JPS63137212A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPS63137212A JPS63137212A JP28490986A JP28490986A JPS63137212A JP S63137212 A JPS63137212 A JP S63137212A JP 28490986 A JP28490986 A JP 28490986A JP 28490986 A JP28490986 A JP 28490986A JP S63137212 A JPS63137212 A JP S63137212A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は液晶表示装置に係わり、更に詳細には強誘電性
液晶を封入すると好適な液晶表示素子に関する。
液晶を封入すると好適な液晶表示素子に関する。
(従来の技術)
第3図にツイステッドネマテインク(以下TNと略す)
型液晶を用いた透過型液晶表示素子の一例を示す。光源
(11は三波長型蛍光灯・自然光等である。光源(1)
を出た光は偏光子(2)、透明基板(3)、画素電極(
4)、配向膜(5)、液晶(6)、配向膜(7)、対向
する画素電極(8)、透明基板(9)、検光子0ωを通
過する。液晶(6)の厚さはスペーサー〇Dで一定間隔
に保たれる。また封止材(ロ)で液晶(6)は外気から
保護される。画素電極(4)と画素電極(8)間に電圧
を印加すると本素子は表示装置として動作する。液晶(
6)の厚みは、従来のTN型液晶表示素子・ゲストホス
ト型液晶表示素子では5μmないし10μmであって、
液晶(6)の厚み即ち電極間隔はスペーサーaυで規制
していた。第一パネル(A)と第二パネル(B)の接合
は主に封止材(2)が担う。該封止材a21は予め第一
パネル(A)又は第二パネル(B)にシルクスクリーン
等で接着剤を印刷し、その後二つのパネルを密着して加
熱硬化させ形成していた。
型液晶を用いた透過型液晶表示素子の一例を示す。光源
(11は三波長型蛍光灯・自然光等である。光源(1)
を出た光は偏光子(2)、透明基板(3)、画素電極(
4)、配向膜(5)、液晶(6)、配向膜(7)、対向
する画素電極(8)、透明基板(9)、検光子0ωを通
過する。液晶(6)の厚さはスペーサー〇Dで一定間隔
に保たれる。また封止材(ロ)で液晶(6)は外気から
保護される。画素電極(4)と画素電極(8)間に電圧
を印加すると本素子は表示装置として動作する。液晶(
6)の厚みは、従来のTN型液晶表示素子・ゲストホス
ト型液晶表示素子では5μmないし10μmであって、
液晶(6)の厚み即ち電極間隔はスペーサーaυで規制
していた。第一パネル(A)と第二パネル(B)の接合
は主に封止材(2)が担う。該封止材a21は予め第一
パネル(A)又は第二パネル(B)にシルクスクリーン
等で接着剤を印刷し、その後二つのパネルを密着して加
熱硬化させ形成していた。
(発明が解決しようとする問題点)
強誘電性液晶はメイヤーら(J、de、Phys、36
,69 。
,69 。
1975)により初めて合成され、その存在が証明され
た。
た。
クラークとラゲルヴアル(Appl 、Phys、 1
ett、36゜899、1980)によると、この強誘
電性液晶を狭い間隔を保持したセルに封入し、配向させ
て形成したセルと二枚の偏光板より成る素子は、高速応
答特性、メモリー効果、高コントラスト比等、従来の液
晶素子に比べ卓越した特性を有する。ただし、この時求
められる間隔は、液晶によっても異なるが、3μm以下
であることが多い。
ett、36゜899、1980)によると、この強誘
電性液晶を狭い間隔を保持したセルに封入し、配向させ
て形成したセルと二枚の偏光板より成る素子は、高速応
答特性、メモリー効果、高コントラスト比等、従来の液
晶素子に比べ卓越した特性を有する。ただし、この時求
