CN101098981B - 卷绕式等离子cvd装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种卷绕式等离子CVD装置，能将反应气体均匀地供给到薄膜的成膜区域、实现膜质的均匀化，在薄膜的成膜过程中也能进行成膜部的自清洗。相对于薄膜的移动方向，在成膜部(25)的上游侧和下游侧配置一对可动辊(33、34)，将薄膜(22)支承在该一对可动辊(33、34)之间，使薄膜(22)在成膜位置大致直线地移动。这样，可将喷淋板(37)与薄膜(22)之间的相向距离保持为一定、实现膜质的均匀化。薄膜(22)被在其背面侧同时移动的金属带(40)加热。可动辊(33、34)能从成膜位置上升到自清洗位置，使薄膜(22)远离喷淋板(37)。用闸门(65)将罩(51)的开口部封闭，防止自清洗气体漏出，可进行成膜过程中的自清洗。

Description

卷绕式等离子CVD装置
技术领域
本发明涉及一种卷绕式等离子CVD装置，该装置一边使薄膜在减压环境中移动一边通过等离子CVD在薄膜上进行成膜。
背景技术
已往，在长尺寸薄膜或薄膜状基板上连续地进行成膜时，例如是采用卷绕式真空成膜装置(见下述专利文献1、2)。在该装置中，一边使从放卷部放出的薄膜以一定的速度移动，一边在成膜位置用等离子CVD等进行成膜，然后，用卷绕部进行卷绕。
图7表示已往的卷绕式等离子CVD装置的构造。在已往的卷绕式等离子CVD装置中，在真空腔1的内部从放卷辊2放出薄膜3，通过若干个辅助辊4卷绕到内置有加热源的圆筒辊5上，然后，再通过若干个辅助辊6卷绕到卷绕辊7上。圆筒辊5与接地电位连接，并且与圆弧形的高频电极8相向地配置着，通过气体供给管9把反应气体供给到圆筒辊5与高频电极8之间，产生等离子，使其反应生成物附着在圆筒辊5上的薄膜上、进行成膜。
在该已往的卷绕式等离子CVD装置中，借助配置在圆筒辊5周围的密封机构9，将真空室1的内部划分为反应室10和非反应室11。用真空排气管12对反应室10进行真空排气，通过导入来自辅助气体导入管13的辅助气体，对非反应室11进行加压，这样，抑制供给到反应室10的反应气体向非反应室11一侧流动。
专利文献1：日本特开2002-212744号公报
专利文献2：日本特开平7-233474号公报
专利文献3：日本特开2003-179043号公报
在上述已往的卷绕式等离子CVD装置中，为了在把薄膜3卷绕在圆筒辊5的周面上的状态下进行成膜，用于形成等离子的高频电极8，形成沿着圆筒辊9的周面的圆弧形。
但是，在该结构中，难以把反应气体均匀地供给到薄膜的整个成膜区域，所以具有不能形成均匀的等离子、在薄膜3上难以均匀地成膜的问题。另外，由于需要把高频电极8形成为与圆筒辊5同心的圆筒状，所以，具有不容易进行高频电极8与圆筒辊5之间的间隙调整、并且也不容易制作高频电极8的问题。
另一方面，通常，在用等离子CVD进行成膜时，成膜位置周边的零件(喷淋板(シヤワ—プレ—ト)、罩等)由于附着反应生成物而被污染。为此，必须定期地清洁反应室，以降低灰尘发生率。该清洁作业的方法是，代替反应气体导入清洁用的气体、使其等离子化，与附着物反应而除去附着物(自清洗(セルフクリ—ニング))(参照专利文献3)。
但是，在上述已往的卷绕式等离子CVD装置中，卷绕在圆筒辊5上的薄膜3常时地与高频电极8相向，在进行自清洗时，薄膜或周围的零件被污染，所以，具有在薄膜的成膜过程中不能进行成膜部的自清洗的问题。
发明内容
本发明就是鉴于上述问题而作出的，其目的是提供一种卷绕式等离子CVD装置，该装置可向薄膜的成膜区域均匀地供给反应气体、实现膜质的均匀化，而且可容易调整高频电极与相向电极之间的间隙。
另外，本发明的目的是提供在薄膜的成膜过程中可进行成膜部的自清洗的卷绕式等离子CVD装置。
本发明的卷绕式等离子CVD装置，具有上游辊和下游辊，该上游辊和下游辊相对于薄膜的移动方向，分别配置在成膜位置的上游侧和下游侧，使薄膜在成膜位置大致直线地移动；在上述成膜位置，配置着高频电极、相向电极和气体供给机构；上述高频电极与薄膜的成膜面相向，并与高频电源连接；上述相向电极配置在薄膜的成膜面背面侧；上述气体供给机构将原料气体供给到薄膜的成膜面。
在本发明中，薄膜由上游辊及下游辊支承着，在成膜位置、在高频电极与相向电极之间大致直线地移动。向薄膜的成膜面供给的原料气体，通过向高频电极施加高频电压而等离子化，其反应生成物附着在移动的薄膜的成膜面上、进行成膜。
由于薄膜被直线状地支承着，所以，通过调整上游辊及下游辊的高度位置，可容易地进行薄膜与高频电极之间的间隙设定。另外，由于可将高频电极和相向电极都形成为平坦状，所以，可容易进行两电极间的间隙调整。两电极的构造也简单化，制作容易。
在本发明中，上述气体供给机构备有：安装在上述高频电极上的喷淋板(シャワ—プレ—ト)；形成在上述高频电极与上喷淋板之间的空间部；与上述空间部连通并通过上述喷淋板把气体供给到薄膜的成膜面上的气体供给配管。这样，可以使供给到薄膜成膜区域的反应气体均匀化，所以，能均匀地形成等离子，实现膜质的均匀化。
最好在成膜位置将薄膜加热到均匀的温度。为此，在本发明中，使得在成膜位置与薄膜同时移动的金属带在真空室内循环移动。金属带被加热到一定温度，与薄膜的背面侧相向地移动。另外，金属带也可以与上述相向电极分开地构成，或者也可以作为上述的相向电极而构成。
另一方面，在本发明中，备有金属带、罩、调整机构、闸门和清洁用气体的供给机构；上述金属带在真空室内循环移动，在成膜位置在薄膜的成膜面的背面侧同时移动；上述罩具有限定薄膜的成膜面的开口部；上述调整机构调整薄膜的成膜面与罩之间的间隙；上述闸门插入薄膜的成膜面与罩的开口部之间，可将该开口部封闭。
这样，用闸门封闭罩开口部，将薄膜的成膜面从等离子形成空间隔开，在薄膜的成膜过程中，可进行成膜部的自清洗。这时，可以抑制例如腐蚀性的清洁用气体、其分解生成物向薄膜或周边的机构部件等上扩散的问题。闸门可作为相向电极进行工作。另外，清洁用气体的供给机构，可以由供给反应气体的气体供给机构构成。
另外，上述调整机构具有辊移动机构部和金属带张力调整部；上述辊移动机构部，使引导薄膜以及金属带的移动的上游辊及下游辊升降移动；上述金属带张力调整部调整金属带的张力。
如上所述，根据本发明的卷绕式等离子CVD装置，可以使形成在薄膜上的膜质均匀化，同时，可根据成膜条件等，容易进行高频电极与相向电极之间的间隙调整。
另外，利用本发明的其它构造，在薄膜的成膜过程中，可以进行成膜部的自清洗，所以，可抑制装置工作效率的降低，进行高质量的成膜处理。
附图说明
图1是本发明的实施方式的卷绕式等离子CVD装置的概略结构图。
图2是成膜部25的概略结构图。
图3是图1中的[3]-[3]线的截面图。
图4是说明自清洗时的移行过程的成膜部25的侧截面图。
图5是说明自清洗时的移行过程的成膜部25的侧截面图。
图6是自清洗时的成膜部25的侧截面图。
图7是已往的卷绕式等离子CVD装置的概略构造图。
具体实施方式
下面，参照附图说明本发明的实施方式。
图1表示本发明的实施方式的卷绕式等离子CVD装置20的概略构造。本发明的实施方式的卷绕式等离子CVD装置20，具有真空腔21、作为成膜对象的薄膜22的放卷辊23及卷绕辊24和成膜部25。
