TWI440889B - 干涉式調變器陣列用之傳導匯流排結構 - Google Patents

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Description

干涉式調變器陣列用之傳導匯流排結構
本發明之技術領域係關於微機電系統(MEMS)，且更具體而言，係關於用於MEMS元件陣列之電連接架構。
微機電系統(MEMS)包括微機械元件、激勵器及電子元件。可採用沉積、蝕刻或其他蝕刻掉基板及/或所沉積材料層之某些部分或添加某些層以形成電和機電裝置的微機械加工製程製成微機械元件。一種類型之MEMS裝置被稱為干涉式調變器。干涉式調變器可包含一對導電板，其中之一或二者可部分地透明且在施加一適當之電信號時能夠相對運動。其中一個板可包含一沉積於一基板上之靜止層，另一個板可包含一懸掛於該靜止層上之金屬隔膜。
在某些顯示器組態中，使用由可獨立激勵之干涉式光調變器構成之陣列作為顯示元件。該等光調變器經電連接以提供用於單獨激勵各個光調變器之控制電壓或信號。
本發明之系統、方法及裝置均具有多個態樣，任一單個態樣均不能單獨決定其所期望之特性。現在，簡要說明較主要之特性，但此並不限定本發明之範圍。在考量此討論內容後，尤其係在閱讀標題為「實施方式」之部分後，人們即可理解本發明之特性如何提供優於其他顯示裝置之優點。
在某些實施例中，一種光調變器包含一基板、一位於該基板上之第一電極層、及一位於該基板上之第二電極層。該光調變器進一步包含一基本上平行於該第一電極層且耦接至該第二電極層之反射性表面。該反射性表面可沿一基本上垂直於該反射性表面之方向在一第一位置與一第二位置之間移動。該第一位置距該第一電極層一第一距離，且該第二位置距該第一電極層一第二距離。該光調變器進一步包含一傳導匯流排層，該傳導匯流排層之至少一部分電耦接至該第一電極層與該第二電極層中至少之一。該反射性表面因應一施加至該傳導匯流排層之電壓而在該第一位置與該第二位置之間移動。
在某些實施例中，一種方法控制一光調變器。該方法包括提供一基板及在該基板上提供一第一電極層。該方法進一步包括在該基板上提供一第二電極層，及提供一基本上平行於該第一電極層並耦接至該第二電極層之反射性表面。該反射性表面可沿一基本上垂直於該反射性表面之方向在一第一位置和一第二位置之間移動。該第一位置距該第一電極層一第一距離，且該第二位置距該第一電極層一第二距離。該方法進一步包括向一傳導匯流排層施加一電壓，其中該傳導匯流排層之至少一部分電耦接至該第一電極層與該第二電極層中至少之一。該方法進一步包括因應所施加之電壓而在該第一位置與該第二位置之間移動該反射性表面。
在某些實施例中，一種裝置包含用於支撐一干涉式調變器之構件。該裝置進一步包含用於經由該支撐構件傳導一第一電信號之構件。該裝置進一步包含用於經由該支撐構件傳導一第二電信號之構件。該裝置進一步包含用於反射光之構件，該用於反射光之構件基本上平行於該用於傳導該第一電信號之構件且耦接至該用於傳導該第二電信號之構件，該用於反射光之構件可沿一基本上垂直於該用於反射光之構件之方向移動，並可在一第一位置與一第二位置之間移動，該第一位置距該用於傳導該第一電信號之構件一第一距離，該第二位置距該用於傳導該第一電信號之構件一第二距離。該裝置進一步包含用於電耦接至該用於傳導該第一電信號之構件及該用於傳導該第二電信號之構件中至少之一之構件，其中該用於反射光之構件因應一施加至該用於電耦接之構件之電壓而在該第一位置與該第二位置之間移動。
一干涉式光調變器之一實例性實施例包含一基板、一位於該基板上之第一電極層、一位於該基板上之第二電極層、及一傳導匯流排層。該傳導匯流排層之至少一部分電耦接至該第一電極層與該第二電極層中至少之一。該反射性表面因應一施加至該傳導匯流排層之電壓而在第一位置與第二位置之間移動。該傳導匯流排層提供一電路經，該電路徑之電阻顯著低於僅經由第一電極層電連接干涉式調變器行或僅經由第二電極層電連接干涉式調變器列之組態。
以下詳細說明係針對本發明之某些具體實施例。然而，本發明可藉由多種不同之方式實施。在本說明中，會參照附圖，在所有附圖中，使用相同之編號標識相同之部件。根據以下說明容易看出，本發明可在任一組態用於顯示影像(無論是動態影像(例如視頻)還是靜態影像(例如靜止影像)，無論是文字影像還是圖片影像)之裝置中實施。更具體而言，本發明涵蓋：本發明可在例如(但不限於)以下等眾多電子裝置中實施或與該些電子裝置相關聯：行動電話、無線裝置、個人資料助理(PDA)、手持式電腦或可攜式電腦、GPS接收器/導航器、照相機、MP3播放器、攝錄機、遊戲機、手錶、時鐘、計算器、電視監視器、平板顯示器、電腦監視器、汽車顯示器(例如里程表顯示器等)、駕駛艙控制裝置及/或顯示器、照相機景物顯示器(例如車輛之後視照相機顯示器)、電子照片、電子告示牌或標牌、投影儀、建築結構、包裝及美學結構(例如一件珠寶上之影像顯示器)。與本文所述MEMS裝置具有類似結構之MEMS裝置亦可用于非顯示應用中，例如用於電子切換裝置中。
在圖1中顯示一種包含一干涉式MEMS顯示元件之干涉式調變器顯示器實施例。在該些裝置中，像素處於亮或暗狀態。在亮(「接通(on)」或「打開(open)」)狀態下，顯示元件將入射可見光之一大部分反射至使用者。在處於暗(「斷開(off)」或「關閉(closed)」)狀態下時，顯示元件幾乎不向使用者反射入射可見光。視不同之實施例而定，可顛倒「on」及「off」狀態之光反射性質。MEMS像素可組態為主要以所選色彩反射，以除黑色和白色之外還可實現彩色顯示。
圖1為一等軸圖，其顯示一視覺顯示器之一系列像素中之兩個相鄰像素，其中每一像素包含一MEMS干涉式調變器。在某些實施例中，一干涉式調變器顯示器包含一由該些干涉式調變器構成之列/行陣列。每一干涉式調變器包括一對反射層，該對反射層定位成彼此相距一可變且可控之距離，以形成一至少具有一個可變尺寸之光學諧振腔。在一實施例中，其中一個反射層可在兩個位置之間移動。在本文中稱為釋放狀態之第一位置上，該可移動層定位在一距離一固定局部反射層相對遠之位置處。在第二位置上，該可移動層定位在更毗鄰該局部反射層之位置處。根據可移動反射層之位置而定，自該兩個層反射之入射光會以相長或相消方式干涉，從而形成各像素之總體反射或非反射狀態。
圖1中所描繪之像素陣列部分包括兩個毗鄰之干涉式調變器12a和12b。在左側之干涉式調變器12a中，顯示一可移動之高度反射層14a處於一釋放位置，該釋放位置距一固定局部反射層16a一預定距離。在右側之干涉式調變器12b中，顯示一可移動之高度反射層14b處於一受激勵位置處，該受激勵位置毗鄰固定局部反射層16b。
固定層16a、16b具導電、局部透明且局部反射性，並可藉由例如在一透明基板20上沉積一個或多個各自為鉻及氧化銦錫之層而製成。該等層被圖案化成平行條帶，且可形成一顯示裝置中之列電極，如將在下文中所進一步說明。可移動層14a、14b可形成為由沉積在支柱18頂部之一或多個沉積金屬層(與列電極16a、16b正交)及一沉積在支柱18之間的中間犧牲材料構成之一系列平行條帶。在犧牲材料被蝕刻掉後，該些可變形之金屬層與固定金屬層藉由一規定之氣隙19隔開。該些可變形層可使用一具有高度導電性及反射性之材料(例如鋁)，且該些條帶可形成一顯示裝置中之行電極。
在未施加電壓時，腔19保持位於層14a、16a之間，且可變形層處於如圖1中像素12a所示之一機械鬆弛狀態。然而，在向一所選列和行施加電位差之後，在該列和行電極相交處之對應像素處形成之電容器被充電，且靜電力將該些電極拉向一起。若電壓足夠高，則可移動層發生變形，並被壓到固定層上(可在固定層上沉積一介電材料(在該圖中未示出)，以防止短路，並控制分離距離)，如圖1中右側之像素12b所示。無論所施加之電位差極性如何，該行為均相同。由此可見，可控制反射與非反射像素狀態之列/行激勵與習知LCD及其他顯示技術中所用之列/行激勵在許多方面相似。
圖2至圖5顯示一個在一顯示應用中使用一干涉式調變器陣列之實例性過程及系統。圖2為一系統方塊圖，該圖顯示一可接合本發明各個態樣之電子裝置之一實施例。在該實例性實施例中，該電子裝置包括一處理器21，該處理器可為任何通用單晶片或多晶片微處理器，例如ARM、Pentium、Pentium II、Pentium III、Pentium IV、PentiumPro、8051、MIPS、Power PC、ALPHA，或任何專用微處理器，例如數位信號處理器、微控制器或可程式化閘陣列。按照業內慣例，可將處理器21組態成執行一個或多個軟體模組。除執行一個作業系統外，尚可將該處理器組態成執行一個或多個軟體應用程式，包括網頁瀏覽器、電話應用程式、電子郵件程式或任何其他軟體應用程式。
