TWI360702B

TWI360702B - Liquid crystal display device and method for manuf

Info

Publication number: TWI360702B
Application number: TW093105413A
Authority: TW
Inventors: Shunpei Yamazaki; Toru Takayama
Original assignee: Semiconductor Energy Lab
Priority date: 2003-03-07
Filing date: 2004-03-02
Publication date: 2012-03-21
Also published as: CN104317113A; TW200903088A; JP5190495B2; US20040233374A1; CN101369072A; CN1527116A; CN104317113B; US20080239230A1; JP2010237712A; TWI380080B; KR101272771B1; KR101273557B1; TW200500752A; CN100576042C; KR20040078906A; US8634050B2; US7426008B2; KR20090037869A; US20140132908A1

Description

1360702 (1) 玖、發明說明【發明所屬之技術領域】本發明關於液晶顯示裝置及其製造方法。更特別地，本發明關於安裝有電光裝置作爲組件之電子設備，電光裝置以具有由薄膜電晶體（在下文中被稱爲TFT)構成的電路之液晶顯示面板爲典型。【先前技術】近年來’利用在具有絕緣表面的基底上形成的半導體薄膜（厚度幾乎從數nm至幾百nm)來形成薄膜電晶體 (TFT)的技術受人關注。薄膜電晶體被廣泛地應用於諸如 1C (積體電路）或電光裝置等電子裝置，並且特別迫切需要將其開發作爲影像顯示裝置的開關元件。長期以來’液晶顯示裝置作爲影像顯示裝置是衆所周知的。因主動矩陣型液晶顯示裝置比被動矩陣型液晶顯示裝置更能顯示高淸晰影像，所以主動矩陣型液晶顯示裝置被廣泛利用。在主動矩陣型液晶顯示裝置中，藉由驅動以矩陣形式排列的像素電極’以在顯示幕幕上形成顯示圖案。更具體地說’藉由在選擇的像素電極和一個相應於這一選擇的像素電極的對立電極之間施加電壓，可以將插入於選擇的像素電極和對立電極之間的液晶層光學地調變。此光調變由觀視者視爲顯示圖案。這種主動矩陣型電光裝置已廣泛用於各種領域。隨著顯示幕尺寸的增加’對實現高淸晰度、高孔徑效率、和高 -5- (2) (2)1360702 可靠性有強烈需求。此外，需要提高裝置的生産率以及降低製造成本。另外，本發明的申請人在USP 4,69 1,995中揭示液晶滴。發明的目的是提供一種有效率地使用液晶材料、以及具有可撓性之可靠性高的液晶顯示裝置。隨著面板尺寸增大，製造成本也增高。尤其是夾在像素電極和對立電極之間的液晶材料價格昂貴。發明提供使用大尺寸基底的液晶顯示裝置的製造方法，舉例而言，這樣的大尺寸基底包括：320 x400mm、370 X 4 7 0mm ' 5 5 0 x 6 5 0mm ' 600 x 7 2 0mm、68 0 x 8 8 0mm ' 1 0 0 0 x 1 2 0 0 m m、1 1 0 0 x 1 2 5 0 m m 或 1 1 5 0 x 1 3 0 0 m m 的尺寸。而且’發明還提供用於量產基底尺寸甚至爲1500 X 1 8 0 0mm、1 800 x 2 0 0 0mm、2000 x 2 1 00mm、2200 χ 2600mm、或2600 x 3 1 00mm的大尺寸基底之液晶顯示裝置的製造方法。爲了密封液晶，需要執行複雜的製程，舉例而言，塗佈密封材料；對立基底塗膠、分割、注入液晶、以及密封液晶注入口。特別地’在大尺寸的面板中，利用毛細現象注入液晶及以液晶塡充密封材料圍住的區域（至少包括像素部分）’變得相當困難。二基底會被黏合在一起、被分割、及從形成在分割表面上的液晶注入口注入液晶材料時。在此情形中，從液晶注入口延伸到像素區域的路徑會由液晶塡充。另外在驅動 -6 - (3) (3)1360702 電路部和像素部被設在一基底上的情形中，不僅像素部區域’甚至驅動電路部，有時也會被液晶塡充。顯示部分以外的其部分會被由液晶材料塡充。由於跟面板的其他區域相比，相當大量的液晶會通過從液晶注入口延伸到像素區的路徑，尤其是液晶注入口附近’由於注入液晶造成摩擦’會使得配向膜劣化，結果造成配向膜變形。此外，期望液晶顯示裝置會應用到不同的電子設備，特別是應用到可攜式裝置。目前，有很多使用玻璃基底或石英基底製造的液晶顯示裝置。但是，這些基底具有易碎且笨重之缺點。此外’由於量產時難以使用大尺寸的玻璃或石英基底’所以’玻璃或石英基底不適於量產。因此，嘗試使用可撓性的基底’典型爲可撓塑膠基底，以製造液晶顯示裝置。然而，塑膠膜對例如濕氣或鹼性金屬等雜質具有不佳的阻擋特性，以致於無法取得高度可靠之液晶顯示裝置。結果，無法實現使用塑膠膜製造之具有高度技術優點的液晶顯示裝置。【發明內容】慮及上述，本發明提供依下述製造的液晶顯示裝置：在對立基底（第一可撓基底）上設置保護膜，塗佈密封材料、在真空中（減壓下）滴注液晶到對立基底上、以及將對立基底黏合至第二可撓基底，第二可撓基底係設有像素 (4) (4)1360702 電極及柱狀間隔器。於減壓下，將成對基底黏合在一起而藉由柱狀間隔器均勻地間隔。另外’可以使用散佈器（dispenser)或噴墨機以塗佈密封材料。此外，塗佈密封材料可以在減壓的情況下執行 ’也可以在大氣壓下的惰性氣氛中執行。在溶劑添加至密封材料中以控制密封材料的黏度之情形中，較佳的是使用幾乎不揮發的溶劑以防止密封材料在減壓下滴注期間劣化及固化。另外’以圍繞像素部分之封閉圖案，塗佈密封材料。由密封材料圍繞的空間會塡充液晶。可以在設有像素部分的一基底上塗佈密封材料及滴注液晶。另外’在可撓基底上設置保護膜，以及在像素電極上滴注液晶材料’亦即，僅在像素部份（減壓下），然後 ’將可撓基底黏合至設有密封材料的對立基底。關於根據本發明中的保護膜，較佳的是使用矽靶之 RF濺射所形成的氮化矽膜的單層膜，或氮化矽膜和氧化矽膜的疊層膜。使用矽靶之RF灑射所形成的濃密氮化矽膜不但可以有效地防止因諸如鈉，鋰，鎂等鹼性金屬或鹼土金屬污染 TFT (多晶矽TFT、非晶矽TFT、有機TFT等）而引起的臨界電壓的變動，而且，對氧氣和濕氣有極高的阻隔效果。另外’爲增進阻隔效果，較佳的是，氮化矽膜中氧氣和氫氣的含量最多爲1 0原子％，更佳地最多爲1原子％。具體的濺射條件是：使用氮氣或氮和稀有氣體的混合 -8- (5) (5)1360702 氣體；壓力爲〇_1至1.5Pa;頻率爲13MHz至40MHz;電力爲5至20W/cm2 ;基底溫度爲室溫至35 0°C;矽靶（1至 lODcm)和基底的距離爲40mm至200mm;背壓最多爲1 X 10·3Pa。對基底背面噴灑稀有氣體。舉例而言，在流速比設定爲 Ar: N2 = 20sccm: 20sccm;壓力爲0.8Pa;頻率爲 13.56MHz;電力爲16.5W/cm2;基底溫度爲200°C;矽靶和基底的距離爲60mm;背壓力爲3 X 10_5Pa的條件下得到的濃密的氮化矽膜，具有以下特徵：最多爲9nm(較佳的是0.5至3.5nm)的低蝕刻速率，以及至多爲1 X 1021 atoms/cm_3或的低氫濃度（較佳的是最多爲5 X 1020 atoms/cnT3)。此處「蝕刻速率」係指使用 LAL 500,在 2(TC的條件下之蝕刻速度。此處“ LAL 500”是指日本橋本化學公司（Hashimoto Chemical KK)生産的 “LAL 500 SA 緩衝氫氟酸”，艮P NH4HF2 ( 7.13% )和 NH4F ( 1 5.4 % )的水溶液。以濺射形成的氮化矽膜，具有下述特性：介電常數從 7.02至9.3;折射率從1.91至2.13;內應力是4.17至 lX108dyn/ cm2 ;蝕刻速率是0.77至1.31nm/分鐘。內應力胃値的正負號是取決於壓應力或拉應力之內應力，這裏只取其絕對値。另外，以濺射形成的氮化矽膜具有爲3 7.3原子％之Si濃度及 55.9原子％之N濃度，每一濃度係得自 RBS 的結果(Rutherford Back Scattering spectroscopy > 拉塞福背散射光譜）。以濺射法形成的氮化矽膜具有4 X 1〇20原子/cm_3之氫濃度、8 x 1〇2Q原子/cm'3之氧濃度、 -9- (6) 1360702 及1 X 1019原子/cnT3的碳濃度。以濺射形成的氮化矽具有至少80%的透射率。圖5顯示氮化矽膜（膜厚度爲130nm )的SIMS的量測結果。圖6是氮化矽膜（膜的厚度爲30nm )和氧化矽膜（膜的厚度爲2〇nm.)的SIMS結果。氮化矽膜的氬濃度爲1 X 102()至1 X 1021原子/crrT3。表1顯示出形成氧化矽膜和氮化矽膜的條件之典型實施例。

