RU2371515C2 - Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа - Google Patents
Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа Download PDFInfo
- Publication number
- RU2371515C2 RU2371515C2 RU2007141737/02A RU2007141737A RU2371515C2 RU 2371515 C2 RU2371515 C2 RU 2371515C2 RU 2007141737/02 A RU2007141737/02 A RU 2007141737/02A RU 2007141737 A RU2007141737 A RU 2007141737A RU 2371515 C2 RU2371515 C2 RU 2371515C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- film
- deposition
- plasma
- drum
- chemical vapor
- Prior art date
Links
- 238000004804 winding Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 title abstract 9
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 title abstract 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 111
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 110
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 44
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 41
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 30
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 28
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 22
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 claims description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 7
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 123
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 60
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 23
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 10
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 7
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 2
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 2
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102000010410 Nogo Proteins Human genes 0.000 description 1
- 108010077641 Nogo Proteins Proteins 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 239000005001 laminate film Substances 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000008844 regulatory mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
- H01J37/32752—Means for moving the material to be treated for moving the material across the discharge
- H01J37/32761—Continuous moving
- H01J37/3277—Continuous moving of continuous material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5096—Flat-bed apparatus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
- C23C16/545—Apparatus specially adapted for continuous coating for coating elongated substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Изобретение относится к устройству плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа для образования слоя покрытия на пленке. Пленка (22) поддерживается между парой подвижных барабанов, расположенных на стороне входа и стороне выхода участка осаждения (25) по отношению к направлению перемещения пленки (22). Затем пленку (22) заставляют перемещаться линейно в место осаждения. Расстояние между решеткой для распыления (37) и пленкой (22) сохраняется постоянным, и качество слоя получается гомогенным. Пленку нагревают с помощью металлической ленты (40), одновременно перемещающейся на обратной стороне пленки. Подвижные барабаны поднимаются из положения осаждения в положение самоочистки, и пленка (22) может быть отделена от решетки для распыления (37). Самоочистка может быть проведена на пути осаждения на пленку, закрывая щель маски (51) заслонкой (65) и, таким образом, предотвращая рассеяние очищающего газа. Изобретение позволяет получить высокое качество слоя за счет подачи реакционного газа равномерно к площади осаждения пленки, и можно выполнять процесс самоочистки участка осаждения на пути осаждения на пленку. 18 з.п. ф-лы, 7 ил.
Description
Область техники, к которой относится изобретение
Настоящее изобретение относится к устройству плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа для образования слоя покрытия на пленке плазмохимическим осаждением из паровой фазы, в то время как пленку заставляют перемещаться в атмосфере с пониженным давлением.
Уровень техники
Обычно, например, устройство осаждения в вакууме намоточного типа используется, чтобы серийно получать слой покрытия на длинной пленке или на пленочной подложке (ссылка на следующие ниже патентные документы 1 и 2). В устройстве плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа пленку, размотанную из разматывающей части, заставляют перемещаться при постоянной скорости, и слой покрытия образуется на пленке в месте осаждения техникой плазмохимического осаждения из паровой фазы, и потом данную пленку наматывают на намоточную часть.
Фиг.7 показывает конструкцию устройства плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа предшествующего уровня техники. В устройстве плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа предшествующего уровня техники пленка 3 подается из разматывающего барабана 2 в вакуумную камеру 1. Пленка 3 проводится через множество вспомогательных барабанов 4 к периферической поверхности раскатного цилиндра 5, имеющего источник тепла, и потом пленку наматывают на наматывающий барабан 7 через множество вспомогательных барабанов 6. Раскатный цилиндр 5 соединен с потенциалом земли и помещен в положение лицевой стороной к высокочастотному электроду 8, форма которого представляет собой дугу окружности. Реакционный газ подается между раскатным цилиндром 5 и высокочастотным электродом 8 через линию подачи газа 9, и затем создается плазма реакционного газа, с тем, чтобы реакционный продукт осаждался на пленке, намотанной вокруг раскатного цилиндра 5.
В данном устройстве плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа вакуумная камера 1 разделена на реакционную камеру 10 и нереакционную камеру 11 герметизирующим устройством 9, помещенным вокруг раскатного цилиндра 5. Далее, реакционную камеру 10 откачивают через линию откачки 12, а в нереакционной камере 11 создают давление введением вспомогательного газа из линии введения вспомогательного газа 13 и таким образом сдерживают поток реакционного газа, введенного в реакционную камеру 10 в направлении нереакционной камеры 11.
Патентный документ 1: JP2002-212744A
Патентный документ 2: JP7-23347A
Патентный документ 3: JP2003-179043A
Раскрытие изобретения
Проблема, которую необходимо решить настоящим изобретением
В вышеуказанном устройстве плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа, поскольку слой покрытия образуется в условиях, когда пленка намотана вокруг поверхности раскатного цилиндра 5, высокочастотный электрод 8 для образования плазмы сконструирован в форме дуги окружности вдоль поверхности раскатного цилиндра 5.
Однако в такой конструкции трудно подавать реакционный газ равномерно по всей площади покрытия пленки. Следовательно, равномерная плазма не может быть образована, так что трудно равномерно создать слой покрытия на пленке 3. Более того, поскольку необходимо, чтобы высокочастотный электрод 8 был сконструирован в форме цилиндра, концентричного с раскатным цилиндром 5, зазор между высокочастотным электродом 8 и раскатным цилиндром 5 не может быть легко отрегулирован, и подготовка высокочастотного электрода 8 не является легкой.
С другой стороны, в процессе покрытия плазмохимическим осаждением из паровой фазы, соседние части (решетка для распыления, маска и тому подобное), расположенные в месте осаждения, загрязняются из-за адгезии реакционного продукта. Таким образом, необходимо снижать скорость образования пыли регулярной очисткой реакционной камеры. В качестве процесса очистки реакционной камеры существует метод самоочистки, который удаляет отложения посредством плазмы очищающего газа, вводя очищающий газ в реакционную камеру вместо реакционного газа (ссылка на вышеуказанный патентный документ 3).
Однако в вышеуказанном устройстве плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа пленка 3, намотанная вокруг раскатного цилиндра 5, всегда расположена лицевой стороной к высокочастотному электроду 8, и пленка 3 и соседние части загрязняются плазмой очищающего газа, так что самоочистка участка осаждения не может быть выполнена на пути процесса осаждения на пленку 3.
Настоящее изобретение было выполнено, принимая во внимание вышеуказанные проблемы. Цель настоящего изобретения состоит в предложении устройства плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа, в котором может быть получено однородное качество слоя, подачей реакционного газа равномерно к площади осаждения, и регулирование зазора между высокочастотным электродом и противоэлектродом может быть легко выполнено.