在一實施例中，處理器21還被組態成與一陣列控制器22通信。在一實施例中，該陣列控制器22包括向一像素陣列30提供信號之一列驅動電路24及一行驅動電路26。圖1中所示之陣列剖面圖在圖2中以線1－1示出。對於MEMS干涉式調變器，該列/行激勵協定可利用圖3所示該些裝置之滯後性質。其可能需要例如一10伏之電位差來使一可移動層自釋放狀態變形至受激勵狀態。然而，當該電壓自該值降低時，在該電壓降低回到10伏以下時，該可移動層將保持其狀態。在圖3之實例性實施例中，在電壓降低至2伏以下之前，可移動層不會完全釋放。因此，在圖3所示之實例中，存在一大約為3－7伏之電壓範圍，在該電壓範圍內存在一施加電壓窗口，在該窗口內該裝置穩定在釋放或受激勵狀態。在本文中將其稱為「滯後窗口」或「穩定窗口」。對於一具有圖3所示滯後特性之顯示陣列而言，列/行激勵協定可設計成在列選通期間，向所選通列中將被激勵之像素施加一約10伏之電壓差，並向將被釋放之像素施加一接近0伏之電壓差。在選通之後，向像素施加一約5伏之穩態電壓差，以使其保持在列選通使其所處之任何狀態。在此實例中，在被寫入之後，每一像素均承受一3－7伏「穩定窗口」內之電位差。該特性使圖1所示之像素設計在相同之所施加電壓條件下穩定在一先前存在之激勵狀態或釋放狀態。由於干涉式調變器之每一像素，無論處於激勵狀態還是釋放狀態，實質上均係一由該固定反射層及移動反射層所構成之電容器，因此，該穩定狀態可在一滯後窗口內之電壓下得以保持而幾乎不消耗功率。若所施加之電位恒定，則基本上沒有電流流入像素。
在典型應用中，可藉由根據第一列中所期望之一組受激勵像素確定一組行電極而形成一顯示框。此後，將一列脈衝施加於第1列之電極，從而激勵與所確定之行線對應之像素。此後，將所確定之一組行電極變成與第二列中所期望之一組受激勵像素對應。此後，將一脈衝施加於第2列之電極，從而根據所確定之行電極來激勵第2列中之相應像素。第1列之像素不受第2列之脈衝之影響，因而保持其在第1列之脈衝期間所設定之狀態。可按一依序方式對整個系列之行重複上述步驟，以形成該框。通常，藉由以某一所期望框數/秒之速度連續重複該過程來用新顯示資料刷新及/或更新該些框。還有很多種用於驅動像素陣列之列及行電極以形成顯示框之協定為人們所熟知，且可與本發明一起使用。
圖4及圖5顯示一種用於在圖2所示之3x3陣列上形成一顯示框之可能之激勵協定。圖4顯示一組可用於具有圖3所示滯後曲線之像素之可能之列及行電壓位準。在圖4實施例中，激勵一像素包括將相應之行設定至－Vb i a s ，並將相應之列設定至＋△V，其可分別對應於－5伏及＋5伏。釋放像素則係藉由將相應之行設定至＋Vb i a s 並將相應之列設定至相同之＋△V以在該像素兩端形成一0伏之電位差來實現。在彼等其中列電壓保持0伏之列中，像素穩定於其最初所處之狀態，而與該行是處於＋Vb i a s 還是處於－Vb i a s 無關。
圖5B為一顯示施加於圖2所示3x3陣列之一系列列及行信號之時序圖，其將形成圖5A所示之顯示佈置，其中受激勵像素為非反射性。在寫入圖5A所示之框之前，像素可處於任何狀態，在該實例中，所有列均處於0伏，且所有行均處於＋5伏。在該些所施加電壓下，所有像素穩定于其現有之受激勵狀態或釋放狀態。
在圖5A之框中，像素(1，1)、(1，2)、(2，2)、(3，2)及(3，3)受到激勵。為實現此一效果，在第1列之一「線時間」期間，將第1行及第2行設定為－5伏，將第3行設定為＋5伏。此不會改變任何像素之狀態，因為所有像素均保持處於3－7伏之穩定窗口內。此後，藉由一自0伏上升至5伏然後又下降回到0伏之脈衝來選通第1列。由此激勵像素(1，1)和(1，2)並使像素(1，3)釋放。陣列中之其他像素均不受影響。為將第2列設定為所期望之狀態，將第2行設定為－5伏，將第1行及第3行設定為＋5伏。此後，施加至第2列之相同選通脈衝將激勵像素(2，2)並釋放像素(2，1)和(2，3)。同樣，陣列中之其他像素均不受影響。類似地，藉由將第2行和第3行設定為－5伏，並將第1行設定為＋5伏來設定第3列。第3列之選通脈衝將第3列像素設定為圖5A所示之狀態。在寫入框之後，列電位為0，而行電位可保持在＋5或－5伏，且此後顯示將穩定於圖5A所示之佈置。應瞭解，可對由數十或數百個列和行構成之陣列使用相同之程式。還應瞭解，用於實施列和行激勵之電壓之定時、順序及位准可在以上所述之一般原理內變化很大，且上述實例僅為實例性，任何激勵電壓方法均可與本發明一起使用。
按照上述原理運行之干涉式調變器之詳細結構可千變萬化。舉例而言，圖6A－6C顯示移動鏡面結構之三種不同實施例。圖6A為圖1所示實施例之剖面圖，其中在正交延伸之支撐件18上沉積一金屬材料條帶14。在圖6B中，可移動反射材料14僅在角落處附裝至繫鏈32上之支撐件。在圖6C中，可移動反射材料14係懸吊在一可變形層34上。由於反射材料14之結構設計及所用材料可在光學特性方面得到最佳化，且可變形層34之結構設計和所用材料可在所期望機械特性方面得到最佳化，因此該實施例具有優點。在許多公開文件中，包括例如第2004/0051929號美國公開申請案中，描述了各種不同類型干涉裝置之製造。可使用很多種人們所熟知之技術來製造上述結構，此包括一系列材料沉積、圖案化及蝕刻步驟。
對一干涉式調變器實施放電和充電之響應時間部分地相依於連接至該干涉式調變器之電壓電路之RC(電阻－電容)時間常數。干涉式調變器之該響應時間影響干涉式調變器陣列之顯示品質。若一既定干涉式調變器所接收到之輸入掃描脈衝之間之時間短於該干涉式調變器之響應時間，則移動層無法與輸入掃描脈衝同步。在此種條件下，干涉式調變器之狀態不響應於每一掃描脈衝，因此導致所顯示影像降格。因此，人們期望提供一種具有一縮短之響應時間之干涉式調變器，以達成更快之掃描和再新速率。
連接至一干涉式調變器之電壓電路包括該干涉式調變器之電極、以及觸點、導體、及提供電極與列/行驅動電子裝置之間之電連接線之其他導電元件。在某些實施例中，干涉式調變器之電極之材料和幾何形狀會影響電壓電路之RC時間常數。在某些陣列組態中，相鄰干涉式調變器之電極串聯耦接於一起以連接相鄰之干涉式調變器與驅動電子裝置，從而得到更高之RC時間常數。對於其他陣列組態，可使用電線或其他電連接器在列和行驅動器與干涉式調變器之電極之間實施電連接，該等導電線會影響干涉式調變器之RC時間常數。
圖7A、7B和7C以示意圖方式顯示本文所述實施例之一干涉式調變器顯示器之一實例性3×3部分。大於或小於圖7A所示3×3部分之顯示器部分亦與本文所述實施例相容。如圖7B之剖面視圖中所示，每一調變器包含一基板1106、一位於該基板1106上之第一電極層902、及一位於基板1106上之第二電極層1302。該調變器進一步包含一反射性表面901，其基本上與第一電極層902平行且耦接至第二電極層1302。反射性表面901可在一第一位置和一第二位置之間移動。反射性表面901之第一位置距第一電極層902一第一距離。反射性表面901之第二位置距第一電極層902一第二距離。
如圖7B中所示，在某些實施例中，每一調變器之第一電極層902皆固定，且定位成接近基板1106。陣列之第一電極層902成列佈置。該等列在圖7A中未示出，但其對應於圖7A中所示之三個調變器列。各列之第一電極層902彼此電連接，但與其他列之第一電極層902電絕緣。
在某些實施例中，每一調變器之第二電極層1302皆包含位於第一電極層902上方之移動層之至少一部分。在圖7A以示意圖方式顯示之實施例中，第二電極層1302包含整個移動層。在某些實施例中，陣列之第二電極層1302經圖案化以將各行調變器之第二電極層1302與相鄰行調變器之第二電極層1302分開。因此，陣列之第二電極層1302成行佈置。例如，在圖7A以示意圖方式顯示之實施例中，第二電極層1302在每一調變器之第二電極層1302之四個隅角處具有條帶或繫鏈1300。繫鏈1300將第二電極層1302機械耦接至位於調變器隅角處之支柱202。繫鏈1300亦機械耦接一行內各相鄰調變器之第二電極層1302，同時第二電極層1302與其他行之第二電極層1302電絕緣。其他與本文該實施例相容之第二電極層1302則具有彈簧結構而非圖7A中之繫鏈1300。
如圖7A和7B以示意圖方式所示，在某些實施例中，每一調變器之反射性表面901皆藉由一支撐構件1200機械耦接至對應調變器之第二電極層1302。某些其他實施例包含複數個將反射性表面901機械耦接至第二電極層1302之支撐構件。因此，在調變器得到啟用時，反射性表面901沿一基本上垂直於反射性表面901之方向903在第一位置與第二位置之間相對於第一電極層902移動。
在某些實施例中，陣列中之每一調變器進一步包含一傳導匯流排層。該傳導匯流排層之至少一部分電耦接至第一電極層902與第二電極極層1302中至少之一。反射性表面901因應一施加至該傳導匯流排層之電壓而在第一位置與第二位置之間移動。
某些實施例之傳導匯流排層600包含一導電材料，包括但不限於金屬、合成材料、及合金。用於傳導匯流排層600之實例性導電材料包括但不限於鈦、鉻、鎳、及鋁。在某些實施例中，傳導匯流排層600沿一平行於圖7B中之方向903之方向所量測之厚度介於約0.1微米至約2微米之範圍內。其他厚度亦與本文所述實施例相容。
如圖7A中所示，在某些實施例中，傳導匯流排層600定位於第二電極層1302之上方。調變器之傳導匯流排層600構成複數個導電棒，在圖7A顯示之實例性實施例中，該等導電棒位於第二電極層1302之上方。每一列之導電棒彼此電連接且與其他列之導電棒電絕緣。在某些實施例中，各導電棒在一列驅動器與一對應調變器列之第一電極層902之間提供電連接線。在某些實施例中，沿該等列佈置之導電棒沿一垂直於圖7B中之方向903之方向所量測之寬度介於約4微米與約10微米之間之範圍內。其他寬度亦與本文所描述之實施例相容。
在圖7A－7C所示之實例性實施例中，一調變器之傳導匯流排層600藉由該調變器之一個或多個支柱202之一導電部分電耦接至該調變器之第一電極層902。支柱202為移動層和第二電極層1302提供結構性支撐。如圖7B中所示，在某些實施例中，支柱202之導電部分電耦接至傳導匯流排層600和第一電極層902二者，但藉由絕緣材料603與第二電極層1302電絕緣。
