TWI360887B - A damascene copper wiring image sensor - Google Patents

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TWI360887B TW094141863A TW94141863A TWI360887B TW I360887 B TWI360887 B TW I360887B TW 094141863 A TW094141863 A TW 094141863A TW 94141863 A TW94141863 A TW 94141863A TW I360887 B TWI360887 B TW I360887B
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James W Adkisson
Jeffrey P Gambino
Mark D Jaffe
Robert K Leidy
Anthony K Stamper
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Description

1360887 九、發明說明： 相關應用之交互參考文獻 本發明係相關於同受讓人之美國專利申請第 --__號出服920040147US1 (17910))於_ 提出申請且發明名稱為「AN IMAGE SENSOR WITH CU WIRING AND METHOD OF ELIMINATING HIGH REPI^CTIVITY INTERFACES THEREFROM」，其整個内 容及揭露係於此完整地納入參考。 【發明所屬之技術領域】 本發明I關於半導體像素成像器(imager)陣列的製 造，尤其是相關於創新的半導體像素成像器結構以及藉由 最佳化鏡片下之介電層以增加光影像感測器之靈敏度之 創新製程。 【先前技術】 互補式金氧半導體(CMOS)影像感測器逐漸取代傳統 電荷耦合元件(CCD)感測器作為需要影像擷取如數位相 機、行動電話、個人數位助理(PDA)、個人電腦及類似的 應用。CMOS影像感測器的優點係藉由應用於半導體裝置 如光二極體或類似⑱之現# CM〇s製造程序以低成本製 造。此外’ CMOS影像感測器可藉由單一電源供應器來操 作，。使得功率損耗得以維持較CCD感測器低。再者，cm〇s 邏輯電路及類似的邏輯處理裝置可輕易地整合至感測器 4IBM/05J46TW ; BUR9-20〇4-〇16l(JL) 晶片，因此CMOS影像感測器可加以縮小化。 專利文獻詳盡描述CMOS影像感測器陣列及其製造 方面之參考。美國專利公開號20003/0038293、 2002/0033492 及 2001/0010952 描述 CMOS 影像陣列設計 領域的典型’亦如核准之美國專利號6,635,912、6,611,013 及6,362,498。然而’在這些領域的裝置中，沒有任何一個 在像素設計上使用銅金屬化層的描述。亦即，鋁銅(AlCu) 金屬層係目前製造於現今CMOS影像感測器上，其由於鋁 金屬增加的阻抗，故需要較厚的介電質堆疊。較厚的介電 質意指需要較厚的層間介電層，致使降低到達像素光轉換 元件(如光二極體)之光強度。因而犧牲CM〇s成像器之靈 敏度。 當半導體工業預期繼續以鋁銅作為0.18 y m節點 CMOS影像感測器技術時’將高度地需要提供具有以鑲嵌 銅金屬線金屬化(如Ml及M2)層之CMOS影像感測器， 其需要厚度變異較小之較薄的層間介電質堆疊，此乃因為 免除了消除式(subtractive)姓刻紹銅導線所需之介電質化 學機械研磨步驟，因此更多的光將到達光二極體而增加像 素陣列之靈敏度。然七’由於銅易受氧化及污染，而在銅 上需要鈍化層。舉例而言’在銅導線上需要SiN、siC、SiCN 或類似的鈍化層。亦即，在鑲嵌銅導線上使用siN、siC、 SiCN或相似的鈍化層作為反應性離子姓刻(见£)終止層及 4IBM/05146TW ； BUR9-2004-0161(JL) 銅擴散阻障層， 感測器相容。 而由於折神秘g⑽問題無法與光影像 、因^高度需要提供-種影像感測器及製造方法，其中 此感測器包含金屬化層之鋼金祕，以解決折射率不匹配 的問題’且同時選擇性地藉由最佳化鏡片下的介電層以 增加光影像感測器之靈敏度。 【發明内容】 本發明關於增加光影像感測器靈敏度之結構及方 法’其係最佳化於實_導_像_巾之鏡4下的介電 層。 於創新的半導體光影像結構之數個具體實施例中，其 免除了於影像濾光塗佈層(image flltering c〇ating)及鏡片下 之大部分或所有的銅擴散阻障介電材料(如氮化物）。此乃 藉由圖案化及向下蝕刻至矽基板，於適當位置留下影像感 測器上之氮化層或是移除氮化層而達成。於選替實施例 中’沿著開口侧壁加入介電質或導體間隙壁，及/或環繞開 口加入金屬護環結構，以消除移動離子污染問題及自側壁 至偵測器之潛在反射光。 因此’提供一種影像感測器及製造方法，其中影像感 剩器包含銅金屬化層，其允許與厚度變異性降低的薄層間 4IBM/05I46TW ： BUR9-2004-0I6KJL) 介電堆疊配合，而獲得增加光靈敏度之像素陣列。影像感 測器初始製造包含薄(如，1 · 100㈣介電阻障層(如PEC VD 或HDPCVD SiN、Sic、SiCN等)於每一層間銅金屬化層 上，其輪跨感測器陣列中每一像素之光路徑。然後，藉由 實施單-遮罩或是自行對準方法，進行姓刻以完全地^ ，列中每—像素之光路徑位置上之阻障層金屬，並且接 著，提供一回填(refill)介電質以填塞蝕刻後的開口。於選 替實施例，在沉積回填介電質前，沿著钱刻開口的侧壁形 成-反射或是吸收材料層，藉由反射光至下方之光二極體 或是藉由減少光反射來改善像素之靈敏度。 根據本發明之-方面在於提供-郷像制器該影 像感測器包含-陣列之像素，每—像素包含： 一頂層，包含一像素微鏡片供接收光； -半導體基板’包含—光敏元件形成於其巾且供接收 入射至像素微鏡片之光； --介電材料結構’提供於頂層及形成於基板中之感光 元件間之一光路徑中；以及 ;-層間介電材料層堆疊，具有一或多層之銅金屬化層 /成於八間且母一金屬化層包含一銅金屬導線結構鄰接 像素之介電材料結構，每—銅金屬導線結構包含—阻 料層形成於其上， ％ 其中在像素中钱刻—開口以界定光路徑後，介電材料 構形成為—介電回填製程之部分。 4IBM/05I46TW : BUR9-2004-0i6i(JL) 时根據本發明之又-方面在於提供一種製造影像感測 益像素陣狀方法，每—像素包含—頂層，頂層包含 素微鏡片供接收光，此方法包含： 豕 每-陣列像素形成-光敏元件於一半導體基板内，光 敏元件用以接收入射至一各別像素微鏡片之光； 在基板頂部上形成層間介電層之一堆疊，並在堆疊形 成之鄰近的層間介電層間，形成包含一銅金屬導線結才^ 一銅金屬化層，銅金屬導線結構形成於陣列之每一像素間 的位置’且形成-轉材料層於每—銅金屬導線結構頂ς 上； 移除光敏元件上方之層間介電層堆疊之一部份，以界 定一像素之一光路徑;以及 1 在頂層與光敏元件間，以介電材料回填在光路徑中堆 疊之移除部分。 本發明製造影像感測器像素陣列之方法的優點包含 實施單一遮罩或是自行對準遮罩方法，執行單一蝕刻可完 全地移除橫跨每一像素之光路徑之層間介電堆疊以及阻 障層金屬。 於另一選替具體實施例，於沉積回填之介電質前，一 層反射或吸附材料層沿蝕刻開口側壁形成，以拉忠 至下方光二極體或是減低光反射來改善=素射先 4IBM/05146TW ; BUR9-20〇4-0161(JL) -9- 【實施方式】 圖1繪示影像感測器像素陣列10。如圖所示，此陣列 包含複數個微鏡片12，且每個微鏡片〗2具有一半球形， 配置於一平滑平坦層17上，例如一旋塗聚合物。平滑平 坦層17形成於彩色濾光片陣列15頂部，以促使微鏡片陣 列之形成。彩色濾光片陣列15包含獨立的紅色、綠色及 藍色遽光元件25(主要色彩遽光片），或選替地，青綠色 (cyan)、品紅色(magenta)及黃色濾光元件(互補色彩濾光 片）。微鏡片陣列12之每一個微鏡片22係對準一相對應之 彩色遽光元件25’並包含一像素2〇之一上方光接收部分。 此像素20包含一胞單元部分(ceiip〇r(i〇n)，係製造於一半 導體基板14部分上，其含有一堆疊係包含一或多個層間 介電層30a-30c配合金屬化互連層M1、M2鋁丨…)導線層 35a、35b。層間介電材料可包含例如一聚合物或二氧化石夕 (Si〇2)。因為铭金屬化互連層35a、35b不需要鈍化保護層， 所以並沒有顯示各自的阻障層。如進一步於圖丨所示，具 有鋁金屬化層35a，b之每一像素胞單元2〇，進一步包含一 最終鋁金屬層36，其導線連接至每一像素2〇間之M1與
M2金屬化層’以及一最終鈍化層28形成於導線連接層 36上。最終純化層28可包含SiN、si〇2、Sic、SiCN、si〇N 或其組合。雖未詳細地顯示，但每一像素2〇皆包含一光 電轉換裝置，其包含執行光電轉換之光敏元件，如光二極 體18，以及執行電荷放大與切換之電晶體(未繪示）。每一 像素20產生單一電荷係對應每一像素所接收的光強度， 41BM/05146TW : BUR9-2004-0I6HJL) -10- 1360887 且藉由域於半導縣板14上之光電轉換(光二極體)元 件18轉變為—信號電流^進—步的阻障或帽蓋層，例如
SiN層38之氮化物，係形成於石夕基板14表面未石夕化的擴 散區域上。 由於鋁金屬阻抗增加，因此影像感測器中使用鋁金屬 層35a，35b便需要較厚的介電堆疊。此較厚的介電質意指 • 需要較厚的介電層30a_3〇c，而導致到達光轉換元件(光二 極體)之光強度減少，亦即，犧牲了像素2〇的靈敏度。 本發明關於具有鑲嵌銅(Cu)金屬線作為崖卜河2層之 景>像感測器技術，其需要較薄的層間介電堆疊，且由於無 須介電質化學機械研磨(CMP)或是消除式蝕刻A1Ql導線 所需之平坦化步驟，因而具有較小的厚度變異性，因此更 多的光將會到達光二極體，而增加像素陣列之靈敏度。由 於銅對於氧化與污染較敏感，因此在銅金屬上需要^化層 鲁保護，且為了阻播銅擴散至周遭的介電質裡，在銅導線上 耑要SiN、SiC、SiCN或疋類似的純化層。然而，使用、 SiC、SiCN或是類似層於鑲嵌銅導線作為停止層與銅 擴散阻障層’因其折射率不匹配的問題而與光學影像感測 器不相容’因此不用在本發明影像感測器陣列之光路徑。 圖2為一橫截面圖’顯示後段製程(BE〇L)之影像减測 器陣列1〇〇,其與同受讓人申請中之美國專利申請案第、 4IBM/05146TW ： BUR9-2004-0161(JL) -11 - _號(BUR920040147US1 (17910))於 申請且發明名稱為「AM IMAGE SENSOR WITH CU WIRING AND METHOD OF ELIMINATING HIGH REFLECTIVITY INTERFACES THEREFROM」所描述之 實施例類似，係具有包含多重銅擴散阻障層之銅導線。雖 然像素20之上光接收部分(微鏡片22與彩色渡光片25)係 與圖1之先前技藝相同，本發明包含形成銅金屬化互連層 Ml、M2，其允許於基板14上形成較薄之層間介電層 130a-130c之堆疊。基板Η可為主體(bulk)半導體，包含 如 Si、SiGe、SiC、SiGeC、GaAs、InP、InAs 以及其他三 五族(III-V)化合物半導體、Π-VI、Π-V族等化合物半導 體、或是層狀半導體如絕緣層上矽(S0I)、絕緣層上碳化矽 (SiCOI)或絕緣層上矽鍺(SG0I)、或是絕緣基板如石英或礬 土(alumina)。較佳地，此層間介電材料可包含一有機或無 機的層間介電質(ILD)材料，其可藉由任何所習知技藝沈 積，例如濺鍍、旋轉塗佈、或是PECVD，且可包含一習 知旋轉塗佈有機介電質、旋轉塗佈無機介電質或其組合， 係具有約4.2或更低之介電常數。可使用在本發明之合適 的有機介電質包括含碳(C)、氧(〇)、氟(F)及/或氫⑻之介 電質。可以使用在本發明之有機介電質例示細包含但 不僅限於··料雜附錄合輯脂(_咖the_ett& polymeric resins) ’ 譬如 D0W Chemical c〇mpany 所售商標 為S!LK之樹脂、Honeywel丨所售商標為Fiare之樹脂，以 及其他供顧之_泰、似其他_之錢介電質。 4iBM/05l46TW ; BUR9-2004-0!6I(JL) -12- 作為層間介電層之有機介電質可為或可不為多孔的 (porous)，而多孔的有機介電質具有降低的k值所以較佳。 可使用作為層間介電質之合適的無機介電質典型包含 Si、0與Η以及選用的碳，譬如Si02、氟矽酸玻璃 (fluorosilicate glass，FSG)、SiCOH、摻碳的氧化物 (carbon-doped oxides，CDO)、碳氧化發 (silicon-oxicarbides)、有機石夕酸玻璃(organicsilicate glasses，OSG) ’其係藉由電漿強化化學氣相沈積(PECVD) 技術沈積。可使用之無機介電質之例示類型包含，但並不 僅限於:倍半矽氧烷(silsesquioxane) HOSP (Honeywell 所 售）、甲基倍半石夕氧烧(methylsilsesquioxane，MSQ)、氫倍 半矽氧烷(hydrogen silsesquioxane，HSQ)、MSQ-HSQ 共聚 物(copolymers)、使用四乙基正矽酸鹽(TEOS)或矽甲烷 (Si%)作為矽之來源及利用〇2、N2〇、N〇等作為氧化劑所 沈積之Si〇2、有機石夕烧(organosilane)及其他含石夕材料。為 便於討論，假定無機介電材料為Si02。 參考圖2，第一導線層(Ml)結構前之前段製程 (FEOL)，如MOS電晶體，影像感測器等，以及至前段結 構之鎢或其他金屬導體接觸係由習知技藝所製造。用以形 成Ml層之方法包含首先在基板帽蓋層38頂部，沈積Si02 或其他介電層130c(譬如約2kA至20kA間的厚度範圍， 較佳範圍為4kA及5kA之間），使用熟知微影及反應性離 子蝕刻(RIE)技術圖案化溝槽於si〇2層130c中，且於溝槽 4IBM/05146TW ; BUR9-2004-016I(JL) 13 1360887 襯以金屬襯層’例如一或多個難冶金屬(refractoiy metal) 如组(Ta)、氮化组(TaN)、氮化鈦(TiN)、氮化石夕鈦(TiSiN)、 鎢(W)、碳氮化鎢(WCN)、釕(Ru)。接著，銅金屬填塞具 襯層之溝槽，以形成銅Ml層135b，其後使用習知CMP 技術研磨。之後，一阻障或是銅擴散層132b(如SiN)沈積 於銅Ml金屬化層頂部(如厚度範圍約至2〇〇nm P3, 且較佳範圍為20 nm-70 nm之間）。於此具體實施例，乃降 低銅互連層頂部之氮化層132b的厚度以最小化反射率 (reflectance)。應瞭解可使用其他阻障層材料，包含但不僅 限於:SiON、SiC、SiCN、SiCON、SiCO 材料等。此製程 重複用在後續的雙鑲嵌(dual-damascene)第二銅導線層M2 及第一介層VI之金屬化層，藉此薄的]v[2/Vl介電層130b (如Si〇2)係沈積於銅擴散層132b上，至一厚度範圍約2kA 至20kA之間’較佳為1微米’並且接著M2/V1金屬化層 的形成係藉由習知微影與蝕刻技術，在Si〇2層中圖案化溝 槽及介層，且於溝槽及介層襯以一金屬襯層，例如難冶金 屬’以及利用銅金屬材料填塞具襯層之溝槽，以形成銅 M2層135a，其後使用習知CMP技術研磨。之後，一阻 障或是銅擴散層132a (如SiN)沈積於銅M2層135a頂部， 譬如至一厚度範圍約20A至2kA間。後續步驟包含形成 層間介電層130a於擴散層132a頂部；形成鑲嵌鎢或其他 導體介層’以及根據習知技術之最終消除式蝕刻鋁銅金屬 化層36。選替地，一錐形(tapered)介層如習知地可取代鑲 嵌鎢介層。較佳地’於圖2所述之具體實施例，Ml及M2 4IBM/05146TW ： BUR9-2004-0161(JL) -14- 擴散阻障層之總厚度約為20nm或更低，以便最小化 率。 ^如圖2所示，係提供互連金屬線及介層堆疊，其包含 藉由金屬介層⑽如V1 ’其包含導紐料如金屬，像是 銅)連接層間金屬化層M1至金屬化層M2，且同樣地藉 由金屬介層(如V2，其包含導電材料，如金屬，像是鶴） 連接層間金屬化層M2至金屬化層M3。同樣地，如圖2 所示，層間金屬化層Ml藉由一鑲嵌接觸α，或是栓塞 (phgx其包含金屬’像是鎢），連接至形成於基板14之主 動裝置區域19(或是其他擴散區域）。圖2所描述之具體實 施例’進一步應瞭解可於薄SiN層頂部132a，b形成額外的 一層(未繪示），此額外層材料具有一折射率介於98) 及Si〇2 (1.46)間’其例如Si〇N (未顯示於此），至可比擬的 厚度(如約20A至2kA)，以助於減少光反射。 根據圖2所描述之具體實施例，在光路徑中提供的銅 金屬化層及對應的薄層間介電層130a-130c以及超薄擴散 層132a，b，減低光折射率’因此允許較大量的光13通過 像素20之光路徑’而到達下方的光二極體元件18。再者， 圖2所描述之具體實施例，顯示額外的淺溝渠隔離(STI) 之隔離介電區域138係於鄰近主動矽區域19與光敏元件 (如光二極體18)形成。 4IBM/05I46TW ; BUR9-2004-0l61(JL) -15- 根據本發明之較佳實施例，圖3之成像器包含主動裝 置(電晶體)19、基板帽蓋層38、層間介電層i3〇a、層間金 屬化層135b(Ml)以及對應的阻障層132b、M2介電層 130b、金屬化層M2 135a以及對應的阻障層132a，且最終 介電層130c係製造高達包含最終鋁金屬層36之最後金屬 層M3。須注意，雖然顯示三層導線(兩層銅及一層鋁銅）， 然而可使用任何數目的導線層。接下來圖案化微影遮罩以 於後續單一步驟蝕刻製程，打開每一像素之對應地區，且 執行濕式或乾式蝕刻產生孔洞51，其有效地移除部分的層 間介電質130c、自像素光路徑M2層之氮化物阻障層 132a’且在相同的蝕刻製程，移除部分的M2介電層130b 與Ml阻障層132b以及Ml介電層130a。如果使用rie 蝕刻’則標準平行板(standard parallel plate)、順流電漿 (downstreamPlasma)、或是高密度電漿室可伴隨使用作為 氟來源之高氟碳(perfluorocarb〇n，pFC)及/或碳氫氟(HFC) 氣體’以及作為稀釋氣體之氧、氫、氮、氬等，如先前技 術所熟知。如果使用濕式蝕刻，則稀釋的氫氟酸可用以蝕 刻Si〇2或類似的氧化物薄膜;磷酸可用以蝕刻或類似 的薄膜等，如先前技術所熟知。較佳地，開口 51係圖案 化且向下餘刻至氮化物阻障層，然而，應瞭解開口可藉 由移除氮化物阻障層38’緊接著利用標準潔淨步驟向下钱 玄J至基板14表面。形成於像素中的開口 51可能約有 m 3 _等級的深度，且約有工以爪_5_等級的寬度。圖 3所不I虫刻的開口為錐形(亦即，開口頂部較底部寬），然 41BM/05146TW ； BUR9-2004-0161(JL) 1360887 而應瞭解其可能形成反向錐形(開口底部較頂部寬），或是 蝕刻可能形成實質平行的側壁。 在此單一蝕刻後’如圖3所示，一層間介電質(如氧化 物)材料150係回沈積至蝕刻的路徑51，舉例而言，如旋 轉塗佈回填製程，如旋轉塗佈介電質(Si〇2)、旋轉塗佈玻 璃等，並且進行平坦化步驟。應瞭解回填的介電材料可選 • 替地包含一聚合物介電質(光敏感的聚亞醯胺 (polyimide)、Dow Chemical 的 SiLK 等），且可利用其他具 有優良的間隙填塞能力的技術，例如CVD或是(電漿強化 的)PE-CVD製程，沈積層間介電質(氧化物、沿〇2、或碳 基氧化物等等）。較佳地，利用大氣壓力Cvd^cyj))* -人氣壓力CVD (SACVD)沈積技術可達成99%的共形性 (conformity);如果利用沈積溫度為400°C之SACVD，因為 不需要沈積後退火接著使用未摻雜的Si〇2。應瞭解沈積的 介電質厚度與沈積方法及後續處理方法有關。舉例而言， •如果影像感測器濾光塗佈沒有計畫凹處，SACVD Si〇2之 厚度係稍微高於溝槽深度的較少者或是丨/2溝槽寬度。選 替地’假如影像感測器濾塗佈計晝的選用自行對準凹處， 則沉積少於溝槽深度之厚度。如果使用旋轉塗佈介電質， 將最佳化旋轉塗佈參數(注射量(shot size)、旋轉速度、後 縯烘烤溫度)’以達成在晶圓上其他地方具有最小沈積之方 式’填塞開口 150。其他在晶圓上提供可再現(repr〇ducible) 間隙填塞之無機介電質的一些類型例子包含，但不僅限於： 4IBM/05146TW ; BUR9-2004-0!61(JL) (Φ 倍半石夕氧院(silsesquioxane) HOSP、曱基倍半石夕氧燒 (MSQ®)、氫倍半矽氧烷(HSQ®)、MSQ-HSQ共聚物、使用 氧氣或迆〇作為氧化劑以及四乙基正矽酸鹽(TE〇s)或石夕 曱烷作為矽之來源所沈積之SACVD、PECVD Si〇2。應瞭 解此製程序步驟之一主要方面為：每一個蝕刻的像素開口 51都具有實質相同的深寬比(aspectratio)，以達到良好的 填塞均勻性。間隙回填製程之後，可選擇性地執行平坦化 步驟’藉此可使用一反式開口遮罩(相反極性之光阻），緊 接者一回姓刻製程’以及如現在參照圖3(a)-3(f)執行之選 用的CMP步驟。 特別是如圖3(a)所示，一晶圓被製造且蝕刻將形成影 像感測器的溝槽149。然後，圖3(b)描述之下一步驟包括 沈積一介電材料150(譬如Si〇2)至一厚度。使得溝槽被過 度填塞(overfilled)。再者，如圖3(c)所示，使用與圖案化 溝槽於感測器上相同的微影遮罩(或選擇性地，使用類似但 不同的微衫遮罩)卻具有不同極性的光阻' 曝光與顯影光阻 179。然後’如圖3(d)所描述，此介電質在介電質填塞I% 表面上被蝕刻至一預定厚度。其次’如圖3(e)所描述，剝 除光阻179，以及最後如圖3(f)所描述，進行CMp平坦化 步驟造成如圖3(f)所描述之結構。選替地，實施CMp製程 步驟以及選用如習知的的犧牲性沉積第二介電質(例如若 用Si〇2填塞則選用SiN;或者若用聚合物回填則選用 或SiN)，以防止在開口中的介電質受CMp侵蝕（亦即，2 -18- 4IBM/05I46TW ； BUR9-2〇〇4-〇16l(JL) 1360887 防止在彩色濾光片25下的厚度不均勻）。然而，應瞭解一 . 自行對準步驟可以參照彩色濾光片材料來實行，然後緊接 著進行回蝕刻反向開口遮罩;或是進行CMp步驟，以選用 的犧牲性沈積第二介電質(例如若用Si〇2填塞則選用SiN; 或者若用聚合物回填則選用Si〇2或siN)，以防止在開口 中的介電質受CMP侵钱(亦即，防止彩色遽光片25的厚 度不均勻）。於一選替實施例，可實施一，，橡膠清潔 • (Squeegee)”程序’其以可流動材料(如聚亞醯胺)填塞孔 洞。雖然未繪示於圖3，應瞭解可額外地製造一金屬接觸/ 導線護環’以防止移動離子的擴散(環境離子如鈉或是卸） 至主動像素區域，其可能由鏡片及彩色滤光片進入。此類 金屬護環作用如同移動離子的阻障層，且由一材料或材料 堆疊所形成，其包含金屬及介層係環繞光路徑與主動矽區 域19間的回填介電質150。 於另一具體實施例，假使對於在墊上開放之最後金屬 層36有足夠高的選擇比，終端(terminal)或是最後介層遮 罩可用於執行此蝕刻。圖2(a)顯示一影像感測器，處理到 最終導線層以及鈍化介電質29。其次，此終端介層49用 以打開導線連接(wirebond)或凸塊墊(soldier bump pads) 36，以及用在影像感測器彩色濾光片之開口 59，係使用一 個遮罩以及介電質蝕刻步驟，如圖2(b)所示。接著，進行 晶圓處理與封裝，包含切割晶片，以選用的鏡片將其封 裝’並且導線連接69此晶片至封裝，如圖2(c)所示。因此， 4IBM/05146TW ： BUR9-2004-0l6I(JL) -19- ’移除金屬化阻障層 只需要一個遮罩且在單一蝕刻製程 】32a，b兩者。 巧之^ ^選替實施例，在打開每—個像素光路 層間介電質(如氧化物)填塞孔洞之 H 義孔_壁及底部共形的薄襯層 進行間隙壁綱製程，保留側壁上的觀層而 移除及頂部表面上的襯層，如同習知技藝所熟 知。較佳地，可沉積薄的氮化物襯層材料(如siN、Sic、 ^：N等)，或具有光反射性質之金屬，以習知沉積技術如 E-CVD沉積而襯著侧的開口底部與侧壁。舉例而言， 其他具有光反射性質_層材料包含，但 ° 某些金屬，如ai、™、w、Ru、多轉、多日^等㈤薄 的襯層140可沈積至一厚度範圍約50A至2kA間，且有 效地作用㈣止機軒進人晶#的主純域，此外並作 為反射表面以反射入射光，讓任何以一角度進入鏡片22 的光將到達光二極體1卜在沈積薄襯層14〇後，於後續步 驟此層間介電材料藉由如旋轉塗佈Si02回填製程或CVD 製程(如上所述），回沈積至具襯層的孔洞内，且可進行選 用的最終平坦化步驟。如果回填的介電質15〇為具有折射 率η為i.46(k〜〇)之SiCV則侧壁襯層140為具有折射率為 1.98(k〜〇)之SiN，而入射至siN之部分光將會被反射，其 如同布拉格定律(Bragg’s law)所預測。選替地，藉由使用 幸父向折射率的導體或半導體，例如矽或钽作為間矽壁 4IBM/05146TW ; BUR9-2004-0»61(JL) -20- 140，可增加反射的程度。 圖5繪示一選替實施例，其中圖案化開口 51，且執行 一向下蝕刻至基板14表面’以移除基板氮化物阻障層38。 在打開像素光路徑中之孔洞51後，且於層間介電質(如氧 化物)填塞孔洞之前，使用習知沈積技術(如pECVD)沈積 與每個蝕刻的孔洞側壁及底部共形的薄襯層14〇。之後， 利用間隙壁蝕刻，移除與孔洞底部共形之反射襯層材料 140，亦即，以任何方向性蝕刻沿著蝕刻的開口側壁形成 SiN間碎壁。舉例而言’利用pFC或^^作為氣來源如 CF4之氟基底(F-based)方向性姓刻，以形成SjN間石夕壁。 沈積薄的氮化物及蝕刻形成間矽壁14〇後，於後續步驟使 用如旋轉塗佈SiCb回填製程或其他在此描述之技術，回沈 積層間71電材料150至具襯層之孔洞内，且可進行選用的 最終平坦化步驟。圖6繪示本發明於圖5所示的選替實施 例（包含氮化物間矽壁材料140)，其中開口 51已經圖案 化’執行一向下蝕刻至基板14表面，以移除基板氮化物 阻障層38。如圖6所示，額外製造金屬接觸/導線護環16〇, 以避免移_子進人絲像素輯，其可驗鏡片及彩色 遽光片進人。金屬護環16G作用如同移動離子的阻障層， 且與晶圓上之導線與介時形成，其係由—材料或材料 堆疊形成，包含鎢16〇及具難冶金屬襯層的銅13北，係環 繞光路徑及主動㈣域19間之回填介電質15()。一般而 言，護環係由可用作為晶片導線之任何導騎形成，包含 4IBM/05146TW ： BUR9-2004-016l(JL) -21 -
Cu、AlCu、W、Ta、TaN、TiN、WN、Ag、Au 等。護環 160係導接至基板14且為接地(連接至晶圓的最低電位）， 如此一來正移動離子將被吸引至護環且不會進入晶片主 動區域19。如圖6所示’金屬接觸/導線護環16〇係垂直 製造高達最靠近的氮化物層(如Ml金屬化氮化物阻障層 132b)，然而其可能製造高達最後金屬層。 圖7繪示本發明之選替實施例，在圖案化及蝕刻開口 51進入像素後，彩色滤光片25’形成於溝槽開口底部。於 此實施例，其可加或不加回填的介電材料。再者，形成如 上文所討論選用的反射侧壁襯層，其延伸至整個溝槽長 度，亦即，至彩色遽光片材料底部，或是至彩色濾光片材 料頂部。圖8繪示本發明之選替實施例，其t在圖案化及 蝕刻開口 51進入像素後，回填的介電材料15〇係部分地 填塞蝕刻的開口，而彩色濾光片25,形成於溝槽開口頂部 上。於圖7 述之浦實施例，選用的魏或反射概層 141係形成於側壁上，且延伸至溝槽底部。於圖9所繪示 之選替實施例’回填的介電材料15G被填至侧的開口 Μ 後:執行等向性(iS0tr0pic)回餘刻製程以形成回填介電質淺 第二開σ 52,接著於一非自行對準製程形成彩色遽光片 於其1f7。應瞭解此具體實施例與任何一個在此描述之 其他結構結合而無自行對準彩色濾光片。 參考關於圖7-9描述於此之具體實施例，如果利用不 4IBM/05I46TW ; BUR9-2004-0I6I(JL) -22- 1360887 透光的(〇paque)(吸收的)侧壁襯層材料141(亦即k>0)，如 石夕或组’則兩個或是多個層可在一多層堆疊中最佳化地結 合在一起，以達到特定的k(介電常數）、n(折射率）、或是 堆疊的η及k值在光學範圍内與波長(W1)無關。可用的吸 收側壁襯層㈣包含但不僅限於此：Ta、枷、&、Ή、Cu、 =在=長::=與1( 一
W1 4000 5500 7000
WI 4000 5500 7000
上 12 L5 1.9
表 1(b) 4IBM/05I46TW : BUR9-2004-0l61(JL) -23- 舉例而言，如果Ta與Si以相等厚度於多層(2,4,6,8等) 結合在一起，則結合的η與k值每一個將分別具有1〇%與 15%之變異範圍巧與1^變異的減低將會在波長範圍400mn 至700nm中有均勻的光學反射率;並且此變異係遠小於任 何單一層。 上述之實施例係用以描述本發明，然本發明技術仍可 有許多之修改與變化。因此，本發明並不限於以上特定實 施例的描述，本發明的巾請專利細係欲包含所有此類修 改與變化’以能真正符合本發明之精神與範圍。 【圖式簡單說明】 圖1描繪影像感測器像素陣列10 ; ^ 2係橫截_，顯示影像_11_像素具有銅層
顯示影像感測器之製程步驟， 間導^其包含橫跨像錢路徑之多重銅擴散物阻障層 _=^^顯示影像_之製程步驟 導線層及鈍化介電質(®㈣、屯 4IBM/05146TW : BUR9-2004-016l(JL) -24- 其使用一反式開口遮罩(相反極性之光阻），接著用回蝕刻 製程及選用的CMP步驟，平坦化影像感測器； 圖4係橫截面圖’顯示本發明之影像感測器陣列像 素，其在蝕刻之像素開口侧壁具有反射襯層材料，且包含 一阻障材料層於基板頂部； 圖5係橫截面圖，顯示本發明之影像感測器陣列像 素’其在飯刻之像素開口侧壁具有反射襯層材料，且不包 含一阻障材料層於基板頂部； 一圖6係橫截面圖，顯示圖5之影像感測器陣列像素之 -例不實_ ’其具有額外的接觸/金駿環結構環繞 之像素介電質； 、 圖7係橫截面圖，顯示影像感測器陣列像素之-例示 實施例’其具有—彩色濾光元件職於基板頂部，且於界 定光路徑之餘刻的像素開口之底部； 圖8係橫截面圖，顯示影像感測器陣列像素具有一彩 光元件形成於回填介電結構頂部，其部份地填塞界^ 光路徑之姓刻的像素開口;以及 、 圖9係橫截面圖’顯示影像感測 =光元件，形成於界定光路徑之侧的像=回; 介電結構之一回蝕刻部份。 具 -25- 4|BM/〇5i46TW : BUR9-2004-016i(JL) 1360887
【主要元件符號說明】 1 〇影像感測器像素陣列 14基板 17平坦層 19主動裝置區域 22微鏡片 25’彩色濾光片 28最終鈍化層 30a、30b、30c層間介電層 36最終鋁金屬層 49終端介層 52 第二開口 69導線連接 130a、130b、130c 層問介1 12微鏡片 15彩色濾光片陣列 18光二極體 20像素 25濾光元件 25”彩色濾光片 29鈍化介電質 35a、35b鋁金屬化互連層 38 SiN 層 51開口 59開口 1〇〇影像感測器陣列
132a、132b SiN 層 135b銅Ml層 140薄襯層 142底部 150回填介電質 179光阻 B5a銅M2層 138隱離介電區域 141襯層 149溝槽 160護環 41BM/05146TW ； BUR9-2004-016KJL) 26

Claims (1)

  1. 案號：94141863 100年5月4日修正·替換頁 十、申請專利範圍·· 1. 一種影_測11，該影像感·包含—陣 一像素包含 像京母 一頂層，包含一像素微鏡片供接收光； -半導體基板’包含-光敏元件形成於其中且 收入射至該像素微鏡片之光； 八妖 -包含侧壁的介電材料結構，提供於該頂層及形成 於該基板中之該感光元件間之一光路徑中； 二光吸收材料之多層堆疊，係形成於界定該光路徑 ^像素側壁上以達特定介電常數，且該多層堆疊之折射 率值在-光學範_與人射歧長無關；以及 -和介電材料層堆疊，具有二層或多層之銅金屬 化層械於其間，且每-該金屬化層包含—銅金屬導線 ^構鄰接該像素之該介電材料結構，每—該銅金屬導線 構包含一阻障材料層形成於其上， 人其令在該像素中钱刻一開口以界定該光路徑後該 ”電材料結獅成為-介電喊餘之部分。 2·如請求項1所述之影像感測器，其中該堆叠之每一該層 間介電層具有—厚度，範圍介於2kA至2GkA之間。 。月长項2所述之衫像感測器，進—步包含—阻障材料 ^，形成於该基板與—第一層間介電層之間。 4IBM/〇5|46TW. : BUI沙2004-0161(儿) -27- 案號：94141863 100年5月4日修正_替換頁 4’如請求項1所述之影像感測器’進一步包含一彩色濾光 中件形成位於該像素微鏡片下且位於形成於該光^徑 中之該介電材料結構上之該頂層中。 二 5. 如請求項1所述之影像感測器，進一步包含一彩色濾光 元，係形成於該基板上，且於該光敏元件上方以^於 該光路徑中之該介電材料結構下方。 、 6. =請求項1所述之影像感測器，其中該介電材料結構部 分地填塞介於蝕刻的像素側壁間供界定該光路徑之一開 口，該感測器像素進一步包含一彩色濾光元件，係形成 於該侧壁間之該光路徑之一頂部分之該介電材料結 方。 7. 如請求項1所述之影像感測器，其中該層間介電材料填 塞界定該光路徑之像素側壁間的該光路徑，該感測器像 素進一步包含一彩色濾光元件，係形成於該光路徑中之 該層間介電材料之一回蝕刻部分内。 8. 如請求項1所述之影像感測器，其中每一像素進一步包 含一光反射材料層，係形成於界定該光路徑之像素側壁 上，該光反射材料層使一增加光量能由該光敏元件所接 收。 4IBM/05M6T\V : B(JR9-2004-〇t6l(,IL) -28- 案號：94141863 100年5月4曰修正_替換頁 9. 如請求項1所述之影像感測器，其中每一像素包含一光 吸收材料層，係形成於界定該光路徑之像素側壁上。 10. 如請求項1所述之影像感測器，進一步包含一移動離子 阻障結構，係環繞該光路徑中之該層間介電材料，該移 動離子阻障結構連接至該基板且向上延伸。 11. 一種製造一影像感測器像素陣列之方法，每一像素包含 -頂層’該頂層包含-像素微鏡片供接收光，該方法 含： a) 每-陣職素形成-絲元件於—半導縣板内，該 光敏το件用以接收入射至一各別像素微鏡片之光； b) 在該基板頂部上形成層間介電層之—堆疊並在該堆 疊形成之鄰近的層間介電層間，形成包含-銅金屬導 線結構之-銅金屬化層，軸金料線結構形成於該 陣列之每—像素間的位置’且形成—阻障材料層於每 一該銅金屬導線結構頂部上； c) 移除該光敏元件上方之該層間介電層堆憂之一部 份上，以界定-像素之—光路徑;以及 d) 在额層顏光敏轉間，財電材料回填在該光路 徑中該堆疊之該移除部分； 41BM/05I46TW : BUK9-2004-0l0l(JI.) -29- 案號：94141863 100年5月4日修正_替換頁 12. 如請求項U所述之方法，其中該步驟b)形成— 料層於該金屬相互層之細金屬導_構頂部上包含： 毯覆式沈積-阻障材料層於該銅金屬導線結構頂部且於 該層間介電質堆疊之每層頂部’藉此橫跨每個陣列像素 之-光路徑’該移除步驟雜一步包含移 路 徑之該阻障材料層之一部分。 Λ尤路 13. 雷Πΐ項U所述之方法’其中該步驟C)移除該層間介 電層堆登之一部份包含： 應用-遮罩結構於該層間介紐 其侧案化於界定每_像素之_先路徑位=;= 執行一_製程，以移_制介㈣堆疊部分。 13所述之方法，其中該遮罩結構係一自行對 sur最後金屬化層之金屬接合結構，係形成 於該層間；丨電材料層堆疊上方之每一像素間之位置。 15八tit項》11所述之方法，其中在該步獅)形成該層間 ^層堆$於該基板頂部)前，形成一阻障材料層於該基 回填該層 [6.如請求項丨丨所述之方法，其中在該光路徑内 ^IBM/〇5l46TVV : l3UR9-2〇〇4-〇l6l(.ig •30. 案號：94141863 100年5月4曰修正·替換頁 間介電材料後，形成一彩色濾光元件，包含該頂層之一 部分係於該光路徑中且於該像素微鏡片下。 17·如請米項11所述之方法，其中該回填步驟d)包含：部 分地填塞界定該光路徑之像素側壁間之該光路徑，該方 法進一步包含形成一彩色濾光元件於該層間介電材料上 且於該側壁間之該光路徑之一頂部分上。 18. 如請求項11所述之方法，其中該回填的層間介電材料 填塞界定該光路徑之像素側壁間之該光路徑，該方法進 一步包含： 回蝕刻光路徑中之該層間介電材料之一部分;以及 形成一彩色濾光元件於該回蝕刻的部分。 19. =求項11所述之方法，其中於該步驟幻該介電材料 回填别’形成-光反射材料_層，係與界定該 之側壁共形。 4IBM/〇5f4〇T\V ; BUK9-2004-0l6l(.1L) -31 · 21 案號：94141863 100年5月4日修正-替換頁 素旬壁上以達特定介電常數，且該多層堆疊之折射率 值在一光學範圍内與波長無關。 22.如請求項11所述之方法，進一步包含形成一移動離子 阻障結構，係環繞該光路徑中之該層間介電材料，該移 動離子阻障結構連接至該基板且向上延伸。 4IBM/05I46TW ： BUK9-2004-0l6l(.IL) -32- I360S87
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Families Citing this family (167)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7961989B2 (en) * 2001-10-23 2011-06-14 Tessera North America, Inc. Optical chassis, camera having an optical chassis, and associated methods
US7224856B2 (en) * 2001-10-23 2007-05-29 Digital Optics Corporation Wafer based optical chassis and associated methods
DE10345453B4 (de) * 2003-09-30 2009-08-20 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen eines optischen Sensors mit einer integrierten Schichtstapel-Anordnung
KR100689885B1 (ko) * 2004-05-17 2007-03-09 삼성전자주식회사 광감도 및 주변광량비 개선을 위한 ｃｍｏｓ 이미지 센서및 그 제조방법
KR100745985B1 (ko) * 2004-06-28 2007-08-06 삼성전자주식회사 이미지 센서
US20060057765A1 (en) * 2004-09-13 2006-03-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Image sensor including multiple lenses and method of manufacture thereof
US8029186B2 (en) * 2004-11-05 2011-10-04 International Business Machines Corporation Method for thermal characterization under non-uniform heat load
US7564629B1 (en) 2004-12-02 2009-07-21 Crosstek Capital, LLC Microlens alignment procedures in CMOS image sensor design
US7763918B1 (en) 2004-12-02 2010-07-27 Chen Feng Image pixel design to enhance the uniformity of intensity distribution on digital image sensors
US7592645B2 (en) * 2004-12-08 2009-09-22 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion device and method for producing photoelectric conversion device
US7342268B2 (en) * 2004-12-23 2008-03-11 International Business Machines Corporation CMOS imager with Cu wiring and method of eliminating high reflectivity interfaces therefrom
KR100649013B1 (ko) * 2004-12-30 2006-11-27 동부일렉트로닉스 주식회사 베리어를 이용한 집광장치 및 그 제조방법
JP4938238B2 (ja) * 2005-01-07 2012-05-23 ソニー株式会社 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法
KR100719341B1 (ko) * 2005-01-25 2007-05-17 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 그 제조방법
KR100672994B1 (ko) * 2005-01-28 2007-01-24 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 그 제조 방법
US7679042B1 (en) * 2005-04-25 2010-03-16 Flusberg Allen M Fabrication of transducer structures
KR100718877B1 (ko) * 2005-06-20 2007-05-17 (주)실리콘화일 이미지센서의 칼라필터 형성방법 및 이를 이용하여 제조된이미지 센서
US20070010042A1 (en) * 2005-07-05 2007-01-11 Sheng-Chin Li Method of manufacturing a cmos image sensor
KR100672730B1 (ko) * 2005-07-15 2007-01-24 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법
US7683407B2 (en) * 2005-08-01 2010-03-23 Aptina Imaging Corporation Structure and method for building a light tunnel for use with imaging devices
US7755122B2 (en) * 2005-08-29 2010-07-13 United Microelectronics Corp. Complementary metal oxide semiconductor image sensor
KR100710204B1 (ko) * 2005-09-08 2007-04-20 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법
KR100649034B1 (ko) * 2005-09-21 2006-11-27 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서의 제조방법
US20070102736A1 (en) * 2005-11-04 2007-05-10 Cheng-Hsing Chuang Image sensor device and method for manufacturing the same
KR100731128B1 (ko) * 2005-12-28 2007-06-22 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서의 제조방법
KR100654052B1 (ko) * 2005-12-28 2006-12-05 동부일렉트로닉스 주식회사 Ｃｍｏｓ 이미지 센서의 제조방법
KR100698082B1 (ko) * 2005-12-28 2007-03-23 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법
KR100654051B1 (ko) * 2005-12-28 2006-12-05 동부일렉트로닉스 주식회사 Ｃｍｏｓ 이미지 센서의 제조방법
KR100660714B1 (ko) * 2005-12-29 2006-12-21 매그나칩 반도체 유한회사 백사이드 조명 구조의 씨모스 이미지 센서 및 그의 제조방법
KR100755666B1 (ko) * 2006-01-03 2007-09-05 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이미지 센서의 제조 방법
US7675080B2 (en) * 2006-01-10 2010-03-09 Aptina Imaging Corp. Uniform color filter arrays in a moat
US20070187787A1 (en) * 2006-02-16 2007-08-16 Ackerson Kristin M Pixel sensor structure including light pipe and method for fabrication thereof
US7358583B2 (en) * 2006-02-24 2008-04-15 Tower Semiconductor Ltd. Via wave guide with curved light concentrator for image sensing devices
US20070200055A1 (en) * 2006-02-24 2007-08-30 Tower Semiconductor Ltd. Via wave guide with cone-like light concentrator for image sensing devices
JP2007242676A (ja) * 2006-03-06 2007-09-20 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置製造方法
US20070238035A1 (en) * 2006-04-07 2007-10-11 Micron Technology, Inc. Method and apparatus defining a color filter array for an image sensor
US20070241418A1 (en) * 2006-04-13 2007-10-18 Ming-I Wang Image sensing device and fabrication method thereof
JP2008028240A (ja) * 2006-07-24 2008-02-07 Toshiba Corp 固体撮像装置
KR100789576B1 (ko) * 2006-08-29 2007-12-28 동부일렉트로닉스 주식회사 이미지 센서 및 그 제조방법
US20080054386A1 (en) * 2006-08-31 2008-03-06 Micron Technology, Inc. Recessed color filter array and method of forming the same
JP2008091643A (ja) * 2006-10-02 2008-04-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置
US7544982B2 (en) * 2006-10-03 2009-06-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Image sensor device suitable for use with logic-embedded CIS chips and methods for making the same
KR100789577B1 (ko) * 2006-10-30 2007-12-28 동부일렉트로닉스 주식회사 이미지 소자 및 이의 제조 방법
US7611922B2 (en) * 2006-11-13 2009-11-03 Dongbu Hitek Co., Ltd. Image sensor and method for manufacturing the same
KR100806778B1 (ko) * 2006-11-30 2008-02-27 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서의 제조 방법
US7973271B2 (en) * 2006-12-08 2011-07-05 Sony Corporation Solid-state image pickup device, method for manufacturing solid-state image pickup device, and camera
KR100853096B1 (ko) * 2006-12-20 2008-08-19 동부일렉트로닉스 주식회사 이미지 센서 및 그의 제조방법
KR100866248B1 (ko) * 2006-12-23 2008-10-30 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지센서의 제조방법
KR100802305B1 (ko) * 2006-12-27 2008-02-11 동부일렉트로닉스 주식회사 이미지 센서 제조방법
KR100819707B1 (ko) * 2006-12-28 2008-04-04 동부일렉트로닉스 주식회사 이미지 센서 및 이미지 센서의 제조방법
KR100840649B1 (ko) * 2006-12-29 2008-06-24 동부일렉트로닉스 주식회사 이미지 센서용 반도체 소자의 제조 방법
US7952155B2 (en) * 2007-02-20 2011-05-31 Micron Technology, Inc. Reduced edge effect from recesses in imagers
JP4110192B1 (ja) * 2007-02-23 2008-07-02 キヤノン株式会社 光電変換装置及び光電変換装置を用いた撮像システム
JP5049036B2 (ja) * 2007-03-28 2012-10-17 オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド 半導体装置
JP2008288243A (ja) * 2007-05-15 2008-11-27 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法および撮像装置
US20080290435A1 (en) * 2007-05-21 2008-11-27 Micron Technology, Inc. Wafer level lens arrays for image sensor packages and the like, image sensor packages, and related methods
KR100900682B1 (ko) * 2007-06-22 2009-06-01 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
US9337054B2 (en) * 2007-06-28 2016-05-10 Entegris, Inc. Precursors for silicon dioxide gap fill
US8710560B2 (en) * 2007-08-08 2014-04-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Embedded bonding pad for image sensors
KR20090034428A (ko) * 2007-10-04 2009-04-08 주식회사 동부하이텍 이미지 센서 및 그 제조방법
US20090101947A1 (en) * 2007-10-17 2009-04-23 Visera Technologies Company Limited Image sensor device and fabrication method thereof
KR20090039015A (ko) * 2007-10-17 2009-04-22 주식회사 동부하이텍 씨모스 이미지 센서 제조 방법
KR100894387B1 (ko) * 2007-10-22 2009-04-22 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
KR100907156B1 (ko) * 2007-10-22 2009-07-09 주식회사 동부하이텍 이미지 센서 및 그 제조방법
US8729582B2 (en) 2007-11-01 2014-05-20 Insiava (Pty) Limited Optoelectronic device with light directing arrangement and method of forming the arrangement
KR20090056431A (ko) * 2007-11-30 2009-06-03 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
US7816641B2 (en) * 2007-12-28 2010-10-19 Candela Microsystems (S) Pte. Ltd. Light guide array for an image sensor
KR100922929B1 (ko) * 2007-12-28 2009-10-22 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
US20090189055A1 (en) * 2008-01-25 2009-07-30 Visera Technologies Company Limited Image sensor and fabrication method thereof
US20090189233A1 (en) * 2008-01-25 2009-07-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Cmos image sensor and method for manufacturing same
JP4770857B2 (ja) * 2008-03-27 2011-09-14 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 半導体装置
US8258629B2 (en) 2008-04-02 2012-09-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Curing low-k dielectrics for improving mechanical strength
JP4770864B2 (ja) * 2008-04-11 2011-09-14 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 半導体装置
TWI380456B (en) * 2008-04-30 2012-12-21 Pixart Imaging Inc Micro-electro-mechanical device and method for making same
WO2010004453A2 (en) * 2008-06-16 2010-01-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Radiation detector and a method of manufacturing a radiation detector
JP5446484B2 (ja) 2008-07-10 2014-03-19 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法および撮像装置
US9343490B2 (en) 2013-08-09 2016-05-17 Zena Technologies, Inc. Nanowire structured color filter arrays and fabrication method of the same
US8274039B2 (en) 2008-11-13 2012-09-25 Zena Technologies, Inc. Vertical waveguides with various functionality on integrated circuits
US8229255B2 (en) 2008-09-04 2012-07-24 Zena Technologies, Inc. Optical waveguides in image sensors
US8890271B2 (en) 2010-06-30 2014-11-18 Zena Technologies, Inc. Silicon nitride light pipes for image sensors
US8835831B2 (en) 2010-06-22 2014-09-16 Zena Technologies, Inc. Polarized light detecting device and fabrication methods of the same
US8735797B2 (en) 2009-12-08 2014-05-27 Zena Technologies, Inc. Nanowire photo-detector grown on a back-side illuminated image sensor
US8269985B2 (en) * 2009-05-26 2012-09-18 Zena Technologies, Inc. Determination of optimal diameters for nanowires
US8507840B2 (en) 2010-12-21 2013-08-13 Zena Technologies, Inc. Vertically structured passive pixel arrays and methods for fabricating the same
US8889455B2 (en) 2009-12-08 2014-11-18 Zena Technologies, Inc. Manufacturing nanowire photo-detector grown on a back-side illuminated image sensor
US8748799B2 (en) 2010-12-14 2014-06-10 Zena Technologies, Inc. Full color single pixel including doublet or quadruplet si nanowires for image sensors
US20100304061A1 (en) * 2009-05-26 2010-12-02 Zena Technologies, Inc. Fabrication of high aspect ratio features in a glass layer by etching
US8546742B2 (en) 2009-06-04 2013-10-01 Zena Technologies, Inc. Array of nanowires in a single cavity with anti-reflective coating on substrate
US9406709B2 (en) 2010-06-22 2016-08-02 President And Fellows Of Harvard College Methods for fabricating and using nanowires
US9000353B2 (en) 2010-06-22 2015-04-07 President And Fellows Of Harvard College Light absorption and filtering properties of vertically oriented semiconductor nano wires
US8299472B2 (en) * 2009-12-08 2012-10-30 Young-June Yu Active pixel sensor with nanowire structured photodetectors
US9299866B2 (en) 2010-12-30 2016-03-29 Zena Technologies, Inc. Nanowire array based solar energy harvesting device
US9478685B2 (en) 2014-06-23 2016-10-25 Zena Technologies, Inc. Vertical pillar structured infrared detector and fabrication method for the same
US8384007B2 (en) * 2009-10-07 2013-02-26 Zena Technologies, Inc. Nano wire based passive pixel image sensor
US8519379B2 (en) 2009-12-08 2013-08-27 Zena Technologies, Inc. Nanowire structured photodiode with a surrounding epitaxially grown P or N layer
US7646943B1 (en) 2008-09-04 2010-01-12 Zena Technologies, Inc. Optical waveguides in image sensors
US9082673B2 (en) 2009-10-05 2015-07-14 Zena Technologies, Inc. Passivated upstanding nanostructures and methods of making the same
US20110115041A1 (en) * 2009-11-19 2011-05-19 Zena Technologies, Inc. Nanowire core-shell light pipes
US8866065B2 (en) 2010-12-13 2014-10-21 Zena Technologies, Inc. Nanowire arrays comprising fluorescent nanowires
US9515218B2 (en) 2008-09-04 2016-12-06 Zena Technologies, Inc. Vertical pillar structured photovoltaic devices with mirrors and optical claddings
US8791470B2 (en) 2009-10-05 2014-07-29 Zena Technologies, Inc. Nano structured LEDs
KR20100057302A (ko) * 2008-11-21 2010-05-31 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이의 제조 방법
US8106487B2 (en) * 2008-12-23 2012-01-31 Pratt & Whitney Rocketdyne, Inc. Semiconductor device having an inorganic coating layer applied over a junction termination extension
KR20100079739A (ko) * 2008-12-31 2010-07-08 주식회사 동부하이텍 이미지 센서 및 그의 제조 방법
JP2010177391A (ja) * 2009-01-29 2010-08-12 Sony Corp 固体撮像装置、電子機器、固体撮像装置の製造方法
US9142586B2 (en) 2009-02-24 2015-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pad design for backside illuminated image sensor
KR101087997B1 (ko) * 2009-04-17 2011-12-01 (주)실리콘화일 광도파관을 구비하는 이미지센서 및 그 제조방법
US20100289065A1 (en) 2009-05-12 2010-11-18 Pixart Imaging Incorporation Mems integrated chip with cross-area interconnection
US20100320552A1 (en) * 2009-06-19 2010-12-23 Pixart Imaging Inc. CMOS Image Sensor
TWI418024B (zh) * 2009-07-06 2013-12-01 Pixart Imaging Inc 影像感測元件及其製作方法
US9123653B2 (en) * 2009-07-23 2015-09-01 Sony Corporation Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
JP5564847B2 (ja) * 2009-07-23 2014-08-06 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
US8330840B2 (en) * 2009-08-06 2012-12-11 Aptina Imaging Corporation Image sensor with multilayer interference filters
JP5304536B2 (ja) * 2009-08-24 2013-10-02 ソニー株式会社 半導体装置
JP5235829B2 (ja) * 2009-09-28 2013-07-10 株式会社東芝 半導体装置の製造方法、半導体装置
US8357890B2 (en) * 2009-11-10 2013-01-22 United Microelectronics Corp. Image sensor and method for fabricating the same
KR20110095696A (ko) * 2010-02-19 2011-08-25 삼성전자주식회사 씨모스 이미지 센서
WO2011142065A1 (ja) * 2010-05-14 2011-11-17 パナソニック株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
JP2011243753A (ja) * 2010-05-18 2011-12-01 Panasonic Corp 固体撮像装置
JP5693924B2 (ja) * 2010-11-10 2015-04-01 株式会社東芝 半導体撮像装置
FR2969820B1 (fr) * 2010-12-23 2013-09-20 St Microelectronics Sa Capteur d'image éclairé par la face avant a faible diaphotie
US8373243B2 (en) * 2011-01-06 2013-02-12 Omnivision Technologies, Inc. Seal ring support for backside illuminated image sensor
US20120200749A1 (en) * 2011-02-03 2012-08-09 Ulrich Boettiger Imagers with structures for near field imaging
JP5241902B2 (ja) 2011-02-09 2013-07-17 キヤノン株式会社 半導体装置の製造方法
JP5736253B2 (ja) * 2011-06-30 2015-06-17 セイコーインスツル株式会社 光センサ装置
US20130010165A1 (en) 2011-07-05 2013-01-10 United Microelectronics Corp. Optical micro structure, method for fabricating the same and applications thereof
CN106449676A (zh) * 2011-07-19 2017-02-22 索尼公司 半导体装置和电子设备
US9373732B2 (en) * 2012-02-07 2016-06-21 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensors with reflective optical cavity pixels
US9349769B2 (en) * 2012-08-22 2016-05-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Image sensor comprising reflective guide layer and method of forming the same
CN103066089B (zh) * 2012-12-26 2018-08-28 上海集成电路研发中心有限公司 Cmos影像传感器像元结构及其制造方法
JPWO2014112002A1 (ja) * 2013-01-15 2017-01-19 オリンパス株式会社 撮像素子、及び撮像装置
EP2772939B1 (en) * 2013-03-01 2016-10-19 Ams Ag Semiconductor device for detection of radiation and method of producing a semiconductor device for detection of radiation
US9490288B2 (en) * 2013-03-15 2016-11-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Image sensor with trenched filler grid within a dielectric grid including a reflective portion, a buffer and a high-K dielectric
US9601535B2 (en) * 2013-03-15 2017-03-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconducator image sensor having color filters formed over a high-K dielectric grid
CN103258835A (zh) * 2013-05-02 2013-08-21 上海华力微电子有限公司 Cis器件中光通道的形成方法
US9129876B2 (en) * 2013-05-28 2015-09-08 United Microelectronics Corp. Image sensor and process thereof
US9543343B2 (en) 2013-11-29 2017-01-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Mechanisms for forming image sensor device
CA3133543C (en) 2013-12-10 2023-05-02 Illumina, Inc. Biosensors for biological or chemical analysis and methods of manufacturing the same
US9536920B2 (en) * 2014-03-28 2017-01-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Stacked image sensor having a barrier layer
KR102356695B1 (ko) * 2014-08-18 2022-01-26 삼성전자주식회사 광 유도 부재를 가지는 이미지 센서
EP3029931A1 (en) * 2014-12-04 2016-06-08 Thomson Licensing Image sensor unit and imaging apparatus
JP2016133510A (ja) * 2015-01-16 2016-07-25 パーソナル ジェノミクス タイワン インコーポレイテッドＰｅｒｓｏｎａｌ Ｇｅｎｏｍｉｃｓ Ｔａｉｗａｎ，Ｉｎｃ． 導光機能を有する光学センサー及びその製造方法
US10367019B2 (en) * 2015-01-29 2019-07-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. CMOS image sensor structure with crosstalk improvement
US10181070B2 (en) 2015-02-02 2019-01-15 Synaptics Incorporated Low profile illumination in an optical fingerprint sensor
US9829614B2 (en) 2015-02-02 2017-11-28 Synaptics Incorporated Optical sensor using collimator
US10147757B2 (en) * 2015-02-02 2018-12-04 Synaptics Incorporated Image sensor structures for fingerprint sensing
JP6577724B2 (ja) 2015-03-13 2019-09-18 キヤノン株式会社 固体撮像装置の製造方法
TWI593290B (zh) * 2015-07-30 2017-07-21 力晶科技股份有限公司 影像感測器
CN107039468B (zh) * 2015-08-06 2020-10-23 联华电子股份有限公司 影像感测器及其制作方法
CN108352396B (zh) * 2015-10-07 2023-08-01 天津极豪科技有限公司 用于指纹感测的图像传感器结构
US9508769B1 (en) * 2016-02-01 2016-11-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor structure and method of manufacturing the same
DE102016208841B4 (de) 2016-05-23 2020-12-31 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Farbsensor mit winkelselektiven Strukturen
US10211093B2 (en) * 2016-07-08 2019-02-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Interconnect structure formed with a high aspect ratio single damascene copper line on a non-damascene via
TWI615957B (zh) * 2016-08-29 2018-02-21 Powerchip Technology Corporation 影像感測器及其製作方法
US10782184B2 (en) * 2016-09-06 2020-09-22 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Optical device and method of manufacturing the same
TWI599028B (zh) * 2016-10-14 2017-09-11 力晶科技股份有限公司 影像感測器及其製作方法
JP2018147976A (ja) * 2017-03-03 2018-09-20 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
EP3462149B1 (en) 2017-09-28 2023-10-25 Sensirion AG Infrared device
US10665627B2 (en) 2017-11-15 2020-05-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Image sensor device and method for forming the image sensor device having a first lens and a second lens over the first lens
TWI646678B (zh) * 2017-12-07 2019-01-01 晶相光電股份有限公司 影像感測裝置
NL2020612B1 (en) * 2017-12-22 2019-07-02 Illumina Inc Light detection devices with protective liner and methods of manufacturing same
TWI669811B (zh) * 2018-02-01 2019-08-21 Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation 具有類光導管結構之影像感測器
KR20200108133A (ko) * 2019-03-06 2020-09-17 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이미징 장치
US11630062B2 (en) * 2019-10-10 2023-04-18 Visera Technologies Company Limited Biosensor and method of forming the same
JP7503623B2 (ja) * 2019-10-18 2024-06-20 カリフォルニア インスティチュート オブ テクノロジー ３次元（３ｄ）散乱構造体を構築するための方法
US11322458B2 (en) * 2020-04-27 2022-05-03 Nanya Technology Corporation Semiconductor structure including a first substrate and a second substrate and a buffer structure in the second substrate
CN116845076B (zh) * 2023-06-29 2024-10-11 镭友芯科技(苏州)有限公司 一种光探测器件及制备方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0774331A (ja) 1993-09-02 1995-03-17 Nikon Corp マイクロレンズ付き固体撮像素子及びその製造方法
JPH08191371A (ja) 1994-11-09 1996-07-23 Fuji Xerox Co Ltd イメージセンサ
KR100303774B1 (ko) 1998-12-30 2001-11-15 박종섭 개선된 광감도를 갖는 씨모스이미지센서 제조방법
US6326652B1 (en) 1999-06-18 2001-12-04 Micron Technology, Inc., CMOS imager with a self-aligned buried contact
US6333205B1 (en) 1999-08-16 2001-12-25 Micron Technology, Inc. CMOS imager with selectively silicided gates
US6221687B1 (en) 1999-12-23 2001-04-24 Tower Semiconductor Ltd. Color image sensor with embedded microlens array
KR100477789B1 (ko) * 1999-12-28 2005-03-22 매그나칩 반도체 유한회사 이미지센서의 제조 방법
JP2002076312A (ja) * 2000-08-28 2002-03-15 Fuji Film Microdevices Co Ltd 固体撮像素子
JP2002083949A (ja) 2000-09-07 2002-03-22 Nec Corp Ｃｍｏｓイメージセンサ及びその製造方法
JP3672085B2 (ja) * 2000-10-11 2005-07-13 シャープ株式会社 固体撮像素子およびその製造方法
JP2002246579A (ja) 2001-02-15 2002-08-30 Seiko Epson Corp 固体撮像素子及びその製造方法
US6765276B2 (en) 2001-08-23 2004-07-20 Agilent Technologies, Inc. Bottom antireflection coating color filter process for fabricating solid state image sensors
JP2003249632A (ja) * 2002-02-22 2003-09-05 Sony Corp 固体撮像素子およびその製造方法
JP4117672B2 (ja) 2002-05-01 2008-07-16 ソニー株式会社 固体撮像素子及び固体撮像装置、並びにこれらの製造方法
JP4120543B2 (ja) * 2002-12-25 2008-07-16 ソニー株式会社 固体撮像素子およびその製造方法
US6861686B2 (en) * 2003-01-16 2005-03-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Structure of a CMOS image sensor and method for fabricating the same
US7215361B2 (en) 2003-09-17 2007-05-08 Micron Technology, Inc. Method for automated testing of the modulation transfer function in image sensors
US6803250B1 (en) * 2003-04-24 2004-10-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Image sensor with complementary concave and convex lens layers and method for fabrication thereof
JP4123060B2 (ja) * 2003-06-11 2008-07-23 ソニー株式会社 固体撮像素子及びその製造方法
KR100499174B1 (ko) * 2003-06-17 2005-07-01 삼성전자주식회사 이미지 소자
US7223960B2 (en) * 2003-12-03 2007-05-29 Micron Technology, Inc. Image sensor, an image sensor pixel, and methods of forming the same
US6969899B2 (en) * 2003-12-08 2005-11-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Image sensor with light guides
KR100689885B1 (ko) * 2004-05-17 2007-03-09 삼성전자주식회사 광감도 및 주변광량비 개선을 위한 ｃｍｏｓ 이미지 센서및 그 제조방법

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