Далее, другая цель настоящего изобретения состоит в предложении устройства плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа, в котором процесс самоочистки участка осаждения может быть выполнен на пути осаждения на пленку.
Средства решения данной проблемы
Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа включает вышестоящий барабан и нижестоящий барабан, расположенные на стороне входа и стороне выхода участка осаждения по отношению к направлению движения пленки, которые заставляют указанную пленку двигаться по существу линейно на указанном месте осаждения, где высокочастотный электрод расположен лицевой стороной к поверхности осаждения указанной пленки и соединен с источником высокочастотной энергии; противоэлектрод расположен на обратной стороне поверхности осаждения указанной пленки; и средства подачи газа, подающие исходный газ к поверхности осаждения указанной пленки, расположены на месте осаждения.
В настоящем изобретении пленку заставляют перемещаться по существу линейно между высокочастотным электродом и противоэлектродом при условии, что данная пленка поддерживается вышестоящим барабаном и нижестоящим барабаном. Исходный газ подается к поверхности осаждения пленки. Плазма исходного газа образуется приложением высокочастотного напряжения к высокочастотному электроду. Реакционный продукт осаждается на поверхность осаждения пленки в процессе ее движения, так что слой покрытия последовательно образуется на поверхности осаждения.
Регулирование зазора между пленкой и высокочастотным электродом становится легким путем регулирования высоты положения вышестоящего барабана и нижестоящего барабана, поскольку пленка поддерживается линейно. Также, поскольку высокочастотный электрод и противоэлектрод могут быть сконструированы плоско друг к другу, может быть легко выполнено регулирование зазора между обоими электродами. Более того, конструкция обоих электродов может быть упрощена, и их производство станет легче.
В настоящем изобретении устройство подачи газа включает решетку для распыления, присоединенную к высокочастотному электроду; часть пространства, образованную между высокочастотным электродом и решеткой для распыления; и линию подачи газа, сообщающуюся с данной частью пространства и подающую газ к поверхности осаждения пленки через решетку для распыления. Согласно данной конструкции, реакционный газ равномерно подается к площади осаждения пленки, и, посредством этого плазма образуется равномерно, и может быть получен гомогенный слой.
Предпочтительно иметь конструкцию, которая может равномерно нагревать пленку в месте осаждения. Настоящее изобретение включает металлическую ленту, сделанную, чтобы перемещаться с пленкой в место осаждения. Данная металлическая лента циркулирует в вакуумной камере. Металлическую ленту нагревают при постоянной температуре и заставляют перемещаться лицевой стороной к обратной стороне пленки. Металлическая лента может быть составлена отдельно от противоэлектрода. Более того, она может быть установлена в качестве противоэлектрода.
С другой стороны, настоящее изобретение включает металлическую ленту, которую заставляют перемещаться кругообразно в вакуумной камере одновременно с обратной стороны поверхности осаждения пленки; маску, имеющую щель, ограничивающую площадь осаждения поверхности осаждения пленки; механизм регулирования, регулирующий зазор между поверхностью осаждения пленки и щелью маски; заслонку, способную закрывать щель маски путем вставки между поверхностью осаждения пленки и щелью маски; и подающее устройство очищающего газа.
В данной конструкции поверхность осаждения пленки может быть экранирована от пространства образования плазмы заслонкой, и процесс самоочистки участка осаждения может быть выполнен на пути осаждения на пленку. В таком случае происходит ограничение рассеивания очищающего газа, например, обладающего коррозионной активностью, и продукта его разложения на пленку и элементы соседних механизмов. Заслонка может выполнять функцию противоэлектрода. Более того, подающее устройство очищающего газа может являться устройством подачи газа для подачи реакционного газа.
Механизм регулирования может включать устройство перемещения барабана, поднимающее вышестоящий барабан и нижестоящий барабан, которое направляет перемещения пленки и металлической ленты, и устройство регулирования натяжения ленты, регулирующее растягивающую силу металлической ленты.
Результат настоящего изобретения
Как описано выше, в соответствии с устройством плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по настоящему изобретению, качество образовавшегося на пленке слоя покрытия может быть однородным и регулирование зазора между высокочастотным электродом и противоэлектродом может быть легко выполнено, в соответствии с условиями осаждения.
Более того, процесс самоочистки участка осаждения может быть выполнен на пути осаждения на пленку, и, следовательно, может быть ограничено ухудшение эффективности работы устройства. Кроме того, может быть изготовлено покрытие высокого качества.
Краткое описание чертежей
Фиг.1 представляет собой схему устройства плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа в соответствии с одним вариантом осуществления настоящего изобретения.
Фиг.2 представляет собой схему участка осаждения 25.
Фиг.3 представляет собой вид поперечного сечения линии [3]-[3] на фиг.1.
Фиг.4 представляет собой вид сбоку поперечного сечения участка осаждения 25, объясняющий один способ перемещения в режим самоочистки.
Фиг.5 представляет собой вид сбоку поперечного сечения участка осаждения 25, объясняющий другой способ перемещения в режим самоочистки.
Фиг.6 представляет собой вид сбоку поперечного сечения участка осаждения 25 в режиме самоочистки.
Фиг.7 представляет собой схему устройства плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа предшествующего уровня техники.
Пояснения букв и чисел
20 устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа
21 вакуумная камера
22 пленка
23 разматывающий барабан
24 наматывающий барабан
25 участок осаждения
27 реакционная камера
29 вакуумное вытяжное отверстие
32 нагревающий барабан
33 вышестоящий подвижной барабан
34 нижестоящий подвижной барабан
36 высокочастотный электрод
37 решетка для распыления
38 анодный электрод (противоэлектрод)
40 металлическая лента
41 устройство перемещения ленты
43 подвижной барабан
46 подъемное устройство
47 источник высокочастотной энергии
49 часть пространства
50 линия подачи газа
51 маска
52 щель
53 устройство нейтрализации заряда
56 вращающаяся ось
57 опорный кронштейн
60 верхний крюк (зацепляющая защелка)
61 нижний крюк
65 заслонка
Осуществление изобретения
Далее будет описан вариант осуществления настоящего изобретения со ссылкой на чертежи.
Фиг.1 показывает схему устройства плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа 20 в соответствии с одним вариантом осуществления настоящего изобретения. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа 20 включает вакуумную камеру 21, разматывающий барабан 23, который разматывает пленку 22, на которой формируют слой покрытия, наматывающий барабан 24, который наматывает пленку 22, и участок осаждения 25, на котором формируют слой покрытия.