[表1] 氧化砂（A) 氧化矽（Β) 氮化矽氣體 Αγ/〇2 <r- Αγ/Ν2 流速比 1 0/30 <r- 20/20 壓力（Pa) 0.4 — 0.8 頻率（MHz) 13.56 <r- 電功率（W/cm2) 4.1 <r- <r- 基底溫度rc ) 200 — 靶材料 S i (摻雜Β 1 - 合成石英 <r- 1 0 Ω c m) T/S (mm) 60 <- <-

如此，藉由添加例如氬之惰性氣體或氮至膜中，保護膜可以有效地防止例如濕氣等雜質穿入。本發明所揭示之構成之一爲：液晶顯示裝置，包括第一可撓基底、第二可撓基底、以及插入於該第一、第二可撓基底組成的成對基底之間的液晶，包括：第一或第二可 -10- (7) (7)1360702 撓基底上的無機絕緣膜；以及使基底對均勻地間隔的柱狀隔離器，其中，以塗佈成封閉圖案的密封材料，將基底對黏合在一起。在上述構成中，氮化矽膜含有lxl02D至1X1021 cm·3 濃度的氮化矽膜。在上述構成中，無機絕緣膜是係含有最多1 X 1021 cnT3濃度的氫之氮化矽膜。另外，在上述構成中，無機絕緣膜是含有濃度最多1 X 1 〇21 cm·3的氫，及濃度爲5xl018 cnT3至5xl021 cm·3的氧之氮化矽膜。此外，保護膜可以由氮化矽膜和氧化矽的多層膜所形成。本發明的其他結構爲：液晶顯示裝置，包括第一可撓基底、第二可撓基底、以及插入於該第一、第二可撓基底組成的成對基底之間的液晶，包括：在第一或第二可撓基底上由氮化矽膜及氧化矽膜的多層膜所形成之無機絕緣膜 :以及使基底對均勻地間隔的柱狀隔離器，其中，以塗佈成封閉圖案的密封材料，將基底對黏合在一起。在上述構成中，氮化矽膜含有1χ102°至lxlO21 cnT3 濃度的氮化矽膜。根據本發明的可撓基底，也就是膜狀塑膠基底，較佳地由有機樹脂形成，舉例而言，聚對苯二甲酸乙二醇酯（ PET )、聚醚颯（PES )、聚萘酸乙二醋（polyethylene naphthalate ) ( PEN )、聚碳酸酯（pc)、尼龍、聚醚醚酮（PEEK )、聚楓（PSF)、聚醚醯亞胺（PEI)、聚芳酯（PAR)、聚對苯二甲酸丁二酯（PBT)、聚丙烯、聚丙硫醚、聚苯硫醚（PPS)、聚苯醚、聚酞醯胺（PDA)、 (8) (8)1360702 聚醯亞胺等有機樹脂。另外，還可以使用塑膠基底（由具有極性基的冰片烯（norbornene)樹脂組成的ARTON:日本JSR公司製造）。液晶的滴注可以應用使用散佈器或噴墨機。對於滴注在封閉式密封材料圖案中，準確地穩定滴注量是重要的。此外，噴墨法是向像素電極噴射（或滴注）很多滴微量液晶的方法。借助於使用噴墨法，可以藉由控制排放次數或排放點的數目，而自由地控制微量的液晶。在減壓下較佳地滴注（或噴射）液晶以防止雜質混入。並且，液晶即使在減壓的情況下被滴注，也不會劣化或固化等。另外，在減壓的情況下滴注（或噴射）液晶時，也可以使用經預先減壓而經過除沫處理過的液晶。另外，在滴注（或噴射）液晶期間，基底被加熱以除氣，同時降低液晶的黏度。如果需要，可以在滴注液晶後，以旋轉塗敷以均勻化液晶厚度。在減壓下，將可撓基底較佳地黏合至對立基底，以防止氣泡在黏合基底期間進入液晶。爲獲得上述構成的發明的構成之一爲：液晶顯示裝置的製造方法’液晶顯示裝置包括第一基底、第二基底以及介於該第一、第二基底的基底對之間的液晶，該製造方法包括以下步驟：藉由射頻濺射，在該第一基底或第二基底上形成無機絕緣膜；在該第一基底上形成像素電極；在該第二基底上形成對立電極；在該第一基底上形成圓柱狀隔離物以在該一對基底之間均勻地間隔；在該第二基底上塗佈及預固定密封材料.；在減壓下，於該第二基底上被該密 -12- (9) (9)1360702 封材料圍住的區域上滴注液晶材料；在減壓下，對該液晶材料加熱及除氣；在減壓下’將該第—基底和該第二基底黏合在一起；以及固定該密封材料。在黏合設有密封材料的裝置基底的情形中，本發明的另一構成爲：液晶顯示裝置的製造方法，液晶顯示裝置包括第一基底、第二基底以及形成在由該第一、第二基底的基底對之間的液晶’該製造方法包括以下步驟：在該第— 基底或第二基底上以射頻濺射法形成無機絕緣膜；在該第一基底上形成像素電極；在該第二基底上形成對立電極；在該第一基底上形成保持該基底對之間間距的圓柱狀隔離物；在該第一基底上塗佈及預固定密封材料；在減壓下，向該第一基底上被該密封材料包圍的區域上滴注液晶材料 ;在減壓下’對該液晶材料加熱及除氣；在減壓下，將述第一基底和該第二基底黏合在一起；以及，固定該密封材料。在與上述製造方法有關的各個結構，第—基底或第二基底是塑膠基底。在上述各個結構中，無機絕緣膜是以矽爲耙的射頻灘射法製成的氮化矽膜。無機絕緣膜是使用渦輪分子泵或低溫泵在最多爲1 X 1(r3Pa的背壓（back pressure )下’ &氣體或化和稀有氣體的混合氣體濺射單晶砂祀而製成的氮化砂膜。根據本發明’因只在需要的地方滴注需要的液晶量，所以沒有材料被浪費。另外，由於密封材料圖案是閉環狀 ’這樣就不需要液晶注入口和通道的密封材料圖案。其結 -13- (10) (10)1360702 果是在液晶注入時難以發生劣化（比如不良晶向）。至於液晶’只要能被滴注出來，就沒有特殊限制，在滴注液晶之後，可以將液晶材料和光固化材料或熱固化材料混合’以增加成對基底之間的接合強度。液晶大部份以TN模式定向，亦即，當光通過液晶時，液晶分子的配置會被扭轉90。。在製造TN模式的液晶顯示裝置時’在兩個基底上形成配向膜，執行磨擦（ rubbing )處理等等’然後’黏合兩個基底以致於它們的磨擦方向彼此交會。關於密封材料，較佳地選擇即使和液晶接觸也不會溶解於液晶中的材料。與液晶接觸及圍繞像素部份的第—密封材料可以由第二密封材料圍繞。在減壓黏合基底的情形中’第一密封材料和第二密封材料之間較佳地塡充液晶除外的塡充器’舉例而言，樹脂。對二基底滴注（或注射）兩個基底之後，將基底對黏合在一起以防止氣泡進入液晶。以樹脂形成的圓柱狀隔離物、或是將塡充物混入密封劑中’以將基底對間隔。該圓柱狀隔離物是由含有選自丙稀酸、聚醯亞胺、聚醯亞胺醯胺（p〇lyimide amide)、及環氧樹脂組成的族群中至少一材料作爲主材料之有機樹脂材料所形成；或者氧化矽，氮化矽，氧化氮化矽中任—材料；或這些材料的疊層膜構成的無機材料。根據本發明’在將基底黏合’基底會被分成每一裝置 -14 - (11) (11)1360702 根據本發明，在由一基底製成一液晶顯示裝置的情形中’將基底黏合至對立基底，可以省略劃分處理，劃分處理係將基底早期地劃分成每一件。傳統上，爲了在邊緣表面上提供液晶，會在黏合及劃分基底之後，將液晶注入口形成於邊緣表面上。此外，在上述每一構成中，黏合成對基底的製程是在大氣壓或減壓下的惰性氣氛中執行。爲了簡化製程，較佳地在減壓下注射多滴液晶，並且在同樣減壓，而且不暴露於大氣的情況下，黏合成對基底。此外，在上述每一構成中，「減壓下」一詞是指1 X 102Pa至2xl04Pa的惰性氣氛中，或是指1 Pa至5xl04pa 的真空氣氛中。「減壓下」一詞（包括在真空中的情況），是指在比大氣壓低的氣壓下。減壓可以是1 X 1 02 Pa至2 X 1 04 Pa ( 較佳地5xl02 Pa至5xl03 Pa)之塡有氮、稀有氣體、或其他惰性氣體塡充的氣氛。在上述每一構成中，適當地設定滴注液晶和液晶材料的條件，可以將液晶材料間歇地黏著。或者，液晶材料可以被連續地黏著。此外，在上述每一構成中，可以在滴注液晶期間，將基底從室溫（典型的爲20 t )加溫至200 °C的溫度（在不會造成塑膠基底自身劣化的範圍內）。藉由加熱基底以將液晶材料除氣。液晶顯示裝置廣泛地分爲兩大類型，即被動類型（簡 -15- (12) 1360702 單矩陣型）或主動型（主動矩陣型）。本發明可以月一型式的液晶顯示裝置。在主動型的液晶顯示裝置的情形中，作爲開關元用的TFT沒有特殊限制。關於TFT，可以使用具有結構的半導體膜作爲主動膜之多晶矽TFT;使用具窄結構作爲主動層的半導體膜之非晶TFT;或是使用有導體膜作爲主動層的有機TFT。此外，關於TFT的層’可以使用半非晶半導體膜（又稱微晶半導體膜）半晶半導體膜具有介於非晶結構及晶體結構（包含澤多晶）之間的中間結構；具有自由能穩定的第三狀態具有短範圍順序及晶格扭曲之晶體區。本發明可以應用至任何T F T結構、頂部閘極型、底部閘極型TFT(反交錯型TFT)'或交錯型TFT。發明可用於主動型液晶顯示裝置。藉由使用單層氮化、或氮化矽膜與氧化矽膜的疊層膜，作爲保護膜。貝i 防止TFT劣化及提供高可靠度。根據本發明，能夠量產有效率地使用液晶材料、有可撓性之高度可靠的液晶顯示裝置。【實施方式】將於下說明本發明的實施例模式。 [實施例模式1 ] 製備作爲對立基底的第二基底120以及預先設有於任件使晶體非晶機半主動，該晶及 ;及 TFT 。本矽膜可以及具

