JPS58167766A - 化学蒸着装置 - Google Patents
化学蒸着装置Info
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- JPS58167766A JPS58167766A JP5197182A JP5197182A JPS58167766A JP S58167766 A JPS58167766 A JP S58167766A JP 5197182 A JP5197182 A JP 5197182A JP 5197182 A JP5197182 A JP 5197182A JP S58167766 A JPS58167766 A JP S58167766A
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- vapor deposition
- chemical vapor
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
- C23C16/45591—Fixed means, e.g. wings, baffles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、原料ガスの分布が一様になるようＫした化
学蒸着装置に関するものである。
学蒸着装置に関するものである。
分子量または原子量の重い原料ガスまたは蒸気を含む気
体から化学蒸着を行うと、キャリアガス中の原料ガス分
布が一様となりにくく、そのため、例えば従来の化学蒸
着装置のように上方から基板上に原料ガスを供給する装
置では常に形成される膜状物質の膜厚分布が問題となっ
ていた。
体から化学蒸着を行うと、キャリアガス中の原料ガス分
布が一様となりにくく、そのため、例えば従来の化学蒸
着装置のように上方から基板上に原料ガスを供給する装
置では常に形成される膜状物質の膜厚分布が問題となっ
ていた。
例えば５ｎＣ１，の蒸気を含むキャリアガスに酸化性ガ
スを混合した５ｎ−０１の化学蒸着においても膜の均一
性を得るためＫは、排気条件および排気口の数および位
置等を微妙に制御する必要があった。このような状況は
、例えばモリブデンやタングステン等の化合物を含む原
料ガスから、これらの金属を堆積させる場合、インジウ
ムの化合物を含むキャリアガスから酸化インジウムを堆
積させる場合にも見られる。
スを混合した５ｎ−０１の化学蒸着においても膜の均一
性を得るためＫは、排気条件および排気口の数および位
置等を微妙に制御する必要があった。このような状況は
、例えばモリブデンやタングステン等の化合物を含む原
料ガスから、これらの金属を堆積させる場合、インジウ
ムの化合物を含むキャリアガスから酸化インジウムを堆
積させる場合にも見られる。
この発明は、上記従来の欠点を除去するために重い原料
ガスまたは蒸気を含む気体を基板の下方から供給するこ
とによって基板の平面方向の原料ガスの不均一性を改善
し均一な膜状物質を得ることを特徴とする化学蒸着装置
に関するものである。
ガスまたは蒸気を含む気体を基板の下方から供給するこ
とによって基板の平面方向の原料ガスの不均一性を改善
し均一な膜状物質を得ることを特徴とする化学蒸着装置
に関するものである。
以下この発明を図面について詳細に説明する。
第１図はこの発明の一実施例の断面図であり、１は基板
、１０はチャンバー、１１は前記チャンバー１０の下方
に設けられた原料ガスを含むガスを導入するガス導入部
、１２は前記チャンバー１０の上方に設けられたガス排
出部、１３は前記チャンバー１０の内側に設けられた基
板保持部、１４は第１の加熱部で、この場合はチャンバ
ー１０の外側に設けられ基板保持部１３を囲むよう圧し
て加熱し、基板１の温度を制御する構成になっている。
、１０はチャンバー、１１は前記チャンバー１０の下方
に設けられた原料ガスを含むガスを導入するガス導入部
、１２は前記チャンバー１０の上方に設けられたガス排
出部、１３は前記チャンバー１０の内側に設けられた基
板保持部、１４は第１の加熱部で、この場合はチャンバ
ー１０の外側に設けられ基板保持部１３を囲むよう圧し
て加熱し、基板１の温度を制御する構成になっている。
しかしｇｌの加熱部１４は必ずしもチャンバー１０の外
側にある必要はなく、チャンバー１０の内側で基板保持
