JP2000250046A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子の製造方法Info
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- JP2000250046A JP2000250046A JP11050499A JP5049999A JP2000250046A JP 2000250046 A JP2000250046 A JP 2000250046A JP 11050499 A JP11050499 A JP 11050499A JP 5049999 A JP5049999 A JP 5049999A JP 2000250046 A JP2000250046 A JP 2000250046A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板の液晶注入口部分に不純物が集中して溜
まってしまうことを防止して、液晶比抵抗を均一にする
ことができ、その結果、液晶の表示むらの発生を確実に
防止すること。 【解決手段】 一対の基板の内部に注入口を介して所定
の液晶を注入し、前記注入口を封止した後、前記基板を
ネマティック−アイソトロピック相転移温度以上の温度
で加熱する第１の熱処理を行なって液晶を再配向させ、
この第１の熱処理の前あるいは後のいずれかに、５０℃
より高くネマティック−アイソトロピック相転移温度よ
り低い温度で加熱する第２の熱処理を行なうようにした
ことを特徴とする。
まってしまうことを防止して、液晶比抵抗を均一にする
ことができ、その結果、液晶の表示むらの発生を確実に
防止すること。 【解決手段】 一対の基板の内部に注入口を介して所定
の液晶を注入し、前記注入口を封止した後、前記基板を
ネマティック−アイソトロピック相転移温度以上の温度
で加熱する第１の熱処理を行なって液晶を再配向させ、
この第１の熱処理の前あるいは後のいずれかに、５０℃
より高くネマティック−アイソトロピック相転移温度よ
り低い温度で加熱する第２の熱処理を行なうようにした
ことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示素子の製
造方法に係り、特に基板の液晶注入口部分に不純物が集
中して溜まってしまうことを防止して、液晶比抵抗を均
一にすることを可能とした液晶表示素子の製造方法に関
する。
造方法に係り、特に基板の液晶注入口部分に不純物が集
中して溜まってしまうことを防止して、液晶比抵抗を均
一にすることを可能とした液晶表示素子の製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、中間に液晶を充填した２枚の透
明基板の所定の部分に、選択的に電界を与えて特定の図
形や文字等の情報を表示するための液晶表示素子がコン
ピュータ等の表示装置として多く用いられている。
明基板の所定の部分に、選択的に電界を与えて特定の図
形や文字等の情報を表示するための液晶表示素子がコン
ピュータ等の表示装置として多く用いられている。
【０００３】従来、このような液晶表示素子を製造する
場合は、ガラス等の絶縁性材料からなり平面ほぼ矩形に
形成された一対の基板に配向膜を塗布、焼成した後、ラ
ビング処理を施して配向処理を行ない、続いて、これら
２枚の基板にシール材を塗布するとともに、このシール
材により囲まれた面内に各基板の間隙を調整するための
スペーサを均一に散布した状態で、各基板を貼り合わせ
て一体に形成するようになっている。
場合は、ガラス等の絶縁性材料からなり平面ほぼ矩形に
形成された一対の基板に配向膜を塗布、焼成した後、ラ
ビング処理を施して配向処理を行ない、続いて、これら
２枚の基板にシール材を塗布するとともに、このシール
材により囲まれた面内に各基板の間隙を調整するための
スペーサを均一に散布した状態で、各基板を貼り合わせ
て一体に形成するようになっている。
【０００４】次に、貼り合わされた基板の内部に、真空
注入法等の手段により注入口を介して所定の液晶を注入
し、前記注入口を、例えば、ＵＶ（紫外線）硬化樹脂等
により封止する。その後、基板をネマティック−アイソ
トロピック相転移温度（Ｔｎｉ）以上の温度で加熱する
第１の熱処理を行なうことにより、液晶を再配向させて
液晶表示素子を製造するようになっている。
注入法等の手段により注入口を介して所定の液晶を注入