TFT -16- (13) (13)1360702 (未顯示）的第一基底110。第一基底110和第二基底120 只要具有可撓性及對光是透明的，則無任何特殊限定。典型上，使用塑膠基底作爲基底。關於TFT，可以使用下述之一：使用多晶矽作爲主動層的TFT (也稱多晶矽TFT ) :使用非晶矽作爲主動層的TFT (又稱非晶矽TFT );或使用有機半導體材料作爲主動層的TFT (又稱有機TFT) 〇塑膠基底具有重量輕及薄膜厚的優點，但是，塑膠基底對濕氣具有不良的阻隔特性。接著，在本發明的塑膠基底的單面或雙面上形成保護膜。此處，以濺射在任一面上形成氮化矽膜。以使用矽靶之RF濺射所形成的濃密氮化矽膜，可以有效地防止導因於例如鈉、鋰、或鎂等鹼性金屬或鹼土金屬之TFT污染所造成的臨界電壓的變化等等。濃密的氮化矽膜對氧氣和濕氣有極高的阻擋效果。爲提高阻擋效果，氮化矽膜中氧和氫的含量較佳地設定爲最多 1 0原子％，更佳地設定爲最多1原子％。關於具體的濺射條件是：使用氮氣或氮和稀有氣的混合氣體；將壓力設定爲0.1 Pa至1.5 Pa;頻率爲13MHz至 40MHz;電力爲5至20W/cm2;基底溫度爲室溫至350 °C ；與矽靶（1至lOQcm)之間的距離爲40mm至200mm;背壓力最多爲1 X 1 (Γ3 Pa。此外，可以在基底背面噴塗經過加熱的稀有氣體。如圖1A所示，在作爲對立基底的第二基底120上形成保護膜123，並且在第一基底110上也形成保護膜】13。雖 (15) (15)1360702 以紫外線照射或加熱處理，固化密封材料1 1 2 (圖1 G )。照射紫外線之外也可加上熱處理之執行。在減壓下執行黏合的情況時，降低的壓力會逐漸地回至大氣壓力。此外，在基底對處於壓力的狀態下，降低的壓力會逐漸地回至大氣壓。或者，在減壓下黏合成對基底之後’成對基底處於壓力下的狀態中，以紫外線照射或熱處理，固化密封材料。因此’液晶被固持在成對基底之間。在本實施模式中 ’在減壓的情況下連續地執行液晶的滴注、加熱除氣、以及黏合。而且，可以在減壓下塗佈密封材料。 [實施例模式2] 在此將說明在TFT基底上側塗佈密封材料及滴注液晶的實施例》如同實施例模式1般，製備作爲對立基底的第二基底 220以及設有TFT (未顯示）的第一基底210。第一基底 2 10和第二基底220只要具有可撓性且能透射光，則沒有特殊限制。典型上，使用塑膠基底作爲基底。然後，如同實施例模式1般，在作爲對立基底的第二基底220上形成保護膜213，並且在第一基底210上形成保護膜223 (圖2Α )。雖然在第一基底上沒有顯示出TFT等，但是，第一基底至少在TFT上設有氮化砂膜作爲基部絕緣膜、層間絕緣膜、或保護膜。然後，在第一基底210上形成由透明導電膜所形成的 (16) (16)1360702