圖7C以示意圖方式顯示圖7A所示之與本文所述實施例相容之干涉式調變器顯示器之3×3部分之一支柱202。繫鏈1300機械耦接至支柱202，但與傳導匯流排層600及支柱202之導電部分700電絕緣。支柱202之導電部分700將傳導匯流排層600電耦接至第一電極層902。如圖7C中所示，支柱202之導電部分700具有一大致呈環形之形狀，如同心虛線所示。在某些其他實施例中，導電部分700具有其他橫截面形狀(例如正方形)。在某些實施例中，導電部分700係圓筒形、圓柱形、或實心。導電部分700之實施例可在傳導匯流排層600和第一電極層902之間具有一均勻或不均勻之橫截面。
較佳地，對於圖7A、7B、和7C以示意圖方式顯示之實施例，傳導匯流排層600定位於第二電極層1302之上方，且遠離進入干涉式調變器或自干涉式調變器反射之光之光學路徑。因此，此等實施例之傳導匯流排層600並不干擾干涉式調變器之光學特性。另外，傳導匯流排層600有利地在干涉式調變器陣列之列驅動電子裝置與第一電極層902之間提供一電路徑，該電路徑之電阻顯著低於其他組態(例如，彼此串聯連接的一列干涉式調變器之第一電極層902)之其他電路徑，因此相對於該等其他組態可有利地降低RC時間常數。
某些實施例之傳導匯流排層600相對於干涉式調變器顯示器之其他部分定位於各種位置處。如圖7A以示意圖方式所示，在某些實施例中，傳導匯流排層600位於第二電極層1302之上方。如下文所述，在某些其他實施例中，傳導匯流排層600定位於第一電極層902以內或靠近第一電極層902定位，或位於第一電極層902與第二電極層1302之間。傳導匯流排層600亦可位於第一電極層902下方，或與第二電極層1302基本上位於同一平面內。傳導匯流排層600之其他組態亦與本文所述實施例相容。
圖8A以示意圖方式顯示一干涉式調變器顯示器之一實例性3×3部分，在該干涉式調變器顯示器之干涉式調變器中，傳導匯流排層800位於第二電極層1302上方且電耦接至第二電極層1302。圖8B顯示圖8A所示干涉式調變器顯示器之3×3部分之一剖面視圖。如圖8A中所示，在某些實施例中，顯示器的一行調變器之傳導匯流排層800耦接在一起形成複數個導電棒。每一行之導電棒將該行之第二電極層1302彼此電連接，且每一行之導電棒皆與其他行之導電棒電絕緣。
在某些實施例中，每一導電棒皆在一個行驅動器與對應調變器行之第二電極層1302之間提供電連接。在某些實施例中，每一傳導匯流排層800皆在一個或多個位置處電連接至對應之第二電極層1302。如圖8B中所示，傳導匯流排層800在支柱202上方連接至第二電極層1302。在某些實施例中，沿行佈置之導電棒沿一垂直於圖8B中之方向903之方向所量測之寬度介於約4微米與約10微米之間之範圍內。其他寬度亦與本文所述實施例相容。較佳地，傳導匯流排層800在干涉式調變器陣列之行驅動電子裝置之間提供一電路經，該電路徑之電阻顯著低於其他組態(例如，彼此串聯連接的一行干涉式調變器之第二電極層1302)之其他電路徑，藉以相對於其他組態有利地降低RC時間常數。
圖9A以示意圖方式顯示一干涉式調變器顯示器之一實例性3×3部分，在該干涉式調變器顯示器之干涉式調變器中，傳導匯流排層900位於第一電極層902與第二電極層1302之間。圖9B顯示圖9A所示干涉式調變器顯示器之3×3部分之一剖面視圖。在圖9A所示之實例性實施例中，傳導匯流排層900位於第二電極層1302下方且係支柱202之一導電部分。在圖9B以示意圖方式顯示之實施例中，每一傳導匯流排層900皆電耦接至一干涉式調變器列之每一第一電極層902且與其他干涉式調變器列之第一電極層902電隔離。
某些此等實施例之傳導匯流排層900電連接一個列驅動器與一對應干涉式調變器列之第一電極層902。該列驅動器選擇性地藉由傳導匯流排層900向顯示器的一列中之干涉式調變器之第一電極層902施加電壓。傳導匯流排層900提供一電路徑，該電路徑之電阻顯著低於僅藉由第一電極層902電連接干涉式調變器列之組態。
圖9C以示意圖方式顯示一干涉式調變器顯示器之一實例性3×3部分，該干涉式調變器顯示器之干涉式調變器之傳導匯流排層1000靠近一對應干涉式調變器列之第一電極層902定位並與其電耦接。圖9D顯示圖9C所示干涉式調變器顯示器之3×3部分之一剖面視圖。某些此等實施例之傳導匯流排層1000電連接一個列驅動器與一對應干涉式調變器列之第一電極層902，藉以在該列驅動器與該干涉式調變器之間提供一電路徑，該電路徑之電阻顯著低於僅藉由第一電極層902電連接干涉式調變器列之其他組態。在圖9D所示之實例性實施例中，傳導匯流排層1000定位於各支柱202之間且靠近一位於下方之第一電極層902之外緣。傳導匯流排層1000電耦接至位於下方之第一電極層902。
傳導匯流排層1000之材料經選擇以提高跨越第一電極層902之導電率。在某些實施例中，傳導匯流排層1000包含鋁或其他導電材料。不同於某些實施例之第一電極層902，為傳導匯流排層1000所選之材料可不透明。在某些實施例中，傳導匯流排層1000沿一垂直於圖9D中之方向903之方向所量測之寬度介於約4微米與約10微米之間之範圍內。
在某些實施例中，一介電層906位於傳導匯流排層1000與反射性表面層901之間。某些此等實施例之介電層906可有利地防止干涉式調變器之傳導匯流排層1000與反射性表面層901相接觸。
在某些實施例中，將傳導匯流排層1000定位於反射性表面層901下方可能會由於阻斷干涉式調變器之入射光及反射光之至少一部分而不利地影響干涉式調變器之光學效能。為減小傳導匯流排層1000對干涉式調變器之光學效能之視覺影響，可利用沿一垂直於圖9D中之方向903之方向所量測之寬度更小之傳導匯流排層1000。
圖9E顯示圖9C所示干涉式調變器顯示器之3×3部分之另一實施例之一剖面視圖。圖9E所示顯示器之干涉式調變器具有一遮罩材料1002，其大體與干涉式調變器之傳導匯流排層1000對準且位於該3×3干涉式調變器顯示器之傳導匯流排層1000與觀看側之間。遮罩材料1002通常係一不透明的光學吸收性材料，其寬度足以阻斷入射光照射至傳導匯流排層1000上。在圖9E所示之實施例中，遮罩材料1002通常在層1004內與一透光材料(例如SiO2 )共面，該透光材料可透射入射至調變器之入射光及自調變器反射之反射光。
圖10A以示意圖方式顯示一干涉式調變器顯示器之一實例性3×3部分，該干涉式調變器顯示器之干涉式調變器具有一位於第二電極層1302上方之第一傳導匯流排層1100及一位於第一傳導匯流排層1100上方之第二傳導匯流排層1102。圖10B顯示圖10A所示3×3干涉式調變器顯示器之一剖面視圖。第一傳導匯流排層1100藉由至少一個支柱202之一導電部分電耦接至一干涉式調變器列之第一電極層902。第二傳導匯流排層1102電耦接至一干涉式調變器行之第二電極層1302。第一傳導匯流排層1100與第二傳導匯流排層1102藉由支柱202之絕緣部分605電隔離。
在圖10B中，第一傳導匯流排層1100藉由一個或多個支柱202之一導電部分電耦接至第一電極層902。第二傳導匯流排層1102在一個或多個支柱202上方之位置處電耦接至第二電極層1302。
在某些實施例中，傳導匯流排層所提供之電阻降低之路徑可有利地降低電路之RC時間常數。複數個其第一電極層902串聯電耦接之干涉式調變器之實例性RC時間可介於5微秒至100微秒之範圍內，此視干涉式調變器之數量而定。此相同之複數個干涉式調變器可具有一高達30－50歐姆/平方之電阻。使用傳導匯流排層將列和行驅動器電連接該複數個干涉式調變器之對應第一電極層902和第二電極層1302，可降低電路之電阻，藉以降低RC時間常數。
在機械層上製造傳導匯流排之方法
圖11(A)－11(Q)以示意圖方式顯示一系列用於形成一位於一第二電極層1302上方之傳導匯流排結構的實例性處理步驟。圖11(A)顯示在一基板1106上沉積一黑色遮罩1800。在某些實施例中，黑色遮罩1800包含鉬。
圖11(B)顯示黑色遮罩1800經圖案化和蝕刻以在基板1106之頂部形成小島。圖11(C)顯示在黑色遮罩1800和基板1106上沉積一氧化物層1802、及在該氧化物層1802上沉積一金屬層904和一第一電極層902。在某些實施例中，金屬層904包含鉻，且第一電極層902包含氧化銦錫(ITO)。
圖11(D)顯示第一電極層902及金屬層904經圖案化和蝕刻以根據顯示器之設計形成與行、列或其他有效組態相容之電極和干涉式調變器。在圖11(A)－11(Q)所示之實例性實施例中，第一電極層902可用作一行電極。
如圖11(D)中所示，在金屬層904、第一電極層902、及氧化物層1802上方形成一介電(例如氧化矽)層906。
圖11(E)顯示一犧牲層1804之形成。犧牲層1804決定上方懸置反射性表面901之空腔之尺寸。該等空腔之干涉特性直接受其深度影響。某些具有彩色干涉式調變器之實施例係構造具有不同深度之空腔之調變器，該等不同深度之空腔可提供紅色、綠色、和藍色之合成靜態顏色。為產生該等相同之空腔尺寸，對每一不同顏色之干涉式調變器沉積一不同厚度之犧牲層1804。
例如，在某些實施例中，沉積、遮罩和圖案化一第一犧牲層，使該第一犧牲層界定一第一調變器區域。然後，沉積和圖案化一第二犧牲層，以界定以上所界定之第一調變器與一第二調變器之組合區域。第一犧牲層及第二犧牲層在第一干涉式調變器區域內之組合厚度大於第二犧牲層在第二干涉式調變器區域內之厚度。隨後，在某些實施例中，在第二犧牲層上形成一第三犧牲層，以便為每一組干涉式調變器界定第一、第二、及第三干涉式調變器之組合區域。在某些實施例中，該第三犧牲層不需經圖案化，乃因其厚度將包括於該組彩色干涉式調變器之所有三個干涉式調變器中。
此處所述之三個不同之犧牲層可具有不同之厚度。藉由這種方式，該組彩色干涉式調變器中之第一調變器將具有一等於該三個犧牲層之組合厚度之空腔深度。該組彩色干涉式調變器中之第二調變器將具有一等於該三個犧牲層中兩個犧牲層之組合厚度之空腔深度。該組彩色干涉式調變器中之第三調變器將具有一等於該三個犧牲層之一之厚度之深度空腔。在移除犧牲層以後，空腔尺寸將因該三個犧牲層之不同組合厚度而異，由此產生三種不同之顏色，例如紅色、綠色和藍色。
圖11(F)顯示在介電層906上沉積一反射性表面層1901。在圖11(G)中，該反射性表面層1901經圖案化和蝕刻以形成該反射性表面層1901中之小島。
圖11(H)顯示在反射性表面層1901和介電層906上沉積一犧牲層1810。在某些實施例中，犧牲層1810包含鉬。
在圖11(I)中，犧牲層1810經圖案化和蝕刻以形成傳導匯流排孔1812和反射性表面層孔1814。傳導匯流排孔1812穿過犧牲層1810和中間層延伸至第一電極層902。反射性表面層孔1814穿過犧牲層1810延伸至反射性表面層1901。
在圖11(J)中，一導電層1816沉積於犧牲層1810上和傳導匯流排孔1812及反射性表面層孔1814中。導電層1816藉由傳導匯流排孔1812電耦接至第一電極層902。導電層1816亦藉由反射性表面層孔1814電耦接至反射性表面層1901。
在圖11(K)中，導電層1816經圖案化和蝕刻以形成一傳導匯流排結構1820和反射性表面層連接器1818。圖11(K)中所示之反射性表面層連接器1818與傳導匯流排結構1820電隔離。
在圖11(L)中，沉積一介電層1824。在圖11(M)中，介電層1824經圖案化和蝕刻，以移除介電層1824的位於傳導匯流排結構1820與反射性表面層連接器1818之間區域中之部分。
圖11(N)顯示沉積一犧牲層1826。在圖11(O)中，犧牲層1826經圖案化和蝕刻，以形成用於一第二電極層1302之沉陷1828。在圖11(P)中，該第二電極層1302經沉積、圖案化和蝕刻。在圖11(Q)中，犧牲層1804、1810、1826被移除，由此形成具有匯流排結構1820之干涉式調變器。
干涉式調變器之電容可單獨或與上述形貌相結合地降低。降低電路之電容會降低RC時間常數。
再新速率
對第一電極層902及第二電極層1302進行充電和放電或改變施加在其兩端之電壓所需之時間會影響顯示器之再新速率。例如，縮短第二電極層1302對所施加電壓之變化之反應時間可使顯示器在更短之時間內再新。一更快地實施再新之顯示器可在連續之訊框之間提供更不明顯之過渡。
影像解析度
在某些實施例中，使用一沿一干涉式調變器陣列背側包含複雜佈線線路之傳導匯流排結構可改良灰階顯示技術。用於顯示灰階影像之技術包括將像素細分成複數個干涉式模組或更小之子像素。藉由在每一像素中包含更多之子像素，可獲得更深之灰階。然而，增加子像素之數量會增加敷設至佈置於顯示陣列周圍之列和行驅動器的所需線路之複雜度。
在某些實施例中，使用一傳導匯流排結構可改良灰階顯示。在時間調變中，一灰階影像之每一干涉式調變器皆被施以脈衝或迅速再新，因此觀察者會感覺到顯示器表現出亮度級變化。在某些實施例中，干涉式調變器之再新或調變速率在納入上述一項或多項改進後得到了提高。再新速率可藉由以下計算式來計算：T_line＝T_rc＋T_interferometric modulator其中T_line係更新1條線所需之時間；T_rc係該線之RC時間；T_interferometric modulator係干涉式調變器之機械響應時間。
因此：T_refresh＝n_rows×T_line其中T_refresh係更新整個螢幕所需之時間；n_rows係顯示器上之列數。
因此：螢幕再新速率(Screen Refresh Rate)＝1/T_refresh
其中螢幕再新速度(Screen Refresh Rate)係整個顯示器之更新速率，單位通常為Hz。
由於使用傳導匯流排縮短了T_rc，因此T_line縮短且T_refresh縮短。隨著T_refresh之縮短，螢幕再新速率提高並增強了時間調變。
重新參考圖7A和7B，第一電極層902具有一取決於為第一電極層902所選之材料之固有導電率。對第一電極層902使用一導電率更高之材料可降低干涉式調變器之電路電阻。在某些實施例中，為第一電極層902所選之材料包含其導電率較氧化銦錫(ITO)為高之氧化鋅錫(ZnTO)。
第一電極層902之厚度可變化。在某些實施例中，沿一平行於圖7B中之方向903之方向所量測之厚度可介於300埃和2,000埃之間。亦可使用其他厚度之第一電極層902。
可為使第一電極層902與第二電極層1302相隔離之氧化物層或介電材料906選擇一具有低介電常數之材料。該介電材料使第二電極層1302與第一電極層902電絕緣，以使電荷或電壓能夠儲存於第一電極層和第二電極層之間。介電層906進一步使該電壓或電荷能夠形成一作用於第二電極層1302上之靜電力。一具有低介電常數之材料可有利地降低電路之RC時間常數。例如，一低介電常數(K)材料可具有一較由二氧化矽(3.8)製成之介電材料更低之介電常數。在某些實施例中，介電層906之介電常數低達2.0。
降低電容
可添加不同的、附加的材料來降低電路之電容。在某些實施例中，為介電層906所選之材料可降低電路之電容。該等材料包括旋塗玻璃、SiN、SiO2 、AlO2 、及一種或多種該等材料之合成材料。
在某些實施例中，在金屬層904和第一電極層902之間提供一第二介電層104。如圖12所示，在某些實施例中，第二介電層104位於金屬層904與第一電極層902之間。該附加介電層104係在介電層或氧化物層906之基礎上添加。在此等實施例中，介電層104使金屬層904之光學功能與第一電極層902之電功能相分離。在某些實施例中，該組態不會對顯示器之影像品質產生不利影響。
在干涉式調變器之某些實施例中，在反射性表面901處於「近」位置時，因添加第二介電層104所致之電容降低會隨介電層906及第二介電層104之厚度而變化。在某些實施例中，該兩個介電層906、104包含相同之材料，而在其他實施例中，該兩個介電層包含不同之材料。在介電層906與第二介電層104為相同之材料時，干涉式調變器之電容可藉由以下等式近似得出。
電容~(反射性表面901之面積)×(介電常數)×(電容率常數)/(頂部介電層906之厚度＋底部介電層104之厚度)
在某些實施例中，介電層906之厚度可變化。如在圖13中所示，介電層906包含一個或多個嵌入於介電層906內之氣隙1900。
圖14和圖17顯示一呈列和行佈置之相鄰干涉式調變器110之陣列，其中每一調變器皆具有第一電極層902之一中心部分，該中心部分與第一電極層902之一外圍部分電隔離。在某些實施例中，第一電極層902內之切口將中心部分與外圍部分分開。在某些此等實施例中，第一電極層902的參與驅動干涉式調變器之部分之面積減小，從而減小了電路之電容。
在某些實施例中，僅外圍部分提供第一電極層902之電有效區域。在某些此等實施例中，外圍部分電連接至一傳導匯流排結構。在某些其他實施例中，僅中心部分可提供第一電極層902之電有效區域。在某些此等實施例中，中心部分電連接至一傳導匯流排結構。圖15和圖16係取自圖14之兩個相鄰干涉式調變器之剖面，該干涉式調變器具有一與兩個干涉式調變器之一外圍部分902(b)電隔離之電有效中心部分902(a)。
圖17顯示一呈列和行佈置之干涉式調變器112之陣列，每一干涉式調變器112具有一第一電極層902，第一電極層902具有一與第一電極層902之兩個外圍部分902(d)、902(e)電隔離之行部分902(c)。在某些實施例中，外圍部分902(c)、902(d)、902(e)中之一個或多個提供第一電極層902之電有效區域，且外圍部分902(c)、902(d)、902(e)中之一個或多個不提供第一電極層902之電有效區域。圖18係取自圖17之兩個干涉式調變器112之一剖面視圖，該兩個干涉式調變器112具有與兩個干涉式調變器之非電有效行部分902(c)電隔離之電有效外圍部分902(d)、902(e)。
圖19和圖20顯示一干涉式調變器之一實施例，該干涉式調變器具有一包含多於兩個電有效區域404(a)－(e)之第一電極層902。電有效區域404(a)－(e)與第二電極層1302一同形成一將第二電極層1302朝電有效區域404(a)－(e)拉動之靜電力。隨著第二電極層1302朝電有效區域404(a)－(e)移動，反射性表面901相對於基板1106及金屬層904移動一對應距離。反射性表面901之移動會使干涉式調變器「ON(打開)」或「OFF(關閉)」，如上文所述。藉由將這兩個功能解耦，可將光學層(或機械層)之電有效部分之面積減小至小於光學層(或機械層)之光學部分之面積。
降低功率消耗
