したり、酸や、酸の溶液を金属微粒子層上に塗布したりすることが好ましい。

酸の溶液を用いる場合、酸の濃度は、好ましくは１０ｍｏｌ／Ｌ以下であり、より好ましくは５ｍｏｌ／Ｌ以下であり、さらに好ましくは１ｍｏｌ／Ｌ以下である。酸の溶液の濃度が高いと、作業性が低下し、生産性が悪化する場合がある。また、基材として熱可塑性樹脂フィルムを用いた場合には、基材を白化させ、透明性を損ねる場合がある。また、酸の濃度が低すぎる場合にも、酸による処理の効果が低いため、酸の濃度は、好ましくは０．０５ｍｏｌ／Ｌ以上、より好ましくは０．１ｍｏｌ／Ｌ以上である。

なお、数平均粒子径が０．２μｍ以下であるような金属微粒子からなる金属微粒子層の場合、低い濃度の酸によっても、酸による処理の効果が十分に発現するため、金属微粒子の数平均粒子径は０．２μｍ以下であることが特に好ましい。

また、金属微粒子層を酸で処理する前に、有機溶媒で処理すると、より優れた導電性が得られやすくなるので好ましい。金属微粒子層を有機溶媒で処理する段階としては、基板上に金属微粒子層を網目状に積層した後、有機溶媒で処理しても良いし、基板上の全面に金属微粒子を積層した後、有機溶媒で処理し、その後、エッチングなどにより、金属微粒子層を網目状にしても良い。これらの中でも、基板上に金属微粒子を網目状に積層しておいてから、樹脂層を積層する前に有機溶媒で処理する方法が、導電性を高める効果に優れ、生産性の点で効率が良いため好適に用いられる。樹脂層を積層した後に金属微粒子層を有機溶媒で処理した場合、有機溶媒により樹脂層が溶解する場合がある。有機溶媒で処理する前や後に、金属微粒子層を積層した基板を乾燥したり、熱処理したり、紫外線照射処理などをしてもよい。

有機溶媒による処理温度は、常温で十分である。高温で処理を行うと、基材として熱可塑性樹脂フィルムを用いた場合には、基材を白化させ、透明性を損ねる場合がある。好ましい処理温度は４０℃以下であり、より好ましくは３０℃以下であり、さらに好ましくは２５℃以下である。処理温度の下限は、５℃以上であることが好ましく、１０℃以上であることがより好ましい。

有機溶媒で処理する方法は、特に限定されず、例えば、有機溶媒の溶液の中に金属微粒子層を積層した基板を浸したり、有機溶媒を金属微粒子層上に塗布したり、有機溶媒の蒸気を金属微粒子層にあてたりする方法が用いられる。これらの中でも、有機溶媒の中に金属微粒子層を積層した基板を浸したり、有機溶媒を金属微粒子層上に塗布したりする方法が、導電性向上効果に優れるため好ましい。

有機溶媒の一例を挙げると、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブタノール、イソブタノール、３−メトキシ−３−メチル−１−ブタノール、１，３−ブタンジオール、３−メチル−１，３−ブタンジオールなどのアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノンなどのケトン類；酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類；ヘキサン、ヘプタン、デカン、シクロヘキサンなどのアルカン類；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホオキシドなどの双極性非プロトン溶媒；トルエン、キシレン、アニリン、エチレングリコールブチルエーテル、エチレングリコール、エチルエーテル、エチレングリコールメチルエーテル、クロロホルム等、およびこれらの混合溶媒を使用できる。これらの中でも、ケトン類、エステル類またはトルエンが含まれていると、導電性向上効果に優れるため、好ましい。特に好ましくはケトン類である。

有機溶媒は、水で希釈したものを用いても良い。有機溶媒と水の混合比は、重量比で５／９５以上が好ましく、より好ましくは５０／５０以上であり、さらに好ましくは７０／３０以上であり、最も好ましくは１００／０である。

また、金属微粒子層が貴金属微粒子により形成されている場合は、無電解めっきの触媒として作用することから、無電解めっきを行うことも可能となる。貴金属の例としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｒｕ、Ｉｒなどが挙げられる。

無電解めっきを行う場合は、基板表面に無電解めっきの触媒となるような元素が存在すると、金属微粒子層による網目の開口部分にもメッキ金属層が積層されて、基板の透明性が低下するので、基板表面には無電解めっきの触媒となるような元素、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ等の金属が存在していないことが好ましい。

無電解めっきでは、めっき金属層の厚みを厚くするためにはめっき時間を長くする必要があり、この場合、開口部分に付着していた異物などにめっき核が形成されて、開口部分にめっき金属層が発生することがある。開口部分にもめっき金属層が発生した場合には、基板の透明性が低下するため、めっき金属層の厚みを厚くしたい場合には、無電解めっきより、電解めっきの方が好ましい。

めっき金属層の厚みは１．５μｍ以上であることが好ましい。より好ましくは２μｍ以上であり、さらに好ましくは３μｍ以上である。厚みの上限は特に限定されないが、めっき金属層の厚みを厚くすると、同時にめっき金属層の線幅が広がりやすくなり、その結果、基板の透明性が低下するため、１５μｍ以下とすることが好ましい。より好ましくは１０μｍ以下である。めっき金属層の厚みが１．５μｍ以上であると本発明の導電性基板を電磁波シールド基板用途として用いた場合に、低周波領域での磁界シールド性に優れたものとすることができるため好ましい。

めっき金属層の厚みを１．５μｍ以上とすると、必然的にめっき金属層の幅方向の拡がりも大きくなる。その結果、規則性のあるパターンを用いた場合にはモアレ現象が発生しやすくなるが、本発明ではランダムな層を形成させるため、めっき金属層厚みを大きくしてもモアレが発生しない。その結果、低周波領域での磁界シールド性と耐モアレ性との両立が可能となる。

めっき金属層を積層した導電性基板の少なくとも片面の表面比抵抗は０．５Ω／□よりも小さいことが好ましい。より好ましくは０．２Ω／□以下であり、さらに好ましくは０．１Ω／□以下であり、最も好ましくは０．０５Ω／□以下である。表面比抵抗が０．５Ω／□以上であると低周波領域での磁界シールド性を良好に発現させることができなくなる場合がある。

基板の表面比抵抗を０．５Ω／□以下とするには、特に限定されないが、めっき金属層を構成する金属としてＣｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｚｎ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｉｎから選ばれる金属を、１種または２種以上組み合わせて用いることが好ましい。これらの中でも、Ｃｕを用いることが好ましい。上記金属を用いて、めっき金属層の厚みを１．５μｍ以上とすることで、好適に表面比抵抗を０．５Ω／□以下とすることができる。

本発明に用いる基板としては、特に限定されず、ガラスや樹脂など種々の基板を用いることができる。また、ガラスや樹脂などの基板を２種以上貼り合わせるなどして組み合わせて用いてもよい。基板が熱可塑性樹脂フィルムである場合、透明性、柔軟性、加工性などの点で好ましい。

熱可塑性樹脂フィルム中には、各種添加剤、例えば、酸化防止剤、耐熱安定剤、耐候安定剤、紫外線吸収剤、有機の易滑剤、顔料、染料、有機または無機の微粒子、充填剤、帯電防止剤、核剤などがその特性を悪化させない程度に添加されていてもよい。

