TWI432909B - 具減熱作用之光學成像裝置 - Google Patents

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TWI432909B
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Zeiss Carl Smt Gmbh
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    • G03F7/70891—Temperature

Description

具減熱作用之光學成像裝置 發明背景
本發明係有關於一種光學成像裝置。在用於製造微電子電路的微影技術情況下，可使用本發明。本發明更有關於一種光學成像方法，尤其是該方法可用本發明的光學成像裝置完成。
特別是，在微影技術的領域中，除了使用有高精密度的組件以外，必須使成像裝置(例如，諸如透鏡、反射鏡及光柵之類的光學元件)的位置和幾何在操作期間儘最大可能地保持不變以便對應地實現高成像品質。由於必須持續減少用於製造微電子電路之光學系統的解析度，故而必須嚴格要求顯微範圍有落在數個奈米區間內的準確度，以便推進待生產之微電子電路的微型化。
為了增加解析度，要麼減少光波長(就系統是在極短紫外線(EUV)範圍以13奈米左右之工作波長工作的情形而言)，要麼可增加使用之投影系統的數值孔徑。能使數值孔徑顯著增加而高於數值1可用所謂的浸潤系統來實現，其中折射率大於1的浸潤介質(immersion medium)是在投影系統的浸潤元件與待曝光基板之間。使用折射率特別高的光學元件可進一步增加數值孔徑。
應瞭解，在所謂的單一浸潤系統中，浸潤元件(亦即，至少部份與處於浸泡狀態之浸潤介質接觸的光學元件)通常是最靠近待曝光基板的末尾光學元件。在此，浸潤介質通常與此一最後光學元件、基板接觸。在所謂的雙浸潤系統中，浸潤元件不一定是末尾光學元件，亦即，最靠近基板的光學元件。在雙或多浸潤系統中，浸潤元件也可用一或更多其他光學元件與基板隔開。就此情形而言，至少部份浸泡浸潤元件的浸潤介質可在，例如，光學系統的兩個光學元件之間。
減少工作波長以及增加數值孔徑不僅要求所使用的光學元件在整體操作時要有更加嚴謹的定位準確度及尺寸準確度。當然，也增加對於最小化整個光學配置之成像誤差的要求。
當然，關於這點，特別重要的是，所使用之該等光學元件內的溫度分布和最後因此所造成之各個光學元件的變形以及與各個光學元件之折射率變化有關的最終溫度。
由歐洲專利第EP 1 477 853 A2號(頒給Sakamoto)可知一種EUV系統，它可主動抵消反射鏡(只能用於這種系統)起因於入射光的加熱並且可使在位於反射鏡內之給定位置處所得到的溫度主動地保持在給定的限定內，在此將其揭示內容全部併入本文作為參考資料。這是經由位於反射鏡背面中央且包含珀耳帖元件(Peltier element)或其類似物的溫度調整裝置以提供標定的冷卻作用。一方面，此一解決方案的缺點是它不適合使用折射光學元件，特別是用於上述浸潤系統時，因為中央溫度調整裝置會覆蓋光學要用到的區域。另一方面，就反射鏡所吸收的光能量而言，只是可靠地控制在反射鏡內之單一位置的溫度成或多或少的平穩狀態。對於環境的其他熱影響(特別是不平穩及/或局部變化的熱影響)仍然沒有考慮到，但是這些會由浸潤介質引進並且會使反射鏡內的溫度分布產生動態及局部性的波動(fluctuation)。
 發明概要
因此，本發明的目標是要提供沒有上述缺點的光學成像裝置和光學成像方法，或有至少程度較小的缺點，特別是，除了有考慮到投射光的吸收效應以外，允許以簡單的方式補償光學元件的局部熱環境影響。
本發明係基於以下的發現：浸潤系統的熱環境影響，特別是，源於浸潤介質的影響，可能導致各個光學元件的溫度分布有不容忽視的局部波動，甚至還與投射光的吸收效應有相當大的關連。根據本發明，已證明，一方面，使用折射系統與折射光學元件，也有可能對熱環境影響做想要的補償，當彼等用於浸潤系統時，如果對應的減熱作用有效，除了可減少與吸收相關的波動以外，也可減少由各個光學元件的環境造成各個光學元件中之溫度分布的波動。為此目的，根據本發明，在有浸潤系統的變體中，提供一種用於浸潤元件的減熱裝置，該減熱裝置係經設計成可特別使浸潤元件之溫度分布由浸潤介質造成的波動減少。用這種方式，除了可解釋吸收效應以外，也有可能特別解釋浸潤元件之溫度分布由浸潤介質造成的局部波動。
此外，本發明也基於以下的發現：特別是對於折射元件，可設立對應的溫度特性模式，特別是可解釋不平穩及/或局部環境影響的，且用來主動控制該溫度分布。用此一溫度特性模式有可能預測或估計該溫度分布，問題是測量用於光學之區域的溫度分布(若有的話)大都會干擾成像過程，以及在控制溫度分布時難以解釋預測或估計的溫度分布。
因此，本發明的目標為一種光學成像裝置，特別是用於微影技術的，其係包含：用於容納包含投影圖形之遮罩的遮罩裝置、具有光學元件群的投影裝置、用於容納基板的基板裝置(substrate device)、以及浸潤區。該光學元件群係經設計成可投射該投影圖形至該基板，且包含多個光學元件，其中一浸潤元件在操作期間係至少暫時鄰近該基板。在操作期間，該浸潤區係位於該浸潤元件與該基板之間且至少暫時充滿浸潤介質。根據本發明，提供一種減熱裝置，該減熱裝置係經設計成可減少該浸潤元件之溫度分布TE的波動，該等波動係由該浸潤介質造成。
本發明的另一目標為一種光學成像方法，特別是用於微影技術的，其中用光學元件群中之數個光學元件投射一投影圖形至一基板上，至少部份浸泡該光學元件群之一浸潤元件於在鄰近該基板之浸潤區的區域中之浸潤介質。根據本發明，經由減熱裝置，可減少該浸潤元件之溫度分布TE由該浸潤介質造成的波動。
本發明的另一目標為一種光學成像裝置，特別是用於微影技術的，其係包含：用於容納包含投影圖形之遮罩的遮罩裝置、有光學元件群的投影裝置、用於容納基板的基板裝置、以及浸潤區，其中該光學元件群係經設計成可投射該投影圖形至該基板上。該光學元件群包含多個光學元件，其中在操作期間至少暫時浸泡至少一浸潤元件於在浸潤區中之浸潤介質。提供一種減熱裝置，該減熱裝置係經設計成可減少該浸潤元件之溫度分布TE的波動，該等波動係由該浸潤介質造成，其中該減熱裝置包含至少一熱去耦裝置(thermal decoupling device)用於使該浸潤元件與其環境之至少一部份至少部份熱去耦。
本發明的另一目標為一種光學成像方法，特別是用於微影技術的，其中用光學元件群中之數個光學元件投射一投影圖形至一基板上，部份浸泡該光學元件群的浸潤元件於在浸潤區中之浸潤介質。根據本發明，經由減熱裝置，可減少該浸潤元件之溫度分布TE由該浸潤介質造成的波動，其中用該減熱裝置使該浸潤元件與其環境之至少一部份至少部份熱去耦。
本發明的另一目標為一種光學成像裝置，特別是用於微影技術的，其係包含：用於容納包含投影圖形之遮罩的遮罩裝置、有光學元件群的投影裝置、用於容納基板的基板裝置。該光學元件群係經設計成可投射該投影圖形至該基板上並且包含多個有至少一熱控光學元件的光學元件。根據本發明，減熱裝置係與該熱控光學元件關連，該減熱裝置係經設計成可減少該熱控光學元件之溫度分布TE的波動，其中用於減少該熱控光學元件之溫度波動的減熱裝置可存取該熱控光學元件的溫度特性模式。
本發明的另一目標為一種光學成像方法，特別是用於微影技術的，其中用光學元件群中之數個光學元件投射一投影圖形至一基板上，該等光學元件包含一熱控光學元件。根據本發明，經由減熱裝置，可減少該熱控光學元件之溫度分布TE的波動，其中它是用於減少該熱控光學元件的溫度波動，且可存取該熱控光學元件的溫度特性模式。
分別由本發明附屬項及以下較佳具體實施例和附圖的說明可明白本發明的其他較佳具體實施例。不論明示於申請專利範圍與否，所有揭示之特徵的組合都落在本發明的範疇內。
圖式簡單說明
第1圖示意圖示本發明光學成像裝置之一較佳具體實施例，用它可執行本發明光學成像方法之一較佳具體實施例；第2圖為第1圖成像裝置之一部份的示意部份斷面圖；第3圖的示意部份斷面圖係圖示用於本發明光學成像裝置另一較佳具體實施例的第2圖細節D；第4圖的示意部份斷面圖係圖示用於本發明光學成像裝置另一較佳具體實施例的第2圖細節D；第5圖的示意部份斷面圖係圖示用於本發明光學成像裝置另一較佳具體實施例的第2圖細節D；第6圖的示意部份斷面圖係圖示用於本發明光學成像裝置另一較佳具體實施例的第2圖細節D；第7圖的示意部份斷面圖係圖示用於本發明光學成像裝置另一較佳具體實施例的第2圖細節D；第8圖的示意部份斷面圖係圖示用於本發明光學成像裝置另一較佳具體實施例的第2圖細節D；第9圖的方塊圖係圖示可用第1圖光學成像裝置執行的本發明光學成像方法之一較佳具體實施例；第10圖為本發明光學成像裝置另一較佳具體實施例的示意部份斷面圖。