降低電路之電阻或電容之另一益處係功率消耗降低。例如，為對一干涉式調變器陣列實施充電和放電，行和列驅動器需要用於對該干涉式調變器實施充電和放電至功率。藉由降低各個干涉式調變器之電容，在啟用每一干涉式調變器時，列和行驅動器可施加一更低之電壓。在某些實施例中，藉由改變干涉式模組之機械剛度及/或影響干涉式調變器內之靜電力強度，會達成啟用電壓之降低。
舉例而言，干涉式模組之幾何變化可降低第二電極層1302之機械剛度。實例性幾何變化包括增大各相鄰支柱202之間之間距或改變第二電極層1302之形狀。在某些實施例中，增大各支柱202之間之標稱間距會提高所附裝之第二電極層1302之撓性。該撓性之提高使第二電極層1302和反射性表面901能夠因應行或列驅動器施加一更低之啟用電壓而改變狀態。
如圖21中所示，在某些實施例中，可改變第二電極層1302之幾何形狀，以模擬一機械彈簧。機械彈簧設計可使反射性表面901與第二電極層1302解耦。在反射性表面901上下移動時，繫鏈120構成一彈簧部分。在某些實施例中，反射性表面901包含一剛性體(例如一反射性表面層)之一部分。藉由此種方式，將繫鏈120與反射性表面901解耦，乃因其中一個之移動基本上不會影響另一個。
第二電極層1302之材料選擇可影響啟用電壓。選擇一更柔順之材料會提高第二電極層1302之撓性。藉由此種方式，在某些實施例中，列和行驅動器施加一更低之啟用電壓且仍會獲得所期望之反射性表面層位移。在某些實施例中，第二電極層1302包含一更柔順之材料(例如鋁)，以使反射性表面層901能夠響應於一較包含鎳之第二電極層1302更低之啟用電壓。可用於第二電極層1302之其他實例性材料包括但不限於Cr、Cu、由氧化物和金屬製成之合成材料(例如包覆鋁之氮化矽)、金屬加強之有機膜(例如鍍有任一金屬實例之光阻劑)。藉由降低第二電極層1302之厚度，可進一步降低第二電極層1302之機械剛度。在某些實施例中，第二電極層1302之厚度約為500埃。
在某些實施例中，另一種用於降低啟用電壓之技術係改變形成於第一電極層902與第二電極層1302之間電場之強度。藉由將第一電極層902圖案化以減少電有效區域之大小來提高電場強度。藉由此種方式，可減小形成電有效部分之干涉式調變器之面積。假定所有其他參數保持不變，藉由縮小如圖14－18所示之電有效區域來將電極圖案化具有提高激勵電壓之效果。
在某些實施例中，藉由為該一個或多個介電層906選擇具有更高之介電常數之材料，可進一步降低啟用電壓。首先，介電常數與激勵電壓之間之關係為：V~1/(K^1/2)
該電壓與介電常數之平方根成反比。因此，隨著該常數之增大，將第二電極層1302朝第一電極極層902拉動所需之電壓會降低。具有更高介電常數之材料可增大在第一電極層與第二電極層之間產生之靜電吸引力。
在圖22中顯示一種根據某些實施例之可能像素組態602。該視圖由觀察者自基板106之正面觀看，且由九個元件構成，紅色、綠色和藍色中每種顏色各三個。如圖所示，調變器1400(a)、1400(b)、1400(c)可對應於紅色，1400(d)、1400(e)、1400(f)可對應於綠色，1400(g)、1400(h)、1400(i)可對應於藍色，如圖所示。在圖22以示意圖方式顯示之實施例中，干涉式調變器陣列佈置成一N×N矩陣以提供一影像顯示表面。
在某些實施例中，可藉由改變鏡和光學堆疊之間之距離來獲得三種不同之顏色(紅色、綠色和藍色)。當對調變器施加一電壓時，該等調變器可皆朝電極移動一相同之距離或者其可皆朝電極移動不同之距離。事實上，所有九個調變器皆可橫越整個空腔並移動至一使其與基板106直接接觸之近位置。空腔在靜止狀態下之尺寸分別如圖23、24和25中之豎向尺寸1500、1600、和1700所示。在一個實施例中，豎向尺寸1500、1600、和1700分別為4000埃、3000埃和2000埃。
干涉式調變器很小，其一側通常為25－60微米(每英吋400－1,000個點)。因此，在某些實施例中，在單色、彩色、或灰階顯示器中，許多干涉式調變器元件可相組合並作為一個像素或子像素一起驅動。舉例而言，每一干涉式調變器可對應於一單色顯示器中之單個顯示像素。對於彩色或灰階顯示器而言，在某些實施例中，每一干涉式調變器之顏色或強度取決於光學層和機械層之間之氣隙之尺寸。多個具有不同強度或顏色之子元件形成一灰階或彩色像素。為形成一平板顯示器，需按照所需之格式製作並封裝一大的干涉式調變器陣列(例如，5英吋全彩色VGA)。
在某些實施例中，調變器1400(a)之反射性表面901可具有設計成使反射性表面901穩定在一距離1500處之背部支撐件、一撓性層和支柱介面。在某些實施例中，調變器1400(d)之反射性表面901可具有設計成使反射性表面層穩定在一小於距離1500之距離1600處之背部支撐件、一撓性層、和支柱介面。最後，在某些實施例中，調變器1400(g)之反射性表面層901可具有設計成使反射性表面層穩定在一小於距離1600之距離1700處之背部支撐件、一撓性層和支柱介面。藉由此種方式，在某些實施例中，控制支撐件之機械特性及/或物理約束會形成三種不同之空腔尺寸，且由此產生三種不同之像素顏色。
或者，可操縱撓性層和支撐件之不同特性以使反射性表面層901在施加相同之電壓時移動不同之距離。又一選擇係，所有調變器可具有相同之結構，但施加不同電壓來獲得不同顏色。
圖26A及26B為顯示一顯示裝置2040之一實施例之系統方塊圖。顯示裝置2040可為(例如)一蜂巢式電話或行動電話。然而，顯示裝置2040之相同組件或其稍微變異之型式亦闡釋不同類型之顯示裝置，例如電視或可攜式媒體播放器。
顯示裝置2040包括一外殼2041、一顯示器2030、一天線2043、一揚聲器2045、一輸入裝置2048及一麥克風2046。外殼2041通常由業內技術人員所習知之各種製造製程中之任何一種製成，包括注射成型及真空成形。另外，外殼2041可由多種材料中之任何一種製成，包括但不限於塑膠、金屬、玻璃、橡膠及陶瓷，或其一組合。在一實施例中，外殼2041包括可更換部分(未示出)，該等可更換部分可與其它具有不同顏色或包含不同標誌、影像或符號之可更換部分互換。
實例性顯示裝置2040之顯示器2030可為許多種顯示器中之任何一種，包括如本文中所述之雙穩顯示器。在其他實施例中，如熟習此項技術之技術人員所習知，顯示器2030包括一平板顯示器，例如如上所述之電漿顯示器、EL、OLED、STN LCD或TFT LCD，或一非平板顯示器，例如CRT或其他顯像管裝置。然而，為闡釋本發明之目的，顯示器2030包括一如上所述的干涉式調變器顯示器。
在圖26B中示意性地顯示實例性顯示裝置2040之一實施例之組件。所示實例性顯示裝置2040包括一外殼2041且可包括其他至少部分地封閉在外殼2041內之組件。例如，在一實施例中，實例性顯示裝置2040包括一網路介面2027，網路介面2027包括一耦接至一收發器2047之天線2043。收發器2047連接至與調節硬體2052相連之處理器2021。調節硬體2052可構造成調節一信號(例如，濾波一信號)。調節硬體2052連接至一揚聲器2045及一麥克風2046。處理器2021亦連接至一輸入裝置2048及一驅動器控制器2029。驅動器控制器2029耦接至一訊框緩衝器2028及陣列驅動器2022，陣列驅動器2022又耦接至一顯示陣列2030。一電源2050根據該特定實例性顯示裝置2040之設計要求向所有組件提供電力。
網路介面2027包括天線2043及收發器2047，以使實例性顯示裝置2040可藉由網路與一個或多個裝置通信。在一實施例中，網路介面2027還可具有某些處理功能，以降低對處理器2021之要求。天線2043為業內技術人員習知之任何一種用於發射和接收信號之天線。在一實施例中，該天線根據IEEE 802.11標準(包括IEEE 802.11(a)、(b)或(g))發射和接收RF信號。在另一實施例中，該天線根據藍牙(BLUETOOTH)標準發射和接收RF信號。倘若係一蜂窩式電話，則該天線設計成接收用於在一無線蜂巢電話網路內通信之CDMA、GSM、AMPS或其他習知信號。收發器2047預處理自天線2043接收之信號，以使該些信號可由處理器2021接收及進一步處理。收發器2047還處理自處理器2021接收之信號，以便可自實例性顯示裝置2040藉由天線2043發射該些信號。
在一替代實施例中，收發器2047可由一接收器替代。在另一替代實施例中，網路介面2027可由一可儲存或產生擬發送至處理器2021之影像資料之影像源替代。例如，該影像源可為一數位音影光碟(DVD)或一包含影像資料之硬碟驅動器、或一產生影像資料之軟體模組。
處理器2021通常控制實例性顯示裝置2040之整體運作。處理器2021自網路介面2027或一影像源接收資料，例如經壓縮之影像資料，並將該資料處理成原始影像資料或一種易於處理成原始影像資料之格式。此後，處理器2021將經處理之資料發送至驅動器控制器2029或訊框緩衝器2028進行儲存。原始資料通常係指識別一影像內每一位置處影像特徵之資訊。例如，該些影像特徵可包括顏色、飽和度及灰度階。
在一實施例中，處理器2021包括一微處理器、CPU或邏輯單元，以控制實例性顯示裝置2040之運作。調節硬體2052通常包括用於向揚聲器2045發送信號及自麥克風2046接收信號之放大器及濾波器。調節硬體2052可為實例性顯示裝置2040內之分立組件，或者可併入處理器2021或其他組件內。
驅動器控制器2029直接自處理器2021或自訊框緩衝器2028接收由處理器2021產生之原始影像資料，並將原始影像資料適當地重新格式化，以高速傳輸至陣列驅動器2022。具體而言，驅動器控制器2029將原始影像資料重新格式化為一具有一光柵樣格式之資料流，以使其具有一適用於掃描整個顯示陣列2030之時間次序。此後，驅動器控制器2029將經格式化之資訊發送至陣列驅動器2022。儘管一驅動器控制器2029(例如一LCD控制器)通常作為一獨立之積體電路(IC)與系統處理器2021相關聯，但該些控制器可以諸多方式來實施。其可作為硬體嵌入處理器2021中、作為軟體嵌入處理器2021中、或與陣列驅動器2022一起完全整合在硬體內。
通常，陣列驅動器2022自驅動器控制器2029接收經格式化之資訊並將視頻資料重新格式化為一組平行波形，該組平行波形每秒多次地施加至來自顯示器之x－y像素矩陣之數百且有時數千條引線上。
在一實施例中，驅動器控制器2029、陣列驅動器2022及顯示陣列2030適用於本文所述之任何類型之顯示器。例如，在一實施例中，驅動器控制器2029為一習用顯示控制器或一雙穩顯示控制器(例如一干涉式調變器控制器)。在另一實施例中，陣列驅動器2022為一習用驅動器或一雙穩顯示驅動器(例如一干涉式調變器顯示器)。在一實施例中，一驅動器控制器2029與陣列驅動器2022整合在一起。該種實施例在(例如)蜂窩式電話、手錶或其他小面積顯示器等高度整合之系統中很常見。在又一實施例中，顯示陣列2030為一典型之顯示陣列或一雙穩顯示陣列(例如一包含一干涉式調變器陣列之顯示器)。
輸入裝置2048允許使用者控制實例性顯示裝置2040之運行。在一實施例中，輸入裝置2048包括一小鍵台(例如一QWERTY鍵盤或一電話小鍵台)、一按鈕、一開關、一觸控螢幕、一壓敏或熱敏薄膜。在一實施例中，麥克風2046為實例性顯示裝置2040之一輸入裝置。在使用麥克風2046向裝置輸入資料時，可由使用者提供語音命令來控制實例性顯示裝置2040之運作。
電源2050可包括眾多種能量儲存裝置，此在所屬領域中眾所周知。例如，在一實施例中，電源2050係一可再充電式蓄電池，例如一鎳－鎘蓄電池或鋰離子蓄電池。在另一實施例中，電源2050為一可再生能源、電容器或太陽能電池，包括一塑膠太陽能電池及太陽能電池塗料。在另一實施例中，電源2050經構造以自牆壁上之插座接收電力。
在某些實施方案中，如上所述，控制可程式化性駐存於一可位於電子顯示系統中多個位置內之驅動器控制器中。在某些情況下，控制可程式化性駐存於陣列驅動器2022中。熟習此項技術之技術人員將瞭解，可以任何數量之硬體及/或軟體組件及以不同之構造實施上述最佳化。
儘管上述「具體實施方式」顯示、闡釋及指出了適用於各種實施例之本發明新穎特徵，然而應瞭解，熟習此項技術者可在形式及細節上對所示裝置或製程做出各種省略、替代及改變，此並不背離本發明之精神。熟習此項技術之一般技術人員將易知將上述器件與干涉式調變器相結合之方法。另外，可將一個或多個該等器件修改成適於與任一實施例及其他干涉式調變器組態一起使用。應知道，由於可獨立於其他特徵使用或實踐某些特徵，因而可在一並不提供本文所述所有特徵及優點之形式內實施本發明。
12a．．．干涉式調變器
12b．．．干涉式調變器
14．．．金屬材料條帶
14a．．．可移動之高度反射層
14b．．．可移動之高度反射層
16a．．．固定局部反射層
16b．．．固定局部反射層
18．．．支柱
19．．．氣隙
20．．．透明基板
21．．．處理器
22．．．陣列控制器
24．．．列驅動電路
26．．．行驅動電路
30．．．像素陣列
32．．．繫鏈
34．．．可變形層
106．．．基板
110．．．干涉式調製器
112．．．干涉式調變器
120．．．繫鏈
202．．．支柱
404a．．．電有效區域
404b．．．電有效區域
404c．．．電有效區域
404d．．．電有效區域
404e．．．電有效區域
600．．．傳導匯流排層
602．．．像素組態
603．．．絕緣材料
605．．．絕緣部分
700．．．導電部分
800．．．傳導匯流排層
900．．．傳導匯流排層
901．．．反射性表面層
902．．．第一電極層
902a．．．電有效中心部分
902c．．．行部分
902d．．．外圍部分
902e．．．外圍部分
903．．．方向
904．．．金屬層
906．．．介電層
1000．．．傳導匯流排層
1002．．．遮罩材料
1004．．．層
1100．．．第一傳導匯流排層
1102．．．第二傳導匯流排層
1106．．．基板
1200．．．支撐構件
1300．．．繫鏈
1302．．．第二電極層
1400a．．．調變器
1400b．．．調變器
1400c．．．調變器
1400d．．．調變器
1400e．．．調變器
1400f．．．調變器
1400g．．．調變器
1400h．．．調變器
1400i．．．調變器
1500．．．豎向尺寸
1600．．．豎向尺寸
1700．．．豎向尺寸
1800．．．黑色遮罩
1802．．．氧化物層
1804．．．犧牲層
1810．．．犧牲層
1812．．．傳導匯流排孔
1814．．．反射性表面層孔
1816．．．導電層
1818．．．反射性表面層連接器
1820．．．傳導匯流排結構
1824．．．介電層
1826．．．犧牲層
1828．．．沉陷
1900．．．氣隙
1901．．．反射性表面層
2021．．．處理器
2022．．．陣列驅動器
2027．．．網路介面
2028．．．訊框緩衝器
2030．．．顯示陣列
2040．．．實例性顯示裝置
2041．．．外殼
2043．．．天線
2045．．．揚聲器
2046．．．麥克風
2047．．．收發器
2048．．．輸入裝置
2050．．．電源
2052．．．調節硬體
圖1為一等軸圖，其顯示一干涉式調變器顯示器之一實施例之一部分，其中一第一干涉式調變器之一可移動反射層處於一釋放位置且一第二干涉式調變器之一可移動反射層處於一受激勵位置。
圖2為一系統方塊圖，其顯示一包含一3x3干涉式調變器顯示器之電子裝置之一實施例。
圖3為圖1所示干涉式調變器之一實例性實施例之可移動鏡面位置與所施加電壓之關係圖。
圖4為一組可用於驅動干涉式調變器顯示器之列和行電壓之示意圖。
圖5A及圖5B顯示可用於向圖2所示3x3干涉式調變器顯示器寫入一顯示資料框之列和行信號之一實例性時序圖。
圖6A為一圖1所示裝置之剖面圖。
圖6B為一干涉式調變器之一替代實施例之一剖面圖。
圖6C為一干涉式調變器之另一替代實施例之一剖面圖。
圖7A以示意圖方式顯示一實例性3×3干涉式調變器顯示器，其具有一位於第二電極層上方且電耦接至第一電極層之傳導匯流排。
圖7B顯示圖7A所示3×3干涉式調變器顯示器之一剖面視圖。
圖7C為取自圖7A所示3×3干涉式調變器顯示器之單個支柱支持件之視圖，其中至第二電極層連接線之傳導匯流排以環形虛線顯示。
圖8A以示意圖方式顯示一實例性3×3干涉式調變器顯示器，其具有一位於第二電極層上方且電耦接至第二電極層之傳導匯流排。
圖8B顯示圖8A所示3×3干涉式調變器顯示器之一剖面視圖。
圖9A以示意圖方式顯示一實例性3×3干涉式調變器顯示器，其具有一位於第二電極層與第一電極層之間且電耦接至第一電極層之傳導匯流排。
圖9B顯示圖9A所示3×3干涉式調變器顯示器之一剖面視圖。
圖9C以示意圖方式顯示一實例性3×3干涉式調變器顯示器，其具有一位於第一電極層上且電耦接至第一電極層之傳導匯流排。
圖9D顯示圖9C所示3×3干涉式調變器顯示器之一剖面視圖。
圖9E顯示圖9C所示3×3干涉式調變器顯示器之另一實施例之一剖面視圖，其具有一與該傳導匯流排對準且位於該傳導匯流排與3×3干涉式調變器顯示器觀看側之間之遮罩材料。
圖10A以示意圖方式顯示一實例性3×3干涉式調變器顯示器，其具有一位於第二電極層上方且電耦接至第一電極層之第一傳導匯流排、及一位於第一傳導匯流排上方且電耦接至第二電極層之第二傳導匯流排。
圖10B顯示圖10A所示3×3干涉式調變器顯示器之一剖面視圖。
圖11(A)至11(Q)以示意圖方式顯示一系列用於在第二電極層上方形成一傳導匯流排結構之實例性處理步驟。
圖12顯示一干涉式調變器之一實施例之一剖面視圖，該干涉式調變器具有一位於光學堆疊層之內之附加介電層。
圖13顯示一干涉式調變器之一實施例之一剖面視圖，該干涉式調變器具有位於介電層內之氣穴。
圖14顯示一經圖案化之電極之一實施例，該電極具有一縮小之電有效區域。
圖15為一對應於圖14之干涉式調變器在一穿過有效區域和無效區域之平面中之剖面視圖。
圖16為一對應於圖14之干涉式調變器在一僅穿過有效區域之平面中之另一剖面視圖。
圖17顯示一經圖案化電極之一替代實施例。
圖18為對應於圖17之干涉式調變器之一剖面視圖。
圖19顯示一干涉式調變器之一實施例，該干涉式調變器使用於產生靜電力之區域自反射性表面層解耦。
圖20顯示圖19所示之干涉式調變器之一實施例，其處於「ON(開)」狀態。
圖21顯示一干涉式調變器之一實施例之一透視圖，該干涉式調變器具有一用於第二電極層之彈簧設計。
圖22顯示一包含一3×3干涉式調變器陣列之像素之平面佈置圖。
圖23顯示一取自圖22所示陣列之紅色干涉式調變器之一實施例之剖面視圖。
圖24顯示一取自圖22所示陣列之綠色干涉式調變器之一實施例之剖面視圖。
圖25顯示一取自圖22所示陣列之藍色干涉式調變器之一實施例之剖面視圖。
圖26A及26B為系統方塊圖，其顯示一包含複數個干涉式調變器之視覺顯示裝置之一實施例。
202．．．支柱
600．．．傳導匯流排層
603．．．絕緣材料
901．．．反射性表面層
902．．．第一電極層
903．．．方向
904．．．金屬層
906．．．介電層
1106．．．基板
1302．．．第二電極層

Claims (84)

  1. 一種干涉式調變器裝置，其包括：一基板；一干涉式調變器之陣列，其形成於該基板上且以列與行而配置，每一干涉式調變器包括：一位於該基板上之第一電極層；一位於該基板上之第二電極層；一反射性表面，其基本上平行於該第一電極層且耦接至該第二電極層，該反射性表面可沿一基本上垂直於該反射性表面之方向移動，該反射性表面可於一第一位置與一第二位置之間移動，該第一位置距該第一電極層一第一距離，該第二位置距該第一電極層一第二距離；及多個支柱，其提供用於一可移動反射層及該第二電極層之結構支撐，其中該第一電極層電連接一列之該陣列之該等干涉式調變器，且該第二電極層電連接一行之該陣列之該等干涉式調變器；及一傳導匯流排層，該傳導匯流排層之至少一部分藉由該等支柱之一或多者之一導電部分電耦接至該第一電極層與該第二電極層中之一者，其中該傳導匯流排層及與該傳導匯流排層耦接之該電極層的組合在該陣列之列驅動器電子裝置與該第一電極層之間或在該陣列之行驅動器電子裝置與該第二電極層之間提供一電路徑，該電路徑具有一若一列之干涉式調變器或一行之干涉式調變器 僅經由該第一或第二電極層而連接之電路徑較低的電阻，且其中每一干涉式調變器之該反射性表面因應一施加橫跨相對應之該第一電極層及相對應之該第二電極層之電壓而在該第一位置與該第二位置之間移動。
  2. 如請求項1之裝置，其中該傳導匯流排層電連接至該第一電極層。
  3. 如請求項1之裝置，其中該傳導匯流排層電連接至該第二電極層。
  4. 如請求項1之裝置，其中該傳導匯流排層定位於該第二電極層上方。
  5. 如請求項1之裝置，其中該傳導匯流排層鄰接該第一電極層定位。
  6. 如請求項1之裝置，其中該第二電極層包括該反射性表面。
  7. 如請求項1之裝置，其進一步包括一耦接至該第二電極層之反射層，其中該反射層包括該反射性表面。
  8. 如請求項1之裝置，其中該傳導匯流排層包括一導電金屬。
  9. 如請求項1之裝置，其中該傳導匯流排層包括一合成材料、一合金或其組合。
  10. 如請求項1之裝置，其中該傳導匯流排層包括鋁、鉻、鈦及鎳之至少一者。
  11. 如請求項1之裝置，其中該傳導匯流排層具有一介於0.1微米與2微米之間之厚度。
  12. 如請求項1之裝置，其中該傳導匯流排層具有一介於4微米與10微米之間之寬度。
  13. 如請求項1之裝置，其中該第一電極層具有一介於300埃與2,000埃之間之厚度。
  14. 如請求項1之裝置，其進一步包括：一與該傳導匯流排層電相通之處理器，該處理器經組態以處理影像資料。
  15. 如請求項14之裝置，其進一步包括：一驅動電路，其經組態以將至少一個信號發送至該傳導匯流排層。
  16. 如請求項15之裝置，其進一步包括：一控制器，其經組態以將該影像資料之至少一部分發送至該驅動電路。
  17. 如請求項14之裝置，其進一步包括：一影像源，其經組態以向該處理器發送該影像資料。
  18. 如請求項17之裝置，其中該影像源包括一接收器、及一收發器之至少一個。
  19. 如請求項14之裝置，其進一步包括：一輸入裝置，其經組態以接收輸入資料並將該輸入資料傳送至該處理器。
  20. 一種製造一包含干涉式調變器之一陣列的裝置之方法，其包括：提供一透明基板；形成該等干涉式調變器，包含； 在該基板上形成一第一電極層；在該基板上形成一第二電極層；形成一反射性表面，該反射性表面基本上平行於該第一電極層且耦接至該第二電極層，每一干涉式調變器之該反射性表面可沿一基本上垂直於該反射性表面之方向移動，每一干涉式調變器之該反射性表面可在一第一位置與一第二位置之間移動，該第一位置距該第一電極層一第一距離，該第二位置距該第一電極層一第二距離；及形成用於每一干涉式調變器之多個支柱，其提供用於一可移動反射層及該第二電極層之結構支撐，其中該第一電極層電連接一列之該陣列之該等干涉式調變器，且該第二電極層電連接一行之該陣列之該等干涉式調變器；及形成藉由該等支柱之一或多者之一導電部分電耦接至該第一電極層或該第二電極層之一傳導匯流排層，其中該傳導匯流排層及與該傳導匯流排層耦接之該電極層的組合在該陣列之列驅動器電子裝置與該第一電極層之間或在該陣列之行驅動器電子裝置與該第二電極層之間提供一電路徑，該電路徑具有一若一列之干涉式調變器或一行之干涉式調變器僅經由該第一或第二電極層而連接之電路徑較低的電阻，其中因應一施加至該傳導匯流排層之電壓而在該第一位置與該第二位置之間移動每一干涉式調變器之該反射性表面。
  21. 如請求項20之方法，其中該傳導匯流排層電耦接至該第一電極層。
  22. 如請求項20之方法，其中該傳導匯流排層電耦接至該第二電極層。
  23. 如請求項20之方法，其中該傳導匯流排層定位於該第二電極層上方。
  24. 如請求項20之方法，其中該傳導匯流排層鄰接該第一電極層定位。
  25. 如請求項20之方法，其中該反射性表面位於該第二電極層上。
  26. 如請求項20之方法，其進一步包括提供一耦接至該第二電極層之反射層，其中該反射層包括該反射性表面。
  27. 一種藉由如請求項20之方法所製造之一干涉式調變器而形成之光調變器。
  28. 一種機電裝置，其包括：一基板；一位於該基板上之第一電極層，該第一電極層具有一第一電阻；一位於該基板上之第二電極層，該第二電極層具有一第二電阻；一反射性表面，其係可移動，該反射性表面基本上平行於該第一電極層且耦接至該第二電極層；及一具有一第三電阻之傳導匯流排層，該第三電阻較低於該第一電阻或該第二電阻，該傳導匯流排層之至少一 部分電耦接至該第一電極層與該第二電極層之一者。
  29. 如請求項28之裝置，其中該反射性表面經組態可於一第一位置與一第二位置之間移動，該第一位置距該第一電極層一第一距離，該第二位置距該第一電極層一第二距離，及其中因應一施加至該傳導匯流排層之電壓而在該第一位置與該第二位置之間移動該反射性表面。
  30. 如請求項28之裝置，其中該第一電極層及該第二電極層界定一干涉式空腔。
  31. 如請求項28之裝置，其中該傳導匯流排層經組態以降低在一驅動器與該裝置之間的一電阻-電容時間常數。
  32. 如請求項28之裝置，其中該傳導匯流排層經組態以避免與該裝置之一光學效能之干擾。
  33. 如請求項28之裝置，其中該裝置具有複數個干涉式調變器，且其中該等干涉式調變器係以列而配置及該傳導匯流排層係與干涉式調變器之其他列而電絕緣。
  34. 一種干涉式調變器裝置，其包括：一基板；一位於該基板上之第一電極層；一位於該基板上之第二電極層，一反射性表面，基本上平行於該第一電極層且耦接至該第二電極層，該反射性表面可沿一基本上垂直於該反射性表面之方向移動，該反射性表面可於一第一位置與一第二位置之間移動，該第一位置距該第一電極層一第一距離，該第二位置距該第一電極層一第二距離，該第一電極層及該第二電極 層界定一干涉式空腔；及一傳導匯流排層，其與複數個干涉式調變器互連，該傳導匯流排層之至少一部分電耦接至該第一電極層與該第二電極層之一者，其中因應一施加至該傳導匯流排層之電壓而在該第一位置與該第二位置之間移動該反射性表面，其中該傳導匯流排層經組態以降低在一驅動器與該裝置之間的一電阻-電容時間常數。
  35. 一種干涉式調變器裝置，其包括：一基板；一位於該基板上之第一電極層；一位於該基板上之第二電極層，一反射性表面，基本上平行於該第一電極層且耦接至該第二電極層，該反射性表面可沿一基本上垂直於該反射性表面之方向移動，該反射性表面可於一第一位置與一第二位置之間移動，該第一位置距該第一電極層一第一距離，該第二位置距該第一電極層一第二距離，該第一電極層及該第二電極層界定一干涉式空腔；及一傳導匯流排層，其與複數個干涉式調變器互連，該傳導匯流排層之至少一部分電耦接至該第一電極層與該第二電極層之一者，其中因應一施加至該傳導匯流排層之電壓而在該第一位置與該第二位置之間移動該反射性表面，其中該第一電極層具有一第一導電性，該第二電極層具有一第二導電性，及該傳導匯流排層具有一第三導電性，該第三導電性大於該第一導電性或該第二導電 性。
  36. 一種干涉式調變器裝置，其包括：一基板；一位於該基板上之第一電極層；一位於該基板上之第二電極層，一反射性表面，基本上平行於該第一電極層且耦接至該第二電極層，該反射性表面可沿一基本上垂直於該反射性表面之方向移動，該反射性表面可於一第一位置與一第二位置之間移動，該第一位置距該第一電極層一第一距離，該第二位置距該第一電極層一第二距離，該第一電極層及該第二電極層界定一干涉式空腔；及一傳導匯流排層，其與複數個干涉式調變器互連，該傳導匯流排層之至少一部分電耦接至該第一電極層與該第二電極層之一者，其中因應一施加至該傳導匯流排層之電壓而在該第一位置與該第二位置之間移動該反射性表面，其中該傳導匯流排層經組態以避免與該裝置之一光學效能之干擾。
