TWI328050B - Reeling type plasma cvd device - Google Patents
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Description
1328050 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於一面使薄膜（f i lm)在減壓環境内行進 一面在薄膜上藉由電漿CVD(Chemical Vapor
Deposition ’化學氣相沉積）進行成膜的捲繞式電漿CVD 裝置。 【先前技術】 從過去以來，要連續性地在長條狀的薄膜或薄膜狀基 板進行成膜，係使用例如捲繞式真空成膜裝置（參照以下專 利文獻1、2)。這種裝置的構成是使從捲出部捲出的薄臈 以一定速度行進，並且在成膜位置藉由電漿CVD等進行成 膜之後，藉由捲繞部來捲繞。
第7圖是習知的捲繞式電漿CVD裝置的構成。習知的 捲繞式電漿CVD裝置是在真空室！的内部，從捲出滾輪2 捲出薄膜3，並將此薄膜經由複數根輔助滾輪4捲繞在内 藏有加熱源的滾筒式滾輪（drumr〇Uer)5之後，經由複數 根輔助滾輪6捲繞在捲繞滾輪7而構成。滾筒式滾輪5是 連接於接地電位，並且與圓弧狀的高頻電極8相對向配 置，而且是經由氣體供應管9將反應氣體供應至滾筒式滚 :5 ^高頻電極8之間使其產生㈣，並且使其反應生成 物附者在滾筒式滾輪5上的薄臈而進行成膜。 此1知的捲繞式電聚CVD裝置是藉由配置在滚筒式滾 ^5周圍的密封手段9，將真空室1的内部晝分為反應室 10及非反應室真料氣管線12對反應室 318118 6 1328050 -,10進行真空排氣’並藉由從辅助氣體導入管13導入輔助 氣體而對非反應室11進行加壓，以抑制被供應至反應室 1 〇的反應氣體朝非反應室11侧流動而構成。 [專利文獻1]日本特開2002-212744號公報 [專利文獻2]曰本特開平7-233474號公報 [專利文獻3]日本特開2003-179043號公報 【發明内容】 [發明所欲解決之課題] % 上述習知的捲繞式電漿CVD裝置中，為了在將薄膜3 捲繞於滾茼式滾輪5周面的狀態下進行成膜，用來形成電 漿的高頻電極8是形成沿著滾筒式滾輪9周面的圓弧狀。 然而，這種構成由於不易在薄膜的所有成膜區域均勻 地供應反應氣體，因此無法形成均勻的電漿，而有不易在 薄膜3進行均勻之成膜的問題。而且，由於必須使高頻電 極8與滾筒式滾輪5形成同心圓筒狀，因此不容易進行高 %頻電極8與滾筒式滾輪5之間的間隙調整，而且也有高頻 電極8之製作也不容易的問題。 另一方面，通常在利用電漿CVD進行成膜時，成膜位 置的周邊零件（噴灑板、遮罩等）會因為反應生成物的附著 而受到污染。因此，必須定期地進行反應室的清洗，以降 低，埃的產生率。此清洗作業有一種是取代反應氣體而導 入清洗用氣體並電漿化，並使其與附著物反應然後加 以去除的手法（自動清洗）（參照上述專利文獻3)。 然而，上述習知的捲繞式電漿CVD裝置中，捲繞在滾 318118 7 I328〇5〇 可由供應反應氣體的氣體供應手段構成。 ，此外，上述調整機構可由以下構件構成：使用來引導 薄膜及金屬帶之行進的上游滾輪及下游滾輪升降移動的滾 ^移動機構部；以及用來調整金屬帶之張力的帶張力調整 [發明之效果] 如以上所述，根據本發明的捲繞式電漿CVD裝置，可 謀求所要形成在薄膜之膜質的均勾化，且可依成膜條件等 ’容易進行高頻電極與對向電極間的間隙調整。 …而且’根據本發明的其他構成，可在薄膜的成膜中途 • •進仃成膜部的自動清洗，因此可抑制裝置運作率的降低， 而可進行高品質的成臈處理。 