真空腔21内部的真空室，被分隔板26划分为反应室27和非反应室28，在反应室27内配置有成膜部25；在非反应室28内配置有放卷辊23以及卷绕辊24。在反应室27和非反应室28上分别连接着真空排气口29、30，各室可独立地进行真空排气。在此，反应室27的压力例如保持在数十～数百Pa。反应室27侧的真空排气口29配置在成膜部25的附近。
另外，在分隔板26上分别设有缝隙26a和缝隙26b，从放卷辊23朝向成膜部25的薄膜22能通过缝隙26a；从成膜部25朝向卷绕辊24的薄膜22能通过缝隙26b。
薄膜22是裁断成规定宽度的长尺寸的可挠性薄膜，采用厚度例如为70μm的玻璃薄膜或树脂薄膜。树脂薄膜最好采用聚酰亚胺、聚酰胺、芳族聚酰胺(アラミド)等耐热温度在200℃以上的树脂薄膜。薄膜22的移动速度例如为0.01～0.1m/min。
在从放卷辊23到成膜部25的薄膜22的移动路径上，分别依次配置着引导薄膜22的移动的若干个辅助辊31A、31B、加热辊32和上游侧可动辊33。在从成膜部25到卷绕辊24的薄膜22的移动路径上，依次配置着引导薄膜22的移动的下游侧可动辊34和若干个辅助辊35A～35C。辅助辊35B也具有冷却辊的功能。
加热辊32，内置有加热器等的加热机构，在薄膜22的输送过程中，把薄膜22加热到规定温度(例如200～250℃)。根据需要，也可以在加热辊32与上游侧可动辊33之间，在薄膜22的成膜面一侧设置辅助加热器39。
上游侧可动辊33和下游侧可动辊34，分别与本发明的“上游辊”及“下游辊”对应，使薄膜22在成膜部25(成膜位置)大致直线地(水平)移动。如后所述，这些上游侧可动辊33和下游侧可动辊34，借助设在真空腔21外部的升降器46，能从图1中实线所示的成膜位置与双点划线所示的自清洗位置之间升降移动。
成膜部25，配置在上游侧可动辊33与下游侧可动辊34之间，备有与薄膜22的成膜面相向的高频电极36、安装在高频电极36上的喷淋板37、与薄膜22的成膜面背面侧相向的阳极电极38等。使得通过喷淋板37供给到薄膜22的成膜面上的原料气体，在高频电极36与薄膜22之间等离子化，使原料气体的反应生成物附着在移动的薄膜22的成膜面上、进行成膜。阳极电极38构成为相向电极，是接地电位，同时，为了薄膜22的温度均匀化，被加热到与加热辊32同样的温度。
在辅助辊35B与卷绕辊24之间，设有除电机构53。该除电机构53用于除去薄膜22的带电。作为除电机构53的构成例，可采用使薄膜22通过等离子中、用冲击处理对薄膜22进行除电的机构。
在反应室27内，金属带40循环移动着。该金属带25例如是不锈钢制的环形带，在加热辊32、上游侧可动辊33、下游侧可动辊34、辅助辊35A之间，并且在薄膜22的成膜面背面侧与薄膜22同时移动。金属带40与阳极电极38是同电位(接地电位)。
在辅助辊35A与加热辊32之间，配置着引导金属带40移动的若干个引导辊42A～42C、和调整金属带40的移动张力的移动辊43。由这些加热辊32、上游侧可动辊33、下游侧可动辊34、辅助辊35A、引导辊42A～42C、移动辊43构成了金属带移动系统41。在通过移动辊43进行金属带40的张力调整时，有时另外地设置图未示的张紧辊，进行张力调整。
在反应室27内，在加热辊32与辅助辊35A之间分别设置有分隔板44、45。分隔板44与分隔板45之间是中间室(缓冲室)70，分隔板26与分隔板44之间是移动室71。在中间室70和移动室71中，分别设置了真空排气口72及73，可独立地进行真空排气。这些分隔板44、45及真空排气口72、73，可抑制导入到成膜部25内的反应气体、清洗气体、等离子生成物等扩散附着到带移动系统41上，可抑制污染。