められる間隔は、液晶によっても異なるが、3μm以下
であることが多い。
ところが、従来のパネル形成方法ではスペーサーをその
ように形成するのが困難であったばかりか、封止材を3
μm以下に均一に印刷するのが難しく、更に張り合わせ
する際の封止材の広がりを制御し特定の位置及び範囲に
制限することば極めて困難であった。
ように形成するのが困難であったばかりか、封止材を3
μm以下に均一に印刷するのが難しく、更に張り合わせ
する際の封止材の広がりを制御し特定の位置及び範囲に
制限することば極めて困難であった。
このような欠点は、リソグラフィー法により封止層をパ
ターニングすることによりほぼ解決される。しかしなが
ら、このように形成した封止層は一般に接着性に乏しく
、パネルの耐衝撃性等の良好な強度特性を得るには不十
分であった。
ターニングすることによりほぼ解決される。しかしなが
ら、このように形成した封止層は一般に接着性に乏しく
、パネルの耐衝撃性等の良好な強度特性を得るには不十
分であった。
(問題点を解決するための手段)
前記問題点を以下に述べるような手段を用いて解決した
。すなわち、透明基板上に少なくとも透明な画素電極及
び該画素電極上に配向膜を設けた第一4”ネルと、透明
基板上に少なくとも透明な画素電極を設けた第二パネル
により液晶を挟持して成る液晶表示素子において、第一
パネルと第二パネルの間に感光性樹脂または金属インジ
ウムから成る隔壁を液晶と外部との間に介在させ、さら
に前記隔壁と外部との間に硬化接着層を設けることによ
り優れた強度特性を有する液晶表示素子を得ることがで
きた。
。すなわち、透明基板上に少なくとも透明な画素電極及
び該画素電極上に配向膜を設けた第一4”ネルと、透明
基板上に少なくとも透明な画素電極を設けた第二パネル
により液晶を挟持して成る液晶表示素子において、第一
パネルと第二パネルの間に感光性樹脂または金属インジ
ウムから成る隔壁を液晶と外部との間に介在させ、さら
に前記隔壁と外部との間に硬化接着層を設けることによ
り優れた強度特性を有する液晶表示素子を得ることがで
きた。
(発明の構成)
第1図(イ)及び第1図(ロ)で、本発明によりなる液
晶表示素子の構成を示す。透明基板(3)上に透明な画
素電極(4)を設は更に該画素電極(4)上に必要に応
じ絶縁膜α■を形成し更に配向1IIJ(5)を設けた
第一パネル(A゛)と、透明基板(9)上に透明な画素
電極(8)を設け、該画素電極(8)上に必要に応じ絶
縁膜α濁を形成し更に必要に応じ配向膜(7)(図示せ
ず)を設けた第二パネル(Bo)とを向かい合わせ、ス
ペーサー〇aにより間隔を保持し、リソグラフィー法に
より設けた封止層(2)により接合する。
晶表示素子の構成を示す。透明基板(3)上に透明な画
素電極(4)を設は更に該画素電極(4)上に必要に応
じ絶縁膜α■を形成し更に配向1IIJ(5)を設けた
第一パネル(A゛)と、透明基板(9)上に透明な画素
電極(8)を設け、該画素電極(8)上に必要に応じ絶
縁膜α濁を形成し更に必要に応じ配向膜(7)(図示せ
ず)を設けた第二パネル(Bo)とを向かい合わせ、ス
ペーサー〇aにより間隔を保持し、リソグラフィー法に
より設けた封止層(2)により接合する。
さらにその後、セル平面方向において封止層α乃の外側
でかつ第一パネルと第二パネルとの間に紫外線(以下U
Vと略す)硬化型若しくは熱硬化型等の接着剤を入れ硬
化させ接着層αηとする。すなわち、接着剤をセルの端
に付け、さらに粘度が下がるように温度等の条件を制御
すれば、界面張力により内部基板間に注入され封止層α
コにより堰き止められる。ここで硬化処理を行う事によ
り、接着層αηとなる。透明基板(3)及び透明基板(
9)としては、厚さ0.5mmないし511のガラス基
板が適用できる。
でかつ第一パネルと第二パネルとの間に紫外線(以下U
Vと略す)硬化型若しくは熱硬化型等の接着剤を入れ硬
化させ接着層αηとする。すなわち、接着剤をセルの端
に付け、さらに粘度が下がるように温度等の条件を制御
すれば、界面張力により内部基板間に注入され封止層α
コにより堰き止められる。ここで硬化処理を行う事によ
り、接着層αηとなる。透明基板(3)及び透明基板(
9)としては、厚さ0.5mmないし511のガラス基
板が適用できる。
材質は光学研磨した無アルカリ金属ガラスが好ましいが
、酸化硅素をコートした青板ガラスでもよい。画素電極
(4)及び画素電極(8)は酸化スズ、酸化インジウム
又はそれらの混合体であるITOをスパッタ蒸着法等で
成膜し、常法に従って任意形状にパターニングする。配
向膜(5)、(7)は、ポリビニルアルコール、ポリイ
ミド等をオフセット印刷法、スピンコーティング法等で
塗布、乾燥後必要に応じ適宜パターニングした後、ラビ
ング処理する。
、酸化硅素をコートした青板ガラスでもよい。画素電極
(4)及び画素電極(8)は酸化スズ、酸化インジウム
又はそれらの混合体であるITOをスパッタ蒸着法等で
成膜し、常法に従って任意形状にパターニングする。配
向膜(5)、(7)は、ポリビニルアルコール、ポリイ
ミド等をオフセット印刷法、スピンコーティング法等で
塗布、乾燥後必要に応じ適宜パターニングした後、ラビ
ング処理する。
また、配向膜(5)、(7)として、酸化硅素等、無機
材料の斜方蒸着した層を適用してもよい。絶縁膜α口、
aΦは、必要に応じ酸化硅素または酸化アルミニウム等
をスパッター等により膜厚0.1 μmないし0゜5μ
mに形成する。絶縁膜Q31.(IIJは、耐圧性を向
上させる。封止層亜は、ゴム系フォトレジスト、ポジ型
フォトレジスト、金属インジウム、ポリビニルアルコー
ル、ゼラチン、コラーゲン、アクリル、ポリイミド等を
用いることができる。なお、該封止層(2)の膜厚は、
強誘電性液晶を用いる場合、0.1 μmから3μm程
度に形成するのが好ましい。
材料の斜方蒸着した層を適用してもよい。絶縁膜α口、
aΦは、必要に応じ酸化硅素または酸化アルミニウム等
をスパッター等により膜厚0.1 μmないし0゜5μ
mに形成する。絶縁膜Q31.(IIJは、耐圧性を向
上させる。封止層亜は、ゴム系フォトレジスト、ポジ型
フォトレジスト、金属インジウム、ポリビニルアルコー
ル、ゼラチン、コラーゲン、アクリル、ポリイミド等を
用いることができる。なお、該封止層(2)の膜厚は、
強誘電性液晶を用いる場合、0.1 μmから3μm程
度に形成するのが好ましい。
液晶セルの間隔を保つスペーサー00は、0.1 μm
から3μm程度のガラス、ニューセラミクス、樹脂等か
らなる均一な粒子を用いることができる。
から3μm程度のガラス、ニューセラミクス、樹脂等か
らなる均一な粒子を用いることができる。
または、封止層形成時に同様に形成してもよい。
なお、本発明に用いる事のできる透明パネルは、第1図
のものに限られるものではなく、例えば、第2図に示す
ように、透明基板(3)の上にカラーフィルター+21
0を形成し、その上に、画素電極(4)、配向膜(5)
を設けたものであってもさしつかえない。
のものに限られるものではなく、例えば、第2図に示す
ように、透明基板(3)の上にカラーフィルター+21
0を形成し、その上に、画素電極(4)、配向膜(5)
を設けたものであってもさしつかえない。
(発明の効果)
従来技術による封止層の形成方法では、3μm以下でか
つ任意の形状のパターニングを行うのが極めて困難であ
ったが、本発明によれば感光性樹脂若しくは金属インジ
ウムを隔壁に用いたことにより3μm以下の厚みを再現
性良く作成でき、さらに外界と接するその外側に硬化性
接着層を設けたため、良好な強度特性を有するツクネル
の作成が可能となる。
つ任意の形状のパターニングを行うのが極めて困難であ
ったが、本発明によれば感光性樹脂若しくは金属インジ
ウムを隔壁に用いたことにより3μm以下の厚みを再現
性良く作成でき、さらに外界と接するその外側に硬化性
接着層を設けたため、良好な強度特性を有するツクネル
の作成が可能となる。
(実施例)
〔実施例1〕
3インチ角厚み1.6鶴のガラス基板を光学研磨し平面
の平坦性を2μm以内に加工して透明基板(3)を得た
。該透明基板(3)上に400人のr’ro#をスパッ
タリング法で成膜し、常法のフォトエツチング法に従っ
て線中200μm、ピンチ300μm、長さ60鶴の万
緑パターンの画素電極(4)を形成した。次に該画素電
極(4)上にポリイミド樹脂PIX−1400(日立化
成工業■製)をスピナーにより3000rpm、2分間
の条件でコートして、80℃15分、200℃30分、
300℃30分の順で加熱し、冷却後、ラビング装置に
より配向処理を行って配向膜(5)を形成し、第一パネ
ル(A′)を得た。他方、3インチ角厚み1.6mmの
ガラス基板を光学研磨し平面の平坦性を2μm以内に加
工した透明基板(9)の表面にスパッタリング法により
ITO膜を成膜し、前期同様に線巾200μm、ピッチ
300μm、長さ60mmの万緑パターンの画素電極(
8)を形成後、絶縁膜α争としてスパッタリング法によ
り酸化硅素膜を成膜して、第二パネル(Bo)を得た。
の平坦性を2μm以内に加工して透明基板(3)を得た
。該透明基板(3)上に400人のr’ro#をスパッ
タリング法で成膜し、常法のフォトエツチング法に従っ
て線中200μm、ピンチ300μm、長さ60鶴の万
緑パターンの画素電極(4)を形成した。次に該画素電
極(4)上にポリイミド樹脂PIX−1400(日立化
成工業■製)をスピナーにより3000rpm、2分間
の条件でコートして、80℃15分、200℃30分、
300℃30分の順で加熱し、冷却後、ラビング装置に
より配向処理を行って配向膜(5)を形成し、第一パネ
ル(A′)を得た。他方、3インチ角厚み1.6mmの
ガラス基板を光学研磨し平面の平坦性を2μm以内に加
工した透明基板(9)の表面にスパッタリング法により
ITO膜を成膜し、前期同様に線巾200μm、ピッチ
300μm、長さ60mmの万緑パターンの画素電極(
8)を形成後、絶縁膜α争としてスパッタリング法によ
り酸化硅素膜を成膜して、第二パネル(Bo)を得た。
更に該パネル(Bo)上にゴム系しジス)OMR−83
(東京応化工業■製)、粘度30cpの溶液をスピナー
により3000rpm 、1.5秒間の条件でコートし
、常法のフォトエツチング法に従って、50μm角の大
きさのスペーサーQ4)を画素電極間に設けた。又、同
時に線巾311の封止層(ロ)のパターニングも行った
。この時の、現像後の膜厚は、0.6μmだった。次に
第一パネル(A”)と第二パネル(Bo)とを封密着さ
せ、1kg/cIaで加圧し常温より6℃/ll1in
で180℃まで昇温し一時間保持した後冷却、圧力を除
いて液晶封入用素子とした。以上の工程で、両パネルは
スペーサー〇〇と封止層(2)により接着した。
(東京応化工業■製)、粘度30cpの溶液をスピナー
により3000rpm 、1.5秒間の条件でコートし
、常法のフォトエツチング法に従って、50μm角の大
きさのスペーサーQ4)を画素電極間に設けた。又、同
時に線巾311の封止層(ロ)のパターニングも行った
。この時の、現像後の膜厚は、0.6μmだった。次に
第一パネル(A”)と第二パネル(Bo)とを封密着さ
せ、1kg/cIaで加圧し常温より6℃/ll1in
で180℃まで昇温し一時間保持した後冷却、圧力を除
いて液晶封入用素子とした。以上の工程で、両パネルは
スペーサー〇〇と封止層(2)により接着した。
更にパネル化後、液晶封入口α鴫以外のパネル周囲部に
接着剤を塗布した。接着剤としてエポキシ系のL lX
0NBOND−1001Aと100IB(チッソ側製)
とを適量混合して供した。
接着剤を塗布した。接着剤としてエポキシ系のL lX
0NBOND−1001Aと100IB(チッソ側製)
とを適量混合して供した。
これを塗布した後、パネルをオーブンに入れ約70℃に
保つことにより一旦粘度を低下させることができる。こ