し、前記注入口を、例えば、ＵＶ（紫外線）硬化樹脂等
により封止する。その後、基板をネマティック−アイソ
トロピック相転移温度（Ｔｎｉ）以上の温度で加熱する
第１の熱処理を行なうことにより、液晶を再配向させて
液晶表示素子を製造するようになっている。
【０００５】そして、このように形成された液晶表示素
子に偏光膜を貼着した後、この液晶表示素子に通電し
て、点灯検査を行なうようになっている。
子に偏光膜を貼着した後、この液晶表示素子に通電し
て、点灯検査を行なうようになっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前記従来の液晶表示素
子においては、注入口を封止するためにＵＶ硬化樹脂を
用いているが、このＵＶ硬化樹脂を硬化させるために用
いられるＵＶ光は液晶材料の一部を分解し、イオン性の
不純物を生成してしまうという問題があり、また、ＵＶ
硬化樹脂材料はアクリル系の接着材料であることから、
ＵＶ硬化樹脂自体がイオン性の不純物を多く含んでいる
という問題がある。そのため、ＵＶ硬化樹脂をＵＶ光に
より硬化させる工程において、注入口の近傍に不純物が
溜まってしまい、この不純物により注入口部分の液晶の
比抵抗を低下させてしまい、その結果、注入口部分のし
きい値電圧が変化してしまい、表示むらが発生してしま
うという問題を有している。
子においては、注入口を封止するためにＵＶ硬化樹脂を
用いているが、このＵＶ硬化樹脂を硬化させるために用
いられるＵＶ光は液晶材料の一部を分解し、イオン性の
不純物を生成してしまうという問題があり、また、ＵＶ
硬化樹脂材料はアクリル系の接着材料であることから、
ＵＶ硬化樹脂自体がイオン性の不純物を多く含んでいる
という問題がある。そのため、ＵＶ硬化樹脂をＵＶ光に
より硬化させる工程において、注入口の近傍に不純物が
溜まってしまい、この不純物により注入口部分の液晶の
比抵抗を低下させてしまい、その結果、注入口部分のし
きい値電圧が変化してしまい、表示むらが発生してしま
うという問題を有している。
【０００７】また、ＵＶ光による液晶の比抵抗の低下を
防ぐために、注入口の封止材料として熱硬化型の樹脂を
用いることも考えられるが、熱硬化型樹脂材料を加熱し
て硬化させる前に、この樹脂材料が液晶材料と接触する
ため、熱硬化型樹脂材料中の溶剤も不純物が含有されて
いるため、やはり、注入口部分に不純物が溜まってしま
うことを防止することはできない。
防ぐために、注入口の封止材料として熱硬化型の樹脂を
用いることも考えられるが、熱硬化型樹脂材料を加熱し
て硬化させる前に、この樹脂材料が液晶材料と接触する
ため、熱硬化型樹脂材料中の溶剤も不純物が含有されて
いるため、やはり、注入口部分に不純物が溜まってしま
うことを防止することはできない。
【０００８】本発明は前記した点に鑑みてなされたもの
であり、基板の液晶注入口部分に不純物が集中して溜ま
ってしまうことを防止して、液晶比抵抗を均一にするこ
とができ、その結果、液晶の表示むらの発生を確実に防
止することのできる液晶表示素子の製造方法を提供する
ことを目的とするものである。
であり、基板の液晶注入口部分に不純物が集中して溜ま
ってしまうことを防止して、液晶比抵抗を均一にするこ
とができ、その結果、液晶の表示むらの発生を確実に防
止することのできる液晶表示素子の製造方法を提供する
ことを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
請求項１に記載の発明に係る液晶表示素子の製造方法
は、配向処理が施された一対の基板をシール材により貼
り合わせて一体に形成した後、この基板の内部に注入口
を介して所定の液晶を注入し、前記注入口を封止し、そ
の後、前記基板をネマティック−アイソトロピック相転
移温度以上の温度で加熱する第１の熱処理を行なって液
晶を再配向させることにより液晶表示素子を製造する液
晶表示素子の製造方法において、前記第１の熱処理の前
あるいは後のいずれかに、５０℃より高くネマティック
−アイソトロピック相転移温度より低い温度で加熱する
第２の熱処理を行なうようにしたことを特徴とするもの
である。
請求項１に記載の発明に係る液晶表示素子の製造方法
は、配向処理が施された一対の基板をシール材により貼
り合わせて一体に形成した後、この基板の内部に注入口
を介して所定の液晶を注入し、前記注入口を封止し、そ
