FI98325C - Selektiivinen infrapunadetektori - Google Patents
Selektiivinen infrapunadetektori Download PDFInfo
- Publication number
- FI98325C FI98325C FI943251A FI943251A FI98325C FI 98325 C FI98325 C FI 98325C FI 943251 A FI943251 A FI 943251A FI 943251 A FI943251 A FI 943251A FI 98325 C FI98325 C FI 98325C
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- mirror
- fabry
- absorbent layer
- infrared detector
- mirrors
- Prior art date
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 27
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 22
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims 10
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000001745 non-dispersive infrared spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005305 interferometry Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
- G01N21/3504—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light for analysing gases, e.g. multi-gas analysis
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/12—Generating the spectrum; Monochromators
- G01J3/26—Generating the spectrum; Monochromators using multiple reflection, e.g. Fabry-Perot interferometer, variable interference filters
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/001—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements based on interference in an adjustable optical cavity
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Description
1 9G325
Selektiivinen infrapunadetektori
Keksinnön kohteena on patenttivaatimuksen 1 johdannon mukainen infrapunadetektori.
5
Keksintöä voidaan käyttää kaasujen, nesteiden tai kiinteiden aineiden optisissa pitoisuusmittauksissa IR-alueella.
Kaasun pitoisuutta on yleisesti mitattu infrapunasäteilyn absorption perusteella. 10 Mittausmenetelmät voidaan jakaa dispersiiviseen ja ei-dispersiiviseen menetelmään (NDER. = non-dispersive infrared). Dispersiivinen menetelmä perustuu hilan tai prisman käyttöön ja mittaukseen käytetään useita aallonpituuksia. Ei-dispersiivisessä menetelmässä käytetään laajempaa infrapunan spektrialuetta. Ei-dispersiiviset infrapuna-analysaattorit ovat rakenteeltaan yksinkertaisempia ja helppokäyttöisempiä. Mittauksen 15 aallonpituusalue on tavallisesti valittu kaistanpäästösuotimen avulla.
NDIR-menetelmää käyttävä mittauslaite koostuu tavallisesti seuraavista komponenteista: IR-lähde, mittauskanava, kaistapäästösuodin ja IR-detektori. Menetelmä on yleensä riittävän selektiivinen mitattavan aineen suhteen, mutta ongelmana on ollut 20 analysaattorien epästabiilisuus. Epästabiilisuutta aiheuttavat IR-lähteen vanheneminen, mittauskanavan likaantuminen sekä IR-detektorin herkkyyden muutokset. Ongelman eliminoimiseksi on käytetty mittausmenetelmää, jossa mittaus suoritetaan kahdella eri v aallonpituuskaistalla. Toinen kaista valitaan niitattavan kaasun absorption alueelta ja toinen (referenssikaista) sen vierestä. Tällöin joudutaan käyttämään kahta erillistä 25 kaistapäästösuodinta. Vaihtoehtona mittauslaitteen rakenteessa on, joko käyttää IR-detektorin edessä olevaa mekaanisesti vaihdettavaa suodinparia, tai kahta kiinteää • I « *;1; suodinta ja kahta erillistä IR-detektoria. Mekaanisesti vaihdettava suodinpari on • · · tavallisesti toteutettu pyörivän kiekon avulla.
• · • · • · · 30 Edellä esitetyn tekniikan haittana on mittalaitteen mekaanisen rakenteen monimutkaisuus ·· ja tästä johtuva mittalaitteen toteutuksen korkeahko hinta. Tavallisesti käytetty · ·· kaistanpäästösuodin on mittalaitteessa suhteellisen kallis erilliskomponentti. Pyörivän kiekon käytön haittana on sen suhteellisen lyhyt elinikä laakerien kulumisesta johtuen.
2 S6325
Lisäksi eri kaistanpäästösuotimet likaantuvat erilailla, mikä aiheuttaa mittaukseen virhettä. Kahden kiinteän erillisen kaistanpäästösuotimen ja IR-detektorin käytön haittana on IR-detektorien erilainen ikääntyminen ja kaistapäästösuotimien erilainen likaantuminen.
5
Viitteessä 1 on esitetty pintamikromekaniikalla valmistettu sähköstaattisesti moduloitava Fabry-Perot interferometri. Komponenttiin on integroitu valoilmaisimena toimiva fotodiodi, joka on saatu aikaan prosessoimalla p-n-liitos piisubstraattiin. Komponenteista on valmistettu interferometriarray, jossa yhden komponentin koko on vain 20x20 pm. 10 Käyttötarkoitus on valomodulaattori optisessa tiedonsiirrossa. Koska komponentissa käytetään valoilmaisimena piidiodia, ei sitä voida käyttää n. 1,1 pm pidemmillä aallonpituuksilla, mikä rajoittaisi oleellisesti sen mahdollista käyttöä pitoisuusmittauksissa. Käyttöä rajoittaa myös komponentin pieni pinta-ala, minkä vuoksi ilmaisimelta saatava signaali on liian heikko, eikä sitä voida käyttää NDIR-mittalaitteen 15 komponenttina.
Viitteessä 2 on esitetty piimikromekaniikalla valmistettu infrapunadetektori, joka toimii ns. Golay-kennon periaatteen mukaisesti, missä infrapunasäteilyn ilmaiseminen perustuu suljetussa kammiossa olevan kaasun termisen laajenemisen mittaamiseen. 20 Infrapunasäteily absorboituu kammion seinämässä olevaan ohueen membraanin, jonka terminen massa on hyvin pieni. Lämpö siirtyy membraanista suljetussa kammiossa olevaan kaasun, joka lämmitessään pyrkii laajentumaan ja saa aikaan membraanin liikkumisen. Membraanin liikkuminen mitataan piimikromekaniikalla valmistetun ohuen kärjen ja membraanin välisen tunnelointivirran avulla. Komponentti toimii optisesti 25 laajakaistaisena £R-ilmaisimena ja sen käyttö pitoisuusmittauksissa vaatisi erillisen . kaistapäästösuotimen.
« · · · • · · • · • · 1
Viittessä 3 on käsitelty ohuiden metallikalvojen käyttöä tennisten IR-detektorien • · absorptiomateriaaleina. Pelkkä ohut metallikalvo absorboi maksimissaan 50 % siihen 30 kohdistetusta IR-säteilystä. Absorptiota voidaan kuitenkin selvästi lisätä, kun käytetään sopivan taitekertoimen omaavaa substraattimateriaalia, joka on pinnoitettu ·· metallikalvolla. Tällöin IR-säteilyn aallonpituus vaikuttaa voimakkaasti absorption suuruuteen. Viitteessä 3 ei kuitenkaan esitetä ratkaisua, jossa absorptio olisi rajoitettu 3 98325 vain tietylle aallonpituuskaistalle. Pitoisuusmittauksissa vaaditaan tässäkin tapauksessa erillinen kaistapäästösuodin.
Mikromekaniikkaa on käytetty yleisesti termisten IR-detektorien valmistamiseen. 5 Menetelmät perustuvat detektorin aktiivisen, IR-säteilyä absorboivan osan termiseen eristämiseen käytetystä piisubstraatista. Aktiivisen osan lämpötilan muutos voidaan ilmaista rakenteeseen valmistetun termoparin, pyrosähköisen materiaalin, lämpötilaherkän vastuksen td piidiodin avulla. Kaikissa tunnetuissa rakenteissa detektorit ovat optisesti laajakaistaisia.
10 Tämän keksinnön tarkoituksena on poistaa edellä kuvatun tekniikan puutteellisuudet ja aikaansaada aivan uudentyyppinen selektiivinen infrapunadetektori.
Keksintö perustuu siihen, että infrapunadetektoriin on kiinteästi yhdistetty 15 kaistanpäästösuodin. Lisäksi kaistapäästösuotimen spektrialuetta voidaan sähköisesti säätää ilman kuluvia liikkuvia osia. Kaistapäästösuodin on toteutettu pintamikromekaniikalla valmistetulla Fabry-Perot interferometrillä. IR-detektorin toiminta perustuu interferometriin absorboituneen IR-säteilyn aiheuttaman lämpötilan : ·' nousun ilmaisemiseen. IR-säteily absorboituu rakenteeseen ainoastaan Fabry-Perot 20 interferometrin läpäisykaistalla.
Täsmällisemmin sanottuna keksinnön mukaiselle IR-detektorille on tunnusomaista se, v : mikä on esitetty patenttivaatimuksen 1 tunnusmerkkiosassa.
25 Tunnettuun tekniikkaan nähden keksinnöllä saavutetaan huomattavia etuja.
Pitoisuusmittauksissa käytetty Fabry-Perot interferometri ja siihen liitetty terminen IR- **'; detektori on toteutettu täysin uudentyyppisellä ratkaisulla. Keksinnön mukaisessa • » • · ratkaisussa FPI:n ja termisen IR-detektorin muodostaa yksi piimikromekaniikalla • * • · ; * valmistettu komponentti.
·;·· 30 • ’· Piimikromekaniikalla toteutettu komponentti on massavalmisteisena halpa. Tunnetun tekniikan mukaisessa ratkaisussa joudutaan erilliset FPI- ja detektorikomponentit 5. r\ -/ o r- liittämään toisiinsa, mikä on hankalaa ja aiheuttaa lisäkustannuksia. Keksinnön mukaisessa ratkaisussa ovat nämä vaikeudet ja kustannukset eliminoitu.
Erillisen FPI:n ja detektorin käytössä aiheutuu optisia häviöitä, kun FPI:n läpäisseen IR-5 säteilyn tulisi mahdollisimman hyvin kohdistua detektorin aktiiviselle pinnalle. Keksinnön mukaisessa ratkaisussa ovat nämä optiset häviöt eliminoitu, minkä ansiosta IR-detektorin ilmaisevuus on parempi.
Keksintöä ryhdytään seuraavassa lähemmin tarkastelemaan oheisten kuvioiden mukaisten 10 suoritusesimerkkien avulla.
Kuvio la esittää halkileikattuna sivukuvantona Fabry-Perot interferometriä, jonka peilit on toteutettu ohutkalvojen monikerrosrakenteena.
15 Kuvio Ib esittää yläkuvantona kuvion la mukaista Fabry-Perot interferometriä.
Kuvio 2 esittää graafisesti kuvioiden la ja Ib mukaisen rakenteen läpäisyspektriä.
Kuvio 3 a esittää halkileikattuna sivukuvantona keksinnön mukaista IR-säteilyä 20 absorboivaa kerrosta, joka on varustettu Fabry-Perot interferometrillä.
Kuvio 3 b esittää graafisesti kuvion 3 a mukaisen rakenteen absorptiospektriä.
Kuvio 4 esittää halkileikattuna sivukuvantona vaihtoehtoista keksinnön mukaista IR-25 detektoria, joka on varustettu Fabry-Perot interferometrillä.
···' Kuvio 5 esittää halkileikattuna sivukuvantona toista vaihtoehtoista keksinnön mukaista • · · • · • · *. . IR-detektoria, joka on varustettu Fabry-Perot interferometrillä.
• · • · • · 30 Kuvio 6 esittää kytkentäkaaviota kuvion 6 mukaisen detektorin ohjaamiseksi.
Kuvio 7 esittää yläkuvantona kolmatta vaihtoehtoista keksinnön mukaista IR-detektoria.
Il 5 9632α
Kuvio 8 esittää halkileikattuna sivukuvantona kuvion 7 mukaista IR-detektoria.
Fabry-Perot interferometrin (FPI) muodostaa kaksi vastakkain olevaa puoliläpäisevää peiliä. Kuviossa la ja Ib on esitetty yksi mahdollinen pintamikrotyöstön 5 valmistusmenetelmillä toteutetun FPI:n rakenne. Rakenteessa on yläpeilinä 1 ja alapeilinä 2 ohutkalvoista valmistettu monikerrosrakenne. Yläpeilin kalvokerrokset ovat: polypii, piidioksidi ja polypii. Alapeilin 2 rakenne on muutoin sama, mutta rakenteessa on yksi piidioksidikalvokerros lisänä. Peilien ohutkalvot voidaan kasvattaa CVD-menetelmällä heikosti seostetun piialustan 3 päälle, joka läpäisee hyvin IR-säteilyä. Peilien 1 ja 2 10 välissä oleva ontelo 4 on saatu aikaan etsaamalla uhrautuva kerros 5 pois yläpeilissä olevien reikien 6 kautta. Uhrautuva kerros 5 voi olla esim. piidioksidia.
Kun ohutkalvoista valmistetun peilin 1 tai 2 halutaan heijastavan mahdollisimman hyvin aallonpituudella λ, on kalvojen paksuuden oltava λ/(4 n) (n on kalvomateriaalin 15 taitekerroin). Peili heijastaa sitä paremmin, mitä enemmän kalvojen taitekertoimet eroavat toisistaan monikerrosrakenteessa. Kalvomateriaaleilta vaaditaan myös, että niiden absorptio halutulla FPI:n läpäisykaistalla olisi mahdollisimman pieni. Sopivia materiaaleja ovat esim. heikosti seostettu polypii, piidioksidi tai piinitridi.
20 Ohutkalvojen monikerrosrakenteen avulla toteutetun FPI:n läpäisyspektrin määrittäminen on esitetty viitteessä 4. Koko rakenteen läpäisy voidaan määrittää eri kalvokerrosten välisten heijastus-ja läpäisykertoimien avulla. Kuviossa 2 on esitetty kuvioiden la ja Ib . rakenteen laskettu läpäisyspektri.
25 Ideaalisen FPI:n läpäisykaistojen paikat voidaan likimäärin laskea seuraavan yhtälön perusteella ··· m • · · f «·« » « 1 2 1 . (1) 2d /m= λ 2 • · • m « 30 missä d on peilien välinen etäisyys, m kokonaisluku (FPI:n kertaluku). Kaavassa 1 on : ' oletettu, että peilien väliaineena on ilma. Kuvion la rakenteessa d = 2,1 pm, ja kertaluvun m = 1 läpäisykaista osuu noin 4,2 pm:n kohdalle. Pienemmillä aallonpituuksilla läpäisykaistat eivät osu kaavan 1 määräämille aallonpituuksille, koska 6 9 G 3 2 5 FPI:n peilien paksuudet on mitoitettu siten, että peilit heijastavat hyvin n. 4 μιη.η kohdalla. Tällöin kuitenkin heijastusominaisuudet heikkenevät pienemmillä aallonpituuksilla.
