JPH10288773A - 液晶素子およびそれを用いた携帯用電子機器 - Google Patents
液晶素子およびそれを用いた携帯用電子機器Info
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- JPH10288773A JPH10288773A JP9778597A JP9778597A JPH10288773A JP H10288773 A JPH10288773 A JP H10288773A JP 9778597 A JP9778597 A JP 9778597A JP 9778597 A JP9778597 A JP 9778597A JP H10288773 A JPH10288773 A JP H10288773A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】プラスチック基板を用いた従来の液晶素子にお
いて発生していた電流値の経時変化を改善する。 【解決手段】プラスチック基板表面に形成された透明導
電膜の上部と下部のうち、一方もしくは双方に、プラス
チック基板から液晶層へ不純物が溶出する事を防止する
効果を有する無機膜を、それらの無機膜の厚さが、合計
して少なくとも０．３μｍ以上、望ましくは０．５μｍ
以上形成した。
いて発生していた電流値の経時変化を改善する。 【解決手段】プラスチック基板表面に形成された透明導
電膜の上部と下部のうち、一方もしくは双方に、プラス
チック基板から液晶層へ不純物が溶出する事を防止する
効果を有する無機膜を、それらの無機膜の厚さが、合計
して少なくとも０．３μｍ以上、望ましくは０．５μｍ
以上形成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高分子基材である透
明プラスチック基板を用いた液晶素子（以下ＰＬＣとす
る）に関する。
明プラスチック基板を用いた液晶素子（以下ＰＬＣとす
る）に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＰＬＣは、軽く・薄く・割れないとい
う、ガラス基板を用いた液晶素子にない特徴を生かし
て、既に電卓・ページャー等の携帯用電子機器に用いら
れている。また今後、携帯電話や携帯情報端末等に広く
用いられると予測されている。
う、ガラス基板を用いた液晶素子にない特徴を生かし
て、既に電卓・ページャー等の携帯用電子機器に用いら
れている。また今後、携帯電話や携帯情報端末等に広く
用いられると予測されている。
【０００３】これまでのＰＬＣは、それほど表示情報量
が大きくなかったため、液晶の動作モードとしてはＴＮ
方式が用いられてきた。しかし、表示情報量の拡大に対
応するため、既にスーパーツイストネマチック方式（以
下ＳＴＮ方式とする）ＰＬＣの実用化がなされている。
が大きくなかったため、液晶の動作モードとしてはＴＮ
方式が用いられてきた。しかし、表示情報量の拡大に対
応するため、既にスーパーツイストネマチック方式（以
下ＳＴＮ方式とする）ＰＬＣの実用化がなされている。
【０００４】従来の構成のＰＬＣの断面構造図の1例を
図１に示した。図1において１はプラスチック基板であ
る。２はガスバリア層で、典型的にはポリビニルアルコ
ールもしくは塩化ビニルとポリビニルアルコール共重合
体等が用いられる。３は透明導電膜で通常ＩＴＯ膜が用
いられる。４は配向膜である。５は液晶セルのシール部
である。６は液晶層である。
図１に示した。図1において１はプラスチック基板であ
る。２はガスバリア層で、典型的にはポリビニルアルコ
ールもしくは塩化ビニルとポリビニルアルコール共重合
体等が用いられる。３は透明導電膜で通常ＩＴＯ膜が用
いられる。４は配向膜である。５は液晶セルのシール部
である。６は液晶層である。
【０００５】従来このような構成のＰＬＣが使用されて
いた。従来のＳＴＮ方式ＰＬＣにおいては、軽い、薄
い、割れない等の特徴が評価され、駆動電圧については
それ程問題にはされなかった。しかし最近ガラス基板を
用いた小型のＳＴＮ方式ＬＣＤでは、駆動電圧の低電圧
化が進んだ。このためＳＴＮ方式ＰＬＣにも駆動電圧を