 較佳實施例之詳細說明
以下參考第1圖至第9圖說明本發明光學成像裝置的較佳具體實施例以及彼等在微影製程(microlithography process)中的用途。
第1圖示意圖示本發明光學成像裝置一較佳具體實施例，其形式為以落在紫外線範圍內之193奈米光波長操作的微影裝置(microlithography device)101。
微影裝置101包含照明系統102、形式為遮罩平台(mask table)103的遮罩裝置、形式為有光軸104.1之物鏡104的光學投影系統、以及形式為晶圓平台(wafer table)105的基板裝置。照明系統102用投影光束(未圖示，波長為193奈米)照明置於遮罩平台103上的遮罩103.1。在遮罩104.3上形成投影圖形係經由配置於物鏡104內之光學元件投射投影光束於基板上，該基板的形式為配置於晶圓平台105上的晶圓105.1。
物鏡104包含由一系列同性質之光學元件107至109形成的光學元件群106。光學元件107至109都固定在物鏡的外殼104.2內。由於工作波長等於193奈米，光學元件107至109都是折射光學元件，例如透鏡或其類似物。因此，操作期間最靠近晶圓105.1的末尾光學元件109即為所謂的近接元件或末尾透鏡元件。
微影裝置101為一種浸潤系統。在浸潤區110中，液態浸潤介質110.1(例如，高度純水或其類似物)置於晶圓105.1和末尾透鏡元件109之間。在浸潤區110內，設有浸潤介質110.1的浸潤池，它一方面至少是以待實際曝光之晶圓105.1的一部份為下界。至少部份用浸潤外框110.2(通常也稱作浸潤罩)提供該浸潤池的橫向界限。末尾透鏡元件109於曝光時有光學作用的部份和末尾透鏡元件109放在物鏡104外面上的部份至少浸泡在浸潤池內，使得末尾透鏡元件109在本發明的意義來說是浸潤元件。因此，只有由末尾透鏡元件109離開、在末尾透鏡元件109、晶圓之間的路徑是在浸潤介質110內。
與末尾透鏡元件、晶圓之間為氣氛的習知系統相比，由於浸潤介質的折射率高於數值1，故而可達成NA大於1的數值孔徑並且提高解析度。
為了達成數值NA大於1.4的數值孔徑，末尾透鏡元件109之材料的折射率大於常用於此類透鏡元件之石英(SiO)或氟化鈣(CaF)的折射率為較佳。在本具體實施例中，末尾透鏡元件109的材料為尖晶石(spinel)。不過，本發明的其他具體實施例可使用有對應高折射率且適合各個波長的其他透鏡材料。此一透鏡材料的例子為LuAG(鎦鋁石榴石，例如LU3 Al5 O12 )。此外，應瞭解，在習知石英或氟化鈣透鏡的情況下，也可使用本發明。此外，應瞭解，可選定另一個數值孔徑。不過，關於高解析度，數值孔徑有至少1.3的數值為較佳。
與習知石英或氟化鈣透鏡相比，用於末尾透鏡元件109的尖晶石的折射率溫度靈敏度很高。因此，操作時必須使末尾透鏡元件內的實際溫度分布TE保持在狹窄的變異界限值內以便維持給定的選點溫度分布TSE，以便至少減少成像誤差(起因於末尾透鏡元件109之折射率的對應變化)，甚至使成像誤差最小化為較佳。
不過，應瞭解，特別是在微影技術領域，對於具有由石英(SiO)或氟化鈣(CaF)製成之光學元件的系統而言，可以不再忽視該等浸潤元件之溫度分布的變異或波動，藉此對於此類系統和本發明的應用系統是一大優點。
為了符合在給定選點溫度分布TSE附近要有狹窄的變異界限值，提供本發明的減熱裝置111。下文中，減熱裝置111的詳細說明主要是參照第2圖至第9圖。第2圖係以高度示意的方式圖示物鏡104在晶圓側面末端的半個橫截面。
在本實施例中，歸功於減熱裝置110，在微影裝置101操作期間，可達成末尾透鏡元件109的給定選點溫度分布TSE有等於1毫開(mK)的最大偏差(maximum deviation)△TE。用這種方式，可保持夠低的成像誤差與成像誤差變異(各自起因於族類誘導的變形(family induced deformation)和熱誘導的折射率改變)以便達成高成像品質。不過，應瞭解，本發明的其他變體，最後可能有較高的最大偏差，特別是取決於所用之材料的熱變形特性與熱折射率變異。最大偏差不超過10毫開為較佳，因為可達成特別高的成像品質。
關於這點，應瞭解，可任意選定給定的選點溫度分布TSE。可如此選定以致於末尾透鏡元件109本身有最小化的成像誤差，至少有一類成像誤差。不過，也可如此選定以致於末尾透鏡元件109本身在選點溫度分布TSE處對於至少一類成像誤差的成像誤差量足以減少甚至完全補償光學元件群106中之其餘光學元件的對應成像誤差，藉此使物鏡104的總成像誤差中至少有一類成像誤差最小化。總成像誤差的最小化由歐洲專利第EP 0 956 871 A1號(頒給Rupp)可知，其全部揭示內容併入本文作為參考資料。
減熱裝置111包含多個主動型減熱控制電路及被動型減熱組件。特別是，它包含作為第一減熱控制電路的控制電路專門用來控制供給浸潤區之浸潤介質110.1的供給溫度(supply temperature)。
為此目的，第一減熱控制電路112包含供給裝置112.1、第一溫度調整裝置112.2、數個第一溫度感測器112.3、以及控制裝置111.1。經由至少一供給線，供給裝置112.1提供足夠數量及足夠流率的浸潤介質110.1至浸潤區110。與控制裝置111.1連接的第一溫度調整裝置112.2係經配置成是在浸潤介質110.1至浸潤區110之進入點的正前面且調整浸潤介質110.1的溫度至想要的供給溫度TIF。第一溫度感測器112.3都經由無線及/或至少部份包線連接(wire bound connection，為使附圖清晰些而未予以圖示)而連接至控制裝置111.1。
根據以下所描述的方式，用控制裝置111.1制定想要的供給溫度TIF。用數個在浸潤區110周圍均勻分布的第一溫度感測器112.3且在本發明意義下為第一制定裝置，偵測浸潤介質110.1在浸潤區110周圍的溫度。該等第一溫度感測器112.3係提供對應的第一溫度資料給控制裝置111.1的相關輸入111.2。
不過，應瞭解，在不同的位置可提供溫度或至少另一參數的測量或制定，而不是經由在浸潤區110周圍均勻分布的第一溫度感測器112.3做直接測量。由此溫度或參數，在估計裝置中，經由足夠準確的對應估計(其係基於此一制定參數與浸潤介質110.1在浸潤區110周圍的溫度之間有足夠準確的已知關係)，可估計浸潤介質在浸潤區110周圍的溫度。
由該等第一溫度資料，控制裝置111.1用儲備的浸潤介質110.1第一溫度特性模式制定浸潤區110內的實際溫度分布T1。至於其他的參數，第一溫度特性模式是據此考慮浸潤介質的實際供給溫度TIF(由第一溫度調整裝置112.2提供給控制裝置111.1)、浸潤介質110.1的流率(由供給裝置112.1提供給控制裝置111.1)、末尾透鏡元件109的實際溫度分布TE(下文會詳述制定方式)、以及實際的光功率(由照明裝置102提供給控制裝置)。
由實際溫度分布T1(其係取決於浸潤介質110.1內之給定選點溫度分布TSI)，控制裝置111.1制定用於溫度調整裝置112.2及/或供給裝置112.1的第一控制值C。憑藉此第一控制值C，以實際溫度分布T1趨近浸潤介質110內之選點溫度分布TSI的方式，溫度調整裝置完成供給溫度TIF的調整及/或供給裝置112.1完成流率的調整。
供給溫度TIF的制定可以作為實際溫度分布T1的變化△TIE(由先前所採集或制定之溫度及參數預計)的函數來完成。換言之，使用該溫度特性模式，在變化△TIE(完全)展現之前，可預先考量變化△TIE並且抵消它。
根據本發明，浸潤介質110.1的實際溫度分布T1為影響末尾透鏡元件109之溫度的參數P，因為，由於在浸潤介質110.1與末尾透鏡元件109之間有溫度梯度，浸潤介質110.1與末尾透鏡元件109之間的熱傳遞會導致末尾透鏡元件109的溫度改變。此外，根據本發明，供給溫度TIF及/或流率為控制參數，因為彼等可分別用來影響浸潤介質110.1與末尾透鏡元件109之間的溫度梯度和浸潤介質110.1與末尾透鏡元件109之間的熱傳遞。因此，根據本發明，溫度調整裝置112.2及/或供給裝置112.1均為影響裝置(influencing device)。
關於這點，應瞭解，可用任意方式選定浸潤介質110.1內的給定選點溫度分布TSI。可用靜態方式來設定它，藉此，如果浸潤介質110.1內的選點溫度分布TSI存在以及如果末尾透鏡元件109內的選點溫度分布TSE存在，在末尾透鏡元件109與浸潤介質110之間不會有溫度梯度，結果也不會有熱傳遞。
換言之，就此情形而言，如果末尾透鏡元件109處於選點狀態(setpoint state)，不會有相當大的熱擾動(thermal disturbance)會被以此方式控制的浸潤介質110導入末尾透鏡元件109。不過，就此情形而言，如果末尾透鏡元件109處於偏離選點狀態的狀態，在末尾透鏡元件109與浸潤介質110.1之間產生溫度梯度用以抵消末尾透鏡元件109的實際溫度分布TE與選點溫度分布TSE之間的實際偏差，藉此，經由以此方式控制的浸潤介質110.1可達成減熱效果。