5 Koska kuvion la peilien yhtenä materiaalina on käytetty johtavaa polypiitä, voidaan peilien välille tuoda kontaktien 50 ja 51 kautta jännite. Tällöin peilien välille saadaan aikaan sähköstaattinen vetovoima, joka pyrkii taivuttamaan yläpeiliä 1 lähemmäksi alapeiliä 2. Kuvion la mukaisessa rakenteessa yläpeilin taipuva osa on etsausreikien 6 kohdalla. Tällöin etsausreikien 6 välissä oleva yläpeilin osa pysyy tasomaisena, kun 10 peilien välistä etäisyyttä muutetaan sähköstaattisen voiman avulla. Yläpeilin 1 tasomaista aluetta voidaan kutsua sen optisesti aktiiviseksi alueeksi. Peilien 1 ja 2 välisen jännitteen avulla voidaan säätää optisesti aktiivisen alueen ja alapeilin 2 välistä etäisyyttä ja kaavan (1) perusteella FPI:n läpäisykaistan aallonpituutta. Peilin optisesti aktiivisen alueen halkaisija voi olla 0,2 - 2 mm.
15
Kun Fabry-Perot interferometriä käytetään NDIR-mittalaitteessa valitaan yksi tai useampia kertaluvun m määrittämistä läpäisykaistoista ja muut läpäisykaistat Mokataan sopivien yli- ja alipäästösuotimien avulla. Yli- ja alipäästösuotimena voidaan käyttää : sopivasta materiaalista valmistettua absorbaattoria, jonka IR-säteilyn 20 läpäisevyysominaisuudet ovat sopivat. FPI:tä voidaan käyttää siten, että jännitteen avulla ;' muutetaan FPI:n läpäisykaistaa ja mittaus suoritetaan usealla aallonpituuskaistalla.
V 1 Kuviossa 3a on esitetty keksinnön mukainen rakenne, jossa suodattimena toimiva Fabry-
Perot interferometri on integroitu absorboivaan kerrokseen 7. Rakenne on sama kuin 25 kuviossa la lukuunottamatta ohutta metallikerrosta 7, joka osittain absorboi IR-säteilyä FPI:n läpäisykaistaa vastaavilla aallonpituuksilla. Absorptiomateriaalina toimiva ohut «t metallikerros 7 voidaan esim. höyrystää yläpeilin 1 päälle.
• « * « « • · • 0 0 0 ' 1 Koska metallikalvossa 7 vapaat varauksenkuljettajat aiheuttavat IR-säteilyn absorption, 30 voidaan absorptiominaisuudet määrittää metallikalvon 7 johtavuuden perusteella. Viitteessä J on esitetty kaavat, joilla voidaan määrittää kahden dielektrisen ' ·. · materiaalin välinen heijastuskerroin r ja läpäisykerroin t, kun materiaalien välissä on ohut metallikerros.
Il 7 nr 7 n f yoozo (2) r = (N2-N1+y)/(N2+N1+y) (3) t = 2 Nj / (N2+Ni+y) 5 missä y = 377 Ω/Rg , Rgon metallikalvon 7 neliövastus, N] ja N2 ovat dielektristen materiaalien kompleksiset taitekertoimet. Alaindeksi 1 viittaa siihen materiaaliin, josta IR-säteily on tulossa ja 2 siihen materiaaliin johon se on menossa. Kuvion 3a rakenteessa N2 = 1 (ilman taitekerroin).
10
Kuviossa 3b on esitetty kaavojen 2 ja 3 perusteella laskettu FPI:n absorptiospektri, kun Rg = 160 Ω. Kuvista 2 ja 4 voidaan havaita, että metallikalvon sisältävän FPI:n absorptiokaista osuu ilman metallikalvoa olevan FPI.n läpäisykaistan aallonpituudelle. Kun peilissä käytetty kalvomateriaali on esim. heikosti seostettua tai seostamatonta IS monikiteistä piitä, piidioksidia tai piinitridiä, ei niiden absorptio ole merkittävä aallonpituusalueella 1 ... 8 pm verrattuna metallikalvon aiheuttamaan absorptioon. Kuvion 3 b absorptiopiildn paikkaa voidaan moduloida sähköstaattisesti peilien välisen jännitteen avulla.
• 20 Rakenteessa käytettävä metallikalvo voi olla esim. kultaa. Tällöin 160 Ω:ϊη neliövastuksen arvoisen kalvon paksuus on vain noin 20 nm.
' ; Metallin sijasta voidaan absoboivan kalvon materiaalina käyttää myös esimerkiksi « · · "!! puolijohdetta tai polypiitä.
25
Keksinnön mukaisessa ratkaisussa pystytään ilmaisemaan FPI:iin absorboituvan ER-säteilyn intensiteetti. Absorboitunut IR-säteily nostaa termisesti eristetyn peilin lämpötilaa ja lämpötilan nousu muutetaan termisen ilmaisimen avulla anturin • · · · ulostulojännitteeksi. Ulostulojännite on verrannollinen IR-säteilyn intensiteettiin FPI:n : *. 30 absorptiokaistalla. Keksinnön mukainen ratkaisu on täysin uudenlainen siinä suhteessa, .“· että piimikromekaniikalla valmistettu komponentti toimii sekä interferometrina että termisenä IR-detektorina.
g 9Cö2b
Tehokkaan detektorin aikaansaamiseksi on FPI:n peili tai peilit oltava termiseltä massaltaan mahdollisimman pienet, jotta absorboitunut IR-säteily aiheuttaisi mahdollisimman suuren peilin lämpötilan muutoksen. Lämpötilan muutoksen havaitsemiseen voidaan käyttää rakenteeseen integroituja termopareja, pyrosähköistä 5 materiaalia, lämpöherkkää vastusta tai Golay-kennon tyyppistä ilmaisua.
Yläpeilin termistä eristystä voidaan edelleen parantaa koteloimalla detektori hermeettisesti niin pieneen paineeseen, että kaasutäytteisen ontelon 4 lämmönjohtokyky on riittävästi pienentynyt.
10
Kuvion 3 a rakenteessa on absorboiva peili 1 termisesti eristetty substraatista 3 peilien 1 ja 2 välisen ohuen kaasutäytteisen ontelon 4 avulla. Ontelo 4 on hyvä lämpöeriste, vaikka sen paksuus olisi vain mikrometrien luokkaa. Kun absorboiva peili 1 on riittävän ohut, ei lämmön siirtyminen peiliä pitkin tukirakenteeseen 3 ole merkittävä lämmön 15 häviömekanismi.
Kuviossa 4 on esitetty vaihtoehtoinen rakenne, jossa kummankin peilin 1 ja 2 terminen massa on pieni. Rakenne on saatu aikaan yhdistämällä kappale- ja pintamikrotyöstömenetelmiä. Alapeilin 2 alla oleva piisubstraatti 3 on poistettu ": 20 aktiiviselta alueelta anisotrooppisen etsauksen avulla. Koska peilit 1 ja 2 ovat hyvin lähellä toisiaan ja niiden terminen massa on pieni, seuraa alapeilin 2 lämpötila absorboivan yläpeilin lämpötilaa. Kuvion 4 rakenteella saadaan kuitenkin aikaan suurempi lämpötilan muutos kuin kuvion 3a rakenteella, koska lämmön johtuminen ♦ · ♦ peileistä alustaan 8 on vähäistä, kun käytetyn piisubstraatin 3 paksuus on luokkaa 0,5 • ♦ 25 mm.