のとき、流動化した該接着剤は界面張力によりパネル間
に浸入する。これは先に形成した封止1uにより止まる
。さらに加熱の前に脱気しておき、加熱後常圧に戻すこ
とにより大気圧で押し入れるとより確実に注入される。
保つことにより一旦粘度を低下させることができる。こ
のとき、流動化した該接着剤は界面張力によりパネル間
に浸入する。これは先に形成した封止1uにより止まる
。さらに加熱の前に脱気しておき、加熱後常圧に戻すこ
とにより大気圧で押し入れるとより確実に注入される。
接着剤がパネル間に充分浸入後、パネルを120℃で3
0分加熱して硬化させ接着層αηとした。
0分加熱して硬化させ接着層αηとした。
なお、このときのITO膜パターニングを以下の手順で
行った。
行った。
■ ITO膜上にポジ型フォトレジストを塗布し90℃
で30分乾燥後マスク露光し専用現像剤で現像後130
℃で30分ポストベイクした。
で30分乾燥後マスク露光し専用現像剤で現像後130
℃で30分ポストベイクした。
■ 塩化第2鉄液及び塩酸の混合液を60℃に加熱して
前記ITO膜塗布基板を浸漬してエツチングした。
前記ITO膜塗布基板を浸漬してエツチングした。
■ 剥膜剤により前記レジストを剥膜し、超純水で洗浄
した。
した。
液晶として、C3lOII(チッソ■製)を用いた。ま
た液晶の封入を次の手順で行った。
た液晶の封入を次の手順で行った。
■ 常温、常圧で前記素子の液晶封入口αe付近に入口
を塞がないように液晶をつけ、減圧可能なオーブンにい
れる。
を塞がないように液晶をつけ、減圧可能なオーブンにい
れる。
■ 常温、減圧とする。
■ 120℃、減圧とする。
■ 120℃、常圧とする。
■ 液晶が完全に入ったことを確認し常温とする。
以上の操作により良好な液晶表示素子を作成した。
〔実施例2〕
3インチ角厚み1.6■のガラス基板を光学研磨し平面
の平坦性を2μm以内に加工して透明基板(3)を得た
。該透明基板(3)上に400人のITO膜をスパッタ
リング法で成膜し、常法のフォトエツチング法に従って
線巾200μm1ピツチ300μm、長さ6011mの
万緑パターンの画素電極(4)を形成した。次に該画素
電極(4)上にポリイミド樹脂PIX−1400(日立
化成工業■製)をスピナーにより3000rpm、2分
間の条件でコートして、80℃15分、200℃30分
、300℃30分の順で加熱し、冷却後、ラビング装置
により配向処理を行って配向膜(5)を形成し、第一パ
ネル(A゛)を得た。他方、3インチ角厚み1.6tl
のガラス基板を光学研磨し平面の平坦性を2μm以内に
加工した透明基板(9)の表面にスパッタリング法によ
りI−To膜を成膜し、前期同様に線巾200μm、ピ
ンチ300μm、長さ60n+の万線パターンの画素電
極(8)を形成後、絶縁膜αjとしてスパッタリング法
により酸化硅素膜を成膜して、第二パネル(B″)を得
た。更に該パネル(B゛)上にゴム系しジス)OMR−
83(東京応化工業■製)、粘度30cpの溶液をスピ
ナーにより3000rpm 、1.5秒間の条件でコー
トし、常法のフォトエツチング法に従って、50μm角
の大きさのスペーサー〇旬を画素電極間に設けた。又、
同時に線巾3龍の封止ga、りのパターニングも行った
。この時の、現像後の膜厚は、0.6μmだった。次に
第一パネル(A゛)と第二パネル(B゛)とを封密着さ
せ、1kg/cjで加圧し常温より6℃/minで18
0℃まで昇温し一時間保持した後冷却、圧力を除いて液
晶封入用素子とした。以上の工程で、両パネルはスペー
サーα滲と封止層0汎こより接着した。
の平坦性を2μm以内に加工して透明基板(3)を得た
。該透明基板(3)上に400人のITO膜をスパッタ
リング法で成膜し、常法のフォトエツチング法に従って
線巾200μm1ピツチ300μm、長さ6011mの
万緑パターンの画素電極(4)を形成した。次に該画素
電極(4)上にポリイミド樹脂PIX−1400(日立
