JP5777688B2 - Cvd成膜装置 - Google Patents

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Description

本発明は、プラスチックのフィルムやシートなどに多層成膜処理を行うCVD成膜装置に関するものである。
従来、マグネトロン型磁石をロール内に保有するロール電極を対向させ、このロール電極に巻かれて搬送されるフィルムやシートなどの帯状基材に成膜処理を行うCVD成膜装置がある(特許文献1の図1参照)。
このCVD成膜装置は、1対のロール電極間には交流電源が接続され、酸素やアルゴンガスを流して磁場に閉じ込められたマグネトロン放電プラズマをロール上に形成して、ロール電極間にHMDSOなどのプレカーサル原料ガスを供給してこれをプラズマ分解させ、フィルム上にSiOxCyなどの組成で堆積させて、膜付けが行われる。
ロール電極の下部側に排気口があり、ガスは上から導入されガスの流れは、概ね上から下となっている。ロール電極間の間にフリーロールを2本配して、ガス供給部より上側をフィルムは走り(180度近いロール電極上への巻付角を有して2本のロール電極間をフィルムが通過する)、前述の上から下へのガスの流れを妨げないようにフィルムは走行する。このフィルム経路は、1対のロール電極周辺に付いた膜の一部が剥がれ落ちた場合にもフィルム上にその破片が落下する可能性が低く、落下物を拾わないフィルム走行路としても有利である。
また、生産性を改善するために、ロール電極2対を縦(上下)に配置した構成も提案されている(特許文献2の図3参照)。これは、上側1対のロール電極と下側1対のロール電極に1つの電源で交流電力を供給し、4個のロール電極上で成膜でき、生産性の向上が図られている。
特許第4268195号公報 玉垣浩、沖本忠雄、「ロールtoロールプラズマCVD装置」、コンバーテック、(株)加工技術研究会コンバーテック編集部、2006年9月15日、2006年9月号、p.66−69
上述したように、フィルムやシートなどの帯状基材に成膜処理に関して種々のCVD成膜装置が提案されているが、その一方で成膜レートアップ(生産性の向上)や多層膜の形成のニーズは強い。
そこで、特許文献1に記載の技術において、プレカーサル原料ガスの供給量をアップし供給電力もアップすることで成膜レートは向上するものの、レートアップに伴いフィルムへの入熱は増大する。また、ロール電極は水冷されることでフィルムは冷却されているが、冷却能にも限界があり、レートアップによる入熱でのフィルムダメージから投入電力密度は制限されることとなる。したがって、特許文献1に記載されたような1対の電極ロールの構造では成膜レートアップに限界がある。
また、多層膜の形成においては、1対のロール電極構造でも成膜条件を変えて複数パスを搬送させ(効率的には往復搬送)、多層膜を形成することができるものの、1パスでは多層膜の形成はできない。
特許文献2における技術では、2対のロール電極を上下に配置して1つの電源で全てのロール電極に給電して生産性を上げている。この考えの延長で電源を追加して、ロール電極対はさらに複数対を配置して生産性を上げる方法が考えられるが、上下配置したロール電極では、上側のロール電極対で成膜された膜が剥がれた場合に下側のロール電極対のフィルム上に落ち、フィルムに巻き込まれ、膜欠陥やフィルム圧痕といった欠陥を発生させる可能性が高い。また、装置の高さも高くなり、耐荷重等からの限界がある。
つまり、従来のCVD成膜装置において、1対のロール電極搬送では成膜レートに限界があり、1パスでの多層成膜もできない。さらに剥離膜の巻き込みに配慮すると、特許文献2の記載のような多段化には問題があった。
本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、剥離膜の巻込みや搬送傷がなく、生産性を向上させるCVD成膜装置を実現するものである。
