JPS60126624A - 液晶電気光学装置 - Google Patents
液晶電気光学装置Info
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- JPS60126624A JPS60126624A JP23577383A JP23577383A JPS60126624A JP S60126624 A JPS60126624 A JP S60126624A JP 23577383 A JP23577383 A JP 23577383A JP 23577383 A JP23577383 A JP 23577383A JP S60126624 A JPS60126624 A JP S60126624A
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
- G02F1/139—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent
- G02F1/141—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent using ferroelectric liquid crystals
-
- G—PHYSICS
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
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- Liquid Crystal (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高速応答、記憶効果、適当な闘将性を持つ強
誘電性スメクチック液晶を用いた液晶電気光学装置にお
ける液晶配向方法に関する。
誘電性スメクチック液晶を用いた液晶電気光学装置にお
ける液晶配向方法に関する。
強誘電性スメクチック液晶は、分子内に不斉炭素を持っ
ているためにひとつのスメクチック層の中ではそれぞれ
の分子が持つ永久双極子の向きがそろっている。この強
誘電性スメクチック液晶を電極を有する２枚のガラス基
板中に封入してホモジニアス配向させた場合、セル厚を
十分薄くするとアンカリング効果のために分子は常に基
ｌｄ１．面と平行になり、基＆面内での分子の並ぶ方向
はスメクチックｊ−の法線に対して十〇又は−〇傾いて
いる。この場合、永久双極子はすべて基板に対して垂直
方向に並んでおり、分子の傾く方向（十〇。
ているためにひとつのスメクチック層の中ではそれぞれ
の分子が持つ永久双極子の向きがそろっている。この強
誘電性スメクチック液晶を電極を有する２枚のガラス基
板中に封入してホモジニアス配向させた場合、セル厚を
十分薄くするとアンカリング効果のために分子は常に基
ｌｄ１．面と平行になり、基＆面内での分子の並ぶ方向
はスメクチックｊ−の法線に対して十〇又は−〇傾いて
いる。この場合、永久双極子はすべて基板に対して垂直
方向に並んでおり、分子の傾く方向（十〇。
−θンと永久双極子の向き（上、下ンとの間には対応関
係がある。従って、２枚の一極によって印加する電圧の
極性を選択することによって十〇又は−〇の配向状態を
選ぶことができる。この２つの配向状態はいずれも安定
であり、記憶効果を持っている。しかも印加電圧の極性
の反転に対する応答は従来の１０００倍から１００００
倍と非常に高速であり、かつ適当な閾特性も有している
。
係がある。従って、２枚の一極によって印加する電圧の
極性を選択することによって十〇又は−〇の配向状態を
選ぶことができる。この２つの配向状態はいずれも安定
であり、記憶効果を持っている。しかも印加電圧の極性
の反転に対する応答は従来の１０００倍から１００００
倍と非常に高速であり、かつ適当な閾特性も有している
。
このような特性を利用することにより、従来の液晶電気
光学装置にはない高速応答、Ｂピ憶効果を持った液晶電
気光学装置を作成することができる。 しかしそのため
には、液晶セル内の総ての液晶分子が同じ方向にそろっ
た、ホモジニアス配向モノドメインを作成しなければな
らない。
光学装置にはない高速応答、Ｂピ憶効果を持った液晶電
気光学装置を作成することができる。 しかしそのため
には、液晶セル内の総ての液晶分子が同じ方向にそろっ
た、ホモジニアス配向モノドメインを作成しなければな
らない。
これまでも、ホモジニアス配同モノドメインを作成する
方法はいくつか考えられている。そのひとつにガラス向
に対して平行に数キロから２０キロガウスの磁場を印加
しながら、等号相から液晶相に徐冷する方法がある。し
かし、この方法の場合は、セル厚を薄くすると壁面効果
によってほとんど配向効果が得られないため、１０μ程
度という比較的厚いセル厚にしなければならないが、こ
のセル厚では応答速度が大巾に低下し、かつ液晶分子が
らせん状に配向するため、前述の３つの特徴のうち、記
憶効果が得られないという欠点がある。また他の方法と
して、ガラス基板の電極が形成された側の表面にラビン
グ処理を施し、このラビングの方向に液晶分子を配向さ
せる方法があるが、この場合は、電場を除去した時に液
晶分子がラビングの方向に強制的に向けさせられるため
に、記憶効果が失われると言われている。さらに他の方
法として、２枚のガラス基版間にスペーサーとしてはさ
まれる高分子フィルムの側面を利用する方法がある。高
分子フィルムの延伸方向と平行な切断面では液晶分子が
平行に並ぶという性質を利用し、このような切断面を有
するスペーサーを液晶セルの一つの辺に設け、この辺に
直角な方向に温度勾配を設定し２て等方相から液晶相に
徐冷してバトネを析出させる方法である。しかしこの方
法では、スペーサーの切断面がなめらかになっていない
と配向方向を一定に制御することができないため、切断
面に、突起などが生じないように加工しなければならず
、歩留りが非常に悪く、コストが大巾に上昇し、また１
μ常程匿の薄い高分子フィルムを２枚の基板に挾む際に
も、上下から圧力が加えられるために切断面がしわにな
りやすく、その点からも良好なホモジニアス配向モノド
メインを得るのはきわめてむずかしいという問題点を有
している。
方法はいくつか考えられている。そのひとつにガラス向
に対して平行に数キロから２０キロガウスの磁場を印加
しながら、等号相から液晶相に徐冷する方法がある。し
かし、この方法の場合は、セル厚を薄くすると壁面効果
によってほとんど配向効果が得られないため、１０μ程
度という比較的厚いセル厚にしなければならないが、こ
のセル厚では応答速度が大巾に低下し、かつ液晶分子が
らせん状に配向するため、前述の３つの特徴のうち、記
憶効果が得られないという欠点がある。また他の方法と
して、ガラス基板の電極が形成された側の表面にラビン
グ処理を施し、このラビングの方向に液晶分子を配向さ
せる方法があるが、この場合は、電場を除去した時に液
晶分子がラビングの方向に強制的に向けさせられるため
に、記憶効果が失われると言われている。さらに他の方
法として、２枚のガラス基版間にスペーサーとしてはさ
まれる高分子フィルムの側面を利用する方法がある。高
分子フィルムの延伸方向と平行な切断面では液晶分子が
平行に並ぶという性質を利用し、このような切断面を有
するスペーサーを液晶セルの一つの辺に設け、この辺に
直角な方向に温度勾配を設定し２て等方相から液晶相に
徐冷してバトネを析出させる方法である。しかしこの方
法では、スペーサーの切断面がなめらかになっていない
と配向方向を一定に制御することができないため、切断
面に、突起などが生じないように加工しなければならず
、歩留りが非常に悪く、コストが大巾に上昇し、また１
μ常程匿の薄い高分子フィルムを２枚の基板に挾む際に
も、上下から圧力が加えられるために切断面がしわにな
りやすく、その点からも良好なホモジニアス配向モノド
メインを得るのはきわめてむずかしいという問題点を有
している。
本発明は、以上のような問題点を解決することを目的と
するものであり、上述のスペーサーの側面を利用して液
晶分子を配向させる配向方法を改良し、量産性にすぐれ
た配向処理方法を提供するものである。
するものであり、上述のスペーサーの側面を利用して液
晶分子を配向させる配向方法を改良し、量産性にすぐれ
た配向処理方法を提供するものである。
第１図は本発明における、液晶分子を配向するためのス
ペーサーのＦｅｔｒＭＪ図である。本発明は、第１図に
示すように、ガラス基板２１．２２の４つの辺の少なく
とも１つの辺に設けられたスペーサーを、異なる複数の
物質、たとえば２櫨類の金属あるいは金属と非金属から
なる薄膜を交互に誼ね合わせてなる積層スペーサー２５
としたことを特徴とする。第１図において、スペーサー
材料２７．２８として２種類の金属を用いた場合は、金