Kuviossa 5 on esitetty FPI, johon on integroitu Golay-kenno. Kenno toimii siten, että IR- .· säteily absorboituu metallikalvoon 9, joka lämmittää alapeilin 10. Alapeilistä 10 lämpö • · · · siirtyy suljetussa kammiossa 11 olevaan kaasuun. Kammiossa 11 oleva kaasu pyrkii .. 30 lämmitessään laajentumaan, mistä seuraa alapeiliin 10 kohdistuva paine, joka saa aikaan ”... alapeilin 10 taipumisen. Taipuminen havaitaan alapeilin 10 ja yläpeilin 12 välisen _· · kapasitanssin muutoksena, kun alapeiliin 10 kohdistuva paine saa aikaan ala- 10 ja yläpeilin 12 etäisyyden muuttumisen.
9 98325
Optisen käyttötarkoituksen lisäksi ylä- 12 ja alapeili 10 muodostavat rakenteessa kondensaattorin elektrodit ja suljetun kammion 11 paineen muutos aiheuttaa näiden elektrodien välisen kapasitanssin muutoksen. Ylä- ja alapeilin toisena kalvomateriaalina 5 käytetään sopivasti seostettua piitä, jotta elektrodeilla olisi sopiva johtavuus kapasitanssin mittausta varten. Peileihin 10 ja 12 saadaan sähköinen kontakti metallikontaktien 13 ja 14 kautta.
NDIR-mittalaitteessa Golay-kennoon kohdistuu tietyllä taajuudella pätkitty IR-säteily, 10 joka synnyttää kammioon 11 samalla taajuudella paineen vaihtelun eli äänen. Rakenteessa ääni ilmaistaan samalla lailla kuin kondensaattorimikrofonissa, mikrofonin elektrodit muodostaa tässä tapauksessa FPI:n peilit. Paineen vaihtelu saadaan muutettua kondensaattorimikrofoneissa käytetyn tunnetun tekniikan avulla ulostulojännitteeksi, joka on verrannollinen Golay-kennoon kohdistuneen IR-säteilyn voimakkuuteen FPI:n 15 absorptiokaistalla.
Kuvion 5 rakenteessa suljettu kammio 11 on saatu aikaan etsaamalla piialusta 15 alapeilin 10 alta pois anisotrooppisen etsin avulla ja liittämällä lasi 19 piimikromekaniikassa käytetyn liitostekniikan avulla piialustaan 15. Lasin 19 ja piialustan 15 väliin on 1:": 20 prosessoitu ohut ura 16, jonka kautta ympäristön hitaat painemuutokset siirtyvät myös kammioon 11, mikä estää paine-eron ympäristön ja kammion 11 välille. Ura on tehty niin •.' ·: pieneksi, ettei se läpäise IR-säteilyn kammioon 11 synnyttämää ääntä. Metallikalvo 9 on i saatu aikaan höyrystämällä ennen lasin 19 liittämistä. Alapeiliin 10 on prosessoitu urat • · ♦ ···* 17, joiden sisäpuolella on alapeilin 10 taipuva osa. Tästä on se etu, että alapeili 10 taipuu * ♦ '· 25 absorpoivan osan kohdalla tasomaisena, yhdensuuntaisena yläpeilin 12 kanssa.
Yläpeilissä 12 on etsausreikiä 18 niin tiheässä, että kaasu pääsee vapaasti virtaamaan peilien välissä olevan ontelon 11 ja ympäristön välillä. Tästä on se etu, että alapeilin 10 liike ei aiheuta peilien 10 ja 12 välissä olevan kaasun puristumista tai laajentumista, mikä • · · · .*;* aiheuttaisi alapeilin 10 liikkumista vastustavan voiman. IR-säteilyn ilmaisevuutta voidaan 30 parantaa kasvattamalla peilin pinta-alaa. Peilin optisesti aktiivisen osan leveys voi olla \. esim. 0,5 - 1 mm.
10 O - 7 o l
y c:· O z D
Kuviossa 6 on esitetty kytkentäkaavio yhdistetyn FPI:n ja Golay-kennon ohjausta varten, kun FPI:hin kohdistetaan moduloitua IR-säteilyä. Jännitelähteen 20 avulla saadaan FPI:n peilien välille polarisaatiojännite. Jännite on kytketty suuri ohmisen vastuksen 21 kautta FPI:n elektrodeille, minkä ansiosta elektrodien varaus pysyy likimäärin vakiona, kun 5 pätkitty IR-säteily saa aikaan FPI.n elektrodien välisen kapasitanssin muutoksen. Jännitesignaali vahvistetaan esivahvistimen 23 avulla. Peilien polarisaatiojännite aiheuttaa peilien välillä vetovoiman ja saa aikaan peilien välisen etäisyyden muuttumisen. Jännitelähteen 20 ulostulojännitteen arvo valitaan niin, että peilien välinen etäisyys vastaa haluttua interferometrin absorptiokaistaa.
10 FPI:stä on tehtävä sellainen, että peilien välinen etäisyys lepotilassa on selvästi suurempi kuin pitoisuusmittauksessa käytetyn aallonpituuden määräämä peilien välinen etäisyys, joka saadaan aikaan pienentämällä polarisaatiojännitteen avulla peilien välistä etäisyyttä. Mitä suurempaa polarisaatiojännitettä käytetään, sitä suurempi on Golay-kennosta saatu 13 jännitesignaali.
Käyttämällä sähköisesti ohjattua jännitelähdettä 20, voidaan pitoisuusmittaus suorittaa usealla eri aallonpituuskaistalla.
20 Kuvion 5 mukainen rakenne on esimerkinomainen, alan ammattimiehelle on selvää, että FPI:n monikerrospeilit 10 ja 12 voidaan toteuttaa monella eri tapaa. Kuvion S mukaista ;: rakennetta voidaan muuttaa myös siten, että metallikalvo 9 on yläpeilin 12 päällä, eli : ' yläpeili 12 on IR-säteilyä absorboiva osa. Tällöin on IR-säteily kohdistettava peileihin • · * •y’ alhaalta päin suljetun kammion Ilja lasin 19 läpi.
• · « ‘ 25
Tunnusomaista tälle keksinnölle on se, että IR-säteilyä absorboiva termisesti eristetty FPI:n peili on yhteydessä suljettuun kammioon, jossa oleva kaasu lämpiää IR-säteilyn , . absorboituessa peiliin. Edellä on esitetty yksi keksinnön mukainen ratkaisu, jossa FPT.n • 01 · .·; peilit muodostavat myös mikrofonin, jonka avulla suljetun kammion paineen vaihtelu • · ‘30 havaitaan. On myös mahdollista käyttää erillistä piimikromekaniikalla valmistettua ’... paineanturia, joka on yhteydessä suljettuun kammioon.
9 n 7 o jr οοζ,ϋ
Kuvioissa 7 ja 8 esitetyn termopatsasdetektorin toiminta perustuu useaan sarjaan kytkettyyn termopariin. Termoparin johtimet on liitetty toisiinsa detektorin “kuumassa” 28 ja “kylmässä” osassa 28 ja termoparista saatava jännite on verrannollinen liitoskohtien lämpötilojen erotukseen. Suuremman ulostulojännitteen aikaansaamiseksi on 5 termopatsasdetektorissa kytketty sarjaan useampi termopari.