部１３に近接する形で設けられてもよい。１５，１＠は
第１．第２の均一化部を示す。このような配置で原料ガ
スを供給した場合、上方から原料ガスを供給する従来の
場合と異なりキャリアガスよりも原料ガスの方が重いた
めチャンバー１０の下方に一様に溜ってから上方に押し
上げられるので基板１に到達する時にはかなり一様な分
布となつ℃到達する。
側にある必要はなく、チャンバー１０の内側で基板保持
部１３に近接する形で設けられてもよい。１５，１＠は
第１．第２の均一化部を示す。このような配置で原料ガ
スを供給した場合、上方から原料ガスを供給する従来の
場合と異なりキャリアガスよりも原料ガスの方が重いた
めチャンバー１０の下方に一様に溜ってから上方に押し
上げられるので基板１に到達する時にはかなり一様な分
布となつ℃到達する。
例えば Ｓ ｎ Ｃ１４ｍ有機スズ（４エチルスズ等）
。
。
ＩｎＣ］ ｍ ｍ 有機インジウム（，３エチルインジ
ウム勢）を用いて酸化物導電膜を基板１上に形成した場
合１０チ以内の膜厚の均一性が得られる。
ウム勢）を用いて酸化物導電膜を基板１上に形成した場
合１０チ以内の膜厚の均一性が得られる。
金属膜の化学蒸着としては、塩化モリブデン。
有機タングステン等の原料を用いた場合にも同様な膜厚
の均一化が見られた。もちろん塩化シリコン、弗化シリ
コン、シラン特に高次シランを原料ガスとして用いたシ
リコン薄膜の化学蒸着においても同様な膜厚の均一化効
果が得られている。
の均一化が見られた。もちろん塩化シリコン、弗化シリ
コン、シラン特に高次シランを原料ガスとして用いたシ
リコン薄膜の化学蒸着においても同様な膜厚の均一化効
果が得られている。
上記の実験においてＳｎＯ，膜の化学蒸着の場合には基
板１の温度を３００〜４００’Ｃ，Ｉｎｓ’ｓ膜の場合
は４００〜５００℃、モリブデン膜の場合は４００〜６
００℃、ジシランを用いたシリコン膜の場合は４００〜
５００℃の範囲で実用的な成長速度が得られ膜厚の均一
性も良好であった。
板１の温度を３００〜４００’Ｃ，Ｉｎｓ’ｓ膜の場合
は４００〜５００℃、モリブデン膜の場合は４００〜６
００℃、ジシランを用いたシリコン膜の場合は４００〜
５００℃の範囲で実用的な成長速度が得られ膜厚の均一
性も良好であった。
キャリアガスとして上記の場合アルゴンまたはチッ素を
用い、シリコン膜の場合は水素を用いても良好な結果が
得られた。
用い、シリコン膜の場合は水素を用いても良好な結果が
得られた。
基板１を加熱する第１の加熱部１４は原理的には基板保
持部１３と基板１のみを加熱すればよいが、基板１およ
び基板保持部１３を移動させる場合はチャ／バー１０の
大部分を囲むような形状に設計し、同じ温度の中を容易
に移動することのできるような構成とすることもできる
。
持部１３と基板１のみを加熱すればよいが、基板１およ
び基板保持部１３を移動させる場合はチャ／バー１０の
大部分を囲むような形状に設計し、同じ温度の中を容易
に移動することのできるような構成とすることもできる
。
また、この発明において、さらに原料ガスの均一流を得
るために基板保持部１３とガス導入部１１との間に例え
ば細大の多数あけた板（石英板またはステンレス板等）
からなる第１の均一化部１５を設けてもよい。また、基
板保持部１３とガス排出部１２との間に第２の均一化部
１６を設けてもよい。この場合基板１表面に成長する時
の膜厚分布は、さらに均一化されるし基板１０大小に膜
の成長速度が依存しない方向に改善される。この第１、
＠２の均一化部１５． １６ハ＋ヤンバー１０に保持機
構１５ｍ、 １６ａを設けて脱着可能とし、洗浄交換
を容易とすることができる。
るために基板保持部１３とガス導入部１１との間に例え
ば細大の多数あけた板（石英板またはステンレス板等）
からなる第１の均一化部１５を設けてもよい。また、基
板保持部１３とガス排出部１２との間に第２の均一化部
１６を設けてもよい。この場合基板１表面に成長する時
の膜厚分布は、さらに均一化されるし基板１０大小に膜
の成長速度が依存しない方向に改善される。この第１、
＠２の均一化部１５． １６ハ＋ヤンバー１０に保持機
構１５ｍ、 １６ａを設けて脱着可能とし、洗浄交換
を容易とすることができる。
さらにチャンバー１０の内側に防着板を設置して、これ
を交換することも可能である。また、ガス導入部１１あ
るいはガス排出部１２はチャンバー、１０の底面および
上面に接続される必要はなく、チャンバー１０の側面下
方にガス導入部１１を設け、側面上方にガス排出部１２
を設ける構成も加熱部１４の設計等の都合で可能となる
。
を交換することも可能である。また、ガス導入部１１あ
るいはガス排出部１２はチャンバー、１０の底面および
上面に接続される必要はなく、チャンバー１０の側面下
方にガス導入部１１を設け、側面上方にガス排出部１２
を設ける構成も加熱部１４の設計等の都合で可能となる
。
第２図はこの発明の他の実施例を示す。第１図と同一番
号部分は同一機能を行う部分を示す。第２図の実施例で
は常温で蒸気圧の低い原料を用いる場合を示し、基板保
持部１３の下方に原料ポート２２を設け、それを加熱制
御する第２の加熱部１８を第１の加熱部１４の下方に設
けである。この場合は原料ガスまたは原料の蒸気は（１
）加熱部１８の加熱の断続、（２）原料ボート２２をポ
ート移動手段２１に、よって加熱部１゛８に囲まれたポ
ート保持ｉＲｉ ２２ ａの上に乗せるか、第２の加熱
部１８外のポート保持部２２ｂに乗せるか、（３１＠２
の加熱部１８を移動させることによって濃度または流量
の制御を行うことができる。
号部分は同一機能を行う部分を示す。第２図の実施例で
は常温で蒸気圧の低い原料を用いる場合を示し、基板保
持部１３の下方に原料ポート２２を設け、それを加熱制
御する第２の加熱部１８を第１の加熱部１４の下方に設
けである。この場合は原料ガスまたは原料の蒸気は（１
）加熱部１８の加熱の断続、（２）原料ボート２２をポ
ート移動手段２１に、よって加熱部１゛８に囲まれたポ
ート保持ｉＲｉ ２２ ａの上に乗せるか、第２の加熱
部１８外のポート保持部２２ｂに乗せるか、（３１＠２
の加熱部１８を移動させることによって濃度または流量
の制御を行うことができる。
さらに原料ガスまたは蒸気を基板１に到達させないため
、原料ボート２２と基板保持部１３との間に原料ガス制
御部１Ｔを設けることができる。
、原料ボート２２と基板保持部１３との間に原料ガス制
御部１Ｔを設けることができる。
この原料ガス制御部１Ｔは例えば２つの）（ンチング板
をずらすととにより原料ガスを連断したり通過したりす
ることができる。原料ガスを連断した時は基板１の方へ
パージガスを送る必要があり、これは原料ガス制御部１
Ｔよりもチャンバ＜−１０の上方の部分に、第２のガス
導入部２０を設けて行われる。さらに原料ガスまたは蒸
気の）（−ジ用の第２のガス排出部１ｓを原料ガス制御
部１Ｔより下方のチャンバー１０の部分に設ける午とが
できる。第２のガス導入部２０および第２のガス排出部
１９には各々原料ガス制御部１Ｔの開閉に応じて逆動作
をする開閉手段１１１ｍ、２０ｍを設けて制御すること
がＣきる。
をずらすととにより原料ガスを連断したり通過したりす
ることができる。原料ガスを連断した時は基板１の方へ
パージガスを送る必要があり、これは原料ガス制御部１
Ｔよりもチャンバ＜−１０の上方の部分に、第２のガス
導入部２０を設けて行われる。さらに原料ガスまたは蒸
気の）（−ジ用の第２のガス排出部１ｓを原料ガス制御
部１Ｔより下方のチャンバー１０の部分に設ける午とが
できる。第２のガス導入部２０および第２のガス排出部
１９には各々原料ガス制御部１Ｔの開閉に応じて逆動作
をする開閉手段１１１ｍ、２０ｍを設けて制御すること
がＣきる。
この実施例の場合も第１図の実施例と同様に第１および
第２の均一化部１５．１６を設けることができるが、第
１の均一化部１５は原料ボート２２のフタ２２ｃと兼用
させることもできるし、原料ガス制御部１７のパンチン
グ板と兼用させることもできる。
第２の均一化部１５．１６を設けることができるが、第
１の均一化部１５は原料ボート２２のフタ２２ｃと兼用
させることもできるし、原料ガス制御部１７のパンチン
グ板と兼用させることもできる。
さらにガスの反応を促進させるためＫ、第２図の第１の
加熱部１４、第２の加熱部１８０間または第２の加熱部
１８の下方に電磁気励起手段を設けることができる。電
磁気励起手段とはチャンバく一１０内にプラズマ状態等
の電磁気で励起されたガス状態を作り出すものでチャン
バー１０を囲むように設けられた２枚の電極板または一
連のコイルに高周波電力を印加することによって形成さ
れる。この場合、常温でガス状または蒸気圧の高い原料
を用いる場合は原料ボート２２と第２の加熱部１８で構
成される原料蒸発部は不要となる。電磁気励起を減圧で
行いたい場合は、ガス排気部１２にロータリポンプ等の
真空排気装置を接続することができる。このような装置
によって８ｎＣ１４またはＩ ｎ Ｃｌ ｍと酸素を原
料とし基板温度３００℃゛１ 以下で７モル７アスＳｎｏｍｓ アモルファスＩｎＯ倉
を行うことができた。
加熱部１４、第２の加熱部１８０間または第２の加熱部
１８の下方に電磁気励起手段を設けることができる。電
磁気励起手段とはチャンバく一１０内にプラズマ状態等
の電磁気で励起されたガス状態を作り出すものでチャン
バー１０を囲むように設けられた２枚の電極板または一
連のコイルに高周波電力を印加することによって形成さ
れる。この場合、常温でガス状または蒸気圧の高い原料
を用いる場合は原料ボート２２と第２の加熱部１８で構
成される原料蒸発部は不要となる。電磁気励起を減圧で
行いたい場合は、ガス排気部１２にロータリポンプ等の
真空排気装置を接続することができる。このような装置
によって８ｎＣ１４またはＩ ｎ Ｃｌ ｍと酸素を原
料とし基板温度３００℃゛１ 以下で７モル７アスＳｎｏｍｓ アモルファスＩｎＯ倉
を行うことができた。
チャンバー１０内の圧力を調整するために第１図に示す
実施例のガス排出部１２にも排気ファンまたは真空排気
装置を接続することもできる。この場合は基板保持部１
３として基板１を複数個上下方向に並べるような構造の
ものを用いても膜厚の良好な均一性を得ることができた
。
実施例のガス排出部１２にも排気ファンまたは真空排気
装置を接続することもできる。この場合は基板保持部１
３として基板１を複数個上下方向に並べるような構造の
ものを用いても膜厚の良好な均一性を得ることができた
。
第１図の実施例の装置において、紙面に直角方向に基板
保持部１３を移動させるために、基板保持部１３をベル
ト上に乗せるかまたは基板保持部１３でベルトを構成す
ると連続成長炉を構成することができる。この場合はチ
ャンバー１０は紙面垂直方向に長くなるのでガス導入部
１１は複数個設けてチャンバー１０の基板進行方向の原
料ガス分布を均一にする必要がある。同様に基板進行方
向にガス排出ｓ１２を複数個設け、同様に原料ガス分布
を均一化する必要がある。この場合ガス導入部１１とガ
ス排出部１２とは交互に配置されることか望ましいこと
が判明した。
保持部１３を移動させるために、基板保持部１３をベル
ト上に乗せるかまたは基板保持部１３でベルトを構成す
ると連続成長炉を構成することができる。この場合はチ
ャンバー１０は紙面垂直方向に長くなるのでガス導入部
１１は複数個設けてチャンバー１０の基板進行方向の原
料ガス分布を均一にする必要がある。同様に基板進行方
向にガス排出ｓ１２を複数個設け、同様に原料ガス分布
を均一化する必要がある。この場合ガス導入部１１とガ
ス排出部１２とは交互に配置されることか望ましいこと
が判明した。
さらに第１図のような装置を縦長に設計し、それを複数
個釜べて上部および下部で接続し、基板１を縦方向に移
動させて接続部は横方向に転送し、予備加熱または冷却
チャンバーを有するまたは多層膜の成長が連続的に可能
な成長装置をも構成することができる。この場合は設置
床面積が少なく、チャンバー間の原料ガスまたはキャリ
アガス分離も容易な装置を実現することができる。
個釜べて上部および下部で接続し、基板１を縦方向に移
動させて接続部は横方向に転送し、予備加熱または冷却
チャンバーを有するまたは多層膜の成長が連続的に可能
な成長装置をも構成することができる。この場合は設置
床面積が少なく、チャンバー間の原料ガスまたはキャリ
アガス分離も容易な装置を実現することができる。
基板１を紙面Ｋｆｌ直（横方向）に移動させる場合も、
縦（上下）方向に移動させる場合も連続成長装置におい
て、チャンバー１０は基板１０入口部と出口部とは開放
状態に設計されるから、少なくとも入口部においては不
活性ガスの供給および排出部を設けて混入外気を前記排
出部に排出してしまい、膜形成工程の再現性または制御
性を良好とすることができる。
縦（上下）方向に移動させる場合も連続成長装置におい
て、チャンバー１０は基板１０入口部と出口部とは開放
状態に設計されるから、少なくとも入口部においては不
活性ガスの供給および排出部を設けて混入外気を前記排
出部に排出してしまい、膜形成工程の再現性または制御
性を良好とすることができる。
前述の縦長のチャンバー１０を複数個有する多層膜の成
長装置または紙面に垂直方向に長い装置において、第１
の加熱部１４の設定温度を部分部分で最適温度として多
層膜の各層または同一組成の膜でも電気特性の異なる複
数層を成長させる装置を作ることも可能である。さらに
このような装置においては複数個設けられたガス導入部
１１に°異なる組成または種類の原料ガスを供給して多
層膜の成長を連続的に行わしめることができる。
長装置または紙面に垂直方向に長い装置において、第１
の加熱部１４の設定温度を部分部分で最適温度として多
層膜の各層または同一組成の膜でも電気特性の異なる複
数層を成長させる装置を作ることも可能である。さらに
このような装置においては複数個設けられたガス導入部
１１に°異なる組成または種類の原料ガスを供給して多
層膜の成長を連続的に行わしめることができる。
以上詳細に説明したように、この発明によればキャリア
ガスよりも分子量または原子量の重い原料ガスを用いて
も均一性の優れた膜の成長が可能な装置をバッチ式かつ
連続式に到るまで実現することができ、しかも蒸気圧の
低い原料を用いた膜の均一な成長も可能とすることがで
きる利点がある。
ガスよりも分子量または原子量の重い原料ガスを用いて
も均一性の優れた膜の成長が可能な装置をバッチ式かつ
連続式に到るまで実現することができ、しかも蒸気圧の
低い原料を用いた膜の均一な成長も可能とすることがで
きる利点がある。
第１図はこの発明の一実゛施例を示す断面図、第２図は
この発明の他の実施例を示す断面図である。 図中、１は基板、１０はチャンバー、１１．２０はガス
導入部、１２．１１はガス排出部、１３は基板保持部、
１４および１０は第１および第２のは原料ポートである
。 第１図 第２図
この発明の他の実施例を示す断面図である。 図中、１は基板、１０はチャンバー、１１．２０はガス
導入部、１２．１１はガス排出部、１３は基板保持部、
１４および１０は第１および第２のは原料ポートである
。 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） キャリアガスより重い原料ガスを含む気体ま
たは蒸気から膜状物質を基板上に成長せしめる装置にお
いて、前記原料ガスを含むガスを下方から導入するガス
導入部と、基板保持部と、上方へ設けられた前記ガスの
排出部と、前記基板保持部に熱を与え温度の制御を行う
第１の加熱部と、少なくとも前記基板保持部を含み前記
ガス導入部とガス排出部を設けたチャンバー゛とからな
ることを特徴とする化学蒸着装置。 し） チャンバーは、ガス導入部と基板保持部との間に
導入されたガスを均一に上方に供給する第１の均一化部
を有することを特徴とする特許請求の範Ｎ１ｓ鎖項記載
の化学蒸着装置。 （３）チャンバーは、基板保持部とガス排出部との間に
第２の均一化部を有することを特徴とする特許請求の範
囲第（１）項記載の化学蒸着装置。 （４）チャンバーは、ガス導入部と基板保持部との間Ｋ
ＩＮ科蒸発部を有し、かつ前記原料蒸発部に熱を与え温
度の制御を行う＠２の加熱部を有することを特徴とする
特許請求の範囲第（１）項記載の化学蒸着装置。 （５）チャンバーは、原料蒸発部と基板保持部との間に
原料ガスの供給を制御する原料ガス制御部を有し、かつ
前記原料ガス制御部より上方に第２のガス導入部を有す
ることを特徴とする特許請求の範１！Ｉ ＃１（４）項
記載の化学蒸着装置。 （６） チャンバーはその外側から原料蒸発部の移動
を行うことができる移動手段を有することを特徴とする
特許請求の範囲第（４）項記載の化学蒸着装置。 （７）チャンバーは基板保持部の出入口部に不活性ガス
の供給および排出部を有することを特徴とする特許請求
の範囲第（１）項記載の化学蒸着装置。 （８）第２の加熱部は可動であることを特徴とする特許
請求の範囲第（４）項記載の化学蒸着装置。 （９） 基板保持部は移動可能であることをＷ徴とす
る特許請求の範囲第（１）項記載り化学蒸着装置。 （１０）基板保持部は横方向に移動可能であることを特
徴とする特許請求の範囲第（８）項記載の化学蒸着装置
。 （ｌ］）基板保持部は縦方向に移動可能であることを特
徴とする特許請求の範囲第（８）項記載の化学蒸着装置
。 （１２）第１の加熱部は基板保持部を収納量るチャンバ
ーの外側を囲むように設けられ、さらに前記チャンバー
はガス導入部と第１の加熱部の間に前記チャンバーの外
側から結合した電磁気励起手段を有することを特徴とす
る特許請求の範囲第（１）項記載の化学蒸着装置。 （１３）ガス排出部は排気装置を備えたことを特徴とす
る特許請求の範囲第（１）項記載の化学蒸着装置。 （１４）第１の加熱部は温度設定の異なる複数個からな
ることを特徴とする特許請求の範囲第（１）現記り 載の化学蒸着装置。 （１５）ガス導入部は複数個からなることを特徴とする
特許請求の範囲第（１）項記載の化学蒸着装置。 ０６）ガス排出部は複数個からなることを特徴とする特
許請求の範囲第（］）項記載の化学蒸着装置。 （１７）ガス導入部は異なる原料ガスがそれぞれ供給さ
れる複数個からなることを特徴とする特許請求の範囲第
（１）項記載の化学蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5197182A JPS58167766A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | 化学蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5197182A JPS58167766A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | 化学蒸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58167766A true JPS58167766A (ja) | 1983-10-04 |
| JPS6128031B2 JPS6128031B2 (ja) | 1986-06-28 |
Family
ID=12901751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5197182A Granted JPS58167766A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | 化学蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58167766A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5970314A (en) * | 1996-03-25 | 1999-10-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Process for vapor phase epitaxy of compound semiconductor |
| JPWO2013151045A1 (ja) * | 2012-04-03 | 2015-12-17 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 結晶成長方法および結晶成長装置 |
-
1982
- 1982-03-30 JP JP5197182A patent/JPS58167766A/ja active Granted
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| THIN SOLID FILMS=1977 * |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5970314A (en) * | 1996-03-25 | 1999-10-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Process for vapor phase epitaxy of compound semiconductor |
| JPWO2013151045A1 (ja) * | 2012-04-03 | 2015-12-17 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 結晶成長方法および結晶成長装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6128031B2 (ja) | 1986-06-28 |
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