属２７のみをエツチングすることができるエツチング液
に浸せば、第１図に示すように、ガラス基板２１．２２
の面に平行な多数の溝を形成することができる。スペー
サー材料２８を非金属にしても同じように溝を形成する
ことができる。
ペーサーのＦｅｔｒＭＪ図である。本発明は、第１図に
示すように、ガラス基板２１．２２の４つの辺の少なく
とも１つの辺に設けられたスペーサーを、異なる複数の
物質、たとえば２櫨類の金属あるいは金属と非金属から
なる薄膜を交互に誼ね合わせてなる積層スペーサー２５
としたことを特徴とする。第１図において、スペーサー
材料２７．２８として２種類の金属を用いた場合は、金
属２７のみをエツチングすることができるエツチング液
に浸せば、第１図に示すように、ガラス基板２１．２２
の面に平行な多数の溝を形成することができる。スペー
サー材料２８を非金属にしても同じように溝を形成する
ことができる。
第１図において、薄膜２６は、ガラス基板２１．２２上
に形成された電極２３．２４と積層スペーサー２５とを
絶縁するための絶縁層であるが、スペーサーを設ける部
分の電極を除去するか、電極２３．２４に接するスペー
サー拐°料の一方を絶縁性の非金属とすれば、絶縁ｊ−
２６は省略できる本発明における配向制御の原理はラビ
ングによる配向制御と全く同じものであり、溝の深さと
幅はある程度でなければならない。しかも、液晶分子が
その表面に対して平行に並ばなければならないため、液
晶分子がなじみ易い祠料を使用するか、あるいは溝に平
行配向処理を施さなければならない。もし、溝の大きさ
が分子のオーダーよりも小さければ、分子は溝があるに
もがかわらず、スペーサー［１［１面上で自由な配向を
とることができるため、全く配向を制御することはでき
ない。ところが溝が適当な大きさを持っていれば、もし
分子の長袖が溝の方向と平行な方向以外に並んだ場合、
分子は溝の５門にそって並ぶことになり、溝の大きさに
応じたベンドの変形が発生し弾性エネルギーが高くなる
。従って分子は最もエネルギーが低い情態、すながち溝
の方向と平行に並ぶことになる。この様子を第２図、第
３図に示す。第２図はエネルギーが高い状態であり、第
３肉はエネルギーが最も低い場合である。
に形成された電極２３．２４と積層スペーサー２５とを
絶縁するための絶縁層であるが、スペーサーを設ける部
分の電極を除去するか、電極２３．２４に接するスペー
サー拐°料の一方を絶縁性の非金属とすれば、絶縁ｊ−
２６は省略できる本発明における配向制御の原理はラビ
ングによる配向制御と全く同じものであり、溝の深さと
幅はある程度でなければならない。しかも、液晶分子が
その表面に対して平行に並ばなければならないため、液
晶分子がなじみ易い祠料を使用するか、あるいは溝に平
行配向処理を施さなければならない。もし、溝の大きさ
が分子のオーダーよりも小さければ、分子は溝があるに
もがかわらず、スペーサー［１［１面上で自由な配向を
とることができるため、全く配向を制御することはでき
ない。ところが溝が適当な大きさを持っていれば、もし
分子の長袖が溝の方向と平行な方向以外に並んだ場合、
分子は溝の５門にそって並ぶことになり、溝の大きさに
応じたベンドの変形が発生し弾性エネルギーが高くなる
。従って分子は最もエネルギーが低い情態、すながち溝
の方向と平行に並ぶことになる。この様子を第２図、第
３図に示す。第２図はエネルギーが高い状態であり、第
３肉はエネルギーが最も低い場合である。
溝の大きさは、少くとも図２に示すように液晶分子を溝
の６四にそって並べることができる程度の幅を持ち、深
さは十分大きいベンドの変形を生じさせることができる
程度でなければならない。
の６四にそって並べることができる程度の幅を持ち、深
さは十分大きいベンドの変形を生じさせることができる
程度でなければならない。
また、溝と溝の間隔に関しては、溝と溝の間の分子間力
の効果によって溝と平行に並ぶことができる程度の間隔
でなければならず、なるべく間隔が狭い方がよい。従来
の配向制御法としてガラス基板面にポリイミドなどを塗
布してラビング処理を施し配向させる方法があるが、こ
の場合ポリイミドの膜厚は２００Ｘ程度は必要である。
の効果によって溝と平行に並ぶことができる程度の間隔
でなければならず、なるべく間隔が狭い方がよい。従来
の配向制御法としてガラス基板面にポリイミドなどを塗
布してラビング処理を施し配向させる方法があるが、こ