  37. 一種干涉式調變器裝置，其包括：一基板；一位於該基板上之第一電極層；一位於該基板上之第二電極層，一反射性表面，基本上平行於該第一電極層且耦接至該第二電極層，該反射性表面可沿一基本上垂直於該反射性表面之方向移動，該反射性表面可於一第一位置與一第二位置之間移動， 該第一位置距該第一電極層一第一距離，該第二位置距該第一電極層一第二距離，該第一電極層及該第二電極層界定一干涉式空腔；及一傳導匯流排層，其與複數個干涉式調變器互連，該傳導匯流排層之至少一部分電耦接至該第一電極層與該第二電極層之一者，其中因應一施加至該傳導匯流排層之電壓而在該第一位置與該第二位置之間移動該反射性表面，其中該複數個干涉式調變器係以列而配置及該傳導匯流排層係與干涉式調變器之其他列而電絕緣。
  38. 一種用於控制一裝置之方法，該方法包括：提供一基板；在該基板上提供一第一電極層，該第一電極層具有一第一電阻；在該基板上提供一第二電極層，該第二電極層具有一第二電阻；提供一反射性表面，其係可移動，該反射性表面基本上平行於該第一電極層且耦接至該第二電極層；及施加一電壓至一具有一第三電阻之傳導匯流排層，該第三電阻較低於該第一電阻或該第二電阻，該傳導匯流排層之至少一部分電耦接至該第一電極層與該第二電極層之一者。
  39. 如請求項38之方法，其中該反射性表面經組態可於一第一位置與一第二位置之間移動，該第一位置距該第一電極層一第一距離，該第二位置距該第一電極層一第二距 離，及其中因應施加至該傳導匯流排層之該電壓而在該第一位置與該第二位置之間移動該反射性表面。
  40. 如請求項38之方法，其中該第一電極層及該第二電極層界定一干涉式空腔。
  41. 如請求項38之方法，其中該傳導匯流排層經組態以降低在一驅動器與該裝置之間的一電阻-電容時間常數。
  42. 如請求項38之方法，其中該傳導匯流排層經組態以避免與該裝置之一光學效能之干擾。
  43. 如請求項38之方法，其中該裝置具有複數個干涉式調變器，且其中該等干涉式調變器係以列而配置及該傳導匯流排層係與干涉式調變器之其他列而電絕緣。
  44. 一種機電裝置，其包括：一基板；一位於該基板上之第一電極層，該第一電極層具有一第一電阻；一位於該基板上之第二電極層，該第二電極層具有一第二電阻；一可移動層，其基本上平行於該第一電極層且耦接至該第二電極層；及一具有一第三電阻之傳導匯流排層，該第三電阻較低於該第一電阻或該第二電阻，該傳導匯流排層之至少一部分電耦接至該第一電極層與該第二電極層之一者。
  45. 如請求項44之裝置，其中該傳導匯流排層包含一傳導金屬。
  46. 如請求項44之裝置，其中該傳導匯流排層包含一合成材料、一合金或其組合。
  47. 如請求項44之裝置，其中該傳導匯流排層包括鋁、鉻、鈦或鎳。
  48. 如請求項44之裝置，其中該傳導匯流排層具有一介於0.1微米與2微米之間之厚度。
  49. 如請求項44之裝置，其中該傳導匯流排層具有一介於4微米與10微米之間之寬度。
  50. 如請求項44之裝置，其中該第一電極層具有一介於300埃與2,000埃之間之厚度。
  51. 如請求項44之裝置，其進一步包括：一顯示器；及一與該顯示器通信之處理器，該處理器經組態以處理影像資料。
  52. 如請求項51之裝置，其進一步包括一驅動電路，其經組態以將至少一個信號發送至該顯示器。
  53. 如請求項52之裝置，其進一步包括一控制器，其經組態以將該影像資料之至少一部分發送至該驅動電路。
  54. 如請求項51之裝置，其進一步包括一影像源，其經組態以向該處理器發送該影像資料。
  55. 如請求項54之裝置，其中該影像源包括一接收器及一收發器之至少一者。
  56. 如請求項51之裝置，其進一步包括一輸入裝置，其經組態以接收輸入資料並將該輸入資料傳送至該處理器。
  57. 一種機電裝置，其包括：用於支撐該裝置之至少一部分之構件；用於經該支撐構件傳導電之第一傳導構件，該第一傳導構件具有一第一電阻；用於經該支撐構件傳導電之第二傳導構件，該第二傳導構件具有一第二電阻；用於移動該裝置之至少一部分之移動構件，該移動構件定位於基本上平行於用於傳導電之該第一傳導構件且耦接至該用於傳導電之該第二傳導構件；及用於傳導電之第三傳導構件，該第三傳導構件具有一較低於該第一電阻或該第二電阻之第三電阻，該第三傳導構件之至少一部分電耦接至該第一傳導構件與該第二傳導構件之一者。
  58. 如請求項57之裝置，其中該第一傳導構件包含一第一電極層。
  59. 如請求項57之裝置，其中該第二傳導構件包含一第二電極層。
  60. 如請求項57之裝置，其中該移動構件包含一可移動層。
  61. 如請求項57之裝置，其中該第三傳導構件包含一傳導匯流排層。
  62. 一種機電裝置，其包括：複數個結構，每一結構包含一具有一第一電阻之第一電極層、一具有一第二電阻之第二電極層、及一表面，其基本上平行於該第一電極層且耦接至該第二電極層， 該第一電極層及該第二電極層具有一介於其中之區域，該表面藉由沿一基本上垂直於該表面之方向在該區域中移動而因應一施加至該第一電極層及第二電極層之至少一者；及一傳導匯流排層，其與該複數個結構互連，該傳導匯流排層之至少一部分電耦接至該複數個結構之該第一電極層或該第二電極層，其中該傳導匯流排層經組態以降低在一驅動器與該裝置之間的一電阻-電容時間常數。
  63. 如請求項62之裝置，其中該傳導匯流排層具有一低於該第一電阻或該第二電阻之第三電阻。
  64. 一種干涉式調變器裝置，其包括：複數個光調變器，每一光調變器包含一第一電極層、一第二電極層、及一反射性表面，其基本上平行於該第一電極層且耦接至該第二電極層，該第一電極層及該第二電極層具有一介於其中之區域，該反射性表面藉由沿一基本上垂直於該反射性表面之方向在該區域中移動而因應一施加至該第一電極層及第二電極層之至少一者之電壓；及一傳導匯流排層，其與該複數個光調變器互連，該傳導匯流排層之至少一部分電耦接至該複數個光調變器之該第一電極層或該第二電極層，其中該傳導匯流排層經組態以避免與該裝置之一光學效能之干擾。
  65. 一種機電裝置，其包括：多個結構之一陣列，每一結構包括： 一第一電極層；及一包括一第二電極層及一反射性表面之可移動層，該可移動層因應一施加橫跨該第一電極層及第二電極層之電壓而可在一向該第一電極層之方向變形，其中該陣列之該等第一電極層在一第一方向電串聯連接，且其中該陣列之該等第二電極層在一第二方向電串聯連接；及一傳導匯流排結構，電連接至與在該第一方向中該等第一電極層之間的電連接平行之該等第一電極層，或與在該第二方向中該等第二電極層之間的電連接平行之該等第二電極層。
  66. 如請求項65之裝置，其中該等第一電極層在該第一方向形成列及該等第二電極層在該第二方向形成列。
  67. 如請求項65之裝置，其中該等第一電極層在該第一方向形成行及該等第二電極層在該第二方向形成行。
  68. 如請求項65之裝置，其中該陣列之該等第一電極層在該第二方向彼此電絕緣及該陣列之該等第二電極層在該第一方向彼此電絕緣。
  69. 如請求項65之裝置，其中該等結構包括多個干涉式調變器。
  70. 如請求項69之裝置，其中每一結構進一步包括一光學堆疊，且該光學堆疊包括該第一電極層。
  71. 如請求項65之裝置，其中該傳導匯流排層具有一介於0.1微米與2微米之間之厚度。
  72. 如請求項65之裝置，其中該傳導匯流排層具有一介於4微米與10微米之間之寬度。
  73. 如請求項65之裝置，其中該第一電極層具有一介於300埃與2,000埃之間之厚度。
  74. 如請求項65之裝置，其進一步包括：一顯示器；及一與該顯示器通信之處理器，該處理器經組態以處理影像資料。
  75. 如請求項74之裝置，其進一步包括：一驅動電路，其經組態以將至少一個信號發送至該顯示器；及一控制器，其經組態以將該影像資料之至少一部分發送至該驅動電路。
  76. 如請求項74之裝置，其進一步包括一影像源，其經組態以向該處理器發送該影像資料。
  77. 如請求項76之裝置，其中該影像源包括一接收器及一收發器之至少一者。
  78. 如請求項74之裝置，其進一步包括一輸入裝置，其經組態以接收輸入資料並將該輸入資料傳送至該處理器。
  79. 一種製造一機電裝置之方法，該方法包含：形成多個結構之一陣列，每一結構包括：一第一電極層，及一包括一第二電極層及一反射性表面之可移動層，該可移動層因應一施加橫跨該第一電極層及第二電極層之電壓而可在一向該第一電極 層之方向變形，其中該陣列之該等第一電極層在一第一方向電串聯連接，且其中該陣列之該等第二電極層在一第二方向電串聯連接；及電連接一傳導匯流排結構至與在該第一方向中該等第一電極層之間的電連接平行之該等第一電極層，或與在該第二方向中該等第二電極層之間的電連接平行之該等第二電極層。
  80. 如請求項79之方法，其中該陣列之該等第一電極層在該第二方向彼此電絕緣及該陣列之該等第二電極層在該第一方向彼此電絕緣。
  81. 如請求項79之方法，其中該等結構包括多個干涉式調變器。
  82. 如請求項79之方法，進一步包含形成一光學堆疊，該光學堆疊包括該第一電極層。
  83. 如請求項79之方法，其中該傳導匯流排層具有一介於0.1微米與2微米之間之厚度。
  84. 如請求項79之方法，其中該傳導匯流排層具有一介於4微米與10微米之間之寬度。
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