【實施方式】 :乂下，針對本發明之實施形態，參照圖式加以說明。 第1圖顯示出本發明實施形態之捲繞式電槳CVD裝置 % 20的概略構成。本實施形態的捲繞式電漿cvd裝置別具 有·真空室21 ;作為成膜對象的薄膜22的捲出滾輪㈡及 捲繞滾輪24 ;以及成膜部25。 真工至21内。p的真空室是由隔板26劃分成配置成膜 部25的反應室27;以及配置捲出滾輪23及捲繞滚輪24 的非反應室28。在反摩言97 » c nfcA Λ 久應至U及非反應室28分別連接有真 空排氣口 29、30,各室係設成獨立而可進行真空排氣。在 此是使反應室27的壓力維持在例如數十至數百&。而且， 反應室27侧的真空排氣口 29是配置在成膜部巧的附近。 318118 10 1328050 又，在隔板26分別設有：可供從捲出滾輪23朝向成 膜4 25的薄膜22通過的開縫26a ;以及可供從成膜部25 朝向捲繞滾輪24的薄膜22通過的開縫26b。 薄膜22是由裁切成預定寬度的長條狀可撓性薄膜，是 使用厚度例如為70//m的玻璃薄膜或樹脂薄膜。樹脂薄膜 以聚醯亞胺、聚醯胺、芳香族聚醯胺等耐熱溫度2〇〇(>c以 上的樹脂薄膜為佳。另外，薄膜22的行進速度為例如〇〇1 至 0.lm/min。 ， 在從捲出滾輪2 3到成膜部2 5之薄膜2 2的行進路徑分 別依序配置有用來引導薄膜22之行進的複數個輔助滾輪 31Α’31Β、加熱滾輪32及上游側可動滾輪33。而且，在從 成膜部25到捲繞滾輪24之薄膜22的行進路徑分別依序配 置有用來引導薄膜22之行進的下游侧可動滾輪34及複數 個輔助滾輪35Α至35C。此外，辅助滾輪35Β也具有冷卻 滾輪的功能。
，加熱滾輪32是内藏加熱器等加熱手段，在薄膜以的 搬廷過程中會將薄膜22加熱至預定溫度（例如2⑽至 25(TC卜此外，亦可依需要，在加熱滚輪犯與上游側可動 滾輪33之間，於薄膜22的成膜面侧設置輔助加熱器利。 上游側可動滚輪33及下游側可動滾輪34分別對應於 本發明的「上游滾輪及「下游步私 g 下稃滾輪」’疋在成膜部25(成 ^置）使賴22大致直線（水平）行進。這些 =33及下游側可動滾輪％是如後文所述，可藉由設置 在真空室21外部的升降機在第！圖中以實線表示的 318118 1328050 成膜位置與兩點鏈線所表示的自動清洗位置之間升降移 動。
成臈部25是配置在上游側可動滾輪33與下游側可動 滾輪34之間’並且具備：與薄膜22之成膜面相對向的高 頻電極36;安裝在高頻電極36的喷灑板37 ;以及與薄膜 22之成膜面的背面侧相對向的陽極38等。而且是使經由 噴灑板37供應至薄膜22之成膜面的原料氣體，在高頻電 =36與薄臈22之間電漿化，使原料氣體的反應生成物附 者在行進的薄膜22之成膜面而成膜。此外，陽極⑽是構 ^對向電極’並且為接地電位，而且為了實現薄膜U的溫 X均勻化，是被加熱成與加熱滾輪32同樣的溫度。 在輔助滾輪35B與捲繞滾輪24之間設有除電機構 3。此除電機構53是為了除去薄膜22之帶電而設置
機構!3的構成例而言’是採用-種使薄膜22通過電 構。’並藉由撞擊（bombard)處理對薄膜22進行除電的機 帶2下來在反應室27有金屬帶40循環行進。此金屬 2疋例如不仙製的環形帶，而且是在加熱滾輪犯、 之=側可動滚輪33、下游側可動滾輪34、辅助滾輪W 金^於#膜22之成膜面的背面侧與薄膜22同時行進。 π 4〇疋设為與陽極38為相同的電位（接地電位）。 引導滾輪^與加熱滾輪32之間分別配置有：用來 金屬帶40之行進的複數個引導滾輪 用來調替么超嫌^ 土今认’以及 L金屬帶40之行進張力的移動滚輪❹。由這些加 318118 12 1328050 熱滚輪32、上游側可動滾輪33、下游側可動滾輪以、辅 助滚輪35A、引導滾輪42A至42C、移動滾輪43構成了帶 仃進系統4卜此外’金屬帶40之張力的調整有藉由移動 滚輪43來進行的情況；以及另外設置未圖示的張力滚輪來 進行的情況。
而且，在反應室27是於加熱滾輪32與辅助滾輪35A 之間分別設有隔板44、45。隔板44與隔板45之間是中間 室（緩衝室）70’隔板26與隔板44之間是行進室71。在中 間室Μ及行進室71分別設有真空排氣口以及巧，可獨 立進行真空排氣。藉由這些隔板44、45及真空排氣口 γ2、 73,可抑制被導入至成膜部25的反應氣體或清洗氣體、電 漿生成物等擴散並附著而污染帶行進系統41。 第2圖是成膜部25的概略構成圖。 高頻電極36是連接於高頻電源47<3高頻電源47可依 電漿的形成條件，採用l00KHz以上1〇〇MHz以下的電源頻 高頻電極36具有容器形狀，在内部形成有預定容積的 二間部49。在高頻電極36的上端部安裝有金屬製的喷灑 板37。喷灑板37是與架設在成膜部25的薄膜22之成膜 面相對向。 、 噴灑板37的功能是作為高頻電極的一部分，並且與連 接於接地電位的陽極38合作，在噴灑板37與薄膜22之間 形成原料氣體的電漿空間。原料氣體是從氣體供應配管5〇 經由流量調整閥48及氣體導入口 50a被導入空間部49， 並且從噴灑板37的各孔均勻地供應。此外，由這些嘴灑板 318118 13 1328050 37、空間部49、氣體供應配管50及氣體導入口 5〇&構 本發明的「氣體供應手段」。 所使用的原料氣體的種類並沒有特別的限定可依所 要成膜的材料種類適當選擇。本實施形 法’在薄㈣形成薄膜電晶體(TFT:ThlnFli:^^^ 用的各種功能層。 β亦即’成膜材料是碎、氮化♦、氧化石夕或氮氧化石夕、 或是在這些材料添加硼（Β)、磷（Ρ)中任一個或兩者。在此 ’情，下:原料氣體在要形成非晶石夕層時可使用SiH4H2 的此a氣體，要形成p摻雜n+型非晶石夕層時可使用&⑴、 ··四3、Η,的混合氣體。再者，要形成SiN層時可使用siH4、 肌、仏的混合氣體’或是SiH4、N2〇、紅的混合氣體。 〃此外，本實施形態中，除了成膜時所供應的上述原料 C體之外’在進行後述自動清洗時所供應的清洗氣體是可 從氣體供應配管50導入NF3等的氟化系氣體而構成。此肝3 ~氣體為腐蝕性氣體。 另方面，在喷灑板37與薄膜22的成膜面之間配置 有遮罩51。遮罩51是至少使上部由陶瓷等絕緣材料所構 成’在薄膜22之成膜面的面内形成有用來限定成膜區域的 開口部52。遮罩51是由用來覆蓋高頻電極％之側周部及 上面之一部分的曲柄形狀的遮罩主體53;以及形成開口部 Μ的遮罩周緣部54所構成。在遮罩51與高頻電極扣之 間形成有在第2圖中以箭頭ρ顯示的氣體排氣流路，用來 將氣體引導至附近的真空排氣口 29(第i圖）。 318118 14 1328050 第3圖至第6圖是從薄膜22之行進方向觀看 2 5的侧剖面圖。此外，圖中是顯示出上游側可動滾輪3 3 側的構成’但下游側可動滾輪34㈣也具有相同的構成。 本實施形態的捲繞式電滎⑽裝置20是具有可使 51的開口部52自由開閉的擋板65 ’且可藉由此擋板65 封住遮罩51的開口部52,並且從氣體導入口咖供應 洗亂體，而執行成膜部25的自動清洗而構成。
θ上游側可動滾輪3 3 (及下游側可動滾輪3 4，以下相同） 疋使其旋轉轴56的兩戚八另丨丨— 士4士_^ 宏舊腔99 H 支在支持托架57，藉此規 :薄膜22的仃進位置。支持托架57是 =室21之底壁外面側的升降機46連接。因此，上游侧^ :輪33 #'藉由此升降機《的媒動而朝上下方向駆動升 升降銷58是藉由插入設置在支持托架57與真空室21 的底壁之間的真空浊纣其广k " 、 兴工至d
銷58盥真办室21 j )59内部，而保持升降 一具二至21的底壁之間的氣密狀態。 3” 7 hi疋薄膜22之成膜時的樣態。上游侧可動滚輪 的；。膜22的寬度大，與金屬Φ 40的寬度大致相等 睥上游侧可動滾輪33位於圖面所示的成膜位置 動滾輪33引導其行進的薄膜22及金屬帶 與遮罩51之間。此時，陽極38是由安 遮罩51 θ7、I7的L字形的上段側鉤部⑼所支持， Π持在设置於真空室21之底壁内面側的支持 塊62,因此各自的高度位置是受到規定的。 318118 15 在此狀態下，薄膜22與喷灑板打之間的相對 随以上以下，較佳為調整成15麵以上^以 。此距離是如後文所述可藉由升降機“的升降移场 整“薄膜22與喷壤板打之間的相對向距離比‘ 另外如果大nr £域會變小，以致無法進行氣體的反應。 外如果大於50ram，則成膜率會降低，使生產力變差。 升降機46在圖式中雖然僅顯示出一部分，但立
=二等作為堪動源。升降機《是如第4圖所;:可使 $支持在上段側鉤部6G的陽極38從遮罩 升至在陽極38與遮罩51之# A、Ba 上 46又如第5圖所-形成間隙G1的位置。升降機 6又如第5圖所不，可藉由與安裝在支持托架”之 : = 的卡合，使遮罩。從鏡37遠離， 而槿Ϊ 罩51與噴灑板37之間形成間隙G2的位置 肉稱成。
而且，在反應室27是如第3圖至第5圖所示 ^5的附近位置有擋板65待機。此擋㈣是如第6圖所 二遮罩51間的間隙G1，然後從上方位 置封閉遮罩開口部52而構成。此外，擋板65是金屬製品， 37相對向，遮罩開口部52與喷· °並且在兩者間劃分電漿空間。 的上二卜動由2游側可動滾輪⑽及下游側可動滾輪34 該等滾輪的薄膜22及金屬㈣會因 ，.·、、 ·而鬆弛。因此，關於金屬帶40，由於帶行進 系統41的移㈣輪料㈣至第】圖中由兩點鏈線^ 318118 16 丄以8050 、4置Θ此金屬帶40的鬆他會被吸收。而關於薄膜22, =可藉由捲出滾輪23的反扭矩或捲繞滚輪24的張力控 制或力矩控制等來吸收薄膜22的鬆弛。 以上，由上述升降機46、支持托架57、上段側鉤部 6〇等構成本發明的「滾輪移動機構部」。又，由此滾輪移 動機構部、及構成帶行進系統41的移動滾輪43構成本發 明的「調整機構」。 帛了來對以上述方式構成的本實施形態的捲繞式 ，電裝CVD裝置20的作用加以說明。 參照第1圖’從捲出滾輪23捲出的薄膜22是經由辅 •.助滾輪31A，31Β、加熱滾輪3 2、上游側及下游側可動滾輪 33’34、輔助滾輪35A至35C而架設在捲繞滾輪24。上游 侧及下游側可動滾輪33, 34是分別位於圖中實線所示的成 膜位置。 另一方面，在帶行進系統41行進的金屬帶4〇是在加 %熱滾㉝32、上游側及下游側可動滾輪33, 34、辅助滾輪35八 的區間，與薄膜22 —體行進。移動滾輪43是分別在圖中 實線所示的位置引導金屬帶4〇的行進。 成膜時，從捲出滾輪23捲出的薄膜22會在加熱滾輪 32與金屬帶40匯合。加熱滾輪32是被加熱至薄膜之成膜 所需的反應溫度（2〇〇至25CTC )。因此，薄膜22係經由位 於其背面側（與成膜面為相反側的面）的金屬帶4〇與加熱 滾輪32接觸並受到加熱。此外，可依需要，藉由辅助加熱 器39施以薄膜22的加熱處理。 318118 17 1328050 根據本實施形態’由於是經由行進的金屬帶4〇來加熱 薄膜22 ’因此可提高薄膜22的加熱效率，且可謀求減少、、 加熱源所需的消耗電力。而且，由於是使金屬帶4〇與薄膜 22 —體行進，因此可消除金屬帶4〇與薄臈22間的摩擦: 而謀求薄膜22的保護。 T' 由加熱滾輪32加熱後的薄膜22係與金屬帶4〇 一同被 搬送至成膜部25。在成膜部25中，如第2圖所示，薄膜
22是與喷灑板37保持一定的間隙而相對向。其相對向距 ^上所述為10至5〇,此大小可依電漿形成條件 虽調整。 尤其’根據本實施形態 可動滾輪33、34，使薄膜22 因此可容易進行與喷灑板37 喷灑板3 7形成平坦狀。 ，由於可藉由上游側及下游側 在成膜位置中大致直線行進， 之間的間隙調整。而且，可使
對於薄膜22的成膜是藉由對於高 電壓，使從喰嚅：q7私似士 用电極抑把加兩頻 應以⑻^ 的原料氣體電漿化，並使盆反 域=…制，，此時:金屬== %極（對向電極）的功能。 力J知禪 在此，形成在高頻電極36内 義體導入口 5〇a所導人_ _ //工心49係作為從 經由喷灑板37的各孔將原料 ^工間’並且由此 間。藉此，對於薄膜2 2可η均勾地供應至電聚空 、以了形成均勻的 層的均質化。 Ί的電漿，而可謀求成膜 318118 18 ^^050 ㈣膜22係藉由輔助滾輪3 分離，並且由輔助滚輪咖冷 ^屬帶 在除電機構53中，進行㈣心4 °接下來， 後，被捲組右嫉“ # 之電荷的除電處理之 =在：繞滾輪24。藉此’可抑 以上之帶電所導致的皺折或捲亂的發生。 預疋 以如上的方式對於薄膜22進行成膜處理。
25之==進行薄膜22的成膜處理時，在成膜部 .轴 7及遮罩51的開口部52週邊，原料 軋體之分解生成物的附著量會增大。如 … 因為塵埃的產生㈣f劣化， +理’就會 面積改變。因此，本實::二罩:1 口部52的開口 的自動清洗處理。n以如下方式執行成膜部25 nit 停止成膜部25之原料氣體的供應，並 吏薄？2及金屬帶4。的行進停止。接下來，驅動升降機 升，如第4圖及第5圖所示，使上游侧可動滾輪33、 、下游側可動滾輪34、陽極38及料51依序移動至上方的 自動清洗位置。 此外，由於可動滾輪33、34之上升移動所產生的薄膜 22及金屬帶4G的鬆他，係如上所述控制捲出滾輪23或捲 繞滚輪24的旋轉、而由移動滾輪43來吸收。 接下來，如第6圖所示，在擋板65經由陽極％與遮 罩51間的間隙G1移動至遮罩開口部52的正上方之後，藉 由使遮罩51更為上升而封閉該開口部52。接下來，從氣 體導入口 50a導入清洗氣體，使其在喷灑板37與擋板65 318118 19 1328050 之間產生電漿，藉此進行附著在噴灑板37及遮罩51的附 著物的分解去除。 以如上所述的方式進行成膜部25的自動清洗^根據本 實施形態，由於可在將薄臈22架設在成膜部25的狀態下 執行自動清洗，因此清洗結束後可立即再開始進行薄膜22 的成膜處理。此外，成膜再開始時是使遮罩51、陽極、 可動滾輪33、34以與上述相反的動作下降，使其回到第3 圖所示的成膜位置。 % $外’即使在自動清洗時所導人的清洗氣體是使用腐 蝕性氣體的情況下，也可藉由擋板65封閉遮罩開口部52 , -因此可防止清洗氣體擴散至遮罩上方空間。而且，由於是 將反應室27側的真空排氣口 29(第！圖）配置在成膜部託 附近，因此所導入的清洗氣體係沿著第6圖的箭頭p所示 的排氣流路’從遮罩51的侧方直接排出至上述真空排氣口 29，而可抑制繞入成膜部25擴散至上方部。 % 因此，根據本實施形態，可在薄膜22的成膜中途執行 成膜=25❺自動清洗，而可抑制裝置運作率的降低，以維 持高品質而進行成膜處理。 备以上，已針對本發明的實施形態加以說明，但是本發 月田j不限疋於此，而可根據本發明的技術性思想實現各 例如，以上的實施形態中，金屬帶4〇與陽極⑽ 行同樣的作用，因此可依需要省略任一方。 另外’以上的實施形態是在成膜冑25 &自動清洗時 318118 20 1328050 使上游側可動滾輪33及下游侧可動滾輪34上升移動，使 薄膜22及金屬帶40從喷灑板37遠離的方式而構成，但是 亦可取代這種構成’而另外設置可在上游側可動滾輪33 與成膜部25、成膜部25與下游侧可動滾輪34之間自由升 降的滾輪構件’並藉由這些滾輪構件使薄膜及金屬帶升降 移動。 再者，亦可藉由捲繞滾輪24將成膜完畢的薄膜全部捲 繞之後，使薄膜的行進方向反過來而在成膜部25成膜其他 的材料層。在此情況下，捲出滾輪22是作為捲繞滾輪，捲 %’袞輪24疋作為捲出滾輪。另外，辅助滾輪ΜΑ亦可事先 構成加熱滾輪，辅助滚輪31B亦可事先構成冷卻滾輪。再 者，亦可事先在所需要的位置設置除電機構及辅助加熱器。 【圖式簡單說明】 第1圖是本發明實施形態之捲繞式電漿CVD裝置的概 略構成圖。
第2圖是成膜部25的概略構成圖。 第3圖是第1圖的[3]-[3]線方向剖面圖。 第4圖是說明自動清洗時之轉移過程的成膜部25的側 剖面圖。 第5圖是說明自動清洗時之轉移過程的成膜部25的侧 剖面圖。 第6圖是自動清洗時之成膜部25的側剖面圖。 第7圖是習知的捲繞式電漿CVD裝置的概略構成圖。 【主要元件符號說明】 318118 21 真空室 2 薄膜 4 滚筒式滚輪 6 捲繞滾輪 8 氣體供應管 10 非反應室 12 輔助氣體導入管 20 真空室 22 捲出滚輪 24 成膜部 26 開縫 26b 反應室 28 真空排氣口 30 辅助滚輪 31B 加熱滚輪 33 下游側可動滾輪 35A 輔助滚輪 35C 南頻電極 37 陽極（對向電極） 39 金屬帶 41 引導滾輪 42B 引導滾輪 43 隔板 45 升降機 47 22 捲出滚輪 辅助滾輪 辅助滾輪 1¾頻電極 反應室 真空排氣管線 捲繞式電漿CVD裝置 薄膜 捲繞滚輪 隔板 開縫 非反應室 真空排氣口 辅助滾輪 上游側可動滚輪 輔助滾輪 輔助滾輪 噴灑板 輔助加熱器 帶行進系統 引導滚輪 移動滚輪 隔板 南頻電源 318118
1328050
48 流量調整閥 49 50 氣體導入配管 50a 51 遮罩 52 53 除電機構 54 56 旋轉轴 57 58 升降銷 59 60 上段側鉤部 61 62 支持塊 65 70 中間室（緩衝室） 71 72 真空排氣口 73 空間部 氣體導入口 開口部 遮罩周緣部 支持托架 真空波紋管 下段側鉤部 擋板 行進室 真空排氣口
23 318118
Claims (1)
1328050 公告； 、申請專利範圍 一種掮 L· (f^月K修正本 式電漿化學氣> 沉積 第951iei96號專利中請案 (9 9年4月2日） 係在真空室 内-面使薄膜行進，—面藉由電漿⑽對該薄膜進行成 膜者，其特徵為具有：
上游滾輪及下游滾輪，沿前述薄膜的行進方向分別 配置在成削立置之上游側及下游側.，並且在 置使前述薄膜大致直線行進； 风d 咼頻電極，與前述薄膜之成膜面相對向，並含 頻電源連接； 〃回 對向電極，配置在前述薄膜之成膜面之背面側； 氣體供應手段，將原料氣體供應至前述薄膜之成膜 面； 、 遮罩，具有用來限定前述薄臈之成膜面的開口 以及 擋板，使前述遮罩之開口部自由開閉； 而在執行成膜部之清洗處理時，係以前述擋板封閉 前述遮罩之開口部，使清洗用氣體供給至前 與前述擋板之間。. 2..如申請專利範圍第1項之捲繞式電漿^仰袭置，其 前述氣體供應手段具有： ~ .噴灑板’安裝在前述高頻電極； 空間部，形成在前述高頻電極與前述嘴灑板 以及 日1 氣體供應配管，盘 述空間部連通，並且經由 前述 (修正本)3〗8118 24 1328050 第95116196號專利_請索 < 9 9年4月2日7 喷灑板將氣體供應至前述薄膜之成膜面。 3’ 2申凊專利範圍第2項之捲繞式電漿cV])裝置，其中， 别述喷灑板與前述薄膜的成膜面之間的相對向距離為 .1 Oram以上5〇_以下。 4. 2申請專利範圍第i項之捲繞式電漿cVD裝置，其中， 則述向頻電源的頻率為丨〇〇KHz以上丨〇〇miz以下。 5. $申請專利範圍第1項之捲繞式電漿CVD裝置，其中， ·# 前述對向電極為接地電位。 / 如:請專利範圍第1項之捲繞式電漿CVD裝置，其中， f:述成膜位置的上游側設置有用來對前述薄膜進行 加熱的加熱器。 =明專利现圍第2項之捲繞式電漿c叩裝置，其中， 除St置的下游側設置有用來對前述薄膜進行 丨示冤的除電機構。 圍第1項之捲繞式電漿CVD裝置，其中， 刚l溥、疋樹脂薄膜或玻璃薄膜。 如7申請專利範圍第丨话 於前述漿⑽裝置，其中， ^^ 成膜面成膜的材料係為矽、氮化矽、氧化 或是在這些材料添加㈣，中任-者 項繞式電聚CVD裝置，其I 述薄膜之成膜面之在前述成膜位置支持前 帶循環行進“面側;以及帶行進系統，使此金屬 (修正本)318118 25 1328050 1 1 ·如申5青專利範圍第 前述金屬帶係與配 . 同的電位。 第95116196號專利申請案 < 9 9年4月2日？ 1 〇項之捲繞式電漿CVD裝置，其中， 置在前述成膜位置的對向電極為相 12.如申吻專利範園第1 〇項之捲繞式電漿CVD裝置，其中， 月J ϋ金屬π係為配置在前述成膜位置的對向電極。 13· t申請專利範圍第10項之捲繞式電漿CVD裝置，其中， 前述金屬帶及前述薄膜係分別與配置在前述成膜位置 之上=側的上游滾輪接觸而行進，在此上游滾輪内藏有 丨’、’里由如述金屬帶對前述薄膜進行加熱的加熱器。 14.如申凊專利範圍第1項之捲繞式電.漿CVD裝置，其中， 該f置復具倩有調整機構，用來調整前述薄膜之成膜面 與則述遮罩間之間隔’前述調整機構係使前述上游滾輪 及下游滾輪升降移動。 15.如申凊專利範圍第14項之捲繞式電漿CVD裝置，其中， 該裝置具有金屬帶’在前述薄膜之成膜面的背面側盥 > 薄膜同時行進， ^ 月j述D周整機構具有.滾輪移動機構部，使引導前述 薄臈及前述金屬帶行進的上游滾輪及下游滾輪升降移 動；以及帶張力調整部，用來調整前述金屬帶之張力= 1 6.如申请專利範圍第丨5項之捲繞式電漿CVD裝置，其中， 前述滾輪移動機構部係使前述上游滾輪及下游滾輪升 降移動，同時亦使配置在前述成膜位置的對向電極升降 移動。. . 牛 17.如申請專利範圍第16項之捲繞式電漿CVD裝置，其中 (修正本)318118 26 前述滾輪移動機 （99年4月2曰ϊ 游滾輪及下游滚輪之旋^托架，㈣支持前述上 在此支持托架，且可二1 二兩端;以及卡合爪，安裝 部。 卞5在别述對向電極之周緣下端 18.如申請專利範圍第14 搖 前述播板係為接地電位、。以電聚CVD裝置，其中， 19•如申請專利範圍第1項之捲繞式㈣ 在前述遮罩與前述高頻電極 裝呈，/、中.， 路。. 之間形成有氣體的排氣流 (修正本)318118 27
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