JPS62251723A - ドライバ−内蔵液晶パネル - Google Patents
ドライバ−内蔵液晶パネルInfo
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- JPS62251723A JPS62251723A JP9630286A JP9630286A JPS62251723A JP S62251723 A JPS62251723 A JP S62251723A JP 9630286 A JP9630286 A JP 9630286A JP 9630286 A JP9630286 A JP 9630286A JP S62251723 A JPS62251723 A JP S62251723A
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ドライバー内蔵アクティブマトリックス基板
と対向電極基板と液晶からなるドライバー内蔵液晶パネ
ルの構造に関する。
と対向電極基板と液晶からなるドライバー内蔵液晶パネ
ルの構造に関する。
アクティブマトリックス基板において、画素電極にデー
タを書きこむ非線形素子として絶縁ゲート型トランジス
ターまたは薄膜トランジスターを用いる場合、同一基板
上に駆動回路を内蔵することが可能である。
タを書きこむ非線形素子として絶縁ゲート型トランジス
ターまたは薄膜トランジスターを用いる場合、同一基板
上に駆動回路を内蔵することが可能である。
ＮＫ ２ ｌ’Ａ Ｉｆ −；看［１１４＃ｆｌｒ
ｕ Ｊ、ｔ： Ｌ Ｉ−Ｌ、−マｋ Ｉｆ １
９．／＞ ｉ （１’ Ｌ−配置された簿膜トラン
ジスターと周辺駆動回路から構成された液晶表示用ドラ
イバー内蔵アクティブマトリックス基板の模式図である
。１ （Ｇ、〜Ｇｍ）は、タイミング線となるゲート
線、２（ｓ、−５ｎ）は、データ線となるソース線であ
り、その交点に配置された薄膜トランジスター３により
、データを側索′屯極４に書き込んでいる。５は、タイ
ミング線駆動回路、６はデータ線駆動回路であり、この
図では両側駆動の場合を示している。
ｕ Ｊ、ｔ： Ｌ Ｉ−Ｌ、−マｋ Ｉｆ １
９．／＞ ｉ （１’ Ｌ−配置された簿膜トラン
ジスターと周辺駆動回路から構成された液晶表示用ドラ
イバー内蔵アクティブマトリックス基板の模式図である
。１ （Ｇ、〜Ｇｍ）は、タイミング線となるゲート
線、２（ｓ、−５ｎ）は、データ線となるソース線であ
り、その交点に配置された薄膜トランジスター３により
、データを側索′屯極４に書き込んでいる。５は、タイ
ミング線駆動回路、６はデータ線駆動回路であり、この
図では両側駆動の場合を示している。
第３図は、従来の透過型ドライバー内蔵液晶パネルの概
要断面図（α）と平面図（ｂ）である。
要断面図（α）と平面図（ｂ）である。
透明絶縁基板７上に薄膜トランジスターを用いて画素電
極を有するパネル表示領域８とタイミング線駆動回路５
とデータ線駆動回路６と周辺接続用端子９を形成する。
極を有するパネル表示領域８とタイミング線駆動回路５
とデータ線駆動回路６と周辺接続用端子９を形成する。
シール材１ｏを用いて対向透明電極１１を有する対向透
明基板１２とアクティブマトリックスと駆動回路を形成
した基板７を圧着し、封入口１３より液晶１４を封入し
たのち封止して液晶パネルが完成する。この場合、周辺
駆動回路は総出状態になるので、あらかじめパシベーシ
冒ンｐｌＡ１５ｆ！：形成しておくか、パネル完成後に
モールド等を施して被覆しないと湿度による腐食が駆動
回路内に発生する。
明基板１２とアクティブマトリックスと駆動回路を形成
した基板７を圧着し、封入口１３より液晶１４を封入し
たのち封止して液晶パネルが完成する。この場合、周辺
駆動回路は総出状態になるので、あらかじめパシベーシ
冒ンｐｌＡ１５ｆ！：形成しておくか、パネル完成後に
モールド等を施して被覆しないと湿度による腐食が駆動
回路内に発生する。
第４図は、前記耐湿性を向上させた構造の断面図（ａ）
と平面図（ｂ）であり周辺駆動回路を液晶中にとじこめ
ているのが特徴である。液晶内は水分がほとんどないた
め、パシベーシ目ン膜をつける必要がなく耐湿性の問題
は十分解決できるものである。
と平面図（ｂ）であり周辺駆動回路を液晶中にとじこめ
ているのが特徴である。液晶内は水分がほとんどないた
め、パシベーシ目ン膜をつける必要がなく耐湿性の問題
は十分解決できるものである。
しかし、前述の従来技術では、液晶の誘電率が１Φぐら
いと比較的大きいため、駆動回路内の配線間容置や、対
向電極１１と駆動回路内配線との間の容祉が著しく増え
るため、動作スピードが遅くなり適正な信号が伝播しな
いという問題点を発生する。また、仮に駆動回路の片側
が不良のため、配線を切断する必要が生じた場合、レー
ザー光線にてライン切断をするのであるが、切断時に気
泡が発生するため、多くの修正をする場合困難である。
いと比較的大きいため、駆動回路内の配線間容置や、対
向電極１１と駆動回路内配線との間の容祉が著しく増え
るため、動作スピードが遅くなり適正な信号が伝播しな
いという問題点を発生する。また、仮に駆動回路の片側
が不良のため、配線を切断する必要が生じた場合、レー
ザー光線にてライン切断をするのであるが、切断時に気
泡が発生するため、多くの修正をする場合困難である。
また駆動回路の駆動電圧が高い場合、対向電極との電圧
が常に液晶に直流的に印加されるため、液晶の劣化が駆
動回路上に発生し、パネル表示領域まで悲影響を及ぼす
という問題点を有するそこで本発明はこのような問題点
を解決するもので、その目的とするところは、耐湿性を
保持し、ライン切断修正が容易で、直流印加による液晶
劣化がなく、信号の伝播遅延の少ない、ドライバー内蔵
液晶パネルを提供するところにある。
が常に液晶に直流的に印加されるため、液晶の劣化が駆
動回路上に発生し、パネル表示領域まで悲影響を及ぼす
という問題点を有するそこで本発明はこのような問題点
を解決するもので、その目的とするところは、耐湿性を
保持し、ライン切断修正が容易で、直流印加による液晶
劣化がなく、信号の伝播遅延の少ない、ドライバー内蔵
液晶パネルを提供するところにある。
本発明のドライバー内蔵液晶パネルは、シール材が、ｉ
ｌ！Ｉｌｉ素からなるパネル表示領域と駆動回路領域を
独立に封止することを特徴とする。
ｌ！Ｉｌｉ素からなるパネル表示領域と駆動回路領域を
独立に封止することを特徴とする。
本発明によれば、シール材により、パネル表示領域と駆
動回路領域を完全に外削することにょって、駆動回路領
域の封入物質を自由に選択できる長所をもつ６例えば、
不活性ガスを封入した場合においては、レーザー光線に
よるライン切断修正が容易で、かつ耐湿性もよく、信号
の伝播遅延も少ない。またパネル表示領域と同一の液晶
を用いた場合”ｉ ｆｉｊ号の伝播遅延は大きくなるが
、直流印加による駆動回路上の液晶の劣化が発生しても
パネル表示領域に前記液晶が拡散していく心配もなく、
ライン切断修正が多鷲に行なわれて気泡を発生しても同
様にパネル表示領域には拡散していくことがないため、
低周波駆動回路の場合は十分な効果がある。
動回路領域を完全に外削することにょって、駆動回路領
域の封入物質を自由に選択できる長所をもつ６例えば、
不活性ガスを封入した場合においては、レーザー光線に
よるライン切断修正が容易で、かつ耐湿性もよく、信号
の伝播遅延も少ない。またパネル表示領域と同一の液晶
を用いた場合”ｉ ｆｉｊ号の伝播遅延は大きくなるが
、直流印加による駆動回路上の液晶の劣化が発生しても
パネル表示領域に前記液晶が拡散していく心配もなく、
ライン切断修正が多鷲に行なわれて気泡を発生しても同
様にパネル表示領域には拡散していくことがないため、
低周波駆動回路の場合は十分な効果がある。
第１図は、本発明の実施例であり、透過型ドライバー内
蔵液晶パネルの断面図（α）と平面図（ｂ）である。従
来図とは異なり、シール材１０が二ｍに配置している。
蔵液晶パネルの断面図（α）と平面図（ｂ）である。従
来図とは異なり、シール材１０が二ｍに配置している。
パネル表示領域８は、液晶封入０１３より液晶を封入し
、駆動回路領域には、駆動ｌＩ！回路領域専用の封入口
１６より不活性ガスまたは液晶等を封入する。同一の液
晶を封入する場合には、内側のシール材の門限の一部を
９Ｊっておき、パネル°表示領域と駆動回路領域をつな
げておけば、封入口はひとつで代用できる。駆動回路領
域に封入する材料は、液晶よりは、窒素等の不活性ガス
の方がまさる。また本実施例の図では、パネル表示領域
と駆動回路領域のシール材を一層で兼用した構造になっ
ているが、全く独立にシール材でおおってもよいことは
明らかである。
、駆動回路領域には、駆動ｌＩ！回路領域専用の封入口
１６より不活性ガスまたは液晶等を封入する。同一の液
晶を封入する場合には、内側のシール材の門限の一部を
９Ｊっておき、パネル°表示領域と駆動回路領域をつな
げておけば、封入口はひとつで代用できる。駆動回路領
域に封入する材料は、液晶よりは、窒素等の不活性ガス
の方がまさる。また本実施例の図では、パネル表示領域
と駆動回路領域のシール材を一層で兼用した構造になっ
ているが、全く独立にシール材でおおってもよいことは
明らかである。
また本実施例＋１ｉｎ明絶縁基板上に薄膜トランジスタ
ーを形成した透過型のドライバー内蔵液晶パネルを例に
とっているが、シリコンウェハー上にＭＯＳ）ランシス
ターを形成して、反射型として使うドライバー内蔵液晶
パネルの場合にも適用できる。
ーを形成した透過型のドライバー内蔵液晶パネルを例に
とっているが、シリコンウェハー上にＭＯＳ）ランシス
ターを形成して、反射型として使うドライバー内蔵液晶
パネルの場合にも適用できる。
以上述べたように本発明によれば、次の効果をイノ゛
す る 。
す る 。
（１］ 耐湿性が確保できるため、配線のｊＩＡ食な
生しない。
生しない。
（２）パッシベーション膜な披ふくする工１呈がいらな
いため工程短縮ができる。
いため工程短縮ができる。
（３）駆動回路内の信号の適正な伝播が行なわれ伝播Ｍ
延が少ない。
延が少ない。
（４）駆動回路内のライン切断修正が容易である（５）
パネル表示領域の液晶に、品質劣化を生じない。
パネル表示領域の液晶に、品質劣化を生じない。
（６） シール材領域が多少増えるが、工程数は増え
ない。
ない。
第１図は、本発明の透過型ドライバー内蔵液晶パネル構
造の一実施例を示す断面図（α）と平面図（ｂ”）であ
る。 第２図は、液晶パネルのドライバー内蔵アクティブマト
リックス基板の模式図である。 第３図は、従来の駆動回路をパネル構造の外に配置した
透過型ドライバー内蔵液晶パネル４４４造の断面図（α
）と平面図Ｃｈ）である。 第４図は、従来の駆動回路をパネル構造の内に配置した
透過型ドライバー内蔵液晶パネル構造の断面図（ａ）と
平面ｗ ｃｂ＞である。 １・・タイミング線（ゲート線） ２・・データ線（ソース線） ３・・薄膜トランジスター ４・・両系電極 ５・・タイミング線駆動回路 ６・・データ編駆動回路 ７・・送明絶縁基板 ８・・パネル表示領域 ９・・周辺接続用端子 １０・・・シール材 １１・・・対向透明′磁極 １２・・・対向透明基板 １３・・・液晶封入口 １４・・液 晶 １５・・・パッシベーション膜またはモールド材１６・
・駆動回路領域専用の封入口 第１図（α） 第１区（ｂ） ゛第２図 第３図（Ｑ） 第３゛図 （トフ
造の一実施例を示す断面図（α）と平面図（ｂ”）であ
る。 第２図は、液晶パネルのドライバー内蔵アクティブマト
リックス基板の模式図である。 第３図は、従来の駆動回路をパネル構造の外に配置した
透過型ドライバー内蔵液晶パネル４４４造の断面図（α
）と平面図Ｃｈ）である。 第４図は、従来の駆動回路をパネル構造の内に配置した
透過型ドライバー内蔵液晶パネル構造の断面図（ａ）と
平面ｗ ｃｂ＞である。 １・・タイミング線（ゲート線） ２・・データ線（ソース線） ３・・薄膜トランジスター ４・・両系電極 ５・・タイミング線駆動回路 ６・・データ編駆動回路 ７・・送明絶縁基板 ８・・パネル表示領域 ９・・周辺接続用端子 １０・・・シール材 １１・・・対向透明′磁極 １２・・・対向透明基板 １３・・・液晶封入口 １４・・液 晶 １５・・・パッシベーション膜またはモールド材１６・
・駆動回路領域専用の封入口 第１図（α） 第１区（ｂ） ゛第２図 第３図（Ｑ） 第３゛図 （トフ
Claims (3)
- （１）直交する複数本のデータ線と複数本のタイミング
線を有し、該データ線とタイミング線の交差点に非線形
素子と該非線形素子でスイッチする画素電極をもうける
と共に、該データ線とタイミング線の少なくとも一方の
駆動回路を同一の基板上に構成するドライバー内蔵アク
ティブマトリックス基板と該基板に平行に対向する対向
電極基板と該両基板の間に液晶を介在するドライバー内
蔵液晶パネルにおいて、液晶を封止するシール材が、画
素からなるパネル表示領域と前記駆動回路領域を独立に
封止することを特徴とするドライバー内蔵液晶パネル。 - （２）シール材によって封止された前記駆動回路領域に
、パネル表示領域と同一の液晶を封入することを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のドライバー内蔵液晶パ
ネル。 - （３）シール材によって封止された前記駆動回路領域に
、不活性気体を封入することを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のドライバー内蔵液晶パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9630286A JPS62251723A (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | ドライバ−内蔵液晶パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9630286A JPS62251723A (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | ドライバ−内蔵液晶パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62251723A true JPS62251723A (ja) | 1987-11-02 |
Family
ID=14161234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9630286A Pending JPS62251723A (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | ドライバ−内蔵液晶パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62251723A (ja) |
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| JPH046030U (ja) * | 1990-05-01 | 1992-01-21 | ||
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-
1986
- 1986-04-25 JP JP9630286A patent/JPS62251723A/ja active Pending
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