熱可塑性樹脂フィルムの厚みは、特に限定されるものではなく、用途や種類に応じて適宜選択されるが、機械的強度、ハンドリング性などの点から、通常は好ましくは１０〜５００μｍ、より好ましくは３８〜２５０μｍ、最も好ましくは７５〜１５０μｍである。また、熱可塑性樹脂フィルムは、単層のフィルムであってもよく、共押出による複合フィルムであってもよい。フィルムを各種の方法で貼り合わせて用いることもできる。

本発明でいう熱可塑性樹脂フィルムとは、熱によって溶融もしくは軟化するフィルムの総称であって、特に限定されるものではないが、代表的なものとして、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルムやポリエチレンフィルムなどのポリオレフィンフィルム、ポリ乳酸フィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリメチルメタクリレートフィルムやポリスチレンフィルムなどのアクリル系フィルム、ナイロンなどのポリアミドフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリウレタンフィルム、フッ素系フィルム、ポリフェニレンスルフィドフィルムなどを用いることができる。これらは、ホモポリマーでも共重合ポリマーであってもよい。これらのうち、機械的特性、寸法安定性、透明性などの点で、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリアミドフィルムなどが好ましい。機械的強度、汎用性などの点で、ポリエステルフィルムが特に好ましい。

また、ポリエステルフィルムを基板として用いると、上述のような自己組織化する溶液を塗布した際に、網目の開口部形状に適度な分布が生じるように自己組織化現象が発生しやすい。これによって、導電性基板のＮ＋Ｎ_−０．１＋Ｎ_＋０．１が開口部の総個数の３８〜９０％に制御しやすく、また個数最大コンパクトネスを１．１〜１．７に制御しやすい点でも、ポリエステルフィルムが基板として好ましい。基板がポリエステルフィルムでない場合には、導電性基板のＮ＋Ｎ_−０．１＋Ｎ_＋０．１を開口部の総個数の３８〜９０％に制御しにくく、また個数最大コンパクトネスを１．１〜１．７に制御しにくい。

ポリエステルフィルムにおいて、ポリエステルとは、エステル結合を主鎖の主要な結合鎖とする高分子の総称であって、エチレンテレフタレート、プロピレンテレフタレート、エチレン−２，６−ナフタレート、ブチレンテレフタレート、プロピレン−２，６−ナフタレート、エチレン−α，β−ビス（２−クロロフェノキシ）エタン−４，４’−ジカルボキシレートなどから選ばれた少なくとも１種の構成成分を主要構成成分とするものを好ましく用いることができる。これら構成成分は、１種のみ用いても、２種以上併用してもよい。中でも品質、経済性などを総合的に判断すると、エチレンテレフタレートを主要構成成分とするポリエステル、すなわち、ポリエチレンテレフタレートを用いることが特に好ましい。また、基板に熱や収縮応力などが作用する場合には、耐熱性や剛性に優れたポリエチレン−２，６−ナフタレートが好ましい。これらのポリエステルには、さらに他のジカルボン酸成分やジオール成分が一部、好ましくは２０モル％以下共重合されていてもよい。

上述したポリエステルの極限粘度（２５℃のｏ−クロロフェノール中で測定）は、０．４〜１．２ｄｌ／ｇが好ましく、より好ましくは０．５〜０．８ｄｌ／ｇの範囲にあるものが本発明を実施する上で好適である。

上記ポリエステルフィルムは、二軸配向されたものであるのが好ましい。二軸配向ポリエステルフィルムとは、一般に、未延伸状態のポリエステルシートまたはフィルムが、長手方向および幅方向に各々２．５〜５倍程度延伸され、その後、熱処理が施されて、結晶配向が完了されたものであり、広角Ｘ線回折で二軸配向のパターンを示すものをいう。

また、基板と金属微粒子層の間に、ポリエステル樹脂および架橋剤を含有する中間層が積層されている場合には、上述のような自己組織化する溶液を塗布した際に、網目の開口部形状に適度な分布が生じるように自己組織化現象が発生しやすく、導電性基板のＮ＋Ｎ_−０．１＋Ｎ_＋０．１が開口部の総個数の３８〜９０％に制御しやすく、また個数最大コンパクトネスを１．１〜１．７に制御しやすくなるためにより好ましい。中間層は少なくとも金属微粒子層を積層する側に設けさえすれば、基板の片面のみに積層しても、両面に積層してもよい。

中間層を設け、自己組織化する溶液を塗布した際に、上記のような効果が発現するメカニズムは明確にはわかっていないが、自己組織化する溶液を塗布した際、中間層の表面官能基や、表面のぬれ張力などの性質が自己組織化する溶液に影響を与え、網目の開口部形状に適度な分布が生じるように自己組織化現象が発生しやすくなるものと推測している。

従って、中間層と金属微粒子層の間には別の層が積層されていてもよいが、当該別の層の厚みが厚すぎる場合には、自己組織化する溶液を塗布した際に、網目の開口部形状に適度な分布が生じるように自己組織化現象が発生しやすくなる効果が弱くなるため、好ましくない。中間層と金属微粒子層の間に別の層を設ける場合、その厚みは、０．５μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．２μｍ以下であり、さらに好ましくは０．１μｍ以下である。また、別の層が自己組織化溶液に含まれる溶媒に溶解するような層であれば、中間層の表面官能基や、表面のぬれ張力などの性質が自己組織化する溶液に与える影響を妨げにくくなる。

中間層と金属微粒子層の間に設けられる別の層としては、基板と金属微粒子層の間に密着性改善のための下塗り層、帯電防止層、離型層、親水化処理層、疎水性層などが挙げられる。

中間層を構成するポリエステル樹脂と架橋剤は、中間層のポリエステル樹脂１００重量部に対し、架橋剤が固形分重量比で０．０１重量部以上５０重量部以下であることが好ましく、より好ましくは１〜２５重量部である。中間層のポリエステル樹脂と架橋剤の比率が、上記の範囲内であると、導電性基板のＮ＋Ｎ_−０．１＋Ｎ_＋０．１が開口部の総個数の３８〜９０％に、また個数最大コンパクトネスを１．１〜１．７に制御した網目形状が、より得られやすくなる。

なお、中間層に含まれるポリエステル樹脂と架橋剤の合計の成分比率は、好ましくは中間層の全成分１００重量％に対して５０重量％以上１００重量％以下であり、より好ましくは８０重量％以上１００重量％以下であり、さらに好ましくは９０重量％以上１００重量％以下である。

ここで、中間層に用いられるポリエステル樹脂とは、主鎖あるいは側鎖にエステル結合を有するものである。中間層に使用されるポリエステル樹脂としては、酸由来成分としてテレフタル酸、イソフタル酸およびセバシン酸、ジオール成分としてエチレングリコール、ジエチレングリコール、１，４−ブタンジオールおよびネオペンチルグリコールから選ばれる成分を含む共重合体などが好ましい。

中間層の強度や耐熱性の点から、芳香族ジカルボン酸由来の成分が、好ましくは全酸由来成分中の３０モル％以上、より好ましくは３５モル％以上、特に好ましくは４０モル％以上を占めるポリエステル樹脂を用いることが好ましい。

また、中間層を構成するポリエステル樹脂と架橋剤は、水系液にして塗液として用いるのが好ましい。水系液にして用いると、各成分の混合が容易となり、その結果、導電性基板のＮ＋Ｎ_−０．１＋Ｎ_＋０．１を開口部の総個数の３８〜９０％に制御することや、個数最大コンパクトネスを１．１〜１．７に制御することが容易になる。