前記目的を達成するため、本発明は次の技術的手段を講じている。
すなわち、本発明のCVD成膜装置は、真空チャンバと、この真空チャンバ内に配備された一対の成膜ロールとを有し、この成膜ロールに巻き掛けられたシート状の基材の表面に皮膜を形成するCVD成膜装置において、一対の成膜ロールは複数あり、各一対の成膜ロール間には、上流側および下流側の成膜ロール間の速度差に応じてローラが移動する移動ローラ部と、前記移動ローラ部の位置を検出するエンコーダを有し、前記上流側または下流側の成膜ロールは、前記エンコーダにより検出された位置に応じて、前記上流側または下流側の成膜ロールの回転速度を制御するロール制御手段を備えることを特徴とする。
なお、上述した「各一対の成膜ロール間」は、言い換えれば、「一対の成膜ロールと、この一対の成膜ロールの隣りにある一対の成膜ロールとの間」ということである。
このように移動ローラ部を配備し、この移動ローラ部の動きで搬送長さを変更することで、各成膜ロールの回転速度のズレを一時的に吸収でき、さらには、ロール制御手段を備えることで、各成膜ロールに回転速度差があった場合でも、安定して基材を搬送することができる。
なお、前記複数の成膜ロールの基材送り速度を互いに同期制御させるロール制御手段を有していることとしてもよい。
また、本発明に係るCVD成膜装置の最も好ましい形態は、真空チャンバと、この真空チャンバ内に配備された一対の成膜ロールとを有し、この成膜ロールに巻き掛けられたシート状の基材の表面に皮膜を形成するCVD成膜装置において、一対の成膜ロールは複数あり、各一対の成膜ロール間には、上流側および下流側の成膜ロール間の速度差に応じてローラが移動する移動ローラ部と、前記移動ローラ部の位置を検出するエンコーダを有し、前記上流側または下流側の成膜ロールは、前記エンコーダにより検出された位置に応じて、前記上流側または下流側の成膜ロールの回転速度を制御するロール制御手段を備えており、前記真空チャンバは、原料ガスにより成膜が行われると共に一対の成膜ロールがそれぞれ収容された成膜チャンバユニットと、各成膜チャンバユニットの間に配置されると共に前記原料ガスが成膜チャンバから流出することを抑制する間隙を備えた接続チャンバユニットとを有しており、前記接続チャンバユニット内に前記ロール制御手段が配備されていることを特徴とするものである。
本発明のCVD成膜装置によれば、成膜ロールを水平方向に複数並べて配置することで、剥離膜の巻き込みや搬送傷がなく、生産性を向上することができる。
本発明に係るCVD成膜装置の正面図である。 CVD成膜装置の成膜チャンバユニット及び接続チャンバユニットを示す拡大図である。 CVD成膜装置の変形例の正面図である。
以下、本発明の実施形態を、図を基に説明する。
なお、以下の説明では、同一の部品には同一の符号を付してある。それらの名称及び機能も同じである。したがって、それらについての詳細な説明は繰返さない。
図1は、本発明に係るCVD成膜装置1の全体構成を示している。
本発明のCVD成膜装置1は、減圧下において、水平方向に対向して配置した一対の成膜ロール2、2に交流あるいは極性反転を伴うパルス電圧を印加し、対向した成膜ロール2、2の間の空間(対向空間)にグロー放電を発生させ、成膜ロール2、2に巻き掛けたシート状の基材WにプラズマCVDによる成膜を行うものである。
CVD成膜装置1は、真空チャンバ3と、この真空チャンバ3に成膜ロール2を備えており、この成膜ロール2に巻き掛けられたシート状の基材Wの表面に皮膜を形成するものとなっている。
真空チャンバ3は、最上流側の基材Wを巻き出す巻出ロール4を配備した巻出チャンバユニット5と、最下流側の基材Wを巻き取る巻取ロール8を配備した巻取チャンバユニット9とを有していて、これらの巻出チャンバユニット5と巻取チャンバユニット9との間に、各々一対の成膜ロール2、2を配備した3つの成膜チャンバユニット6と、各成膜チャンバユニット6同士を接続する2つの接続チャンバユニット7とを水平方向に交互に配備している。
