JP5065487B2 - 機械的および電気的機能から分離された光学的機能を備えた微小電気機械デバイス - Google Patents
機械的および電気的機能から分離された光学的機能を備えた微小電気機械デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP5065487B2 JP5065487B2 JP2010515042A JP2010515042A JP5065487B2 JP 5065487 B2 JP5065487 B2 JP 5065487B2 JP 2010515042 A JP2010515042 A JP 2010515042A JP 2010515042 A JP2010515042 A JP 2010515042A JP 5065487 B2 JP5065487 B2 JP 5065487B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reflective
- deformable layer
- layer
- drive electrode
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 115
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 10
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 333
- 239000000463 material Substances 0.000 description 49
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 15
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 13
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 12
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 6
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 6
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 241000872198 Serjania polyphylla Species 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- IRLPACMLTUPBCL-KQYNXXCUSA-N 5'-adenylyl sulfate Chemical compound C1=NC=2C(N)=NC=NC=2N1[C@@H]1O[C@H](COP(O)(=O)OS(O)(=O)=O)[C@@H](O)[C@H]1O IRLPACMLTUPBCL-KQYNXXCUSA-N 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 238000009638 autodisplay Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- -1 but not limited to Substances 0.000 description 1
- OJIJEKBXJYRIBZ-UHFFFAOYSA-N cadmium nickel Chemical compound [Ni].[Cd] OJIJEKBXJYRIBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000007666 vacuum forming Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/001—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements based on interference in an adjustable optical cavity
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
- B81B3/0064—Constitution or structural means for improving or controlling the physical properties of a device
- B81B3/0083—Optical properties
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/04—Optical MEMS
- B81B2201/047—Optical MEMS not provided for in B81B2201/042 - B81B2201/045
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S359/00—Optical: systems and elements
- Y10S359/904—Micromirror
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
本発明は、機械的および電気的機能から分離された光学的機能を備えた微小電気機械デバイスに関する。
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）は、微小機械エレメント、アクチュエータおよびエレクトロニクスを備えている。微小機械エレメントは、付着プロセス、エッチングプロセス、および／または基板および／または付着した材料層の一部をエッチ除去し、あるいは電気デバイスおよび電気機械デバイスを形成するために層を追加する他の微小機械加工プロセスを使用して生成することができる。あるタイプのＭＥＭＳデバイスは分岐干渉変調器と呼ばれている。本明細書において使用される際、分岐干渉変調器または分岐干渉光変調器という用語は、光干渉の原理を使用して光を選択的に吸収および／または反射するデバイスを意味している。特定の実施形態では、分岐干渉変調器は、一対の導電プレートを備えることができ、そのうちの一方または両方を全面的または部分的に透明および／または反射性にすることができ、また、適切な電気信号を印加することによって相対運動させることができる。特定の実施形態では、一方のプレートは、基板の上に付着した固定層を備えることができ、また、もう一方のプレートは、エアギャップによって固定層から分離された金属膜を備えることができる。本明細書においてより詳細に説明するように、一方のプレートのもう一方のプレートに対する位置によって、分岐干渉変調器に入射する光の光干渉を変化させることができる。このようなデバイスは、広範囲にわたる用途を有しており、当分野においては、それらの特徴を利用して既存の製品を改善し、かつ、未だ開発されていない新しい製品を創造することができるよう、これらのタイプのデバイスの特性を利用および／または修正することが有利であると思われる。
特定の実施形態では、微小電気機械（ＭＥＭＳ）デバイスが、頂部表面を有する基板と、基板の上方の可動エレメントと、反射表面から横方向に配置された駆動電極とを備えている。可動エレメントは、変形可能層および変形可能層に機械的に結合された反射エレメントを備えている。反射エレメントは反射表面を備えている。可動エレメントは、基板の頂部表面に概ね直角の方向に移動することによって、駆動電極と可動エレメントの間に印加される電圧差に応答する。
特定の実施形態では、微小電気機械（ＭＥＭＳ）デバイスは、デバイスの一部を移動させるための手段と、移動手段をサポートするための手段と、移動手段を駆動するための手段とを備えている。移動手段は、変形させるための手段および反射させるための手段を備えている。駆動手段は、反射させる手段から横方向に配置されている。
特定の実施形態では、微小電気機械（ＭＥＭＳ）デバイスを製造する方法が、基板の上方に駆動電極を形成するステップと、駆動電極の上方に犠牲層を形成するステップと、犠牲層の上方に変形可能層を形成するステップと、変形可能層に機械的に結合された反射エレメントを犠牲層の上方に形成するステップと、犠牲層を除去するステップを含む。反射エレメントは、駆動電極から横方向に配置された反射表面を備えている。
特定の実施形態では、光を変調する方法が、基板、基板の上方の可動エレメントおよび駆動電極を備えたディスプレイエレメントを提供するステップを含む。可動エレメントは、変形可能層および反射エレメントを備えている。反射エレメントは変形可能層に機械的に結合されており、反射表面を備えている。駆動電極は反射表面から横方向に配置されている。この方法は、駆動電極に電圧を印加するステップをさらに含む。この電圧によって可動エレメントに引力が生成され、それにより基板に向かって可動エレメントが移動する。
以下の詳細な説明は、本発明のある特定の実施形態を対象としたものである。しかしながら、本発明は、多くの異なる方法で具体化することができる。以下の説明には図面が参照されており、図面の同様の数表示はすべての図を通して同様の部品を表している。以下の説明から明らかなように、これらの実施形態は、動画像（たとえばビデオ）であれあるいは静止画像（たとえばスチール画像）であれ、また、文字であれあるいは描画であれ、画像を表示するように構成された任意のデバイスの中で実施することができる。より詳細には、これらの実施形態は、それらに限定されないが、移動電話、無線デバイス、パーソナルデータアシスタント（ＰＤＡ）、ハンドヘルドすなわち携帯型コンピュータ、ＧＰＳレシーバ／ナビゲータ、カメラ、ＭＰ３プレーヤ、カムコーダ、ゲームコンソール、腕時計、時計、計算器、テレビジョンモニタ、フラットパネルディスプレイ、コンピュータモニタ、オートディスプレイ（たとえば走行距離計ディスプレイ、等々）、コックピットコントロールおよび／またはディスプレイ、カメラビューのディスプレイ（たとえば車両内のリアビューカメラのディスプレイ）、電子写真、電子ビルボードまたはサイン、プロジェクタ、建築構造、梱包および美感構造（たとえば一片の宝石上へのイメージの表示）などの様々な電子デバイスの中で実施することができ、あるいはこれらの電子デバイスと関連して実施することができることが企図されている。本明細書において説明されているＭＥＭＳデバイスと同様の構造のＭＥＭＳデバイスを電子スイッチングデバイスなどの非ディスプレイアプリケーションに使用することも可能である。さらに、本明細書におけるこれらの図は、すべて、特定のエレメント間の関係を描写するべく描かれており、したがって極めて図解的であり、スケール通りに描かれていると見なしてはならない。
特定の実施形態では、反射エレメントの反射表面から横方向に配置された駆動電極が提供されている。駆動電極は光路に配置されないため、透明ではない導体を備えることができ、また、より分厚くすることができ、したがって電力消費を改善することができる。いくつかの実施形態では、駆動電極は、駆動されると、反射表面ではなく変形可能層がＭＥＭＳデバイスの固定部分に接触するように、反射エレメントに機械的に結合された変形可能層に作用しており、そのため、スティクション、ばね定数、静電力およびコンデンサ面積が小さくなり、したがって高速で、かつ、低電力で動作させることができる。いくつかの実施形態では、駆動電極が光路に配置されないため、光学的な性能に影響を及ぼすことなく、駆動電極と変形可能層の間に表面をあらくする特徴および他のアンチスティクション特徴を形成することができる。いくつかの実施形態では、駆動されても反射表面と接触するものがないため、スティクションの危険を伴うことなく、反射表面を実質的に滑らかに、かつ、平らにすることができる。いくつかの実施形態では、反射表面が少なくとも３つの状態で安定するよう、変形可能層および／または反射表面の上方または下方に第２の駆動電極が提供されている。
図１は、分岐干渉ＭＥＭＳディスプレイエレメントを備えた一分岐干渉変調器ディスプレイ実施形態を示したものである。これらのデバイスの場合、ピクセルは、明るい状態にあるか、あるいは暗い状態にあるかのいずれかである。明るい（「オン」または「開」）状態では、ディスプレイエレメントは、入射する可視光の大部分を使用者に向かって反射する。暗い（「オフ」または「閉」）状態にある場合、ディスプレイエレメントは、入射する可視光を使用者に向かってほとんど反射しない。「オン」状態および「オフ」状態における光反射率特性は、実施形態に応じて反転させることができる。ＭＥＭＳピクセルは、選択された色を主として反射するように構成することができるため、黒および白に加えてカラー表示することができる。
図１は、視覚ディスプレイの一連のピクセルのうちの２つの隣接するピクセルを等角図で示したもので、ピクセルはそれぞれＭＥＭＳ分岐干渉変調器を備えている。いくつかの実施形態では、分岐干渉変調器ディスプレイは、これらの分岐干渉変調器の行／列アレイを備えている。分岐干渉変調器は、それぞれ、互いに可変で、かつ、制御可能な距離を隔てて配置された一対の反射層を備えており、少なくとも１つの可変寸法を備えた共鳴光学ギャップを形成している。一実施形態では、これらの反射層のうちの一方をこれらの２つの位置と位置の間で移動させることができる。本明細書においては弛緩位置と呼ばれている第１の位置には、可動反射層が固定部分反射層から比較的長い距離を隔てて配置される。本明細書においては駆動位置と呼ばれている第２の位置には、可動反射層が部分反射層により緊密に隣接して配置される。これらの２つの層で反射する入射光は、可動反射層の位置に応じて強め合って、あるいは弱め合って干渉し、ピクセル毎に総合反射状態または非反射状態のいずれかを生成する。
ピクセルアレイのうちの図１に示されている部分には、隣接する２つの分岐干渉変調器１２ａおよび１２ｂが含まれている。左側の分岐干渉変調器１２ａには、部分反射層を備えた光学スタック１６ａから所定の距離を隔てた弛緩位置に可動反射層１４ａが示されている。右側の分岐干渉変調器１２ｂには、光学スタック１６ｂに隣接する駆動位置に可動反射層１４ｂが示されている。
本明細書において参照されている光学スタック１６ａおよび１６ｂ（集合的に光学スタック１６と呼ばれている）は、通常、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）などの電極層を含むことができる複数の合成層、クロムなどの部分反射層および透明誘電体を備えている。したがって光学スタック１６は、導電性であり、部分的に透明であり、かつ、部分的に反射型であり、たとえば上記の層のうちの１つまたは複数の層を透明基板２０の上に付着させることによって製造することができる。部分反射層は、様々な金属、半導体および誘電体などの部分的に反射型である様々な材料から形成することができる。部分反射層は、１つまたは複数の材料層で形成することができ、これらの層の各々は、単一の材料または材料の組合せで形成することができる。
いくつかの実施形態では、光学スタック１６の層が平行条片にパターン化されており、以下でさらに説明するように、ディスプレイデバイスの中に行電極を形成することができる。可動反射層１４ａ、１４ｂは、ポスト１８およびポスト１８とポスト１８の間に付着された介在犠牲材料の頂部に付着された１つまたは複数の付着金属層（行電極１６ａ、１６ｂに対して直角をなしている）の一連の平行条片として形成することができる。犠牲材料がエッチ除去されると、画定されたギャップ１９によって可動反射層１４ａ、１４ｂが光学スタック１６ａ、１６ｂから分離される。反射層１４にはアルミニウムなどの高度に導電性で、かつ、反射型である材料を使用することができ、また、これらの条片は、ディスプレイデバイスの中に列電極を形成することができる。
電圧が印加されていない場合、図１のピクセル１２ａによって示されているように、ギャップ１９は、可動反射層１４ａと光学スタック１６ａの間に留まり、可動反射層１４ａは、機械的に弛緩した状態にある。しかしながら、選択された行および列に電位差が印加されると、対応するピクセルの行電極と列電極の交点に形成されるコンデンサが充電されるようになり、静電力によって電極が一体に引っ張られる。電圧が十分に高い場合、可動反射層１４が変形し、光学スタック１６に向かって強制される。光学スタック１６内の誘電体層（この図には示されていない）は、図１の右側のピクセル１２ｂによって示されているように、短絡を防止し、かつ、層１４と１６の間の分離距離を制御することができる。この挙動は、印加される電位差の極性には無関係に同じである。この方法の場合、反射型ピクセル状態対非反射型ピクセル状態を制御することができる行／列駆動は、多くの点で、従来のＬＣＤ技術および他のディスプレイ技術に使用されている行／列駆動に類似している。
図２ないし５Ｂは、分岐干渉変調器のアレイをディスプレイアプリケーションに使用するための一例示的プロセスおよびシステムを示したものである。
図２は、本発明の態様を組み込むことができる電子デバイスの一実施形態をシステムブロック図で示したものである。この例示的実施形態では、電子デバイスは、ＡＲＭ、Ｐｅｎｔｉｕｍ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ ＩＩ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ ＩＩＩ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ ＩＶ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ（登録商標）Ｐｒｏ、８０５１、ＭＩＰＳ（登録商標）、Ｐｏｗｅｒ ＰＣ（登録商標）、ＡＬＰＨＡ（登録商標）などの任意の汎用シングルチップまたはマルチチップマイクロプロセッサであっても、あるいはディジタル信号プロセッサ、マイクロコントローラまたはプログラム可能ゲートアレイなどの任意の専用マイクロプロセッサであってもよいプロセッサ２１を備えている。プロセッサ２１は、当分野における慣習に従って、１つまたは複数のソフトウェアモジュールを実行するように構成することができる。プロセッサは、オペレーティングシステムの実行に加えて、ウェブブラウザ、電話アプリケーション、電子メールプログラムまたは他の任意のソフトウェアアプリケーションを始めとする１つまたは複数のソフトウェアアプリケーションを実行するように構成することができる。
一実施形態では、プロセッサ２１は、また、アレイドライバ２２と通信するように構成されている。一実施形態では、アレイドライバ２２は、ディスプレイアレイすなわちパネル３０に信号を提供する行ドライバ回路２４および列ドライバ回路２６を備えている。図１に示されているアレイの断面は、線１−１によって図２に示されている。ＭＥＭＳ分岐干渉変調器の場合、行／列駆動プロトコルには、図３に示されているこれらのデバイスのヒステリシス特性を利用することができる。可動層を弛緩状態から駆動状態に変形させるためには、場合によってはたとえば１０ボルトの電位差が必要である。しかしながら、電圧がその値から低くなっても、可動層は、電圧が１０ボルト未満に降下した時点のその状態を維持する。図３の例示的実施形態の場合、可動層は、電圧が２ボルト未満に降下するまで完全に弛緩しない。したがって、図３に示されている例の場合、約３Ｖないし７Ｖの印加電圧の窓が存在しており、その中では、デバイスは、弛緩状態または駆動状態のいずれかで安定している。これは、本明細書においては、「ヒステリシス窓」または「安定窓」と呼ばれている。図３のヒステリシス特性を有するディスプレイアレイの場合、行／列駆動プロトコルは、行をストローブしている間、ストローブされた行の中の駆動すべきピクセルに約１０ボルトの電圧差が印加され、また、弛緩させるべきピクセルにゼロボルトに近い電圧差が印加されるように設計することができる。ストローブが終了すると、たとえどのような状態であっても、行ストローブによってそれらが置かれたその状態を維持するよう、約５ボルトの定常状態電圧差がピクセルに印加される。書込みが終了すると、この例では３〜７ボルトである「安定窓」内の電位差が個々のピクセルに印加される。この特徴が、図１に示されているピクセル設計を、駆動状態であれ、あるいは弛緩状態であれ、同じ印加電圧条件の下で既存の状態で安定したものにしている。分岐干渉変調器の個々のピクセルは、駆動状態であれ、あるいは弛緩状態であれ、本質的には、固定反射層および移動反射層によって形成されるコンデンサであるため、ヒステリシス窓内の電圧で、電力散逸をほとんど伴うことなくこの安定状態を保持することができる。印加される電位が一定である場合、本質的にはピクセルには電流は流れない。
典型的なアプリケーションの場合、第１の行の中の所望のセットの駆動ピクセルに従ってそのセットの列電極を表明することによってディスプレイフレームを生成することができる。次に、行１電極に行パルスが印加され、表明された列ラインに対応するピクセルが駆動される。次に、第２の行の中の所望のセットの駆動ピクセルに対応するよう、表明されたセットの列電極が変更される。次に、行２電極にパルスが印加され、表明された列電極に従って行２の中の該当するピクセルが駆動される。行１ピクセルは、行２パルスの影響を受けることはなく、行１パルスの間に設定された状態を維持する。連続するすべての行に対して逐次方式でこれを繰り返すことによってフレームを生成することができる。通常、フレームは、新しい表示データを使用して、１秒当たりいくつかの所望のフレーム数でこのプロセスを連続的に繰り返すことによってリフレッシュおよび／または更新される。ピクセルアレイの行電極および列電極を駆動し、それによりディスプレイフレームを生成するための広範囲にわたる様々なプロトコルも同じく良く知られており、本発明と共に使用することができる。
図４、５Ａおよび５Ｂは、図２の３×３アレイ上にディスプレイフレームを生成するための可能駆動プロトコルの１つを示したものである。図４には、図３のヒステリシス曲線を示すピクセルのために使用することができる列電圧レベルおよび行電圧レベルの可能セットが示されている。図４の実施形態の場合、ピクセルを駆動するためには、該当する列を−Ｖｂｉａｓに設定し、かつ、該当する行を＋ΔＶに設定する必要がある。−Ｖｂｉａｓおよび＋ΔＶは、それぞれ−５ボルトおよび＋５ボルトに対応していてもよい。ピクセルの弛緩は、該当する列を＋Ｖｂｉａｓに設定し、かつ、該当する行を同じ＋ΔＶに設定して、ピクセルの両端間にゼロボルトの電位差を生成することによって達成される。これらの行のうち、行電圧がゼロボルトに保持されている場合、その行のピクセルは、列が＋Ｖｂｉａｓであれ、あるいは−Ｖｂｉａｓであれ、それには無関係に、それらの最初の状態が何であれ安定である。また、同じく図４に示されているように、上で説明した極性とは逆の極性の電圧を使用することも可能であり、その場合、たとえばピクセルを駆動するためには、該当する列を＋Ｖｂｉａｓに設定し、かつ、該当する行を−ΔＶに設定しなければならないことになることは明らかであろう。この実施形態の場合、ピクセルの開放は、該当する列を−Ｖｂｉａｓに設定し、かつ、該当する行を同じ−ΔＶに設定して、ピクセルの両端間にゼロボルトの電位差を生成することによって達成される。
図５Ｂは、図２の３×３アレイに印加される、図５Ａに示されているディスプレイ構造が得られることになる一連の行信号および列信号のタイミング図を示したもので、駆動されるピクセルは非反射型である。図５Ａに示されているフレームを書き込む前のピクセルの状態は任意であり、この例では、すべての行が０ボルトに設定され、また、すべての列が＋５ボルトに設定されている。このような印加電圧を使用することにより、すべてのピクセルがそれらの既存の駆動状態または弛緩状態で安定である。
図５Ａのフレームでは、ピクセル（１、１）、（１、２）、（２、２）、（３、２）および（３、３）が駆動されている。これを達成するために、行１のための「ライン時間」の間、列１および２が−５ボルトに設定され、また、列３が＋５ボルトに設定される。すべてのピクセルが３〜７ボルトの安定窓内に留まっているため、この設定によっては、どのピクセルの状態も全く変化しない。次に、０ボルトから５ボルトまで立ち上がり、次にゼロに戻るパルスで行１がストローブされる。これにより（１、１）ピクセルおよび（１、２）ピクセルが駆動され、（１、３）ピクセルが弛緩する。アレイ内の他のピクセルは全く影響されない。必要に応じて行２を設定するために、列２が−５ボルトに設定され、また、列１および３が＋５ボルトに設定される。次に、行２に印加される同じストローブによってピクセル（２、２）が駆動され、ピクセル（２、１）およびピクセル（２、３）が弛緩する。この場合も、アレイの他のピクセルは全く影響されない。行３も、列２および３を−５ボルトに設定し、また、列１を＋５ボルトに設定することによって同様に設定される。行３ストローブによって、図５Ａに示されているように行３ピクセルが設定される。フレームの書込みが終了すると、行電位がゼロになり、また、列電位は、＋５ボルトまたは−５ボルトのいずれかを維持することができ、それにより図５Ａの構造でディスプレイが安定する。数十個または数百個の行および列のアレイにも同じ手順を使用することができることは理解されよう。また、行駆動および列駆動を実行するために使用される電圧のタイミング、シーケンスおよびレベルは、上でその概要を示した一般原理の範囲内で広範囲にわたって変更することができ、上に示した例は単なる例示的なものにすぎず、任意の駆動電圧方式を本明細書において説明されているシステムおよび方法と共に使用することができることについても理解されよう。
図６Ａおよび６Ｂは、ディスプレイデバイス４０の一実施形態をシステムブロック図で示したものである。ディスプレイデバイス４０は、たとえばセルラすなわち移動電話であってもよい。しかしながら、ディスプレイデバイス４０の同じコンポーネントまたはその若干異なる変形形態も、テレビジョンおよび携帯型メディアプレーヤなどの様々なタイプのディスプレイデバイスの実例である。
ディスプレイデバイス４０は、ハウジング４１、ディスプレイ３０、アンテナ４３、スピーカ４５、入力デバイス４８およびマイクロホン４６を備えている。ハウジング４１は、通常、当業者に良く知られている、射出成形および真空成形を始めとする任意の様々な製造プロセスを使用して形成される。また、ハウジング４１は、それらに限定されないが、プラスチック、金属、ガラス、ゴムおよびセラミックまたはそれらの組合せを始めとする任意の様々な材料から構築することも可能である。一実施形態では、ハウジング４１は、色が異なる他の取外し可能部分または異なるロゴ、ピクチャあるいはシンボルを含んだ他の取外し可能部分と交換することができる取外し可能部分（図示せず）を備えている。
例示的ディスプレイデバイス４０のディスプレイ３０は、本明細書において説明されている双安定ディスプレイを始めとする任意の様々なディスプレイであってもよい。他の実施形態では、ディスプレイ３０は、上で説明した、プラズマ、ＥＬ、ＯＬＥＤ、ＳＴＮ ＬＣＤまたはＴＦＴ ＬＣＤなどのフラットパネルディスプレイ、または当業者に良く知られているＣＲＴあるいは他の真空管デバイスなどの非フラットパネルディスプレイを備えている。しかしながら、ディスプレイ３０は、この実施形態の説明を目的として、本明細書において説明されている分岐干渉変調器ディスプレイを備えている。
図６Ｂは、例示的ディスプレイデバイス４０の一実施形態のコンポーネントの概要を示したものである。図に示されている例示的ディスプレイデバイス４０はハウジング４１を備えており、その中に少なくとも部分的に密閉された追加コンポーネントを備えることができる。たとえば、一実施形態では、例示的ディスプレイデバイス４０は、トランシーバ４７に結合されたアンテナ４３を備えたネットワークインタフェース２７を備えている。トランシーバ４７は、条件付けハードウェア５２に接続されているプロセッサ２１に接続されている。条件付けハードウェア５２は、信号を条件付ける（たとえば信号をフィルタリングする）ように構成することができる。条件付けハードウェア５２は、スピーカ４５およびマイクロホン４６に接続されている。また、プロセッサ２１は、入力デバイス４８およびドライバコントローラ２９に接続されている。ドライバコントローラ２９は、フレームバッファ２８およびアレイドライバ２２に結合されている。アレイドライバ２２は、ディスプレイアレイ３０に結合されている。電源５０は、特定の例示的ディスプレイデバイス４０設計に必要なすべてのコンポーネントに電力を提供している。