像素電極211。此外，在第一基底210上形成由絕緣材料所形成的圓柱狀隔離物2 1 5，以便在基底之間間隔。在第二基底220上形成由透明導電膜所形成的對立電極222 (圖2B )。在二基底上形成配向膜（未顯示）。對二基底執行磨擦（rubbing )處理。然後’在第一基底210上用散佈器或噴墨機塗佈密封材料212。密封材料212可以使用丙烯酸光固化樹脂或丙稀酸熱固化樹脂。密封材料212含有塡充物（直徑6μηι-24μιη )’並且黏度爲40_400Pa.s。密封材料較佳地不溶解於梢後要與其接觸的液晶。密封材料2丨2塗佈成圍繞顯示區域的閉迴路。此時，預烘烤密封材料（圖2C )。在減壓下，以散佈器2 1 8，將液晶2 1 3滴注至密封材料 2 1 2圍繞的區域中（圖2D )。關於液晶2 1 3，可以使用黏度足以滴注的習知液晶材料。藉由使用液晶散佈器，僅有所需數量的液晶2 1 4會被固持在密封材料2 1 2圍住的區域中 ’而不會浪費液晶。可以用噴墨法來滴注液晶。圖3顯示由一基底製造四液晶顯示面板之實施例。圖 3 A是剖面視圖’顯示用液晶散佈器3丨8散佈液晶以形成液晶層的高程’其中’從液晶散佈器3 1 8將滴注或噴射液晶材料3 1 4，以遮蓋被密封材料3丨2圍住的像素部分3 1 1。移動液晶散佈器3 1 8 ’或是將液晶散佈器3 1 8固定但移動基底 ’來形成液晶層。或者，可以設置多個液晶散佈器3 1 8，一次同時從多個液晶滴注器滴注液晶。圖3 B是透視圖。如圖3 B所示，僅對密封材料3 1 2所 (17) (17)1360702 圍繞的區域，選擇性地滴注或噴射液晶材料3丨4。圖3C是圖3A的虛線所圍住的部分319之放大剖面圖。根據圖3C所示之方式，滴注液晶材料。在圖3C中’代號320表不反父錯（inverse stagger) 型TFT; 321表示像素電極；322表示圓柱狀的隔離物； 3 23表示配向膜；324表示保護膜（在此爲用RF濺射法製成的氮化矽膜）。在本實施例模式中，像素部分3U由依矩陣配置的像素電極、和連接至該像素電極的開關元件、反交錯型TFT、以及固持量（未顯示）構成。然後，在減壓的情況下以熱處理對液晶除氣（圖2E ) 。將液晶層加熱以降低其黏度及均勻化其厚度。在減壓下黏合設有像素部分的第一基底210和設有對立電極222或配向膜的第二電極220，以防止氣泡進入液晶中（圖2 F )。圖4 A和4 B是視圖，顯示黏合裝置的實施例，其能夠在黏合期間或之後，照射紫外線或執行熱處理。在圖4中，代號41表示第一基底支撐器，42表示第二基底支撐器，44表示窗口，48表示底側機器平台，以及49 表示光源》底側機器平台48安裝有加熱器，用來固化密封材料或降低液晶材料的黏度。另外，第二基底支撐器設有窗口 44 ’以使光源49發射的紫外光等通過。雖然圖中未示出，但是基底會經由窗口 44對齊。作爲對立基底的第二基底31預先被分成需形狀。所分割的基底會由真空夾具等固定在支 -21 - (18) (18)1360702 撐器42上。圖4A顯示黏合前的狀態。第一基底支撐器和第二基底支撐器會下降，以及將第 —基底35和第二基底31黏合在一起，然後，對基底對照射紫外光，以實現初步固化。圖4B示出了黏合後的狀態。接著，執行紫外線的照射或加熱處理，以完全地固化密封材料212(圖2G)。此外，除了照射紫外線之外，也可加入熱處理。在減壓下黏合基底的情況時，降低的壓力會逐漸地回至大氣壓。此外’在基底對處於壓力下的狀態中，降低的壓力會逐漸地回至大氣壓。或者，在減壓下黏合成對基底之後’在成對基底處於壓力下的狀態中，以紫外線照射或熱處理，固化密封材料。因此’液晶被固持在基底對之間。在本實施例模式中 ’在減壓的情況下連續地執行液晶的滴注、加熱除氣、以及黏合。而且，在減壓下塗佈密封材。在如圖3所示般從一基底製造出四面板的情形中，在黏合後’以例如畫線器（s c r i b e r )、輕式切割器或斷裂器等切割裝置’將第一基底分割成四面板。如此，從一基底製造出四個面板。將根據下述實施例’詳細說明上述構成所組成的本發明。 [實施例1] 本實施例用圖7說明主動矩陣型液晶顯示裝置的製造 -22- (19) (19)1360702 過程。首先用透光性基底60 0形成主動矩陣基底。較佳地具有 600mmx720mm、680mm x880mm ' lOOOmmx 1 200mm、 1 1 00mm x 1 2 5 Omm ' 1150mm x 1 300mm ' 1500mm x 1 80 Omm 、1 8 00mm x 20 00mm、 2000mm x 2100mm、 2 2 0 0mm x 2600mm、或2600mmx3100mm大尺寸的基底，以降低製造成本。關於可用的基底，可以使用康寧（corning )公司生産的#7059玻璃或#1737玻璃等爲典型的鋇硼矽玻璃或鋁氧硼矽玻璃等的玻璃基底。此外，也可以使用石英基底或塑膠基底等透光性基底。在以濺射法在整個有絕緣表面的基底600的整個表面上沈積導電膜之後，執行第一微影製程，以在導電膜上形成光阻掩罩。以蝕刻去除不要的部分，藉以形成佈線和電極（閘極電極，電容器佈線，以及端子等）。此外，如果需要，還可以在基底6 00上形成基部絕緣膜。關於形成佈線以及電極的材料，可以使用選自Ti、 Ta、W、Mo、Cr、Nd組成的族群中的元素作爲成份；或使用含上述元素之合金作爲成份；或使用含上述元素的氮化物作爲成份。或者，選擇眾多上述材料以形成疊層作爲接線及電極。隨著螢幕尺寸的增大’每一佈線的長度也增加，隨之而來的是佈線電阻及耗電增加的問題。所以爲了減小佈線電阻及耗電’佈線以及電極可以由選自Cu、Al、Ag、Au 、Fe、Ni、及Pt所組成的族群之元件、或其合金所形成 -23- (20) (20)1360702 接著，以PCVD，在整個表面上形成閘極絕緣膜。藉由堆疊氮化矽膜和氧化矽膜至具有50至150 nm厚，較佳地爲1 5 0 nm厚，以形成閘極絕緣膜。此外，閘極絕緣膜不限於具有疊層結構。或者，諸如氧化矽膜、氮化矽膜、氮氧化矽膜、或氧化鉬膜等絕緣膜也可以用於閘極絕緣膜〇接著，以例如電漿CVD或濺射法等習知技術，在閘極絕緣膜的整個表面上形成具有厚度爲50到200nm，較佳地爲100到150nm的第一非晶半導體膜。典型地，形成厚度100 nm之非晶矽（a-Si)膜。此外，注意，在大尺寸基底上形成膜時，形成室也應該是大的。因此，將室的內部抽真空將需要更多的處理時間及更大量的膜形成氣體。因此，可以在大氣壓下使用線性電漿CVD裝置，形成非晶矽（a-Si )的薄膜。之後，形成厚度從20至80 nm之包含具有一導電型（ η型或p型）的雜質元素的第二非晶半導體膜。藉由諸如電漿CVD方法或濺射方法等習知技術，在整個表面上形成包含能夠施加一導電型（η型或ρ型）的雜質元素的第二非晶半導體膜。在本實施例中，藉由使用添加磷的矽以形成包含η型雜質元素的第二非晶半導體膜。接著，藉由第二微影製程以形成光阻掩罩，以及蝕刻移除不需要的部分，以形成第一非晶半導體島狀膜和第二非晶半導體島狀膜。關於蝕刻方法，可以使用濕蝕刻或乾 -24- (21) (21)1360702 蝕刻。在用濺射法形成覆蓋第二非晶半導體島狀膜的導電層後’執行第三微影步驟，以形成光阻掩罩。然後，蝕刻去除不需要的部分’以形成佈線和電極（源極佈線，汲極電極’電容器電極、等等）。關於佈線以及電極的材料，可以使用選自 Al、Ti、Ta、W、Mo、Cr、Nd、Cu、Ag、Au ' Fe、Ni、及Pt組成的族群中的元素；或是含有這些元素的合金。以噴墨散佈有奈米粒子的散佈液體以形成接線及電極，在該散佈液中，由例如Ag、Au、Cu或Pd等金屬形成的奈米粒子（具有顆粒直徑爲5-1 Onm)會以高濃度分散於其中但不凝結。在以噴墨法形成佈線和電極之情形中’微影製程變成不需要，以致於成本可以進一步降低。以第四微影步驟形成光阻掩罩，以及蝕刻移除不需要的部份以形成源極接線、汲極電極、及電容器電極。關於蝕刻方法’可以使用濕蝕刻或乾蝕刻。然後，形成儲存電容器，儲存電容器使用由同於閘極絕緣膜之材料所形成的絕緣膜作爲介電質。然後，藉由使用源極接線或汲極電極作爲掩罩，以自行對準方式，移除第二非晶半導體膜的一部分’而且，降低第一非晶半導體膜的部份厚度。薄化的區域作爲TFT的通道形成區。以電漿CVD法在整個表面上形成厚i5〇nm的氮化矽膜作爲保護膜，以及形成厚1 5 Onm的氧氮化矽膜作爲層間絕緣膜。此外，在大尺寸基底上形成膜時，形成室也應該是大的。接著，假使將室內抽真空時，則需要更多的處理 -25- (22) (22)1360702 時間及更大量的膜形成氣體。因此，爲了降低成本，以線性電漿CVD裝置，在大氣壓下，形成氮化矽膜作爲保護膜。之後，執行氫化，以完成通道蝕刻型TFT。此外，在本實施例中雖然以通道蝕刻型TFT作爲實施例，但是，TFT並不限於此。也可以形成，通道.截斷型 (channel stopper ) TFT，頂部閘極型 TFT，或交錯型 TFT。用RF濺射法形成第二保護膜619。使用渦輪分子泵 '或低溫栗在最多lxl(T3 Pa的背壓（back pressure) 下，用N2氣體或N2和稀有氣體的混合氣體，以單晶矽爲靶，執行濺射而製成氮化矽膜作爲第二保護膜6 1 9。濃密的氮化矽膜可以有效地防止因諸如納，鋰，鎂等鹼性金屬或鹼土金屬污染TFT而造成的臨界電壓變動。此外，氮化矽膜對氧氣或濕氣具有優良的阻隔效果。氮化矽膜中氧和氫的含量較佳地最多爲1 0原子％，更佳地最多爲1原子％，以增加阻隔特性。接著，執行第五微影製程以形成光阻掩罩。然後，以乾蝕刻形成到達汲極電極或電容器電極的接觸孔。同時，在端子部份中形成用於電連接閘極佈線至端子部份之接觸孔（未顯示），以及形成電連接閘極接線至端子部份之金屬佈線（未顯示）。此外，同時地，形成達到源極佈線的接觸孔（未顯示），以及形成從源極佈線導出的金屬佈線。在上述金屬佈線形成之後，形成例如IT0等像素電極，或者，在例如IT0等像素電極形成之後，形成金屬佈線。 (23) (23)1360702 以銦錫氧化物（ITO)、銦氧化鋅氧化物合金（Ιη203-ZnO)、氧化鋅（ZnO)等形成110 nrn厚的透明電極。接著，執行第六微影製程及蝕刻處理以形成像素電極60 1。如上該，可以以六次微影製程製造具有像素部份的主動矩陣基底，像素部份包括源極佈線、反交錯型TFT、儲存電容器、和端子部分。在主動矩陣基底上形成配向膜62 3並執行磨擦處理。根據本實施例，在形成配向膜623之前，藉由圖型化諸如丙烯酸樹脂膜等有機樹脂膜，以在所需位置形成間隔於基底之間的柱狀隔離物602。可以在整個基底表面散佈球形隔離物來代替柱狀隔離物。製備對立基底。對立基底配備有濾色片62 0，其中，配置有色層和遮光層以對應每一像素。此外，設置平整膜以覆蓋有色層和遮光層。在平整膜上，以透明導電膜形成相對電極621以致於與像素部份重疊。在對立基底的整個表面上形成配向膜622並執行磨擦處理。根據實施例2，用散佈器或噴墨機塗佈密封材料以致於圍繞主動矩陣基底的像素部分。完成塗佈密封材料之後，在減壓的情況下，向被密封材料圍住的區域中滴注液晶。接著’在減壓而不曝露於大氣下，以密封材料607將主動矩陣基底和對立基底黏合在一起。將塡充物混合在密封材料607中（未顯示）。將二基底黏合在一起以致於彼此以塡充物和柱狀隔離物6 0 2均勻地間距。以滴注液晶的方法’減少在製造過程中使用的液晶量，在使用大尺寸基底 (24) (24)1360702 的情形中，生産成本也可以得到大幅度的降低。因此，完成了主動矩陣型液晶顯示裝置。假使需要，可以按所希望的形狀分割主動矩陣基底或對立基底。此外，適當地設置諸如濾色器等偏光板603及光學膜。然後，以習知技術，將FPC (可撓印刷電路板，Flexible Printed Circuit board)黏著至裝置。將後照光604及導電板605提供給根據上述製程取得的液晶模組，並以蓋606覆蓋液晶模組，而完成主動矩陣液晶顯示裝置（透射型）。圖1係主動矩陣液晶顯示裝置的部份之剖面視圖。蓋和液晶模組會以黏合劑或有機樹脂固定。因爲主動矩陣型液晶顯示裝置是透射型，所以，偏光板6 03會黏著至主動矩陣基底和對立基底。雖然本實施例係透射型主動矩陣液晶顯示裝置。但是，本發明並不受此限制。本發明也可以製造反射型或半透射類型的液晶顯示裝置。在取得反射型液晶顯示裝置時，可以使用光反射率高的金屬膜作爲像素電極，典型的是含有鋁或銀作爲主要成分的材料膜，或這些膜的疊層膜。本實施例可以和實施例1或實施例2任意組合。 [實施例2 ] 圖8A是根據實施例1的液晶模組的俯視圖。圖8B是液晶模組的俯視圖，與實施例1中所示的液晶模組有所區別。具有根據實施例1的非晶半導體膜所形成的主動層之 -28- (25) (25)1360702 TFT具有約1 cm2/V sec的小場效應遷移率。因此，用於影像顯示的驅動電路係由1C晶片形成，並以TAB(帶式自動接合（Tape Automated Bonding ))方式或晶片在玻璃 COG ( Chip On Glass)方式安載。在圖8A中，代號701表示主動矩陣基底；706，對立基底；7〇4，像素部分；7〇7表示密封材料；705表示FPC 。在減壓的情況下用散佈器或噴墨機滴注液晶，並用密封材料707黏合成對基底701、706。雖然根據實施例1的TFT具有小的場效應遷移率，但在使用大尺寸基底量産的情形中，由於是製程係以低溫執行，所以可以降低製造T F T的成本。根據本發明，亦即’以散佈器或噴墨機滴注液晶，並黏合成對基底；成對基底變成能夠在它們之間保存液晶，而與基底的大小尺寸無關，以致於可以製造具有20英吋一80英吋大尺寸螢幕的液晶面板之顯不裝置。在以半導體膜形成主動層的情形中，半導體膜，典型上是多晶矽模，係藉由習知結晶處理以晶化非晶半導體膜而取得結晶結構的半導體膜，可以獲得具有高場效應遷移率的TFT’以及在相同基底上，可以形成不僅具有驅動電路也具有CMOS電路之驅動電路。另外，除了驅動電路，還可以在相同基底上製造CPU (中央處理器）等。在使用具有由多晶矽膜製成的主動層的TFT時，可以製造如圖8 B所示的液晶模組。圖8B中，711表示主動矩陣基底；716表示對立基底 -29· (26) (26)1360702 ;712表示源信號線驅動電路；713表示閘信號線驅動電路 ;714表示像素部分；717表示第一密封材料；715表示 FPC。以散佈器或噴墨機滴注液晶，並用第一密封材料 717和第二密封材料黏合一對基底711、716。由於驅動電路部分7 1 2、7 1 3不需要液晶，所以僅有像素部分7〗4固持液晶。因此’設置第二密封材料7 1 8以增強整體面板。本實施例可以和實施例模式1、實施例模式2或實施例1任意組合。 [實施例3] 實施例1和實施例2中說明直接在具有可撓性的塑膠基底上形成開關元件的主動矩陣基底的例子，本實施例中將說明將裝置從玻璃基底剝離以轉換至可撓基底的實例。如圖9A所示’在第一基底10上形成金屬膜丨丨。此外 ’第一基底只要有具有足以承受後面的剝離製程的剛性，舉例而言，玻璃基底，石英基底，陶瓷基底，矽基底，金屬基底或不銹鋼基底都可以用於第一基底。金屬膜可以使用由選自 W、Ti、Ta、Μ〇 ' Nd、Ni ' C〇、Zr、Zn ' Ru、 Rh、Pd、Os' lr所組成的族群中的元素、或是主要含有這些元素的合金材料或化合物材料製成的單層，或者上述單層的疊層。關於製造金屬膜的方法，可以使用以金屬爲靶的濺射法。金屬膜可以形成至具有l〇nm_2〇〇nm的厚度 ’較佳的是從50nm-75nm。上述金屬被氮化的膜（例如’氮化鎢或氮化鉬）可以 -30- (27) (27)1360702 用來代替金屬膜。此外，上述金屬的合金（例如W和Mo 的合金：WxM〇1.x )膜也可以用來代替金屬膜。這種情況下’藉由濺射設在膜形成室中例如第一金屬（W)以及第二金屬（Mo)等多個靶、是或以第一金屬（W)以及第二金屬（Mo)的合金之靶，以形成這些膜。而且，可以將氮化物或氧摻雜至這些膜。關於摻雜的方法，舉例而言，可以使用離子佈植。或者，使用金屬氮化物爲靶之濺射，在膜形成室中有氮或氧存在下，形成金屬膜。使用濺射法形成金屬膜的情形中，基底的周邊部分的厚度有時變成不均勻。因此，以乾蝕刻較佳地淸除周邊的膜，關於此點，可以在第一基底1 0與金屬膜1 1之間形成例如氮矽氧化物膜、氮氧化矽膜、等具有氮的絕緣膜至100 nm厚，以防止第一基底被蝕刻移除。適當地當設定金屬膜的形成方法，可以控制剝離製程，並加寬製程的寬容度（process margin)。也就是說，對於使用金屬合金的實施例而言，藉由控制合金中的各金屬的成分比，可以控制剝離處理。具體而言，可以控制剝離的溫度，以及控制加熱處理是否需要。隨後，在金屬膜1 1上形成剝離層1 2。該剝離層包括含矽的氧化膜和半導體膜，在非接觸式1C (積體電路）的情形中可以包含天線。較佳地設置例如氮化矽（SiN)膜、氮氧化矽膜（SiNO)、氧氮化矽（SiON)膜等具有氮的絕緣膜作爲剝離層1 2 (特別是半導體膜）下方的基部膜。關於具有矽的氧化膜’可以以濺射或CVD形成氧化 (28) (28)1360702 矽膜、氮氧化矽膜、氧氮化矽膜等。具有矽的氧化膜的厚度較佳地形成爲約至少金屬膜厚的二倍最。在本實施例中 ’以使用矽靶的濺射法，形成厚1 5 Onm· 20 Onm的氧化矽膜〇當形成具有矽的氧化膜時，在金屬膜上形成具有上述金屬的氧化物（金屬氧化物）1 3。關於金屬氧化物，可以使用薄的金屬氧化物’其係由含有硫酸，鹽酸或硝酸的水溶液；上述溶液和過氧化氫溶液的混合溶液；或臭氧水處理而形成的。關於其他的方法，可以使用有氧存在的電漿處理；或是在具有由紫外線照射產生的臭氧之氧氣中的氧化處理。或者，用淸潔爐（clean oven)從約200-350 °C 下加熱以形成具有矽的金屬氧化物。形成的金屬氧化物的膜的厚度爲O.lnm-ΐμιη，較佳的是 O.lnm-lOOnm，更佳的是 0.1nm-5nm。此處所使用的「絕緣膜」一詞係總稱具有矽之氧化物膜、基部膜等等，均是形成於半導體膜與金屬膜之間。亦即，該結構依序包括至少金屬膜、金屬氧化膜、絕緣膜、以及半導體膜。具體而言，半導體膜可以設置在絕緣膜的表面上，及金屬氧化物和金屬膜可以設在絕緣膜的另一表面上。舉例而言，以預定的製程，對半導體膜形成薄膜電晶體（TFT)、有機TFT、薄膜二極體、等等。具有薄膜積體電路的CPU、記憶體等係由半導體裝置構成。此外，爲了保護半導體裝置，較佳地在半導體裝置上形成具有類似碳 -32- (29) (29)1360702 的鑽石（DLC )、氮化碳（CN)等含碳的保護膜；或是具有氮化矽（SiN ) '氮氧化矽（SiNO或SiON )等保護膜〇根據上述方式形成剝離層1 2後，具體而言，在形成金屬氧化物後，以適當的熱處理，晶化金屬氧化物。舉例而言，使用W (鎢）作爲金屬膜的情形中，以至少4 0 0 ° C的熱處理，使wo2_ W03的金屬氧化物晶化。另外，假使在形成包含於剝離層12中的半導體膜之後，執行熱處理，則含於半導體膜中的氫可以擴散。由於氫，所以金屬氧化物的化合價有時會變化。此熱處理或溫度是否需要可以根據所選取的金屬膜而定。因此，於需要時可以晶化金屬氧化物，以便於剝離。製造半導體裝置的製程也以作熱處理。舉例而言，使用均用於形成結晶半導體膜之加熱爐或雷射照射，執行熱處理。接著’如圖9B所示，用第一黏合劑15將第二基底14 黏著至分離層12。希望第二基底14比第一基底10具有更高的剛性。關於第一黏合劑1 5,可以使用可移除的黏合劑，舉例而言’紫外線剝離型黏劑、熱剝離型黏劑、或者水剝離型黏劑、或是雙面膠帶。用物理手段分離設有金屬膜11的第一基底10 (圖9C) 。雖然未顯示於圖中，但是第一基底會由被晶化的金屬氧化物的內部及/或界面剝離。因此，第一基底10可以與分離層12分離。 (30) (30)1360702 爲了便於剝離，切割基底的一部分。然後，以切割器產生切刮金屬膜和金屬氧化物的切割表面上之界面近處。接著’如圖9D所示’用第二黏合劑16將剝離層12黏貼到作爲轉換構件的第三基底（例如標籤）1 7。關於第二黏合劑16，可以使用紫外線固化樹脂，具體而言，可以使用環氧樹脂基黏合劑或樹脂添加劑（resin additive)等黏合劑’或者還可以使用雙面膠帶。在第三基底具有黏性的情形中，則不需要第二黏合劑。關於第三基底’可以採用紙；或是由例如聚（對苯二甲酸乙二醇酯）、聚碳酸酯、聚烯丙基化合物或聚醚颯等形成的具有可撓性之塑膠基底。此外，也可以藉由鍍膜膜基底’以增加剛性、電阻特性 '及穩定度，以及減少薄膜基底表面的凸凹不均句。然後’去除第一黏合劑15，並剝離第二基底14(圖9E )。具體而言’藉由照射紫外線、加熱、或水洗，以移除第一黏合劑。可以在一製程內執行第一黏合劑的移除和第二黏合劑的固化。舉例而言’在分別使用熱剝離型樹脂和熱固化型樹脂，或紫外線剝離型樹脂和紫外線固化型樹脂作爲第一黏合劑和第二黏合劑的情形中，藉由一次加熱或紫外線照射，可以執行移除和固化黏合劑。此外，實施者可以考量第三基底的透光性以適當地選擇黏合劑。如此’在可撓基底上完成了薄膜積體電路。根據本實施例’剝離形成於玻璃基底上具有高電特性的開關元件， -34- (31) (31)1360702 並轉移到塑膠基底上，而完成了主動矩陣基底。可以在薄膜積體電路中完全地移除金屬氧化物13。或者，金屬氧化物的一部份或大部份可以餘留在剝離層的下表面上。在此情形中，藉由蝕刻，移除餘留的金屬氧化物。此外，也可以移除具有矽的氧化物膜》下述製程係用於製造根據實施例模式1或實施例模式2 之液晶顯示裝置。 [實施例4] 將參考圖10A至10C，說明在具有絕緣表面的基底（典型的是玻璃基底或石英基底）上形成包含CPU和記憶體的剝離層，並以實施例3中該的剝離及轉移技術，將該剝離層轉移到塑膠基底上的實施例。圖10A中，代號1001表示中央處理器（又稱CPU); 1 002表示控制單元；1 003表示算術單元；1 004表示記憶體單元（也稱爲記憶體）；1005表示輸入部分；1006表示輸出單元（顯示單元）。中央處理器1001包括算術單元1003和控制單元1002。算術單元1 003由下述組成：執行例如加法及減法等算術運算、以及例如AND (及）、OR (或）、NOT (否）等邏輯運算的的算術邏輯運算單元（縮寫稱ALU，Arithmetic Logic Unit );用於儲存資料及運算結果的不同電阻器；以及計數輸入的”1”等數目之計數器。舉例而言，構成算術電路1003的電路，舉例而言，AND電路、OR電路、 -35- (32) (32)1360702 NOT電路、緩衝電路、或電阻器電路等可以由TFT組成。爲了取得高電場效應遷移率，可以形成藉由連續波雷射光晶化的半導體膜以作爲TFT的主動層。在基底上用濺射法形成鎢膜和氧化矽膜，以及在其上形成基部絕緣膜（氧化矽膜、氮化矽膜、或氮氧化砂膜），然後在其上形成非晶矽膜。再者，在稍後的製程中，藉由使用形成於鎢膜和氧化矽膜的界面上的氧化鎢膜，執行剝離。至於晶化方法’可以下述方法中的任方法。在非晶矽膜中添加作爲觸媒的金屬元素之後，將非晶矽膜加熱而形成多晶矽膜，以及以脈沖波雷射光照射多晶矽膜。連續波雷射光照射非晶矽膜獲得多晶矽膜，在藉由加熱非晶矽膜而取得多晶矽膜後，將連續雷射光照射至多晶矽膜。非晶矽膜摻有作爲觸媒之金屬元素，並被加熱而形成多晶矽膜，然後，連續雷射光照射至多晶矽膜。此外，在使用連續雷射光的情形中，雷射光的掃瞄方向較佳地延著構成算術單元1 003、控制單元1 002或記憶體單元1 004之TFT的通道長方向。控制單元1 002執行儲存在記憶體單元1 004中的命令，以控制整體操作的作用。控制單元1 002包括程式計數器、命令電阻器，控制信號產生單元。此外，控制單元1 002可以由TFT構成，在此情形中，可以形成經過晶化的半導體層以作爲TFT的主動層。記憶體單元1 004是儲存放實施計算的資料和命令，舉 (33) (33)1360702 例而言’經常在CPU中執行的資料或程式。記憶體單元 1004包括主記億體、位址電阻器、及資料電阻器。除了主記憶體還可以使用快取記憶體。這些記憶體可以由SRam (靜態隨機記億體）' DRAM (動態隨機記憶體）、快閃記億體（flash memory )等形成。在主記億體單元1〇〇4由 T F T構成的情形中，可以形成晶化過的半導體膜以作爲主動層。輸入單兀1005是從外界載入資料和程式。，輸出單元 1 00 6典型上是用於顯示結果的顯示裝置。將具有如此取得的CPU(包含終端電極及導出佈線）之分離層從基底剝離並轉換至塑膠基底。另外，不僅僅是CPU ’還可以形成電流電路、顯示單元、以及驅動電路單元。舉例而言，可以製造具有非接觸式薄膜積體電路的卡。圖10B是表示非接觸式薄膜積體電路的視圖。圖10B是非接觸式薄膜積體電路的具體結構的俯視圖。該非接觸式薄膜積體電路包括顯示單元、天線31、包含 CPU33之積體電路單元35、記憶體34、等等，其中，天線經由電流電路連接至IC。電流電路3 2至少包括二極體和電容器’以及將天線接收到的交流電波長轉換爲直流電。天線31可以在用於形成積體電路的相同製程內形成。非接觸式1C的特徵在於其由線圈式天線之電感耦合 («磁感應方式）、相互耦合（電磁耦合方式）、或電容奉禹合（靜電耦合方式）供應電流。藉由控制線圈圈數，可 -37- (34) (34)1360702 以選擇接收的頻率度。一般而言，遠端耦合的頻率是微波；近程型及接近型的頻率使用13.56MHz;密接型的頻率使用4.91MHz。可以藉由增加頻率及降低波長以減少天線的線圈數。和接觸式薄膜積體電路相.比，由於非接觸式薄膜積體電路和讀取器/寫入器不接觸，而執行電源供應及資訊通訊’所以’非接觸式薄膜積體電路是不可斷裂的、高度可靠的、及幾乎無誤的。讀取器/寫入器的結構簡單。此外 ’由於所需要的是將卡持至讀取器/寫入器就可以完成讀取，所以非接觸式薄膜積體電路容易使用。非接觸式積體電路包括CPU、記憶體、I/O埠、以及輔助處理器，以及經由路徑（path )交換資料。此外，1C 具有RF (射頻傳輸）介面、和非接觸式介面。用於讀取的讀取器/寫入器包括非接觸式介面和介面電路，以及在每一介面電路之間執行資訊通訊或資訊交換。接著，藉由讀取器/寫入器的介面電路實現和主電腦的資訊通訊或資訊交換。無須多言，主電腦可以具有讀取器/寫入器的功能。圖10C是對應於圖10B的塑膠卡的外部視圖。圖10C 中，1010表示塑膠卡主體；1011表示反射型液晶的顯示單元；1012表示記憶單元；〗013表示CPU。在使用塑膠卡作爲識別卡時’卡可以是輕的’且形狀可以是可撓的。此外，當該卡變成無用時’其可以被簡單地切斷，以使記憶體單元中的資訊不會被讀取，並防止卡被僞造。 -38- (35) (35)1360702 圖11A至11C是視圖，顯示不同形式之用於讀取卡的資訊的實施例。如圖11A所示’安裝有薄膜積體電路的卡 72被持至讀取器/寫入器7〇的感測器單元71。如圖1 1 B所示，讀取器安裝有由個人所有的可攜式資訊終端，舉例而言，行動電話8 0 ’且卡8 2會被持至提供給主體的一部份之感測器單元8 1以在顯示單元8 3上顯示資訊〇此外，如圖11C所示，將安裝有薄膜積體電路的卡92 持至可由個人攜帶及擁有之讀取器90的感應器91，以在顯示單元93上顯示資訊。雖然在本實施例中說明了非接觸式的讀取器/寫入器，但是假使接觸式可以在顯示單元上顯示資訊，則可使用接觸式。資訊可以顯示在安裝有接觸式或非接觸式薄膜積體電路的卡本身之顯示單元上。圖1 0D是具有多個液晶顯示單元的可攜式資訊終端的實施例。圖10D中所示的裝置可以在折疊活動部分1 02 3處折疊，其尺寸可以做成名片大小。主體，亦即塑膠基底1 02 0是輕重量的塑膠材料。裝置包括左側顯示單元1 02 1及右側顯示單元1 022。例如CPU等積體電路可以提供給塑膠基底 1 020 ° 本實施例可以和實施例模式1、實施例模式2、實施例1、實施例2、或實施例3任意組合。 -39- (36) (36)1360702 [實施例5] 將參考圖12A至12F，在本實施例中說明以有機材料製造有機TFT的方法。

