TWI342473B - Ozone system and method for multi-chamber tools - Google Patents

Ozone system and method for multi-chamber tools Download PDF

Info

Publication number
TWI342473B
TWI342473B TW95124937A TW95124937A TWI342473B TW I342473 B TWI342473 B TW I342473B TW 95124937 A TW95124937 A TW 95124937A TW 95124937 A TW95124937 A TW 95124937A TW I342473 B TWI342473 B TW I342473B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
ozone
controller
concentration
gas
event
Prior art date
Application number
TW95124937A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200712817A (en
Inventor
Vitaly J Berkman
Thomas J Ryan
Original Assignee
Mks Instr Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=37198817&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=TWI342473(B) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Mks Instr Inc filed Critical Mks Instr Inc
Publication of TW200712817A publication Critical patent/TW200712817A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI342473B publication Critical patent/TWI342473B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B13/00—Oxygen; Ozone; Oxides or hydroxides in general
    • C01B13/10—Preparation of ozone
    • C01B13/11—Preparation of ozone by electric discharge
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D11/00—Control of flow ratio
    • G05D11/02—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material
    • G05D11/13—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means
    • G05D11/135—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means by sensing at least one property of the mixture
    • G05D11/138—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means by sensing at least one property of the mixture by sensing the concentration of the mixture, e.g. measuring pH value
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2201/00—Preparation of ozone by electrical discharge
    • C01B2201/40—Preparation of ozone by electrical discharge using several dischargers in series
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2201/00—Preparation of ozone by electrical discharge
    • C01B2201/60—Feed streams for electrical dischargers
    • C01B2201/64—Oxygen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2201/00—Preparation of ozone by electrical discharge
    • C01B2201/90—Control of the process
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/0318—Processes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
  • Control Of Non-Electrical Variables (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Flow Control (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

1342473 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明一般而言係關於稀薄氣體輸送系統，諸如臭氧輸 送系統。詳言之，本發明係關於在多腔室器具之稀薄氣體 輸送系統中將所輸送氣體濃度維持於一所需水平。 【先前技術】