より低くする事が求められてきている。
いた。従来のＳＴＮ方式ＰＬＣにおいては、軽い、薄
い、割れない等の特徴が評価され、駆動電圧については
それ程問題にはされなかった。しかし最近ガラス基板を
用いた小型のＳＴＮ方式ＬＣＤでは、駆動電圧の低電圧
化が進んだ。このためＳＴＮ方式ＰＬＣにも駆動電圧を
より低くする事が求められてきている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところがＰＬＣにおい
て駆動電圧を下げるため、閾値電圧の低い液晶材料を用
いると、従来の構成のＰＬＣでは消費電流の経時変化が
大きくなる事が分かってきた。この経時変化は使用する
液晶材料の閾値電圧が低くなる程大きくなる傾向があ
る。このような問題はガラス基板の場合にはなかった。
あるいはあっても殆ど問題にならない程度でしかなかっ
た。従ってこの問題はＰＬＣに特徴的な問題だと考えら
れる。
て駆動電圧を下げるため、閾値電圧の低い液晶材料を用
いると、従来の構成のＰＬＣでは消費電流の経時変化が
大きくなる事が分かってきた。この経時変化は使用する
液晶材料の閾値電圧が低くなる程大きくなる傾向があ
る。このような問題はガラス基板の場合にはなかった。
あるいはあっても殆ど問題にならない程度でしかなかっ
た。従ってこの問題はＰＬＣに特徴的な問題だと考えら
れる。
【０００７】本発明は、このようなＳＴＮ方式ＰＬＣで
発生する電流値の経時変化を解決する事を目的とする。
発生する電流値の経時変化を解決する事を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の液晶素子は、高分子基材である第１の基板
と、前記第１の基板と対向配置した第２の基板と、前記
第１の基板と前記第２の基板との間に配置した液晶層と
を有し、前記第１の基板の面のうち前記液晶層側の面に
は、０．３μｍ以上の厚みを有する第１の無機層が形成
されていることを特徴とする。
に本発明の液晶素子は、高分子基材である第１の基板
と、前記第１の基板と対向配置した第２の基板と、前記
第１の基板と前記第２の基板との間に配置した液晶層と
を有し、前記第１の基板の面のうち前記液晶層側の面に
は、０．３μｍ以上の厚みを有する第１の無機層が形成
されていることを特徴とする。
【０００９】又、前記第１の無機層は、前記第１の基板
上に形成した第１の無機膜と、前記第１の無機層上に形
成した導電層上に形成した第２の無機膜と、を含み、前
記第１の無機膜と第２の無機膜との厚みの合計が０．３
μｍ以上であることを特徴とする。
上に形成した第１の無機膜と、前記第１の無機層上に形
成した導電層上に形成した第２の無機膜と、を含み、前
記第１の無機膜と第２の無機膜との厚みの合計が０．３
μｍ以上であることを特徴とする。
【００１０】又、前記第２の基板は高分子基材であり、
前記第２の基板の面のうち前記液晶層側の面には、０．
３μｍ以上の厚みを有する第２の無機層が形成されてい
ることを特徴とする。より好ましくは、第１の無機層は
０．５μｍ以上の厚みを有するとよい。
前記第２の基板の面のうち前記液晶層側の面には、０．
３μｍ以上の厚みを有する第２の無機層が形成されてい
ることを特徴とする。より好ましくは、第１の無機層は
０．５μｍ以上の厚みを有するとよい。
【００１１】又、前記第２の無機層は、前記第２の基板
上に形成した第３の無機膜と、前記第２の無機層上に形
成した導電層上に形成した第４の無機膜と、を含み、前
記第１の無機膜と第２の無機膜との厚みの合計が０．３
μｍ以上であることを特徴とする。より好ましくは、第
２の無機層は０．５μｍ以上の厚みを有するとよい。
上に形成した第３の無機膜と、前記第２の無機層上に形
成した導電層上に形成した第４の無機膜と、を含み、前
記第１の無機膜と第２の無機膜との厚みの合計が０．３
μｍ以上であることを特徴とする。より好ましくは、第
２の無機層は０．５μｍ以上の厚みを有するとよい。
【００１２】又、前記液晶層には、その閾値電圧が少な
くとも１．８ボルト以下のスーパーツイストネマチック
方式（ＳＴＮ）対応の液晶材料が用いられていることを
特徴とする。