Внутри вакуумная камера 21 разделена на реакционную камеру 27 и нереакционную камеру 28 разделительной панелью 26. Участок осаждения 25 расположен в реакционной камере 27. Разматывающий барабан 23 и наматывающий барабан 24 расположены в нереакционной камере 28. Вакуумные вытяжные отверстия 29 и 30 соответственно соединены с реакционной камерой 27 и нереакционной камерой 28, и, следовательно, каждая камера может быть откачана независимо. В данном варианте осуществления реакционная камера 27 поддерживается, например, под давлением от дюжин Па до нескольких сотен Па. Вакуумное вытяжное отверстие 29 боковой стенки реакционной камеры 27 расположено около участка осаждения 25.
Разделительная панель 26 имеет две прорези 26а и 26b. Одна прорезь 26а предназначена для прохождения пленки 22 от разматывающего барабана 23 до участка осаждения 25. Другая прорезь 26b предназначена для прохождения пленки 22 от участка осаждения 25 до наматывающего барабана 24.
Пленка 22 представляет собой длинную гибкую пленку, которая нарезана с заданной шириной. Например, используют стеклянную пленку или пленку на основе смолы, толщина которой составляет 70 мкм. Пленка на основе смолы, температура жаростойкости которой равна или больше 200 градусов Цельсия (°С), является предпочтительной, например полиимидная пленка, полиамидная пленка и арамидная пленка. Скорость перемещения пленки 22 составляет, например, от 0,01 м/мин до 0,1 м/мин.
Множество вспомогательных барабанов 31А и 31В, нагревающий барабан 32 и вышестоящий подвижной барабан 33 расположены последовательно на пути пленки от разматывающего барабана 23 до участка осаждения 25, соответственно, для того, чтобы направлять перемещение пленки 22. Кроме того, нижестоящий подвижной барабан 34 и множество вспомогательных барабанов 35А, 35В и 35С расположены последовательно на пути пленки от участка осаждения 25 до наматывающего барабана 24, соответственно, для того, чтобы направлять перемещение пленки 22. Вспомогательный барабан 35В имеет функцию охлаждающего барабана.
Нагревающий барабан 32 имеет нагревающее устройство, такое как нагреватель. Пленку 22 нагревают при заданной температуре (например, 200-250°С), в то время как ее заставляют перемещаться. При необходимости, вспомогательный нагреватель 39 для нагревания поверхности осаждения пленки 22 может быть встроен между нагревающим барабаном 32 и вышестоящим подвижным барабаном 33, как показано на фиг.1.
Вышестоящий подвижной барабан 33 и нижестоящий подвижной барабан 34 относятся к "вышестоящему барабану" и "нижестоящему барабану" настоящего изобретения, соответственно. Данные барабаны заставляют пленку 22 перемещаться по существу линейно (горизонтально) на участке осаждения 25 (место осаждения). Как обсуждается ниже, данные вышестоящий подвижной барабан 33 и нижестоящий подвижной барабан 34 могут быть подняты (вверх и вниз) между положением самоочистки, как показано непрерывной линией, и местом осаждения, как показано двухточечной пунктирной линией на фиг.1, подъемным устройством 46, установленным снаружи вакуумной камеры 21.
Участок осаждения 25 расположен между вышестоящим подвижным барабаном 33 и нижестоящим подвижным барабаном 34. Участок осаждения 25 включает высокочастотный электрод 36, расположенный лицевой стороной к поверхности осаждения пленки 22, решетку для распыления 37, присоединенную к высокочастотному электроду 36, и анодный электрод 38, расположенный лицевой стороной к обратной стороне поверхности осаждения пленки 22. Исходный газ подается через решетку для распыления 37 к поверхности осаждения пленки 22, и плазма исходного газа образуется между высокочастотным электродом 36 и пленкой 22. Слой образуется посредством осаждения реакционного продукта исходного газа на поверхность осаждения пленки 22, которую заставляют перемещаться. Анодный электрод 38 сконструирован как противоэлектрод и связан с потенциалом земли. Анодный электрод нагревают при температуре, близкой к нагревающему барабану 32, для того, чтобы сделать температуру пленки 22 однородной.
Устройство нейтрализации заряда 53 предусмотрено между вспомогательным барабаном 35В и наматывающим барабаном 24. Данное устройство нейтрализации заряда 53 установлено с целью удаления заряда пленки 22 электрически. В качестве одной конструкции устройства нейтрализации заряда 53 может быть применена конструкция, которая разряжает пленку 22 обработкой бомбардированием плазмой.
Затем металлическую ленту 40 заставляют перемещаться кругообразно в реакционной камере 27. Данная металлическая лента 40 представляет собой бесконечную ленту, выполненную из нержавеющей стали. Металлическую ленту заставляют перемещаться с пленкой 22 на обратной стороне поверхности осаждения пленки 22, в то время как пленка 22 проходит нагревающий барабан 32, вышестоящий подвижной барабан 33, нижестоящий подвижной барабан 34 и вспомогательный барабан 35А. Электрический потенциал металлической ленты 40 представляет собой потенциал земли, то есть идентичен потенциалу анодного электрода 38.
Множество направляющих барабанов 42А, 42В и 42С и подвижной барабан 43 расположены соответственно на пути движения ленты между вспомогательным барабаном 35А и нагревающим барабаном 32. Данное множество барабанов 42А, 42В и 42С направляют движение металлической ленты 40. Подвижной барабан 43 регулирует силу натяжения металлической ленты 40. Устройство перемещения ленты 41 состоит из нагревающего барабана 32, вышестоящего подвижного барабана 33, нижестоящего подвижного барабана 34, вспомогательного барабана 35А, направляющих барабанов 42А, 42В и 42С и подвижного барабана 42. Способ регулирования натяжения металлической ленты 40 имеет две методики. Одной регулируют с помощью движения подвижного барабана 43. Другой регулируют с помощью натяжного барабана, установленного отдельно от подвижного барабана 43.
Разделительные пластины 44 и 45 установлены между нагревающим барабаном 32 и вспомогательным барабаном 35А, соответственно, в реакционной камере 27. Промежуточная камера (буферная камера) 70 образована между разделительной пластиной 44 и разделительной пластиной 45. Существует камера перемещения 71 между разделительной панелью 26 и разделительной пластиной 44. Вакуумные вытяжные отверстия 72 и 73 соединены с промежуточной камерой 70 и камерой перемещения 71 соответственно, и, следовательно, каждая камера может быть откачана независимо. Таким образом, сдерживают загрязнение устройства перемещения ленты 41 реакционным газом (исходным газом) и очищающим газом, которые вводятся на участок осаждения 25, и их плазменными продуктами, которое может произойти за счет их рассеяния и осаждения.
Фиг.2 представляет собой схему участка осаждения 25.
Высокочастотный электрод 36 соединен с источником энергии высокой частоты 47. Частота сети источника энергии высокой частоты 47 может быть принята в пределах 100 МГц от 100 кГц, в соответствии с условиями образования плазмы. Высокочастотный электрод 36 имеет форму контейнера. Часть пространства 49 заданной емкости образуется внутри высокочастотного электрода 36. Решетка для распыления 37 присоединена к верхнему концу высокочастотного электрода 36. Решетка для распыления 37 обращена лицевой стороной к поверхности осаждения пленки 22 на участке осаждения 25.
Решетка для распыления 37 действует как часть высокочастотного электрода. Решетка для распыления создает пространство, образующее плазму исходного газа, между решеткой для распыления 37 и пленкой 22, в сотрудничестве с анодными электродами 38, соединенными с потенциалом земли. Исходный газ вводится в часть пространства 49 из линии подачи газа 50 через вентиль потока с плавной характеристикой 48 и отверстие ввода газа 50а, и таким образом исходный газ подается равномерно в пространство, образующее плазму, из каждого отверстия решетки для распыления 37. "Средства подачи газа" по настоящему изобретению состоят из решетки для распыления 37, части пространства 49, линии подачи газа 50 и отверстия ввода газа 50а.
Вид используемого исходного газа в особенности не ограничен и может быть выбран соответственно согласно виду материала слоя покрытия, осаждаемого на пленке 22. В данном варианте осуществления получают различные виды функциональных слоев для TFT (тонкопленочный транзистор) на пленке 22 технологией плазмохимического осаждения из паровой фазы.
Например, материал покрытия представляет собой кремний, нитрид кремния, оксид кремния, оксиазотированный кремний или смесь данных кремниевых материалов и, по меньшей мере, один из бора (В) и фосфора (Р). В данном случае в качестве примеров исходного газа может быть использован смешанный газ из SiH4 и H2 при образовании слоя покрытия из аморфного кремния и может быть использован смешанный газ из SiH4, PH3 и H2 при образовании слоя покрытия из n+ типа аморфного кремния, допированного Р. Еще более того, при образовании слоя покрытия из SiN, может быть использован смешанный газ из SiH4, NH3 и N2, или смешанный газ из SiH4, N2O и Ar.
Исходный газ подается на участок осаждения 25 из линии подачи газа 50 в режиме осаждения. С другой стороны, фторсодержащий газ, такой как NF3, может быть введен на участок осаждения 25 из линии подачи газа 50, в качестве очищающего газа, который подается в режиме самоочистки. NF3 является агрессивным газом.
Затем, маска 51 расположена между решеткой для распыления 37 и поверхностью осаждения пленки 22. По меньшей мере, верхняя часть маски 51 сделана из изолирующего материала, такого как керамика. Маска 51 имеет щель 52, ограничивающую площадь осаждения в пределах поверхности осаждения пленки 22. Маска 51 включает корпус маски 53, имеющий форму колена, и кромку маски 54, образующую щель 52. Части боковых и верхних поверхностей высокочастотного электрода 36 покрываются корпусом маски 53. Как показано стрелкой Р на фиг.2, между маской 51 и высокочастотным электродом 36 образуются протоки газа. Газ подводится к вакуумному выхлопному отверстию 29 (фиг.1) через протоки.
Фиг.3-6 представляют собой виды сбоку поперечного сечения участка осаждения 25 с точки зрения направления перемещения пленки 22. Конструкция вышестоящего подвижного барабана 33 сбоку показана на данных фигурах. Хотя конструкция нижестоящего подвижного барабана 34 сбоку не показана на данных фигурах, она аналогична конструкции вышестоящего подвижного барабана 33 сбоку.
Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа 20 данного варианта осуществления имеет заслонку 65, которая может открывать или закрывать щель 52 маски 51. Режим самоочистки участка осаждения 25 может выполняться введением очищающего газа из отверстия ввода газа 50а после закрытия щели 52 заслонкой 65.
Оба конца вращающейся оси 56 вышестоящего подвижного барабана 33 (и оба конца вращающейся оси нижестоящего подвижного барабана 34, как изложено ниже) поддерживаются опорными кронштейнами 57, и, следовательно, положение перемещения пленки 22 регулируется. Опорные кронштейны 57 присоединены к подъемному устройству 46, расположенному снаружи нижней части вакуумной камеры 21, через резьбовые штифты подъемного устройства 58. Таким образом, вышестоящий подвижной барабан 33 может быть поднят или опущен движением подъемного устройства 46.
Резьбовые штифты подъемного устройства 58 вставлены в вакуумные сильфоны 59, расположенные между опорным кронштейном 57 и нижней стенкой вакуумной камеры 21, и, следовательно, сохраняется герметичность между нижней стенкой вакуумной камеры 21 и резьбовыми штифтами подъемного устройства 58.
Фиг.3 показывает условия процесса покрытия пленки 22. Ширина вышестоящего подвижного барабана 33 больше, чем ширина пленки 22, и, по существу, идентична ширине металлической ленты 40. Когда вышестоящий подвижной барабан 33 находится в месте осаждения, как показано на фигуре, пленка 22, перемещение которой должно направляться вышестоящим подвижным барабаном 33 и металлической лентой 40, проходит между анодными электродами 38 и маской 51. Затем, анодный электрод 38 поддерживается L-образными верхними крюками 60, присоединенными к опорному кронштейну 57. Верхние крюки относятся к "зацепляющей защелке" настоящего изобретения. Маска 51 поддерживается поддерживающим блоком 62, присоединенным к внутренней поверхности нижней стенки вакуумной камеры 21. Следовательно, высота положений анодного электрода 38 и маски 51 регулируется, соответственно.
В данных условиях, расстояние между пленкой 22 и решеткой для распыления 37 регулирует так, чтобы оно было равным 10 мм или более и 50 мм или менее, и более предпочтительно 15 мм или более и 25 мм или менее. Данное расстояние регулируется движением подъемного устройства 46 в направлении высоты. Если расстояние между пленкой 22 и решеткой для распыления 37 меньше 10 мм, площадь, где образуется плазма, становится маленькой, и, следовательно, реакция газа не продвигается. Более того, если расстояние больше 50 мм, скорость осаждения становится низкой и, следовательно, ухудшается производительность.
Подъемное устройство 46, которое показано на фигуре частично, имеет воздушный цилиндр или мотор, в качестве источника движения. Как показано на фиг.4, подъемное устройство 46 может поднимать анодный электрод 38 в положение, где образуется зазор G1 между анодным электродом 38 и маской 51, удалением анодных электродов 38 от маски 51 верхними крюками 60. Еще более того, как показано на фиг.5, подъемное устройство 46 может поднимать маску 51 в положение, где образуется зазор G2 между маской 51 и решеткой для распыления 37, удалением маски 51 от решетки для распыления 37 L-образными нижними крюками 61, присоединенными к опорным кронштейнам 57.
Далее, заслонка 65 находится в готовности действовать в положении около участка осаждения 25 в реакционной камере 27, как показано на фиг.3-5. Щель 52 маски 51 может быть закрыта введением заслонки 65 к зазору G1, образованному между анодным электродом 38 и маской 51, как показано на фиг.6. Заслонка 65 сделана из металла и соединена с потенциалом земли. Кроме того, заслонка 65 обращена лицевой стороной к решетке для распыления 37 через отверстие маски 52 и разделяет пространство образования плазмы между заслонкой 65 и решеткой для распыления 37.
Пленка 22 и металлическая лента 40, которые поддерживаются вышестоящим подвижным барабаном 33 и нижестоящим подвижным барабаном 34, ослабляются ухудшением натяжения, обусловленным направленными вверх движениями вышестоящего подвижного барабана 33 и нижестоящего подвижного барабана 34. Ослабление металлической ленты 40 отменяется движением подвижного барабана 43 устройства перемещения ленты 41 в положение, показанное двухточечной штрихпунктирной линией на фиг.1. Ослабление пленки 22 отменяется, например, обратным вращающим моментом разматывающего барабана 23, или регулированием натяжения, или регулированием вращающего момента наматывающего барабана 24.
"Устройство перемещения барабана" по настоящему изобретению состоит из подъемного устройства 46, опорных кронштейнов 57 и верхних крюков 60. Кроме того, "механизм регулирования" состоит из устройства перемещения барабана и подвижного барабана 43, который составляет систему перемещения ленты 41.
Затем последовательно будет описана работа устройства плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа 20 данного варианта осуществления.
Ссылаясь на фиг.1, пленка 22, размотанная разматывающим барабаном 23, наматывается на наматывающий барабан 24, через вспомогательные барабаны 31А и 31В, нагревающий барабан 32, вышестоящий и нижестоящий подвижные барабаны 33 и 34 и вспомогательные барабаны 35А, 35В и 35С. В это время вышестоящий подвижной барабан 33 и нижестоящий подвижной барабан 34 расположены соответственно в месте осаждения, показанном непрерывной линией на фиг.1.
С другой стороны, металлическую ленту 40 заставляют перемещаться с пленкой 22 на нагревающем барабане 32, вышестоящем подвижном барабане 33, нижестоящем подвижном барабане 34 и вспомогательном барабане 35А. Перемещение металлической ленты 40 направляется подвижным барабаном 43 в положении, показанном непрерывной линией на фиг.1.
В процессе осаждения пленка 22, размотанная с разматывающего барабана 34, соединяется с металлической лентой 40 на нагревающем барабане 32. Нагревающий барабан 32 нагревают при температуре реакции (от 200 до 250°С), что необходимо для процесса покрытия пленки. Таким образом, пленка 22 нагревается нагревающим барабаном 32 через металлическую ленту 40, расположенную на обратной стороне (противоположная сторона поверхности осаждения) пленки 22. При необходимости пленку 22 нагревают вспомогательным нагревателем 39.
Поскольку пленка 22 нагревается через металлическую ленту 40, эффективность нагревания пленки 22 повышается и потребление электрической энергии источника тепла может быть уменьшено. Кроме того, поскольку металлическую ленту заставляют перемещаться с пленкой 22 одним целым, трение между металлической лентой 40 и пленкой 22 теряется, и пленка 22 может быть защищена.
Пленка 22, нагретая нагревающим барабаном 32, перемещается на участок осаждения 25 металлической лентой 40. На участке осаждения 25 пленка 22 обращена лицевой стороной к решетке для распыления 37 на постоянном расстоянии, как показано на фиг.2. Противоположное расстояние равно от 10 мм до 50 мм, как описано выше. Данное расстояние регулируется в соответствии с условиями образования плазмы, соответствующе.
Согласно данному варианту осуществления, в частности, пленку 22 можно заставить перемещаться по существу линейно в место осаждения с помощью вышестоящего и нижестоящего подвижных барабанов 33 и 34. Следовательно, может быть легко выполнено регулирование расстояния между пленкой 22 и решеткой для распыления 37. Кроме того, решетка для распыления 37 может быть сделана плоско.
Образование слоя покрытия на пленке 22 выполняют таким образом, что плазма исходного газа, подаваемая из решетки для распыления 37, образуется прикладыванием высокочастотного напряжения к высокочастотному электроду 36, и затем реакционный продукт заставляют осаждаться на перемещающуюся пленку 22. Площадь осаждения пленки 22 ограничена маской 51. Металлическая лента 40 действует как анодный электрод (противоэлектрод).
Часть пространства 49, образованного внутри высокочастотного электрода 36, действует как буферное пространство исходного газа, вводимого из отверстия ввода газа 50а, и исходный газ подается в пространство образования плазмы через каждую щель решетки для распыления 37 равномерно из части пространства 49. Таким образом, однородная плазма может быть образована для пленки 22, и может быть получена гомогенизация слоя покрытия.
Слоистую пленку 22 отделяют от металлической ленты 40 на вспомогательном барабане 35А и охлаждают до заданной температуры на вспомогательном барабане 35В. Охлажденную пленку 22 разряжают устройством нейтрализации заряда 53 и после этого пленку 22 наматывают на наматывающий барабан 24. Таким образом, может быть предотвращено образование складок или турбулентности наматывания пленки 22 зарядом электричества больше заданной величины.
Процесс покрытия пленки 22 выполняют, как описано выше. Когда процесс покрытия пленки 22 выполняют подряд в течение долгого времени, масса осадка на участке покрытия 25, в частности в направлении решетки для распыления 37 и периферии щели маски 51, возрастает. Если это оставлять в таком состоянии, качество слоя будет ухудшаться образованием пыли, и мера площади щели 52 будет изменяться. В данном варианте осуществления процесс самоочистки участка осаждения 25 выполняется следующим образом.
В процессе самоочистки подачу исходного газа на участок осаждения 25 останавливают и перемещение пленки 22 и металлической ленты 40 также останавливают. После этого вышестоящий подвижной барабан 33, нижестоящий подвижной барабан 34, анодный электрод 38 и маску 51 последовательно передвигают в верхнее положение самоочистки подъемным устройством 46, как показано на фиг.4 и фиг.5.
Провисания пленки 22 и металлической ленты 40, созданные направленным вверх движением подвижного барабана 33 и 34, устраняются регулированием кругового вращения разматывающего барабана 23 или наматывающего барабана 24, или подвижного барабана 43, как описано выше.
Затем, заслонку 65 передвигают в направлении верха щели маски 52 через зазор G1 между анодным электродом 38 и маской 51, и после этого щель 52 закрывают заслонкой 65 дальнейшим движением вверх маски 51, как показано на фиг.6. Затем, последовательно, очищающий газ вводится из отверстия ввода газа 50а, и плазма очищающего газа образуется между решеткой для распыления 37 и заслонкой 65, так что осадок, который отложился на решетке для распыления 37 и маске 51, разрушается и удаляется.
Процесс самоочистки участка осаждения 25 выполняют, как описано выше. В данном варианте осуществления, самоочистка может быть проведена в условиях, в которых пленка 22 протягивается через участок осаждения 25, и, следовательно, процесс покрытия пленки 22 может быть возобновлен, как только закончится процесс самоочистки. При возобновлении осаждения, маску 51, анодный электрод 38 и подвижные барабаны 33 и 34 возвращают соответственно в данные места осаждения, показанные на фиг.3, обратным действием подъемного устройства 46.
Далее, даже если агрессивный газ используют в качестве очищающего газа, вводимого в процессе самоочистки, рассеяние очищающего газа в пространство на маску 51 может быть предотвращено, так как щель 52 закрывают заслонкой 65. Кроме того, поскольку вакуумное вытяжное отверстие 29 расположено по соседству с участком осаждения 25, как показано на фиг.1, вводимый очищающий газ может быть напрямую выпущен из боковой стороны маски 51 в вакуумное вытяжное отверстие 29 вдоль протоков, показанных стрелкой Р на фиг.6, и, следовательно, рассеяние очищающего газа предотвращается обходом вокруг участка осаждения 25.
Согласно данному варианту осуществления, процесс самоочистки участка осаждения 25 может быть выполнен на пути осаждения на пленку 22, и, следовательно, ограничивается ухудшение эффективности работы устройства, и качество слоя покрытия сохраняется высоким.
Несмотря на то что предпочтительный вариант осуществления настоящего изобретения был описан, не ограничиваясь им, для специалистов в данной области техники могут иметь место его варианты в пределах объема концепций настоящего изобретения.
Например, в вышеуказанном варианте осуществления, один из компонентов, состоящих из металлической ленты 40 и противоэлектрода 38, может быть изъят, поскольку оба имеют одинаковые действия в качестве анодного электрода.
Кроме того, в вышеуказанном варианте осуществления, пленку 22 и металлическую ленту 40 удаляют от решетки для распыления 37 подъемом вышестоящего подвижного барабана 33 и нижестоящего подвижного барабана 34 в процессе самоочистки участка осаждения 25. Вместо этого, детали барабана, которые могут быть подняты или опущены, можно установить между вышестоящим подвижным барабаном 33 и участком осаждения 25 и участком осаждения 25 и нижестоящим подвижным барабаном 34, соответственно, и, таким образом, пленку и металлическую ленту заставляют перемещаться данными барабанными деталями.
Более того, другой слой материала может быть образован на пленке на участке осаждения 25 обращением направления движения пленки, после того как слоистая пленка полностью была намотана на наматывающий барабан 24. В таком случае, разматывающий барабан 22 действует как наматывающий барабан, а наматывающий барабан 24 действует как разматывающий барабан. Более того, вспомогательный барабан 35А может быть сконструирован как нагревающий барабан, а вспомогательный барабан 31В может быть заранее сконструирован как охлаждающий барабан. Еще, кроме того, устройство нейтрализации заряда и вспомогательный нагреватель могут быть предварительно установлены в необходимом положении.
Claims (19)
1. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа для образования слоя покрытия на поверхности осаждения пленки плазмохимическим осаждением из паровой фазы, в то время как указанную пленку заставляют перемещаться в вакуумной камере, которое включает в себя: вышестоящий барабан и нижестоящий барабан, соответственно расположенные на стороне входа и стороне выхода места осаждения по отношению к направлению движения указанной пленки, которые заставляют указанную пленку двигаться, по существу, линейно в указанном месте осаждения, высокочастотный электрод, расположенный лицевой стороной к поверхности осаждения указанной пленки и соединенный с источником высокочастотной энергии, противоэлектрод, расположенный на обратной стороне поверхности осаждения указанной пленки, средства подачи газа, подающие исходный газ к поверхности осаждения указанной пленки, маску, имеющую щель, ограничивающую площадь осаждения поверхности осаждения указанной пленки, и заслонку, выполненную с возможностью закрытия щели указанной маски путем введения упомянутой заслонки между поверхностью осаждения упомянутой пленки и щелью упомянутой маски, причем при выполнении процесса очистки участка осаждения щель указанной маски закрывается указанной заслонкой, и, после закрытия щели указанной маски, подается очищающий газ между упомянутой маской и упомянутым высокочастотным электродом.
2. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.1, в котором указанные средства подачи газа включают: решетку для распыления, присоединенную к указанному высокочастотному электроду, часть пространства, образованного между указанным высокочастотным электродом и указанной решеткой для распыления, и линию подачи газа, связанную с указанной частью пространства и подающую газ к поверхности осаждения указанной пленки через указанную решетку для распыления.
3. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.2, в котором расстояние между указанной решеткой для распыления и поверхностью осаждения указанной пленки составляет от 10 до 50 мм.
4. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.1, в котором частота указанного высокочастотного электрода составляет от 100 кГц до 100 МГц.
5. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.1, в котором указанный противоэлектрод соединен с потенциалом земли.
6. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.1, дополнительно содержащее устройство нагревания для нагревания указанной пленки, расположенное на стороне входа указанного места осаждения.
7. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.1, дополнительно содержащее устройство нейтрализации заряда указанной пленки, расположенное на стороне выхода указанного места осаждения.
8. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.1, в котором указанная пленка сделана из пластика или стекла.
9. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.1, в котором материал указанного слоя покрытия, образованного на поверхности осаждения указанной пленки, представляет собой кремний, нитрид кремния, оксид кремния, оксиазотированный кремний или смесь данных кремниевых материалов и, по меньшей мере, одного компонента, состоящего из бора и фосфора.
10. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.1, дополнительно содержащее металлическую ленту, поддерживающую обратную сторону указанной пленки в положении осаждения, и устройство перемещения ленты, которое заставляет указанную металлическую ленту перемещаться кругообразно в указанной вакуумной камере.
11. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.10, в котором электрический потенциал указанной металлической ленты идентичен потенциалу противоэлектрода, расположенному в указанном месте осаждения.
12. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.10, в котором указанная металлическая лента является противоэлектродом, расположенным в указанном месте осаждения.
13. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.10, дополнительно содержащее барабан, расположенный на стороне входа указанного места осаждения, при этом указанную металлическую ленту и указанную пленку заставляют перемещаться соответственно в контакте с барабаном, причем указанный барабан имеет нагреватель для нагревания указанной пленки через указанную металлическую ленту.
14. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.1, дополнительно содержащее механизм регулирования, регулирующий зазор между поверхностью осаждения указанной пленки и щелью указанной маски.
15. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.14, дополнительно содержащее металлическую ленту, перемещающуюся одновременно на обратной стороне поверхности осаждения указанной пленки, при этом указанный механизм регулирования включает в себя: устройство перемещения барабана, поднимающее вышестоящий барабан и нижестоящий барабан, каждый из которых направляет перемещения указанной пленки и указанной металлической ленты, и устройство регулирования натяжения ленты, регулирующее силу натяжения указанной металлической ленты.
16. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.15, в котором указанное устройство перемещения барабана поднимает противоэлектрод, расположенный в месте осаждения, при подъеме указанного верхнего барабана и указанного нижнего барабана.
17. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.16, в котором указанное устройство перемещения барабана включает: опорные кронштейны, поддерживающие оба конца вращающихся осей указанного вышестоящего барабана и указанного нижестоящего барабана, и зацепляющие защелки, присоединенные к указанным опорным кронштейнам, и способные зацеплять нижнюю часть периферии указанного противоэлектрода.
18. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.1, в котором указанная заслонка соединена с потенциалом земли.
19. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.1, в котором протоки газа образуются между указанной маской и указанным высокочастотным электродом.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005-137671 | 2005-05-10 | ||
| JP2005137671 | 2005-05-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2007141737A RU2007141737A (ru) | 2009-05-20 |
| RU2371515C2 true RU2371515C2 (ru) | 2009-10-27 |
Family
ID=37396576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2007141737/02A RU2371515C2 (ru) | 2005-05-10 | 2006-05-10 | Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7896968B2 (ru) |
| EP (1) | EP1881087B1 (ru) |
| JP (1) | JP5234911B2 (ru) |
| KR (1) | KR100953577B1 (ru) |
| CN (1) | CN101098981B (ru) |
| RU (1) | RU2371515C2 (ru) |
| TW (1) | TWI328050B (ru) |
| WO (1) | WO2006121068A1 (ru) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4817313B2 (ja) * | 2006-09-01 | 2011-11-16 | 株式会社アルバック | 巻取式プラズマｃｖｄ装置 |
| JP5292696B2 (ja) * | 2007-01-11 | 2013-09-18 | Ｔｄｋ株式会社 | プラズマｃｖｄ装置、薄膜製造方法、及び、積層基板 |
| JP5338034B2 (ja) * | 2007-04-09 | 2013-11-13 | 住友金属鉱山株式会社 | 耐熱遮光フィルムとその製造方法、及びそれを用いた絞り又は光量調整装置 |
| KR101204089B1 (ko) * | 2007-12-24 | 2012-11-22 | 삼성테크윈 주식회사 | 롤투롤 기판 이송 장치, 이를 포함하는 습식 식각 장치 및회로 기판 제조 장치 |
| EP2096190A1 (en) * | 2008-02-28 | 2009-09-02 | Applied Materials, Inc. | Coating apparatus for coating a web |
| JP2009283547A (ja) * | 2008-05-20 | 2009-12-03 | Dainippon Printing Co Ltd | 導電性パターンの形成方法とその形成装置並びに導電性基板 |
| US8493434B2 (en) * | 2009-07-14 | 2013-07-23 | Cable Television Laboratories, Inc. | Adaptive HDMI formatting system for 3D video transmission |
| WO2011026034A2 (en) | 2009-08-31 | 2011-03-03 | Andrew Llc | Modular type cellular antenna assembly |
| JP5460236B2 (ja) * | 2009-10-22 | 2014-04-02 | 株式会社神戸製鋼所 | Ｃｖｄ成膜装置 |
| JP5513320B2 (ja) * | 2010-08-31 | 2014-06-04 | 富士フイルム株式会社 | 成膜装置 |
| JP2013044015A (ja) * | 2011-08-24 | 2013-03-04 | Fujifilm Corp | 成膜装置 |
| CN108425098A (zh) | 2011-12-21 | 2018-08-21 | 应用材料公司 | 用于处理基板的系统和方法 |
| CN102433551A (zh) * | 2011-12-31 | 2012-05-02 | 汉能科技有限公司 | 一种反应腔室喷淋系统 |
| DE102012205254B4 (de) | 2012-03-30 | 2018-05-09 | Von Ardenne Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Temperierung bandförmiger Substrate unter thermisch stimulierter Prozessumgebung |
| DE102012208233A1 (de) | 2012-05-16 | 2013-11-21 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Temperierung bandförmiger Substrate unter thermisch stimulierter Prozessumgebung |
| JP5958092B2 (ja) | 2012-05-31 | 2016-07-27 | ソニー株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
| DE102012108742B4 (de) | 2012-06-04 | 2017-02-23 | Von Ardenne Gmbh | Verfahren und Anordnung zum Transport von bandförmigen Materialien in Vakuumbehandlungsanlagen |
| WO2014208943A1 (ko) * | 2013-06-28 | 2014-12-31 | (주) 에스엔텍 | 플라즈마 화학기상 장치 |
| JP5971870B2 (ja) * | 2013-11-29 | 2016-08-17 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体 |
| CN103695839B (zh) * | 2013-12-07 | 2016-05-18 | 深圳市金凯新瑞光电有限公司 | 一种应用在镀膜设备中的离子源清洗装置 |
| CN103789739B (zh) * | 2014-01-22 | 2015-12-23 | 南京汇金锦元光电材料有限公司 | 磁控溅射镀膜装置 |
| DE102014105747B4 (de) * | 2014-04-23 | 2024-02-22 | Uwe Beier | Modulare Vorrichtung zum Bearbeiten von flexiblen Substraten |
| JP6600079B2 (ja) * | 2015-11-27 | 2019-10-30 | 韓国機械研究院 | 基板コーティング装置及びこれを含む伝導性フィルムコーティング装置 |
| WO2019188976A1 (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | Ｊｆｅスチール株式会社 | 方向性電磁鋼板の製造方法および連続成膜装置 |
| CN112567068B (zh) * | 2018-04-30 | 2023-03-28 | 艾克斯特朗欧洲公司 | 用于以含碳层对基底覆层的设备 |
| TWI743726B (zh) * | 2019-04-15 | 2021-10-21 | 日商新川股份有限公司 | 封裝裝置 |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5736437A (en) * | 1980-08-14 | 1982-02-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | Producing device of magnetic recording medium |
| JPS6361420A (ja) * | 1986-09-01 | 1988-03-17 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| JPH0653928B2 (ja) * | 1987-09-17 | 1994-07-20 | 帝人株式会社 | プラズマｃｖｄ装置 |
| JP2532598B2 (ja) * | 1988-08-03 | 1996-09-11 | シャープ株式会社 | 光メモリ素子の製造方法及びその装置 |
| JP2932602B2 (ja) * | 1990-04-27 | 1999-08-09 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜製造装置 |
| JP2824808B2 (ja) * | 1990-11-16 | 1998-11-18 | キヤノン株式会社 | マイクロ波プラズマｃｖｄ法による大面積の機能性堆積膜を連続的に形成する装置 |
| JPH07233474A (ja) | 1994-02-23 | 1995-09-05 | Ulvac Japan Ltd | 巻取式真空成膜装置 |
| US5665640A (en) * | 1994-06-03 | 1997-09-09 | Sony Corporation | Method for producing titanium-containing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor |
| JPH0863746A (ja) * | 1994-08-24 | 1996-03-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法及び装置 |
| JP4067589B2 (ja) * | 1995-02-28 | 2008-03-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜太陽電池の作製方法 |
| JP2000054151A (ja) * | 1998-08-03 | 2000-02-22 | Toppan Printing Co Ltd | 真空成膜装置 |
| US6592771B1 (en) * | 1999-04-08 | 2003-07-15 | Sony Corporation | Vapor-phase processing method and apparatus therefor |
| US20040149214A1 (en) * | 1999-06-02 | 2004-08-05 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus |
| JP4439665B2 (ja) * | 2000-03-29 | 2010-03-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プラズマｃｖｄ装置 |
| JP3255903B2 (ja) * | 2000-08-10 | 2002-02-12 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成方法および堆積膜形成装置 |
| JP4610069B2 (ja) * | 2000-11-14 | 2011-01-12 | 積水化学工業株式会社 | 半導体素子の製造装置 |
| JP4200413B2 (ja) | 2001-01-17 | 2008-12-24 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 薄膜半導体の製造装置 |
| JP4822378B2 (ja) * | 2001-02-06 | 2011-11-24 | 株式会社ブリヂストン | 成膜装置および成膜方法 |
| US6852169B2 (en) * | 2001-05-16 | 2005-02-08 | Nordson Corporation | Apparatus and methods for processing optical fibers with a plasma |
| JP5050299B2 (ja) * | 2001-05-17 | 2012-10-17 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 長尺基材の表面処理方法及びその方法により製造された光学フィルム |
| JP2002371358A (ja) * | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Canon Inc | シリコン系薄膜の形成方法、シリコン系薄膜及び半導体素子 |
| JP2003168593A (ja) * | 2001-11-29 | 2003-06-13 | Sekisui Chem Co Ltd | 放電プラズマ処理装置 |
| JP2003179043A (ja) | 2001-12-13 | 2003-06-27 | Ulvac Japan Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| EP1347077B1 (en) * | 2002-03-15 | 2006-05-17 | VHF Technologies SA | Apparatus and method for the production of flexible semiconductor devices |
| JP4516304B2 (ja) * | 2003-11-20 | 2010-08-04 | 株式会社アルバック | 巻取式真空蒸着方法及び巻取式真空蒸着装置 |
| US7785672B2 (en) * | 2004-04-20 | 2010-08-31 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling the film properties of PECVD-deposited thin films |
| US7169232B2 (en) * | 2004-06-01 | 2007-01-30 | Eastman Kodak Company | Producing repetitive coatings on a flexible substrate |
-
2006
- 2006-05-08 TW TW095116196A patent/TWI328050B/zh active
- 2006-05-10 EP EP06732516.7A patent/EP1881087B1/en active Active
- 2006-05-10 CN CN2006800018846A patent/CN101098981B/zh active Active
- 2006-05-10 KR KR1020077015759A patent/KR100953577B1/ko active IP Right Grant
- 2006-05-10 RU RU2007141737/02A patent/RU2371515C2/ru active
- 2006-05-10 JP JP2007528300A patent/JP5234911B2/ja active Active
- 2006-05-10 US US11/792,810 patent/US7896968B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-05-10 WO PCT/JP2006/309387 patent/WO2006121068A1/ja active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI328050B (en) | 2010-08-01 |
| CN101098981B (zh) | 2010-10-20 |
| EP1881087A1 (en) | 2008-01-23 |
| TW200730663A (en) | 2007-08-16 |
| RU2007141737A (ru) | 2009-05-20 |
| JPWO2006121068A1 (ja) | 2008-12-18 |
| JP5234911B2 (ja) | 2013-07-10 |
| WO2006121068A1 (ja) | 2006-11-16 |
| US20080006206A1 (en) | 2008-01-10 |
| CN101098981A (zh) | 2008-01-02 |
| EP1881087B1 (en) | 2013-07-24 |
| EP1881087A4 (en) | 2009-07-08 |
| KR20070089848A (ko) | 2007-09-03 |
| US7896968B2 (en) | 2011-03-01 |
| KR100953577B1 (ko) | 2010-04-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2371515C2 (ru) | Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа | |
| US10676822B2 (en) | Method and apparatus for depositing atomic layers on a substrate | |
| US6820570B2 (en) | Atomic layer deposition reactor | |
| JP5486249B2 (ja) | 成膜方法 | |
| JP2006521462A (ja) | プラズマ増強膜堆積 | |
| KR20120085254A (ko) | 플라스마 증강 화학적 기상 증착 장치 | |
| US20090098311A1 (en) | Method for forming thin film | |
| JP5562723B2 (ja) | 成膜方法、成膜装置、およびガスバリアフィルムの製造方法 | |
| KR101430658B1 (ko) | 원자층 증착장치 | |
| KR101413981B1 (ko) | 플라즈마 발생장치 및 이를 포함하는 박막증착장치 | |
| JP4817313B2 (ja) | 巻取式プラズマｃｖｄ装置 | |
| KR101413979B1 (ko) | 플라즈마 발생장치 및 이를 포함하는 박막증착장치 | |
| KR101430657B1 (ko) | 원자층 증착장치 | |
| KR101430656B1 (ko) | 원자층 증착장치 및 그 증착방법 | |
| JP2022512764A (ja) | 放射デバイス、基板上に材料を堆積させるための堆積装置、及び基板上に材料を堆積させるための方法 | |
| JPS58167766A (ja) | 化学蒸着装置 | |
| JP2015141815A (ja) | プラズマ処理装置 |