如圖12A所示，製備具有絕緣表面的基底90 1。此基底至少具有可撓性及光透射特性，且能夠由選自聚對苯二甲酸乙一醇醋（PET )、聚萘酸乙醋（ρο 1 yethy 1 ene naphthalate ) ( PEN ) ' 聚醚颯（PES )、聚碳酸脂（PC )、聚醯亞胺組成的族群之塑膠所形成。基底901的厚.度實際上從10至200 mm。然後，在基底901上形成障壁層（barrier layer) 902 。障壁層902可以由RF濺射所形成的未含氫之氮化矽所形成，或是由氮化矽及氧化矽構成的多層膜所形成。障壁層可以防止濕氣或有機物氣體從外在環境穿入TFT，以致於可以防止有機半導體材料劣化。，在障壁層902上以導電膏（conductive paste)形成第一導電膜，以作爲TFT的閘極電極903。關於導電膏可以使用導電碳糊、導電銀糊、導電銅糊、導電鎳糊等。藉由網印法（screen printing)、輕塗法或噴墨法形成預定的圖案。用導電糊膏，將第一導電層形成預定圖案 '整平 (leveling)、乾燥，然後，在100-200°C的溫度固化。如圖12B所示，在閘極電極903上形成第一絕緣膜，作爲閘極絕緣膜904。此外，藉由輥塗、噴灑等’以塡加丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、非芳香性多官能團的異氰酸酯及三聚氰胺樹脂的材料形成 -40 - (37) (37)1360702 第一絕緣膜。慮及閘極電壓，閘極絕緣膜的膜的厚度較佳地形成爲約l〇〇nrn至200nm厚。接著，如圖12C所示，在閘極絕緣膜904上形成作爲源極電極905a或汲極電極905b的第二導電膜。關於第二導電膜的材料，由於很多有機半導體材料是p型材料，其係用於傳輸電荷的材料會傳輸正電洞作爲載子的材料，所以’希望使用具有大的功函數的金屬以與半導體層造成歐姆接點。具體而言，以包含例如金，鉑，鉻，鈀，鋁，銦 ’鉬或鎳等金屬或其合金的導電膏，以印刷或輥塗法，形成第二導電膜。接著，如圖12D所示，在源極電極905a或汲極電極 9〇5b上形成作爲堤（bank) 906的第二絕緣膜。此外，以網印法’使用添加丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、非芳香性多官能團的異氰酸酯和三聚氰胺樹脂的材料形成第二絕緣膜，以在閘極電極的頂部形成開口部分’以便塡充有機半導體膜於其中。另外，可以在形成堤後形成源極電極和汲極電極。之後’形成有機半導體膜。在以高分子材料形成有機半導體膜的情形中，適當地使用浸漬法（dipping method )、鑄造法（casting method)、條塗著法、旋塗法、噴灑法、噴墨法或印刷法作爲形成膜之方法。至於有機半導體材料，可以使用有機分子晶體、有機聚合物材料。具體的有機分子晶體的實施例爲：多環芳香族化合物（ polycylic aromatic compound )、共軛雙鍵化合物（ -41 - (38) (38)1360702 conjugated double bond compound)、胡蘿蔔素、大環化合物及其複合物'酞花菁'電子遷移型複合物'四硫富瓦烯（TCNQ複合物）、游離基、二苯基苦味基胼基（ diphenylpicrylhydrazyl)、顔料或蛋白質。另外，有機高分子化合物材料的具體實施例可爲：π共軛聚合物、CT複合物、聚乙嫌卩比D定（polyvinylpyridine)、碘或駄花菁金屬複合物等。特別地，骨架由共軛雙鍵構成的7!共軛聚合物’舉例而言’聚乙炔（polyacetylene)、聚苯胺（ polyaniline)、聚吡咯（polypyrrole) ' 聚噻吩、聚噻吩衍生物、聚_ (3-己基噻吩）[P3HT; —種在聚噻吩的第三位置（third position)中導入可撓烷基的聚噻吩衍生物的院基是己垸基的高分子材料])、聚（3 -院基噻吩）（3-alky lthiophene )、聚（3 -二十二院基唾吩）（p〇ly (3-docosylthiophene))、聚對苯撐（Polyparaphenylene)衍生物，或較佳地使用聚對苯撐乙嫌〔P〇Iy ( paraphenylene vinylene) ，PPV〕衍生物作爲有機聚合物材料。以汽相沈積，形成由小分子材料所形成的有機半導體膜。舉例而言，可以形成噻吩低聚物（thiophene-oligomer) 膜（聚合度6) 或並五苯（Pentacene) 膜等。在使用大尺寸的基底’或第一基底以及第二基底是彈性的情形中，較佳地以滴注溶液的方法形成半導體膜。接著，如圖12E所示，藉由自然放置或烘烤以完成有機半導體膜907。接著，如圖12F所示’形成鈍化膜908°藉由RF濺射 -42- (39) (39)1360702 法，以含有矽的絕緣材料形成氮化矽膜，氮氧化矽膜等作爲鈍化膜。之後，源極電極、汲極電極、閘極電極會製成接觸及連接裝置基底與TFT之間的各佈線以形成半導體裝置。此外’藉由根據實施模式1或實施例模式2，滴注液晶材料 ’以完成液晶顯示裝置（液晶顯示模組）。因此’由於由有機化合物材料形成整個TFT，所以，有機TFT可以形成爲重量輕且有可撓性的半導體裝置（具體爲液晶顯不裝置）。特別地，根據本實施例的有機TFT，可以應用於面板上的系統’在面板上有用於視覺顯示的像素部分；用於收發各種資訊的通信設備；存儲資訊或處理資訊之電腦；或等等。本貫施例可以和實施模式1、實施模式2、實施例1 、實施例2、實施例3、或實施例4任意組合。 [實施例6] 藉由併入根據本發明的液晶顯示裝置以製造電子設備。電子設備的實施例可爲攝影機、數位相機、目鏡式顯示器（頭戴式顯示器）、導航系統、音頻再生裝置（汽車音響、音響零件等）、膝上型本電腦、遊戲機、攜帶型資訊終端（行動電腦、行動電話、攜帶型遊戲機、電子書等）、以及包括記錄媒體的影像再生設備（具體地說是能夠處理諸如數位多式樣光碟（DVD )等記錄媒體中的資料並具 -43- (40) (40)1360702 有能夠顯示資料影像的顯示器之裝置）。圖1 3 A-1 3 Η示出了其實際實施例。圖13Α顯示電視機，包含機殼2001、支撐座2002、顯示部分2003、揚聲器單元2004、影像輸入端子2005等。本發明可應用於顯示部分2003。如同此處所使用般，「電視機」一詞包含用來顯示資訊的所有電視，例如個人電腦的電視、用來接收TV廣播的電視、以及用於廣告的電視。圖1 3 B顯示數位相機，包含主體2 1 0 1、顯示部分2 1 02 、影像接收單元2 1 0 3、操作鍵2 1 0 4、外部連接埠2 1 0 5、快門2106等。本發明可應用於顯示部分2102。圖13C顯示膝上型電腦，包含主體2201、機殼2202、顯示部分2203、鍵盤2204、外部連接埠2205、滑鼠2206等。本發明可以應用於顯示部分22 03。圖13D顯示行動電腦，包含主體2301、顯示部分23 02 、開關2303、操作鍵23 04、紅外線埠23 05等。本發明應用於顯不部分2302。圖13E顯示配備有記錄媒體（具體地說是DVD播放器）的攜帶型影像再生設備。此設備包含主體2401、機殼 2402、顯示部分A 2403、顯示部分B 2404、記錄媒體（例如 DVD )讀出單元2405、操作鍵2406、揚聲器單元 2407等。顯示部分A 24 03主要顯示影像資訊，而顯示部分B 24〇4主要顯示文字資訊。本發明應用於顯示部分a 2403和B 2404。此處所使用的「配備有記錄媒體的影像再生裝置」包括家用遊戲機。 -44 - (41) (41)1360702 圖13F顯示遊戲機，包含主體25〇1、顯示部分25〇5、以及操作開關2504。圖13G顯示攝影機，包含主體26〇1、顯示部分26〇2、機殼2603 '外部連接埠2604、遙控接收單元2605、影像接收單兀2606、電池2607 '音頻輸入單元2608 '操作鍵2609 等。本發明應用於顯示部分26〇2。圖13H顯示行動電話，包含主體27〇1、機殼27〇2、顯示部分2703、音頻輸入單元27 04、音頻輸出單元2705、操作鍵2706、外部連接填2707、天線2708等。本發明應用於顯示部分2703。假使顯示部分2703在黑色背景上顯示白色字元’則能夠降低行動電話的耗電。如上該，藉由實施本發明而得到的顯示裝置可以被用作任何電子設備的顯示部分。本實施例的電子設備可以採用根據實施例模式1、實施例模式2、或實施例1至5中任一實施例中所示的顯示裝置的任何結構。根據本發明，能夠量產有效率地使用液晶材料及具有可撓性之高度可靠的液晶顯示裝置。【圖式簡單說明】圖1 Α到1 G是實施例模式1的說明視圖；圖2A和2G是實施例模式2的說明視圖；圖3 A到3 C是實施例模式2的說明視圖；圖4 A至4B是實施例模式2的說明視圖；

圖5是顯示氮化矽膜中C、N、0、及Η濃度的SIMS (42) 1360702 量測結果，置的圖6是顯示氮化矽膜中的Ar濃度的SIMS量測結彳圖7是實施例1中解釋的主動矩陣型液晶顯示裝橫截面圖；圖8 A和8 B是實施例2中解釋的液晶模組的俯視f 圖9A到9E是實施例3中解釋的剝離製程；體裝入器 TFT 施例圖10A到10C是顯示實施例4中解釋的卡式半導置；圖11A到11C是顯示實施例4中說明的讀取器/寫圖12A到12F是顯示實施例5中說明的製造有機的製程；及圖13A到13H是實施例6中說明的電子設備的實 [圖號說明] 10 第一基底 11 金屬膜 12 剝離層 13 金屬氧化物 14 第二基底 15 第一黏合劑 16 第二黏合劑 17 第三基底 -46 - (43) 1360702 3 1 天 32 電 33 中 34 記 35 積 4 1 第 42 第 44 窗 48 底 49 光 70 讀 7 1 感 72 卡 7 3 顯 80 讀 8 1 感 82 卡 83 顯 90 讀 91 感 92 卡 93 顯 110 第 1 1 1 像線流電路央處理器憶體體電路單元一基底支撐器二基底支撐器 □ 側機器平台源取器/寫入器測器單元不單兀取器/寫入器測器單元示單元取器/寫入器測器單元不單兀 —基底素電極

