JP5460236B2 - Cvd成膜装置 - Google Patents
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Description
このCVD成膜装置は、1対のロール電極間には交流電源が接続され、酸素やアルゴンガスを流して磁場に閉じ込められたマグネトロン放電プラズマをロール上に形成して、ロール電極間にHMDSOなどのプレカーサル原料ガスを供給してこれをプラズマ分解させ、フィルム上にSiOxCyなどの組成で堆積させて、膜付けが行われる。
そこで、特許文献1に記載の技術において、プレカーサル原料ガスの供給量をアップし供給電力もアップすることで成膜レートは向上するものの、レートアップに伴いフィルムへの入熱は増大する。また、ロール電極は水冷されることでフィルムは冷却されているが、冷却能にも限界があり、レートアップによる入熱でのフィルムダメージから投入電力密度は制限されることとなる。したがって、特許文献1に記載されたような1対の電極ロールの構造では成膜レートアップに限界がある。
特許文献2における技術では、2対のロール電極を上下に配置して1つの電源で全てのロール電極に給電して生産性を上げている。この考えの延長で電源を追加して、ロール電極対はさらに複数対を配置して生産性を上げる方法が考えられるが、上下配置したロール電極では、上側のロール電極対で成膜された膜が剥がれた場合に下側のロール電極対のフィルム上に落ち、フィルムに巻き込まれ、膜欠陥やフィルム圧痕といった欠陥を発生させる可能性が高い。また、装置の高さも高くなり、耐荷重等からの限界がある。
本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、剥離膜の巻込みや搬送傷がなく、生産性を向上させるCVD成膜装置を実現するものである。
すなわち、本発明のCVD成膜装置は、真空チャンバと、この真空チャンバ内に配備された成膜ロールとを有し、この成膜ロールに巻き掛けられたシート状の基材の表面に皮膜を形成するCVD成膜装置において、前記真空チャンバは、前記成膜ロールを各々配備する複数の成膜チャンバユニットと、これらの各成膜チャンバユニットを接続する複数の接続チャンバユニットとを有し、前記成膜チャンバユニットは、前記各成膜ロールが水平方向に並ぶように配置されており、前記成膜チャンバユニットと前記接続チャンバユニットとの間には、前記基材を搬送する圧力隔壁ロールと、前記圧力隔壁ロールの上方に位置し且つ当該圧力隔壁ロールの表面に対して前記基材が通過が可能な間隙を有する上壁と、前記圧力隔壁ロールの下方に位置し且つ当該圧力隔壁ロールの表面に対して前記基材が通過が可能な間隙を有する下壁とを有する差圧遮断手段と、が設けられ、前記圧力隔壁ロール及び前記差圧遮断手段を介して、成膜チャンバユニットと前記接続チャンバユニットとが接続されていることを特徴とする。
このCVD成膜装置は、具体的には以下の構成を採用することができる。
すなわち、前記真空チャンバは、前記基材を巻き出す巻出ロールを配備した巻出チャンバユニットと、前記基材を巻き取る巻取ロールを配備した巻取チャンバユニットとを有し、これらの巻出チャンバユニットと巻取チャンバユニットとの間に、前記成膜チャンバユニット及び接続チャンバユニットが配置されている構成でもよい。
さらに、前記成膜チャンバユニットは、前記一対の成膜ロールにおける対向側の領域の一部又は全部であって原料ガスを満たした成膜エリアと、この成膜エリアの周辺領域であって前記原料ガスより高圧な加圧放電ガスを満たした加圧エリアと、この加圧エリアと前記成膜エリアとを区画する成膜エリア区画手段とを有している構成とすることが好ましい。
そして、前記接続チャンバユニットは、前記加圧エリアの周辺領域であって前記加圧エリアと区画され且つ前記加圧放電ガスより低圧な減圧ガス雰囲気を形成する減圧エリアを有している構成とすることが好適である。
さらには、前記接続チャンバユニットには、前記基材を巻き掛けられたダンサーロールが配備されていて、前記複数の成膜ロールの基材送り速度を互いに同期制御させるロール制御手段を有していることとしてもよい。
