JP2016177289A - 光学結像装置 - Google Patents

光学結像装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2016177289A
JP2016177289A JP2016058868A JP2016058868A JP2016177289A JP 2016177289 A JP2016177289 A JP 2016177289A JP 2016058868 A JP2016058868 A JP 2016058868A JP 2016058868 A JP2016058868 A JP 2016058868A JP 2016177289 A JP2016177289 A JP 2016177289A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical imaging
immersion
temperature
imaging method
temperature distribution
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016058868A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6240247B2 (ja
Inventor
ベルンハルト ゲルリッヒ
Gerlich Bernhard
ベルンハルト ゲルリッヒ
イェンス クーグラー
Kugler Jens
イェンス クーグラー
トーマス イットナー
Ittner Thomas
トーマス イットナー
シュテファン ヘムバッハー
Heimbach Stephan
シュテファン ヘムバッハー
カール ハインツ シミツェク
Schimitzek Karl-Heinz
カール ハインツ シミツェク
パヤム タイエバティ
Tayebati Payam
パヤム タイエバティ
フーベルト ホルデラー
Hubert Holderer
フーベルト ホルデラー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
Publication of JP2016177289A publication Critical patent/JP2016177289A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6240247B2 publication Critical patent/JP6240247B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70341Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G03F7/70891Temperature
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248Temperature monitoring

Abstract

【課題】光学素子に対する局所的な熱による環境影響を補償できる光学結像装置、及び光学結像方法を提供する。
【解決手段】光学素子群が、基板に投影パターンを投影するように構成されており、作動中に少なくとも一時的に液浸ゾーン110に隣接して配置される液浸素子109を有する複数の光学素子を備え、作動中に液浸ゾーンが液浸素子と基盤105.1との間に配置され、少なくとも一時的に液浸媒体が充填され、熱減衰装置111が液浸媒体によって液浸素子の温度分布TEに誘発される変動を減じるように構成する。
【選択図】図2

Description

本発明は、光学結像装置に関する。本発明は、微小電子回路を作製するために使用する
マイクロリソグラフィに関連して使用してもよい。本発明は、とりわけ本発明による光学
結像装置を用いて実施する光学結像法に関する。
特にマイクロリソグラフィの分野では、高精度を有する構成要素を用いることのみなら
ず、結像装置の部品、例えばレンズ、ミラー、回折格子などの光学素子の位置および幾何
学形状が動作中にできるだけ変化しないように保ち、対応して高結像度が得られるように
する必要がある。数ナノメートル領域という微視的範囲の精度に対する厳しい要求は、と
りわけ、作製する微小電子回路を小型化するためには微小電子回路の作製時に使用される
光学システムの解像度を高めるべきであるという絶えざる必要性の結果である。
高い解像度を得るためには、13nmの領域の作動波長を有する極紫外線領域(EUV
)で作動するシステムにおける場合のように、用いられる光の波長を減じるか、または投
影システムの開口数を増大させることができる。値1を超えて開口数を著しく増大させる
可能性が、いわゆる「液浸システム」によって実現される。液浸システムでは、投影シス
テムの最終光学素子と照射すべき基板との間に液浸媒体が位置しており、この液浸媒体の
屈折率は1よりも大きい。開口数のさらなる増大は、特により高い屈折率を備える光学素
子によって可能である。
いわゆる「単一液浸システム」では、典型的には液浸素子は露光されるために基板に最
も近接して配置される最終光学素子である。ここでは、液浸媒体は、典型的にはこの最終
レンズ素子と基板とに接触する。いわゆる「二重液浸システム」では、液浸素子は必ずし
も最終光学素子、すなわち、基板に最も近接して配置された光学素子である必要はない。
このような二重または多重の液浸システムでは、液浸素子は、1つ以上のさらなる光学素
子によって基板から分離されていてもよい。この場合には、液浸素子が少なくとも部分的
に液浸されている液浸媒体は、例えば、光学系の2つの光学素子の間に配置されていても
よい。
作業波長の低減ならびに開口数の増大によって、使用される光学素子の位置精度および
寸法精度に対する要求が作動中にわたってより厳しくなるばかりではない。当然ながら、
光学装置全体の結像エラーを最小限にするという要求も高まる。
使用される光学素子内の温度分布およびこれに起因する各光学素子の変形ならびに各光
学素子の屈折率の温度に関係したばらつきは、もちろん特に重大である。
EUVシステムの場合には、参照により本明細書にその全開示内容を取り込む(サカモ
トによる)欧州特許出願公開第1477853号明細書につき、このようなシステムにの
み使用されるミラーに衝突光によりもたらされる加熱に反作用させ、ミラーの所定の箇所
で検出された温度を所定の規定限度に積極的に保持することが公知である。このことは、
ミラーの背面中央に配置され、意図的に冷却するためにペルティエ素子またはこれに類す
るものを有する温度調節装置を介して行われる。この解決は、特に上記液浸システムで使
用されるような屈折光学素子において使用するためには適していないことが欠点である。
なぜなら中央の温度調節装置が、光学的に使用される領域を覆ってしまう場合があるから
である。さらに、ミラー内の単一箇所の温度のみが、ミラーによって吸収された光エネル
ギを考慮してほぼ定常状態で信頼性良く制御される。特に非定常である、かつ/または局
所的に変化する熱による影響、例えば、液浸媒体によってもたらされ、ミラー内の温度分
布に動的もしくは局所的な変動を引き起こす場合もある、さらなる熱による環境影響は考
慮されていない。
欧州特許出願公開第1477853号明細書
本発明の課題は、上記のような欠点がないか、または少なくとも減じられており、投影
光の吸収作用を考慮した上で、特に光学素子に対する局所的な熱による環境影響を簡単に
補償することを可能にする光学結像装置および光学結像法を提案することである。
本発明は、このような熱による環境、特に投影光の吸収作用に対する、液浸システム内
の液浸媒体に由来する影響が、各光学素子の温度分布に無視できない、あるいは著しい局
所的な変動を引き起こしかねないという認識に基づいている。しかしながら、本発明によ
れば、吸収に基づく変動の他に、当該光学素子の環境に起因して生じる当該光学素子の温
度分布の変動をも減じる相応の熱減衰が得られる場合には、液浸システムにおいても使用
されるような屈折システムもしくは屈折光学素子においてもこのような熱による環境影響
を望ましい形で補償することが可能であることが示された。このために本発明の液浸シス
テムの変化態様によれば、液浸素子のために熱減衰装置が設けられており、この熱減衰装
置は、液浸媒体により光学素子の温度分布に誘発された変動を減じるように構成されてい
る。これにより、有利には、吸収作用を考慮するだけでなく、とりわけ液浸媒体により最
終光学素子の温度分布に誘発された局所的な変動をも考慮することが可能となる。
さらに、本発明は、特に屈折素子の場合には、対応した、特に非定常である、かつ/ま
たは局所的な環境影響を考慮した温度挙動モデルを設定し、温度分布を能動的に制御する
場合に使用することができるという認識にも基づいている。このような温度挙動モデルに
より、光学的に利用される領域において、そもそも測定することが極めて困難な温度分布
を予測または評価し、結像処理を妨げることなしに温度分布の制御時にこの予測または評
価した温度分布を考慮することが可能である。
したがって、本発明の対象は、投影パターンを備えるマスクを収容するためのマスク装
置と、光学素子群を備える投影装置と、基板および液浸ゾーンを収容するための基板装置
とを有する、特にマイクロリソグラフィで使用するための光学結像装置である。光学素子
群は、投影パターンを基板に投影するように構成されており、液浸素子を備える複数の光
学素子を有しており、液浸素子には基板が少なくとも一時的に隣接して配置されている。
作動中には、液浸ゾーンは、液浸素子と基板との間に配置されており、少なくとも一時的
に液浸媒体を充填されている。本発明によれば、熱減衰装置が設けられており、この熱減
衰装置は、液浸媒体によって液浸媒体の温度分布TEに誘発された変動を減じるように構
成されている。
本発明のさらなる対象は、特にマイクロリソグラフィで使用するための光学結像法であ
り、この場合、投影パターンが、光学素子群の光学素子によって基板に投影され、光学素
子群の液浸素子は、基板に隣接して配置された液浸ゾーンの領域において、少なくとも部
分的に液浸媒体内に液浸される。本発明によれば、熱減衰装置によって、液浸媒体によっ
て液浸媒体の温度分布TEに誘発された変動が減じられる。
本発明のさらなる対象は、投影パターンを備えるマスクを収容するためのマスク装置と
、光学素子群を備える投影装置と、基板および液浸ゾーンを収容するための基板装置とを
有し、光学素子群が投影パターンを基板に投影するように構成されている、特にマイクロ
リソグラフィで使用するための光学結像装置である。光学素子群は、少なくとも1つの液
浸素子を備える複数の光学素子を有しており、これらの液浸素子は、作動中に液浸ゾーン
の領域において少なくとも部分的に液浸媒体に液浸される。熱減衰装置が設けられており
、この熱減衰装置は、液浸媒体により液浸素子の温度分布TEに誘発された変動を減じる
ように構成されており、熱減衰装置は、液浸素子をこの液浸素子の環境の少なくとも一部
から少なくとも部分的に熱分離するための少なくとも1つの熱分離装置を備えている。
本発明のさらなる対象は、特にマイクロリソグラフィで使用するための光学結像法であ
り、この場合、投影パターンが、光学素子群の光学素子によって基板に投影され、光学素
子群の液浸素子は、液浸ゾーンの領域において、少なくとも部分的に液浸媒体内に液浸さ
れる。本発明によれば、熱減衰装置によって、液浸媒体により液浸素子の温度分布TEに
誘発された変動が減じられ、この場合、熱減衰装置によって、液浸素子は液浸素子の環境
の少なくとも一部から少なくとも部分的に熱分離される。
本発明のさらなる対象は、投影パターンを備えるマスクを収容するためのマスク装置と
、光学素子群を備える投影装置と、基板を収容するための基板装置とを有する、特にマイ
クロリソグラフィで使用するための光学結像装置である。光学素子群は、投影パターンを
基板に投影するように構成されており、少なくとも1つの熱制御された光学素子を備える
複数の光学素子を有している。本発明によれば、熱減衰装置は、熱制御された光学素子に
関連付けられており、熱制御された光学素子の温度分布TEの変動を減じるように構成さ
れており、この場合、熱減衰装置は、熱制御された光学素子の温度変動を減じるために、
熱制御された光学素子の温度挙動モデルにアクセスする。
本発明のさらなる対象は、特にマイクロリソグラフィで使用するための光学結像法であ
り、この場合、投影パターンが、光学素子群の光学素子によって基板に投影され、光学素
子は、熱制御された光学素子を有している。本発明によれば、熱減衰装置により、熱制御
された光学素子の温度分布TEに生じた変動が減じられ、この場合に、熱減衰装置は、熱
制御された光学素子内の温度変動を減じるために、熱制御された光学素子の温度挙動モデ
ルにアクセスする。
本発明のさらなる好ましい実施形態が、従属請求項および添付の図面を参照した好まし
い実施例の記載に明らかである。開示された特徴の全ての組み合わせは、請求項に明示的
に記載されているか否かに関わらず、本発明の範囲にある。
本発明による光学結像法の好ましい実施形態を実施することもできる本発明による光学結像装置の好ましい実施形態の概略図である。 図1の結像装置の部分的な概略断面図である。 本発明による光学結像装置のさらなる好ましい実施形態のために図2の詳細Dを示す部分な概略断面図である。 本発明による光学結像装置のさらなる好ましい実施形態のために図2の詳細Dを示す部分な概略断面図である。 本発明による光学結像装置のさらなる好ましい実施形態のために図2の詳細Dを示す部分な概略断面図である。 本発明による光学結像装置のさらなる好ましい実施形態のために図2の詳細Dを示す部分な概略断面図である。 本発明による光学結像装置のさらなる好ましい実施形態のために図2の詳細Dを示す部分な概略断面図である。 本発明による光学結像装置のさらなる好ましい実施形態のために図2の詳細Dを示す部分な概略断面図である。 図1の光学結像装置によって実施することもできる本発明による光学結像方法の好ましい実施形態のブロック図である。 本発明による光学結像装置のさらなる好ましい実施形態のための部分的な概略断面図である。
次にマイクロリソグラフィプロセスで用いるための本発明による光学結像装置の好適な
実施形態を図1〜図9を参照して説明する。
図1は、本発明による光学結像装置の好ましい実施形態の概略図を、UV範囲の193
nmの波長の光で作動するマイクロリソグラフィ装置101の形で示している。
マイクロリソグラフィ装置101は、照明システム102と、マスクテーブル103の
形のマスク装置と、光学軸線104.1を備える対物レンズ104の形の光学投影システ
ムと、ウェーハテーブル105の形の基板装置とを有している。照明システム102は、
マスクテーブル103に配置されたマスク103.1に193nmの波長を有する投影光
線(詳細に示さない)を照射する。マスク103.1には投影パターンが形成されており
、この投影パターンは、対物レンズ104内に配置された光学素子を介して、ウェーハテ
ーブル105に配置されたウェーハ105.1の形態の基板に、投影光線によって投影さ
れる。
対物レンズ104は、一列の光学素子107、108、109によって形成された光学
素子群106を備えている。光学素子107〜109は、対物レンズ104のハウジング
104.2内に保持される。193nmの動作波長に基づき、これらの光学素子107〜
109は、レンズなどのような屈折性の光学素子である。この場合に作動時にウェーハ1
05.1の最も近接して配置されている最終光学素子109は、いわば「終端素子」また
は「最終レンズ素子」である。
マイクロリソグラフィ装置101は、液浸システムである。液浸ゾーン110には、液
状の液浸媒体110.1、例えば高純度の水などが、ウェーハ105.1と最終レンズ素
子109との間に配置されている。液浸ゾーン110の内部には、液浸媒体110.1か
らなる液浸浴が設けられており、この液浸浴は、一方では下方に向けて少なくともウェー
ハ105.1の実際に露光される部分によって制限されている。液浸浴の側方の制限は、
液浸枠110.2によって少なくとも部分的に設けられている(典型的にはいわゆる「液
浸フード」)。露光中に光学的に使用される最終レンズ素子109の少なくとも一部、お
よび最終レンズ素子109において対物レンズ104の外部に位置する部分は液浸浴内に
液浸され、これにより、最終レンズ素子109は本発明において液浸素子となる。それ故
、露光時に最終レンズ素子109から最終レンズ素子109とウェーハとの間に出射する
光の経路はもっぱら液浸媒体110.1内に延びる。
値1を超える液浸媒体の屈折率により、開口数NA>1が得られ、これにより、最終レ
ンズ素子とウェーハとの間にガス雰囲気を備える従来のシステムに比べて解像度が高まる
NA値>1.4の開口数を得るために、最終レンズ素子109のためには、好ましくは
、石英(SiO)またはフッ化カルシウム(CaF)よりも高い屈折率を有する材料が、
典型的にこのようなレンズのために使用される。本実施例では、最終レンズ素子109の
材料はスピネル(尖晶石)である。しかしながら、本発明の他の実施形態では、対応して
高い屈折率を有し、それぞれの波長のために適した他のレンズ材料を使用することもでき
る。そのようなレンズ材料の例は、LuAG(ルテチウムアルミニウムガーネット、例え
ば、LuA112)である。さらに、従来の石英またはフッ化カルシウムレンズに
おいて本発明を使用することもできることは理解されよう。さらに、他の開口数を選択で
きることも理解されよう。しかしながら、高い解像度を考慮すれば、開口数は好ましくは
少なくとも1.3の値である。
最終レンズ素子109のために使用されるスピネルは、従来の石英またはフッ化カルシ
ウムレンズよりも屈折率の温度依存性が著しく高い。それ故、動作中に最終レンズ素子内
の実測温度分布TEを狭いばらつき限界内に留めて所定の目標温度分布TSEを保持する
必要があり、これにより、最終レンズ素子109の屈折率の対応したばらつきに起因する
結像エラーが少なくとも低減されるか、好ましくは最小限に押さえられる。
しかしながら、当然ながら、特にマイクロリソグラフィ分野で、石英(SiO)または
フッ化カルシウム(CaF)から形成された光学素子を有するシステムでは、無視するこ
とのできない液浸素子の温度分布のばらつきまたは変動が生じる場合もあり、このような
システムに本発明を用いることも極めて有利である。
所定の目標温度分布TSEの辺りのこうした狭いばらつき限界に留めるために、本発明
では熱減衰装置111が設けられている。次に主に図2〜図9に関して熱減衰装置111
を詳細に説明する。図2は部分的に著しく概略化されており、対物レンズ104のウェー
ハ側の端部を半分断面した図である。
本実施例では、熱減衰装置110によって、マイクロリソグラフィ装置101の作動中
に最終レンズ素子109の所定の目標温度分布からの最大偏差ΔTE=1mKが達成され
る。したがって、熱による変形および熱による屈折率の変化に起因する結像エラーもしく
は結像エラーばらつきを十分に小さく保持することができ、これにより、高品質の結像品
質が得られる。しかしながら、本発明の別の変化態様では、特に使用される材料の熱変形
挙動および熱による屈折率のばらつきに応じて、場合によってはより大きい最大偏差があ
ってもよい。好ましくは、こうした最大偏差は10mKを超過しない。そうすれば、特に
高い結像品質が得られるからである。
これに関して、所定の目標温度分布TSEを任意に選択してもよいことは理解されよう
。したがって、最終レンズ素子109が少なくとも1つの結像エラータイプに対して最小
限の結像エラーを有しているように目標温度分布TSEを選択することができる。しかし
ながら、この目標温度分布TSEは、最終レンズ素子109自体が少なくとも1つの結像
エラータイプに対して1つの結像エラーを有し、この結像エラーが、光学素子群106の
他の光学素子の対応した結像エラーを低減するか、完全に補償さえもするのに十分な値を
有しており、これにより、少なくとも1つの結像エラータイプでは対物レンズ104の結
像エラー全体の最小限となるように目標温度分布TSEを選択することもできることは理
解されよう。結像エラー全体をこのように最小限にすることが、欧州特許出願公開第09
56871号明細書(Rupp)により公知であり、その開示内容は参照により本明細書
に組み入れられる。
熱減衰装置111は、複数の能動的な熱減衰制御回路および受動的な熱減衰構成部分を
有している。とりわけ、熱減衰装置111は、第1熱減衰制御回路として、液浸ゾーンへ
の液浸媒体110.1の供給温度を意図的に制御するための制御回路を備えている。
このために、第1熱減衰制御回路112は、供給装置112.1と、第1温度調節装置
112.2と、第1温度センサ112.3と制御装置111.1とを有している。供給装
置112.1は、少なくとも1つの供給ラインを介して十分な量および対応した流量の液
浸媒体110.1を液浸ゾーン110に供給する。液浸ゾーン110への液浸媒体110
.1の供給部の手前には、制御装置111.1に接続された第1温度調節装置112.2
が配置されており、この第1温度調節装置は液浸媒体110.1の温度を望ましい供給温
度TIFに調節する。第1温度センサ112.3は、無線および/または少なくとも部分
的に有線接続された接続部(図示していない)を介して制御装置111.1に接続されて
いる。
次に説明するように、望ましい供給温度TIFは制御装置111.1によって確立され
る。液浸ゾーン110の周囲に一様に分配されており、本発明では第1確立装置である、
第1温度センサ112.3によって、液浸媒体110.1の温度が液浸ゾーン110の周
縁部で検出される。第1温度センサ112.3は、対応した第1温度データを制御装置1
11.1の関連入力部111.2に供給する。
しかしながら、液浸ゾーン110の周縁部に一様に分配された第1温度センサ112.
3により直接に測定する代わりに、別の場所で温度または少なくとも1つの別のパラメー
タの測定または確立を行うこともできることは理解されよう。これらの温度およびパラメ
ータから、評価装置では対応した十分に正確な評価によって、この確立されたパラメータ
と、液浸ゾーン110の周縁部における液浸媒体110.1の温度との間の十分に正確な
既知の関係に基づいて、液浸ゾーン110の周縁部における液浸媒体110.1の温度を
評価することもできる。
この第1温度データから、記憶されている液浸媒体110.1の第1温度挙動モデルに
よって、制御装置111.1は液浸ゾーン110内の実測温度分布TIを確立する。さら
なるパラメータとして、第1温度挙動モデルは、(第1温度調節装置112.2によって
制御装置111.1に供給される)液浸媒体110の実測供給温度TIFと、(供給装置
112.1によって制御装置111.1に供給される)液浸媒体110.1の流量と、最
終レンズ素子109の実測温度分布TE(以下にさらに詳細に説明するように確立される
)と、(照明装置102によって制御装置に供給される)実測光出力を考慮する。
実測温度分布TIから、液浸媒体110.1内の所定の目標温度分布TSIに応じて、
制御装置111.1は温度調節装置112.2および/または供給装置112.1のため
の第1制御値Cを確立する。この第1制御値Cによって、温度調節装置は供給温度TIF
の調節を行い、かつ/または供給装置112.1は、実測温度分布TIが液浸媒体110
内の目標温度分布TSIに近づくように流量の調節を行う。
供給温度TIFの確立は、あらかじめ捕捉または確立された温度およびパラメータから
予測することができる、実測温度分布TI内の変化ΔTIEに関連して確立してもよい。
換言すれば、温度挙動モデルを用いて、このような変化ΔTIEを予測し、このような変
化が(完全)に存在する前に阻止してもよい。
本発明では、液浸媒体110.1内の実測温度分布TIは、最終レンズ素子109の温
度に作用するパラメータPである。なぜなら、液浸媒体110.1と最終レンズ素子10
9との間の温度勾配に基づき、液浸媒体110.1と最終レンズ素子109との間に熱伝
達が生じ、最終レンズ素子109に温度変化がもたらされるからである。さらに、本発明
では、供給温度TIFおよび/または流量は、液浸媒体110.1と最終レンズ素子10
9との間の温度勾配および液浸媒体110.1と最終レンズ素子109との間の熱伝達に
それぞれ作用させるために用いてもよいので、制御パラメータである。したがって、本発
明では温度調節装置112.2および/または供給装置112.1は、それぞれ作用装置
である。
これに関して、液浸媒体110.1内の所定の目標温度分布TSIを任意に選択するこ
ともできることは理解されよう。液浸媒体110.1内の目標温度分布TSIが存在する
場合および最終レンズ素子109内の目標温度分布TSEが存在する場合には、最終レン
ズ素子109と液浸媒体110.1との間に温度勾配、ひいては熱伝達が生じないように
液浸媒体110.1内の所定の目標温度分布TSIを静的に規定してもよい。
換言すれば、この場合に最終レンズ素子109が目標状態にある場合には、このように
して制御された液浸媒体110によって、著しい熱攪乱が最終レンズ素子109内にもた
らされることはない。しかしながら、最終レンズ素子109が目標状態とは異なる状態に
ある場合には、最終レンズ素子109と液浸媒体110.1との間に温度勾配が生じ、最
終レンズ素子109の実測温度分布TEと目標温度分布TSEとの間の実測偏差に抗して
作用し、これにより、このように制御された液浸媒体110.1によって熱減衰効果がえ
られる。
しかしながら、液浸媒体110.1内の実測温度分布TSIは、最終レンズ素子109
の実測温度分布TEに関連して選択することもでき、これにより、液浸媒体110.1内
に目標温度分布TSIが存在する場合には、所定の温度勾配、ひいては所定の熱伝達が最
終レンズ素子109と液浸媒体110.1との間に生じる。最終レンズ素子109と液浸
媒体110.1との間の温度勾配は、好ましくは、最終レンズ素子109の目標温度分布
TSEからの最終レンズ素子109の実測温度分布TEの偏差に反作用するように選択さ
れ、これにより、このように制御された液浸媒体110.1によって熱減衰効果も得られ
る。
この場合、最終レンズ素子109と液浸媒体110.1との間で液浸媒体110.1を
介して調節される温度勾配は、好ましくは、最終レンズ素子109の目標温度分布TSE
からの実測温度分布TEの偏差が大きければ大きいほど、それだけ一層大きく選択される
。換言すれば、このようにして、最終レンズ素子109の目標温度分布TSEと実測温度
分布TEとの間の偏差の動的な減衰が得られる。
この場合に、最終レンズ素子109が目標状態にある場合には、このようにして制御さ
れた液浸媒体110.1は、最終レンズ素子109内に著しい熱攪乱もたらさない。そう
でない場合には、最終レンズ素子109の目標温度分布TSEと実測温度分布TEとの間
の偏差が大きければ大きいほど、このようにして制御された液浸媒体110.1による反
作用はそれだけ一層大きい。
熱減衰装置111は、さらに第2熱減衰制御回路として、液浸媒体110.1の自由表
面110.3と接触しているガス雰囲気113.1の温度TAおよび/または湿度HAお
よび/または流量VAを特定に制御するための制御回路113を有している。
第2熱減衰制御回路113は、さらにガス雰囲気113.1および制御装置111.1
のための第2供給装置113.2を有している。この第2供給装置113.2は、少なく
とも1つの供給ラインを介して、対応した温度と流量を備えた十分な量のガスを液浸媒体
110.1の自由表面110.3に供給する。第2供給装置113.2は、以下に説明す
るように、ガス雰囲気113.1の温度および/または湿度およびまたは流量を制御装置
111.1によって確立された望ましい値に調節する。
上記のように制御装置111.1は液浸ゾーン110において液浸媒体110.1内の
実測温度分布TIを確立する。液浸媒体110.1内の実測温度分布TIから、次いで制
御装置111.1は、所定の目標温度分布TSIに関連して、第2供給装置113.2に
対する第2制御値Cを確立する。この第2制御値Cによって、第2供給装置113.2は
ガス雰囲気113.1の温度および/または湿度および/または流量の調節を行う。
それぞれの場合に、液浸媒体110.1の自由表面110.3において液浸媒体の蒸発
が最小限となるように調節を行うことができる。好ましくは、このような調節は、ガス雰
囲気113.1の温度が自由表面110.3における液浸媒体110.1の温度に対応す
るようにガス雰囲気113.1の温度を調節し、ガス雰囲気113.1の湿度を十分に高
い値、好ましくは完全な飽和状態となるように調節し、これにより、液浸媒体110.1
の蒸発、ひいては液浸媒体110.1からの放熱が防止されることにより行われる。
換言すれば、この変化態様では、自由表面110.3における液浸媒体110.1の蒸
発により、液浸媒体、ひいては最終レンズ素子109にも熱攪乱がもたらされる。
第2熱減衰制御回路113を介した制御は、第1熱減衰制御回路112を介した制御の
下位にある。しかしながら、本発明の他の変化態様では、蒸発により誘発された液浸媒体
110.1からの放熱によって生じる熱攪乱を能動的に利用して、最終レンズ素子109
の実測温度分布TEと目標温度分布TSEとの間の偏差に反作用させ、これにより、熱減
衰効果が得られる。
例えば、最終レンズ素子109の目標状態では、最終レンズ素子109の実測温度分布
TEと目標温度分布TSEとの間で減衰させようとする偏差の方向に応じて増減する場合
もある所定の蒸発率が存在し、液浸媒体110.1の実測温度分布TIが、液浸媒体11
0.1において対応して変化した目標温度分布TSIに近づけられる。すなわち、温度を
上昇もしくは下降させ、これにより、液浸媒体110.1と最終レンズ素子109との間
の温度勾配により、最終レンズ素子109の実測温度分布TEと目標温度分布TSEとの
間の偏差に反作用させる。
ここでも同様に、ガス雰囲気113.1の温度および/または湿度および/または流量
は、本発明においては制御パラメータCPである。なぜなら、これらのパラメータによっ
て、液浸媒体110.1と最終レンズ素子109との間の温度勾配および液浸媒体110
.1と最終レンズ素子109との間の熱伝達に、それぞれ作用することもできるからであ
る。したがって、第2供給装置113.2も本発明においては作用装置である。
これに関して、液浸媒体110.1内の所定の目標温度分布TSIを上述のように任意
に選択してもよいことは理解されよう。さらに自由表面110.3は液浸媒体110.1
の自由表面全体または一部であってもよいことも理解されよう。
さらに熱減衰装置111は、第3熱減衰制御回路として、最終レンズ素子109の温度
に直接に特定に作用する制御回路114を有している。
このためには、第3熱減衰制御回路114はペルティエ素子114.1の形で最終レン
ズ素子109の周縁部に一様に分配された第2温度調節装置と、第2温度センサ114.
2と制御装置111.1とを有している。制御装置111.1に接続されたペルティエ素
子114.1は、以下に詳細に説明するように、最終レンズ素子109を冷却または加熱
し、これにより、最終レンズ素子109の実測温度分布TEと目標温度分布TSEとの間
の偏差に反作用し、ひいては熱減衰効果も達成される。
最終レンズ素子109に一様に分配されており、本発明においては確立装置である第2
温度センサ114.2および114.3によって、最終レンズ素子109のそれぞれの場
所で最終レンズ素子109の温度が確立される。第2温度センサ114.2および114
.3は、対応した第1温度データを制御装置111.11の関連入力部111.2に供給
する。
この場合、最終レンズ素子109の周囲に一様に分配された第1温度センサ112.3
,114.3により直接に測定する代わりに、別の箇所で温度または少なくとも1つの別
のパラメータの測定または確立を行うこともできることは自明である。この温度またはパ
ラメータから、次いで評価装置では、対応して十分に正確な評価によって、この確立され
たパラメータと、最終レンズ素子109の温度との間で得られた十分に正確な既知の関係
に基づいて、最終レンズ素子109の温度が確立されてもよい。
これらの最初の温度データから、制御装置111.1は、最終レンズ素子109の記憶
された第1温度挙動モデルによって最終レンズ素子109内の実測温度分布TEを確立す
る。これにより、さらなるパラメータとして、第1温度挙動モデルは液浸媒体110.1
の実測温度分布TIおよび(照射装置102によって制御装置111.1に供給される)
実測光出力を考慮する。
最終レンズ素子109内の実測温度分布TEから、最終レンズ素子109内の所定目標
温度分布TSEに応じて、制御装置111.1はペルティエ素子114.1に対する第3
制御値Cを確立する。この第3制御値Cによって、最終レンズ素子109の表面に向けら
れたペルティエ素子114.1の表面の温度が調節される。したがって、ペルティエ素子
114.1は、実測温度分布TEは最終レンズ素子109内の目標温度分布TSEに近づ
くように最終レンズ素子109の表面を加熱または冷却する。
それゆえ、本発明においては、最終レンズ素子109の表面に向けられたペルティエ素
子114.1の表面温度は、この温度によってペルティエ素子114.1と最終レンズ素
子109との間の熱伝達を誘発することもできるので、制御パラメータCPである。した
がって、本発明ではペルティエ素子114.1は作用装置である。
図3に示すように、マイクロリソグラフィ装置101の他の実施形態によれば、第3熱
減衰制御回路114は、ペルティエ素子114.1に付加的または代替的に、レンズ素子
109の光学的に使用されていない領域に抵抗加熱装置114.4の形のさらなる第2温
度調節装置を備えていてもよい。制御装置111.1に接続された抵抗加熱装置114.
4は、以下に詳細に説明するように、最終レンズ素子109の実測温度分布TEと目標温
度分布TSEとの間の偏差に反作用させ、ひいては温度減衰作用が得られるように最終レ
ンズ素子109を加熱する。
図3は、図2の詳細Dに対応する概略図において、本発明によるマイクロリソグラフィ
装置101のさらなる実施形態の抵抗加熱装置114.4を示している。図3からわかる
ように、抵抗加熱装置114.4は、互いに適宜に接続され、かつ制御装置111.1に
適宜に接続された複数の導電素子114.5を有している。これらの導電素子14.5は
、最終レンズ素子109の表面内部に埋設されている。
導電素子114.5は、例えば、望ましい構成の最終レンズ素子109の表面に、後に
導電素子114.5を形成する金属粉を配置することにより作製してもよい。金属粉は、
金属粉が溶融し、導電素子を形成するように結合する程度まで、例えば、赤外線レーザを
用いて加熱される。さらに、溶融した金属粉は、高濃度であるため最終レンズ素子109
の局所的に溶融したマトリクス内に沈下する。
導電素子114.5は、図3に示すように最終レンズ素子109のマトリクス内に完全
に埋設されていてもよい。しかしながら、本発明の他の実施形態によれば、導電素子11
4.5は最終レンズ素子109のマトリクスによって部分的にのみ取り囲まれていてもよ
いことは自明である。この場合には、図3に破線輪郭114.6で示すように、保護層が
設けられていてもよい。この保護層114.6は、攻撃的な液浸媒体110.1に対して
導電素子114.5を保護することもできる。保護層114.6は、例えば、スパッタ法
、CVD(化学蒸着)法などによって塗布される石英(SiO)層であってもよい。さら
に、保護層114.6は、導電素子114.5の間の電気的な接続部および制御装置11
1.1との電気的な接続部を有していてもよい。
既に説明したように、第2温度センサ114.2および114.3(図2参照)によっ
て、最終レンズ素子109の温度が、最終レンズ素子109のそれぞれの場所で捕捉され
る。第2温度センサ114.2および114.3は、対応する第1温度データを制御装置
111.1の関連入力部111.2に供給する。
この場合、最終レンズ素子109の周囲に一様に分配された第1温度センサ112.2
,114.3により直接に測定する代わりに、別の箇所で温度または少なくとも1つの別
のパラメータの測定または確立を行うこともできることは自明である。この測定された、
または確立された温度またはパラメータから、評価装置では、対応した十分に正確な評価
によって、確立されたパラメータ/温度と、最終レンズ素子109の温度との間の十分に
正確な既知の関係に基づいて、最終レンズ素子109の温度を確立することもできる。
これらの第1温度データから、制御装置111.1は、記憶されている最終レンズ素子
109の第1温度挙動モデルを用いて最終レンズ素子109内の実測温度分布TEを確立
する。この場合、さらなるパラメータとして、第1温度挙動モデルは、液浸媒体110.
1の実測温度分布TIと、照射装置102によって(制御装置111.1に供給される)
実測光出力とを考慮する。
最終レンズ素子109内の実測温度分布TEから、制御装置111.1は、最終レンズ
素子109内の所定の目標温度分布TSEに応じて、抵抗加熱装置114.4に対する第
3制御値Cを確立する。この第3制御値Cを用いて、導電素子114.5内の対応する電
流を介して抵抗加熱装置114.4の温度が調節される。したがって、抵抗加熱装置11
4.4は、最終レンズ素子109内の実測温度分布TEが目標温度分布TSEに近づくよ
うに最終レンズ素子109を加熱する。
抵抗加熱装置114.4は、任意の形で分割されていてもよい。すなわち、制御装置1
11.1によって選択的に制御可能となるように任意の数の部分に分離されていてもよい
。これにより、抵抗加熱装置114.4内において任意の望ましい温度分布を得ることが
可能である。
このように、導電素子114.5の温度は、本発明では制御パラメータCPである。な
ぜなら、導電素子114.5と最終レンズ素子109との間の熱伝達はこの温度によって
影響されることもあるからである。したがって、本発明においては導電素子114.5は
それぞれ作用装置である。
図4は、図2の詳細Dに対応する概略図において、本発明によるマイクロリソグラフィ
装置101のさらなる実施形態の抵抗加熱装置214.4を示している。この抵抗加熱装
置214.4は、図3の抵抗加熱装置114.4の代わりに使用してもよい。図4からわ
かるように、抵抗加熱装置214.4は、互いに適宜に接続され、かつ制御装置111.
1に適宜に接続された複数の導電素子214.5を有している。導電素子214.5は、
最終レンズ素子109の表面に配置され、保護層214.6の内部に埋設される。
導電素子214.5は、薄膜技術および/または厚膜技術を用いて任意に構成されたあ
らゆる最終レンズ素子109の表面に取り付けてもよい。続いて導電素子に保護層214
.6を被覆してもよい。
とりわけ侵襲的な液浸媒体110.1から導電素子214.5を保護する保護層214
.6は、任意の保護層であってよい。例えば、保護層214.6は、スパッタ法、CVD
(化学蒸着)法などによって塗布された石英(SiO)層であってもよい。
保護層214.6は、ポリマー材料を備えていてもよい。ポリアミド(Pl)材料、例
えばカプトン(登録商標)の名称でデュポン(登録商標)社により販売されている材料が
特に適している。例えば、保護層214.6はポリアミド薄膜担体によって形成されてい
てもよく、このポリアミド薄膜担体には、導電素子214.5が望ましい構成で取り付け
られる。この薄膜担体は、次いで最終レンズ素子109に塗布され、例えば接着により最
終レンズ素子109に結合される。
図4からわかるように、保護層214.6は、制御装置111.1に接続された複数の
さらなる温度センサ214.2を有している。これらの温度センサ214.2は、温度セ
ンサ114.2、114.3に付加的または代替的に、それぞれの場所で最終レンズ素子
109の温度を捕捉する。温度センサ214.2は、対応する第1温度データを制御装置
111.1の関連入力部111.2に供給する。
抵抗加熱装置214.4の機能は、上述の抵抗加熱装置114.4の機能と同一である
。それゆえ、これについては上述の説明を参照されたい。特に抵抗加熱装置214.4は
、この場合にも任意に分割されていてもよい。
図5は、図2の詳細Dに対応する概略図において、本発明によるマイクロリソグラフィ
装置101のさらなる実施形態の照射加熱装置314.4を示している。図3の抵抗加熱
装置114.4の代わりに照射加熱装置314.4を使用してもよい。図5からわかるよ
うに、照射加熱装置314.4は、制御装置111.1に接続された複数の加熱素子31
4.5を有している。
加熱素子314.5は、液浸枠110.2に配置されている。制御装置111.1の制
御下にある加熱素子314.5は、最終レンズ素子109に向けられた赤外線IRを照射
し、これにより、最終レンズ素子109を加熱する。加熱素子314.5は、制御装置1
11.1に結合された赤外線源の赤外線を最終レンズ素子109に向けて案内する、いわ
ゆる「中空コアファイバ」によって形成してもよい。
照射加熱装置314.4の機能は、上述の抵抗加熱装置114.4の機能に大部分対応
している。それ故、上述の説明を主に参照されたい。
ここでも同様に最終レンズ素子109内の実測温度分布TEから、最終レンズ素子10
9内の所定の目標温度分布TSEに応じて、制御装置111.1は照射加熱装置314.
4に対する第3制御値Cを確立する。第3制御値Cによって、加熱装置314.5の照射
強度が調節される。したがって、加熱素子314.5は、最終レンズ素子109内の実測
温度分布TEが目標温度分布TSEに近づくように最終レンズ素子109を加熱する。
このように導電素子314.5の照射強度は、この照射強度によって加熱素子314.
5と最終レンズ素子109との間の熱伝達が誘導されることもあるので、本発明では制御
パラメータCPである。したがって、本発明においては加熱素子314.5はそれぞれ作
用装置である。
照射加熱装置314.4は、最終レンズ素子109を区画にわけて任意に照射すること
もできる。換言すれば、照射加熱装置314.4は、制御装置111.1によって選択的
に制御可能な任意の数の区分を備えていてもよい。これにより、照射加熱装置314.4
によって任意の照射強度分布を設けることも可能である。
さらに、熱減衰制御装置111は、最終レンズ素子109の断熱被覆層115の形の第
1遮蔽部を備えており、この被覆層115は、熱減衰制御装置111の第1受動的な減衰
成分の形で熱分離装置を形成している。
被覆層115は、最終レンズ素子109の表面において液浸媒体110.1に隣接して
配置されており、かつ投影パターンをウェーハ105に投影する場合に光学的に使用され
ない区分109.1にわたって延在している。この断熱層115によって、最終レンズ素
子109、および液浸媒体110.1を備える液浸ゾーン110は、区画毎に熱分離され
、これにより、最終レンズ素子109の表面において光学的に使用される区画109.2
の少なくとも外部で液浸媒体110.1内の熱攪乱が最終レンズ素子109内に直接に伝
搬することが阻止される。
被覆層115は、十分な断熱特性をもたらす任意の適切な材料および材料の組み合わせ
からなっていてよい。図2に示した実施形態では、被覆層115は、適宜な技術、例えば
鋳込み技術、塗布技術などによって最終レンズ素子109の表面区画109.1に塗布さ
れた有機材料、ここではポリウレタン(PU)樹脂からなる層を備える。塗布後には、有
機層の表面は望ましい表面荒さをもたらすために任意の公知の表面処理技術を用いて処理
してもよい。
最終レンズ素子109に接触しない有機層の表面の一部または全体に、適宜な反射被覆
層を設けてもよい。この反射被覆層は、ウェーハ105.1および/または液浸媒体11
0.1および/または液浸枠110.2などによって分散された投影光を反射し、これに
より、このような分散された投影光によって被覆層115の有機層に生じることもある長
期にわたる損傷を防止する。
原則的には、遮蔽部115は、環境、特に液浸媒体からの最終レンズ素子109の熱分
離をもたらすように適宜に設計してもよい。特に、遮蔽部115は単一層または多層断熱
層である。以下にさらに詳しく説明するように、遮蔽部115は、少なくとも1つの高い
熱伝導性を有する層と、少なくとも1つの断熱層とを備える2つ以上の層を組み合わせた
ものであってもよい。この場合、高い熱伝導性を有する層は、最終レンズ素子の周縁部に
向けて熱伝達するために役立ち、これにより、最終レンズ素子内への熱伝達を阻止または
減じてもよい。
好ましくは、最終レンズ素子109の背向側に、遮蔽部115は疎水性の面を有してい
てもよい。この疎水性の面は、場合によっては、この目的のためにのみ設けられた独立し
た層によって形成されていてもよい。これにより、最終レンズ素子109の場合によって
は被覆されている表面に液浸媒体110の個々の滴または飛沫が蓄積するという状況を少
なくとも大部分防止することもできる。液浸媒体のこのような滴または飛沫は、さもなけ
れば蒸発し、最終レンズ素子109内の局所的に集中した強い熱攪乱をもたらす局所的に
集中した強力なヒートシンクを形成してしまう。
液浸媒体110.1のこのような滴または飛沫は、例えば、マイクロリソグラフィ装置
101の作動中に液浸媒体レベルの変更に起因するウェーハの動きによって、例えば一時
的にのみ液浸媒体110.1により湿潤されている最終レンズ素子109の表面領域に形
成される。有利には、疎水性の表面は、最終レンズ素子109の場合によっては被覆され
ている表面に液浸媒体110.1のこのような滴または飛沫が形成されることを防止する
図6は、図2の詳細Dに対応する概略図において、本発明によるマイクロリソグラフィ
装置101のさらなる実施形態における熱遮蔽部415の形の熱分離装置を示している。
図2の遮蔽部115の代わりに遮蔽部415を使用してもよい。
図6からわかるように、遮蔽部415は上述のように多層状に設計されている。遮蔽部
415は、最終レンズ素子109に隣接して配置された断熱性の第1層415.1と、第
1層415.1に隣接して配置された高い熱伝導性を有する第2層415.2とを組み合
わせたものである。さらに、疎水性の第3層415.3が、第2層415.2の外面に被
覆される。
断熱性の第1層415.1は、スペーサ体415.4を備えている。スペーサ体415
.4は、マイクロリソグラフィ装置101の任意の通常作動条件下において形状を保持す
るために十分な剛性を有している。これにより、通常作動状態で、スペーサ体415.4
は最終レンズ素子109と第2層415.2との間に所定の距離を設ける。しかしながら
、本発明の他の実施形態では、単一のスペーサ体の代わりに、独立した複数のスペーサ素
子が設けられていてもよいことは自明である。
スペーサ体415.4は、流体、すなわち、ガスおよび/または液体に対して透過性で
ある。例えば、スペーサ体415.4を形成するためには連続気泡発泡体を使用してもよ
い。このように最終レンズ素子109の表面と第2層415.2との間には、第1層41
5.1を形成する隙間が画定されている。第1層415.1を形成する隙間には、低い熱
伝導性を有する流体、例えばガスまたは液体が充填される。場合によっては、第1層41
5.1の望ましい断熱効果が保証されるように、隙間415.1を適当な温度に調整され
た流体によって連続的または断続的に洗浄してもよい。
隙間415.1への液浸媒体110.1の進入を防止するために、周縁部シール素子4
15.5が最終レンズ素子109と第2層415.2との間に設けられている。シール素
子415.5は、さらに第2層415.2を最終レンズ素子109に対して固定する、接
着材によって形成されたリングである。
第2層415.2は、高い熱伝導率に基づき、最終レンズ素子109の半径方向Rに良
好な熱伝達を保証する。こうして第2層415.2内の対応して高い熱伝達率によって、
液浸媒体110.1によって励起された熱攪乱は急速に減じられるか、または完全に補償
さえされる。結果として、こうした熱攪乱は、生じたとしても程度が減じられてしか最終
レンズ素子109に向けて伝搬されない。換言すれば、効果的な熱減衰効果が得られる。
こうした熱攪乱のさらなる低減が、断熱性の第1層415.1によってもたらされる。換
言すれば、本発明では熱分離装置を形成している遮蔽部415によって、最終レンズ素子
109は、環境、特に液浸媒体110.1から効果的に熱分離される。
第2層415.2内で急速な熱伝達を行うためには、安定化装置415.6が第2層4
15.2の外周に設けられている。安定化装置は高い加熱能力を有してもよく、これによ
り、マイクロリソグラフィ装置101の作動中の温度は安定している。例えば、安定化装
置415.6は、加熱担体媒体の循環によって形成されている。
ここでも上述のように疎水性の第3層415.3が、液浸媒体110.1の堆積した滴
または飛沫の蒸発が原因で生じる局所的なヒートシンクが形成される可能性を減じる。例
えば、疎水性の第3層415.3は、上述のようにポリアミド(Pl)によって形成され
ていてもよい。
図7は、図2の詳細Dに対応する概略図であり、本発明によるマイクロリソグラフィ装
置101のさらなる実施形態の熱遮蔽部515を示している。図2の遮蔽部115または
図6の遮蔽部415の代わりに遮蔽部515を使用してもよい。
図7からわかるように、遮蔽部515は上述のように多層状に設計されている。遮蔽体
515は、最終レンズ素子109に隣接して配置された断熱性の第1層515.1と、第
1層515.1に隣接して配置された第2層とを組み合わせたものを備えている。
断熱性の第1層515.1は、最終レンズ素子109の周縁部に一様に分配された複数
のスペーサ素子515.4を有している。スペーサ素子515.4は、マイクロリソグラ
フィ装置101の任意の通常作動状態において形状を保持するために十分な剛性を有して
いる。これにより、通常作動状態で、スペーサ素子515.4は最終レンズ素子109と
第2層515.2との間に所定の距離を設ける。
スペーサ素子515.4は、第1層515.1を形成する隙間を画定している。第1層
515.1を形成するこの隙間には、低い熱伝導率を有する流体、例えばガスまたは液体
が充填される。場合によっては、第1層515.1の望ましい断熱効果が保証されるよう
に、隙間515.1を適当な温度に調整された流体によって連続的または断続的に洗浄し
てもよい。
隙間515.1への液浸媒体110.1の進入を防止するために、周縁部シール素子5
15.5が最終レンズ素子109と第2層515.2との間に設けられている。シール素
子515.5は、さらに第2層515.2を最終レンズ素子109に対して固定する、接
着材によって形成されたリングである。
第2層515.2は、ここでも最終レンズ素子109の半径方向Rに良好な熱伝達をも
たらす。こうして第2層515.2内の対応して高い熱伝達率によって、液浸媒体110
.1によって励起された熱攪乱は急速に減じられるか、または完全に補償さえされる。結
果として、こうした熱攪乱は、生じたとしても程度が減じられてしか最終レンズ素子10
9に向けて伝搬されない。換言すれば、効果的な熱減衰効果が得られる。こうした熱攪乱
の伝搬のさらなる低減が、断熱性の第1層515.1によってもたらされる。換言すれば
、本発明では熱分離装置を形成している遮蔽体515によって、最終レンズ素子109は
、環境、特に液浸媒体110.1から効果的に熱分離される。
第2層515.2内の急速な熱伝達は、第2層515.2内に半径方向Rに延在する通
路システム515.7を設けることにより得られる。ポンプ装置の形の安定化装置および
温度調節装置515.6が、通路システム515.7内に伝熱媒体の好ましくは連続的な
流れ515.8による伝熱媒体の循環をもたらす。流体515.8の伝熱媒体は、所定の
温度および/または流量を有するように安定化装置515.6によって調節される。
流れ515.8は、初期には第2層515.2の第1通路515.9内を第2層515
.2の内周の変向領域515.10に向けて半径方向Rに流れる。流れ515.8は、変
向領域515.10で変向され、これにより、第2層515.2の第2通路515.11
内を第2層515.2の外周に向けて流れ戻る。第2通路515.11を離れると、流体
515.8は安定化装置515.6に戻り、安定化装置515.6において、温度および
/または流量を再び調節され、伝熱媒体回路に再循環される。
図7の最も簡単な場合には、通路システム515.9〜515.11は、狭幅の中空体
515.2と肉薄のリブ515.12とによって形成される。リブ515.12は中空体
515.2内に配置されており、最終レンズ素子109の半径方向Rおよび周方向に延在
している。リブ515.12は、第1通路515.9と第2通路515.11とを分離す
る。ここでも伝熱媒体を安定化装置515.6に向けて半径方向外向きに搬送する第2通
路515.11は、好ましくは最終レンズ素子109の背向側に配置されており、これに
より、最終レンズ素子109の領域から熱攪乱が急速に取り除かれる。しかしながら、こ
のように熱攪乱を急速に取り除く通路システムの任意の他の適宜な構成を用いてもよいこ
とは自明である。
ここでも疎水性の第3層が、第2層515.2の外面に設けられており、これにより、
上述のように、液浸媒体110.1の堆積した滴または飛沫の蒸発に起因する局所的なヒ
ートシンクが形成される可能性が減じられる。
図7に示すように、安定化装置515.6は、制御装置111.1に接続されており、
制御装置111.1によって制御されてもよい。このように、遮蔽部515において熱減
衰効果を能動的に制御することが可能である。したがって、本発明では遮蔽部515は能
動的な熱分離装置を形成している。
好ましくは、安定化装置515.6は、最終レンズ素子109に向いており、本発明に
おいて熱遮蔽素子を形成している第2層515.2の表面で、マイクロリソグラフィ装置
101の作動中にわたって、所定の温度分布、好ましくは一様な温度が実質的に保持され
るように制御される。このために、制御装置111.1に接続されたさらなる温度センサ
514.2が、第2層515.2の表面に設けられていてもよい。制御装置111.1は
、次いで温度センサ514.2によって供給された温度データを用いて上述のように安定
化装置515.6を制御する。
図8は、図2の詳細Dに対応する概略図において、本発明によるマイクロリソグラフィ
装置101のさらなる実施形態の熱遮蔽部615を示している。図2の遮蔽部115、図
6の遮蔽体415または図7の遮蔽部515の代わりに遮蔽部615を使用してもよい。
図8からわかるように、最終レンズ素子109内と液浸枠110.2との間に設けられ
たギャップにおいて、液浸媒体110.1を充填されていない部分110.4内に供給さ
れた伝熱媒体615.14の(好ましくは連続的な)流れ615.13によって遮蔽部6
15が形成される。流れ615.13は、ポンプ装置の形の安定化装置、および所定の温
度および流量を備えた伝熱媒体を供給する温度調節装置615.6によって供給される。
流れ615.13は、まず半径方向Rに、接触ゾーン615.14に向けて流れる。接
触ゾーン615.15内で伝熱媒体615.14は液浸媒体110.1に接触し、場合に
よってはこの液浸媒体110.1と混合される。接触ゾーン615.15の領域では、液
浸枠110.2内に通路615.16が設けられている。通路615.16は接触ゾーン
615.15に向けて開口している。この通路615.16によって、伝熱媒体615、
および、場合によっては(場合によっては伝熱媒体615.14と混合された)液浸媒体
110.1の部分が、最終レンズ素子109と液浸枠110.2との間の隙間から引き出
され、安定化装置615.6に再循環して戻される。
必要であれば、安定化装置615.6内では、伝熱媒体615.14と共に引き出され
た液浸媒体110.1の部分は、伝熱媒体615.14から分離される。安定化装置61
5.6は、伝熱媒体615の温度および流量を再調整し、伝熱媒体回路に再循環させる。
また安定化装置615.6は、望ましい流量だけ液浸媒体110.1を液浸ゾーン11
0に供給する。液浸ゾーン110に供給される液浸媒体110.1の流量、および最終レ
ンズ素子109と液浸枠110.2との間の隙間の一部110.4に供給される伝熱媒体
615の流量ならびに通路615.16内の流量は、相互に調節され、これにより、上述
のような構成(すなわち、液浸媒体110.1と伝熱媒体615.14とが接触領域61
5.15内で接触している)が得られる。さらに、これらの流量は相互に調整され、これ
により、最終レンズ素子109の内部の不都合な圧力変動が阻止される。
流れ615.13は、最終レンズ素子109の半径方向Rに最終レンズ素子109から
の良好な熱伝達を保証する。このように、流れ615.13によって誘発される対応して
高い熱伝達率により、液浸媒体110.1によって励起された熱攪乱は急速に減じられる
か、または完全に補償さえされる。結果として、こうした熱攪乱はあるとしても低減され
た形でのみ最終レンズ素子109に向かって伝搬される。換言すれば、効果的な熱減衰効
果が得られる。このような熱攪乱の伝搬のさらなる減衰が、図8に破線の輪郭615によ
って示したように、最終レンズ素子の断熱性の第1層によって得られてもよい。換言すれ
ば、本発明において熱分離装置を形成している遮蔽体615によって、最終レンズ素子1
09は、環境、特に液浸媒体110.1から効果的に断熱される。
図8に示すように、安定化装置615.6は、制御装置111.1に接続され、制御装
置111.1によって制御されてもよい。このように、遮蔽体615の熱減衰効果を能動
的に制御することが可能である。
熱減衰装置111は、さらに最終レンズ素子109のホルダ117と、最後から2番目
のレンズ素子108のホルダ118との間に配置され、第2の受動的な熱減衰成分、すな
わち本発明においては熱分離装置を形成しているリング状の第2遮蔽部116を備えてい
る。
第2遮蔽部116は、2つのホルダ117および118の接続領域から、投影パターン
をウェーハ105に投影する間には光学的に使用されていない最終レンズ素子109の表
面の区画109.3まで延在している。第2遮蔽部116は、さらにペルティエ素子11
4.1のための担体として役立つ。
図8に示した第2遮蔽部116は、高い熱伝導性を有する材料からなっている。2つの
ホルダ117および118の接続領域では、第2遮蔽部116は、温度の安定化された中
間素子119に接続されており、伝熱媒体源119.2によって一定の温度に保持される
伝熱媒体、例えば水が中間素子119の環状通路119.1を通過する。
温度の安定化された中間素子119の一定温度および第2遮蔽部116の高い熱伝導性
によって、第2遮蔽部116においてホルダ117に向いている方の側でほぼ一定の温度
が得られる。したがって、最終レンズ素子109のホルダ117および最終レンズ素子1
09の一部が対物レンズ104の残り部分から熱遮蔽され、これにより、前記側で生じた
最終レンズ素子109の熱攪乱が減衰される。
原則的に、ここでも第2遮蔽部116は適宜に設計されていてよい。特に本発明の他の
変形態様によれば、第2遮蔽部116は、上述の第1遮蔽部の変化態様と同様に簡単な単
一層状または多層状の断熱装置として設計されていてもよい。しかしながら、第2遮蔽部
116は、少なくとも1つの高い熱伝導性を有する層と、少なくとも1つの断熱層とを備
える2つ以上の層を組み合わせたものであってもよい。特に図8に示した実施形態では、
対応断熱層は、第2遮蔽部116においてホルダ117に向いている側に形成されていて
もよい。
図9は、マイクロリソグラフィ装置101により実施されてもよい本発明による光学結
像方法の好ましい実施形態のブロック図を示している。
まず、ステップ120.1で方法の実施が開始される。ステップ120.2では、マイ
クロリソグラフィ装置101の部品が、上述の構成が得られるように互いに対して位置決
めされる。
ステップ120.3では、マスク103.1上の投影パターンの少なくとも一部が、上
述のようにウェーハ10.1上に投影される。ステップ120.3では、この投影に並行
して、上述のように、最終レンズ素子109の環境、特に液浸媒体110.1によって誘
発された最終レンズ素子109の温度分布の変動の減衰が、熱減衰装置によってもたらさ
れる。
このために、ステップ120.4で対応する温度が、上述のように温度センサ112.
2,112.3,114.2,114.3によって確立される。さらに、さらなるパラメ
ータ、例えば液浸媒体110.1の実測供給温度TIF、液浸媒体110.1の流量およ
び照射装置102の実測光出力が、上述のように確立される。
ステップ120.5では、制御装置111は液浸ゾーン110内の液浸媒体110.1
内の実測温度分布TIならびに最終レンズ素子109の実測温度分布TEを確立する。こ
れは、上述のように、記憶された温度挙動モデルおよびステップ120.3で確立された
データを用いて行われる。さらに、制御装置111は、独立した作用装置(例えば温度調
節装置112.2、供給装置112.1、第2供給装置113.2、ペルティエ素子11
4.1など)に対する制御値Cを確立する。
温度挙動モデルは、捕捉された、または確立された温度ならびにさらなるパラメータ(
例えば、液浸媒体110.1の流量、照明装置102の光出力など)と、温度挙動モデル
の各対象(すなわち、それぞれ最終レンズ素子109および液浸媒体110.1)内で予
想される温度分布との間の関係を示す。
温度挙動モデルの各部分は、温度挙動モデルの各対象(すなわち、最終レンズ素子10
9または液浸媒体110.1)のために経験的に、かつ/またはシミュレーション計算に
よって確立されてもよい。マイクロリソグラフィ装置101の作動中に規則的に繰り返さ
れる状況では、液浸ゾーン110において液浸媒体110.1内の実測温度分布TIなら
びに最終レンズ素子109内の実測温度分布TEの十分に正確な推測が行われる。
ステップ120.6では、確立された制御値Cを用いて、制御パラメータCPが、上述
のように制御装置111.1(例えば、温度調節装置112.2、供給装置112.1、
第2供給装置113.2、ペルティエ素子114.1など)によって各作用装置を制御す
ることにより作用を受ける。
ステップ120.7では、方法の実施を停止すべきか否かがチェックされる。方法の実
施を停止すべき場合には、方法の実施はステップ120.8で停止される。さもなければ
、ステップ120.3に戻る。
以上には、複数の能動的な熱減衰制御回路112,113,114および受動的な熱減
衰構成要素115,116が組み合わせて設けられている例を用いて本発明を説明した。
しかしながら、本発明の別の実施態様では、単一の能動的な熱減衰制御回路および受動的
な熱減衰構成要素を、それぞれ単体で、または任意の組み合わせで用いてもよい。
以上には、さらに最終レンズ素子109の一部が光学的な結像中に液浸媒体110.1
内に液浸される例を用いて本発明を説明した。しかしながら、少なくとも一時的に液浸媒
体を充填された液浸ゾーンが(最終レンズ素子とウェーハとの間の液浸ゾーンに対して付
加的または択一的に)光学素子群の2つの光学素子の間に配置されている液浸システムと
の関連で本発明を用いることもできることは自明である。このような複合液浸システムま
たは二重液浸システムが、例えば国際公開第2006/080212号パンフレット、国
際公開第2004/019128号パンフレット、国際公開第2006/051689号
パンフレット、国際公開第2006/126522号パンフレット、国際公開第2006
/121008号パンフレットおよび米国特許第7180572号明細書により公知であ
り、その開示内容は全て参照により本明細書に含まれる。
図2に対応する図10は、マイクロリソグラフィ装置101において用いられてもよい
二重液浸システムを概略的に示している。ここでは、レンズ素子109は、ウェーハ10
5.1に隣接して配置されているのではなく、レンズ素子109とウェーハ105.1と
の間に配置されたレンズ素子709の形のさらなる光学素子に隣接している。液浸ゾーン
110は、レンズ素子109とレンズ素子709との間に配置されており、さらなる液浸
媒体710.1を充填されたさらなる液浸ゾーン710がレンズ素子709とウェーハ1
05.1との間に配置されている。
熱減衰装置111は、上述のように、環境により引き起こされ、レンズ素子109の温
度分布に熱攪乱を引き起こしやすい環境の熱減衰をもたらすように構成されている。さら
なる熱減衰が環境、特に液浸媒体によって引き起こされ、さらなるレンズ素子709の温
度分布に熱攪乱を引き起こしやすい、環境、特に液浸媒体によって誘発された熱減衰をも
たらすために設けられていることは自明である。
液浸媒体110.1は、液浸媒体610.1と同一であっても異なっていてもよい。任
意の適当な液浸媒体を用いてもよい。このような液浸媒体の例は、重水または重酸素水、
例えばDO、D、Hであり、この場合、OはアイソトープO16、
およびO18を含んでいてもよい。これらの液浸媒体は、2つの液浸媒体の屈折率の間
の望ましい関係および/または光学素子109、709の屈折率と液浸媒体110.1、
710.1のいずれか一方または両方の屈折率との間の望ましい関係が得られる任意の比
率で混合してもよい。このような混合物のための対応した屈折率の例および値が米国特許
出願公開第2006/092533号明細書、米国特許出願公開第2006/06692
6号明細書および国際公開第2005/106589号パンフレットに記載されており、
その全開示内容は参照により本明細書に組み入れられる。
以上に、光学素子群が屈折光学素子のみからなる例によって本発明を説明した。しかし
ながら、特に異なる波長で結像処理を行う場合には、もちろん単体で、または任意の組み
合わせで、屈折、反射または回折光学素子を備えている光学素子群と共に使用してもよい
さらに、以上にマイクロリソグラフィ分野の例を用いて本発明を説明した。しかしなが
ら、任意の他の用途および結像処理のためにそれぞれ本発明を用いることもできることは
自明である。

Claims (68)

  1. 投影パターンを有するマスクを収容するためのマスク装置と、
    光学素子群を有する投影装置と、
    基板を収容するための基板装置と、
    液浸ゾーンとを備える光学結像装置であって、
    前記光学素子群が、前記基板に投影パターンを投影するように構成されており、
    前記光学素子群が、少なくとも一時的に前記液浸ゾーンに隣接して配置された液浸素子
    を有する複数の光学素子を備え、
    作動中に、前記液浸ゾーンは、少なくとも一時的に液浸媒体を充填されているか、前記
    液浸素子を形成する最終光学素子と前記基板との間に配置されているか、またはその双方
    であり、
    前記液浸媒体によって前記液浸素子の温度分布TEに誘発された変動を減じるように構
    成された熱減衰装置が設けられており、
    該熱減衰装置が、前記液浸素子を該液浸素子の環境の少なくとも一部から少なくとも部
    分的に熱分離する少なくとも1つの熱分離装置を備え、
    前記液浸素子が、前記投影パターンを前記基板に投影する間に光学的に使用される第1
    領域と光学的に使用されない第2領域とを備え、
    熱分離装置として第1遮蔽部が設けられており、該第1遮蔽部が、前記第2領域の少な
    くとも一部にわたって、前記液浸媒体に隣接して配置されており、前記第2領域の少なく
    とも一部を前記液浸媒体に対して熱遮蔽することを特徴とする光学結像装置。
  2. 投影パターンを有するマスクを収容するためのマスク装置と、
    光学素子群を有する投影装置と、
    基板を収容するための基板装置と、
    液浸ゾーンとを備える光学結像装置であって、
    前記光学素子群が、前記基板に投影パターンを投影するように構成されており、
    前記光学素子群が、少なくとも一時的に前記液浸ゾーンに隣接して配置された液浸素子
    を有する複数の光学素子を備え、
    作動中に、前記液浸ゾーンは、少なくとも一時的に液浸媒体を充填されているか、前記
    液浸素子を形成する最終光学素子と前記基板との間に配置されているか、またはその双方
    であり、
    前記液浸媒体によって前記液浸素子の温度分布TEに誘発された変動を減じるように構
    成された熱減衰装置が設けられており、
    該熱減衰装置が、前記液浸素子を該液浸素子の環境の少なくとも一部から少なくとも部
    分的に熱分離する少なくとも1つの熱分離装置を備え、
    前記液浸素子が、前記投影パターンを前記基板に投影する間に光学的に使用される第1
    領域と光学的に使用されない第2領域とを備え、
    熱分離装置として第2遮蔽部が設けられており、該第2遮蔽部が、前記第2領域の少な
    くとも一部にわたって、前記投影装置に隣接して配置されており、前記第2領域の少なく
    とも一部を前記投影装置に対して熱遮蔽することを特徴とする光学結像装置。
  3. 請求項2に記載の光学結像装置において、
    前記液浸素子が保持装置によって保持され、
    熱分離装置として第3遮蔽部が設けられており、該第3遮蔽部が、前記保持装置の少な
    くとも一部を前記投影装置の少なくとも一部に対して熱遮蔽する光学結像装置。
  4. 請求項3に記載の光学結像装置において、
    前記第3遮蔽部が、前記投影装置の隣接区画に隣接して配置された前記保持装置の領域
    の少なくとも一部を前記投影装置の前記隣接区画に対して熱遮蔽する光学結像装置。
  5. 請求項1に記載の光学結像装置において、
    前記第1遮蔽部が、
    少なくとも1つの受動的な断熱装置を備える光学結像装置。
  6. 請求項5に記載の光学結像装置において、
    前記少なくとも1つの受動的な断熱装置は、有機材料を備える光学結像装置。
  7. 請求項1に記載の光学結像装置において、
    前記第1遮蔽部が、少なくとも1つの遮蔽素子と、該遮蔽素子に接続された少なくとも
    1つの温度調節装置とを有する少なくとも1つの能動的な遮蔽部を備え、前記温度調節装
    置が、前記遮蔽素子の少なくとも1つの表面の選択可能な温度部分布が実質的に保持され
    るように構成されている光学結像装置。
  8. 請求項7に記載の光学結像装置において、
    前記温度調節装置が、前記少なくとも1つの遮蔽素子の領域に伝熱媒体の流れを生じさ
    せるように構成されている光学結像装置。
  9. 請求項2に記載の光学結像装置において、
    前記第2遮蔽部が、少なくとも1つの遮蔽素子と、該遮蔽素子に接続された少なくとも1
    つの温度調節装置とを有する少なくとも1つの能動的な遮蔽部を備え、前記温度調節装置
    が、前記遮蔽素子の少なくとも1つの表面の選択可能な温度部分布が実質的に保持される
    ように構成されている光学結像装置。
  10. 請求項3に記載の光学結像装置において、
    前記第3遮蔽部が、前記投影装置に設けられた温度の安定化された中間素子に接続され
    ている光学結像装置。
  11. 請求項1、5から8のいずれか1項に記載の光学結像装置において、
    前記熱分離装置が、少なくとも1つの疎水性の表面を、前記液浸素子に背向側に備えて
    いる光学結像装置。
  12. 請求項7から9までの何れか1項に記載の光学結像装置において、
    前記液浸素子に対して目標温度分布TSEが与えられており、
    前記熱減衰装置が、前記目標温度分布TSEからの所定の最大偏差ΔTEを保持するよ
    うに構成されている光学結像装置。
  13. 請求項11に記載の光学結像装置において、
    前記最大偏差ΔTEが、10mK未満、好ましくは1mK未満である光学結像装置。
  14. 請求項1から13までのいずれか1項に記載の光学結像装置において、
    前記液浸素子が実測温度分布TEを有し、前記液浸素子に対して目標温度分布TSEが
    与えられており、
    前記熱減衰装置が、少なくとも1つの確立装置と、前記確立装置に少なくとも一時的に
    接続された制御装置と、該制御装置に少なくとも一時的に接続された作用装置とを備え、
    前記確立装置が、前記実測温度分布TEに作用するか、または該実測温度分布TEを示
    す少なくとも1つのパラメータPを確立し、
    前記制御装置が、前記確立されたパラメータPおよび前記目標温度分布TSEに関連し
    て少なくとも1つの制御値Cを確立し、
    前記作用装置が、前記少なくとも1つの確立された制御値Cに関連して、前記実測温度
    分布TEに影響する制御パラメータCPを、前記目標温度分布TSEからの前記実測温度
    分布TEの偏差に反作用するよう作用させる、光学結像装置。
  15. 請求項14に記載の光学結像装置において、
    前記パラメータPが、前記液浸媒体の少なくとも1つの局所温度または前記液浸素子の
    少なくとも1つの局所温度である光学結像装置。
  16. 請求項15に記載の光学結像装置において、
    前記確立装置が、
    少なくとも1つの局所温度を測定するための少なくとも1つの温度センサを備え、かつ
    /または
    少なくとも1つの局所温度を評価するための少なくとも1つの評価装置を備える光学結
    像装置。
  17. 請求項14から16までのいずれか1項に記載の光学結像装置において、
    前記制御パラメータCPが、
    前記液浸媒体の温度、
    前記液浸媒体の流量、
    前記液浸媒体に接触するガス雰囲気の温度、
    前記液浸媒体に接触するガス雰囲気の湿度、
    前記液浸媒体に接触するガス雰囲気の流量、または
    前記液浸素子に作動接続している少なくとも1つの温度調節素子の温度
    である光学結像装置。
  18. 請求項14から17までのいずれか1項に記載の光学結像装置において、
    前記制御装置が、前記液浸素子および/または前記液浸ゾーン内の前記液浸媒体の温度
    挙動モデルを用いて前記制御値Cを確立するように構成されている光学結像装置。
  19. 請求項18に記載の光学結像装置において、
    前記制御装置が、前記温度挙動モデルを示すモデルデータまたは前記温度挙動モデルを
    示すモデルデータを計算するためのパラメータを記憶するメモリを備え、
    前記制御装置が、前記モデルデータを用いて前記制御値Cを確立する光学結像装置。
  20. 請求項14から19までのいずれか1項に記載の光学結像装置において、
    前記熱減衰装置が、前記作用装置として、前記液浸ゾーンに供給された前記液浸媒体の
    温度を調節するための少なくとも1つの第1温度調節装置を備える光学結像装置。
  21. 請求項20に記載の光学結像装置において、
    前記制御装置が、前記液浸媒体内で予想される前記温度分布TIの変化ΔTIEに関連し
    て、前記第1温度調節装置に対する制御値Cを確立し、これにより、前記第1温度調節装
    置が、前記液浸ゾーンに供給された前記液浸媒体の前記温度を供給温度TIFとなるよう
    に調節し、
    前記液浸媒体内で予想される前記温度分布TIの前記変化ΔTIEにより、所定の温度
    分布TSIが前記液浸媒体内で予想されるように、前記供給温度TIFが選択される光学
    結像装置。
  22. 請求項20または21に記載の光学結像装置において、
    前記第1温度調節装置が、前記液浸ゾーンへの前記液浸媒体の入口領域に配置されてい
    る光学結像装置。
  23. 請求項14から22までのいずれか1項に記載の光学結像装置において、
    前記熱減衰装置が、前記作用装置として、隣接ガス雰囲気との接触領域で蒸発により誘
    発される前記液浸媒体の冷却に作用する調節装置を備え、
    前記調節装置が、前記液浸媒体に接触する前記ガス雰囲気の少なくとも1つの状態パラ
    メータを調節し、
    前記少なくとも1つの状態パラメータが、前記ガス雰囲気の温度TA、前記ガス雰囲気
    の湿度HAまたは前記ガス雰囲気の流量VAである光学結像装置。
  24. 請求項23に記載の光学結像装置において、
    前記制御装置が、前記接触領域で蒸発により誘発される前記液浸媒体の所定の冷却が予
    想されるように、前記接触領域内の前記液浸媒体の状態に関連して前記調節装置に対する
    制御値Cを確立する光学結像装置。
  25. 請求項23または24に記載の光学結像装置において、
    前記接触領域が、実質的に前記液浸媒体の自由平面全体にわたって延在している光学結
    像装置。
  26. 請求項14から25までのいずれか1項に記載の光学結像装置において、
    前記熱減衰装置が、前記作用装置として、前記液浸素子の温度を調節するために、前記
    液浸素子と作動接続している少なくとも1つの第2温度調節装置を備えている光学結像装
    置。
  27. 請求項26に記載の光学結像装置において、
    前記制御装置が、前記確立装置によって確立される前記液浸ゾーンの前記液浸媒体内の
    温度分布TIに関連して前記第2温度調節装置に対する前記制御値Cを確立し、これによ
    り、前記第2温度調節装置が、前記液浸媒体内で確立された前記温度分布TIに基づく、
    前記目標温度分布TSEからの前記実測温度分布TEの偏差に反作用するように、前記液
    浸素子の温度を調節する光学結像装置。
  28. 請求項26または27に記載の光学結像装置において、
    前記第2温度調節装置が、前記液浸素子の周縁部領域に配置されている光学結像装置。
  29. 請求項26から28までのいずれか1項に記載の光学結像装置において、
    前記第2温度調節装置が、
    少なくとも1つのペルティエ素子を備え、かつ/または
    前記液浸素子に配置された少なくとも1つの抵抗加熱装置を備え、該抵抗加熱装置が、
    前記液浸素子内に埋設されているか、または前記液浸媒体に対して保護層によって被覆さ
    れ、かつ/または
    前記液浸素子に加熱照射線を供給するための少なくとも1つの照射加熱装置を備えてい
    る光学結像装置。
  30. 請求項14から29までのいずれか1項に記載の光学結像装置において、
    前記液浸素子の少なくとも1つの結像エラーが低減され、かつ/または
    前記光学素子群の少なくとも1つの結像エラーが低減されるように、前記目標温度分布
    TSEが選択される光学結像装置。
  31. 請求項1から30までのいずれか1項に記載の光学結像装置において、
    前記液浸素子が、石英ガラスの屈折率よりも大きい屈折率を有し、かつ/または石英ガ
    ラスの屈折率よりも温度依存性が大きい屈折率を有する材料からなっている光学結像装置
  32. 請求項1から31までのいずれか1項に記載の光学結像装置において、
    前記液浸素子が、スピネルまたはLuAGから作製されている光学結像装置。
  33. 請求項1から32までのいずれか1項に記載の光学結像装置において、
    前記液浸素子が、作動中に少なくとも一時的に前記基板に隣接して配置される、前記光
    学素子群の最終光学素子である光学結像装置。
  34. 請求項1から33までのいずれか1項に記載の光学結像装置において、
    開口数が少なくとも1.3である光学結像装置。
  35. 光学素子群の光学素子によって基板に投影パターンを投影し、
    前記光学素子群の液浸素子を、液浸ゾーンの領域で少なくとも部分的に液浸媒体内に液
    浸し、前記液浸媒体を前記基板に隣接して配置する光学結像法において、
    前記液浸媒体により前記液浸素子の温度分布TEに誘発された変動を、第1遮蔽部を備
    える熱減衰装置によって減衰し、
    該熱減衰装置によって、前記液浸素子を、該液浸素子の環境の少なくとも一部から少な
    くとも部分的に熱分離し、
    前記液浸素子が、前記基板に前記投影パターンを投影する間に光学的に使用される第1
    領域と光学的に使用されない第2領域とを備え、
    前記第2領域の少なくとも一部にわたって、前記第1遮蔽部を前記液浸媒体に隣接して
    配置し、前記第2領域の少なくとも一部を前記液浸媒体に対して熱遮蔽することを特徴と
    する光学結像法。
  36. 光学素子群の光学素子によって基板に投影パターンを投影し、
    前記光学素子群の液浸素子を、液浸ゾーンの領域で少なくとも部分的に液浸媒体内に液
    浸し、前記液浸媒体を前記基板に隣接して配置する光学結像法において、
    前記液浸媒体により前記液浸素子の温度分布TEに誘発された変動を、第2遮蔽部を備
    える熱減衰装置によって減衰し、
    該熱減衰装置によって、前記液浸素子を、該液浸素子の環境の少なくとも一部から少な
    くとも部分的に熱分離し、
    前記液浸素子が、前記基板に前記投影パターンを投影する間に光学的に使用される第1
    領域と光学的に使用されない第2領域とを備え、
    前記第2領域の少なくとも一部にわたって、前記第2遮蔽部を投影装置に隣接して配置
    し、前記第2領域の少なくとも一部を前記投影装置に対して熱遮蔽することを特徴とする
    光学結像法。
  37. 請求項36に記載の光学結像法において、
    保持装置によって前記液浸素子を保持し、第3遮蔽部により前記保持装置の少なくとも
    一部を、前記投影装置の少なくとも一部に対して遮蔽する光学結像法。
  38. 請求項37に記載の光学結像法において、
    前記投影装置の隣接区画に隣接して配置された前記保持装置の領域の少なくとも一部を
    、前記投影装置の前記隣接区画に対して遮蔽する光学結像法。
  39. 請求項35に記載の光学結像法において、
    前記第1遮蔽部は、少なくとも1つの受動的な断熱装置によって前記熱分離を行う光学
    結像方法。
  40. 請求項39に記載の光学結像法において、
    前記少なくとも1つの受動的な断熱装置は、有機材料を備える光学結像方法。
  41. 請求項35に記載の光学結像方法において、
    前記第1遮蔽部は、少なくとも1つの遮蔽素子と該遮蔽素子に接続された少なくとも1
    つの温度調節装置とを有する少なくとも1つの能動的な遮蔽部によって前記熱分離を行い
    、前記遮蔽素子の少なくとも1つの表面で選択可能な温度分布が維持されるように前記温
    度調節装置を配置する光学結像法。
  42. 請求項41に記載の光学結像法において、
    前記温度調節装置によって、前記少なくとも1つの遮蔽素子の領域で伝熱媒体の流れを
    生じさせる光学結像法。
  43. 請求項36に記載の光学結像方法において、
    前記第2遮蔽部は、少なくとも1つの遮蔽素子と該遮蔽素子に接続された少なくとも1
    つの温度調節装置とを有する少なくとも1つの能動的な遮蔽部によって前記熱分離を行い
    、前記遮蔽素子の少なくとも1つの表面で選択可能な温度分布が維持されるように前記温
    度調節装置を配置する光学結像法。
  44. 請求項37に記載の光学結像方法において、
    前記第3遮蔽部は、前記投影装置に設けられた温度の安定化された中間素子に接続され
    ている光学結像法。
  45. 請求項41から43の何れか一項に記載の光学結像法において、
    前記液浸素子に対して目標温度分布TSEを与え、
    前記熱減衰装置により、前記目標温度分布TSEからの所定の最大偏差ΔTEを保持す
    る光学結像法。
  46. 請求項45に記載の光学結像法において、
    前記最大偏差ΔTEを、10mK未満、好ましくは1mK未満にする光学結像法。
  47. 請求項35から46までのいずれか1項に記載の光学結像法において、
    前記最終液浸素子が実測温度分布TEを有し、前記液浸素子に対して目標温度分布TS
    Eを与え、
    前記熱減衰装置が、少なくとも1つの確立装置と、前記確立装置に少なくとも一時的に
    接続された制御装置と、該制御装置に少なくとも一時的に接続された作用装置とを備え、
    前記確立装置が、前記実測温度分布TEに作用するか、または前記実測温度分布TEを
    示す少なくとも1つのパラメータPを確立し、
    前記制御装置が、前記確立されたパラメータPおよび前記目標温度分布TSEに関連し
    て、少なくとも1つの制御値Cを確立し、
    前記作用装置が、前記少なくとも1つの確立された制御値Cに関連して、前記実測温度
    分布TEに作用する制御パラメータCPを、前記目標温度分布TSEからの前記実測温度
    分布TEの偏差に反作用するように作用させる光学結像法。
  48. 請求項47に記載の光学結像法において、
    前記パラメータPを、前記液浸媒体の少なくとも1つの局所温度または前記液浸素子の
    少なくとも1つの局所温度とする光学結像法。
  49. 請求項48に記載の光学結像法において、
    前記少なくとも1つの局所温度を測定し、かつ/または
    前記少なくとも1つの局所温度を評価する光学結像法。
  50. 請求項47から49までのいずれか1項に記載の光学結像法において、
    前記制御パラメータCPを、
    前記液浸媒体の温度、
    前記液浸媒体の流量、
    前記液浸媒体に接触するガス雰囲気の温度、
    前記液浸媒体に接触するガス雰囲気の湿度、
    前記液浸媒体に接触するガス雰囲気の流量、または
    前記液浸素子と作動接続している少なくとも1つの温度調節素子の温度とする光学結像
    法。
  51. 請求項47から50までのいずれか1項に記載の光学結像法において、
    前記液浸ゾーン内における前記液浸素子および/または前記液浸媒体の温度挙動モデル
    を用いて前記制御値Cを確立する光学結像法。
  52. 請求項51に記載の光学結像法において、
    前記制御値Cを確立するためにモデルデータを使用し、
    前記モデルデータを、前記温度挙動モデルまたは前記温度挙動モデルを計算するための
    パラメータとする光学結像法。
  53. 請求項47から52までのいずれか1項に記載の光学結像法において、
    前記液浸ゾーンに供給される前記液浸媒体の温度を調節する光学結像法。
  54. 請求項53に記載の光学結像法において、
    前記液浸媒体内で予想される前記温度分布TIの変化ΔTIEに関連して前記制御値C
    を確立し、これにより、前記液浸ゾーンに供給される前記液浸媒体の前記温度を、供給温
    度TIFとなるように調節し、
    前記液浸媒体内で予想される前記温度分布TIの前記変化ΔTIEに基づき、所定の温
    度分布TSIが前記液浸媒体内で予想されるように、前記供給温度TIFを選択する光学
    結像法。
  55. 請求項53または54に記載の光学結像法において、
    前記液浸ゾーンへの前記液浸媒体の入口領域で前記液浸媒体の前記温度を調節する光学
    結像法。
  56. 請求項47から55までのいずれか1項に記載の光学結像法において、
    前記熱減衰装置を、隣接ガス雰囲気との接触領域で蒸発により誘発される前記液浸媒体
    の冷却に作用させ、
    前記液浸媒体に接触する前記ガス雰囲気の少なくとも1つの状態パラメータを調節し、
    前記少なくとも1つの状態パラメータを、前記ガス雰囲気の温度TA、前記ガス雰囲気
    の湿度HAまたは前記ガス雰囲気の流量VAとする光学結像法。
  57. 請求項56に記載の光学結像法において、
    前記接触領域内の前記液浸媒体の状態に関連して前記制御値Cを確立し、これにより、
    前記液浸媒体の蒸発により誘発される所定の冷却が前記接触領域で予想されるようにする
    光学結像法。
  58. 請求項56または57に記載の光学結像法において、
    前記液浸媒体の自由面全体にわたって前記接触領域を延在させる光学結像法。
  59. 請求項47から58までのいずれか1項に記載の光学結像法において、
    前記温度減衰装置によって、前記液浸素子の温度を直接に調節する光学結像法。
  60. 請求項59に記載の光学結像法において、
    前記液浸ゾーンの前記液浸媒体内の温度分布TIに関連して前記制御値Cを確立し、こ
    れにより、前記液浸媒体内で確立された前記温度分布TIに基づく前記目標温度分布TS
    Eからの前記実測温度分布TEの偏差に反作用するように前記液浸素子の温度を調節する
    光学結像法。
  61. 請求項59または60に記載の光学結像法において、
    前記液浸素子の温度を液浸素子の周縁部領域で調節する光学結像法。
  62. 請求項59から61までのいずれか1項に記載の光学結像法において、
    少なくとも1つのペルティエ素子によって前記液浸素子の温度を調節し、かつ/または
    前記液浸素子に配置された少なくとも1つの抵抗加熱装置によって前記液浸素子の温度を
    調節し、該抵抗加熱装置が、前記液浸素子内に埋設されているか、または前記液浸媒体に
    対して保護層によって被覆され、かつ/または
    前記液浸素子に加熱照射線を供給するための少なくとも1つの照射加熱装置によって前
    記液浸素子の温度を調節する光学結像法。
  63. 請求項47から62までのいずれか1項に記載の光学結像法において、
    前記液浸素子の少なくとも1つの光学結像エラーが低減されるように前記目標温度分布
    TSEを選択する光学結像法。
  64. 請求項47から63までのいずれか1項に記載の光学結像法において、
    前記光学素子群の少なくとも1つの結像エラーが低減されるように前記目標温度分布T
    SEを選択する光学結像法。
  65. 請求項35から64までのいずれか1項に記載の光学結像法において、
    石英ガラスの屈折率よりも大きい屈折率を有する材料により前記液浸素子を作製する光
    学結像法。
  66. 請求項35から65までのいずれか1項に記載の光学結像法において、
    石英ガラスの屈折率よりも温度依存性が大きい屈折率を有する材料により前記液浸素子
    を作製する光学結像法。
  67. 請求項35から65までのいずれか1項に記載の光学結像法において、
    スピネルまたはLuAGから前記液浸素子を作製する光学結像法。
  68. 請求項35から67までのいずれか1項に記載の光学結像法において、
    開口数を少なくとも1.3にする光学結像法。
JP2016058868A 2006-05-09 2016-03-23 光学結像装置 Expired - Fee Related JP6240247B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE200610021797 DE102006021797A1 (de) 2006-05-09 2006-05-09 Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung
DE102006021797.7 2006-05-09

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014097025A Division JP5908940B2 (ja) 2006-05-09 2014-05-08 光学結像装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017212383A Division JP2018055111A (ja) 2006-05-09 2017-11-02 光学結像装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016177289A true JP2016177289A (ja) 2016-10-06
JP6240247B2 JP6240247B2 (ja) 2017-11-29

Family

ID=38529694

Family Applications (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009508387A Expired - Fee Related JP5543201B2 (ja) 2006-05-09 2007-05-09 光学結像装置
JP2012175295A Expired - Fee Related JP5543549B2 (ja) 2006-05-09 2012-08-07 光学結像装置
JP2014097025A Active JP5908940B2 (ja) 2006-05-09 2014-05-08 光学結像装置
JP2016058868A Expired - Fee Related JP6240247B2 (ja) 2006-05-09 2016-03-23 光学結像装置
JP2017212383A Withdrawn JP2018055111A (ja) 2006-05-09 2017-11-02 光学結像装置

Family Applications Before (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009508387A Expired - Fee Related JP5543201B2 (ja) 2006-05-09 2007-05-09 光学結像装置
JP2012175295A Expired - Fee Related JP5543549B2 (ja) 2006-05-09 2012-08-07 光学結像装置
JP2014097025A Active JP5908940B2 (ja) 2006-05-09 2014-05-08 光学結像装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017212383A Withdrawn JP2018055111A (ja) 2006-05-09 2017-11-02 光学結像装置

Country Status (8)

Country Link
US (4) US8363206B2 (ja)
EP (1) EP2016465B1 (ja)
JP (5) JP5543201B2 (ja)
KR (1) KR101411764B1 (ja)
CN (1) CN101479665B (ja)
DE (1) DE102006021797A1 (ja)
TW (1) TWI432909B (ja)
WO (1) WO2007128835A1 (ja)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE459898T1 (de) * 2004-01-20 2010-03-15 Zeiss Carl Smt Ag Belichtungsvorrichtung und messeinrichtung für eine projektionslinse
DE102006021797A1 (de) * 2006-05-09 2007-11-15 Carl Zeiss Smt Ag Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung
EP2136250A1 (en) * 2008-06-18 2009-12-23 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
NL2003341A (en) * 2008-08-22 2010-03-10 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
TWI457714B (zh) * 2008-09-17 2014-10-21 Asml Netherlands Bv 微影裝置及其操作方法
NL2003392A (en) 2008-09-17 2010-03-18 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus.
NL2004497A (en) * 2009-05-01 2010-11-02 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus.
GB2470049B (en) * 2009-05-07 2011-03-23 Zeiss Carl Smt Ag Optical imaging with reduced immersion liquid evaporation effects
NL2004808A (en) 2009-06-30 2011-01-12 Asml Netherlands Bv Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method.
EP2365390A3 (en) 2010-03-12 2017-10-04 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
NL2009272A (en) * 2011-08-31 2013-03-04 Asml Netherlands Bv A fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method.
DE102013203338A1 (de) 2013-02-28 2014-08-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Modellbasierte Steuerung einer optischen Abbildungseinrichtung
DE102014202737A1 (de) * 2014-02-14 2015-08-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Lagerelement und system zum lagern eines optischen elements
CN106662822A (zh) 2014-07-01 2017-05-10 Asml荷兰有限公司 光刻设备和制造光刻设备的方法
WO2016000883A1 (en) 2014-07-04 2016-01-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and a method of manufacturing a device using a lithographic apparatus
US10001712B2 (en) 2014-07-25 2018-06-19 Asml Netherlands B.V. Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method
JP6502498B2 (ja) * 2014-12-03 2019-04-17 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 熱伝導部品を有する光学アセンブリ
DE102014224717A1 (de) * 2014-12-03 2016-07-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Element, optische Anordnung und Herstellungsverfahren
DE102017216376A1 (de) 2017-09-15 2017-12-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische abbildungsanordnung mit mechanisch entkoppelter kühlung
DE102017217192A1 (de) * 2017-09-27 2019-03-28 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Immersionsmatrix, dessen Verwendung und Immersionsvorrichtung
DE102017217380A1 (de) * 2017-09-29 2019-04-04 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Immersionsvorrichtung zur dynamischen Anpassung eines Mediums an eine Probe
DE102017009472A1 (de) * 2017-10-12 2019-04-18 Precitec Gmbh & Co. Kg Vorrichtung für ein Laserbearbeitungssystem, Laserbearbeitungssystem mit derselben und Verfahren zum Einstellen einer Fokuslage eines optischen Elements
US10344328B2 (en) 2017-11-17 2019-07-09 Ultima Genomics, Inc. Methods for biological sample processing and analysis
US11499962B2 (en) 2017-11-17 2022-11-15 Ultima Genomics, Inc. Methods and systems for analyte detection and analysis
EP3489732A1 (en) 2017-11-24 2019-05-29 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Apparatus and method for simultaneous imaging and execution of contact-free directed hydrodynamic flow
US10512911B1 (en) 2018-12-07 2019-12-24 Ultima Genomics, Inc. Implementing barriers for controlled environments during sample processing and detection
US11118223B2 (en) 2019-03-14 2021-09-14 Ultima Genomics, Inc. Methods, devices, and systems for analyte detection and analysis
US10830703B1 (en) 2019-03-14 2020-11-10 Ultima Genomics, Inc. Methods, devices, and systems for analyte detection and analysis
US10852518B1 (en) * 2019-03-14 2020-12-01 Ultima Genomics, Inc. Methods, devices, and systems for analyte detection and analysis
US10900078B2 (en) 2019-03-14 2021-01-26 Ultima Genomics, Inc. Methods, devices, and systems for analyte detection and analysis
US20220236646A1 (en) * 2021-01-22 2022-07-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Immersion exposure tool
CN117093815B (zh) * 2023-10-10 2024-01-26 浙江威格泵业有限公司 一种用于bmc变频循环屏蔽泵流速检测方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06124873A (ja) * 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JPH088178A (ja) * 1994-04-22 1996-01-12 Canon Inc 投影露光装置及びデバイスの製造方法
JP2004304145A (ja) * 2003-03-19 2004-10-28 Nikon Corp 露光装置
JP2005051231A (ja) * 2003-07-16 2005-02-24 Asml Netherlands Bv リトグラフ装置およびデバイス製造方法
JP2005252247A (ja) * 2004-02-04 2005-09-15 Nikon Corp 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
WO2005101121A2 (en) * 2004-04-13 2005-10-27 Carl Zeiss Smt Ag Optical element unit for exposure processes
WO2005119369A1 (en) * 2004-06-04 2005-12-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection system with compensation of intensity variatons and compensation element therefor
JP2006049909A (ja) * 2004-08-04 2006-02-16 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置、照明システムを有する装置、投影システムを有する装置、リソグラフィ装置の光学要素およびデバイス製造方法
JP5543549B2 (ja) * 2006-05-09 2014-07-09 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 光学結像装置

Family Cites Families (224)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5919912Y2 (ja) 1978-08-21 1984-06-08 清水建設株式会社 複合熱交換器
US4269067A (en) * 1979-05-18 1981-05-26 International Business Machines Corporation Method and apparatus for focusing elastic waves converted from thermal energy
US4509852A (en) * 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
US4346164A (en) * 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
JPS57117238A (en) 1981-01-14 1982-07-21 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer
JPS6113794Y2 (ja) 1981-01-16 1986-04-28
JPS57152129A (en) 1981-03-13 1982-09-20 Sanyo Electric Co Ltd Developing method of resist
JPS57152129U (ja) 1981-03-17 1982-09-24
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS57153433U (ja) 1981-03-20 1982-09-27
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
JPS5919912A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS61113376A (ja) 1984-11-07 1986-05-31 Sony Corp テレビジヨン信号の動き検出装置
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS6265326U (ja) 1985-10-16 1987-04-23
JPH0782981B2 (ja) 1986-02-07 1995-09-06 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
JPH033222Y2 (ja) 1986-12-23 1991-01-28
JPS63157419U (ja) 1987-03-31 1988-10-14
JPH0521314Y2 (ja) 1987-04-23 1993-06-01
DE68921687T2 (de) 1988-09-02 1995-08-03 Canon Kk Belichtungseinrichtung.
JP2774574B2 (ja) 1989-05-30 1998-07-09 キヤノン株式会社 露光装置
JPH0629204Y2 (ja) 1989-10-19 1994-08-10 株式会社ヤマウ 止水目地
US5220171A (en) * 1990-11-01 1993-06-15 Canon Kabushiki Kaisha Wafer holding device in an exposure apparatus
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JP3200874B2 (ja) 1991-07-10 2001-08-20 株式会社ニコン 投影露光装置
US5243195A (en) * 1991-04-25 1993-09-07 Nikon Corporation Projection exposure apparatus having an off-axis alignment system and method of alignment therefor
JPH0562877A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系
JPH0629204A (ja) 1992-07-08 1994-02-04 Fujitsu Ltd レジスト現像方法及び装置
JP2753930B2 (ja) * 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
US5738165A (en) * 1993-05-07 1998-04-14 Nikon Corporation Substrate holding apparatus
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
US5874820A (en) 1995-04-04 1999-02-23 Nikon Corporation Window frame-guided stage mechanism
US5528118A (en) * 1994-04-01 1996-06-18 Nikon Precision, Inc. Guideless stage with isolated reaction stage
US5850280A (en) 1994-06-16 1998-12-15 Nikon Corporation Stage unit, drive table, and scanning exposure and apparatus using same
US6721034B1 (en) * 1994-06-16 2004-04-13 Nikon Corporation Stage unit, drive table, and scanning exposure apparatus using the same
JP3484684B2 (ja) 1994-11-01 2004-01-06 株式会社ニコン ステージ装置及び走査型露光装置
US5623853A (en) * 1994-10-19 1997-04-29 Nikon Precision Inc. Precision motion stage with single guide beam and follower stage
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JPH08316124A (ja) * 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JPH09232213A (ja) 1996-02-26 1997-09-05 Nikon Corp 投影露光装置
JP3661291B2 (ja) * 1996-08-01 2005-06-15 株式会社ニコン 露光装置
EP0823662A2 (en) 1996-08-07 1998-02-11 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
JP3695000B2 (ja) 1996-08-08 2005-09-14 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置
US5825043A (en) 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
CN1244021C (zh) * 1996-11-28 2006-03-01 株式会社尼康 光刻装置和曝光方法
EP0890136B9 (en) 1996-12-24 2003-12-10 ASML Netherlands B.V. Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device
JPH10255319A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
JPH1116816A (ja) 1997-06-25 1999-01-22 Nikon Corp 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法
JP4210871B2 (ja) 1997-10-31 2009-01-21 株式会社ニコン 露光装置
US6020964A (en) 1997-12-02 2000-02-01 Asm Lithography B.V. Interferometer system and lithograph apparatus including an interferometer system
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
US6897963B1 (en) * 1997-12-18 2005-05-24 Nikon Corporation Stage device and exposure apparatus
WO1999031462A1 (fr) 1997-12-18 1999-06-24 Nikon Corporation Platine et appareil d'exposition
JP4264676B2 (ja) 1998-11-30 2009-05-20 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
DE19807094A1 (de) * 1998-02-20 1999-08-26 Zeiss Carl Fa Optische Anordnung und Projektionsbelichtungsanlage der Mikrolithographie mit passiver thermischer Kompensation
WO1999049504A1 (fr) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
US5997963A (en) 1998-05-05 1999-12-07 Ultratech Stepper, Inc. Microchamber
DE19820158A1 (de) 1998-05-06 1999-11-11 Convergenza Ag Vaduz Verfahren und Vorrichtung zur Blutoxygenierung
WO1999060361A1 (fr) 1998-05-19 1999-11-25 Nikon Corporation Instrument et procede de mesure d'aberrations, appareil et procede de sensibilisation par projection incorporant cet instrument, et procede de fabrication de dispositifs associe
US6819414B1 (en) 1998-05-19 2004-11-16 Nikon Corporation Aberration measuring apparatus, aberration measuring method, projection exposure apparatus having the same measuring apparatus, device manufacturing method using the same measuring method, and exposure method
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
WO2001035168A1 (en) 1999-11-10 2001-05-17 Massachusetts Institute Of Technology Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams
US7187503B2 (en) * 1999-12-29 2007-03-06 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective for immersion lithography
US6995930B2 (en) * 1999-12-29 2006-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
JP2001267239A (ja) 2000-01-14 2001-09-28 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
TW550377B (en) * 2000-02-23 2003-09-01 Zeiss Stiftung Apparatus for wave-front detection
JP2002198303A (ja) 2000-12-27 2002-07-12 Nikon Corp 露光装置、光学特性計測方法、及びデバイス製造方法
JP2002014005A (ja) 2000-04-25 2002-01-18 Nikon Corp 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置
US20020041377A1 (en) * 2000-04-25 2002-04-11 Nikon Corporation Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method
TWI226972B (en) * 2000-06-01 2005-01-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
JP2002005586A (ja) 2000-06-23 2002-01-09 Canon Inc 物体温度調節用熱交換装置、該熱交換装置を使用して製造した投影レンズ及び該熱交換装置を使用した光学系を具備する装置
JP4692862B2 (ja) 2000-08-28 2011-06-01 株式会社ニコン 検査装置、該検査装置を備えた露光装置、およびマイクロデバイスの製造方法
JP2002231622A (ja) * 2000-11-29 2002-08-16 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
KR100866818B1 (ko) * 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
EP1231514A1 (en) 2001-02-13 2002-08-14 Asm Lithography B.V. Measurement of wavefront aberrations in a lithographic projection apparatus
EP1364257A1 (en) 2001-02-27 2003-11-26 ASML US, Inc. Simultaneous imaging of two reticles
WO2002091078A1 (en) 2001-05-07 2002-11-14 Massachusetts Institute Of Technology Methods and apparatus employing an index matching medium
TW529172B (en) * 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
US6675809B2 (en) * 2001-08-27 2004-01-13 Richard S. Stack Satiation devices and methods
DE10229818A1 (de) * 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
DE10210899A1 (de) * 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
US7092069B2 (en) * 2002-03-08 2006-08-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure method and projection exposure system
US20050088634A1 (en) * 2002-03-15 2005-04-28 Nikon Corporation Exposure system and device production process
TWI300953B (en) 2002-03-15 2008-09-11 Nikon Corp Exposure system and device manufacturing process
US6828542B2 (en) 2002-06-07 2004-12-07 Brion Technologies, Inc. System and method for lithography process monitoring and control
KR20050035890A (ko) 2002-08-23 2005-04-19 가부시키가이샤 니콘 투영 광학계, 포토리소그래피 방법, 노광 장치 및 그 이용방법
US7367345B1 (en) 2002-09-30 2008-05-06 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
US7093375B2 (en) 2002-09-30 2006-08-22 Lam Research Corporation Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing
US6988326B2 (en) 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Phobic barrier meniscus separation and containment
US6954993B1 (en) 2002-09-30 2005-10-18 Lam Research Corporation Concentric proximity processing head
US6788477B2 (en) * 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
US7110081B2 (en) * 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE60335595D1 (de) 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
EP1420298B1 (en) 2002-11-12 2013-02-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
SG121819A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121822A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121818A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101470360B (zh) * 2002-11-12 2013-07-24 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
DE10253679A1 (de) * 2002-11-18 2004-06-03 Infineon Technologies Ag Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren
SG131766A1 (en) * 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10258718A1 (de) * 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
US6992750B2 (en) * 2002-12-10 2006-01-31 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
CN100446179C (zh) * 2002-12-10 2008-12-24 株式会社尼康 曝光设备和器件制造法
DE10257766A1 (de) * 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
JP4184346B2 (ja) 2002-12-13 2008-11-19 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 層上のスポットを照射するための方法及び装置における液体除去
CN100385535C (zh) 2002-12-19 2008-04-30 皇家飞利浦电子股份有限公司 照射光敏层上斑点的方法和装置
US7010958B2 (en) * 2002-12-19 2006-03-14 Asml Holding N.V. High-resolution gas gauge proximity sensor
US7514699B2 (en) 2002-12-19 2009-04-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
DE10261775A1 (de) 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
US6781670B2 (en) * 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
DE10301799B4 (de) 2003-01-20 2005-08-11 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur Homogenisierung optischer Eigenschaften einer optischen Komponente
US7090964B2 (en) * 2003-02-21 2006-08-15 Asml Holding N.V. Lithographic printing with polarized light
US7206059B2 (en) 2003-02-27 2007-04-17 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US6943941B2 (en) * 2003-02-27 2005-09-13 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7029832B2 (en) 2003-03-11 2006-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Immersion lithography methods using carbon dioxide
US20050164522A1 (en) 2003-03-24 2005-07-28 Kunz Roderick R. Optical fluids, and systems and methods of making and using the same
KR20050110033A (ko) 2003-03-25 2005-11-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR20110104084A (ko) 2003-04-09 2011-09-21 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
SG2012050829A (en) 2003-04-10 2015-07-30 Nippon Kogaku Kk Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus
WO2004090633A2 (en) 2003-04-10 2004-10-21 Nikon Corporation An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus
CN1771463A (zh) * 2003-04-10 2006-05-10 株式会社尼康 用于沉浸光刻装置收集液体的溢出通道
KR101324818B1 (ko) 2003-04-11 2013-11-01 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
KR101697896B1 (ko) 2003-04-11 2017-01-18 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법
JP4582089B2 (ja) 2003-04-11 2010-11-17 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム
EP1614000B1 (en) 2003-04-17 2012-01-18 Nikon Corporation Immersion lithographic apparatus
JP4025683B2 (ja) 2003-05-09 2007-12-26 松下電器産業株式会社 パターン形成方法及び露光装置
JP4146755B2 (ja) 2003-05-09 2008-09-10 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP2004363559A (ja) 2003-05-14 2004-12-24 Canon Inc 光学部材保持装置
JP4552853B2 (ja) * 2003-05-15 2010-09-29 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP5143331B2 (ja) 2003-05-28 2013-02-13 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
KR20150036794A (ko) 2003-05-28 2015-04-07 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
DE10324477A1 (de) * 2003-05-30 2004-12-30 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
JP4054285B2 (ja) 2003-06-12 2008-02-27 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4084710B2 (ja) 2003-06-12 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
JP4029064B2 (ja) 2003-06-23 2008-01-09 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4084712B2 (ja) 2003-06-23 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
EP1639391A4 (en) * 2003-07-01 2009-04-29 Nikon Corp USE OF FLUIDS SPECIFIED ISOTOPICALLY AS OPTICAL ELEMENTS
EP1498781B1 (en) 2003-07-16 2019-04-17 ASML Netherlands B.V. Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method
US7384149B2 (en) 2003-07-21 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system
US7006209B2 (en) 2003-07-25 2006-02-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7326522B2 (en) * 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
US7175968B2 (en) * 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
US7579135B2 (en) * 2003-08-11 2009-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits
US7700267B2 (en) * 2003-08-11 2010-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography
US7061578B2 (en) * 2003-08-11 2006-06-13 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7085075B2 (en) * 2003-08-12 2006-08-01 Carl Zeiss Smt Ag Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3
US6844206B1 (en) 2003-08-21 2005-01-18 Advanced Micro Devices, Llp Refractive index system monitor and control for immersion lithography
KR101094114B1 (ko) * 2003-08-26 2011-12-15 가부시키가이샤 니콘 광학소자 및 노광장치
US6954256B2 (en) * 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
US7070915B2 (en) * 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
US7014966B2 (en) * 2003-09-02 2006-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems
EP1660925B1 (en) 2003-09-03 2015-04-29 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
WO2005029559A1 (ja) 2003-09-19 2005-03-31 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US6961186B2 (en) * 2003-09-26 2005-11-01 Takumi Technology Corp. Contact printing using a magnified mask image
US7369217B2 (en) * 2003-10-03 2008-05-06 Micronic Laser Systems Ab Method and device for immersion lithography
TW201738932A (zh) * 2003-10-09 2017-11-01 Nippon Kogaku Kk 曝光裝置及曝光方法、元件製造方法
EP1524558A1 (en) 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7678527B2 (en) * 2003-10-16 2010-03-16 Intel Corporation Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids
WO2005038888A1 (ja) 2003-10-22 2005-04-28 Nikon Corporation 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法
JP2005159322A (ja) * 2003-10-31 2005-06-16 Nikon Corp 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法
JP2007525824A (ja) 2003-11-05 2007-09-06 ディーエスエム アイピー アセッツ ビー.ブイ. マイクロチップを製造するための方法および装置
US7924397B2 (en) * 2003-11-06 2011-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications
US7061579B2 (en) * 2003-11-13 2006-06-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7545481B2 (en) 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005054953A2 (en) 2003-11-24 2005-06-16 Carl-Zeiss Smt Ag Holding device for an optical element in an objective
US7125652B2 (en) 2003-12-03 2006-10-24 Advanced Micro Devices, Inc. Immersion lithographic process using a conforming immersion medium
US6977713B2 (en) * 2003-12-08 2005-12-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100965330B1 (ko) 2003-12-15 2010-06-22 칼 짜이스 에스엠티 아게 적어도 한 개의 액체 렌즈를 가진 마이크로리소그래피 투사대물렌즈로서의 대물렌즈
WO2005106589A1 (en) 2004-05-04 2005-11-10 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore
JP5106858B2 (ja) 2003-12-15 2012-12-26 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 高開口数と平面状端面とを有する投影対物レンズ
US20050185269A1 (en) * 2003-12-19 2005-08-25 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
WO2005059645A2 (en) 2003-12-19 2005-06-30 Carl Zeiss Smt Ag Microlithography projection objective with crystal elements
US7460206B2 (en) 2003-12-19 2008-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for immersion lithography
US7589818B2 (en) * 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7119884B2 (en) 2003-12-24 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20050147920A1 (en) * 2003-12-30 2005-07-07 Chia-Hui Lin Method and system for immersion lithography
US7088422B2 (en) * 2003-12-31 2006-08-08 International Business Machines Corporation Moving lens for immersion optical lithography
JP4371822B2 (ja) * 2004-01-06 2009-11-25 キヤノン株式会社 露光装置
JP4429023B2 (ja) * 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US20050153424A1 (en) * 2004-01-08 2005-07-14 Derek Coon Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography
JP5420821B2 (ja) 2004-01-14 2014-02-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 反射屈折投影対物レンズ
KR101295439B1 (ko) 2004-01-16 2013-08-09 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 편광변조 광학소자
WO2005069078A1 (en) 2004-01-19 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens
ATE459898T1 (de) * 2004-01-20 2010-03-15 Zeiss Carl Smt Ag Belichtungsvorrichtung und messeinrichtung für eine projektionslinse
US7026259B2 (en) * 2004-01-21 2006-04-11 International Business Machines Corporation Liquid-filled balloons for immersion lithography
US7391501B2 (en) * 2004-01-22 2008-06-24 Intel Corporation Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography
EP1723467A2 (en) 2004-02-03 2006-11-22 Rochester Institute of Technology Method of photolithography using a fluid and a system thereof
KR101579361B1 (ko) * 2004-02-04 2015-12-21 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
EP1716454A1 (en) 2004-02-09 2006-11-02 Carl Zeiss SMT AG Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
US7050146B2 (en) * 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20070165198A1 (en) 2004-02-13 2007-07-19 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
EP1721201A1 (en) 2004-02-18 2006-11-15 Corning Incorporated Catadioptric imaging system for high numerical aperture imaging with deep ultraviolet light
JP4393227B2 (ja) * 2004-02-27 2010-01-06 キヤノン株式会社 露光装置、デバイスの製造方法、露光装置の製造方法
US20050205108A1 (en) * 2004-03-16 2005-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for immersion lithography lens cleaning
ITTO20040232A1 (it) * 2004-04-14 2004-07-14 Eltek Spa Dispositivo per prevenire il deterioramento di sostanze in esso contenute e il comportamento anomalo di sue parti interne
JP2005311020A (ja) * 2004-04-21 2005-11-04 Nikon Corp 露光方法及びデバイス製造方法
JP4515335B2 (ja) 2004-06-10 2010-07-28 株式会社ニコン 露光装置、ノズル部材、及びデバイス製造方法
JP5130609B2 (ja) 2004-06-10 2013-01-30 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
KR101378688B1 (ko) * 2004-06-21 2014-03-27 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7180572B2 (en) * 2004-06-23 2007-02-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion optical projection system
US20060001851A1 (en) * 2004-07-01 2006-01-05 Grant Robert B Immersion photolithography system
US20060013959A1 (en) * 2004-07-15 2006-01-19 Morales Hector D Process to apply a polimeric coating on non-ferrous substrates
US7304715B2 (en) * 2004-08-13 2007-12-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100648310B1 (ko) * 2004-09-24 2006-11-23 삼성전자주식회사 영상의 휘도 정보를 이용한 색변환장치 및 이를 구비하는디스플레이 장치
WO2006047127A1 (en) 2004-10-21 2006-05-04 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Optical lens elements, semiconductor lithographic patterning apparatus, and methods for processing semiconductor devices
US20080123074A1 (en) 2004-11-10 2008-05-29 Nikon Corporation Projection Optical System, Exposure Equipment and Exposure Method
WO2006059636A1 (ja) 2004-12-02 2006-06-08 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US7405805B2 (en) * 2004-12-28 2008-07-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101236023B1 (ko) 2005-01-28 2013-02-21 가부시키가이샤 니콘 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법
EP1701179A1 (de) * 2005-03-08 2006-09-13 Schott AG Verfahren zur Herstellung von optischen Elementen für die Mikrolithographie, damit erhältliche Linsensysteme und deren Verwendung
US8089608B2 (en) * 2005-04-18 2012-01-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP5055566B2 (ja) 2005-05-12 2012-10-24 株式会社ニコン 投影光学系、露光装置、および露光方法
JP4596191B2 (ja) 2005-05-24 2010-12-08 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06124873A (ja) * 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JPH088178A (ja) * 1994-04-22 1996-01-12 Canon Inc 投影露光装置及びデバイスの製造方法
JP2004304145A (ja) * 2003-03-19 2004-10-28 Nikon Corp 露光装置
JP2005051231A (ja) * 2003-07-16 2005-02-24 Asml Netherlands Bv リトグラフ装置およびデバイス製造方法
JP2005252247A (ja) * 2004-02-04 2005-09-15 Nikon Corp 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
WO2005101121A2 (en) * 2004-04-13 2005-10-27 Carl Zeiss Smt Ag Optical element unit for exposure processes
WO2005119369A1 (en) * 2004-06-04 2005-12-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection system with compensation of intensity variatons and compensation element therefor
JP2006049909A (ja) * 2004-08-04 2006-02-16 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置、照明システムを有する装置、投影システムを有する装置、リソグラフィ装置の光学要素およびデバイス製造方法
JP5543549B2 (ja) * 2006-05-09 2014-07-09 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 光学結像装置
JP5543201B2 (ja) * 2006-05-09 2014-07-09 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 光学結像装置
JP5908940B2 (ja) * 2006-05-09 2016-04-26 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 光学結像装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP5543201B2 (ja) 2014-07-09
TW200813641A (en) 2008-03-16
JP2018055111A (ja) 2018-04-05
JP2012256921A (ja) 2012-12-27
US20090135385A1 (en) 2009-05-28
US8363206B2 (en) 2013-01-29
EP2016465B1 (en) 2016-09-14
CN101479665B (zh) 2012-07-11
CN101479665A (zh) 2009-07-08
US20150109591A1 (en) 2015-04-23
EP2016465A1 (en) 2009-01-21
JP6240247B2 (ja) 2017-11-29
KR20090018939A (ko) 2009-02-24
US9810996B2 (en) 2017-11-07
KR101411764B1 (ko) 2014-06-25
US20130114057A1 (en) 2013-05-09
JP5908940B2 (ja) 2016-04-26
JP5543549B2 (ja) 2014-07-09
JP2009536452A (ja) 2009-10-08
JP2014168095A (ja) 2014-09-11
WO2007128835A1 (en) 2007-11-15
DE102006021797A1 (de) 2007-11-15
TWI432909B (zh) 2014-04-01
US20180181007A1 (en) 2018-06-28
US8902401B2 (en) 2014-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6240247B2 (ja) 光学結像装置
JP5992066B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置および投影レンズのための測定装置
KR102021432B1 (ko) 센서, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
JP4972127B2 (ja) リソグラフィ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170113

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170124

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20170424

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170721

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20171003

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20171102

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6240247

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees