JP2002296600A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子の製造方法Info
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- JP2002296600A JP2002296600A JP2001096808A JP2001096808A JP2002296600A JP 2002296600 A JP2002296600 A JP 2002296600A JP 2001096808 A JP2001096808 A JP 2001096808A JP 2001096808 A JP2001096808 A JP 2001096808A JP 2002296600 A JP2002296600 A JP 2002296600A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造効率の向上を図ることのできる液晶表示
素子の製造方法を得る。 【解決手段】 一対の基板間に挟持された液晶を封止す
るためにいずれかの基板上に未硬化の状態で設けたシー
ル材を仮硬化させる仮硬化工程と、仮硬化させたシール
材をさらに硬化させる本硬化工程とを含む液晶表示素子
の製造方法。本硬化工程は、仮硬化させたシール材を仮
硬化工程における硬化度よりも高い所定の硬化度まで硬
化させる第１の本硬化工程と、第１の本硬化工程におけ
る硬化度よりも高い所定の硬化度まで硬化を行う第２の
本硬化工程とに分割されている。
素子の製造方法を得る。 【解決手段】 一対の基板間に挟持された液晶を封止す
るためにいずれかの基板上に未硬化の状態で設けたシー
ル材を仮硬化させる仮硬化工程と、仮硬化させたシール
材をさらに硬化させる本硬化工程とを含む液晶表示素子
の製造方法。本硬化工程は、仮硬化させたシール材を仮
硬化工程における硬化度よりも高い所定の硬化度まで硬
化させる第１の本硬化工程と、第１の本硬化工程におけ
る硬化度よりも高い所定の硬化度まで硬化を行う第２の
本硬化工程とに分割されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示素子の製
造方法、詳しくは、一対の基板間に周囲をシール材で封
止された液晶を挟持した液晶表示素子の製造方法に関す
る。
造方法、詳しくは、一対の基板間に周囲をシール材で封
止された液晶を挟持した液晶表示素子の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術と課題】従来、例えば、一対の基板間に周
囲をシール材で封止された液晶を挟持した液晶表示素子
は、いずれか一方の基板上に設けたシール材を仮硬化
し、一対の基板を貼り合わせ、シール材を本硬化し、洗
浄や検査等を行うという順序で製造していた。なお、液
晶は基板を貼り合わせる前に一方の基板上に滴下する
か、シール材の本硬化の後基板間に真空注入していた。
囲をシール材で封止された液晶を挟持した液晶表示素子
は、いずれか一方の基板上に設けたシール材を仮硬化
し、一対の基板を貼り合わせ、シール材を本硬化し、洗
浄や検査等を行うという順序で製造していた。なお、液
晶は基板を貼り合わせる前に一方の基板上に滴下する
か、シール材の本硬化の後基板間に真空注入していた。
【０００３】しかしながら、前記製造方法では、シール
材の本硬化に長時間を要し、次工程を待機させる必要が
あり、製造効率の低いものであった。
材の本硬化に長時間を要し、次工程を待機させる必要が
あり、製造効率の低いものであった。
【０００４】そこで、本発明の目的は、製造効率の向上
を図ることのできる液晶表示素子の製造方法を提供する
ことにある。
を図ることのできる液晶表示素子の製造方法を提供する
ことにある。
【０００５】
【発明の構成、作用及び効果】以上の目的を達成するた
め、本発明に係る液晶表示素子の製造方法は、第１及び
第２の基板間に液晶を挟持して液晶層を形成する工程
と、少なくともいずれか一方の基板上に液晶表示面の周
囲を囲むシール材を未硬化の状態で設ける工程と、前記
シール材を前記第１及び第２の基板を貼り合わせる前に
仮硬化させる仮硬化工程と、仮硬化させた前記シール材
をさらに硬化させる本硬化工程と、を含み、前記本硬化
工程を、仮硬化させた前記シール材を仮硬化工程におけ
る硬化度よりも高い所定の硬化度まで硬化させる第１の
本硬化工程と、第１の本硬化工程における硬化度よりも
高い所定の硬化度まで硬化を行う第２の本硬化工程とに
分割したものである。
め、本発明に係る液晶表示素子の製造方法は、第１及び
第２の基板間に液晶を挟持して液晶層を形成する工程
と、少なくともいずれか一方の基板上に液晶表示面の周
囲を囲むシール材を未硬化の状態で設ける工程と、前記
シール材を前記第１及び第２の基板を貼り合わせる前に
仮硬化させる仮硬化工程と、仮硬化させた前記シール材
をさらに硬化させる本硬化工程と、を含み、前記本硬化
工程を、仮硬化させた前記シール材を仮硬化工程におけ
る硬化度よりも高い所定の硬化度まで硬化させる第１の
本硬化工程と、第１の本硬化工程における硬化度よりも
高い所定の硬化度まで硬化を行う第２の本硬化工程とに
分割したものである。
【０００６】本発明者の実験によれば、シール材の本硬
化処理において、比較的短い時間で次工程に耐え得る程
度の硬化状態が得られることが判明した。そこで、本発
明に係る製造方法にあっては、シール材の本硬化工程
を、シール材の硬化度が仮硬化状態よりも進行した状態
となる第１の本硬化工程と、第１の本硬化工程における
硬化度よりも高い硬化度まで硬化を進める第２の本硬化
工程とに分割した。
化処理において、比較的短い時間で次工程に耐え得る程
度の硬化状態が得られることが判明した。そこで、本発
明に係る製造方法にあっては、シール材の本硬化工程
を、シール材の硬化度が仮硬化状態よりも進行した状態
となる第１の本硬化工程と、第１の本硬化工程における
硬化度よりも高い硬化度まで硬化を進める第２の本硬化
工程とに分割した。
【０００７】このように本硬化工程を二つに分割するこ
とで、第１の本硬化により比較的短時間で、仮硬化状態
よりずっと高い硬化度まで硬化を進行させることができ
る。このため、比較的短時間で第１の本硬化工程におい
て次工程に耐えうる程度の硬化度まで硬化を進めること
ができ、この場合は、第１の本硬化後直ちに次工程を開
始することができ、製造効率が向上する。
とで、第１の本硬化により比較的短時間で、仮硬化状態
よりずっと高い硬化度まで硬化を進行させることができ
る。このため、比較的短時間で第１の本硬化工程におい
て次工程に耐えうる程度の硬化度まで硬化を進めること
ができ、この場合は、第１の本硬化後直ちに次工程を開
始することができ、製造効率が向上する。
【０００８】第１の本硬化工程に続く次工程としては、
一方の基板表面に光吸収層を形成する工程、シール材を
介して貼り合わせた基板対の少なくとも一部を洗浄する
工程、少なくとも一方の基板表面に保護層を形成する工
程、又は第２の液晶層を形成するための第３の基板を前
記第１及び第２基板の少なくとも一方の基板上に積層す
る工程のうち少なくとも一つを行うことができる。
一方の基板表面に光吸収層を形成する工程、シール材を
介して貼り合わせた基板対の少なくとも一部を洗浄する
工程、少なくとも一方の基板表面に保護層を形成する工
程、又は第２の液晶層を形成するための第３の基板を前
記第１及び第２基板の少なくとも一方の基板上に積層す
る工程のうち少なくとも一つを行うことができる。
【０００９】また、第１及び第２の基板にそれぞれ電極
が設けられている場合は、第１の本硬化工程に続く次工
程として、一方の基板端部を除去することにより他方の
基板上の電極端部を露出させる電極出し工程、前記電極
を用いた電気的測定、又は電極への駆動回路実装のうち
少なくとも一つを行うことができる。
が設けられている場合は、第１の本硬化工程に続く次工
程として、一方の基板端部を除去することにより他方の
基板上の電極端部を露出させる電極出し工程、前記電極
を用いた電気的測定、又は電極への駆動回路実装のうち
少なくとも一つを行うことができる。
【００１０】第１の本硬化工程に続く次工程には、加熱
処理が含まれていてもよい。加熱処理を含んでいること
により、この次工程においてシール材の硬化の進行を促
進することができる。
処理が含まれていてもよい。加熱処理を含んでいること
により、この次工程においてシール材の硬化の進行を促
進することができる。
【００１１】仮硬化工程では、シール材を３０〜７０％
の硬化度とすることができる。
の硬化度とすることができる。
【００１２】第１の本硬化工程では、シール材を仮硬化
工程における硬化度より大きく、かつ、８５％以下の硬
化度とすることができる。
工程における硬化度より大きく、かつ、８５％以下の硬
化度とすることができる。
【００１３】第２の本硬化工程では、シール材を９０％
以上の硬化度とすることができる。シール材の硬化を実
質的に完了させるようにしてもよい。
以上の硬化度とすることができる。シール材の硬化を実
質的に完了させるようにしてもよい。
【００１４】少なくともいずれか一方の基板上にシール
材を未硬化の状態で設けて該シール材を仮硬化させ、第
１及び第２の基板を貼り合わせるまでに、シール材で囲
まれた領域に液晶を配するようにしてもよい。
材を未硬化の状態で設けて該シール材を仮硬化させ、第
１及び第２の基板を貼り合わせるまでに、シール材で囲
まれた領域に液晶を配するようにしてもよい。
【００１５】第１及び第２の本硬化工程の間に、第１及
び第２の基板間に液晶を注入するようにしてもよい。
び第２の基板間に液晶を注入するようにしてもよい。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る液晶表示素子
の製造方法の実施形態について、添付図面を参照して説
明する。
の製造方法の実施形態について、添付図面を参照して説
明する。
【００１７】（液晶表示素子、図１，２参照）まず、本
発明に係る製造方法の対象となる液晶表示素子の構成に
ついて図１，２を参照して説明する。この液晶表示素子
１０は、室温でコレステリック相を示す液晶２０を一対
の基板１１，１２の間に挟持した、単純マトリクス駆動
方式による反射型のものである。
発明に係る製造方法の対象となる液晶表示素子の構成に
ついて図１，２を参照して説明する。この液晶表示素子
１０は、室温でコレステリック相を示す液晶２０を一対
の基板１１，１２の間に挟持した、単純マトリクス駆動
方式による反射型のものである。
【００１８】詳しくは、透明な樹脂あるいはガラスから
なる基板１１，１２上には、それぞれ透明電極１３，１
４が形成されると共に、絶縁膜１５，１６及び配向制御
膜１７，１８が成膜されている。基板１１，１２の間に
は樹脂製柱状構造物２１及び粒状のスペーサ２２が配置
され、かつ、液晶２０が挟持されている。また、基板１
１，１２の周辺部には樹脂製のシール材２３が環状に設
けられ、液晶を封止している。また、基板１２の裏面に
は光吸収層２５が設けられている。
なる基板１１，１２上には、それぞれ透明電極１３，１
４が形成されると共に、絶縁膜１５，１６及び配向制御
膜１７，１８が成膜されている。基板１１，１２の間に
は樹脂製柱状構造物２１及び粒状のスペーサ２２が配置
され、かつ、液晶２０が挟持されている。また、基板１
１，１２の周辺部には樹脂製のシール材２３が環状に設
けられ、液晶を封止している。また、基板１２の裏面に
は光吸収層２５が設けられている。
【００１９】シール材２３としては、未硬化のモノマー
が重合したり未架橋の樹脂が架橋したりすることで硬化
するような材料を用いる。典型的には、加熱により硬化
が進行する材料、例えば熱硬化性樹脂材料が用いられ
る。
が重合したり未架橋の樹脂が架橋したりすることで硬化
するような材料を用いる。典型的には、加熱により硬化
が進行する材料、例えば熱硬化性樹脂材料が用いられ
る。
【００２０】透明電極１３，１４は、それぞれ微細な間
隔を保って平行に並べられ、かつ、互いに直角方向に対
向させた複数の帯状電極であり、図示しない駆動回路に
接続されている。この電極１３，１４間に所定のパルス
電圧が印加され、印加電圧に応答して液晶２０が可視光
を透過する透明状態と特定波長の可視光を選択的に反射
する選択反射状態との間で表示が切り換えられる。この
ような駆動は、一方の電極１３を順次選択しながら他方
の電極１４に画像信号に応じた信号電圧を印加するマト
リクス駆動にて行われ、電極１３，１４が交差する部分
が各画素を形成することになる。
隔を保って平行に並べられ、かつ、互いに直角方向に対
向させた複数の帯状電極であり、図示しない駆動回路に
接続されている。この電極１３，１４間に所定のパルス
電圧が印加され、印加電圧に応答して液晶２０が可視光
を透過する透明状態と特定波長の可視光を選択的に反射
する選択反射状態との間で表示が切り換えられる。この
ような駆動は、一方の電極１３を順次選択しながら他方
の電極１４に画像信号に応じた信号電圧を印加するマト
リクス駆動にて行われ、電極１３，１４が交差する部分
が各画素を形成することになる。
【００２１】液晶２０としては、室温でコレステリック
相を示すものが、メモリ性を有して消費電力が少ない点
で好ましく、特に、ネマティック液晶にカイラル材を添
加することによって得られるカイラルネマティック液晶
が好適である。
相を示すものが、メモリ性を有して消費電力が少ない点
で好ましく、特に、ネマティック液晶にカイラル材を添
加することによって得られるカイラルネマティック液晶
が好適である。
【００２２】なお、液晶表示素子としては、前述した単
層のモノカラー表示装置以外に、それぞれＲ，Ｇ，Ｂの
３原色を選択反射する素子を３層積層してフルカラー表
示装置とすることもできる。また、コレステリック相を
示す液晶やメモリ性を有する液晶以外であっても以下に
詳述する製造方法を適用できることは勿論である。
層のモノカラー表示装置以外に、それぞれＲ，Ｇ，Ｂの
３原色を選択反射する素子を３層積層してフルカラー表
示装置とすることもできる。また、コレステリック相を
示す液晶やメモリ性を有する液晶以外であっても以下に
詳述する製造方法を適用できることは勿論である。
【００２３】（シール材の硬化、図３，４参照）以下に
説明する製造方法において、前記シール材２３の硬化工
程は仮硬化工程と本硬化工程とからなり、さらに、本硬
化工程は第１の本硬化工程と第２の本硬化工程とに分か
れている。そこで、まず、シール材の硬化工程につい
て、シール材の硬化度から定義する。なお、図３，４の
データは、熱硬化性樹脂材料である住友ベークライト社
製の液晶シール材「スミライト」を使用したものであ
る。
説明する製造方法において、前記シール材２３の硬化工
程は仮硬化工程と本硬化工程とからなり、さらに、本硬
化工程は第１の本硬化工程と第２の本硬化工程とに分か
れている。そこで、まず、シール材の硬化工程につい
て、シール材の硬化度から定義する。なお、図３，４の
データは、熱硬化性樹脂材料である住友ベークライト社
製の液晶シール材「スミライト」を使用したものであ
る。
【００２４】図３（Ａ）及び図４（Ａ）はシール材をそ
れぞれ１３０℃及び７０℃の等温で加熱し、示差走査熱
量計（ＤＳＣ）で反応熱を測定したデータである。図３
（Ｂ）及び図４（Ｂ）は前記反応熱の測定データを時間
で積算した見積もりであり、この見積もりを硬化度
（％）とする。硬化度はエポキシの架橋反応速度を意味
するとも理解でき、初期値を０％、飽和値を１００％と
する。なお、１３０℃とは仮硬化時の加熱温度、７０℃
とは本硬化時の加熱温度であるが、仮硬化温度及び本硬
化温度はこれらの温度に限られるものではない。
れぞれ１３０℃及び７０℃の等温で加熱し、示差走査熱
量計（ＤＳＣ）で反応熱を測定したデータである。図３
（Ｂ）及び図４（Ｂ）は前記反応熱の測定データを時間
で積算した見積もりであり、この見積もりを硬化度
（％）とする。硬化度はエポキシの架橋反応速度を意味
するとも理解でき、初期値を０％、飽和値を１００％と
する。なお、１３０℃とは仮硬化時の加熱温度、７０℃
とは本硬化時の加熱温度であるが、仮硬化温度及び本硬
化温度はこれらの温度に限られるものではない。
【００２５】シール材を基板上に印刷した後に行う仮硬
化は、シール材の硬化度を３０〜７０％程度まで進める
ことが好ましい。硬化度が３０％以下であると、次の３
点の問題が生じる。即ち、シール材の粘度が小さいた
め、シール材の幅が広がる。シール材の粘着力が小さい
ため、基板の貼り合わせが不十分になる。シール材の未
反応部分が多いため、シール材が液晶に相溶する。逆
に、硬化度が７０％を越えると、次の２点の問題が生じ
る。即ち、シール材の粘度が高くなるため、目的とする
基板間ギャップまでシール材が潰れない。また、必要と
する粘着力が得られない。
化は、シール材の硬化度を３０〜７０％程度まで進める
ことが好ましい。硬化度が３０％以下であると、次の３
点の問題が生じる。即ち、シール材の粘度が小さいた
め、シール材の幅が広がる。シール材の粘着力が小さい
ため、基板の貼り合わせが不十分になる。シール材の未
反応部分が多いため、シール材が液晶に相溶する。逆
に、硬化度が７０％を越えると、次の２点の問題が生じ
る。即ち、シール材の粘度が高くなるため、目的とする
基板間ギャップまでシール材が潰れない。また、必要と
する粘着力が得られない。
【００２６】仮硬化工程におけるシール材の好ましい硬
化度は、４０〜５２％、さらに好ましくは４０〜４５％
である。この程度の硬化度であれば、基板を貼り合わせ
る際にシール材の厚みを制御しやすく、貼り合わせの後
の本硬化工程での接着強度を大きくすることができる。
化度は、４０〜５２％、さらに好ましくは４０〜４５％
である。この程度の硬化度であれば、基板を貼り合わせ
る際にシール材の厚みを制御しやすく、貼り合わせの後
の本硬化工程での接着強度を大きくすることができる。
【００２７】以上の点に鑑みて、第１の本硬化はシール
材の硬化度が仮硬化工程における硬化度を越えて８５％
を越えないものとすることが好ましい。仮硬化時の硬化
度のままでは、貼り合わせた基板が容易に剥がれてしま
う。また、８５％以上に硬化を進行させるには長時間を
要する場合が多く、製造効率を十分高められなくなりや
すい。
材の硬化度が仮硬化工程における硬化度を越えて８５％
を越えないものとすることが好ましい。仮硬化時の硬化
度のままでは、貼り合わせた基板が容易に剥がれてしま
う。また、８５％以上に硬化を進行させるには長時間を
要する場合が多く、製造効率を十分高められなくなりや
すい。
【００２８】第１の本硬化工程では、シール材を次工程
に耐え得る程度、例えば、５５〜８０％の硬化度とすれ
ばよい。また、第１の本硬化工程に続く次工程でも加熱
処理が実行される場合は、シール材の硬化の進行が促進
される。そして、第２の本硬化工程でシール材の硬化を
実質的に完了させる。シール材は常温でも硬化反応が進
行するため、例えば、素子の出荷待ち時間をも硬化工程
として利用するのであれば、第２の本硬化工程ではシー
ル材を９０％以上の硬化度としておけば十分である。第
１の本硬化工程におけるシール材の硬化度より高く、９
０％未満の硬化度、例えば、８５〜９０％の硬化度であ
ってもよい。
に耐え得る程度、例えば、５５〜８０％の硬化度とすれ
ばよい。また、第１の本硬化工程に続く次工程でも加熱
処理が実行される場合は、シール材の硬化の進行が促進
される。そして、第２の本硬化工程でシール材の硬化を
実質的に完了させる。シール材は常温でも硬化反応が進
行するため、例えば、素子の出荷待ち時間をも硬化工程
として利用するのであれば、第２の本硬化工程ではシー
ル材を９０％以上の硬化度としておけば十分である。第
１の本硬化工程におけるシール材の硬化度より高く、９
０％未満の硬化度、例えば、８５〜９０％の硬化度であ
ってもよい。
【００２９】（第１実施形態、図５参照）次に、本発明
の製造方法の第１実施形態について図５を参照して説明
する。本第１実施形態にあっては、まず、基板１１，１
２上に電極１３，１４を形成し、洗浄した後、絶縁膜１
５，１６及び配向制御膜１７，１８を形成する。絶縁膜
や配向制御膜はそれぞれの材料を塗布し、焼成すること
によって形成する。
の製造方法の第１実施形態について図５を参照して説明
する。本第１実施形態にあっては、まず、基板１１，１
２上に電極１３，１４を形成し、洗浄した後、絶縁膜１
５，１６及び配向制御膜１７，１８を形成する。絶縁膜
や配向制御膜はそれぞれの材料を塗布し、焼成すること
によって形成する。
【００３０】さらに、一方の基板１１に対しては、スペ
ーサ２２を散布し、未硬化のシール材２３を印刷して仮
硬化を行う。仮硬化は、オーブンを用いて適当な温度で
所定時間加熱して行う。
ーサ２２を散布し、未硬化のシール材２３を印刷して仮
硬化を行う。仮硬化は、オーブンを用いて適当な温度で
所定時間加熱して行う。
【００３１】また、他方の基板１２に対しては、柱状構
造物２１をスクリーンを用いて印刷し、焼成する。この
基板１２上に液晶２０を所定量滴下し、加熱、加圧の下
で基板１２上に前記シール材２３が仮硬化された基板１
１を重ねて貼り合わせる。
造物２１をスクリーンを用いて印刷し、焼成する。この
基板１２上に液晶２０を所定量滴下し、加熱、加圧の下
で基板１２上に前記シール材２３が仮硬化された基板１
１を重ねて貼り合わせる。
【００３２】その後、オーブンを用いて所定温度で所定
時間加熱し、第１の本硬化を行う。
時間加熱し、第１の本硬化を行う。
【００３３】次に、光吸収層２５を基板１２の裏面に印
刷し、溶剤を除去するためにオーブンを用いて加熱す
る。その後、基板１１，１２の端部をカッタで切り取
り、端子部となる電極１３，１４の引き出し面を出す。
さらに、素子１０を洗浄して表示面の外にはみ出した液
晶を除去し、素子１０を乾燥させるためにオーブンを用
いて所定温度で所定時間加熱する。
刷し、溶剤を除去するためにオーブンを用いて加熱す
る。その後、基板１１，１２の端部をカッタで切り取
り、端子部となる電極１３，１４の引き出し面を出す。
さらに、素子１０を洗浄して表示面の外にはみ出した液
晶を除去し、素子１０を乾燥させるためにオーブンを用
いて所定温度で所定時間加熱する。
【００３４】前記乾燥後の素子１０について回路基板を
実装して点灯検査を行い、第２の本硬化処理を行う。こ
の第２の本硬化はオーブンを用いて所定温度で所定時間
行う。
実装して点灯検査を行い、第２の本硬化処理を行う。こ
の第２の本硬化はオーブンを用いて所定温度で所定時間
行う。
【００３５】なお、前記点灯検査とは、電極間にパルス
電圧を印加して液晶表示素子に表示を行わせ、液晶の表
示状態を目視あるいは測定機器にて確認し、電極の断
線、ショート、画像ムラなどの有無を調べる作業であ
る。
電圧を印加して液晶表示素子に表示を行わせ、液晶の表
示状態を目視あるいは測定機器にて確認し、電極の断
線、ショート、画像ムラなどの有無を調べる作業であ
る。
【００３６】このような電極を用いた電気的測定として
は、前記点灯検査に限らず、パルスの印加電圧及び時間
を変えて駆動させ表示状態を確認することで適切な駆動
電圧を測定する駆動電圧測定や、印加電圧と液晶表示素
子の反射率との関係を測定するＶ−Ｙ特性測定などでも
よい。また、電極を介して液晶表示素子に三角波電圧を
印加して液晶層に流れる電流値を測定することで、液晶
層の比抵抗値やイオン濃度を見積もる素子比抵抗測定や
イオン濃度測定でもよい。これらのうち二つ以上の測定
を行ってもよい。
は、前記点灯検査に限らず、パルスの印加電圧及び時間
を変えて駆動させ表示状態を確認することで適切な駆動
電圧を測定する駆動電圧測定や、印加電圧と液晶表示素
子の反射率との関係を測定するＶ−Ｙ特性測定などでも
よい。また、電極を介して液晶表示素子に三角波電圧を
印加して液晶層に流れる電流値を測定することで、液晶
層の比抵抗値やイオン濃度を見積もる素子比抵抗測定や
イオン濃度測定でもよい。これらのうち二つ以上の測定
を行ってもよい。
【００３７】（実験例）一例として、図５に示す工程に
沿って、前記液晶シール材「スミライト」及びＩＴＯ電
極付き樹脂フィルム基板を用いて実験を行い、各工程ご
とにシール材の硬化度を測定した。
沿って、前記液晶シール材「スミライト」及びＩＴＯ電
極付き樹脂フィルム基板を用いて実験を行い、各工程ご
とにシール材の硬化度を測定した。