この場合には、ポリエステル樹脂の水溶化あるいは水分散化を容易にするため、ポリエステル樹脂の酸成分として、スルホン酸基や３価以上の多価カルボン酸塩基を含有する化合物を全酸由来成分中の０．５モル％〜４０モル％共重合することが好ましい。

スルホン酸塩基を含有する化合物としては、例えば、スルホテレフタル酸、５−スルホイソフタル酸、４−スルホイソフタル酸などあるいはこれらのアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニウム塩などが挙げられる。３価以上の多価カルボン酸塩基を含有する化合物としては、例えば、トリメリット酸、無水トリメリット酸、ピロメリット酸、無水ピロメリット酸、４−メチルシクロヘキセン−１，２，３−トリカルボン酸、トリメシン酸など、あるいはこれらのアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニウム塩等が挙げられる。

中間層に使用されるポリエステル樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、５〜５５℃であることが好ましい。Ｔｇが５℃未満では、中間層を有する基板を重ねた際に、基板同士がブロッキング現象を発生することがある。Ｔｇが５５℃を超える場合、ポリエステル樹脂の安定性や水分散性が劣る場合がある。Ｔｇは好ましくは１０〜５０℃であり、より好ましくは１５〜４０℃である
また本発明においては、中間層に用いられるポリエステル樹脂として、変性ポリエステル共重合体、例えば、アクリル、ウレタン、エポキシなどで変性したブロック共重合体、グラフト共重合体なども使用可能である。

本発明でいう中間層に使用される架橋剤とは、ポリエステル樹脂や、中間層に使用されるその他樹脂と架橋反応し得るものである。例えば、メラミン化合物、オキサゾリン系架橋剤、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、メチロール化あるいはアルキロール化した尿素系、アクリルアミド系、ポリアミド系樹脂、アミドエポキシ化合物、各種シランカップリング剤、各種チタネート系カップリング剤などを用いることができる。特に、メラミン化合物またはオキサゾリン系架橋剤が、中間層に使用されるポリエステル樹脂との相溶性が優れ、ランダム性が制御された網目形状が得られやすい点で好ましい。

メラミン化合物としては、たとえばメラミン、メラミンとホルムアルデヒドを縮合して得られるメチロール化メラミン誘導体、メチロール化メラミンに低級アルコールを反応させて部分的あるいは完全にエーテル化した化合物、あるいはこれらの混合物などを用いることができる。また、単量体、２量体以上の多量体からなる縮合物、あるいはこれらの混合物などのいずれも用いることができる。ここで、エーテル化に使用する低級アルコールとしては、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブタノール、イソブタノールなどを用いることができる。

また、メラミン化合物として、イミノ基、メチロール基、メトキシメチル基、ブトキシメチル基などの官能基を有するメラミン樹脂が好ましく用いられる。官能基を有するメラミン樹脂として、イミノ基型メチル化メラミン樹脂、メチロール基型メラミン樹脂、メチロール基型メチル化メラミン樹脂、完全アルキル型メチル化メラミン樹脂などが好ましく用いられる。その中でも、イミノ基型メラミン樹脂、メチロール化メラミン樹脂がより好ましい。さらに、メラミン化合物の熱硬化を促進するため、例えば、ｐ−トルエンスルホン酸などの酸性触媒を用いてもよい。

オキサゾリン系架橋剤としては、オキサゾリン基を含有するモノマーを少なくとも１種以上含み、かつ、少なくとも１種の他のモノマーを共重合させて得られるオキサゾリン基含有共重合体からなるものが好ましい。

ここで、オキサゾリン基を含有するモノマーとしては、２−ビニル−２−オキサゾリン、２−ビニル−４−メチル−２−オキサゾリン、２−ビニル−５−メチル−２−オキサゾリン、２−イソプロペニル−２−オキサゾリン、２−イソプロペニル−４−メチル−２−オキサゾリン、２−イソプロペニル−５−エチル−２−オキサゾリンなどを用いることができ、これらの１種または２種以上の混合物を使用することもできる。中でも、２−イソプロペニル−２−オキサゾリンが工業的にも入手しやすく好適である。

オキサゾリン系架橋剤用いられる他のモノマーとしては、例えば、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸−２−エチルヘキシル、メタクリル酸−２−エチルヘキシルなどのアクリル酸エステルあるいはメタクリル酸エステル類；アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、マレイン酸などの不飽和カルボン酸類；アクリロニトリル、メタクリロニトリルなどの不飽和ニトリル類；アクリルアミド、メタクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルアミドなどの不飽和アミド類；酢酸ビニル、プロピオン酸ビニルなどのビニルエステル類；メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテルなどのビニルエーテル類；エチレン、プロピレンなどのオレフィン類；塩化ビニル、塩化ビニリデン、フッ化ビニルなどの含ハロゲン−α，β−不飽和モノマー類；スチレン、α−メチルスチレンなどのα，β−不飽和芳香族モノマー類などを用いることができ、これらの１種または２種以上の混合物を使用することもできる。

中間層の厚みは、０．００１〜１μｍであることが好ましい。中間層の厚みが０．００１μｍよりも薄い場合、導電性基板のＮ＋Ｎ_−０．１＋Ｎ_＋０．１が開口部の総個数の３８〜９０％に、また個数最大コンパクトネスを１．１〜１．７に制御しにくい場合がある。中間層の厚みが１μｍよりも厚い場合には、基板の物性に悪影響を及ぼす場合がある。中間層の厚みは、好ましくは０．０５〜０．６μｍ、より好ましくは０．０８〜０．４μｍである。

ポリエステルフィルムに中間層を積層する際には、結晶配向が完了する前のポリエステルフィルムの片面、もしくは両面に、中間層形成塗液を塗布した後、少なくとも一方向に延伸し、かつ熱処理することにより製造することが好ましい。中でも、生産性を考慮すると、製膜工程中に、塗布方法で中間層を設ける方法が特に好ましく用いられる。

結晶配向完了前のポリエステルフィルムに中間層を積層した場合には、ポリエステルフィルムと中間層の界面接着力が強くなり、後加工時の剥がれや、削れが発生しにくくなる点で好ましい。

基板および／または中間層のぬれ張力が、４０ｍＮ／ｍ以上である場合には、上述のような自己組織化する溶液を塗布した際に、網目の開口部形状に適度な分布が生じるように自己組織化現象が発生しやすく、導電性基板のＮ＋Ｎ_−０．１＋Ｎ_＋０．１が開口部の総個数の３８〜９０％に制御しやすく、また個数最大コンパクトネスを１．１〜１．７に制御しやすいため好ましい。

また基板および／または中間層のぬれ張力が７３ｍＮ／ｍを越える場合には、網目形状のランダム性が高くなりすぎ、モアレ現象は発生しにくくなるものの、広い面積における導電性および透明性の均一性が低下する場合があるので、ぬれ張力は７３ｍＮ／ｍ以下が好ましい。

また、ぬれ張力が４０ｍＮ／ｍ未満の基板や中間層表面にコロナ放電処理、窒素雰囲気下、二酸化炭素雰囲気下での放電加工処理等を施して、ぬれ張力を４０ｍＮ／ｍ以上にすることも好ましい。