の後、前記基板をネマティック−アイソトロピック相転
移温度以上の温度で加熱する第１の熱処理を行なって液
晶を再配向させることにより液晶表示素子を製造する液
晶表示素子の製造方法において、前記第１の熱処理の前
あるいは後のいずれかに、５０℃より高くネマティック
−アイソトロピック相転移温度より低い温度で加熱する
第２の熱処理を行なうようにしたことを特徴とするもの
である。
【００１０】この請求項１に記載の発明によれば、基板
の間に液晶を注入した後、エージング処理の前あるいは
後のいずれかにおいて、５０℃より高くネマティック−
アイソトロピック相転移温度より低い温度で第２の熱処
理を行なうようにしているので、このような温度で熱処
理を行なうことにより、液晶がネマチック状態で対流し
て、液晶が極性を持つため、イオン性の不純物が液晶を
媒体として全体に拡散されることになる。その結果、注
入口部分に溜まったイオン性の不純物が注入口部分に集
中することなく、基板の液晶全体に分散され、液晶の比
抵抗の均一化を図ることができるものである。
の間に液晶を注入した後、エージング処理の前あるいは
後のいずれかにおいて、５０℃より高くネマティック−
アイソトロピック相転移温度より低い温度で第２の熱処
理を行なうようにしているので、このような温度で熱処
理を行なうことにより、液晶がネマチック状態で対流し
て、液晶が極性を持つため、イオン性の不純物が液晶を
媒体として全体に拡散されることになる。その結果、注
入口部分に溜まったイオン性の不純物が注入口部分に集
中することなく、基板の液晶全体に分散され、液晶の比
抵抗の均一化を図ることができるものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
【００１２】図１および図２は本発明に係る液晶表示素
子の製造方法の実施の一形態を示したもので、本実施形
態において液晶表示素子を製造する場合は、まず、ガラ
ス等の絶縁性材料からなり平面ほぼ矩形に形成された一
対の基板に配向膜を塗布、焼成した後、ラビング処理を
施して配向処理を行なう。
子の製造方法の実施の一形態を示したもので、本実施形
態において液晶表示素子を製造する場合は、まず、ガラ
ス等の絶縁性材料からなり平面ほぼ矩形に形成された一
対の基板に配向膜を塗布、焼成した後、ラビング処理を
施して配向処理を行なう。
【００１３】続いて、このような配向処理が施された２
枚の基板の一方の周辺部にシール材を塗布するととも
に、このシール材により囲まれた面内に各基板の間隙を
調整するためのスペーサを均一に散布した状態で、各基
板を貼り合わせて一体に形成する基板貼り合わせ処理を
行なう。
枚の基板の一方の周辺部にシール材を塗布するととも
に、このシール材により囲まれた面内に各基板の間隙を
調整するためのスペーサを均一に散布した状態で、各基
板を貼り合わせて一体に形成する基板貼り合わせ処理を
行なう。
【００１４】次に、前記貼り合わされた基板の内部に、
真空注入法等の手段により注入口を介して所定の液晶を
注入し、前記注入口を、例えば、ＵＶ硬化樹脂等により
封止する。
真空注入法等の手段により注入口を介して所定の液晶を
注入し、前記注入口を、例えば、ＵＶ硬化樹脂等により
封止する。
【００１５】この状態で、基板をネマティック−アイソ
トロピック相転移温度以上の温度で加熱する第１の熱処
理を行なうことにより、液晶を再配向させるようになっ
ている。この第１の熱処理の条件は、例えば、ネマティ
ック−アイソトロピック相転移温度が９８℃の液晶の場
合では、１３０℃で２時間とする。そして、この第１の
熱処理の条件は、液晶の種類等に応じて任意に設定する
ことができるものであるが、基本的には、ネマティック
−アイソトロピック相転移温度より１５℃以上の温度に
設定することが望ましい。
トロピック相転移温度以上の温度で加熱する第１の熱処
理を行なうことにより、液晶を再配向させるようになっ
ている。この第１の熱処理の条件は、例えば、ネマティ
ック−アイソトロピック相転移温度が９８℃の液晶の場
合では、１３０℃で２時間とする。そして、この第１の
熱処理の条件は、液晶の種類等に応じて任意に設定する
ことができるものであるが、基本的には、ネマティック
−アイソトロピック相転移温度より１５℃以上の温度に
設定することが望ましい。
【００１６】また、本実施形態においては、５０℃より
高くネマティック−アイソトロピック相転移温度より低
い温度で加熱する第２の熱処理を行なうようになってい
る。５０℃以下で加熱してもイオン性不純物の拡散は生
じるが、熱処理に要する時間が長くなり、生産性が悪く
なる。逆に、ネマティック−アイソトロピック相転移温
度以上に加熱すれば効果が全くなくなる。さらに、熱処
理時間は、２時間以上とする。これより短時間であれ
ば、イオン性の不純物の拡散が不十分となる。この第２
の熱処理は、図１に示すように、第１の熱処理の後に行
なうようにしてもよいし、図２に示すように、第１の熱
処理の前に行なうようにしてもよい。
高くネマティック−アイソトロピック相転移温度より低
い温度で加熱する第２の熱処理を行なうようになってい
る。５０℃以下で加熱してもイオン性不純物の拡散は生
じるが、熱処理に要する時間が長くなり、生産性が悪く
なる。逆に、ネマティック−アイソトロピック相転移温
度以上に加熱すれば効果が全くなくなる。さらに、熱処
理時間は、２時間以上とする。これより短時間であれ
ば、イオン性の不純物の拡散が不十分となる。この第２
の熱処理は、図１に示すように、第１の熱処理の後に行
なうようにしてもよいし、図２に示すように、第１の熱
処理の前に行なうようにしてもよい。
【００１７】なお、この第２の熱処理は、前記第１の熱
処理の前あるいは後のいずれに行なうようにしてもよい
が、一度液晶表示素子に通電してしまうと、配向膜等に
イオン性の不純物が吸着されてしまうことから、例え
ば、点灯検査等による通電の前に第２の熱処理を行なう
ことが必要である。
処理の前あるいは後のいずれに行なうようにしてもよい
が、一度液晶表示素子に通電してしまうと、配向膜等に
イオン性の不純物が吸着されてしまうことから、例え
ば、点灯検査等による通電の前に第２の熱処理を行なう
ことが必要である。
【００１８】通常の液晶表示素子の製造方法において
は、基板の間に液晶を注入した後、ネマティック−アイ
ソトロピック相転移温度以上の温度で加熱するエージン
グ処理を行なうものであるが、このような高い温度で
は、液晶に極性がなくなるため、イオン性の不純物が基
板の内部の配向膜や絶縁膜に吸着されてしまい、イオン
性の不純物が拡散されない。しかしながら、本実施形態
においては、第１の熱処理の前あるいは後のいずれかに
おいて、５０℃より高くネマティック−アイソトロピッ
ク相転移温度より低い温度で第２の熱処理を行なうよう
にしており、このような温度で熱処理を行なうことによ
り、液晶がネマチック状態で対流して、液晶が極性を保
持しているため、イオン性の不純物が液晶を媒体として
全体に拡散されることになる。その結果、注入口部分に
溜まったイオン性の不純物が注入口部分に集中すること
なく、基板の液晶全体に分散され、液晶の比抵抗の均一
化を図ることができるものである。
は、基板の間に液晶を注入した後、ネマティック−アイ
ソトロピック相転移温度以上の温度で加熱するエージン
グ処理を行なうものであるが、このような高い温度で
は、液晶に極性がなくなるため、イオン性の不純物が基
板の内部の配向膜や絶縁膜に吸着されてしまい、イオン
性の不純物が拡散されない。しかしながら、本実施形態
においては、第１の熱処理の前あるいは後のいずれかに
おいて、５０℃より高くネマティック−アイソトロピッ
ク相転移温度より低い温度で第２の熱処理を行なうよう
にしており、このような温度で熱処理を行なうことによ
り、液晶がネマチック状態で対流して、液晶が極性を保
持しているため、イオン性の不純物が液晶を媒体として
全体に拡散されることになる。その結果、注入口部分に
溜まったイオン性の不純物が注入口部分に集中すること
なく、基板の液晶全体に分散され、液晶の比抵抗の均一
化を図ることができるものである。
【００１９】次に、本発明の液晶表示素子の製造方法の
実施例について説明する。
実施例について説明する。
【００２０】＜実施例１＞本実施例においては、８０×
３２ドットの白黒の液晶表示パネルを製造するに際し、
ネマティック−アイソトロピック相転移温度が９８℃の
液晶を基板の間に注入して封止した後、１３０℃で２時
間加熱する熱処理を行ない再配向処理を施した。その
後、９０℃で４時間加熱する熱処理を行ない、注入口部
分に溜まった不純物を拡散させた。
３２ドットの白黒の液晶表示パネルを製造するに際し、
ネマティック−アイソトロピック相転移温度が９８℃の
液晶を基板の間に注入して封止した後、１３０℃で２時
間加熱する熱処理を行ない再配向処理を施した。その