ネットワークインタフェース２７は、アンテナ４３およびトランシーバ４７を備えており、したがってこの例示的ディスプレイデバイス４０は、ネットワークを介して１つまたは複数のデバイスと通信することができる。また、一実施形態では、ネットワークインタフェース２７は、プロセッサ２１の要求事項を軽減するためのいくつかの処理機能を有することも可能である。アンテナ４３は、当業者に知られている、信号を送受信するための任意のアンテナである。一実施形態では、アンテナは、ＩＥＥＥ ８０２．１１（ａ）、（ｂ）または（ｇ）を含むＩＥＥＥ ８０２．１１規格に従ってＲＦ信号を送受信している。他の実施形態では、アンテナは、ＢＬＵＥＴＯＯＴＨ規格に従ってＲＦ信号を送受信している。セルラ電話の場合、アンテナは、ＣＤＭＡ、ＧＳＭ、ＡＭＰＳまたは無線セル電話ネットワーク内での通信に使用される他の知られている信号を受信するように設計される。トランシーバ４７は、プロセッサ２１が受け取り、かつ、さらに操作することができるよう、アンテナ４３から受け取った信号を予備処理している。また、トランシーバ４７は、アンテナ４３を介して例示的ディスプレイデバイス４０から送信することができるよう、プロセッサ２１から受け取った信号を処理している。
代替実施形態では、トランシーバ４７をレシーバに置き換えることができる。さらに他の代替実施形態では、ネットワークインタフェース２７を、プロセッサ２１に送信されるイメージデータを記憶し、あるいは生成することができるイメージソースに置き換えることができる。イメージソースは、たとえば、ディジタルビデオディスク（ＤＶＤ）またはイメージデータを含んだハードディスクドライブあるいはイメージデータを生成するソフトウェアモジュールであってもよい。
プロセッサ２１は、通常、例示的ディスプレイデバイス４０の動作を総合的に制御している。プロセッサ２１は、ネットワークインタフェース２７またはイメージソースから圧縮イメージデータなどのデータを受け取り、受け取ったデータを生イメージデータに処理し、あるいは容易に生イメージデータに処理することができるフォーマットに処理している。プロセッサ２１は、次に、処理したデータをドライバコントローラ２９に送信し、あるいは記憶するためにフレームバッファ２８に送信する。生データは、一般に、イメージ内の個々の位置におけるイメージ特性を識別する情報と呼ばれている。たとえば、このようなイメージ特性は、色、飽和およびグレースケールレベルを含むことができる。
一実施形態では、プロセッサ２１は、例示的ディスプレイデバイス４０の動作を制御するためのマイクロコントローラ、ＣＰＵまたは論理ユニットを備えている。条件付けハードウェア５２は、通常、信号をスピーカ４５に送信し、また、マイクロホン４６から信号を受信するための増幅器およびフィルタを備えている。条件付けハードウェア５２は、例示的ディスプレイデバイス４０内の離散コンポーネントであってもよく、あるいはプロセッサ２１または他のコンポーネント内に組み込むことも可能である。
ドライバコントローラ２９は、プロセッサ２１によって生成される生イメージデータをプロセッサ２１から直接受け取るか、あるいはフレームバッファ２８から受け取り、受け取った生イメージデータをアレイドライバ２２に高速転送するために適切に書式変更している。詳細には、ドライバコントローラ２９は、ディスプレイアレイ３０全体を走査するのに適した時間順序を有するよう、ラスタ様フォーマットを有するデータフローに生イメージデータを書式変更している。ドライバコントローラ２９は、次に、フォーマット化された情報をアレイドライバ２２に送信する。ＬＣＤコントローラなどのドライバコントローラ２９は、しばしば、独立型集積回路（ＩＣ）としてシステムプロセッサ２１に結合されているが、このようなコントローラは、多くの方法で実施することができる。それらは、ハードウェアとしてプロセッサ２１の中に埋め込むことも、ソフトウェアとしてプロセッサ２１の中に埋め込むことも、あるいはハードウェアの中にアレイドライバ２２と共に完全に統合することも可能である。
通常、アレイドライバ２２は、ドライバコントローラ２９からフォーマット化された情報を受け取ってビデオデータを並列波形セットに書式変更しており、この並列波形セットがディスプレイのｘ−ｙマトリックスのピクセルからの数百、場合によっては数千に及ぶリード線に、１秒当たり多数回にわたって印加される。
一実施形態では、ドライバコントローラ２９、アレイドライバ２２およびディスプレイアレイ３０は、本明細書において説明されているあらゆるタイプのディスプレイに適している。たとえば、一実施形態では、ドライバコントローラ２９は、従来のディスプレイコントローラまたは双安定ディスプレイコントローラ（たとえば分岐干渉変調器コントローラ）である。他の実施形態では、アレイドライバ２２は、従来のドライバまたは双安定ディスプレイドライバ（たとえば分岐干渉変調器ディスプレイ）である。一実施形態では、ドライバコントローラ２９は、アレイドライバ２２と共に統合されている。このような実施形態は、セルラ電話、時計および他の微小面積ディスプレイなどの高度に集積化されたシステムではごく当たり前である。さらに他の実施形態では、ディスプレイアレイ３０は、典型的なディスプレイアレイまたは双安定ディスプレイアレイ（たとえば分岐干渉変調器のアレイを備えたディスプレイ）である。
入力デバイス４８は、使用者による例示的ディスプレイデバイス４０の動作の制御を可能にしている。一実施形態では、入力デバイス４８は、ＱＷＥＲＴＹキーボードまたは電話キーパッドなどのキーパッド、ボタン、スイッチ、タッチセンシティブスクリーンまたは圧力感応膜あるいは熱感応膜を備えている。一実施形態では、マイクロホン４６は、例示的ディスプレイデバイス４０のための入力デバイスである。マイクロホン４６を使用してデバイスにデータを入力する場合、使用者は、例示的ディスプレイデバイス４０の動作を制御するための音声コマンドを提供することができる。
電源５０は、当分野で良く知られている様々なエネルギー蓄積デバイスを備えることができる。たとえば、一実施形態では、電源５０は、ニッケルカドミウム電池またはリチウムイオン電池などの蓄電池である。他の実施形態では、電源５０は、再生可能エネルギー源、コンデンサまたはプラスチック太陽電池および太陽電池ペイントを始めとする太陽電池である。他の実施形態では、電源５０は、壁付きコンセントから電力を受け取るように構成されている。
いくつかの実施形態では、制御プログラム可能性は、上で説明したように、電子ディスプレイシステム内の複数の場所に配置することができるドライバコントローラ内に存在している。いくつかの実施形態では、制御プログラム可能性は、アレイドライバ２２内に存在している。上で説明した最適化は、任意の数のハードウェアコンポーネントおよび／またはソフトウェアコンポーネントの中で、様々な構成で実施することができることは当業者には認識されよう。
上で説明した原理に従って動作する分岐干渉変調器の構造の細部は、広範囲に変更することができる。たとえば図７Ａ〜７Ｅは、可動反射層１４およびそのサポート構造の５つの異なる実施形態を示したものである。図７Ａは、図１の実施形態の断面図であり、直角に展開しているサポート１８の上に金属材料１４の条片が付着されている。図７Ｂでは、可動反射層１４は、サポートの隅のテザー３２のみに取り付けられている。図７Ｃでは、可動反射層１４は、可撓性金属から構成することができる変形可能層３４から懸垂されている。変形可能層３４は、その周囲が基板２０に直接または間接的に接続されている。これらの接続は、本明細書においては、サポートポストと呼ばれている。図７Ｄに示されている実施形態は、サポートポストプラグ４２を有しており、その上に変形可能層３４が載っている。可動反射層１４は、図７Ａ〜７Ｃに示されているように、ギャップの上方に懸垂された状態を維持しているが、変形可能層３４は、この変形可能層３４と光学スタック１６の間の孔を充填することによってサポートポストを形成していない。その代わりに、サポートポストプラグ４２を形成するために使用される平坦化材料でサポートポストが形成されている。図７Ｅに示されている実施形態は、図７Ｄに示されている実施形態に基づいているが、図７Ａ〜７Ｃに示されているすべての実施形態、ならびに図には示されていない追加実施形態と共に動作するように適合させることも可能である。図７Ｅに示されている実施形態では、金属または他の導電材料の追加層を使用してバス構造４４が形成されている。そのため、分岐干渉変調器の背面に沿って信号を経路化することができ、したがって、そうでないと基板２０の上に形成しなければならないことになる多くの電極が除去される。
図７に示されている実施形態などの実施形態では、分岐干渉変調器は、イメージが透明基板２０の前面側から観察され、その反対側に変調器が配置される直視デバイスとして機能している。これらの実施形態では、反射層１４は、反射層の基板２０とは反対側の、変形可能層３４を含む側の分岐干渉変調器部分を光学的に遮蔽している。したがって、画像品質に悪影響を及ぼすことなく遮蔽領域を構成し、かつ、動作させることができる。このような遮蔽が、アドレス指定およびそのアドレス指定によって生じる運動などの変調器の電気機械特性から変調器の光学特性を分離する能力を提供する図７Ｅのバス構造４４を可能にしている。この分離可能な変調器アーキテクチャにより、変調器の電気機械的な面および光学的な面のために使用される構造設計および材料を選択することができ、かつ、互いに独立して機能させることができる。さらに、図７Ｃ〜７Ｅに示されている実施形態は、変形可能層３４によって実行される反射層１４の光学特性と機械特性の分離によって得られる追加利点を有している。この追加利点により、反射層１４のために使用される構造設計および材料を光学特性に対して最適化することができ、また、変形可能層３４のために使用される構造設計および材料を所望の機械特性に対して最適化することができる。
特定の実施形態では、駆動電極を反射エレメントの反射表面から横方向に配置することにより、可動エレメントの光学特性が可動エレメントの電気的特性および機械的特性の両方から分離されている。このような実施形態の場合、可動エレメントは、基板の頂部表面に概ね直角の方向に移動することによって、駆動電極と可動エレメントの間に印加される電圧差に応答する。詳細には、反射エレメント１４ではなく変形可能層３４が静電力によって駆動電極に向かって引き付けられる。反射エレメント１４は、変形可能層３４が駆動電極に向かって引き付けられると、反射エレメント１４が同じく基板の頂部表面に概ね直角の方向に移動するように、変形可能層３４に機械的に結合されている。特定の実施形態では、駆動電極と可動エレメントの間に電圧差を印加することにより、変形可能層３４が変位し、かつ、変形可能層３４の変位に対して平行に反射エレメント１４の反射表面が変位する。
図８Ａは、ＭＥＭＳデバイス８００（たとえば分岐干渉変調器）の一実施形態例の上面図を示したもので、可動エレメント８１０の光学特性が可動エレメント８１０の電気的特性および機械的特性の両方から分離されている。図９Ａ〜９Ｈは、図８ＡのＭＥＭＳデバイス８００の一実施形態例の断面図を示したものである。図９Ａは、ＭＥＭＳデバイス８００が非駆動状態（つまり「弛緩」状態）にある場合の線Ａ−Ａに沿って取った断面図であり、また、図９Ｃは、同じ状態の線Ｃ−Ｃに沿って取った断面図である。図９Ｂおよび９Ｄは、それぞれ、ＭＥＭＳデバイス８００が駆動状態にある場合の線Ａ−ＡおよびＣ−Ｃに沿った断面図を示したものである。図９Ｅは、ＭＥＭＳデバイス８００が非駆動状態にある場合の線Ｅ−Ｅに沿って取った断面図であり、また、図９Ｇは、同じ状態の線Ｇ−Ｇに沿って取った断面図である。図９Ｆおよび９Ｈは、それぞれ、ＭＥＭＳデバイス８００が駆動状態にある場合の線Ｅ−ＥおよびＧ−Ｇに沿った断面図を示したものである。
ＭＥＭＳデバイス８００は、頂部表面８８を有する基板２０を備えており、また、基板２０の上方に可動エレメント８１０を備えている。可動エレメント８１０は、変形可能層３４および変形可能層３４に機械的に結合された、反射表面９２を備えた反射エレメント８１４を備えている。ＭＥＭＳデバイス８００は、さらに、反射表面９２から横方向に配置された駆動電極８２を備えている。可動エレメント８１０は、基板２０の頂部表面８８に概ね直角の方向に移動することによって、駆動電極８２と可動エレメント８１０の間に印加される電圧差に応答する。
特定の実施形態では、ＭＥＭＳデバイス８００は、駆動電極８２に電圧を印加することによって光を変調する（たとえば分岐干渉的に光を変調する）ために使用することができる。この電圧によって可動エレメント８１０に引力が生成され、それにより駆動電極８２に向かって可動エレメント８１０が移動する。
基板２０は、少なくとも部分的に透明または半透明で、かつ、少なくとも部分的に反射型の材料からなっていてもよく、このような材料の例には、それらに限定されないが、ガラスまたはプラスチックがある。また、基板２０は、それらに限定されないが、均質な実体または非均質な実体、あるいは一様な厚さまたは非一様な厚さを有する形態を始めとする様々な形態で製造することができる。また、基板２０は、いくつかの副層、より短い広がりすなわち領域、あるいは複数の広がりすなわち領域を有することも可能である。特定の実施形態では、基板２０は、上で説明した光学スタック１６を備えている。たとえば、基板２０は、第１の反射層９４、ブラックマスク（図示せず）または他の層あるいは構造と共に統合することができる。
本明細書において使用される際、「基板の頂部表面」という表現は、それには限定されないが、反射エレメント８１４の反射表面９２の下方の構造の一番上の表面を含む広義の表現である。たとえば、それらに限定されないが、基板２０の頂部表面８８は、基板２０自体の頂部表面、絶縁層８６の頂部表面、絶縁層８７（たとえば図１０Ｃ、１０Ｄ、１１Ｃおよび１１Ｄに示されている）の頂部表面、第１の反射層９４（たとえば図９Ｃ、９Ｄ、９Ｇおよび９Ｈに示されている）の頂部表面あるいはブラックマスクの頂部表面であってもよい。特定の実施形態では、基板２０の頂部表面８８は、１つまたは複数の絶縁構造（たとえば駆動電極８２および／または第１の反射層９４の上に配置された絶縁バンプまたは導電バンプ）の頂部表面である。
変形可能層３４は、導電性可撓材料（たとえばニッケル）からなっていることが好ましい。いくつかの実施形態では、変形可能層３４は、上で説明した駆動プロトコルを実施するために、ＭＥＭＳデバイス８００の行を横切って展開しており（たとえば図８Ｂに示されているように）、また、一行のＭＥＭＳデバイス８００の変形可能層３４は、ＭＥＭＳデバイス８００の他の行の変形可能層３４から電気的に分離されている。いくつかの実施形態では、変形可能層３４は、上で説明した駆動プロトコルを実施するために、ＭＥＭＳデバイス８００の列を横切って展開しており、また、一列のＭＥＭＳデバイス８００の変形可能層３４は、ＭＥＭＳデバイス８００の他の列の変形可能層３４から電気的に分離されている。反射エレメント８１４は、必ずしも何らかの特定の電気特性を有している必要はないが、反射エレメント８１４の反射表面９２は、アルミニウムなどの反射型材料からなっていることが好ましい。本明細書において使用される際、「反射表面」という用語は、それには限定されないが、反射エレメント８１４のうちの光を反射するように構成された部分を含む広義の用語である。図９Ａ〜９Ｈに示されている実施形態では、可動エレメント８１０は、変形可能層３４の頂部表面に機械的に結合された反射エレメント８１４を備えている。他の構成も可能である（たとえば図１０Ａ〜１１Ｄに示されている実施形態）。
特定の実施形態では、可動エレメント８１０は、１つまたは複数の接続エレメント８４を備えており、反射エレメント８１４は、１つまたは複数の接続エレメント８４によって変形可能層３４に機械的に結合されている。いくつかの実施形態では、接続エレメント８４は、反射エレメント８１４から展開している、変形可能層３４に機械的に結合された少なくとも１つの突起を備えている（たとえば図８Ａに示されているように）。接続エレメント８４は、適切な機械的特性を有する材料からなっていることが好ましいが、必ずしも何らかの特定の光学的および／または電気的特性を接続エレメント８４に持たせる必要はない。たとえば、特定の実施形態の接続エレメント８４は、反射エレメント８１４のバルクの内部応力および／または熱膨張率と同様の内部応力および／または熱膨張率を有する材料からなっている。特定の実施形態では、接続エレメント８４は、反射エレメント８１４および変形可能層３４の材料と合成することができる材料からなっている。特定の実施形態では、アルミニウムの層が反射エレメント８１４の接続エレメント８４および反射表面９２を構成している。
いくつかの実施形態では、変形可能層３４はポスト１８によってサポートされている。ポスト１８は酸化物（たとえばＳｉＯ２）からなっていることが好ましいが、適切な任意の剛直材料からなっていてもよい。図９Ａ〜９Ｈに示されている変形可能層３４は、図７Ａおよび７Ｄの変形可能層３４の場合と同様の方法でポスト１８によってサポートされているが、変形可能層３４の構成は、図７Ｂ、７Ｃおよび７Ｅに示されている実施形態または他の構成に対応させることも可能であることは理解されよう。
駆動電極８２は図８Ａおよび８Ｂには破線で示されており、いくつかの実施形態では駆動電極８２の少なくとも一部が変形可能層３４の少なくとも一部の下方に位置していることを示している（たとえば図９Ａ〜９Ｈの断面図に示されているように）。特定の実施形態では、ＭＥＭＳデバイス８００は、複数の駆動電極８２を備えている（たとえば駆動電極８２の各々の少なくとも一部は変形可能層３４の少なくとも一部の下方に位置している）。駆動電極８２は、駆動電極８２が可動エレメント８１０および第１の反射層９４から絶縁されるよう、絶縁層８６、８７（たとえばＳｉＯ２からなっている）によって覆われている（たとえば封入されている）ことが好ましい。絶縁層８６、８７は、同じ材料（たとえばＳｉＯ２）からなっていても、あるいは異なる材料（たとえばＳｉＯ２とＡｌ２Ｏ３）からなっていてもよい。駆動電極８２は、上で説明した駆動プロトコルを実施するために、ＭＥＭＳデバイス８００の列と列の間に接続することができ（たとえば図８Ｂに示されているように）、あるいはＭＥＭＳデバイス８００の行と行の間に接続することができる。
駆動電極８２は、反射エレメント８１４の反射表面９２から横方向に配置されており、したがって有利には駆動電極８２を上で説明したＩＴＯなどの透明な導体ではなく、不透明な導体から構成することができる。さらに、不透明な駆動電極８２を使用することができるため、透明導体より抵抗が小さい材料を使用して駆動電極８２を形成することができ、したがって電力消費が少なくなり、また、応答時間τが短くなる。たとえば、駆動電極８２は、ニッケル、アルミニウム、銅、銀、金およびそれらの合金からなっていてもよい。さらに、駆動電極８２を反射表面９２から横方向に配置することにより、特定の実施形態では、透明導体が光路内に配置される実施形態と比較すると、より良好なコントラスト比が有利に提供される。
ＩＴＯなどの特定の透明導体は高温プロセスに対して敏感であり、そのため、駆動電極８２が形成された後のＭＥＭＳデバイスの最大処理温度が制限されている。たとえばＩＴＯは約３５０℃以上の温度で劣化し、ＩＴＯからなる駆動電極の抵抗率が大きくなる。したがって特定のプロセス（たとえば温度が３５０℃より高い化学気相成長（ＣＶＤ））は、一般的にはＩＴＯからなる構造に対しては実施されない。しかしながら、反射表面９２から横方向に配置された駆動電極８２を備えたＭＥＭＳデバイスは、高温処理に耐えることができる様々な導体からなる駆動電極８２を有することができ、したがってＭＥＭＳデバイス８００のコンポーネントのプロセス柔軟性を改善することができる。たとえば、特定の付着（たとえばサポート構造１８の付着）は高温で実施することができる。他の例の場合、特定の付着プロセスは、物理気相成長（ＰＶＤ）（たとえばスパッタ）ではなく、付着の整合性および一様性を改善することができるＣＶＤであってもよい。
光路内における駆動電極の厚さは、ＭＥＭＳデバイスの光学特性に対する悪影響を回避するために制限されているが、反射表面９２から横方向に配置された駆動電極８２は光路内に配置されないため、様々な厚さを有することができる。駆動電極の厚さを分厚くすることができるため、たとえば導電率を有利に大きくすることができ、したがってＭＥＭＳデバイスの応答時間および／または電力消費が低減される。さらに、駆動電極８２を分厚くすることにより、製造コストを下げることができる代替付着方法（たとえばコーティング、インクジェット印刷、印刷可能導体）の使用が可能になる。
もう一度図８Ａを参照すると、反射エレメント８１４の反射表面９２は、駆動電極８２から横方向に配置されている。図７Ａ〜７Ｅに関連して上で説明したＭＥＭＳデバイスとは対照的に、可動エレメント８１０のうちの静電力による電気引力に遭遇する部分は光を変調していない。いくつかの実施形態では、ＭＥＭＳデバイス８００の部分のうちの、光の望ましくない変調を防止するために可動エレメント８１０が電気引力に遭遇する部分の基板２０の上にブラックマスク（図示せず）が配置されている（たとえば基板２０と駆動電極８２の間に）。いくつかの実施形態では、たとえば光を変調しない領域の反射率を最小化し、それによりコントラスト比を改善するために、反射エレメント８１４によって覆われていない領域の基板２０の上にブラックマスク（図示せず）が配置されている（たとえばサポート構造１８の下方の駆動電極８２と反射表面９２の間に）。
上で説明したように、変形可能層３４は、静電力によって駆動電極８２に向かって引き付けることができる可撓性材料からなっている。したがって駆動電極８２に電圧が印加されると、静電力によって変形可能層３４が駆動電極８２に向かって引き付けられる。この方向は、図に示されている実施形態では同じく基板２０に向かう方向である。この引力に応答して、変形可能層３４のうちのポスト１８によってサポートされていない部分が矢印９６の方向に偏向する（たとえば図９Ｂ、９Ｄ、９Ｆおよび９Ｇに示されているように）。反射エレメント８１４は変形可能層３４に機械的に結合されているため、この反射エレメント８１４も、駆動電極８２に印加される電圧に応答して同じく矢印９６の方向に移動する。したがって可動エレメント８１０は、基板２０の頂部表面８８に概ね直角の方向に移動する。
図８Ｂは、図８ＡのＭＥＭＳデバイス８００の３×３アレイを示したものである。変形可能層３４は、上で説明した駆動プロトコルを実施するために、左側から右側までの行の中で接続されており、また、駆動電極８２は、上から下までの列の中で接続されている。特定の実施形態では、駆動電極８２が、左側から右側までの行の中で接続されており、また、変形可能層３４が、上から下までの列の中で接続されている。いくつかの実施形態では、サポート構造１８は、複数のＭＥＭＳデバイス８００の変形可能層３４をサポートしている（たとえば一番上の行と真中の行の間に示されているように）。いくつかの実施形態では、サポート構造１８は、１つのＭＥＭＳデバイス８００の変形可能層３４をサポートしている（たとえば真中の行と一番下の行の間に示されているように）。いくつかの実施形態では、ＭＥＭＳデバイス８００の行と行の間を展開している駆動電極８２の一部は、変形可能層３４の実質的に下方にのみ位置している（たとえば一番上の行と真中の行の間に示されているように）。いくつかの実施形態では、ＭＥＭＳデバイス８００の行と行の間を展開している駆動電極８２の一部は、変形可能層３４および変形可能層３４と変形可能層３４の間の領域の実質的に下方に位置している（たとえば真中の行と一番下の行の間に示されているように）。
図９Ａ〜９Ｈに示されている実施形態では、反射エレメント８１４は、変形可能層３４の頂部表面に機械的に結合されている。しかしながら、他の結合方法も可能である。
図１０Ａは、ＭＥＭＳデバイス８００が非駆動状態にある場合の図８Ａの線Ａ−Ａに沿って取ったＭＥＭＳデバイス８００の他の実施形態例の断面図であり、また、図１０Ｃは、同じ状態の図８Ａの線Ｃ−Ｃに沿って取った断面図である。図１０Ｂおよび１０Ｄは、それぞれ、ＭＥＭＳデバイス８００が駆動状態にある場合の線Ａ−ＡおよびＣ−Ｃに沿った断面図を示したものである。図８Ａに示されている平面図では、接続エレメント８４は変形可能層３４と重畳している。しかしながら、図１０Ａ〜１０Ｄに示されている実施形態では、反射エレメント８１４の縁または側面は、変形可能層３４に隣接しているが重畳していない接続エレメント８４を介して変形可能層３４の縁または側面に機械的に結合されている。図１０Ｂの破線は、変形可能層３４と接続エレメント８４の間の接触領域が変形可能層３４の後側に存在していることを示している。他の実施形態も可能である。たとえば、接続エレメント８４の複数の側面を変形可能層３４の複数の側面に隣接させることができる。可動エレメント８１０は、ＭＥＭＳデバイス８００が駆動状態にある場合に、反射エレメント８１４の反射表面９２と基板２０の頂部表面８８が接触しないように構成されている（たとえば図１０Ｄに示されているように）。たとえば、反射エレメント８１４は、変形可能層３４が基板２０の頂部表面８８と接触し、一方、反射表面９２は基板２０の頂部表面８８とは接触しないようよう、変形可能層３４より薄くすることができ（たとえば図１０Ｃおよび１０Ｄに示されているように）、あるいは反射表面９２と基板２０の頂部表面８８の間の接触を回避するために変形可能層３４を特殊な形状にすることができる（たとえば垂直方向に隆起した部分を持たせることができる）。図８Ａの線Ｅ−ＥおよびＧ−Ｇに沿って取った断面などの断面は、図１０Ａ〜１０Ｄおよび９Ａ〜９Ｈの断面図から当業者には明らかであろう。
図１１Ａは、ＭＥＭＳデバイス８００が非駆動状態にある場合の図８Ａの線Ａ−Ａに沿って取ったＭＥＭＳデバイス８００の他の実施形態例の断面図であり、また、図１１Ｃは、同じ状態の図８Ａの線Ｃ−Ｃに沿って取った断面図である。図１１Ｂおよび１１Ｄは、それぞれ、ＭＥＭＳデバイス８００が駆動状態にある場合の線Ａ−ＡおよびＣ−Ｃに沿った断面図を示したものである。線Ｅ−ＥおよびＧ−Ｇに沿った断面は、図９Ｅ〜９Ｈの断面図から当業者には明らかであろう。反射エレメント８１４は、変形可能層３４の底部表面に機械的に結合されている。しかしながら、可動エレメント８１０は、ＭＥＭＳデバイス８００が駆動状態にある場合に、反射エレメント８１４の反射表面９２と基板２０の頂部表面８８が接触しないように構成されている。たとえば変形可能層３４は、垂直方向に隆起した、反射エレメント８１４に結合された部分１１０２を備えることができる（たとえば図１１Ａおよび１１Ｂに示されているように）。他の構成も可能である。
図９Ａ〜９ＨのＭＥＭＳデバイス８００の変形可能層３４は、ＭＥＭＳデバイス８００が駆動状態にある場合、変形可能層３４とＭＥＭＳデバイス８００の固定部分（たとえば基板２０の頂部表面８８、絶縁層８７の頂部表面）が接触するように構成されている。しかしながら、図９Ｃ、９Ｄ、９Ｇおよび９Ｈに示されているように、反射エレメント８１４の反射表面９２は、それぞれ弛緩状態にあるにせよ、あるいは駆動状態にあるにせよ、基板２０の頂部表面８８とは接触しない。反射エレメント８１４の反射表面９２と基板２０の頂部表面８８の間の距離は、変形可能層３４と基板２０の頂部表面８８の間の距離より長い。可動エレメント８１０の反射表面９２と基板２０の頂部表面８８が接触しない実施形態によれば、変形可能層３４と基板２０の頂部表面８８の間の機械的な接触面積がより小さくなるため、スティクションの危険が有利に低減される。スティクションの危険が減少すると、機械力が打ち勝つのは変形可能層３４と駆動状態における固定部分との間の小さい接触面積の粘着力のみであるため（たとえばＭＥＭＳデバイス８００を弛緩させるために）、より小さいばね定数を変形可能層３４に使用することができる。より小さいばね定数を変形可能層３４に使用することができるため、より少量の静電力を使用して弛緩状態における機械力に打ち勝つことができる（たとえばＭＥＭＳデバイス８００を駆動するために）。より少量の静電力を使用してＭＥＭＳデバイス８００を駆動することができるため、延いてはより小さいコンデンサを駆動することができる。したがって、特定のこのような実施形態は、たとえ反射エレメント８１４が大きい場合であっても、駆動電極８２と変形可能層３４の重畳面積によるＭＥＭＳデバイス８００のキャパシタンスの方が、可動エレメント８１０のより大きい部分が駆動電極８２と相互作用して静電引力を生成する実施形態のキャパシタンスより小さいため、ＭＥＭＳデバイス８００を高速で、かつ、少ない電力で動作させることができる。その上、有利には、反射エレメント８１４と基板２０の頂部表面８８が接触しないため、また、反射エレメント８１４が駆動時の静電力によって動作的に引き付けられないため、反射エレメント８１４の寸法は、機械エレメントおよび電気的エレメント（たとえば変形可能層３４および駆動電極８２）の寸法とは無関係である。さらに、ＭＥＭＳデバイス８００の駆動状態または非駆動状態のいずれかの状態において、反射表面９２と基板２０の頂部表面８８が接触しない場合、スティクションの危険が著しく小さくなるため、反射エレメント８１４の反射表面９２を滑らかに、かつ、平らにすることができる。反射表面９２をより滑らかに、かつ、より平らにすることにより、カラーガムトを有利に改善することができる。