Termopatsas IR-detektorin valmistaminen piimikromekaniikalla on tunnettua tekniikkaa. Sopivia materiaaleja termopareihin ovat esim. seostettu polypii ja alumiini .Viitteessä6 on esitetty termopatsas ER-ilmaisin, jossa p-/n-polypii termoparit on integroitu termisesti 10 eristettyyn monikerroskalvorakenteeseen.
Kuvioissa 7 ja 8 esitetyn Fabry-Perot interferometrin yläpeilin polypiikerrokseen on integroitu termoparisarja. Kuvio 7 esittää FPI:tä päältä katsottuna ennen suojakalvojen kasvatusta termoparien päälle. Kuviossa 8 on esitetty halkileikkaus valmiista rakenteesta. 15 Polypiikalvoon on seostettu p-tyyppinen johdin 24 ja n-tyyppinen johdin 25. Johtimet on eristetty toisistaan etsaamalla johtimien välissä oleva polypii pois. P- ja n-tyyppiset polypiijohtimet 24 ja 25 on liitetty toisiinsa höyrystettyjen alumiiniliuskojen 40 avulla. Liitoskohdat on ilmaisimen kuumassa osassa 26 ja kylmässä osassa 27.
“ 20 Kuvion 8 mukaisesti termoparien päälle kasvatetaan piidioksidista 30 ja polypiistä 31 ·.· : kalvokerrokset, jotka suojaavat rakennetta uhrautuvan kerroksen etsauksen aikana.
« »
Etsaus tapahtuu prosessoimalla aluksi etsausreiät 28 polypiikerroksen läpi.
: Sähköstaattisesti ohjattavan FPI:n yläpeilin taipuva osa on etsausreikien 28 ·«· ···* muodostaman neliön reuna. Kuvion 8 rakenteen päälle kasvatettavaan suojakerrokseen * » « 25 etsataan aukot termoparien kontaktia 32 varten.
FPI:n ohjausjännite tuodaan kontaktien 33 ja 34 kautta. Yläpeilin ensimmäinen t: polypiikerros 35 on seostettu riittävän hyvin johtavaksi hyvän kontaktin ··«· .·:* aikaansaamiseksi. Rakenteessa on termoparin kontaktin 32 ja yläpeilin kontaktin 34 ..' '30 välisen polypiin oltava seostamaton, jotta se olisi tarpeeksi hyvä eriste kontaktien välillä.
» » * • · « • · Ennen alapeilin kasvatusta on piisubstraatin 42 päälle prosessoitu metalliapertuuri 36, « « * _ _ joka läpäisee IR-säteilyä vain FPI:n absorboivan metallikalvon kohdalta. Tällöin yläpeiliin 12 98325 ei osu IR-säteilyä termoparien 24 ja 25 kohdalla. Termopareissa käytetty voimakkaasti seostettu polypii ja metalliliuskat 40 voivat absorboida IR-säteilyä ei-halutuilla aallonpituuksilla ja täten levittää FPI:n absorptiokaistaa. Metalliapertuuri 36 estää tämän haitan.
5
Rakenteen termisiä ominaisuuksia voidaan parantaa ohentamalla käytettyä piisubstraattia kuvion 4 mukaisesti. Jos rakenteessa tarvitaan metalliapertuuria kuten kuvion 8 rakenteessa, voidaan se toteuttaa liittämällä rakenteeseen lasi, johon on höyrystetty erillinen metalliapertuuri.
10
Rakenteesta saadaan ulostulojännite termoparien kontaktien 32 kautta. Ulostulojännite on suoraan verrannollinen absorboituneen IR-säteilyn intensiteettiin. Jännitesignaali joudutaan vahvistamaan pienikohinaisella esivahvistemella ennen signaalinkäsittelyelektroniikkaa, jonka avulla tutkittava pitoisuus määritetään.
15
Kuvioissa 7 ja 8 esitetty rakenne on esimerkinomainen. Alan ammattimiehelle on selvää, että termoparit ja monikerrospeilit voidaan toteuttaa monella eri tapaa. Tunnusomaista keksinnölle on se, että termoparit on integroitu toiseen termisesti eristettyyn FPI:n monikerrospeiliin, joka sisältää IR-säteilyä absorboivan kalvon.
20 FPI:n peilin lämpötilan nousun ilmaisemiseen voidaan käyttää myös lämpötilaherkkää
i I
vastusta. Vastusmateriaalina voi olla heikosti seostettu polypii, jolloin sen integrointi rakenteeseen on helppoa, kun yksi FPI:n peileissä käytetyistä materiaaleista on polypii.
«·· * * · * • · « · • __________ _____ 1 K.Aratani et ai., Surface Micromachined Tuneable Interferometer Array, The 7th International Conference on Solid-State Sensors and Actuators, Transducers '93,678, Yokohama 1993 2 T.W. Kenny et al., Micromachined Election Tunneling Infrared Sensors, 3 S.Bauer et al., Thin Metal Films as Absorbers for Infrared Sensors, Sensors and Actuators A, 37-38 . (1993)497-501 4H.A.Macleod, Thin-film Optical Filters, Adam Hilger, Bristol, 1986 ,· V 5 S. Bauer et al., Thin Metal Films as Absorbers for Infrared Sensors, Sensors and Actuators A, 37-38 ’ \ , (1993)497-501
; ·. 6 R.Lenggenhager, H.Baltes, Improved Thermoelectric Infrared Sensor Using Double Poly CMOS
: ' Technology, The 7th International Conference on Solid-State Sensors and Actuators, Transducers 93, ; " ’ 1008, Yokohama 1993 I « I ·
’ I
1(1 • » 1 t »
Claims (9)
13 9832b
1. Piimikromekaanisesti valmistettu infrapunadetektori, joka käsittää 5 - termisesti eristävälle alustalle (1) sijoitetun infrapunasäteilyä absorboivan kerroksen (7, 44), sekä - termiset ilmaisuelimet (11, 24, 25) absorboivan kerrokseen (44) 10 absorboituneen säteilyn määrän ilmaisemiseksi, tunnettu siitä, että - säteilyn kulkureitillä ennen absorboivaa kerrosta (7, 44) sijaitsee 15 piimikromekaanisesti valmistettu sähköisesti säädettävä Fabry-Perot interferometri (1, 2, 5), jonka toiseen peiliin (1, 2) absorboiva kerros (7, 44) on kiinteästi yhdistetty.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen infrapunadetektori, tunnettu siitä, että Fabry- • 20 Perot interferometri (1, 2, 5) on varustettu Golay-kennolla absorboivan kerrokseen (7, :.· · 44) kohdistuvan säteilyn ilmaisemiseksi. « · .1 .1 3. Vaatimuksen 2 mukainen interferometri, tunnettu siitä, että Fabry-Perot • «· • ••ϊ interferometrin (1, 2, 5) peilit muodostavat paineanturin elektrodit. • ·· ; 25
4. Patenttivaatimuksen 1 mukainen infrapunadetektori, tunnettu siitä, että Fabry- « · · • · · *··.· Perot interferometri (1, 2, 5) on varustettu termopari-ilmaisimella (24, 25) absorboivan • « · . · · · kerrokseen (7, 44) kohdistuvan säteilyn ilmaisemiseksi. • « ♦ ♦ · ♦ · ·
5. Patenttivaatimuksen 1 mukainen infrapunadetektori, tunnettu siitä, että :absorboiva kerros (7, 44) on sijoitettu Fabry-Perot interferometrin (1, 2, 5) yläpeiliin (1).