【００３８】その結果、オーブンを用いて１３０℃で９
分３０秒加熱することにより仮硬化させた段階では硬化
度４８％となった。また、基板を重ねて貼り合わせて素
子形状とし、オーブンを用いて７０℃で５０分加熱し第
１の本硬化を行ったところ、第１の本硬化終了時のシー
ル材の硬化度は７４％であった。
分３０秒加熱することにより仮硬化させた段階では硬化
度４８％となった。また、基板を重ねて貼り合わせて素
子形状とし、オーブンを用いて７０℃で５０分加熱し第
１の本硬化を行ったところ、第１の本硬化終了時のシー
ル材の硬化度は７４％であった。
【００３９】この後、光吸収層を一方の基板の裏面に印
刷し、溶剤を除去するためにオーブンを用いて７０℃で
１０分加熱したところ、シール材の硬化度は７８％にな
った。その後、基板端部をカッタで切り取り、電極の引
出し面を出し、さらに素子全体を洗浄して表示面の外に
はみ出した液晶を除去し、素子全体を乾燥させるために
オーブンを用いて７０℃で３０分加熱した。ここでの加
熱によってシール材の硬化度は８７％になった。
刷し、溶剤を除去するためにオーブンを用いて７０℃で
１０分加熱したところ、シール材の硬化度は７８％にな
った。その後、基板端部をカッタで切り取り、電極の引
出し面を出し、さらに素子全体を洗浄して表示面の外に
はみ出した液晶を除去し、素子全体を乾燥させるために
オーブンを用いて７０℃で３０分加熱した。ここでの加
熱によってシール材の硬化度は８７％になった。
【００４０】最後に、乾燥後の素子にヒートシールを用
いて熱圧着することにより回路基板を実装した後、オー
ブンを用いて７０℃で２時間加熱することにより第２の
本硬化処理を行ったところ、シール材の硬化温度はほぼ
１００％に達した。
いて熱圧着することにより回路基板を実装した後、オー
ブンを用いて７０℃で２時間加熱することにより第２の
本硬化処理を行ったところ、シール材の硬化温度はほぼ
１００％に達した。
【００４１】なお、第１本硬化処理後の各工程において
は、基板がシール材から剥がれる等の問題を生じること
なく、良好に処理を施すことができた。
は、基板がシール材から剥がれる等の問題を生じること
なく、良好に処理を施すことができた。
【００４２】（第２実施形態、図６参照）本第２実施形
態にあっては、基板１１，１２間に樹脂製柱状構造物２
１を設けることなく、スペーサ２２を散布して液晶２０
を挟持するようにする。シール材２３は一方の基板１１
上に形成し、スペーサ２２は他方の基板１２上に散布す
る。
態にあっては、基板１１，１２間に樹脂製柱状構造物２
１を設けることなく、スペーサ２２を散布して液晶２０
を挟持するようにする。シール材２３は一方の基板１１
上に形成し、スペーサ２２は他方の基板１２上に散布す
る。
【００４３】電極１３，１４の形成、洗浄、絶縁膜１
５，１６や配向制御膜１７，１８の形成、液晶２０の滴
下、基板１１，１２の貼り合わせ、シール材２３の第１
の本硬化、光吸収層２５の形成や検査等の工程、シール
材２３の第２の本硬化は、前記第１実施形態と同様であ
る。
５，１６や配向制御膜１７，１８の形成、液晶２０の滴
下、基板１１，１２の貼り合わせ、シール材２３の第１
の本硬化、光吸収層２５の形成や検査等の工程、シール
材２３の第２の本硬化は、前記第１実施形態と同様であ
る。
【００４４】（第３実施形態、図７参照）本第３実施形
態にあっては、基板１１，１２間に樹脂製柱状構造物２
１を設けることなく、スペーサ２２を散布して液晶２０
を挟持するようにし、シール材２３を一方の基板１１上
に形成し、スペーサ２２を他方の基板１２上に散布する
点は前記第２実施形態と同じである。
態にあっては、基板１１，１２間に樹脂製柱状構造物２
１を設けることなく、スペーサ２２を散布して液晶２０
を挟持するようにし、シール材２３を一方の基板１１上
に形成し、スペーサ２２を他方の基板１２上に散布する
点は前記第２実施形態と同じである。
【００４５】異なるのは、液晶２０を介在させることな
く基板１１，１２を貼り合わせ、シール材２３の第１の
本硬化、光吸収層２５の形成や検査等の工程が終了した
後、液晶２０を基板１１，１２間に真空注入し、シール
材２３の第２の本硬化を行う点にある。
く基板１１，１２を貼り合わせ、シール材２３の第１の
本硬化、光吸収層２５の形成や検査等の工程が終了した
後、液晶２０を基板１１，１２間に真空注入し、シール
材２３の第２の本硬化を行う点にある。
【００４６】電極１３，１４の形成、洗浄、絶縁膜１
５，１６や配向制御膜１７，１８の形成、基板１１，１
２の貼り合わせ、シール材２３の第１の本硬化、光吸収
層の形成や検査等の工程、シール材２３の第２の本硬化
は、前記第１実施形態で説明したとおりである。
５，１６や配向制御膜１７，１８の形成、基板１１，１
２の貼り合わせ、シール材２３の第１の本硬化、光吸収
層の形成や検査等の工程、シール材２３の第２の本硬化
は、前記第１実施形態で説明したとおりである。
【００４７】（他の実施形態）なお、本発明に係る液晶
表示素子の製造方法は前記各実施形態に限定するもので
はなく、その要旨の範囲内で種々に変更できることは勿
論である。
表示素子の製造方法は前記各実施形態に限定するもので
はなく、その要旨の範囲内で種々に変更できることは勿
論である。
【図１】本発明による製造方法の対象となる液晶表示素
子の模式的平面図。
子の模式的平面図。
【図２】前記液晶表示素子の模式的断面図。
【図３】本発明に係る製造方法で使用されるシール材の
１３０℃における加熱時間と反応熱との関係及び硬化度
を示すグラフ。
１３０℃における加熱時間と反応熱との関係及び硬化度
を示すグラフ。
【図４】本発明に係る製造方法で使用されるシール材の
７０℃における加熱時間と反応熱との関係及び硬化度を
示すグラフ。
７０℃における加熱時間と反応熱との関係及び硬化度を
示すグラフ。
【図５】本発明に係る製造方法の第１実施形態を示すチ
ャート図。
ャート図。
【図６】本発明に係る製造方法の第２実施形態を示すチ
ャート図。
ャート図。
【図７】本発明に係る製造方法の第３実施形態を示すチ
ャート図。
ャート図。
１０…液晶表示素子 １１，１２…基板 １３，１４…電極 ２０…液晶 ２３…シール材 ２５…光吸収層
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H089 LA07 LA09 NA45 NA51 NA53 NA56 QA12
Claims (10)
- 【請求項１】 第１及び第２の基板間に液晶を挟持して
液晶層を形成する工程と、少なくともいずれか一方の基
板上に液晶表示面の周囲を囲むシール材を未硬化の状態
で設ける工程と、前記シール材を前記第１及び第２の基
板を貼り合わせる前に仮硬化させる仮硬化工程と、仮硬
化させた前記シール材をさらに硬化させる本硬化工程
と、を含み、 前記本硬化工程を、仮硬化させた前記シール材を仮硬化
工程における硬化度よりも高い所定の硬化度まで硬化さ
せる第１の本硬化工程と、第１の本硬化工程における硬
化度よりも高い所定の硬化度まで硬化を行う第２の本硬
化工程とに分割したこと、 を特徴とする液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記第１の本硬化工程では、第１の本硬
化工程に続く次工程に耐え得る硬化度まで硬化を行うこ
とを特徴とする請求項１記載の製造方法。 - 【請求項３】 前記第１の本硬化工程に続く次工程とし
て、一方の基板表面に光吸収層を形成する工程、シール
材を介して貼り合わせた基板対の少なくとも一部を洗浄
する工程、少なくとも一方の基板表面に保護層を形成す
る工程、又は第２の液晶層を形成するための第３の基板
を前記第１及び第２基板の少なくとも一方の基板上に積
層する工程のうち少なくとも一つを行うことを特徴とす
る請求項１又は請求項２記載の製造方法。 - 【請求項４】 前記第１及び第２の基板にはそれぞれ電
極が設けられており、前記第１の本硬化工程に続く次工
程として、一方の基板端部を除去することにより他方の
基板上の電極端部を露出させる電極出し工程、前記電極
を用いた電気的測定、又は電極への駆動回路実装のうち
少なくとも一つを行うことを特徴とする請求項１又は請
求項２記載の製造方法。 - 【請求項５】 前記第１の本硬化工程に続く次工程は加
熱処理を含むことを特徴とする請求項３又は請求項４記
載の製造方法。 - 【請求項６】 前記仮硬化工程では、シール材を３０〜
７０％の硬化度とすることを特徴とする請求項１、請求
項２、請求項３、請求項４又は請求項５記載の製造方
法。 - 【請求項７】 前記第１の本硬化工程では、シール材を
仮硬化工程における硬化度より大きく、かつ、８５％以
下の硬化度とすることを特徴とする請求項１、請求項
２、請求項３、請求項４、請求項５又は請求項６記載の
製造方法。 - 【請求項８】 前記第２の本硬化工程では、シール材を
９０％以上の硬化度とすることを特徴とする請求項１、
請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項６又
は請求項７記載の製造方法。 - 【請求項９】 少なくともいずれか一方の基板上にシー
ル材を未硬化の状態で設けて該シール材を仮硬化させ、
シール材で囲まれた領域に液晶を滴下すると共に一対の
基板を貼り合わせることを特徴とする請求項１、請求項
２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項６、請求項
７又は請求項８記載の製造方法。 - 【請求項１０】 前記第１及び第２の本硬化工程の間
に、基板間に液晶を注入することを特徴とする請求項
１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項