化成工業■製)をスピナーにより3000rpm、2分
間の条件でコートして、80℃15分、200℃30分
、300℃30分の順で加熱し、冷却後、ラビング装置
により配向処理を行って配向膜(5)を形成し、第一パ
ネル(A゛)を得た。他方、3インチ角厚み1.6tl
のガラス基板を光学研磨し平面の平坦性を2μm以内に
加工した透明基板(9)の表面にスパッタリング法によ
りI−To膜を成膜し、前期同様に線巾200μm、ピ
ンチ300μm、長さ60n+の万線パターンの画素電
極(8)を形成後、絶縁膜αjとしてスパッタリング法
により酸化硅素膜を成膜して、第二パネル(B″)を得
た。更に該パネル(B゛)上にゴム系しジス)OMR−
83(東京応化工業■製)、粘度30cpの溶液をスピ
ナーにより3000rpm 、1.5秒間の条件でコー
トし、常法のフォトエツチング法に従って、50μm角
の大きさのスペーサー〇旬を画素電極間に設けた。又、
同時に線巾3龍の封止ga、りのパターニングも行った
。この時の、現像後の膜厚は、0.6μmだった。次に
第一パネル(A゛)と第二パネル(B゛)とを封密着さ
せ、1kg/cjで加圧し常温より6℃/minで18
0℃まで昇温し一時間保持した後冷却、圧力を除いて液
晶封入用素子とした。以上の工程で、両パネルはスペー
サーα滲と封止層0汎こより接着した。
更にパネル化後、液晶封入口σω以外のパネル周囲部に
接着剤を塗布した。
接着剤を塗布した。
接着剤として、大阪有機化学工業■製、TOV−163
1を用いた。本製品は、常温で流動性があり、脱気状態
でUV照射することにより硬化する。
1を用いた。本製品は、常温で流動性があり、脱気状態
でUV照射することにより硬化する。
従って、前記塗布をすれば該接着剤は界面張力により基
板間に浸入し封止層@により止まる。該接着剤が充分基
板間に充填した後、脱気状態でU■を照射して硬化させ
接着層07)とした。
板間に浸入し封止層@により止まる。該接着剤が充分基
板間に充填した後、脱気状態でU■を照射して硬化させ
接着層07)とした。
なお、ITO膜バターニングを前記実施例1と同様にし
て行った。
て行った。
また、液晶の封入も前記実施例1と同様にして行った。
第1図は、本発明の液晶表示素子の一実施例を示す説明
図である。第1図(イ)は、その断面図であり、第1図
(ロ)はその平面図である。 第2図は、本発明の液晶表示素子に用いる透明パネルの
一例を示す断面図である。 第3図は、従来の液晶表示素子の一例を示す説明図であ
る。 +1)・・・・光源 (2)・・・・偏光子 (3)、(9)・・透明基板 (4)、(8)・・画素電極 (5)、(7)・・配向膜 (6) ・ ・ ・ ・ ン夜晶α0・・・・検
光子 αυ・・・・スペーサー 0の・・・・封止材、又は封止層 αし09・・絶縁膜 α旬・・・・スペーサー αω・・・・強誘電性液晶 αe・・・・液晶封入口 αη・・・・接着層
図である。第1図(イ)は、その断面図であり、第1図
(ロ)はその平面図である。 第2図は、本発明の液晶表示素子に用いる透明パネルの
一例を示す断面図である。 第3図は、従来の液晶表示素子の一例を示す説明図であ
る。 +1)・・・・光源 (2)・・・・偏光子 (3)、(9)・・透明基板 (4)、(8)・・画素電極 (5)、(7)・・配向膜 (6) ・ ・ ・ ・ ン夜晶α0・・・・検
光子 αυ・・・・スペーサー 0の・・・・封止材、又は封止層 αし09・・絶縁膜 α旬・・・・スペーサー αω・・・・強誘電性液晶 αe・・・・液晶封入口 αη・・・・接着層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)透明基板上に少なくとも透明な画素電極と該画素電
極上に配向膜とを設けた第一パネルと、透明基板上に少
なくとも透明な画素電極を設けた第二パネルにより液晶
を挟持して成る液晶表示素子において、第一パネルと第