6. Patenttivaatimuksen 1 mukainen infrapunadetektori, tunnettu siitä, että alapeili että absorboiva kerros (7, 44) on sijoitettu Fabry-Perot interferometrin (1, 2, 5) alapeiliin (2). /n S \J Zl \J
7. Patenttivaatimuksen 1 mukainen infrapunadetektori, tunnettu siitä, että se Fabry-Perot interferometrin (1, 2, 5) peili, johon absorboiva kerros (7, 44) on yhdistetty, on 5 massaltaan pieni.
8. Patenttivaatimuksen 1 mukainen infrapunadetektori, tunnettu siitä, että absorboiva kerros (7, 44) on polypiitä.
9. Patenttivaatimuksen 1 mukainen infrapunadetektori, tunnettu siitä, että absorboiva kerros (7, 44) on metallia. • · • · · • · ·· • · · • · · • · · • · • · · • · · • •I « • · · • · · • · · 1 II I « · • · · • · · is 96325
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI943251A FI98325C (fi) | 1994-07-07 | 1994-07-07 | Selektiivinen infrapunadetektori |
DE69511488T DE69511488T2 (de) | 1994-07-07 | 1995-07-06 | Selektiver Infrarotdetektor |
EP95304740A EP0693683B1 (en) | 1994-07-07 | 1995-07-06 | Selective infrared detector |
JP7172188A JPH0943051A (ja) | 1994-07-07 | 1995-07-07 | 赤外線検出器 |
US08/499,188 US5589689A (en) | 1994-07-07 | 1995-07-07 | Infrared detector with Fabry-Perot interferometer |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI943251 | 1994-07-07 | ||
FI943251A FI98325C (fi) | 1994-07-07 | 1994-07-07 | Selektiivinen infrapunadetektori |
Publications (4)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FI943251A0 FI943251A0 (fi) | 1994-07-07 |
FI943251A FI943251A (fi) | 1996-01-08 |
FI98325B FI98325B (fi) | 1997-02-14 |
FI98325C true FI98325C (fi) | 1997-05-26 |
Family
ID=8541073
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FI943251A FI98325C (fi) | 1994-07-07 | 1994-07-07 | Selektiivinen infrapunadetektori |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5589689A (fi) |
EP (1) | EP0693683B1 (fi) |
JP (1) | JPH0943051A (fi) |
DE (1) | DE69511488T2 (fi) |
FI (1) | FI98325C (fi) |
Families Citing this family (83)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5584117A (en) * | 1995-12-11 | 1996-12-17 | Industrial Technology Research Institute | Method of making an interferometer-based bolometer |
ES2119712B1 (es) * | 1996-12-17 | 1999-05-16 | Consejo Superior Investigacion | Procedimiento y dispositivo optico microfabricado para la deteccion de bandas de absorcion/emision en el infrarrojo. |
US5892140A (en) * | 1997-04-30 | 1999-04-06 | Honeywell Inc. | Micromachined inferential opto-thermal gas sensor |
FR2768812B1 (fr) * | 1997-09-19 | 1999-10-22 | Commissariat Energie Atomique | Interferometre fabry-perot accordable integre |
SG68002A1 (en) * | 1997-11-25 | 1999-10-19 | Inst Of Microelectronics Natio | Cmos compatible integrated pressure sensor |
FI981456A0 (fi) | 1998-06-24 | 1998-06-24 | Valtion Teknillinen | Menetelmä mikromekaanisten elektrodien välisen etäisyyden sähköiseksi säätämiseksi |
JP2000140135A (ja) | 1998-09-11 | 2000-05-23 | Tokkyo Kaihatsu Kk | 遠赤外線健康器、遠赤外線健康法及びダイオキシン類排泄方法 |
US6628396B1 (en) * | 1999-06-11 | 2003-09-30 | Mamac Systems, Inc. | Photo expansion gas detector |
JP2001264441A (ja) * | 2000-01-14 | 2001-09-26 | Seiko Instruments Inc | カロリーメーターとその製造方法 |
FR2805052A1 (fr) * | 2000-02-14 | 2001-08-17 | Schlumberger Ind Sa | Filtre fabry-perot court a couches metalliques |
US6608711B2 (en) * | 2000-03-03 | 2003-08-19 | Axsun Technologies, Inc. | Silicon on insulator optical membrane structure for fabry-perot MOEMS filter |
US6836366B1 (en) * | 2000-03-03 | 2004-12-28 | Axsun Technologies, Inc. | Integrated tunable fabry-perot filter and method of making same |
JP3537778B2 (ja) * | 2000-05-25 | 2004-06-14 | 照榮 片岡 | 光波長同調方法およびファブリーペロー型光共振器 |
US6602427B1 (en) * | 2000-08-28 | 2003-08-05 | Xiang Zheng Tu | Micromachined optical mechanical modulator based transmitter/receiver module |
JP3409848B2 (ja) * | 2000-08-29 | 2003-05-26 | 日本電気株式会社 | 熱型赤外線検出器 |
JP3812881B2 (ja) * | 2000-11-22 | 2006-08-23 | 株式会社アイ・エイチ・アイ・エアロスペース | 赤外線検出素子 |
US6489615B2 (en) * | 2000-12-15 | 2002-12-03 | Northrop Grumman Corporation | Ultra sensitive silicon sensor |
US6721098B2 (en) * | 2000-12-22 | 2004-04-13 | Axsun Technologies, Inc. | Triple electrode MOEMS tunable filter and fabrication process therefor |
NO315177B1 (no) * | 2001-11-29 | 2003-07-21 | Sinvent As | Optisk forskyvnings-sensor |
US6770882B2 (en) * | 2002-01-14 | 2004-08-03 | Multispectral Imaging, Inc. | Micromachined pyro-optical structure |
US7129519B2 (en) * | 2002-05-08 | 2006-10-31 | Advanced Technology Materials, Inc. | Monitoring system comprising infrared thermopile detector |
US6617175B1 (en) * | 2002-05-08 | 2003-09-09 | Advanced Technology Materials, Inc. | Infrared thermopile detector system for semiconductor process monitoring and control |
US6787387B2 (en) * | 2002-06-24 | 2004-09-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic device and method for fabricating the electronic device |
US6741377B2 (en) * | 2002-07-02 | 2004-05-25 | Iridigm Display Corporation | Device having a light-absorbing mask and a method for fabricating same |
JP4241245B2 (ja) * | 2002-10-25 | 2009-03-18 | 株式会社デンソー | センサ装置 |
WO2004088415A2 (en) * | 2003-03-28 | 2004-10-14 | Advanced Technology Materials Inc. | Photometrically modulated delivery of reagents |
US7063097B2 (en) * | 2003-03-28 | 2006-06-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | In-situ gas blending and dilution system for delivery of dilute gas at a predetermined concentration |
US7269325B2 (en) * | 2003-11-03 | 2007-09-11 | Jidong Hou | Tunable optical device |
CN100345015C (zh) * | 2003-12-30 | 2007-10-24 | 侯继东 | 一类基于微机电系统技术的可调光学器件 |
JP4166712B2 (ja) * | 2004-01-29 | 2008-10-15 | 株式会社デンソー | ファブリペローフィルタ |
ES2244319B2 (es) * | 2004-03-11 | 2006-06-16 | Eads Construcciones Aeronauticas, S.A. | Procedimiento para la certificacion de mantas termicas mediante termografia infrarroja. |
