JP4770864B2

JP4770864B2 - 半導体装置

Info

Publication number: JP4770864B2
Application number: JP2008103003A
Authority: JP
Inventors: 浩之友松
Original assignee: 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
Priority date: 2008-04-11
Filing date: 2008-04-11
Publication date: 2011-09-14
Anticipated expiration: 2028-04-11
Also published as: US7928529B2; US20090278221A1; JP2009253235A; US20110159637A1

Description

本発明は、基板上にＰＩＮフォトダイオード等の受光素子が形成された光検出用の半導体装置に関する。

ＰＩＮフォトダイオードは、Ｐ型半導体とＮ型半導体の間にIntrinsic層（高抵抗のエピタキシャル層など）を含むＰ−Ｉ−Ｎ構造を持ち、入射した光を光電流に変換する素子である。その原理は、エネルギー・バンド・ギャップより大きなエネルギーの光が逆バイアス印加されたＰＩＮ構造を持つシリコン（Ｓｉ）中に入射されると、シリコン結晶内で電子−正孔対が生成され、それらは光キャリアとして電子はＮ層へ、正孔はＰ層へそれぞれ移動し、逆方向の電流が出力される。

例えば特許文献１は、図７（ａ）に示すように、Ｎ型半導体層１１の表層にＰ型半導体層１２を形成し、半導体層１２上にマスク層３０および絶縁層Ｉを形成し、図７（ｂ）に示すように、マスク層３０をエッチングストッパとして絶縁層Ｉに開口部Ｈを形成し、ウエットエッチングにより開口部Ｈ内のマスク層３０を除去するフォトダイオードの製造方法を開示している。これにより、エッチングの損傷によるリークの発生を抑制している。さらに特許文献１は、図８に示すように、Ｎ型半導体層１１内に碁盤の目状に複数のＰ型半導体層１２を形成し、シリコン表面に、酸化シリコン膜２５および窒化シリコン膜２６からなる反射防止膜ＡＲを形成したフォトダイオードを開示している。

特開２００１−３２００７９号

受光用の半導体装置は、ＰＩＮフォトダイオードと回路素子を基板上に形成し、ＰＩＮフォトダイオードによって検出された電流を電圧に変換して回路素子によって増幅し、これを外部へ出力する。このような半導体装置を光学ピックアップに用いた場合、光源からのレーザ光またはメディアディスクからの反射光は、フォトダイオードが形成された受光素子領域のみを照射すれば十分であるが、実際には、光学系の位置決め精度などのマージンを考慮し、反射光はチップ全体を照射する。

光が、回路素子領域に入射してしまうと、その光エネルギーによってＰＮ接合に電荷が生成され、当該電荷に起因した回路素子のリークにより回路が誤動作するという問題が発生する。従来の受光用の半導体装置では、その対策として最上層のメタル配線を遮光メタル層として併用している。

図９は、従来の半導体装置の概略構成を示すもので、図９（ａ）は平面図、図９（ｂ）はそのＡ−Ａ線断面図である。半導体装置１００は、シリコン基板（基板上にエピタキシャル成長された半導体層を含む）１１０を含み、シリコン基板上には、ＰＩＮフォトダイオードによる受光素子が形成された受光素子領域１２０と、その周辺に回路素子領域１３０が形成されている。シリコン基板上には、金属配線層およびそれらの間に介在された層間絶縁膜を含む多層配線領域１４０が形成され、多層配線領域１４０には、受光素子領域１２０を露出させ、あるいはそこへの入射を可能にするための開口部Ｈが形成されている。また、多層配線領域１４０の最上層には、配線と遮光を兼ねたＡｌ等の遮光メタル配線層１５０、１５２、１５４が形成されている。

遮光メタル配線層１５０、１５２，１５４は、配線としての配線パターンを形成しなければならないため、配線層と配線層との間には間隙１６０が形成され、そこが未遮光領域となってしまう。未遮光領域がシリコン酸化膜によって覆われているような場合、入射光Ｌ１がシリコン酸化膜を透過し、未遮光領域からの光が回路素子にノイズを生じさせ、回路素子が誤動作してしまうことがある。また、チップの外縁部１６２も遮光メタル配線１５０、１５２、１５４によって覆われていないため、入射光Ｌ２の一部が外縁部１６２から回路素子領域１３０に入射するおそれがある。