浸潤介質110.1內的選點溫度分布TSI也可以作為末尾透鏡元件109的實際溫度分布TE的函數來選定，以致如果浸潤介質110.1內的選點溫度分布TSI存在，可在末尾透鏡元件109與浸潤介質110.1之間提供給定的溫度梯度，以及給定的熱傳遞。然後，用以下方式選定末尾透鏡元件109與浸潤介質110.1之間的溫度梯度為較佳：它能抵消末尾透鏡元件109的實際溫度分布TE與末尾透鏡元件109的選點溫度分布TSE之間的偏差，使得在此也經由以此方式控制的浸潤介質110.1來達成減熱效果。
這樣的話，經由浸潤介質110.1來設定末尾透鏡元件109與浸潤介質110.1之間的溫度梯度是選擇較高的為較佳，則末尾透鏡元件109的實際溫度分布TE與選點溫度分布TSE的偏差會越大。換言之，用此方式可達成末尾透鏡元件109的實際溫度分布TE與選點溫度分布TSE之偏差的動態減熱。
如果在此情況下末尾透鏡元件109是處於選點狀態，以此方式控制的浸潤介質110.1不會引進相當大的熱擾動進入末尾透鏡元件109。如果情況不是這樣，經由以此方式控制之浸潤介質110.1的抵消作用越強，則末尾透鏡元件109的實際溫度分布TE與選點溫度分布TSE的偏差會越大。
減熱裝置111更包含作為第二減熱控制電路的控制電路113用以專門控制氣氛113.1(其係與浸潤介質110.1的自由表面110.3接觸)的溫度TA及/或濕度HA及/或流率VA。
為此目的，第二減熱控制電路113包含在氣氛113.1及控制裝置111.1前面的第二供給裝置113.2。第二供給裝置113.2，經由至少一供給線，提供足夠數量的氣體使浸潤介質110.1的自由表面110.3有對應的溫度與流率。第二供給裝置113.2用以下所描述的方式調整氣氛113.12的溫度及/或濕度及/或流率具有由控制裝置111.1制定的想要數值。
控制裝置111.1用上述方式在浸潤區110內制定浸潤介質110.1內的實際溫度分布T1。由浸潤介質110.1內的實際溫度分布T1，控制裝置111.1隨後以作為浸潤介質之給定選點溫度分布TSI的函數來制定第二供給裝置113.2的第二控制值C。用該第二控制值C，第二供給裝置113.2完成氣氛113.1的溫度及/或濕度及/或流率的調整。
在所有情況下，可用以下方式提供該調整：最小化浸潤介質在浸潤介質110.1自由表面110.3的蒸發。藉由調整氣氛113.1的溫度使此事發生為較佳，以致它對應至浸潤介質110.1在自由表面110.3的溫度，以及藉由調整氣氛113.1的濕度至夠高的數值，完全飽和較佳，以避免蒸發浸潤介質110.1，從而來自浸潤介質110.1的熱傳遞。
換言之，用這個變體，可避免經由浸潤介質110.1在自由表面110.3的蒸發而將熱擾動導入浸潤介質，因而也導入末尾透鏡元件109。
經由第二減熱控制電路113的控制係附屬於經由第一減熱控制電路112的控制。不過，應瞭解，本發明的其他變體最後可提供經由來自浸潤介質110.1之蒸發所誘導的熱傳遞來有效利用熱擾動以便抵消末尾透鏡元件109的實際溫度分布TE與選點溫度分布TSE的偏差，從而達成減熱效果。
例如，在末尾透鏡元件109處於選點狀態時，可能有某一蒸發率(其係取決於末尾透鏡元件109的實際溫度分布TE與選點溫度分布TSE之間待衰減之偏差的方向)是隨後可使它增減以便使浸潤介質110.1的實際溫度分布T1趨近浸潤介質會對應地改變的選點溫度分布TSI，亦即，使溫度升高或降低，從而，經由浸潤介質110.1與末尾透鏡元件109之間的溫度梯度，抵消末尾透鏡元件109的實際溫度分布TE與選點溫度分布TSE的偏差。
在此也一樣，氣氛113.1的溫度及/或濕度及/或流率為本發明的控制參數CP，因為，經由該等參數，可各自影響浸潤介質110.1與末尾透鏡元件109之間的溫度梯度和浸潤介質110.1與末尾透鏡元件109之間的熱傳導(heat transport)。因此，第二供給裝置113.2也為本發明的影響裝置。
關於這點，應瞭解，在此也一樣，可用上述方式任意選定浸潤介質110.1內的給定選點溫度分布TSI。此外，應瞭解，自由表面110.3可為浸潤介質110.1的整個自由表面或一部份。
減熱裝置111更包含作為第三減熱控制電路的控制電路114專門用來直接影響末尾透鏡元件109的溫度。
為此目的，第三減熱控制電路114包含多個形式為珀耳帖元件114.1、均勻分布於末尾透鏡元件109周圍的第二溫度調整裝置、數個第二溫度感測器114.2、以及控制裝置111.1。連接至控制裝置111.1的珀耳帖元件114.1會冷卻或加熱末尾透鏡元件109(下文會有更詳細的解釋)，以致抵消末尾透鏡元件的實際溫度分布TE與選點溫度分布TSE的偏差，從而也可達成減熱效果。
用均勻分布於末尾透鏡元件109且為本發明制定裝置的第二溫度感測器114.2、114.3，可制定末尾透鏡元件109在末尾透鏡元件109各個位置的溫度。第二溫度感測器114.2、114.3係提供對應的第一溫度資料給控制裝置111.1的相關輸入111.2。
在此也一樣，應瞭解，可在不同的位置提供溫度或至少一其他參數的測量或制定，而不是經由均勻分布於末尾透鏡元件109上之溫度感測器114.2、114.3的直接測量。由此溫度或參數，在估計裝置中，經由足夠準確的對應估計(其係基於此一制定參數與末尾透鏡元件109的溫度之間有足夠準確的已知關係)，可估計末尾透鏡元件109的溫度。
由該等第一溫度資料，控制裝置111.1用儲備的末尾透鏡元件109第一溫度特性模式制定末尾透鏡元件109內的實際溫度分布TE。至於其他的參數，第一溫度特性模式是據此考慮浸潤介質110.1的實際溫度分布T1和實際光功率(由照明裝置102提供給控制裝置111.1)。
由末尾透鏡元件109內的實際溫度分布TE(其係取決於末尾透鏡元件109內的給定選點溫度分布TSE)，控制裝置111.1制定用於該等珀耳帖元件114.1的第三控制值C。用此一第三控制值C，可調整珀耳帖元件114.1向著末尾透鏡元件109表面的表面溫度。因此，珀耳帖元件114.1可加熱或冷卻末尾透鏡元件109的表面以致末尾透鏡元件109內的實際溫度分布TE會趨近選點溫度分布TSE。
因此，根據本發明，珀耳帖元件114.1向著末尾透鏡元件109表面的表面溫度是控制參數CP，因為，經由此一溫度，可影響珀耳帖元件114.1與末尾透鏡元件109的熱傳遞。因此，該等珀耳帖元件114.1為本發明的影響裝置。
如第3圖所示，第三減熱控制電路114，與微影裝置101的其他變體，除了珀耳帖元件114.1以外或替換地，在透鏡元件109不用於光學的區域中可(進一步)包含形式為電阻加熱裝置114.4的第二溫度調整裝置。連接至控制裝置111.1的電阻加熱裝置114.4係加熱末尾透鏡元件109(下文會有更詳細的解釋)以致可抵消末尾透鏡元件109的實際溫度分布TE與選點溫度分布TSE的偏差，從而也可達成減熱效果。
第3圖，在對應至第2圖之細節D的示意圖中，圖示本發明微影裝置101另一具體實施例的電阻加熱裝置114.4。由第3圖可見，電阻加熱裝置114.4包含多個適當地相連及連接至控制裝置111.1的導電元件114.5。導電元件114.5都嵌在末尾透鏡元件109的表面內。
製造該等導電元件114.5可藉由，例如，以想要的組態放置金屬粉末(隨後形成該等導電元件114.5)於末尾透鏡元件109的表面上。該金屬粉末是用例如紅外線雷射加熱到金屬粉末熔化且連接以形成該等導電元件的程度。此外，由於密度較高，熔化的金屬粉末會陷進末尾透鏡元件109的局部溶化矩陣裡。
如第3圖所示，該等導電元件114.5都完全嵌在末尾透鏡元件109上的矩陣裡。不過，應瞭解，本發明的其他具體實施例，也可提供該等導電元件114.5都只有部份被末尾透鏡元件109的矩陣包圍。在此情況下，可加上保護層(如第3圖用虛線輪廓114.6表示的)。此一保護層114.6可保護該等導電元件114.5不被浸潤介質110.1侵蝕。保護層114.6例如可為已經由濺鍍製程、CVD(化學氣相沉積)製程或其類似者塗上的石英(SiO)層。更應瞭解，保護層114.6最後可包含該等導電元件114.5之間的電氣連接以及連接到控制裝置111.1的電氣連接。
如以上所解釋的，用第二溫度感測器114.2、114.3(請參考第2圖)，可在末尾透鏡元件109的各個位置採集末尾透鏡元件109的溫度。第二溫度感測器114.2、114.3提供對應的第一溫度資料給控制裝置111.1的相關輸入111.2。
應瞭解，在此也一樣，可在不同的位置提供溫度或至少另一參數的測量或制定，而不是經由均勻分布於末尾透鏡元件109上之溫度感測器114.2、114.3的直接測量。由此一測得或制定的溫度或參數，在估計裝置中，經由足夠準確的對應估計(其係基於此一制定參數/溫度與末尾透鏡元件109的溫度之間有足夠準確的已知關係)，可估計末尾透鏡元件109的溫度。
由該等第一溫度資料，控制裝置111.1用儲備的末尾透鏡元件109第一溫度特性模式制定末尾透鏡元件109內的實際溫度分布TE。至於其他的參數，第一溫度特性模式是據此考慮浸潤介質110.1的實際溫度分布T1和實際光功率(由照明裝置102提供給控制裝置111.1)。
由末尾透鏡元件109內的實際溫度分布TE(其係取決於末尾透鏡元件109內的給定選點溫度分布TSE)，控制裝置111.1制定用於電阻加熱裝置114.4的第三控制值C。用此一第三控制值C，經由該等導電元件114.5內的對應電流，可調整電阻加熱裝置114.4的溫度。因此，電阻加熱裝置114.4會加熱末尾透鏡元件109以致末尾透鏡元件109內的實際溫度分布TE會趨近選點溫度分布TSE。
應瞭解，電阻加熱裝置114.4可以任意纖細的方式分段，亦即，分開成任意個數、可用控制裝置111.1選擇性控制的分段。用這種方式，在電阻加熱裝置114.4內有可能實現任意想要的溫度分布。
因此，該等導電元件114.5的溫度為本發明的控制參數CP，因為此一溫度可影響該等導電元件114.5與末尾透鏡元件109之間的熱傳遞。因此，該等導電元件114.5各為本發明的影響裝置。
第4圖，在對應至第2圖之細節D的示意圖中，圖示本發明微影裝置101另一具體實施例的電阻加熱裝置214.4。電阻加熱裝置214.4可用來取代第3圖的電阻加熱裝置114.4。由第4圖可見，電阻加熱裝置214.4包含多個適當地相連及連接至控制裝置111.1的導電元件214.5。該等導電元件214.5係經配置於末尾透鏡元件109的表面上且隨後嵌在保護層214.6裡。
使用薄層技術及/或厚層技術可以想要的組態塗上該等導電元件214.5於末尾透鏡元件109的表面。隨後，彼等可覆上保護層214.6。
保護層214.6，特別是有保護該等導電元件214.5不被浸潤介質110.1侵蝕的，可為任意的保護層。例如，保護層214.6可為已經由濺鍍製程、CVD(化學氣相沉積)製程或其類似者塗上的石英石英(SiO)層。
保護層214.6也可包含聚合材料。聚亞醯胺(PI)材料(例如，杜邦所售品牌為Kapton的材料)則特別合適。應瞭解，例如，保護層214.6可用聚亞醯胺承載膜(polyimide carrier film，該等導電元件214.5可以想要的組態塗上它)形成。然後，可施加此一承載膜至末尾透鏡元件109，例如，以黏著的方式連接至末尾透鏡元件109。
由第4圖可見，保護層214.6還固定多個連接至控制裝置111.1的其他溫度感測器214.2。該等溫度感測器214.2(除了溫度感測器114.2、114.3以外或替換地)係採集末尾透鏡元件109在各個位置的溫度。該等溫度感測器214.2提供對應的第一溫度資料給控制裝置111.1的相關輸入111.2。
電阻加熱裝置214.4的功能性與上述電阻加熱裝置114.4的功能性相同。因此，在此只參照以上所給出的解釋。特別是，電阻加熱裝置214.4也可以任意纖細的方式分段。
第5圖，在對應至第2圖之細節D的示意圖中，圖示本發明微影裝置101另一具體實施例的輻射加熱裝置314.4。輻射加熱裝置314.4可用來取代第3圖的電阻加熱裝置114.4。由第5圖可見，輻射加熱裝置314.4包含多個連接至控制裝置111.1的加熱元件314.5。
該等加熱元件314.5都安排在浸潤外框110.2。在控制裝置111.1的控制下，該等加熱元件314.5放射標定的紅外線輻射R至末尾透鏡元件109以便加熱末尾透鏡元件109。該等加熱元件314.5可由所謂的空芯光纖(hollow core fibre)形成用來引導控制裝置111.1之耦合式紅外線輻射源的紅外線輻射至末尾透鏡元件109。
輻射加熱裝置314.4的功能性大部份與上述電阻加熱裝置114.4的功能性相對應。因此，在此主要是參照以上所給出的解釋。
在此也一樣，由末尾透鏡元件109內的實際溫度分布T1(其係取決於浸潤介質110.1內之給定選點溫度分布TSI)，控制裝置111.1制定用於輻射加熱裝置314.4的第三控制值C。用此一第三控制值C，可調整該等加熱元件314.5的輻射強度。因此，該等加熱元件314.5會加熱末尾透鏡元件109以致末尾透鏡元件109內的實際溫度分布TE會趨近選點溫度分布TSE。
因此，該等加熱元件314.5的輻射強度為本發明的控制參數CP，因為可用此一輻射強度影響該等加熱元件314.5與末尾透鏡元件109之間的熱傳遞。因此，該等加熱元件314.5各為本發明的影響裝置。
應瞭解，輻射加熱裝置314.4可使末尾透鏡元件109有任意纖細分段的輻射。換言之，輻射加熱裝置314.4可包含任意個數、可用控制裝置111.1選擇性控制的分段。用這種方式，經由輻射加熱裝置314.4有可能提供任意的輻射強度分布。
減熱控制裝置111更包含第一屏蔽，形式為末尾透鏡元件109的隔熱塗層115，該塗層115係形成形式為減熱控制裝置111之第一被動型減熱組件的熱去耦裝置。
該塗層115延伸越過末尾透鏡元件109位於浸潤介質110.1表面附近且在投射投影圖形至晶圓105時不用於光學的區段109.1。經由此一隔熱塗層115，末尾透鏡元件109與有浸潤介質110.1的浸潤區110均逐段地去熱耦合(section－wise thermally decoupled)，藉此，至少是在末尾透鏡元件109表面用於光學的區段109.2外面，以防止浸潤介質110.1的熱擾動直接傳播至末尾透鏡元件109內。
該塗層115可為任何可提供充分隔熱性質的合適材料或材料組合。在圖示於第2圖的具體實施例中，該塗層115包含一層有機材料，在此為聚胺甲酸酯(PU)樹脂，其係已經由適當的技術(例如，鑄造技術、上漆技術等等)塗佈於末尾透鏡元件109的表面區段109.1上。塗佈後，有機層的表面可用任何習知的表面處理技術處理以便提供想要的表面粗糙度。
該有機層未與末尾透鏡元件109接觸的全部表面或部份可加上適當的反射塗層。此一反射塗層係反射被晶圓105.1表面及/或浸潤介質110.1及/或浸潤外框110.2等等散射的投射光，因而，可防止(長期)損壞塗層115的有機層，否則散射的投射光可能會導致它損壞。
原則上，可用任何合適的方式設計屏蔽115以使末尾透鏡元件109與其環境熱去耦，特別是浸潤介質。特別是，它可為簡單的單層式或多層式隔熱。如下文更詳細之解釋所述的，它也可為兩層或更多層的組合，其中有至少一高度導熱層與至少一隔熱層。就此情形而言，該高度導熱層可用來傳導熱至末尾透鏡元件周圍(最後至設於此一位置的熱池)，因而，各自可防止或減少熱引進到末尾透鏡元件。
較佳地，在背向末尾透鏡元件109的表面上，該屏蔽115可具有疏水性表面(hydrophobic surface)。此一疏水性表面最後可由只基於此一理由加上的分層形成。用這種方式，至少主要可避免以下的情形：浸潤介質110的個別點滴或小滴累積於末尾透鏡元件109的表面(最後塗上的)。這些浸潤介質的點滴或小滴可能蒸發且導致形成局部集中的強熱池以致在末尾透鏡元件109中有強局部集中的熱擾動。
這些浸潤介質110.1的的點滴或小滴可能例如形成於末尾透鏡元件109只暫時用浸潤介質110.1沾濕的表面區域(例如，在微影裝置101操作期間，由於晶圓移動導致浸潤介質位準改變)。疏水性表面係以有利的方式阻礙浸潤介質110.1的點滴或小滴的形成於末尾透鏡元件109的(最後塗上之)表面上。
第6圖，在對應至第2圖之細節D的示意圖中，圖示本發明微影裝置101另一具體實施例的熱去耦裝置，其形式為熱屏蔽415。屏蔽415可取代第2圖的屏蔽115。
由第6圖可見，屏蔽415具有如上文所描述的多層設計。屏蔽415包含緊鄰末尾透鏡元件109的第一隔熱層415.1與緊鄰第一層415.1的第二高度導熱層415.2的組合。此外，疏水性第三層415.3係塗佈於第二層415.2的外表面。
第一隔熱層415.1包含間隔體415.4。間隔體415.4具有足夠的剛性能在微影裝置101的任何正常操作情況下保持它的形狀。因此，在正常操作情況下，間隔體415.4能在末尾透鏡元件109表面與第二層415.2之間提供確定的距離。不過，應瞭解，本發明的其他具體實施例，可提供數個個別的間隔元件，而不是單一間隔體。
間隔體415.4係允許流體滲透(亦即，氣體及/或液體)。例如，開孔泡沫(open－celled foam)可用來形成間隔體415.4。因此，在末尾透鏡元件109的表面與第二層415.2之間，可界定一形成第一層415.1的細裂縫(interstice)。形成第一層415.1的細裂縫係充滿有低導熱係數的流體(例如，氣體或液體)。最後，可用溫度經適當調整過的流體(以連續或間歇方式)潤濕細裂縫415.1以保證第一層415.1有想要的隔熱效果。
為了防止浸潤介質110.1浸入細裂縫415.1，在末尾透鏡元件109與第二層415.2之間加上環周密封元件415.5。該密封元件415.5可為用黏著劑形成的環狀物，此外，它可使第二層415.2固定於末尾透鏡元件109。
由於第二層415.2有高導熱係數，可保證在末尾透鏡元件109的徑向R有良好的熱傳遞。因此，可使浸潤介質110.1所誘導的熱擾動迅速減少，甚至可用第二層415.2內的對應高熱傳遞來完全補償。結果，像這樣的熱擾動，若有的話，只會向末尾透鏡元件109傳播到減少的範圍。換言之，可實現有效的減熱效果。用第一隔熱層415.1可使此類熱擾動的傳播進一步減少。換言之，經由形成本發明之熱去耦裝置的屏蔽415，末尾透鏡元件109可有效地與其環境去熱耦合，特別是與浸潤介質110.1去熱耦合。
為了達成在第二層415.2內有快速熱傳遞，在第二層415.2的外圓周可裝設穩定裝置(stabilizing device)415.6。該穩定裝置能具有高熱容量(heat capacity)，因此在微影裝置101的操作期間有穩定的溫度。例如，該穩定裝置415.6可由熱載體介質(heat carrier medium)的迴路形成。
疏水性第三層415.3也可減少如上述因累積點滴或小滴蒸發而形成局部熱池的可能性。如上述，疏水性第三層415.3例如可由聚亞醯胺(PI)材料形成。
第7圖，在對應至第2圖之細節D的示意圖中，圖示本發明微影裝置101另一具體實施例的熱屏蔽515。屏蔽515可用來取代第2圖的屏蔽115或取代第6圖的屏蔽415。
由第7圖可見，屏蔽515具有上述的多層設計。屏蔽515包含緊鄰末尾透鏡元件109之第一隔熱層515.1與緊鄰第一層515.1之第二層515.2的組合。
第一隔熱層515.1包含多個平均分布於末尾透鏡元件109周圍的間隔元件515.4。該等間隔元件515.4具有足夠的剛性能在微影裝置101的任何正常操作情況下保持它的形狀。。因此，在正常操作情況下，該等間隔元件515.4能在末尾透鏡元件109表面與第二層515.2之間提供確定的距離。
該等間隔元件515.4係界定一形成第一層515.1的細裂縫。形成第一層515.1的細裂縫係充滿有低導熱係數的流體(例如，氣體或液體)。最後，可用溫度經適當調整過的流體(以連續或間歇方式)潤濕細裂縫515.1以保證第一層515.1有想要的隔熱效果。
為了防止浸潤介質110.1浸入細裂縫515.1，在末尾透鏡元件109與第二層515.2之間加上環周密封元件515.5。該密封元件515.5可為用黏著劑形成的環狀物，此外，它可使第二層515.2固定於末尾透鏡元件109。
第二層515.2也可在末尾透鏡元件109的徑向R提供良好的熱傳遞。因此，可使浸潤介質110.1所誘導的熱擾動迅速減少，甚至可用第二層515.2內的對應高熱傳遞來完全補償。結果，像這樣的熱擾動，若有的話，只會向末尾透鏡元件109傳播到減少的範圍。換言之，可實現有效的減熱效果。用第一隔熱層515.1可使此類熱擾動的傳播進一步減少。換言之，經由形成本發明之熱去耦裝置的屏蔽515，末尾透鏡元件109可有效地與其環境去熱耦合，特別是與浸潤介質110.1去熱耦合。
藉由提供在第二層515.2內徑向R延伸的通道系統515.7，口實現在第二層515.2內的快速熱傳遞。形式為唧取及溫度調整裝置(pumping and temperature adjusting device)515.6的穩定裝置在通道系統515.7內為熱載體介質循環提供熱載體介質的(連續較佳)流動515.8。流動515.8的熱載體介質是用穩定裝置515.6調整成有明確的溫度及/或流率。
流動515.8最初在第二層515.2的第一通道515.9中順著徑向R，朝在第二層515.2內面圓周處的改向區515.10流動。流動515.8在改向區515.1改向以便在第二層515.2的第二通道515.11內朝第二層515.2之外圓周回流。流動515.8離開第二通道515.11返回到穩定裝置515.6，在此再度調整它的溫度及/或流率且再循環到熱載體介質循環。
在圖示於第7圖的最簡單情況下，通道系統515.9至515.11係由薄中空體515.2與薄肋條515.12形成。肋條515.12位於中空體515.2內且在徑向R和在末尾透鏡元件109的周向中延伸。肋條515.12係隔開第一通道515.9與第二通道515.11。第二通道515.11(經由它，再度向外徑向輸送熱載體介質至穩定裝置515.6)位於背向末尾透鏡元件109的側面上為較佳，以便實現由末尾透鏡元件109區快速去除熱擾動。不過，應瞭解，此一通道系統的任何其他合適組態若能快速去除熱擾動都可使用。
再者，疏水性第三層可設於第二層515.2的外表面以便減少如上述累積浸潤介質110.1之點滴或小滴蒸發而形成局部熱池(local heat sink)的可能性。
如第7圖所示，控制裝置111.1可連接至及控制穩定裝置515.6。因此，有可能主動控制屏蔽515上的減熱效果。結果，屏蔽515形成本發明的主動型熱去耦裝置。
用以下方式控制穩定裝置515.6為較佳：使第二層515.2(形成本發明的熱屏蔽元件)面向末尾透鏡元件109的表面(在微影裝置101操作期間)大體一直有給定溫度分布，有均勻的溫度為較佳。為此目的，其他連接至控制裝置111.1的溫度感測器514.2可設於該表面。然後，控制裝置111.1可用由該等溫度感測器514.2提供的溫度資料來控制穩定裝置515.6，如上述。
第8圖，在對應至第2圖之細節D的示意圖中，圖示本發明微影裝置101另一具體實施例的熱屏蔽615。屏蔽615可用來取代第2圖的屏蔽115、取代第6圖的屏蔽415、或取代第7圖的屏蔽515。
由第8圖可見，屏蔽615係由熱載體介質615.14的(連續為較佳)流動615.13形成，該熱載體介質615.14係裝在末尾透鏡元件109與未填充浸潤介質110.1的浸潤外框110.2之間的間隙之一部份110.4內。流動615.13由穩定裝置提供，該穩定裝置的形式為唧取及溫度調整裝置615.6，其係提供有明確溫度及流率的熱載體介質。
流動615.13最初在徑向R朝接觸區615.14流動。在此一接觸區615.15內，熱載體介質615.14係與浸潤介質110.1接觸而最後與它混合。在接觸區615.15的區域中，通道615.16是設在浸潤外框110.2內。通道615.16的開口朝接觸區615.15。經由此一通道615.16，由末尾透鏡元件109與浸潤外框110.2之間的間隙抽出熱載體介質615.14，最後是部份的浸潤介質110.1(其係最後與熱載體介質615.14混合)而且再循環回到穩定裝置615.6。
如果必要的話，在穩定裝置615.6中，與熱載體介質615.14一起抽出的浸潤介質110.1部份係由熱載體介質615.14析出。穩定裝置615.6重新調整熱載體介質615.4的溫度及流率並且再循環到熱載體介質循環。
穩定裝置615.6也以想要的流率提供浸潤介質110.1至浸潤區110。應瞭解，浸潤介質110.1提供給浸潤區110的流率、熱載體介質615.14提供給末尾透鏡元件109與浸潤外框110.2的間隙之部份110.4的流率、以及通道615.16內的流率是相互順應的以便達成上述組態(亦即，有浸潤介質110.1和在接觸區615.15接觸的熱載體介質615.14)。此外，使該等流率相互順應以避免在末尾透鏡元件109的區域內有不合意的壓力波動。
流動615.13在末尾透鏡元件109徑向R提供離開末尾透鏡元件109的良好熱傳導。因此，可使浸潤介質110.1或浸潤外框110.2所誘導的熱擾動迅速減少，甚至可用由流動615.13提供的對應高熱傳導來完全補償。結果，像這樣的熱擾動，若有的話，只會向末尾透鏡元件109傳播到減少的範圍。換言之，可實現有效的減熱效果。用末尾透鏡元件上的第一隔熱層(如第8圖中虛線輪廓615.1所示)可使此類熱擾動的傳播進一步減少。換言之，經由形成本發明熱去耦裝置的屏蔽615，末尾透鏡元件109可有效地與其環境去熱耦合，特別是與浸潤介質110.1去熱耦合。
如第8圖所示，控制裝置111.1可連接至及控制穩定裝置615.6。因此，有可能主動控制屏蔽615的減熱效果。
減熱裝置111更包含環形的第二屏蔽116，該第二屏蔽116係配置於末尾透鏡元件109的托架117與倒數第二之透鏡元件108的托架118之間且形成第二被動型減熱組件，因而為本發明的熱去耦裝置。
第二屏蔽116係由兩個托架117、118的連接區(至物鏡104的外殼)延伸到末尾透鏡元件109在投射投影圖形於晶圓105時不用於光學之表面上的區段109.3。第二屏蔽116進一步用作該等珀耳帖元件114.1的載具。