DE102004013851B4 (de) * | 2004-03-20 | 2021-06-17 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Interferenzfilter aus alternierenden Luft-Halbleiter-Schichtsystemen sowie ein mit dem Verfahren hergestellter Infrarotfilter |
US7460246B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-12-02 | Idc, Llc | Method and system for sensing light using interferometric elements |
US7420725B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-09-02 | Idc, Llc | Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same |
US7289259B2 (en) | 2004-09-27 | 2007-10-30 | Idc, Llc | Conductive bus structure for interferometric modulator array |
NO322368B1 (no) | 2005-04-15 | 2006-09-25 | Sinvent As | Infrarod deteksjon av gass - diffraktiv. |
US7277605B2 (en) * | 2005-05-18 | 2007-10-02 | The Regents Of The University Of California | Silicon fiber optic sensors |
US7583390B2 (en) * | 2006-03-02 | 2009-09-01 | Symphony Acoustics, Inc. | Accelerometer comprising an optically resonant cavity |
US7355723B2 (en) * | 2006-03-02 | 2008-04-08 | Symphony Acoustics, Inc. | Apparatus comprising a high-signal-to-noise displacement sensor and method therefore |
US7359067B2 (en) * | 2006-04-07 | 2008-04-15 | Symphony Acoustics, Inc. | Optical displacement sensor comprising a wavelength-tunable optical source |
CN100423310C (zh) * | 2006-04-29 | 2008-10-01 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 与互补金属氧化物半导体工艺兼容的微机械热电堆红外探测器及制作方法 |
WO2008108784A2 (en) * | 2006-05-23 | 2008-09-12 | Regents Of The Uninersity Of Minnesota | Tunable finesse infrared cavity thermal detectors |
US7551295B2 (en) * | 2006-06-01 | 2009-06-23 | Symphony Acoustics, Inc. | Displacement sensor |
US20080006775A1 (en) * | 2006-06-22 | 2008-01-10 | Arno Jose I | Infrared gas detection systems and methods |
US7894618B2 (en) * | 2006-07-28 | 2011-02-22 | Symphony Acoustics, Inc. | Apparatus comprising a directionality-enhanced acoustic sensor |
US7485870B2 (en) * | 2006-09-12 | 2009-02-03 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Pneumatic infrared detector |
US7785002B2 (en) * | 2006-12-05 | 2010-08-31 | Delphi Technologies, Inc. | P-N junction based thermal detector |
US7800066B2 (en) * | 2006-12-08 | 2010-09-21 | Regents of the University of Minnesota Office for Technology Commercialization | Detection beyond the standard radiation noise limit using reduced emissivity and optical cavity coupling |
CN1994861B (zh) * | 2006-12-20 | 2011-01-19 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种全光学微机械非致冷红外热成像芯片结构及制作方法 |
JP4893431B2 (ja) * | 2007-04-05 | 2012-03-07 | 三菱電機株式会社 | 分極反転素子の製造方法 |
US7626707B2 (en) * | 2007-10-29 | 2009-12-01 | Symphony Acoustics, Inc. | Dual cavity displacement sensor |
US8007609B2 (en) * | 2007-10-31 | 2011-08-30 | Symphony Acoustics, Inc. | Parallel plate arrangement and method of formation |
US7759644B2 (en) * | 2008-03-18 | 2010-07-20 | Drs Rsta, Inc. | Spectrally tunable infrared image sensor having multi-band stacked detectors |
WO2010033142A1 (en) | 2008-05-30 | 2010-03-25 | Regents Of The University Of Minnesota | Detection beyond the standard radiation noise limit using spectrally selective absorption |
US8334984B2 (en) * | 2008-08-22 | 2012-12-18 | The Regents Of The University Of California | Single wafer fabrication process for wavelength dependent reflectance for linear optical serialization of accelerometers |
US8604435B2 (en) * | 2009-02-26 | 2013-12-10 | Texas Instruments Incorporated | Infrared sensor structure and method |
US8129682B2 (en) | 2009-02-26 | 2012-03-06 | Texas Instruments Incorporated | On-chip calibration system and method for infrared sensor |
JP2010256193A (ja) * | 2009-04-27 | 2010-11-11 | Transvirtual Inc | 多変量検出装置および多変量検出方法 |
US9340878B2 (en) | 2009-05-29 | 2016-05-17 | Entegris, Inc. | TPIR apparatus for monitoring tungsten hexafluoride processing to detect gas phase nucleation, and method and system utilizing same |
US9157807B2 (en) * | 2009-06-24 | 2015-10-13 | Texas Instruments Incorporated | Etching cavity structures in silicon under dielectric membrane |
US20110068423A1 (en) * | 2009-09-18 | 2011-03-24 | International Business Machines Corporation | Photodetector with wavelength discrimination, and method for forming the same and design structure |
FI20095976A0 (fi) | 2009-09-24 | 2009-09-24 | Valtion Teknillinen | Mikromekaanisesti säädettävä Fabry-Perot -interferometri ja menetelmä sen tuottamiseksi |
US8304850B2 (en) * | 2009-12-22 | 2012-11-06 | Texas Instruments Incorporated | Integrated infrared sensors with optical elements, and methods |
US8695402B2 (en) * | 2010-06-03 | 2014-04-15 | Honeywell International Inc. | Integrated IR source and acoustic detector for photoacoustic gas sensor |
JP5625614B2 (ja) | 2010-08-20 | 2014-11-19 | セイコーエプソン株式会社 | 光フィルター、光フィルターモジュール、分光測定器および光機器 |
US20120081348A1 (en) * | 2010-10-05 | 2012-04-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method for eliminating row or column routing on array periphery |
US20120200486A1 (en) * | 2011-02-09 | 2012-08-09 | Texas Instruments Incorporated | Infrared gesture recognition device and method |
US9029783B2 (en) * | 2011-06-10 | 2015-05-12 | Flir Systems, Inc. | Multilayered microbolometer film deposition |
JP6107254B2 (ja) * | 2013-03-14 | 2017-04-05 | セイコーエプソン株式会社 | 光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器 |
KR20160023838A (ko) | 2013-06-24 | 2016-03-03 | 테크놀로지 이노베이션 모멘텀 펀드 (이스라엘) 리미티드 파트너쉽 | 컬러 이미지 취득을 위한 시스템 및 방법 |
US9018723B2 (en) * | 2013-06-27 | 2015-04-28 | Stmicroelectronics Pte Ltd | Infrared camera sensor |
US10094215B2 (en) | 2014-11-11 | 2018-10-09 | Iball Instruments, Llc | Mudlogging device with dual interferometers |
US20160139038A1 (en) * | 2014-11-19 | 2016-05-19 | Nxp B.V. | Gas sensor |
JP7046792B2 (ja) | 2015-07-15 | 2022-04-04 | テクノロジー イノベーション モメンタム ファンド(イスラエル)リミテッド パートナーシップ | 調整可能なmemsエタロン |
US10129676B2 (en) * | 2016-02-16 | 2018-11-13 | Infineon Technologies Ag | MEMS microphone, apparatus comprising a MEMS microphone and method for fabricating a MEMS microphone |
