JP2011243753A - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】色再現性を向上する。
【解決手段】本発明の一形態に係る固体撮像装置１００は、第１のフォトダイオード２の上方の層間絶縁膜１７内に形成され、層間絶縁膜１７よりも屈折率の高い光導波路８Ｒと、第２のフォトダイオード２の上方の層間絶縁膜１７内に形成され、層間絶縁膜１７よりも屈折率の高い光導波路８Ｇ及び８Ｂと、光導波路８Ｒの上方に形成され、主に第１の波長の光を透過させるカラーフィルタ１２Ｒと、光導波路８Ｇ及び８Ｂの上方に形成され、主に第２の波長の光を透過させるカラーフィルタ１２Ｇ及び１２Ｂと、カラーフィルタ１２Ｇ、１２Ｇ及び１２Ｂの上方に形成されたマイクロレンズ１６とを備え、第１の波長は第２の波長よりも長く、光導波路８Ｒの開口径１３Ｒは、光導波路８Ｇ及び８Ｂの開口径１３Ｇ及び１３Ｂよりも小さい。
【選択図】図１
【解決手段】本発明の一形態に係る固体撮像装置１００は、第１のフォトダイオード２の上方の層間絶縁膜１７内に形成され、層間絶縁膜１７よりも屈折率の高い光導波路８Ｒと、第２のフォトダイオード２の上方の層間絶縁膜１７内に形成され、層間絶縁膜１７よりも屈折率の高い光導波路８Ｇ及び８Ｂと、光導波路８Ｒの上方に形成され、主に第１の波長の光を透過させるカラーフィルタ１２Ｒと、光導波路８Ｇ及び８Ｂの上方に形成され、主に第２の波長の光を透過させるカラーフィルタ１２Ｇ及び１２Ｂと、カラーフィルタ１２Ｇ、１２Ｇ及び１２Ｂの上方に形成されたマイクロレンズ１６とを備え、第１の波長は第２の波長よりも長く、光導波路８Ｒの開口径１３Ｒは、光導波路８Ｇ及び８Ｂの開口径１３Ｇ及び１３Ｂよりも小さい。
【選択図】図１
Description
本発明は、光導波路を有する固体撮像装置に関する。
固体撮像装置において、カメラの小型化、及び多画素化に伴い、セルの微細化が進んでいる。これに伴い、固体撮像装置の主要特性である光感度を低下させることのない技術確立が必要となりつつある。
また、セルの微細化が進んだことにより、これまでの構造ではセルの微細化と高感度化との両立が困難になっている。セルの微細化を進め、かつ光感度を維持するためには、フォトダイオードからマイクロレンズ下までの距離を短縮することが必須となる。しかしながら、特にＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）イメージセンサは、フォトダイオード横に配線を形成する必要がある。その分、ＭＯＳイメージセンサでは、フォトダイオードからマイクロレンズ下までの距離を短縮することが困難である。また、カラーフィルタの薄膜化も限界に近付きつつある。
このような状況の中でマイクロレンズによって集光された光をフォトダイオードにロスなく導く方法が必要となる。その方法として導波路構造を用いることが知られている。
例えば、特許文献１に開示される固体撮像装置では、半導体基板の表面にフォトダイオードが形成されており、その上層を被覆して酸化シリコンなどの絶縁膜が形成されている。また、フォトダイオードへの光の入射を妨げないようにフォトダイオード領域外において絶縁膜が形成されている。また、特許文献１に開示される固体撮像装置では、外部から入射する光をフォトダイオードに導波する光導波路がフォトダイオード上方に設けられている。
しかしながら、上記のようにマイクロレンズに入射する光をフォトダイオードに導波する光導波路を設けた固体撮像装置において、光導波路内の光が絶縁膜側へ染み出す問題が発生する。
特に、５７０ｎｍ以上の波長の長い光ほど絶縁膜側への染み出しは顕著である。具体的には、原色フィルタであれば赤色光、補色フィルタであればイエロー及びマゼンタの光が絶縁膜側へ染み出す。
これにより、従来の固体撮像装置は、隣接画素への混色が発生し、色再現性が悪化するという問題がある。
そこで、本発明は、色再現性を向上できる固体撮像装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一形態に係る固体撮像装置は、半導体基板と、前記半導体基板に形成された第１のフォトダイオード及び第２のフォトダイオードと、前記半導体基板の上に形成された層間絶縁膜と、前記第１のフォトダイオードの上方の前記層間絶縁膜内に形成され、前記層間絶縁膜よりも屈折率の高い第１の光導波路と、前記第２のフォトダイオードの上方の前記層間絶縁膜内に形成され、前記層間絶縁膜よりも屈折率の高い第２の光導波路と、前記第１の光導波路の上方に形成され、主に第１の波長の光を透過させる第１のカラーフィルタと、前記第２の光導波路の上方に形成され、主に第２の波長の光を透過させる第２のカラーフィルタと、前記第１のカラーフィルタの上方に形成された第１のマイクロレンズと、前記第２のカラーフィルタの上方に形成された第２のマイクロレンズとを備え、前記第１の波長は前記第２の波長よりも長く、前記第１の光導波路の前記半導体基板に平行な方向の幅は、前記第２の光導波路の前記半導体基板に平行な方向の幅よりも小さい。
この構成によれば、本発明の一形態に係る固体撮像装置は、長波長の光を受光する第１のフォトダイオードの上方に形成された第１の光導波路の幅を、短波長の光を受光する第２のフォトダイオードの上方に形成された第２の光導波路の幅より短くする。これにより、第１の光導波路と当該第１の光導波路に隣接する他の光導波路との距離を長くできるので、長波長の光が光導波路内で隣接画素への染み出すことを抑制できる。これにより、本発明の一形態に係る固体撮像装置は、隣接画素への混色を低減することができるので、色再現性を向上できる。
また、前記第１の波長の光は赤であり、前記第２の波長の光は緑又は青であってもよい。
この構成によれば、本発明の一形態に係る固体撮像装置は、赤色光が、光導波路内で隣接する緑色光を受光する画素、又は青色光を受光する画素へ染み出すことを抑制できる。
また、前記第１の波長の光はマゼンタ又はイエローであり、前記第２の波長の光はシアン又はグリーンであってもよい。
この構成によれば、本発明の一形態に係る固体撮像装置は、マゼンタ光又はイエロー光が、光導波路内で隣接するシアン光を受光する画素、又はグリーン光を受光する画素へ染み出すことを抑制できる。
また、前記第１の光導波路の前記半導体基板に平行な方向の幅は７００〜９００ｎｍであり、前記第２の光導波路の前記半導体基板に平行な方向の幅は９００〜１０００ｎｍであってもよい。
また、前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路は前記半導体基板に垂直な方向の深さが１３００〜１６００ｎｍであってもよい。
なお、本発明は、このような固体撮像装置として実現できるだけでなく、このような固体撮像装置を製造する固体撮像装置の製造方法として実現できる。
さらに、本発明は、このような固体撮像装置の機能の一部又は全てを実現する半導体集積回路（ＬＳＩ）として実現したり、このような固体撮像装置を備えるカメラとして実現したりできる。
以上より、本発明は、色再現性を向上できる固体撮像装置を提供できる。
以下、本発明に係る固体撮像装置の実施の形態について、図面を参照して説明する。
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置１００は、赤色光を受光するフォトダイオードの上方に形成された光導波路の幅を、青色光を受光するフォトダイオードの上方に形成された光導波路の幅、及び緑色光を受光するフォトダイオードの上方に形成された光導波路の幅より狭くする。これにより、赤色光を受光するフォトダイオードの上方に形成された光導波路と、当該光導波路に隣接する他の光導波路との距離を長くできるので、赤色光が光導波路内で隣接画素への染み出すことを抑制できる。これにより、本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置１００は、隣接画素への混色を低減することができるので、色再現性を向上できる。
本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置１００は、赤色光を受光するフォトダイオードの上方に形成された光導波路の幅を、青色光を受光するフォトダイオードの上方に形成された光導波路の幅、及び緑色光を受光するフォトダイオードの上方に形成された光導波路の幅より狭くする。これにより、赤色光を受光するフォトダイオードの上方に形成された光導波路と、当該光導波路に隣接する他の光導波路との距離を長くできるので、赤色光が光導波路内で隣接画素への染み出すことを抑制できる。これにより、本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置１００は、隣接画素への混色を低減することができるので、色再現性を向上できる。
まず、本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置１００の構成を説明する。
図１は、本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置１００の構成を示す断面図である。
図１は、本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置１００の構成を示す断面図である。
図１に示す固体撮像装置１００は、原色フィルタを適用した導波路構造を有するＭＯＳ型固体撮像装置（ＭＯＳイメージセンサ）である。この固体撮像装置１００は、半導体基板１と、フォトダイオード２と、転送ゲート３と、層間絶縁膜１７と、高屈折率膜８と、カラーフィルタ１２Ｇ、１２Ｒ及び１２Ｂと、平坦膜１５と、マイクロレンズ１６とを備える。
半導体基板１は、例えば、シリコン基板である。
フォトダイオード２は、半導体基板１の、受光面となる画素領域において画素毎に区分して形成されている。このフォトダイオード２は、入射光を光電変換することにより信号電荷を生成し、生成した信号電荷を蓄積する。
フォトダイオード２は、半導体基板１の、受光面となる画素領域において画素毎に区分して形成されている。このフォトダイオード２は、入射光を光電変換することにより信号電荷を生成し、生成した信号電荷を蓄積する。
転送ゲート３は、半導体基板１の表面に形成されており、フォトダイオード２に蓄積される信号電荷を読み出すために用いられる。
層間絶縁膜１７は、フォトダイオード２及び転送ゲート３を被覆するように半導体基板１上に形成されている。また、層間絶縁膜１７には、各フォトダイオード２の上方部分に凹部が形成されている。この層間絶縁膜１７は、積層された、拡散防止膜４と、配線５と、絶縁膜６、９、１０及び１１と、保護膜７とを含む。
保護膜７は、層間絶縁膜１７、及び層間絶縁膜１７に形成された凹部の内壁を被覆するように形成される。
高屈折率膜８は、保護膜７上に形成される。また、高屈折率膜８は、層間絶縁膜１７（絶縁膜６、９、１０及び１１）よりも高い屈折率を有する。例えば、高屈折率膜８の屈折率ｎは１．６〜１．９である。この高屈折率膜８は、入射光をフォトダイオード２に導く光導波路として機能する。
カラーフィルタ１２Ｒ、１２Ｇ及び１２Ｂは層間絶縁膜１７上に形成される。カラーフィルタ１２Ｒは赤色光を透過し、カラーフィルタ１２Ｇは緑色光を透過し、カラーフィルタ１２Ｂは青色光を透過する。なお、例えば、赤色光を透過するとは、主に赤色の波長帯域の光を透過し、それ以外の波長帯域の光を遮断することを意味する。厳密には、後述する図２に示す分光感度特性のように、赤色光を透過するフィルタとは、赤色の波長帯域に透過率のピークを有するフィルタである。
平坦膜１５は、カラーフィルタ１２Ｒ、１２Ｇ及び１２Ｂ上に形成される。
マイクロレンズ１６は、平坦膜１５上に、カラーフィルタ１２Ｒ、１２Ｇ及び１２Ｂごとに形成される。
マイクロレンズ１６は、平坦膜１５上に、カラーフィルタ１２Ｒ、１２Ｇ及び１２Ｂごとに形成される。
また、層間絶縁膜１７に形成される凹部は、その上に形成されるカラーフィルタ１２Ｒ、１２Ｇ及び１２Ｂにより開口径が異なる。具体的には、カラーフィルタ１２Ｒの下方に形成される光導波路８Ｒの開口径１３Ｒ（半導体基板１に平行な方向（図1の横方向）の幅）は、カラーフィルタ１２Ｇの下方に形成される光導波路８Ｇの開口径１３Ｇ、及びカラーフィルタ１２Ｂの下方に形成される光導波路８Ｂの開口径１３Ｂより狭い。
例えば、１．４μｍセルの場合、開口径１３Ｒは７００ｎｍ〜９００ｎｍである。また、開口径１３Ｇ及び１３Ｂは９００〜１０００ｎｍである。また、層間絶縁膜１７に形成された凹部の深さ１８は１３００〜１６００ｎｍである。また、例えば、各色の画素セルは同一のサイズである。
また、高屈折率膜８は、光導波路内だけでなく、開口間口から上側に０〜１０００ｎｍまで形成される。
また、その上に形成されるカラーフィルタ１２Ｒ、１２Ｇ及び１２Ｂの厚さは３００〜１０００ｎｍであり、平坦膜１５の厚さは１０ｎｍ〜５００ｎｍであり、マイクロレンズ１６の高さは１００〜１０００ｎｍである。
次に、固体撮像装置１００の分光感度特性を説明する。
図２は、開口径１３Ｒが、７００ｎｍ／８２０ｎｍ／８８０ｎｍ／１０００ｎｍであり、開口径１３Ｇ及び１３Ｂが１０００ｎｍである場合における、カラーフィルタ１２Ｒの下方に形成されたフォトダイオード２の分光感度特性２０Ｒと、カラーフィルタ１２Ｇの下方に形成されたフォトダイオード２の分光感度特性２０Ｇと、カラーフィルタ１２Ｂの下方に形成されたフォトダイオード２の分光感度特性２０Ｂとを示す図である。
図２は、開口径１３Ｒが、７００ｎｍ／８２０ｎｍ／８８０ｎｍ／１０００ｎｍであり、開口径１３Ｇ及び１３Ｂが１０００ｎｍである場合における、カラーフィルタ１２Ｒの下方に形成されたフォトダイオード２の分光感度特性２０Ｒと、カラーフィルタ１２Ｇの下方に形成されたフォトダイオード２の分光感度特性２０Ｇと、カラーフィルタ１２Ｂの下方に形成されたフォトダイオード２の分光感度特性２０Ｂとを示す図である。
また、図３は図２の緑色（分光感度特性２０Ｇ）の感度ピーク付近（５３０ｎｍ付近）の分光感度特性２０Ｇの拡大図である。図４は緑色の感度ピーク付近（５３０ｎｍ付近）の分光感度特性２０Ｒ及び２０Ｂの拡大図である。また、図５は青色（分光感度特性２０Ｂ）の感度ピーク付近（４６０ｎｍ付近）における分光感度特性２０Ｒ及び２０Ｇの拡大図である。また、図６は、赤色（分光感度特性２０Ｒ）の感度ピーク付近（６００ｎｍ付近）における分光感度特性２０Ｇの拡大図である。
図３〜図５に示すように、赤色の分光感度特性２０Ｒは、緑色の感度ピーク付近（５２５ｎｍ）と青色の感度ピーク付近（４６０ｎｍ）では、開口径１３Ｒが小さくなるほど分光感度が低下している。また、緑色の分光感度特性２０Ｇ及び青色の分光感度特性２０Ｂも、赤色の分光感度特性２０Ｒと同様に、緑色の感度ピーク付近（５２５ｎｍ）と青色の感度ピーク付近（４６０ｎｍ）で、開口径１３Ｒが小さくなるほど分光感度ピークが低下している。
また、図６に示すように、赤色の分光感度ピーク付近（６００ｎｍ付近）では、緑色の分光感度特性２０Ｇは、開口径１３Ｒが小さくなるほど分光感度が低下している。
図７は、比較のための図であり、光導波路８Ｒの開口径１３Ｒが、光導波路８Ｂの開口径１３Ｂ及び光導波路８Ｇの開口径１３Ｇと等しい固体撮像装置２００における、入射光２５Ｂの様子を示す図である。また、図８は、本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置１００における、入射光２５Ａの様子を示す図である。
図７に示すように、開口径１３Ｒが大きい場合には、光導波路８Ｒ内に入射した入射光２５Ｂが、光導波路８Ｒの壁から染み出し、隣接画素へ漏れ込む。一方、図８に示すように、開口径１３Ｒが小さい場合、光導波路８Ｒから隣接画素の光導波路８Ｇ及び８Ｂまでの距離１４Ａ（例えば、４５０〜５５０ｎｍ）は、図７に示す場合の光導波路８Ｒから隣接画素の光導波路８Ｇ及び８Ｂまでの距離１４Ｂに比べて長くなる。このように、開口径１３Ｒを小さくすることにより、光導波路８Ｒから隣接画素の光導波路８Ｇ及び８Ｂへの染み出し量が減少する。これにより、混色が低減される。
次に、比較のために、他の色の光導波路８Ｂ及び８Ｇの開口径１３Ｂ及び１３Ｇを変化させた場合の分光感度の変化について述べる。
図９は、緑色の光導波路８Ｇの開口径１３Ｇを変化させた場合の分光感度特性を示す図である。また、図１０は、青色の光導波路８Ｂの開口径１３Ｂを変化させた場合の分光感度特性を示す図である。
図９に示すように、緑色の開口径１３Ｇを変化させた場合、緑色の分光感度特性２０Ｇは変化するが、赤色及び青色の分光感度特性２０Ｒ及び２０Ｂは多くの波長帯域でほとんど変化しない。なお、緑色の感度ピーク付近（５３０ｎｍ付近）では、赤色及び青色の分光感度特性２０Ｒ及び２０Ｂは緑色の開口径１３Ｇの変化の影響を受けている。
また、図１０に示すように、青色の光導波路８Ｂの開口径１３Ｂを変化させた場合、青色の分光感度特性２０Ｂは変化するが、赤色及び緑色の分光感度特性２０Ｒ及び２０Ｇはどの波長帯域においても、開口径１３Ｂを変化の影響を受けていないことがわかる。
このように、波長が長いほど、開口径の大きさの変化が他の色の画素へ与える影響が大きいことがわかる。特に、波長が最も長い、赤色の開口径１３Ｒが他の色の画素へ与える影響が大きい。
なお、赤色の開口径１３Ｒを大きくして、緑色及び青色の開口径１３Ｇ及び１３Ｂを小さくする方法も考えられる。しかしながら、緑色の感度はできるだけ高く設定しなければならない。また、光導波路の開口径が大きければ大きいほど感度は向上する。これらにより、緑色の開口径１３Ｇを小さくすることは好ましくない。つまり、混色を低減する方法として、赤色の開口径１３Ｒを絞ることが好ましい。
また、赤色の開口径１３Ｒが小さいほど混色は低減できるが、その反面、赤色の感度が低下してしまう。その結果、赤色の分光感度特性２０Ｒと緑色の分光感度特性２０Ｇとのクロスポイントが高くなり、色分離が悪化する。このため、開口径の設定にも基準が必要である。一例として赤色のピークとクロスポイントとの差を決めておいて、それを満足する開口径に設定する方法もある。
（実施の形態２）
実施の形態２では、上述した実施の形態１に係る固体撮像装置１００の変形例であり、補色フィルタを適用した固体撮像装置１００Ａについて説明する。
実施の形態２では、上述した実施の形態１に係る固体撮像装置１００の変形例であり、補色フィルタを適用した固体撮像装置１００Ａについて説明する。
図１１は、本発明の実施の形態２に係る固体撮像装置１００Ａの断面図である。なお、図１と同様の要素には同一の符号を付しており、重複する説明は省略する。
図１１に示す固体撮像装置１００Ａは、図１に示す固体撮像装置１００に対して、カラーフィルタ１２Ｒ、１２Ｇ及び１２Ｂの代わりに、カラーフィルタ２２Ｃ、２２Ｙ、２２Ｇ及び２２Ｍを備える。
カラーフィルタ２２Ｃ、２２Ｙ、２２Ｇ及び２２Ｍは層間絶縁膜１７上に形成される。カラーフィルタ２２Ｃはシアン光を透過し、カラーフィルタ２２Ｙはイエロー光を透過し、カラーフィルタ２２Ｇはグリーン光を透過し、カラーフィルタ２２Ｍはマゼンタ光を透過する。
また、カラーフィルタ２２Ｙの下方に形成される光導波路２８Ｙの開口径２３Ｙ、及びカラーフィルタ２２Ｍの下方に形成される光導波路２８Ｍの開口径２３Ｍは、カラーフィルタ２２Ｃの下方に形成される光導波路２８Ｃの開口径２３Ｃ、及びカラーフィルタ２２Ｇの下方に形成される光導波路２８Ｇの開口径２３Ｇより狭い。
具体的には、開口径２３Ｙ及び２３Ｍは、１．４μｍセルの場合、７００ｎｍ〜９００ｎｍである。また、開口径２３Ｃ及び２３Ｇは、１．４μｍセルの場合、９００〜１０００ｎｍである。また、層間絶縁膜１７に形成された凹部の深さは、１３００〜１６００ｎｍである。
以上により、本発明の実施の形態２に係る固体撮像装置１００Ａは、上述した実施の形態１に係る固体撮像装置１００と同様に、イエロー光及びマゼンタ光が光導波路内で隣接画素への染み出すことを抑制できる。これにより、固体撮像装置１００Ａは、隣接画素への混色を低減することができるので、色再現性を向上できる。
また、上記実施の形態１〜２に係る固体撮像装置は集積回路であるＬＳＩとして実現される。
また、上記各図において、各構成要素の角部及び辺を直線的に記載しているが、製造上の理由により、角部及び辺が丸みをおびたものも本発明に含まれる。
また、上記実施の形態１〜２に係る、固体撮像装置、及びその変形例の機能のうち少なくとも一部を組み合わせてもよい。
また、上記説明では、ＭＯＳ型固体撮像装置に本発明を適用した例を述べたが、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）型固体撮像装置に本発明を適用してもよい。
また、本発明は、上記固体撮像装置を備えるカメラとして実現してもよい。
また、上記で用いた数字は、全て本発明を具体的に説明するために例示するものであり、本発明は例示された数字に制限されない。また、上記で示した各構成要素の材料は、全て本発明を具体的に説明するために例示するものであり、本発明は例示された材料に制限されない。
また、上記で用いた数字は、全て本発明を具体的に説明するために例示するものであり、本発明は例示された数字に制限されない。また、上記で示した各構成要素の材料は、全て本発明を具体的に説明するために例示するものであり、本発明は例示された材料に制限されない。
更に、本発明の主旨を逸脱しない限り、本実施の形態に対して当業者が思いつく範囲内の変更を施した各種変形例も本発明に含まれる。
本発明は、固体撮像装置に適用できる。また、本発明は、ＭＯＳカメラなどの固体撮像装置を搭載したカメラに適用できる。
１ 半導体基板
２ フォトダイオード
３ 転送ゲート
４ 拡散防止膜
５ 配線
６、９、１０、１１ 絶縁膜
７ 保護膜
８ 高屈折率膜
８Ｂ、８Ｇ、８Ｒ、２８Ｃ、２８Ｇ、２８Ｍ、２８Ｙ 光導波路
１２Ｂ、１２Ｇ、１２Ｒ、２２Ｃ、２２Ｇ、２２Ｍ、２２Ｙ カラーフィルタ
１３Ｂ、１３Ｇ、１３Ｒ、２３Ｃ、２３Ｇ、２３Ｍ、２３Ｙ 開口径
１４Ａ、１４Ｂ 距離
１５ 平坦膜
１６ マイクロレンズ
１７ 層間絶縁膜
１８ 深さ
２０Ｂ、２０Ｇ、２０Ｒ 分光感度特性
２５Ａ、２５Ｂ 入射光
１００、１００Ａ、２００ 固体撮像装置
２ フォトダイオード
３ 転送ゲート
４ 拡散防止膜
５ 配線
６、９、１０、１１ 絶縁膜
７ 保護膜
８ 高屈折率膜
８Ｂ、８Ｇ、８Ｒ、２８Ｃ、２８Ｇ、２８Ｍ、２８Ｙ 光導波路
１２Ｂ、１２Ｇ、１２Ｒ、２２Ｃ、２２Ｇ、２２Ｍ、２２Ｙ カラーフィルタ
１３Ｂ、１３Ｇ、１３Ｒ、２３Ｃ、２３Ｇ、２３Ｍ、２３Ｙ 開口径
１４Ａ、１４Ｂ 距離
１５ 平坦膜
１６ マイクロレンズ
１７ 層間絶縁膜
１８ 深さ
２０Ｂ、２０Ｇ、２０Ｒ 分光感度特性
２５Ａ、２５Ｂ 入射光
１００、１００Ａ、２００ 固体撮像装置
Claims (5)
- 半導体基板と、
前記半導体基板に形成された第１のフォトダイオード及び第２のフォトダイオードと、
前記半導体基板の上に形成された層間絶縁膜と、
前記第１のフォトダイオードの上方の前記層間絶縁膜内に形成され、前記層間絶縁膜よりも屈折率の高い第１の光導波路と、
前記第２のフォトダイオードの上方の前記層間絶縁膜内に形成され、前記層間絶縁膜よりも屈折率の高い第２の光導波路と、
前記第１の光導波路の上方に形成され、主に第１の波長の光を透過させる第１のカラーフィルタと、
前記第２の光導波路の上方に形成され、主に第２の波長の光を透過させる第２のカラーフィルタと、
前記第１のカラーフィルタの上方に形成された第１のマイクロレンズと、
前記第２のカラーフィルタの上方に形成された第２のマイクロレンズとを備え、
前記第１の波長は前記第２の波長よりも長く、前記第１の光導波路の前記半導体基板に平行な方向の幅は、前記第２の光導波路の前記半導体基板に平行な方向の幅よりも小さい
固体撮像装置。 - 前記第１の波長の光は赤であり、前記第２の波長の光は緑又は青である
請求項１に記載の固体撮像装置。 - 前記第１の波長の光はマゼンタ又はイエローであり、前記第２の波長の光はシアン又はグリーンである
請求項１に記載の固体撮像装置。 - 前記第１の光導波路の前記半導体基板に平行な方向の幅は７００〜９００ｎｍであり、前記第２の光導波路の前記半導体基板に平行な方向の幅は９００〜１０００ｎｍである
請求項１〜３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。 - 前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路は前記半導体基板に垂直な方向の深さが１３００〜１６００ｎｍである
請求項１〜４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
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