本発明の導電性基板、およびプラズマディスプレイ用電磁波シールド基板には、基板、金属微粒子層、金属層、中間層の他に、各種の層が積層されていてもよい。例えば、基板と金属微粒子層の間に密着性改善のための下塗り層などが設けられていてもよく、めっき金属層などの金属層の上に保護層が設けられていてもよい。また、基板の片面、または両面に粘着層や、離型層や、保護層や、接着性付与層や、耐候性層などが設けられていてもよい。

また、金属微粒子層やめっき金属層などの金属層に防眩処理を行ったり、防眩層を設けたりしてもよい。例えば、金属の酸化による黒色化処理や、クロム合金、ニッケル合金等の黒色めっきや、黒または暗色系のインキの塗布を行うことができる。

めっき金属層に防眩処理を行うか、または、防眩層を積層することで、網目形状が積層された面の可視光領域の最大反射率を２０％以下とすることが好ましい。このような防眩性を付与すると、例えば、ディスプレイ用電磁波シールド基板としてディスプレイの前面に設けて使用する場合、基板の反射によって画像や文字が見えにくくなるという問題が改善されるため好ましい。可視光領域の最大反射率が２０％よりも大きいと、基板の反射により、画像や文字が見えにくくなる場合がある。可視光領域の最大反射率は、好ましくは１５％以下であり、より好ましくは１０％以下であり、さらに好ましくは５％以下である。

以下に本発明の導電性基板の製造方法をより具体的に例示して説明するが、これに限定されるものではない。

溶融押し出しした結晶配向前のポリエステルフィルムを長手方向に２．５〜５倍程度延伸する。一軸延伸したフィルムに、連続的に中間層形成溶液を塗布する。溶液を塗布したポリエステルフィルムを、段階的に加熱されたゾーンを通過しつつ乾燥し、幅方向に２．５〜５倍程度延伸する。さらに、フィルムを連続的に１５０〜２５０℃の加熱ゾーンに入れ、結晶配向を完了させることによって中間層を積層した二軸延伸ポリエステルフィルムを製膜する。

次に、銀微粒子が分散した自己組織化する溶液を中間層上に塗布し、銀微粒子層を網目状に積層する。その後、フィルムごとアセトンに入れ、数秒〜１分程度放置することによって、銀微粒子層を有機溶媒で処理する。次いで、フィルムに付着した有機溶媒を乾燥し、その後、フィルムごと０．１Ｎの塩酸に入れ、数秒〜６０分程度放置することによって、銀微粒子層を酸で処理する。次いで、フィルムを取り出し、水洗した後、硫酸銅溶液に入れて電解銅めっきを行い、金属微粒子層上に２μｍの電解銅めっき層を積層する。その後、水洗および乾燥を行う。

本発明の導電性基板は、高いレベルでの透明性および導電性を、広い面積にわたって均一に達成し、さらにモアレ現象が発生しにくいものであり、プラズマディスプレイパネルや液晶テレビなどのフラットパネルディスプレイに用いられる電磁波シールド基板として好適に用いることが可能である他、回路材料用途や、太陽電池用途など、各種の導電性基板用途にも好適に用いることができる。

[特性の測定方法および効果の評価方法]
各実施例および比較例で作成した導電性基板の特性の測定方法および効果の評価方法は次のとおりである。

（１）金属微粒子の数平均粒子径
金属微粒子を分散させた溶液を銅メッシュ上に塗布したものを、透過型電子顕微鏡（Ｈ−７１００ＦＡ型 （株）日立製作所製）にて倍率４００００倍で観察した。１００個の金属微粒子の粒径を測定し、数平均粒子径はその１００個の粒径の平均値とし、１００個の金属微粒子の中で最大となる粒子径を最大粒子径とした。

（２）コンパクトネス
（株）キーエンス製デジタルマイクロスコープＶＨＸ−２００を用いてサンプル表面を２００倍で観察し、写真データを保存した。次に保存した写真データを選択して画面上に表示させ、装置内蔵の計測ツールで輝度抽出を行い、線部が黒、開口部が白に二値化した。その際、輝度レンジ１９５〜２５５とした。次に、「小粒除去」処理により、黒部（線部）に存在する面積４００ピクセル以下の白点（ノイズ）を除去し、「穴埋め」処理により、白部（開口部）に存在する面積４００ピクセル以下の黒点（ノイズ）を除去した。その後、「削除」処理により、画面の枠で切れて全体が表示されていない開口部を黒部に変換した。続いて、「一括計算」処理により、面積と周囲長を求めた後、下記式（１）を計算し、小数点第２位を四捨五入することで画面上に存在する全ての開口部のコンパクトネスを求めた。

（開口部の周囲長）^２／（４×π×（開口部の面積）） （１）
本発明においては１つのサンプルにつき、１００個以上の開口部に対しコンパクトネスを求め、Ｎ＋Ｎ_−０．１＋Ｎ_＋０．１を求めた。
（３）表面比抵抗
めっき金属層積層前、および、めっき金属層積層後の基板の表面比抵抗の測定を行った。これらサンプルを常態（２３℃、相対湿度６５％）において２４時間放置後、その雰囲気下で、ＪＩＳ−Ｋ−７１９４−１９９４に基づいて、ロレスタ−ＥＰ（三菱化学（株）製、型番：ＭＣＰ−Ｔ３６０）を用いて測定した。

ただし、本願では測定するサンプルは１つとし、１つのサンプルにつき５点測定を行い、その５点の平均を表面比抵抗とした。また、金属微粒子層が基板の両面に積層してある場合は、一方の面の５点測定の平均と、他方の面の５点測定の平均をそれぞれ求め、片面ごとの表面比抵抗を求めた。なお、本測定機における測定上限は１．９９９×１０^６Ω／□であり、サンプルの表面比抵抗が上限を越えた場合には測定不可とした。表面比抵抗が５Ω／□以下のものは導電性良好である。

（４）表面比抵抗の標準偏差
まず、６３０ｃｍ^２（Ａ４サイズ同等の面積）以上の面積を有するサンプルを作成し、サンプルを２５区画に等分した後、それぞれの区画内の中心付近の１点で、上記（３）表面比抵抗と同様の方法にて３回測定し、その平均値を求めた。次に、２５区画で求めたそれぞれの平均値を用いて標準偏差を計算し、表面比抵抗の標準偏差とした。標準偏差が１より小さいものを、導電性の面内均一性良好として、合格とした。

（５）全光線透過率
全光線透過率は、常態（２３℃、相対湿度６５％）において、サンプルを２時間放置した後、スガ試験機（株）製全自動直読ヘイズコンピューター「ＨＧＭ−２ＤＰ」を用いて測定した。３回測定した平均値をサンプルの全光線透過率とした。なお、基板の片面のみに金属微粒子層を積層している場合、金属微粒子層を積層した面側より光が入るようにサンプルを設置した。全光線透過率が５０％以上のものは透明性良好である。

（６）全光線透過率の標準偏差
まず、６３０ｃｍ^２（Ａ４サイズ同等の面積）以上の面積を有するサンプルを作成し、サンプルを２５区画に等分した後、それぞれの区画内の中心付近の１点で、上記（５）全光線透過率と同様の方法にて全光線透過率を３回測定し、その平均値を求めた。次に、２５区画で求めたそれぞれの平均値を用いて標準偏差を計算し、全光線透過率の標準偏差とした。標準偏差が１より小さいものを、透明性の面内均一性良好として、合格とした。