の場合ポリイミドの膜厚は２００Ｘ程度は必要である。
この膜厚はラビングによって生じる溝の深さと関係があ
るため、本発明における溝の深さは少くとも２００Ｘ程
度は必要であろう。
るため、本発明における溝の深さは少くとも２００Ｘ程
度は必要であろう。
上記のようなスペーサーを液晶セルの一端に設置し温度
勾配をかけることによって、そのスペーサー側面から液
晶相を成長させていく。この温度勾配によって液晶相を
成長させる過程は、高分子フィルムの切断向による配向
制御法と全く同じである。しかし高分子フィルムを使用
する場合、作成し得るセルの薄さには限界があり、また
切断面の状態による不確実さが伴うが、本発明によって
これらの問題は解決式れる。
勾配をかけることによって、そのスペーサー側面から液
晶相を成長させていく。この温度勾配によって液晶相を
成長させる過程は、高分子フィルムの切断向による配向
制御法と全く同じである。しかし高分子フィルムを使用
する場合、作成し得るセルの薄さには限界があり、また
切断面の状態による不確実さが伴うが、本発明によって
これらの問題は解決式れる。
以下実施騙りに括づいて本発明を詳述する。
実施例
スペーサー材料２７．２８としてそれぞれクロムと金を
使用し、絶縁層２６としてＳｉｎ、を使用した。マスク
蒸着によって１ ａｎ Ｘ １ ｃｍのセルの一端に、
各層の厚さが１ｏｏｏＸになるようにＳｉＯ□およびク
ロムと金を交互に合計１０層蒸着した。次にＯｒ −Ｔ
ｗ （硝酸第２セリウムアンモニウ、ム（１６５ｆ’
ン 、ＨＮＯ３（９０ｃｃ）、水（１ｔ））によってク
ロムをエツチングした。形成された溝は電子顕微鏡によ
って確認し、幅１゜００Ｘ、深さ４００Ｘ 、ピッチ２
０００Ｘｒあ２だ。配向制御力を持たさないスペーサー
は、最後にホトレジスト膜をガラス面に塗布し、セルの
周辺部のみを残して除去することによって設置した。こ
のようにして作成したセルの厚さは１．２μｍであり、
蒸着層の厚さと一致しないのはレジスト膜の厚さむらの
ためと思われる。使用した液晶材料はＭＢ ＲＡ−８（
Ｓ−４−０−（２−ｍｅｔｈｙｔ）ｂｕｔｙｌ−ｒｅｓ
ｏｒｃｙｌｉｄｅｎｅ−４／−ａｌｋｙｌａｎｉｌｉｎ
ｅ ）である。以下の実施列ではすべてこのＭＢＲＡ−
８を使用した。温度勾配は溝を持つスペーサーと直交す
るように設定し、勾配の大きさは４０ ℃／ ｃｎ＋と
した。ガラス表面は無処理である。
使用し、絶縁層２６としてＳｉｎ、を使用した。マスク
蒸着によって１ ａｎ Ｘ １ ｃｍのセルの一端に、
各層の厚さが１ｏｏｏＸになるようにＳｉＯ□およびク
ロムと金を交互に合計１０層蒸着した。次にＯｒ −Ｔ
ｗ （硝酸第２セリウムアンモニウ、ム（１６５ｆ’
ン 、ＨＮＯ３（９０ｃｃ）、水（１ｔ））によってク
ロムをエツチングした。形成された溝は電子顕微鏡によ
って確認し、幅１゜００Ｘ、深さ４００Ｘ 、ピッチ２
０００Ｘｒあ２だ。配向制御力を持たさないスペーサー
は、最後にホトレジスト膜をガラス面に塗布し、セルの
周辺部のみを残して除去することによって設置した。こ
のようにして作成したセルの厚さは１．２μｍであり、
蒸着層の厚さと一致しないのはレジスト膜の厚さむらの
ためと思われる。使用した液晶材料はＭＢ ＲＡ−８（
Ｓ−４−０−（２−ｍｅｔｈｙｔ）ｂｕｔｙｌ−ｒｅｓ
ｏｒｃｙｌｉｄｅｎｅ−４／−ａｌｋｙｌａｎｉｌｉｎ
ｅ ）である。以下の実施列ではすべてこのＭＢＲＡ−
８を使用した。温度勾配は溝を持つスペーサーと直交す
るように設定し、勾配の大きさは４０ ℃／ ｃｎ＋と
した。ガラス表面は無処理である。
上記のセルを用いてモノドメイン作成を試みたところ、
いくつかの欠陥は見られるが、実用に共することができ
る良質のホモジニアス配向モノドメインが得られた。
いくつかの欠陥は見られるが、実用に共することができ
る良質のホモジニアス配向モノドメインが得られた。
実施例２
本実施列では、実施ｆｐｌ １と同柚の金属を使用し、
クロム層と金層の厚さをそれぞれ７ｏｏＸ、１３００Ｘ
とし、溝（１） ピッチハ２０００ Ｘ 、 深す４０
０Ｘとした。セル厚は１１μ常である。このようなセル
においても実施的１と同程度のモノドメインを得ること
ができた。
クロム層と金層の厚さをそれぞれ７ｏｏＸ、１３００Ｘ
とし、溝（１） ピッチハ２０００ Ｘ 、 深す４０
０Ｘとした。セル厚は１１μ常である。このようなセル