图2是成膜部25的概略构造图。
高频电极36与高频电源47相连接。根据等离子的形成条件，高频电源47可以采用100KHz以上、100MHz以下的电源频率。高频电极36具有容器形状，内部形成有规定容积的空间部49。在高频电极36的上端部安装有金属制的喷淋板37。喷淋板37朝向架设在成膜部25上的薄膜22的成膜面。
喷淋板37作为高频电极的一部分进行工作，与连接于接地电位的阳极38协同地、在喷淋板37与薄膜22之间形成原料气体的等离子空间。原料气体从气体供给配管50通过流量调整阀48及气体导入口50a导入到空间部49，从喷淋板37的各孔均匀地供给。通过这些喷淋板37、空间部49、气体供给配管50及气体导入口50a，构成了本发明的“气体供给机构”。
所用的原料气体的种类没有特别限定，可根据成膜材料的种类适当选择。在本实施方式中，用等离子CVD法，在薄膜22上形成薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)用的各种功能层。
即，成膜材料可采用硅、氮化硅、氧化硅或氧氮化硅、或者在这些材料中添加了硼(B)、磷(P)中的任一方或两方的材料。这时，作为原料气体，在对非晶硅层进行成膜时，可使用SiH4和H2的混合气体；在掺磷(P)n+型非晶硅层(Pド—プn+型アモルフアスシリコン層)进行成膜时，可使用SiH4，PH3，H2的混合气体；在形成SiN层时，可使用SiH4，NH3，N2的混合气体、或者SiH4，N2O，Ar的混合气体。
另外，在本实施方式中，除了成膜时供给的上述原料气体外，在后述的自清洗时还供给清洁用气体，该清洁用气体可使用NF3等的氟类气体，可从气体供给配管50导入该清洁用气体。该NF3气体是腐蚀性气体。
另一方面，在喷淋板37与薄膜22的成膜面之间配置着罩51。罩51的至少上部是陶瓷等的绝缘材料，在薄膜22的成膜面的面内，形成了限定成膜区域的开口部52。罩51由曲柄形状的罩本体53和罩周缘部54构成，罩本体53覆盖高频电极36的侧周部和上面的一部分；罩周缘部54形成开口部52。在罩51与高频电极36之间，形成了图2中箭头P所示的气体排出流路，把气体导向附近的真空排气口29(图1)。
图3至图6是从薄膜22的移动方向看的成膜部25的侧截面图。图中表示了上游侧可动辊33一侧的结构，但是下游侧可动辊34的一侧也是同样的结构。
本实施方式的卷绕式等离子CVD装置20，具有能自由开闭罩51的开口部52的闸门65，用该闸门65将罩51的开口部52封闭，从气体导入口50a供给清洁用气体，可进行成膜部25的自清洗。
上游侧可动辊33(以及下游侧可动辊34，下同)，其旋转轴56的两端分别轴支承在支承托架57上，这样，规定了薄膜22的移动位置。支承托架57通过升降销58与真空腔21底壁外面侧的升降器46连接。因此，上游侧可动辊33可被该升降器46驱动而在上下方向升降。
升降销58，插入设置在支承托架57与真空腔21底壁之间的真空波纹管(真空ベロ—ズ)59的内部，这样，保持升降销58与真空腔21的底壁之间的气密性。
图3表示薄膜22成膜时的状况。上游侧可动辊33比薄膜22的宽度大，与金属带40的宽度大致相同。当上游侧可动辊33位于图示的成膜位置时，被上游侧可动辊33引导移动的薄膜22和金属带40，通过阳极电极38与罩51之间。这时，阳极电极38由安装在支承托架57、57上的L字形的上层钩60支承着，罩51由设置在真空腔21底壁内面侧的支承块62支承着，这样，它们的高度位置被确定。
在该状态下，薄膜22与喷淋板37之间的相向距离，调整到10mm以上50mm以下，最好在15mm以上25mm以下。如后所述，该距离由升降器46的升降移动来调整。薄膜22与喷淋板37之间的相向距离如果小于10mm，则等离子的发生区域狭小，气体反应慢。如果大于50mm，则成膜率降低，生产性差。
升降器46在图中只示出了一部分，具有气缸或马达等的驱动源。如图4所示，升降器46能使支承在上层钩60上的阳极电极38远离罩51，使其上升到在阳极电极38与罩51之间形成间隙G1的位置。另外，如图5所示，升降器46，利用与安装在支承托架57上的L字形的下层钩61的卡合，可以使罩51远离喷淋板37，使其上升到在罩51与喷淋板37之间形成间隙G2的位置。
如图3至图5所示，在反应室27中闸门65在成膜部25的附近位置待机。如图6所示，该闸门65进入阳极电极38与罩51之间的间隙G1，可从上方位置将罩开口部52封闭。闸门65是金属制的、与接地电位连接，通过罩开口部52与喷淋板37相向，在两者间形成等离子空间。
当上游侧可动辊33和下游侧可动辊34上升移动时，被它们支承着的薄膜22和金属带40因张力降低而松弛。为此，对于金属带40来说，通过金属带移动系统41的移动辊43朝图1中双点划线所示的位置移动，就可以吸收金属带40的松弛。另外，对于薄膜22来说，通过例如放卷辊23的反力矩(バックトルク)或卷绕辊24的张力控制或力矩控制等，可以吸收薄膜22的松弛。
通过上述的升降器46、支承托架57、上层钩60等可构成本发明的“辊移动机构部”。通过该辊移动机构部和构成金属带移动系统41的移动辊43，可构成本发明的“调整机构”。
下面，说明上述结构的本实施方式的卷绕式等离子CVD装置20的作用。
如图1所示，从放卷辊23放出的薄膜22，通过辅助辊31A、31B、加热辊32、上游侧及下游侧可动辊33、34、辅助辊35A～35C，架设到卷绕辊24上。上游侧及下游侧可动辊33、34分别位于图中实线所示的成膜位置。
另一方面，在金属带移动系统41上移动的金属带40，在加热辊32、上游侧及下游侧可动辊33、34、辅助辊35A的区间内，与薄膜22一体地移动。移动辊43在图中实线所示的位置分别引导金属带40的移动。
在进行成膜时，从放卷辊23放出了的薄膜22，在加热辊32处与金属带40汇合。加热辊32被加热到薄膜成膜所需的反应温度(200～250℃)。因此，薄膜22通过位于其背面侧(成膜面的相反侧的面)的金属带40与加热辊32接触而被加热。另外，在必要时，用辅助加热器39实施薄膜22的加热处理。
根据本实施方式，由于通过移动的金属带40加热薄膜22，所以，能提高薄膜22的加热效率，减少加热源的消耗电力。另外，由于使金属带40与薄膜22一体地移动，所以，在金属带40与薄膜22之间不产生相互摩擦，可保护薄膜22。
被加热辊32加热了的薄膜22，与金属带40一起被输送到成膜部25。在成膜部25，如图2所示，薄膜22隔开一定的间隙与喷淋板37相向。该相向的距离如上所述是10～50mm。该距离的大小可根据等离子形成条件适当地调整。
根据本实施方式，可通过上游侧及下游侧可动辊33、34使薄膜22在成膜位置大致直线地移动，所以，能容易地调整与喷淋板37之间的间隙。另外，可将喷淋板37形成为平坦状。
在薄膜22上的成膜是这样进行的，即，对高频电极36施加高频电压，使从喷淋板37供给的原料气体等离子化，使其反应生成物附着到移动的薄膜22上。薄膜22的成膜区域被罩51限定。另外，这时金属带40也具有阳极电极(相向电极)的功能。
形成在高频电极36内部的空间部49，作为从气体导入口50a导入的原料气体的缓冲空间进行工作，从这里通过喷淋板37的各孔将原料气体均匀地供给到等离子空间。这样，可在薄膜22上形成均匀的等离子，可实现成膜层的均质化。
成膜后的薄膜22，在辅助辊35A处与金属带40分离，被辅助辊35B冷却到规定温度。在除电机构53中，对在薄膜22上带电的电荷实施除电处理，然后，卷绕到卷绕辊24上。这样，可以抑制因薄膜22的规定以上的带电而引起的折皱、卷绕紊乱等。
上面，说明了对薄膜22的成膜处理。
在长时间连续地进行薄膜22的成膜处理时，在成膜部25的特别是喷淋板37、罩51的开口部52周边，原料气体的分解生成物的附着量增大。如果放任不管，则由于产生粉尘将使膜质劣化，或者使罩开口部52的开口面积变化。为此，在本实施方式中，如下所述地进行成膜部25的自清洗处理。
在自清洗时，停止成膜部25中的原料气体的供给，薄膜22和金属带40的移动也停止。然后，使升降器46上升驱动，如图4和图5所示，使上游侧可动辊33、下游侧可动辊34、阳极电极38及罩51依次朝上方的自清洗位置移动。
因可动辊33、34的上升移动而引发的薄膜22及金属带40的松弛，如上所述，可由放卷辊23或卷绕辊24的旋转控制、由移动辊43吸收。
接着，如图6所示，闸门65通过阳极电极38与罩51之间的间隙G1移动到罩开口部52的正上方，然后，再使罩51进一步上升，这样，将开口部52封闭。然后，从气体导入口50a导入清洁用气体，在喷淋板37与闸门65之间产生等离子，由此，将附着在喷淋板37和罩51上的附着物分解除去。
如上所述地进行成膜部25的自清洗作业。根据本实施方式，由于可在将薄膜22架设在成膜部25上的状态下进行自清洗，所以，在清洗结束后，可以立即重新开始薄膜22的成膜处理。另外，在重新开始成膜时，使罩51、阳极电极38、可动辊33、34以与上述相反的动作下降，由此回复到图3所示的成膜位置。
另外，在自清洗时导入的清洁用气体，即使使用腐蚀性气体，由于用闸门65封闭罩开口部52，所以也可防止清洁用气体向罩上方空间的扩散。另外，由于把反应室27侧的真空排气口29(图1)配置在成膜部25附近，所以，导入的清洁用气体沿着图6中箭头P所示的排气流路、从罩51的侧方直接排到上述真空排气口29，可抑制回流(回り
Figure S06801884620070711D00011164840QIETU
む)到成膜部25而朝上方部扩散的情况。
根据本实施方式，在薄膜22的成膜过程中，可以进行成膜部25的自清洗，可抑制装置工作效率的降低，保持高质量地进行成膜处理。
上面说明了本发明的实施方式，但本发明并不限定于此，基于本发明的技术思想可作各种变形。
例如，在上述实施方式中，由于金属带40和阳极电极38起到同样的作用，所以，根据需要也可以将其中的任一方省略掉。
另外，在上述实施方式中，在成膜部25的自清洗时，使上游侧可动辊33和下游侧可动辊34上升移动，使薄膜22和金属带40远离喷淋板37。但是，也可以在上游侧可动辊33与成膜部25之间、成膜部25与下游侧可动辊34之间，另外地设置可升降的辊部件，用这些辊部件使薄膜及金属带升降移动。
另外，也可以在把成膜后的薄膜全部卷绕到卷绕辊24上后，使薄膜的移动方向反转、在成膜部25上成膜其它的材料层。这时，放卷辊22作为卷绕辊进行工作，卷绕辊24作为放卷辊进行工作。另外，也可以把辅助辊35A作为加热辊、把辅助辊31B作为冷却辊而预先构成。另外，也可以预先把除电机构、辅助加热器设置在需要的位置。

Claims (17)

1.一种卷绕式等离子CVD装置，一边使薄膜在真空室内移动一边通过等离子CVD在该薄膜上进行成膜，其特征在于，具有：
上游辊和下游辊，该上游辊和下游辊相对于上述薄膜的移动方向分别配置在成膜位置的上游侧和下游侧，使上述薄膜在上述成膜位置大致沿直线移动；
高频电极，该高频电极与上述薄膜的成膜面相向，并与高频电源连接着；
相向电极，该相向电极配置在上述薄膜的成膜面的背面侧；
气体供给机构，该气体供给机构将原料气体供给到上述薄膜的成膜面；
罩，该罩具有限定上述薄膜的成膜面的开口部；
闸门，该闸门能够自由开闭上述罩的开口部；
辊移动机构部，该辊移动机构部使上述上游辊和下游辊升降移动，由此调整上述薄膜的成膜面和上述罩之间的间隙，
上述辊移动机构部在上述上游辊和下游辊向上方移动时能够使上述相向电极以及上述罩依次向上方移动，
在进行成膜部的清洁处理时，上述辊移动机构部使上述上游辊、上述下游辊以及上述相向电极上升，在上述闸门移动到上述罩的开口部的正上方后，通过使上述罩上升，利用上述闸门封闭上述罩的开口部，
上述气体供给机构，在上述罩的开口部由上述闸门封闭后，向上述高频电极和上述闸门之间供给清洁用气体。
2.如权利要求1所述的卷绕式等离子CVD装置，其特征在于，上述气体供给机构具有：
安装在上述高频电极上的喷淋板；
形成在上述高频电极与上述喷淋板之间的空间部；
与上述空间部连通、通过上述喷淋板把气体供给到上述薄膜的成膜面的气体供给配管。
3.如权利要求2所述的卷绕式等离子CVD装置，其特征在于，上述喷淋板与上述薄膜的成膜面之间的相向距离是10mm以上、50mm以下。
4.如权利要求1所述的卷绕式等离子CVD装置，其特征在于，上述高频电源的频率是100KHz以上、100MHz以下。
5.如权利要求1所述的卷绕式等离子CVD装置，其特征在于，上述相向电极是接地电位。
6.如权利要求1所述的卷绕式等离子CVD装置，其特征在于，在上述成膜位置的上游侧，设置有对上述薄膜加热的加热器。
7.如权利要求1所述的卷绕式等离子CVD装置，其特征在于，在上述成膜位置的下游侧，设置对上述薄膜进行除电的除电机构。
8.如权利要求1所述的卷绕式等离子CVD装置，其特征在于，上述薄膜是树脂薄膜或玻璃薄膜。
9.如权利要求1所述的卷绕式等离子CVD装置，其特征在于，在上述薄膜的成膜面上成膜的材料是硅、氮化硅、氧化硅或氧氮化硅，或者是在这些材料中添加了硼、磷中的一方或两方的材料。
10.如权利要求1所述的卷绕式等离子CVD装置，其特征在于，在上述真空室内，配置着在上述成膜位置支承上述薄膜的成膜面的背面侧的金属带、和使该金属带循环移动的金属带移动系统。
11.如权利要求10所述的卷绕式等离子CVD装置，其特征在于，上述金属带与上述相向电极是同电位。
12.如权利要求10所述的卷绕式等离子CVD装置，其特征在于，上述金属带是上述相向电极。
13.如权利要求10所述的卷绕式等离子CVD装置，其特征在于，上述金属带和上述薄膜，分别与配置在上述成膜位置上游侧的上游辊接触移动，该上游辊内置着通过上述金属带对上述薄膜进行加热的加热器。
14.如权利要求1所述的卷绕式等离子CVD装置，其特征在于，具有在上述薄膜的成膜面的背面侧与该薄膜同时移动的金属带，和调整上述金属带的张力的带张力调整部，
上述辊移动机构部使引导所述薄膜以及所述金属带移动的上述上游辊和上述下游辊升降移动。
15.如权利要求1所述的卷绕式等离子CVD装置，其特征在于，上述辊移动机构部，具有支承上述上游辊以及上述下游辊的旋转轴的两端的支承托架、和安装在该支承托架上并可与上述相向电极以及上述罩各自的周缘下端部卡合的卡合爪。
16.如权利要求1所述的卷绕式等离子CVD装置，其特征在于，上述闸门是接地电位。
17.如权利要求1所述的卷绕式等离子CVD装置，其特征在于，在上述罩与上述高频电极之间，形成有气体的排气流路。
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