６、請求項７又は請求項８記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001096808A JP2002296600A (ja) | 2001-03-29 | 2001-03-29 | 液晶表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001096808A JP2002296600A (ja) | 2001-03-29 | 2001-03-29 | 液晶表示素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002296600A true JP2002296600A (ja) | 2002-10-09 |
Family
ID=18950682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001096808A Pending JP2002296600A (ja) | 2001-03-29 | 2001-03-29 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002296600A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008275670A (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-13 | Sekisui Chem Co Ltd | 液晶表示素子の製造方法、及び、液晶表示素子 |
| JP2010237712A (ja) * | 2003-03-07 | 2010-10-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置及びその作製方法 |
| JP2012108558A (ja) * | 2012-03-07 | 2012-06-07 | Sekisui Chem Co Ltd | 液晶表示素子の製造方法、及び、液晶表示素子 |
| US9651807B2 (en) | 2012-12-14 | 2017-05-16 | Dexerials Corporation | Method of producing image display device and resin dispenser |
-
2001
- 2001-03-29 JP JP2001096808A patent/JP2002296600A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010237712A (ja) * | 2003-03-07 | 2010-10-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置及びその作製方法 |
| US8634050B2 (en) | 2003-03-07 | 2014-01-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
| JP2008275670A (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-13 | Sekisui Chem Co Ltd | 液晶表示素子の製造方法、及び、液晶表示素子 |
| JP2012108558A (ja) * | 2012-03-07 | 2012-06-07 | Sekisui Chem Co Ltd | 液晶表示素子の製造方法、及び、液晶表示素子 |
| US9651807B2 (en) | 2012-12-14 | 2017-05-16 | Dexerials Corporation | Method of producing image display device and resin dispenser |
| US10703081B2 (en) | 2012-12-14 | 2020-07-07 | Dexerials Corporation | Method of producing image display device and resin dispenser |
| US11137630B2 (en) | 2012-12-14 | 2021-10-05 | Dexerials Corporation | Method of producing image display device and resin dispenser |
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|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
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