さらに多層配線領域１４０は、金属配線層１４２とこれを接続するヴィアコンタクト（プラグ）１４４を含むが、ビアコンタクト１４４は、開口部Ｈの側面から一定のマージンをもって離れた位置に形成されているため、ビアコンタクト１４４は、遮光部材としては完全に機能し得ず、入射光Ｌ３の一部は、開口部Ｈの側面から周辺回路領域１３０へ向けて入射するおそれがある。

本発明は、このような従来の課題を解決し、回路素子領域への光の入射を抑制し回路素子を正常に動作させることが可能な半導体装置を提供することを目的とする。

本発明に係る半導体装置は、半導体領域に形成された少なくとも１つの受光素子領域と、半導体領域に形成された少なくとも１つの回路素子領域と、前記少なくとも１つの回路素子領域上に形成された配線領域と、前記配線領域の最上層に形成された、タンタルまたはタンタル化合物から成るタンタル膜とを有し、前記配線領域は、前記受光素子領域に臨む第１の側壁を含み、前記タンタル膜は、前記第１の側壁上に形成され、前記配線領域は、前記回路素子領域の回路素子と電気的に接続された金属配線層と、当該金属配線層上に形成された絶縁層とを含み、前記タンタル膜が前記絶縁層上に形成され、前記タンタル膜および前記絶縁層に開口が形成され、前記開口によって前記金属配線層の一部が露出され、当該露出された領域が外部接続領域として機能する。

好ましくは、前記金属配線層は、第１の金属配線パターンと当該第１の金属配線層から離間して形成された第２の金属配線パターンとを含み、第１および第２の金属配線パターンの間隙上に前記タンタル膜が位置する。

好ましくは、前記配線領域は、スクライブ領域に臨む第２の側壁を含み、前記タンタル膜は、前記第２の側壁上に形成される。

好ましくは、前記タンタル化合物は、タンタルナイトライド（ＴａＮ）、タンタルシリコンナイトライド（ＴａＳｉＮ）である。更に、好ましくは、前記絶縁層は、シリコン窒化物である。

本発明に係る光学読取装置は、上記特徴を備えた半導体装置と、記録媒体に光を照射する光源とを含み、前記半導体装置の受光素子領域に、前記光源から出射された光の一部または前記記録媒体からの反射光が入射される。

本発明の半導体装置の製造方法は、少なくとも１つの受光素子領域、少なくとも１つの回路素子領域、および前記受光素子領域と前記回路素子領域上に配線領域が形成された基板を用意し、前記配線領域の一部をエッチングして前記受光素子領域に対応する位置に開口部を形成し、前記開口部を含む前記配線領域上にタンタルまたはタンタル化合物から成るタンタル膜を形成し、前記タンタル膜の一部をエッチングして前記受光素子領域を露出させる工程とを含み、受光素子領域上のタンタル膜をエッチングするとき前記配線領域の外部接続領域のタンタル膜を同時にエッチングし、次にタンタル膜によって露出された前記配線領域の絶縁層をエッチングして金属配線パターンを露出させる。

好ましくは、前記配線領域は、前記受光素子領域を覆うエッチング停止層を含み、前記開口部を形成するとき前記エッチング停止層が露出するまで前記配線領域をエッチングし、次に前記エッチング停止層をエッチングして前記受光素子領域を露出させる。

製造方法は、更に、前記配線領域は、前記受光素子領域を覆うエッチング停止層を含み、前記エッチング停止層が露出するまで前記配線領域をエッチングし、次に前記エッチング停止層を含む配線領域上に前記タンタル膜を形成し、次に前記エッチング停止層が露出するまで前記タンタル膜をエッチングし、次に前記エッチング停止層をエッチングして前記受光素子領域を露出させる。

本発明によれば、配線領域の最上層にタンタル膜を形成することで、外部からの光を遮光し、不要な光が回路素子領域に入射することを防止することができる。さらにタンタル膜は、耐腐食性や耐熱性に非常に優れているため、タンタル膜を最上層とし、この上に他の保護膜を形成する必要はなく、既存の構造をそのまま利用することができ、コスト増加を抑制することができる。

以下、本発明の最良の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、図面は、発明の特徴部分を明示し分かり易くする説明するための誇張を含むものであり、必ずしも実際の半導体装置のスケールと同一ではない。また、図９に示す構成と同一のものについては同一参照番号を付してある。

図１（ａ）は、本発明の実施例に係る半導体装置の平面図、図１（ｂ）はそのＡ１−Ａ１線断面図である。本実施例に係る半導体装置２００は、シリコン基板（基板上に形成されたエピタキシャル等の半導体層を含む）１１０を有し、シリコン基板１１０は、ＰＩＮフォトダイオードが形成された受光素子領域１２０と、ＰＩＮフォトダイオードにより光電変換された電流を電圧に変換して増幅する回路素子等が形成された周辺回路領域１３０とを含んでいる。

受光素子領域１２０の表面には、通常、反射防止膜（例えば、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜からなる）が形成されている。外部からの反射光は、反射防止膜を透過して基板表面に形成されたＰＩＮフォトダイオードを照射する。ＰＩＮフォトダイオードは、逆バイアス電圧の印加により空乏領域を形成する。空乏領域に光が入射されると、電子−正孔対が発生され、電子、正孔が逆バイアスされた電極に移動し、光電流が検出される。検出された電流は、電圧に変換されて増幅された後に、後述するコンタクトホール２４０に形成されたボンディングワイヤ等を介して外部端子から出力される。

シリコン基板１１０上には、回路素子領域の回路素子と電気的に接続された金属配線を含む多層配線領域２１０が形成されている。例えば、多層配線領域２１０は、４層の金属配線層を含み、金属配線層間は、ＰＳＧ、ＳＯＧ、ＴＥＯＳ等の層間絶縁膜が形成されている。金属配線層は、層間絶縁膜に形成されたヴィアホール内のヴィアコンタクトまたは埋め込みプラグ等によって電気的に接続されている。最上の金属配線パターン２１２（図９に示した遮光メタル配線層１５０、１５２、１５４に対応）は、Ｓｉ_３Ｎ_４からなる保護膜２１４によって覆われている。

多層配線領域２１０は、受光素子領域１２０の開口部Ｈを規定する第１の側壁２２０と、第1の側壁２２０に接続されたほぼ平坦な表面２２２と、多層配線領域の外縁を規定する第２の側壁２２４とを含んでいる。図示する例では、第２の側壁２２４は、チップを矩形状に切断するときのスクライブ領域に臨むものであるが、他の受光素子領域が隣接して形成されるような場合には、第２の側壁２２４は、他の受光素子領域の開口部を規定するものであってもよい。

本実施例において特徴的な構成は、多層配線領域２１０の主要部分を覆うように、タンタル（Ｔａ）またはタンタル化合物から成るタンタル膜２３０が形成されている。図示するように、タンタル膜２３０は、第１の側壁２２０、表面２２２、第２の側壁２２４を覆っている。但し、タンタル膜２３０は、最上の金属配線パターン２１２とコンタクトをとるためのコンタクトホール２４０からは除外されている。コンタクトホール２４０によって露出された領域は、金属配線パターンのボンディングパッドとして機能し得る。図１には、１列に並んだ５つのコンタクトホール２４０が示されている。

タンタル膜２３０は、金属膜であるためそれ自身が光を遮光する機能を有している。多層配線領域２１０の表面２２２をタンタル膜２３０によって覆うことで、チップ表面を照射する光は、タンタル膜２３０によって反射され、最上の金属配線パターン２１２の間隙２１２ａから内部に入射されることが防止される。また、第１の側壁２２０をタンタル膜２３０で覆うことによって、受光素子領域１２０を照射した光の一部が第１の側壁２２０から回路素子領域１３０内に入射することが防止される。同様に、第２の側壁２２４をタンタル膜２３０で覆うことによって、チップ外縁からの光が回路素子領域内に入射することが防止される。

さらにタンタル膜２３０は、耐腐食性、耐摩耗性が非常に高い性質を有している。このため、タンタル膜２３０は、保護膜としても機能し、タンタル膜２３０を保護する他の保護膜を必要とせず、大気中に露出することが可能である。また、タンタル膜２３０は、下地の保護膜２１４を構成するＳｉ_３Ｎ_４と非常に密着性がよく、基板に温度変化が生じても密着性は維持される。

図１に示す基板１１０は、パッケージ前に動作テストされる。コンタクトホール２４０にはマルチプローブが接触され、受光素子領域１２０には光が照射される。テスト工程では、一般に、レーザ光源ではなくＬＥＤ光源が用いられる。レーザは、安全基準が高く、その使用が制限されるためである。ＬＥＤからの光は、レーザ光と異なり、拡がり角が大きいため、受光素子領域の開口部Ｈのみならずチップ全体を照射する。本実施例では、多層配線領域の主要部分にタンタル膜が形成されているため、ＬＥＤの光がタンタル膜で反射され、回路素子領域内に入射されない。これにより、信頼性を高いテスト結果を得ることができる。

次に、図１に示す半導体装置の第１の製造方法について説明する。図２（ａ）に示すように、基板上に回路素子領域１３０、受光素子領域１２０および多層配線領域２１０を形成する。このとき、多層配線領域２１０は、受光素子領域１２０上にも配され、受光素子領域１２０上にはエッチング停止層２５０が形成されている。エッチング停止層２５０は、多層配線領域２１０の金属配線パターンを形成するときに同時に形成される金属層であってもよいし、それ以外の絶縁層であってもよいが、多層配線領域２１０の層間絶縁膜（保護膜２１４を含む）２５２とエッチングの選択比が大きい材料であることが望ましい。

次に、図２（ｂ）に示すように、公知のフォトリソ工程を用い、基板上にマスクＭを形成し、マスクＭによって露出された多層配線領域２１０をエッチングする。エッチングは、好ましくは２段階のエッチングで行われる。最初のエッチング、例えばドライエッチングによりエッチング停止層２５０が露出するまで層間絶縁膜２５２が除去される。次いで、エッチング停止層２５０がウエットエッチングにより除去され、受光素子領域１２０（反射防止膜）が露出される。これにより、多層配線領域２１０に矩形状の開口部Ｈが形成される。エッチング停止層２５０は、上記したように層間絶縁膜２５２に対するエッチングの選択比が高いため、エッチングをエッチング停止層２５０で正確に停止させることができる。また、ドライエッチングにより開口部Ｈを規定する第１の側壁２２０や第２の側壁２２４には、幾分のテーパが形成される。

次に、マスクＭを除去した後、図２（ｃ）に示すように、基板全面にタンタル膜２３０を形成する。タンタル膜２３０は、好ましくはＰＶＤ装置を用いてスパッタリングにより形成され、その膜厚は２３００±４００Åである。開口部Ｈのアスクペクトが低いため、タンタル膜２３０は、第１および第２の側壁を含めてほぼ均一な膜厚で形成される。

次に、図３に示すように、公知のフォトリソ工程を用い、タンタル膜２３０のパターンニングが行われる。すなわち、タンタル膜２３０をエッチングにより加工することで、ボンディングパッド領域に対応する位置に開口２３２が形成され、受光素子領域１２０に対応する位置に開口２３４が形成される。タンタル膜２３０は、混酸による薬液またはプラズマによりエッチングされる。

次に、図３（ｂ）に示すようにタンタル膜２３０によって露出された保護膜２１４にコンタクトホール２４０が形成され、金属配線パターン２１２が露出される。そして、露出された金属配線パターン２１２がボンディングワイヤによって外部端子に電気的に接続される。

次に、半導体装置の第２の製造方法について説明する。第１の製造方法の図２（ａ）と同様に、基板１１０上に、受光素子領域１２０、回路素子領域１３０および多層配線領域２１０を形成し、図４（ａ）に示すように、多層配線領域２１０上にマスクＭを形成する。次に、マスクＭをよって露出された多層配線領域２１０の層間絶縁膜２５２（保護膜２１４を含む）をエッチングし、開口部Ｈを形成する。このエッチングは、エッチング停止層２５０が露出するまで行われる。これにより、多層配線領域２１０には、第１の側壁２２０および第２の側壁２２４が形成される。第１の製造方法と異なり、第２の製造方法では、エッチング停止層２５０は残したままである。

次に、図４（ｂ）に示すように、開口部Ｈを含む基板全面にタンタル膜２３０を形成する。次に、図４（ｃ）に示すように、タンタル膜２３０を加工し、ボンディングパッド領域に対応する位置に開口２３２が形成され、受光素子領域１２０に対応する位置に開口２３４が形成される。受光素子領域１２０、特に表面の反射保護膜は、エッチング停止層２５０によって覆われているため、タンタル膜２３０のエッチングによるダメージから保護される。

次に、図５（ａ）に示すように、エッチング停止層２５０がウエットエッチングにより除去され、受光素子領域１２０が完全に露出される。最後に、図５（ｂ）に示すように、多層配線領域２１０の開口２３２に対応する位置から保護膜２１４が除去され、コンタクトホール２４０が形成される。

第２の製造方法では、エッチング停止層２５０を層間絶縁膜２５２のエッチングとタンタル膜２３０のエッチングの双方に利用することで、受光素子領域１２０のエッチングのダメージを最小限にすることができる。

上記実施例では、多層配線領域２１０の主要部分をタンタル膜２３０で覆う例を示したが、タンタル膜２３０は、多層配線領域２１０の表面２２２の一部に形成されるものであってもよい。この場合、タンタル膜２３０は、最上の金属配線パターン２１２間の間２１２ａ隙を覆う位置に形成されることが望ましい。さらにタンタル膜２３０は、第１の側壁２２０や第２の側壁２２４の一部に形成されるものであってもよい。

上記実施例では、タンタル膜２３０を示したが、タンタルナイトライド（ＴａＮ）、タンタルシリコンナイトライド（ＴａＳｉＮ）のようなタンタル化合物を用いることができる。タンタル化合物は、タンタル膜と同様に耐腐食性に優れている。さらにタンタル膜は、他の層との積層構造を妨げるものではない。

上記実施例では、受光素子領域１２０が１つの場合を例示したが、基板上に複数の受光素子領域が形成されるものであってもよい。また、受光素子領域の開口部Ｈは矩形状に限らず、円筒状または円錐状であってもよい。さらに上記実施例では、コンタクトホール２４０内にボンディングワイヤを接続する例を示したが、バンプ等の他の接続部材を用いるようにしてもよい。

次に、本実施例に係る半導体装置の適用例を説明する。図６は、光学ピックアップの一構成例である。光学ピックアップ４００は、回転駆動されるディスクに記録されたデータを光学的に読取り、またはデータを光学的に書き込むための装置である。光学ピックアップ４００は、青色光を出射するレーザ素子またはレーザダイオード素子を含む光源４１０と、スプリッタ４２０と、受光装置４３０、４４０とを有する。スプリッタ４２０は、光源４１０から出射された青色光をディスクＤに反射させるとともにその一部を受光装置４３０へ透過し、さらに、ディスクＤの反射光を受光装置４４０へ透過する。受光装置４３０は、光源４１０の光出力をモニタし、その結果に基づき青色光の光出力が安定化される。受光装置４４０は、ディスクＤの反射光をモニタし、その結果に基づきフォーカス制御やトラッキング制御が行われる。また、受光装置４４０は、ディスクＤに書き込まれたデータの読取りにも使用される。

上記した本実施例に係る半導体装置２００は、このような受光装置４３０、４４０に適用される。受光装置４３０、４４０は、青色光を受光するためのＰＩＮフォトダイオードを含み、ＰＩＮフォトダイオードによって検出された信号を増幅したり、あるいは処理するための回路を１つのシリコンチップ上に集積する。集積回路は、複数のＭＯＳトランジスタ、バイポーラトランジスタ等を含んでいる。また、ＰＩＮフォトダイオードが受光する光は、青色光に限定されず、赤色光などの他の波長の光でも良い。

本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明は、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

図１（ａ）は、本発明の実施例に係る半導体装置の概略構成を示す平面図、図１（ｂ）は、そのＡ１−Ａ１線断面図である。本実施例に係る半導体装置の第１の製造工程を示す断面図である。本実施例に係る半導体装置の第１の製造工程を示す断面図である。本実施例に係る半導体装置の第２の製造工程を示す断面図である。本実施例に係る半導体装置の第２の製造工程を示す断面図である。本実施例の半導体装置を光学ピックアップに適用した例を示す図である。従来のＰＩＮフォトダイオードの構成を示す断面図である。従来のＰＩＮフォトダイオードの構成を示す断面図である。従来の受光用半導体装置の平面図とそのＡ−Ａ線断面図である。

１１０：シリコン基板
１２０：受光素子領域
１３０：回路素子領域
２００：半導体装置
２１０：多層配線領域
２１２：金属配線パターン
２１２ａ：間隙
２１４：保護膜
２２０：第１の側壁
２２２：表面
２２４：第２の側壁
２３０：タンタル膜
２３２、２３４：開口
２５０：エッチング停止層
２５２：層間絶縁膜

Claims

半導体領域に形成された少なくとも１つの受光素子領域と、
半導体領域に形成された少なくとも１つの回路素子領域と、
前記少なくとも１つの回路素子領域上に形成された配線領域と、
前記配線領域の最上層に形成された、タンタルまたはタンタル化合物から成るタンタル膜と、
を有し、
前記配線領域は、前記受光素子領域に臨む第１の側壁を含み、前記タンタル膜は、前記第１の側壁上に形成され、
前記配線領域は、前記回路素子領域の回路素子と電気的に接続された金属配線層と、当該金属配線層上に形成された絶縁層とを含み、
前記タンタル膜が前記絶縁層上に形成され、
前記タンタル膜および前記絶縁層に開口が形成され、前記開口によって前記金属配線層の一部が露出され、当該露出された領域が外部接続領域として機能する、
半導体装置。
前記金属配線層は、第１の金属配線パターンと当該第１の金属配線層から離間して形成された第２の金属配線パターンとを含み、第１および第２の金属配線パターンの間隙上に前記タンタル膜が位置する、請求項１に記載の半導体装置。
前記配線領域は、スクライブ領域に臨む第２の側壁を含み、前記タンタル膜は、前記第２の側壁上に形成される、請求項１または２に記載の半導体装置。
半導体領域に形成された少なくとも１つの受光素子領域と、
半導体領域に形成された少なくとも１つの回路素子領域と、
前記受光素子領域に臨む第１の側壁と外縁部を規定する第２の側壁とを含み、前記少なくとも１つの回路素子領域上に形成された配線領域と、
を有し、
前記配線領域は、前記回路素子領域の回路素子に電気的に接続された少なくとも第１および第２の金属配線パターンと、当該第１および第２の金属配線パターン上に形成された絶縁層と、第１および第２の金属配線パターンの間隙を覆いかつ前記第１および第２の側壁に延在するように前記絶縁層上に形成されたタンタルまたはタンタル化合物から成るタンタル膜とを有し、
前記タンタル膜とその下方の絶縁層の一部に開口が形成され、当該開口によって第１または第２の金属配線パターンが外部接続のために露出されている、
半導体装置。
前記タンタル化合物は、タンタルナイトライド（ＴａＮ）、タンタルシリコンナイトライド（ＴａＳｉＮ）である、請求項１ないし４いずれか１つに記載の半導体装置。
前記絶縁層は、シリコン窒化物である、請求項１ないし５いずれか１つに記載の半導体装置。
請求項１ないし６いずれか１つに記載の半導体装置と、
記録媒体に光を照射する光源と、
を含み、
前記半導体装置の受光素子領域に、前記光源から出射された光の一部または前記記録媒体からの反射光が入射される、光学読取装置。
少なくとも１つの受光素子領域、少なくとも１つの回路素子領域、および前記受光素子領域と前記回路素子領域上に配線領域が形成された基板を用意し、
前記配線領域の一部をエッチングして前記受光素子領域に対応する位置に開口部を形成し、
前記開口部を含む前記配線領域上にタンタルまたはタンタル化合物から成るタンタル膜を形成し、
前記タンタル膜の一部をエッチングして前記受光素子領域を露出させる工程と、
を含み、
受光素子領域上のタンタル膜をエッチングするとき前記配線領域の外部接続領域のタンタル膜を同時にエッチングし、次にタンタル膜によって露出された前記配線領域の絶縁層をエッチングして金属配線パターンを露出させる、
半導体装置の製造方法。
前記配線領域は、前記受光素子領域を覆うエッチング停止層を含み、
前記開口部を形成するとき前記エッチング停止層が露出するまで前記配線領域をエッチングし、次に前記エッチング停止層をエッチングして前記受光素子領域を露出させる、請求項８に記載の製造方法。
前記配線領域は、前記受光素子領域を覆うエッチング停止層を含み、
前記エッチング停止層が露出するまで前記配線領域をエッチングし、次に前記エッチング停止層を含む配線領域上に前記タンタル膜を形成し、次に前記エッチング停止層が露出するまで前記タンタル膜をエッチングし、次に前記エッチング停止層をエッチングして前記受光素子領域を露出させる、請求項８に記載の製造方法。