（７）網目形状の観察
導電性基板の表面を電子顕微鏡（ＬＥＩＣＡ ＤＭＬＭ ライカマイクロシステムズ（株）製）にて倍率１００倍で観察し、網目の形状を確認した。

（８）積層構造の観察
導電性基板の断面を切り出してから、その断面を透過型電子顕微鏡（日立製作所（株）製Ｈ−７１００ＦＡ）にて倍率１００００倍で観察し、断面構造を確認した。

（９）めっき金属層の厚み
基板の断面を切り出してから、その断面を透過型電子顕微鏡（日立製作所（株）製Ｈ−７１００ＦＡ）にて倍率１００００倍で観察した。観察された網目の断面の中から１つの断面を選択し、金属微粒子層とめっき金属層とを合わせた厚みが最大となる部分の厚みをＴ_ｔとし、金属微粒子層の厚みが最大となる部分の厚みをＴ_ｍとして測定する。そして、（Ｔ_ｔ−Ｔ_ｍ）をこの断面でのめっき金属層の厚みとする。これを１０個の断面で行い、１０個の平均値をめっき金属層の厚みとした。なお、この測定における厚みとは、基板と垂直な方向を厚み方向とし、基板を原点とした厚み方向への距離を厚みと定義するものである。また、ランダム網目層が基板の両面に積層してある場合は、一方の面の平均と、他方の面の平均をそれぞれ求め、片面ごとの厚みを求めた。

（１０）めっき金属層積層前の基板の接着性
めっき金属層積層前の段階で金属微粒子層が容易に剥離した場合には、網目が断絶され、表面比抵抗が低下する。そこで、以下の処理前後における表面比抵抗変化を（３）表面比抵抗と同様にして測定することで、めっき金属層積層前の接着性評価を行った。

処理は、基板に綿棒（ジョンソン・エンド・ジョンソン（株）製 ジョンソン綿棒）の綿部分を、基板と綿棒が垂直になるようにして２００ｇの荷重で押し当て、そのまま一定荷重下で１０往復（速度１０ｃｍ／ｓ）摩擦することで行った。上記処理後の表面比抵抗値が、処理前の表面比抵抗値の５倍以下であれば「Ａ」、５倍より大きければ「Ｂ」と判定し、「Ａ」を接着性良好とした。

（１１）めっき金属層積層後の導電性基板の接着性
めっき金属層を積層した基板を１００ｍｍ×１００ｍｍに切り出した。切り出した基板をニチバン（株）製セロハンテープを使って、長さ４００ｍｍ、幅３００ｍｍ、厚み５ｍｍのガラス板上の中央付近に基板が浮かないようにして４辺全体を貼り付けた。続いて、上述のセロハンテープを幅１８ｍｍ、長さ２５０ｍｍに切り取り、セロハンテープの長さ方向の片端２５ｍｍをめっき加工した導電性基板の上に貼り付けた。貼り付けた面をゴムローラーによって荷重２０Ｎで３往復押し付けた後、セロハンテープの貼り付けていない部分の端部を持って、基板の垂直方向に１秒以内で一気に引き上げ、基板からセロハンテープを剥がした。上記の様にしてセロハンテープを剥がした後、セロハンテープを貼り付けてあった、幅１８ｍｍ、長さ２５ｍｍの部分を観察した。めっきしたＣｕ層がセロハンテープを剥がす前の７０％以上の面積で残存していた場合には「Ａ」、７０％より少ない場合には「Ｂ」として判定し、「Ａ」を良好とした。

（１２）耐モアレ現象
サンプルの耐モアレ現象の確認は、プラズマディスプレイとして、松下電器産業（株）製 ハイビジョンプラズマディスプレイ ＴＨ−４２ＰＸ５０を用いて行った。画像が映し出されている画面の前で、画面とサンプルが概ね平行になるようにしてサンプルを持ち、画面とサンプル面が概ね平行である状態を保ちながらサンプルを３６０°回転させ、回転中にモアレ現象が発現するか否かを目視で観察することで評価した。モアレが観察されないものを「Ａ」、モアレが観察されるものを「Ｂ」とした。なお、基板の片面のみに金属微粒子層を積層している場合、金属微粒子層を積層していない面側がディスプレイ画面に対向するようにサンプルを持った。

（１３）電磁波シールド性
導電性基板を２０ｃｍ×２０ｃｍにカットし、（社）関西電子工業振興センターのＫＥＣ法にて、電磁波シールド性を測定した。測定は０．１〜１０００ＭＨｚまでの周波数範囲で行った。電界シールド性に関しては３００ＭＨｚでの電界シールド性を評価し、磁界シールド性に関しては低周波領域での磁界シールド性を評価するため、１０ＭＨｚでの磁界シールド性を評価した。ＫＥＣ法の評価にて、３００ＭＨｚで４０ｄＢ以上の電解シールド効果、および１０ＭＨｚで５ｄＢ以上の磁界シールド効果が発現したものを合格とした。なお、電解シールド性、磁界シールド性の測定共に、１つのサンプルについて３回測定を行い、その平均を求めた。

（１４）可視光領域の最大反射率
導電性基板の可視光領域の最大反射率は、日立製作所（株）製Ｕ−３４１０形 自記分光光度計を用い、導電性基板の網目層側を測定することで求めた。可視光領域である３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲で測定し、その測定範囲で最も大きかった反射率を可視光領域での最大反射率とした。１つのサンプルにつき３回測定を行い、その平均を求めた。なお、測定用の試験片は、裏面反射をなくすために、測定面の裏面を黒色マジックインキ（登録商標）にて着色した。また、両面に網目層が積層されている場合にも測定は片面ずつ行うため、別々の試験片を用意して、それぞれ片面ずつ測定を行った。

（１５）表面のぬれ張力測定
サンプルの表面ぬれ張力の測定は、サンプルを常態（２３℃、相対湿度５０％）において、６時間放置後、その雰囲気下で、ＪＩＳ−Ｋ−６７６８（１９９９）に準拠した形で行った。

まず、サンプルの測定面を上にしてハンドコーターの基盤の上に置き、表面ぬれ張力試験用混合液を数滴滴下して、直ちにＷＥＴ厚み１２μｍで塗布できるワイヤーバーを引いて、液を広げる。表面ぬれ張力の判断は、試験用混合液の液膜を明るいところで観察し、２秒後の液膜の状態で行う。液膜が破れを生じないで、２秒以上、塗布されたときの状態を保っていれば、ぬれていると判断する。ぬれが２秒以上保つ場合は、さらに、表面ぬれ張力の高い混合液を用いて、同様の試験を行う。また逆に、２秒未満で液膜が破れる場合は、表面ぬれ張力の低い混合液を用いて、同様の試験を行う。この操作を繰り返し、サンプルの表面を２秒以上ぬらすことができる混合液の中から、最大の表面ぬれ張力を持つものを選び、その表面ぬれ張力をサンプルの表面ぬれ張力とする。この測定法による表面ぬれ張力の最大は、７３ｍＮ／ｍである。

（１６）基板上の湿度
湿度は、基板上に金属微粒子層を積層する製造工程において、積層する基板の１ｃｍ上をＣＬＩＭＯＭＡＳＴＥＲ（ＭＯＤＥＬ ６５３１ 日本カノマックス（株）製）にて測定した。湿度は、該基板の金属微粒子層を形成する面の中心から１ｃｍ上で１５秒以上測定し、安定したときの値とした。