臭氧可用於多種半導體處理系統。舉例而言，臭氧可用 於藉由在晶圓上生長絕緣薄膜或藉由氧化薄膜在半導體晶 圓上形成絕緣層。臭氧亦可用於在沈積裝置元件之前半導 體晶圓之表面調整。臭氧在半導體處理中之另一應用為用 於清潔半導體晶圓及半導體設備之處理腔室。臭氧尤其可 用於自半導體晶圓之表面或自處理腔室移除烴。 臭氧在半導體處理中之用途使得對臭氧產生設備之需求 增加。對於半導體處理應用而言，輸送至處理腔室之臭氧 以及其他氣體須很純以使所輸送氣體將污染物不引入至該 處理中。些臭氧產生器要求使用諸如氮氣或二氧化碳之 十月性摻雜氣體以將臭氧濃度增至可接受之水平。 為提尚生產力，半導體處理器具通常可利用多個腔室。 雖然使用一單一臭氧產生器以將臭氧饋入一器具之多於— 個腔室中以降低設備及操作成本是有利的，但由於在—腔 至起始或中斷過程令出現困難，習知系統使用一專用臭氧 產生器用於各處理腔室。舉例而言，經20秒或更長之時間 間隔半導體處理中所需漢度水平之大幅增加或減少可對半 導體裝置品質具有災難性影響。當一個臭氧產生器用於服 H2S38.doc 1342473 務多個腔室時，習知控制系統通常具有30秒或更長之反應 或安定時間。見例如圖1，其展示PID控制器之典型回應時 間’其中安定時間為約70秒以達到對於1 〇 slm之流動速率 所需之300 g/m3之濃度。結果，在3〇秒安定時間内腔室中 之濃度水平不同於所需水平，由此導致功能折衷之半導體 產品。 【發明内容】 通常’本發明特徵在於當起始或中斷至一腔室之流動時
該等方法及系統將輸送至一處理器具之一或多個腔室之氣 體（諸如臭氧）維持於一大體上恆定之濃度。使一腔室在線 或中斷至一腔室之流動稱作一 EVENT。因此，在—包括一 多腔室态具之系統中，一 EVENT發生於當啟動一腔室 時或（2)當中斷至-腔室之流動時。臭氧在本文中用作一代 表物質’雖然使用本文所述之方法及线可控制其他氣體 或其他稀薄氣體之產生。在多個實施例中，本發明之方法
及系統可使系統設計簡單化，降低固定設備成本，提高所 生產之產品的可靠性及品質，改良維持一臭氧漢度之動態 回應及精確度，減少氧氣的消耗，且將臭氧之過量產生 至最低。
在一態樣中，本發明係關於—種用於控制臭氧之流量及 系，统。該系統包括一臭氧產生器、—流量感應器、 制器一濃度感應器及一第二控制器。該系統之 與一㈣Γ包括—可連接至―氣體源（諸如，氧氣或氧氣 、“礼體之組合物)之可調氣體輸入端、一可調功率 112838.doc 1342473
輸入端及一可連接至複數個處理腔室之氣體輸出端。複數 個處理腔室之各者經設置以當該腔室啟動時允許一預定流 動速率通過。該系統之流量感應器用於量測通過該複數個 處理腔室之總流動速率。該第一控制器與該流量感應器及 該臭氧產生器連通。第一控制器用於藉由將總流動速率與 預定流動速率比較來確定發生一 EVENT。第一控制器接著 根據EVENT發生時儲存於查詢表中之資料來調節臭氧產生 器之可調功率輸入。該濃度感應器用於量測臭氧產生器之 氣體輸出端中之臭氧的濃度水平。該第二控制器與濃度感 應器及臭氡產生器連通。第二控制器用於在EVENT發生之 後在一給定時間調節可調功率輸入。
作為使用第一及第二控制器之結果，本發明之一實施例 中之系統在一或多個EVENT發生期間及之後能以一所需水 平將臭氧輸送至多個腔室。實際上，胃第一控制器能偵測 EVENT發生且能根據儲存於查詢表中之值向臭氧產生器提 供指令以提高或降低功率。在偵測到一 EVENT之後該等指 令幾乎立即提供給臭氧產生器，使得具有9秒安定時間之 臭氧產生器可用於在偵測到E v Ε Ν τ之後約i 〇秒内將適當濃 度輸送至-或多個腔室中。提供本發明之第二控制器以不 斷更新查詢表中之資料且在EVENT之後維持所需之漢度 值：第一控制器通常為一能隨時間提供比一較簡單運算控 心（如第_控制器）更精確及更穩定之臭氧丨農度控制的 PID控制益。然而’第二控制器具有更長之安定時間，相 Ο於30移左右’且結果’第二控制器在Εν，發生期間自 I12838.doc 1342473 系統掩蔽，使得第-控制器可提供處理條件 變化。 本發明之該態樣可包括-或多個下列㈣。在⑽Μ
-實施例中，在EVENT發生之後(此時第二控制器用於調 郎可調功率輸入)之給定時間等於或大於第二控制器(如 PID控制器）之安料間。在特定實施例中，第二控制器更 新健存於查詢表中之資料以反映臭氧產生器目前的操作條 件。該系統亦可包括一連接至臭氧產生器之閉路屋力控制 器以在腔室運轉時幫助避免極端流量波動。在本發明之該 態樣之一些實施例中，可調氣體輸入端包括至少一質量^ 量控制器。在其他實施例中’可調氣體輸入端包括至少— 質置流量,t。該可調氣體輸入端亦可包括一用於控制一氧 氣源與一運載摻雜物之氣體之間之濃度比的比率控制裝 置。在-些實施例中’ 1¾系統之第—控制器具有大於預定 流動速率之50。/。的讀取範圍，意即，第一控制器可在觀察
到總流動速率提高或降低大於一單一腔室之預定流動速率 之50%的值時偵測一 event。
中所需之快速 在另一態樣中，本發明係關於一種控制一稀薄氣體（諸 如藉由氧氣在臭氧產生器中反應形成之臭氡，或使用一遠 端電漿源經由離解形成之氬氣/氮氣之氣態混合物）之流量 及濃度的方法。該方法包括（a)以一濃度將稀薄氣體流引入 第腔至中’（b)將該稀薄氣體流引入一第二腔室；及 (c)使用一預定值調節該稀薄氣體之產生使得該第一腔室中 稀薄氣體之濃度大體上保持不變且該第二腔室在一時間間 112838.doc 1342473 隔之後接收大體上與輸送至第一腔室之濃度大體上相同之 濃度’該時間間隔小於約15秒。在一些實施例中 間隔小於約1 〇秒。 =發:月之㈣樣之-些實施例中，使用-預測控制演 y A確疋預疋值。舉例而·r，當該方法用於控制自—臭 乳產生器之臭氧產生時’該預測控制演算法可包括利用一 對應於臭氧之特仏農度所需之臭氧流動速率之已知功率設 置的查詢表。 x
在另二樣中本發明之特徵在於一種控制臭氧之流量 及濃度的方法。該方法包括⑷以一濃度將
第-⑻將該臭氧流引入一第二腔室；(二: 至臭乳產±器之功率位m變臭氧產生之速率以在一 時間間隔之後將該第二腔室之臭氧濃度維持在與該第一腔 室之臭氧濃度大趙上相同之值；⑷在記憶體中料所輸送 之功率位準；及（e)在隨後調節過程中使用該功率位準作為 ，考。在-些實施例中，—旦漠度水平穩U統控制 ι§就將所輸送之功率值儲存於其記憶體中以為隨後之氣流 變化循環提供-自學參考。該特徵允許該方法補償臭氧產 生器使用期内臭氧產生器效能之任何變化。舉例而言，臭 氧產生器效能可因臭氧產生器之冷卻、功率波動、系統變 熱及隨時間老化產生之不一致而改變。結果，藉由併入一 可根據臭氧產生器之新近效能更新查詢表中所儲存之值的 控制器，該系統可補償臭氧產生器效能的變化。 在另一態樣中，本發明特徵在於一種控制一包括複數個 112838.doc -10· 處理腔室之系統中臭氧之流量及漠度的方法。該方法包括 預測控制演算法在_ EVENT發生期間控制一臭 氧產生器中臭氣之甚+ , 產生’（b)使用pid控制器在該EVENT發 後控制臭.氧產生器中臭氧之產生且更新用於該預測 ㈣演算法之資料。在本發明之該態樣中，該預測控制演 舁法包括⑷自臭氧總流量之量測確定複數個腔室之一者之 啟動事件；⑻選擇對應於該活化事件之功率輸出設置·及 ()·臭氧產生器之功率調為所選擇之功率輸出設置。 【實施方式】 圖2展示與一多腔室半導體處理器具ι5組合使用之示 範性臭氧輸送系統10。所示之多腔室處理器具15包括六個 腔室17 ’各與一專用流量控制器18流體連接；然而，該多 腔室器具15可包括任何數目之腔室（例如2、3、4、5、7 等）。該多腔室處理器具15亦可包括一臭氧毀滅單元19, 其可在非處理間隔期間（諸如在輸送系統丨〇變熱或關閉期 間）開啟以接受臭氧。 臭氧輸送系統10包括一具有一第一濃度控制器25及一第 二濃度控制器30之臭氧產生器20。第一及第二濃度控制器 25及30供給該臭氧輸送系統1 〇在啟動及中斷臭氧流入器兵 1 5之腔室期間及之後使多個腔室1 7中維持所需之臭氧濃产 之月b力。作為組合使用第一控制器2 5與第二控制器3 〇之妹 果’高品質半導體產品可在多腔室處理器具15中處理而不 需使用專用臭氧產生器用於六個腔室17之各者。 在一些實施例中，輸送系統10所用之臭氧產生器2〇為— 112838.doc 1342473 購自 MKS Instruments, Inc. (Wilmington，ΜΑ)之AX8550臭 氧產生器。在其他實施例中，臭氧產生器2〇為購自mks Instruments’ inc.之 SEM〇z〇N@ Αχ84〇〇系列臭氧產生器， ·· 其具有一共用或獨立雙通道氣流控制之選擇。此外，在一 些實施例中，未展示，臭氧輸送系統10包括兩個或多個一 起工作的臭氧產生器20以就地產生臭氧氣體。只要臭氧產 生益20將氣體輸送至所連接之多腔室器具15之多於一個腔 至17時，本發明之臭氧輸送系統可包括一或多個臭氧產 ® 生20。意即’臭氧輸送系統1〇並非包括一用於所連接之 多腔室半導體處理器具15之各腔室17的專用臭氧產生器。 臭氧通常可在一臭氧產生器2〇中使用一無聲放電法產 生。簡言之，無聲放電法包括將具有或無少量摻雜氣體之 尚純度氧氣暴露於放電。該放電激發氧分子，將其打斷成 其原子狀態。該等原子重組為臭氧（Ο。與氧氣（〇2)之混合 物，該混合物為一稀薄氣體。臭氧與氧氣之比取決於與輸 送至產生器以引起放電之功率之量組合使用之氧氣的數 量。結果，臭氧產生器20允許氣體及功率之可調輸入以便 能改變及控制臭氧產生。已知之臭氧產生器通常可產生達 約25重量％之臭氧濃度且可實現達5〇標準公升/分鐘（sim) 之流動速率。 參考圖2 ’輸送系統1〇經由流量控制器41及42連接至氣 體源35及40〇該等流量控制器可為質量流量控制器或其他 質量流量計。氣體源35將高純度氧氣輸送至臭氧產生器 2〇。氣體源40用於將諸如氮氣或二氧化碳之摻雜氣體輸送 U2838.doc -12- P42473 至臭氧產生器20。然而，在一些實施例中，氣體源4〇及相 應流量控制器42被取消，以致在臭氧產生期間不使用摻雜 氣體。在一些實施例中，氧氣及/或摻雜氣體可經一壓力 • 控制器（諸如購自 MKS Instruments，Inc. (Wilmington，MA) _· 之640壓力控制器）引入臭氧產生器申。 可將自臭氧產生器20之輸出導入一壓力感應器45中，該 壓力感應器與一經設計以將自臭氧產生器氣體輸出保持於 恆定壓力的壓力控制器50電連通。作為將氣體輸出保持於 籲 悝疋壓力（諸如20至30碎平方英叫·）的結果，在event (意 即，多個腔室之一者之啟動或中斷）期間之極端流量波動 減至最小。壓力控制器50連接至一真空源55，其中該壓力 控制器50之阻抗可用於調節與臭氧產生器2〇之輸入端流體 連接之真空55之開口尺寸。因此，如圖2所示，臭氧產生 器20中產生之輸送臭氧的壓力藉由利用由產生器上游之可 變阻抗的閉路壓力控制來維持，作為包括該閉路壓力控制 系統之結果，可維持一背壓以在一腔室開啟或關閉時幫助 避免過度波動。此允許使用諸如計量閥之簡單且便宜之流 量控制元件且有助於將對於諸如質量流量控制器之高價裝 置而言為典型的流量振盪降至最小。 流量感應器60可用於為第一濃度控制器25提供反饋。流 量感應器60偵測通過與腔室17連接之流量控制器18之各者 的臭氧總流動速率。該總流動速率資料電子傳送至第一濃 度控制器25，該第一濃度控制其使用該資料確定在任何給 定時間開啟之處理腔室17之總數目。意即，笫一濃度控制 112838.doc 13 1342473 其25利用該資料確定EVENT (意即，多腔室器具15之腔室 17之一者的啟動或中斷）之發生。一偵測到發生Event， 使用一預測控制演算法之第一控制器25就藉由檢查相應於 由流量感應器60偵測之總流動速率之所需臭氧濃度的儲存 >、料δ又置來確疋臭氧產生器2〇之適當功率設置。該功率設 置立即傳送至臭氧產生器20,該臭氧產生器通常具有約9 秒之回應時間。作為將資料傳送至產生器之結果，自臭 氧產生器臭氧流在約10至15秒内具有所需濃度水平。 臭氧輸送系統10亦包括一濃度感應器65，其可用於證實 至第二濃度控制器30之反饋。濃度感應器65偵測離開臭氧 產生器2 0之臭氧流（意即，氣趙輸出）令之臭氧濃度。該漢 度k料電子傳送至第二濃度控制器3 〇，該第二濃度控制器 為比例-積分-微分（PID)控制器或其他類型之控制器，其隨 時間提供比一較簡單運算控制器（如第一控制器25)更精確 及更穩定之臭氧濃度控制。然而，第二控制器3〇具有更長 之安定時間’大約30秒左右，且因此在EVENT發生期間自 系統掩蔽’使得第一控制器25可提供處理條件之快速變化 (意即，分級變化）。在EVENT發生期間及直至第二濃度控 制器30達到第一濃度控制器25使用預測控制器演算法所確 定之功率設置為止，第二濃度控制器30自臭氧產生器2〇掩 蔽。第二濃度控制器30自臭氧產生器20掩蔽之時期通常約 等於該第二濃度控制器30之安定時間（例如約3〇秒）。 在EVENT發生及第二濃度控制器30趕上第一濃度控制器 25之時期之後，第二濃度控制器30接替控制臭氧產生器2〇 U2838.doc •14- 1342473 發出k號112以調節臭氧產生器之功率設置。 預測控制演算法1〇〇亦與第二濃度控制器3〇相互作用。 第二濃度控制器30比較115由濃度感應器65所量測之濃户 118與所需之濃度給定值117 (19重量％，自上文所給之實 例）。若所量測之濃度低於或高於所需濃度，則第二濃度 控制器接著發送一信號119以相應地調節臭氧產生器之功
率設置。然而，由於第二濃度控制器3〇之安定時間大於第 一濃度控制器25，相較於第一濃度控制器25，根據第二濃 度控制器30之功率設置值在分級變化期間將延遲。結果， 自第二濃度控制器發出之功率設置119經由一功率輪出控 制傳送演算法125掩蔽。在分級變化期間，該功率輸出控 制演算法通常阻止信號傳輸以調節自第二濃度控制器扣之 功率》又置直至自第一濃度控制器30發送之功率輸出信號 119大體上等於自第一濃度控制器25發送之功率設置η〗。 在該時，第二濃度控制器3〇接替控制臭氧產生器2〇。 為補償臭氧產生器功率效能之變化，在使用過程中可更 新储存於查詢表U0中之值。舉例而言，纟第二濃度控制 器30接替臭氧產生器2〇之功率控制125之後在一定時期 中’可儲存該特定n_級之新功率值，以便其可在隨後之
event期間使用。由於第：漠度控制器3q之良好調整能 力可確疋臭氧產生器20之功率效能的變化。因此，第 -濃度控制器3G可藉由相應調節功率設置來對該等變化作 出反應。特定η·級之該等經調節功率設置接著傳送至 查詢表U0以在隨後特定η·水平升高或下降期間使用。 H2838.doc 1342473 參考圖5，其展示將臭氧輸送至多腔室器具15中之輸送 系統10之效能。該實例中所用之流量控制器18為計量閥， 其已預設4 slm之流動速率。在一流量結果圖表200令各升 高（意即，4 slm之各增加）反映使一腔室在線，同時各降低 (意即4 slm之各降低）反映中斷至一腔室之流動。各分級表 示一單一 EVENT »第一濃度控制器25能藉由以預設流動速 率（如，4 slm)除通過流量控制器18之總流量來確定n(在一 給定時間啟動之腔室17的數目）從而將各分級彼此區分 開。在一些實施例中，第一濃度控制器25能藉由一完整η 值來偵測EVENT發生而無需等到流動速率增加或降低。實 際上’第一濃度控制器25可經設置以藉由觀察等於或大於 每分級之預設流動速率之50%之增加或降低來偵測 EVENT。意即，對於4 slm之預設流動速率，任何大於2 slm之流動速率的變化將觸發第一濃度控制器25偵測出 EVENT 〇 圖5亦展示對應於流量結果200之濃度結果210之圖表。 如圖表2 10所示，臭氧濃度在整個EVENT期間大體上保持 怪定。濃度穩定性在各EVENT上處於1與1〇 g/m3之間。濃 度之各尖頭或下降反映EVENT發生時之安定時間。在本發 明之不同實施例中，安定時間可在1秒與丨5秒之間。在圖6 中’展示了圖5中所示之第一個5分鐘時間的放大圖，安定 時間為約5秒。視先前使用之臭氧產生器20而定，自冷啟 動（意即啟動至第一腔室之流動）之安定時間可在1 5秒與約 100秒之間。在圖6中，自冷啟動之安定時間為約9〇秒。 H2838.doc • 18- 1342473 參考圖7，其展示將臭氧傳輸至根據另一實施例之多腔 室器具15之輸送系統1 〇的效能。該實施例中所用之流量控 制器18為質量流量控制器，其已預設4 sim之流動速率。 不同於以上實施例所述之計量閥，質量流量控制器具有其 . 自身之相關安定時間。因此，質量流量控制器18增加了各 EVENT之安定時間之量。相較於圖6中之5秒之安定時間， 圖7所示之安定時間220特定為約10秒。 雖然本發明已參考特定實施例特別展示及描述，但熟習 # 此項技術者應理解，在不偏離申請專利範圍所定義之本發 明之精神及範疇的情況下，可進行多種形式及細節之改 變。舉例而言，儘管該等方法及系統已根據產生臭氧之實 施例描述，但可能使用產生其他類型之稀薄氣體的本發明 之系統及方法。舉例而言，該等系統及方法可用於將氩氣 與氮氣或氬氣與氧氣之解離混合物輸送至該等腔室。此 外，儘管上述實施例描述預填充相應於已知之臭氧產生器 特徵之資料的查詢表，但可能提供最初包括所有值為零之 查詢表。包括所有零之查詢表可由與第二濃度控制器3〇相 關聯之學習演算法填充。意即’該等零將在輸送系統進行 經由開啟及關閉所有腔室17循環之後被第二濃度控制器 所確定之功率值替代β 【圖式簡單說明】 ’ 圖1為—標準PID控制器之臭氧濃度對時間之圖表。 圖2為一說明一根據本發明之一實施例控制臭氧流之系 統的方塊圖。展示出該系統與氣體源連接且與多腔室處理 112838.doc •19- 1342473 器具連接。 圖3為一說明圖2之系統所用之預測控制演算法之方塊 圖。 圖4為一對於不同流動速率臭氧濃度對一典型臭氧產生 器之產生器功率之圖表。 圖5為一使用圖2所示之系統期間所量測之臭氧濃度及臭 氧流量對時間之圖表。 圖ό為圖5之圖表的放大部分》 圖7為一控制經由一質量流量控制器至一多腔室器具之 一腔室之臭氧流量的系統所量測之臭氧流量對時間的圖 【主要元件符號說明】 10 臭氧輸送系統 15 多腔室半導體處理系統 17 腔室 18 流量控制器 19 臭氧毀滅單元 20 臭氧產生器 25 第一濃度控制器 30 第二濃度控制器 35 氣體源 40 氣體源 41 流量控制器 42 流量控制器 112838.doc 1342473 45 壓力感應器 50 壓力控制器 55 真空源 60 流量感應器 65 濃度感應器 100 預測控制演算法 105 計算 106 量測之總流動速率 107 對於每一階之流動速率之輸入給定值 110 查詢表 112 信號 115 PID控制檢查 117 濃度給定值 118 量測之濃度 119 信號 125 功率輸出控制傳送 130 經調節之功率設置 220 安定時間 112838.doc -21 ·

Claims (1)

1342473 _____ 第095124937號專利申請案 年Η η V 中文申請專利範圍替換本(99年11月） Θ9· _ 十 1. • νΓ 、申請專利範圍： 一種控制臭氧之流量及濃度之系統，該系統包含： 一臭氧產生器，其包括一可連接至一氣體源之可調氣 體輸入端、一可調功率輸入端及一可連接至複數個處理 腔室之氣體輸出端，設置該複數個處理腔室之各者以當 啟動時允許一預定流動速率流過； 一流量感應器，其用於量測通過該複數個處理腔室之 C· 總流動速率； 一第一控制器，其與該流量感應器及該臭氧產生器連 通，該第一控制器用於藉由將總流動速率與該預定流動 速率比較來確定一 EVENT之發生且用於根據該EVENT發 生時儲存於一查詢表中之資料調節該臭氧產生器之可調 功率輸入； 一濃度感應器，其用於量測該臭氧產生器之該氣體輸 出端中之臭氧的濃度水平；及 (· 一第二控制器，其與該濃度感應器及該臭氧產生器連 通，該第二控制器用於在該EVENT發生之後在一給定時 間調節該可調功率輸入。 2. 如請求項1之系統，其中該第二控制器為一比例-積分-微 分（PID)控制器。 3. 4. 如請求項2之系統，其中在該EVENT發生之後之該給定 時間等於或大於該PID控制器之安定時間。 如請求項1之系統，其中該第二控制器更新儲存於該查詢 表中之資料。 112838-991109.doc 替換頁 5·如請求項1之系統，其進〜水 之閉路壓力控制器。 步包含一連接至該臭氧產生器 其中該*^Γ -ktn ^ 調氣體輸入端包含至少 。亥可調氣體輸入端包含至少 6·如請求項1之系統 個 質量流量控制器。 7.如請求項1之系蜱， 個 質i流量計。 8·如請求項1之系統，其 制-氧氣體源與-運裁：°調氣體輸入端包含-用於控 率控制裝置。 *雜物之氣體之間之濃度比的比 9·如請求項1之系統，其中 叙、Φ f '邊第—控制器具有高於該預定、、今 動速率之50%的讀取範圍。 預疋流 1〇. 一種控制’氣流之方法，其包含： 以一濃度將-氣流引入-第-腔室； 將該氣流引入-第二腔室；及 々使用—默值調節該氣體之產生使得該第_腔室中該 孔祖之/農度大體上保持不變且該第二腔室在—時間間隔 之^接收—與輸送至該第—腔室之濃度大體上相同之氣 體?辰度，該時間間隔係小於約15秒。 11. 如請求項10之方法，其中該時間間隔係小於約1〇秒。 12. 如请求項1〇之方法，其中該氣體係在一臭氧產生器 生之臭氧。 ° 13_如請求項12之方法，其進一步包含使用該預定值改變輸 送至該用於產生該臭氧流之該臭氧產生器的功率。 14_如請求項1〇之方法，其進一步包含使用-預測控制演算 U2838-991109.doc 法確定該預定值 年月』修]^換頁 ^-1 15 -種控制—臭氧流之方法，其包含： 以—濃度將一臭氧流引入—第一腔室； 將該臭氧流引入一第二腔室； 調節輸送至一臭負连斗口„ 、產生咨之功率位準以改變臭氧產生 之速率以將該第二腔室中之臭氧濃度在一時間間隔之後 # 維持於與該第__腔室中之臭氧濃度大體上相同之值； 在記憶體中儲存所輸送之功率位準；及 在隨後之調節過程中使用該功率位準作為一參考。 16· 一種控制一包括複數個處理腔室之系統中臭氧流之方 法，其包含： 使用一預測控制演算法控制在一event發生期間一臭 氧產生器中臭氧的產生； 使用一 PID控制器控制在該EVENT發生之後一臭氧產 生器中臬t的產i且更新用於該預測控制演算法之 # 料入 17. 如請求項16之方法，其中該預測控制演算法包含： 自臭氧之總流量確定複數個腔室之一者之啟動事件； 選擇響應該啟動事件之功率輸出設置；及 '' 將一臭氧產生器中之功率調為該選擇之功率輪出設 ，置。 认 18. —種控制在一臭氧產生器中產生之臭氧的流量及濃度之 系統，該系統包含： 一可連接至一氣體源之可調氣體輸入端； 112838-991109.doc 1342473 I年月日修正替換丨 丨…撒二…二——，.」 一可調功率輸入端，用於控制一產生以用於複數個處 理腔室中之臭氧之濃度，該複數個處理腔室之每一者當 啟動時允許一預定流動速率流過； 一流量感應器，其用於量測通過該複數個處理腔室之 總流動速率；
一第一控制器，其與該流量感應器及該可調功率輸入 端連通，該第一控制器用於藉由比較總流動速率與該預 定流動速率來確定一 EVENT之發生且用於根據該EVENT 發生時儲存於一查詢表中之資料來調節該可調功率輸入 € 端； 一濃度感應器，其用於量測所產生臭氧的濃度水平； 及 一第二控制器，其與該濃度感應器及該可調功率輸入 端連通，該第二控制器用於在該EVENT發生之後在一給 定時間來調節該可調功率輸入端。
19. 如請求項18之系統，其中在該EVENT發生之後之該給定 時間等於或大於該第二控制器之安定時間。 20. 如請求項18之系統，其中在該EVENT發生之後之該給定 時間約5至1 5秒。 112838-991109.doc
TW95124937A 2005-07-07 2006-07-07 Ozone system and method for multi-chamber tools TWI342473B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US69780205P 2005-07-07 2005-07-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200712817A TW200712817A (en) 2007-04-01
TWI342473B true TWI342473B (en) 2011-05-21

Family

ID=37198817

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW95124937A TWI342473B (en) 2005-07-07 2006-07-07 Ozone system and method for multi-chamber tools

Country Status (7)

Country Link
US (2) US7892502B2 (zh)
EP (1) EP1899781B1 (zh)
JP (2) JP4954995B2 (zh)
KR (2) KR101255873B1 (zh)
CN (1) CN101243369B (zh)
TW (1) TWI342473B (zh)
WO (1) WO2007008561A2 (zh)

Families Citing this family (297)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5072892B2 (ja) * 2008-04-03 2012-11-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
ITRM20090003A1 (it) * 2009-01-07 2010-07-08 Alessio Benedetti Produttore di ozono da ossigeno puro prelevato da bombole o dewar con immissione in atmosfera per disinfestazioni e disinfezioni ambientali
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) * 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
JP5627027B2 (ja) * 2009-11-26 2014-11-19 東芝三菱電機産業システム株式会社 オゾンガス供給システム
JP5627028B2 (ja) * 2009-11-26 2014-11-19 東芝三菱電機産業システム株式会社 オゾン発生ユニット及びオゾンガス供給システム
US9056300B2 (en) 2009-11-26 2015-06-16 Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation Ozone gas generation unit and ozone gas supply system
EP2505549B1 (en) * 2009-11-26 2017-11-08 Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation Ozone gas supply system
EP2565985A4 (en) 2010-04-07 2013-12-18 Kunjie Zhuang ANTENNA TO MICRORUBANS AND DUAL POLARIZATION
CN102001630A (zh) * 2010-12-28 2011-04-06 南昌航空大学 紫外线臭氧发生器
WO2012127670A1 (ja) 2011-03-24 2012-09-27 東芝三菱電機産業システム株式会社 オゾンガス供給システム
CA2832718C (en) * 2011-04-13 2016-12-13 Mitsubishi Electric Corporation Ozone generation system and method for operating ozone generation system
JP5524201B2 (ja) * 2011-04-13 2014-06-18 東芝三菱電機産業システム株式会社 窒素添加レス・オゾン発生ユニット及びオゾンガス供給システム
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
JP5824062B2 (ja) 2011-10-04 2015-11-25 東芝三菱電機産業システム株式会社 窒素添加レス・オゾン発生ユニット
US8851010B2 (en) * 2011-10-12 2014-10-07 Intermolecular, Inc. Systems and methods for measuring, monitoring and controlling ozone concentration
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
EP2782869A1 (de) * 2011-11-22 2014-10-01 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Verfahren und vorrichtung zur erzeugung eines nicht-thermischen plasmas mit vorherbestimmter ozonkonzentration
US20130270103A1 (en) * 2012-04-17 2013-10-17 Intermolecular Inc. Method Of Enabling And Controlling Ozone Concentration And Flow
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9056262B2 (en) * 2012-11-08 2015-06-16 Mks Instruments, Inc. Pressure-less ozonated Di-water (DIO3) recirculation reclaim system
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
JP2015117156A (ja) * 2013-12-18 2015-06-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及びオゾンガス濃度の異常検出方法
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
JP6370630B2 (ja) * 2014-07-31 2018-08-08 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長装置および気相成長方法
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
JP6354539B2 (ja) * 2014-11-25 2018-07-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、記憶媒体
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
ITUB20154123A1 (it) * 2015-10-06 2017-04-06 Arneg Metodo di comando di un ozonizzatore in banchi frigoriferi per la conservazione ed esposizione di alimenti freschi.
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
WO2018116335A1 (ja) 2016-12-19 2018-06-28 東芝三菱電機産業システム株式会社 ガス発生装置
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
USD876504S1 (en) 2017-04-03 2020-02-25 Asm Ip Holding B.V. Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
JP6884034B2 (ja) * 2017-05-18 2021-06-09 東京エレクトロン株式会社 オゾン用マスフローコントローラの出力検査方法
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
EP3421417A1 (en) 2017-06-30 2019-01-02 SUEZ Groupe Method for controlling an ozone generating machine
EP3422124A1 (en) * 2017-06-30 2019-01-02 SUEZ Groupe Method for controlling an ozone generating machine
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
CN110016657B (zh) * 2018-01-08 2020-06-19 北京北方华创微电子装备有限公司 流量控制方法及装置、反应腔室
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
KR20200108016A (ko) 2018-01-19 2020-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
EP3671194B1 (en) * 2018-12-21 2022-06-29 Sciosense B.V. Sensor operable to measure ozone concentration and a method for using a sensor
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
CN111593319B (zh) 2019-02-20 2023-05-30 Asm Ip私人控股有限公司 用于填充在衬底表面内形成的凹部的循环沉积方法和设备
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
US20200289693A1 (en) * 2019-03-13 2020-09-17 Haier Us Appliance Solutions, Inc. System and method for detecting and removing odor and bacteria from a sealed volume of an appliance using ozone
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
CN110745783A (zh) * 2019-10-25 2020-02-04 徐州金源臭氧设备有限公司高新区分公司 一种臭氧发生器调节装置
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
WO2021108739A1 (en) 2019-11-27 2021-06-03 Diversified Fluid Solutions, Llc On-demand in-line-blending and supply of chemicals
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
TW202129068A (zh) 2020-01-20 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 形成薄膜之方法及修飾薄膜表面之方法
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
JP7187124B2 (ja) * 2020-03-12 2022-12-12 東芝三菱電機産業システム株式会社 ガス生成方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220006455A (ko) 2020-07-08 2022-01-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
JP7426489B2 (ja) 2020-08-04 2024-02-01 住友精密工業株式会社 オゾン発生装置
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3549528A (en) 1964-04-23 1970-12-22 Edward T Armstrong Ozone sterilization process
US3763877A (en) 1971-11-12 1973-10-09 Thermo Electron Corp Fluid flow control system
JPS55136103A (en) * 1979-04-11 1980-10-23 Toshiba Corp Ozone yield controlling method
US4379402A (en) 1981-01-22 1983-04-12 Beckman Instruments, Inc. Gas analysis instrument having flow rate compensation
AT393701B (de) 1989-12-22 1991-12-10 Schmidding Wilh Gmbh & Co Verfahren zum bleichen von cellulosehaeltigen materialien sowie anlage zur durchfuehrung des verfahrens
US5151250A (en) 1990-03-21 1992-09-29 Conrad Richard H Automatic purge method for ozone generators
US5069880A (en) 1990-05-07 1991-12-03 Karlson Eskil L Ozone sterilizer
JPH0487245A (ja) 1990-07-27 1992-03-19 Agency Of Ind Science & Technol オゾンビーム発生装置
US5370846A (en) 1990-10-26 1994-12-06 Sumitomo Precision Products Co., Ltd. Apparatus and method for generating high concentration ozone
US5106589A (en) 1990-12-11 1992-04-21 Conrad Richard H Method of controlling ozone generator
JPH04261020A (ja) * 1991-01-07 1992-09-17 Mitsubishi Electric Corp 化学気相成長装置
US5364505A (en) 1992-12-07 1994-11-15 Kamyr, Inc. Pressurized ozone pulp delignification reactor and a compressor for supplying ozone to the reactor
US5540898A (en) * 1995-05-26 1996-07-30 Vasogen Inc. Ozone generator with in-line ozone sensor
JPH091168A (ja) * 1995-06-20 1997-01-07 Meidensha Corp オゾン処理における制御装置
JPH09168787A (ja) * 1995-12-20 1997-06-30 Tokico Ltd オゾン水生成装置
JP3980091B2 (ja) 1996-03-01 2007-09-19 三菱電機株式会社 オゾン貯蔵装置
JPH10116105A (ja) 1996-10-11 1998-05-06 Tokyo Electric Power Co Inc:The 一般化予測制御システム及び脱硝制御装置
US5904170A (en) 1997-05-14 1999-05-18 Applied Materials, Inc. Pressure flow and concentration control of oxygen/ozone gas mixtures
US5826632A (en) * 1997-05-30 1998-10-27 The Boc Group, Inc. Dynamic gas cylinder filling process
JPH1143309A (ja) 1997-07-24 1999-02-16 Mitsubishi Electric Corp オゾン製造装置
JP3999059B2 (ja) 2002-06-26 2007-10-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板処理方法
JP4093462B2 (ja) 2002-10-09 2008-06-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
US6917885B2 (en) * 2003-06-06 2005-07-12 Steris Inc. Method and apparatus for formulating and controlling chemical concentration in a gas mixture
JP4085043B2 (ja) 2003-10-22 2008-04-30 住友精密工業株式会社 発生オゾンの安定制御方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4954995B2 (ja) 2012-06-20
JP2009500855A (ja) 2009-01-08
KR20080027919A (ko) 2008-03-28
WO2007008561A3 (en) 2007-02-15
EP1899781A2 (en) 2008-03-19
US8480862B2 (en) 2013-07-09
EP1899781B1 (en) 2014-09-03
US20070020160A1 (en) 2007-01-25
CN101243369A (zh) 2008-08-13
US20110108122A1 (en) 2011-05-12
KR20130007667A (ko) 2013-01-18
US7892502B2 (en) 2011-02-22
TW200712817A (en) 2007-04-01
KR101255873B1 (ko) 2013-04-17
CN101243369B (zh) 2010-12-15
WO2007008561A2 (en) 2007-01-18
JP5770650B2 (ja) 2015-08-26
JP2012146987A (ja) 2012-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI342473B (en) Ozone system and method for multi-chamber tools
JP3830670B2 (ja) 半導体製造装置
TWI525734B (zh) And a raw material gas supply device for a semiconductor manufacturing apparatus
JP6135475B2 (ja) ガス供給装置、成膜装置、ガス供給方法及び記憶媒体
US10385457B2 (en) Raw material gas supply apparatus, raw material gas supply method and storage medium
KR20100083721A (ko) 액상 전구체의 유동과 농도를 제어하는 방법
JP2016040402A (ja) 原料ガス供給装置
WO2004040630A1 (ja) 半導体デバイスの製造方法及び基板処理装置
JP2008190037A (ja) ソースガス供給装置
JP2019104974A (ja) 基板処理方法、記憶媒体及び原料ガス供給装置
JP2012142355A (ja) 材料ガス制御装置、材料ガス制御方法、材料ガス制御プログラム及び材料ガス制御システム
TW201816170A (zh) 氣體控制系統、具備該氣體控制系統的成膜裝置、偵測方法以及記憶媒體
JP2004323894A (ja) ガス供給安定化器、気相成長装置および気相成長方法
JP4708516B2 (ja) 半導体又は液晶製造用装置並びに液体材料ガスの気化方法
JP2003190762A (ja) フッ化水素を含むフッ素ガスの生成装置
JP2008248395A (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の調圧方法
KR100483434B1 (ko) 반도체장치제조설비
CN114100387A (zh) 原料气化系统以及用于该原料气化系统的浓度控制模块
JP2005126267A (ja) 発生オゾンの安定制御方法
JP5302642B2 (ja) 化学気相蒸着工程におけるソース物質の量の測定方法
Yamaji et al. New Metal Organic Gas Supply System by Using an Advanced Flow Control System
JP2005026455A (ja) 処理方法及び処理装置
JP5456513B2 (ja) 液体材料の気化方法
JPH09181061A (ja) 液体原料の気化方法および供給装置ならびにそれを用いて構成された半導体製造装置
JPH0774462A (ja) はんだ付け装置の不活性ガス雰囲気制御装置