反射表面９２および頂部表面８８が平らな実施形態の場合（たとえばカラーガムトを改善するために）、それらの表面と表面の間のスティクションは、それらが接触するＭＥＭＳデバイスの動作に不利な影響を及ぼすことがある。表面をあらくし、また、アンチスティクション層を設けるなどの特定の特徴を使用してこのようなスティクションを抑制することができるが、これらの特徴は、ＭＥＭＳデバイスの光学性能に悪影響を及ぼす可能性がある。しかしながら、変形可能層３４と固定部分が接触する実施形態（たとえば図９Ｂおよび９Ｄに示されているような実施形態）の場合、駆動電極８２を反射表面９２から横方向に配置することにより、光学性能に影響を及ぼすことなくスティクションが抑制されるように変形可能層３４の下部表面および／または光路内に配置されていない固定部分の上部表面を適合させることができる。たとえば、表面の表面トポロジーをあらくすることによって接触点の数を少なくすることができ、あるいはそれらの間にアンチスティクション層を形成することができる。
反射エレメント８１４および第１の反射層９４は、あらゆる静電力を小さくし、あるいはアークを発生する可能性があるそれらの間の電界を小さくするためには、それらを同じ電位にすることが好ましい。特定の実施形態では、反射エレメント８１４は、反射エレメント８１４と第１の反射層９４が同じ電位になるように変形可能層３４を介して第１の反射層９４に電気的に結合されている。特定の実施形態では、反射エレメント８１４は変形可能層３４から絶縁されており（たとえば誘電体接続エレメント８４を使用して）、また、第１の反射層９４もそれらが同じ電位になるように絶縁されている。
また、変形可能層３４と基板２０の頂部表面８８の間の距離が反射エレメント８１４の反射表面９２と基板２０の頂部表面８８の間の距離より長い実施形態も可能である。図１２Ａ〜１２Ｃは、それぞれ、ＭＥＭＳデバイス８００が駆動状態になると反射エレメント８１４の反射表面９２と基板２０の頂部表面８８が接触する点を除き、図９Ｄ、１０Ｄおよび１１Ｄと同様の実施形態を示したものである。特定の実施形態では、反射表面９２と基板２０の頂部表面８８の間の接触が、ＭＥＭＳデバイス８００が反射率が小さい（つまりより暗い）ブラックを有利に生成するアプリケーションにおけるこのＭＥＭＳデバイス８００の使用を可能にしている。基板２０の頂部表面８８が約９０ｎｍと１１０ｎｍの間（たとえば約１００ｎｍ）の厚さを有する絶縁層８７を備えている場合、ＭＥＭＳデバイス８００は、反射表面９２と基板２０の頂部表面８８が接触すると、反射率が小さいブラックを生成することができる。特定の実施形態では、反射表面９２と基板２０の頂部表面８８の間の接触が、ＭＥＭＳデバイス８００が反射率が大きい広帯域ホワイトを有利に生成するアプリケーションにおけるこのＭＥＭＳデバイス８００の使用を可能にしている。基板２０の頂部表面８８が第１の反射層９４を備えている場合（たとえば絶縁層８７を備えていない場合、あるいは約１００Å未満の厚さを有する絶縁層８７を備えている場合）、ＭＥＭＳデバイス８００は、反射表面９２が接触するか、あるいは第１の反射層９４から約１００Å未満の間隔を隔てると（たとえば約１００Å未満の厚さを有する絶縁層８７に接触することによって）、反射率が大きい広帯域ホワイトを生成することができる。特定のこのような実施形態では、アークが発生する機会を少なくするために、反射エレメント８１４および第１の反射層９４の電位は同じである。特定の実施形態では、このような接触によってＭＥＭＳデバイス８００の製造を単純化することができる。
反射率が小さいブラックおよび反射率が大きい広帯域ホワイトは、図９Ｄ、１０Ｄおよび１１Ｄに示されている、基板２０の頂部表面８８が第１の反射層９４を備え、かつ、反射表面９２が基板２０の頂部表面８８から約１００Å未満または約９０ｎｍと１１０ｎｍの間（たとえば約１００ｎｍ）だけ間隔を隔てた実施形態のＭＥＭＳデバイスを使用して生成することも可能である。
図８Ａの実施形態では、反射エレメント８１４は複数の縁（たとえば４つの縁）を有しており、反射エレメント８１４は、その個々の縁で少なくとも１つの接続エレメント８４（たとえば４つの縁の各々に対して１つ、合計４つの接続エレメント８４）によって変形可能層３４に機械的に結合されている。図１３Ａ、１３Ｂおよび１３Ｄは、ＭＥＭＳデバイス８００の追加実施形態例を示したもので、駆動電極８２は、反射エレメント８１４の反射表面９２から横方向に配置されている。図１３Ａでは、ＭＥＭＳデバイス８００は、反射エレメント８１４の縁毎に複数の接続エレメント８４（たとえば２個）を備えており、それらは、反射エレメント８１４を変形可能層３４に機械的に結合している。
図１３Ｂでは、ＭＥＭＳデバイス８００は、それぞれ反射エレメント８１４の一方の側を変形可能層３４に機械的に結合している一対の接続エレメント８４を備えている。さらに、図１３Ｂの実施形態では、ＭＥＭＳデバイス８００は駆動電極８２を備えており、その少なくとも一部は、変形可能層３４の少なくとも一部の下方に位置している。このような実施形態の場合、接続エレメント８４は、反射エレメント８１４と基板２０の頂部表面８８が実質的に平行になるように構成されていることが好ましい（たとえば第１の接続エレメント８４を反射エレメント８１４の第１の縁に機械的に結合し、かつ、第２の接続エレメント８４を反射エレメント８１４の第１の縁とは実質的に反対側の第２の縁に機械的に結合することによって）。このような実施形態によれば、ＭＥＭＳデバイス８００のアレイ内の隣接するＭＥＭＳデバイス８００の反射エレメント８１４を個々の行全体にわたって互いに直ぐ近くに配置することができるため、「フィルファクタ」（つまりＭＥＭＳデバイス８００の総面積に対する反射表面９２の実効面積）をより大きくすることも可能である。
図１３Ｃは、図１３ＢのＭＥＭＳデバイス８００の３×３アレイを示したものである。変形可能層３４は、上で説明した駆動プロトコルを実施するために、左側から右側までの行の中で接続されており、また、駆動電極８２は、上から下までの列の中で接続されている。しかしながら、個々のＭＥＭＳデバイス８００の駆動電極８２は、一列の駆動電極８２がＥ字形構造を形成するよう、列方向に沿って片側にのみ配置されている。駆動電極８２を反射エレメント８１４の一方の側に行をなして接続する場合、反射エレメント８１４のもう一方の側の駆動電極８２を接続するために既に使用された空間（たとえば図８Ｂに示されているように）を隣接するＭＥＭＳデバイス８００の反射エレメント８１４のために使用することができる。したがって図１３Ｃのアレイ内のＭＥＭＳデバイス８００は、図１３Ｂのアレイ内および図１３Ｃのアレイ内のＭＥＭＳデバイス８００より互いに近接しており、したがって図８Ｂのアレイより大きいフィルファクタを有している。
図８Ａに示されているＭＥＭＳデバイス８００の場合、反射表面９２は、基板２０の頂部表面８８に概ね平行の方向に沿って変形可能層３４から間隔を隔てている。図１３Ｄは、ＭＥＭＳデバイス８００の他の実施形態を示したもので、反射表面９２は、基板２０の頂部表面８８に概ね平行の方向に沿って変形可能層３４から間隔を隔てているが、反射エレメント８１４は変形可能層３４の上方を展開している。複数の接続エレメント８４は、変形可能層３４を反射エレメント８１４から分離している垂直方向のエレメント（反射エレメント８１４の下方の接触点に点線で示されている）を備えている。反射エレメントのうちのポストに近い部分（たとえば図１３Ｄに示されている反射エレメント８１４の隅）は、ＭＥＭＳデバイス８００を駆動する際に反射エレメント８１４と変形可能層３４が接触しないように形状化されている。特定の実施形態では、反射エレメント８１４を変形可能層３４のより近くへ、さらには変形可能層３４を越えて横方向に展開させることにより、図１３Ｄの反射エレメント８１４の反射表面９２は、変形可能層３４からさらに横方向に間隔を隔てている反射エレメント８１４の反射表面９２（たとえば図８Ａ、１３Ａおよび１３Ｂに示されているように）の場合より広い面積を有している。他の構成も可能である。
図１４Ａ〜１４Ｈは、図９Ａ〜９Ｈに示されているＭＥＭＳデバイス８００に類似したＭＥＭＳデバイス８００を製造する方法の一例を示したものである。しかしながら、第１の反射層９４は、一行のＭＥＭＳデバイス８００全体にわたって展開する代わりに（たとえば図８Ｂに示されているように）、実質的に反射エレメント８１４の反射表面９２の下方にのみ配置されている。このような実施形態は、場合によっては、第１の反射層９４を接地する必要がない、個々のＭＥＭＳデバイス８００内で接地することができる、等々の場合に有利である。さらに、図１４Ａ〜１４Ｈに示されている絶縁層８６は光路から除去されないため、製造の複雑性が緩和される（たとえばパターン化ステップが除去されるため）。図１４Ａ〜１４Ｈの左側は、図８Ａの線Ａ−Ａに沿った断面図であり（たとえば図９Ａと同様の）、また、図１４Ａ〜１４Ｈの右側は、図８Ａの線Ｃ−Ｃに沿った断面図である（たとえば図９Ｃと同様の）。
図１４Ａは、第１の反射層９４がその上に形成されている基板２０を備えた構造１４０を示したものである。上で説明したように、第１の反射層９４は、基板２０の中の光学スタック中に統合することができる。第１の反射層９４は、ＭＥＭＳデバイス８００によって変調される光の光路内に配置され、光路内に存在しない領域、たとえばポスト１８または駆動電極８２の下方に形成する必要はない（たとえば図１４Ａ〜１４Ｈに示されているように）。特定のこのような実施形態では、第１の反射層９４は、駆動電極８２の平面と同じ平面に配置することができる（たとえば図１４Ｂに示されているように）。
図１４Ｂは、駆動電極８２が基板２０の上方に形成された後の構造１４０を示したものである。図８Ｂおよび１３Ｃに関連して上で説明したように、駆動電極８２は、反射エレメント８１４の反射表面９２の周囲の条片の中に形成することができる。いくつかの実施形態では、第１の反射層９４は、駆動電極８２の後に形成される。第１の反射層９４および駆動電極８２は、異なる厚さを有することができる。図１４Ｃは、第１の反射層９４および駆動電極８２が絶縁体８６によって覆われた後の（たとえば封入された後の）構造１４０を示したものである。特定の実施形態では、絶縁体８６は、ＭＥＭＳデバイス８００が駆動状態になった場合の変形可能層３４と駆動電極８２の間の電気絶縁を提供している。変形可能層３４を駆動電極８２から絶縁するための他の実施形態も可能である。特定の実施形態では、絶縁体８６は、変形可能層３４と駆動電極８２の間に形成された１つまたは複数の層を備えており、この１つまたは複数の層は、接触点の形状および表面エネルギーの最適化および／または変形可能層３４と変形可能層３４の下方の層との間のスティクションの最小化に有利に使用することができる。たとえば、特定の実施形態では、駆動電極８２と変形可能層３４の間の絶縁体８６の上部表面をあらくし、それにより変形可能層３４との接触時のスティクションを抑制している。特定の実施形態では、絶縁層８６の頂部表面は、基板２０の頂部表面８８として画定されている。
図１４Ｄは、ポスト１８が形成された後の構造１４０を示したものである。上で説明したように、特定の実施形態では、ポスト１８は、変形可能層３４を基板２０に機械的に結合しており、様々な構成を有することができる（たとえば図７Ｂ、７Ｃおよび７Ｅに示されているように）。特定の実施形態では、ポスト１８の下方にブラックマスク（図示せず）が形成されており、基板に統合することができる。
図１４Ｅは、駆動電極８２および絶縁体８６の上方に犠牲層１４２が形成された後の構造１４０を示したものである。犠牲層１４２は、たとえば、モリブデン、フォトレジスト、ポリシリコンまたは他の適切な材料からなっていてもよい。特定の実施形態では、犠牲層１４２の厚さによって変形可能層３４とＭＥＭＳデバイス８００の固定部分との間の距離および／または反射エレメント８１４の反射表面９２と基板２０の頂部表面８８の間の距離が決まる。いくつかの実施形態では、犠牲層１４２は、変形可能層３４を形成する材料を付着させるための準備の一環としてパターン化されている。
図１４Ｆは、犠牲層１４２の上方に変形可能層３４が形成された後の構造１４０を示したものである。図８Ａと同様、図１４Ｆに示されている実施形態の変形可能層３４は、ポスト１８とポスト１８の間を展開している１つまたは複数の部分を備えている。図１４Ｇは、犠牲層１４２の上方に反射エレメント８１４が形成された後の構造１４０を示したものである。反射エレメント８１４は、接続エレメント８４によって変形可能層３４に機械的に結合されている。特定の実施形態では、接続エレメント８４は、反射表面９２および反射エレメント８１４と同時に形成される（たとえばアルミニウムの単一層を付着させることによって）。特定の代替実施形態では、接続エレメント８４は、反射表面９２および／または反射エレメント８１４とは別に形成される。反射エレメント８１４は反射表面９２を備えている。反射表面９２は、駆動電極８２および変形可能層３４から横方向に配置されている。いくつかの実施形態では、犠牲層１４２は、ＭＥＭＳデバイス８００が駆動状態になった場合に、基板２０の頂部表面８８との接触が回避されるように反射エレメント８１４の反射表面９２が変形可能層３４に対して配置されるようにパターン化されている。いくつかの実施形態では、反射表面９２は、滑らかで、かつ、平らな犠牲層１４２の上（たとえばフォトレジストまたは研磨されたモリブデンの上）に反射エレメント８１４を形成することによって滑らかに、かつ、平らになるように構築されている。図１４Ｈは、犠牲層１４２が除去された後の（たとえば犠牲層１４２がモリブデンからなる実施形態の場合、ＸｅＦ２を使用したエッチングによって除去された後の）、可動エレメント８１０を有するＭＥＭＳデバイス８００を形成する構造１４０を示したものである。
図１５Ａ〜１５Ｈは、図９Ａ〜９Ｈに示されているＭＥＭＳデバイス８００に類似したＭＥＭＳデバイス８００を製造する方法の他の例を示したものである。図８Ｂに示されているように、第１の反射層９４は複数のＭＥＭＳデバイス８００全体にわたって展開している。このような実施形態の場合、複数のＭＥＭＳデバイス８００の第１の反射層９４をいくつかのポイントで有利に接地することができる。図１５Ａ〜１５Ｈの個々の図には、それぞれ、製造プロセスの同じポイントにおける４つの断面図が示されている。上から下へ、第１の断面図（「Ａ」）は図８Ａの線Ａ−Ａに沿った断面図であり（たとえば図９Ａと同様の）、第２の断面図（「Ｃ」）は線Ｃ−Ｃに沿った断面図であり（たとえば図９Ｃと同様の）、第３の断面図（「Ｅ」）は線Ｅ−Ｅに沿った断面図であり（たとえば図９Ｅと同様の）、第４の断面図（「Ｇ」）は線Ｇ−Ｇに沿った断面図である（たとえば図９Ｇと同様の）。
図１５Ａは、第１の反射層９４および第１の絶縁層８６がその上に形成されている基板２０を備えた構造１５０を示したものである。上で説明したように、第１の反射層９４は、基板２０の中の光学スタック中に統合することができる。第１の反射層９４は、ＭＥＭＳデバイス８００によって変調される光の光路内に配置され、光路内に存在しない領域、たとえばポスト１８または駆動電極８２の下方に形成する必要はない。しかしながら、特定の実施形態では（たとえば図１５Ａ〜１５Ｈに示されているような）、第１の反射層９４は、変形可能層３４の方向と同じ方向に沿った連続条片の中（たとえば行の中）に形成されている。特定のこのような実施形態では、第１の反射層９４は、その行の変形可能層３４と電気的に連絡している。第１の反射層９４が形成されると、絶縁層８６（たとえばＳｉＯ２またはＡｌ２Ｏ３からなる）を付着させ、たとえば列の中で電気連絡している駆動電極８２から第１の反射層９４を絶縁することができる。Ｃ−Ｃ断面およびＧ−Ｇ断面から分かるように、絶縁層８６のうちの光路内の部分は除去されている。代替実施形態では、絶縁層８６のうちの光路内の部分を残すか、あるいはもっと後のステップで除去することができる。
図１５Ｂは、基板２０の上方（たとえば絶縁層８６の上方）に駆動電極８２が形成された後の構造１５０を示したものである。図８Ｂに関連して上で説明したように、駆動電極８２は、反射エレメント８１４の反射表面９２の周囲の条片の中に形成することができる。
特定の実施形態では、ＭＥＭＳデバイス８００のうちの駆動電極８２および第１の反射層９４が重畳している部分は、ブラックマスク１５２を備えることができる。特定のこのような実施形態では、絶縁層８６の厚さは、ブラックマスク１５２に入射する光が使用者には黒に見えるよう、絶縁体８６の屈折率に応じて約９０ｎｍと１１０ｎｍの間（たとえば約１００ｎｍ）であることが好ましい。絶縁層８６が薄すぎると、場合によっては寄生コンデンサが形成される危険および／または電気破壊の危険が存在することになる。絶縁層８６が分厚すぎると、マスク１５２が黒以外の色に見えることになり、したがってコントラストが低下することがある。たとえば、絶縁体８６がＳｉＯ２からなっているいくつかの実施形態では、絶縁体８６の厚さは、二次ブルーを生成するために約２８０ｎｍと３００ｎｍの間（たとえば約２９０ｎｍ）である。空気が第１の反射層９４と駆動電極８２の間のブラックマスク１５２を占有しているいくつかの実施形態では、空気の厚さは、二次ブルーを生成するために約４００ｎｍと５００ｎｍの間（たとえば約４４０ｎｍ）である。ＳｉＯ２が第１の反射層９４と駆動電極８２の間のブラックマスク１５２を占有しているいくつかの実施形態では、ＳｉＯ２の厚さは、二次ブルーを生成するために約２５０ｎｍと３５０ｎｍの間（たとえば約２８０ｎｍと３００ｎｍの間）である。
図１５Ｃは、駆動電極８２が絶縁体８７によって覆われた後（たとえば封入された後）の構造１５０を示したものである。特定の実施形態では、絶縁体８７は、ＭＥＭＳデバイス８００が駆動状態になった場合の駆動電極８２と変形可能層３４との間の電気絶縁を提供している。変形可能層３４を駆動電極８２から絶縁するための他の実施形態も可能である。特定の実施形態では、絶縁体８７は、変形可能層３４と駆動電極８２の間に形成された１つまたは複数の層を備えており、この１つまたは複数の層は、接触点の形状および表面エネルギーの最適化および／または変形可能層３４と変形可能層３４の下方の層との間のスティクションの最小化に有利に使用することができる。たとえば、特定の実施形態では、駆動電極８２と変形可能層３４の間の絶縁体８７の上部表面をあらくし、それにより変形可能層３４との接触時のスティクションを抑制している。図１５Ｃに示されている実施形態では、絶縁層８７をパターニングしている間に、第１の反射層９４への開口が光路内に形成される。いくつかの実施形態、たとえば絶縁層８６、８７が同じ材料からなっている実施形態では、絶縁層８６中の開口は、絶縁層８７をパターニングしている間に形成される。特定の実施形態では、第１の反射層９４の頂部表面は、基板２０の頂部表面８８として画定されている。特定の実施形態では、絶縁層８７の頂部表面は、ＭＥＭＳデバイス８００の固定部分として画定されている。
特定の実施形態では、絶縁層８６、８７は、それらが光路内に存在しないように形成され、したがって反射表面の数を少なくすることができ、また、反射表面９２と頂部表面８８の間をさらに分離することができる。また、絶縁体８６、８７が光路から除去されるため、光学性能に悪影響を及ぼすことなく絶縁体８６を分厚くすることができ、したがって電気破壊強度を改善し、かつ、第１の反射層９４と駆動電極８２の間の寄生キャパシタンスを小さくすることができる。
図１５Ｄは、ポスト１８が形成された後の構造１５０を示したものである。上で説明したように、特定の実施形態では、ポスト１８は、変形可能層３４を基板２０に機械的に結合しており、様々な構成を有することができる（たとえば図７Ｂ、７Ｃおよび７Ｅに示されているように）。特定の実施形態では、ポスト１８の下方にブラックマスクが形成されており（たとえば駆動電極８２と第１の反射層９４の間のブラックマスク１５２）、基板２０に統合することができる。
図１５Ｅは、駆動電極８２、絶縁体８７および第１の反射層９４の上方に犠牲層１４２が形成された後の構造１５０を示したものである。犠牲層１４２は、たとえば、モリブデン、フォトレジスト、ポリシリコンまたは他の適切な材料からなっていてもよい。特定の実施形態では、犠牲層１４２の厚さによって変形可能層３４とＭＥＭＳデバイス８００の固定部分との間の距離および／または反射エレメント８１４の反射表面９２と基板２０の頂部表面８８の間の距離が決まる。いくつかの実施形態では、犠牲層１４２は、変形可能層３４を形成する材料を付着させるための準備の一環としてパターン化されている。
図１５Ｆは、犠牲層１４２の上方に変形可能層３４が形成された後の構造１５０を示したものである。図８Ａと同様、図１５Ｆに示されている実施形態の変形可能層３４は、ポスト１８とポスト１８の間を展開している１つまたは複数の部分を備えている。図１５Ｇは、犠牲層１４２の上方に反射エレメント８１４が形成された後の構造１５０を示したものである。反射エレメント８１４は、接続エレメント８４によって変形可能層３４に機械的に結合されている。特定の実施形態では、接続エレメント８４は、反射表面９２および反射エレメント８１４と同時に形成される（たとえばアルミニウムの単一層を付着させることによって）。特定の代替実施形態では、接続エレメント８４は、反射表面９２および／または反射エレメント８１４とは別に形成される。反射エレメント８１４は反射表面９２を備えている。反射表面９２は、駆動電極８２および変形可能層３４から横方向に配置されている。いくつかの実施形態では、犠牲層１４２は、ＭＥＭＳデバイス８００が駆動状態になった場合に、基板２０の頂部表面８８との接触が回避されるように反射エレメント８１４の反射表面９２が変形可能層３４に対して配置されるようにパターン化されている。いくつかの実施形態では、反射表面９２は、滑らかで、かつ、平らな犠牲層１４２の上（たとえばフォトレジストまたは研磨されたモリブデンの上）に反射エレメント８１４を形成することによって滑らかに、かつ、平らになるように構築されている。図１５Ｈは、犠牲層１４２が除去された後の（たとえば犠牲層１４２がモリブデンからなる実施形態の場合、ＸｅＦ２を使用したエッチングによって除去された後の）、可動エレメント８１０を有するＭＥＭＳデバイス８００を形成する構造１５０を示したものである。上から下まで、図に示されているＭＥＭＳデバイス８００は、それぞれ図９Ａ、９Ｃ、９Ｅおよび９Ｇの断面図に対応していることは理解されよう。
図１０Ａ〜１３Ｂおよび１３Ｃに示されているＭＥＭＳデバイス８００、ならびに駆動電極８２が反射エレメント８１４の反射表面９２から横方向に配置されている他のＭＥＭＳデバイスは、特定の実施形態では、所望の構成を達成するために、上で説明したセットのステップを適切に修正した同様のセットのステップを使用して形成することができる（たとえば異なる付着厚さ、異なるパターニングマスク、等々）。
図１６Ａ〜１６Ｈ２は、図８ＡのＭＥＭＳデバイス８００の他の実施形態例の断面図を示したもので、第２の駆動電極１６４を備えている。図１６Ａは、ＭＥＭＳデバイス８００が非駆動状態（つまり「弛緩」状態）にある場合の線Ａ−Ａに沿って取った断面図であり、また、図１６Ｃは、同じ状態の線Ｃ−Ｃに沿って取った断面図である。図１６Ｂ１および１６Ｄ１は、それぞれ、ＭＥＭＳデバイス８００が第１の駆動状態にある場合の線Ａ−ＡおよびＣ−Ｃに沿った断面図を示したものである。図１６Ｂ２および１６Ｄ２は、それぞれ、ＭＥＭＳデバイス８００が第２の駆動状態にある場合の線Ａ−ＡおよびＣ−Ｃに沿った断面図を示したものである。図１６Ｅは、ＭＥＭＳデバイス８００が非駆動状態にある場合の線Ｅ−Ｅに沿って取った断面図であり、また、図１６Ｇは、同じ状態の線Ｇ−Ｇに沿って取った断面図である。図１６Ｆ１および１６Ｈ１は、それぞれ、ＭＥＭＳデバイス８００が第１の駆動状態にある場合の線Ｅ−ＥおよびＧ−Ｇに沿った断面図を示したものである。図１６Ｆ２および１６Ｈ２は、それぞれ、ＭＥＭＳデバイス８００が第２の駆動状態にある場合の線Ｅ−ＥおよびＧ−Ｇに沿った断面図を示したものである。
可動エレメント８１０は、上で説明したように概ね第１の方向に移動することによって変形可能層３４と反射エレメント８１４の間の駆動電極８２に印加される電圧に応答する（たとえば図１６Ｂ１、１６Ｄ１、１６Ｆ１および１６Ｈ１に示されているように）。可動エレメント８１０は、さらに、概ね第２の方向に移動することによって第２の駆動電極１６４に印加される電圧に応答する。特定の実施形態では、第２の方向は第１の方向とは実質的に逆方向である（たとえば図１６Ｂ２、１６Ｄ２、１６Ｆ２および１６Ｈ２に示されているように）。したがってＭＥＭＳデバイス８００は、弛緩状態における第１の色、第１の方向の駆動状態における第２の色、および第２の方向の駆動状態における第３の色の少なくとも３つの色を安定して生成することができる。
図１６Ａ、１６Ｃ、１６Ｅおよび１６Ｈに示されている実施形態では、第２の駆動電極１６４は可動エレメント８１０の上方に位置している。ＭＥＭＳデバイス８００は、さらに、第２の駆動電極１６４および任意選択の絶縁層１６２をサポートしているサポート構造１８ａを備えている。特定の実施形態では、サポート構造１８ａは、反射エレメント８１４の反対側にサポート構造１８として形成されている。
第２の駆動電極１６４に電圧が印加されると、可動エレメント８１０に静電力が作用する。変形可能層３４は、この引力に応答して矢印１６８の方向に第２の駆動電極１６４に向かって撓む（たとえば図１６Ｂ２、１６Ｄ２、１６Ｆ２および１６Ｇ２に示されているように）。反射エレメント８１４は変形可能層３４に機械的に結合されているため、この反射エレメント８１４も、第２の駆動電極１６４に印加される電圧に応答して同じく矢印１６８の方向に移動する。したがって可動エレメント８１０は、基板２０の頂部表面８８に概ね直角の方向に移動する。
ＭＥＭＳデバイス８００の固定部分は、可動エレメント８１０の運動の停止として作用している。特定の実施形態では、絶縁層１６２は固定部分を備えている（たとえば図１６Ｈ２に示されているように）。特定の実施形態では、第２の駆動電極１６４は固定部分を備えている。特定のこのような実施形態では、反射エレメント８１４（図示せず）の上部表面に形成された絶縁層は、可動エレメント８１０を第２の駆動電極１６４から絶縁している。
第２の駆動電極１６４は、第２の駆動電極１６４がＭＥＭＳデバイスの光路内に存在しないよう、反射エレメント８１４の反射表面９２の上方に配置されている。したがって第２の駆動電極１６４は、透明および／または不透明導電材料からなっていてもよい。駆動電極が不透明導電材料からなっている実施形態は、場合によっては、たとえば上で説明した電気特性の場合に有利である。
図１５Ａ〜１５Ｇおよび１７Ａ〜１７Ｆは、図１６Ａ〜１６Ｈ２のＭＥＭＳデバイス８００を製造する方法の一実施形態例を示したものである。反射エレメント８１４が図１５Ｇの犠牲層１４２の上方に形成されると、変形可能層３４の上方にサポート構造１８ａが形成される（たとえば図１７Ａに示されているように）。
図１７Ｂは、変形可能層３４の上方に第２の犠牲層１７０２（たとえばモリブデンからなる）が形成された後の図１７ＡのＭＥＭＳ構造１７００を示したものである。第２の犠牲層１７０２は、変形可能層３４を第２の駆動電極１６４から分離している。第２の犠牲層１７０２は、第１の犠牲層１４２の材料と同じ材料からなっていても、あるいは第１の犠牲層１４２の材料とは異なる材料からなっていてもよい。特定の実施形態では、第２の犠牲層１７０２の厚さは、駆動状態のＭＥＭＳデバイス８００の色に影響を及ぼしている。
図１７Ｃは、第２の犠牲層１７０２の上方に絶縁層１６２（たとえばＳｉＯ２からなる）が形成された後の図１７ＢのＭＥＭＳ構造１７００を示したものである。特定の実施形態では、第２の犠牲層１７０２の形成に先立って反射エレメント８１４の上部表面に絶縁層が形成される。図に示されている実施形態では、第２の犠牲層１７０２の前にサポート構造１８ａが形成されている。特定の実施形態では、サポート構造１８ａは、絶縁層１６２を形成している間に形成される（たとえばＳｉＯ２を付着させ、かつ、ＳｉＯ２をパターニングすることによって）。
図１７Ｄは、絶縁層１６２の上方に第２の駆動電極１６４（たとえばニッケル、アルミニウム、銅、銀、金、それらの合金からなる）が形成された後の図１７ＣのＭＥＭＳ構造１７００を示したものである。特定の実施形態では、第２の駆動電極１６４および絶縁層１６２は、犠牲層１４２、１７０２のより容易なエッチングを可能にするための少なくとも１つの開口を備えている。
図１７Ｅは、第２の駆動電極１６４の上方に任意選択の絶縁層１６６（たとえばＳｉＯ２、ポリイミドからなる）が形成された後の図１７ＤのＭＥＭＳ構造１７００を示したものである。この絶縁層１６６を使用して、ＭＥＭＳデバイス８００を備えたディスプレイ内のコンポーネントを第２の駆動電極１６４から絶縁することができる。