WO2017180128A1 (en) * | 2016-04-14 | 2017-10-19 | Halliburton Energy Services, Inc. | Fabry-perot based optical computing |
FI128447B (fi) * | 2016-04-26 | 2020-05-15 | Teknologian Tutkimuskeskus Vtt Oy | Ohutkalvokerroksen analysointiin liittyvä laite ja sen valmistusmenetelmä |
US10901241B1 (en) | 2018-03-14 | 2021-01-26 | Onto Innovation Inc. | Optical metrology system using infrared wavelengths |
DE102018211325A1 (de) * | 2018-07-10 | 2020-01-16 | Robert Bosch Gmbh | Fabry-Perot-Interferometer-Einheit und Verfahren zur Herstellung einer Fabry-Perot-Interferometer-Einheit |
RU2702691C1 (ru) * | 2018-12-05 | 2019-10-09 | Общество с ограниченной ответственностью "РнД-ИСАН" | Спектрально-селективный поглотитель инфракрасного излучения и микроболометрический детектор на его основе |
RU2746095C1 (ru) * | 2020-06-26 | 2021-04-06 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской академии наук (ИАиЭ СО РАН) | Оптико-акустический приемник инфракрасного и ТГц излучения |
EP4375628A1 (en) * | 2022-11-25 | 2024-05-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric interferometer |
CN118424465B (zh) * | 2024-07-05 | 2024-09-24 | 电子科技大学 | 一种兼容光谱分光芯片和探测器芯片的微系统 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2637616A1 (de) * | 1976-08-20 | 1978-02-23 | Siemens Ag | Filter fuer fotodetektoren |
EP0253002A1 (de) * | 1986-07-12 | 1988-01-20 | Günter Dr.-Ing. Pusch | Vorrichtung zur Erkennung thermischer Kontraste |
DE3743131A1 (de) * | 1987-10-26 | 1989-05-03 | Siemens Ag | Anordnung zur hochaufloesenden spektroskopie |
US5293781A (en) * | 1987-11-09 | 1994-03-15 | California Institute Of Technology | Tunnel effect measuring systems and particle detectors |
WO1990009038A1 (en) * | 1989-02-03 | 1990-08-09 | British Telecommunications Public Limited Company | Optical detector |
US4953387A (en) * | 1989-07-31 | 1990-09-04 | The Regents Of The University Of Michigan | Ultrathin-film gas detector |
US5144498A (en) * | 1990-02-14 | 1992-09-01 | Hewlett-Packard Company | Variable wavelength light filter and sensor system |
EP0498375B1 (en) * | 1991-02-04 | 1995-06-21 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Electrically tunable wavelength-selective filter |
CH681047A5 (en) * | 1991-11-25 | 1992-12-31 | Landis & Gyr Betriebs Ag | Measuring parameter, esp. pressure difference, using Fabry-Perot detector - controlling optical length of detector according to output parameter to determine working point on graph |
US5345213A (en) * | 1992-10-26 | 1994-09-06 | The United States Of America, As Represented By The Secretary Of Commerce | Temperature-controlled, micromachined arrays for chemical sensor fabrication and operation |
FI96450C (fi) * | 1993-01-13 | 1996-06-25 | Vaisala Oy | Yksikanavainen kaasun pitoisuuden mittausmenetelmä ja -laitteisto |
US5365770A (en) * | 1993-04-05 | 1994-11-22 | Ford Motor Company | Ultrasonic wave interferometers |
US5315128A (en) * | 1993-04-30 | 1994-05-24 | At&T Bell Laboratories | Photodetector with a resonant cavity |
DE4334578C2 (de) * | 1993-10-11 | 1999-10-07 | Dirk Winfried Rossberg | Spektral abstimmbarer Infrarot-Sensor |
FI94804C (fi) * | 1994-02-17 | 1995-10-25 | Vaisala Oy | Sähköisesti säädettävä pintamikromekaaninen Fabry-Perot-interferometri käytettäväksi optisessa materiaalianalyysissä |
-
1994
- 1994-07-07 FI FI943251A patent/FI98325C/fi active
-
1995
- 1995-07-06 DE DE69511488T patent/DE69511488T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-07-06 EP EP95304740A patent/EP0693683B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-07-07 JP JP7172188A patent/JPH0943051A/ja active Pending
- 1995-07-07 US US08/499,188 patent/US5589689A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69511488T2 (de) | 2000-04-27 |
DE69511488D1 (de) | 1999-09-23 |
US5589689A (en) | 1996-12-31 |
JPH0943051A (ja) | 1997-02-14 |
FI943251A0 (fi) | 1994-07-07 |
FI98325B (fi) | 1997-02-14 |
EP0693683A1 (en) | 1996-01-24 |
EP0693683B1 (en) | 1999-08-18 |
FI943251A (fi) | 1996-01-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
FI98325C (fi) | Selektiivinen infrapunadetektori | |
EP0376721B1 (en) | Moisture-sensitive device | |
US6300554B1 (en) | Method of fabricating thermoelectric sensor and thermoelectric sensor device | |
JP5512019B2 (ja) | 微小機械的で整調可能なファブリ・ペロー干渉計配列物、および同一物を製造するための方法 | |
JP4054069B2 (ja) | マイクロマシニング法により製造された光熱式ガスセンサ | |
EP3023767A1 (en) | Interferometer device for sensing a substance, and method of manufacture thereof | |
US8465202B2 (en) | Microstructured sensor for the detection of IR radiation | |
EP1333504B1 (en) | Monolithically-integrated infrared sensor | |
US6344647B1 (en) | Miniaturized photoacoustic spectrometer | |
US20030209669A1 (en) | Miniaturized infrared gas analyzing apparatus | |
US20180266889A1 (en) | Bolometer, method of fabricating the same, and bolometric method | |
JPH07286809A (ja) | 光学材料分析に用いる表面ミクロ機械加工技術によって製造される電気同調可能型ファブリ・ペロ干渉計 | |
EP2032956A2 (en) | Tunable finesse infrared cavity thermal detectors | |
JP2007527508A (ja) | 感熱装置 | |
WO2004113887A2 (en) | Thermo-optic filter and infrared sensor using said filter. | |
US20170219434A1 (en) | Ir detector array device | |
Rossberg | Silicon micromachined infrared sensor with tunable wavelength selectivity for application in infrared spectroscopy | |
JP4158076B2 (ja) | 波長選択型赤外線検出素子及び赤外線ガス分析計 | |
US8199334B2 (en) | Self-calibrated interrogation system for optical sensors | |
Wendong et al. | Two-channel IR gas sensor with two detectors based on LiTaO3 single-crystal wafer | |
Willing et al. | Thin film pyroelectric array as a detector for an infrared gas spectrometer | |
JPH09329499A (ja) | 赤外線センサ及び赤外線検出器 | |
JPH1164111A (ja) | 赤外線検出素子 | |
Sesek et al. | A microbolometer system for radiation detection in the THz frequency range with a resonating cavity fabricated in the CMOS technology | |
TWI824053B (zh) | 光學濾光裝置及光學濾光裝置之控制方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
BB | Publication of examined application |