においても実施的１と同程度のモノドメインを得ること
ができた。
実施りｕ３
スペーサー材料２７．２８としてそれぞれクロムとニッ
ケルを使用し、各層の厚さをそれぞれ６５０Ａ、３５０
ＸとしてクロムをＯｒ −Ｔ ｗによってエツチングし
た。形成されたＫは幅＜ｉ５０＾、深さ５ｏｏＸ、ピッ
チ１０００にである。蒸着層の厚さを１．５μ常とし、
実施レリ１におけるホトレジスト膜のかわりに厚さ１．
５μ溝のアルミ箔を使用した。溝を持つスペーサーと直
交しているアルミ箔の切断間はＨＴ ＡＢ （ｈｅｘａ
ｄｅｃｙｌｔｒｉｍｅｔｈｙ−１ａｍｍｏｎｉｕｍｂｒ
ｏｍｌｅ ） によって垂直配向処理を施しである。こ
こで作成したセルの厚さは１．７μｍであった。
ケルを使用し、各層の厚さをそれぞれ６５０Ａ、３５０
ＸとしてクロムをＯｒ −Ｔ ｗによってエツチングし
た。形成されたＫは幅＜ｉ５０＾、深さ５ｏｏＸ、ピッ
チ１０００にである。蒸着層の厚さを１．５μ常とし、
実施レリ１におけるホトレジスト膜のかわりに厚さ１．
５μ溝のアルミ箔を使用した。溝を持つスペーサーと直
交しているアルミ箔の切断間はＨＴ ＡＢ （ｈｅｘａ
ｄｅｃｙｌｔｒｉｍｅｔｈｙ−１ａｍｍｏｎｉｕｍｂｒ
ｏｍｌｅ ） によって垂直配向処理を施しである。こ
こで作成したセルの厚さは１．７μｍであった。
上記のセルを用いてモノドメインを作成した場合、溝を
持たないスペーサーの側面が無処理の場合と比較して、
そのスペーサーの側面と接している部分の配向の乱れが
少くなった。
持たないスペーサーの側面が無処理の場合と比較して、
そのスペーサーの側面と接している部分の配向の乱れが
少くなった。
実施列４
スペーサー材料２７．２８としてそれぞれクロムと８１
０を使用し、各層の厚さを１ ｏｏｏＸ・蒸着層の厚さ
を１．５μ濯とし、Ｏ’ｒ−Ｔｗによってクロムをエツ
チングした。溝の大きさは実施レリ１と同じく、幅１ｏ
ｏｏＸ、深さ４ｏｏＸ、ピッチ２０００Ｘであった。溝
を持たないスペーサーとして実ｆ＋１ｌｉｌｆ！１３に
おいて使用した垂直配向処理済アルミ箔を使用した。更
に２枚のガラス基板面にはポリイミドを塗布して水平配
向処理を施した。
０を使用し、各層の厚さを１ ｏｏｏＸ・蒸着層の厚さ
を１．５μ濯とし、Ｏ’ｒ−Ｔｗによってクロムをエツ
チングした。溝の大きさは実施レリ１と同じく、幅１ｏ
ｏｏＸ、深さ４ｏｏＸ、ピッチ２０００Ｘであった。溝
を持たないスペーサーとして実ｆ＋１ｌｉｌｆ！１３に
おいて使用した垂直配向処理済アルミ箔を使用した。更
に２枚のガラス基板面にはポリイミドを塗布して水平配
向処理を施した。
セル厚は１．６μ情であった〇
上記セルにおいては欠陥の少ないがなり良質のモノドメ
インが得られた。
インが得られた。
実施例５
スペーサー材料２７．２８としてそれぞれクロムとポリ
イミドを使用し、各層の厚さをそれぞれ４００Ｘとした
。ポリイミド層は蒸着したクロム層の上に塗布した。全
１の厚さは１μｍであり、Ｏｒ −Ｔ ｗによってクロ
ムをエツチングした。形成された溝は、幅ａｏｏＸ、深
さ２００に、ピッチ８００Ｘである。溝を持たないスペ
ーサーは実施例１と同じくホトレジスト膜を使用した５
セル厚は１．１μ常である。
イミドを使用し、各層の厚さをそれぞれ４００Ｘとした
。ポリイミド層は蒸着したクロム層の上に塗布した。全
１の厚さは１μｍであり、Ｏｒ −Ｔ ｗによってクロ
ムをエツチングした。形成された溝は、幅ａｏｏＸ、深
さ２００に、ピッチ８００Ｘである。溝を持たないスペ
ーサーは実施例１と同じくホトレジスト膜を使用した５
セル厚は１．１μ常である。
上記のセルにおいても欠陥の少ない良質のモノドメイン
を得ることができた。
を得ることができた。
不実施列は二種類の金属あるいは二種類の金属と非金属
を組み合わせたものであるが、この他Ａｔ、Ｏｕ、Ｃｏ
など各種の金属を組み合わせても同様の効果が得られる
。
を組み合わせたものであるが、この他Ａｔ、Ｏｕ、Ｃｏ
など各種の金属を組み合わせても同様の効果が得られる
。
本発明によれば、強誘電性スメクチック液晶の良質のホ
モジニアス配向七ノドメインセルを作成することができ
、光シヤツター、表示装置などに応用することができる
。
モジニアス配向七ノドメインセルを作成することができ
、光シヤツター、表示装置などに応用することができる
。
第１図は本発明による積層スペーサーの断面図である。
２１．２２・・・・・・ガラス基板
２！１，２４・・・・・・電極