図１７Ｆは、第１および第２の犠牲層１４２、１７０２が除去され、図１６Ａ、１６Ｃ、１６Ｅおよび１６ＧのＭＥＭＳデバイス８００が得られた後の図１７ＥのＭＥＭＳ構造１７００を示したものである。犠牲層１４２、１７０２がそれぞれモリブデンからなっている実施形態の場合、たとえばＸｅＦ２を使用したエッチングによってそれらを除去することができる。犠牲層がフォトレジストからなっている実施形態の場合、たとえば灰化（たとえばＯ２および／またはＨ２Ｏを使用したエッチング）によってそれを除去することができる。反射エレメント８１４中の１つまたは複数の開口を使用してエッチング用試薬を補助し、反射エレメント８１４の下方の第１の犠牲層１４２を除去することができる。絶縁層１６２および第２の駆動電極１６４中の１つまたは複数の開口を使用してエッチング用試薬を補助し、第２の駆動電極１６４の下方の第２の犠牲層１７０２を除去することができる。犠牲層１４２、１７０２が除去されると、駆動電極８２、１６４に印加される電圧に応答して可動エレメント８１０を移動させることができる。
駆動電極８２が反射エレメント８１４の反射表面９２から横方向に配置されている特定の実施形態では、反射表面９２は基板２０の反対側に向いており、使用者はＭＥＭＳデバイス８００を可動エレメント８１０の基板２０とは反対側の方から見ることができる。いくつかの実施形態では、第１の反射層９４は、可動エレメント８１０の下方に形成されている。特定のこのような実施形態では、可動エレメント８１０は、部分的に反射型で、かつ、部分的に透過型の材料からなっており、また、第１の反射層９４は完全に反射型の材料からなっている。いくつかの実施形態では、第１の反射層９４は、可動エレメント８１０の上方に形成されている。特定のこのような実施形態では、可動エレメント８１０は完全に反射型の材料からなっており、また、第１の反射層９４は、部分的に反射型で、かつ、部分的に透過型の材料からなっている。
いくつかの実施形態では、駆動電極８２は、反射エレメント８１４の反射表面９２から横方向に配置されており、かつ、可動エレメント８１０の上方に配置されている。可動エレメント８１０は、駆動電極８２に向かって、基板２０から遠ざかる方向に引き付けられる。可動エレメント８１０は、弛緩状態では基板２０の頂部表面８８の近傍に位置しており（たとえば接触している）、駆動されると基板２０の頂部表面８８に概ね直角の方向に移動する。駆動電極８２が可動エレメント８１０の上方に配置されているいくつかの実施形態では、第１の反射層９４は、可動エレメント８１０の上方に形成されている。駆動電極８２が可動エレメント８１０の上方に配置されているいくつかの代替実施形態では、可動エレメント８１０は完全に反射型の材料からなっており、また、第１の反射層９４は、部分的に反射型で、かつ、部分的に透過型の材料からなっている。
ＭＥＭＳデバイス８００を駆動することによって反射エレメント８１４が基板２０から遠ざかる方向に移動する特定の実施形態では、弛緩状態にある場合、可動エレメント８１０が負の方向（たとえば基板２０に向かって）「展開する」ように変形可能層３４を構成することができる。たとえば、犠牲層が除去されると変形可能層３４が下に向かって偏向するように変形可能層３４とサポート構造１８の間の残留応力を設計することができる。
駆動電極８２が可動エレメント８１０の上方に配置されているいくつかの実施形態の場合、使用者は基板２０を通してＭＥＭＳデバイス８００を見ることができる。可動エレメント８１０が弛緩状態において負の方向に展開する特定のこのような実施形態の場合、反射率が大きい広帯域ホワイト（たとえば可動エレメント８１０の反射表面９２を基板２０の頂部表面８８に接触させることによって、あるいは第１の反射層９４から約１００Å未満の間隔を隔てることによって）、反射率が小さいブラック（たとえば可動エレメント８１０の反射表面９２を第１の反射層９４から約１００ｎｍだけ間隔を隔てることによって）、グレー（たとえば可動エレメント８１０の反射表面９２を第１の反射層９４から約１００Åと１００ｎｍの間の間隔を隔てることによって）または何らかの１つの色（たとえば黄、赤、青、等々）が生成されるように弛緩状態を構成することができる。いくつかの実施形態では、可動エレメント８１０は、部分的に反射型で、かつ、部分的に透過型の材料からなっており、また、第１の反射層９４は完全に反射型の材料からなっている。
駆動電極８２が可動エレメント８１０の上方に配置されているいくつかの代替実施形態では、使用者はＭＥＭＳデバイス８００を可動エレメント８１０の基板２０とは反対側の方から見ることができる。可動エレメント８１０が弛緩状態において負の方向に展開する特定のこのような実施形態の場合、反射率が大きい広帯域ホワイト（たとえば可動エレメント８１０の反射表面９２を第１の反射層９４から約１００Å未満の間隔を隔てることによって）、反射率が小さいブラック（たとえば可動エレメント８１０の反射表面９２を第１の反射層９４から約１００ｎｍだけ間隔を隔てることによって）、グレー（たとえば可動エレメント８１０の反射表面９２を第１の反射層９４から約１００Åと１００ｎｍの間の間隔を隔てることによって）または何らかの１つの色（たとえば黄、赤、青、等々）が生成されるように弛緩状態を構成することができる。
使用者がＭＥＭＳデバイス８００を可動エレメント８１０の基板２０とは反対側の方から見ることができる実施形態の場合、使用者には基板２０を通して反射表面９２は見えない。特定のこのような実施形態では、基板２０は、光に対して実質的に不透明の材料からなっている（たとえば不透明材料、高度に反射性の材料、半透明材料）。特定のこのような実施形態では、基板２０は、金属（たとえばステンレス鋼、アルミニウム）、陽極処理金属、ケイ素（たとえばシリコンウェーハ）、ポリシリコン、プラスチック、セラミック、重合体（たとえばポリイミド、ＭＹＬＡＲ（商標））および炭素（たとえば黒鉛）ならびにこのような材料の合金および複合物からなっていてもよい。実質的に不透明な基板２０は、それらに限定されないが、フォトリソグラフィ中の光散乱のために処理上の問題が回避される、下方に位置している回路が迷光から遮蔽される、標準の半導体処理要求事項を使用してＭＥＭＳデバイスを製造することができる、ＭＥＭＳデバイスの製造と下方に位置している制御回路の製造を統合することができる、制御回路のための面積が広くなる、ＭＥＭＳデバイス内への制御回路の統合に関連する制約が緩和される、およびＭＥＭＳデバイス（たとえば分岐干渉変調器）のアレイ中に統合された照明源の使用が容易になる、などを始めとする多くの製造上および動作上の利点を提供することができる。
第２の駆動電極１６４を備えたいくつかの実施形態では、第２の駆動電極１６４は、第２の駆動電極１６４がＭＥＭＳデバイスの光路内に存在するよう、反射エレメント８１４の反射表面９２と基板２０の間に配置されている。したがって、ＭＥＭＳデバイス８００を可動エレメント８１０の基板２０とは反対側の方から見ることができる実施形態の場合、第２の駆動電極１６４は不透明材料からなっていてもよく、また、ＭＥＭＳデバイス８００を基板２０を通して見ることができる実施形態の場合、第２の駆動電極１６４は透明な導電材料からなっていてもよい。駆動電極が不透明導電材料からなる実施形態は、場合によっては、たとえば上で説明した電気特性の場合に有利である。
以上、様々な特定の実施形態について説明した。本発明は、これらの特定の実施形態を参照して説明されているが、以上の説明には、本発明を実例で示すことが意図されており、本発明を限定することは意図されていない。当業者には、特許請求の範囲で定義されている本発明の真の範囲を逸脱することなく、様々な修正およびアプリケーションが可能である。
１２ａ、１２ｂ 分岐干渉変調器
１４、１４ａ、１４ｂ 可動反射層（金属材料の条片、反射エレメント）
１６、１６ａ、１６ｂ 光学スタック（行電極）
１８、１８ａ ポスト（サポート、サポート構造）
１９ ギャップ
２０ 基板
２１ プロセッサ（システムプロセッサ）
２２ アレイドライバ
２４ 行ドライバ回路
２６ 列ドライバ回路
２７ ネットワークインタフェース
２８ フレームバッファ
２９ ドライバコントローラ
３０ パネル（ディスプレイ、ディスプレイアレイ）
３２ テザー
３４ 変形可能層
４０ ディスプレイデバイス
４１ ハウジング
４２ サポートポストプラグ
４３ アンテナ
４４ バス構造
４５ スピーカ
４６ マイクロホン
４７ トランシーバ
４８ 入力デバイス
５０ 電源
５２ 条件付けハードウェア
８２ 駆動電極
８４ 接続エレメント
８６、８７、１６２ 絶縁層（絶縁体、第１の絶縁層）
８８ 基板の頂部表面
９２ 反射エレメントの反射表面
９４ 第１の反射層
９６ 変形可能層が偏向する方向（反射エレメントが移動する方向）
１４０、１５０ 構造
１４２ 犠牲層（第１の犠牲層）
１５２ ブラックマスク
１６４ 第２の駆動電極
１６６ 任意選択の絶縁層
１６８ 変形可能層が撓む方向
８００ ＭＥＭＳデバイス
８１０ 可動エレメント
８１４ 反射エレメント
１１０２ 変形可能層の垂直方向に隆起した部分
１７００ ＭＥＭＳ構造
１７０２ 第２の犠牲層
１４、１４ａ、１４ｂ 可動反射層（金属材料の条片、反射エレメント）
１６、１６ａ、１６ｂ 光学スタック（行電極）
１８、１８ａ ポスト（サポート、サポート構造）
１９ ギャップ
２０ 基板
２１ プロセッサ（システムプロセッサ）
２２ アレイドライバ
２４ 行ドライバ回路
２６ 列ドライバ回路
２７ ネットワークインタフェース
２８ フレームバッファ
２９ ドライバコントローラ
３０ パネル（ディスプレイ、ディスプレイアレイ）
３２ テザー
３４ 変形可能層
４０ ディスプレイデバイス
４１ ハウジング
４２ サポートポストプラグ
４３ アンテナ
４４ バス構造
４５ スピーカ
４６ マイクロホン
４７ トランシーバ
４８ 入力デバイス
５０ 電源
５２ 条件付けハードウェア
８２ 駆動電極
８４ 接続エレメント
８６、８７、１６２ 絶縁層（絶縁体、第１の絶縁層）
８８ 基板の頂部表面
９２ 反射エレメントの反射表面
９４ 第１の反射層
９６ 変形可能層が偏向する方向（反射エレメントが移動する方向）
１４０、１５０ 構造
１４２ 犠牲層（第１の犠牲層）
１５２ ブラックマスク
１６４ 第２の駆動電極
１６６ 任意選択の絶縁層
１６８ 変形可能層が撓む方向
８００ ＭＥＭＳデバイス
８１０ 可動エレメント
８１４ 反射エレメント
１１０２ 変形可能層の垂直方向に隆起した部分
１７００ ＭＥＭＳ構造
１７０２ 第２の犠牲層
Claims (32)
- 基板と、
前記基板の上方の可動エレメントであって、導電性変形可能層および前記変形可能層に結合された反射エレメントを備え、前記反射エレメントが前記変形可能層から間隔を隔てた完全な反射表面を備え、前記完全な反射表面が前記完全な反射表面に概ね平行の方向に沿って前記変形可能層から間隔を隔てた可動エレメントと、
前記変形可能層の少なくとも一部の下方の、前記完全な反射表面から横方向に配置された駆動電極とを備え、前記可動エレメントが、前記駆動電極と前記変形可能層の間に印加される電圧差に応答して前記基板に向かう方向に、あるいは前記基板から遠ざかる方向に移動するように構成された電気機械デバイス。 - 前記デバイスの固定部分が前記可動エレメントの運動の停止として作用するように構成された、請求項１に記載のデバイス。
- 前記可動エレメントが、前記駆動電極と前記変形可能層の間に印加される前記電圧差に応答して、前記可動エレメントの一部が前記固定部分と接触していない第１の位置から、前記部分が前記固定部分と接触する第２の位置へ移動するように構成された、請求項２に記載のデバイス。
- 前記反射エレメントが前記変形可能層の頂部表面に機械的に結合された、請求項１に記載のデバイス。
- 前記反射エレメントが前記変形可能層の底部表面に機械的に結合された、請求項１に記載のデバイス。
- 前記可動エレメントが少なくとも１つの接続エレメントをさらに備え、前記少なくとも１つの接続エレメントが前記反射エレメントを前記変形可能層に機械的に結合している、請求項１に記載のデバイス。
- 第１の接続エレメントが前記反射エレメントの第１の縁に機械的に結合され、また、第２の接続エレメントが前記反射エレメントの第２の縁に機械的に結合され、前記第１の縁が実質的に前記第２の縁の反対側に位置している、請求項６に記載のデバイス。
- 前記反射エレメントが複数の縁を有し、前記少なくとも１つの接続エレメントが前記反射エレメントの個々の縁を前記変形可能層に機械的に結合している、請求項６に記載のデバイス。
- 前記少なくとも１つの接続エレメントが、前記反射エレメントから展開している少なくとも１つの突起を備えた、請求項６に記載のデバイス。
- 前記駆動電極と前記変形可能層の間に駆動電圧差が印加されても前記完全な反射表面と前記基板の頂部表面が接触しない、請求項１に記載のデバイス。
- 前記完全な反射表面と前記基板の頂部表面の間の距離の方が前記変形可能層と前記基板の前記頂部表面の間の距離より長い、請求項１に記載のデバイス。
- 前記変形可能層と前記基板の頂部表面の間の距離の方が前記完全な反射表面と前記基板の前記頂部表面の間の距離より長い、請求項１に記載のデバイス。
- 前記デバイスの前記固定部分が前記基板の頂部表面を備えた、請求項２に記載のデバイス。
- 前記デバイスの前記固定部分が前記駆動電極の頂部表面を備えた、請求項２に記載のデバイス。
- 前記デバイスの前記固定部分が前記駆動電極と前記変形可能層の間の絶縁層の頂部表面を備えた、請求項２に記載のデバイス。
- 前記駆動電極と前記変形可能層の間に電圧差を印加することによって前記変形可能層が変位し、かつ、前記完全な反射表面が変位し、前記変形可能層の前記変位が前記完全な反射表面の前記変位に対して平行であり、前記変形可能層の前記変位の平面が前記完全な反射表面の前記変位の平面とは異なる、請求項１に記載のデバイス。
- 前記可動エレメントの上方に他の駆動電極をさらに備え、前記可動エレメントが、前記基板から遠ざかる方向に移動することによって、前記他の駆動電極と前記可動エレメントの間に印加される電圧差に応答するように構成された、請求項１に記載のデバイス。
- 前記他の駆動電極と前記可動エレメントの間に絶縁層をさらに備えた、請求項１７に記載のデバイス。
- 前記絶縁層が前記可動エレメントの上部表面に形成された、請求項１８に記載のデバイス。
- 前記絶縁層が前記他の駆動電極の下部表面に形成された、請求項１８に記載のデバイス。
- ディスプレイと、
前記ディスプレイと通信するように構成されたプロセッサであって、イメージデータを処理するように構成されたプロセッサと、
前記プロセッサと通信するように構成されたメモリデバイスと
をさらに備えた、請求項１に記載のデバイス。 - 前記ディスプレイに少なくとも１つの信号を送信するように構成されたドライバ回路をさらに備えた、請求項２１に記載のデバイス。
- 前記ドライバ回路に前記イメージデータの少なくとも一部を送信するように構成されたコントローラをさらに備えた、請求項２２に記載のデバイス。
- 前記プロセッサに前記イメージデータを送信するように構成されたイメージソースモジュールをさらに備えた、請求項２１に記載のデバイス。
- 前記イメージソースモジュールが、レシーバ、トランシーバおよびトランスミッタのうちの少なくとも１つを備えた、請求項２４に記載のデバイス。
- 入力データを受け取り、かつ、前記入力データを前記プロセッサに伝達するように構成された入力デバイスをさらに備えた、請求項２１に記載のデバイス。
- 前記基板が少なくとも部分的に透明である、請求項１に記載のデバイス。
- 前記反射エレメントが、第１の位置で第１の色を反射し、また、第２の位置で第２の色を反射するように構成された、請求項１に記載のデバイス。
- 前記反射エレメントが完全に反射型である、請求項１に記載のデバイス。
- 電気機械デバイスを製造する方法であって、
基板の上方に駆動電極を形成するステップと、
前記駆動電極の上方に犠牲層を形成するステップと、
前記犠牲層の上方に導電性変形可能層を形成するステップであって、前記駆動電極が前記変形可能層の少なくとも一部の下方に位置するステップと、
前記犠牲層の上方に、前記変形可能層に機械的に結合された反射エレメントを形成するステップであって、前記反射エレメントが前記駆動電極から横方向に配置された完全な反射表面を備え、前記反射表面が前記完全な反射表面に概ね平行の方向に沿って前記変形可能層から間隔を隔てるステップと、
前記犠牲層を除去するステップであって、前記犠牲層が除去された後、前記変形可能層および前記反射エレメントを備えた可動エレメントが形成され、前記可動エレメントが、前記駆動電極と前記変形可能層の間に印加される電圧差に応答して、前記基板に向かう方向または前記基板から遠ざかる方向に移動するように構成されるステップと
を含む方法。 - 請求項３０に記載の方法によって製造されたデバイス。
- 光を変調する方法であって、
基板、前記基板の上方の可動エレメントおよび駆動電極を備えたディスプレイエレメントを提供するステップであって、前記可動エレメントが導電性変形可能層および反射エレメントを備え、前記反射エレメントが前記変形可能層に機械的に結合され、前記反射エレメントが完全な反射表面を備え、前記完全な反射表面が前記完全な反射表面に概ね平行の方向に沿って前記変形可能層から間隔を隔て、前記駆動電極が前記変形可能層の少なくとも一部の下方に位置し、かつ、前記完全な反射表面から横方向に配置されるステップと、
前記駆動電極と前記変形可能層の間に電圧差を印加するステップであって、前記電圧差によって前記可動エレメントを前記基板に向かって、あるいは前記基板から遠ざかる方向に移動させる引力が前記変形可能層に生成されるステップと
を含む方法。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11/772,751 | 2007-07-02 | ||
| US11/772,751 US7630121B2 (en) | 2007-07-02 | 2007-07-02 | Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function |
| EP08153252.5 | 2008-03-25 | ||
| EP08153252A EP2012168A3 (en) | 2007-07-02 | 2008-03-25 | Microelectromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function |
| PCT/US2008/068061 WO2009006118A2 (en) | 2007-07-02 | 2008-06-24 | Microelectromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012137592A Division JP2012212158A (ja) | 2007-07-02 | 2012-06-19 | 機械的および電気的機能から分離された光学的機能を備えた微小電気機械デバイス |
| JP2012137593A Division JP2012212159A (ja) | 2007-07-02 | 2012-06-19 | 機械的および電気的機能から分離された光学的機能を備えた微小電気機械デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010532498A JP2010532498A (ja) | 2010-10-07 |
| JP5065487B2 true JP5065487B2 (ja) | 2012-10-31 |
Family
ID=39800548
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010515042A Expired - Fee Related JP5065487B2 (ja) | 2007-07-02 | 2008-06-24 | 機械的および電気的機能から分離された光学的機能を備えた微小電気機械デバイス |
| JP2012137592A Pending JP2012212158A (ja) | 2007-07-02 | 2012-06-19 | 機械的および電気的機能から分離された光学的機能を備えた微小電気機械デバイス |
| JP2012137593A Pending JP2012212159A (ja) | 2007-07-02 | 2012-06-19 | 機械的および電気的機能から分離された光学的機能を備えた微小電気機械デバイス |
Family Applications After (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012137592A Pending JP2012212158A (ja) | 2007-07-02 | 2012-06-19 | 機械的および電気的機能から分離された光学的機能を備えた微小電気機械デバイス |
| JP2012137593A Pending JP2012212159A (ja) | 2007-07-02 | 2012-06-19 | 機械的および電気的機能から分離された光学的機能を備えた微小電気機械デバイス |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US7630121B2 (ja) |
| EP (3) | EP2012168A3 (ja) |
| JP (3) | JP5065487B2 (ja) |
| KR (1) | KR20100038406A (ja) |
| CN (3) | CN102393562A (ja) |
| BR (1) | BRPI0813296A2 (ja) |
| CA (1) | CA2691674A1 (ja) |
| RU (1) | RU2475789C2 (ja) |
| TW (2) | TWI402536B (ja) |
| WO (1) | WO2009006118A2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012212158A (ja) * | 2007-07-02 | 2012-11-01 | Qualcomm Mems Technologies Inc | 機械的および電気的機能から分離された光学的機能を備えた微小電気機械デバイス |
Families Citing this family (55)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7944599B2 (en) * | 2004-09-27 | 2011-05-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function |
| US7420725B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-09-02 | Idc, Llc | Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same |
| US7612932B2 (en) * | 2004-09-27 | 2009-11-03 | Idc, Llc | Microelectromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function |
| US7289259B2 (en) | 2004-09-27 | 2007-10-30 | Idc, Llc | Conductive bus structure for interferometric modulator array |
| US7372613B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-05-13 | Idc, Llc | Method and device for multistate interferometric light modulation |
| US7916980B2 (en) | 2006-01-13 | 2011-03-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interconnect structure for MEMS device |
| US7527998B2 (en) | 2006-06-30 | 2009-05-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of manufacturing MEMS devices providing air gap control |
| US7742220B2 (en) | 2007-03-28 | 2010-06-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device and method utilizing conducting layers separated by stops |
| KR20100066452A (ko) | 2007-07-31 | 2010-06-17 | 퀄컴 엠이엠스 테크놀로지스, 인크. | 간섭계 변조기의 색 변이를 증강시키는 장치 |
| US7773286B2 (en) * | 2007-09-14 | 2010-08-10 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Periodic dimple array |
| US7847999B2 (en) * | 2007-09-14 | 2010-12-07 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric modulator display devices |
| EP2191320A2 (en) * | 2007-09-17 | 2010-06-02 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Semi-transparent / transflective lighted interferometric modulator devices |
| CN101828146B (zh) | 2007-10-19 | 2013-05-01 | 高通Mems科技公司 | 具有集成光伏装置的显示器 |
| US8058549B2 (en) | 2007-10-19 | 2011-11-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Photovoltaic devices with integrated color interferometric film stacks |
| WO2009055393A1 (en) * | 2007-10-23 | 2009-04-30 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Adjustably transmissive mems-based devices |
| US8941631B2 (en) | 2007-11-16 | 2015-01-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Simultaneous light collection and illumination on an active display |
| US7715079B2 (en) * | 2007-12-07 | 2010-05-11 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS devices requiring no mechanical support |
| US8164821B2 (en) * | 2008-02-22 | 2012-04-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device with thermal expansion balancing layer or stiffening layer |
| US7944604B2 (en) * | 2008-03-07 | 2011-05-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric modulator in transmission mode |
| US7612933B2 (en) * | 2008-03-27 | 2009-11-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device with spacing layer |
| US7898723B2 (en) * | 2008-04-02 | 2011-03-01 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical systems display element with photovoltaic structure |
| US7969638B2 (en) * | 2008-04-10 | 2011-06-28 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Device having thin black mask and method of fabricating the same |