後、９０℃で４時間加熱する熱処理を行ない、注入口部
分に溜まった不純物を拡散させた。
【００２１】この場合に、基板の注入口部分における液
晶比抵抗は６．８（１０10Ω・ｃｍ）となり、基板の注
入口と反対側部分における液晶比抵抗は７．０（１０10
Ω・ｃｍ）となり、ほぼ均一の液晶比抵抗が得られた。
晶比抵抗は６．８（１０10Ω・ｃｍ）となり、基板の注
入口と反対側部分における液晶比抵抗は７．０（１０10
Ω・ｃｍ）となり、ほぼ均一の液晶比抵抗が得られた。
【００２２】＜実施例２＞本実施例においては、ネマテ
ィック−アイソトロピック相転移温度が９８℃の液晶を
基板の間に注入して封止した後、９０℃で４時間加熱す
る熱処理を行ない、注入口部分に溜まった不純物を拡散
させた。その後、１３０℃で２時間加熱する熱処理を行
ない再配向処理を施した。
ィック−アイソトロピック相転移温度が９８℃の液晶を
基板の間に注入して封止した後、９０℃で４時間加熱す
る熱処理を行ない、注入口部分に溜まった不純物を拡散
させた。その後、１３０℃で２時間加熱する熱処理を行
ない再配向処理を施した。
【００２３】この場合に、基板の注入口部分における液
晶比抵抗は７．１（１０10Ω・ｃｍ）となり、基板の注
入口と反対側部分における液晶比抵抗は６．４（１０10
Ω・ｃｍ）となり、ほぼ均一の液晶比抵抗が得られた。
晶比抵抗は７．１（１０10Ω・ｃｍ）となり、基板の注
入口と反対側部分における液晶比抵抗は６．４（１０10
Ω・ｃｍ）となり、ほぼ均一の液晶比抵抗が得られた。
【００２４】＜比較例１＞本比較例においては、ネマテ
ィック−アイソトロピック相転移温度が９８℃の液晶を
基板の間に注入して封止した後、１３０℃で２時間加熱
する熱処理を行ない再配向処理を施した。
ィック−アイソトロピック相転移温度が９８℃の液晶を
基板の間に注入して封止した後、１３０℃で２時間加熱
する熱処理を行ない再配向処理を施した。
【００２５】この場合に、基板の注入口部分における液
晶比抵抗は２．４（１０10Ω・ｃｍ）となり、基板の注
入口と反対側部分における液晶比抵抗は９．８（１０10
Ω・ｃｍ）となり、注入口部分と反対側部分とで液晶比
抵抗に大きな隔たりがあった。
晶比抵抗は２．４（１０10Ω・ｃｍ）となり、基板の注
入口と反対側部分における液晶比抵抗は９．８（１０10
Ω・ｃｍ）となり、注入口部分と反対側部分とで液晶比
抵抗に大きな隔たりがあった。
【００２６】したがって、本実施形態においては、基板
の間に液晶を注入した後、ネマティック−アイソトロピ
ック相転移温度以上の温度で加熱する熱処理の前あるい
は後のいずれかにおいて、５０℃より高くネマティック
−アイソトロピック相転移温度より低い温度で熱処理を
行なうようにしているので、イオン性の不純物を液晶を
媒体として全体に拡散させることができ、注入口部分に
溜まったイオン性の不純物が注入口部分に集中してしま
うことを防止することができ、液晶の比抵抗の均一化を
図ることができる。その結果、液晶に対して均一に電圧
が印加されることになり、表示むらのない適正な液晶表
示素子を得ることができる。
の間に液晶を注入した後、ネマティック−アイソトロピ
ック相転移温度以上の温度で加熱する熱処理の前あるい
は後のいずれかにおいて、５０℃より高くネマティック
−アイソトロピック相転移温度より低い温度で熱処理を
行なうようにしているので、イオン性の不純物を液晶を
媒体として全体に拡散させることができ、注入口部分に
溜まったイオン性の不純物が注入口部分に集中してしま
うことを防止することができ、液晶の比抵抗の均一化を
図ることができる。その結果、液晶に対して均一に電圧
が印加されることになり、表示むらのない適正な液晶表
示素子を得ることができる。
【００２７】なお、本発明は前記実施形態のものに限定
されるものではなく、必要に応じて種々変更することが
可能である。
されるものではなく、必要に応じて種々変更することが
可能である。
【００２８】
【発明の効果】以上述べたように請求項１に記載の発明
に係る液晶表示素子は、基板の間に液晶を注入した後、
ネマティック−アイソトロピック相転移温度以上の温度
で加熱する熱処理の前あるいは後のいずれかにおいて、
５０℃より高くネマティック−アイソトロピック相転移
温度より低い温度で熱処理を行なうようにしたので、イ
オン性の不純物が注入口部分に集中することなく、基板
の液晶全体に分散させることができ、液晶の比抵抗の均
