JP2009130302A - 表面処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】シリコン表面における反射率のより低減が可能な小型の表面処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の表面処理装置1は、処理ガスGを導入可能な真空処理槽2と、真空処理槽2内に設けられ、シート基材9a上に処理対象物層9bが設けられたシート状処理対象物9を搬送する搬送手段10と、真空処理槽2内に設けられ、高周波電力及び低周波電力が重畳印加可能で面状放電部17aを有する処理用電極17とを有する。真空処理槽2内において、シート基材9a上の処理対象物(多結晶シリコン)層9bの表面が、処理用電極17の面状放電部17aと対向して搬送されるように構成されている。処理用電極17に重畳印加される低周波電力の周波数は、200kHz以上2MHz以下とすることが好ましい。
【選択図】 図1
Description
請求項2記載の発明は、請求項1記載の発明において、前記真空処理槽が、前記シート基材上の処理対象物層を処理するための処理室と、前記シート状処理対象物を搬送するための搬送室とに仕切られ、前記処理室は、前記処理用電極が配置されるとともに当該処理室内に前記処理ガスを導入可能に構成され、前記シート状処理対象物を前記搬送室から前記処理室を介して搬送するように構成されているものである。
請求項3記載の発明は、請求項1又は2のいずれか1項記載の発明において、前記搬送手段が、前記シート状処理対象物を支持して搬送するための複数の搬送ローラを有するものである。
請求項4記載の発明は、請求項1乃至3のいずれか1項記載の発明において、前記処理用電極に印加される前記低周波電力の周波数は、250kHz以上2MHz以下であるものである。
請求項5記載の発明は、請求項1乃至4のいずれか1項記載の発明において、前記処理用電極に印加される前記低周波電力の周波数は、350kHz以上1MHz以下であるものである。
請求項6記載の発明は、請求項1乃至5のいずれか1項記載の発明において、前記シート状処理対象物は、前記シート基材の表面に前記処理対象層として多結晶シリコン層が設けられているものである。
また、本発明によれば、シート状処理対象物を搬送しながら処理対象物層の表面処理を行うことができるので、大型基板を搬出入する必要がなく、装置の小型化を図ることができる。
図1は、本発明に係る表面処理装置の内部構成を示す概略構成図、図2は、本発明に適用される積層シートの構成を示す模式的断面図である。
本実施の形態の真空処理槽2は、例えば断面が長方形形状に形成された搬送本体部2aを有し、その中央部分の一側部に、例えば断面円弧状に突出して形成された処理槽部2bが設けられている。
そして、この処理用ローラ11を挟んで搬送室20の両端部側に送出ローラ12と巻取ローラ13がそれぞれ設けられている。
ここで、シート基材9aの材料としては、特に限定されることはないが、熱膨張を低く抑える観点からは、例えばポリイミド等の樹脂材料を好適に用いることができる。
ここで、低周波電源18は、ローパスフィルタ18aを介して交流電源18bが接続されて構成されている。
そして、この状態で搬送室20の真空排気を行うとともに、処理室21においては、真空排気及び処理ガスGの導入を行う。
その結果、例えば、図4に示すように、多結晶シリコンの表面を微細でより深くエッチングすることができ、これにより、シリコン表面における反射率がより低く、太陽電池用として有用なテクスチャを有する多結晶シリコンを得ることができる。
例えば、上述の実施の形態においては、処理用ローラ11、送出ローラ12、方向転換ローラ14,15、巻取ローラ13によってシート状処理対象物9の搬送経路を構成するようにしたが、本発明はこれに限られず、ローラの数や配置を変更することによって搬送経路を変更することも可能である。
ただし、シリコンのテクスチャーの形状制御の観点からは、太陽電池用の多結晶シリコンに適用する場合に最も有効となるものである。
Claims (6)
- 所定の処理ガスを導入可能な真空処理槽と、
シート基材上に処理対象物層が設けられたシート状処理対象物を搬送する搬送手段と、
前記真空処理槽内に設けられ、高周波電力及び低周波電力が重畳印加可能で面状放電部を有する処理用電極とを有し、
前記真空処理槽内において、前記シート基材上の処理対象物層の表面が、前記処理用電極の面状放電部と対向して搬送されるように構成されている表面処理装置。 - 前記真空処理槽が、前記シート基材上の処理対象物層を処理するための処理室と、前記シート状処理対象物を搬送するための搬送室とに仕切られ、前記処理室は、前記処理用電極が配置されるとともに当該処理室内に前記処理ガスを導入可能に構成され、前記シート状処理対象物を前記搬送室から前記処理室を介して搬送するように構成されている請求項1記載の表面処理装置。
- 前記搬送手段が、前記シート状処理対象物を支持して搬送するための複数の搬送ローラを有する請求項1又は2のいずれか1項記載の表面処理装置。
- 前記処理用電極に印加される前記低周波電力の周波数は、200kHz以上2MHz以下である請求項1乃至3のいずれか1項記載の表面処理装置。
- 前記処理用電極に印加される前記低周波電力の周波数は、350kHz以上1MHz以下である請求項1乃至4のいずれか1項記載の表面処理装置。
- 前記シート状処理対象物は、前記シート基材の表面に前記処理対象層として多結晶シリコン層が設けられている請求項1乃至5のいずれか1項記載の表面処理装置。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011142260A (ja) * | 2010-01-08 | 2011-07-21 | Ulvac Japan Ltd | エッチング装置 |
KR101531666B1 (ko) * | 2013-09-12 | 2015-06-25 | 한국전기연구원 | 플라즈마를 이용한 필름 연마 장치 및 방법 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001267256A (ja) * | 2000-03-22 | 2001-09-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2003101051A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Kyocera Corp | 太陽電池用基板の粗面化方法 |
JP2003173980A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-06-20 | Kyocera Corp | 熱触媒体内蔵カソード型pecvd装置、それを用いて作製した光電変換装置並びにその製造方法、および熱触媒体内蔵カソード型pecvd法、それを用いるcvd装置、その方法により形成した膜並びにその膜を用いて形成したデバイス |
JP2007012738A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Sharp Corp | プラズマ処理装置 |
-
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001267256A (ja) * | 2000-03-22 | 2001-09-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2003101051A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Kyocera Corp | 太陽電池用基板の粗面化方法 |
JP2003173980A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-06-20 | Kyocera Corp | 熱触媒体内蔵カソード型pecvd装置、それを用いて作製した光電変換装置並びにその製造方法、および熱触媒体内蔵カソード型pecvd法、それを用いるcvd装置、その方法により形成した膜並びにその膜を用いて形成したデバイス |
JP2007012738A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Sharp Corp | プラズマ処理装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011142260A (ja) * | 2010-01-08 | 2011-07-21 | Ulvac Japan Ltd | エッチング装置 |
KR101531666B1 (ko) * | 2013-09-12 | 2015-06-25 | 한국전기연구원 | 플라즈마를 이용한 필름 연마 장치 및 방법 |
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