くとも１．８ボルト以下のスーパーツイストネマチック
方式（ＳＴＮ）対応の液晶材料が用いられていることを
特徴とする。
【００１３】又、前記第１の無機膜、前記第２の無機
膜、前記第３の無機膜又は前記第４の無機膜は、酸化け
い素、窒化シリコン及び酸化チタンから選ばれる材料か
らなることを特徴とする。
膜、前記第３の無機膜又は前記第４の無機膜は、酸化け
い素、窒化シリコン及び酸化チタンから選ばれる材料か
らなることを特徴とする。
【００１４】又、高分子基材である第１の基板と、前記
第１の基板と対向配置した第２の基板と、前記第１の基
板と前記第２の基板との間に配置した液晶層とを有し、
前記第１の基板の面のうち前記液晶層側の面には、前記
第１の基板から不純物が溶け出すのを防ぐために設けた
第１の無機層が形成されていることを特徴とする。
第１の基板と対向配置した第２の基板と、前記第１の基
板と前記第２の基板との間に配置した液晶層とを有し、
前記第１の基板の面のうち前記液晶層側の面には、前記
第１の基板から不純物が溶け出すのを防ぐために設けた
第１の無機層が形成されていることを特徴とする。
【００１５】本発明の携帯用電子機器は、上述の液晶素
子を用いたことを特徴とする。
子を用いたことを特徴とする。
【００１６】
【作用】本発明においては、透明導電膜の上部と下部の
うち、一方もしくは双方に無機層が形成され、しかもそ
の厚さがポイントとなっている。なぜならば、詳細は実
施例の説明で述べるが、これらの膜厚を厚くしていく
程、ＰＬＣの電流値の経時変化は少なくなっていく。こ
の事より、これらの無機層は、無機層から見て液晶層と
反対側にあるプラスチック基板等の有機材料部分から、
不純物が液晶層に侵入する事を防ぐ効果を有していると
考えられる。そして侵入した不純物は液晶層の比抵抗を
低下させていると考えれば現象の説明がつく。無機層が
不純物の侵入を阻止する効果が実用的に問題ないレベル
に達するのが膜厚０．３μｍ以上であり、全く問題ない
レベルになるのが０．５μｍ以上の時であると推察され
る。
うち、一方もしくは双方に無機層が形成され、しかもそ
の厚さがポイントとなっている。なぜならば、詳細は実
施例の説明で述べるが、これらの膜厚を厚くしていく
程、ＰＬＣの電流値の経時変化は少なくなっていく。こ
の事より、これらの無機層は、無機層から見て液晶層と
反対側にあるプラスチック基板等の有機材料部分から、
不純物が液晶層に侵入する事を防ぐ効果を有していると
考えられる。そして侵入した不純物は液晶層の比抵抗を
低下させていると考えれば現象の説明がつく。無機層が
不純物の侵入を阻止する効果が実用的に問題ないレベル
に達するのが膜厚０．３μｍ以上であり、全く問題ない
レベルになるのが０．５μｍ以上の時であると推察され
る。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下実施例に基づき説明する。
【００１８】〔実施例１〕本実施例で行った一連の実験
の詳細を以下に述べる。
の詳細を以下に述べる。
【００１９】実験に用いる各種の基板を作成するために
ポリエーテルスルフォンフィルムを基材とする厚さ約１
５０μｍのプラスチック基板を用い、まずその表面にス
パッタリングにより、まず酸化けい素膜を形成した。形
成した酸化けい素膜厚は０．１μm、０．２μm、０．３
μm、０．４μm、および０．６μmの５種類である。こ
れらの基板および酸化けい素膜を形成しなかった基板の
全てに透明導電膜としてＩＴＯを０．０５μｍの厚さに
形成した。形成時の基板温度はいずれも約８０℃に設定
した。このＩＴＯをフォトリソグラフにより所定の表示
パターンにパターニングした後、これらの基板表面の一
部を除きスパッタリングにより、酸化けい素膜を形成し
た。酸化けい素膜を形成しなかった部分は液晶セルにし
た時、駆動回路との結線部分に相当するＩＴＯパターン
部である。酸化ケイ素の厚みはいずれも０．１μmとし
た。このようにして図3に示したような７種類の構成の
ＰＬＣ用プラスチック基板を用意した。
ポリエーテルスルフォンフィルムを基材とする厚さ約１
５０μｍのプラスチック基板を用い、まずその表面にス