一化を図ることができる。その結果、液晶に対して均一
に電圧が印加されることになり、表示むらのない適正な
液晶表示素子を得ることができる等の効果を奏する。
に係る液晶表示素子は、基板の間に液晶を注入した後、
ネマティック−アイソトロピック相転移温度以上の温度
で加熱する熱処理の前あるいは後のいずれかにおいて、
５０℃より高くネマティック−アイソトロピック相転移
温度より低い温度で熱処理を行なうようにしたので、イ
オン性の不純物が注入口部分に集中することなく、基板
の液晶全体に分散させることができ、液晶の比抵抗の均
一化を図ることができる。その結果、液晶に対して均一
に電圧が印加されることになり、表示むらのない適正な
液晶表示素子を得ることができる等の効果を奏する。
【図１】 本発明に係る液晶表示素子の製造方法の実施
の一形態を示す工程図
の一形態を示す工程図
【図２】 本発明に係る液晶表示素子の製造方法の他の
実施形態を示す工程図
実施形態を示す工程図
Claims (1)
- 【請求項１】 配向処理が施された一対の基板をシール
材により貼り合わせて一体に形成した後、この基板の内
部に注入口を介して所定の液晶を注入し、前記注入口を
封止し、その後、前記基板をネマティック−アイソトロ
ピック相転移温度以上の温度で加熱する第１の熱処理を
行なって液晶を再配向させることにより液晶表示素子を
製造する液晶表示素子の製造方法において、前記第１の
熱処理の前あるいは後のいずれかに、５０℃より高くネ
マティック−アイソトロピック相転移温度より低い温度
で加熱する第２の熱処理を２時間以上行なうようにした
ことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11050499A JP2000250046A (ja) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | 液晶表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11050499A JP2000250046A (ja) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | 液晶表示素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000250046A true JP2000250046A (ja) | 2000-09-14 |
Family
ID=12860648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11050499A Pending JP2000250046A (ja) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000250046A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1316306C (zh) * | 2002-02-25 | 2007-05-16 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 制造液晶显示装置的方法和设备 |
| JP2011007899A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Citizen Finetech Miyota Co Ltd | 液晶表示素子の製造方法 |
-
1999
- 1999-02-26 JP JP11050499A patent/JP2000250046A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1316306C (zh) * | 2002-02-25 | 2007-05-16 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 制造液晶显示装置的方法和设备 |
| JP2011007899A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Citizen Finetech Miyota Co Ltd | 液晶表示素子の製造方法 |
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