（１７）基板上の温度
温度は、基板上に金属微粒子層を積層する製造工程において、積層する基板の１ｃｍ上をＣＬＩＭＯＭＡＳＴＥＲ（ＭＯＤＥＬ ６５３１ 日本カノマックス（株）製）にて測定した。温度は、該基板の金属微粒子層を積層する面の中心から１ｃｍ上で３０秒以上測定し、安定したときの値とした。

次に、実施例に基づいて本発明を説明する。
（金属微粒子層形成溶液１）
金属微粒子層形成溶液１として、銀微粒子層形成溶液である藤倉化成株式会社製ＸＡ−９０５３を用いた。銀微粒子の数平均粒子径は０．０４μｍ、最大粒子径は０．２μｍであった。

（金属微粒子層形成溶液２）
金属微粒子層形成溶液２として、トルエンに分散する銀微粒子から作成した銀微粒子層形成自己組織化溶液であるＣｉｍａ ＮａｎｏＴｅｃｈ社製ＣＥ１０３−７を用いた。銀微粒子の数平均粒子径は０．０８μｍ、最大粒子径は０．２μｍであった。

（電解Ｃｕめっき液１）
７Ｌの水に硫酸銅溶液ＳＧ（メルテックス（株）製）を６Ｌ入れて撹拌した。次に、９７％硫酸（石津製薬（株）製 硫酸９７％ 試薬特級）を２．１Ｌ添加した後、１Ｎの塩酸（ナカライテスク（株）製 Ｎ／１−塩酸）を２８ｍＬ添加した。さらに、この溶液に硫酸銅めっき光沢剤としてロール・アンド・ハース電子材料（株）製カパーグリームＣＬＸ−ＡおよびＣＬＸ−Ｃを各１００ｍＬずつこの順で添加し、最後に水を加えて溶液全体を２０Ｌにした。

（中間層形成溶液１）
ハイソリッド型アミノ樹脂であるサイテック社製“サイメル（登録商標）”３２５（イミノ基型メチル化メラミン）を、メラミン化合物１とした。架橋剤としてメラミン化合物１を固形分濃度で３重量％になるよう、イソプロピルアルコールと水との混合溶媒（１０／９０（重量比））を用いて希釈した。その後、下記のポリエステル樹脂溶液１と、前記のイソプロピルアルコールと水の混合溶媒で希釈したメラミン化合物１を、固形分重量比でポリエステル樹脂／メラミン化合物＝８０／２０となるように混合し、中間層形成溶液１とした。
・ポリエステル樹脂溶液１：下記酸成分とジオール成分からなるポリエステル樹脂の水溶液（固形分濃度３重量％）
・酸成分
テレフタル酸 ８８モル％
５−ナトリウムスルホイソフタル酸 １２モル％
・ジオール成分
エチレングリコール ９５モル％
ジエチレングリコール ５モル％
（中間層形成溶液２）
架橋剤として上記のメラミン化合物１を固形分濃度で３重量％になるよう、イソプロピルアルコールと水との混合溶媒（１０／９０（重量比））を用いて希釈した。その後、下記のアクリル樹脂エマルション１と、前記イソプロピルアルコールと水の混合溶媒で希釈したメラミン化合物１を、固形分重量比でアクリル樹脂／メラミン化合物＝８５／１５となるように混合し、中間層形成溶液２とした。
・アクリル樹脂エマルション１：下記のアクリル樹脂からなる水性エマルジョン（固形分濃度３重量％）
メチルメタクリレート ６５モル％
ブチルアクリレート ３２モル％
アクリル酸 １モル％
Ｎ−メチロールアクリルアミド ２モル％。

（樹脂層形成溶液１）
アニオン型のイオン性基を有する水性ウレタン樹脂分散液である大日本インキ化学工業（株）製ＨＹＤＲＡＮ（登録商標） ＡＰ−２０１を樹脂層形成溶液１とした。
（樹脂層形成溶液２）
アニオン型のイオン性基を有する水性ウレタン樹脂分散液である三井武田ケミカル（株）製タケラック（登録商標）Ｗ−６０１０を樹脂層形成溶液２とした。
（樹脂層形成溶液３）
アニオン型のイオン性基を有する水性ウレタン樹脂分散液である三井武田ケミカル（株）製タケラック（登録商標）ＸＷ−７５−Ｘ３５を樹脂層形成溶液３とした。
（樹脂層形成溶液４）
下記の酸性分とジオール成分からなるポリエステル樹脂の水溶液（固形分濃度１５ｗｔ％）を樹脂層形成溶液４とした。
・ポリエステル樹脂：
・酸成分
テレフタル酸 ８８モル％
５−ナトリウムスルホイソフタル酸 １２モル％
・ジオール成分
エチレングリコール ９５モル％
ジエチレングリコール ５モル％
（樹脂層形成溶液５）
ポリスチレンの１，２，４−トリメチルベンゼン溶液（固形分濃度３ｗｔ％）を樹脂層形成溶液５とした。

（実施例１）
ポリエチレンテレフタレート樹脂ペレットを十分に真空乾燥した後、押出機に供給し、２８５℃で溶融し、Ｔ字型口金よりシート状に押し出し、静電印加キャスト法を用いて表面温度２５℃の鏡面キャスティングドラムに巻き付けて冷却固化し、未延伸フィルムを得た。この未延伸フィルムを９０℃に加熱して長手方向に３．３倍延伸し、一軸延伸フィルムとした。

次にフィルムの片面に、中間層形成溶液１を塗布した。ついで、フィルムをクリップで把持しながら予熱ゾーンに導き、９０℃で乾燥後、引き続き１０５℃の加熱ゾーンで幅方向に３．５倍延伸し、さらに、２２０℃の加熱ゾーンで熱処理を施し、結晶配向を完了させ、中間層を積層した二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムを得た。このフィルム表面のぬれ張力は４６ｍＮ／ｍであった。

この二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムの片面に金属微粒子層形成溶液１を、スクリーン印刷により、図２に示した網目状に印刷した。次いで、１５０℃で１分間乾燥して、銀微粒子層を網目状に積層した基板を得た。網目の線厚み２μｍ、線幅５０μｍであった。次に、アセトンによる処理として、フィルムごと２５℃のアセトン（ナカライテスク（株）製、特級）に３０秒浸け、フィルムを取り出し、２５℃で３分間乾燥させた。続いて、酸による処理として、フィルムごと２５℃の１Ｎの塩酸（ナカライテスク（株）製 Ｎ／１−塩酸）に１分間浸け、フィルムを取り出し、水洗した。その後、１５０℃で１分間乾燥し、導電性基板を得た。表面比抵抗は５Ω／□であった。中間層の厚みは０．０９μｍであった。

（実施例２）
実施例１と同様の方法により作成した中間層を積層した二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムを準備した。そして該フィルムの中間層積層面に、表面のぬれ張力が７３ｍＮ／ｍになるように親水化処理を行った。フィルムの親水化処理層上に金属微粒子層形成溶液２を塗布した。次いで、基板上の温度が２５℃、湿度が５５％ＲＨの環境下で１０分間経過させ、網目状に銀微粒子層を積層し、その後、１５０℃で２分間処理した。

次に、アセトンによる処理として、フィルムごと、２５℃のアセトン（ナカライテスク（株）製 特級）に３０秒間浸け、フィルムを取り出し、２５℃で３分間乾燥させた。続いて、酸による処理として、フィルムごと２５℃の１Ｎ（１ｍｏｌ／Ｌ）の塩酸（ナカライテスク（株）製 Ｎ／１−塩酸）に１分間浸け、フィルムを取り出し、水洗した。その後、１５０℃で２分間乾燥し、導電性基板を得た。表面比抵抗は４Ω／□であった。