•47- (45) 像素電極圓柱狀隔離物配向膜保護膜基底像素電極柱狀隔離物偏光板後照光導電板芸

-CTTL 密封材料第二保護膜濾色片對立電極配向膜配向膜主動矩陣基底像素部份可撓印刷電路板對立基底密封材料主動矩陣基底源信號線驅動電路 -49- (46) 閘信號線驅動電路像素部份可撓印刷電路板基底密封材料第二密封材料基底障壁層閘極電極閘極絕緣膜源極電極汲極電極堤有機半導體膜鈍化膜中央處理器控制單元算術單元記憶體單元輸入部分輸出單元塑膠卡主體顯示單元記憶單元 -50- (47) 中央處理器左側顯示單元右側顯示單元折疊活動部分機殼支撐座顯示部份揚聲器單元影像輸入端子主體顯示部份影像接收單元操作鍵外部連接埠快門主體機殼顯示部份鍵盤外部連接埠滑鼠主體顯示部份開關 -51 - (48) 操作鍵紅外線埠主體機殼顯示部份A 顯示部份B 記錄媒體讀出單元操作開關揚聲器單元主體顯示部份操作開關主體顯示部份機殼外部連接埠遙控接收單元影像接收單元電池音頻輸入單元操作鍵主體機殼顯示部份 -52- 1360702 (49) 2 704 音頻輸入單元 2705 音頻輸出單元 2 706 操作鍵 2 707 外部連接埠 2708 天線

Claims

1360702 第093105413號專利申請案中文申請專利範圍修正本民國1〇〇年 9月5日修正拾、申請專利範圍 1·一種液晶顯示裝置的製造方法，包括以下步驟：藉由射頻濺射，在第一基底上形成第一無機絕緣膜；藉由射頻濺射，在第二基底上形成第二無機絕緣膜；在該第一基底上形成像素電極；在該第二基底上形成對立電極；在該第一基底上形成圓柱狀隔離物，以在該第一基底和該第二基底之間均勻地間隔；在該第二基底上塗佈並初步固定密封材料；向該第二基底上由該密封材料圍住的區域中滴注液晶材料；在減壓下’將該第一基底和該第二基底黏合在一起；以及藉由通過該第二基底的紫外線來固定該密封材料，其中’該第一無機絕緣膜和該第二無機絕緣膜每一者包括包含氬之氮化矽膜，以及其中’該第一無機絕緣膜和該第二無機絕緣膜每一者是包含濃度爲lxl〇2G至lxio21 cm-3的氬之氮化矽膜。 2. —種液晶驛示裝置的製造方法，包括以下步驟·· 藉由射頻濺射’在第一基底上形成第一無機絕緣膜；藉由射頻濺射，在第二基底上形成第二無機絕緣膜；在該第一基底上形成像素電極； 1360702 在該第二基底上形成對立電極：在該第一基底上形成圓柱狀隔離物，以在該第一基底和該第二基底之間均勻地間隔：在該第一基底上塗佈並初步固定密封材料；向該第一基底上由該密封材料圍住的區域中滴注液晶材料；在減壓下，將該第一基底和該第二基底黏合在一起：以及藉由通過該第二基底之紫外線來固定該密封材料其中’該第一無機絕緣膜和該第二無機絕緣膜每一者包括包含氬之氮化矽膜，以及其中，該第一無機絕緣膜和該第二無機絕緣膜每一者是包含濃度爲lxl02G至lxio21 cnT3的氬之氮化砂膜。 3. 如申請專利範圍第丨及2項中任一項之液晶顯示裝置的製造方法’其中該第一基底和該第二基底中至少之一是塑膠基底。 4. 如申請專利範圍第i及2項中任—項之液晶顯示裝置的製造方法，其中該圓柱狀隔離物是由含有選自丙烯酸、聚醯亞胺、聚醯亞胺醯胺、以及環氧樹脂組成的族群中至少一材料之有機樹脂所形成：由氧化矽，氮化矽，或氧化氮化矽中任一材料所形成；或由這些材料的疊層膜構成的無機材料所形成。 5 ·如申請專利範圍第丨及2項中任—項之液晶顯示裝置的4造方法，其中該第一無機絕緣膜和該第二無機絕緣膜 S -2 - 1360702 每一者是由以矽爲靶的射頻濺射所形成的氮化矽膜。 6. 如申請專利範圍第1及2項中任一項之液晶顯示裝置的製造方法，其中該第一無機絕緣膜和該第二無機絕緣膜每一者是以渦輪分子泵或低溫泵，在至多設定爲lxl 〇·3 Pa 的背壓下’用N2氣體或仏和稀有氣體的混合氣體濺射單晶矽靶而形成氮化矽膜8 7. —種液晶顯示裝置，包括：第一可撓基底；形成在該第一可撓基底上的像素電極；第二可撓基底；形成在該第一可撓基底和該第二可撓基底中至少一基底上的無機絕緣膜；圓柱狀隔離物’均勻間隔地形成在該第—可撓基底和該第二可撓基底之間；以及形成在該第一可撓基底與該第二可撓基底之間的液晶材料，其中’以封閉圖案塗佈的密封材料，將該第一可撓基底與第二可撓基底黏合在一起其中，該圓柱狀隔離物形成在該像素電極的一部份上〇 . 8. 如申請專利範圍第7項之液晶顯示裝置，其中該無機絕緣膜是包含濃度爲lxl 02G至1x1 021 cm·3的急之氮化砂膜。 9. 如申請專利範圍第7項之液晶顯示裝置，其中該無 1360702 機絕緣膜是包含濃度最多爲lxio21 cnr3的氫之氮化矽膜。〇 10. 如申請專利範圍第7項之液晶顯示裝置，其中該無機絕緣膜是氮化矽膜，該氮化矽膜包含濃度至多爲lxl 021 cm·3的氫，以及濃度從5x10 18 cm·3至5x1 021 cm·3的氧。 11. 一種液晶顯示裝置，包括：第一可撓基底；形成在該第一可撓基底上的像素電極；第二可撓基底；形成在該第一可撓基底與該第二可撓基底之間的液晶材料，形成在該第一可撓基底和該第二可撓基底中至少一基底上由氮化矽膜和氧化矽膜的多層膜所形成的無機絕緣膜 :以及圓柱狀隔離物，用於在該第一可撓基底和該第二可撓基底之間均勻地間隔，其中，以封閉圖案塗佈的密封材料，將該第一可撓基底與第二可撓基底黏合在一起，其中’該圓柱狀隔離物形成在該像素電極的一部份上〇 1 2.如申請專利範圍第1 1項之液晶顯示裝置，其中該氮化矽膜包含濃度爲lxl〇2<)至lxl021cnT3的氣》 13.如申請專利範圍第7及11項中任一項之液晶顯示裝置’其中該液晶顯不裝置是主動型。 S -4- 1360702 I4·如申請專利範圍第7及11項中任一項之液晶顯示裝置’其中該液晶顯示裝置是被動矩陣型。 1 5 .如申請專利範圍第1丨項的液晶顯示裝置，其中該氮化矽膜含有濃度最多爲lXl〇21cm-3的氫。 16. 如申請專利範圍第丨丨項的液晶顯示裝置，其中該氮化矽膜含有濃度最多爲lxl〇21cm·3的氫及濃度從5xl0u 至 5 X 1 0 2 1 C πΓ3 的氧。 17. 如申請專利範圍第7及11項中任—項的液晶顯示裝置’又包括：與該像素電極電連接之薄膜電晶體。 18· —種攝影機，具有如申請專利範圍第7及"項中任一項的液晶顯示裝置。 19· —種數位相機’具有如申請專利範圍第7及11項中任一項的液晶顯示裝置。 20· —種顯示器’具有如申請專利範圍第7及”項中任一項的液晶顯示裝置。 21. —種影像再生設備，具有如申請專利範圍第7及^ 項中任一項的液晶顯示裝置。 22. —種汽車導航系統，具有如申請專利範圍第7及^ 項中任一項的液晶顯示裝置。 23. —種個人電腦，具有如申請專利範圍第7及丨丨項中任一項的液晶顯示裝置。 2 4 . —種可攜式資訊終端，具有如申請專利範圍第7及 11項中任一項的液晶顯示裝置。 25.—種液晶顯示裝置的製造方法，包括以下步驟： -5- 1360702 藉由射頻濺射，在第一基底上形成無機絕緣膜；在該無機絕緣膜上形成薄膜電晶體和與該薄膜電晶體電連接之像素電極；在該第二基底上形成對立電極；在該對立電極上形成第一配向膜；在該無機絕緣膜上形成圓柱狀隔離物，以在該第一基底和該第二基底之間均勻地間隔；在該圓柱狀隔離物及該像素電極上形成第二配向膜；在該第一基底上塗佈並初步固定密封材料：向該第一基底上由該密封材料圍住的區域中滴注液晶材料：在減壓下，將該第一基底和該第二基底黏合在一起；以及藉由通過該第二基底之紫外線來固定該密封材料，其中，該無機絕緣膜包括包含氬之氮化矽膜，其中，該第一配向膜與該第二配向膜相接觸，以及其中，該無機絕緣膜是包含濃度爲1χ102β至lxio21 cnT3的氬之氮化矽膜。 2 6.—種液晶顯示裝置的製造方法，包括以下步驟：藉由射頻濺射，在第一基底上形成無機絕緣膜；在該無機絕緣膜上形成薄膜電晶體和與該薄膜電晶體電連接之像素電極：在該第二基底上形成對立電極；在該對立電極上形成第一配向膜： S -6- 1360702 在該無機絕緣膜上形成圓柱狀隔離物，以在該第—基底和該第二基底之間均勻地間隔：在該圓柱狀隔離物及該像素電極上形成第二配向@; 在該第二基底上塗佈並初步固定密封材料；向該第二基底上由該密封材料圍住的區域中滴注液晶材料；在減壓下，將該第一基底和該第二基底黏合在一起；以及藉由通過該第二基底之紫外線來固定該密封材料，其中，該無機絕緣膜包括包含氬之氮化矽膜，其中，該第一配向膜與該第二配向膜相接觸，以及其中，該無機絕緣膜是包含濃度爲1χ102β至lxl〇2i cm'3的氬之氮化矽膜。 27. 如申請專利範圍第25及26項中任一項之液晶顯示裝置的製造方法，其中該第一基底和該第二基底是塑膠基底。 28. 如申請專利範圍第25及26項中任一項之液晶顯示裝置的製造方法’其中該圓柱狀隔離物是由含有選自丙嫌酸、聚醯亞胺' 聚醯亞胺醯胺、以及環氧樹脂組成的族群中至少一材料之有機樹脂所形成；由氧化矽，氮化矽，或氧化氮化矽中任一材料所形成；或由這些材料的疊層膜構成的無機材料所形成。 2 9.如申請專利範圍第25及26項中任一項之液晶顯示裝置的製造方法，其中該無機絕緣膜是由以矽爲靶的射頻 1360702 * . 濺射所形成的氮化矽膜。 30.如申請專利範圍第25及26項中任一項之液晶顯示裝置的製造方法，其中該無機絕緣膜是以渦輪分子泵或低溫泵，在至多設定爲lxl 0·3 Pa的背壓下，用N2氣體或>12和稀有氣體的混合氣體濺射單晶矽靶而形成氮化矽膜。 3 1.如申請專利範圍第1、2、25及26項中任一項之液晶顯示裝置的製造方法，其中該無機絕緣膜是含有濃度最多爲lxl021cnT3的氫之氮化矽膜。 S -8 -