| US7768690B2 (en) | 2008-06-25 | 2010-08-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Backlight displays |
| US8023167B2 (en) * | 2008-06-25 | 2011-09-20 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Backlight displays |
| US7746539B2 (en) * | 2008-06-25 | 2010-06-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method for packing a display device and the device obtained thereof |
| US7859740B2 (en) * | 2008-07-11 | 2010-12-28 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Stiction mitigation with integrated mech micro-cantilevers through vertical stress gradient control |
| US7855826B2 (en) * | 2008-08-12 | 2010-12-21 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and apparatus to reduce or eliminate stiction and image retention in interferometric modulator devices |
| US8358266B2 (en) | 2008-09-02 | 2013-01-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Light turning device with prismatic light turning features |
| US8270056B2 (en) * | 2009-03-23 | 2012-09-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display device with openings between sub-pixels and method of making same |
| WO2010138765A1 (en) | 2009-05-29 | 2010-12-02 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Illumination devices and methods of fabrication thereof |
| US9753597B2 (en) | 2009-07-24 | 2017-09-05 | Cypress Semiconductor Corporation | Mutual capacitance sensing array |
| US8270062B2 (en) | 2009-09-17 | 2012-09-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display device with at least one movable stop element |
| US8488228B2 (en) | 2009-09-28 | 2013-07-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric display with interferometric reflector |
| US20110169724A1 (en) * | 2010-01-08 | 2011-07-14 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric pixel with patterned mechanical layer |
| EP2556403A1 (en) | 2010-04-09 | 2013-02-13 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Mechanical layer of an electromechanical device and methods of forming the same |
| CN103038568A (zh) | 2010-04-16 | 2013-04-10 | 弗莱克斯照明第二有限责任公司 | 包括膜基光导的前照明装置 |
| EP2558775B1 (en) | 2010-04-16 | 2019-11-13 | FLEx Lighting II, LLC | Illumination device comprising a film-based lightguide |
| JP2013544370A (ja) | 2010-08-17 | 2013-12-12 | クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | 干渉ディスプレイデバイスの電荷中性電極の作動及び較正 |
| US9057872B2 (en) | 2010-08-31 | 2015-06-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Dielectric enhanced mirror for IMOD display |
| US9134527B2 (en) | 2011-04-04 | 2015-09-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Pixel via and methods of forming the same |
| US8963159B2 (en) | 2011-04-04 | 2015-02-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Pixel via and methods of forming the same |
| US8659816B2 (en) | 2011-04-25 | 2014-02-25 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Mechanical layer and methods of making the same |
| KR101941169B1 (ko) * | 2011-09-16 | 2019-01-23 | 삼성전자주식회사 | 광 스위칭 소자, 이를 포함한 영상 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US8736939B2 (en) | 2011-11-04 | 2014-05-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Matching layer thin-films for an electromechanical systems reflective display device |
| CN103153011B (zh) * | 2011-12-07 | 2017-02-15 | 富泰华工业（深圳）有限公司 | 滑动机构及带有该滑动机构的装置 |
| KR101941165B1 (ko) * | 2012-06-07 | 2019-04-12 | 삼성전자주식회사 | 광 스위칭 소자, 이를 포함한 영상 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US20140009379A1 (en) * | 2012-07-06 | 2014-01-09 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Cavity liners for electromechanical systems devices |
| US8684500B2 (en) * | 2012-08-06 | 2014-04-01 | Xerox Corporation | Diaphragm for an electrostatic actuator in an ink jet printer |
| JP5987573B2 (ja) * | 2012-09-12 | 2016-09-07 | セイコーエプソン株式会社 | 光学モジュール、電子機器、及び駆動方法 |
| US10586965B2 (en) * | 2014-11-05 | 2020-03-10 | William Winchin Yen | Microporous sheet product and methods for making and using the same |
| US10935420B2 (en) | 2015-08-13 | 2021-03-02 | Texas Instruments Incorporated | Optical interface for data transmission |
| TWI581004B (zh) * | 2015-11-18 | 2017-05-01 | 財團法人工業技術研究院 | 可調式光學裝置 |
| RU2670000C1 (ru) * | 2018-05-16 | 2018-10-17 | Владимир Олегович Ксендзов | Способ обучения верхней передаче в волейболе |
| TWI822833B (zh) * | 2019-08-15 | 2023-11-21 | 優顯科技股份有限公司 | 電子探測板、光電探測模組、與電子探測方法 |
| CN114690398A (zh) * | 2020-12-30 | 2022-07-01 | 无锡华润上华科技有限公司 | 一种静电驱动式mems显示屏及其制备方法 |
Family Cites Families (330)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2011A (en) * | 1841-03-18 | Appabatxts for piling saws | ||
| US2003A (en) * | 1841-03-12 | Improvement in horizontal windivhlls | ||
| US2001A (en) * | 1841-03-12 | Sawmill | ||
| US2008A (en) * | 1841-03-18 | Gas-lamp eok conducting gas pkom ah elevated buhner to one below it | ||
| US2006A (en) * | 1841-03-16 | Clamp for crimping leather | ||
| US2005A (en) * | 1841-03-16 | Improvement in the manner of constructing molds for casting butt-hinges | ||
| US2009A (en) * | 1841-03-18 | Improvement in machines for boring war-rockets | ||
| US2007A (en) * | 1841-03-16 | Improvement in the mode of harvesting grain | ||
| US2010A (en) * | 1841-03-18 | Machine foe | ||
| US2002A (en) * | 1841-03-12 | Tor and planter for plowing | ||
| US2004A (en) * | 1841-03-12 | Improvement in the manner of constructing and propelling steam-vessels | ||
| US2590906A (en) * | 1946-11-22 | 1952-04-01 | Farrand Optical Co Inc | Reflection interference filter |
| US2677714A (en) * | 1951-09-21 | 1954-05-04 | Alois Vogt Dr | Optical-electrical conversion device comprising a light-permeable metal electrode |
| US3247392A (en) * | 1961-05-17 | 1966-04-19 | Optical Coating Laboratory Inc | Optical coating and assembly used as a band pass interference filter reflecting in the ultraviolet and infrared |
| US3728030A (en) | 1970-06-22 | 1973-04-17 | Cary Instruments | Polarization interferometer |
| US3679313A (en) * | 1970-10-23 | 1972-07-25 | Bell Telephone Labor Inc | Dispersive element for optical pulse compression |
| JPS4946974A (ja) | 1972-09-11 | 1974-05-07 | ||
| DE2336930A1 (de) | 1973-07-20 | 1975-02-06 | Battelle Institut E V | Infrarot-modulator (ii.) |
| US3886310A (en) * | 1973-08-22 | 1975-05-27 | Westinghouse Electric Corp | Electrostatically deflectable light valve with improved diffraction properties |
| NL8001281A (nl) | 1980-03-04 | 1981-10-01 | Philips Nv | Weergeefinrichting. |
| DE3109653A1 (de) * | 1980-03-31 | 1982-01-28 | Jenoptik Jena Gmbh, Ddr 6900 Jena | "resonanzabsorber" |
| US4421381A (en) * | 1980-04-04 | 1983-12-20 | Yokogawa Hokushin Electric Corp. | Mechanical vibrating element |
| US4441791A (en) | 1980-09-02 | 1984-04-10 | Texas Instruments Incorporated | Deformable mirror light modulator |
| US4497974A (en) * | 1982-11-22 | 1985-02-05 | Exxon Research & Engineering Co. | Realization of a thin film solar cell with a detached reflector |
| US4498953A (en) * | 1983-07-27 | 1985-02-12 | At&T Bell Laboratories | Etching techniques |
| US5096279A (en) | 1984-08-31 | 1992-03-17 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and method |
| US4560435A (en) * | 1984-10-01 | 1985-12-24 | International Business Machines Corporation | Composite back-etch/lift-off stencil for proximity effect minimization |
| US4655554A (en) * | 1985-03-06 | 1987-04-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Spatial light modulator having a capacitively coupled photoconductor |
| US4859060A (en) | 1985-11-26 | 1989-08-22 | 501 Sharp Kabushiki Kaisha | Variable interferometric device and a process for the production of the same |
| US4705361A (en) | 1985-11-27 | 1987-11-10 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator |
| GB8621438D0 (en) * | 1986-09-05 | 1986-10-15 | Secr Defence | Electro-optic device |
| US4786128A (en) | 1986-12-02 | 1988-11-22 | Quantum Diagnostics, Ltd. | Device for modulating and reflecting electromagnetic radiation employing electro-optic layer having a variable index of refraction |
| US4822993A (en) * | 1987-02-17 | 1989-04-18 | Optron Systems, Inc. | Low-cost, substantially cross-talk free high spatial resolution 2-D bistable light modulator |
| DE3776157D1 (de) | 1987-06-04 | 1992-02-27 | Walter Lukosz | Optisches modulations- und mess-verfahren. |
| US4956619A (en) | 1988-02-19 | 1990-09-11 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator |
| US5028939A (en) | 1988-08-23 | 1991-07-02 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator system |
| US4925259A (en) * | 1988-10-20 | 1990-05-15 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Multilayer optical dielectric coating |
| US4982184A (en) | 1989-01-03 | 1991-01-01 | General Electric Company | Electrocrystallochromic display and element |
| US4973131A (en) * | 1989-02-03 | 1990-11-27 | Mcdonnell Douglas Corporation | Modulator mirror |
| US5022745A (en) | 1989-09-07 | 1991-06-11 | Massachusetts Institute Of Technology | Electrostatically deformable single crystal dielectrically coated mirror |
| US4954789A (en) | 1989-09-28 | 1990-09-04 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator |
| US5083857A (en) * | 1990-06-29 | 1992-01-28 | Texas Instruments Incorporated | Multi-level deformable mirror device |
| US5062689A (en) * | 1990-08-21 | 1991-11-05 | Koehler Dale R | Electrostatically actuatable light modulating device |
| US5142414A (en) * | 1991-04-22 | 1992-08-25 | Koehler Dale R | Electrically actuatable temporal tristimulus-color device |
| US5287215A (en) | 1991-07-17 | 1994-02-15 | Optron Systems, Inc. | Membrane light modulation systems |
| US5170283A (en) | 1991-07-24 | 1992-12-08 | Northrop Corporation | Silicon spatial light modulator |
| US5240818A (en) | 1991-07-31 | 1993-08-31 | Texas Instruments Incorporated | Method for manufacturing a color filter for deformable mirror device |
| US5315370A (en) | 1991-10-23 | 1994-05-24 | Bulow Jeffrey A | Interferometric modulator for optical signal processing |
| US6381022B1 (en) * | 1992-01-22 | 2002-04-30 | Northeastern University | Light modulating device |
| TW245772B (ja) | 1992-05-19 | 1995-04-21 | Akzo Nv | |
| US5818095A (en) | 1992-08-11 | 1998-10-06 | Texas Instruments Incorporated | High-yield spatial light modulator with light blocking layer |
| FI96450C (fi) | 1993-01-13 | 1996-06-25 | Vaisala Oy | Yksikanavainen kaasun pitoisuuden mittausmenetelmä ja -laitteisto |
| US7830587B2 (en) | 1993-03-17 | 2010-11-09 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light with semiconductor substrate |
| US6674562B1 (en) | 1994-05-05 | 2004-01-06 | Iridigm Display Corporation | Interferometric modulation of radiation |
| US5559358A (en) | 1993-05-25 | 1996-09-24 | Honeywell Inc. | Opto-electro-mechanical device or filter, process for making, and sensors made therefrom |
| US5526172A (en) | 1993-07-27 | 1996-06-11 | Texas Instruments Incorporated | Microminiature, monolithic, variable electrical signal processor and apparatus including same |
| FI94804C (fi) | 1994-02-17 | 1995-10-25 | Vaisala Oy | Sähköisesti säädettävä pintamikromekaaninen Fabry-Perot-interferometri käytettäväksi optisessa materiaalianalyysissä |
| US5665997A (en) | 1994-03-31 | 1997-09-09 | Texas Instruments Incorporated | Grated landing area to eliminate sticking of micro-mechanical devices |
| US7738157B2 (en) | 1994-05-05 | 2010-06-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for a MEMS device |
| US7852545B2 (en) | 1994-05-05 | 2010-12-14 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light |
| US7808694B2 (en) | 1994-05-05 | 2010-10-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light |
| US7550794B2 (en) * | 2002-09-20 | 2009-06-23 | Idc, Llc | Micromechanical systems device comprising a displaceable electrode and a charge-trapping layer |
| US7826120B2 (en) * | 1994-05-05 | 2010-11-02 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for multi-color interferometric modulation |
| US8081369B2 (en) | 1994-05-05 | 2011-12-20 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for a MEMS device |
| US6040937A (en) | 1994-05-05 | 2000-03-21 | Etalon, Inc. | Interferometric modulation |
| US6680792B2 (en) * | 1994-05-05 | 2004-01-20 | Iridigm Display Corporation | Interferometric modulation of radiation |
| US20010003487A1 (en) * | 1996-11-05 | 2001-06-14 | Mark W. Miles | Visible spectrum modulator arrays |
| US7460291B2 (en) | 1994-05-05 | 2008-12-02 | Idc, Llc | Separable modulator |
| US6710908B2 (en) | 1994-05-05 | 2004-03-23 | Iridigm Display Corporation | Controlling micro-electro-mechanical cavities |
| US7123216B1 (en) | 1994-05-05 | 2006-10-17 | Idc, Llc | Photonic MEMS and structures |
| US5920418A (en) | 1994-06-21 | 1999-07-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Diffractive optical modulator and method for producing the same, infrared sensor including such a diffractive optical modulator and method for producing the same, and display device including such a diffractive optical modulator |
| US5636052A (en) | 1994-07-29 | 1997-06-03 | Lucent Technologies Inc. | Direct view display based on a micromechanical modulation |
| US5485304A (en) | 1994-07-29 | 1996-01-16 | Texas Instruments, Inc. | Support posts for micro-mechanical devices |
| FR2726960B1 (fr) * | 1994-11-10 | 1996-12-13 | Thomson Csf | Procede de realisation de transducteurs magnetoresistifs |
| JPH08153700A (ja) * | 1994-11-25 | 1996-06-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 導電性被膜の異方性エッチング方法 |
| US5550373A (en) * | 1994-12-30 | 1996-08-27 | Honeywell Inc. | Fabry-Perot micro filter-detector |
| US7898722B2 (en) | 1995-05-01 | 2011-03-01 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device with restoring electrode |
| US5661592A (en) | 1995-06-07 | 1997-08-26 | Silicon Light Machines | Method of making and an apparatus for a flat diffraction grating light valve |
| US6849471B2 (en) * | 2003-03-28 | 2005-02-01 | Reflectivity, Inc. | Barrier layers for microelectromechanical systems |
| US6046840A (en) | 1995-06-19 | 2000-04-04 | Reflectivity, Inc. | Double substrate reflective spatial light modulator with self-limiting micro-mechanical elements |
| US6124851A (en) | 1995-07-20 | 2000-09-26 | E Ink Corporation | Electronic book with multiple page displays |
| KR100213026B1 (ko) * | 1995-07-27 | 1999-08-02 | 윤종용 | 디엠디 및 그 제조공정 |
| US6324192B1 (en) | 1995-09-29 | 2001-11-27 | Coretek, Inc. | Electrically tunable fabry-perot structure utilizing a deformable multi-layer mirror and method of making the same |
| JPH09127551A (ja) | 1995-10-31 | 1997-05-16 | Sharp Corp | 半導体装置およびアクティブマトリクス基板 |
| US5999306A (en) | 1995-12-01 | 1999-12-07 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing spatial light modulator and electronic device employing it |
| US5825528A (en) | 1995-12-26 | 1998-10-20 | Lucent Technologies Inc. | Phase-mismatched fabry-perot cavity micromechanical modulator |
| US5751469A (en) | 1996-02-01 | 1998-05-12 | Lucent Technologies Inc. | Method and apparatus for an improved micromechanical modulator |
| US6114862A (en) | 1996-02-14 | 2000-09-05 | Stmicroelectronics, Inc. | Capacitive distance sensor |
| US5710656A (en) | 1996-07-30 | 1998-01-20 | Lucent Technologies Inc. | Micromechanical optical modulator having a reduced-mass composite membrane |
| US5838484A (en) | 1996-08-19 | 1998-11-17 | Lucent Technologies Inc. | Micromechanical optical modulator with linear operating characteristic |
| GB9619781D0 (en) | 1996-09-23 | 1996-11-06 | Secr Defence | Multi layer interference coatings |
| US5771116A (en) * | 1996-10-21 | 1998-06-23 | Texas Instruments Incorporated | Multiple bias level reset waveform for enhanced DMD control |
| US7830588B2 (en) * | 1996-12-19 | 2010-11-09 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of making a light modulating display device and associated transistor circuitry and structures thereof |
| US7471444B2 (en) | 1996-12-19 | 2008-12-30 | Idc, Llc | Interferometric modulation of radiation |
| US6028689A (en) | 1997-01-24 | 2000-02-22 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Multi-motion micromirror |
| US5786927A (en) | 1997-03-12 | 1998-07-28 | Lucent Technologies Inc. | Gas-damped micromechanical structure |
| US6384952B1 (en) | 1997-03-27 | 2002-05-07 | Mems Optical Inc. | Vertical comb drive actuated deformable mirror device and method |
| EP0879991A3 (en) | 1997-05-13 | 1999-04-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Illuminating system |
| US5870221A (en) * | 1997-07-25 | 1999-02-09 | Lucent Technologies, Inc. | Micromechanical modulator having enhanced performance |
| US5867302A (en) | 1997-08-07 | 1999-02-02 | Sandia Corporation | Bistable microelectromechanical actuator |
| US6031653A (en) * | 1997-08-28 | 2000-02-29 | California Institute Of Technology | Low-cost thin-metal-film interference filters |
| EP0969306B1 (en) | 1998-01-20 | 2005-05-11 | Seiko Epson Corporation | Optical switching device and image display device |
| US5914804A (en) | 1998-01-28 | 1999-06-22 | Lucent Technologies Inc | Double-cavity micromechanical optical modulator with plural multilayer mirrors |
| US6100861A (en) * | 1998-02-17 | 2000-08-08 | Rainbow Displays, Inc. | Tiled flat panel display with improved color gamut |
| JPH11258558A (ja) * | 1998-03-13 | 1999-09-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | 平面表示装置 |
| US6195196B1 (en) | 1998-03-13 | 2001-02-27 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Array-type exposing device and flat type display incorporating light modulator and driving method thereof |
| US6262697B1 (en) | 1998-03-20 | 2001-07-17 | Eastman Kodak Company | Display having viewable and conductive images |
| US8928967B2 (en) * | 1998-04-08 | 2015-01-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light |
| WO1999052006A2 (en) * | 1998-04-08 | 1999-10-14 | Etalon, Inc. | Interferometric modulation of radiation |
| US7532377B2 (en) | 1998-04-08 | 2009-05-12 | Idc, Llc | Movable micro-electromechanical device |
| US6097145A (en) | 1998-04-27 | 2000-08-01 | Copytele, Inc. | Aerogel-based phase transition flat panel display |
| US6046659A (en) * | 1998-05-15 | 2000-04-04 | Hughes Electronics Corporation | Design and fabrication of broadband surface-micromachined micro-electro-mechanical switches for microwave and millimeter-wave applications |
| US6242989B1 (en) | 1998-09-12 | 2001-06-05 | Agere Systems Guardian Corp. | Article comprising a multi-port variable capacitor |
| US6323834B1 (en) * | 1998-10-08 | 2001-11-27 | International Business Machines Corporation | Micromechanical displays and fabrication method |
| JP3919954B2 (ja) | 1998-10-16 | 2007-05-30 | 富士フイルム株式会社 | アレイ型光変調素子及び平面ディスプレイの駆動方法 |
| JP2000147262A (ja) | 1998-11-11 | 2000-05-26 | Nobuyuki Higuchi | 集光装置及びこれを利用した太陽光発電システム |
| US6188519B1 (en) * | 1999-01-05 | 2001-02-13 | Kenneth Carlisle Johnson | Bigrating light valve |
| US6242932B1 (en) * | 1999-02-19 | 2001-06-05 | Micron Technology, Inc. | Interposer for semiconductor components having contact balls |
| US6323987B1 (en) | 1999-05-14 | 2001-11-27 | Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. | Controlled multi-wavelength etalon |
| US6335235B1 (en) * | 1999-08-17 | 2002-01-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Simplified method of patterning field dielectric regions in a semiconductor device |
| WO2003007049A1 (en) * | 1999-10-05 | 2003-01-23 | Iridigm Display Corporation | Photonic mems and structures |
| US6351329B1 (en) * | 1999-10-08 | 2002-02-26 | Lucent Technologies Inc. | Optical attenuator |
| US6960305B2 (en) * | 1999-10-26 | 2005-11-01 | Reflectivity, Inc | Methods for forming and releasing microelectromechanical structures |
| US6519073B1 (en) * | 2000-01-10 | 2003-02-11 | Lucent Technologies Inc. | Micromechanical modulator and methods for fabricating the same |
| KR100837593B1 (ko) * | 2000-01-21 | 2008-06-13 | 플렉스 프로덕츠, 인코포레이티드 | 가변적 광학 특성의 보안 장치 |
| US6307663B1 (en) | 2000-01-26 | 2001-10-23 | Eastman Kodak Company | Spatial light modulator with conformal grating device |
| JP2001221913A (ja) | 2000-02-08 | 2001-08-17 | Yokogawa Electric Corp | ファブリペローフィルタ及び赤外線ガス分析計 |
| GB2359636B (en) | 2000-02-22 | 2002-05-01 | Marconi Comm Ltd | Wavelength selective optical filter |
| KR20010112456A (ko) | 2000-02-24 | 2001-12-20 | 요트.게.아. 롤페즈 | 광 가이드를 포함한 디스플레이 디바이스 |
| US6836366B1 (en) | 2000-03-03 | 2004-12-28 | Axsun Technologies, Inc. | Integrated tunable fabry-perot filter and method of making same |
| US6747775B2 (en) * | 2000-03-20 | 2004-06-08 | Np Photonics, Inc. | Detunable Fabry-Perot interferometer and an add/drop multiplexer using the same |
| US6698295B1 (en) | 2000-03-31 | 2004-03-02 | Shipley Company, L.L.C. | Microstructures comprising silicon nitride layer and thin conductive polysilicon layer |
| US6744805B2 (en) * | 2000-04-05 | 2004-06-01 | Nortel Networks Limited | Single mode operation of microelectromechanically tunable, half-symmetric, vertical cavity surface emitting lasers |
| US6400738B1 (en) * | 2000-04-14 | 2002-06-04 | Agilent Technologies, Inc. | Tunable Fabry-Perot filters and lasers |
| US7008812B1 (en) | 2000-05-30 | 2006-03-07 | Ic Mechanics, Inc. | Manufacture of MEMS structures in sealed cavity using dry-release MEMS device encapsulation |
| FR2811139B1 (fr) * | 2000-06-29 | 2003-10-17 | Centre Nat Rech Scient | Dispositif optoelectronique a filtrage de longueur d'onde integre |
| DE60142452D1 (de) | 2000-07-03 | 2010-08-05 | Sony Corp | Optische Mehrschicht-Struktur, optische Schalteinrichtung und Bildanzeigevorrichtung |
| JP2002062490A (ja) | 2000-08-14 | 2002-02-28 | Canon Inc | 干渉性変調素子 |
| US6466354B1 (en) | 2000-09-19 | 2002-10-15 | Silicon Light Machines | Method and apparatus for interferometric modulation of light |
| US6714565B1 (en) | 2000-11-01 | 2004-03-30 | Agilent Technologies, Inc. | Optically tunable Fabry Perot microelectromechanical resonator |
| US6556338B2 (en) | 2000-11-03 | 2003-04-29 | Intpax, Inc. | MEMS based variable optical attenuator (MBVOA) |
| US6433917B1 (en) | 2000-11-22 | 2002-08-13 | Ball Semiconductor, Inc. | Light modulation device and system |
| US6906847B2 (en) | 2000-12-07 | 2005-06-14 | Reflectivity, Inc | Spatial light modulators with light blocking/absorbing areas |
| US6614576B2 (en) * | 2000-12-15 | 2003-09-02 | Texas Instruments Incorporated | Surface micro-planarization for enhanced optical efficiency and pixel performance in SLM devices |
| DE10064616C2 (de) | 2000-12-22 | 2003-02-06 | Ovd Kinegram Ag Zug | Dekorfolie und Verfahren zum Beschriften der Dekorfolie |
| US20020149834A1 (en) * | 2000-12-22 | 2002-10-17 | Ball Semiconductor, Inc. | Light modulation device and system |
| US6947195B2 (en) * | 2001-01-18 | 2005-09-20 | Ricoh Company, Ltd. | Optical modulator, optical modulator manufacturing method, light information processing apparatus including optical modulator, image formation apparatus including optical modulator, and image projection and display apparatus including optical modulator |
| US6911891B2 (en) * | 2001-01-19 | 2005-06-28 | Massachusetts Institute Of Technology | Bistable actuation techniques, mechanisms, and applications |
| JP2002221678A (ja) | 2001-01-25 | 2002-08-09 | Seiko Epson Corp | 光スイッチングデバイス、その製造方法および画像表示装置 |
| US6912078B2 (en) | 2001-03-16 | 2005-06-28 | Corning Incorporated | Electrostatically actuated micro-electro-mechanical devices and method of manufacture |
| US6661561B2 (en) | 2001-03-26 | 2003-12-09 | Creo Inc. | High frequency deformable mirror device |
| JP3557525B2 (ja) * | 2001-03-29 | 2004-08-25 | 日本航空電子工業株式会社 | 微小可動デバイス |
| US6600587B2 (en) * | 2001-04-23 | 2003-07-29 | Memx, Inc. | Surface micromachined optical system with reinforced mirror microstructure |
| US6657832B2 (en) | 2001-04-26 | 2003-12-02 | Texas Instruments Incorporated | Mechanically assisted restoring force support for micromachined membranes |
| WO2002095800A2 (en) * | 2001-05-22 | 2002-11-28 | Reflectivity, Inc. | A method for making a micromechanical device by removing a sacrificial layer with multiple sequential etchants |
| JP3740444B2 (ja) * | 2001-07-11 | 2006-02-01 | キヤノン株式会社 | 光偏向器、それを用いた光学機器、ねじれ揺動体 |
| JP4032216B2 (ja) * | 2001-07-12 | 2008-01-16 | ソニー株式会社 | 光学多層構造体およびその製造方法、並びに光スイッチング素子および画像表示装置 |
| US6594059B2 (en) * | 2001-07-16 | 2003-07-15 | Axsun Technologies, Inc. | Tilt mirror fabry-perot filter system, fabrication process therefor, and method of operation thereof |
| US6632698B2 (en) | 2001-08-07 | 2003-10-14 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Microelectromechanical device having a stiffened support beam, and methods of forming stiffened support beams in MEMS |
| US6661562B2 (en) * | 2001-08-17 | 2003-12-09 | Lucent Technologies Inc. | Optical modulator and method of manufacture thereof |
| GB2389150B (en) * | 2001-09-07 | 2004-08-25 | Avon Polymer Prod Ltd | Noise and vibration suppressors |
| US7015457B2 (en) * | 2002-03-18 | 2006-03-21 | Honeywell International Inc. | Spectrally tunable detector |
| US20030053078A1 (en) * | 2001-09-17 | 2003-03-20 | Mark Missey | Microelectromechanical tunable fabry-perot wavelength monitor with thermal actuators |
| WO2003028059A1 (en) | 2001-09-21 | 2003-04-03 | Hrl Laboratories, Llc | Mems switches and methods of making same |
| AU2002363529A1 (en) * | 2001-11-09 | 2003-05-19 | Coventor, Incorporated | Micro-scale interconnect device with internal heat spreader and method for fabricating same |
| US6761950B2 (en) * | 2001-12-07 | 2004-07-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for producing the same |
| JP2003177336A (ja) | 2001-12-11 | 2003-06-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光変調素子及び光変調素子アレイ並びにそれを用いた露光装置 |
| JP3893421B2 (ja) * | 2001-12-27 | 2007-03-14 | 富士フイルム株式会社 | 光変調素子及び光変調素子アレイ並びにそれを用いた露光装置 |
| US6791735B2 (en) | 2002-01-09 | 2004-09-14 | The Regents Of The University Of California | Differentially-driven MEMS spatial light modulator |
| JP2003295074A (ja) * | 2002-01-31 | 2003-10-15 | Ricoh Co Ltd | 光変調装置 |
| US6608268B1 (en) | 2002-02-05 | 2003-08-19 | Memtronics, A Division Of Cogent Solutions, Inc. | Proximity micro-electro-mechanical system |
| US6794119B2 (en) | 2002-02-12 | 2004-09-21 | Iridigm Display Corporation | Method for fabricating a structure for a microelectromechanical systems (MEMS) device |
| US6935759B1 (en) * | 2002-02-19 | 2005-08-30 | Glimmerglass Networks, Inc. | Folded longitudinal torsional hinge for gimbaled MEMS mirror |
| US6574033B1 (en) | 2002-02-27 | 2003-06-03 | Iridigm Display Corporation | Microelectromechanical systems device and method for fabricating same |
| AU2003211809A1 (en) * | 2002-03-01 | 2003-09-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device and display unit using the light emitting device and reading device |
| US7145143B2 (en) | 2002-03-18 | 2006-12-05 | Honeywell International Inc. | Tunable sensor |
| US6768555B2 (en) * | 2002-03-21 | 2004-07-27 | Industrial Technology Research Institute | Fabry-Perot filter apparatus with enhanced optical discrimination |
| US6965468B2 (en) * | 2003-07-03 | 2005-11-15 | Reflectivity, Inc | Micromirror array having reduced gap between adjacent micromirrors of the micromirror array |
| US6954297B2 (en) | 2002-04-30 | 2005-10-11 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Micro-mirror device including dielectrophoretic liquid |
| US6972882B2 (en) | 2002-04-30 | 2005-12-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Micro-mirror device with light angle amplification |
| JP2003340795A (ja) | 2002-05-20 | 2003-12-02 | Sony Corp | 静電駆動型ｍｅｍｓ素子とその製造方法、光学ｍｅｍｓ素子、光変調素子、ｇｌｖデバイス及びレーザディスプレイ |
| JP3801099B2 (ja) | 2002-06-04 | 2006-07-26 | 株式会社デンソー | チューナブルフィルタ、その製造方法、及びそれを使用した光スイッチング装置 |
| US6813059B2 (en) | 2002-06-28 | 2004-11-02 | Silicon Light Machines, Inc. | Reduced formation of asperities in contact micro-structures |
| US6738194B1 (en) * | 2002-07-22 | 2004-05-18 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Resonance tunable optical filter |
| US6822798B2 (en) * | 2002-08-09 | 2004-11-23 | Optron Systems, Inc. | Tunable optical filter |
| AU2003260825A1 (en) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Switchable optical element |
| JP4057871B2 (ja) * | 2002-09-19 | 2008-03-05 | 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 | 液晶表示装置 |
| KR100512960B1 (ko) | 2002-09-26 | 2005-09-07 | 삼성전자주식회사 | 플렉서블 ｍｅｍｓ 트랜스듀서와 그 제조방법 및 이를채용한 플렉서블 ｍｅｍｓ 무선 마이크로폰 |
| US7085121B2 (en) * | 2002-10-21 | 2006-08-01 | Hrl Laboratories, Llc | Variable capacitance membrane actuator for wide band tuning of microstrip resonators and filters |
| FR2846318B1 (fr) * | 2002-10-24 | 2005-01-07 | Commissariat Energie Atomique | Microstructure electromecanique integree comportant des moyens de reglage de la pression dans une cavite scellee et procede de reglage de la pression |
| US7370185B2 (en) | 2003-04-30 | 2008-05-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Self-packaged optical interference display device having anti-stiction bumps, integral micro-lens, and reflection-absorbing layers |
| US6844959B2 (en) | 2002-11-26 | 2005-01-18 | Reflectivity, Inc | Spatial light modulators with light absorbing areas |
| US6958846B2 (en) * | 2002-11-26 | 2005-10-25 | Reflectivity, Inc | Spatial light modulators with light absorbing areas |
| TWI289708B (en) * | 2002-12-25 | 2007-11-11 | Qualcomm Mems Technologies Inc | Optical interference type color display |
| TW594155B (en) | 2002-12-27 | 2004-06-21 | Prime View Int Corp Ltd | Optical interference type color display and optical interference modulator |
| JP2004212637A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光変調素子及び平面表示素子 |
| JP2004212680A (ja) | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光変調素子アレイ及びその製造方法 |
| JP2004212638A (ja) | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光変調素子及び平面表示素子 |
| JP2004219843A (ja) | 2003-01-16 | 2004-08-05 | Seiko Epson Corp | 光変調器、表示装置及びその製造方法 |
| TW557395B (en) * | 2003-01-29 | 2003-10-11 | Yen Sun Technology Corp | Optical interference type reflection panel and the manufacturing method thereof |
| TW200413810A (en) * | 2003-01-29 | 2004-08-01 | Prime View Int Co Ltd | Light interference display panel and its manufacturing method |
| US7436573B2 (en) * | 2003-02-12 | 2008-10-14 | Texas Instruments Incorporated | Electrical connections in microelectromechanical devices |
| US7459402B2 (en) | 2003-02-12 | 2008-12-02 | Texas Instruments Incorporated | Protection layers in micromirror array devices |
| CN1217195C (zh) * | 2003-02-28 | 2005-08-31 | 北京大学 | Mems压阻式伺服加速度传感器及其制备方法 |
| TW200417806A (en) | 2003-03-05 | 2004-09-16 | Prime View Int Corp Ltd | A structure of a light-incidence electrode of an optical interference display plate |
| US6913942B2 (en) * | 2003-03-28 | 2005-07-05 | Reflectvity, Inc | Sacrificial layers for use in fabrications of microelectromechanical devices |
| TW594360B (en) | 2003-04-21 | 2004-06-21 | Prime View Int Corp Ltd | A method for fabricating an interference display cell |
| TW567355B (en) | 2003-04-21 | 2003-12-21 | Prime View Int Co Ltd | An interference display cell and fabrication method thereof |
| TWI224235B (en) | 2003-04-21 | 2004-11-21 | Prime View Int Co Ltd | A method for fabricating an interference display cell |
| TWI226504B (en) | 2003-04-21 | 2005-01-11 | Prime View Int Co Ltd | A structure of an interference display cell |
| US7072093B2 (en) | 2003-04-30 | 2006-07-04 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Optical interference pixel display with charge control |
| US7447891B2 (en) | 2003-04-30 | 2008-11-04 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Light modulator with concentric control-electrode structure |
| WO2004099629A2 (en) | 2003-05-01 | 2004-11-18 | University Of Florida | Vertical displacement device |
| JP4075678B2 (ja) * | 2003-05-06 | 2008-04-16 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子 |
| TW591716B (en) | 2003-05-26 | 2004-06-11 | Prime View Int Co Ltd | A structure of a structure release and manufacturing the same |
| TW570896B (en) * | 2003-05-26 | 2004-01-11 | Prime View Int Co Ltd | A method for fabricating an interference display cell |
| TWI223855B (en) | 2003-06-09 | 2004-11-11 | Taiwan Semiconductor Mfg | Method for manufacturing reflective spatial light modulator mirror devices |
| JP2007027150A (ja) | 2003-06-23 | 2007-02-01 | Hitachi Chem Co Ltd | 集光型光発電システム |
| US7221495B2 (en) | 2003-06-24 | 2007-05-22 | Idc Llc | Thin film precursor stack for MEMS manufacturing |
| US6862127B1 (en) * | 2003-11-01 | 2005-03-01 | Fusao Ishii | High performance micromirror arrays and methods of manufacturing the same |
| JP3786106B2 (ja) | 2003-08-11 | 2006-06-14 | セイコーエプソン株式会社 | 波長可変光フィルタ及びその製造方法 |
| TWI251712B (en) * | 2003-08-15 | 2006-03-21 | Prime View Int Corp Ltd | Interference display plate |
| TW200506479A (en) * | 2003-08-15 | 2005-02-16 | Prime View Int Co Ltd | Color changeable pixel for an interference display |
| TWI231865B (en) * | 2003-08-26 | 2005-05-01 | Prime View Int Co Ltd | An interference display cell and fabrication method thereof |
| JP3979982B2 (ja) * | 2003-08-29 | 2007-09-19 | シャープ株式会社 | 干渉性変調器および表示装置 |
| TWI230801B (en) | 2003-08-29 | 2005-04-11 | Prime View Int Co Ltd | Reflective display unit using interferometric modulation and manufacturing method thereof |
| TWI232333B (en) * | 2003-09-03 | 2005-05-11 | Prime View Int Co Ltd | Display unit using interferometric modulation and manufacturing method thereof |
| US7422928B2 (en) * | 2003-09-22 | 2008-09-09 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Process for fabricating a micro-electro-mechanical system with movable components |
| US6982820B2 (en) | 2003-09-26 | 2006-01-03 | Prime View International Co., Ltd. | Color changeable pixel |
| US7027204B2 (en) | 2003-09-26 | 2006-04-11 | Silicon Light Machines Corporation | High-density spatial light modulator |
| TW593126B (en) * | 2003-09-30 | 2004-06-21 | Prime View Int Co Ltd | A structure of a micro electro mechanical system and manufacturing the same |
| JP2005121906A (ja) | 2003-10-16 | 2005-05-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 反射型光変調アレイ素子及び露光装置 |
| US7782523B2 (en) * | 2003-11-01 | 2010-08-24 | Fusao Ishii | Analog micromirror devices with continuous intermediate states |
| US7198873B2 (en) | 2003-11-18 | 2007-04-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic processing optimization based on hypersampled correlations |
| TW200524236A (en) * | 2003-12-01 | 2005-07-16 | Nl Nanosemiconductor Gmbh | Optoelectronic device incorporating an interference filter |
| US6980339B2 (en) * | 2003-12-19 | 2005-12-27 | Lucent Technologies Inc. | Deformable MEMS mirror |
| ATE552521T1 (de) * | 2003-12-19 | 2012-04-15 | Barco Nv | Breitbandige reflektive anzeigevorrichtung |
| WO2005089098A2 (en) * | 2004-01-14 | 2005-09-29 | The Regents Of The University Of California | Ultra broadband mirror using subwavelength grating |
| TWI235345B (en) | 2004-01-20 | 2005-07-01 | Prime View Int Co Ltd | A structure of an optical interference display unit |
| JP2005235403A (ja) * | 2004-02-17 | 2005-09-02 | Hitachi Displays Ltd | 有機・ｅｌ表示装置 |
| TWI256941B (en) | 2004-02-18 | 2006-06-21 | Qualcomm Mems Technologies Inc | A micro electro mechanical system display cell and method for fabricating thereof |
| US7119945B2 (en) | 2004-03-03 | 2006-10-10 | Idc, Llc | Altering temporal response of microelectromechanical elements |
| TW200530669A (en) | 2004-03-05 | 2005-09-16 | Prime View Int Co Ltd | Interference display plate and manufacturing method thereof |
| TWI261683B (en) | 2004-03-10 | 2006-09-11 | Qualcomm Mems Technologies Inc | Interference reflective element and repairing method thereof |
| JP4581453B2 (ja) | 2004-03-29 | 2010-11-17 | ソニー株式会社 | Ｍｅｍｓ素子、光学ｍｅｍｓ素子、回折型光学ｍｅｍｓ素子、並びにレーザディスプレイ |
| JP2005308871A (ja) | 2004-04-19 | 2005-11-04 | Aterio Design Kk | 干渉カラーフィルター |
| JP2005309099A (ja) * | 2004-04-21 | 2005-11-04 | Seiko Epson Corp | 波長可変フィルタ及びその製造方法 |
| US7245285B2 (en) * | 2004-04-28 | 2007-07-17 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Pixel device |
| US7476327B2 (en) | 2004-05-04 | 2009-01-13 | Idc, Llc | Method of manufacture for microelectromechanical devices |
| US7787170B2 (en) * | 2004-06-15 | 2010-08-31 | Texas Instruments Incorporated | Micromirror array assembly with in-array pillars |
| US7113322B2 (en) * | 2004-06-23 | 2006-09-26 | Reflectivity, Inc | Micromirror having offset addressing electrode |
| US7075700B2 (en) | 2004-06-25 | 2006-07-11 | The Boeing Company | Mirror actuator position sensor systems and methods |
| TWI233916B (en) * | 2004-07-09 | 2005-06-11 | Prime View Int Co Ltd | A structure of a micro electro mechanical system |
| CA2572952C (en) * | 2004-07-09 | 2012-12-04 | The University Of Cincinnati | Display capable electrowetting light valve |
| TWI270722B (en) * | 2004-07-23 | 2007-01-11 | Au Optronics Corp | Dual-side display panel |
| KR101354520B1 (ko) * | 2004-07-29 | 2014-01-21 | 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크. | 간섭 변조기의 미소기전 동작을 위한 시스템 및 방법 |
| US7126741B2 (en) | 2004-08-12 | 2006-10-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Light modulator assembly |
| US7372348B2 (en) * | 2004-08-20 | 2008-05-13 | Palo Alto Research Center Incorporated | Stressed material and shape memory material MEMS devices and methods for manufacturing |
| US7130104B2 (en) | 2004-09-27 | 2006-10-31 | Idc, Llc | Methods and devices for inhibiting tilting of a mirror in an interferometric modulator |
| US8102407B2 (en) | 2004-09-27 | 2012-01-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for manipulating color in a display |
| US7612932B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-11-03 | Idc, Llc | Microelectromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function |
| US7564612B2 (en) * | 2004-09-27 | 2009-07-21 | Idc, Llc | Photonic MEMS and structures |
| US7898521B2 (en) * | 2004-09-27 | 2011-03-01 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Device and method for wavelength filtering |
| CN1755495A (zh) * | 2004-09-27 | 2006-04-05 | Idc公司 | 制造mems系统的预结构的方法 |
| US7527995B2 (en) * | 2004-09-27 | 2009-05-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of making prestructure for MEMS systems |
| US7684104B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-03-23 | Idc, Llc | MEMS using filler material and method |
