JP2016177289A - 光学結像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光学素子群が、基板に投影パターンを投影するように構成されており、作動中に少なくとも一時的に液浸ゾーン110に隣接して配置される液浸素子109を有する複数の光学素子を備え、作動中に液浸ゾーンが液浸素子と基盤105.1との間に配置され、少なくとも一時的に液浸媒体が充填され、熱減衰装置111が液浸媒体によって液浸素子の温度分布TEに誘発される変動を減じるように構成する。
【選択図】図2
Description
マイクロリソグラフィに関連して使用してもよい。本発明は、とりわけ本発明による光学
結像装置を用いて実施する光学結像法に関する。
ず、結像装置の部品、例えばレンズ、ミラー、回折格子などの光学素子の位置および幾何
学形状が動作中にできるだけ変化しないように保ち、対応して高結像度が得られるように
する必要がある。数ナノメートル領域という微視的範囲の精度に対する厳しい要求は、と
りわけ、作製する微小電子回路を小型化するためには微小電子回路の作製時に使用される
光学システムの解像度を高めるべきであるという絶えざる必要性の結果である。
)で作動するシステムにおける場合のように、用いられる光の波長を減じるか、または投
影システムの開口数を増大させることができる。値1を超えて開口数を著しく増大させる
可能性が、いわゆる「液浸システム」によって実現される。液浸システムでは、投影シス
テムの最終光学素子と照射すべき基板との間に液浸媒体が位置しており、この液浸媒体の
屈折率は1よりも大きい。開口数のさらなる増大は、特により高い屈折率を備える光学素
子によって可能である。
も近接して配置される最終光学素子である。ここでは、液浸媒体は、典型的にはこの最終
レンズ素子と基板とに接触する。いわゆる「二重液浸システム」では、液浸素子は必ずし
も最終光学素子、すなわち、基板に最も近接して配置された光学素子である必要はない。
このような二重または多重の液浸システムでは、液浸素子は、1つ以上のさらなる光学素
子によって基板から分離されていてもよい。この場合には、液浸素子が少なくとも部分的
に液浸されている液浸媒体は、例えば、光学系の2つの光学素子の間に配置されていても
よい。
寸法精度に対する要求が作動中にわたってより厳しくなるばかりではない。当然ながら、
光学装置全体の結像エラーを最小限にするという要求も高まる。
学素子の屈折率の温度に関係したばらつきは、もちろん特に重大である。
トによる)欧州特許出願公開第1477853号明細書につき、このようなシステムにの
み使用されるミラーに衝突光によりもたらされる加熱に反作用させ、ミラーの所定の箇所
で検出された温度を所定の規定限度に積極的に保持することが公知である。このことは、
ミラーの背面中央に配置され、意図的に冷却するためにペルティエ素子またはこれに類す
るものを有する温度調節装置を介して行われる。この解決は、特に上記液浸システムで使
用されるような屈折光学素子において使用するためには適していないことが欠点である。
なぜなら中央の温度調節装置が、光学的に使用される領域を覆ってしまう場合があるから
である。さらに、ミラー内の単一箇所の温度のみが、ミラーによって吸収された光エネル
ギを考慮してほぼ定常状態で信頼性良く制御される。特に非定常である、かつ/または局
所的に変化する熱による影響、例えば、液浸媒体によってもたらされ、ミラー内の温度分
布に動的もしくは局所的な変動を引き起こす場合もある、さらなる熱による環境影響は考
慮されていない。
光の吸収作用を考慮した上で、特に光学素子に対する局所的な熱による環境影響を簡単に
補償することを可能にする光学結像装置および光学結像法を提案することである。
の液浸媒体に由来する影響が、各光学素子の温度分布に無視できない、あるいは著しい局
所的な変動を引き起こしかねないという認識に基づいている。しかしながら、本発明によ
れば、吸収に基づく変動の他に、当該光学素子の環境に起因して生じる当該光学素子の温
度分布の変動をも減じる相応の熱減衰が得られる場合には、液浸システムにおいても使用
されるような屈折システムもしくは屈折光学素子においてもこのような熱による環境影響
を望ましい形で補償することが可能であることが示された。このために本発明の液浸シス
テムの変化態様によれば、液浸素子のために熱減衰装置が設けられており、この熱減衰装
置は、液浸媒体により光学素子の温度分布に誘発された変動を減じるように構成されてい
る。これにより、有利には、吸収作用を考慮するだけでなく、とりわけ液浸媒体により最
終光学素子の温度分布に誘発された局所的な変動をも考慮することが可能となる。
たは局所的な環境影響を考慮した温度挙動モデルを設定し、温度分布を能動的に制御する
場合に使用することができるという認識にも基づいている。このような温度挙動モデルに
より、光学的に利用される領域において、そもそも測定することが極めて困難な温度分布
を予測または評価し、結像処理を妨げることなしに温度分布の制御時にこの予測または評
価した温度分布を考慮することが可能である。
置と、光学素子群を備える投影装置と、基板および液浸ゾーンを収容するための基板装置
とを有する、特にマイクロリソグラフィで使用するための光学結像装置である。光学素子
群は、投影パターンを基板に投影するように構成されており、液浸素子を備える複数の光
学素子を有しており、液浸素子には基板が少なくとも一時的に隣接して配置されている。
作動中には、液浸ゾーンは、液浸素子と基板との間に配置されており、少なくとも一時的
に液浸媒体を充填されている。本発明によれば、熱減衰装置が設けられており、この熱減
衰装置は、液浸媒体によって液浸媒体の温度分布TEに誘発された変動を減じるように構
成されている。
り、この場合、投影パターンが、光学素子群の光学素子によって基板に投影され、光学素
子群の液浸素子は、基板に隣接して配置された液浸ゾーンの領域において、少なくとも部
分的に液浸媒体内に液浸される。本発明によれば、熱減衰装置によって、液浸媒体によっ
て液浸媒体の温度分布TEに誘発された変動が減じられる。
、光学素子群を備える投影装置と、基板および液浸ゾーンを収容するための基板装置とを
有し、光学素子群が投影パターンを基板に投影するように構成されている、特にマイクロ
リソグラフィで使用するための光学結像装置である。光学素子群は、少なくとも1つの液
浸素子を備える複数の光学素子を有しており、これらの液浸素子は、作動中に液浸ゾーン
の領域において少なくとも部分的に液浸媒体に液浸される。熱減衰装置が設けられており
、この熱減衰装置は、液浸媒体により液浸素子の温度分布TEに誘発された変動を減じる
ように構成されており、熱減衰装置は、液浸素子をこの液浸素子の環境の少なくとも一部
から少なくとも部分的に熱分離するための少なくとも1つの熱分離装置を備えている。
り、この場合、投影パターンが、光学素子群の光学素子によって基板に投影され、光学素
子群の液浸素子は、液浸ゾーンの領域において、少なくとも部分的に液浸媒体内に液浸さ
れる。本発明によれば、熱減衰装置によって、液浸媒体により液浸素子の温度分布TEに
誘発された変動が減じられ、この場合、熱減衰装置によって、液浸素子は液浸素子の環境
の少なくとも一部から少なくとも部分的に熱分離される。
、光学素子群を備える投影装置と、基板を収容するための基板装置とを有する、特にマイ
クロリソグラフィで使用するための光学結像装置である。光学素子群は、投影パターンを
基板に投影するように構成されており、少なくとも1つの熱制御された光学素子を備える
複数の光学素子を有している。本発明によれば、熱減衰装置は、熱制御された光学素子に
関連付けられており、熱制御された光学素子の温度分布TEの変動を減じるように構成さ
れており、この場合、熱減衰装置は、熱制御された光学素子の温度変動を減じるために、
熱制御された光学素子の温度挙動モデルにアクセスする。
り、この場合、投影パターンが、光学素子群の光学素子によって基板に投影され、光学素
子は、熱制御された光学素子を有している。本発明によれば、熱減衰装置により、熱制御
された光学素子の温度分布TEに生じた変動が減じられ、この場合に、熱減衰装置は、熱
制御された光学素子内の温度変動を減じるために、熱制御された光学素子の温度挙動モデ
ルにアクセスする。
い実施例の記載に明らかである。開示された特徴の全ての組み合わせは、請求項に明示的
に記載されているか否かに関わらず、本発明の範囲にある。
実施形態を図1〜図9を参照して説明する。
nmの波長の光で作動するマイクロリソグラフィ装置101の形で示している。
形のマスク装置と、光学軸線104.1を備える対物レンズ104の形の光学投影システ
ムと、ウェーハテーブル105の形の基板装置とを有している。照明システム102は、
マスクテーブル103に配置されたマスク103.1に193nmの波長を有する投影光
線(詳細に示さない)を照射する。マスク103.1には投影パターンが形成されており
、この投影パターンは、対物レンズ104内に配置された光学素子を介して、ウェーハテ
ーブル105に配置されたウェーハ105.1の形態の基板に、投影光線によって投影さ
れる。
素子群106を備えている。光学素子107〜109は、対物レンズ104のハウジング
104.2内に保持される。193nmの動作波長に基づき、これらの光学素子107〜
109は、レンズなどのような屈折性の光学素子である。この場合に作動時にウェーハ1
05.1の最も近接して配置されている最終光学素子109は、いわば「終端素子」また
は「最終レンズ素子」である。
状の液浸媒体110.1、例えば高純度の水などが、ウェーハ105.1と最終レンズ素
子109との間に配置されている。液浸ゾーン110の内部には、液浸媒体110.1か
らなる液浸浴が設けられており、この液浸浴は、一方では下方に向けて少なくともウェー
ハ105.1の実際に露光される部分によって制限されている。液浸浴の側方の制限は、
液浸枠110.2によって少なくとも部分的に設けられている(典型的にはいわゆる「液
浸フード」)。露光中に光学的に使用される最終レンズ素子109の少なくとも一部、お
よび最終レンズ素子109において対物レンズ104の外部に位置する部分は液浸浴内に
液浸され、これにより、最終レンズ素子109は本発明において液浸素子となる。それ故
、露光時に最終レンズ素子109から最終レンズ素子109とウェーハとの間に出射する
光の経路はもっぱら液浸媒体110.1内に延びる。
ンズ素子とウェーハとの間にガス雰囲気を備える従来のシステムに比べて解像度が高まる
。
、石英(SiO)またはフッ化カルシウム(CaF)よりも高い屈折率を有する材料が、
典型的にこのようなレンズのために使用される。本実施例では、最終レンズ素子109の
材料はスピネル(尖晶石)である。しかしながら、本発明の他の実施形態では、対応して
高い屈折率を有し、それぞれの波長のために適した他のレンズ材料を使用することもでき
る。そのようなレンズ材料の例は、LuAG(ルテチウムアルミニウムガーネット、例え
ば、Lu3A15O12)である。さらに、従来の石英またはフッ化カルシウムレンズに
おいて本発明を使用することもできることは理解されよう。さらに、他の開口数を選択で
きることも理解されよう。しかしながら、高い解像度を考慮すれば、開口数は好ましくは
少なくとも1.3の値である。
ウムレンズよりも屈折率の温度依存性が著しく高い。それ故、動作中に最終レンズ素子内
の実測温度分布TEを狭いばらつき限界内に留めて所定の目標温度分布TSEを保持する
必要があり、これにより、最終レンズ素子109の屈折率の対応したばらつきに起因する
結像エラーが少なくとも低減されるか、好ましくは最小限に押さえられる。
フッ化カルシウム(CaF)から形成された光学素子を有するシステムでは、無視するこ
とのできない液浸素子の温度分布のばらつきまたは変動が生じる場合もあり、このような
システムに本発明を用いることも極めて有利である。
では熱減衰装置111が設けられている。次に主に図2〜図9に関して熱減衰装置111
を詳細に説明する。図2は部分的に著しく概略化されており、対物レンズ104のウェー
ハ側の端部を半分断面した図である。
に最終レンズ素子109の所定の目標温度分布からの最大偏差ΔTE=1mKが達成され
る。したがって、熱による変形および熱による屈折率の変化に起因する結像エラーもしく
は結像エラーばらつきを十分に小さく保持することができ、これにより、高品質の結像品
質が得られる。しかしながら、本発明の別の変化態様では、特に使用される材料の熱変形
挙動および熱による屈折率のばらつきに応じて、場合によってはより大きい最大偏差があ
ってもよい。好ましくは、こうした最大偏差は10mKを超過しない。そうすれば、特に
高い結像品質が得られるからである。
。したがって、最終レンズ素子109が少なくとも1つの結像エラータイプに対して最小
限の結像エラーを有しているように目標温度分布TSEを選択することができる。しかし
ながら、この目標温度分布TSEは、最終レンズ素子109自体が少なくとも1つの結像
エラータイプに対して1つの結像エラーを有し、この結像エラーが、光学素子群106の
他の光学素子の対応した結像エラーを低減するか、完全に補償さえもするのに十分な値を
有しており、これにより、少なくとも1つの結像エラータイプでは対物レンズ104の結
像エラー全体の最小限となるように目標温度分布TSEを選択することもできることは理
解されよう。結像エラー全体をこのように最小限にすることが、欧州特許出願公開第09
56871号明細書(Rupp)により公知であり、その開示内容は参照により本明細書
に組み入れられる。
有している。とりわけ、熱減衰装置111は、第1熱減衰制御回路として、液浸ゾーンへ
の液浸媒体110.1の供給温度を意図的に制御するための制御回路を備えている。
112.2と、第1温度センサ112.3と制御装置111.1とを有している。供給装
置112.1は、少なくとも1つの供給ラインを介して十分な量および対応した流量の液
浸媒体110.1を液浸ゾーン110に供給する。液浸ゾーン110への液浸媒体110
.1の供給部の手前には、制御装置111.1に接続された第1温度調節装置112.2
が配置されており、この第1温度調節装置は液浸媒体110.1の温度を望ましい供給温
度TIFに調節する。第1温度センサ112.3は、無線および/または少なくとも部分
的に有線接続された接続部(図示していない)を介して制御装置111.1に接続されて
いる。
る。液浸ゾーン110の周囲に一様に分配されており、本発明では第1確立装置である、
第1温度センサ112.3によって、液浸媒体110.1の温度が液浸ゾーン110の周
縁部で検出される。第1温度センサ112.3は、対応した第1温度データを制御装置1
11.1の関連入力部111.2に供給する。
3により直接に測定する代わりに、別の場所で温度または少なくとも1つの別のパラメー
タの測定または確立を行うこともできることは理解されよう。これらの温度およびパラメ
ータから、評価装置では対応した十分に正確な評価によって、この確立されたパラメータ
と、液浸ゾーン110の周縁部における液浸媒体110.1の温度との間の十分に正確な
既知の関係に基づいて、液浸ゾーン110の周縁部における液浸媒体110.1の温度を
評価することもできる。
よって、制御装置111.1は液浸ゾーン110内の実測温度分布TIを確立する。さら
なるパラメータとして、第1温度挙動モデルは、(第1温度調節装置112.2によって
制御装置111.1に供給される)液浸媒体110の実測供給温度TIFと、(供給装置
112.1によって制御装置111.1に供給される)液浸媒体110.1の流量と、最
終レンズ素子109の実測温度分布TE(以下にさらに詳細に説明するように確立される
)と、(照明装置102によって制御装置に供給される)実測光出力を考慮する。
制御装置111.1は温度調節装置112.2および/または供給装置112.1のため
の第1制御値Cを確立する。この第1制御値Cによって、温度調節装置は供給温度TIF
の調節を行い、かつ/または供給装置112.1は、実測温度分布TIが液浸媒体110
内の目標温度分布TSIに近づくように流量の調節を行う。
予測することができる、実測温度分布TI内の変化ΔTIEに関連して確立してもよい。
換言すれば、温度挙動モデルを用いて、このような変化ΔTIEを予測し、このような変
化が(完全)に存在する前に阻止してもよい。
度に作用するパラメータPである。なぜなら、液浸媒体110.1と最終レンズ素子10
9との間の温度勾配に基づき、液浸媒体110.1と最終レンズ素子109との間に熱伝
達が生じ、最終レンズ素子109に温度変化がもたらされるからである。さらに、本発明
では、供給温度TIFおよび/または流量は、液浸媒体110.1と最終レンズ素子10
9との間の温度勾配および液浸媒体110.1と最終レンズ素子109との間の熱伝達に
それぞれ作用させるために用いてもよいので、制御パラメータである。したがって、本発
明では温度調節装置112.2および/または供給装置112.1は、それぞれ作用装置
である。
ともできることは理解されよう。液浸媒体110.1内の目標温度分布TSIが存在する
場合および最終レンズ素子109内の目標温度分布TSEが存在する場合には、最終レン
ズ素子109と液浸媒体110.1との間に温度勾配、ひいては熱伝達が生じないように
液浸媒体110.1内の所定の目標温度分布TSIを静的に規定してもよい。
して制御された液浸媒体110によって、著しい熱攪乱が最終レンズ素子109内にもた
らされることはない。しかしながら、最終レンズ素子109が目標状態とは異なる状態に
ある場合には、最終レンズ素子109と液浸媒体110.1との間に温度勾配が生じ、最
終レンズ素子109の実測温度分布TEと目標温度分布TSEとの間の実測偏差に抗して
作用し、これにより、このように制御された液浸媒体110.1によって熱減衰効果がえ
られる。
の実測温度分布TEに関連して選択することもでき、これにより、液浸媒体110.1内
に目標温度分布TSIが存在する場合には、所定の温度勾配、ひいては所定の熱伝達が最
終レンズ素子109と液浸媒体110.1との間に生じる。最終レンズ素子109と液浸
媒体110.1との間の温度勾配は、好ましくは、最終レンズ素子109の目標温度分布
TSEからの最終レンズ素子109の実測温度分布TEの偏差に反作用するように選択さ
れ、これにより、このように制御された液浸媒体110.1によって熱減衰効果も得られ
る。
介して調節される温度勾配は、好ましくは、最終レンズ素子109の目標温度分布TSE
からの実測温度分布TEの偏差が大きければ大きいほど、それだけ一層大きく選択される
。換言すれば、このようにして、最終レンズ素子109の目標温度分布TSEと実測温度
分布TEとの間の偏差の動的な減衰が得られる。
れた液浸媒体110.1は、最終レンズ素子109内に著しい熱攪乱もたらさない。そう
でない場合には、最終レンズ素子109の目標温度分布TSEと実測温度分布TEとの間
の偏差が大きければ大きいほど、このようにして制御された液浸媒体110.1による反
作用はそれだけ一層大きい。
面110.3と接触しているガス雰囲気113.1の温度TAおよび/または湿度HAお
よび/または流量VAを特定に制御するための制御回路113を有している。
のための第2供給装置113.2を有している。この第2供給装置113.2は、少なく
とも1つの供給ラインを介して、対応した温度と流量を備えた十分な量のガスを液浸媒体
110.1の自由表面110.3に供給する。第2供給装置113.2は、以下に説明す
るように、ガス雰囲気113.1の温度および/または湿度およびまたは流量を制御装置
111.1によって確立された望ましい値に調節する。
実測温度分布TIを確立する。液浸媒体110.1内の実測温度分布TIから、次いで制
御装置111.1は、所定の目標温度分布TSIに関連して、第2供給装置113.2に
対する第2制御値Cを確立する。この第2制御値Cによって、第2供給装置113.2は
ガス雰囲気113.1の温度および/または湿度および/または流量の調節を行う。
が最小限となるように調節を行うことができる。好ましくは、このような調節は、ガス雰
囲気113.1の温度が自由表面110.3における液浸媒体110.1の温度に対応す
るようにガス雰囲気113.1の温度を調節し、ガス雰囲気113.1の湿度を十分に高
い値、好ましくは完全な飽和状態となるように調節し、これにより、液浸媒体110.1
の蒸発、ひいては液浸媒体110.1からの放熱が防止されることにより行われる。
発により、液浸媒体、ひいては最終レンズ素子109にも熱攪乱がもたらされる。
下位にある。しかしながら、本発明の他の変化態様では、蒸発により誘発された液浸媒体
110.1からの放熱によって生じる熱攪乱を能動的に利用して、最終レンズ素子109
の実測温度分布TEと目標温度分布TSEとの間の偏差に反作用させ、これにより、熱減
衰効果が得られる。
TEと目標温度分布TSEとの間で減衰させようとする偏差の方向に応じて増減する場合
もある所定の蒸発率が存在し、液浸媒体110.1の実測温度分布TIが、液浸媒体11
0.1において対応して変化した目標温度分布TSIに近づけられる。すなわち、温度を
上昇もしくは下降させ、これにより、液浸媒体110.1と最終レンズ素子109との間
の温度勾配により、最終レンズ素子109の実測温度分布TEと目標温度分布TSEとの
間の偏差に反作用させる。
は、本発明においては制御パラメータCPである。なぜなら、これらのパラメータによっ
て、液浸媒体110.1と最終レンズ素子109との間の温度勾配および液浸媒体110
.1と最終レンズ素子109との間の熱伝達に、それぞれ作用することもできるからであ
る。したがって、第2供給装置113.2も本発明においては作用装置である。
に選択してもよいことは理解されよう。さらに自由表面110.3は液浸媒体110.1
の自由表面全体または一部であってもよいことも理解されよう。
に直接に特定に作用する制御回路114を有している。
ズ素子109の周縁部に一様に分配された第2温度調節装置と、第2温度センサ114.
2と制御装置111.1とを有している。制御装置111.1に接続されたペルティエ素
子114.1は、以下に詳細に説明するように、最終レンズ素子109を冷却または加熱
し、これにより、最終レンズ素子109の実測温度分布TEと目標温度分布TSEとの間
の偏差に反作用し、ひいては熱減衰効果も達成される。
温度センサ114.2および114.3によって、最終レンズ素子109のそれぞれの場
所で最終レンズ素子109の温度が確立される。第2温度センサ114.2および114
.3は、対応した第1温度データを制御装置111.11の関連入力部111.2に供給
する。
,114.3により直接に測定する代わりに、別の箇所で温度または少なくとも1つの別
のパラメータの測定または確立を行うこともできることは自明である。この温度またはパ
ラメータから、次いで評価装置では、対応して十分に正確な評価によって、この確立され
たパラメータと、最終レンズ素子109の温度との間で得られた十分に正確な既知の関係
に基づいて、最終レンズ素子109の温度が確立されてもよい。
された第1温度挙動モデルによって最終レンズ素子109内の実測温度分布TEを確立す
る。これにより、さらなるパラメータとして、第1温度挙動モデルは液浸媒体110.1
の実測温度分布TIおよび(照射装置102によって制御装置111.1に供給される)
実測光出力を考慮する。
温度分布TSEに応じて、制御装置111.1はペルティエ素子114.1に対する第3
制御値Cを確立する。この第3制御値Cによって、最終レンズ素子109の表面に向けら
れたペルティエ素子114.1の表面の温度が調節される。したがって、ペルティエ素子
114.1は、実測温度分布TEは最終レンズ素子109内の目標温度分布TSEに近づ
くように最終レンズ素子109の表面を加熱または冷却する。
子114.1の表面温度は、この温度によってペルティエ素子114.1と最終レンズ素
子109との間の熱伝達を誘発することもできるので、制御パラメータCPである。した
がって、本発明ではペルティエ素子114.1は作用装置である。
減衰制御回路114は、ペルティエ素子114.1に付加的または代替的に、レンズ素子
109の光学的に使用されていない領域に抵抗加熱装置114.4の形のさらなる第2温
度調節装置を備えていてもよい。制御装置111.1に接続された抵抗加熱装置114.
4は、以下に詳細に説明するように、最終レンズ素子109の実測温度分布TEと目標温
度分布TSEとの間の偏差に反作用させ、ひいては温度減衰作用が得られるように最終レ
ンズ素子109を加熱する。
装置101のさらなる実施形態の抵抗加熱装置114.4を示している。図3からわかる
ように、抵抗加熱装置114.4は、互いに適宜に接続され、かつ制御装置111.1に
適宜に接続された複数の導電素子114.5を有している。これらの導電素子14.5は
、最終レンズ素子109の表面内部に埋設されている。
導電素子114.5を形成する金属粉を配置することにより作製してもよい。金属粉は、
金属粉が溶融し、導電素子を形成するように結合する程度まで、例えば、赤外線レーザを
用いて加熱される。さらに、溶融した金属粉は、高濃度であるため最終レンズ素子109
の局所的に溶融したマトリクス内に沈下する。
に埋設されていてもよい。しかしながら、本発明の他の実施形態によれば、導電素子11
4.5は最終レンズ素子109のマトリクスによって部分的にのみ取り囲まれていてもよ
いことは自明である。この場合には、図3に破線輪郭114.6で示すように、保護層が
設けられていてもよい。この保護層114.6は、攻撃的な液浸媒体110.1に対して
導電素子114.5を保護することもできる。保護層114.6は、例えば、スパッタ法
、CVD(化学蒸着)法などによって塗布される石英(SiO)層であってもよい。さら
に、保護層114.6は、導電素子114.5の間の電気的な接続部および制御装置11
1.1との電気的な接続部を有していてもよい。
て、最終レンズ素子109の温度が、最終レンズ素子109のそれぞれの場所で捕捉され
る。第2温度センサ114.2および114.3は、対応する第1温度データを制御装置
111.1の関連入力部111.2に供給する。
,114.3により直接に測定する代わりに、別の箇所で温度または少なくとも1つの別
のパラメータの測定または確立を行うこともできることは自明である。この測定された、
または確立された温度またはパラメータから、評価装置では、対応した十分に正確な評価
によって、確立されたパラメータ/温度と、最終レンズ素子109の温度との間の十分に
正確な既知の関係に基づいて、最終レンズ素子109の温度を確立することもできる。
109の第1温度挙動モデルを用いて最終レンズ素子109内の実測温度分布TEを確立
する。この場合、さらなるパラメータとして、第1温度挙動モデルは、液浸媒体110.
1の実測温度分布TIと、照射装置102によって(制御装置111.1に供給される)
実測光出力とを考慮する。
素子109内の所定の目標温度分布TSEに応じて、抵抗加熱装置114.4に対する第
3制御値Cを確立する。この第3制御値Cを用いて、導電素子114.5内の対応する電
流を介して抵抗加熱装置114.4の温度が調節される。したがって、抵抗加熱装置11
4.4は、最終レンズ素子109内の実測温度分布TEが目標温度分布TSEに近づくよ
うに最終レンズ素子109を加熱する。
11.1によって選択的に制御可能となるように任意の数の部分に分離されていてもよい
。これにより、抵抗加熱装置114.4内において任意の望ましい温度分布を得ることが
可能である。
ぜなら、導電素子114.5と最終レンズ素子109との間の熱伝達はこの温度によって
影響されることもあるからである。したがって、本発明においては導電素子114.5は
それぞれ作用装置である。
装置101のさらなる実施形態の抵抗加熱装置214.4を示している。この抵抗加熱装
置214.4は、図3の抵抗加熱装置114.4の代わりに使用してもよい。図4からわ
かるように、抵抗加熱装置214.4は、互いに適宜に接続され、かつ制御装置111.
1に適宜に接続された複数の導電素子214.5を有している。導電素子214.5は、
最終レンズ素子109の表面に配置され、保護層214.6の内部に埋設される。
らゆる最終レンズ素子109の表面に取り付けてもよい。続いて導電素子に保護層214
.6を被覆してもよい。
.6は、任意の保護層であってよい。例えば、保護層214.6は、スパッタ法、CVD
(化学蒸着)法などによって塗布された石英(SiO)層であってもよい。
えばカプトン(登録商標)の名称でデュポン(登録商標)社により販売されている材料が
特に適している。例えば、保護層214.6はポリアミド薄膜担体によって形成されてい
てもよく、このポリアミド薄膜担体には、導電素子214.5が望ましい構成で取り付け
られる。この薄膜担体は、次いで最終レンズ素子109に塗布され、例えば接着により最
終レンズ素子109に結合される。
さらなる温度センサ214.2を有している。これらの温度センサ214.2は、温度セ
ンサ114.2、114.3に付加的または代替的に、それぞれの場所で最終レンズ素子
109の温度を捕捉する。温度センサ214.2は、対応する第1温度データを制御装置
111.1の関連入力部111.2に供給する。
。それゆえ、これについては上述の説明を参照されたい。特に抵抗加熱装置214.4は
、この場合にも任意に分割されていてもよい。
装置101のさらなる実施形態の照射加熱装置314.4を示している。図3の抵抗加熱
装置114.4の代わりに照射加熱装置314.4を使用してもよい。図5からわかるよ
うに、照射加熱装置314.4は、制御装置111.1に接続された複数の加熱素子31
4.5を有している。
御下にある加熱素子314.5は、最終レンズ素子109に向けられた赤外線IRを照射
し、これにより、最終レンズ素子109を加熱する。加熱素子314.5は、制御装置1
11.1に結合された赤外線源の赤外線を最終レンズ素子109に向けて案内する、いわ
ゆる「中空コアファイバ」によって形成してもよい。
している。それ故、上述の説明を主に参照されたい。
9内の所定の目標温度分布TSEに応じて、制御装置111.1は照射加熱装置314.
4に対する第3制御値Cを確立する。第3制御値Cによって、加熱装置314.5の照射
強度が調節される。したがって、加熱素子314.5は、最終レンズ素子109内の実測
温度分布TEが目標温度分布TSEに近づくように最終レンズ素子109を加熱する。
5と最終レンズ素子109との間の熱伝達が誘導されることもあるので、本発明では制御
パラメータCPである。したがって、本発明においては加熱素子314.5はそれぞれ作
用装置である。
もできる。換言すれば、照射加熱装置314.4は、制御装置111.1によって選択的
に制御可能な任意の数の区分を備えていてもよい。これにより、照射加熱装置314.4
によって任意の照射強度分布を設けることも可能である。
1遮蔽部を備えており、この被覆層115は、熱減衰制御装置111の第1受動的な減衰
成分の形で熱分離装置を形成している。
配置されており、かつ投影パターンをウェーハ105に投影する場合に光学的に使用され
ない区分109.1にわたって延在している。この断熱層115によって、最終レンズ素
子109、および液浸媒体110.1を備える液浸ゾーン110は、区画毎に熱分離され
、これにより、最終レンズ素子109の表面において光学的に使用される区画109.2
の少なくとも外部で液浸媒体110.1内の熱攪乱が最終レンズ素子109内に直接に伝
搬することが阻止される。
からなっていてよい。図2に示した実施形態では、被覆層115は、適宜な技術、例えば
鋳込み技術、塗布技術などによって最終レンズ素子109の表面区画109.1に塗布さ
れた有機材料、ここではポリウレタン(PU)樹脂からなる層を備える。塗布後には、有
機層の表面は望ましい表面荒さをもたらすために任意の公知の表面処理技術を用いて処理
してもよい。
層を設けてもよい。この反射被覆層は、ウェーハ105.1および/または液浸媒体11
0.1および/または液浸枠110.2などによって分散された投影光を反射し、これに
より、このような分散された投影光によって被覆層115の有機層に生じることもある長
期にわたる損傷を防止する。
離をもたらすように適宜に設計してもよい。特に、遮蔽部115は単一層または多層断熱
層である。以下にさらに詳しく説明するように、遮蔽部115は、少なくとも1つの高い
熱伝導性を有する層と、少なくとも1つの断熱層とを備える2つ以上の層を組み合わせた
ものであってもよい。この場合、高い熱伝導性を有する層は、最終レンズ素子の周縁部に
向けて熱伝達するために役立ち、これにより、最終レンズ素子内への熱伝達を阻止または
減じてもよい。
てもよい。この疎水性の面は、場合によっては、この目的のためにのみ設けられた独立し
た層によって形成されていてもよい。これにより、最終レンズ素子109の場合によって
は被覆されている表面に液浸媒体110の個々の滴または飛沫が蓄積するという状況を少
なくとも大部分防止することもできる。液浸媒体のこのような滴または飛沫は、さもなけ
れば蒸発し、最終レンズ素子109内の局所的に集中した強い熱攪乱をもたらす局所的に
集中した強力なヒートシンクを形成してしまう。
101の作動中に液浸媒体レベルの変更に起因するウェーハの動きによって、例えば一時
的にのみ液浸媒体110.1により湿潤されている最終レンズ素子109の表面領域に形
成される。有利には、疎水性の表面は、最終レンズ素子109の場合によっては被覆され
ている表面に液浸媒体110.1のこのような滴または飛沫が形成されることを防止する
。
装置101のさらなる実施形態における熱遮蔽部415の形の熱分離装置を示している。
図2の遮蔽部115の代わりに遮蔽部415を使用してもよい。
415は、最終レンズ素子109に隣接して配置された断熱性の第1層415.1と、第
1層415.1に隣接して配置された高い熱伝導性を有する第2層415.2とを組み合
わせたものである。さらに、疎水性の第3層415.3が、第2層415.2の外面に被
覆される。
.4は、マイクロリソグラフィ装置101の任意の通常作動条件下において形状を保持す
るために十分な剛性を有している。これにより、通常作動状態で、スペーサ体415.4
は最終レンズ素子109と第2層415.2との間に所定の距離を設ける。しかしながら
、本発明の他の実施形態では、単一のスペーサ体の代わりに、独立した複数のスペーサ素
子が設けられていてもよいことは自明である。
ある。例えば、スペーサ体415.4を形成するためには連続気泡発泡体を使用してもよ
い。このように最終レンズ素子109の表面と第2層415.2との間には、第1層41
5.1を形成する隙間が画定されている。第1層415.1を形成する隙間には、低い熱
伝導性を有する流体、例えばガスまたは液体が充填される。場合によっては、第1層41
5.1の望ましい断熱効果が保証されるように、隙間415.1を適当な温度に調整され
た流体によって連続的または断続的に洗浄してもよい。
15.5が最終レンズ素子109と第2層415.2との間に設けられている。シール素
子415.5は、さらに第2層415.2を最終レンズ素子109に対して固定する、接
着材によって形成されたリングである。
好な熱伝達を保証する。こうして第2層415.2内の対応して高い熱伝達率によって、
液浸媒体110.1によって励起された熱攪乱は急速に減じられるか、または完全に補償
さえされる。結果として、こうした熱攪乱は、生じたとしても程度が減じられてしか最終
レンズ素子109に向けて伝搬されない。換言すれば、効果的な熱減衰効果が得られる。
こうした熱攪乱のさらなる低減が、断熱性の第1層415.1によってもたらされる。換
言すれば、本発明では熱分離装置を形成している遮蔽部415によって、最終レンズ素子
109は、環境、特に液浸媒体110.1から効果的に熱分離される。
15.2の外周に設けられている。安定化装置は高い加熱能力を有してもよく、これによ
り、マイクロリソグラフィ装置101の作動中の温度は安定している。例えば、安定化装
置415.6は、加熱担体媒体の循環によって形成されている。
または飛沫の蒸発が原因で生じる局所的なヒートシンクが形成される可能性を減じる。例
えば、疎水性の第3層415.3は、上述のようにポリアミド(Pl)によって形成され
ていてもよい。
置101のさらなる実施形態の熱遮蔽部515を示している。図2の遮蔽部115または
図6の遮蔽部415の代わりに遮蔽部515を使用してもよい。
515は、最終レンズ素子109に隣接して配置された断熱性の第1層515.1と、第
1層515.1に隣接して配置された第2層とを組み合わせたものを備えている。
のスペーサ素子515.4を有している。スペーサ素子515.4は、マイクロリソグラ
フィ装置101の任意の通常作動状態において形状を保持するために十分な剛性を有して
いる。これにより、通常作動状態で、スペーサ素子515.4は最終レンズ素子109と
第2層515.2との間に所定の距離を設ける。
515.1を形成するこの隙間には、低い熱伝導率を有する流体、例えばガスまたは液体
が充填される。場合によっては、第1層515.1の望ましい断熱効果が保証されるよう
に、隙間515.1を適当な温度に調整された流体によって連続的または断続的に洗浄し
てもよい。
15.5が最終レンズ素子109と第2層515.2との間に設けられている。シール素
子515.5は、さらに第2層515.2を最終レンズ素子109に対して固定する、接
着材によって形成されたリングである。
たらす。こうして第2層515.2内の対応して高い熱伝達率によって、液浸媒体110
.1によって励起された熱攪乱は急速に減じられるか、または完全に補償さえされる。結
果として、こうした熱攪乱は、生じたとしても程度が減じられてしか最終レンズ素子10
9に向けて伝搬されない。換言すれば、効果的な熱減衰効果が得られる。こうした熱攪乱
の伝搬のさらなる低減が、断熱性の第1層515.1によってもたらされる。換言すれば
、本発明では熱分離装置を形成している遮蔽体515によって、最終レンズ素子109は
、環境、特に液浸媒体110.1から効果的に熱分離される。
路システム515.7を設けることにより得られる。ポンプ装置の形の安定化装置および
温度調節装置515.6が、通路システム515.7内に伝熱媒体の好ましくは連続的な
流れ515.8による伝熱媒体の循環をもたらす。流体515.8の伝熱媒体は、所定の
温度および/または流量を有するように安定化装置515.6によって調節される。
.2の内周の変向領域515.10に向けて半径方向Rに流れる。流れ515.8は、変
向領域515.10で変向され、これにより、第2層515.2の第2通路515.11
内を第2層515.2の外周に向けて流れ戻る。第2通路515.11を離れると、流体
515.8は安定化装置515.6に戻り、安定化装置515.6において、温度および
/または流量を再び調節され、伝熱媒体回路に再循環される。
515.2と肉薄のリブ515.12とによって形成される。リブ515.12は中空体
515.2内に配置されており、最終レンズ素子109の半径方向Rおよび周方向に延在
している。リブ515.12は、第1通路515.9と第2通路515.11とを分離す
る。ここでも伝熱媒体を安定化装置515.6に向けて半径方向外向きに搬送する第2通
路515.11は、好ましくは最終レンズ素子109の背向側に配置されており、これに
より、最終レンズ素子109の領域から熱攪乱が急速に取り除かれる。しかしながら、こ
のように熱攪乱を急速に取り除く通路システムの任意の他の適宜な構成を用いてもよいこ
とは自明である。
上述のように、液浸媒体110.1の堆積した滴または飛沫の蒸発に起因する局所的なヒ
ートシンクが形成される可能性が減じられる。
制御装置111.1によって制御されてもよい。このように、遮蔽部515において熱減
衰効果を能動的に制御することが可能である。したがって、本発明では遮蔽部515は能
動的な熱分離装置を形成している。
おいて熱遮蔽素子を形成している第2層515.2の表面で、マイクロリソグラフィ装置
101の作動中にわたって、所定の温度分布、好ましくは一様な温度が実質的に保持され
るように制御される。このために、制御装置111.1に接続されたさらなる温度センサ
514.2が、第2層515.2の表面に設けられていてもよい。制御装置111.1は
、次いで温度センサ514.2によって供給された温度データを用いて上述のように安定
化装置515.6を制御する。
装置101のさらなる実施形態の熱遮蔽部615を示している。図2の遮蔽部115、図
6の遮蔽体415または図7の遮蔽部515の代わりに遮蔽部615を使用してもよい。
たギャップにおいて、液浸媒体110.1を充填されていない部分110.4内に供給さ
れた伝熱媒体615.14の(好ましくは連続的な)流れ615.13によって遮蔽部6
15が形成される。流れ615.13は、ポンプ装置の形の安定化装置、および所定の温
度および流量を備えた伝熱媒体を供給する温度調節装置615.6によって供給される。
触ゾーン615.15内で伝熱媒体615.14は液浸媒体110.1に接触し、場合に
よってはこの液浸媒体110.1と混合される。接触ゾーン615.15の領域では、液
浸枠110.2内に通路615.16が設けられている。通路615.16は接触ゾーン
615.15に向けて開口している。この通路615.16によって、伝熱媒体615、
および、場合によっては(場合によっては伝熱媒体615.14と混合された)液浸媒体
110.1の部分が、最終レンズ素子109と液浸枠110.2との間の隙間から引き出
され、安定化装置615.6に再循環して戻される。
た液浸媒体110.1の部分は、伝熱媒体615.14から分離される。安定化装置61
5.6は、伝熱媒体615の温度および流量を再調整し、伝熱媒体回路に再循環させる。
0に供給する。液浸ゾーン110に供給される液浸媒体110.1の流量、および最終レ
ンズ素子109と液浸枠110.2との間の隙間の一部110.4に供給される伝熱媒体
615の流量ならびに通路615.16内の流量は、相互に調節され、これにより、上述
のような構成(すなわち、液浸媒体110.1と伝熱媒体615.14とが接触領域61
5.15内で接触している)が得られる。さらに、これらの流量は相互に調整され、これ
により、最終レンズ素子109の内部の不都合な圧力変動が阻止される。
の良好な熱伝達を保証する。このように、流れ615.13によって誘発される対応して
高い熱伝達率により、液浸媒体110.1によって励起された熱攪乱は急速に減じられる
か、または完全に補償さえされる。結果として、こうした熱攪乱はあるとしても低減され
た形でのみ最終レンズ素子109に向かって伝搬される。換言すれば、効果的な熱減衰効
果が得られる。このような熱攪乱の伝搬のさらなる減衰が、図8に破線の輪郭615によ
って示したように、最終レンズ素子の断熱性の第1層によって得られてもよい。換言すれ
ば、本発明において熱分離装置を形成している遮蔽体615によって、最終レンズ素子1
09は、環境、特に液浸媒体110.1から効果的に断熱される。
置111.1によって制御されてもよい。このように、遮蔽体615の熱減衰効果を能動
的に制御することが可能である。
のレンズ素子108のホルダ118との間に配置され、第2の受動的な熱減衰成分、すな
わち本発明においては熱分離装置を形成しているリング状の第2遮蔽部116を備えてい
る。
をウェーハ105に投影する間には光学的に使用されていない最終レンズ素子109の表
面の区画109.3まで延在している。第2遮蔽部116は、さらにペルティエ素子11
4.1のための担体として役立つ。
ホルダ117および118の接続領域では、第2遮蔽部116は、温度の安定化された中
間素子119に接続されており、伝熱媒体源119.2によって一定の温度に保持される
伝熱媒体、例えば水が中間素子119の環状通路119.1を通過する。
によって、第2遮蔽部116においてホルダ117に向いている方の側でほぼ一定の温度
が得られる。したがって、最終レンズ素子109のホルダ117および最終レンズ素子1
09の一部が対物レンズ104の残り部分から熱遮蔽され、これにより、前記側で生じた
最終レンズ素子109の熱攪乱が減衰される。
変形態様によれば、第2遮蔽部116は、上述の第1遮蔽部の変化態様と同様に簡単な単
一層状または多層状の断熱装置として設計されていてもよい。しかしながら、第2遮蔽部
116は、少なくとも1つの高い熱伝導性を有する層と、少なくとも1つの断熱層とを備
える2つ以上の層を組み合わせたものであってもよい。特に図8に示した実施形態では、
対応断熱層は、第2遮蔽部116においてホルダ117に向いている側に形成されていて
もよい。
像方法の好ましい実施形態のブロック図を示している。
クロリソグラフィ装置101の部品が、上述の構成が得られるように互いに対して位置決
めされる。
述のようにウェーハ10.1上に投影される。ステップ120.3では、この投影に並行
して、上述のように、最終レンズ素子109の環境、特に液浸媒体110.1によって誘
発された最終レンズ素子109の温度分布の変動の減衰が、熱減衰装置によってもたらさ
れる。
2,112.3,114.2,114.3によって確立される。さらに、さらなるパラメ
ータ、例えば液浸媒体110.1の実測供給温度TIF、液浸媒体110.1の流量およ
び照射装置102の実測光出力が、上述のように確立される。
内の実測温度分布TIならびに最終レンズ素子109の実測温度分布TEを確立する。こ
れは、上述のように、記憶された温度挙動モデルおよびステップ120.3で確立された
データを用いて行われる。さらに、制御装置111は、独立した作用装置(例えば温度調
節装置112.2、供給装置112.1、第2供給装置113.2、ペルティエ素子11
4.1など)に対する制御値Cを確立する。
例えば、液浸媒体110.1の流量、照明装置102の光出力など)と、温度挙動モデル
の各対象(すなわち、それぞれ最終レンズ素子109および液浸媒体110.1)内で予
想される温度分布との間の関係を示す。
9または液浸媒体110.1)のために経験的に、かつ/またはシミュレーション計算に
よって確立されてもよい。マイクロリソグラフィ装置101の作動中に規則的に繰り返さ
れる状況では、液浸ゾーン110において液浸媒体110.1内の実測温度分布TIなら
びに最終レンズ素子109内の実測温度分布TEの十分に正確な推測が行われる。
のように制御装置111.1(例えば、温度調節装置112.2、供給装置112.1、
第2供給装置113.2、ペルティエ素子114.1など)によって各作用装置を制御す
ることにより作用を受ける。
施を停止すべき場合には、方法の実施はステップ120.8で停止される。さもなければ
、ステップ120.3に戻る。
衰構成要素115,116が組み合わせて設けられている例を用いて本発明を説明した。
しかしながら、本発明の別の実施態様では、単一の能動的な熱減衰制御回路および受動的
な熱減衰構成要素を、それぞれ単体で、または任意の組み合わせで用いてもよい。
内に液浸される例を用いて本発明を説明した。しかしながら、少なくとも一時的に液浸媒
体を充填された液浸ゾーンが(最終レンズ素子とウェーハとの間の液浸ゾーンに対して付
加的または択一的に)光学素子群の2つの光学素子の間に配置されている液浸システムと
の関連で本発明を用いることもできることは自明である。このような複合液浸システムま
たは二重液浸システムが、例えば国際公開第2006/080212号パンフレット、国
際公開第2004/019128号パンフレット、国際公開第2006/051689号
パンフレット、国際公開第2006/126522号パンフレット、国際公開第2006
/121008号パンフレットおよび米国特許第7180572号明細書により公知であ
り、その開示内容は全て参照により本明細書に含まれる。
二重液浸システムを概略的に示している。ここでは、レンズ素子109は、ウェーハ10
5.1に隣接して配置されているのではなく、レンズ素子109とウェーハ105.1と
の間に配置されたレンズ素子709の形のさらなる光学素子に隣接している。液浸ゾーン
110は、レンズ素子109とレンズ素子709との間に配置されており、さらなる液浸
媒体710.1を充填されたさらなる液浸ゾーン710がレンズ素子709とウェーハ1
05.1との間に配置されている。
度分布に熱攪乱を引き起こしやすい環境の熱減衰をもたらすように構成されている。さら
なる熱減衰が環境、特に液浸媒体によって引き起こされ、さらなるレンズ素子709の温
度分布に熱攪乱を引き起こしやすい、環境、特に液浸媒体によって誘発された熱減衰をも
たらすために設けられていることは自明である。
意の適当な液浸媒体を用いてもよい。このような液浸媒体の例は、重水または重酸素水、
例えばD2O、D2O*、H2O*であり、この場合、O*はアイソトープO16、O1
7およびO18を含んでいてもよい。これらの液浸媒体は、2つの液浸媒体の屈折率の間
の望ましい関係および/または光学素子109、709の屈折率と液浸媒体110.1、
710.1のいずれか一方または両方の屈折率との間の望ましい関係が得られる任意の比
率で混合してもよい。このような混合物のための対応した屈折率の例および値が米国特許
出願公開第2006/092533号明細書、米国特許出願公開第2006/06692
6号明細書および国際公開第2005/106589号パンフレットに記載されており、
その全開示内容は参照により本明細書に組み入れられる。
ながら、特に異なる波長で結像処理を行う場合には、もちろん単体で、または任意の組み
合わせで、屈折、反射または回折光学素子を備えている光学素子群と共に使用してもよい
。
ら、任意の他の用途および結像処理のためにそれぞれ本発明を用いることもできることは
自明である。
Claims (68)
- 投影パターンを有するマスクを収容するためのマスク装置と、
光学素子群を有する投影装置と、
基板を収容するための基板装置と、
液浸ゾーンとを備える光学結像装置であって、
前記光学素子群が、前記基板に投影パターンを投影するように構成されており、
前記光学素子群が、少なくとも一時的に前記液浸ゾーンに隣接して配置された液浸素子
を有する複数の光学素子を備え、
作動中に、前記液浸ゾーンは、少なくとも一時的に液浸媒体を充填されているか、前記
液浸素子を形成する最終光学素子と前記基板との間に配置されているか、またはその双方
であり、
前記液浸媒体によって前記液浸素子の温度分布TEに誘発された変動を減じるように構
成された熱減衰装置が設けられており、
該熱減衰装置が、前記液浸素子を該液浸素子の環境の少なくとも一部から少なくとも部
分的に熱分離する少なくとも1つの熱分離装置を備え、
前記液浸素子が、前記投影パターンを前記基板に投影する間に光学的に使用される第1
領域と光学的に使用されない第2領域とを備え、
熱分離装置として第1遮蔽部が設けられており、該第1遮蔽部が、前記第2領域の少な
くとも一部にわたって、前記液浸媒体に隣接して配置されており、前記第2領域の少なく
とも一部を前記液浸媒体に対して熱遮蔽することを特徴とする光学結像装置。 - 投影パターンを有するマスクを収容するためのマスク装置と、
光学素子群を有する投影装置と、
基板を収容するための基板装置と、
液浸ゾーンとを備える光学結像装置であって、
前記光学素子群が、前記基板に投影パターンを投影するように構成されており、
前記光学素子群が、少なくとも一時的に前記液浸ゾーンに隣接して配置された液浸素子
を有する複数の光学素子を備え、
作動中に、前記液浸ゾーンは、少なくとも一時的に液浸媒体を充填されているか、前記
液浸素子を形成する最終光学素子と前記基板との間に配置されているか、またはその双方
であり、
前記液浸媒体によって前記液浸素子の温度分布TEに誘発された変動を減じるように構
成された熱減衰装置が設けられており、
該熱減衰装置が、前記液浸素子を該液浸素子の環境の少なくとも一部から少なくとも部
分的に熱分離する少なくとも1つの熱分離装置を備え、
前記液浸素子が、前記投影パターンを前記基板に投影する間に光学的に使用される第1
領域と光学的に使用されない第2領域とを備え、
熱分離装置として第2遮蔽部が設けられており、該第2遮蔽部が、前記第2領域の少な
くとも一部にわたって、前記投影装置に隣接して配置されており、前記第2領域の少なく
とも一部を前記投影装置に対して熱遮蔽することを特徴とする光学結像装置。 - 請求項2に記載の光学結像装置において、
前記液浸素子が保持装置によって保持され、
熱分離装置として第3遮蔽部が設けられており、該第3遮蔽部が、前記保持装置の少な
くとも一部を前記投影装置の少なくとも一部に対して熱遮蔽する光学結像装置。 - 請求項3に記載の光学結像装置において、
前記第3遮蔽部が、前記投影装置の隣接区画に隣接して配置された前記保持装置の領域
の少なくとも一部を前記投影装置の前記隣接区画に対して熱遮蔽する光学結像装置。 - 請求項1に記載の光学結像装置において、
前記第1遮蔽部が、
少なくとも1つの受動的な断熱装置を備える光学結像装置。 - 請求項5に記載の光学結像装置において、
前記少なくとも1つの受動的な断熱装置は、有機材料を備える光学結像装置。 - 請求項1に記載の光学結像装置において、
前記第1遮蔽部が、少なくとも1つの遮蔽素子と、該遮蔽素子に接続された少なくとも
1つの温度調節装置とを有する少なくとも1つの能動的な遮蔽部を備え、前記温度調節装
置が、前記遮蔽素子の少なくとも1つの表面の選択可能な温度部分布が実質的に保持され
るように構成されている光学結像装置。 - 請求項7に記載の光学結像装置において、
前記温度調節装置が、前記少なくとも1つの遮蔽素子の領域に伝熱媒体の流れを生じさ
せるように構成されている光学結像装置。 - 請求項2に記載の光学結像装置において、
前記第2遮蔽部が、少なくとも1つの遮蔽素子と、該遮蔽素子に接続された少なくとも1
つの温度調節装置とを有する少なくとも1つの能動的な遮蔽部を備え、前記温度調節装置
が、前記遮蔽素子の少なくとも1つの表面の選択可能な温度部分布が実質的に保持される
ように構成されている光学結像装置。 - 請求項3に記載の光学結像装置において、
前記第3遮蔽部が、前記投影装置に設けられた温度の安定化された中間素子に接続され
ている光学結像装置。 - 請求項1、5から8のいずれか1項に記載の光学結像装置において、
前記熱分離装置が、少なくとも1つの疎水性の表面を、前記液浸素子に背向側に備えて
いる光学結像装置。 - 請求項7から9までの何れか1項に記載の光学結像装置において、
前記液浸素子に対して目標温度分布TSEが与えられており、
前記熱減衰装置が、前記目標温度分布TSEからの所定の最大偏差ΔTEを保持するよ
うに構成されている光学結像装置。 - 請求項11に記載の光学結像装置において、
前記最大偏差ΔTEが、10mK未満、好ましくは1mK未満である光学結像装置。 - 請求項1から13までのいずれか1項に記載の光学結像装置において、
前記液浸素子が実測温度分布TEを有し、前記液浸素子に対して目標温度分布TSEが
与えられており、
前記熱減衰装置が、少なくとも1つの確立装置と、前記確立装置に少なくとも一時的に
接続された制御装置と、該制御装置に少なくとも一時的に接続された作用装置とを備え、
前記確立装置が、前記実測温度分布TEに作用するか、または該実測温度分布TEを示
す少なくとも1つのパラメータPを確立し、
前記制御装置が、前記確立されたパラメータPおよび前記目標温度分布TSEに関連し
て少なくとも1つの制御値Cを確立し、
前記作用装置が、前記少なくとも1つの確立された制御値Cに関連して、前記実測温度
分布TEに影響する制御パラメータCPを、前記目標温度分布TSEからの前記実測温度
分布TEの偏差に反作用するよう作用させる、光学結像装置。 - 請求項14に記載の光学結像装置において、
前記パラメータPが、前記液浸媒体の少なくとも1つの局所温度または前記液浸素子の
少なくとも1つの局所温度である光学結像装置。 - 請求項15に記載の光学結像装置において、
前記確立装置が、
少なくとも1つの局所温度を測定するための少なくとも1つの温度センサを備え、かつ
/または
少なくとも1つの局所温度を評価するための少なくとも1つの評価装置を備える光学結
像装置。 - 請求項14から16までのいずれか1項に記載の光学結像装置において、
前記制御パラメータCPが、
前記液浸媒体の温度、
前記液浸媒体の流量、
前記液浸媒体に接触するガス雰囲気の温度、
前記液浸媒体に接触するガス雰囲気の湿度、
前記液浸媒体に接触するガス雰囲気の流量、または
前記液浸素子に作動接続している少なくとも1つの温度調節素子の温度
である光学結像装置。 - 請求項14から17までのいずれか1項に記載の光学結像装置において、
前記制御装置が、前記液浸素子および/または前記液浸ゾーン内の前記液浸媒体の温度
挙動モデルを用いて前記制御値Cを確立するように構成されている光学結像装置。 - 請求項18に記載の光学結像装置において、
前記制御装置が、前記温度挙動モデルを示すモデルデータまたは前記温度挙動モデルを
示すモデルデータを計算するためのパラメータを記憶するメモリを備え、
前記制御装置が、前記モデルデータを用いて前記制御値Cを確立する光学結像装置。 - 請求項14から19までのいずれか1項に記載の光学結像装置において、
前記熱減衰装置が、前記作用装置として、前記液浸ゾーンに供給された前記液浸媒体の
温度を調節するための少なくとも1つの第1温度調節装置を備える光学結像装置。 - 請求項20に記載の光学結像装置において、
前記制御装置が、前記液浸媒体内で予想される前記温度分布TIの変化ΔTIEに関連し
て、前記第1温度調節装置に対する制御値Cを確立し、これにより、前記第1温度調節装
置が、前記液浸ゾーンに供給された前記液浸媒体の前記温度を供給温度TIFとなるよう
に調節し、
前記液浸媒体内で予想される前記温度分布TIの前記変化ΔTIEにより、所定の温度
分布TSIが前記液浸媒体内で予想されるように、前記供給温度TIFが選択される光学
結像装置。 - 請求項20または21に記載の光学結像装置において、
前記第1温度調節装置が、前記液浸ゾーンへの前記液浸媒体の入口領域に配置されてい
る光学結像装置。 - 請求項14から22までのいずれか1項に記載の光学結像装置において、
前記熱減衰装置が、前記作用装置として、隣接ガス雰囲気との接触領域で蒸発により誘
発される前記液浸媒体の冷却に作用する調節装置を備え、
前記調節装置が、前記液浸媒体に接触する前記ガス雰囲気の少なくとも1つの状態パラ
メータを調節し、
前記少なくとも1つの状態パラメータが、前記ガス雰囲気の温度TA、前記ガス雰囲気
の湿度HAまたは前記ガス雰囲気の流量VAである光学結像装置。 - 請求項23に記載の光学結像装置において、
前記制御装置が、前記接触領域で蒸発により誘発される前記液浸媒体の所定の冷却が予
想されるように、前記接触領域内の前記液浸媒体の状態に関連して前記調節装置に対する
制御値Cを確立する光学結像装置。 - 請求項23または24に記載の光学結像装置において、
前記接触領域が、実質的に前記液浸媒体の自由平面全体にわたって延在している光学結
像装置。 - 請求項14から25までのいずれか1項に記載の光学結像装置において、
前記熱減衰装置が、前記作用装置として、前記液浸素子の温度を調節するために、前記
液浸素子と作動接続している少なくとも1つの第2温度調節装置を備えている光学結像装
置。 - 請求項26に記載の光学結像装置において、
前記制御装置が、前記確立装置によって確立される前記液浸ゾーンの前記液浸媒体内の
温度分布TIに関連して前記第2温度調節装置に対する前記制御値Cを確立し、これによ
り、前記第2温度調節装置が、前記液浸媒体内で確立された前記温度分布TIに基づく、
前記目標温度分布TSEからの前記実測温度分布TEの偏差に反作用するように、前記液
浸素子の温度を調節する光学結像装置。 - 請求項26または27に記載の光学結像装置において、
前記第2温度調節装置が、前記液浸素子の周縁部領域に配置されている光学結像装置。 - 請求項26から28までのいずれか1項に記載の光学結像装置において、
前記第2温度調節装置が、
少なくとも1つのペルティエ素子を備え、かつ/または
前記液浸素子に配置された少なくとも1つの抵抗加熱装置を備え、該抵抗加熱装置が、
前記液浸素子内に埋設されているか、または前記液浸媒体に対して保護層によって被覆さ
れ、かつ/または
前記液浸素子に加熱照射線を供給するための少なくとも1つの照射加熱装置を備えてい
る光学結像装置。 - 請求項14から29までのいずれか1項に記載の光学結像装置において、
前記液浸素子の少なくとも1つの結像エラーが低減され、かつ/または
前記光学素子群の少なくとも1つの結像エラーが低減されるように、前記目標温度分布
TSEが選択される光学結像装置。 - 請求項1から30までのいずれか1項に記載の光学結像装置において、
前記液浸素子が、石英ガラスの屈折率よりも大きい屈折率を有し、かつ/または石英ガ
ラスの屈折率よりも温度依存性が大きい屈折率を有する材料からなっている光学結像装置
。 - 請求項1から31までのいずれか1項に記載の光学結像装置において、
前記液浸素子が、スピネルまたはLuAGから作製されている光学結像装置。 - 請求項1から32までのいずれか1項に記載の光学結像装置において、
前記液浸素子が、作動中に少なくとも一時的に前記基板に隣接して配置される、前記光
学素子群の最終光学素子である光学結像装置。 - 請求項1から33までのいずれか1項に記載の光学結像装置において、
開口数が少なくとも1.3である光学結像装置。 - 光学素子群の光学素子によって基板に投影パターンを投影し、
前記光学素子群の液浸素子を、液浸ゾーンの領域で少なくとも部分的に液浸媒体内に液
浸し、前記液浸媒体を前記基板に隣接して配置する光学結像法において、
前記液浸媒体により前記液浸素子の温度分布TEに誘発された変動を、第1遮蔽部を備
える熱減衰装置によって減衰し、
該熱減衰装置によって、前記液浸素子を、該液浸素子の環境の少なくとも一部から少な
くとも部分的に熱分離し、
前記液浸素子が、前記基板に前記投影パターンを投影する間に光学的に使用される第1
領域と光学的に使用されない第2領域とを備え、
前記第2領域の少なくとも一部にわたって、前記第1遮蔽部を前記液浸媒体に隣接して
配置し、前記第2領域の少なくとも一部を前記液浸媒体に対して熱遮蔽することを特徴と
する光学結像法。 - 光学素子群の光学素子によって基板に投影パターンを投影し、
前記光学素子群の液浸素子を、液浸ゾーンの領域で少なくとも部分的に液浸媒体内に液
浸し、前記液浸媒体を前記基板に隣接して配置する光学結像法において、
前記液浸媒体により前記液浸素子の温度分布TEに誘発された変動を、第2遮蔽部を備
える熱減衰装置によって減衰し、
該熱減衰装置によって、前記液浸素子を、該液浸素子の環境の少なくとも一部から少な
くとも部分的に熱分離し、
前記液浸素子が、前記基板に前記投影パターンを投影する間に光学的に使用される第1
領域と光学的に使用されない第2領域とを備え、
前記第2領域の少なくとも一部にわたって、前記第2遮蔽部を投影装置に隣接して配置
し、前記第2領域の少なくとも一部を前記投影装置に対して熱遮蔽することを特徴とする
光学結像法。 - 請求項36に記載の光学結像法において、
保持装置によって前記液浸素子を保持し、第3遮蔽部により前記保持装置の少なくとも
一部を、前記投影装置の少なくとも一部に対して遮蔽する光学結像法。 - 請求項37に記載の光学結像法において、
前記投影装置の隣接区画に隣接して配置された前記保持装置の領域の少なくとも一部を
、前記投影装置の前記隣接区画に対して遮蔽する光学結像法。 - 請求項35に記載の光学結像法において、
前記第1遮蔽部は、少なくとも1つの受動的な断熱装置によって前記熱分離を行う光学
結像方法。 - 請求項39に記載の光学結像法において、
前記少なくとも1つの受動的な断熱装置は、有機材料を備える光学結像方法。 - 請求項35に記載の光学結像方法において、
前記第1遮蔽部は、少なくとも1つの遮蔽素子と該遮蔽素子に接続された少なくとも1
つの温度調節装置とを有する少なくとも1つの能動的な遮蔽部によって前記熱分離を行い
、前記遮蔽素子の少なくとも1つの表面で選択可能な温度分布が維持されるように前記温
度調節装置を配置する光学結像法。 - 請求項41に記載の光学結像法において、
前記温度調節装置によって、前記少なくとも1つの遮蔽素子の領域で伝熱媒体の流れを
生じさせる光学結像法。 - 請求項36に記載の光学結像方法において、
前記第2遮蔽部は、少なくとも1つの遮蔽素子と該遮蔽素子に接続された少なくとも1
つの温度調節装置とを有する少なくとも1つの能動的な遮蔽部によって前記熱分離を行い
、前記遮蔽素子の少なくとも1つの表面で選択可能な温度分布が維持されるように前記温
度調節装置を配置する光学結像法。 - 請求項37に記載の光学結像方法において、
前記第3遮蔽部は、前記投影装置に設けられた温度の安定化された中間素子に接続され
ている光学結像法。 - 請求項41から43の何れか一項に記載の光学結像法において、
前記液浸素子に対して目標温度分布TSEを与え、
前記熱減衰装置により、前記目標温度分布TSEからの所定の最大偏差ΔTEを保持す
る光学結像法。 - 請求項45に記載の光学結像法において、
前記最大偏差ΔTEを、10mK未満、好ましくは1mK未満にする光学結像法。 - 請求項35から46までのいずれか1項に記載の光学結像法において、
前記最終液浸素子が実測温度分布TEを有し、前記液浸素子に対して目標温度分布TS
Eを与え、
前記熱減衰装置が、少なくとも1つの確立装置と、前記確立装置に少なくとも一時的に
接続された制御装置と、該制御装置に少なくとも一時的に接続された作用装置とを備え、
前記確立装置が、前記実測温度分布TEに作用するか、または前記実測温度分布TEを
示す少なくとも1つのパラメータPを確立し、
前記制御装置が、前記確立されたパラメータPおよび前記目標温度分布TSEに関連し
て、少なくとも1つの制御値Cを確立し、
前記作用装置が、前記少なくとも1つの確立された制御値Cに関連して、前記実測温度
分布TEに作用する制御パラメータCPを、前記目標温度分布TSEからの前記実測温度
分布TEの偏差に反作用するように作用させる光学結像法。 - 請求項47に記載の光学結像法において、
前記パラメータPを、前記液浸媒体の少なくとも1つの局所温度または前記液浸素子の
少なくとも1つの局所温度とする光学結像法。 - 請求項48に記載の光学結像法において、
前記少なくとも1つの局所温度を測定し、かつ/または
前記少なくとも1つの局所温度を評価する光学結像法。 - 請求項47から49までのいずれか1項に記載の光学結像法において、
前記制御パラメータCPを、
前記液浸媒体の温度、
前記液浸媒体の流量、
前記液浸媒体に接触するガス雰囲気の温度、
前記液浸媒体に接触するガス雰囲気の湿度、
前記液浸媒体に接触するガス雰囲気の流量、または
前記液浸素子と作動接続している少なくとも1つの温度調節素子の温度とする光学結像
法。 - 請求項47から50までのいずれか1項に記載の光学結像法において、
前記液浸ゾーン内における前記液浸素子および/または前記液浸媒体の温度挙動モデル
を用いて前記制御値Cを確立する光学結像法。 - 請求項51に記載の光学結像法において、
前記制御値Cを確立するためにモデルデータを使用し、
前記モデルデータを、前記温度挙動モデルまたは前記温度挙動モデルを計算するための
パラメータとする光学結像法。 - 請求項47から52までのいずれか1項に記載の光学結像法において、
前記液浸ゾーンに供給される前記液浸媒体の温度を調節する光学結像法。 - 請求項53に記載の光学結像法において、
前記液浸媒体内で予想される前記温度分布TIの変化ΔTIEに関連して前記制御値C
を確立し、これにより、前記液浸ゾーンに供給される前記液浸媒体の前記温度を、供給温
度TIFとなるように調節し、
前記液浸媒体内で予想される前記温度分布TIの前記変化ΔTIEに基づき、所定の温
度分布TSIが前記液浸媒体内で予想されるように、前記供給温度TIFを選択する光学
結像法。 - 請求項53または54に記載の光学結像法において、
前記液浸ゾーンへの前記液浸媒体の入口領域で前記液浸媒体の前記温度を調節する光学
結像法。 - 請求項47から55までのいずれか1項に記載の光学結像法において、
前記熱減衰装置を、隣接ガス雰囲気との接触領域で蒸発により誘発される前記液浸媒体
の冷却に作用させ、
前記液浸媒体に接触する前記ガス雰囲気の少なくとも1つの状態パラメータを調節し、
前記少なくとも1つの状態パラメータを、前記ガス雰囲気の温度TA、前記ガス雰囲気
の湿度HAまたは前記ガス雰囲気の流量VAとする光学結像法。 - 請求項56に記載の光学結像法において、
前記接触領域内の前記液浸媒体の状態に関連して前記制御値Cを確立し、これにより、
前記液浸媒体の蒸発により誘発される所定の冷却が前記接触領域で予想されるようにする
光学結像法。 - 請求項56または57に記載の光学結像法において、
前記液浸媒体の自由面全体にわたって前記接触領域を延在させる光学結像法。 - 請求項47から58までのいずれか1項に記載の光学結像法において、
前記温度減衰装置によって、前記液浸素子の温度を直接に調節する光学結像法。 - 請求項59に記載の光学結像法において、
前記液浸ゾーンの前記液浸媒体内の温度分布TIに関連して前記制御値Cを確立し、こ
れにより、前記液浸媒体内で確立された前記温度分布TIに基づく前記目標温度分布TS
Eからの前記実測温度分布TEの偏差に反作用するように前記液浸素子の温度を調節する
光学結像法。 - 請求項59または60に記載の光学結像法において、
前記液浸素子の温度を液浸素子の周縁部領域で調節する光学結像法。 - 請求項59から61までのいずれか1項に記載の光学結像法において、
少なくとも1つのペルティエ素子によって前記液浸素子の温度を調節し、かつ/または
前記液浸素子に配置された少なくとも1つの抵抗加熱装置によって前記液浸素子の温度を
調節し、該抵抗加熱装置が、前記液浸素子内に埋設されているか、または前記液浸媒体に
対して保護層によって被覆され、かつ/または
前記液浸素子に加熱照射線を供給するための少なくとも1つの照射加熱装置によって前
記液浸素子の温度を調節する光学結像法。 - 請求項47から62までのいずれか1項に記載の光学結像法において、
前記液浸素子の少なくとも1つの光学結像エラーが低減されるように前記目標温度分布
TSEを選択する光学結像法。 - 請求項47から63までのいずれか1項に記載の光学結像法において、
前記光学素子群の少なくとも1つの結像エラーが低減されるように前記目標温度分布T
SEを選択する光学結像法。 - 請求項35から64までのいずれか1項に記載の光学結像法において、
石英ガラスの屈折率よりも大きい屈折率を有する材料により前記液浸素子を作製する光
学結像法。 - 請求項35から65までのいずれか1項に記載の光学結像法において、
石英ガラスの屈折率よりも温度依存性が大きい屈折率を有する材料により前記液浸素子
を作製する光学結像法。 - 請求項35から65までのいずれか1項に記載の光学結像法において、
スピネルまたはLuAGから前記液浸素子を作製する光学結像法。 - 請求項35から67までのいずれか1項に記載の光学結像法において、
開口数を少なくとも1.3にする光学結像法。
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Family Applications After (1)
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---|---|---|---|
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Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ATE459898T1 (de) * | 2004-01-20 | 2010-03-15 | Zeiss Carl Smt Ag | Belichtungsvorrichtung und messeinrichtung für eine projektionslinse |
DE102006021797A1 (de) * | 2006-05-09 | 2007-11-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung |
EP2136250A1 (en) * | 2008-06-18 | 2009-12-23 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
NL2003341A (en) * | 2008-08-22 | 2010-03-10 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
TWI457714B (zh) * | 2008-09-17 | 2014-10-21 | Asml Netherlands Bv | 微影裝置及其操作方法 |
NL2003392A (en) | 2008-09-17 | 2010-03-18 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus. |
NL2004497A (en) * | 2009-05-01 | 2010-11-02 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus. |
GB2470049B (en) * | 2009-05-07 | 2011-03-23 | Zeiss Carl Smt Ag | Optical imaging with reduced immersion liquid evaporation effects |
NL2004808A (en) | 2009-06-30 | 2011-01-12 | Asml Netherlands Bv | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
EP2365390A3 (en) | 2010-03-12 | 2017-10-04 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
NL2009272A (en) * | 2011-08-31 | 2013-03-04 | Asml Netherlands Bv | A fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
DE102013203338A1 (de) | 2013-02-28 | 2014-08-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Modellbasierte Steuerung einer optischen Abbildungseinrichtung |
DE102014202737A1 (de) * | 2014-02-14 | 2015-08-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Lagerelement und system zum lagern eines optischen elements |
CN106662822A (zh) | 2014-07-01 | 2017-05-10 | Asml荷兰有限公司 | 光刻设备和制造光刻设备的方法 |
WO2016000883A1 (en) | 2014-07-04 | 2016-01-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and a method of manufacturing a device using a lithographic apparatus |
US10001712B2 (en) | 2014-07-25 | 2018-06-19 | Asml Netherlands B.V. | Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP6502498B2 (ja) * | 2014-12-03 | 2019-04-17 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 熱伝導部品を有する光学アセンブリ |
DE102014224717A1 (de) * | 2014-12-03 | 2016-07-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Element, optische Anordnung und Herstellungsverfahren |
DE102017216376A1 (de) | 2017-09-15 | 2017-12-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optische abbildungsanordnung mit mechanisch entkoppelter kühlung |
DE102017217192A1 (de) * | 2017-09-27 | 2019-03-28 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Immersionsmatrix, dessen Verwendung und Immersionsvorrichtung |
DE102017217380A1 (de) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Immersionsvorrichtung zur dynamischen Anpassung eines Mediums an eine Probe |
DE102017009472A1 (de) * | 2017-10-12 | 2019-04-18 | Precitec Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung für ein Laserbearbeitungssystem, Laserbearbeitungssystem mit derselben und Verfahren zum Einstellen einer Fokuslage eines optischen Elements |
US10344328B2 (en) | 2017-11-17 | 2019-07-09 | Ultima Genomics, Inc. | Methods for biological sample processing and analysis |
US11499962B2 (en) | 2017-11-17 | 2022-11-15 | Ultima Genomics, Inc. | Methods and systems for analyte detection and analysis |
EP3489732A1 (en) | 2017-11-24 | 2019-05-29 | Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Apparatus and method for simultaneous imaging and execution of contact-free directed hydrodynamic flow |
US10512911B1 (en) | 2018-12-07 | 2019-12-24 | Ultima Genomics, Inc. | Implementing barriers for controlled environments during sample processing and detection |
US11118223B2 (en) | 2019-03-14 | 2021-09-14 | Ultima Genomics, Inc. | Methods, devices, and systems for analyte detection and analysis |
US10830703B1 (en) | 2019-03-14 | 2020-11-10 | Ultima Genomics, Inc. | Methods, devices, and systems for analyte detection and analysis |
US10852518B1 (en) * | 2019-03-14 | 2020-12-01 | Ultima Genomics, Inc. | Methods, devices, and systems for analyte detection and analysis |
US10900078B2 (en) | 2019-03-14 | 2021-01-26 | Ultima Genomics, Inc. | Methods, devices, and systems for analyte detection and analysis |
US20220236646A1 (en) * | 2021-01-22 | 2022-07-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Immersion exposure tool |
CN117093815B (zh) * | 2023-10-10 | 2024-01-26 | 浙江威格泵业有限公司 | 一种用于bmc变频循环屏蔽泵流速检测方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06124873A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JPH088178A (ja) * | 1994-04-22 | 1996-01-12 | Canon Inc | 投影露光装置及びデバイスの製造方法 |
JP2004304145A (ja) * | 2003-03-19 | 2004-10-28 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2005051231A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-24 | Asml Netherlands Bv | リトグラフ装置およびデバイス製造方法 |
JP2005252247A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-09-15 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
WO2005101121A2 (en) * | 2004-04-13 | 2005-10-27 | Carl Zeiss Smt Ag | Optical element unit for exposure processes |
WO2005119369A1 (en) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection system with compensation of intensity variatons and compensation element therefor |
JP2006049909A (ja) * | 2004-08-04 | 2006-02-16 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、照明システムを有する装置、投影システムを有する装置、リソグラフィ装置の光学要素およびデバイス製造方法 |
JP5543549B2 (ja) * | 2006-05-09 | 2014-07-09 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 光学結像装置 |
Family Cites Families (224)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5919912Y2 (ja) | 1978-08-21 | 1984-06-08 | 清水建設株式会社 | 複合熱交換器 |
US4269067A (en) * | 1979-05-18 | 1981-05-26 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for focusing elastic waves converted from thermal energy |
US4509852A (en) * | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
US4346164A (en) * | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
JPS57117238A (en) | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer |
JPS6113794Y2 (ja) | 1981-01-16 | 1986-04-28 | ||
JPS57152129A (en) | 1981-03-13 | 1982-09-20 | Sanyo Electric Co Ltd | Developing method of resist |
JPS57152129U (ja) | 1981-03-17 | 1982-09-24 | ||
JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS57153433U (ja) | 1981-03-20 | 1982-09-27 | ||
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS5919912A (ja) | 1982-07-26 | 1984-02-01 | Hitachi Ltd | 液浸距離保持装置 |
DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
JPS61113376A (ja) | 1984-11-07 | 1986-05-31 | Sony Corp | テレビジヨン信号の動き検出装置 |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS6265326U (ja) | 1985-10-16 | 1987-04-23 | ||
JPH0782981B2 (ja) | 1986-02-07 | 1995-09-06 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
JPH033222Y2 (ja) | 1986-12-23 | 1991-01-28 | ||
JPS63157419U (ja) | 1987-03-31 | 1988-10-14 | ||
JPH0521314Y2 (ja) | 1987-04-23 | 1993-06-01 | ||
DE68921687T2 (de) | 1988-09-02 | 1995-08-03 | Canon Kk | Belichtungseinrichtung. |
JP2774574B2 (ja) | 1989-05-30 | 1998-07-09 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JPH0629204Y2 (ja) | 1989-10-19 | 1994-08-10 | 株式会社ヤマウ | 止水目地 |
US5220171A (en) * | 1990-11-01 | 1993-06-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer holding device in an exposure apparatus |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JP3200874B2 (ja) | 1991-07-10 | 2001-08-20 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
US5243195A (en) * | 1991-04-25 | 1993-09-07 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus having an off-axis alignment system and method of alignment therefor |
JPH0562877A (ja) | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yasuko Shinohara | 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系 |
JPH0629204A (ja) | 1992-07-08 | 1994-02-04 | Fujitsu Ltd | レジスト現像方法及び装置 |
JP2753930B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
US5738165A (en) * | 1993-05-07 | 1998-04-14 | Nikon Corporation | Substrate holding apparatus |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
US5874820A (en) | 1995-04-04 | 1999-02-23 | Nikon Corporation | Window frame-guided stage mechanism |
US5528118A (en) * | 1994-04-01 | 1996-06-18 | Nikon Precision, Inc. | Guideless stage with isolated reaction stage |
US5850280A (en) | 1994-06-16 | 1998-12-15 | Nikon Corporation | Stage unit, drive table, and scanning exposure and apparatus using same |
US6721034B1 (en) * | 1994-06-16 | 2004-04-13 | Nikon Corporation | Stage unit, drive table, and scanning exposure apparatus using the same |
JP3484684B2 (ja) | 1994-11-01 | 2004-01-06 | 株式会社ニコン | ステージ装置及び走査型露光装置 |
US5623853A (en) * | 1994-10-19 | 1997-04-29 | Nikon Precision Inc. | Precision motion stage with single guide beam and follower stage |
JPH08316125A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH08316124A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH09232213A (ja) | 1996-02-26 | 1997-09-05 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP3661291B2 (ja) * | 1996-08-01 | 2005-06-15 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
EP0823662A2 (en) | 1996-08-07 | 1998-02-11 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
JP3695000B2 (ja) | 1996-08-08 | 2005-09-14 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置 |
US5825043A (en) | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
JP4029182B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
JP4029183B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
CN1244021C (zh) * | 1996-11-28 | 2006-03-01 | 株式会社尼康 | 光刻装置和曝光方法 |
EP0890136B9 (en) | 1996-12-24 | 2003-12-10 | ASML Netherlands B.V. | Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device |
JPH10255319A (ja) | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Hitachi Maxell Ltd | 原盤露光装置及び方法 |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
JPH1116816A (ja) | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Nikon Corp | 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法 |
JP4210871B2 (ja) | 1997-10-31 | 2009-01-21 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
US6020964A (en) | 1997-12-02 | 2000-02-01 | Asm Lithography B.V. | Interferometer system and lithograph apparatus including an interferometer system |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
US6897963B1 (en) * | 1997-12-18 | 2005-05-24 | Nikon Corporation | Stage device and exposure apparatus |
WO1999031462A1 (fr) | 1997-12-18 | 1999-06-24 | Nikon Corporation | Platine et appareil d'exposition |
JP4264676B2 (ja) | 1998-11-30 | 2009-05-20 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法 |
DE19807094A1 (de) * | 1998-02-20 | 1999-08-26 | Zeiss Carl Fa | Optische Anordnung und Projektionsbelichtungsanlage der Mikrolithographie mit passiver thermischer Kompensation |
WO1999049504A1 (fr) | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
US5997963A (en) | 1998-05-05 | 1999-12-07 | Ultratech Stepper, Inc. | Microchamber |
DE19820158A1 (de) | 1998-05-06 | 1999-11-11 | Convergenza Ag Vaduz | Verfahren und Vorrichtung zur Blutoxygenierung |
WO1999060361A1 (fr) | 1998-05-19 | 1999-11-25 | Nikon Corporation | Instrument et procede de mesure d'aberrations, appareil et procede de sensibilisation par projection incorporant cet instrument, et procede de fabrication de dispositifs associe |
US6819414B1 (en) | 1998-05-19 | 2004-11-16 | Nikon Corporation | Aberration measuring apparatus, aberration measuring method, projection exposure apparatus having the same measuring apparatus, device manufacturing method using the same measuring method, and exposure method |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
WO2001035168A1 (en) | 1999-11-10 | 2001-05-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams |
US7187503B2 (en) * | 1999-12-29 | 2007-03-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Refractive projection objective for immersion lithography |
US6995930B2 (en) * | 1999-12-29 | 2006-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
JP2001267239A (ja) | 2000-01-14 | 2001-09-28 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
TW550377B (en) * | 2000-02-23 | 2003-09-01 | Zeiss Stiftung | Apparatus for wave-front detection |
JP2002198303A (ja) | 2000-12-27 | 2002-07-12 | Nikon Corp | 露光装置、光学特性計測方法、及びデバイス製造方法 |
JP2002014005A (ja) | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置 |
US20020041377A1 (en) * | 2000-04-25 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method |
TWI226972B (en) * | 2000-06-01 | 2005-01-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
JP2002005586A (ja) | 2000-06-23 | 2002-01-09 | Canon Inc | 物体温度調節用熱交換装置、該熱交換装置を使用して製造した投影レンズ及び該熱交換装置を使用した光学系を具備する装置 |
JP4692862B2 (ja) | 2000-08-28 | 2011-06-01 | 株式会社ニコン | 検査装置、該検査装置を備えた露光装置、およびマイクロデバイスの製造方法 |
JP2002231622A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-08-16 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
KR100866818B1 (ko) * | 2000-12-11 | 2008-11-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치 |
EP1231514A1 (en) | 2001-02-13 | 2002-08-14 | Asm Lithography B.V. | Measurement of wavefront aberrations in a lithographic projection apparatus |
EP1364257A1 (en) | 2001-02-27 | 2003-11-26 | ASML US, Inc. | Simultaneous imaging of two reticles |
WO2002091078A1 (en) | 2001-05-07 | 2002-11-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Methods and apparatus employing an index matching medium |
TW529172B (en) * | 2001-07-24 | 2003-04-21 | Asml Netherlands Bv | Imaging apparatus |
US6675809B2 (en) * | 2001-08-27 | 2004-01-13 | Richard S. Stack | Satiation devices and methods |
DE10229818A1 (de) * | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem |
DE10210899A1 (de) * | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
US7092069B2 (en) * | 2002-03-08 | 2006-08-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure method and projection exposure system |
US20050088634A1 (en) * | 2002-03-15 | 2005-04-28 | Nikon Corporation | Exposure system and device production process |
TWI300953B (en) | 2002-03-15 | 2008-09-11 | Nikon Corp | Exposure system and device manufacturing process |
US6828542B2 (en) | 2002-06-07 | 2004-12-07 | Brion Technologies, Inc. | System and method for lithography process monitoring and control |
KR20050035890A (ko) | 2002-08-23 | 2005-04-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 광학계, 포토리소그래피 방법, 노광 장치 및 그 이용방법 |
US7367345B1 (en) | 2002-09-30 | 2008-05-06 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography |
US7093375B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-08-22 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing |
US6988326B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-01-24 | Lam Research Corporation | Phobic barrier meniscus separation and containment |
US6954993B1 (en) | 2002-09-30 | 2005-10-18 | Lam Research Corporation | Concentric proximity processing head |
US6788477B2 (en) * | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
US7110081B2 (en) * | 2002-11-12 | 2006-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE60335595D1 (de) | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
EP1420298B1 (en) | 2002-11-12 | 2013-02-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
SG121819A1 (en) * | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121822A1 (en) * | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121818A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101470360B (zh) * | 2002-11-12 | 2013-07-24 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
DE10253679A1 (de) * | 2002-11-18 | 2004-06-03 | Infineon Technologies Ag | Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren |
SG131766A1 (en) * | 2002-11-18 | 2007-05-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10258718A1 (de) * | 2002-12-09 | 2004-06-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives |
US6992750B2 (en) * | 2002-12-10 | 2006-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
CN100446179C (zh) * | 2002-12-10 | 2008-12-24 | 株式会社尼康 | 曝光设备和器件制造法 |
DE10257766A1 (de) * | 2002-12-10 | 2004-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage |
JP4184346B2 (ja) | 2002-12-13 | 2008-11-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 層上のスポットを照射するための方法及び装置における液体除去 |
CN100385535C (zh) | 2002-12-19 | 2008-04-30 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 照射光敏层上斑点的方法和装置 |
US7010958B2 (en) * | 2002-12-19 | 2006-03-14 | Asml Holding N.V. | High-resolution gas gauge proximity sensor |
US7514699B2 (en) | 2002-12-19 | 2009-04-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
DE10261775A1 (de) | 2002-12-20 | 2004-07-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems |
US6781670B2 (en) * | 2002-12-30 | 2004-08-24 | Intel Corporation | Immersion lithography |
DE10301799B4 (de) | 2003-01-20 | 2005-08-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur Homogenisierung optischer Eigenschaften einer optischen Komponente |
US7090964B2 (en) * | 2003-02-21 | 2006-08-15 | Asml Holding N.V. | Lithographic printing with polarized light |
US7206059B2 (en) | 2003-02-27 | 2007-04-17 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US6943941B2 (en) * | 2003-02-27 | 2005-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US7029832B2 (en) | 2003-03-11 | 2006-04-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Immersion lithography methods using carbon dioxide |
US20050164522A1 (en) | 2003-03-24 | 2005-07-28 | Kunz Roderick R. | Optical fluids, and systems and methods of making and using the same |
KR20050110033A (ko) | 2003-03-25 | 2005-11-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
KR20110104084A (ko) | 2003-04-09 | 2011-09-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 유체 제어 시스템 |
SG2012050829A (en) | 2003-04-10 | 2015-07-30 | Nippon Kogaku Kk | Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus |
WO2004090633A2 (en) | 2003-04-10 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus |
CN1771463A (zh) * | 2003-04-10 | 2006-05-10 | 株式会社尼康 | 用于沉浸光刻装置收集液体的溢出通道 |
KR101324818B1 (ko) | 2003-04-11 | 2013-11-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법 |
KR101697896B1 (ko) | 2003-04-11 | 2017-01-18 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법 |
JP4582089B2 (ja) | 2003-04-11 | 2010-11-17 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム |
EP1614000B1 (en) | 2003-04-17 | 2012-01-18 | Nikon Corporation | Immersion lithographic apparatus |
JP4025683B2 (ja) | 2003-05-09 | 2007-12-26 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法及び露光装置 |
JP4146755B2 (ja) | 2003-05-09 | 2008-09-10 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP2004363559A (ja) | 2003-05-14 | 2004-12-24 | Canon Inc | 光学部材保持装置 |
JP4552853B2 (ja) * | 2003-05-15 | 2010-09-29 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP5143331B2 (ja) | 2003-05-28 | 2013-02-13 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
KR20150036794A (ko) | 2003-05-28 | 2015-04-07 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
DE10324477A1 (de) * | 2003-05-30 | 2004-12-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
JP4054285B2 (ja) | 2003-06-12 | 2008-02-27 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4084710B2 (ja) | 2003-06-12 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
US6867844B2 (en) | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
JP4029064B2 (ja) | 2003-06-23 | 2008-01-09 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4084712B2 (ja) | 2003-06-23 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
US6809794B1 (en) | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
EP1639391A4 (en) * | 2003-07-01 | 2009-04-29 | Nikon Corp | USE OF FLUIDS SPECIFIED ISOTOPICALLY AS OPTICAL ELEMENTS |
EP1498781B1 (en) | 2003-07-16 | 2019-04-17 | ASML Netherlands B.V. | Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7384149B2 (en) | 2003-07-21 | 2008-06-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system |
US7006209B2 (en) | 2003-07-25 | 2006-02-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
US7326522B2 (en) * | 2004-02-11 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and a substrate |
US7175968B2 (en) * | 2003-07-28 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate |
US7579135B2 (en) * | 2003-08-11 | 2009-08-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits |
US7700267B2 (en) * | 2003-08-11 | 2010-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography |
US7061578B2 (en) * | 2003-08-11 | 2006-06-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
US7085075B2 (en) * | 2003-08-12 | 2006-08-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3 |
US6844206B1 (en) | 2003-08-21 | 2005-01-18 | Advanced Micro Devices, Llp | Refractive index system monitor and control for immersion lithography |
KR101094114B1 (ko) * | 2003-08-26 | 2011-12-15 | 가부시키가이샤 니콘 | 광학소자 및 노광장치 |
US6954256B2 (en) * | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
US7070915B2 (en) * | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
US7014966B2 (en) * | 2003-09-02 | 2006-03-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems |
EP1660925B1 (en) | 2003-09-03 | 2015-04-29 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
WO2005029559A1 (ja) | 2003-09-19 | 2005-03-31 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US6961186B2 (en) * | 2003-09-26 | 2005-11-01 | Takumi Technology Corp. | Contact printing using a magnified mask image |
US7369217B2 (en) * | 2003-10-03 | 2008-05-06 | Micronic Laser Systems Ab | Method and device for immersion lithography |
TW201738932A (zh) * | 2003-10-09 | 2017-11-01 | Nippon Kogaku Kk | 曝光裝置及曝光方法、元件製造方法 |
EP1524558A1 (en) | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7678527B2 (en) * | 2003-10-16 | 2010-03-16 | Intel Corporation | Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids |
WO2005038888A1 (ja) | 2003-10-22 | 2005-04-28 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法 |
JP2005159322A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Nikon Corp | 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法 |
JP2007525824A (ja) | 2003-11-05 | 2007-09-06 | ディーエスエム アイピー アセッツ ビー.ブイ. | マイクロチップを製造するための方法および装置 |
US7924397B2 (en) * | 2003-11-06 | 2011-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications |
US7061579B2 (en) * | 2003-11-13 | 2006-06-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7545481B2 (en) | 2003-11-24 | 2009-06-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005054953A2 (en) | 2003-11-24 | 2005-06-16 | Carl-Zeiss Smt Ag | Holding device for an optical element in an objective |
US7125652B2 (en) | 2003-12-03 | 2006-10-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Immersion lithographic process using a conforming immersion medium |
US6977713B2 (en) * | 2003-12-08 | 2005-12-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR100965330B1 (ko) | 2003-12-15 | 2010-06-22 | 칼 짜이스 에스엠티 아게 | 적어도 한 개의 액체 렌즈를 가진 마이크로리소그래피 투사대물렌즈로서의 대물렌즈 |
WO2005106589A1 (en) | 2004-05-04 | 2005-11-10 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore |
JP5106858B2 (ja) | 2003-12-15 | 2012-12-26 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 高開口数と平面状端面とを有する投影対物レンズ |
US20050185269A1 (en) * | 2003-12-19 | 2005-08-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
WO2005059645A2 (en) | 2003-12-19 | 2005-06-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithography projection objective with crystal elements |
US7460206B2 (en) | 2003-12-19 | 2008-12-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for immersion lithography |
US7589818B2 (en) * | 2003-12-23 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus |
US7394521B2 (en) | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7119884B2 (en) | 2003-12-24 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20050147920A1 (en) * | 2003-12-30 | 2005-07-07 | Chia-Hui Lin | Method and system for immersion lithography |
US7088422B2 (en) * | 2003-12-31 | 2006-08-08 | International Business Machines Corporation | Moving lens for immersion optical lithography |
JP4371822B2 (ja) * | 2004-01-06 | 2009-11-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JP4429023B2 (ja) * | 2004-01-07 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US20050153424A1 (en) * | 2004-01-08 | 2005-07-14 | Derek Coon | Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography |
JP5420821B2 (ja) | 2004-01-14 | 2014-02-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 反射屈折投影対物レンズ |
KR101295439B1 (ko) | 2004-01-16 | 2013-08-09 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 편광변조 광학소자 |
WO2005069078A1 (en) | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens |
ATE459898T1 (de) * | 2004-01-20 | 2010-03-15 | Zeiss Carl Smt Ag | Belichtungsvorrichtung und messeinrichtung für eine projektionslinse |
US7026259B2 (en) * | 2004-01-21 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | Liquid-filled balloons for immersion lithography |
US7391501B2 (en) * | 2004-01-22 | 2008-06-24 | Intel Corporation | Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography |
EP1723467A2 (en) | 2004-02-03 | 2006-11-22 | Rochester Institute of Technology | Method of photolithography using a fluid and a system thereof |
KR101579361B1 (ko) * | 2004-02-04 | 2015-12-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
EP1716454A1 (en) | 2004-02-09 | 2006-11-02 | Carl Zeiss SMT AG | Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus |
US7050146B2 (en) * | 2004-02-09 | 2006-05-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20070165198A1 (en) | 2004-02-13 | 2007-07-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus |
EP1721201A1 (en) | 2004-02-18 | 2006-11-15 | Corning Incorporated | Catadioptric imaging system for high numerical aperture imaging with deep ultraviolet light |
JP4393227B2 (ja) * | 2004-02-27 | 2010-01-06 | キヤノン株式会社 | 露光装置、デバイスの製造方法、露光装置の製造方法 |
US20050205108A1 (en) * | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for immersion lithography lens cleaning |
ITTO20040232A1 (it) * | 2004-04-14 | 2004-07-14 | Eltek Spa | Dispositivo per prevenire il deterioramento di sostanze in esso contenute e il comportamento anomalo di sue parti interne |
JP2005311020A (ja) * | 2004-04-21 | 2005-11-04 | Nikon Corp | 露光方法及びデバイス製造方法 |
JP4515335B2 (ja) | 2004-06-10 | 2010-07-28 | 株式会社ニコン | 露光装置、ノズル部材、及びデバイス製造方法 |
JP5130609B2 (ja) | 2004-06-10 | 2013-01-30 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
KR101378688B1 (ko) * | 2004-06-21 | 2014-03-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US7180572B2 (en) * | 2004-06-23 | 2007-02-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion optical projection system |
US20060001851A1 (en) * | 2004-07-01 | 2006-01-05 | Grant Robert B | Immersion photolithography system |
US20060013959A1 (en) * | 2004-07-15 | 2006-01-19 | Morales Hector D | Process to apply a polimeric coating on non-ferrous substrates |
US7304715B2 (en) * | 2004-08-13 | 2007-12-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR100648310B1 (ko) * | 2004-09-24 | 2006-11-23 | 삼성전자주식회사 | 영상의 휘도 정보를 이용한 색변환장치 및 이를 구비하는디스플레이 장치 |
WO2006047127A1 (en) | 2004-10-21 | 2006-05-04 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Optical lens elements, semiconductor lithographic patterning apparatus, and methods for processing semiconductor devices |
US20080123074A1 (en) | 2004-11-10 | 2008-05-29 | Nikon Corporation | Projection Optical System, Exposure Equipment and Exposure Method |
WO2006059636A1 (ja) | 2004-12-02 | 2006-06-08 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7405805B2 (en) * | 2004-12-28 | 2008-07-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101236023B1 (ko) | 2005-01-28 | 2013-02-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법 |
EP1701179A1 (de) * | 2005-03-08 | 2006-09-13 | Schott AG | Verfahren zur Herstellung von optischen Elementen für die Mikrolithographie, damit erhältliche Linsensysteme und deren Verwendung |
US8089608B2 (en) * | 2005-04-18 | 2012-01-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
JP5055566B2 (ja) | 2005-05-12 | 2012-10-24 | 株式会社ニコン | 投影光学系、露光装置、および露光方法 |
JP4596191B2 (ja) | 2005-05-24 | 2010-12-08 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
-
2006
- 2006-05-09 DE DE200610021797 patent/DE102006021797A1/de not_active Ceased
-
2007
- 2007-05-09 WO PCT/EP2007/054503 patent/WO2007128835A1/en active Application Filing
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Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH06124873A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JPH088178A (ja) * | 1994-04-22 | 1996-01-12 | Canon Inc | 投影露光装置及びデバイスの製造方法 |
JP2004304145A (ja) * | 2003-03-19 | 2004-10-28 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2005051231A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-24 | Asml Netherlands Bv | リトグラフ装置およびデバイス製造方法 |
JP2005252247A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-09-15 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
WO2005101121A2 (en) * | 2004-04-13 | 2005-10-27 | Carl Zeiss Smt Ag | Optical element unit for exposure processes |
WO2005119369A1 (en) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection system with compensation of intensity variatons and compensation element therefor |
JP2006049909A (ja) * | 2004-08-04 | 2006-02-16 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、照明システムを有する装置、投影システムを有する装置、リソグラフィ装置の光学要素およびデバイス製造方法 |
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