RU2007141737A - Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа - Google Patents
Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа Download PDFInfo
- Publication number
- RU2007141737A RU2007141737A RU2007141737/02A RU2007141737A RU2007141737A RU 2007141737 A RU2007141737 A RU 2007141737A RU 2007141737/02 A RU2007141737/02 A RU 2007141737/02A RU 2007141737 A RU2007141737 A RU 2007141737A RU 2007141737 A RU2007141737 A RU 2007141737A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- film
- deposition
- plasma
- chemical vapor
- winding type
- Prior art date
Links
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 title claims 2
- 238000004326 stimulated echo acquisition mode for imaging Methods 0.000 title 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract 36
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract 36
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract 25
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims abstract 22
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract 4
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims abstract 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims abstract 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 claims 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
- H01J37/32752—Means for moving the material to be treated for moving the material across the discharge
- H01J37/32761—Continuous moving
- H01J37/3277—Continuous moving of continuous material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5096—Flat-bed apparatus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
- C23C16/545—Apparatus specially adapted for continuous coating for coating elongated substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
Abstract
1. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа для образования слоя покрытия на пленке плазмохимическим осаждением из паровой фазы, в то время как указанную пленку заставляют перемещаться в вакуумной камере, которое включает: ! вышестоящий барабан и нижестоящий барабан, соответственно расположенные на стороне входа и стороне выхода места осаждения по отношению к направлению движения указанной пленки, которые заставляют указанную пленку двигаться по существу линейно в указанном месте осаждения, где: ! высокочастотный электрод расположен лицевой стороной к поверхности осаждения указанной пленки и соединен с источником высокочастотной энергии; ! противоэлектрод расположен на обратной стороне поверхности осаждения указанной пленки; и ! средства подачи газа, подающие исходный газ к поверхности осаждения указанной пленки, соответственно расположены в указанном месте осаждения. ! 2. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.1, в котором указанные средства подачи газа включают: ! решетку для распыления, присоединенную к указанному высокочастотному электроду; ! часть пространства, образованного между указанным высокочастотным электродом и указанной решеткой для распыления; ! и линию подачи газа, связанную с указанной частью пространства и подающую газ к поверхности осаждения указанной пленки через указанную решетку для распыления. ! 3. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.2, в котором расстояние между указанной решеткой для распыления и поверхностью осаждения указанной пленки равно 10 мм или более и 50 мм или
Claims (21)
1. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа для образования слоя покрытия на пленке плазмохимическим осаждением из паровой фазы, в то время как указанную пленку заставляют перемещаться в вакуумной камере, которое включает:
вышестоящий барабан и нижестоящий барабан, соответственно расположенные на стороне входа и стороне выхода места осаждения по отношению к направлению движения указанной пленки, которые заставляют указанную пленку двигаться по существу линейно в указанном месте осаждения, где:
высокочастотный электрод расположен лицевой стороной к поверхности осаждения указанной пленки и соединен с источником высокочастотной энергии;
противоэлектрод расположен на обратной стороне поверхности осаждения указанной пленки; и
средства подачи газа, подающие исходный газ к поверхности осаждения указанной пленки, соответственно расположены в указанном месте осаждения.
2. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.1, в котором указанные средства подачи газа включают:
решетку для распыления, присоединенную к указанному высокочастотному электроду;
часть пространства, образованного между указанным высокочастотным электродом и указанной решеткой для распыления;
и линию подачи газа, связанную с указанной частью пространства и подающую газ к поверхности осаждения указанной пленки через указанную решетку для распыления.
3. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.2, в котором расстояние между указанной решеткой для распыления и поверхностью осаждения указанной пленки равно 10 мм или более и 50 мм или менее.
4. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.1, в котором частота указанного высокочастотного электрода равна 100 кГц или более и 100 МГц или менее.
5. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.1, в котором указанный противоэлектрод соединен с потенциалом земли.
6. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.1, в котором средства нагревания указанной пленки расположены на стороне входа указанного места осаждения.
7. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.1, в котором устройство нейтрализации заряда указанной пленки расположено на стороне выхода указанного места осаждения.
8. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.1, в котором указанная пленка сделана из пластика или стекла.
9. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.1, в котором материал указанного слоя покрытия, образованного на поверхности осаждения указанной пленки, представляет собой кремний, нитрид кремния, оксид кремния, оксиазотированный кремний или смесь данных кремниевых материалов и, по меньшей мере, одного компонента, состоящего из бора и фосфора.
10. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.1, которое включает;
металлическую ленту, поддерживающую обратную сторону указанной пленки в положении осаждения; и
устройство перемещения ленты, которое заставляет указанную металлическую ленту перемещаться кругообразно в указанной вакуумной камере.
11. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.10, в котором электрический потенциал указанной металлической ленты идентичен потенциалу противоэлектрода, расположенному в указанном месте осаждения.
12. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.10, в котором указанная металлическая лента является противоэлектродом, расположенным в указанном месте осаждения.
13. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.10, в котором указанную металлическую ленту и указанную пленку заставляют перемещаться соответственно в контакте с барабаном, расположенным на стороне входа указанного места осаждения, где указанный барабан имеет нагреватель для нагревания указанной пленки через указанную металлическую ленту.
14. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.1, в котором маска, имеющая щель, ограничивающую площадь осаждения поверхности осаждения указанной пленки, расположена в указанном месте осаждения.
15. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.14, которое включает заслонку, способную открывать или закрывать щель указанной маски, где при выполнении процесса очистки участка осаждения, щель указанной маски закрывается указанной заслонкой, и затем очищающий газ подается из средств подачи газа.
16. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.1, которое включает:
маску, имеющую щель, ограничивающую площадь осаждения поверхности осаждения указанной пленки;
механизм регулирования, регулирующий зазор между поверхностью осаждения указанной пленки и щелью указанной маски;
заслонку, способную закрывать щель указанной маски путем вставки между поверхностью осаждения указанной пленки и щелью указанной маски; и
средства подачи очищающего газа.
17. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.16, в котором предусмотрена металлическая лента, которую заставляют перемещаться одновременно на обратной стороне поверхности осаждения указанной пленки, и указанный механизм регулирования включает:
устройство перемещения барабана, поднимающее вышестоящий барабан и нижестоящий барабан, которые направляют перемещения указанной пленки и указанного металлического барабана; и устройство регулирования натяжения ленты, регулирующее силу натяжения указанной металлической ленты.
18. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.17, в котором указанное устройство перемещения барабана поднимает противоэлектрод, расположенный в месте осаждения, при подъеме указанного верхнего барабана и указанного нижнего барабана.
19. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.18, в котором указанное устройство перемещения барабана включает:
опорные кронштейны, поддерживающие оба конца вращающихся осей указанного вышестоящего барабана и указанного нижестоящего барабана; и
зацепляющие защелки, присоединенные к указанным опорным кронштейнам и способные зацеплять нижнюю часть периферии указанного противоэлектрода.
20. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.16, в котором указанная заслонка соединена с потенциалом земли.
21. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.1, в котором маска, имеющая щель, ограничивающую площадь осаждения поверхности осаждения указанной пленки, расположена в месте осаждения, и протоки газа образуются между указанной маской и указанным высокочастотным электродом.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005137671 | 2005-05-10 | ||
| JP2005-137671 | 2005-05-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2007141737A true RU2007141737A (ru) | 2009-05-20 |
| RU2371515C2 RU2371515C2 (ru) | 2009-10-27 |
Family
ID=37396576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2007141737/02A RU2371515C2 (ru) | 2005-05-10 | 2006-05-10 | Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7896968B2 (ru) |
| EP (1) | EP1881087B1 (ru) |
| JP (1) | JP5234911B2 (ru) |
| KR (1) | KR100953577B1 (ru) |
| CN (1) | CN101098981B (ru) |
| RU (1) | RU2371515C2 (ru) |
| TW (1) | TWI328050B (ru) |
| WO (1) | WO2006121068A1 (ru) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4817313B2 (ja) * | 2006-09-01 | 2011-11-16 | 株式会社アルバック | 巻取式プラズマｃｖｄ装置 |
| JP5292696B2 (ja) * | 2007-01-11 | 2013-09-18 | Ｔｄｋ株式会社 | プラズマｃｖｄ装置、薄膜製造方法、及び、積層基板 |
| JP5338034B2 (ja) * | 2007-04-09 | 2013-11-13 | 住友金属鉱山株式会社 | 耐熱遮光フィルムとその製造方法、及びそれを用いた絞り又は光量調整装置 |
| KR101204089B1 (ko) * | 2007-12-24 | 2012-11-22 | 삼성테크윈 주식회사 | 롤투롤 기판 이송 장치, 이를 포함하는 습식 식각 장치 및회로 기판 제조 장치 |
| EP2096190A1 (en) * | 2008-02-28 | 2009-09-02 | Applied Materials, Inc. | Coating apparatus for coating a web |
| JP2009283547A (ja) * | 2008-05-20 | 2009-12-03 | Dainippon Printing Co Ltd | 導電性パターンの形成方法とその形成装置並びに導電性基板 |
| US8493434B2 (en) * | 2009-07-14 | 2013-07-23 | Cable Television Laboratories, Inc. | Adaptive HDMI formatting system for 3D video transmission |
| US9590317B2 (en) | 2009-08-31 | 2017-03-07 | Commscope Technologies Llc | Modular type cellular antenna assembly |
| JP5460236B2 (ja) * | 2009-10-22 | 2014-04-02 | 株式会社神戸製鋼所 | Ｃｖｄ成膜装置 |
| JP5513320B2 (ja) * | 2010-08-31 | 2014-06-04 | 富士フイルム株式会社 | 成膜装置 |
| JP2013044015A (ja) * | 2011-08-24 | 2013-03-04 | Fujifilm Corp | 成膜装置 |
| CN108425098A (zh) * | 2011-12-21 | 2018-08-21 | 应用材料公司 | 用于处理基板的系统和方法 |
| CN102433551A (zh) * | 2011-12-31 | 2012-05-02 | 汉能科技有限公司 | 一种反应腔室喷淋系统 |
| DE102012205254B4 (de) | 2012-03-30 | 2018-05-09 | Von Ardenne Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Temperierung bandförmiger Substrate unter thermisch stimulierter Prozessumgebung |
| DE102012208233A1 (de) | 2012-05-16 | 2013-11-21 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Temperierung bandförmiger Substrate unter thermisch stimulierter Prozessumgebung |
| JP5958092B2 (ja) | 2012-05-31 | 2016-07-27 | ソニー株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
| DE102012108742B4 (de) | 2012-06-04 | 2017-02-23 | Von Ardenne Gmbh | Verfahren und Anordnung zum Transport von bandförmigen Materialien in Vakuumbehandlungsanlagen |
| WO2014208943A1 (ko) * | 2013-06-28 | 2014-12-31 | (주) 에스엔텍 | 플라즈마 화학기상 장치 |
| JP5971870B2 (ja) * | 2013-11-29 | 2016-08-17 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体 |
| CN103695839B (zh) * | 2013-12-07 | 2016-05-18 | 深圳市金凯新瑞光电有限公司 | 一种应用在镀膜设备中的离子源清洗装置 |
| CN103789739B (zh) * | 2014-01-22 | 2015-12-23 | 南京汇金锦元光电材料有限公司 | 磁控溅射镀膜装置 |
| DE102014105747B4 (de) * | 2014-04-23 | 2024-02-22 | Uwe Beier | Modulare Vorrichtung zum Bearbeiten von flexiblen Substraten |
| JP6600079B2 (ja) * | 2015-11-27 | 2019-10-30 | 韓国機械研究院 | 基板コーティング装置及びこれを含む伝導性フィルムコーティング装置 |
| KR102458991B1 (ko) * | 2018-03-30 | 2022-10-25 | 제이에프이 스틸 가부시키가이샤 | 방향성 전기 강판의 제조 방법 및 연속 성막 장치 |
| CN112567068B (zh) * | 2018-04-30 | 2023-03-28 | 艾克斯特朗欧洲公司 | 用于以含碳层对基底覆层的设备 |
| TWI743726B (zh) * | 2019-04-15 | 2021-10-21 | 日商新川股份有限公司 | 封裝裝置 |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5736437A (en) * | 1980-08-14 | 1982-02-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | Producing device of magnetic recording medium |
| JPS6361420A (ja) * | 1986-09-01 | 1988-03-17 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| JPH0653928B2 (ja) * | 1987-09-17 | 1994-07-20 | 帝人株式会社 | プラズマｃｖｄ装置 |
| JP2532598B2 (ja) * | 1988-08-03 | 1996-09-11 | シャープ株式会社 | 光メモリ素子の製造方法及びその装置 |
| JP2932602B2 (ja) * | 1990-04-27 | 1999-08-09 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜製造装置 |
| JP2824808B2 (ja) * | 1990-11-16 | 1998-11-18 | キヤノン株式会社 | マイクロ波プラズマｃｖｄ法による大面積の機能性堆積膜を連続的に形成する装置 |
| JPH07233474A (ja) | 1994-02-23 | 1995-09-05 | Ulvac Japan Ltd | 巻取式真空成膜装置 |
| US5665640A (en) * | 1994-06-03 | 1997-09-09 | Sony Corporation | Method for producing titanium-containing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor |
| JPH0863746A (ja) * | 1994-08-24 | 1996-03-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法及び装置 |
| JP4067589B2 (ja) * | 1995-02-28 | 2008-03-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜太陽電池の作製方法 |
| JP2000054151A (ja) * | 1998-08-03 | 2000-02-22 | Toppan Printing Co Ltd | 真空成膜装置 |
| US6592771B1 (en) * | 1999-04-08 | 2003-07-15 | Sony Corporation | Vapor-phase processing method and apparatus therefor |
| US20040149214A1 (en) * | 1999-06-02 | 2004-08-05 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus |
| JP4439665B2 (ja) * | 2000-03-29 | 2010-03-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プラズマｃｖｄ装置 |
| JP3255903B2 (ja) * | 2000-08-10 | 2002-02-12 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成方法および堆積膜形成装置 |
| JP4610069B2 (ja) * | 2000-11-14 | 2011-01-12 | 積水化学工業株式会社 | 半導体素子の製造装置 |
| JP4200413B2 (ja) | 2001-01-17 | 2008-12-24 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 薄膜半導体の製造装置 |
| JP4822378B2 (ja) * | 2001-02-06 | 2011-11-24 | 株式会社ブリヂストン | 成膜装置および成膜方法 |
| US6852169B2 (en) * | 2001-05-16 | 2005-02-08 | Nordson Corporation | Apparatus and methods for processing optical fibers with a plasma |
| JP5050299B2 (ja) * | 2001-05-17 | 2012-10-17 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 長尺基材の表面処理方法及びその方法により製造された光学フィルム |
| JP2002371358A (ja) * | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Canon Inc | シリコン系薄膜の形成方法、シリコン系薄膜及び半導体素子 |
| JP2003168593A (ja) * | 2001-11-29 | 2003-06-13 | Sekisui Chem Co Ltd | 放電プラズマ処理装置 |
| JP2003179043A (ja) | 2001-12-13 | 2003-06-27 | Ulvac Japan Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| EP1347077B1 (en) * | 2002-03-15 | 2006-05-17 | VHF Technologies SA | Apparatus and method for the production of flexible semiconductor devices |
| JP4516304B2 (ja) * | 2003-11-20 | 2010-08-04 | 株式会社アルバック | 巻取式真空蒸着方法及び巻取式真空蒸着装置 |
| US7785672B2 (en) * | 2004-04-20 | 2010-08-31 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling the film properties of PECVD-deposited thin films |
| US7169232B2 (en) * | 2004-06-01 | 2007-01-30 | Eastman Kodak Company | Producing repetitive coatings on a flexible substrate |
-
2006
- 2006-05-08 TW TW095116196A patent/TWI328050B/zh active
- 2006-05-10 US US11/792,810 patent/US7896968B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-05-10 EP EP06732516.7A patent/EP1881087B1/en active Active
- 2006-05-10 WO PCT/JP2006/309387 patent/WO2006121068A1/ja active Application Filing
- 2006-05-10 CN CN2006800018846A patent/CN101098981B/zh active Active
- 2006-05-10 KR KR1020077015759A patent/KR100953577B1/ko active IP Right Grant
- 2006-05-10 JP JP2007528300A patent/JP5234911B2/ja active Active
- 2006-05-10 RU RU2007141737/02A patent/RU2371515C2/ru active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPWO2006121068A1 (ja) | 2008-12-18 |
| TWI328050B (en) | 2010-08-01 |
| CN101098981B (zh) | 2010-10-20 |
| TW200730663A (en) | 2007-08-16 |
| CN101098981A (zh) | 2008-01-02 |
| US20080006206A1 (en) | 2008-01-10 |
| KR20070089848A (ko) | 2007-09-03 |
| RU2371515C2 (ru) | 2009-10-27 |
| EP1881087A4 (en) | 2009-07-08 |
| US7896968B2 (en) | 2011-03-01 |
| JP5234911B2 (ja) | 2013-07-10 |
| WO2006121068A1 (ja) | 2006-11-16 |
| EP1881087B1 (en) | 2013-07-24 |
| EP1881087A1 (en) | 2008-01-23 |
| KR100953577B1 (ko) | 2010-04-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2007141737A (ru) | Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа | |
| KR100269936B1 (ko) | 퇴적막형성방법및장치 | |
| JP5436472B2 (ja) | 加熱装置、加熱システムおよび方法 | |
| JP2010534946A5 (ru) | ||
| TWI548771B (zh) | 使用掃描反應器在大型基板上進行原子層沉積 | |
| TW578212B (en) | Atomic layer deposition reactor | |
| US6025575A (en) | Heating apparatus for chemical vapor deposition equipment | |
| TW201837211A (zh) | 沈積一已蒸發源材料於一基板上之方法及沈積設備及操作其之方法 | |
| KR20100120420A (ko) | 하향식 노즐형 진공 증발원 장치 및 이를 이용한 하향식 노즐형 진공 증착 장치 | |
| US4500565A (en) | Deposition process | |
| KR100457455B1 (ko) | 박막 증착 속도를 조절하는 샤워헤드를 구비한 화학 기상증착 장치. | |
| JP7389831B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| KR20130133489A (ko) | 원자층 증착장치 | |
| WO2005021833A2 (en) | Apparatus for the coating and/or conditioning of substrates | |
| RU2584196C2 (ru) | Вакуумная установка напыления пленок с камерой абляции | |
| KR101256986B1 (ko) | 높이 조절이 가능한 히터를 구비한 유기금속 화학 기상 증착 장치 | |
| CN203653695U (zh) | Pecvd镀膜装置 | |
| KR102644722B1 (ko) | 대면적 고밀도 플라즈마 화학적 기상 증착 장치 | |
| KR100901122B1 (ko) | 기판 표면처리장치 및 그 방법 | |
| JP2021191894A (ja) | レーザー堆積中の基板の応力制御方法 | |
| KR101239609B1 (ko) | 태양전지 제조장치 | |
| KR100335565B1 (ko) | 음의 자체 전압 조절이 가능한 ｐｅｃｖｄ의 플라즈마발생 전극 조립체 | |
| KR20210133582A (ko) | 기판처리장치 | |
| KR20230166386A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| KR101393060B1 (ko) | 태양전지 제조장치 |