また、本発明に係るCVD成膜装置の最も好ましい形態は、真空チャンバと、この真空チャンバ内に配備された一対の成膜ロールとを有し、この成膜ロールに巻き掛けられたシート状の基材の表面に皮膜を形成するCVD成膜装置において、前記真空チャンバは、前記成膜ロールを各々配備する複数の成膜チャンバユニットと、これらの各成膜チャンバユニットを接続する複数の接続チャンバユニットとを有し、前記成膜チャンバユニットは、前記各成膜ロールが水平方向に並ぶように配置されており、前記成膜チャンバユニットと前記接続チャンバユニットとの間には、前記基材を搬送する圧力隔壁ロールと、前記圧力隔壁ロールの上方に位置し且つ当該圧力隔壁ロールの表面に対して前記基材が通過可能な間隙を有する上壁と、前記圧力隔壁ロールの下方に位置し且つ当該圧力隔壁ロールの表面に対して前記基材が通過可能な間隙を有する下壁とを有する差圧遮断手段と、が設けられ、前記圧力隔壁ロール及び前記差圧遮断手段を介して、成膜チャンバユニットと前記接続チャンバユニットとが接続されており、前記成膜チャンバユニットは、前記一対の成膜ロールにおける対向側の領域の一部又は全部であって原料ガスを満たした成膜エリアと、この成膜エリアの周辺領域であって前記原料ガスより高圧な加圧放電ガスを満たした加圧エリアと、この加圧エリアと前記成膜エリアとを区画する成膜エリア区画手段とを有しており、前記接続チャンバユニットは、前記加圧エリアの周辺領域であって前記加圧エリアと区画され且つ前記加圧放電ガスより低圧な減圧ガス雰囲気を形成する減圧エリアを有しているとよい。
なお、以下の説明では、同一の部品には同一の符号を付してある。それらの名称及び機能も同じである。したがって、それらについての詳細な説明は繰返さない。
図1は、本発明に係るCVD成膜装置1の全体構成を示している。
本発明のCVD成膜装置1は、減圧下において、水平方向に対向して配置した一対の成膜ロール2、2に交流あるいは極性反転を伴うパルス電圧を印加し、対向した成膜ロール2、2の間の空間(対向空間)にグロー放電を発生させ、成膜ロール2、2に巻き掛けたシート状の基材WにプラズマCVDによる成膜を行うものである。
真空チャンバ3は、最上流側の基材Wを巻き出す巻出ロール4を配備した巻出チャンバユニット5と、最下流側の基材Wを巻き取る巻取ロール8を配備した巻取チャンバユニット9とを有していて、これらの巻出チャンバユニット5と巻取チャンバユニット9との間に、各々一対の成膜ロール2、2を配備した3つの成膜チャンバユニット6と、各成膜チャンバユニット6同士を接続する2つの接続チャンバユニット7とを水平方向に交互に配備している。
また、真空チャンバ3は、上述の巻出チャンバユニット5、成膜チャンバユニット6、接続チャンバユニット7及び巻取チャンバユニット9が架台21に固定されている。
真空チャンバ3の巻出チャンバユニット5は、その内部に巻回されている未成膜状態の基材Wを巻き出す巻出ロール4が配備されている。巻出ロール4は、プラスチックのコア(巻芯)を有したボビンであって、この巻出ロール4から巻き出された基材Wは、ニアーロール22、張力検出ロール23及び圧力隔壁ロール24を介して、成膜チャンバユニット6側へ搬送される。
張力検出ロール23は、ロードセルなどを用いてロール支持部に働く力を計測して、基材Wにかかる張力を検出するものである。この張力検出ロール23で検出した基材Wにかかる張力をフィードバックすることで、巻出ロール4の巻出し張力を制御している。
各成膜チャンバユニット6の内部には、成膜ロール2が、一対ごとに各ロールの軸心が平行となるように配備されている。一対の成膜ロール2、2は、図1、図2に示す如く、同径の同長のステンレス材料等で形成された円筒であり、その回転中心が各成膜チャンバユニット6内の底壁(床面)6Aから略同じ高さに設置され、互いの軸芯が平行で且つ水平となるように配備されている。
一対の成膜ロール2、2は、真空チャンバ3から電気的に絶縁されると共に互いが電気的に絶縁されており、1台のプラズマ電源(図示省略)の両極に接続される。プラズマ電源は、中・高周波の交流電圧、又は、両極の極性が反転可能なパルス状の電圧が発生可能とされている。
各一対の成膜ロール2、2における対向側の領域を囲んで、成膜チャンバユニット6内を隔離すべく配備された成膜エリア区画手段10が設けられている。つまり、成膜チャンバユニット6は、成膜エリア区画手段10によって、その内側が成膜エリアA、その外側が加圧エリアBとされている。
成膜エリアA内には、成膜エリアAに原料ガスGを供給する原料ガス給気手段(図示省略)と、成膜エリアAから原料ガスGを排出する原料ガス排気手段25とが設けられている。加えて、成膜エリアA内に配備された一対の成膜ロール2、2の表面にプラズマを生成しプラズマ領域Pを形成する磁場発生手段(図示省略)が設けられている。この磁場発生手段が形成したプラズマ領域Pを通過するように、一対の成膜ロール2、2に基材Wが巻き掛けられる。
また、各原料ガス給気手段は、水平方向に並べて配置されていてもよく、原料ガス排気手段25の上方に位置していれば好適である。
成膜エリアAには、後述するターボ分子ポンプ27で減圧された後に、原料ガスGと加圧放電ガスGとで、皮膜形成に寄与するガスならびに反応ガス、補助ガスが充填される。
図2に示すように、成膜ロール2、2と成膜エリア区画手段10との間には間隙D(ギャップ)が設けられており、詳しくは、側壁10aは成膜ロール2、2の表面には非接触であって、側壁10aと成膜ロール2、2の表面とのギャップにより間隙Dが形成されている。
前記原料ガス排気手段25は、成膜チャンバユニット6の底壁6Aに形成された開口で連通する補助チャンバユニット26と、この補助チャンバユニット26の側面に横向きに設けられたターボ分子ポンプ27とを有している。
置されていることとなる。
また、原料ガス排気手段25は、皮膜形成作業の前に成膜エリアAを減圧したり、原料ガス給気手段から供給され且つ成膜に寄与した後の原料ガスGを、成膜チャンバユニット6の外部に排出する機能を有している。
ダンサーロール12は、基材Wが巻き掛けられ且つ位置固定された2つの位置固定のフリーローラ部12aと、このフリーローラ部12a間で基材Wが巻き掛けられ且つ移動可能な移動ローラ部12bと、この移動ローラ部12bを一端に設け且つ枢支軸12c回りに揺動可能なダンサーアーム部12dと、このダンサーアーム部12dの他端に設けられたカウンタウエイト部12eとを備えている。
例えば、エンコーダによって移動ローラ部12bが基材Wの搬送距離が長くなるように下へ動いたと検出された場合には、ロール制御手段13は、ダンサーロール12の上流側にある成膜ロール2の回転速度を、下流側の成膜ロール2の回転速度より早く回転させることとなる。逆に、基材Wの搬送距離が短くなった場合には、ロール制御手段13は、下流側の成膜ロール2を上流側の成膜ロール2よりも早く回転させる。
なお、接続チャンバユニット7は、差圧遮断手段11を有しており、この差圧遮断手段11によって成膜チャンバユニット6内の加圧エリアBと隔離された減圧エリアCを形成している。
差圧遮断手段11は、前記圧力隔壁ロール24の上方に位置した上壁11aと、下方に位置した下壁11bとを有している。
この間隙Dも、間隙Dと同様に、基材Wの通過を可能とすると共に、加圧エリアBから減圧エリアCへのガス流入を抑制可能な空隙距離を有している。
接続チャンバユニット7の底壁7Aや、巻出チャンバユニット5及び巻取チャンバユニット9の側壁には、ターボ分子ポンプ27を備えた補助チャンバユニット26又は直接ターボ分子ポンプ27に連通する開口が形成された加圧放電ガス排気手段28となっており、減圧エリアCを減圧させうる機能を有している。
3つの成膜チャンバユニット6と接続チャンバユニット7内を搬送された基材Wは、最下流にある成膜チャンバユニット6のさらに下流側に連結された巻取チャンバユニット9内に送られる。
なお、巻取チャンバユニット9は、上述したように、内部が減圧エリアCとなっている。また、巻取ロール8は、巻出ロール4と基本的に同様の構成である。
そこで、成膜エリアA、加圧エリアB及び減圧エリアC内の圧力、ガスの流れについて詳説する。
成膜エリアAは、成膜チャンバユニット6内において成膜エリア区画手段10の内側とされ、加圧エリアBは、成膜エリア区画手段10の外側とされている。また、成膜エリア区画手段10は、成膜ロール2、2との間に上述した間隙Dを有しており、この間隙Dによって、成膜ロール2、2に巻き付けられた基材Wの通過と、成膜エリアAから加圧エリアBへのガス流入の抑制とが同時に可能となっている。
一方、減圧エリアCは、上述したように、各接続チャンバユニット7、巻出チャンバユニット5及び巻取チャンバユニット9の雰囲気圧力であり、加圧エリアBとは差圧遮断手段11によって区画されている。また、差圧遮断手段11は、圧力隔壁ロール24との間に上述の間隙Dを有し、この間隙Dによって、圧力隔壁ロール24に巻き付けられた基材Wの通過と、加圧エリアBから減圧エリアCへのガス流入の抑制とが同時に可能となっている。
なお、減圧エリアCの圧力Pは、例えば1Pa以下である。
よって、各成膜チャンバユニット6の成膜エリアAは独立したガス雰囲気条件にて成膜することができ、1パスで多層の成膜が可能となる。
以上述べたCVD成膜装置1で、基材Wに成膜を行う手順について述べる。
まず、各排気手段25、27、28を作動させ、皮膜形成作業の前に各エリアA〜Cを減圧した上で、各給気手段により、成膜エリアA内に連続的に原料ガスGを、加圧エリアB内に加圧放電ガスGを供給する。また、「成膜エリアAの圧力P ≦ 加圧エリアBの圧力P」とすると同時に「減圧エリアCの圧力P ≦ 加圧エリアBの圧力P」となるように圧力を調整・維持する。
このプラズマ領域Pに原料ガス給気手段により供給された原料ガスGが達して、そこで原料ガスGがプラズマによって分解され、基材W上に皮膜がプラズマCVDプロセスにより形成される。
以上のように本発明のCVD成膜装置1では、ガス雰囲気を独立させて水平方向に並んだ複数対の成膜ロール2に基材Wを巻き掛けた状態で搬送しながら皮膜形成を行なうことで、1パスでの多層成膜や複数段の成膜でのレートアップを実現させながら、成膜ロール2、2の各対を上下配置した場合のように、膜が剥がれて基材W上に落ちるという問題が発生することはなく、膜が落ちたまま基材Wを搬送させることでの欠陥を発生させる可能性もない。
ところで、今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
なお、接続チャンバユニット7内のフリーロールの数は適宜変更可能である。
成膜ロール2は、2本を一対とする配置でなくともよく、各成膜チャンバユニット6に1本ずつ配備してもよい。
また、各成膜ロール2は、水平方向に並んで配置されていることを説明したが、各成膜ロール2の回転中心を結んだラインは必ずしも完全な水平でなくともよい。
2 成膜ロール
3 真空チャンバ
4 巻出ロール
5 巻出チャンバユニット
6 成膜チャンバユニット
7 接続チャンバユニット
8 巻取ロール
9 巻取チャンバユニット
10 成膜エリア区画手段
11 差圧遮断手段
12 ダンサーロール
13 ロール制御手段
W 基材
A 成膜エリア
B 加圧エリア
C 減圧エリア
Claims (4)
- 真空チャンバと、この真空チャンバ内に配備された一対の成膜ロールとを有し、この成膜ロールに巻き掛けられたシート状の基材の表面に皮膜を形成するCVD成膜装置において、
前記真空チャンバは、前記成膜ロールを各々配備する複数の成膜チャンバユニットと、これらの各成膜チャンバユニットを接続する複数の接続チャンバユニットとを有し、
前記成膜チャンバユニットは、前記各成膜ロールが水平方向に並ぶように配置されており、
前記成膜チャンバユニットと前記接続チャンバユニットとの間には、前記基材を搬送する圧力隔壁ロールと、前記圧力隔壁ロールの上方に位置し且つ当該圧力隔壁ロールの表面に対して前記基材が通過可能な間隙を有する上壁と、前記圧力隔壁ロールの下方に位置し且つ当該圧力隔壁ロールの表面に対して前記基材が通過可能な間隙を有する下壁とを有する差圧遮断手段と、が設けられ、
前記圧力隔壁ロール及び前記差圧遮断手段を介して、成膜チャンバユニットと前記接続チャンバユニットとが接続されており、
前記成膜チャンバユニットは、前記一対の成膜ロールにおける対向側の領域の一部又は全部であって原料ガスを満たした成膜エリアと、この成膜エリアの周辺領域であって前記原料ガスより高圧な加圧放電ガスを満たした加圧エリアと、この加圧エリアと前記成膜エリアとを区画する成膜エリア区画手段とを有しており、
前記接続チャンバユニットは、前記加圧エリアの周辺領域であって前記加圧エリアと区画され且つ前記加圧放電ガスより低圧な減圧ガス雰囲気を形成する減圧エリアを有していることを特徴とするCVD成膜装置。 - 前記真空チャンバは、前記基材を巻き出す巻出ロールを配備した巻出チャンバユニットと、前記基材を巻き取る巻取ロールを配備した巻取チャンバユニットとを有し、これらの巻出チャンバユニットと巻取チャンバユニットとの間に、前記成膜チャンバユニット及び接続チャンバユニットが配置されていることを特徴とする請求項1に記載のCVD成膜装置。
- 前記接続チャンバユニットには、前記基材を巻き掛けられたダンサーロールが配備されていることを特徴とする請求項1又は2に記載のCVD成膜装置。
- 前記複数の成膜ロールの基材送り速度を互いに同期制御させるロール制御手段を有していることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のCVD成膜装置。
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