パッタリングにより、まず酸化けい素膜を形成した。形
成した酸化けい素膜厚は０．１μm、０．２μm、０．３
μm、０．４μm、および０．６μmの５種類である。こ
れらの基板および酸化けい素膜を形成しなかった基板の
全てに透明導電膜としてＩＴＯを０．０５μｍの厚さに
形成した。形成時の基板温度はいずれも約８０℃に設定
した。このＩＴＯをフォトリソグラフにより所定の表示
パターンにパターニングした後、これらの基板表面の一
部を除きスパッタリングにより、酸化けい素膜を形成し
た。酸化けい素膜を形成しなかった部分は液晶セルにし
た時、駆動回路との結線部分に相当するＩＴＯパターン
部である。酸化ケイ素の厚みはいずれも０．１μmとし
た。このようにして図3に示したような７種類の構成の
ＰＬＣ用プラスチック基板を用意した。
【００２０】次に図3に示した基板Ａ〜Ｇを用いて評価
用のＳＴＮ方式の液晶セルを作成した。基板Ｄを用いた
ＳＴＮセルの断面構造の１例を図２に示した。図２にお
いて７Ａ及び７Ｂは第１及び第２の基板であるプラスチ
ック基板、８Ａ及び８Ｂは第１及び第３の無機膜である
酸化けい素によるアンダーコート膜、９はＩＴＯ膜、１
０Ａ及び１０Ｂは第２及び第４の無機膜である酸化けい
素によるオーバーコート膜、１１は配向膜、１２は液晶
セルのシール部、１３は液晶層である。
用のＳＴＮ方式の液晶セルを作成した。基板Ｄを用いた
ＳＴＮセルの断面構造の１例を図２に示した。図２にお
いて７Ａ及び７Ｂは第１及び第２の基板であるプラスチ
ック基板、８Ａ及び８Ｂは第１及び第３の無機膜である
酸化けい素によるアンダーコート膜、９はＩＴＯ膜、１
０Ａ及び１０Ｂは第２及び第４の無機膜である酸化けい
素によるオーバーコート膜、１１は配向膜、１２は液晶
セルのシール部、１３は液晶層である。
【００２１】基板Ａ〜Ｇを用いてを作成したＳＴＮ方式
の液晶セルに注入した液晶材料は図4に示した３種類で
ある。
の液晶セルに注入した液晶材料は図4に示した３種類で
ある。
【００２２】これらのセルの初期電流値を測定した後、
９０℃の恒温槽に放置した。１０００時間後の電流値と
初期値の比の平均値を図5に示した。図5より基板の構成
と液晶材料により電流値の経時変化に大きな差がでる事
がわかる。
９０℃の恒温槽に放置した。１０００時間後の電流値と
初期値の比の平均値を図5に示した。図5より基板の構成
と液晶材料により電流値の経時変化に大きな差がでる事
がわかる。
【００２３】電流値の経時変化の許容範囲を９０℃×１
０００時間で初期値の1.5倍以内という基準で図5の結果
を判断すると、次のようになる。
０００時間で初期値の1.5倍以内という基準で図5の結果
を判断すると、次のようになる。
【００２４】 ＳＳ−４３５６ ：いずれの条件でも問題ない。
【００２５】ＲＤＰ−４０４９０：Ｄ、E、Ｆ、Ｇの条
件では問題ない。但しＥはボーダーライン。
件では問題ない。但しＥはボーダーライン。
【００２６】 ＲＤＰ−２１１４６：Ｆ、Ｇの条件なら問題ない。
【００２７】このように電流値の経時変化は液晶材料お
よび酸化けい素膜の膜厚により差がでる。その理由は次
のように考えられる。
よび酸化けい素膜の膜厚により差がでる。その理由は次
のように考えられる。
【００２８】一般的に液晶材料の閾値が低いもの程誘電
異方性が大きく、極性の大きな材料の組成比が大きくな
っている。極性の大きな液晶程、液晶層が接する基板か
ら不純物、恐らく主として有機の不純物、を溶かし込み
やすい。このようにして液晶中に溶け込んだ不純物が電
流値の上昇の原因となる。これが液晶材料により差がで
る理由と考えられる。
異方性が大きく、極性の大きな材料の組成比が大きくな
っている。極性の大きな液晶程、液晶層が接する基板か
ら不純物、恐らく主として有機の不純物、を溶かし込み
やすい。このようにして液晶中に溶け込んだ不純物が電
流値の上昇の原因となる。これが液晶材料により差がで
る理由と考えられる。
【００２９】ところが本実施例のように基板上のＩＴＯ
の上部と下部のうち一方もしくは双方に酸化けい素膜を
形成すると、この酸化けい素膜は不純物の液晶中への溶
出を阻止する作用を有する。この作用は酸化けい素膜の
厚みが大きな程顕著になると考えられる。
の上部と下部のうち一方もしくは双方に酸化けい素膜を
形成すると、この酸化けい素膜は不純物の液晶中への溶
出を阻止する作用を有する。この作用は酸化けい素膜の
厚みが大きな程顕著になると考えられる。
【００３０】液晶材層への不純物溶出の目安としては、
液晶の誘電異方性と強い正の相関がある液晶の閾値電圧
を便宜的に用いる事ができる。また経時変化の良否の判
断基準として初期値の１．５倍程度をボーダーラインと
すると、本実施例より、閾値電圧が２ボルトの液晶（Ｓ
Ｓ−４３５６）では酸化けい素膜が無くとも問題はな
い。また閾値電圧が１．４７ボルトの液晶（ＲＤＰ−２
１１４６）では酸化けい素膜厚の合計が０．５μｍ以上
であれば問題ない。さらに閾値電圧が１．６ボルトの液
晶（ＲＤＰ−４０４９０）では酸化けい素膜厚の合計が
０．３μｍ以上であれば経時変化がちょうど１．５倍に
なる。しかしボーダーラインであるので、酸化けい素膜
厚が０．３μｍの場合、閾値電圧はＳＳ−４３５６とＲ
ＤＰ−４０４９０の中間である１．８ボルトであれば問
題ないと思われる。
液晶の誘電異方性と強い正の相関がある液晶の閾値電圧
を便宜的に用いる事ができる。また経時変化の良否の判
断基準として初期値の１．５倍程度をボーダーラインと
すると、本実施例より、閾値電圧が２ボルトの液晶（Ｓ
Ｓ−４３５６）では酸化けい素膜が無くとも問題はな
い。また閾値電圧が１．４７ボルトの液晶（ＲＤＰ−２
１１４６）では酸化けい素膜厚の合計が０．５μｍ以上
であれば問題ない。さらに閾値電圧が１．６ボルトの液
晶（ＲＤＰ−４０４９０）では酸化けい素膜厚の合計が
０．３μｍ以上であれば経時変化がちょうど１．５倍に
なる。しかしボーダーラインであるので、酸化けい素膜
厚が０．３μｍの場合、閾値電圧はＳＳ−４３５６とＲ
ＤＰ−４０４９０の中間である１．８ボルトであれば問
題ないと思われる。
【００３１】〔実施例２〕本実施例ではポリカーボネー
トフィルムを基材とする厚さ約１３０μｍのプラスチッ
ク基板を用い、まずその表面にスパッタリングにより、
まず酸化けい素膜を形成した。形成した酸化けい素膜厚
は０．１μm、０．２μm、０．４μm、の３種類の基板
を作成した。これらの基板および酸化けい素膜を形成し
なかった基板の全てに透明導電膜としてＩＴＯを０．０
５μｍの厚さに形成した。形成時の基板温度はいずれも
約８０℃に設定した。このＩＴＯをフォトリソグラフに
より所定の表示パターンにパターニングした後、これら
の基板の一部にスパッタリングにより、その表面に酸化
けい素膜を形成した。酸化ケイ素の厚みはいずれも０．
１μmとした。このようにして図6に示したような６種類
の構成のＰＬＣ用プラスチック基板を用意した。
トフィルムを基材とする厚さ約１３０μｍのプラスチッ
ク基板を用い、まずその表面にスパッタリングにより、
まず酸化けい素膜を形成した。形成した酸化けい素膜厚
は０．１μm、０．２μm、０．４μm、の３種類の基板
を作成した。これらの基板および酸化けい素膜を形成し
なかった基板の全てに透明導電膜としてＩＴＯを０．０
５μｍの厚さに形成した。形成時の基板温度はいずれも
約８０℃に設定した。このＩＴＯをフォトリソグラフに
より所定の表示パターンにパターニングした後、これら
の基板の一部にスパッタリングにより、その表面に酸化
けい素膜を形成した。酸化ケイ素の厚みはいずれも０．
１μmとした。このようにして図6に示したような６種類
の構成のＰＬＣ用プラスチック基板を用意した。
【００３２】次に図6に示した基板Ｈ〜Ｍを用いて評価
用のＳＴＮ方式の液晶セルを作成した。これらのセルに
注入した液晶は図4に示した３種類である。
用のＳＴＮ方式の液晶セルを作成した。これらのセルに
注入した液晶は図4に示した３種類である。
【００３３】これらのセルの初期電流値を測定した後、
９０℃の恒温槽に放置した。１０００時間後の電流値と
初期値の比の平均値を図7に示した。図7より基板の構成
と液晶材料により電流値の経時変化に大きな差がでる事
がわかる。
９０℃の恒温槽に放置した。１０００時間後の電流値と
初期値の比の平均値を図7に示した。図7より基板の構成