２５ ・・・・・・積層スペーサー
２６ ・・・・・・絶縁層
２７ ・・・・・・スペーサー材料（金Ｊ＠４）２８
・・・・・・スペーサー材料（金属又は非金属ン 第２図は弾性エネルギが高い配向状態である。 ２９ ・・・・・・溝と平行でない方向に並んだ液晶分
子 ３０ ・・・・・・スペーサー 第３図は弾性エネルギーが最も低い配向状態である。 ３１ ・・・・・・溝と平行に並んだ液晶分子第１図 第２図 第３図
・・・・・・スペーサー材料（金属又は非金属ン 第２図は弾性エネルギが高い配向状態である。 ２９ ・・・・・・溝と平行でない方向に並んだ液晶分
子 ３０ ・・・・・・スペーサー 第３図は弾性エネルギーが最も低い配向状態である。 ３１ ・・・・・・溝と平行に並んだ液晶分子第１図 第２図 第３図
Claims (3)
- （１）電極を有する２枚のガラス基板間に強誘電性スメ
クチック液晶を封入し、前記２枚のガラス基板の上方お
よび下方に互いに偏光軸が直交している偏光板を設けた
液晶電気光学装置において、前記２枚のガラス基板間に
介在するスペーサーのうち互いに平行な２辺の少くとも
１辺に設けられたスペーサーを異なる複数の薄膜を交互
に積層した多層構造として該スペーサーの内側面に前記
ガラス基板面に平行な複数の溝をプレ成することにより
液晶分子を所定の方向に配向させたことを特徴とする液
晶電気光学装置。 - （２） 前記複数の溝を設けたスペーサーが設けられた
辺と直角な辺に設けられたスペーサーの内側６１１に垂
直配向処理を施した特許請求の範囲第１項記載の液晶′
電気光学装置。 - （３） 前記２枚のガラス基板の少くとも一方の電極ｌ
ＩＩ！１表面に水平配向処理を施した特許請求の範囲第
１項または第２項に記載の数品電気光学装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23577383A JPS60126624A (ja) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | 液晶電気光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23577383A JPS60126624A (ja) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | 液晶電気光学装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60126624A true JPS60126624A (ja) | 1985-07-06 |
Family
ID=16991022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23577383A Pending JPS60126624A (ja) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | 液晶電気光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60126624A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6254229A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-03-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置の作製方法 |
| US7050138B1 (en) | 1995-03-10 | 2006-05-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a display device having a driver circuit attached to a display substrate |
| US7426008B2 (en) | 2003-03-07 | 2008-09-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
| US8049851B2 (en) | 2007-06-26 | 2011-11-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a liquid crystal display device having a second orientation film surrounding a first orientation film |
| US8284375B2 (en) | 2003-01-16 | 2012-10-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
-
1983
- 1983-12-14 JP JP23577383A patent/JPS60126624A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6254229A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-03-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置の作製方法 |
| US7050138B1 (en) | 1995-03-10 | 2006-05-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a display device having a driver circuit attached to a display substrate |
| US7446843B2 (en) | 1995-03-10 | 2008-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of fabricating the same |
| US8013972B2 (en) | 1995-03-10 | 2011-09-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of fabricating the same |
| US8547516B2 (en) | 1995-03-10 | 2013-10-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of fabricating the same |
| US8284375B2 (en) | 2003-01-16 | 2012-10-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
| US8531645B2 (en) | 2003-01-16 | 2013-09-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
| US7426008B2 (en) | 2003-03-07 | 2008-09-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
| US8634050B2 (en) | 2003-03-07 | 2014-01-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
| US8049851B2 (en) | 2007-06-26 | 2011-11-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a liquid crystal display device having a second orientation film surrounding a first orientation film |
| US8659730B2 (en) | 2007-06-26 | 2014-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device comprising a first orientation film and a second orientation film surrounding the first orientation film wherein a side surface and a top surface of the first orientation film are in contact with the second orientation film |
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