（実施例３〜８）
実施例２と同様の手法により、さらに６つの異なるサンプルを作成し、実施例３〜８とした。

（実施例９）
実施例２で作成したサンプル（導電性基板）の銀微粒子層上に金属層を積層するために、電解Ｃｕめっき液１を使用し、フィルム１００ｃｍ^２あたり０．３Ａの電流を流し、１４分間電解Ｃｕめっきを行った。その後フィルムを取り出し、水洗した後、１２０℃で１分間乾燥し、めっき金属層を積層した導電性基板を得た。

このめっき金属層を積層した導電性基板の表面比抵抗は０．０８Ω／□、表面比抵抗の標準偏差は０．０１１、全光線透過率は７４％、全光線透過率の標準偏差は０．８５であり、導電性および透明性に優れ、導電性および透明性の面内均一性にも優れた基板であった。また、モアレ現象評価の結果、モアレ現象が発生しなかった。

（比較例１）
中間層形成溶液１を塗布せずに、その他の点では実施例１と同様の方法によって、二軸延伸ポリエチレンテレフタレートを得た（中間層を有さない二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムを得た）。

二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムに、厚み１２μｍ銅箔（古河サーキットフォイル（株）製）をドライラミネート用２液タイプ接着剤（東洋モートン（株）製 主剤ＡＤ−７６Ｐ１／硬化剤ＣＡＴ−１０Ｌ）を用いてラミネートした。

次に、銅箔面にフォトレジストを積層し、露光した後、線幅１０μｍ、線ピッチ３００μｍの格子状にレジストを現像した。（レジストの現像は、１０μｍの線部を残し、その他の部分を除去するように行った。）
次いで、３５〜４０℃に温度調整した塩化第二鉄溶液でシャワー法より１．５分間エッチングし、レジストの残っていない部分の銅箔を除去、水洗い、乾燥した。最後に、銅箔上に残存しているフォトレジストを除去し、銅箔を積層した基板を得た。

このサンプルはＮ＋Ｎ_−０．１＋Ｎ_＋０．１の値が、開口部の総個数の９０％よりも大きく、耐モアレ現象評価の結果、モアレが発生した。

（比較例２）
中間層形成溶液２を用いる以外は実施例１と同様の方法により、中間層を有する二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムを作成した。このフィルム表面のぬれ張力は３７ｍＮ／ｍであった。次に、このフィルムを用いて実施例２と同様にして銀微粒子層を積層した基板を作成した。

このサンプルはＮ＋Ｎ_−０．１＋Ｎ_＋０．１の値が、開口部の総個数の３８％よりも小さく、導電性、透明性に劣り、表面比抵抗および全光線透過率の標準偏差も大きく、透明性および導電性の面内均一性にも劣るものであった。

（比較例３）
金属微粒子層形成溶液２を塗布した後、基板上の温度を１２℃、湿度を８８％ＲＨの環境下で１０分間経過させ、網目状に銀微粒子層を積層した以外は、実施例２と同様にして銀微粒子を積層した導電性基板を作成した。

このサンプルはＮ＋Ｎ_−０．１＋Ｎ_＋０．１の値が、開口部の総個数の３８％よりも小さく、導電性に劣り、全光線透過率の標準偏差も大きく、透明性の面内均一性にも劣るものであった。

（比較例４）
二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムとして、東レ（株）製 ルミラー（登録商標）Ｔ６０を基板に用いた点、および中間層を積層しなかった点を除いては、実施例２と同様にして、銀微粒子層を積層した導電性基板を作成した。

このサンプルはＮ＋Ｎ_−０．１＋Ｎ_＋０．１の値が、開口部の総個数の３８％よりも小さく、透明性に劣り、表面比抵抗の標準偏差も大きく、導電性の面内均一性にも劣るものであった。

（実施例１０）
二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製 ルミラー（登録商標）Ｕ９４）の片面に金属微粒子層形成溶液１を、スクリーン印刷により、図２に示したランダムな網目状に印刷した。次いで、１５０℃で１分間乾燥して、銀微粒子層をランダムな網目状に積層した積層基板を得た。網目の線厚み２μｍ、線幅３５μｍであった。

次に、アセトンによる処理として、フィルムごと２５℃のアセトン（ナカライテスク（株）製、特級）に３０秒浸け、フィルムを取り出し、２５℃で３分間乾燥させた。

次に、樹脂層形成溶液１を水で固形分濃度３重量％まで希釈したものを、ポリエチレンテレフタレートフィルムの金属微粒子層が形成された面に塗液厚みが７μｍ（ポリエチレンテレフタレートを基準とした厚み）となるように塗布した。次いで、１５０℃で２分間乾燥させて樹脂層を形成させた。

続いて、酸による処理として、フィルムごと２５℃の１Ｎの塩酸（ナカライテスク（株）製 Ｎ／１−塩酸）に１分間浸け、フィルムを取り出し、水洗した。その後、１５０℃で１分間乾燥した。この段階において、めっき金属層積層前のフィルムの表面比抵抗は５Ω／□であった。

このフィルムの銀微粒子層上にめっき金属層を積層するために、電解Ｃｕめっき液１を使用し、フィルム１００ｃｍ^２あたり０．３Ａの電流を流し、１４分間電解Ｃｕめっきを行った。その後フィルムを取り出し、水洗した後、１２０℃で１分間乾燥し、めっき金属層を積層した導電性基板を得た。

このめっき金属層を積層した導電性基板の積層構造を観察したところ、金属微粒子層の開口部に樹脂層が積層され、樹脂層の一部と金属微粒子層とを覆うようにめっき金属層が積層されていた。また、樹脂層は、基板、金属微粒子層およびめっき金属層に接していた。

（実施例１１）
片面に親水化処理を行った二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製 ルミラー（登録商標）Ｕ４６）の親水化処理層上に金属微粒子層形成溶液２を塗布した。次いで、２５℃で１０分間経過させ、ランダムな網目状に銀微粒子層を積層し、その後、１５０℃で２分間乾燥した。

次に、アセトンによる処理として、フィルムごと、２５℃のアセトン（ナカライテスク（株）製 特級）に３０秒間浸け、フィルムを取り出し、２５℃で３分間乾燥させた。

次に、樹脂層形成溶液１を水で固形分濃度３重量％まで希釈したものを、ポリエチレンテレフタレートフィルムの金属微粒子層が形成された面に塗液厚みが７μｍ（ポリエチレンテレフタレートを基準とした厚み）となるように塗布した。次いで、１５０℃で２分間乾燥させて樹脂層を形成させた。

続いて、酸による処理として、フィルムごと２５℃の１Ｎ（１ｍｏｌ／Ｌ）の塩酸（ナカライテスク（株）製 Ｎ／１−塩酸）に１分間浸け、フィルムを取り出し、水洗した。その後、１５０℃で２分間乾燥した。この段階において、めっき金属層積層前のフィルムの表面比抵抗は４Ω／□であった。

このフィルムの銀微粒子層上にめっき金属層を積層するために、電解Ｃｕめっき液１を使用し、フィルム１００ｃｍ^２あたり０．３Ａの電流を流し、１４分間電解Ｃｕめっきを行った。その後フィルムを取り出し、水洗した後、１２０℃で１分間乾燥し、めっき金属層を積層した導電性基板を得た。

このめっき金属層を積層した導電性基板の積層構造を観察したところ、金属微粒子層の開口部に樹脂層が積層され、樹脂層の一部と金属微粒子層とを覆うようにめっき金属層が積層されていた。また、樹脂層が、基板、金属微粒子層およびめっき金属層に接していた。

（実施例１２）
樹脂層形成溶液として、樹脂層形成溶液２を水で固形分濃度３重量％まで希釈したものを用いた以外は実施例１１と同様にして金属層積層基板を作成した。

（実施例１３）
樹脂層形成溶液として、樹脂層形成溶液３を水で固形分濃度３重量％まで希釈したものを用いた以外は実施例１１と同様にして金属層積層基板を作成した。

（実施例１４）
樹脂層形成溶液として、樹脂層形成溶液４を水で固形分濃度３重量％まで希釈したものを用いた以外は実施例１１と同様にして金属層積層基板を作成した。

（実施例１５）
電解Ｃｕめっき時間を７分間とした以外は実施例１１と同様にして金属層積層基板を作成した。

（実施例１６）
樹脂層形成溶液として、樹脂層形成溶液１を水で固形分濃度２重量％まで希釈したものを用いた以外は実施例１１と同様にして金属層積層基板を作成した。

（実施例１７）
樹脂層形成溶液として、樹脂層形成溶液１を水で固形分濃度５重量％まで希釈したものを用いた以外は実施例１１と同様にして金属層積層基板を作成した。

（実施例１８）
実施例１１で作成した基板（金属層積層基板）に、さらにめっき金属層を防眩処理するために、メルテックス（株）製エンプレート電解Ｎｉめっき液Ｚ−８０を使用して、フィルム１００ｃｍ^２あたり０．１Ａの電流を流し、２８℃で５分間電解黒化Ｎｉめっきを行い、暗色の防眩層を積層した。

（比較例５）
樹脂層形成溶液として、樹脂層形成溶液５を用いた以外は実施例２と同様にしてサンプルを作成した。

本サンプルを酸で処理した後、めっき金属層を積層する前のフィルムの表面比抵抗は２０Ω／□であり、実施例２と比較して大きかった。水と難溶な有機溶媒に分散する金属微粒子からなる金属微粒子層の上から、有機溶媒を含む樹脂層形成溶液を塗布したため、樹脂層形成溶液が金属微粒子層上と反発する効果が小さかったと考えられるそのため樹脂層が金属微粒子層表面に、やや被り、酸による処理が効きにくかったと考えられる。

本サンプルにめっき金属層を積層することは可能であったが、めっき金属層積層後の接着性を評価した結果、めっき金属層は容易に剥離してしまった。

（比較例６）
樹脂層を積層しない以外は実施例１１と同様にしてサンプルを作成した。

（比較例７）
金属微粒子層形成溶液１をスクリーン印刷により、線厚み２μｍ、線幅３５μｍ、ピッチ３００μｍの格子状に印刷した以外は実施例１０と同様にしてサンプルを作成した。この基板はモアレが発生した。

（比較例８）
めっき金属層を積層しない以外は実施例１１と同様にしてサンプルを作成した。本サンプルは導電性に劣り、磁界シールド性が不足していた。

（比較例９）
樹脂層形成溶液として、樹脂層形成溶液１を水で固形分濃度２０重量％まで希釈したものを用い、塗液厚みが５０μｍ（ポリエチレンテレフタレートを基準とした厚み）となるように塗布した以外は実施例１１と同様にしてサンプルを作成した。樹脂層積層時に樹脂層が金属微粒子層を被覆してしまい、めっき金属層を積層することができなかった。

実施例１〜８、１０〜１８、比較例１〜８の特性評価結果を表１〜４に示す。

本発明は、透明性、導電性を広い面積にわたって均一に達成し、さらにモアレ現象が発生しにくい導電性基板、プラズマディスプレイ用電磁波シールド基板、およびそれらの製造方法に関するものである。また本発明の好適な態様によれば、高いレベルでの導電性や透明性も得ることができる。本発明の導電性基板は、プラズマディスプレイパネルの電磁波シールド部材として好適に用いることができる他、優れた透明性および導電性を有することから、各種回路基板や太陽電池用途として好適に用いることができる。

Claims (14)

1. 基板上に網目状に金属微粒子層が積層された導電性基板において、
   網目状の各開口部に対し、下記式（１）を計算し、小数点第２位を四捨五入した値で定義されるコンパクトネスを求め、
   （開口部の周囲長）^２／（４×π×（開口部の面積）） （１）
   開口部の個数が最大となるコンパクトネスを、個数最大コンパクトネスとしたとき、
   前記個数最大コンパクトネスを有する開口部の個数（Ｎ）と、前記個数最大コンパクトネスよりも０．１小さいコンパクトネスを有する開口部の個数（Ｎ_−０．１）と、前記個数最大コンパクトネスよりも０．１大きいコンパクトネスを有する開口部の個数（Ｎ_＋０．１）の和（Ｎ＋Ｎ_−０．１＋Ｎ_＋０．１）が、開口部の総個数の３８〜９０％であることを特徴とする導電性基板。
2. 金属微粒子層上に、めっき金属層が積層された請求項１に記載の導電性基板。
3. 基板と前記金属微粒子層の間に、ポリエステル樹脂および架橋剤を含有する中間層が積層されている請求項１又は２に記載の導電性基板。
4. 基板および／または中間層のぬれ張力が、４０ｍＮ／ｍ以上である請求項３に記載の導電性基板。
5. 前記金属微粒子層が、金属微粒子が網目形状に自己組織化する溶液を基板に塗布することで積層した層である請求項１〜４のいずれかに記載の導電性基板。
6. 前記個数最大コンパクトネスが１．１〜１．７の範囲内にある請求項１〜５に記載の導電性基板。
7. 前記金属微粒子層を形成する金属微粒子が水と難溶な有機溶媒に分散するものである請求項１〜６のいずれかに記載の導電性基板。
8. 金属微粒子層上に、めっき金属層が積層された導電性基板であり、
   該めっき金属層の厚みが１．５μｍ以上である請求項１〜７のいずれかに記載の導電性基板。
9. 請求項１〜８のいずれかに記載の基板を用いたプラズマディスプレイ用電磁波シールド基板。
10. 基板の少なくとも片面に、ポリエステル樹脂および架橋剤を含有する中間層を積層し、続いて、基板に対して前記中間層を積層した側に、金属微粒子層を網目状に積層する請求項１〜９のいずれかに記載の導電性基板の製造方法。
11. 基板に対して前記中間層を積層した側であり、かつ中間層表面のぬれ張力を４０ｍＮ／ｍ以上とした面に、前記金属微粒子層を積層する請求項１０に記載の導電性基板の製造方法。
12. 金属微粒子が網目形状に自己組織化する溶液を基板に塗布することで、金属微粒子層を網目状に積層する請求項１０又は１１に記載の導電性基板の製造方法。
13. 前記金属微粒子層を網目状に積層した後、前記金属微粒子層を酸処理する請求項１０〜１２のいずれかに記載の導電性基板の製造方法。
14. 前記金属微粒子層を有機溶媒で処理した後、前記酸処理する請求項１３に記載の導電性基板の製造方法。