二パネルの間に感光性樹脂または金属インジウムから成
る隔壁を液晶と外部との間に介在させ、さらに前記隔壁
と外部との間に硬化接着層を設けた事を特徴とする液晶
表示素子。 2)硬化接着層として紫外線硬化型接着剤を用いた特許
請求の範囲前記第1項記載の液晶表示素子。 3)硬化接着層として熱硬化型接着剤を用いた特許請求
の範囲前記第1項記載の液晶表示素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28490986A JPS63137212A (ja) | 1986-11-29 | 1986-11-29 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28490986A JPS63137212A (ja) | 1986-11-29 | 1986-11-29 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63137212A true JPS63137212A (ja) | 1988-06-09 |
Family
ID=17684617
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28490986A Pending JPS63137212A (ja) | 1986-11-29 | 1986-11-29 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63137212A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004077133A2 (en) | 2003-02-21 | 2004-09-10 | Spectraswitch, Inc. | Liquid crystal cell platform |
JP2006518880A (ja) * | 2003-02-21 | 2006-08-17 | エクステラス インコーポレイテッド | 液晶可変光学減衰器 |
US7355671B2 (en) | 2003-02-21 | 2008-04-08 | Xtellus Inc. | Fabrication method for liquid crystal cell |
-
1986
- 1986-11-29 JP JP28490986A patent/JPS63137212A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004077133A2 (en) | 2003-02-21 | 2004-09-10 | Spectraswitch, Inc. | Liquid crystal cell platform |
JP2006518880A (ja) * | 2003-02-21 | 2006-08-17 | エクステラス インコーポレイテッド | 液晶可変光学減衰器 |
JP2006518879A (ja) * | 2003-02-21 | 2006-08-17 | エクステラス インコーポレイテッド | 液晶セルプラットホーム |
EP1602004A4 (en) * | 2003-02-21 | 2006-12-06 | Xtellus Inc | LIQUID CRYSTAL CELL PLATFORM |
US7352428B2 (en) | 2003-02-21 | 2008-04-01 | Xtellus Inc. | Liquid crystal cell platform |
US7355671B2 (en) | 2003-02-21 | 2008-04-08 | Xtellus Inc. | Fabrication method for liquid crystal cell |
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