如第8圖所示之第二屏蔽116係由高度導熱的材料組成。在兩個托架117、118的連接區中，第二屏蔽116係連接至溫度經穩定化過的中間元件119，該中間元件119係經由有熱載體介質(例如，水)流過的環狀通道119.1，而該熱載體介質是經由熱載體介質源119.2來保持不變的溫度。
憑藉溫度經穩定化過的中間元件119有不變的溫度和第二屏蔽116的高導熱係數，導致第二屏蔽116面向托架117的側面有大約不變的溫度。因此，可實現托架117及部份末尾透鏡元件109與物鏡104其餘部份的熱屏蔽，藉此，在此也一樣，可實現減弱經由此一側面導入末尾透鏡元件109的熱擾動。
應瞭解，原則上，可用任何合適的方式設計第二屏蔽116。特別是，在本發明的其他變體中，也可將它設計成簡單的單層或多層隔熱而與上述第一屏蔽的變體類似。不過，它也可為包含至少一高度導熱層、至少一隔熱層的兩層或更多層的組合。特別是，在圖示於第8圖的具體實施例中，在第二屏蔽116面向托架117的側面上可形成對應隔熱層。
第9圖的方塊圖係圖示可用微影裝置101執行的本發明光學成像方法之一較佳具體實施例。
首先，在步驟120.1中，開始該方法的執行。在步驟120.2中，使微影裝置101的組件彼此就定位藉此完成上述的組態。
在步驟120.3中，以上述方式投射遮罩103.1上之至少一部份的投影圖形至晶圓105.1上。在步驟120.3(其係與投影平行)中，經由如上述的減熱裝置111提供末尾透鏡元件109之溫度分布由末尾透鏡元件之環境(特別是，浸潤介質110.1)造成之波動的減熱。
為此目的，在步驟120.4中，經由上述的溫度感測器112.2、112.3、114.2、114.3制定對應的溫度。此外，如上述，制定其他的參數(例如，浸潤介質110.1的實際供給溫度TIF、浸潤介質110.1的流率、以及照明裝置102的實際光功率。
在步驟120.5中，控制裝置111係制定浸潤區110中之浸潤介質110.1的實際溫度分布T1以及末尾透鏡元件109的實際溫度分布TE。這是用儲備的溫度特性模式並且使用在上述步驟120.3制定的資料來完成。此外，控制裝置111制定用於個別影響裝置的控制數值C(例如，溫度調整裝置112.2、供給裝置112.1、第二供給裝置113.2、珀耳帖元件114.1、等等)。
因此，溫度特性模式是以下兩者的關係：經採集或以其他方式制定的溫度及其他參數(例如，浸潤介質110.1的流率、照明裝置102的光功率、等等)、在溫度特性模式之各個目標(亦即，分別為末尾透鏡元件109與浸潤介質110.1)內的預期溫度分布。
對於溫度特性模式的各個目標(亦即，末尾透鏡元件109或浸潤介質110.1)，可用經驗方式及/或經由模擬計算來制定溫度特性模式的各個部份。特別是，對於定期重覆的情況，在微影裝置101的操作期間，對於以下兩項可達成足夠準確的估計：浸潤區110中之浸潤介質110.1內的實際溫度分布T1以及末尾透鏡元件109內的實際溫度分布TE。
在步驟120.6中，使用數個已制定的控制數值C，藉由用上述方式控制各個影響裝置(例如，溫度調整裝置112.2、供給裝置112.1、第二供給裝置113.2、數個珀耳帖元件114.1、等等)經由控制裝置111.1來影響該等控制參數CP。
在步驟120.7中，檢查是否要停止本方法的執行。如果是，在步驟120.8停止本方法的執行。否則跳回到步驟120.3。
在前文中，已用其中結合多個主動型減熱控制電路112、113、114與被動型減熱組件115、116的實施例來描述本發明。不過，在此應提及的是，在本發明的其他變體中，單一主動型減熱控制電路與數個被動型減熱組件各可單獨或以任意的組合方式使用。
此外，在前文中，已用有一部份末尾透鏡元件109是於光學成像時浸入浸潤介質110.1的實施例來描述本發明。不過，應瞭解，本發明也可用於浸潤系統的情況，其中至少暫時充滿浸潤介質的浸潤區(另外或替換地是在末尾透鏡元件與晶圓之間的浸潤區)位於光學元件群的兩個光學元件之間。由例如世界專利第WO 2006/080212 A1號、第WO 2004/019128 A2號、第WO 2006/051689 A1號、第WO 2006/126522 A1號、第WO 2006/121008 A1號、以及美國專利第US 7,180,572 B1號可知此類多個浸潤系統或雙浸潤系統，這些專利的全部揭示內容都併入本文作為參考資料。
第10圖，在對應至第2圖之視圖的視圖中，其係示意圖示可用於微影裝置101的雙浸潤系統。在此，透鏡元件109不是緊鄰晶圓105.1而是鄰近另一光學元件，其形式是位於透鏡元件109與晶圓105.1之間的透鏡元件709。浸潤區110是在透鏡元件109與透鏡元件709之間，而充滿另一浸潤介質710.1的另一浸潤區710是在該另一透鏡元件709與晶圓105.1之間。
用上述方式組態減熱裝置111以便提供環境誘導之熱擾動(其係傾向導致在透鏡元件109之溫度分布內的熱擾動)的減熱。應瞭解，可提供另一減熱裝置以提供環境誘導之熱擾動的減熱，特別是浸潤介質誘導的熱擾動，其係傾向導致在另一透鏡元件709之溫度分布內的熱擾動。該另一減熱裝置的設計方式可與減熱裝置111的相同。此外，也可把減熱裝置111設計成對於該另一透鏡元件709可提供減熱。
浸潤介質110.1可與浸潤介質610.1相同或不同。可使用任何合適的浸潤介質。浸潤介質的例子有重水或重氧水，例如D2 O，D2 O＊ ，H2 O＊ ，其中O＊ 可包含同位素O16 、O17 及O18 。這些浸潤介質可以任意比例混合以便使浸潤區110、710各自有想要的折射率，及/或以便使兩種浸潤介質之間有想要的關係及/或使光學元件109、709與浸潤介質110.1、710.1中之一或兩者的折射率之間有想要的關係。對於該等混合物，在美國專利第US 2006/092533 A1號、第US 2006/066926 A1號、以及世界專利第WO 2005/106589 A1號有給出對應的例子和折射率數值，這些專利的全部揭示內容都併入本文作為參考資料。
在前文中，已用光學元件群僅僅由折射光學元件組成的實施例來描述本發明。不過，在此要提及的是，本發明當然可用單獨由折射、反射或衍射光學元件或以任意組合方式組成的光學元件群，特別是在以不同波長完成成像過程的情形下。
此外，在此要提及的是，在前文中，已用在微影技術領域內的實施例來描述本發明。不過，應瞭解，本發明也可用於任何其他的應用系統和成像過程。
101．．．微影裝置
102．．．照明系統
103．．．遮罩平台
103.1．．．遮罩
104．．．物鏡
104.1．．．光軸
104.2．．．外殼
104.3．．．遮罩
105．．．晶圓平台
105.1．．．晶圓
106．．．光學元件群
107,108．．．光學元件
109．．．末尾透鏡元件
109.1．．．不用於光學的區段
109.2．．．用於光學的區段
109.3．．．末尾透鏡元件不用於光學的表面區段
110．．．浸潤區
110.1．．．液態浸潤介質
110.2．．．浸潤外框
110.3．．．自由表面
110.4．．．在末尾透鏡元件與浸潤外框之間的間隙之一部份
111．．．減熱裝置
111.1．．．控制裝置
111.2．．．相關輸入
112．．．第一減熱控制電路
112.1．．．供給裝置
112.2．．．第一溫度調整裝置
112.3．．．第一溫度感測器
113．．．控制電路
113.1．．．控制氣氛
113.12．．．氣氛
113.2．．．第二供給裝置
114．．．控制電路
114.1．．．珀耳帖元件
114.2,114.3．．．第二溫度感測器
114.4．．．電阻加熱裝置
114.5．．．導電元件
114.6．．．保護層
115．．．隔熱塗層
116．．．第二屏蔽
117,118．．．托架
119．．．中間元件
119.1．．．環狀通道
119.2．．．熱載體介質源
120.1．．．開始
120.2．．．使微影裝置的組件就定位
120.3．．．投射遮罩的至少一部份投影圖形至晶圓
120.4．．．制定實際溫度值及其他參數
120.5．．．使用溫度特性模式制定控制值C
120.6．．．使用控制值C控制控制參數
120.7．．．停止？
120.8．．．停止
214.2．．．溫度感測器
214.4．．．電阻加熱裝置
214.5．．．導電元件
214.6．．．保護層
314.4．．．輻射加熱裝置
314.5．．．加熱元件
415．．．屏蔽
415.1．．．緊鄰第一層
415.2．．．第二高度導熱層
415.3．．．疏水性第三層
415.4．．．間隔體
415.5．．．環周密封元件
415.6．．．穩定裝置
514.2．．．溫度感測器
515．．．熱屏蔽
515.1．．．第一隔熱層、細裂縫
515.2．．．第二層
515.4．．．間隔元件
515.5．．．環周密封元件
515.6．．．唧取及溫度調整裝置
515.7．．．通道系統
515.8．．．流動
515.9．．．第一通道
515.10．．．改向區
515.11．．．第二通道
515.12．．．肋條
610.1．．．浸潤介質
615．．．屏蔽
615.13．．．流動
615.14．．．熱載體介質、接觸區
615.15．．．接觸區
615.16．．．通道
615.6．．．唧取及溫度調整裝置
709．．．透鏡元件
710．．．浸潤區
710.1．．．浸潤介質
第1圖示意圖示本發明光學成像裝置之一較佳具體實施例，用它可執行本發明光學成像方法之一較佳具體實施例；第2圖為第1圖成像裝置之一部份的示意部份斷面圖；第3圖的示意部份斷面圖係圖示用於本發明光學成像裝置另一較佳具體實施例的第2圖細節D；第4圖的示意部份斷面圖係圖示用於本發明光學成像裝置另一較佳具體實施例的第2圖細節D；第5圖的示意部份斷面圖係圖示用於本發明光學成像裝置另一較佳具體實施例的第2圖細節D；第6圖的示意部份斷面圖係圖示用於本發明光學成像裝置另一較佳具體實施例的第2圖細節D；第7圖的示意部份斷面圖係圖示用於本發明光學成像裝置另一較佳具體實施例的第2圖細節D；第8圖的示意部份斷面圖係圖示用於本發明光學成像裝置另一較佳具體實施例的第2圖細節D；第9圖的方塊圖係圖示可用第1圖光學成像裝置執行的本發明光學成像方法之一較佳具體實施例；第10圖為本發明光學成像裝置另一較佳具體實施例的示意部份斷面圖。
104．．．物鏡
104.1．．．光軸
105.1．．．晶圓
108．．．光學元件
109．．．末尾透鏡元件
109.1．．．不用於光學的區段
109.2．．．用於光學的區段
109.3．．．末尾透鏡元件不用於光學的表面區段
110．．．浸潤區
110.1．．．液態浸潤介質
110.2．．．浸潤外框
110.3．．．自由表面
111．．．減熱裝置
111.1．．．控制裝置
111.2．．．相關輸入
112．．．第一減熱控制電路
112.1．．．供給裝置
112.2．．．第一溫度調整裝置
112.3．．．第一溫度感測器
113．．．控制電路
113.1．．．控制氣氛
113.2．．．第二供給裝置
114．．．控制電路
114.1．．．珀耳帖元件
114.2,114.3．．．第二溫度感測器
115．．．隔熱塗層
116．．．第二屏蔽
117,118．．．托架
119．．．中間元件
119.1．．．環狀通道
119.2．．．熱載體介質源

Claims (60)

  1. 一種光學成像裝置，特別是用於微影技術的，其係包含：用於容納包含投影圖形之遮罩的遮罩裝置，包含光學元件群的投影裝置，用於容納基板的基板裝置，以及浸潤區，其中該光學元件群係經設計成可投射投影圖形至該基板上，該光學元件群包含多個光學元件，其中有一浸潤元件會至少暫時鄰近該浸潤區，以及該浸潤區在操作期間至少暫時充滿浸潤介質，特別是該浸潤區在操作期間係位於形成該浸潤元件的末尾光學元件與該基板之間，其特徵為：減熱裝置，其係經設計成可減少該浸潤元件之溫度分布TE的波動，該等波動係由該浸潤介質造成，其中該減熱裝置包含至少一熱去耦裝置，其係使該浸潤元件與其環境之至少一部份至少部份熱去耦，其中該浸潤元件包含在投射該投影圖形至該基板時用於光學的第一區與不用於光學的第二區，以及第一屏蔽係經裝設成為熱去耦裝置，該第一屏蔽遮蔽該第二區中之該第一區段的至少一部份免受熱於該浸潤介質，特別是大體熱遮蔽該第二區的整個第一區段，其中該第一區段為該第二區鄰近該浸潤介質的整個區段，及/或 第二屏蔽係經裝設成為熱去耦裝置，該第二屏蔽遮蔽該第二區中之第二區段的至少一部份免受熱於該投影裝置之毗鄰區段，特別是大體熱遮蔽該第二區的整個第二區段，其中該第二區段為該第二區鄰近該投影裝置之該毗鄰區段的整個區段。
  2. 如申請專利範圍第1項的光學成像裝置，其中該浸潤元件為該光學元件群中的最後一個光學元件。
  3. 如申請專利範圍第1項的光學成像裝置，其中該浸潤元件是用夾持裝置夾住，以及第三屏蔽係經裝設成為熱去耦裝置，該第三屏蔽遮蔽該夾持裝置之至少一部份免受熱於它的環境，特別是大體熱遮蔽整個該夾持裝置。
  4. 如申請專利範圍第3項的光學成像裝置，其中該第三屏蔽遮蔽該夾持裝置鄰近該投影裝置之毗鄰區段的區域之至少一部份免受熱於該投影裝置之該毗鄰區段，特別是熱遮蔽該夾持裝置鄰近該投影裝置之毗鄰區段的整個區域。
  5. 如申請專利範圍第3項的光學成像裝置，其中該熱去耦裝置包含至少一被動型隔熱裝置，特別是由有機材料組成的該至少一被動型隔熱裝置，及/或包含至少一具有至少一屏蔽元件和至少一與該屏蔽元件連接之溫度調整裝置的主動型屏蔽，其中該溫度調整裝置 係經配置成藉此該屏蔽元件有至少一表面大體可保持一可選擇的溫度分布。
  6. 如申請專利範圍第5項的光學成像裝置，其中該熱去耦裝置包含至少一主動型屏蔽，以及該溫度調整裝置係經設計成可使熱載體介質在該至少一屏蔽元件的區域中流動。
  7. 如申請專利範圍第1項的光學成像裝置，其中該熱去耦裝置包含至少一背向該浸潤元件的疏水性表面，特別是疏水性塗層。
  8. 如申請專利範圍第1項的光學成像裝置，其中用於該浸潤元件的選點溫度分布TSE是給定的，以及該減熱裝置係經設計成可防止該選點溫度分布TSE出現給定的最大偏差△TE。
  9. 如申請專利範圍第8項的光學成像裝置，其中該最大偏差△TE小於10毫開，小於1毫開為較佳。
  10. 如申請專利範圍第9項的光學成像裝置，其中該浸潤元件具有實際溫度分布TE，而且用於該浸潤元件的選點溫度分布TSE是給定的，以及該減熱裝置包含至少一制定裝置、一至少暫時連接至該制定裝置的控制裝置、以及一至少暫時連接至該控制裝置的影響裝置，其中該制定裝置係制定至少一影響該實際溫度分布TE或代 表該實際溫度分布TE的參數P，該控制裝置，在作為該已制定之參數P與該選點溫度分布TSE的函數時，它會制定至少一控制值C，以及該影響裝置，在作為該至少一已制定之控制值C的函數時，它會以抵消該實際溫度分布TE與該選點溫度分布TSE之偏差的方式影響會影響該實際溫度分布TE的控制參數CP。
  11. 如申請專利範圍第10項的光學成像裝置，其中該參數P為該浸潤介質的至少一局部溫度或該浸潤元件的至少一局部溫度。
  12. 如申請專利範圍第11項的光學成像裝置，其中該制定裝置包含至少一用於測量該至少一局部溫度的溫度感測器及/或包含至少一用於估計該至少一局部溫度的估計裝置。
  13. 如申請專利範圍第11項的光學成像裝置，其中該控制參數CP為該浸潤介質的溫度，或為該浸潤介質的流率，或為與該浸潤介質接觸之氣氛的溫度，或為與該浸潤介質接觸之氣氛的濕度，或為與該浸潤介質接觸之氣氛的流率，或為與該浸潤元件操作性連接之至少一溫度調整元件的溫度。
  14. 如申請專利範圍第10項的光學成像裝置，其中該控制裝置係 經設計成可用該浸潤元件及/或該浸潤區內之該浸潤介質的溫度特性模式來制定該控制值C。
  15. 如申請專利範圍第14項的光學成像裝置，其中該控制裝置包含記憶體，該記憶體係儲存表示該溫度特性模式的模式資料或數個用來計算表示該溫度特性模式之模式資料的參數，以及該控制裝置使用該模式資料來制定該控制值C。
  16. 如申請專利範圍第10項的光學成像裝置，其中該減熱裝置，在作為該影響裝置時，它包含至少一第一溫度調整裝置用以調整供給至該浸潤區之該浸潤介質的溫度。
  17. 如申請專利範圍第16項的光學成像裝置，其中該控制裝置在作為可預期該浸潤介質之該溫度分布T1的變化△TIE的函數時用以下方式來制定用於該第一溫度調整裝置的該控制值C：該第一溫度調整裝置把供給至該浸潤區之該浸潤介質的該溫度調整為供給溫度TIF，其中該供給溫度TIF係經選定成，藉此，由於可預期該浸潤介質之該溫度分布T1的該變化△TIE，因而也可預期該浸潤介質的給定溫度分布TSI。
  18. 如申請專利範圍第16項的光學成像裝置，其中該第一溫度調整裝置係經配置成是在該浸潤介質進入該浸潤區的區域中。
  19. 如申請專利範圍第10項的光學成像裝置，其中該減熱裝置，在作為該影響裝置時，它包含一調整裝置 用於影響在與鄰近氣氛接觸之區域中之該浸潤介質由蒸發造成的冷卻，其中該調整裝置調整與該浸潤介質接觸之該氣氛的至少一狀態參數，以及該至少一狀態參數為該氣氛的溫度TA、該氣氛的濕度HA、或該氣氛的流率VA。
  20. 如申請專利範圍第19項的光學成像裝置，其中該控制裝置在作為該浸潤介質在該接觸區中之狀態的函數時用以下方式來制定用於該調整裝置的該控制值C：可預期在該接觸區中之該浸潤介質有給定蒸發所誘導之冷卻，特別是大體無蒸發所誘導之冷卻。
  21. 如申請專利範圍第19項的光學成像裝置，其中該接觸區大體遍佈該浸潤介質的整個自由表面。
  22. 如申請專利範圍第6項中的光學成像裝置，其中該減熱裝置，在作為該影響裝置時，它包含至少一與該浸潤元件操作性連接的第二溫度調整裝置用於調整該浸潤元件的溫度。
  23. 如申請專利範圍第22項的光學成像裝置，其中該控制裝置在作為在由該制定裝置制定之該浸潤區中之該浸潤介質的溫度分布T1的函數時用以下方式來制定用於該第二溫度調整裝置的該控制值C：該第二溫度調整裝置用以下方式調整該浸潤元件的溫度：由於該浸潤介質內產生該已制定之溫度分布T1而抵消該實際溫度分布TE與該選點溫度分布TSE的偏 差。
  24. 如申請專利範圍第22項的光學成像裝置，其中該第二溫度調整裝置係經配置成是在該浸潤元件之周圍的區域中。
  25. 如申請專利範圍第22項的光學成像裝置，其中該第二溫度調整裝置包含至少一珀耳帖元件，及/或包含至少一安置在該浸潤元件的電阻加熱裝置，其中該電阻加熱裝置是特別嵌在該浸潤元件內或覆上防止該浸潤介質的保護層，及/或包含至少一輻射加熱裝置用於提供加熱用輻射至該浸潤元件，特別是紅外線輻射。
  26. 如申請專利範圍第6項的光學成像裝置，其中用以下方式選定該選點溫度分布TSE：使該浸潤元件的至少一成像誤差減少，特別是變成最小，及/或使該光學元件群的至少一成像誤差減少，特別是變成最小。
  27. 如申請專利範圍第1項的光學成像裝置，其中該浸潤元件是用有以下性質的材料製成：折射率大於石英玻璃之折射率者 及/或與石英玻璃之折射率相比折射率有較高溫度靈敏度者。
  28. 如申請專利範圍第1項的光學成像裝置，其中該浸潤元件是由尖晶石或LuAG製成。
  29. 如申請專利範圍第1項的光學成像裝置，其中該浸潤元件為該光學元件群中在操作期間至少暫時鄰近該基板的末尾光學元件。
  30. 如申請專利範圍第1項的光學成像裝置，其中該數值孔徑至少有1.3，特別是至少有1.4。
  31. 一種光學成像方法，特別是用於微影技術的，其中用光學元件群中之數個光學元件投射一投影圖形至一基板上，其中至少部份浸泡該光學元件群之一浸潤元件於一在一浸潤區中之浸潤介質，特別是該浸潤介質係經設置成鄰近於該基板，其特徵為：經由減熱裝置來減少該浸潤元件之溫度分布TE的波動，該等波動係由該浸潤介質造成，其中經由該減熱裝置，使該浸潤元件與其環境之至少一部份至少部份熱去耦，其中該浸潤元件包含在投射該投影圖形至該基板時用於光學的第一區與不用於光學的第二區，以及該第二區之該第一區段的至少一部份，特別是大體該第 二區的整個第一區段，與該浸潤介質之間有一第一屏蔽，其中該第一區段為該第二區鄰近該浸潤介質的整個區段，及/或該第二區之第二區段的至少一部份，特別大體是該第二區的整個第二區段，與該投影裝置的毗鄰區段之間有一第二屏蔽，其中該第二區段為該第二區鄰近該投影裝置之該毗鄰區段的整個區段。
  32. 如申請專利範圍第31項的光學成像方法，其中該浸潤元件為該光學元件群中的最後一個光學元件。
  33. 如申請專利範圍第31項的光學成像方法，其中該浸潤元件是用夾持裝置夾住，以及該夾持裝置的至少一部份，特別是大體整個該夾持裝置，與它的環境之間有一第三屏蔽。
  34. 如申請專利範圍第33項的光學成像方法，其中該夾持裝置鄰近該投影裝置之毗鄰區段的區域之至少一部份，特別是該夾持裝置鄰近該投影裝置之毗鄰區段的整個區域，與該投影裝置之該毗鄰區段之間有屏蔽。
  35. 如申請專利範圍第31項的光學成像方法，其中該熱去耦係經由至少一被動型隔熱裝置來提供，特別是由有機材料組成的該至少一被動型隔熱裝置，及/或經由至少一具有至少一屏蔽元件和至少一與該屏蔽元 件連接之溫度調整裝置的主動型屏蔽來提供，其中該溫度調整裝置係經配置成藉此該屏蔽元件有至少一表面大體可保持一可選擇的溫度分布。
  36. 如申請專利範圍第35項的光學成像方法，其中經由至少一主動型屏蔽來提供該熱去耦，其中該溫度調整裝置係使熱載體介質在該至少一屏蔽元件的區域中流動。
  37. 如申請專利範圍第31項的光學成像方法，其中給定用於該浸潤元件的選點溫度分布TSE，以及經由該減熱裝置來維持該選點溫度分布TSE的給定最大偏差△TE。
  38. 如申請專利範圍第37項的光學成像方法，其中該最大偏差△TE小於10毫開，小於1毫開為較佳。
  39. 如申請專利範圍第31項的光學成像方法，其中該末尾浸潤元件具有實際溫度分布TE，而且用於該浸潤元件的選點溫度分布TSE是給定的，以及經由該減熱裝置，制定至少一影響該實際溫度分布TE或代表該實際溫度分布TE的參數P，在作為該已制定之參數P與該選點溫度分布TSE的函數時，制定至少一控制值C，以及在作為該至少一已制定之控制值C的函數時，用以下方 式影響會影響該實際溫度分布TE的控制參數CP：抵消該實際溫度分布TE與該選點溫度分布TSE的偏差。
  40. 如申請專利範圍第39項的光學成像方法，其中該參數P為該浸潤介質的至少一局部溫度或該浸潤元件的至少一局部溫度。
  41. 如申請專利範圍第40項的光學成像方法，其中測量該至少一局部溫度及/或估計該至少一局部溫度。
  42. 如申請專利範圍第39項的光學成像方法，其中該控制參數CP為該浸潤介質的溫度，或為該浸潤介質的流率，或為與該浸潤介質接觸之氣氛的溫度，或為與該浸潤介質接觸之氣氛的濕度，或為與該浸潤介質接觸之氣氛的流率，或為與該浸潤元件操作性連接之至少一溫度調整元件的溫度。
  43. 如申請專利範圍第39項的光學成像方法，其中用該浸潤元件及/或在該浸潤區內之該浸潤介質的溫度特性模式來制定該控制值C。
  44. 如申請專利範圍第43項的光學成像方法，其中用模式資料來制定該控制值C，其中該模式資料為該溫度特性模式或數個用於計算該溫度特性模式的參數。
  45. 如申請專利範圍第39項的光學成像方法，其中係調整供給至該浸潤區之該浸潤介質的溫度。
  46. 如申請專利範圍第45項的光學成像方法，其中用以下方式把該控制值C制定成可預期該浸潤介質之該溫度分布T1的變化△TIE的函數：將供給至該浸潤區之該浸潤介質的該溫度調整成供給溫度TIF，其中該供給溫度TIF係經選定成，藉此，由於可預期該浸潤介質之該溫度分布T1的該變化△TIE，因而也可預期該浸潤介質的給定溫度分布TSI。
  47. 如申請專利範圍第45項的光學成像方法，其中在該浸潤介質進入該浸潤區的區域中調整該浸潤介質的該溫度。
  48. 如申請專利範圍第39項的光學成像方法，其中該減熱裝置係影響在與鄰近氣氛接觸之區域中之該浸潤介質的蒸發所誘導之冷卻，其中調整與該浸潤介質接觸之該氣氛的至少一狀態參數，以及該至少一狀態參數為該氣氛的溫度TA、該氣氛的濕度HA、或該氣氛的流率VA。
  49. 如申請專利範圍第48項的光學成像方法，其中用以下方式把該控制值C制定成該浸潤介質在該接觸區中之狀態的函數：可預期在該接觸區中之該浸潤介質有給定蒸發所誘導之冷卻，特別是大體無蒸發所誘導之冷卻。
  50. 如申請專利範圍第48項的光學成像方法，其中該接觸區大體遍佈該浸潤介質的整個自由表面。
  51. 如申請專利範圍第39項的光學成像方法，其中係經由該減熱裝置，直接調整該浸潤元件的溫度。
  52. 如申請專利範圍第51項的光學成像方法，其中用以下方式把該控制值C制定成該浸潤介質在該浸潤區中之溫度分布T1：用以下方式調整該浸潤元件的溫度：由於該浸潤介質內產生該已制定之溫度分布T1而抵消該實際溫度分布TE與該選點溫度分布TSE的偏差。
  53. 如申請專利範圍第51項的光學成像方法，其中在該浸潤元件的周圍地域中調整該浸潤元件的溫度。
  54. 如申請專利範圍第51項的光學成像方法，其中該浸潤元件的溫度是經由至少一珀耳帖元件來調整，及/或是經由至少一安置在該浸潤元件的電阻加熱裝置來調整，其中該電阻加熱裝置是特別嵌在該浸潤元件內或覆上防止該浸潤介質的保護層，及/或是經由至少一用於提供加熱用輻射至該浸潤元件的輻射加熱裝置來調整，特別是紅外線輻射。
  55. 如申請專利範圍第39項的光學成像方法，其中用以下方式選 定該選點溫度分布TSE：使該浸潤元件的至少一成像誤差減少，特別是變成最小。
  56. 如申請專利範圍第39項的光學成像方法，其中用以下方式選定該選點溫度分布TSE：使該光學元件群的至少一成像誤差減少，特別是變成最小。
  57. 如申請專利範圍第31項的光學成像方法，其中該浸潤元件是由折射率大於石英玻璃之折射率的材料製成。
  58. 如申請專利範圍第31項的光學成像方法，其中該浸潤元件是由與石英玻璃之折射率相比折射率有較高溫度靈敏度的材料製成。
  59. 如申請專利範圍第31項的光學成像方法，其中該浸潤元件是由尖晶石或LuAG製成。
  60. 如申請專利範圍第31項中的光學成像方法，其中該數值孔徑至少有1.3，特別是至少有1.4。
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