つまり、真空チャンバ3は、複数の規格化されたユニットの組合せによって構成されているため、全体一体形成に比べて低コスト化が図れ、任意サイズの真空チャンバ3の製作が容易になる。
また、真空チャンバ3は、上述の巻出チャンバユニット5、成膜チャンバユニット6、接続チャンバユニット7及び巻取チャンバユニット9が架台21に固定されている。
なお、皮膜が形成される基材Wとしては、プラスチックのフィルムやシート、紙など、ロール状に巻き取り可能な絶縁性の材料が考えられる。プラスチックフィルム、シートとしては、PET、PEN、PES、ポリカーボネート、ポレオレフィン、ポリイミド等が適当であり、基材Wの厚みとしては真空中での搬送が可能な25μm〜0.5mmが好ましい。
図1、図2に基づき、CVD成膜装置1の詳細について述べる。
真空チャンバ3の巻出チャンバユニット5は、その内部に巻回されている未成膜状態の基材Wを巻き出す巻出ロール4が配備されている。巻出ロール4は、プラスチックのコア(巻芯)を有したボビンであって、この巻出ロール4から巻き出された基材Wは、ニアーロール22、搬送ロール23及び圧力隔壁ロール24を介して、成膜チャンバユニット6側へ搬送される。
なお、ニアーロール22は、回転自在に支持されたフリーロールが、常に、ボビンに巻き付けられた基材Wの外周近傍にあるように位置制御されるユニットであって、巻出し時の基材Wの縦じわ発生が軽減される。
搬送ロール23は、ロードセルなどを用いてロール支持部に働く力を計測して、基材Wにかかる張力を検出するものである。この搬送ロール23で検出した基材Wにかかる張力をフィードバックすることで、巻出ロール4の巻出し張力を制御している。
図2に示すように、圧力隔壁ロール24は、フリーロールと、後述する減圧エリアCと加圧エリアBとを隔離し且つ基材W通過が可能な狭い間隙DBCを有する差圧遮断手段11から構成される。
各成膜チャンバユニット6の内部には、成膜ロール2が、一対ごとに各ロールの軸心が平行となるように配備されている。一対の成膜ロール2、2は、図1、図2に示す如く、同径の同長のステンレス材料等で形成された円筒であり、その回転中心が各成膜チャンバユニット6内の底壁(床面)6Aから略同じ高さに設置され、互いの軸芯が平行で且つ水平となるように配備されている。
なお、それぞれの成膜チャンバユニット6自体は、成膜ロール2、2の各対を略同じ高さで水平方向に並ぶように配置されている。
一対の成膜ロール2、2は、真空チャンバ3から電気的に絶縁されると共に互いが電気的に絶縁されており、1台のプラズマ電源(図示省略)の両極に接続される。プラズマ電源は、中・高周波の交流電圧、又は、両極の極性が反転可能なパルス状の電圧が発生可能とされている。
また、各成膜ロール2は、図示されない真空シール部、給電部、冷却水導入部などの回転トルク負荷構造を有し、各成膜ロール2ごとに任意の回転速度にて駆動させることができる。
各一対の成膜ロール2、2における対向側の領域を囲んで、成膜チャンバユニット6内を隔離すべく配備された成膜エリア区画手段10が設けられている。つまり、成膜チャンバユニット6は、成膜エリア区画手段10によって、その内側が成膜エリアA、その外側が加圧エリアBとされている。
ここで、成膜エリアA及び加圧エリアBについて、詳説する。
成膜エリアA内には、成膜エリアAに原料ガスGAを供給する原料ガス給気手段(図示省略)と、成膜エリアAから原料ガスGAを排出する原料ガス排気手段25とが設けられている。加えて、成膜エリアA内に配備された一対の成膜ロール2、2の表面にプラズマを生成しプラズマ領域Pを形成する磁場発生手段(図示省略)が設けられている。この磁場発生手段が形成したプラズマ領域Pを通過するように、一対の成膜ロール2、2に基材Wが巻き掛けられる。
なお、プラズマ領域Pとは、磁場発生手段によって、成膜エリアA内に位置する一対の成膜ロール2、2の表面にプラズマを集めて形成された成膜域である。このプラズマ領域Pを指向するように、原料ガス給気手段から原料ガスGAが噴射されることとなる。
また、各原料ガス給気手段は、水平方向に並べて配置されていてもよく、原料ガス排気手段25の上方に位置していれば好適である。
上述した成膜エリア区画手段10は、成膜チャンバユニット6内をその内外で隔離し且つステンレス材で構成された隔壁であって、詳しくは、それぞれの回転中心を通り且つ鉛直方向に沿い且つ成膜チャンバユニット6内の底壁6Aから成膜ロール2、2より所定距離上方までに亘る側壁10aと、成膜ロール2、2の上方を塞ぐ上壁10bとから構成されている。
したがって、成膜チャンバユニット6内において、成膜エリア区画手段10の内側が原料ガスGAを満たして成膜が行われる成膜エリアAとされ、成膜エリア区画手段10の外側が原料ガスGAよりも高圧な加圧放電ガスGBを満たした加圧エリアBとされている。
成膜エリアAには、後述するターボ分子ポンプ27で減圧された後に、原料ガスGAと加圧放電ガスGBとで、皮膜形成に寄与するガスならびに反応ガス、補助ガスが充填される。
加圧エリアBには、同様にターボ分子ポンプ27で減圧された後に、成膜エリアA内よりも高圧となる酸素などの加圧放電ガスGBが充填されている。加圧放電ガスGBとしては、酸素や窒素、Ar等のガスがよい。
図2に示すように、成膜ロール2、2と成膜エリア区画手段10との間には間隙DBA(ギャップ)が設けられており、詳しくは、側壁10aは成膜ロール2、2の表面には非接触であって、側壁10aと成膜ロール2、2の表面とのギャップにより間隙DBAが形成されている。
成膜ロール2、2と成膜エリア区画手段10との間の間隙DBAは、成膜ロール2、2に巻き付けられた基材Wの通過を可能とすると共に、成膜エリアAから加圧エリアBへのガス流入を抑制可能な空隙距離を有している。例えば、間隙DBAのギャップ長さは狭いほどよく、2〜3mm程度とするのが好ましい。
前記原料ガス排気手段25は、成膜チャンバユニット6の底壁6Aに形成された開口で連通する補助チャンバユニット26と、この補助チャンバユニット26の側面に横向きに設けられたターボ分子ポンプ27とを有している。
すなわち、原料ガス排気手段25は、各成膜ロール2よりも下方で水平方向に並べて配置されていることとなる。
また、原料ガス排気手段25は、皮膜形成作業の前に成膜エリアAを減圧したり、原料ガス給気手段から供給され且つ成膜に寄与した後の原料ガスGAを、成膜チャンバユニット6の外部に排出する機能を有している。
なお、ターボ分子ポンプ27は、タービン翼を有した機械式真空ポンプであって、成膜チャンバユニット6下部に設けられた補助チャンバユニット26の側壁に取り付けられている。また、補助チャンバユニット26はプラズマ領域Pの直下で成膜エリアAと連通しているものの、ターボ分子ポンプ27が横向きに配置されているので、成膜時に基材Wから剥がれた剥離膜が、直接ターボ分子ポンプ27に落下してタービン翼にダメージを与えることがない。
接続チャンバユニット7は、各成膜チャンバユニット6の間に配置されており、内部には、成膜ロール2の各対の間で基材Wを巻き掛けられたダンサーロール12を配備している。
ダンサーロール12は、基材Wが巻き掛けられ且つ位置固定された2つの位置固定のフリーローラ部12aと、このフリーローラ部12a間で基材Wが巻き掛けられ且つ移動可能な移動ローラ部12bと、この移動ローラ部12bを一端に設け且つ枢支軸12c回りに揺動可能なダンサーアーム部12dと、このダンサーアーム部12dの他端に設けられたカウンタウエイト部12eとを備えている。
これによって、ダンサーロール12の上流又は下流側にある成膜ロール2、2間に回転速度差が生じたとしても、移動ローラ部12bが枢支軸12c回りに所定の張力に対応するトルクで揺動することによって、フリーローラ部12a間における基材Wの搬送距離が変わるため、成膜ロール2、2間の回転速度差が吸収され、巻き掛けられた基材Wに対して一定の張力を保持できる。
なお、CVD成膜装置1は、ダンサーロール12の枢支軸12cに設けられ且つ移動ローラ部12bの位置を検出するエンコーダと、各成膜ロール2の回転速度を制御するロール制御手段13を有していてもよい。
例えば、エンコーダによって移動ローラ部12bが基材Wの搬送距離が長くなるように下へ動いたと検出された場合には、ロール制御手段13は、ダンサーロール12の上流側にある成膜ロール2の回転速度を、下流側の成膜ロール2の回転速度より早く回転させることとなる。逆に、基材Wの搬送距離が短くなった場合には、ロール制御手段13は、下流側の成膜ロール2を上流側の成膜ロール2よりも早く回転させる。
このように、エンコーダの検出位置をフィードバックすることで、成膜ロール2の速度差に合わせて、成膜ロール2同士がタイミングをとるように制御(同期制御)することで、基材Wにかかる張力を一定に保ちながら、安定して基材Wを搬送することが可能となる。
なお、接続チャンバユニット7は、差圧遮断手段11を有しており、この差圧遮断手段11によって成膜チャンバユニット6内の加圧エリアBと隔離された減圧エリアCを形成している。
この減圧エリアCは、各接続チャンバユニット7の他に、巻出チャンバユニット5及び巻取チャンバユニット9の雰囲気圧力であり、加圧エリアBとは差圧遮断手段11によって区画されている。つまり、減圧エリアCは、各加圧エリアBの上流側と下流側とにあたる周辺領域に位置している。
差圧遮断手段11は、前記圧力隔壁ロール24の上方に位置した上壁11aと、下方に位置した下壁11bとを有している。
図2に示すように、圧力隔壁ロール24と差圧遮断手段11との間には、上述した間隙DBCが設けられている。すなわち、上壁11a及び下壁11bは圧力隔壁ロール24の表面には非接触であって、上下の壁11a、11bと圧力隔壁ロール24の表面とのギャップにより間隙DBCが形成されている。
この間隙DBCも、間隙DBAと同様に、基材Wの通過を可能とすると共に、加圧エリアBから減圧エリアCへのガス流入を抑制可能な空隙距離を有している。
減圧エリアCの内部は、ガス供給されず、上述のターボ分子ポンプ27で加圧エリアBよりも低圧に減圧されている。
接続チャンバユニット7の底壁7Aや、巻出チャンバユニット5及び巻取チャンバユニット9の側壁には、ターボ分子ポンプ27を備えた補助チャンバユニット26又は直接ターボ分子ポンプ27に連通する開口が形成された加圧放電ガス排気手段28となっており、減圧エリアCを減圧させうる機能を有している。
なお、接続チャンバユニット7には、フリーロール(図1、図2中には3本)も配備されているが、これはグリップ力を得るためにある程度の巻き角を維持しつつ、基材Wの搬送方向を変えるために設けられたものであって、必要本数は、3本に限定されない。
3つの成膜チャンバユニット6と接続チャンバユニット7内を搬送された基材Wは、最下流にある成膜チャンバユニット6のさらに下流側に連結された巻取チャンバユニット9内に送られる。
巻取チャンバユニット9内には、圧力隔壁ロール24、搬送ロール23及びニアーロール22を介して、巻取り張力を制御しながら基材Wを、巻取ロール8に巻き取っていく。
なお、巻取チャンバユニット9は、上述したように、内部が減圧エリアCとなっている。また、巻取ロール8は、巻出ロール4と基本的に同様の構成である。
ところで、基材Wに対して1パスでの多層成膜を確実に行うためには、各成膜チャンバユニット6内の成膜エリアAそれぞれが別成膜条件で運転可能であることが必要である。
そこで、成膜エリアA、加圧エリアB及び減圧エリアC内の圧力、ガスの流れについて詳説する。
成膜エリアAは、成膜チャンバユニット6内において成膜エリア区画手段10の内側とされ、加圧エリアBは、成膜エリア区画手段10の外側とされている。また、成膜エリア区画手段10は、成膜ロール2、2との間に上述した間隙DBAを有しており、この間隙DBAによって、成膜ロール2、2に巻き付けられた基材Wの通過と、成膜エリアAから加圧エリアBへのガス流入の抑制とが同時に可能となっている。
したがって、前記原料ガス排気手段25及び原料ガス給気手段を適切にコントロールすると共に、加圧エリアB側に設けられた後述する加圧放電ガス給気手段(図示省略)を制御し、「成膜エリアA(原料ガスGA+流入する加圧放電ガスGB)の圧力PA ≦ 加圧エリアB(加圧放電ガスGB)の圧力PB」に設定することで、間隙DBAを通って加圧エリアBへの原料ガスGAの流入を効果的に抑制できる。
なお、成膜エリアAの圧力PAは、例えば1〜数Paであって、 加圧エリアBの圧力PBは、成膜エリアAの圧力PAより若干高い。
一方、減圧エリアCは、上述したように、各接続チャンバユニット7、巻出チャンバユニット5及び巻取チャンバユニット9の雰囲気圧力であり、加圧エリアBとは差圧遮断手段11によって区画されている。また、差圧遮断手段11は、圧力隔壁ロール24との間に上述の間隙DBCを有し、この間隙DBCによって、圧力隔壁ロール24に巻き付けられた基材Wの通過と、加圧エリアBから減圧エリアCへのガス流入の抑制とが同時に可能となっている。
よって、加圧放電ガス排気手段28及び加圧放電ガス給気手段を適切にコントロールし、「減圧エリアC(流入する加圧放電ガスGB)の圧力PC ≦ 加圧エリアB(加圧放電ガスGB)の圧力PB」に設定すれば、間隙DBCを通る加圧エリアBへのガス流入を効果的に抑制できる。
なお、減圧エリアCの圧力PCは、例えば1Pa以下である。
したがって、成膜エリアAの圧力PAが周辺の加圧エリアBの圧力PBよりも低いため、原料ガスGAが加圧エリアB側に流れることはない。さらに、各加圧エリアBは、減圧エリアCによって互いに圧力分離されているため、各成膜エリアA内の別成膜条件にある原料ガスGAが加圧エリアB及び減圧エリアCを越えて隣の成膜エリアAに流入することはない。
よって、各成膜チャンバユニット6の成膜エリアAは独立したガス雰囲気条件にて成膜することができ、1パスで多層の成膜が可能となる。
なお、一般的には「減圧エリアCの圧力PC ≦ 成膜エリアAの圧力PA ≦ 加圧エリアBの圧力PB」といった圧力設定となる。
以上述べたCVD成膜装置1で、基材Wに成膜を行う手順について述べる。
まず、各排気手段25、27、28を作動させ、皮膜形成作業の前に各エリアA〜Cを減圧した上で、各給気手段により、成膜エリアA内に連続的に原料ガスGAを、加圧エリアB内に加圧放電ガスGBを供給する。また、「成膜エリアAの圧力PA ≦ 加圧エリアBの圧力PB」とすると同時に「減圧エリアCの圧力PC ≦ 加圧エリアBの圧力PB」となるように圧力を調整・維持する。
その上で、プラズマ電源から一対の成膜ロール2、2に中・高周波の交流又はパルス状の電圧を印加すると、対向空間でグロー放電が発生しプラズマを生じるようになる。このプラズマは、磁場発生手段により、成膜ロール2、2の下部表面に集められ、その領域がプラズマ領域Pとなる。
このプラズマ領域Pに原料ガス給気手段により供給された原料ガスGAが達して、そこで原料ガスGAがプラズマによって分解され、基材W上に皮膜がプラズマCVDプロセスにより形成される。
このような状況下で、巻出ロール4から巻き出された基材Wは、上流側から下流側の成膜チャンバユニット6にかけて、水平方向に並んで配置された成膜ロール2に巻き付き、各プラズマ領域Pを通過することで、複数回成膜が行われた基材Wを巻取ロール8が巻き取ることとなる。
以上のように本発明のCVD成膜装置1では、ガス雰囲気を独立させて水平方向に並んだ複数対の成膜ロール2に基材Wを巻き掛けた状態で搬送しながら皮膜形成を行なうことで、1パスでの多層成膜や複数段の成膜でのレートアップを実現させながら、成膜ロール2、2の各対を上下配置した場合のように、膜が剥がれて基材W上に落ちるという問題が発生することはなく、膜が落ちたまま基材Wを搬送させることでの欠陥を発生させる可能性もない。
また、CVD成膜装置1の高さを低く抑えることができと共に、高く積み上げないため、装置設置場所の耐荷重性を高める必要がない。
ところで、今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
図3に示したように、接続チャンバユニット7において、ダンサーロール12に替えて搬送ロール23を設けていてもよい。この搬送ロール23で検出した基材Wにかかる張力をフィードバックして、前後の成膜ロール2の回転速度を迅速に制御することで、フィルム状の基材Wの送り速度を揃えることができ、接続チャンバユニット7の上流又は下流側にある成膜ロール2、2間に速度差が発生しないように成膜ロール2同士を制御(同期制御)している。
これにより、基材Wの張力を一定に保ったまま、安定した基材Wの搬送が実現できる。
なお、接続チャンバユニット7内のフリーロールの数は適宜変更可能である。
成膜ロール2は、2本を一対とする配置でなくともよく、各成膜チャンバユニット6に1本ずつ配備してもよい。
また、各成膜ロール2は、水平方向に並んで配置されていることを説明したが、各成膜ロール2の回転中心を結んだラインは必ずしも完全な水平でなくともよい。
さらに、成膜チャンバユニット6及び接続チャンバユニット7は、巻出チャンバユニット5と巻取チャンバユニット9との間で、3つ以外の任意のセットを連結させてもよく、例えば、1や2、又は4以上の成膜チャンバユニット6及び接続チャンバユニット7を有したCVD成膜装置1とすることも可能である。
1 CVD成膜装置
2 成膜ロール
3 真空チャンバ
4 巻出ロール
5 巻出チャンバユニット
6 成膜チャンバユニット
7 接続チャンバユニット
8 巻取ロール
9 巻取チャンバユニット
10 成膜エリア区画手段
11 差圧遮断手段
12 ダンサーロール
13 ロール制御手段
W 基材
A 成膜エリア
B 加圧エリア
C 減圧エリア

Claims (2)

  1. 真空チャンバと、この真空チャンバ内に配備された一対の成膜ロールとを有し、この成膜ロールに巻き掛けられたシート状の基材の表面に皮膜を形成するCVD成膜装置において、
    一対の成膜ロールは複数あり、
    各一対の成膜ロール間には、上流側および下流側の成膜ロール間の速度差に応じてローラが移動する移動ローラ部と、前記移動ローラ部の位置を検出するエンコーダを有し、
    前記上流側または下流側の成膜ロールは、前記エンコーダにより検出された位置に応じて、前記上流側または下流側の成膜ロールの回転速度を制御するロール制御手段を備えており、
    前記真空チャンバは、原料ガスにより成膜が行われると共に一対の成膜ロールがそれぞれ収容された成膜チャンバユニットと、各成膜チャンバユニットの間に配置されると共に前記原料ガスが成膜チャンバから流出することを抑制する間隙を備えた接続チャンバユニットとを有しており、
    前記接続チャンバユニット内に前記ロール制御手段が配備されていることを特徴とするCVD成膜装置。
  2. 前記複数の成膜ロールの基材送り速度を互いに同期制御させるロール制御手段を有している、請求項1に記載のCVD成膜装置。
JP2013243012A 2013-11-25 2013-11-25 Cvd成膜装置 Expired - Fee Related JP5777688B2 (ja)

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