と液晶材料により電流値の経時変化に大きな差がでる事
がわかる。
【００３４】電流値の経時変化の許容範囲を９０℃×１
０００時間で初期値の1.5倍以内という基準で図7の結果
を判断すると、次のようになる。
０００時間で初期値の1.5倍以内という基準で図7の結果
を判断すると、次のようになる。
【００３５】 ＳＳ−４３５６ ：いずれの条件でも問題ない。
【００３６】 ＲＤＰ−４０４９０：Ｌ、Ｍの条件では問題ない。
【００３７】 ＲＤＰ−２１１４６：Ｍの条件なら問題ない。
【００３８】このように本実施例においての電流値の経
時変化は液晶材料および酸化けい素膜の膜厚により差が
でる。
時変化は液晶材料および酸化けい素膜の膜厚により差が
でる。
【００３９】本実施例においても、閾値電圧が２ボルト
の液晶（ＳＳ−４３５６）では酸化けい素膜が無くとも
問題はない。また閾値電圧が１．４７ボルトの液晶（Ｒ
ＤＰ−２１１４６）では酸化けい素膜厚の合計が０．５
μｍ以上であれば問題ない。さらに閾値電圧が１．６ボ
ルトの液晶（ＲＤＰ−４０４９０）では酸化けい素膜厚
の合計が０．３μｍ以上であれば問題ない。
の液晶（ＳＳ−４３５６）では酸化けい素膜が無くとも
問題はない。また閾値電圧が１．４７ボルトの液晶（Ｒ
ＤＰ−２１１４６）では酸化けい素膜厚の合計が０．５
μｍ以上であれば問題ない。さらに閾値電圧が１．６ボ
ルトの液晶（ＲＤＰ−４０４９０）では酸化けい素膜厚
の合計が０．３μｍ以上であれば問題ない。
【００４０】〔実施例３〕図4に示した液晶よりもさら
に閾値電圧が低い液晶を用いた時にどうなるかを調べる
ため、図8に示したように閾値電圧１．３ボルトの液晶
材料を用いたＰＬＣテストセルを作成し、実施例１、２
と同様に電流値の経時変化を調べた。なお使用した無機
膜は実施例１、２と同様、酸化けい素のスパッタ膜であ
る。
に閾値電圧が低い液晶を用いた時にどうなるかを調べる
ため、図8に示したように閾値電圧１．３ボルトの液晶
材料を用いたＰＬＣテストセルを作成し、実施例１、２
と同様に電流値の経時変化を調べた。なお使用した無機
膜は実施例１、２と同様、酸化けい素のスパッタ膜であ
る。
【００４１】その結果電流値の変化は初期値の１．２倍
であった。これより閾値電圧が１．３ボルトとかなり低
くても酸化けい素層が０．５μmあれば電流値の上昇は
押さえられる事がわかった。
であった。これより閾値電圧が１．３ボルトとかなり低
くても酸化けい素層が０．５μmあれば電流値の上昇は
押さえられる事がわかった。
【００４２】実施例１〜３より明らかなように、電流値
の経時変化は液晶材料の閾値電圧と酸化けい素膜の膜厚
に大きく依存する。実施例では酸化けい素膜のみを示し
たが、原理的に考えると有機不純物が液晶層に溶出する
事を防止できる膜であれば何でもよい事は明らかであ
る。具体的には、例えば窒化けい素、酸化チタン等の無
機膜であれば同様の効果がある。またこれらの膜のうち
複数の膜を用いる事も可能である。
の経時変化は液晶材料の閾値電圧と酸化けい素膜の膜厚
に大きく依存する。実施例では酸化けい素膜のみを示し
たが、原理的に考えると有機不純物が液晶層に溶出する
事を防止できる膜であれば何でもよい事は明らかであ
る。具体的には、例えば窒化けい素、酸化チタン等の無
機膜であれば同様の効果がある。またこれらの膜のうち
複数の膜を用いる事も可能である。
【００４３】実施例１〜３を総合的に考慮すると、無機
膜の厚みが０．３μmあれば少なくとも閾値電圧１．８
ボルト程度の液晶の電流値上昇は防止できる。また、
０．５μmあれば、閾値電圧１．５ボルト以下の液晶で
あっても電流値上昇は防止できる。
膜の厚みが０．３μmあれば少なくとも閾値電圧１．８
ボルト程度の液晶の電流値上昇は防止できる。また、
０．５μmあれば、閾値電圧１．５ボルト以下の液晶で
あっても電流値上昇は防止できる。
【００４４】〔実施例４〕図3に示した基板Ｆを用い、
ＳＴＮ方式の液晶パネルを作成した。用いた液晶材料
は、ＲＤＰ−２１１４６である。この液晶パネルをヒー
トシールを用い駆動回路と結線、実装し、液晶表示装置
を作成した。駆動は、デューティ比１６分の１、駆動電
圧は約４．８ボルトに設定した。この液晶表示装置を、
元々ガラス基板を使用した液晶パネルを使った表示装置
を用いていた携帯電話に組み込んだ。この携帯電話の本
来の駆動電圧も約４．８ボルトであるので駆動回路に全
く変更を加える事なく良好な表示を行う事ができた。こ
の携帯電話はガラス基板を用いた液晶表示装置を組み込
んだ状態より約２．５グラム軽くなった。またこの電話
を意図的に固い床に落としショックを加えても液晶パネ
ルが破壊する事はなかった。
ＳＴＮ方式の液晶パネルを作成した。用いた液晶材料
は、ＲＤＰ−２１１４６である。この液晶パネルをヒー
トシールを用い駆動回路と結線、実装し、液晶表示装置
を作成した。駆動は、デューティ比１６分の１、駆動電
圧は約４．８ボルトに設定した。この液晶表示装置を、
元々ガラス基板を使用した液晶パネルを使った表示装置
を用いていた携帯電話に組み込んだ。この携帯電話の本
来の駆動電圧も約４．８ボルトであるので駆動回路に全
く変更を加える事なく良好な表示を行う事ができた。こ
の携帯電話はガラス基板を用いた液晶表示装置を組み込
んだ状態より約２．５グラム軽くなった。またこの電話
を意図的に固い床に落としショックを加えても液晶パネ
ルが破壊する事はなかった。
【００４５】このように本発明に基づく液晶表示装置を
用いた電子機器、特に携帯電話のような携帯用の電子機
器は、ガラス基板を用いた液晶表示装置を用いた時と同
様良好な表示ができ、また本発明により信頼性的にも何
ら遜色のないものとなった。それだけでなく、ガラス基
板を用いたこれまでの液晶表示装置をを搭載した時より
軽量化でき、落下時のようなショックを与えても液晶表
示装置が破壊するような事もなくなった。
用いた電子機器、特に携帯電話のような携帯用の電子機
器は、ガラス基板を用いた液晶表示装置を用いた時と同
様良好な表示ができ、また本発明により信頼性的にも何
ら遜色のないものとなった。それだけでなく、ガラス基
板を用いたこれまでの液晶表示装置をを搭載した時より
軽量化でき、落下時のようなショックを与えても液晶表
示装置が破壊するような事もなくなった。
【００４６】
【発明の効果】本発明によって、ＰＬＣにおいて発生す
る電流値の経時変化を防止し、信頼性の高い液晶素子を
実現する事ができる。また本発明による液晶表示装置を
搭載した携帯用電子機器はガラス基板を使用した従来の
液晶表示装置を用いた場合よりも軽量化され、落下時の
表示装置の破壊という問題もなくなった。
る電流値の経時変化を防止し、信頼性の高い液晶素子を
実現する事ができる。また本発明による液晶表示装置を
搭載した携帯用電子機器はガラス基板を使用した従来の
液晶表示装置を用いた場合よりも軽量化され、落下時の
表示装置の破壊という問題もなくなった。
【図１】従来の構成のＰＬＣの断面構造図。
【図２】本発明の構成のＰＬＣの断面構造図。
【図３】実施例１で使用した基板構造の説明図。
【図４】実施例１、実施例２で使用した液晶材料の説明
図。
図。
【図５】実施例１の電流値経時変化結果の一覧図。
【図６】実施例２で使用した基板構造の説明図。
【図７】実施例２の電流値経時変化結果の一覧図。
【図８】実施例３で使用したセルの諸条件の説明図。
１．プラスチック基板 ２．ガスバリア層 ３．ＩＴＯ膜 ４．配向膜 ５．シール部 ６．液晶層 ７Ａ．プラスチック基板（第１の基板） ７Ｂ．プラスチック基板（第２の基板） ８Ａ．アンダーコート膜（第１の無機膜） ８Ｂ．アンダーコート膜（第３の無機膜） ９． ＩＴＯ膜 １０Ａ．オーバーコート膜（第２の無機膜） １０Ｂ．オーバーコート膜（第４の無機膜） １１．配向膜 １２．シール部 １３．液晶層
Claims (8)
- 【請求項１】高分子基材である第１の基板と、前記第１
の基板と対向配置した第２の基板と、前記第１の基板と
前記第２の基板との間に配置した液晶層とを有し、 前記第１の基板の面のうち前記液晶層側の面には、０．
３μｍ以上の厚みを有する第１の無機層が形成されてい
ることを特徴とする液晶素子。 - 【請求項２】請求項１に記載の液晶素子であって、 前記第１の無機層は、前記第１の基板上に形成した第１
の無機膜と、前記第１の無機層上に形成した導電層上に
形成した第２の無機膜と、を含み、前記第１の無機膜と
第２の無機膜との厚みの合計が０．３μｍ以上であるこ
とを特徴とする液晶素子。 - 【請求項３】請求項１又は２に記載の液晶素子であっ
て、 前記第２の基板は高分子基材であり、前記第２の基板の
面のうち前記液晶層側の面には、０．３μｍ以上の厚み
を有する第２の無機層が形成されていることを特徴とす
る液晶素子。 - 【請求項４】請求項３に記載の液晶素子であって、 前記第２の無機層は、前記第２の基板上に形成した第３
の無機膜と、前記第２の無機層上に形成した導電層上に
形成した第４の無機膜と、を含み、前記第１の無機膜と
第２の無機膜との厚みの合計が０．３μｍ以上であるこ
とを特徴とする液晶素子。 - 【請求項５】請求項１乃至４に記載の液晶素子であっ
て、 前記液晶層には、その閾値電圧が少なくとも１．８ボル
ト以下のスーパーツイストネマチック方式（ＳＴＮ）対
応の液晶材料が用いられていることを特徴とする液晶素
子。 - 【請求項６】請求項１乃至５に記載の液晶素子であっ
て、 前記第１の無機膜、前記第２の無機膜、前記第３の無機
膜又は前記第４の無機膜は、酸化けい素、窒化シリコン
及び酸化チタンから選ばれる材料からなることを特徴と
する液晶素子。 - 【請求項７】高分子基材である第１の基板と、前記第１
の基板と対向配置した第２の基板と、前記第１の基板と
前記第２の基板との間に配置した液晶層とを有し、 前記第１の基板の面のうち前記液晶層側の面には、前記
第１の基板から前記液晶層に不純物が溶け出すのを防ぐ
ために設けた第１の無機層が形成されていることを特徴
とする液晶素子。 - 【請求項８】請求項１乃至７記載の液晶素子を用いた事
を特徴とする携帯用電子機器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9778597A JPH10288773A (ja) | 1997-04-15 | 1997-04-15 | 液晶素子およびそれを用いた携帯用電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9778597A JPH10288773A (ja) | 1997-04-15 | 1997-04-15 | 液晶素子およびそれを用いた携帯用電子機器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10288773A true JPH10288773A (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=14201478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9778597A Withdrawn JPH10288773A (ja) | 1997-04-15 | 1997-04-15 | 液晶素子およびそれを用いた携帯用電子機器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10288773A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010237712A (ja) * | 2003-03-07 | 2010-10-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置及びその作製方法 |
-
1997
- 1997-04-15 JP JP9778597A patent/JPH10288773A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010237712A (ja) * | 2003-03-07 | 2010-10-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置及びその作製方法 |
| US8634050B2 (en) | 2003-03-07 | 2014-01-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040706 |