| US7321456B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-01-22 | Idc, Llc | Method and device for corner interferometric modulation |
| US7304784B2 (en) * | 2004-09-27 | 2007-12-04 | Idc, Llc | Reflective display device having viewable display on both sides |
| EP1800173A1 (en) * | 2004-09-27 | 2007-06-27 | Idc, Llc | Method and device for multistate interferometric light modulation |
| US7327510B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-02-05 | Idc, Llc | Process for modifying offset voltage characteristics of an interferometric modulator |
| US7302157B2 (en) | 2004-09-27 | 2007-11-27 | Idc, Llc | System and method for multi-level brightness in interferometric modulation |
| US7936497B2 (en) * | 2004-09-27 | 2011-05-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device having deformable membrane characterized by mechanical persistence |
| US7944599B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-05-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function |
| US8008736B2 (en) * | 2004-09-27 | 2011-08-30 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Analog interferometric modulator device |
| US7554714B2 (en) * | 2004-09-27 | 2009-06-30 | Idc, Llc | Device and method for manipulation of thermal response in a modulator |
| US7289259B2 (en) | 2004-09-27 | 2007-10-30 | Idc, Llc | Conductive bus structure for interferometric modulator array |
| US7420725B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-09-02 | Idc, Llc | Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same |
| US7372613B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-05-13 | Idc, Llc | Method and device for multistate interferometric light modulation |
| US7893919B2 (en) * | 2004-09-27 | 2011-02-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display region architectures |
| US7719500B2 (en) * | 2004-09-27 | 2010-05-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Reflective display pixels arranged in non-rectangular arrays |
| US7184202B2 (en) | 2004-09-27 | 2007-02-27 | Idc, Llc | Method and system for packaging a MEMS device |
| US7630119B2 (en) * | 2004-09-27 | 2009-12-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Apparatus and method for reducing slippage between structures in an interferometric modulator |
| US7184193B2 (en) * | 2004-10-05 | 2007-02-27 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Systems and methods for amorphous flexures in micro-electro mechanical systems |
| JP4384005B2 (ja) * | 2004-10-15 | 2009-12-16 | 株式会社東芝 | 表示装置 |
| US8203402B2 (en) | 2004-10-27 | 2012-06-19 | Epcos Ag | Electronic device |
| US20080068697A1 (en) * | 2004-10-29 | 2008-03-20 | Haluzak Charles C | Micro-Displays and Their Manufacture |
| US20060132927A1 (en) * | 2004-11-30 | 2006-06-22 | Yoon Frank C | Electrowetting chromatophore |
| US7484857B2 (en) * | 2004-11-30 | 2009-02-03 | Massachusetts Institute Of Technology | Light modulating mirror device and array |
| US7224033B2 (en) * | 2005-02-15 | 2007-05-29 | International Business Machines Corporation | Structure and method for manufacturing strained FINFET |
| US7521666B2 (en) | 2005-02-17 | 2009-04-21 | Capella Microsystems Inc. | Multi-cavity Fabry-Perot ambient light filter apparatus |
| US7405852B2 (en) | 2005-02-23 | 2008-07-29 | Pixtronix, Inc. | Display apparatus and methods for manufacture thereof |
| US7675665B2 (en) | 2005-02-23 | 2010-03-09 | Pixtronix, Incorporated | Methods and apparatus for actuating displays |
| US8310442B2 (en) | 2005-02-23 | 2012-11-13 | Pixtronix, Inc. | Circuits for controlling display apparatus |
| US7884989B2 (en) * | 2005-05-27 | 2011-02-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | White interferometric modulators and methods for forming the same |
| US7460292B2 (en) | 2005-06-03 | 2008-12-02 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric modulator with internal polarization and drive method |
| US7184195B2 (en) | 2005-06-15 | 2007-02-27 | Miradia Inc. | Method and structure reducing parasitic influences of deflection devices in an integrated spatial light modulator |
| US7435518B2 (en) * | 2005-10-03 | 2008-10-14 | Xerox Corporation | Method of treating an electrophotographic-imaging member with a rare earth material |
| US8574823B2 (en) | 2005-10-05 | 2013-11-05 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Multi-level layer |
| US7513327B1 (en) | 2005-10-13 | 2009-04-07 | Kent Peterson | System for converting a recreational vehicle |
| US7760197B2 (en) * | 2005-10-31 | 2010-07-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fabry-perot interferometric MEMS electromagnetic wave modulator with zero-electric field |
| JP2007167998A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Toshiba Corp | 梁構造を有する装置、および半導体装置 |
| US7417746B2 (en) * | 2005-12-29 | 2008-08-26 | Xerox Corporation | Fabry-perot tunable filter systems and methods |
| US7652814B2 (en) | 2006-01-27 | 2010-01-26 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device with integrated optical element |
| US7550810B2 (en) * | 2006-02-23 | 2009-06-23 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device having a layer movable at asymmetric rates |
| JP5051123B2 (ja) * | 2006-03-28 | 2012-10-17 | 富士通株式会社 | 可動素子 |
| US7477440B1 (en) * | 2006-04-06 | 2009-01-13 | Miradia Inc. | Reflective spatial light modulator having dual layer electrodes and method of fabricating same |
| US7649671B2 (en) | 2006-06-01 | 2010-01-19 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Analog interferometric modulator device with electrostatic actuation and release |
| US7321457B2 (en) | 2006-06-01 | 2008-01-22 | Qualcomm Incorporated | Process and structure for fabrication of MEMS device having isolated edge posts |
| US7385744B2 (en) | 2006-06-28 | 2008-06-10 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Support structure for free-standing MEMS device and methods for forming the same |
| US7835061B2 (en) | 2006-06-28 | 2010-11-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Support structures for free-standing electromechanical devices |
| US7593189B2 (en) * | 2006-06-30 | 2009-09-22 | Seagate Technology Llc | Head gimbal assembly to reduce slider distortion due to thermal stress |
| US7527998B2 (en) * | 2006-06-30 | 2009-05-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of manufacturing MEMS devices providing air gap control |
| US7566664B2 (en) * | 2006-08-02 | 2009-07-28 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Selective etching of MEMS using gaseous halides and reactive co-etchants |
| TWI331231B (en) * | 2006-08-04 | 2010-10-01 | Au Optronics Corp | Color filter and frbricating method thereof |
| DE102006039071B4 (de) | 2006-08-09 | 2012-04-19 | Universität Kassel | Optisches Filter und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US7629197B2 (en) | 2006-10-18 | 2009-12-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Spatial light modulator |
| US20080121270A1 (en) | 2006-11-28 | 2008-05-29 | General Electric Company | Photovoltaic roof tile system |
| US7535621B2 (en) * | 2006-12-27 | 2009-05-19 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Aluminum fluoride films for microelectromechanical system applications |
| US8115987B2 (en) | 2007-02-01 | 2012-02-14 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Modulating the intensity of light from an interferometric reflector |
| US7742220B2 (en) | 2007-03-28 | 2010-06-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device and method utilizing conducting layers separated by stops |
| US7643202B2 (en) | 2007-05-09 | 2010-01-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical system having a dielectric movable membrane and a mirror |
| US7715085B2 (en) | 2007-05-09 | 2010-05-11 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electromechanical system having a dielectric movable membrane and a mirror |
| US7643199B2 (en) * | 2007-06-19 | 2010-01-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | High aperture-ratio top-reflective AM-iMod displays |
| US7782517B2 (en) | 2007-06-21 | 2010-08-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Infrared and dual mode displays |
| US7569488B2 (en) * | 2007-06-22 | 2009-08-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods of making a MEMS device by monitoring a process parameter |
| US7630121B2 (en) * | 2007-07-02 | 2009-12-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function |
| US7773286B2 (en) | 2007-09-14 | 2010-08-10 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Periodic dimple array |
| US7847999B2 (en) | 2007-09-14 | 2010-12-07 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric modulator display devices |
| US7612933B2 (en) | 2008-03-27 | 2009-11-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device with spacing layer |
| US7898723B2 (en) * | 2008-04-02 | 2011-03-01 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical systems display element with photovoltaic structure |
-
2007
- 2007-07-02 US US11/772,751 patent/US7630121B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-03-25 EP EP08153252A patent/EP2012168A3/en not_active Withdrawn
- 2008-03-25 EP EP11189408A patent/EP2442169A3/en not_active Withdrawn
- 2008-03-25 EP EP11189407A patent/EP2442168A3/en not_active Withdrawn
- 2008-06-24 CN CN2011104123045A patent/CN102393562A/zh active Pending
- 2008-06-24 BR BRPI0813296-8A2A patent/BRPI0813296A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2008-06-24 KR KR1020107002032A patent/KR20100038406A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-06-24 RU RU2009145292/28A patent/RU2475789C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2008-06-24 CN CN2008800228932A patent/CN101688975B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-06-24 WO PCT/US2008/068061 patent/WO2009006118A2/en active Application Filing
- 2008-06-24 JP JP2010515042A patent/JP5065487B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-06-24 CA CA002691674A patent/CA2691674A1/en not_active Abandoned
- 2008-06-24 CN CN2011104123420A patent/CN102393563A/zh active Pending
- 2008-07-01 TW TW097124776A patent/TWI402536B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-07-01 TW TW100121914A patent/TW201135281A/zh unknown
-
2009
- 2009-12-03 US US12/630,741 patent/US7920319B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-03-25 US US13/072,160 patent/US8368997B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-06-19 JP JP2012137592A patent/JP2012212158A/ja active Pending
- 2012-06-19 JP JP2012137593A patent/JP2012212159A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012212158A (ja) * | 2007-07-02 | 2012-11-01 | Qualcomm Mems Technologies Inc | 機械的および電気的機能から分離された光学的機能を備えた微小電気機械デバイス |
| JP2012212159A (ja) * | 2007-07-02 | 2012-11-01 | Qualcomm Mems Technologies Inc | 機械的および電気的機能から分離された光学的機能を備えた微小電気機械デバイス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2012212158A (ja) | 2012-11-01 |
| CA2691674A1 (en) | 2009-01-08 |
| US8368997B2 (en) | 2013-02-05 |
| EP2442169A2 (en) | 2012-04-18 |
| EP2442168A3 (en) | 2012-08-29 |
| WO2009006118A2 (en) | 2009-01-08 |
| US20110170168A1 (en) | 2011-07-14 |
| EP2012168A2 (en) | 2009-01-07 |
| US7920319B2 (en) | 2011-04-05 |
| BRPI0813296A2 (pt) | 2014-12-30 |
| CN102393563A (zh) | 2012-03-28 |
| TWI402536B (zh) | 2013-07-21 |
| EP2442168A2 (en) | 2012-04-18 |
| US20100085625A1 (en) | 2010-04-08 |
| US20090009845A1 (en) | 2009-01-08 |
| CN102393562A (zh) | 2012-03-28 |
| TW200909853A (en) | 2009-03-01 |
| WO2009006118A3 (en) | 2009-05-14 |
| RU2475789C2 (ru) | 2013-02-20 |
| US7630121B2 (en) | 2009-12-08 |
| TW201135281A (en) | 2011-10-16 |
| RU2009145292A (ru) | 2011-08-10 |
| CN101688975A (zh) | 2010-03-31 |
| KR20100038406A (ko) | 2010-04-14 |
| CN101688975B (zh) | 2012-02-01 |
| JP2012212159A (ja) | 2012-11-01 |
| EP2442169A3 (en) | 2012-08-29 |
| JP2010532498A (ja) | 2010-10-07 |
| EP2012168A3 (en) | 2009-04-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5065487B2 (ja) | 機械的および電気的機能から分離された光学的機能を備えた微小電気機械デバイス | |
| JP5728608B2 (ja) | 機械的及び電気的機能と分離された光学的機能を有する微小電気機械デバイス | |
| US7612932B2 (en) | Microelectromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function | |
| JP4414387B2 (ja) | 導電性光吸収マスクを有する装置及びそれを製作するための方法 | |
| TWI440889B (zh) | 干涉式調變器陣列用之傳導匯流排結構 | |
| JP4399404B2 (ja) | 透明コンポーネントが集積されたディスプレイのための方法および装置 | |
| US7724993B2 (en) | MEMS switches with deforming membranes |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110930 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120321 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120619 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120710 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120809 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150817 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |