KR20090056431A - 이미지센서 및 그 제조방법 - Google Patents
이미지센서 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20090056431A KR20090056431A KR1020070123567A KR20070123567A KR20090056431A KR 20090056431 A KR20090056431 A KR 20090056431A KR 1020070123567 A KR1020070123567 A KR 1020070123567A KR 20070123567 A KR20070123567 A KR 20070123567A KR 20090056431 A KR20090056431 A KR 20090056431A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- trench
- color filter
- forming
- image sensor
- metal wiring
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 31
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 abstract 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14632—Wafer-level processed structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14687—Wafer level processing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
실시예는 이미지센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 실시예에 따른 이미지 센서는, 수광소자를 포함하는 반도체 기판, 상기 반도체 기판 상에 형성되고, 측벽에 가이드 패턴이 형성된 트렌치를 포함하는 금속 배선층 및 상기 트렌치 내에 매립된 컬러필터를 포함한다. 실시예에 따른 이미지 센서 및 그 제조 방법은 트렌치에 컬러 필터를 적용하여 불필요한 광 패스(path)를 줄여 이미지 센서의 성능을 향상시킬 수 있다.
이미지 센서, 컬러 필터, 가이드 패턴, 트렌치
Description
실시예는 이미지센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
이미지 센서(Image sensor)는 광학적 영상(optical image)을 전기적 신호로 변환시키는 반도체 소자로써, 크게 전하결합소자(charge coupled device: CCD)와 씨모스(CMOS; Complementary Metal Oxide Silicon) 이미지 센서(Image Sensor)(CIS)로 구분된다.
씨모스 이미지 센서는 이미징(IMAGING) 기술로 빛을 디지털화 하는 장치이다. 씨모스 이미지 센서는 단위 화소 내에 포토 다이오드와 모스 트랜지스터를 형성시킴으로써 스위칭 방식으로 각 단위 화소의 전기적 신호를 순차적으로 검출하여 영상을 구현한다.
씨모스 이미지 센서의 구조를 간단히 살펴보면 수광부, 필터부, 센서부, 회로부로 나뉘어 있다. 이미징 기술에서 중요한 것은 들어온 빛을 필터링하여 빛의 손실 없이 이미지를 디지털화하는 것이다.
그러나 씨모스 이미지 센서는 배선 공정을 위하여 많은 레이어(layer)들을 적층하는 구조를 채택하고 있으며, 이 적층 구조의 레이어들로 들어온 빛은 회절에 의해 소멸되거나 인접 화소에 영향을 주는 문제점이 있다.
실시예는 이미지 센서의 광특성을 향상시켜, 광감도를 향상시킬 수 있는 이미지 센서 및 그 제조 방법을 제공한다.
실시예는 이미지 센서로 들어온 빛을 손실없이 사용하며 인접 화소와의 간섭을 배제할 수 있는 이미지 센서 및 그 제조 방법을 제공한다.
실시예에 따른 이미지 센서는, 수광소자를 포함하는 반도체 기판, 상기 반도체 기판 상에 형성되고, 측벽에 가이드 패턴이 형성된 트렌치를 포함하는 금속 배선층 및 상기 트렌치 내에 매립된 컬러필터를 포함한다.
실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법은, 수광소자를 포함하는 반도체 기판 상에 금속배선층을 형성하는 단계, 상기 금속배선층에 상기 수광소자와 대응하는 트렌치를 형성하는 단계, 상기 트렌치의 측벽에 가이드 패턴을 형성하는 단계 및 상기 트렌치 내에 컬러필터를 형성하는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 이미지 센서 및 그 제조 방법은 트렌치에 컬러 필터를 적용하여 불필요한 광 패스(path)를 줄여 이미지 센서의 성능을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 빛이 금속배선을 향하여 입사될 때, 트렌치의 측벽에 형성된 가이드 패턴으로 인하여 금속배선층 내부로 입사되지 못하여 크로스 토크(cross talk)를 방지할 수 있으므로 이미지 센서의 노이즈의 발생을 방지하고 화질을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
이하, 실시예에 따른 이미지센서 및 그 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
실시예의 설명에 있어서, 각 층의 "상/아래(on/under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상/아래는 직접(directly)와 또는 다른 층을 개재하여(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다.
실시예의 설명에 있어서 씨모스 이미지 센서(CIS)에 대한 구조의 도면을 이용하여 설명하나, 본 발명은 씨모스 이미지 센서에 한정되는 것이 아니며, CCD 이미지센서 등 모든 이미지센서에 적용이 가능하다.
도 1 내지 도 7은 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법의 공정단면도이다.
우선, 도 1에 도시된 바와 같이, 제1기판(10)에 회로층(20) 및 금속배선층(30)을 형성시킨다.
상기 제1기판(10)에는 소자분리막(5) 및 수광소자(15)가 형성되어 있고, 상기 회로층(20)은 트랜지스터를 포함하는 회로가 형성되어 있으며, 상기 금속배선 층(30)은 상기 회로와 연결된 배선(35)을 포함하여 형성된다.
상기 수광소자(15)는 포토 다이오드(photo diode)가 될 수 있다.
그리고, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 금속배선층(30)에 트렌치(37)를 형성한다.
상기 트렌치(37)는 상기 금속배선층(30) 상에 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 식각 공정을 진행하여 형성할 수 있다.
상기 트렌치(37)는 상기 금속배선층(30)의 상기 수광소자(15)와 대응되는 영역에 형성된다.
이어서, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 트렌치(37)를 포함하는 상기 금속배선층(30) 상에 가이드 막(40)을 형성한다.
상기 가이드 막(40)은 금속막으로 이루어질 수 있다.
상기 금속막은 Al, Cu, Ta, Ti, W, Au, Ag 및 Al계열 금속으로 이루어지는 금속 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 가이드막(40)은 입사되는 광을 전반사시켜 화소로 입사시킴으로써 빛의 손실을 최소화할 수 있다.
상기 가이드 막(40)은 Å의 두께로 형성될 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 상기 트렌치(37) 및 금속배선층(30)을 포함하는 상기 반도체 기판(10)에 플라즈마 전면식각(plasma blanket etch) 공정을 진행하여 상기 트렌치(37)의 측벽에 가이드 패턴(45)을 형성한다.
직진성이 강한 이방성 식각이 진행되는 상기 플라즈마 전면식각 공정으로 상기 트렌치(37)의 바닥면 및 상기 금속배선층(30)의 상부에 형성된 상기 가이드 막(40)은 모두 제거되고, 상기 트렌치(37)의 측벽에 가이드 패턴(45)이 형성된다.
이때, 상기 트렌치(37)의 바닥면에 형성된 상기 가이드 막(40)을 제거함으로써, 광투과성을 향상시킴으로써 수광소자에 입사되는 광량을 증가시킬 수 있다.
또한, 빛이 상기 금속배선(35)을 향하여 입사될 때, 상기 트렌치(37)의 측벽에 형성된 상기 가이드 패턴(45)으로 인하여 상기 금속배선층(30) 내부로 입사되지 못하여 크로스 토크(cross talk)를 방지할 수 있기 때문에, 이미지 센서의 노이즈의 발생을 방지할 수 있다.
이어서, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 트렌치(37) 중 적어도 하나에 매립되도록 상기 금속배선층(30) 상에 제 1 감광성 컬러필터(51)를 형성한다.
상기 제 1 감광성 컬러필터(51)는 제 1 감광성 컬러필터층을 패턴 마스크에 의하여 노광한 후 현상하여 형성될 수 있다.
도 6에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 감광성 컬러필터필터(51)가 매립되지 않은 트렌치(37) 중 적어도 하나에 제 2 감광성 컬러필터(52)를 형성한다.
상기 제 2 감광성 컬러필터(52)는 제 2 감광성 컬러필터층을 패턴 마스크에 의하여 노광한 후 현상하여 형성될 수 있다.
이후, 상기 트렌치 중 적어도 하나에 제 3 감광성 컬러필터(53)를 형성한다.
상기 제 3 감광성 컬러필터(53)는 제 3 감광성 컬러필터층을 패턴 마스크에 의하여 노광한 후 현상하여 형성될 수 있다.
상기 제 1 내지 제 3 감광성 컬러필터(51, 52, 53)은 적색, 녹색 및 청색 컬러 필터 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
이와 같이, 상기 반도체 기판(10)에 형성된 트렌치(37)들 각각에 감광성 컬러필터 물질을 매립하여 각 화소와 대응하는 컬러필터 어레이를 형성할 수 있다.
상기 제 1 내지 제 3 감광성 컬러필터의 높이는 서로 다를 수 있으며, 적색, 녹색, 청색 순으로 높이가 작아질 수 있다. 이는 상기 제 1 내지 제 3 감광성 컬러필터는 컬러필터의 색에 따라 파장이 다르기 때문이다.
도 7에 도시한 바와 같이, 상기 트렌치(37) 내에 컬러필터 어레이가 형성된 반도체 기판(10) 상에 제 1 보호막(61) 및 제 2 보호막(62)을 형성한다.
이후, 단위 화소와 대응하여 상기 제 1 내지 제 3 감광성 컬러필터(51, 52, 53) 상부에 마이크로 렌즈(micro lens)(65)를 형성할 수 있다.
상기 금속배선층(30) 상에 패드(60)가 형성될 수 있다.
실시예와 같은 구조를 갖는 이미지 센서는 트렌치(37) 내벽을 따라 형성된 가이드 패턴(45)에 의해 빛의 굴절에 의한 손실을 최소화할 수 있다.
또한, 빛이 금속배선(35)을 향하여 입사될 때, 트렌치(37)의 측벽에 형성된 가이드 패턴(45)으로 인하여 금속배선층(30) 내부로 입사되지 못하여 크로스 토크(cross talk)를 방지할 수 있으므로 이미지 센서의 노이즈의 발생을 방지하고 화질을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 실시예에 따른 이미지 센서는 트렌치(37) 내에 컬러필터 어레이를 형 성함으로써 별도의 컬러필터 어레이를 구성할 필요가 없어, 불필요한 광의 패스(path)를 줄여 빛의 손실을 방지할 수 있으며 낮은 광량에서도 좋은 광 효율을 가질 수 있다.
또한, 상기 컬러필터 어레이층을 생략할 수 있으므로 상기 이미지 센서의 두께를 얇게 형성할 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1 내지 도 7은 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법의 공정단면도이다.
Claims (10)
- 수광소자를 포함하는 반도체 기판;상기 반도체 기판 상에 형성되고, 측벽에 가이드 패턴이 형성된 트렌치를 포함하는 금속 배선층; 및상기 트렌치 내에 매립된 컬러필터를 포함하는 이미지 센서.
- 제 1항에 있어서,상기 트렌치 및 상기 컬러필터는 상기 수광소자에 대응하는 영역에 배치된 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제 1항에 있어서,상기 컬러필터 상에 배치된 렌즈를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제 1항에 있어서,상기 가이드 패턴은 금속 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제 1항에 있어서,상기 컬러필터는, 적색, 녹색 및 청색 컬러필터를 포함하며, 각 컬러필터의 높이가 다른 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 수광소자를 포함하는 반도체 기판 상에 금속배선층을 형성하는 단계;상기 금속배선층에 상기 수광소자와 대응하는 트렌치를 형성하는 단계;상기 트렌치의 측벽에 가이드 패턴을 형성하는 단계; 및상기 트렌치 내에 컬러필터를 형성하는 단계를 포함하는 이미지센서 제조방법.
- 제 6항에 있어서,상기 가이드 패턴을 형성하는 단계에 있어서,상기 트렌치를 포함하는 상기 금속배선층 상에 금속막을 형성하는 단계;상기 금속배선층 및 상기 금속막을 포함하는 상기 반도체 기판에 전면식각(blanket etch)을 진행하여, 상기 트렌치의 내벽에만 가이드 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
- 제 6항에 있어서,상기 컬러필터는 적색, 녹색 및 청색 컬러필터 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
- 제 6항에 있어서,상기 금속배선층 상에 상기 트렌치 및 상기 컬러필터와 대응하여 렌즈를 배치하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
- 제 6항에 있어서,상기 트렌치는 제 1 내지 제 3 트렌치를 포함하며,상기 제 1 트렌치 내에 제 1 컬러필터를 형성하는 단계;상기 제 2 트렌치 내에 제 2 컬러필터를 형성하는 단계;상기 제 3 트렌치 내에 제 3 컬러필터를 형성하는 단계를 포함하며,상기 제 1 내지 제 3 컬러필터의 높이가 다른 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070123567A KR20090056431A (ko) | 2007-11-30 | 2007-11-30 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
US12/267,726 US20090140361A1 (en) | 2007-11-30 | 2008-11-10 | Image Sensor and Method of Manufacturing the Same |
CN2008101819359A CN101447499B (zh) | 2007-11-30 | 2008-11-28 | 图像传感器及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070123567A KR20090056431A (ko) | 2007-11-30 | 2007-11-30 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090056431A true KR20090056431A (ko) | 2009-06-03 |
Family
ID=40674866
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070123567A KR20090056431A (ko) | 2007-11-30 | 2007-11-30 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090140361A1 (ko) |
KR (1) | KR20090056431A (ko) |
CN (1) | CN101447499B (ko) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8222710B2 (en) * | 2008-06-13 | 2012-07-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Sensor structure for optical performance enhancement |
KR101550067B1 (ko) * | 2008-12-24 | 2015-09-03 | 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 |
US9356185B2 (en) * | 2014-06-20 | 2016-05-31 | Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. | Compact light sensing modules including reflective surfaces to enhance light collection and/or emission, and methods of fabricating such modules |
DE102018124352B4 (de) | 2017-11-15 | 2023-07-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Farbfilter-gleichförmigkeit für bildsensorvorrichtungen |
US10304885B1 (en) * | 2017-11-15 | 2019-05-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Color filter uniformity for image sensor devices |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100689885B1 (ko) * | 2004-05-17 | 2007-03-09 | 삼성전자주식회사 | 광감도 및 주변광량비 개선을 위한 cmos 이미지 센서및 그 제조방법 |
US7193289B2 (en) * | 2004-11-30 | 2007-03-20 | International Business Machines Corporation | Damascene copper wiring image sensor |
KR100731131B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2007-06-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
KR100731133B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2007-06-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Cmos 이미지 센서의 제조 방법 |
US7675080B2 (en) * | 2006-01-10 | 2010-03-09 | Aptina Imaging Corp. | Uniform color filter arrays in a moat |
-
2007
- 2007-11-30 KR KR1020070123567A patent/KR20090056431A/ko not_active Application Discontinuation
-
2008
- 2008-11-10 US US12/267,726 patent/US20090140361A1/en not_active Abandoned
- 2008-11-28 CN CN2008101819359A patent/CN101447499B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090140361A1 (en) | 2009-06-04 |
CN101447499B (zh) | 2011-03-23 |
CN101447499A (zh) | 2009-06-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9508767B2 (en) | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus | |
KR102600673B1 (ko) | 이미지 센서 | |
JP4798232B2 (ja) | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 | |
US20120235263A1 (en) | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus | |
US8193025B2 (en) | Photomask, image sensor, and method of manufacturing the image sensor | |
JP5725123B2 (ja) | 固体撮像装置及び電子機器 | |
JP5360102B2 (ja) | 固体撮像装置及び電子機器 | |
KR101973836B1 (ko) | 이미지 센서 제조 방법 | |
KR20090037004A (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
KR20090056431A (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
JP5418527B2 (ja) | 固体撮像装置及び電子機器 | |
KR100883038B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
CN110120396B (zh) | 影像传感器 | |
JP2011135100A (ja) | 固体撮像装置及び電子機器 | |
KR100840646B1 (ko) | 시모스 이미지 센서의 제조 방법 | |
KR100967477B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
US7883923B2 (en) | Method for manufacturing image sensor | |
TW201628170A (zh) | 半導體元件及其製造方法 | |
KR20080060484A (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
US9679941B2 (en) | Image-sensor structures | |
JP2011135101A (ja) | 固体撮像装置及び電子機器 | |
JP5353356B2 (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
KR100802303B1 (ko) | 이미지 센서 제조방법 | |
KR20110068679A (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
CN116884982A (zh) | 改善背面金属格栅Q-time的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |