JP4817313B2 - 巻取式プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents

Description

本発明は、減圧雰囲気内でフィルムにプラズマＣＶＤにより成膜を行う巻取式プラズマＣＶＤ装置に関する。

従来より、長尺のフィルムあるいはフィルム状基板に成膜を行うのに、例えば、巻取式真空成膜装置が用いられている（下記特許文献１参照）。これは、巻出しローラから巻き出したフィルムを成膜位置においてプラズマＣＶＤ等により成膜を行った後、巻取りローラで巻き取るように構成されている。

図９に従来の巻取式プラズマＣＶＤ装置の構成を示す。従来の巻取式プラズマＣＶＤ装置においては、真空チャンバ１の内部において、巻出しローラ２からフィルム３を巻き出し、これを複数本の補助ローラ４を介して加熱源を内蔵したドラムローラ５に巻き付けた後、複数本の補助ローラ６を介して巻取りローラ７へ巻き取るように構成されている。ドラムローラ５は接地電位に接続されていると共に円弧状の高周波電極８と対向配置されており、ガス導入管９を介して反応ガスをドラムローラ５と高周波電極８との間に導入してプラズマを発生させ、その反応生成物をドラムローラ５上のフィルム３に付着させて成膜を行う。

この従来の巻取式プラズマＣＶＤ装置においては、ドラムローラ５の周囲に配置されたシール手段１４により、真空室１の内部を反応室１０と非反応室１１とに区画している。また、反応室１０を真空排気ライン１２で真空排気し、非反応室１１を補助ガス導入管１３からの補助ガスの導入により加圧することで、反応室１０に導入された反応ガスの非反応室１１側への流動を抑制するように構成されている。

一方、プラズマＣＶＤによる成膜時は、通常、成膜位置の周辺部品（シャワープレート、マスク等）が反応生成物の付着により汚染される。このため、定期的に反応室のクリーニングを行い、ダストの発生率を低く抑える必要がある。このクリーニング作業は、反応ガスの代わりにクリーニング用ガスを導入してプラズマ化し、付着物と反応させて除去する手法（セルフクリーニング）がある（下記特許文献２参照）。

特開２００２−２１２７４４号公報 特開２００３−１７９０４３号公報

しかしながら、上述した従来のプラズマＣＶＤ装置においては、ドラムローラ５に巻き付けられているフィルム３が常に高周波電極８と対向しており、セルフクリーニングを行うとフィルム３が汚染されるため、フィルムの成膜途中では成膜部のプラズマクリーニングを実行することができないという問題がある。

本発明は上述の問題に鑑みてなされ、フィルムの成膜途中でフィルムに影響を与えることなく成膜部のセルフクリーニングを実行することができる巻取式プラズマＣＶＤ装置を提供することを課題とする。

以上の課題を解決するに当たり、本発明は、成膜部に原料ガスを導入してフィルムをプラズマＣＶＤにより成膜する成膜モードと、成膜部にクリーニングガスを導入して成膜部のプラズマクリーニングを行うクリーニングモードとを有する巻取式プラズマＣＶＤ装置であって、成膜部は、フィルムの成膜面側に配置された高周波電極と、フィルムの成膜面と高周波電極との間に原料ガス又はクリーニングガスを導入するガス導入手段とを有するとともに、クリーニングモードにおいて、フィルムの成膜面を遮蔽する遮蔽手段を備えている。

本発明においては、成膜部のプラズマクリーニングを行う際、成膜部に位置するフィルムの成膜面を上記遮蔽手段で被覆することにより、フィルム成膜面をプラズマ空間から遮蔽し、プラズマによるフィルムの汚染、損傷を防止するようにしている。これにより、成膜途中においてもフィルムに影響を与えることなく成膜部のセルフクリーニングが可能となる。

遮蔽手段は、フィルムの成膜面と高周波電極との間に配置された帯状体と、成膜部において上記帯状体を搬送する搬送手段とで構成することができる。帯状体には、その長手方向に沿って、フィルムの成膜面を遮蔽する遮蔽部と、上記成膜面を開口させる開口部とが形成されている。

搬送手段は、帯状体をフィルムの走行方向と交差する方向に搬送する。成膜モードの際は、帯状体を上記開口部がフィルム成膜面と対向する位置に搬送し、クリーニングモードの際は、帯状体を上記遮蔽部がフィルムの成膜面と対向する位置に搬送する。これにより、装置構成を複雑化することなく、フィルム成膜面をプラズマから保護しながら成膜部のセルフクリーニングが実行可能となる。

上記構成において、成膜部には、上記帯状体とフィルムとを相互に密着させて位置決めする位置決め手段が設けられている。この位置決め手段は、フィルム成膜時とプラズマクリーニング時に駆動され、帯状体とフィルムとの間へのプラズマ生成物の回り込みを防止する。位置決め手段は、例えば、帯状体に対してフィルムを昇降移動させる昇降機構で構成することができる。

また、成膜部には、高周波電極と帯状体との間にフィルムの成膜領域を画定するマスク部材が設置されている。これにより、フィルム成膜面上の所定領域に選択的に成膜を行うことが可能となる。マスク部材は、例えば、フィルムに対して昇降移動自在に設けられている。

本発明において、フィルムは走行状態で成膜処理されてもよいが、好適には、成膜部において停止状態で成膜される。このとき、フィルムの走行方向に関して成膜部の上流側及び下流側に、フィルムを挟持して成膜部の内部空間を隔絶する仕切弁をそれぞれ設置する。これにより、成膜部に導入されたプロセスガス（原料ガス、クリーニングガス）が成膜部外部への漏出を抑制できる。

本発明の巻取式プラズマＣＶＤ装置によれば、クリーニングモードにおいて、フィルムの成膜面を遮蔽する遮蔽手段を備えているので、フィルムの成膜面をプラズマ空間から遮蔽でき、プラズマによるフィルムの汚染、損傷を防止することができる。これにより、成膜途中においてもフィルムに影響を与えることなく成膜部のセルフクリーニングを実行することが可能となる。

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。

図１は本発明の実施形態による巻取式プラズマＣＶＤ装置２０の概略構成を示す側断面図、図２はこの巻取式プラズマＣＶＤ装置２０の概略構成を示す平面図である。

本実施形態の巻取式プラズマＣＶＤ装置２０は、成膜部２３を構成する真空チャンバ２２と、成膜部２３の内部に形成された反応室２１と、成膜部２３にフィルムＦを供給する巻出しローラ２４と、成膜部２３で成膜したフィルムＦを巻き取る巻取りローラ２５とを備えている。そして、巻取式プラズマＣＶＤ装置２０は、後述するように、成膜部２３に原料ガスを導入してフィルムＦをプラズマＣＶＤにより成膜する成膜モードと、成膜部２３にクリーニングガスを導入して成膜部２３のプラズマクリーニングを行うクリーニングモードとを有している。

巻出しローラ２４及び巻取りローラ２５は、それぞれ、真空チャンバ２２と一体的に取り付けられた補助チャンバ２６，２７の内部に配置されている。これら補助チャンバ２６，２７の内部空間は、仕切弁２８，２９を介して反応室２１と連通している。なお、反応室２１及び補助チャンバ２６，２７の内部空間は、各々独立した真空ポンプで所定の減圧雰囲気に真空排気されるが、共通の真空ポンプを用いてそれぞれ排気されるようにしてもよい。

フィルムＦは、所定幅に裁断された長尺の可撓性フィルムからなり、巻出しローラ２４から巻き出され、成膜部２３において一方の面（成膜面）にプラズマＣＶＤにより成膜処理が施された後、巻取りローラ２５によって巻き取られる。フィルムＦの構成材料としては、例えば樹脂フィルムが用いられ、特に、ポリイミド、ポリアミド、アラミドなど耐熱温度２００℃以上の樹脂フィルムが好適である。

巻出しローラ２４から成膜部２３へ至るフィルムＦの走行経路には、フィルムＦの走行をガイドする補助ローラ３０Ａ，３０Ｂと仕切弁２８とが設置されており、成膜部２３から巻取りローラ２５へ至るフィルムＦの走行経路には、仕切弁２９と、フィルムＦの走行をガイドする補助ローラ３１Ａ，３１Ｂとが設置されている。

本実施形態の巻取式プラズマＣＶＤ装置２０において、フィルムＦは、巻出しローラ２４から巻き出された後、成膜部２３において停止され、成膜される。このとき、フィルムＦは、その走行方向に関して成膜部２３の上流側及び下流側の所定位置で仕切弁２８，２９により挟持される。これにより、反応室２１が隔絶され、成膜部２３に導入されたプロセスガス（原料ガス、クリーニングガス）が反応室２１の外部（補助チャンバ２６，２７の内部）へ漏出することが防止される。

次に、成膜部２３の構成について図３を参照して説明する。図３は、図２における［３］−［３］線方向断面図であって、非成膜処理時（非クリーニング処理時）の状態を示している。また、図４は、図３と同様な断面図であって、成膜処理時（クリーニング処理時）の状態を示している。

成膜部２３は、フィルムＦの成膜面（上面）側に配置された高周波電極３３と、フィルムＦの成膜面の裏面側に配置された対向電極３４とを備え、これら高周波電極３３と対向電極３４との間にフィルムＦ及び後述するクリーニングマスク３５の搬送空間が形成されている。

高周波電極３３は、カソードブロック３６に取り付けられている。カソードブロック３６には、プロセスガス（原料ガス、クリーニングガス）のガス導入ライン（ガス導入手段）３７が設けられている。プロセスガスは、フィルムＦと対向するように高周波電極３３に支持されたシャワープレート３２を介して、フィルムＦの成膜面とシャワープレート３２との間の空間領域（反応室２１）に導入される。なお、参照符号３８は、高周波電源に接続されたマッチングボックスである。

対向電極３４は、接地電位に接続されたアノード電極として構成され、高周波電極３３と協働して反応室２１にプラズマを形成する。また、この対向電極３４は、ヒーターを内蔵した加熱源としての機能をも有しており、フィルムＦを所定温度に加熱する。対向電極３４は昇降機構４０によって所定距離昇降自在に構成されており、成膜時及びプラズマクリーニング時、図３に示す下降位置から図４に示す上昇位置へ移動してフィルムＦの裏面側に接触する。

なお、対向電極３４の外周部には絶縁性材料からなる環状の摺動部材３９が取り付けられており、対向電極３４は、この摺動部材３９を介して真空チャンバ２２の内壁面に沿って昇降移動する。

ここで、プロセスガスとして導入される原料ガスとしては、フィルムＦに成膜する材料の種類によって適宜設定される。本実施形態では、プラズマＣＶＤ法により、フィルムＦに薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）用の各種機能層が形成される。例えば、フィルムＦにアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）の薄膜を成膜する場合には、原料ガスとして、例えば、シラン（ＳｉＨ₄）と水素（Ｈ₂）の混合ガスが用いられる。また、Ｐ⁺アモルファスシリコン層やＮ⁺アモルファスシリコン層を形成する場合には、原料ガスとして、ホウ素（Ｂ）やリン（Ｐ）を含むガス（例えばＢ₂Ｈ₆、ＰＨ₃）が用いられる。

クリーニングガスとしては、反応室２１の周囲に付着した原料ガスの分解生成物を分解除去できる種類のガスが適宜選択され、上記原料ガスの例では、ＮＦ₃やＣＦ₄等のフッ素系ガスが用いられる。

シャワープレート３２とフィルムＦの成膜面との間には、マスク部材４１が配置されている。マスク部材４１は、例えばセラミック等の絶縁性材料からなり、フィルムＦの成膜面の面内において成膜領域を画定する開口部を備えた枠状に形成されている。マスク部材４１は、マスク昇降機構４２に連結されており、フィルムＦに対して所定距離だけ昇降移動自在に構成されている。すなわち、図３に示す上昇位置から図４に示す下降位置へ移動してフィルムＦの成膜面側を被覆する。

一方、フィルムＦの成膜面とマスク部材４１との間には、クリーニングマスク３５が配置されている。クリーニングマスク３５は、本発明に係る「遮蔽手段」に対応し、フィルムＦの成膜面を遮蔽可能な帯状体で構成されている。

クリーニングマスク３５の両端部は、本発明に係る「搬送手段」として構成された搬送ローラ４４，４５にそれぞれ連結されており、フィルムＦの走行方向と交差する方向（本実施形態では直交方向）に搬送可能に構成されている。搬送ローラ４４，４５は、真空チャンバ２２の対向する側壁部に設置された補助チャンバ４６，４７の内部にそれぞれ収容されており、真空チャンバ２２の側壁部に形成されたスロット２２ａ，２２ａを介してクリーニングマスク３５を反応室２１に架け渡している。

補助チャンバ４６，４７の内部には、クリーニングマスク３５を挟持することで反応室２１と補助チャンバ４６，４７の内部空間との間を仕切る仕切弁装置４８，４９がそれぞれ設置されており、反応室２１へ導入されたプロセスガスが補助チャンバ４６，４７の内部空間へ到達しないように構成されている。なお、補助チャンバ４６，４７の内部空間を排気する排気ポートや、補助チャンバ４６，４７の内部空間へ窒素（Ｎ₂）ガス等のパージガスを導入する導入ポート等を別途設けても構わない。

図５Ａ，Ｂは、クリーニングマスク３５の一作用を説明するための成膜部２３の概略構成図である。クリーニングマスク３５は、その長手方向に沿って、フィルムＦの成膜面を遮蔽する遮蔽部３５ａと、フィルムＦの成膜面を開口させる開口部３５ｂとが形成されている。そして、フィルムＦに対して成膜を行う成膜モードにおいては、搬送ローラ４４，４５は、図５Ａに示すように、クリーニングマスク３５をその開口部３５ｂがフィルムＦの成膜面に対向する位置へ搬送する。これに対し、成膜部２３のプラズマクリーニングを行うクリーニングモードにおいては、搬送ローラ４４，４５は、図５Ｂに示すように、クリーニングマスク３５をその遮蔽部３５ａがフィルムＦの成膜面に対向する位置へ搬送する。

なお、クリーニングマスク３５の遮蔽部３５ａ及び開口部３５ｂは、クリーニングマスク３５上にそれぞれ１箇所ずつ設けられる場合に限られず、それぞれ複数個所に設けられる構成が好ましい。また、クリーニングマスク３５の構成材料は、プロセスガス、特に腐食性のあるクリーニングガスに対して一定の耐久性のある材料で構成されるのが好ましく、例えば、アルミニウムやチタン等の金属材料を用いることができる。

次に、真空チャンバ２２の周囲には、反応室２１に導入されたプロセスガスを排気するための排気通路５０が設けられている。この排気通路５０は、反応室２１の周囲を囲むように環状に形成されており、真空チャンバ２１の上壁５１に複数放射状に形成された排気口５１ａを介して反応室２１と連通している。排気通路５０は、排気ポート５２を介して図示しない真空ポンプに接続されている。

また、真空チャンバ２２の底部には、対向電極３４の反応室２１側とは反対側の空間部に窒素や水素等のパージガスを導入するためのパージガス導入ポート５３が設けられており、成膜時及びプラズマクリーニング時において当該空間部をパージガスで充填して反応室２１よりも高い圧力に維持するように構成されている。これにより、対向電極３４の周縁（摺動部材３９）と真空チャンバ２２内壁面の隙間を介しての当該空間部へのプロセスガスの流入を防止できる。なお、導入されたパージガスは、図４に矢印Ｇで示すように、摺動部材３９と真空チャンバ２２内壁面の隙間、反応室２１、排気口５１ａを介して排気通路５０により排気される。

次に、以上のように構成される本実施形態の巻取式プラズマＣＶＤ装置２０の動作について説明する。

図１を参照して、巻出しローラ２４から巻き出されたフィルムＦは、補助ローラ３０Ａ，３０Ｂ及び仕切弁２８を介して成膜部２３へ供給され、成膜部２３において所定の成膜処理が施された後、仕切弁２９及び補助ローラ３１Ａ，３１Ｂを介して巻取りローラ２５に巻き取られる。

成膜部２３は、フィルムＦの搬送時と非搬送時（成膜時、プラズマクリーニング時）は図３及び図４に示すように異なる形態をとる。フィルムＦの搬送時は、図３に示すように、対向電極３４が下降位置にあり、マスク部材４１が上昇位置にある。これにより、対向電極３４とマスク部材４１との間に所定の高さギャップが形成され、この高さギャップ内において、フィルムＦ及びクリーニングマスク３５が一定の間隙を介して互いに干渉されることなく搬送される。

フィルムＦの成膜面上の成膜領域が成膜部２３に到達すると、フィルムＦの搬送が停止される。その後、仕切弁２８，２９が閉弁し、反応室２１が隔絶される。また、成膜モードの際は、クリーニングマスク３５が図５Ａに示すようにその開口部３５ｂを介してフィルムＦの成膜面を露出させる位置に搬送された後、仕切弁装置４８，４９が閉じられる。

図６Ａ〜Ｃは、図３に示した成膜部２３のフィルム搬送モードから、図４に示した成膜部２３の処理モードへの移行過程を段階的に示す要部の断面図である。図６Ａは図３の状態を示しており、これを初期状態とすると、まず、対向電極３４が昇降機構４０の駆動により上昇し、フィルムＦをクリーニングマスク３５の設置高さにまで押し上げてフィルムＦとクリーニングマスク３５を互いに密着させて位置決めする。また、フィルムＦは、対向電極３４との接触により、所定温度に加熱される。

なお、クリーニングマスク３５が上方に押し上げられる程度の高さ位置に対向電極３４を上昇させることで、フィルムＦとクリーニングマスク３５の密着効果を高めることができる。なお、対向電極３４及び昇降機構４０は、フィルムＦとクリーニングマスク３５とを相互に密着させて位置決めする本発明の「位置決め手段」を構成する。

次いで、マスク部材４１がマスク昇降機構４２の駆動により下降し、クリーニングマスク３４の上面に接触する。これにより、クリーニングマスク３５とフィルムＦがマスク部材４１と摺動部材３９及び対向電極３４とに挟まれて保持されると共に、マスク部材４１とフィルムＦの成膜面とがクリーニングマスク３５を介して対向し、フィルムＦの成膜面に所定の成膜領域が画定される。また、マスク部材４１の下降により、反応室２１に安定してプラズマを形成することが可能となる。

フィルムＦの成膜は、ガス導入ライン３７を介して反応室２１へ原料ガスを導入し、プラズマにより分解して生成された反応物をフィルムＦの成膜面に堆積させることで行われる。このとき、クリーニングマスク３５は図５Ａに示したように開口部３５ａがフィルムＦの成膜面に対向配置されているので、クリーニングマスク３５がフィルムＦの成膜を阻害することはない。

反応室２１は、排気通路５０を介して排気される。排気通路５０は環状に形成されているので、反応室２１の等方排気を実現することができる。また、反応室２１が仕切弁２８，２９及び仕切弁装置４８，４９を介して外部と隔絶されているので、反応室２１内のガスが補助チャンバ２６，２７及び補助チャンバ４６，４７へ漏出するのを回避できる。さらに、真空チャンバ２２の底部のガス導入ポート５３からパージガスが導入されることにより、対向電極３４の背面側への原料ガスの回り込みが回避される。

以上のようにして、フィルムＦに対するプラズマＣＶＤによる成膜モードが実行される。成膜終了後、原料ガスの導入とプラズマ形成を停止させ、図６に示した順序と逆の順序で、成膜部２３が図３に示したフィルム搬送モードに移行する。そして、仕切弁２８，２９を開弁してフィルムＦを巻取りローラで巻き取る。

以上の動作を繰り返し行うことにより、フィルムＦの成膜面に周期的に成膜処理が施される。ここで、成膜処理を繰り返し行うと、成膜部２３を構成する各種部品、特にシャワープレートとして構成される高周波電極３３やマスク部材４１の開口部周辺に、原料ガスの分解生成物の付着量が増大する。これを放置すると、ダストの発生により膜質が劣化したり、マスク開口部の開口面積が変動する。そこで、本実施形態では、以下のクリーニングモードにおいて、成膜部２３のセルフクリーニングを行うようにしている。

クリーニングモードにおいては、クリーニングマスク３５が図５Ｂに示したようにその遮蔽部３５ａをフィルムＦの成膜面に対向させて配置される。その後、図６Ａ〜Ｃに示した順序で成膜部２３が処理モードに移行し、対向電極３４によってフィルムＦとクリーニングマスク３５とが密着、位置決めされる。これにより、フィルムＦが反応室２１に対してクリーニングマスク３５によって完全に遮蔽された状態となる。この状態で、ガス導入ライン３７を介して反応室２１へクリーニングガスが導入され、プラズマが形成されることにより、反応室２１内のプラズマクリーニングが実行される。

また、反応室２１が仕切弁２８，２９及び仕切弁装置４８，４９を介して外部と隔絶されているので、腐食性のクリーニングガスが補助チャンバ２６，２７及び補助チャンバ４６，４７へ漏出するのを回避できる。さらに、真空チャンバ２２の底部のガス導入ポート５３からパージガスが導入されることにより、対向電極３４の背面側へのクリーニングガスの回り込みが回避される。

本実施形態によれば、クリーニングモードにおいて、フィルムＦの成膜面がクリーニングマスク３５の遮蔽部３５ａで遮蔽されているので、フィルムＦの成膜面をプラズマ空間から遮蔽でき、プラズマによるフィルムの汚染、損傷を防止することができる。これにより、成膜途中においてもフィルムＦに影響を与えることなく、成膜部２３のセルフクリーニングを実行することが可能となる。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。

例えば、以上の実施形態では、クリーニングモードにおいて、フィルムの成膜面を遮蔽する遮蔽手段として、フィルムＦと交差して搬送される帯状体からなるクリーニングマスク３５を用いたが、これに代えて、図７及び図８に模式的に示すように、フィルムＦの成膜面に部分的に形成された金属ベタ膜層５５で上記遮蔽手段を構成してもよい。

この金属ベタ膜層５５は、フィルムＦの成膜面に蒸着等により直接形成されてなるもので、成膜部２３のクリーニングモードの実行周期に対応させて離間配置されている。すなわち、一の金属ベタ膜層５５と次の金属ベタ膜層５５との間には、成膜部２３において成膜される複数（例えば４〜１２）の成膜領域が割り当てられており、フィルムＦを間欠搬送することで金属ベタ膜層５５が成膜部２３に位置した際に、成膜部２３のセルフクリーニングを行うようにする。この構成により、クリーニングモードにおいてフィルムＦを遮蔽するマスク機構を別途設ける必要がなくなり、装置構成の簡素化を図ることが可能となる。

なお、金属ベタ膜層５５は、当該ＣＶＤ成膜工程の前工程（例えば蒸着工程）において形成される金属膜を利用することができる。金属膜としては、配線層形成工程の際に多用されるアルミニウム膜が好適である。金属ベタ膜層５５の成膜範囲は、フィルムＦの幅寸法や成膜部２３へのフィルム送りピッチ等により適宜設定される。例えば、フィルム幅を５００ｍｍとした場合、金属ベタ膜層５５の幅寸法を４００ｍｍ〜５００ｍｍ、フィルム長手方向の金属ベタ膜層５５の長さを５００ｍｍ〜８００ｍｍとすることができる。

本発明の実施形態による巻取式プラズマＣＶＤ装置の概略構成を示す側断面図である。 図１に示した巻取式プラズマＣＶＤ装置の概略平面図である。 図１に示した巻取式プラズマＣＶＤ装置の成膜部の概略構成を示す側断面図であって、フィルム搬送モードにおける形態を示している。 図１に示した巻取式プラズマＣＶＤ装置の成膜部の概略構成を示す側断面図であって、成膜モード又はクリーニングモードにおける形態を示している。 図１に示した巻取式プラズマＣＶＤ装置におけるクリーニングマスクの作用を説明するための概略斜視図であり、Ａは成膜モード、Ｂはクリーニングモードをそれぞれ示している。 図１に示した巻取式プラズマＣＶＤ装置における成膜部の動作例を工程順に示す要部断面図である。 本発明の他の実施形態による巻取式プラズマＣＶＤ装置の概略構成図である。 図７に示した巻取式プラズマＣＶＤ装置に用いられるフィルムの構成例を説明する概略斜視図である。 従来の巻取式プラズマＣＶＤ装置の概略構成図である。

符号の説明

２０ 巻取式プラズマＣＶＤ装置
２１ 反応室
２２ 真空チャンバ
２３ 成膜部
２４ 巻出しローラ
２５ 巻取りローラ
３３ 高周波電極
３４ 対向電極
３５ クリーニングマスク（遮蔽手段）
３７ ガス導入ライン（ガス導入手段）
４０ 昇降機構
４１ マスク部材
４４，４５ 搬送ローラ（搬送手段）
５０ 排気通路

Claims (8)

1. 成膜部と、前記成膜部にフィルムを供給する巻出しローラと、前記成膜部で成膜したフィルムを巻き取る巻取りローラとを備え、前記成膜部に原料ガスを導入して前記フィルムをプラズマＣＶＤにより成膜する成膜モードと、前記成膜部にクリーニングガスを導入して前記成膜部のプラズマクリーニングを行うクリーニングモードとを有する巻取式プラズマＣＶＤ装置であって、
   前記成膜部は、前記フィルムの成膜面側に配置された高周波電極と、前記フィルムの成膜面と前記高周波電極との間に前記原料ガス又は前記クリーニングガスを導入するガス導入手段と、前記クリーニングモードにおいて前記フィルムの成膜面を遮蔽する遮蔽手段とを有し、
   前記遮蔽手段は、前記フィルムの成膜面と前記高周波電極との間に配置された帯状体と、前記成膜部において前記帯状体を搬送する搬送手段とを有し、前記帯状体には、前記帯状体の長手方向に沿って、前記フィルムの成膜面を遮蔽する遮蔽部と、前記成膜面を開口させる開口部とが形成されている
   ことを特徴とする巻取式プラズマＣＶＤ装置。
2. 前記搬送手段は、前記帯状体を前記フィルムの走行方向と交差する方向に搬送する
   ことを特徴とする請求項１に記載の巻取式プラズマＣＶＤ装置。
3. 前記成膜部には、前記帯状体と前記フィルムとを相互に密着させて位置決めする位置決め手段が設けられている
   ことを特徴とする請求項１に記載の巻取式プラズマＣＶＤ装置。
4. 前記位置決め手段は、前記帯状体に対して前記フィルムを昇降移動させる昇降機構からなる
   ことを特徴とする請求項３に記載の巻取式プラズマＣＶＤ装置。
5. 前記成膜部には、前記高周波電極と前記帯状体との間に前記フィルムの成膜領域を画定するマスク部材が設置されている
   ことを特徴とする請求項１に記載の巻取式プラズマＣＶＤ装置。
6. 前記マスク部材は、前記フィルムに対して昇降移動自在に設けられている
   ことを特徴とする請求項５に記載の巻取式プラズマＣＶＤ装置。
7. 前記フィルムは前記成膜部において停止状態で成膜され、
   前記フィルムの走行方向に関して前記成膜部の上流側及び下流側には、前記フィルムを挟持して前記成膜部の内部空間を隔絶する仕切弁がそれぞれ設置されている
   ことを特徴とする請求項１に記載の巻取式プラズマＣＶＤ装置。
8. 前記遮蔽手段は、前記フィルムの成膜面に部分的に形成された金属ベタ膜層である
   ことを特徴とする請求項１に記載の巻取式プラズマＣＶＤ装置。

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